KR20130114020A - Coating treatment method and computer storage medium - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A coating treatment method and a computer storage medium are provided to increase the thickness of a coating film by suppressing the sublimation of coating solutions. CONSTITUTION: A cassette loading table is installed on a cassette station. A wafer transfer unit (7) is installed on the cassette station. A processing station includes five processor groups. A first transfer arm (10) is installed on the inner side of a first transfer device and transfers a wafer.

Description

도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{COATING TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}Coating processing method and computer storage medium {COATING TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치, 기판 처리 시스템, 도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a coating processing apparatus, a substrate processing system, a coating processing method and a computer storage medium for forming a coating film on a pattern formed on a substrate.

예를 들어, 다층 배선 구조의 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하,「웨이퍼」라 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 웨이퍼의 에칭 처리가 행해지고, 그 후 레지스트막의 제거 처리 등이 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 형성된다. 이와 같이 소정의 층에 소정의 패턴이 형성되는 공정이 통상 20 내지 30회 정도 반복하여 행해져, 다층 배선 구조의 반도체 디바이스가 제조된다.For example, in the manufacturing process of the semiconductor device of a multilayer wiring structure, the resist coating process which apply | coats a resist liquid on a semiconductor wafer (henceforth "wafer"), and forms a resist film, and predetermined | prescribed to the said resist film An exposure process for exposing the pattern, a developing process for developing the exposed resist film, and the like are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. Using this resist pattern as a mask, etching of the wafer is performed, and then, a resist film is removed, and a predetermined pattern is formed on the wafer. Thus, the process of forming a predetermined pattern on a predetermined layer is usually repeated about 20 to 30 times to produce a semiconductor device having a multilayer wiring structure.

그런데, 이와 같이 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 반복하여 형성되는 경우, n층째에 소정의 패턴이 형성된 후에, (n+1)층째의 레지스트막이 적절한 높이로 형성되기 위해서는, 레지스트액이 도포되는 면이 평탄한 것이 필요해진다.By the way, in the case where a predetermined pattern is repeatedly formed on the wafer in this manner, after the predetermined pattern is formed on the nth layer, in order to form the resist film of the (n + 1) th layer at an appropriate height, the surface on which the resist liquid is applied is It is necessary to be flat.

그래서 종래부터, 웨이퍼의 소정의 패턴 상에 도포막을 형성하고, 그 표면을 평탄화하는 것이 행해지고 있다. 이러한 도포막의 형성은, 웨이퍼의 소정의 패턴 상에 예를 들어 고체상의 도포막 형성 성분과 용제를 갖는 도포액을 도포하고, 당해 도포된 도포액을 가열하여 경화시킴으로써 행해진다. 이 도포액으로서는, 예를 들어 SOG(Spin On Glass) 재료가 이용되고 있다(오오하시 나오후미 외 저「다층 배선 구조에 대한 SOG 프로세스의 개량」 전기 정보 통신 학회 논문지 C-II Vol. J78-C-II No.5 1995년).Therefore, conventionally, the coating film is formed on the predetermined pattern of the wafer, and the surface is planarized. Formation of such a coating film is performed by apply | coating the coating liquid which has a solid coating film formation component and a solvent, for example on the predetermined | prescribed pattern of a wafer, and heats and hardens the apply | coated coating liquid. As the coating liquid, for example, a SOG (Spin On Glass) material is used (Naohumi Ohashi et al., "Improvement of SOG Process for Multilayer Wiring Structure") Journal of the Korean Institute of Information and Communication Sciences C-II Vol. J78-C -II No. 5 1995).

그러나, 도28에 도시한 바와 같이, 이러한 종래의 도포액이 웨이퍼(W)의 소정의 패턴(P) 상에 도포된 경우, 도포액 중의 고체상의 도포막 형성 성분의 유동성이 나쁘기 때문에, 도포액은 웨이퍼(W)의 소정의 패턴(P)의 요철 상을 원활하게 확산하지 않았다. 그 결과, 패턴(P)의 구멍(H)이 형성되어 있는 영역 S에서는, 패턴(P)의 구멍(H)이 형성되어 있지 않은 영역 T에 비해 도포막(R)이 움푹 패여, 도포막(R)의 높이가 다른, 이른바 단차 B가 발생되어 있었다. 따라서 종래의 도포막(R)의 표면은 평탄화되지 않고, 이 도포막(R) 상에 형성되는 레지스트막에도 단차가 발생된다고 하는 문제가 있었다.However, as shown in Fig. 28, when such a conventional coating liquid is applied onto a predetermined pattern P of the wafer W, since the fluidity of the solid coating film forming component in the coating liquid is poor, the coating liquid The uneven image of the predetermined pattern P of the silver wafer W was not smoothly diffused. As a result, in the area | region S in which the hole H of the pattern P is formed, compared with the area | region T in which the hole H of the pattern P is not formed, the coating film R is dented and the coating film ( The so-called step B with different heights of R) was generated. Therefore, the surface of the conventional coating film R is not planarized, and there existed a problem that a level | step difference also generate | occur | produced in the resist film formed on this coating film R. FIG.

본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, 기판에 형성된 소정의 패턴 상에 도포막을 형성하는 데 있어서, 당해 도포막의 표면을 평탄화하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of this point, Comprising: It aims at planarizing the surface of the said coating film in forming a coating film on the predetermined pattern formed in the board | substrate.

상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치이며, 기판을 반입출하기 위한 반입출구를 구비하여, 기판을 수용하는 처리 용기와, 기판에 레지스트막을 형성하기 전에 상기 처리 용기 내에 기판을 수용하고, 해당 기판의 패턴 상에, 광 중합 개시제를 갖는 액체상의 도포막 형성 성분을 포함하는 도포액을 도포하는 도포 노즐과, 상기 처리 용기 내에 설치되어, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 상기 도포액에, 해당 도포액을 경화시키는 파장의 자외선을 조사하는 조사부를 갖는다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention is a coating apparatus for forming a coating film on a pattern formed on a substrate, comprising a carry-out port for carrying in and out of the substrate, forming a processing container for accommodating the substrate, and forming a resist film on the substrate. A coating nozzle which accommodates a substrate in the said processing container, and apply | coats the coating liquid containing the liquid coating film formation component which has a photoinitiator on the pattern of this board | substrate, and is provided in the said processing container, and is provided in the said processing container, The said coating liquid apply | coated on the pattern of has a irradiation part which irradiates the ultraviolet-ray of the wavelength which hardens the said coating liquid.

본 발명의 도포 처리 장치에 따르면, 기판이 처리 용기 내로 반송된 후, 도포 노즐에 의해, 기판의 패턴 상에 액체상의 도포막 형성 성분을 포함하는 도포액이 도포되면, 당해 도포액에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분의 유동성이 좋기 때문에, 도포액은 기판의 패턴의 요철 상을 원활하게 확산할 수 있다. 따라서, 기판의 패턴 상에 형성되는 도포막에 단차가 발생되지 않아, 도포막의 표면을 평탄화할 수 있다.According to the coating process apparatus of this invention, after the board | substrate is conveyed in a processing container, when the coating liquid containing a liquid coating film formation component is apply | coated by the application | coating nozzle on the pattern of a board | substrate, the liquid phase contained in the said coating liquid Since the fluidity | liquidity of the coating film formation component of this is good, a coating liquid can spread | diffuse uneven | corrugated phase of the pattern of a board | substrate smoothly. Therefore, a level | step difference does not generate | occur | produce in the coating film formed on the pattern of a board | substrate, and the surface of a coating film can be planarized.

또한 여기서, 이 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분은 저분자이며, 각각의 분자가 결합되어 있지 않으므로, 승화하기 쉬운 성질을 갖고 있다. 이 도포막 형성 성분을 가열하면, 도포액은 더욱 승화하기 쉬워진다. 종래의 도포막은 도포액을 가열하는 것에 의해 도포액을 경화시켜 형성되므로, 액체상의 도포 형성 성분을 갖는 도포액을 이용하는 경우, 도포액을 경화시킬 때에 도포액이 승화해 버린다. 그러나 본 발명의 조사부에 따르면, 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 도포액을 경화시켜 기판의 패턴 상에 도포막을 형성하므로, 도포액을 가열할 필요가 없어 도포액의 승화를 종래보다 억제할 수 있다. 따라서, 형성되는 도포막의 막 두께의 감소를 억제할 수 있다.In addition, the liquid coating film formation component contained in the coating liquid apply | coated on the pattern of this board | substrate is a low molecule, and since each molecule | numerator is not bound, it has a property which is easy to sublimate. When this coating film formation component is heated, a coating liquid will become easier to sublimate further. Since a conventional coating film is formed by hardening a coating liquid by heating a coating liquid, when using the coating liquid which has a liquid coating formation component, a coating liquid sublimes when hardening a coating liquid. However, according to the irradiation section of the present invention, since the coating liquid applied on the pattern of the substrate is irradiated with ultraviolet rays, the coating liquid is cured to form a coating film on the pattern of the substrate. Can be suppressed more than before. Therefore, reduction of the film thickness of the coating film formed can be suppressed.

상기 조사부는, 상기 처리 용기의 상부에 설치되어 있어도 좋다. 이 조사부에 의해, 처리 용기 내에 수용된 기판에 대해 자외선을 조사할 수 있으므로, 기판이 처리 용기 내에 수용된 상태에서, 당해 기판에 대해 도포액의 도포와 자외선의 조사를 행할 수 있다. 따라서, 도포액의 도포로부터 자외선의 조사까지의 처리를 연속하여 행할 수 있어, 그만큼 처리 시간을 단축할 수 있다.The said irradiation part may be provided in the upper part of the said processing container. Since this irradiation part can irradiate an ultraviolet-ray with respect to the board | substrate accommodated in the processing container, application | coating of a coating liquid and irradiation of an ultraviolet-ray can be performed with respect to the said board | substrate in the state accommodated in the processing container. Therefore, the process from application | coating of a coating liquid to irradiation of an ultraviolet-ray can be performed continuously, and processing time can be shortened by that much.

상기 조사부는, 상기 반입출구의 상부에 설치되어 있어도 좋다. 이 조사부에 의해, 기판의 패턴 상에 도포액이 도포된 후, 기판을 처리 용기의 반입출구로부터 외부로 반송할 때에, 기판의 패턴상의 도포액에 자외선을 조사할 수 있다.The said irradiation part may be provided in the upper part of the said carrying in and out exit. After this application | coating liquid is apply | coated on the pattern of a board | substrate, an ultraviolet-ray can be irradiated to the coating liquid of the pattern form of a board | substrate when conveying a board | substrate from the carrying in and out of a process container to the exterior.

기판을 보유 지지하는 회전 가능한 스핀 척을 상기 처리 용기 내에 갖고, 상기 조사부에 의해 기판의 패턴 상의 도포액에 자외선이 조사되는 범위는, 기판의 중심으로부터 기판의 단부까지의 영역 이상인 것이라도 좋다. 이와 같이 스핀 척에 의해 회전하고 있는 기판에 대해 자외선을 조사하면, 적어도 기판의 중심으로부터 기판의 단부까지의 범위에 자외선을 조사하는 것만으로, 기판 전체면에 도포막을 형성할 수 있다. 또한 이 경우, 상기 조사부는 상기 도포 노즐에 병설되어 있어도 좋다.The range in which the ultraviolet-ray is irradiated to the coating liquid on the pattern of a board | substrate by the said irradiation part by the rotatable spin chuck which hold | maintains a board | substrate may be more than the area | region from the center of a board | substrate to the edge part of a board | substrate. When ultraviolet rays are irradiated to the substrate rotated by the spin chuck in this manner, the coating film can be formed on the entire surface of the substrate by irradiating ultraviolet rays at least from the center of the substrate to the end portion of the substrate. In addition, in this case, the said irradiation part may be provided in parallel with the said coating nozzle.

상기 도포 노즐은, 기판의 폭 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 노즐이며, 상기 조사부는 상기 도포 노즐과 평행하게 기판의 폭 방향으로 연장되는 형태를 갖고, 상기 도포 노즐에 동기하여 이동해도 좋다. 이와 같이 도포 노즐과 조사부가 동기하여 이동함으로써, 기판의 면내의 전역에 있어서, 도포액이 도포된 후 자외선이 조사될 때까지의 시간을 일정해지도록 제어할 수 있다. 또한 이 경우, 상기 조사부는 상기 도포 노즐에 병설되어 있어도 좋다. 또한, 상기 도포 노즐과 상기 조사부는, 독립된 이동 기구를 갖고 있어도 좋고, 상기 조사부는 복수 설치되어 있어도 좋다.The said application nozzle is a nozzle which has a slit-shaped discharge opening extended in the width direction of a board | substrate, The said irradiation part has a form extended in the width direction of a board | substrate parallel to the said coating nozzle, and may move in synchronization with the said coating nozzle. . In this way, the coating nozzle and the irradiation unit move in synchronization, so that the time from the application of the coating liquid to the irradiation of ultraviolet rays can be controlled to be constant throughout the entire surface of the substrate. In addition, in this case, the said irradiation part may be provided in parallel with the said coating nozzle. In addition, the said application | coating nozzle and the said irradiation part may have independent movement mechanism, and the said irradiation part may be provided in multiple numbers.

상기 도포 처리 장치는, 상기 도포 노즐로부터 기판의 영역 상에 도포액을 도포한 직후의 당해 영역 상의 도포액에 대해, 상기 조사부로부터 자외선을 조사하도록 제어하는 제어부를 갖고 있어도 좋다. 이 제어부에 의해, 기판의 패턴 상에 도포된 도포액은 기판에 도포된 직후에 자외선이 조사되어 경화되므로, 도포액의 승화를 억제할 수 있다.The said coating processing apparatus may have a control part which controls to irradiate an ultraviolet-ray from the said irradiation part with respect to the coating liquid on the said area | region immediately after apply | coating a coating liquid on the area | region of a board | substrate from the said coating nozzle. By this control part, since the ultraviolet-ray is irradiated and hardened | cured immediately after apply | coating on the pattern of a board | substrate, sublimation of a coating liquid can be suppressed.

다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 적어도 기판에 형성된 패턴 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치와, 상기 도포 처리 장치에 기판을 반입출하는 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템이다. 그리고 상기 반송 장치는, 기판을 지지하여 반송하는 반송 아암과, 상기 반송 아암으로 지지되어 있는 기판에 대해 당해 기판의 패턴 상의 도포액에 자외선을 조사하는 조사부를 갖는다.According to this invention by another viewpoint, it is a substrate processing system which has a coating processing apparatus which apply | coats a coating liquid on the pattern formed in the board | substrate at least, and the conveying apparatus which carries in and out a board | substrate to the said coating processing apparatus. And the said conveying apparatus has a conveyance arm which supports and conveys a board | substrate, and the irradiation part which irradiates an ultraviolet-ray to the coating liquid on the pattern of the said board | substrate with respect to the board | substrate supported by the said transport arm.

이 경우, 도포 처리 장치에서 기판의 패턴 상에 도포액이 도포된 후, 당해 기판은 반송 아암에 의해 반송 장치로 반송되고, 당해 기판이 반송 아암에 지지된 상태에서, 기판의 패턴 상의 도포액에 대해 반송 장치의 조사부로부터 자외선이 조사되므로, 기판의 패턴 상에 도포막을 인라인으로 형성할 수 있어, 도포막의 형성을 원활하게 행할 수 있다.In this case, after a coating liquid is apply | coated on the pattern of a board | substrate in a coating processing apparatus, the said board | substrate is conveyed to a conveying apparatus by a conveyance arm, and the said board | substrate is supported by the coating liquid on the pattern of the pattern of a board | substrate in the state supported by the conveyance arm. On the other hand, since ultraviolet light is irradiated from the irradiation part of a conveying apparatus, a coating film can be formed inline on the pattern of a board | substrate, and formation of a coating film can be performed smoothly.

또 다른 관점에 따르면, 본 발명은 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법이며, 상기 도포막을 형성하는 도포액은 액체상의 도포막 형성 성분과 용제를 포함하고, 상기 도포막 형성 성분은 광 중합 개시제를 포함한다. 그리고 본 발명의 도포 처리 방법은, 기판의 패턴 상에 상기 도포액을 도포하는 도포 공정과, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 상기 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포막을 형성하는 조사 공정을 갖는다.According to still another aspect, the present invention is a coating treatment method for forming a coating film on a pattern formed on a substrate, the coating liquid for forming the coating film comprises a liquid coating film forming component and a solvent, the coating film forming component It includes a photoinitiator. In addition, in the coating treatment method of the present invention, a coating step of applying the coating liquid on a pattern of a substrate and ultraviolet rays are applied to the coating liquid applied on the pattern of the substrate to activate the photopolymerization initiator to form a coating film. Has an irradiation step.

본 발명의 도포 처리 방법에 있어서는, 기판의 패턴 상에 액체상의 도포막 형성 성분을 포함하는 도포액이 도포된다. 이와 같이 기판의 패턴 상에 도포액이 도포되면, 그 도포액에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분의 유동성이 좋기 때문에, 도포액은 기판의 패턴의 요철 상을 원활하게 확산할 수 있다. 따라서, 기판의 패턴 상에 형성되는 도포막에 단차가 발생되지 않아, 도포막의 표면을 평탄화할 수 있다.In the coating process method of this invention, the coating liquid containing a liquid coating film formation component is apply | coated on the pattern of a board | substrate. Thus, when a coating liquid is apply | coated on the pattern of a board | substrate, since the fluidity | liquidity of the liquid coating film formation component contained in this coating liquid is favorable, a coating liquid can spread | diffuse uneven | corrugated phase of the pattern of a board | substrate smoothly. Therefore, a level | step difference does not generate | occur | produce in the coating film formed on the pattern of a board | substrate, and the surface of a coating film can be planarized.

또한 여기서, 이 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분은 저분자이며, 각각의 분자가 결합되어 있지 않으므로, 승화하기 쉬운 성질을 갖고 있다. 이 도포막 형성 성분을 가열하면, 도포액은 더욱 승화하기 쉬워진다. 종래의 도포막은 도포액을 가열하는 것에 의해 도포액을 경화시켜 형성되므로, 액체상의 도포 형성 성분을 갖는 도포액을 이용하는 경우, 도포액을 경화시킬 때에 도포액이 승화해 버린다. 그러나 본 발명의 도포 처리 방법에 따르면, 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 도포액 중의 도포막 형성 성분에 포함되는 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포액을 경화시켜, 기판의 패턴 상에 도포막을 형성하므로, 도포액의 가열이 불필요하거나, 혹은 필요 이상으로 가열할 필요가 없어, 도포액의 승화를 종래보다 억제할 수 있다. 또한 광 중합 개시제에 자외선을 조사하면, 광 중합 개시제는 매우 단시간에 활성화되어, 도포액의 경화를 단시간에 행할 수 있다. 이 광 중합 개시제의 단시간에의 활성화도 도포액의 승화의 억제에 기여하고 있다. 이와 같이 도포액의 승화를 억제할 수 있으므로, 형성되는 도포막의 막 두께의 감소를 억제할 수 있다.In addition, the liquid coating film formation component contained in the coating liquid apply | coated on the pattern of this board | substrate is a low molecule, and since each molecule | numerator is not bound, it has a property which is easy to sublimate. When this coating film formation component is heated, a coating liquid will become easier to sublimate further. Since a conventional coating film is formed by hardening a coating liquid by heating a coating liquid, when using the coating liquid which has a liquid coating formation component, a coating liquid sublimes when hardening a coating liquid. However, according to the coating treatment method of the present invention, the coating liquid applied on the pattern of the substrate is irradiated with ultraviolet rays, the photopolymerization initiator contained in the coating film forming component in the coating liquid is activated to cure the coating liquid, and the pattern of the substrate Since a coating film is formed on it, heating of a coating liquid is unnecessary or it is not necessary to heat more than necessary, and sublimation of a coating liquid can be suppressed compared with the past. Moreover, when an ultraviolet-ray is irradiated to a photoinitiator, a photoinitiator is activated in a very short time, and hardening of a coating liquid can be performed in a short time. Activation of this photoinitiator for a short time also contributes to suppression of sublimation of the coating liquid. Thus, since sublimation of a coating liquid can be suppressed, the reduction of the film thickness of the coating film formed can be suppressed.

상기 도포 공정이 종료된 후, 상기 조사 공정이 개시될 때까지의 시간을, 미리 정한 시간 이내로 되도록 제어해도 좋다. 이 시간은, 예를 들어 도포액이 도포된 기판을 방치한 경우에, 당해 도포된 도포액이 승화하는 양이 허용 범위 내로 되는 시간으로 설정할 수 있다. 이와 같이 시간을 제어함으로써, 도포 공정이 종료된 후 조사 공정이 개시될 때까지 도포액이 승화해도, 형성되는 도포막의 막 두께의 감소를 허용 범위 내로 억제할 수 있다.After the said application | coating process is complete | finished, you may control the time until the said irradiation process is started within a predetermined time. This time can be set, for example, when the board | substrate to which the coating liquid was apply | coated was left to the time which the quantity which the said apply | coated coating liquid sublimes falls within an allowable range. By controlling time in this way, even if a coating liquid sublimes until an irradiation process starts after completion | finish of a coating process, the reduction of the film thickness of the coating film formed can be suppressed within an allowable range.

기판의 면내 모든 영역에 있어서, 상기 도포 공정에서 도포액이 도포된 후, 상기 조사 공정에서 자외선이 조사될 때까지의 시간이 일정해지도록 제어해도 좋다. 이에 의해, 도포액이 도포된 기판의 면내 모든 영역에 있어서, 도포된 도포액이 승화하는 양을 일정하게 할 수 있으므로, 형성되는 도포막의 막 두께를 균일하게 할 수 있다.In all the in-plane areas of the substrate, after the coating liquid is applied in the coating step, the time until the ultraviolet ray is irradiated in the irradiation step may be controlled to be constant. Thereby, since the quantity which sublimes the apply | coated coating liquid can be made constant in all the in-plane areas of the board | substrate with which the coating liquid was apply | coated, the film thickness of the coating film formed can be made uniform.

기판의 영역 상에 도포액을 도포한 직후의 상기 영역 상의 도포액에 대해, 자외선의 조사를 행해도 좋다. 이에 의해, 기판의 패턴 상에 도포된 도포액은, 기판에 도포된 직후에 자외선이 조사되어 경화되므로, 도포액의 도포로부터 자외선의 조사까지의 시간을 매우 단시간으로 할 수 있어, 도포액의 승화를 억제할 수 있다.You may irradiate an ultraviolet-ray with respect to the coating liquid on the said area | region immediately after apply | coating a coating liquid on the area | region of a board | substrate. Thereby, since the coating liquid apply | coated on the pattern of a board | substrate is irradiated and hardened | cured immediately after apply | coating to a board | substrate, the time from application | coating of a coating liquid to irradiation of an ultraviolet-ray can be made very short, and sublimation of a coating liquid is carried out. Can be suppressed.

도포 공정 또는 상기 조사 공정의 양쪽 또는 어느 한쪽은, 기판 주변의 분위기를 냉각하여 행해져도 좋다. 이에 의해, 기판의 패턴 상에 도포된 도포액이 냉각되므로, 도포액의 승화를 더욱 억제할 수 있다.Both or either of the coating step or the irradiation step may be performed by cooling the atmosphere around the substrate. Thereby, since the coating liquid apply | coated on the pattern of a board | substrate is cooled, sublimation of a coating liquid can further be suppressed.

상기 도포 공정의 후이며 , 또한 상기 조사 공정 전에, 기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액을 소정의 두께로 될 때까지 승화시키는 가열 공정을 갖고 있어도 좋다.You may have the heating process after the said application process and before the said irradiation process, heating the atmosphere around a board | substrate for a predetermined time, and subliming the coating liquid apply | coated on the pattern of the said board | substrate until it becomes predetermined thickness. .

이에 의해, 기판의 패턴 상에 도포액을 도포한 후, 도포된 도포액의 두께가 소정의 두께보다도 두꺼운 경우에는, 기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여 기판의 패턴의 도포액을 승화시킴으로써, 도포액의 두께를 소정의 두께로 할 수 있다. 그 결과, 소정의 막 두께의 도포막을 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 도포막의 막 두께는 가열하는 온도와 시간으로 제어할 수 있는데, 큰 막 두께의 변화는 온도로 제어하고, 작은 막 두께의 변화는 시간으로 제어하도록 해도 좋다.Thereby, after apply | coating a coating liquid on the pattern of a board | substrate, when the thickness of the apply | coated coating liquid is thicker than predetermined thickness, by heating the atmosphere around a board | substrate for a predetermined time, and subliming the coating liquid of the pattern of a board | substrate, The thickness of a coating liquid can be made into predetermined thickness. As a result, a coating film having a predetermined film thickness can be formed. In addition, although the film thickness of a coating film can be controlled by the temperature and time to heat, the change of a large film thickness may be controlled by temperature, and the change of a small film thickness may be controlled by time.

이와 같이 기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열함으로써, 패턴의 오목 부분 이외의 패턴의 표면에 도포된 도포액을 모두 승화시킬 수도 있다. 즉, 패턴 상에 형성되는 도포막의 막 두께를 제로로 하여, 패턴의 오목부에만 도포액이 충전되어 경화됨으로써, 패턴의 요철을 없애 패턴의 상면을 평탄화할 수 있다. 종래부터, 도포막을 형성한 후에 패턴 상의 도포막을 불필요하게 하여, 예를 들어 에칭을 행하여 이 도포막을 제거하는, 이른바 에치백 공정을 행하는 경우가 있지만, 본 발명에 따르면 이러한 에치백 공정을 생략할 수 있어, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Thus, by heating the atmosphere around a board | substrate for a predetermined time, all the coating liquid apply | coated to the surface of the pattern other than the recessed part of a pattern can also be sublimed. That is, the film thickness of the coating film formed on a pattern is made zero, and a coating liquid is filled and hardened only in the recessed part of a pattern, and can remove the unevenness of a pattern, and can planarize the upper surface of a pattern. Conventionally, there is a case where a so-called etch back step of removing the coating film by removing the coating film, for example, by removing the coating film on the pattern after forming the coating film is unnecessary. According to the present invention, such an etch back step can be omitted. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.

상기 조사 공정 후에 기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 형성된 도포막을 승화시키는 가열 공정을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 기판의 패턴 상의 도포막 상에 형성되는 레지스트막의 막 두께가 불균일하거나, 레지스트막의 패턴이 원하는 것이 아닌 경우에는, 당해 레지스트막과 도포막을 박리한 후, 기판의 패턴 상에 도포막과 레지스트막을 재형성하는, 이른바 리워크(rework) 처리를 행하는 경우가 있다. 이 리워크 처리시의 레지스트막과 도포막의 제거는, 종래부터 O2 플라즈마나 N2/H2 플라즈마를 조사하여 행해지고 있었다. 그러나, 종래와 같이 O2 플라즈마 등의 조사를 행한 경우, 기판의 패턴이 O2 플라즈마 등에 의해 손상을 받는 경우가 있었다. 이러한 리워크 처리시에 있어서, 기판 주변의 분위기를 가열함으로써 도포막을 승화시켜 박리할 수 있으므로, 기판 상의 패턴에 대한 손상을 경감 혹은 소실시킬 수 있다. 또한 이에 의해, 리워크 처리시의 수율 저하를 개선할 수 있다.After the irradiation step, the atmosphere around the substrate may be heated for a predetermined time to have a heating step of subliming the coating film formed on the pattern of the substrate. For example, when the film thickness of the resist film formed on the coating film on the pattern of a board | substrate is nonuniform, or the pattern of a resist film is not desired, after peeling the said resist film and a coating film, a coating film and In some cases, a so-called rework process of reforming the resist film may be performed. The resist film and the coating film is removed during the rework process, it was carried out to examine the O 2 plasma or N 2 / H 2 plasma conventionally. However, when irradiation with an O 2 plasma or the like is conventionally performed, the pattern of the substrate may be damaged by the O 2 plasma or the like. In such a rework process, the coating film can be sublimated and peeled off by heating the atmosphere around the substrate, so that damage to the pattern on the substrate can be reduced or eliminated. Moreover, the fall of the yield at the time of a rework process can be improved by this.

다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기의 도포 처리 방법을 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to the present invention according to another aspect, in order to execute the above-described coating processing method by a coating processing apparatus or a substrate processing system, a reading storing a program operating on a computer of a control unit controlling the coating processing apparatus or the substrate processing system. Possible computer storage media are provided.

본 발명에 따르면, 기판에 형성된 소정의 패턴 상에 도포막을 형성함에 있어서, 도포막의 표면을 평탄화할 수 있고, 또한 도포액의 승화를 억제하여 도포막의 막 두께의 감소를 억제할 수 있다.According to the present invention, in forming a coating film on a predetermined pattern formed on a substrate, the surface of the coating film can be flattened, and the sublimation of the coating liquid can be suppressed to reduce the film thickness of the coating film.

도1은 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치를 탑재한, 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도2는 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 정면도.
도3은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 배면도.
도4는 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도5는 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도6은 본 실시 형태에 관한 웨이퍼의 패턴 상에 형성된 도포막의 상태를 도시하는 설명도로, 도6의 (a)는 자외선을 조사하기 전의 상태를 도시하고, 도6의 (b)는 자외선을 조사한 후의 상태를 도시하는 도면.
도7은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도8은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도9는 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도10은 조사부가 도포 노즐에 병설된 경우의 사시도.
도11은 슬릿 형상의 토출구를 갖는 도포 노즐의 사시도.
도12는 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도13은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도14는 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도15는 조사부가 도포 노즐에 병설된 경우의 사시도.
도16은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도17은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도18은 다른 형태에 관한 도포 처리 장치 및 반송 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도19는 다른 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도20은 다른 실시 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도.
도21은 다른 실시 형태에 관한 도포막의 형성 방법을 나타내는 흐름도.
도22는 다른 형태에 관한 도포 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 종단면도.
도23은 다른 형태에 관한 웨이퍼의 패턴 상에 도포막이 형성될 때까지의 도포액의 상태를 모식적으로 도시하는 작용 설명도로, 도23의 (a)는 도포액을 도포한 후의 상태를 도시하고, 도23의 (b)는 그 후에 가열한 상태를 도시하고, 도23의 (c)는 가열 후에 자외선을 조사한 상태를 도시하고 있는 도면.
도24는 다른 형태에 관한 웨이퍼의 패턴 상에 도포막이 형성될 때까지의 도포액의 상태를 모식적으로 도시하는 작용 설명도로, 도24의 (a)는 가열에 의해 도포액을 모두 승화시킨 상태를 도시하고, 도24의 (b)는 그 후에 도포액을 충전하여 경화한 상태를 도시하고 있는 도면.
도25는 리워크 처리시에, 웨이퍼의 패턴 상의 도포막과 레지스트막이 박리되는 모습을 도시하는 작용 설명도로, 도25의 (a)는 플라즈마의 조사에 의해 레지스트막과 반사 방지막을 박리하는 상태를 도시하고, 도25의 (b)는 웨이퍼 주변 분위기를 가열한 상태를 도시하고, 도25의 (c)는 도포막을 승화시켜 박리한 상태를 도시하고 있는 도면.
도26은 웨이퍼의 패턴 상의 도포막을 애싱하는 모습을 도시하는 작용 설명도로, 도26의 (a)는 가열하고 있는 상태를 도시하고, 도26의 (b)는 도포막을 승화시켜 박리한 상태를 도시하고 있는 도면.
도27은 웨이퍼의 패턴 상의 도포막을 350 ℃로 가열하였을 때의 막 두께의 경시 변화를 나타내는 그래프.
도28은 종래의 웨이퍼의 패턴 상에 형성된 도포막의 상태를 도시하는 설명도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view which shows typically the outline of the structure of the application | coating development system which mounts the application | coating process apparatus which concerns on this embodiment.
2 is a front view of a coating and developing treatment system according to the present embodiment.
3 is a rear view of the coating and developing treatment system according to the present embodiment.
4 is a longitudinal sectional view schematically showing an outline of a configuration of a coating processing apparatus according to the present embodiment.
5 is a plan view schematically showing the outline of a configuration of a coating processing apparatus according to the present embodiment.
Fig. 6 is an explanatory view showing the state of the coating film formed on the pattern of the wafer according to the present embodiment, in which Fig. 6 (a) shows a state before irradiating ultraviolet rays, and Fig. 6 (b) shows irradiating ultraviolet rays. The figure which shows the state after.
7 is a longitudinal sectional view schematically showing an outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
8 is a longitudinal sectional view schematically showing an outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment;
Fig. 9 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
Fig. 10 is a perspective view when the irradiator is provided in parallel with the application nozzle;
Fig. 11 is a perspective view of an application nozzle having a slit discharge port.
Fig. 12 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
Fig. 13 is a plan view schematically showing the outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
Fig. 14 is a plan view schematically showing the outline of a configuration of a coating processing apparatus according to another embodiment.
Fig. 15 is a perspective view in the case where the irradiator is provided in parallel with the application nozzle;
Fig. 16 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
Fig. 17 is a plan view schematically showing the outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
18 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of a coating apparatus and a conveying apparatus according to another embodiment;
19 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of a configuration of a coating processing apparatus according to another embodiment.
20 is a plan view schematically illustrating a schematic of a configuration of a coating processing apparatus according to another embodiment.
Fig. 21 is a flowchart showing a method of forming a coating film according to another embodiment.
Fig. 22 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of a configuration of a coating apparatus according to another embodiment.
FIG. 23 is an explanatory diagram showing the state of the coating liquid until the coating film is formed on the pattern of the wafer according to another embodiment. FIG. 23 (a) shows the state after applying the coating liquid. 23 (b) shows a state of heating after that, and FIG. 23 (c) shows a state of irradiating ultraviolet rays after heating.
FIG. 24 is an explanatory diagram showing the state of a coating liquid until a coating film is formed on a pattern of a wafer according to another embodiment. FIG. 24A shows a state in which all of the coating liquid is sublimed by heating. Fig. 24B is a view showing a state in which the coating liquid is filled and then cured.
FIG. 25 is an explanatory view showing the state in which the coating film on the pattern of the wafer and the resist film are peeled off during the rework process. FIG. 25A shows a state in which the resist film and the antireflection film are peeled off by plasma irradiation. 25 (b) shows a state in which the atmosphere around the wafer is heated, and FIG. 25 (c) shows a state where the coating film is sublimed and peeled off.
FIG. 26 is an explanatory view showing the state of ashing the coating film on the pattern of the wafer, FIG. 26A shows a heating state, and FIG. 26B shows a state where the coating film is sublimed and peeled off. Drawing.
Fig. 27 is a graph showing changes over time in the film thickness when the coating film on the pattern of the wafer is heated to 350 deg.
28 is an explanatory diagram showing a state of a coating film formed on a pattern of a conventional wafer.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 도1은 본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치를 탑재한, 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이고, 도2는 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면도이고, 도3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 배면도이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of a coating and developing processing system 1 as a substrate processing system on which a coating processing apparatus according to the present embodiment is mounted, FIG. 2 is a front view of a coating and developing processing system 1, 3 is a rear view of the coating and developing treatment system 1.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포 현상 처리 시스템(1)에 대해 반입출하거나, 카세트(C)에 대해 웨이퍼(W)를 반입출하는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 중에서 낱장식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 다단으로 배치하고 있는 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되어 있는 노광 장치(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.As shown in Fig. 1, the coating and developing processing system 1 carries in and out 25 sheets of wafers W from the outside in the cassette unit to the coating and developing processing system 1 from the outside, or to the cassette C, for example. A cassette station 2 for carrying in and out of the wafer W, a processing station 3 having a plurality of processing apparatuses arranged in a plurality of stages for performing a predetermined process in a single sheet during a photolithography process, and this processing station It has a structure which integrally connected the interface part 4 which delivers the wafer W between exposure apparatuses (not shown) provided adjacent to (3).

카세트 스테이션(2)에는, 카세트 적재대(5)가 설치되고, 당해 카세트 적재대(5)는 복수의 카세트(C)를 X방향(도1 중의 상하 방향)으로 1열로 적재 가능하게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(6) 상을 X방향을 향해 이동 가능한 웨이퍼 반송체(7)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(7)는, 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z방향 ; 연직 방향)으로도 이동 가능해, X방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)에 대해 선택적으로 액세스할 수 있다.In the cassette station 2, a cassette holder 5 is provided, and the cassette holder 5 is capable of stacking a plurality of cassettes C in a row in the X direction (up and down direction in FIG. 1). The cassette station 2 is provided with a wafer carrying body 7 capable of moving on the carrying path 6 in the X direction. The wafer carrier 7 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafer W accommodated in the cassette C, and is attached to the wafers W in the cassettes C arranged in the X direction. Can be selectively accessed.

웨이퍼 반송체(7)는, Z축 주위의 θ방향으로 회전 가능해, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 제3 처리 장치군(G3)에 속하는 온도 조절 장치(60)나 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 트랜지션 장치(61)에 대해서도 액세스할 수 있다.The wafer carrier 7 is rotatable in the θ direction around the Z axis, and transfers the temperature control device 60 and the wafer W belonging to the third processing device group G3 on the processing station 3 side described later. It is also possible to access the transition device 61 for performing the operation.

카세트 스테이션(2)에 인접하는 처리 스테이션(3)은, 복수의 처리 장치가 다단으로 배치된, 예를 들어 5개의 처리 장치군(G1 내지 G5)을 구비하고 있다. 처리 스테이션(3)의 X방향 마이너스 방향(도1 중의 하부 방향)측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 제1 처리 장치군(G1), 제2 처리 장치군(G2)이 차례로 배치되어 있다.The processing station 3 adjacent to the cassette station 2 is provided with, for example, five processing apparatus groups G1 to G5 in which a plurality of processing apparatuses are arranged in multiple stages. On the X-direction negative direction (lower direction in FIG. 1) side of the processing station 3, the 1st processing apparatus group G1 and the 2nd processing apparatus group G2 are arrange | positioned sequentially from the cassette station 2 side.

처리 스테이션(3)의 X방향 플러스 방향(도1 중의 상부 방향)측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 제3 처리 장치군(G3), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)이 차례로 배치되어 있다. 제3 처리 장치군(G3)과 제4 처리 장치군(G4)의 사이에는, 제1 반송 장치(A1)가 설치되어 있고, 제1 반송 장치(A1)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 지지하여 반송하는 제1 반송 아암(10)이 설치되어 있다.On the X-direction plus direction (upper direction in FIG. 1) side of the processing station 3, the third processing apparatus group G3, the fourth processing apparatus group G4, and the fifth processing apparatus group (from the cassette station 2 side) ( G5) are arranged one by one. Between the 3rd processing apparatus group G3 and the 4th processing apparatus group G4, the 1st conveying apparatus A1 is provided and the wafer W is supported inside the 1st conveying apparatus A1. The 1st conveyance arm 10 which conveys by carrying out is provided.

제1 반송 아암(10)은, 제1 처리 장치군(G1), 제3 처리 장치군(G3) 및 제4 처리 장치군(G4) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 제4 처리 장치군(G4)과 제5 처리 장치군(G5)의 사이에는, 제2 반송 장치(A2)가 설치되어 있고, 제2 반송 장치(A2)의 내부에는 웨이퍼(W)를 지지하여 반송하는 제2 반송 아암(11)이 설치되어 있다. 제2 반송 아암(11)은, 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5) 내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The first transfer arm 10 selectively accesses the processing apparatuses in the first processing apparatus group G1, the third processing apparatus group G3 and the fourth processing apparatus group G4 to transport the wafer W can do. Between the 4th processing apparatus group G4 and the 5th processing apparatus group G5, the 2nd conveying apparatus A2 is provided and the wafer W is supported inside the 2nd conveying apparatus A2, The 2nd conveyance arm 11 which conveys is provided. The second transfer arm 11 selectively accesses the processing devices in the second processing unit group G2, the fourth processing unit group G4 and the fifth processing unit group G5 to transport the wafers W can do.

도2에 도시하는 바와 같이 제1 처리 장치군(G1)에는, 웨이퍼(W)에 소정의 액체를 공급하여 처리를 행하는 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치(20, 21, 22), 노광 처리시의 광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 보텀 코팅 장치(23), 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포막(R)을 형성하는 본 발명에 관한 도포 처리 장치(24)가 아래부터 차례로 5단으로 적층되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)에는, 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 장치(30 내지 34)가 아래부터 차례로 5단으로 적층되어 있다. 또한, 제1 처리 장치군(G1) 및 제2 처리 장치군(G2)의 최하단에는, 각 처리 장치군(G1, G2) 내의 액 처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(40, 41)이 각각 설치되어 있다.As shown in Fig. 2, the first coating device group G1 is a liquid processing apparatus for supplying a predetermined liquid to the wafer W to perform a treatment, for example, a resist coating for applying a resist liquid to the wafer W. The apparatus 20, 21, 22, the bottom coating apparatus 23 which forms the anti-reflective film which prevents reflection of the light at the time of an exposure process, and the pattern which forms the coating film R on the pattern P of the wafer W The coating processing apparatus 24 which concerns on this invention is laminated | stacked in five steps from the bottom. In the 2nd processing apparatus group G2, the image processing apparatus 30-34 which develops and supplies a developing solution to a liquid processing apparatus, for example, the wafer W, is laminated | stacked in five steps from the bottom in order. Chemical treatment chambers 40 and 41 for supplying various treatment liquids to the liquid treatment devices in the treatment device groups G1 and G2 are provided at the lowermost ends of the first treatment device group G1 and the second treatment device group G2, Respectively.

예를 들어, 도3에 도시하는 바와 같이 제3 처리 장치군(G3)에는, 온도 조절 장치(60), 트랜지션 장치(61), 정밀도가 높은 온도 관리하에서 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 고정밀도 온도 조절 장치(62 내지 64) 및 웨이퍼(W)를 고온으로 가열 처리하는 고온도 열처리 장치(65 내지 68)가 아래부터 차례로 9단으로 적층되어 있다.For example, as shown in FIG. 3, the 3rd processing apparatus group G3 has a high precision which temperature-controls the wafer W under the temperature control apparatus 60, the transition apparatus 61, and high temperature control with high precision. The high temperature heat treatment apparatus 65-68 which heat-processes the temperature control apparatus 62-64 and the wafer W at high temperature is laminated | stacked in nine steps from the bottom.

제4 처리 장치군(G4)에서는, 예를 들어 고정밀도 온도 조절 장치(70), 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리 베이킹 장치(71 내지 74) 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 장치(75 내지 79)가 아래부터 차례로 10단으로 적층되어 있다.In the 4th processing apparatus group G4, the high-precision temperature control apparatus 70, the prebaking apparatus 71-74 which heat-processes the wafer W after the resist coating process, and the wafer W after the development process, for example. The post-baking apparatuses 75-79 which heat-treat the heat-processing are laminated | stacked in 10 steps from the bottom.

제5 처리 장치군(G5)에서는, 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 장치, 예를 들어 고정밀도 온도 조절 장치(80 내지 83), 포스트 익스포저 베이킹 장치(84 내지 89)가 아래부터 차례로 10단으로 적층되어 있다.In the 5th processing apparatus group G5, several heat processing apparatuses which heat-process a wafer W, for example, the high precision temperature control apparatus 80-83, and the post exposure baking apparatus 84-89 are 10 in order from the bottom. It is stacked in stages.

도1에 도시하는 바와 같이 제1 반송 장치(A1)의 X방향 플러스 방향측에는, 복수의 처리 장치가 배치되어 있고, 예를 들어 도3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 소수화 처리하기 위한 어드히전 장치(90, 91), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 장치(92, 93)가 아래부터 차례로 4단으로 적층되어 있다. 도1에 도시하는 바와 같이 제2 반송 장치(A2)의 X방향 플러스 방향측에는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 장치(94)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, a plurality of processing apparatuses are arranged on the positive direction of the first conveying device A1 in the X direction, and, for example, an ad for hydrophobizing the wafer W as shown in FIG. 3. The heating apparatuses 90 and 91 and the heating apparatuses 92 and 93 for heating the wafers W are stacked in four stages in order from the bottom. As shown in FIG. 1, the peripheral exposure apparatus 94 which selectively exposes only the edge part of the wafer W is arrange | positioned, for example in the X direction plus direction side of the 2nd conveying apparatus A2.

인터페이스부(4)에는, 예를 들어 도1에 도시하는 바와 같이 X방향을 향해 연신하는 반송로(100) 상을 이동하는 웨이퍼 반송체(101)와, 버퍼 카세트(102)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송체(101)는 Z방향으로 이동 가능하고 또한 θ방향으로도 회전 가능해, 인터페이스부(4)에 인접한 노광 장치(도시하지 않음)와, 버퍼 카세트(102) 및 제5 처리 장치군(G5)에 대해 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the interface unit 4 is provided with a wafer carrier 101 that moves on the conveying path 100 extending in the X direction, and a buffer cassette 102. The wafer carrier 101 is movable in the Z direction and also rotatable in the θ direction so that the exposure apparatus (not shown) adjacent to the interface unit 4, the buffer cassette 102 and the fifth processing apparatus group G5 are provided. ), The wafer W can be transported.

다음에, 상술한 도포 처리 장치(24)의 구성에 대해, 도4를 기초로 하여 설명한다. 도포 처리 장치(24)는 처리 용기(150)를 갖고 있다. 처리 용기(150)의 일측면에는, 웨이퍼(W)의 반송 수단인 제1 반송 아암(10)의 반입 영역에 면하는 면에 웨이퍼(W)의 반입출구(151)가 형성되고, 반입출구(151)에는 개폐 셔터(152)가 설치되어 있다.Next, the structure of the above-mentioned coating processing apparatus 24 is demonstrated based on FIG. The coating processing apparatus 24 has the processing container 150. In one side surface of the processing container 150, an inlet and outlet 151 of the wafer W is formed on a surface facing the carry-in area of the first transfer arm 10, which is a conveying means of the wafer W, and an inlet and outlet ( The opening and closing shutter 152 is provided at 151.

처리 용기(150)의 내부에는, 기판 보유 지지 기구로서 그 상면에 웨이퍼(W)를 수평으로 진공 흡착 보유 지지하는 스핀 척(120)이 설치되어 있다. 이 스핀 척(120)은 모터 등을 포함하는 회전 구동부(121)에 의해 연직 축 주위로 회전할 수 있고, 또한 승강할 수 있다.Inside the processing container 150, a spin chuck 120 is provided on the upper surface thereof as a substrate holding mechanism to vacuum suction and hold the wafer W horizontally. The spin chuck 120 can be rotated around the vertical axis by the rotation drive unit 121 including a motor or the like, and can be lifted up and down.

스핀 척(120)의 주위에는 컵체(122)가 설치되어 있다. 컵체(122)는, 상면에 스핀 척(120)이 승강할 수 있도록 웨이퍼(W)보다도 큰 개구부가 형성되어 있다. 컵체(122)의 저부(底部)에는, 웨이퍼(W) 상으로부터 흘러내리는 도포액을 배출하기 위한 배액구(排液口)(123)가 형성되어 있고, 이 배액구(123)에는 배액관(124)이 접속되어 있다.The cup body 122 is provided around the spin chuck 120. The cup body 122 has an opening larger than the wafer W so that the spin chuck 120 can move up and down on the upper surface. A drain port 123 for discharging the coating liquid flowing down from the wafer W is formed at the bottom of the cup body 122, and a drain tube 124 is provided in the drain port 123. ) Is connected.

스핀 척(120)의 상방에는, 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 도포액을 도포하기 위한 도포 노즐(130)이 배치되어 있다. 도포 노즐(130)은 도포액 공급관(131)을 통해 도포액을 공급하는 도포액 공급원(132)에 접속되어 있다. 도포액 공급관(131)에는 밸브나 유량 조정부 등을 갖는 공급 제어 장치(133)가 설치되어 있다. 도포액 공급원(132)으로부터 공급되는 도포액에는 예를 들어 XUV(닛산 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제품)가 이용되고, 도포액에는 액체상의 도포막 형성 성분과 용제가 포함되어 있다. 도포막 형성 성분에는, 예를 들어 요오드늄염 등의 광 중합 개시제, 에폭시 수지, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸아세테이트 등이 포함되어 있다. 용제로서는, 예를 들어 시너가 이용되고 있다.Above the spin chuck 120, a coating nozzle 130 for applying the coating liquid to the center portion of the wafer W surface is disposed. The coating nozzle 130 is connected to a coating liquid supply source 132 for supplying a coating liquid through the coating liquid supply pipe 131. The coating liquid supply pipe 131 is provided with a supply control device 133 having a valve, a flow rate adjusting unit, or the like. XUV (made by Nissan Chemical Industries, Ltd.) is used for the coating liquid supplied from the coating liquid supply source 132, and a coating liquid contains a liquid coating film formation component and a solvent. A coating film formation component contains photoinitiators, such as an iodonium salt, an epoxy resin, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl acetate, etc., for example. As a solvent, thinner is used, for example.

처리 용기(150)의 상방에는, 스핀 척(120) 상의 웨이퍼(W)에 대해 자외선을 조사하는 조사부(110)가 설치되어 있다. 조사부(110)는 웨이퍼(W)의 전체면에 대해 자외선을 조사할 수 있다.Above the processing container 150, an irradiation unit 110 for irradiating ultraviolet rays to the wafer W on the spin chuck 120 is provided. The irradiator 110 may irradiate the entire surface of the wafer W with ultraviolet rays.

도포 노즐(130)은, 도5에 도시하는 바와 같이 아암(134)을 통해 이동 기구(135)에 접속되어 있다. 아암(134)은 이동 기구(135)에 의해, 처리 용기(150)의 길이 방향(Y방향)을 따라 설치된 가이드 레일(136)을 따라, 컵체(122)의 일단측(도5에서는 좌측)의 외측에 마련된 대기 영역(137)으로부터 타단측을 향해 이동할 수 있는 동시에, 상하 방향으로 이동할 수 있다. 대기 영역(137)은, 도포 노즐(130)을 수납할 수 있도록 구성되어 있는 동시에, 도포 노즐(130)의 선단부를 세정할 수 있는 세정부(137a)를 갖고 있다.The coating nozzle 130 is connected to the movement mechanism 135 via the arm 134 as shown in FIG. The arm 134 is provided on the one end side (left side in FIG. 5) of the cup body 122 along the guide rail 136 provided along the longitudinal direction (Y direction) of the processing container 150 by the moving mechanism 135. It can move to the other end side from the standby area 137 provided in the outer side, and can move to an up-down direction. The waiting area 137 is configured to accommodate the application nozzle 130 and has a cleaning unit 137a capable of cleaning the tip of the application nozzle 130.

본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치(24)를 탑재한 도포 현상 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에 이 도포 현상 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.The coating development processing system 1 equipped with the coating processing apparatus 24 which concerns on this embodiment is comprised as mentioned above, and the wafer process performed by this coating and developing processing system 1 is demonstrated next.

우선, 웨이퍼 반송체(7)에 의해, 카세트 적재대(5) 상의 카세트(C)로부터 표면에 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)가 1매 취출되어, 제3 처리 장치군(G3)의 온도 조절 장치(60)로 반송된다. 온도 조절 장치(60)로 반송된 웨이퍼(W)는, 소정 온도로 온도 조절되고, 그 후 본 발명에 관한 도포 처리 장치(24)로 반송된다.First, one wafer W having a predetermined pattern formed on the surface thereof is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 5 by the wafer carrier 7, and the temperature of the third processing apparatus group G3 is obtained. It is conveyed to the adjustment apparatus 60. The wafer W conveyed by the temperature control apparatus 60 is temperature-controlled by predetermined temperature, and is conveyed to the coating processing apparatus 24 which concerns on this invention after that.

웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 반입출구(151)로부터 처리 용기(150) 내로 반송되어, 스핀 척(120)의 상방까지 이동된다. 그래서 스핀 척(120)을 상승시켜, 제1 반송 아암(10)으로부터 스핀 척(120)으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)를 스핀 척(120)에 흡착하여 수평으로 보유 지지하여, 웨이퍼(W)를 소정의 위치까지 하강시킨다.The wafer W is conveyed from the carry-in / out port 151 into the processing container 150 by the 1st conveyance arm 10, and is moved to the upper direction of the spin chuck 120. As shown in FIG. Thus, the spin chuck 120 is raised to transfer the wafer W from the first transport arm 10 to the spin chuck 120. The wafer W is attracted to the spin chuck 120 to be held horizontally, and the wafer W is lowered to a predetermined position.

다음에, 회전 구동부(121)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 회전수 500 rpm으로 회전시키는 동시에, 도포 노즐(130)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로 이동시킨다. 그리고, 도6의 (a)에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(130)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 도포액(Q)을 예를 들어 2초간 토출하고, 웨이퍼(W)를 예를 들어 회전수 1500 rpm으로 가속하여 15초간 회전시킨다. 이 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 도포액(Q)을 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 확산시킨다. 그 후, 도포 노즐(130)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로부터 대기 영역(137)으로 이동시킨다.Next, the rotation drive unit 121 rotates the wafer W at a rotational speed of 500 rpm, for example, and moves the coating nozzle 130 above the center of the wafer W. As shown in FIG. Then, as shown in Fig. 6A, the coating liquid Q is discharged from the coating nozzle 130 to the center of the wafer W for 2 seconds, for example, and the wafer W is rotated, for example. Accelerate at 1500 rpm and spin for 15 seconds. The coating liquid Q is diffused on the pattern P of the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. As shown in FIG. Thereafter, the coating nozzle 130 is moved from above the center of the wafer W to the standby region 137.

도포액(Q)이 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 전체면에 확산되면, 스핀 척(120)에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 위치까지 상승시킨다. 그리고 조사부(110)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)에, 예를 들어 파장 222 ㎚, 에너지 7 ㎽/㎠의 자외선이 예를 들어 2초간/㎠ 조사된다. 이 조사된 자외선에 의해, 도포액(Q) 내에 포함되는 광 중합 개시제가 활성화하여 도포액(Q)이 경화된다. 그리고, 도6의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 경화되어 생긴 도포막(R)이 형성된다. 도포막(R)은, 예를 들어 100 ㎚ 내지 300 ㎚의 막 두께로 형성된다.When the coating liquid Q diffuses to the entire surface on the pattern P of the wafer W, the spin chuck 120 raises the wafer W to a predetermined position. And the ultraviolet-ray of wavelength 222nm and energy 7kW / cm <2> is irradiated to the coating liquid Q apply | coated from the irradiation part 110 on the pattern P of the wafer W, for example for 2 second / cm <2>. . By this irradiated ultraviolet-ray, the photoinitiator contained in coating liquid Q is activated, and coating liquid Q hardens. And as shown in FIG.6 (b), the coating film R which hardened | cured the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W is formed. Coating film R is formed in the film thickness of 100 nm-300 nm, for example.

웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포막(R)이 형성되면, 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 보텀 코팅 장치(23)로 반송되어, 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(10)에 의해 가열 장치(92), 고온도 열처리 장치(65), 고정밀도 온도 조절 장치(70)로 순차 반송되어, 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 장치(20)로 반송된다.When the coating film R is formed on the pattern P of the wafer W, the wafer W is conveyed to the bottom coating apparatus 23 by the 1st conveyance arm 10, and an anti-reflective film is formed. The wafer W having the antireflection film formed thereon is successively transferred by the first transfer arm 10 to the heating apparatus 92, the high temperature heat treatment apparatus 65 and the high precision temperature regulating apparatus 70, Is carried out. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating apparatus 20. [

레지스트 도포 장치(20)에 있어서 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성되면, 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 프리 베이킹 장치(71)로 반송되어, 가열 처리가 실시된 후, 계속해서 제2 반송 아암(11)에 의해 주변 노광 장치(94), 고정밀도 온도 조절 장치(83)로 순차 반송되어, 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 인터페이스부(4)의 웨이퍼 반송체(101)에 의해 노광 장치(도시하지 않음)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 소정의 패턴이 노광된다. 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(101)에 의해 포스트 익스포저 베이킹 장치(84)로 반송되어, 소정의 처리가 실시된다.In the resist coating apparatus 20, when a resist film is formed on the wafer W, the wafer W is conveyed to the prebaking apparatus 71 by the 1st conveyance arm 10, and after heat processing is performed, Subsequently, it is conveyed by the 2nd conveyance arm 11 to the peripheral exposure apparatus 94 and the high precision temperature control apparatus 83 sequentially, and a predetermined process is performed in each apparatus. Thereafter, the wafer is transported to an exposure apparatus (not shown) by the wafer carrier 101 of the interface unit 4, and a predetermined pattern is exposed to the resist film on the wafer W. The wafer W having undergone the exposure processing is transferred to the postexposure baking apparatus 84 by the wafer transfer body 101, and a predetermined process is performed.

포스트 익스포저 베이킹 장치(84)에 있어서의 열처리가 종료되면, 웨이퍼(W)는 제2 반송 아암(11)에 의해 고정밀도 온도 조절 장치(81)로 반송되어 온도 조절되고, 그 후 현상 처리 장치(30)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 현상 처리가 실시되어, 레지스트막에 패턴이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(11)에 의해 포스트 베이킹 장치(75)로 반송되어 가열 처리가 실시된 후, 고정밀도 온도 조절 장치(63)로 반송되어 온도 조절된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(10)에 의해 트랜지션 장치(61)로 반송되고, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트(C)로 복귀되어 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.When the heat treatment in the post exposure baking apparatus 84 is complete | finished, the wafer W is conveyed to the high precision temperature control apparatus 81 by the 2nd conveyance arm 11, and is temperature-controlled, and thereafter, the image development processing apparatus ( 30), the developing process is performed on the wafer W, and a pattern is formed in a resist film. After the wafer W is conveyed to the post-baking apparatus 75 by the 2nd conveyance arm 11, and heat processing is performed, it is conveyed to the high precision temperature control apparatus 63 and temperature-controlled. The wafer W is transferred to the transition device 61 by the first transfer arm 10 and returned to the cassette C by the wafer transfer body 7 to complete the series of photolithography processes.

이상의 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 도포되면, 그 도포액(Q)에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분의 유동성이 좋기 때문에, 도포액(Q)은 웨이퍼(W)의 패턴(P)의 요철 상을 원활하게 확산할 수 있다. 따라서, 도6의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 형성되는 도포막(R)의 표면을 평탄화할 수 있다.According to the above embodiment, when coating liquid Q is apply | coated on pattern P of wafer W, since fluidity | liquidity of the liquid coating film formation component contained in the coating liquid Q is favorable, a coating liquid ( Q) can diffuse the uneven | corrugated image of the pattern P of the wafer W smoothly. Therefore, as shown in Fig. 6B, the surface of the coating film R formed on the pattern P of the wafer W can be flattened.

조사부(110)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)에 자외선을 조사함으로써 도포액(Q)을 경화시켜, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포막(R)을 형성할 수 있으므로, 종래와 같이 도포막(R)의 형성시에 도포액(Q)을 가열할 필요가 없어, 가열에 의해 승화하기 쉬운 도포액(Q)의 승화를 종래보다 억제할 수 있다. 따라서, 형성되는 도포막(R)의 막 두께의 감소를 억제할 수 있다.The coating liquid Q is cured by irradiating ultraviolet rays to the coating liquid Q coated on the pattern P of the wafer W from the irradiation unit 110, and the coating film is formed on the pattern P of the wafer W. Since (R) can be formed, it is not necessary to heat coating liquid Q at the time of formation of coating film R like conventionally, and sublimation of coating liquid Q which is easy to sublimate by heating is suppressed conventionally. can do. Therefore, reduction of the film thickness of the coating film R formed can be suppressed.

또한 조사부(110)는, 처리 용기(150) 내의 상부에 설치되어, 스핀 척(120) 상의 웨이퍼(W)에 대해 자외선을 조사하므로, 웨이퍼(W)가 처리 용기(150) 내에 수용된 상태에서, 웨이퍼(W)에 대해 도포액(Q)의 도포와 자외선의 조사를 행할 수 있다. 따라서, 도포액(Q)의 도포로부터 자외선의 조사까지의 처리를 연속하여 행할 수 있어, 그만큼 처리 시간을 단축할 수 있다.In addition, since the irradiation unit 110 is provided above the processing container 150 and irradiates ultraviolet rays to the wafer W on the spin chuck 120, in the state where the wafer W is accommodated in the processing container 150, The coating liquid Q can be applied to the wafer W and the ultraviolet light can be irradiated. Therefore, the process from application | coating of coating liquid Q to irradiation of an ultraviolet-ray can be performed continuously, and processing time can be shortened by that.

이상의 실시 형태에서 기재한 조사부(110)는, 처리 용기(150) 내의 상부에 설치되어 있었지만, 조사부(111)는, 도7에 도시하는 바와 같이 처리 용기(150)의 상면(150a)의 외측에 설치되어 있어도 좋다. 조사부(111)는 스핀 척(120) 상의 웨이퍼(W)에 대해 자외선을 조사할 수 있는 방향에 설치되고, 상면(150a)에는 자외선을 투과시키는, 예를 들어 무색 투명의 글래스판이 이용된다. 이러한 경우, 조사부(111)로부터 조사된 자외선은, 상면(150a)을 통과하여 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)에 조사되어, 도포막(R)을 형성할 수 있다. 또한, 예를 들어 처리 용기(150) 내에 도포액(Q)이 비산해도, 조사부(111)가 오염되는 일이 없으므로, 조사부(111)의 유지 보수의 빈도를 감소시킬 수 있다.Although the irradiation part 110 described in the above embodiment was provided in the upper part in the processing container 150, the irradiation part 111 is outside the upper surface 150a of the processing container 150 as shown in FIG. It may be installed. The irradiation part 111 is provided in the direction which can irradiate an ultraviolet-ray with respect to the wafer W on the spin chuck 120, and the colorless transparent glass plate which transmits an ultraviolet-ray is used for the upper surface 150a. In this case, the ultraviolet rays irradiated from the irradiator 111 can pass through the upper surface 150a and irradiate the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W to form the coating film R. For example, even if the coating liquid Q scatters in the processing container 150, the irradiation unit 111 does not become contaminated, so that the frequency of maintenance of the irradiation unit 111 can be reduced.

이상의 실시 형태에서 기재한 조사부(110, 111)는, 스핀 척(120)의 상방에 설치되어 있었지만, 조사부(160)는 도8에 도시하는 바와 같이 반입출구(151)의 상부에 설치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 도포 노즐(130)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 도포된 후, 제1 반송 아암(10)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 용기(150)의 반입출구(151)로부터 외부로 반송할 때에, 조사부(160)에 의해 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)에 자외선을 조사할 수 있다. 따라서, 처리 용기(150) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 도포액(Q)의 도포와 자외선의 조사를 연속하여 행할 수 있어, 도포액(Q)의 도포로부터 자외선의 조사까지의 시간을 단축할 수 있다.Although the irradiation units 110 and 111 described in the above embodiments were provided above the spin chuck 120, the irradiation unit 160 may be provided above the carry-in and outlet 151 as shown in FIG. 8. . In this case, after the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W from the coating nozzle 130, the wafer W is transferred to the processing container 150 by the first transfer arm 10. When conveying to the exterior from the carry-in / out port 151, ultraviolet-ray can be irradiated to the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W by the irradiation part 160. FIG. Therefore, the application of the coating liquid Q and the irradiation of ultraviolet rays can be continuously performed on the wafer W in the processing container 150, thereby shortening the time from the application of the coating liquid Q to the irradiation of ultraviolet rays. Can be.

이상의 실시 형태에서 기재한 조사부(110, 111, 160)는, 스핀 척(120)의 상방, 혹은 반입출구(151)의 상부에 설치되어 있었지만, 조사부(170)는 도9에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(130)에 병설되어 있어도 좋다. 조사부(170)는, 도10에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(130)의 한 측면(130a)과 조사부(170)의 한 측면(170a)이 접속함으로써, 도포 노즐(130)에 병설되어 있다. 이 경우, 조사부(170)의 상하 방향의 위치, 혹은 웨이퍼(W)의 상하 방향의 위치를 조정함으로써, 도9에 도시하는 바와 같이 적어도 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 단부까지의 범위 H에 대해, 조사부(170)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)에 자외선이 조사된다.Although the irradiation parts 110, 111, and 160 described in the above embodiments were provided above the spin chuck 120 or above the carry-in and exit ports 151, the irradiation part 170 was applied as shown in FIG. 9. The nozzle 130 may be provided in parallel. As shown in FIG. 10, the irradiation part 170 is provided in parallel with the coating nozzle 130 by connecting one side surface 130a of the application | coating nozzle 130 and one side surface 170a of the irradiation part 170. As shown in FIG. In this case, by adjusting the position in the up-down direction of the irradiation unit 170 or the position in the up-down direction of the wafer W, as shown in FIG. 9, at least from the center of the wafer W to the end of the wafer W. As shown in FIG. About the range H, ultraviolet-ray is irradiated to the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W from the irradiation part 170. FIG.

도포 처리 장치(24)에는, 조사부(170)로부터의 자외선의 조사, 혹은 공급 제어 장치(133)에 의한 도포액(Q)의 도포 등을 제어하는 제어부(340)가 설치되어 있어도 좋다. 이 제어부(340)는 도포 노즐(130)로부터 웨이퍼(W)의 영역 상에 도포액(Q)을 도포한 직후의 당해 영역 상의 도포액(Q)에 대해, 조사부(170)로부터 자외선을 조사하도록 제어하고 있다.The coating processing apparatus 24 may be provided with the control part 340 which controls irradiation of the ultraviolet-ray from the irradiation part 170, application | coating of the coating liquid Q by the supply control apparatus 133, etc. This control part 340 irradiates ultraviolet-ray from the irradiation part 170 with respect to the coating liquid Q on the said area | region immediately after apply | coating the coating liquid Q on the area | region of the wafer W from the coating nozzle 130. FIG. I'm in control.

이러한 경우, 스핀 척(120)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(W)에 대해 조사부(170)로부터 자외선을 조사하므로, 적어도 범위 H에 자외선을 조사하는 것만으로 웨이퍼(W) 전체면의 도포액(Q)을 경화하여, 도포막(R)을 형성할 수 있다.In this case, since the ultraviolet rays are irradiated from the irradiation unit 170 to the wafer W rotated by the spin chuck 120, the coating liquid Q on the entire surface of the wafer W is merely irradiated with ultraviolet rays at least in the range H. ) Can be cured to form a coating film (R).

또한 제어부(340)의 제어에 의해, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)은, 웨이퍼(W)에 대해 도포된 직후에 자외선이 조사되어 경화되므로, 도포액(Q)의 승화를 억제할 수 있다.In addition, under the control of the control unit 340, the coating liquid Q coated on the pattern P of the wafer W is irradiated and cured by ultraviolet rays immediately after being applied to the wafer W, so that the coating liquid ( Sublimation of Q) can be suppressed.

이상의 실시 형태에서 기재한 도포 노즐(130) 대신에, 도11에 도시하는 바와 같이 X방향으로 연장되는 슬릿 형상의 토출구(140a)를 갖는 도포 노즐(140)을 이용해도 좋다. 도포 노즐(140)은, 도12 및 도13에 도시하는 바와 같이 예를 들어 웨이퍼(W)의 X방향의 폭보다도 길게 형성되어 있다. 도포 노즐(140)은 가이드 레일(136)을 따라, 컵체(122)의 일단측(도13에서는 좌측)의 외측에 마련된 대기 영역(141)으로부터 타단측을 향해 이동할 수 있다. 대기 영역(141)은, 도포 노즐(140)을 수납할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 조사부로서는, 상기 조사부(110, 111, 160) 중 어느 하나를 이용해도 좋다. 이러한 경우라도, 도포 노즐(140)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)을 도포한 후, 조사부(110, 111, 160) 중 어느 하나에 의해 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)에 자외선을 조사하여, 도포막(R)을 형성할 수 있다.Instead of the application nozzle 130 described in the above embodiments, as shown in Fig. 11, an application nozzle 140 having a slit-shaped discharge port 140a extending in the X direction may be used. 12 and 13, the coating nozzle 140 is formed longer than the width of the wafer W in the X direction, for example. The coating nozzle 140 can move toward the other end from the standby region 141 provided on the outer side of one end side (left side in FIG. 13) of the cup body 122 along the guide rail 136. The waiting area 141 is configured to accommodate the coating nozzle 140. In addition, you may use any of the said irradiation part 110, 111, 160 as a irradiation part. Even in such a case, after the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W from the coating nozzle 140, the pattern of the wafer W is applied by any one of the irradiation units 110, 111, and 160. An ultraviolet-ray is irradiated to the coating liquid Q on (P), and the coating film R can be formed.

이상의 실시 형태에서 기재한 도포 노즐(140)을 이용하는 경우, 조사부(190)는 도14에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(140)과 평행하게 웨이퍼(W)의 폭 방향으로 연장되어, 도포 노즐(140)에 병설되어 있어도 좋다. 조사부(190)는, 도15에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(140)의 한 측면(140a)과 조사부(190)의 한 측면(190a)이 접속되어, 도포 노즐(140)에 병설되어 있다.In the case of using the application nozzle 140 described in the above embodiments, the irradiation unit 190 extends in the width direction of the wafer W in parallel with the application nozzle 140 as shown in FIG. 14, and the application nozzle 140. ) May be added together. As shown in FIG. 15, the irradiation unit 190 is connected to one side surface 140a of the application nozzle 140 and one side surface 190a of the irradiation unit 190, and is provided in parallel with the application nozzle 140.

또한 이 도포 처리 장치(24)에는, 조사부(190)로부터의 자외선의 조사, 혹은 공급 제어 장치(133)에 의한 도포액(Q)의 도포 등을 제어하는 제어부(200)가 설치되어 있어도 좋다. 이 제어부(200)는, 도포 노즐(140)로부터 웨이퍼(W)의 영역 상에 도포액(Q)을 도포한 직후의 당해 영역 상의 도포액(Q)에 대해, 조사부(190)로부터 자외선을 조사하도록 제어하고 있다.Moreover, the control part 200 which controls irradiation of the ultraviolet-ray from the irradiation part 190, application | coating of the coating liquid Q by the supply control apparatus 133, etc. may be provided in this application | coating processing apparatus 24. This control part 200 irradiates an ultraviolet-ray from the irradiation part 190 with respect to the coating liquid Q on the said area | region immediately after apply | coating the coating liquid Q on the area | region of the wafer W from the coating nozzle 140. FIG. To control it.

이러한 경우, 제어부(200)의 제어에 의해, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)은, 웨이퍼(W)에 대해 도포된 직후에 자외선이 조사되어 경화되므로, 도포액(Q)의 승화를 억제할 수 있다. 또한 도포 노즐(140)과 조사부(190)가 동기하여 이동하므로, 웨이퍼(W)의 면내의 전역에 있어서, 도포액(Q)이 도포된 후 자외선이 조사될 때까지의 시간을 일정해지도록 제어할 수 있어, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 형성되는 도포막(R)의 막 두께를 일정하게 할 수 있다.In this case, under the control of the control unit 200, the coating liquid Q coated on the pattern P of the wafer W is irradiated and cured with ultraviolet rays immediately after being applied to the wafer W, so that the coating liquid Q is applied. Sublimation of the liquid Q can be suppressed. In addition, since the coating nozzle 140 and the irradiator 190 move synchronously, the control is performed so that the time from the application of the coating liquid Q to the irradiation of ultraviolet rays is constant throughout the entire surface of the wafer W. The film thickness of the coating film R formed on the pattern P of the wafer W can be made constant.

이상의 실시 형태에서는 조사부(190)는, 도포 노즐(140)에 병설되어 있었지만, 조사부(210)는 도16에 도시하는 바와 같이 도포 노즐(140)과 독립하여 설치되어 있어도 좋다. 조사부(210)는, 도포 노즐(140)의 아암(134)과 이동 기구(135)와 독립된, 아암(211)과 이동 기구(212)를 갖고 있다. 조사부(210)는 이동 기구(212)에 의해, 가이드 레일(136)을 따라, 컵체(122)의 일단측(도16에서는 우측)의 외측에 마련된 대기 영역(213)으로부터 타단측을 향해 이동할 수 있는 동시에, 상하 방향으로 이동할 수 있다.Although the irradiation part 190 was provided in the application | coating nozzle 140 in the above embodiment, the irradiation part 210 may be provided independent of the application | coating nozzle 140 as shown in FIG. The irradiation unit 210 has an arm 211 and a moving mechanism 212 independent of the arm 134 and the moving mechanism 135 of the application nozzle 140. The irradiation part 210 can move toward the other end from the standby area 213 provided in the outer side of the one end side (right side in FIG. 16) of the cup body 122 along the guide rail 136 by the moving mechanism 212. As shown in FIG. At the same time, it can move in the vertical direction.

대기 영역(213)은 조사부(210)를 수납할 수 있도록 구성되어 있다. 이러한 경우, 조사부(210)는 도포 노즐(140)과 독립적으로 이동하므로, 도포 노즐(140)과 조사부(210)의 이동 속도를 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 면내의 전체 영역에 있어서 도포액(Q)이 도포된 후 자외선이 조사될 때까지의 시간을 일정해지도록 제어할 수 있다. 또한, 이들 조사부(210) 및 아암(211), 이동 기구(212)는 도17에 도시하는 바와 같이 복수 설치되어 있어도 좋다. 조사부(210)를 복수 설치함으로써, 도포액(Q)에 대해 자외선을 조사하는 시간을 보다 단축할 수 있다.The waiting area 213 is configured to accommodate the irradiation unit 210. In this case, since the irradiation unit 210 moves independently of the application nozzle 140, the application liquid 140 is adjusted in the entire area of the surface of the wafer W by adjusting the moving speeds of the application nozzle 140 and the irradiation unit 210. The time from the application of Q) to the irradiation of ultraviolet rays can be controlled to be constant. In addition, the irradiation part 210, the arm 211, and the moving mechanism 212 may be provided in multiple numbers as shown in FIG. By providing more than one irradiation part 210, the time which irradiates an ultraviolet-ray to the coating liquid Q can be shortened more.

또한, 이상의 도포 처리 장치(24)는 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부에 설치되어 있었지만, 도포 처리 장치(24)는 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 독립하여 설치되어 있어도 좋다.In addition, although the above-mentioned application | coating process apparatus 24 was provided in the inside of the application | coating development process system 1, the application | coating process apparatus 24 may be provided independently in the exterior of the application | coating development system 1.

이상의 실시 형태에서는, 조사부(110, 111, 160, 190, 210)는 도포 처리 장치(24)에 설치되어 있었지만, 조사부(230)는 도18에 도시하는 바와 같이 제1 반송 장치(A1)에 설치되어 있어도 좋다. 제1 반송 장치(A1)는 하우징(220)을 갖고 있고, 하우징(220)의 도포 처리 장치(24)측의 일측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(221)가 형성되어 있다. 하우징(220) 내의 제1 처리 유닛군(G1) 및 제2 처리 유닛군(G2)측에는, 도1에 도시하는 바와 같이 폴(13, 13)이 연직 방향으로 설치되어 있고, 폴(13)의 한쪽에는 제1 반송 아암(10)을 승강시키기 위한 승강 기구(도시하지 않음)가 내장되어 있다. 폴(13, 13)의 사이에는, 도18에 도시하는 바와 같이 지지부(12)가 설치되고, 지지부(12)의 양단부는 폴(13, 13)에 접속되어 있다. 지지부(12) 상에는 회전 샤프트(12a)가 설치되고, 회전 샤프트(12a)는 제1 반송 아암(10)을 지지하고 있다. 또한 지지부(12)에는, 샤프트(12a)를 회전시키고, 또한 수평 방향으로 이동시키기 위한 모터(도시하지 않음)가 내장되어 있고, 제1 반송 아암(10)은 회전 가능하고, 또한 수평 방향으로도 이동 가능하게 되어 있다. 또한 하우징(220) 내의 상방에는, 제1 반송 아암(10)에 지지된 웨이퍼(W)에 대해 자외선을 조사하는 조사부(230)가 설치되어 있다.In the above-mentioned embodiment, although the irradiation part 110, 111, 160, 190, 210 was provided in the coating processing apparatus 24, the irradiation part 230 is provided in the 1st conveying apparatus A1 as shown in FIG. You may be. The 1st conveying apparatus A1 has the housing 220, and the carrying-in / out port 221 of the wafer W is formed in one side surface of the coating-processing apparatus 24 side of the housing 220. As shown in FIG. On the first processing unit group G1 and the second processing unit group G2 side in the housing 220, as shown in FIG. 1, the pawls 13 and 13 are provided in the vertical direction, and the A lifting mechanism (not shown) for lifting up and down the first transport arm 10 is built in one side. Between the poles 13 and 13, as shown in FIG. 18, the support part 12 is provided, and the both ends of the support part 12 are connected to the poles 13 and 13. As shown in FIG. The rotary shaft 12a is provided on the support part 12, and the rotary shaft 12a supports the 1st conveyance arm 10. Moreover, the support part 12 has a built-in motor (not shown) for rotating the shaft 12a and moving to a horizontal direction, and the 1st conveyance arm 10 is rotatable, and also in a horizontal direction. It is movable. Moreover, the irradiation part 230 which irradiates an ultraviolet-ray with respect to the wafer W supported by the 1st conveyance arm 10 is provided above the housing 220.

이러한 경우, 도포 처리 장치(24)에서 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 도포된 후, 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 반입출구(221)로부터 제1 반송 장치(A1) 내로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)가 제1 반송 아암(10)에 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)에 대해 조사부(230)로부터 자외선이 조사되어, 도포액(Q)이 경화된다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포막(R)을 인라인으로 형성할 수 있다.In this case, after the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W in the coating processing apparatus 24, the wafer W is loaded and unloaded by the first transfer arm 10. Is conveyed into the 1st conveying apparatus A1 from the inside. In the state where the wafer W is supported by the first transport arm 10, ultraviolet rays are irradiated from the irradiation unit 230 to the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W, thereby coating the coating liquid ( Q) is cured. As a result, the coating film R can be formed inline on the pattern P of the wafer W. As shown in FIG.

다음에, 다른 실시 형태에 대해 설명한다. 본 예에 있어서의 도포 처리 장치(24)는, 도19 및 도20에 도시한 바와 같이, 후술하는 일련의 동작을 제어하는 컴퓨터 프로그램을 갖는 제어부(340)를 구비하고 있다. 제어부(340)는, 조사부(110), 회전 구동부(121), 공급 제어 장치(133), 이동 기구(135) 등을 제어하도록 구성되어 있고, 도포 노즐(130)에 의해 도포액의 도포가 종료된 후, 조사부(110)에 의해 자외선의 조사가 개시될 때까지의 시간을 소정의 시간 이내로 되도록 제어하고 있다. 또한 이 소정의 시간은, 도포액이 도포된 웨이퍼(W)를 방치한 경우에, 당해 도포된 도포액이 승화하는 양이 허용 범위 내로 되는 시간, 예를 들어 20초간으로 설정된다. 상기 컴퓨터 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크(HD), 가요성 디스크(FD), 메모리 카드, 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티칼 디스크(MO), 하드 디스크 등의 판독 가능한 기억 매체에 저장되고, 제어부(340)인 컴퓨터에 인스톨되어 있다.Next, another embodiment will be described. The coating processing apparatus 24 in this example is provided with the control part 340 which has the computer program which controls a series of operation | movement mentioned later, as shown in FIG.19 and FIG.20. The control part 340 is comprised so that the irradiation part 110, the rotation drive part 121, the supply control apparatus 133, the moving mechanism 135, etc. may be controlled, and application | coating of coating liquid is complete | finished by the application | coating nozzle 130. FIG. After that, the time until the irradiation of the ultraviolet rays is started by the irradiation unit 110 is controlled to be within a predetermined time. In addition, this predetermined time is set to the time, for example, for 20 second, when the amount of sublimation of the apply | coated coating liquid falls within an allowable range, when the wafer W to which the coating liquid was apply | coated was left to stand. The computer program is stored in a readable storage medium such as, for example, a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a memory card, a compact disk (CD), a magneto optical disk (MO), and a hard disk. It is installed in the computer (340).

본 실시 형태에 관한 도포 처리 장치(24)를 탑재한 도포 현상 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에 이 도포 현상 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.The coating development processing system 1 equipped with the coating processing apparatus 24 which concerns on this embodiment is comprised as mentioned above, and the wafer process performed by this coating and developing processing system 1 is demonstrated next.

앞의 예와 마찬가지로, 우선 웨이퍼 반송체(7)에 의해, 카세트 적재대(5) 상의 카세트(C)로부터 표면에 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)가 1매 취출되어, 제3 처리 장치군(G3)의 온도 조절 장치(60)로 반송된다. 온도 조절 장치(60)로 반송된 웨이퍼(W)는, 소정 온도로 온도 조절되고, 그 후 본 발명에 관한 도포 처리 장치(24)로 반송된다. 도포 처리 장치(24) 내에서는, 후술하는 웨이퍼(W)의 패턴 상에 도포막이 형성된다.In the same manner as in the previous example, first, a wafer W having a predetermined pattern formed on the surface thereof is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 5 by the wafer carrier 7, and the third processing apparatus group is used. It is conveyed to the temperature control apparatus 60 of G3. The wafer W conveyed by the temperature control apparatus 60 is temperature-controlled by predetermined temperature, and is conveyed to the coating processing apparatus 24 which concerns on this invention after that. In the coating processing apparatus 24, a coating film is formed on the pattern of the wafer W mentioned later.

웨이퍼(W)의 패턴 상에 도포막이 형성되면, 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 보텀 코팅 장치(23)로 반송되어, 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(10)에 의해 가열 장치(92), 고온도 열처리 장치(65), 고정밀도 온도 조절 장치(70)로 순차 반송되고, 각 장치에서 소정의 처리가 실시된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 장치(20)로 반송된다.When a coating film is formed on the pattern of the wafer W, the wafer W is conveyed to the bottom coating apparatus 23 by the 1st conveyance arm 10, and an anti-reflective film is formed. The wafer W on which the anti-reflection film was formed is sequentially conveyed by the first transport arm 10 to the heating device 92, the high temperature heat treatment device 65, and the high precision temperature control device 70, and the respective devices are prescribed by each device. Processing is carried out. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating apparatus 20. [

레지스트 도포 장치(20)에 있어서 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성되면, 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(10)에 의해 프리 베이킹 장치(71)로 반송되어 가열 처리가 실시된 후, 계속해서 제2 반송 아암(11)에 의해 주변 노광 장치(94), 고정밀도 온도 조절 장치(83)로 순차 반송되어, 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 그 후 인터페이스부(4)의 웨이퍼 반송체(101)에 의해 노광 장치(도시하지 않음)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막에 소정의 패턴이 노광된다. 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(1O1)에 의해 포스트 익스포저 베이킹 장치(84)로 반송되어, 소정의 처리가 실시된다.In the resist coating apparatus 20, when a resist film is formed on the wafer W, the wafer W is conveyed to the prebaking apparatus 71 by the 1st conveyance arm 10, and is heat-processed, and is continued. Therefore, it is conveyed by the 2nd conveyance arm 11 to the peripheral exposure apparatus 94 and the high precision temperature control apparatus 83 one by one, and a predetermined process is performed in each apparatus. Thereafter, the wafer is transported to an exposure apparatus (not shown) by the wafer carrier 101 of the interface unit 4, and a predetermined pattern is exposed to the resist film on the wafer W. The wafer W on which the exposure process is completed is conveyed to the post exposure baking apparatus 84 by the wafer carrier 101, and predetermined processing is performed.

포스트 익스포저 베이킹 장치(84)에 있어서의 열처리가 종료되면, 웨이퍼(W)는 제2 반송 아암(11)에 의해 고정밀도 온도 조절 장치(81)로 반송되어 온도 조절되고, 그 후 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 현상 처리가 실시되어, 레지스트막에 패턴이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(11)에 의해 포스트 베이킹 장치(75)로 반송되어 가열 처리가 실시된 후, 고정밀도 온도 조절 장치(63)로 반송되어 온도 조절된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(10)에 의해 트랜지션 장치(61)로 반송되고, 웨이퍼 반송체(7)에 의해 카세트(C)로 복귀되어 일련의 포트리소그래피 공정이 종료된다.When the heat treatment in the post exposure baking apparatus 84 is complete | finished, the wafer W is conveyed to the high precision temperature control apparatus 81 by the 2nd conveyance arm 11, and is temperature-controlled, and thereafter, the image development processing apparatus ( 30), the developing process is performed on the wafer W, and a pattern is formed in a resist film. After the wafer W is conveyed to the post-baking apparatus 75 by the 2nd conveyance arm 11, and heat processing is performed, it is conveyed to the high precision temperature control apparatus 63 and temperature-controlled. And the wafer W is conveyed to the transition apparatus 61 by the 1st conveyance arm 10, is returned to the cassette C by the wafer carrier 7, and a series of port lithography processes are complete | finished.

다음에, 도포 처리 장치(24) 내에서 행해지는, 웨이퍼(W)의 패턴 상에 예를 들어 100 ㎚ 내지 300 ㎚의 막 두께의 도포막을 형성하는 도포 처리 방법에 대해, 설명한다. 도21은, 도포막을 형성하는 도포 처리 방법에 대한 흐름을 나타내고 있다.Next, the coating processing method which forms the coating film of the film thickness of 100 nm-300 nm, for example on the pattern of the wafer W performed in the coating processing apparatus 24 is demonstrated. Fig. 21 shows a flow of a coating treatment method for forming a coating film.

웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(10)에 의해 반입출구(151)로부터 처리 용기(150) 내로 반송되어, 스핀 척(120)의 상방까지 이동된다. 그래서 스핀 척(120)을 상승시켜, 제1 반송 아암(10)으로부터 스핀 척(120)으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)를 스핀 척(120)에 흡착하여 수평으로 보유 지지하여, 웨이퍼(W)를 소정의 위치까지 하강시킨다.The wafer W is conveyed from the carry-in / out port 151 into the processing container 150 by the 1st conveyance arm 10, and is moved to the upper direction of the spin chuck 120. As shown in FIG. Thus, the spin chuck 120 is raised to transfer the wafer W from the first transport arm 10 to the spin chuck 120. The wafer W is attracted to the spin chuck 120 to be held horizontally, and the wafer W is lowered to a predetermined position.

다음에, 회전 구동부(121)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 회전수 500 rpm으로 회전시키는 동시에, 도포 노즐(130)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로 이동시킨다(단계 S1). 그리고 도포 노즐(130)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 도포액(Q)을 예를 들어 2초간 토출하고, 웨이퍼(W)를 예를 들어 회전수 1500 rpm으로 가속하여 15초간 회전시킨다(단계 S2). 이 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 도포액(Q)을 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 확산시킨다. 그 후, 도포 노즐(130)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로부터 대기 영역(137)으로 이동시킨다.Next, the rotation drive unit 121 rotates the wafer W at a rotational speed of 500 rpm, for example, and moves the coating nozzle 130 above the center of the wafer W (step S1). Then, the coating liquid Q is discharged from the coating nozzle 130 to the center of the wafer W, for example, for 2 seconds, and the wafer W is accelerated, for example, at a rotational speed of 1500 rpm for 15 seconds (step S2). ). The coating liquid Q is diffused on the pattern P of the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. As shown in FIG. Thereafter, the coating nozzle 130 is moved from above the center of the wafer W to the standby region 137.

도포액(Q)이 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 전체면에 확산되면, 스핀 척(120)에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 위치까지 상승시킨다. 그리고 조사부(110)로부터 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)에, 예를 들어 파장 222 ㎚, 에너지 7 ㎽/㎠인 자외선이 예를 들어 2초간/㎠ 조사된다(단계 S3). 이 조사된 자외선에 의해, 도포액(Q) 내에 포함되는 광 중합 개시제가 활성화하고, 활성화한 광 중합 개시제가 확산함으로써, 도포액(Q)이 경화된다(단계 S4). 이에 의해 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 경화되어 생긴 도포막(R)이 형성된다(단계 S5).When the coating liquid Q diffuses to the entire surface on the pattern P of the wafer W, the spin chuck 120 raises the wafer W to a predetermined position. Then, for example, ultraviolet rays having a wavelength of 222 nm and an energy of 7 mW / cm 2 are irradiated to the coating liquid Q coated on the pattern P of the wafer W from the irradiation part 110, for example, for 2 seconds / cm 2. (Step S3). The irradiated ultraviolet light activates the photopolymerization initiator contained in the coating liquid Q, and the activated photopolymerization initiator diffuses to harden the coating liquid Q (step S4). Thereby, the coating film R which hardened | cured the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W is formed (step S5).

이상의 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)이 도포되면, 그 도포액(Q)에 포함되는 액체상의 도포막 형성 성분의 유동성이 좋기 때문에, 도포액(Q)은 웨이퍼(W)의 패턴(P)의 요철 상을 원활하게 확산할 수 있다. 따라서, 도6의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 형성되는 도포막(R)의 표면을 평탄화할 수 있다.According to the above embodiment, when coating liquid Q is apply | coated on pattern P of wafer W, since fluidity | liquidity of the liquid coating film formation component contained in the coating liquid Q is favorable, a coating liquid ( Q) can diffuse the uneven | corrugated image of the pattern P of the wafer W smoothly. Therefore, as shown in Fig. 6B, the surface of the coating film R formed on the pattern P of the wafer W can be flattened.

광 중합 개시제에 자외선을 조사하면, 광 중합 개시제는 매우 단시간, 예를 들어 2초간에 활성화하여, 도포액(Q)이 경화되므로, 도포액(Q)의 승화를 억제할 수 있다.When the photopolymerization initiator is irradiated with ultraviolet rays, the photopolymerization initiator is activated for a very short time, for example, 2 seconds, and the coating liquid Q is cured, so that the sublimation of the coating liquid Q can be suppressed.

또한 제어부(340)에 의해, 도포 노즐(130)에 의해 도포액(Q)의 도포가 종료된 후, 조사부(110)에 의해 자외선의 조사가 개시될 때까지의 시간을 소정의 시간 이내, 예를 들어 20초 이내로 제어하였으므로, 도포액(Q)의 도포가 종료된 후 자외선의 조사가 개시될 때까지 승화하는 도포액(Q)의 양을 허용 범위 내로 억제할 수 있어, 형성되는 도포막(R)의 막 두께의 감소를 허용 범위 내로 억제할 수 있다.In addition, by the control part 340, after application | coating of coating liquid Q with the coating nozzle 130 is complete | finished, the time until irradiation of the ultraviolet-ray is started by the irradiation part 110 within a predetermined time, for example, For example, since it controlled within 20 second, the quantity of the coating liquid Q which sublimes until the irradiation of an ultraviolet-ray is started after application | coating of coating liquid Q is complete can be suppressed within an allowable range, and the coating film formed ( Reduction of the film thickness of R) can be suppressed within an acceptable range.

대구경의 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위해, 웨이퍼를 고속 회전시켜 도포액을 웨이퍼 상에 확산시키는 경우, 종래의 도포액을 이용하면, 웨이퍼의 단부에서 이른바「바람막이 부분」이라 일컬어지는 막 두께 불균일한 영역이 발생되고 있었다. 이러한 바람막이 부분이 발생하는 원인은, 종래의 도포액이 고체상의 도포막 형성 성분과 용제를 갖고 있어, 웨이퍼의 회전 중에 용제의 휘발에 의해 도포액이 건조될 때, 웨이퍼의 단부에서 난류가 생겨, 도포막이 물결치는 것과 같이 불균일해지기 때문이었다. 이 점, 본 실시 형태의 도포액(Q)은 액체상의 도포막 형성 성분을 갖고 있어 도포액(Q)이 건조되기 어렵기 때문에, 이러한 바람막이 부분이 생기기 어렵다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 박막의 도포막(R)을 형성하기 위해 웨이퍼(W)를 고속 회전시켜도, 형성되는 도포막(R)의 막 두께를 일정하게 할 수 있다.In order to form a thin film on a large-diameter wafer, when the wafer is rotated at a high speed to diffuse the coating liquid onto the wafer, using a conventional coating liquid, a film thickness non-uniformity called a "wind film part" is called at the end of the wafer. An area was occurring. The cause of the occurrence of such a windshield is that the conventional coating liquid has a solid coating film forming component and a solvent, and when the coating liquid is dried by volatilization of the solvent during rotation of the wafer, turbulence occurs at the end of the wafer, This is because the coating film becomes nonuniform as if it is waving. The coating liquid Q of this embodiment has a liquid coating film formation component, and since the coating liquid Q is hard to dry, such a windscreen part hardly arises. Therefore, even if the wafer W is rotated at high speed in order to form the thin film coating film R on the wafer W, the film thickness of the coating film R formed can be made constant.

도포 처리 장치(24) 내에, 도22에 도시하는 바와 같이 기체 공급부(180)를 더 구비함으로써, 스핀 척(120) 상의 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 냉각해도 좋다. 기체 공급부(180)는 처리 용기(150) 내의 상부에 설치되어 있다. 기체 공급부(180)의 하면에는 복수의 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 이들 복수의 구멍으로부터 하방을 향해 기체가 공급된다. 기체 공급부(180)는 기체 공급관(181)을 통해 기체를 공급하는 기체 공급원(182)에 접속되어 있다. 또한 기체 공급관(181)에는, 공급되는 기체의 온도 및 습도를 조정하는 온도 습도 조정 장치(183)가 설치되어 있다.In the coating processing apparatus 24, as shown in FIG. 22, the gas supply unit 180 may be further provided to cool the atmosphere around the wafer W on the spin chuck 120. The gas supply unit 180 is installed above the processing vessel 150. A plurality of holes (not shown) are formed in the lower surface of the gas supply unit 180, and gas is supplied downward from the plurality of holes. The gas supply unit 180 is connected to a gas supply source 182 that supplies gas through a gas supply pipe 181. In addition, the gas supply pipe 181 is provided with a temperature humidity adjusting device 183 for adjusting the temperature and humidity of the gas to be supplied.

이러한 경우, 적어도 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)을 도포하고 있는 동안, 혹은 당해 도포된 도포액(Q)에 자외선을 조사하고 있는 동안에 있어서, 온도 습도 조정 장치(183)에 의해 기체 공급원(182)으로부터 공급되는 기체를 냉각하여, 기체 공급부(180)로부터 하방의 처리 용기(150) 내부를 향해 냉각된 기체를 공급할 수 있다. 그 결과, 처리 용기(150) 내가 상온보다 낮은 온도, 예를 들어 15 ℃까지 냉각된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포된 도포액(Q)이 냉각되어, 도포액(Q)의 승화를 더욱 억제할 수 있다.In this case, the temperature-humidity control apparatus 183 while applying the coating liquid Q at least on the pattern P of the wafer W or irradiating an ultraviolet-ray to the applied coating liquid Q. The gas supplied from the gas supply source 182 can be cooled, and the cooled gas can be supplied from the gas supply unit 180 toward the inside of the processing container 150 below. As a result, the processing vessel 150 is cooled to a temperature lower than room temperature, for example, 15 ° C. Thereby, the coating liquid Q applied on the pattern P of the wafer W is cooled, and sublimation of the coating liquid Q can be further suppressed.

또한 이 도22에 도시하는 도포 처리 장치(24)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)을 도포한 후이며, 또한 당해 도포된 도포액(Q)에 자외선을 조사하기 전에, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 소정의 시간 가열해도 좋다.Moreover, after apply | coating the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W using the coating processing apparatus 24 shown in this FIG. 22, and also the ultraviolet-ray to the apply | coated coating liquid Q. Before irradiating the light, the atmosphere around the wafer W may be heated for a predetermined time.

이러한 경우, 우선 도포 노즐(130)에 의해 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 도포액(Q)을 도포한다[도23의 (a)]. 그 후, 도포된 도포액(Q)의 두께를, 도3에 도시한 막 두께 검사 장치(95)에서 측정하고, 이 측정 결과가 제어부(340)에 전달된다. 제어부(340)에서는, 이 측정 결과를 기초로 하여, 도포된 도포액(Q)의 두께가 소정의 두께보다 두꺼운 경우에는, 도포액(Q)이 소정의 두께로 되도록 도포액(Q)의 일부를 승화시키기 위해, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 소정의 시간 가열시키도록 제어한다. 구체적으로는, 큰 두께의 변화는 가열하는 온도로 제어하고, 작은 두께의 변화는 가열하는 시간으로 제어하도록 가열 온도 및 시간이 산출된다. 그리고 이 가열 온도 및 시간의 산출 결과가 제어부(340)로부터 온도 습도 조정 장치(183)로 전달되어, 온도 습도 조정 장치(183)에서 기체 공급원(182)으로부터 공급되는 기체를 가열한다. 가열된 기체가 기체 공급부(180)로부터 처리 용기(150) 내로 공급되어, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기가 소정의 시간 가열된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포액(Q)의 일부를 승화시켜, 도포액(Q)의 두께를 소정의 두께로 한다[도23의 (b)]. 그 후, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 잔존하고 있는 도포액(Q)이 소정의 두께로 된 시점에서, 잔존하는 도포액(Q)에 대해 조사부(110)로부터 자외선을 조사하여, 당해 도포액(Q)을 경화시킨다[도23의 (c)]. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상에 소정의 막 두께의 도포막(R)을 형성할 수 있다.In this case, first, the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W by the coating nozzle 130 (Fig. 23 (a)). Then, the thickness of the apply | coated coating liquid Q is measured by the film thickness inspection apparatus 95 shown in FIG. 3, and this measurement result is transmitted to the control part 340. FIG. Based on this measurement result, in the control part 340, when the thickness of the apply | coated coating liquid Q is thicker than predetermined thickness, a part of coating liquid Q so that coating liquid Q may become predetermined thickness. In order to sublimate, the atmosphere around the wafer W is controlled to be heated for a predetermined time. Specifically, the heating temperature and the time are calculated so that the change of the large thickness is controlled by the heating temperature and the change of the small thickness is controlled by the heating time. And the calculation result of this heating temperature and time is transmitted from the control part 340 to the temperature humidity adjustment apparatus 183, and the temperature humidity adjustment apparatus 183 heats the gas supplied from the gas supply source 182. Heated gas is supplied from the gas supply part 180 into the processing container 150, and the atmosphere around the wafer W is heated for a predetermined time. Then, a part of the coating liquid Q on the pattern P of the wafer W is sublimed to make the coating liquid Q a predetermined thickness (Fig. 23 (b)). Thereafter, when the coating liquid Q remaining on the pattern P of the wafer W becomes a predetermined thickness, ultraviolet rays are irradiated from the irradiating unit 110 to the remaining coating liquid Q, The coating liquid Q is cured (Fig. 23 (c)). Thereby, the coating film R of predetermined film thickness can be formed on the pattern P of the wafer W. As shown in FIG.

또한, 이와 같이 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 소정의 시간 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 패턴(P)의 오목 부분 이외의 패턴(P)의 표면에 도포된 도포액(Q)을 모두 승화시킬 수도 있다[도24의 (a)]. 즉, 패턴(P) 상에 형성되는 도포막(R)의 막 두께를 제로로 하여, 패턴(P)의 오목부에만 도포액(Q)이 충전되어 경화됨으로써, 패턴(P)의 요철을 없애 패턴(P)의 상면을 평탄화할 수 있다[도24의 (b)]. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 패턴(P) 상의 도포막(R)을 제거하는 에치백 공정을 생략할 수 있어, 웨이퍼(W) 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In addition, by heating the atmosphere around the wafer W for a predetermined time, the coating liquid Q applied to the surface of the pattern P other than the concave portion of the pattern P of the wafer W is sublimated. It is also possible to make it [Fig. 24 (a)]. That is, the film thickness of the coating film R formed on the pattern P is made zero, and the coating liquid Q is filled and hardened only in the recessed part of the pattern P, thereby eliminating the unevenness of the pattern P. The upper surface of the pattern P can be flattened (Fig. 24 (b)). Thereby, the etch back process of removing the coating film R on the pattern P of the wafer W can be skipped, and the throughput of the wafer W process can be improved.

또한, 예를 들어 이상의 실시 형태의 도포막(R) 상에 형성되는 레지스트막의 패턴이 원하는 것이 아닌 경우에는, 웨이퍼(W)에 대해 리워크 처리가 행해지지만, 이 리워크 처리에서 도포막(R)을 박리할 때에, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 가열하여 도포막(R)을 박리해도 좋다.For example, when the pattern of the resist film formed on the coating film R of the above embodiment is not desired, the rework process is performed with respect to the wafer W, but in this rework process, the coating film R is carried out. ), The coating film R may be peeled off by heating the atmosphere around the wafer W.

이러한 경우, 우선 도포막(R) 상에 형성된 레지스트막의 패턴(V)과 반사 방지막(U) 상에 예를 들어 O2 플라즈마를 조사하여, 레지스트막의 패턴(V)과 반사 방지막(U)을 박리한다[도25의 (a)]. 그리고, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 250 ℃ 내지 350 ℃로 가열하여[도25의 (b)], 도포막(R)을 승화시켜 박리한다[도25의 (c)].In this case, first, for example, O 2 plasma is irradiated onto the pattern V and the antireflection film U of the resist film formed on the coating film R, thereby peeling off the pattern V and the antireflection film U of the resist film. [Fig. 25 (a)]. Then, the atmosphere around the wafer W is heated to 250 ° C. to 350 ° C. (FIG. 25 (b)), and the coating film R is sublimed and peeled off (FIG. 25 (c)).

이 도포막(R)의 승화에 대해 발명자들이 조사한 바, 본 발명에 있어서의 도포막(R)은 저분자의 도포막 형성 성분을 갖고 있으므로, 도포막(R)은 250 ℃ 이상의 온도에서 분해하여 승화하는 것을 알 수 있었다. 또한, 웨이퍼(W) 처리 후속의 공정[백 엔드 프로세스(back end process)]의 허용 온도를 고려하면, 350 ℃ 이하의 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 따라서, 도포막(R)을 승화시킬 때의 가열 온도는, 250 ℃ 내지 350 ℃인 것이 바람직하다.When the inventors investigated the sublimation of this coating film R, since the coating film R in this invention has a low molecular coating film formation component, the coating film R decompose | disassembles at the temperature of 250 degreeC or more, and sublimes. I could see that. In addition, in consideration of the allowable temperature of the process (back end process) subsequent to the wafer W treatment, heating to a temperature of 350 ° C or lower is preferable. Therefore, it is preferable that the heating temperature at the time of subliming the coating film R is 250 degreeC-350 degreeC.

이상의 실시 형태에서는, 도포막(R)을 가열하여 박리하고 있으므로, 종래와 같이 O2 플라즈마 등을 이용할 필요가 없어져, 웨이퍼(W) 상의 패턴(P)에 대한 손상을 경감 혹은 소실시킬 수 있다. 또한 이에 의해, 웨이퍼(W)의 리워크 처리시의 수율 저하를 개선할 수 있다.In the above embodiment, since the coating film R is heated and peeled off, there is no need to use an O 2 plasma or the like as in the prior art, and damage to the pattern P on the wafer W can be reduced or eliminated. Moreover, the fall of the yield in the rework process of the wafer W can be improved by this.

또한, 이상의 실시 형태의 도포막(R)을 가열하여 박리하는 방법은, 레지스트막의 패턴(V)을 마스크로 하여 웨이퍼(W)를 에칭한 후, 패턴(P) 상에 잔존하는 도포막(R)을 애싱할 때에도 유효하다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 250 ℃ 내지 350 ℃로 가열하여[도26의 (a)], 도포막(R)을 승화시켜 박리한다[도26의 (b)]. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 패턴(P)을 손상시키는 일 없이, 패턴(P) 상에 잔존하는 도포막(R)을 애싱할 수 있다.In addition, in the method of heating and peeling the coating film R of the above embodiment, after etching the wafer W using the pattern V of the resist film as a mask, the coating film R remaining on the pattern P is left. This is also valid when ashing. In such a case, the atmosphere around the wafer W is heated to 250 ° C. to 350 ° C. (FIG. 26A), and the coating film R is sublimed and peeled off (FIG. 26B). Thereby, the coating film R which remains on the pattern P can be ashed, without damaging the pattern P on the wafer W. As shown in FIG.

또한, 이상의 실시 형태에 있어서, 도21의 단계 S3 내지 S5에 나타낸 웨이퍼(W)에 도포된 도포액(Q)을 경화시키는 공정에서는, 도포액(Q)에 자외선을 조사함으로써, 도포액(Q)을 가교에 가까워지게 하는 광 중합 개시제를 활성화시키고, 활성화한 광 중합 개시제를 확산시켜 도포액(Q)을 경화시키고 있다.In the above embodiment, in the step of curing the coating liquid Q applied to the wafers W shown in steps S3 to S5 of FIG. 21, the coating liquid Q is irradiated with ultraviolet rays to apply the coating liquid Q. The photopolymerization initiator which makes () close to crosslinking is activated, and the activated photoinitiator is spread | diffused and the coating liquid Q is hardened.

이 광 중합 개시제를 확산시키는 공정에 있어서는, 도포액(Q)을 100 ℃ 내지 130 ℃의 온도로 가열함으로써, 광 중합 개시제의 확산을 촉진시킬 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태에 있어서의 도포액(Q)의 경화 공정에서는, 종래와 같이 가열 에너지 그 자체로 도포액(Q)을 경화시키는 것은 아니며, 종래의 가열 온도보다도 낮은 100 ℃ 내지 130 ℃의 온도로 가열하여, 광 중합 개시제를 단시간에 확산시키고 있으므로, 도포액(Q)의 승화를 종래보다 억제할 수 있다. 따라서, 도포액(Q)을 효율적으로 경화시킬 수 있다.In the step of diffusing the photopolymerization initiator, diffusion of the photopolymerization initiator can be promoted by heating the coating liquid Q to a temperature of 100 ° C to 130 ° C. Thus, in the hardening process of the coating liquid Q in this embodiment, it does not harden coating liquid Q with heating energy itself like conventionally, but temperature of 100 degreeC-130 degreeC lower than conventional heating temperature Heating is carried out to diffuse the photopolymerization initiator in a short time, so that the sublimation of the coating liquid Q can be suppressed more conventionally. Therefore, the coating liquid Q can be efficiently cured.

이하, 본 발명의 도포막을 가열하는 것에 의해, 당해 도포막이 승화하는 것에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 있어서는, 도21에 설명한 방법으로, 웨이퍼의 패턴 상에 약 140 ㎚의 막 두께의 도포막을 형성하고, 그 후 웨이퍼의 주변의 분위기를 350 ℃의 온도로 가열하였다.Hereinafter, the sublimation of the coating film will be described by heating the coating film of the present invention. In this embodiment, the coating film of about 140 nm was formed on the pattern of the wafer by the method demonstrated in FIG. 21, and the atmosphere around the wafer was heated to the temperature of 350 degreeC after that.

본 실시예에 있어서, 가열 후의 도포막의 막 두께의 경시 변화를 측정한 결과를 도27에 나타낸다. 도27의 종축은 도포막의 평균 막 두께를 나타내고, 횡축은 가열 시간을 나타내고 있다. 도27을 참조하면, 도포막의 막 두께는, 가열 개시시에는 약 140 ㎚였지만, 약 60초 경과 후에는 약 10 ㎚까지 감소되어 있다. 따라서, 본 발명의 도포막을 소정의 온도, 예를 들어 350 ℃로 가열함으로써, 당해 도포막이 승화하는 것을 알 수 있었다.In the present Example, the result of having measured the time-dependent change of the film thickness of the coating film after heating is shown in FIG. 27 shows the average film thickness of a coating film, and the horizontal axis shows the heating time. Referring to Fig. 27, the film thickness of the coating film was about 140 nm at the start of heating, but decreased to about 10 nm after about 60 seconds had elapsed. Therefore, it turned out that the said coating film sublimes by heating the coating film of this invention to predetermined temperature, for example, 350 degreeC.

또한 이상의 실시 형태로 형성된 도포막(R)은, 웨이퍼(W)에 패턴(P)을 형성하기 위한 레지스트막이라도 좋다. 이와 같이 형성된 도포막(R)을 레지스트막으로서 이용할 수 있어, 종래의 레지스트막을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.Moreover, the coating film R formed by the above embodiment may be a resist film for forming the pattern P in the wafer W. As shown in FIG. The coating film R formed in this way can be used as a resist film, and the process of forming a conventional resist film can be skipped.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범위 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라 이해된다. 본 발명은 본 예에 한정되지 않고 다양한 태양을 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. If it is a person skilled in the art, it is clear that various changes or modifications can be conceived within the range of the idea as described in a claim, and also those naturally belong to the technical scope of this invention. This invention is not limited to this example, It can employ | adopt various aspects. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer, a mask reticle for a photomask, or the like.

본 발명은, 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성할 때에 유용하다.This invention is useful when forming a coating film on the pattern formed in the board | substrate.

W : 웨이퍼
C : 카세트
1 : 도포 현상 처리 시스템
2 : 카세트 스테이션
*5 : 카세트 적재대
6, 100 : 반송로
7, 101 : 웨이퍼 반송체
20, 21, 22 : 레지스트 도포 장치
24 : 도포 처리 장치
60 : 온도 조절 장치
61 : 트랜지션 장치
84 내지 89 : 포스트 익스포저 베이킹 장치
90, 91 : 어드히전 장치
92, 92 : 가열 장치
120 : 스핀 척
130 : 도포 노즐
134 : 아암
150 : 처리 용기W: Wafer
C: Cassette
1: Coating development processing system
2: cassette station
* 5: Cassette Stacker
6, 100: return path
7, 101: wafer carrier
20, 21, 22: resist coating apparatus
24: coating apparatus
60: thermostat
61: transition device
84 to 89: Post Exposure Baking Apparatus
90, 91: Advance Device
92, 92: heating device
120: spin chuck
130: coating nozzle
134: arm
150: processing container

Claims (9)

기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법이며,
상기 도포막을 형성하는 도포액은 액체상의 도포막 형성 성분과 용제를 포함하고,
상기 도포막 형성 성분은 광 중합 개시제를 포함하고,
기판의 패턴 상에 상기 도포액을 도포하는 도포 공정과,
기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액을 소정의 두께가 될 때까지 승화시키는 가열 공정과,
상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 상기 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포막을 형성하는 조사 공정을 갖는 도포 처리 방법.It is a coating processing method of forming a coating film on the pattern formed in the board | substrate,
The coating liquid which forms the said coating film contains a liquid coating film formation component and a solvent,
The said coating film formation component contains a photoinitiator,
A coating step of applying the coating solution onto the pattern of the substrate,
A heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time and subliming the coating liquid applied onto the pattern of the substrate until it reaches a predetermined thickness;
A coating treatment method having an irradiation step of irradiating ultraviolet rays to a coating liquid applied onto a pattern of the substrate to activate the photopolymerization initiator to form a coating film. 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법이며,
상기 도포막을 형성하는 도포액은 액체상의 도포막 형성 성분과 용제를 포함하고,
상기 도포막 형성 성분은 광 중합 개시제를 포함하고,
기판의 패턴 상에 상기 도포액을 도포하는 도포 공정과,
상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 상기 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포막을 형성하는 조사 공정과,
기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 형성된 도포막을 승화시키는 가열 공정을 갖는 도포 처리 방법.It is a coating processing method of forming a coating film on the pattern formed in the board | substrate,
The coating liquid which forms the said coating film contains a liquid coating film formation component and a solvent,
The said coating film formation component contains a photoinitiator,
A coating step of applying the coating solution onto the pattern of the substrate,
An irradiation step of irradiating the coating liquid applied on the pattern of the substrate with ultraviolet rays to activate the photopolymerization initiator to form a coating film;
And a heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time to sublimate the coating film formed on the pattern of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도포 공정이 종료된 후, 상기 조사 공정이 개시될 때까지의 시간을, 미리 정한 시간 이내로 되도록 제어하는 도포 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
A coating treatment method of controlling the time until the irradiation step is started to be within a predetermined time after the coating step is completed. 제1항 또는 제2항에 있어서,
기판의 면내의 모든 영역에 있어서, 상기 도포 공정에서 도포액이 도포된 후, 상기 조사 공정에서 자외선이 조사될 때까지의 시간이 일정해지도록 제어하는 도포 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The coating processing method of controlling so that the time from the application | coating process in the said application | coating process to all the area | regions in a surface of a board | substrate may become constant after irradiating an ultraviolet-ray in the said irradiation process. 제2항에 있어서,
기판의 영역 상에 도포액을 도포한 직후의 당해 영역 상의 도포액에 대해, 상기 조사 공정에 있어서의 자외선의 조사를 행하는 도포 처리 방법.3. The method of claim 2,
The coating treatment method of irradiating an ultraviolet-ray in the said irradiation process with respect to the coating liquid on the said area | region immediately after apply | coating a coating liquid on the area | region of a board | substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도포 공정과 상기 조사 공정 중 어느 하나 또는 이들 양자는, 기판 주변의 분위기를 냉각하여 행해지는 도포 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Either or both of the said application | coating process and the said irradiation process are performed by cooling the atmosphere around a board | substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도포막은, 기판에 패턴을 형성하기 위한 레지스트막인 도포 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The coating film is a coating treatment method for forming a pattern on a substrate. 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법을 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이며,
상기 도포막을 형성하는 도포액은 액체상의 도포막 형성 성분과 용제를 포함하고,
상기 도포막 형성 성분은 광 중합 개시제를 포함하고,
상기 도포 처리 방법은,
기판의 패턴 상에 상기 도포액을 도포하는 도포 공정과,
기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액을 소정의 두께가 될 때까지 승화시키는 가열 공정과,
상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 상기 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포막을 형성하는 조사 공정을 갖는 컴퓨터 기억 매체.A readable program that stores a program operating on a computer of a control unit that controls the coating processing apparatus or the substrate processing system so as to execute the coating processing method of forming the coating film on the pattern formed on the substrate by the coating processing apparatus or the substrate processing system. Computer storage media,
The coating liquid which forms the said coating film contains a liquid coating film formation component and a solvent,
The said coating film formation component contains a photoinitiator,
The coating treatment method,
A coating step of applying the coating solution onto the pattern of the substrate,
A heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time and subliming the coating liquid applied onto the pattern of the substrate until it reaches a predetermined thickness;
And a irradiation step of irradiating the coating liquid applied on the pattern of the substrate with ultraviolet rays to activate the photopolymerization initiator to form a coating film. 기판에 형성된 패턴 상에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법을 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 도포 처리 장치 또는 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이며,
상기 도포막을 형성하는 도포액은 액체상의 도포막 형성 성분과 용제를 포함하고,
상기 도포막 형성 성분은 광 중합 개시제를 포함하고,
상기 도포 처리 방법은,
기판의 패턴 상에 상기 도포액을 도포하는 도포 공정과,
상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액에 자외선을 조사하여, 상기 광 중합 개시제를 활성화시켜 도포막을 형성하는 조사 공정과,
기판 주변의 분위기를 소정의 시간 가열하여, 상기 기판의 패턴 상에 도포된 도포액을 소정의 두께가 될 때까지 승화시키는 가열 공정을 갖는 컴퓨터 기억 매체. A readable program that stores a program operating on a computer of a control unit that controls the coating processing apparatus or the substrate processing system so as to execute the coating processing method of forming the coating film on the pattern formed on the substrate by the coating processing apparatus or the substrate processing system. Computer storage media,
The coating liquid which forms the said coating film contains a liquid coating film formation component and a solvent,
The said coating film formation component contains a photoinitiator,
The coating treatment method,
A coating step of applying the coating solution onto the pattern of the substrate,
An irradiation step of irradiating the coating liquid applied on the pattern of the substrate with ultraviolet rays to activate the photopolymerization initiator to form a coating film;
And a heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time to sublimate the coating liquid applied onto the pattern of the substrate until it reaches a predetermined thickness.
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