JP4950771B2

JP4950771B2 - Application processing method, program, and computer storage medium

Info

Publication number: JP4950771B2
Application number: JP2007147694A
Authority: JP
Inventors: 誠村松
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-01-19
Filing date: 2007-06-04
Publication date: 2012-06-13
Anticipated expiration: 2027-06-04
Also published as: JP2008198970A

Description

本発明は、基板に形成されたパターン上に塗布膜を形成する塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a coating processing method, a program, and a computer storage medium for forming a coating film on a pattern formed on a substrate.

例えば多層配線構造の半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。このレジストパターンをマスクとして、ウェハのエッチング処理が行われ、その後レジスト膜の除去処理などが行われて、ウェハ上に所定のパターンが形成される。このように所定の層に所定のパターンが形成される工程が通常２０〜３０回程度繰り返し行われ、多層配線構造の半導体デバイスが製造される。 For example, in a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayer wiring structure, for example, a resist coating process for applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and exposing a predetermined pattern on the resist film An exposure process for developing and a development process for developing the exposed resist film are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer. Using this resist pattern as a mask, the wafer is etched, and then the resist film is removed to form a predetermined pattern on the wafer. Thus, the process of forming a predetermined pattern in a predetermined layer is usually repeated about 20 to 30 times, and a semiconductor device having a multilayer wiring structure is manufactured.

ところで、このようにウェハ上に所定のパターンが繰り返し形成される場合、ｎ層目に所定のパターンが形成された後に、（ｎ＋１）層目のレジスト膜が適切な高さに形成されるためには、レジスト液が塗布される面が平坦であることが必要になる。 By the way, when a predetermined pattern is repeatedly formed on the wafer in this way, the (n + 1) -th layer resist film is formed at an appropriate height after the predetermined pattern is formed on the n-th layer. The surface to which the resist solution is applied needs to be flat.

そこで従来より、ウェハの所定のパターン上に塗布膜を形成し、その表面を平坦化することが行われている。このような塗布膜の形成は、ウェハの所定のパターン上に例えば固体状の塗布膜形成成分と溶剤を有する塗布液を塗布し、当該塗布された塗布液を加熱して硬化させることにより行われる。この塗布液としては、例えばＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎ
Ｇｌａｓｓ）材料が用いられている。（非特許文献１） Therefore, conventionally, a coating film is formed on a predetermined pattern of a wafer and the surface thereof is flattened. Such a coating film is formed by, for example, applying a coating liquid having a solid coating film forming component and a solvent on a predetermined pattern of a wafer, and heating and curing the applied coating liquid. . As this coating liquid, for example, SOG (SpinOn
Glass) material is used. (Non-Patent Document 1)

大橋直史ら著「多層配線構造に対するＳＯＧプロセスの改良」電気情報通信学会論文誌Ｃ−ＩＩＶｏｌ．Ｊ７８−Ｃ−ＩＩＮｏ．５１９９５年Naohashi Ohashi et al. "Improvement of SOG process for multilayer wiring structure" IEICE Transactions C-II Vol. J78-C-II No. 5 1995

しかしながら、図１６に示したように、このような従来の塗布液がウェハＷの所定のパターンＰ上に塗布された場合、塗布液中の固体状の塗布膜形成成分の流動性が悪いため、塗布液はウェハＷの所定のパターンＰの凹凸上を円滑に拡散しなかった。その結果、パターンＰの穴Ｈが形成されている領域Ｓでは、パターンＰの穴Ｈが形成されていない領域Ｔに比べて塗布膜Ｒが凹み、塗布膜Ｒの高さが異なる、いわゆる段差Ｂが生じていた。したがって、従来の塗布膜Ｒの表面は平坦化されず、この塗布膜Ｒ上に形成されるレジスト膜にも段差が生じるという問題があった。 However, as shown in FIG. 16, when such a conventional coating solution is applied onto the predetermined pattern P of the wafer W, the fluidity of the solid coating film forming component in the coating solution is poor. The coating liquid did not diffuse smoothly on the irregularities of the predetermined pattern P on the wafer W. As a result, in the region S where the hole H of the pattern P is formed, the coating film R is recessed compared to the region T where the hole H of the pattern P is not formed, and the height of the coating film R is different, so-called step B. Has occurred. Therefore, the surface of the conventional coating film R is not flattened, and there is a problem that a step is generated in the resist film formed on the coating film R.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板に形成された所定のパターン上に塗布膜を形成するにあたって、当該塗布膜の表面を平坦化することを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to flatten the surface of a coating film when forming the coating film on a predetermined pattern formed on a substrate.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板に形成されたパターン上に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、前記塗布膜を形成する塗布液は液体状の塗布膜形成成分と溶剤とを含み、前記塗布膜形成成分は光重合開始剤を含み、基板のパターン上に前記塗布液を塗布する塗布工程と、基板周辺の雰囲気を所定の時間加熱し、前記基板のパターン上に塗布された塗布液を所定の厚みになるまで昇華させる加熱工程と、前記基板のパターン上に塗布された塗布液に紫外線を照射し、前記光重合開始剤を活性化させて塗布膜を形成する照射工程と、を有することを特徴としている。
また、別の観点による本発明は、基板に形成されたパターン上に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、前記塗布膜を形成する塗布液は液体状の塗布膜形成成分と溶剤とを含み、前記塗布膜形成成分は光重合開始剤を含み、基板のパターン上に前記塗布液を塗布する塗布工程と、前記基板のパターン上に塗布された塗布液に紫外線を照射し、前記光重合開始剤を活性化させて塗布膜を形成する照射工程と、基板周辺の雰囲気を所定の時間加熱し、前記基板のパターン上に形成された塗布膜を昇華させる加熱工程と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a coating treatment method for forming a coating film on a pattern formed on a substrate, wherein the coating liquid for forming the coating film is a liquid coating film forming component and a solvent. The coating film forming component includes a photopolymerization initiator, and a coating process for coating the coating liquid on the substrate pattern, and an atmosphere around the substrate is heated for a predetermined time to be coated on the substrate pattern. A heating step for sublimating the applied coating solution to a predetermined thickness, and irradiation for irradiating the coating solution applied on the substrate pattern with ultraviolet rays to activate the photopolymerization initiator to form a coating film And a process.
Another aspect of the present invention is a coating processing method for forming a coating film on a pattern formed on a substrate, wherein the coating liquid for forming the coating film comprises a liquid coating film forming component and a solvent. The coating film forming component includes a photopolymerization initiator, and a coating process for coating the coating solution on the substrate pattern; and the photopolymerization is performed by irradiating the coating solution coated on the substrate pattern with ultraviolet rays. An irradiation step of activating an initiator to form a coating film; and a heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time to sublimate the coating film formed on the pattern of the substrate. It is said.

本発明によれば、基板のパターン上に液体状の塗布膜形成成分を含む塗布液が塗布される。このように基板のパターン上に塗布液が塗布されると、その塗布液に含まれる液体状の塗布膜形成成分の流動性が良いために、塗布液は基板のパターンの凹凸上を円滑に拡散することができる。したがって、基板のパターン上に形成される塗布膜に段差が生じず、塗布膜の表面を平坦化することができる。
またここで、この基板のパターン上に塗布された塗布液に含まれる液体状の塗布膜形成成分は低分子であり、それぞれの分子が結合していないため、昇華しやすい性質を有している。この塗布膜形成成分を加熱すると、塗布液はさらに昇華しやすくなる。従来の塗布膜は塗布液を加熱することにより塗布液を硬化させて形成されるので、液体状の塗布形成成分を有する塗布液を用いる場合、塗布液を硬化させる際に塗布液が昇華してしまう。しかしながら本発明によれば、基板のパターン上に塗布された塗布液に紫外線を照射し、塗布液中の塗布膜形成成分に含まれる光重合開始剤を活性化させて塗布液を硬化させて、基板のパターン上に塗布膜を形成するので、塗布液の加熱が不要、あるいは必要以上に加熱する必要がなく、塗布液の昇華を従来より抑えることができる。また光重合開始剤に紫外線を照射すると、光重合開始剤は極めて短時間で活性化し、塗布液の硬化を短時間で行うことができる。この光重合開始剤の短時間での活性化も塗布液の昇華の抑制に寄与している。このように塗布液の昇華を抑えることができるので、形成される塗布膜の膜厚の減少を抑えることができる。
また、塗布工程の後であってかつ照射工程の前の加熱工程を行うことによって、基板のパターン上に塗布液を塗布した後、塗布された塗布液の厚みが所定の厚みよりも厚い場合には、基板周辺の雰囲気を所定の時間加熱して基板のパターンの塗布液を昇華させることで、塗布液の厚みを所定の厚みにすることができる。その結果、所定の膜厚の塗布膜を形成することができる。なお、このように塗布膜の膜厚は加熱する温度と時間で制御することができるが、大きい膜厚の変化は温度で制御し、小さい膜厚の変化は時間で制御するようにしてもよい。
また、このように基板周辺の雰囲気を所定の時間加熱することで、パターンの凹部分以外のパターンの表面に塗布された塗布液をすべて昇華させることもできる。すなわち、パターン上に形成される塗布膜の膜厚をゼロにして、パターンの凹部にのみ塗布液が充填され硬化することで、パターンの凹凸をなくしてパターンの上面を平坦化することができる。従来から、塗布膜を形成した後にパターン上の塗布膜を不要として例えばエッチングを行ってこの塗布膜を除去する、いわゆるエッチバック工程を行う場合があるが、本発明によれば、このようなエッチバック工程を省略することができ、基板処理のスループットを向上させることができる。
さらに、例えば基板のパターン上の塗布膜上に形成されるレジスト膜の膜厚が不均一であったり、レジスト膜のパターンが所望のものでない場合には、当該レジスト膜と塗布膜を剥離した後、基板のパターン上に塗布膜とレジスト膜を再形成する、いわゆるリワーク処理を行うことがある。このリワーク処理の際のレジスト膜と塗布膜の除去は、従来から、Ｏ _２プラズマやＮ _２／Ｈ _２プラズマを照射して行われていた。しかしながら、従来のようにＯ _２プラズマ等の照射を行った場合、基板のパターンがＯ _２プラズマ等により損傷を受けることがあった。本発明によれば、このようなリワーク処理の際において、基板周辺の雰囲気を加熱することで塗布膜を昇華させて剥離することができるので、基板上のパターンに対する損傷を軽減あるいは消失させることができる。またこれにより、リワーク処理の際の歩留まり低下を改善することができる。 According to the present invention, the coating liquid containing the liquid coating film forming component is applied onto the pattern of the substrate. When the coating solution is applied onto the substrate pattern in this way, the coating solution diffuses smoothly over the irregularities of the substrate pattern because the liquid coating film forming component contained in the coating solution has good fluidity. can do. Therefore, no step is generated in the coating film formed on the pattern of the substrate, and the surface of the coating film can be planarized.
Further, here, the liquid coating film forming component contained in the coating liquid applied on the pattern of the substrate is a low molecule, and since each molecule is not bonded, it has the property of being easily sublimated. . When this coating film forming component is heated, the coating solution is further easily sublimated. Since the conventional coating film is formed by curing the coating liquid by heating the coating liquid, when using a coating liquid having a liquid coating forming component, the coating liquid sublimates when the coating liquid is cured. End up. However, according to the present invention, the coating liquid applied on the substrate pattern is irradiated with ultraviolet rays, the photopolymerization initiator contained in the coating film forming component in the coating liquid is activated to cure the coating liquid, Since the coating film is formed on the pattern of the substrate, heating of the coating solution is unnecessary or unnecessary, and it is not necessary to heat more than necessary, and sublimation of the coating solution can be suppressed as compared with the conventional case. When the photopolymerization initiator is irradiated with ultraviolet rays, the photopolymerization initiator is activated in a very short time, and the coating liquid can be cured in a short time. The activation of the photopolymerization initiator in a short time also contributes to suppression of sublimation of the coating solution. Thus, since sublimation of the coating liquid can be suppressed, a decrease in the film thickness of the formed coating film can be suppressed.
In addition, when the coating solution is applied on the substrate pattern by performing a heating step after the coating step and before the irradiation step, and then the applied coating solution is thicker than a predetermined thickness. In this case, the thickness of the coating liquid can be set to a predetermined thickness by heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time to sublimate the coating liquid for the substrate pattern. As a result, a coating film having a predetermined thickness can be formed. Although the thickness of the coating film can be controlled by the heating temperature and time as described above, the change in the large film thickness may be controlled by the temperature, and the change in the small film thickness may be controlled by the time. .
In addition, by heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time in this way, it is possible to sublimate all the coating liquid applied to the surface of the pattern other than the concave portion of the pattern. That is, by setting the thickness of the coating film formed on the pattern to zero and filling and curing the coating solution only in the concave portions of the pattern, the upper surface of the pattern can be flattened without the pattern irregularities. Conventionally, after forming a coating film, there is a case where a coating film on the pattern is not necessary, for example, etching is performed to remove the coating film, so-called etch back process is performed. The back process can be omitted, and the throughput of substrate processing can be improved.
Furthermore, for example, when the thickness of the resist film formed on the coating film on the substrate pattern is non-uniform or the resist film pattern is not desired, the resist film and the coating film are peeled off. A so-called rework process may be performed in which a coating film and a resist film are re-formed on the pattern of the substrate. The removal of the resist film and the coating film in the rework process has been conventionally performed by irradiating O ₂ plasma or N ₂ / H ₂ plasma. However, when irradiation with O ₂ plasma or the like is performed as in the past, the substrate pattern may be damaged by O ₂ plasma or the like. According to the present invention, in such a rework process, the coating film can be sublimated and peeled by heating the atmosphere around the substrate, so that damage to the pattern on the substrate can be reduced or eliminated. it can. This can also improve yield reduction during the rework process.

前記塗布工程が終了してから、前記照射工程が開始するまでの時間を、所定の時間以内となるように制御してもよい。所定の時間は、例えば塗布液が塗布された基板を放置した場合に、当該塗布された塗布液が昇華する量が許容範囲内となる時間に設定される。このように時間を制御することによって、塗布工程が終了してから照射工程が開始するまでに塗布液が昇華しても、形成される塗布膜の膜厚の減少を許容範囲内に抑えることができる。 The time from the end of the coating process to the start of the irradiation process may be controlled to be within a predetermined time. The predetermined time is set to a time during which the amount of sublimation of the applied coating solution falls within an allowable range when the substrate coated with the coating solution is left, for example. By controlling the time in this way, even if the coating liquid sublimates from the end of the coating process to the start of the irradiation process, the reduction in the thickness of the formed coating film can be kept within an allowable range. it can.

基板の面方向の全位置において、前記塗布工程で塗布液が塗布されてから、前記照射工程で紫外線が照射されるまでの時間が一定となるように制御してもよい。これによって、塗布液が塗布された基板の面方向の全位置において、当該塗布された塗布液が昇華する量を一定にできるので、形成される塗布膜の膜厚を一定にすることができる。 Control may be performed so that the time from application of the coating liquid in the application process to irradiation of ultraviolet rays in the irradiation process is constant at all positions in the surface direction of the substrate. As a result, the amount of the applied coating solution to be sublimated can be made constant at all positions in the surface direction of the substrate to which the coating solution has been applied, so that the thickness of the formed coating film can be made constant.

前記塗布工程において基板の領域上に塗布液を塗布した直後の当該領域上の塗布液に対して、前記照射工程における紫外線の照射を行ってもよい。これによって、基板のパターン上に塗布された塗布液は、基板に塗布された直後に紫外線を照射されて硬化するので、塗布液の塗布から紫外線の照射までの時間を微小にすることができ、塗布液の昇華を抑えることができる。 In the coating step, the coating solution on the region immediately after coating the coating solution on the region of the substrate may be irradiated with ultraviolet rays in the irradiation step. Thereby, since the coating liquid applied on the pattern of the substrate is cured by being irradiated with ultraviolet rays immediately after being applied to the substrate, the time from application of the coating liquid to irradiation of ultraviolet rays can be made minute, Sublimation of the coating solution can be suppressed.

少なくとも前記塗布工程又は前記照射工程は、基板周辺の雰囲気を冷却して行われてもよい。これによって、基板のパターン上に塗布された塗布液が冷却されるので、塗布液の昇華をさらに抑えることができる。 At least the coating step or the irradiation step may be performed by cooling the atmosphere around the substrate. As a result, the coating solution applied onto the pattern of the substrate is cooled, so that sublimation of the coating solution can be further suppressed.

前記塗布膜は、基板にパターンを形成するためのレジスト膜であってもよい。かかる場合、形成された塗布膜をレジスト膜として用いることができ、従来のレジスト膜を形成する工程を省略することができる。 The coating film may be a resist film for forming a pattern on the substrate. In such a case, the formed coating film can be used as a resist film, and the conventional step of forming a resist film can be omitted.

別の観点による本発明によれば、前記の塗布処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus in order to cause the coating processing method to be executed by the substrate processing apparatus.

さらに別の観点による本発明によれば、前記のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the above program is provided.

本発明によれば、基板に形成された所定のパターン上に塗布膜を形成するにあたって、塗布膜の表面を平坦化することができ、また塗布液の昇華を抑えて塗布膜の膜厚の減少を抑えることができる。 According to the present invention, when forming a coating film on a predetermined pattern formed on a substrate, the surface of the coating film can be flattened, and the film thickness of the coating film can be reduced by suppressing sublimation of the coating liquid. Can be suppressed.

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる塗布処理方法を実施するための塗布処理装置を搭載した、塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は、塗布現像処理システム１の背面図である。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing treatment system 1 equipped with a coating treatment apparatus for carrying out the coating treatment method according to the present embodiment, and FIG. FIG. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system 1.

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 is a cassette that carries, for example, 25 wafers W from the outside to the coating and developing treatment system 1 in a cassette unit, and carries a wafer W into and out of the cassette C. A station 2, a processing station 3 in which a plurality of various processing apparatuses for performing predetermined processing in a single wafer type in a photolithography process are arranged in multiple stages, and an exposure apparatus provided adjacent to the processing station 3 (Not shown) has a configuration in which the interface unit 4 for transferring the wafer W to and from the unit is integrally connected.

カセットステーション２には、カセット載置台５が設けられ、当該カセット載置台５は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。 The cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 5 that can mount a plurality of cassettes C in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette station 2 is provided with a wafer transfer body 7 that can move in the X direction on the transfer path 6. The wafer carrier 7 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C, and is selective to the wafers W in each cassette C arranged in the X direction. Can be accessed.

ウェハ搬送体７は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温度調節装置６０やウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１に対してもアクセスできる。 The wafer transfer body 7 is rotatable in the θ direction around the Z axis, and a temperature control device 60 belonging to a third processing device group G3 on the processing station 3 side to be described later, and a transition device 61 for delivering the wafer W. Can also be accessed.

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置Ａ１が設けられており、第１の搬送装置Ａ１の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第１の搬送アーム１０が設けられている。第１の搬送アーム１０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置Ａ２が設けられており、第２の搬送装置Ａ２の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第２の搬送アーム１１が設けられている。第２の搬送アーム１１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。 The processing station 3 adjacent to the cassette station 2 includes, for example, five processing device groups G1 to G5 in which a plurality of processing devices are arranged in multiple stages. A first processing device group G1 and a second processing device group G2 are arranged in this order from the cassette station 2 side on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 1) side of the processing station 3. A third processing device group G3, a fourth processing device group G4, and a fifth processing device group G5 are sequentially arranged from the cassette station 2 side on the X direction positive direction (upward direction in FIG. 1) side of the processing station 3. Has been placed. A first transfer device A1 is provided between the third processing device group G3 and the fourth processing device group G4, and the wafer W is supported and transferred inside the first transfer device A1. A first transfer arm 10 is provided. The first transfer arm 10 can selectively access each processing apparatus in the first processing apparatus group G1, the third processing apparatus group G3, and the fourth processing apparatus group G4 to transfer the wafer W. A second transfer device A2 is provided between the fourth processing device group G4 and the fifth processing device group G5, and the wafer W is supported and transferred inside the second transfer device A2. A second transfer arm 11 is provided. The second transfer arm 11 can selectively access each processing apparatus in the second processing apparatus group G2, the fourth processing apparatus group G4, and the fifth processing apparatus group G5 to transfer the wafer W.

図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０、２１、２２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３、本発明にかかるウェハＷのパターンＰ上に塗布膜Ｒを形成する塗布処理装置２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０、４１がそれぞれ設けられている。 As shown in FIG. 2, in the first processing unit group G1, a liquid processing apparatus that performs processing by supplying a predetermined liquid to the wafer W, for example, resist coating apparatuses 20, 21, and 22 that apply a resist solution to the wafer W. The bottom coating apparatus 23 for forming an antireflection film for preventing reflection of light during the exposure process, and the coating processing apparatus 24 for forming the coating film R on the pattern P of the wafer W according to the present invention are arranged in five stages in order from the bottom. It is piled up. In the second processing unit group G2, liquid processing units, for example, development processing units 30 to 34 for supplying a developing solution to the wafer W and performing development processing are stacked in five stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 40 and 41 for supplying various processing liquids to the liquid processing apparatuses in the processing apparatus groups G1 and G2 are provided at the bottom of the first processing apparatus group G1 and the second processing apparatus group G2. Each is provided.

例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温度調節装置６０、トランジション装置６１、精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温度調節装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。 For example, as shown in FIG. 3, the third processing unit group G3 includes a temperature control unit 60, a transition unit 61, high-precision temperature control units 62 to 64 that control the temperature of the wafer W under high-precision temperature control, and the wafer W. High-temperature heat treatment apparatuses 65 to 68 that heat-treat them at a high temperature are sequentially stacked in nine stages from the bottom.

第４の処理装置群Ｇ４では、例えば高精度温度調節装置７０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。 In the fourth processing unit group G4, for example, a high-accuracy temperature control unit 70, pre-baking units 71 to 74 that heat-treat the resist-coated wafer W, and post-baking units 75 to 74 that heat-process the developed wafer W. 79 are stacked in 10 steps from the bottom.

第５の処理装置群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温度調節装置８０〜８３、ポストエクスポージャーベーキング装置８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。 In the fifth processing apparatus group G5, a plurality of heat treatment apparatuses for heat-treating the wafer W, for example, high-accuracy temperature control apparatuses 80 to 83 and post-exposure baking apparatuses 84 to 89 are stacked in 10 stages in order from the bottom.

図１に示すように第１の搬送装置Ａ１のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷに塗布された塗布膜の膜厚を検査する膜厚検査装置９５、ウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０、９１、ウェハＷを加熱する加熱装置９２、９３が下から順に５段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置Ａ２のＸ方向正方向側には、例えば例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。 As shown in FIG. 1, a plurality of processing devices are arranged on the positive side in the X direction of the first transfer device A1, for example, the film thickness of the coating film applied to the wafer W as shown in FIG. A film thickness inspection device 95 to be inspected, adhesion devices 90 and 91 for hydrophobizing the wafer W, and heating devices 92 and 93 for heating the wafer W are stacked in five stages in order from the bottom. As shown in FIG. 1, for example, a peripheral exposure device 94 that selectively exposes only the edge portion of the wafer W, for example, is disposed on the positive side in the X direction of the second transfer device A2.

インターフェイス部４には、例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイス部４に隣接した露光装置（図示せず）と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。 For example, as shown in FIG. 1, the interface unit 4 is provided with a wafer transfer body 101 that moves on a transfer path 100 that extends in the X direction, and a buffer cassette 102. The wafer transfer body 101 can move in the Z direction and can also rotate in the θ direction. With respect to the exposure apparatus (not shown) adjacent to the interface unit 4, the buffer cassette 102, and the fifth processing apparatus group G5. The wafer W can be transferred by accessing.

次に、上述の塗布処理装置２４の構成について、図４に基づいて説明する。塗布処理装置２４は、内部を密閉することができる処理容器１５０を有している。処理容器１５０の一側面には、ウェハＷの搬送手段である第１の搬送アーム１０の搬入領域に臨む面にウェハＷの搬入出口１５１が形成され、搬入出口１５１には、開閉シャッタ１５２が設けられている。 Next, the structure of the above-mentioned coating processing apparatus 24 is demonstrated based on FIG. The coating processing apparatus 24 includes a processing container 150 that can seal the inside. On one side of the processing container 150, a wafer W loading / unloading port 151 is formed on a surface facing the loading area of the first transfer arm 10 that is a transfer unit for the wafer W, and an opening / closing shutter 152 is provided at the loading / unloading port 151. It has been.

処理容器１５０の内部には、基板保持機構としてその上面にウェハＷを水平に真空吸着保持するスピンチャック１２０が設けられている。このスピンチャック１２０はモータなどを含む回転駆動部１２１により鉛直周りに回転でき、かつ昇降できる。 Inside the processing container 150, a spin chuck 120 is provided as a substrate holding mechanism for vacuum suction holding the wafer W horizontally on its upper surface. The spin chuck 120 can be rotated around the vertical by a rotary drive unit 121 including a motor and can be moved up and down.

スピンチャック１２０の周囲には、カップ体１２２が設けられている。カップ体１２２の上面には、ウェハＷを保持した状態のスピンチャック１２０が昇降できるようにウェハＷ及びスピンチャック１２０よりも大きい開口部が形成されている。カップ体１２２底部には、ウェハＷ上から零れ落ちる塗布液を排出するための排液口１２３が形成されており、この排液口１２３には排液管１２４が接続されている。 A cup body 122 is provided around the spin chuck 120. An opening larger than the wafer W and the spin chuck 120 is formed on the upper surface of the cup body 122 so that the spin chuck 120 holding the wafer W can move up and down. At the bottom of the cup body 122, a drain port 123 for discharging the coating liquid that spills from the wafer W is formed, and a drain tube 124 is connected to the drain port 123.

スピンチャック１２０の上方には、ウェハＷ表面の中心部に塗布液を塗布するための塗布ノズル１３０が配置されている。塗布ノズル１３０は、塗布液供給管１３１を介して塗布液を供給する塗布液供給源１３２に接続されている。また塗布液供給管１３１にはバルブや流量調整部等を有する供給制御装置１３３が設けられている。塗布液供給源１３２から供給される塗布液には例えばＸＵＶ（日産化学工業株式会社製品）が用いられ、塗布液には液体状の塗布膜形成成分と溶剤が含まれている。塗布膜形成成分には、例えばインドニウム塩などの光重合開始剤、エポキシ樹脂、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルアセテートなどが含まれている。溶剤としては、例えばシンナーが用いられている。 Above the spin chuck 120, a coating nozzle 130 for coating a coating solution on the center of the surface of the wafer W is disposed. The coating nozzle 130 is connected to a coating solution supply source 132 that supplies a coating solution via a coating solution supply pipe 131. Further, the coating liquid supply pipe 131 is provided with a supply control device 133 having a valve, a flow rate adjusting unit and the like. For example, XUV (Nissan Chemical Industry Co., Ltd. product) is used as the coating liquid supplied from the coating liquid supply source 132, and the coating liquid contains a liquid coating film forming component and a solvent. The coating film forming component includes, for example, a photopolymerization initiator such as an indonium salt, an epoxy resin, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl acetate, and the like. For example, thinner is used as the solvent.

処理容器１５０の上方には、スピンチャック１２０上のウェハＷに対して紫外線を照射する照射部１１０が設けられている。照射部１１０は、ウェハＷの全面に対して紫外線を照射することができる。 An irradiation unit 110 that irradiates the wafer W on the spin chuck 120 with ultraviolet rays is provided above the processing container 150. The irradiation unit 110 can irradiate the entire surface of the wafer W with ultraviolet rays.

塗布ノズル１３０は、図５に示すようにアーム１３４を介して移動機構１３５に接続されている。アーム１３４は移動機構１３５により、処理容器１５０の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール１３６に沿って、カップ体１２２の一端側（図５では左側）の外側に設けられた待機領域１３７から他端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できる。待機領域１３７は、塗布ノズル１３０を収納できるように構成されていると共に、塗布ノズル１３０の先端部を洗浄できる洗浄部１３７ａを有している。 The application nozzle 130 is connected to a moving mechanism 135 via an arm 134 as shown in FIG. The arm 134 is provided by the moving mechanism 135 on the outer side of one end side (left side in FIG. 5) of the cup body 122 along the guide rail 136 provided along the length direction (Y direction) of the processing container 150. It can move from the waiting area 137 toward the other end side and can move in the vertical direction. The standby region 137 is configured to store the application nozzle 130 and has a cleaning unit 137 a that can clean the tip of the application nozzle 130.

塗布処理装置２４は、後述する一連の動作を制御するコンピュータプログラムを有する制御部１４０を備えている。制御部１４０は、照射部１１０、回転駆動部１２１、供給制御装置１３３、移動機構１３５等を制御するように構成されており、塗布ノズル１３０により塗布液の塗布が終了してから、照射部１１０により紫外線の照射が開始されるまでの時間を所定の時間以内となるように制御している。なおこの所定の時間は、塗布液が塗布されたウェハＷを放置した場合に、当該塗布された塗布液が昇華する量が許容範囲内となる時間、例えば２０秒間に設定される。前記コンピュータプログラムは、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、メモリーカード、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、ハードディスク等の読み取り可能な記憶媒体に格納され、制御部１４０であるコンピュータにインストールされている。 The coating processing apparatus 24 includes a control unit 140 having a computer program that controls a series of operations described later. The control unit 140 is configured to control the irradiation unit 110, the rotation driving unit 121, the supply control device 133, the moving mechanism 135, and the like, and after the application of the coating liquid by the coating nozzle 130 is completed, the irradiation unit 110. Thus, the time until the start of ultraviolet irradiation is controlled to be within a predetermined time. Note that this predetermined time is set to a time during which the amount by which the applied coating solution sublimates is within an allowable range when the wafer W coated with the coating solution is left, for example, 20 seconds. The computer program is stored in a readable storage medium such as a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a memory card, a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a hard disk, and is the control unit 140. Installed on the computer.

本実施の形態にかかる塗布処理装置２４を搭載した塗布現像処理システム１は以上のように構成されており、次にこの塗布現像処理システム１で行われるウェハ処理について説明する。 The coating and developing processing system 1 equipped with the coating processing apparatus 24 according to the present embodiment is configured as described above. Next, wafer processing performed in the coating and developing processing system 1 will be described.

先ず、ウェハ搬送体７によって、カセット載置台５上のカセットＣから表面に所定のパターンが形成されたウェハＷが一枚取り出され、第３の処理装置群Ｇ３の温度調節装置６０に搬送される。温度調節装置６０に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節され、その後本発明にかかる塗布処理装置２４に搬送される。塗布処理装置２４内では、後述するウェハＷのパターン上に塗布膜が形成される。 First, one wafer W having a predetermined pattern formed on the surface is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 5 by the wafer transfer body 7 and transferred to the temperature adjustment device 60 of the third processing unit group G3. . The wafer W transferred to the temperature adjusting device 60 is adjusted to a predetermined temperature, and then transferred to the coating processing device 24 according to the present invention. In the coating processing apparatus 24, a coating film is formed on the pattern of the wafer W described later.

ウェハＷのパターン上に塗布膜が形成されると、ウェハＷは第１の搬送アーム１０によってボトムコーティング装置２３に搬送され、反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送アーム１０によって加熱装置９２、高温度熱処理装置６５、高精度温度調節装置７０に順次搬送され、各装置で所定の処理が施される。その後ウェハＷは、レジスト塗布装置２０に搬送される。 When the coating film is formed on the pattern of the wafer W, the wafer W is transported to the bottom coating device 23 by the first transport arm 10 to form an antireflection film. The wafer W on which the antireflection film is formed is sequentially transferred by the first transfer arm 10 to the heating device 92, the high temperature heat treatment device 65, and the high precision temperature adjustment device 70, and is subjected to predetermined processing in each device. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating apparatus 20.

レジスト塗布装置２０においてウェハＷ上にレジスト膜が形成されると、ウェハＷは第１の搬送アーム１０によってプリベーキング装置７１に搬送され、加熱処理が施された後、続いて第２の搬送アーム１１によって周辺露光装置９４、高精度温度調節装置８３に順次搬送されて、各装置において所定の処理が施される。その後、インターフェイス部４のウェハ搬送体１０１によって露光装置（図示せず）に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送体１０１によってポストエクスポージャーベーキング装置８４に搬送され、所定の処理が施される。 When a resist film is formed on the wafer W in the resist coating apparatus 20, the wafer W is transferred to the pre-baking apparatus 71 by the first transfer arm 10 and is subjected to heat treatment, and then the second transfer arm. 11 are sequentially conveyed to the peripheral exposure device 94 and the high-precision temperature adjustment device 83, and predetermined processing is performed in each device. Thereafter, the wafer is transferred to an exposure apparatus (not shown) by the wafer transfer body 101 of the interface unit 4, and a predetermined pattern is exposed on the resist film on the wafer W. The wafer W that has been subjected to the exposure process is transferred to the post-exposure baking apparatus 84 by the wafer transfer body 101 and subjected to a predetermined process.

ポストエクスポージャーベーキング装置８４における熱処理が終了すると、ウェハＷは第２の搬送アーム１１によって高精度温度調節装置８１に搬送されて温度調節され、その後現像処理装置３０に搬送され、ウェハＷ上に現像処理が施され、レジスト膜にパターンが形成される。その後ウェハＷは、第２の搬送アーム１１によってポストベーキング装置７５に搬送され、加熱処理が施された後、高精度温度調節装置６３に搬送され温度調節される。そしてウェハＷは、第１の搬送アーム１０によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。 When the heat treatment in the post-exposure baking apparatus 84 is completed, the wafer W is transferred to the high-accuracy temperature adjustment apparatus 81 by the second transfer arm 11 and the temperature is adjusted, and then transferred to the development processing apparatus 30 and developed on the wafer W. Is applied to form a pattern on the resist film. Thereafter, the wafer W is transferred to the post-baking device 75 by the second transfer arm 11 and subjected to heat treatment, and then transferred to the high-accuracy temperature adjusting device 63 to adjust the temperature. Then, the wafer W is transferred to the transition device 61 by the first transfer arm 10 and returned to the cassette C by the wafer transfer body 7 to complete a series of photolithography steps.

次に、塗布処理装置２４内で行われる、ウェハＷのパターン上に例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚の塗布膜を形成する塗布処理方法について、説明する。図６は、塗布膜を形成する塗布処理方法についてのフローを示している。 Next, a coating processing method for forming a coating film having a film thickness of, for example, 100 nm to 300 nm on the pattern of the wafer W performed in the coating processing apparatus 24 will be described. FIG. 6 shows a flow of a coating processing method for forming a coating film.

ウェハＷは、第１の搬送アーム１０によって搬入出口１５１から処理容器１５０内に搬送され、スピンチャック１２０の上方まで移動される。そこでスピンチャック１２０を上昇させて、第１の搬送アーム１０からスピンチャック１２０にウェハＷが受け渡される。そしてウェハＷをスピンチャック１２０に吸着して水平に保持して、ウェハＷを所定の位置まで下降させる。 The wafer W is transferred from the loading / unloading port 151 into the processing container 150 by the first transfer arm 10 and moved to above the spin chuck 120. Therefore, the spin chuck 120 is raised and the wafer W is delivered from the first transfer arm 10 to the spin chuck 120. Then, the wafer W is attracted to the spin chuck 120 and held horizontally, and the wafer W is lowered to a predetermined position.

次に回転駆動部１２１によってウェハＷを例えば回転数５００ｒｐｍで回転させると共に、塗布ノズル１３０をウェハＷの中心部上方に移動させる（ステップＳ１）。そして、図７（ａ）に示すように塗布ノズル１３０からウェハＷの中心部に塗布液Ｑを例えば２秒間吐出し、ウェハＷを例えば回転数１５００ｒｐｍに加速して１５秒間回転させる（ステップＳ２）。このウェハＷの回転により生じる遠心力によって、塗布液ＱをウェハＷのパターンＰ上に拡散させる。その後、塗布ノズル１３０をウェハＷの中心部上方から待機領域１３７に移動させる。 Next, the rotation drive unit 121 rotates the wafer W at, for example, a rotation speed of 500 rpm, and moves the coating nozzle 130 above the center of the wafer W (step S1). Then, as shown in FIG. 7A, the coating liquid Q is discharged from the coating nozzle 130 to the center of the wafer W for 2 seconds, for example, and the wafer W is accelerated to, for example, 1500 rpm and rotated for 15 seconds (step S2). . The coating liquid Q is diffused on the pattern P of the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. Thereafter, the coating nozzle 130 is moved from above the center of the wafer W to the standby area 137.

塗布液ＱがウェハＷのパターンＰ上の全面に拡散されると、スピンチャック１２０によってウェハＷを所定の位置まで上昇させる。そして照射部１１０からウェハＷのパターンＰ上に塗布された塗布液Ｑに、例えば波長２２２ｎｍ、エネルギー７ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線が例えば２秒間／ｃｍ^２照射される（ステップＳ３）。この照射された紫外線によって、塗布液Ｑ内に含まれる光重合開始剤が活性化し、活性化した光重合開始剤が拡散することで、塗布液Ｑが硬化する（ステップＳ４）。そして、図７（ｂ）に示すようにウェハＷのパターンＰ上に塗布液Ｑが硬化してできた塗布膜Ｒが形成される（ステップＳ５）。 When the coating liquid Q is diffused over the entire surface of the pattern P of the wafer W, the wafer W is raised to a predetermined position by the spin chuck 120. Then, for example, ultraviolet light having a wavelength of 222 nm and an energy of 7 mW / cm ² is applied to the coating liquid Q applied on the pattern P of the wafer W from the irradiation unit 110, for example, for 2 seconds / cm ² (step S3). The photopolymerization initiator contained in the coating liquid Q is activated by the irradiated ultraviolet light, and the activated photopolymerization initiator diffuses to cure the coating liquid Q (step S4). Then, as shown in FIG. 7B, a coating film R formed by curing the coating liquid Q is formed on the pattern P of the wafer W (step S5).

以上の実施の形態によれば、ウェハＷのパターンＰ上に塗布液Ｑが塗布されると、その塗布液Ｑに含まれる液体状の塗布膜形成成分の流動性が良いために、塗布液ＱはウェハＷのパターンＰの凹凸上を円滑に拡散することができる。したがって、図７（ｂ）に示すようにウェハＷのパターンＰ上に形成される塗布膜Ｒの表面を平坦化することができる。 According to the above embodiment, when the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W, the liquid coating film forming component contained in the coating liquid Q has good fluidity. Can smoothly diffuse on the irregularities of the pattern P of the wafer W. Therefore, as shown in FIG. 7B, the surface of the coating film R formed on the pattern P of the wafer W can be planarized.

また照射部１１０からウェハＷのパターンＰ上に塗布された塗布液Ｑに紫外線を照射することによって塗布液Ｑを硬化させて、ウェハＷのパターンＰ上に塗布膜Ｒを形成することができるので、従来のように塗布膜Ｒの形成の際に塗布液Ｑを加熱する必要がなく、加熱により昇華しやすい塗布液Ｑの昇華を従来より抑えることができる。したがって、形成される塗布膜Ｒの膜厚の減少を抑えることができる。 In addition, since the coating liquid Q is cured by irradiating the coating liquid Q applied on the pattern P of the wafer W from the irradiation unit 110 with the ultraviolet rays, the coating film R can be formed on the pattern P of the wafer W. Thus, it is not necessary to heat the coating liquid Q when forming the coating film R as in the prior art, and sublimation of the coating liquid Q, which is easily sublimated by heating, can be suppressed as compared with the prior art. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the thickness of the coating film R to be formed.

また光重合開始剤に紫外線を照射すると、光重合開始剤は極めて短時間、例えば２秒間で活性化して、塗布液Ｑが硬化するので、塗布液Ｑの昇華を抑えることができる。 When the photopolymerization initiator is irradiated with ultraviolet rays, the photopolymerization initiator is activated in a very short time, for example, 2 seconds, and the coating liquid Q is cured, so that sublimation of the coating liquid Q can be suppressed.

また制御部１４０によって、塗布ノズル１３０により塗布液Ｑの塗布が終了してから、照射部１１０により紫外線の照射が開始されるまでの時間を所定の時間以内、例えば２０秒以内に制御したので、塗布液Ｑの塗布が終了してから紫外線の照射が開始するまでに昇華する塗布液Ｑの量を許容範囲内に抑えることができ、形成される塗布膜Ｒの膜厚の減少を許容範囲内に抑えることができる。 Further, the control unit 140 controls the time from the end of the application of the coating liquid Q by the application nozzle 130 to the start of the irradiation of the ultraviolet rays by the irradiation unit 110 within a predetermined time, for example, within 20 seconds. The amount of coating liquid Q that sublimates from the end of application of coating liquid Q to the start of irradiation with ultraviolet rays can be kept within an allowable range, and the reduction in film thickness of formed coating film R is within the allowable range. Can be suppressed.

大口径のウェハ上に薄膜を形成するために、ウェハを高速回転させて塗布液をウェハ上に拡散させる場合、従来の塗布液を用いると、ウェハの端でいわゆる風きりといわれる膜厚不均一な領域が発生していた。このような風きりが発生する原因は、従来の塗布液が固体状の塗布膜形成成分と溶剤を有しており、ウェハの回転中に溶剤の揮発により塗布液が乾燥する際、ウェハの端で乱流が生じるためであった。この点、本実施の形態の塗布液Ｑは液体状の塗布膜形成成分を有しており塗布液Ｑが乾燥しにくいため、このような風きりが生じにくい。したがって、ウェハＷ上に薄膜の塗布膜Ｒを形成するためにウェハＷを高速回転させても、形成される塗布膜Ｒの膜厚を一定にすることができる。 In order to form a thin film on a large-diameter wafer, when the coating liquid is diffused on the wafer by rotating the wafer at a high speed, when the conventional coating liquid is used, the film thickness non-uniformity that is so-called air blown at the edge of the wafer Area has occurred. The cause of such wind-out is that the conventional coating liquid has a solid coating film forming component and a solvent, and when the coating liquid dries due to volatilization of the solvent during rotation of the wafer, the edge of the wafer This was because turbulent flow occurred. In this respect, since the coating liquid Q of the present embodiment has a liquid coating film forming component and the coating liquid Q is difficult to dry, such wind-off is unlikely to occur. Therefore, even if the wafer W is rotated at a high speed in order to form the thin coating film R on the wafer W, the film thickness of the coating film R to be formed can be made constant.

以上の実施の形態で記載した塗布ノズル１３０に代えて、図８に示すようにＸ方向に延びるスリット状の吐出口１６０ａを有する塗布ノズル１６０を用いてもよい。塗布ノズル１６０は、図９及び図１０に示すように例えばウェハＷのＸ方向の幅よりも長く形成されている。塗布ノズル１６０はガイドレール１３６に沿って、カップ体１２２の一端側（図１０では左側）の外側に設けられた待機領域１６１から他端側に向かって移動できる。待機領域１６１は、塗布ノズル１６０を収納できるように構成されている。 Instead of the coating nozzle 130 described in the above embodiment, a coating nozzle 160 having a slit-like discharge port 160a extending in the X direction as shown in FIG. 8 may be used. The coating nozzle 160 is formed longer than the width of the wafer W in the X direction, for example, as shown in FIGS. The application nozzle 160 can move along the guide rail 136 from a standby region 161 provided outside one end side (left side in FIG. 10) of the cup body 122 toward the other end side. The standby area 161 is configured to accommodate the application nozzle 160.

またこの場合、処理容器１５０の上部に設けられた照射部１１０に代えて、図１０に示すように塗布ノズル１６０と平行にＸ方向に延びる照射部１７０を用いてもよい。照射部１７０は、アーム１７１を介して移動機構１７２に接続されている。アーム１７１は移動機構１７１により、ガイドレール１３６に沿って、カップ体１２２の一端側（図１０では右側）の外側に設けられた待機領域１７３から他端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できる。待機領域１７３は、照射部１７０を収納できるように構成されている。 In this case, instead of the irradiation unit 110 provided on the upper portion of the processing container 150, an irradiation unit 170 extending in the X direction in parallel with the application nozzle 160 may be used as shown in FIG. The irradiation unit 170 is connected to the moving mechanism 172 via the arm 171. The arm 171 can be moved by the moving mechanism 171 along the guide rail 136 from the standby area 173 provided on the outer side of one end side (right side in FIG. 10) of the cup body 122 toward the other end side and in the vertical direction. I can move. The standby area 173 is configured to accommodate the irradiation unit 170.

かかる場合、制御部１４０によって、塗布ノズル１６０と照射部１７０の移動速度を調整することにより、ウェハＷの面方向の全位置において、塗布ノズル１６０により塗布液Ｑが塗布されてから、照射部１７０により紫外線が照射されるまでの時間を一定となるように制御することができる。これによって、塗布液Ｑが塗布されたウェハＷの面方向の全位置において、当該塗布された塗布液Ｑが昇華する量を一定にできるので、形成される塗布膜Ｒの膜厚を一定にすることができる。 In such a case, the controller 140 adjusts the moving speed of the coating nozzle 160 and the irradiation unit 170 to apply the coating liquid Q by the coating nozzle 160 at all positions in the surface direction of the wafer W, and then the irradiation unit 170. Thus, it is possible to control the time until irradiation with ultraviolet rays to be constant. As a result, the amount of the applied coating liquid Q to be sublimated can be made constant at all positions in the surface direction of the wafer W coated with the coating liquid Q, so that the film thickness of the formed coating film R is made constant. be able to.

以上の実施の形態に記載した塗布ノズル１６０と照射部１７０は独立して設けられていたが、図１１に示すように照射部１７０を塗布ノズル１６０に併設してもよい。図１１の例によれば、ウェハＷの領域上に塗布液Ｑを塗布した直後の当該領域上の塗布液Ｑに対して、紫外線の照射を行うことができる。照射部１７０は、図１２に示すように塗布ノズル１６０の一の側面１６０ａと照射部１７０の一の側面１７０ａとが接続されている。これによって、ウェハＷのパターンＰ上に塗布された塗布液Ｑは、ウェハＷに塗布された直後に紫外線に照射されて硬化するので、塗布液Ｑの塗布から紫外線の照射までの時間を微小にすることができ、塗布液Ｑの昇華を抑えることができる。 Although the coating nozzle 160 and the irradiation unit 170 described in the above embodiment are provided independently, the irradiation unit 170 may be provided in the coating nozzle 160 as shown in FIG. According to the example of FIG. 11, the coating liquid Q on the area immediately after the coating liquid Q is applied onto the area of the wafer W can be irradiated with ultraviolet rays. As shown in FIG. 12, the irradiation unit 170 is connected to one side surface 160 a of the application nozzle 160 and one side surface 170 a of the irradiation unit 170. As a result, the coating liquid Q applied onto the pattern P of the wafer W is cured by being irradiated with ultraviolet rays immediately after being applied to the wafer W, so that the time from application of the coating liquid Q to irradiation of the ultraviolet rays is minimized. The sublimation of the coating liquid Q can be suppressed.

以上の実施の形態の塗布処理装置２４内に、図１３に示すように気体供給部１８０をさらに備えることにより、スピンチャック１２０上のウェハＷの周辺の雰囲気を冷却してもよい。気体供給部１８０は、処理容器１５０内の上部に設けられている。気体供給部１８０の下面には複数の孔（図示せず）が形成されており、これらの複数の孔から下方に向かって気体が供給される。気体供給部１８０は、気体供給管１８１を介して気体を供給する気体供給源１８２に接続されている。また供給配管１８１には、供給される気体の温度及び湿度を調整する温湿度調整装置１８３が設けられている。 The atmosphere around the wafer W on the spin chuck 120 may be cooled by further providing a gas supply unit 180 in the coating processing apparatus 24 of the above embodiment as shown in FIG. The gas supply unit 180 is provided in the upper part in the processing container 150. A plurality of holes (not shown) are formed in the lower surface of the gas supply unit 180, and gas is supplied downward from the plurality of holes. The gas supply unit 180 is connected to a gas supply source 182 that supplies gas via a gas supply pipe 181. The supply pipe 181 is provided with a temperature / humidity adjusting device 183 that adjusts the temperature and humidity of the supplied gas.

かかる場合、少なくともウェハＷのパターンＰ上に塗布液Ｑを塗布している間、あるいは当該塗布された塗布液Ｑに紫外線を照射している間において、温湿度調整装置１８３によって気体供給源１８２から供給される気体を冷却し、気体供給部１８０から下方の処理容器１５０内部に向かって冷却された気体を供給することができる。その結果、処理容器１５０内が常温より低い温度、例えば１５℃まで冷却される。これによって、ウェハＷのパターンＰ上に塗布された塗布液Ｑが冷却され、塗布液Ｑの昇華をさらに抑えることができる。 In such a case, at least during application of the coating liquid Q onto the pattern P of the wafer W or during irradiation of the applied coating liquid Q with ultraviolet rays, the temperature / humidity adjusting device 183 causes the gas supply source 182 to The supplied gas is cooled, and the cooled gas can be supplied from the gas supply unit 180 toward the inside of the lower processing container 150. As a result, the inside of the processing container 150 is cooled to a temperature lower than room temperature, for example, 15 ° C. Thereby, the coating liquid Q applied on the pattern P of the wafer W is cooled, and sublimation of the coating liquid Q can be further suppressed.

またこの図１３に示す塗布処理装置２４を用いて、ウェハＷのパターンＰ上に塗布液Ｑを塗布した後であって、かつ当該塗布された塗布液Ｑに紫外線を照射する前に、ウェハＷの周辺の雰囲気を所定の時間加熱してもよい。 Further, after applying the coating liquid Q onto the pattern P of the wafer W using the coating processing apparatus 24 shown in FIG. 13 and before irradiating the applied coating liquid Q with ultraviolet rays, the wafer W The ambient atmosphere may be heated for a predetermined time.

かかる場合、先ず塗布ノズル１３０によってウェハＷのパターンＰ上に塗布液Ｑを塗布する（図１４（ａ））。その後、塗布された塗布液Ｑの厚みを図３に示した膜厚検査装置９５で測定し、この測定結果が制御部１４０に伝達される。制御部１４０では、この測定結果に基づいて、塗布された塗布液Ｑの厚みが所定の厚みより厚い場合には、塗布液Ｑが所定の厚みになるように塗布液Ｑの一部を昇華させるため、ウェハＷの周辺の雰囲気を所定の時間加熱させるように制御する。具体的には、大きい厚みの変化は加熱する温度で制御し、小さい厚みの変化は加熱する時間で制御するように加熱温度及び時間が算出される。そしてこの加熱温度及び時間の算出結果が制御部１４０から温湿度調整装置１８３に伝達され、温湿度調整装置１８３で気体供給源１８２から供給される気体を加熱する。加熱された気体が気体供給部１８０から処理容器１５０内に供給されて、ウェハＷの周辺の雰囲気が所定の時間加熱される。そして、ウェハＷのパターンＰ上の塗布液Ｑの一部を昇華させて、塗布液Ｑの厚みを所定の厚みにする（図１４（ｂ））。その後、ウェハＷのパターンＰ上に残存している塗布液Ｑが所定の厚みになったところで、残存する塗布液Ｑに対して照射部１１０から紫外線を照射して、当該塗布液Ｑを硬化させる（図１４（ｃ））。これによって、ウェハＷのパターンＰ上に所定の膜厚の塗布膜Ｒを形成することができる。 In such a case, first, the coating liquid Q is applied onto the pattern P of the wafer W by the coating nozzle 130 (FIG. 14A). Thereafter, the thickness of the applied coating solution Q is measured by the film thickness inspection device 95 shown in FIG. 3, and the measurement result is transmitted to the control unit 140. Based on the measurement result, the control unit 140 sublimates a part of the coating liquid Q so that the coating liquid Q has a predetermined thickness when the applied coating liquid Q is thicker than the predetermined thickness. Therefore, the atmosphere around the wafer W is controlled to be heated for a predetermined time. Specifically, the heating temperature and time are calculated so that the large thickness change is controlled by the heating temperature, and the small thickness change is controlled by the heating time. Then, the calculation result of the heating temperature and time is transmitted from the control unit 140 to the temperature / humidity adjusting device 183, and the gas supplied from the gas supply source 182 is heated by the temperature / humidity adjusting device 183. The heated gas is supplied from the gas supply unit 180 into the processing container 150, and the atmosphere around the wafer W is heated for a predetermined time. Then, a part of the coating solution Q on the pattern P of the wafer W is sublimated to make the coating solution Q have a predetermined thickness (FIG. 14B). Thereafter, when the coating solution Q remaining on the pattern P of the wafer W reaches a predetermined thickness, the coating solution Q is cured by irradiating the remaining coating solution Q with ultraviolet rays from the irradiation unit 110. (FIG. 14 (c)). Thereby, the coating film R having a predetermined film thickness can be formed on the pattern P of the wafer W.

また、このようにウェハＷの周辺の雰囲気を所定の時間加熱することで、ウェハＷのパターンＰの凹部分以外のパターンＰの表面に塗布された塗布液Ｑをすべて昇華させることもできる（図１５（ａ））。すなわち、パターンＰ上に形成される塗布膜Ｒの膜厚をゼロにして、パターンＰの凹部にのみ塗布液Ｑが充填され硬化することで、パターンＰの凹凸をなくしてパターンＰの上面を平坦化することができる（図１５（ｂ））。これによって、ウェハＷのパターンＰ上の塗布膜Ｒを除去するエッチバック工程を省略することができ、ウェハＷ処理のスループットを向上させることができる。 Further, by heating the atmosphere around the wafer W for a predetermined time in this way, it is also possible to sublimate all the coating liquid Q applied to the surface of the pattern P other than the concave portion of the pattern P of the wafer W (FIG. 15 (a)). That is, the thickness of the coating film R formed on the pattern P is made zero, and the coating liquid Q is filled and cured only in the concave portions of the pattern P, so that the unevenness of the pattern P is eliminated and the upper surface of the pattern P is flattened. (FIG. 15B). As a result, the etch-back process for removing the coating film R on the pattern P of the wafer W can be omitted, and the throughput of the wafer W process can be improved.

また、例えば以上の実施の形態の塗布膜Ｒ上に形成されるレジスト膜のパターンが所望のものでない場合には、ウェハＷに対してリワーク処理が行われるが、このリワーク処理で塗布膜Ｒを剥離する際に、ウェハＷの周辺の雰囲気を加熱して塗布膜Ｒを剥離してもよい。 For example, when the pattern of the resist film formed on the coating film R in the above embodiment is not a desired one, a rework process is performed on the wafer W, and the coating film R is formed by this rework process. At the time of peeling, the coating film R may be peeled off by heating the atmosphere around the wafer W.

かかる場合、先ず塗布膜Ｒ上に形成されたレジスト膜のパターンＶと反射防止膜Ｕ上に例えばＯ_２プラズマを照射して、レジスト膜のパターンＶと反射防止膜Ｕを剥離する（図１７（ａ））。そして、ウェハＷの周辺の雰囲気を２５０℃〜３５０℃に加熱し（図１７（ｂ））、塗布膜Ｒを昇華させて剥離する（図１７（ｃ））。この塗布膜Ｒの昇華について発明者らが調べたところ、本発明における塗布膜Ｒは低分子の塗布膜形成成分を有しているため、塗布膜Ｒは２５０℃以上の温度で分解して昇華することが分かった。また、ウェハＷ処理の後続の工程（バックエンドプロセス）の許容温度を考慮すると、３５０℃以下の温度で加熱するのが好ましい。したがって、塗布膜Ｒを昇華させる際の加熱温度は、２５０℃〜３５０℃であることが好ましい。 In this case, first, the resist film pattern V and the antireflection film U formed on the coating film R are irradiated with, for example, O ₂ plasma to peel off the resist film pattern V and the antireflection film U (FIG. 17 ( a)). Then, the atmosphere around the wafer W is heated to 250 ° C. to 350 ° C. (FIG. 17B), and the coating film R is sublimated and peeled off (FIG. 17C). When the inventors investigated the sublimation of the coating film R, since the coating film R in the present invention has a low-molecular coating film forming component, the coating film R decomposes and sublimates at a temperature of 250 ° C. or higher. I found out that In consideration of the allowable temperature in the subsequent process (back-end process) of the wafer W processing, it is preferable to heat at a temperature of 350 ° C. or lower. Therefore, the heating temperature for sublimating the coating film R is preferably 250 ° C to 350 ° C.

以上の実施の形態では、塗布膜Ｒを加熱して剥離しているので、従来のようにＯ_２プラズマ等を用いる必要がなくなり、ウェハＷ上のパターンＰに対する損傷を軽減あるいは消失させることができる。またこれにより、ウェハＷのリワーク処理の際の歩留まり低下を改善することができる。 In the above embodiment, since the coating film R is peeled off by heating, it is not necessary to use O ₂ plasma or the like as in the prior art, and damage to the pattern P on the wafer W can be reduced or eliminated. . Thereby, it is possible to improve the yield reduction during the rework processing of the wafer W.

また、以上の実施の形態の塗布膜Ｒを加熱して剥離する方法は、レジスト膜のパターンＶをマスクとしてウェハＷをエッチングした後、パターンＰ上に残存する塗布膜Ｒをアッシングする際にも有効である。かかる場合、ウェハＷの周辺の雰囲気を２５０℃〜３５０℃に加熱し（図１８（ａ））、塗布膜Ｒを昇華させて剥離する（図１８（ｂ））。これによって、ウェハＷ上のパターンＰを傷つけることなく、パターンＰ上に残存する塗布膜Ｒをアッシングすることができる。 Further, the method of heating and peeling the coating film R in the above embodiment is also used when ashing the coating film R remaining on the pattern P after etching the wafer W using the resist film pattern V as a mask. It is valid. In such a case, the atmosphere around the wafer W is heated to 250 ° C. to 350 ° C. (FIG. 18A), and the coating film R is sublimated and peeled off (FIG. 18B). Thereby, the coating film R remaining on the pattern P can be ashed without damaging the pattern P on the wafer W.

なお、以上の実施の形態において、図６のステップＳ３〜Ｓ５に示したウェハＷに塗布された塗布液Ｑを硬化させる工程では、塗布液Ｑに紫外線を照射することによって、塗布液Ｑを架橋に向かわせる光重合開始剤を活性化させ、活性化した光重合開始剤を拡散させて塗布液Ｑを硬化させている。この光重合開始剤を拡散させる工程においては、塗布液Ｑを１００℃〜１３０℃の温度で加熱することで、光重合開始剤の拡散を促進させることができる。このように本実施の形態における塗布液Ｑの硬化工程では、従来のように加熱エネルギーそのもので塗布液Ｑを硬化させるのではなく、従来の加熱温度よりも低い１００℃〜１３０℃の温度で加熱して、光重合開始剤を短時間で拡散させているので、塗布液Ｑの昇華を従来より抑えることができる。したがって、塗布液Ｑを効率よく硬化させることができる。 In the above embodiment, in the step of curing the coating liquid Q applied to the wafer W shown in steps S3 to S5 in FIG. 6, the coating liquid Q is crosslinked by irradiating the coating liquid Q with ultraviolet rays. The photopolymerization initiator that is directed toward the surface is activated, and the activated photopolymerization initiator is diffused to cure the coating liquid Q. In the step of diffusing the photopolymerization initiator, the diffusion of the photopolymerization initiator can be promoted by heating the coating liquid Q at a temperature of 100 ° C. to 130 ° C. Thus, in the curing step of the coating liquid Q in the present embodiment, the coating liquid Q is not cured by the heating energy itself as in the conventional case, but is heated at a temperature of 100 ° C. to 130 ° C. lower than the conventional heating temperature. And since the photoinitiator is diffused in a short time, the sublimation of the coating liquid Q can be suppressed conventionally. Therefore, the coating liquid Q can be cured efficiently.

なお以上の実施の形態で形成された塗布膜Ｒは、ウェハＷにパターンＰを形成するためのレジスト膜であってもよい。このように形成された塗布膜Ｒをレジスト膜として用いることができ、従来のレジスト膜を形成する工程を省略することができる。 The coating film R formed in the above embodiment may be a resist film for forming the pattern P on the wafer W. The coating film R formed in this way can be used as a resist film, and the conventional step of forming a resist film can be omitted.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be made within the scope of the ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

以下、本発明の塗布膜を加熱することによって、当該塗布膜が昇華することについて説明する。本実施例においては、図６に説明した方法で、ウェハのパターン上に約１４０ｎｍの膜厚の塗布膜を形成し、その後、ウェハの周辺の雰囲気を３５０℃の温度で加熱した。 Hereinafter, heating of the coating film of the present invention to sublimate the coating film will be described. In this example, a coating film having a film thickness of about 140 nm was formed on the wafer pattern by the method described in FIG. 6, and then the atmosphere around the wafer was heated at a temperature of 350 ° C.

本実施例において、加熱後の塗布膜の膜厚の経時変化を測定した結果を図１９に示す。図１９の縦軸は塗布膜の平均膜厚を示し、横軸は加熱時間を示している。図１９を参照すると、塗布膜の膜厚は、加熱開始時には約１４０ｎｍであったが、約６０秒経過後には約１０ｎｍにまで減少している。したがって、本発明の塗布膜を所定の温度、例えば３５０℃で加熱することにより、当該塗布膜が昇華することが分かった。 FIG. 19 shows the result of measuring the change with time of the thickness of the coating film after heating in this example. In FIG. 19, the vertical axis represents the average film thickness of the coating film, and the horizontal axis represents the heating time. Referring to FIG. 19, the thickness of the coating film was about 140 nm at the start of heating, but decreased to about 10 nm after about 60 seconds. Therefore, it was found that when the coating film of the present invention was heated at a predetermined temperature, for example, 350 ° C., the coating film sublimated.

本発明は、基板に形成されたパターン上に塗布膜を形成する塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に有用である。 The present invention is useful for a coating processing method, a program, and a computer storage medium for forming a coating film on a pattern formed on a substrate.

本実施の形態にかかる塗布処理装置を搭載した、塗布現像処理システムの構成の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a configuration of a coating and developing treatment system equipped with a coating treatment apparatus according to the present embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面図である。It is a front view of the coating and developing treatment system according to the present embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面図である。It is a rear view of the coating and developing treatment system according to the present embodiment. 本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the structure of the coating processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略平面図である。It is a schematic plan view of the structure of the coating processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布膜の形成方法を示すフローである。It is a flow which shows the formation method of the coating film concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるウェハのパターン上に形成された塗布膜の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of the coating film formed on the pattern of the wafer concerning this Embodiment. スリット状の吐出口を有する塗布ノズルの斜視図である。It is a perspective view of the application nozzle which has a slit-shaped discharge port. 他の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the structure of the coating processing apparatus concerning another form. 他の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略平面図である。It is a schematic plan view of the structure of the coating processing apparatus concerning another form. 他の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略平面図である。It is a schematic plan view of the structure of the coating processing apparatus concerning another form. 照射部が塗布ノズルに併設された場合の斜視図である。It is a perspective view in case an irradiation part is attached to the application nozzle. 他の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the structure of the coating processing apparatus concerning another form. 他の形態にかかるウェハのパターン上に塗布膜が形成されるまでの塗布液の状態を模式的に示す作用説明図である。It is action explanatory drawing which shows typically the state of the coating liquid until a coating film is formed on the pattern of the wafer concerning another form. 他の形態にかかるウェハのパターン上に塗布膜が形成されるまでの塗布液の状態を模式的に示す作用説明図である。It is action explanatory drawing which shows typically the state of the coating liquid until a coating film is formed on the pattern of the wafer concerning another form. 従来のウェハのパターン上に形成された塗布膜の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of the coating film formed on the pattern of the conventional wafer. リワーク処理の際に、ウェハのパターン上の塗布膜とレジスト膜が剥離される様子を示す作用説明図である。It is an operation explanatory view showing a situation where a coating film on a wafer pattern and a resist film are peeled off during rework processing. ウェハのパターン上の塗布膜をアッシングする様子を示す作用説明図である。It is operation | movement explanatory drawing which shows a mode that the coating film on the pattern of a wafer is ashed. 実施例１において、ウェハのパターン上の塗布膜を３５０℃で加熱した際の膜厚の経時変化を示すグラフである。In Example 1, it is a graph which shows the time-dependent change of the film thickness at the time of heating the coating film on the pattern of a wafer at 350 degreeC.

Explanation of symbols

１塗布現像処理システム
２４塗布処理装置
１１０照射部
１２０スピンチャック
１３０塗布ノズル
１４０制御部
１８０気体供給部
Ｐパターン
Ｑ塗布液
Ｒ塗布膜
Ｗウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Application | coating development processing system 24 Application | coating processing apparatus 110 Irradiation part 120 Spin chuck 130 Application | coating nozzle 140 Control part 180 Gas supply part P Pattern Q Coating liquid R Coating film W Wafer

Claims

A coating treatment method for forming a coating film on a pattern formed on a substrate,
The coating solution for forming the coating film includes a liquid coating film forming component and a solvent,
The coating film forming component contains a photopolymerization initiator,
A coating step of coating the coating liquid on the pattern of the substrate;
A heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time and sublimating the coating liquid applied on the pattern of the substrate to a predetermined thickness;
An irradiation step of irradiating the coating liquid applied on the pattern of the substrate with ultraviolet rays, activating the photopolymerization initiator to form a coating film,
A coating treatment method characterized by comprising:

A coating treatment method for forming a coating film on a pattern formed on a substrate,
The coating solution for forming the coating film includes a liquid coating film forming component and a solvent,
The coating film forming component contains a photopolymerization initiator,
A coating step of coating the coating liquid on the pattern of the substrate;
An irradiation step of irradiating the coating liquid applied on the pattern of the substrate with ultraviolet rays, activating the photopolymerization initiator to form a coating film,
A heating step of heating the atmosphere around the substrate for a predetermined time and sublimating the coating film formed on the pattern of the substrate;
A coating treatment method characterized by comprising:

The coating processing method according to claim 1, wherein the time from the end of the coating process to the start of the irradiation process is controlled to be within a predetermined time.

The control is performed so that the time from when the coating liquid is applied in the coating step to when the ultraviolet rays are irradiated in the irradiation step is constant at all positions in the surface direction of the substrate. The coating process method in any one of -3.

The ultraviolet ray irradiation in the said irradiation process is performed with respect to the coating liquid on the said area | region immediately after apply | coating a coating liquid on the area | region of a board | substrate in the said application | coating process, The any one of Claims 2-4 characterized by the above-mentioned. The coating process method of description.

6. The coating treatment method according to claim 1, wherein at least the coating step or the irradiation step is performed by cooling an atmosphere around the substrate.

The coating method according to claim 1, wherein the coating film is a resist film for forming a pattern on a substrate.

A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus in order to cause the substrate processing apparatus to execute the coating processing method according to claim 1.

A readable computer storage medium storing the program according to claim 8.