KR20130113072A - Cmos 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치 - Google Patents

Cmos 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치 Download PDF

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KR20130113072A
KR20130113072A KR1020120035364A KR20120035364A KR20130113072A KR 20130113072 A KR20130113072 A KR 20130113072A KR 1020120035364 A KR1020120035364 A KR 1020120035364A KR 20120035364 A KR20120035364 A KR 20120035364A KR 20130113072 A KR20130113072 A KR 20130113072A
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서성규
백세환
이준희
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고려대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 웰(well)에 주입된 시료의 흡광 상태를 CMOS 이미지 센서를 이용하여 감지할 수 있는 흡광도 측정 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치는 RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode); 상기 RGB 발광다이오드 하부에 위치하여 시료가 주입될 수 있는 웰(well)이 형성된 웰 플레이트; 및 상기 웰 플레이트 하부에 위치하여 상기 웰에 주입된 시료의 흡광 상태를 감지하는 CMOS 이미지 센서를 포함할 수 있다.

Description

CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치{APPARATUS FOR MEASURING ABSORBANCE USING CMOS IMAGE SENSOR}
본 발명은 흡광도 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웰(well)에 주입된 시료의 흡광 상태를 CMOS 이미지 센서를 이용하여 감지할 수 있는 흡광도 측정 장치에 관한 것이다.
현대 임상의학에서 면역 분석 기술은 높은 분석민감도를 가지고 있는 기술로서 보편화되어 있는 기술이다.
HIV, H1N1 그리고 hepatitis 등을 측정 하는 방법은 면역 분석법인 항원?항체 반응을 기반으로 하여 효소를 이용한 탐지 방법(ELISA-Enzyme Linked Immunosorbent Assay)을 사용하고 있다.
ELISA는 항원?항체 반응에 근거하여 효소와 기질을 첨가하고 발색, 발광 반응을 유도하여 탐지 대상물(예를들어, 세포, 균, 단백질 등)의 농도에 따라 발색, 발광 정도를 효소면역분석기(ELISA reader)로 빛의 색이나 세기의 변화를 확인하고 정량화 하는 분석법이다. 즉, ELISA는 특이성이 좋고 민감도가 높은 항체와 중합된 신호 발생원이 되는 효소를 이용하여 특정 상태의 세포, 분자 만을 선택 반응시켜 그 흡광도를 측정하는 기술이다.
ELISA는 실험 방법이 간단하고 저비용 및 다량 분석이 가능하여 현재 가장 널리 사용되고 있는 효소면역 측정법이다.
하지만 ELISA의 결과를 측정하기 위해서는 고가, 대규모 기기인 ELISA reader를 이용하지 않고서는 불가능한 실정이다.
따라서 저가, 소형이면서도 간편하게 효소의 면역 상태를 측정할 수 있는 기술에 대한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode) 와 CMOS 이미지 센서 등의 저가이면서 소형인 광전자 소자로 이루어진 흡광도 측정 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적은 종래의 흡광도 측정장치에 비해 높은 민감도와 정밀도로 흡광도를 측정할 수 있는 측정 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시예에 의하면, RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode); 상기 RGB 발광다이오드 하부에 위치하여 시료가 주입될 수 있는 웰(well)이 형성된 웰 플레이트; 및 상기 웰 플레이트 하부에 위치하여 상기 웰에 주입된 시료의 흡광 상태를 감지하는 CMOS 이미지 센서를 포함하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치가 제공된다.
본 발명의 일실시예에 의한 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치는 RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode) 및 CMOS 이미지 센서 등의 소형 소자로 구현될 수 있기에, 소형화가 가능하다.
또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 렌즈가 없는 경우에도 CMOS 이미지 센서를 통해 시료의 흡광도를 측정할 수 있기에, 시료의 흡광도 측정 시 비용이 절감되는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 복수(약 수백만 개)의 포토다이오드(photodiode)가 구비된 CMOS 이미지 센서를 이용하여 시료의 흡광 상태를 측정하기에 민감도와 정밀도가 높다.
도 1은 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치와 ELISA reader를 통해 측정된 시료의 발색 변화의 비교 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치와 ELISA reader의 CV(Coefficient of Variation) 값을 비교한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치를 통해 발광 측정을 한 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 일실시예와 관련된 흡광도 측정 장치에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예와 관련된 흡광도 측정 장치의 사시도이고, 도 2는 흡광도 측정 장치의 정면도이다.
도시된 바와 같이, 흡광도 측정 장치(100)는 RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode)(110), 핀홀(120), 웰 플레이트(well plate)(130), 필름 마스크 커버(131), CMOS 이미지 센서(140), 거리 조절부(150), 온도 조절부(160), 지지부(170)를 포함할 수 있다. 그러나, 도시된 구성요소 모두가 필수구성요소인 것은 아니다. 도시된 구성요소보다 많은 구성요소로 상기 흡광도 측정 장치가 가 구성될 수도 있고, 그보다 적은 구성요소에 의해서도 흡광도 측정 장치가 구성될 수 있다.
RGB 발광다이오드(110)는 상기 웰 플레이트(130)에 주입된 시료에 빛을 조사할 수 있다. 상기 RGB 발광다이오드(110)는 파장이 다른 복수의 광원이 집적되어 있다. 예를 들어, RGB 발광다이오드(110)는 빨간색 빛, 녹색 빛, 및 파란색 빛 중 어느 하나의 형태로 빛을 발광할 수 있다.
핀홀(120)은 상기 RGB 발광다이오드(110)의 하단에 결합되어 분산되어 발광되는 빛을 모아 상기 웰 플레이트(130) 상에 조사할 수 있다. 즉, 핀홀(120)은 빛의 가간섭성 증대 및 균일한 빛의 조사를 위해 사용될 수 있다.
상기 핀홀(120)은 플라스틱 재질의 필름 마스크 형태로 제작될 수 있다. 플라스틱 재질의 필름마스크 핀홀은 고해상도 레이져 프린터로 OHP 필름 등에 출력한 후 RGB 발광다이오드(110) 앞에 부착할 수 있으므로, 일반 플라스틱이나 금속 재질의 핀홀 보다 제조에 소요되는 비용이 훨씬 저렴하고, 손쉽게 제작될 수 있다. 또한, RGB 발광다이오드처럼 하나의 발광다이오드에 3가지 색깔(적색, 녹색, 청색)의 개별 광원이 집적되어 있는 다중파장 광원의 경우 3개의 핀홀이 수십 마이크로미터 간격으로 위치하여야 하는데, 고해상도 레이져 프린터로 출력하는 방식을 이용하면, 컴퓨터상에서 손쉽게 다중 핀홀을 디자인할 수 있다.
웰 플레이트(well plate)(130)는 상기 RGB 발광다이오드(110) 하부에 위치하여 복수 개의 웰(well)이 형성되어 있다. 웰이라 함은 시료가 주입될 수 있는 공간을 의미한다.
예를 들어, 상기 웰 플레이트 (130)로는 96 웰 플레이트(96 well plate) 혹은 24 웰 플레이트(24 well plate)가 사용될 수 있다. 96 혹은 24 웰 플레이트란 96개 혹은 24개의 웰이 형성된 웰 플레이트를 말한다.
한편, 상기 웰 플레이트(130)는 광손실을 최소화한 이미지 획득을 위해 웰 바닥이 얇고 광간섭이 적은 블랙 웰 플레이트(black well plate)를 사용할 수 있다.
또한, 상기 웰 플레이트(130)는 RGB 발광다이오드(110)로부터 조사되는 지점의 변화 또는 상기 CMOS 이미지 센서(140)로부터 감지되는 지점의 변화를 위해 움직임이 가능하도록 제작될 수 있다. 예를 들어, 웰 플레이트(130)는 회전이 가능하도록 제작될 수 있다.
마스크 필름 커버(131)는 상기 웰 플레이트(130) 상부에 배치되어 상기 RGB 발광다이오드(110)로부터 발광되는 빛의 일정한 조사를 위해 사용될 수 있다. 특히, 마스크 필름 커버(131)는 플레이트 커버 홀 어레이(Plate-cover hole array)를 통해 빛이 웰 플레이트의 벽이 아닌 측정 시료만을 통과할 수 있도록 제작될 수 있다. 예를 들어, 웰 플레이트(well plate)(130)가 96 웰 플레이트인 경우, 상기 마스크 필름 커버(131)는 96개의 홀이 형성될 수 있다.
CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 이미지 센서(140)는 웰 플레이트(130) 하부에 위치하여 상기 웰에 주입된 시료의 흡광 상태를 감지할 수 있다. 흡광 상태라 함은 상기 웰에 주입된 시료가 빛을 흡수한 상태 또는 정도를 의미하나, 이는 웰에 주입된 시료를 통해 빛이 상기 CMOS 이미지 센서(140)로 투과된 상태 또는 정도를 의미할 수 있다. 왜냐하면, 상기 시료에 흡수된 빛이 많을수록 상기 시료를 통해 투과된 빛이 적기 때문이다.
상기 CMOS 이미지 센서(140)는 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 구조를 가진 저소비 전력형의 촬상 소자이다. 상기 CMOS 이미지 센서(140)는 렌즈가 없는 형태로 구현될 수 있다. 상기 CMOS 이미지 센서(140)는 반도체 공정을 통해 대량 생산이 가능하기에 가격이 저렴하고 처리 속도가 빠르다. 또한, CMOS 이미지 센서(140) 현미경에 비해 관찰 범위가 넓으며 분석을 정량화, 자동화 할 수 있다.
또한, CMOS 이미지 센서(140)에는 복수 개(예: 수백만 개)의 포토다이오드(photodiode)가 존재한다. 포토다이오드가 많을수록 많은 픽셀(pixel)의 이미지 검출이 가능하다. 픽셀이 많을수록 측정 데이터의 선택적 이용을 통해 시료 내에 원치 않는 입자(particle) 등으로부터 발생하는 측정오차를 최소화할 수 있다. 따라서 상기 CMOS 이미지 센서(140)는 싱글 포토다이오드(single photodiode) 기반인 ELISA Reader보다 정밀한 측정이 가능할 수 있다.
포토다이오드(photodiode)는 반도체 다이오드의 일종으로 광다이오드라고도 하며, 빛 에너지를 전기 에너지로 변환한다. 포토다이오드는 발광다이오드(LED: light emitting diode)와 유사하게 생겼으나 반대의 기능을 한다. 포토다이오드는 빛 에너지를 전기 에너지로 전환하지만, 발광다이오드는 전기 에너지를 빛 에너지로 전환한다.
거리 조절부(150)는 상기 CMOS 이미지 센서(140)와 결합되어 상기 CMOS 이미지 센서(140)와 상기 웰 플레이트(130) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 즉, 거리 조절부(150)는 상기 웰 플레이트(130)와 상기 CMOS 이미지 센서(140)와의 거리를 최대한으로 좁혀 고조도(High Contrast)의 이미지를 촬영할 수 있게 상기 CMOS 이미지 센서(140)의 위치를 미세하게 조정하는 역할을 수행할 수 있다.
온도 조절부(160)는 웰 플레이트(130)를 둘러싸서 웰 주입된 시료의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 온도 조절부(160)는 웰에 주입된 시료가 일정한 온도(예: 37. 5℃)로 유지될 수 있도록 온도를 제어할 수 있다. 상기 온도 조절부(160)는 온도 센서(미도시) 및 히팅 블록(미도시)을 포함할 수 있다.
지지부(170)는 상기 RGB 발광다이오드(110)와 결합되어 상기 RGB 발광다이오드(110)가 고정되도록 지지할 수 있으며 광원의 조사방향을 가로, 세로 방향으로 미세하게 조절할 수 있다.
한편, 상기 CMOS 이미지 센서(140) 및 RGB 발광다이오드(110)는 미세한 움직임에도 민감하기 때문에 고정될 수 있다.
예를 들어, 상기 RGB 발광다이오드(110)와 상기 지지부(170)와 결합되어 고정되게 지지될 수 있고, 상기 CMOS 이미지 센서(140)는 거리 조절부(150)와 결합되어 수평방향으로의 움직임이 고정될 수 있다.
이하에서는 항원, 항체 반응 정도를 알아보기 위해 상기 흡광도 측정 장치(100)를 통해 시료의 흡광 상태를 측정하는 실험예에 대해 설명하도록 하겠다.
먼저, 발색 측정을 위한 실험예 1에 대해 설명하도록 하겠다.
본 실험예에서 CMOS 이미지 센서(140)의 발색 측정 원리는 ELISA reader의 측정 원리와 동일하게 Beer-Lamber Law를 본 실험에 적용하여 실험을 진행 하였다.
상기 Beer-Lamber Law는 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.
Figure pat00001
Figure pat00002
는 입사하는 빛의 세기이며,
Figure pat00003
는 용액층을 투과한 빛의 세기,
Figure pat00004
는 탐지 대상물의 농도,
Figure pat00005
는 흡광 계수,
Figure pat00006
은 웰(well) 내에서 빛의 투과 길이를 의미한다. 이 원리는 빛의 흡수 현상을 이용하여 타겟의 농도를 정량화 하는 것이다. 빛이 시료 용액을 통과하면서 빛의 강도가 탐지 대상물의 농도에 따라 변하는 원리를 이용하였다.
전체적인 실험 과정은 다음과 같다. 탐지 대상물(즉, 항원)에 선택적으로 반응하는 capture antibody(1차 항체)를 1μg/mL로 희석하여 웰 플레이트(130)(본 실험에서는 96 well plate를 사용함)에 100μL씩 주입한 후 37.5℃에서 Incubation 과정을 거치고 Casein 0.5% 용액으로 Blocking을 한다. 그 후 탐지 균(항원)을 0, 103, 5 X 103, 104, 5 X 104, 105, 5 X 105, 106, 5 X 106, 107 cells/mL 농도로 희석하여 주입한 후 incubation 과정을 진행한다.
Incubation이 끝난 후 HRP(horseradish peroxidase, 겨자무과산화효소)가 중합되어 있는 detection antibody(2차 항체)를 0.1μg/mL로 희석하여 100μL를 주입하고 다시 한번 incubation을 진행한다. 위 과정을 마치고 난 후 96 well plate에 발색 시약(TMB)를 주입하면 탐지 균의 농도에 따라 용액의 발색 변화가 일어난다. 이 발색된 정도를 ELISA reader 및 본 발명의 일실시예에 의한 흡광도 측정 장치(100)로 측정한다.
본 실험예에서 탐지 균으로는 Listeria Monocytogenes 균을 사용하였으며 농도당 총 7개의 시료로 상기 실험 과정에 따라 진행하여 흡광도 측정 장치(100)로 비교 실험 하였다.
도 3은 상기 실험예에서 흡광도 측정 장치(100)와 ELISA reader를 통해 측정된 시료의 발색 변화의 비교 결과를 나타내는 도면이다.
도시된 바와 같이, 도 3(a)는 ELISA reader의 측정 결과를 나타내고, 도 3(b)는 흡광도 측정 장치(100)를 통해 측정된 결과를 나타낸다. 도시된 그래프에서는 ELISA reader의 측정 결과를 "ELISA Reader Data"로 표현하고, 흡광도 측정 장치(100)를 통해 측정된 결과를 "LED and CMOS based ELISA Detector"로 표현하였다.
두 기기의 결과를 비교 해본 결과, ELISA reader의 검출 한계(Limit of Detection)는 5 X 104 cells/mL 이였으며, 흡광도 측정 장치(100)에서의 검출 한계는 104 cells/mL로 더 낮은 검출 한계를 얻었다. 이를 통해 본 발명의 흡광도 측정 장치(100)가 더 민감한 측정을 제공할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.
검출 한계의 계산은 Control 시료 7개의 평균과 표준편차를 구한 후, 표준편차 값에 3을 곱하여 평균값에 더한 값으로 정의하였다. Control 시료란 항원의 농도가 0인 상태의 시료를 말한다.
도 4는 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치와 ELISA reader의 CV(Coefficient of Variation) 값을 비교한 그래프이다. 도시된 그래프에서는 ELISA reader의 측정 결과를 "ELISA reader"로 표현하고, 흡광도 측정 장치(100)를 통해 측정된 결과를 "LED and CMOS based Reader"로 표현하였다.
도시된 바와 같이, 동일한 Listeria 균농도로 5회 반복한 실험에서 흡광도 측정 장치(100)가 ELISA reader보다 CV(Coefficient of variation) 값이 500% 이상 감소되는 것을 확인할 수 있다.
상기 결과는 본 발명의 흡광도 측정 장치(100)가 단일 포토다이오드(Single photodiode) 기반의 디텍터를 가지는 ELISA reader와 달리 수백만 개의 포토다이오드(Photodiode)가 있어 시료 내 먼지나 원하지 않는 미세입자 운동 등에 의한 측정오차 피해를 덜 받기 때문에 ELISA reader보다 더 정밀한 측정이 가능하다는 것을 보여준다.
다음 실험예에서는 발광 측정을 위한 실험예 2에 대해 설명하도록 하겠다.
본 실험예에서의 흡광도 측정 장치(100), 발광의 측정을 위해서는 별도의 빛을 공급하지 않고, 렌즈가 제거된 상태의 CMOS 이미지 센서(140) 만을 이용하여 측정이 가능하다.
본 실험예에서의 실험 과정은 다음과 같다.
발광 측정을 위해서는 HRP와 발광 시약(Luminol 및 과산화수소)을 반응시킨 후 발광 측정을 한다. HRP농도 1fmol/L의 발광시약을 섞어서 발광을 측정하였다.
도 5는 본 발명의 일실시예와 관련된 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치(100)를 통해 발광 측정을 한 결과를 나타내는 도면이다.
도시된 바와 같이, 백그라운드(Background) 신호와 저농도의 발광시약 반응에서 유효한 신호 차이를 확인함으로써, 상기 흡광도 측정 장치(100)가 발광 측정에도 응용 가능함을 확인할 수 있다. 상기 백그라운드(Background) 신호는 control 시료에 대한 발광 측정에 대한 신호를 의미한다. 즉, 발광의 측정을 위해서는 별도의 빛의 공급이 없어도 시료의 발광 측정이 가능하므로, RGB 발광다이오드(110)가 오프 상태인 경우에도 시료의 발광 측정이 가능하다.
전술한 실험예 1에서도 확인할 수 있듯이, 본 발명의 일실시예에 의한 흡광도 측정 장치(100)는 ELISA reader의 분석 민감도를 유지하면서 측정의 정밀도는 500% 이상 향상시킬 있다.
또한, 흡광도 측정 장치(100)는 현장에서 사용할 수 있도록 RGB 발광다이오드(110)와 CMOS 이미지 센서(140)와 같은 소형, 저가의 광전자 소자만을 이용하여 ELISA 결과를 측정할 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 의한 흡광도 측정 장치(100)는 RGB 발광다이오드(110)를 온(on) 시킨 상태에서는 시료의 발색을 측정할 수 있고, RGB 발광다이오드(110)가 오프(off)된 상태에서도 시료의 발광을 측정할 수 있다. 따라서, 흡광도 측정 장치(100)는 범용성을 가진다.
상술한 흡광도 측정 방법 및 흡광도 분석 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록될 수 있다. 이때, 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 한편, 기록매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다.
컴퓨터로 판독 가능한 기록매체에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(Magnetic Media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(Optical Media), 플롭티컬 디스크(Floptical Disk)와 같은 자기-광 매체(Magneto-Optical Media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다.
한편, 이러한 기록매체는 프로그램 명령, 데이터 구조 등을 지정하는 신호를 전송하는 반송파를 포함하는 광 또는 금속선, 도파관 등의 전송 매체일 수도 있다.
또한, 프로그램 명령에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상술한 하드웨어 장치는 본 발명의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
상기와 같이 설명된 흡광도 측정 장치는 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
100: 흡광도 측정 장치
110: RGB 발광다이오드
120: 핀홀
130: 웰 플레이트
131: 필름 마스크 커버
140: CMOS 이미지 센서
150: 거리 조절부
160: 온도 조절부
170: 지지부

Claims (9)

  1. RGB 발광다이오드(LED, Light-Emitting Diode);
    상기 RGB 발광다이오드 하부에 위치하여 시료가 주입될 수 있는 웰(well)이 형성된 웰 플레이트; 및
    상기 웰 플레이트 하부에 위치하여 상기 웰에 주입된 시료의 흡광 상태를 감지하는 CMOS 이미지 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 흡광도 측정 장치는
    상기 RGB 발광다이오드의 하단부와 결합된 핀홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 흡광도 측정 장치는
    상기 웰 플레이트 상부에 배치된 필름 마스크 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 웰 플레이트는
    블랙 웰 플레이트인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 흡광도 측정 장치는
    상기 CMOS 상기 이미지 센서와 결합되어 상기 CMOS 이미지 센서와 상기 웰 플레이트 사이의 거리를 조절하는 거리 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 웰 플레이트는
    상기 RGB 발광다이오드에서 발광되는 빛이 수직으로 조사되는 지점 또는 상기 CMOS 이미지 센서로부터 감지되는 지점이 변화될 수 있도록 움직임이 가능한 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 흡광도 측정 장치는
    상기 RGB 발광다이오드가 고정되도록 지지하는 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 흡광도 측정 장치는
    상기 웰에 주입된 시료의 온도 조절을 위한 온도 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 CMOS 이미지 센서를 이용한 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서는,
    상기 주입된 시료에 발광 시약이 포함된 경우, 상기 RGB 발광다이오드가 오프 상태일 경우에도 상기 시료의 흡광 상태를 감지하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서를 이용한 흡광도 측정 장치.

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