KR20130110380A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20130110380A
KR20130110380A KR1020120032298A KR20120032298A KR20130110380A KR 20130110380 A KR20130110380 A KR 20130110380A KR 1020120032298 A KR1020120032298 A KR 1020120032298A KR 20120032298 A KR20120032298 A KR 20120032298A KR 20130110380 A KR20130110380 A KR 20130110380A
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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 구비하는 발광구조물 및 상기 발광구조물에서 적어도 상기 지지 기판과 반대되는 위치에 배치되며, 표면에 요철이 형성된 ZnO층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일 종인 발광 다이오드(LED)는 p-n 접합구조의 특성을 이용하여 전자와 정공의 재결합에 의하여 발생하는 에너지를 빛으로 발생시키는 소자를 의미한다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 외부로 방출한다.
발광 다이오드를 제조하는 하나의 방법으로, 성장 기판 위의 발광적층체에 지지기판을 부착한 후 상기 성장 기판을 제거하는 방식이 이용되고 있으며, 이 경우, 상기 성장 기판의 제거를 위하여 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정이 널리 이용되고 있다. 이러한 레이저 리프트 오프 공정의 경우, 레이저의 조사 의하여 성장 기판과 인접한 영역의 반도체층에 미세 크랙을 발생시킴으로써 발광 효율의 저하를 가져올 수 있다. 또한, 공정 효율성 측면에서도 성장 기판 전체 영역에 대하여 레이저를 조사하는데 시간의 소요가 많아 생산성도 높지 않은 문제가 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 화학적 리프트 오프 공정을 이용하여 생산성이 향상되면서 반도체층의 미세 크랙이 최소화될 수 있으며, 나아가, 광 추출 효율이 향상될 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적 중 하나는 상기와 같은 반도체 발광소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것에 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결 수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면은,
지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 구비하는 발광구조물 및 상기 발광구조물에서 적어도 상기 지지 기판과 반대되는 위치에 배치되며, 표면에 요철이 형성된 ZnO층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 형성되며, ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 댐부 및 상기 ZnO층은 경사진 측면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 적어도 상기 발광구조물의 측면을 덮도록 형성된 보호층을 더 포함하며, 상기 보호층과 상기 댐부의 측면은 서로 다른 경사 각도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 댐부는 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 ZnO층의 일부가 제거되어 노출된 상기 발광구조물과 연결되도록 형성된 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광구조물 중 적어도 상기 ZnO층과 접촉하는 영역은 상기 ZnO층보다 굴절률이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
기판 상에 ZnO층 및 상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 형성하는 단계와, 상기 ZnO층 상에 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 지지 기판을 형성하는 단계 및 화학적 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 ZnO층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 희생층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 희생층은 ZnO에 비하여 상기 식각 용액에 대한 식각 비가 높은 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 식각 용액은 H2O를 포함하며, 상기 희생층은 MgO로 이루어진 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 기판 상에 ZnO층 및 상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 형성하는 단계는, 상기 희생층을 형성하는 단계 후에 상기 희생층 상에 상기 댐부를 형성하는 단계 및 상기 댐부에 의하여 정의된 영역에 상기 ZnO층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 댐부 및 상기 ZnO층은 경사진 측면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 적어도 상기 발광구조물의 측면을 덮도록 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 보호층과 상기 댐부의 측면은 서로 다른 경사 각도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계에서 상기 ZnO층의 표면 중 적어도 일부에 요철이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계 후에 상기 ZnO층의 일부를 제거하여 상기 발광구조물의 일부를 노출하는 단계 및 상기 노출된 발광구조물과 연결되도록 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 화학적 리프트 오프 공정을 이용하여 생산성이 향상되면서 반도체층의 미세 크랙이 최소화될 수 있으며, 나아가, 광 추출 효율이 향상될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 의할 경우, 상기와 같은 반도체 발광소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 얻을 수 있다.
다만, 본 발명으로부터 얻을 수 있는 효과는 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결 수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
도 1 내지 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 개략적으로 나타내는 공정별 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로서 개별적인 실시 형태는 서로 합쳐진 형태로 제공될 수 있음은 평균적인 지식을 가진 자에게 자명하다 할 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1 내지 11을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명한다. 우선, 도 1에 도시된 것과 같이, 기판(101) 상에 희생층(102)을 형성한다. 기판(101)은 반도체 성장용 기판으로 제공되며, 사파이어, Si, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 절연성, 도전성, 반도체 물질을 이용할 수 있다. 이 경우, 가장 바람직하게 사용될 수 있는 것은 전기 절연성을 갖는 사파이어로서, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 기판(101)으로 사용하기에 적합한 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮은 Si 기판을 사용하여 양산성이 향상될 수 있다.
희생층(102)은 후술할 바와 같이, 화학적 리프트 오프 공정, 즉, 식각 용액을 이용하여 기판(101)을 발광구조물로부터 분리하는 과정에서 제거되는 영역으로 제공되며, MgO나 ZnO 등과 같은 물질을 기상 증착, 스퍼터링 등의 방식으로 기판(101) 상에 형성될 수 있다. 특히, 희생층(102)이 MgO로 이루어진 영역을 포함하여 형성될 경우, 그 위에 형성되는 ZnO층과의 식각 속도 차이로 인하여 리프트 오프 공정을 적절히 제어할 수 있으며, 나아가, 발광구조물을 이루는 반도체 물질과 기판(101)과의 격자 상수 차이를 완화하여 상기 반도체 물질의 결정성 향상을 가져올 수 있다. 다만, 본 실시 형태에서, 희생층(102)은 반드시 필요한 요소라기보다는 이용 시 더욱 유익한 효과를 제공하는 것으로서, 경우에 따라 제외될 수도 있다 할 것이다.
다음으로, 도 2에 도시된 것과 같이, 희생층(102) 상에 댐부(103)를 형성하며, 댐부(103)에 의하여 정의되는 공간에는 후속 공정에서 ZnO층이 형성될 수 있다. 댐부(103)는 후술할 바와 같이, 화학적 리프트 오프 공정 중 상기 ZnO층을 보호하는 기능을 수행할 수 있으며, 이를 위하여, ZnO와는 다른 물질, 예컨대, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 형상 측면에서, 반드시 이에 제한되는 것은 아니지만, 도 2에서 볼 수 있듯이 희생층(102) 상면의 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 링 형상을 가질 수도 있다. 한편, 댐부(103)는 증착, 스퍼터링 등의 방법으로 희생층(102) 상에 박막 형태로 형성된 후 적절한 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등의 방법을 통하여 댐 형상을 가질 수 있으며, 이 경우, 도 3에 도시된 것과 같이, 경사진 측면을 갖도록 형성될 수도 있다. 이러한 댐부(103)의 경사진 측면에 의하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 이하에서는 도 2의 형태를 기준으로 후속 공정을 설명한다.
댐부(103)의 형성 후에는 도 4에 도시된 것과 같이, 희생층(102) 상에 ZnO층(104)을 형성한다. 상술한 바와 같이, ZnO층(104)은 댐부(103)에 의하여 정의되는 영역 내에 형성될 수 있으며, 화학적 리프트 오프 공정 중에 발광구조물을 보호하는 기능 및 발광구조물을 이루는 반도체층의 결정성 개선 기능을 수행할 수 있다. 특히, 후자의 기능과 관련하여, 희생층(102)을 MgO로 형성할 경우, 즉, MgO/ZnO 구조 상에 반도체층을 성장 시 단일층으로 이루어진 ZnO 상에 반도체층을 성장하는 경우보다 결정성의 개선이 두드러질 수 있다.
발광구조물, 즉, 제1 및 제2 도전형 반도체층(105, 107)과 이들 사이에 배치된 활성층(106)을 포함하는 구조를 설명하면, 제1 및 제2 도전형 반도체층(105, 107)은 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 다만, 이와 다르게 AlInGaP, AlInGaAs 계 물질 등으로 이루어질 수도 있다. 또한, 반드시 이에 제한되는 것은 아니지만, 제1 및 제2 도전형 반도체층(105, 107)은 각각 n형 및 p형 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(105, 107) 사이에 배치된 활성층(106)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조를 가질 수 있다.
한편, 발광구조물을 구성하는 제1 및 제2 도전형 반도체층(105, 107)과 활성층(106)은 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, 'HVPE'), 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 등과 같이 당 기술 분야에서 공지된 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, ZnO층(104) 상에 바로 제1 도전형 반도체층(105)을 형성하지 아니하고, 결정성을 향상시키기 위한 다양한 구조(결정, 비정질 등)의 버퍼층을 형성할 수도 있으며, 예컨대, 언도프 GaN층 등이 이에 해당할 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 것과 같이, 제2 도전형 반도체층(107) 상에 반사금속층(108) 및 지지 기판(109)을 형성한다. 반사금속층(108)은 제2 도전형 반도체층(107)과 전기적으로 오믹 특성을 보이는 물질로서 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어질 수 있으며, 이러한 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함하여 형성할 수 있다. 반사금속층(107)은 이러한 고 반사성 금속을 증착, 스퍼터링 등의 공정으로 형성될 수 있으며, 다만, 본 실시 형태에서, 반사금속층(107)은 반드시 필요한 요소라기보다는 이용 시 더욱 유익한 효과를 제공하는 것으로서, 경우에 따라 제외될 수도 있다 할 것이다.
지지 기판(109)은 후속하는 화학적 리프트 오프 등의 공정에서 상기 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 지지 기판(109)은 도전성 물질로 이루어질 경우, 외부 전원과 연결되어 제2 도전형 반도체층(107)에 전기 신호를 인가하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 기능을 고려하여, 지지 기판(109)은 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, Si 기판에 Al이 도핑된 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 지지 기판(109)은 도금, 스퍼터링, 증착 등의 공정으로 반사금속층(108) 상에 형성할 수 있으며, 이와 달리, 미리 제조된 지지 기판(109)을 반사금속층(108)에 도전성 접합층을 매개로 하여 접합시킬 수도 있다. 상기 도전성 접합층은 AuSn 등과 같은 공융 금속을 이용하거나 도전성 에폭시 등을 이용할 수 있을 것이다.
지지 기판(109)이 부착된 후에는 도 7 및 도 8에 도시된 것과 같이, 반도체층의 성장에 사용된 기판(101)을 발광구조물로부터 분리하며, 화학적 리프트 오프 공정, 즉, 희생층(102)을 식각 용액으로 제거하여 기판(101)을 발광구조물로부터 분리한다. 이 경우, 희생층(102)의 식각 과정 중에 댐부(103)에 의하여 ZnO층(104)은 보호될 수 있으므로, 발광구조물을 이루는 반도체층이 식각 용액에 의하여 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 희생층(102)은 ZnO에 비하여 상기 식각 용액에 대한 식각 비가 높은 물질로 이루어질 수 있으며, 이러한 예로서, 상기 식각 용액은 H2O를 포함하는 물질로, 희생층(102)은 상술한 바와 같이 MgO로 이루어진 영역을 포함할 수 있다. 이에 따라, 희생층(102)이 제거되어 기판(101)이 분리되더라도 ZnO층(103)은 모두 제거되지는 아니할 수 있으며, 도 8에서 볼 수 있듯이, 상기 식각 용액에 의하여 ZnO층(103) 표면에는 요철이 형성될 수 있다. 다만, 도 8에서는 상기 요철이 규칙적으로 형성된 것으로 표현되어 있지만, 상기 요철은 불규칙적으로 형성될 수도 있을 것이다. 이렇게 잔존된 ZnO층(103)은 발광구조물을 이루는 반도체층, 예컨대, 질화물 반도체보다 굴절률이 낮기 때문에 공기 등과의 굴절률 매칭 기능을 수행하여 광 추출 효율 향상을 가져올 수 있으며, 나아가, 상기 요철에 의하여 효율 향상을 더욱 두드러질 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 것과 같이, 발광구조물의 측면에 소자의 보호 기능을 수행하는 보호층(110)을 형성하며, 보호층(110)은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(110)과 댐부(103)는 동일한 물질로 형성될 수 있을 것이다. 다만, 보호층(110)은 반드시 기판(101)의 분리 후에 형성되어야 하는 것은 아니며, 보호층(110)의 형성 후에 기판(101)을 분리할 수도 있을 것이다. 한편, 도 10에 도시된 것과 같이, 댐부(103`)의 측면은 보호층(110)의 측면과 서로 다른 경사 각도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상술한 바와 같이, 댐부(103`)는 경사진 측면을 가질 수 있으며, 이에 따라, ZnO층(104) 역시 경사진 측면을 가질 수 있다. 이와 같이 댐부(103`) 및 ZnO층(104) 사이에 경사진 계면에 의하여 외부로 추출되는 광의 비율이 증가될 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 것과 같이, 제1 도전형 반도체층(105)과 연결되는 전극(111)을 형성하며, 이에 의하여 반도체 발광소자가 얻어질 수 있다. 이 경우, 전극(111)의 형성 단계는 ZnO층(104)의 일부를 제거하여 상기 발광구조물의 일부를 노출하는 단계 및 상기 노출된 발광구조물, 본 실시 형태에서는 제1 도전형 반도체층(104)과 연결되도록 전극(111)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 전극(111)은 외부 전원과 연결되어 제1 도전형 반도체층(105)에 전기 신호를 인가하는 기능을 수행하며, 당 기술 분야에서 공지된 전기전도성 물질, 예컨대, Ag, Al, Ni, Cr 등의 물질 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링 등의 공정으로 형성될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 기판 102: 희생층
103: 댐부 104: ZnO층
105: 제1 도전형 반도체층 106: 활성층
107: 제2 도전형 반도체층 108: 반사금속층
109: 지지 기판 110: 보호층
111: 전극

Claims (17)

  1. 지지 기판;
    상기 지지 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 구비하는 발광구조물; 및
    상기 발광구조물에서 적어도 상기 지지 기판과 반대되는 위치에 배치되며, 표면에 요철이 형성된 ZnO층;
    을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 형성되며, ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 댐부 및 상기 ZnO층은 경사진 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    적어도 상기 발광구조물의 측면을 덮도록 형성된 보호층을 더 포함하며, 상기 보호층과 상기 댐부의 측면은 서로 다른 경사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 댐부는 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 ZnO층의 일부가 제거되어 노출된 상기 발광구조물과 연결되도록 형성된 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광구조물 중 적어도 상기 ZnO층과 접촉하는 영역은 상기 ZnO층보다 굴절률이 높은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 기판 상에 ZnO층 및 상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 형성하는 단계;
    상기 ZnO층 상에 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 지지 기판을 형성하는 단계; 및
    화학적 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계;
    를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 ZnO층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 희생층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 희생층은 ZnO에 비하여 상기 식각 용액에 대한 식각 비가 높은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 식각 용액은 H2O를 포함하며, 상기 희생층은 MgO로 이루어진 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    기판 상에 ZnO층 및 상기 ZnO층의 측면을 둘러싸도록 ZnO와 다른 물질로 이루어진 댐부를 형성하는 단계는,
    상기 희생층을 형성하는 단계 후에 상기 희생층 상에 상기 댐부를 형성하는 단계 및 상기 댐부에 의하여 정의된 영역에 상기 ZnO층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 댐부 및 상기 ZnO층은 경사진 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제8항에 있어서,
    적어도 상기 발광구조물의 측면을 덮도록 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 보호층과 상기 댐부의 측면은 서로 다른 경사 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계에서 상기 ZnO층의 표면 중 적어도 일부에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계 후에 상기 ZnO층의 일부를 제거하여 상기 발광구조물의 일부를 노출하는 단계 및 상기 노출된 발광구조물과 연결되도록 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
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