KR20130103341A - Euv 마스크 결함의 분석 및/또는 복구를 위한 방법 및 장치 - Google Patents

Euv 마스크 결함의 분석 및/또는 복구를 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 극자외(EUV) 파장 범위에 대한 포토리소그래픽 마스크(EUV 마스크)의 결함을 분석하기 위한 방법으로서: (a) EUV 마스크 검사 툴을 이용하여 결함과 관련된 적어도 하나의 포커스 스택을 생성하는 단계, (b) 결함의 위치에서 EUV 마스크의 표면 구성을 결정하는 단계, (c) 상이한 위상 에러를 갖는 결정된 표면 구성을 갖는 모델 구조를 제공하고, 각 포커스 스택을 생성하는 단계, (d) 결함의 적어도 하나의 생성된 포커스 스택과 모델 구조의 생성된 포커스 스택을 비교함에 의해 EUV 마스크 결함의 3차원 에러 구조를 결정하는 단계를 포함한다.

Description

EUV 마스크 결함의 분석 및/또는 복구를 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING AND / OR REPAIRING OF AN EUV MASK DEFECT}
본 발명은 EUV 마스크 결함의 분석 및/또는 복구의 분야에 관한 것이다.
집적 회로의 축소된 크기로 인하여, 포토리소그래픽 마스크는 점점 더 작은 구조를 감광층 즉, 웨이퍼 상에 배치된 포토레지스트에 투영해야만 한다. 집적 회로(ICs)를 형성하는 구성 소자의 임계 치수(CD)를 감소시키기 위해서, 포토리소그래픽 마스크의 노광 파장은 전자기 스펙트럼의 평균 자외에 걸친 근자외로부터 극자외 영역으로 시프트된다. 현재 웨이퍼 상의 포토레지스트의 노광용으로 193nm의 파장이 일반적으로 이용된다. 결과적으로, 해상도가 증가된 포토리소그래픽 마스크의 제조가 더욱 복잡해진다.
미래에는, 포토리소그래픽 마스크는 전자 스펙트럼의 극자외(EUV) 파장 범위내에서 더욱 작은 파장을 이용할 것이다. 용어 EUV 마스크는 아래에서 EUV 파장 범위(바람직하게는 10nm 내지 15nm)에 대한 포토리소그래픽 마스크를 나타낸다.
EUV 파장 범위에 대한 광학 소자는 바람직하게는 반사 광학 소자일 것이다. EUV 광학 소자의 제조를 위해, 초저 열확장(ULE)을 갖는 기판 상에 다층 구조 또는 다층막이 증착된다. 용융 실리카는 EUV 광학 소자에 이용되는 기판의 예이다. 다층 시스템은 일반적으로 몰리브데늄(Mo) 및 실리콘(Si)의 80 내지 120 교번층을 포함한다. 한 쌍의 Mo-Si 층 또는 Mo-Si 이중층은 대략 7nm의 깊이를 갖는다. Mo-Si 층의 경계에서, 입사 EUV 방사의 일부가 반사되어, Mo-Si 다중층 층 시스템은 이상적으로는 입사 EUV 방사를 70% 보다 많이 반사한다.
다층 구조에 추가하여, EUV 마스크는 다층의 상부에 패턴 또는 흡수 패턴 구조를 포함한다. 예를 들면, EUV 방사 흡수 패턴이 질화 티타늄, 질하 탄탈륨 또는 크롬으로 형성될 수 있다. EUV 마스크의 EUV 방사 흡수 부분 및 EUV 방사 반사 부분의 상호 작용은 EUV 방사를 이용한 조명의 경우에 반도체 웨이퍼 상에 배치되는 포토레지스트내에 존재할 패턴을 생성한다.
EUV 광학 소자의 제조, 특히 EUV 마스크에 대해 고도의 정밀성이 필요하다. 1nm 단위의 에러는 웨이퍼 상의 패턴 구조의 이미지에 이미 에러를 초래할 수 있다. 마스크에 의해 생성된 웨이퍼의 패턴에 대해 명백한 마스크 에러 또는 결함은 프린팅 에러로 칭한다. EUV 마스크의 다양한 위치에서 상이한 유형의 결함이 발생할 수 있어서, 다양한 효과를 유도한다.
조명 파장에서 동작하는 EUV 검사 및 리뷰 시스템이 공지되어 있다. US 6 954 266 또는 US 5 803 12 는 검사 및 리뷰 시스템 또는 마스크 복구 시스템과 결합하여 동작하는 툴을 개시한다. EUV 리뷰 시스템은 또한 EUV 마스크 검사 마이크로스코프(EUVM)로 표지된다.
EUV 마스크에 대한 다른 조사 방법이 공지된다. US 2009 / 0 286 166 는 EUV 마스크 상의 오목형 결함의 위치 추정을 위한 원자 현미경의 이용을 개시한다. US 6 844 272 는 간섭계를 이용함에 의한 EUV 마스크의 표면의 높이의 결정에 대해 개시한다.
흡수 패턴 구조의 결함은 흡수 재료가 불투명이어야 하는 위치에서 손실되거나 또는 흡수 재료가 투명이어야 하는 위치에 존재하는 경우에 발생할 수 있다. 또한, EUV 광학 소자의 표면에 오염 입자가 부착될 수 있다. 또한, 이러한 유형의 에러는 진폭 에러에서 주로 발생한다. 이는 예를 들면 SEM(scanning electron microscope)를 이용하는 EUV 광학 소자의 표면 분석에 의해 인식될 수 있다. 예를 들면 칼 자이스 SMS의 MeRiT®와 같은 공지의 마스크 복구 시스템을 이용하여, 과잉 재료는 제거될 수 있다. 적절한 에칭 기체와 결합한 전자 빔이 이 과제에 이용될 수 있다. 예를 들면, 각 전구체 기체와 함께 전자 빔의 도움으로 크롬을 국부적으로 증착함에 의해 분실된 흡수 재료가 추가될 수 있다.
EUV 광학 소자는 그 표면을 방해 입자 또는 물질로부터 깨끗하게 하기 위하여 세정되거나 폴리시될 수 있다.
반면에, 소위 매립형 결함이 EUV 광학 소자 즉, EUV 미러 및/또는 EUV 마스크에서 발생할 수 있다. 이하에서, “매립형 결함”이라는 용어는 EUV 광학 소자에서 기판 상에 및/또는 다층 구조내부에 위치한 결함 또는 에러를 의미한다. 매립형 결함은 진폭 및 위상 에러 모두를 유발하는데, 즉 매립형 결함은 진폭 및 위상 에러 부분을 포함한다. 매립형 결함은 토폴로지 에러(topological error)로도 칭한다.
US 6 016 357는 심자외선으로 조명된 위상 천이 마스크(PSM)에서의 포커스 스택의 측정에 의한 흡수 패턴 구조의 에러를 보정하는 방법을 개시한다. 또한, 이 문헌은 과잉 흡수 재료를 제거하고 손실된 흡수 재료를 증착하기 위한 복구 방법을 개시한다. 이 복구 방법은 보상형 복구로 표지된다.
US 6 235 434는 EUV 마스크의 진폭 및 위상 에러의 복구를 개시한다. 에러의 유형과 무관하게, 복구는 보상 즉, 흡수 패턴 구조로부터 과잉 재료를 제거하거나 흡수 재료를 흡수 패턴 구조에 증착함에 의해 흡수 패턴을 교정함에 의해 수행된다. 또한, US 2005 / 1 573 384 는 재료의 제거를 개시하고, US 6 849 859 는 추가층을 증착하고 추가층의 두께를 조정함에 의해 층의 두께를 조정하는 것을 개시한다.
과잉 흡수 재료가 이온 빔에 의해 제거되는 경우, 이온은 다중층 막과 흡수 패턴 구조 사이에 배치된 버퍼층내에 주입된다. 주입된 이온은 교정된 EUV 마스크 부분의 반사성을 가변시킬 수 있다. JP 2008 085 223 A는 각각이 흡수 패턴 구조를 교정함에 의해 주입된 이온에 의해 유도되는 반사성 변화를 교정하는 방법을 개시한다.
Y. Kamaji 등에 의한 논문 "Study of critical dimensions of printable phase defects using an extreme ultraviolet microscope" Jpn. J. of Appl. Phys. 48 (2009), pp. 06FA07-1 - 06FA07-4는 왜 피트(pit)가 범프보다 더 자주 EUV 마스크의 다중층 막에 결함을 초래하는지를 설명한다. 더욱이, 이 논문은 프로그램된 페이즈 결함의 제조와 EUV 마이크로스코프(EUVM)의 해상도 제한을 결정하기 위한 그 분석에 대해 보고한다.
C.H. Clifford의 "Simulation and compensation methods for EUV lithography masks with buried defects", Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Techn. Report No. UCB/EECS-2010-62는 결함의 공간 이미지(aerial image)를 기초로 시뮬레이션 구성의 생성을 가능하게 하는 시뮬레이션 방법을 설명한다. 이 문헌은 EUV 마스크의 흡수 패턴을 조정함에 의한 결함 보상을 위한 2 방법에 대해 보고한다.
D. van den Heuvel 등에 의한 논문 "Natural EUV mask blank defects: evidence, timely detection, analysis and outlook", SPIE/BACUS Conf. Proc. 2010는 SEM(scanning electron microscope)에서 인식될 수 없는 EUV 결함의 위치 확인 및 측정을 위하여 공간 이미지, 마크 및 AFM 측정 데이터를 결합하는 방법을 설명한다. 더욱이, 이 논문은 3nm로 얕은 피트와 표면에서 3nm 높은 범프 모두가 다중층에 매립된 임계 인쇄 결함을 초래할 수 있음을 설명한다.
상술한 문헌들은 매립형 결함 즉, 기판 상의 및/또는 EUV 마스크의 다중층막의 진폭 에러와 위상 에러 사이를 명백하게 구별할 수 없다. "보상형 복구"로 칭하는 복구 방법은 매립형 결함의 진폭 에러 부분을 설명하나, 그들의 위상 에러 부분은 무시한다. 도 1은 매립형 다중층 결함의 감소된 반사성을 보상하기 위하여 결함에 인접한 흡수 패턴 소자의 부분을 제거함에 의한 다중층 결함의 보상형 복구를 개략적으로 도시한다.
보상형 복구는 이러한 방법으로 보상된 EUV 마스크가 이상적 포커스 특성에서 현저히 벗어나는 포커스 의존성을 가지므로, 웨이퍼 조명에서의 프로세스 윈도우의 축소를 초래하는 단점을 갖는다. 더욱이, 흡수 패턴 구조를 갖지 않은 EUV 미러내의 결함을 교정하기 위한 보상형 복구 방법이 적용될 수 없다.
그러므로, 본 발명의 일 목적은 종래 기술의 상술한 단점을 적어도 부분적으로 극복하는 EUV 마스크의 결함에 대한 분석 및/또는 복구를 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 청구항 1에 따른 방법이 제공된다. 실시예에서, 극자외(EUV) 파장 범위에 대한 포토리소그래픽 마스크(EUV 마스크)의 결함을 분석하는 방법으로서, (a) EUV 마스크 검사 툴을 이용하여 결함과 관련된 적어도 하나의 포커스 스택을 생성하는 단계, (b) 결함의 위치에서 EUV 마스크의 표면 구성을 결정하는 단계, (c) 상이한 위상 에러를 갖는 상기 결정된 표면 구성을 가지는 모델 구조를 제공하여 각 포커스 스택을 생성하는 단계; 및 (d) 상기 결함의 적어도 하나의 생성된 포커스 스택과 상기 모델 구조의 생성된 포커스 스택을 비교함에 의해 EUV 마스크 결함의 3차원 에러 구조를 결정하는 단계를 포함한다.
상술한 방법은 진폭 에러 및 위상 에러가 상이한 포커스 특성으로 나타나게 된다는 것을 활용한다. 그러므로, 측정된 포커스 스택은 진폭 에러와 위상 에러 사이의 분별을 가능하게 한다. 진폭 에러는 기본적으로 표면 결함에 대응하고, 위상 에러는 기본적으로 매입형 결함에 대응한다. 진폭 에러는 당해 분야에 공지된 방법을 이용하여 교정된다.
위상 에러로 보여주는 식별된 매립형 결함의 표면 구성이 분석된다. 측정된 표면 구성으로부터, 모델 구성이 계산되고, 이로부터 결함의 3차원(3D) 에러 구조가 결정된다.
그러므로, 전술한 방법은 EUV 마스크의 결함을 신뢰성 있게 검출하고 구별하며, 식별된 매립형 결함의 개별 3D 에러 구조를 결정하는 공정을 한정한다. 매립형 결함의 3D 에러 구조가 분석된 매립형 결함에 대해 개별적으로 디자인된 복구 또는 보상 정책을 개발하는데 이용될 수 있다.
EUV 마스크는 바람직하게는 반사성 광학 소자이다. 그러나, 본 항목의 제1 문단에서 한정된 방법을 적용하는 것 또한 가능하다. 더욱이, 전술한 방법은 EUV 마스크의 결함 분석에 국한되지 않는다. 사실, 포토리소그래픽 마스크 또는 보다 일반적으로 짧은 파장 범위에 대한 것 외에도 긴 파장 범위에 대해 설계된 광학 소자의 결함을 분석하는데 또한 적용될 수 있다.
다른 측면에서, 표면 구성을 결정하는 단계는 원자력 현미경으로, 및/또는 스캐닝 터넬링 현미경으로, 및/또는 촉침식 박막 두께 측정기(stylus profilometer) 및/ 또는 간섭계로 결함을 스캔하는 단계를 포함한다.
위상 에러가 마스크 검사 툴을 이용하여 측정된 포커스 스택에 의해 식별되고 위치 결정된 이후에, 매립형 결함 위의 EUV 마스크의 표면은 표면 구성을 결정하기 위하여 위상 에러가 상세히 스캔되도록 한다. 표면 구성은 EUV 광학 소자의 결함 위치에서의 표면 토폴로지에 대응한다. 측정 데이터 모두의 예시적 조합은 분석된 결함에 대한 3D 에러 구조의 결정을 허용한다.
다른 측면은 3차원 에러 구조에 상이한 복구 방법을 적용하고, 최적 복구 방법을 결정하기 위하여 관련 포커스 스택을 시뮬레이팅하는 단계를 포함한다.
3D 에러 구조를 결정한 이후에, 최종 포커스 스택에 대한 다양한 복구 방법의 효과가 각 복구 방법의 적용 이전에 시뮬레이션에 의해 평가될 수 있다. 복구 방법은 결함의 교정 이전에 분석된 결함에 최적으로 적응되는 시뮬레이션에 의해 식별된다. 특히, 상술한 복구 방법은 EUV 마스크의 다중층 막 상에 배치된 패턴 구조의 개조에 국한되지 않는다. 차라리, 한정된 복구 방법은 EUV 마스크 만이 아니라 EUV 미러의 분석된 결함을 교정하기 위하여 EUV 마스크의 기판 및/또는 다중층 막의 개조를 명백하게 포함한다. 그러므로, 한정된 방법은 보상형 복구에 의해 그들의 진폭 에러 부분을 보상하는 대신에 매립형 결함을 교정한다.
다른 측면에서, 최적 복구 방법은 상이한 복구 방법들 중 하나를 웨이퍼의 조명에서 EUV 광학 소자를 위한 프로세스 윈도우를 최대화하는 포커스 스택을 생성하는 최적 복구 방법으로서 선택하는 단계를 포함한다.
포커스 스택의 공간 이미지가 상이한 복구 방법의 최대 디포커스 범위에 대한 선정의 임계 치수(CD) 변이를 이행하는 복구 방법에 대해 프로세스 윈도우가 최대화된다. 이러한 최적화 기준의 적용은 교정된 EUV 광학 소자의 조명에서의 프로세스 윈도우를 최대화하거나 또는 이는 리소그래픽 시스템에서 EUV 광학 소자의 적용을 위한 최대 관심사인 포커스 심도(DOF)를 최대화한다.
다른 측면은 결함 위치에 대한 최적 복구 방법을 적용하는 단계를 포함한다.
결함 위치의 특정 처리는 웨이퍼 상에 배치된 포토레지스트에서의 EUV 패턴의 이미지 상의 결함의 영향을 최소화하여, EUV 광학 소자는 다시 각 에러 처리 이후에 제조 공정에서 활용될 수 있다.
또 다른 측면에서, 모델 구조는 EUV 마스크의 표면 상의 흡수 패턴 구조를 포함한다.
흡수 패턴 구조가 EUV 마스크의 표면상의 결함 위치의 식별을 위해 이용될 수 있으므로, 흡수 패턴 구조의 존재는 결함 위치에 대한 모델 구조의 결정을 용이하게 한다. 또한, 패턴 소자의 개조는 에러 교정 공정의 일부일 수 있다. 반면에, 매립형 결함의 모델 구조가 패턴 구조를 포함하는 것은 의무적이지 않다. 차리리, 상술한 방법은 흡수 패턴을 가지지 않는 EUV 미러에 적용될 수 있다.
다른 측면은 EUV 마스크 디자인 데이터로부터 및/또는 적어도 하나의 이미지의 기록으로부터 상기 흡수 패턴 구조를 제공하는 단계를 포함한다.
패턴 데이터가 유효한 경우, 다양한 복구 방법이 효과의 시뮬레이션 공정을 위한 입력으로서 이용된다. 반면에, 이 정보가 유효하지 않은 경우, 패턴 구조의 이미지의 기록으로부터 대안적으로 얻어질 수 있다. 스캐닝 전자 현미경(SEM)이 패턴의 이미지를 기록하기 위해 이용될 수 있다. EUV 마스크의 패턴 데이터를 결정하기 위하여 두 방법의 조합을 이용하는 것 또한 가능하다.
다른 측면은 3차원 에러 구조를 교정하는 복구 방법을 이용하여 최종 다중층 구조가 이상적인 다중층 구조로 적어도 대략적으로 교정되는 단계를 포함한다.
매립된 결함 즉, 다중층 및/또는 기판 결함을 보상하려고 시도하는 경우의 패턴 소자를 개조하는 보상형 복구(compensational repair)에 대조적으로, 상술한 방법은 매립된 에러를 교정하기 위하여 기판 및/또는 다중층을 개조한다. 그러므로, 한정된 방법은 분석된 매립형 결함을 매립형 결함에 진폭 에러 부분만을 처리하는 보상형 복구에 의한 것보다 훨씬 더 많은 양만큼 교정하도록 한다. 결과적으로, 상술한 방법은 리소그래픽 시스템에서의 이용에서 EUV 광학 소자의 프로세스 윈도우를 최대화한다.
다른 측면은 EUV 마스크의 결함 위치에 대해 직접 복구 방법을 적용하는 단계를 포함한다.
이미 설명된 것처럼, 설명된 방법은 매립형 결함의 3D 에러 구조를 분석하고, 매립형 결함에 인접한 패턴 소자를 국부적으로 개조함에 의해 결함을 부분적으로만 보상하는 대신에 기판 및/또는 다중층 막에 따라 동작함에 의해 결함을 교정한다.
다른 측면에 따르면, 복구 방법은 상기 다중층 구조를 적어도 부분적으로 제거하는 특히, 상기 다중층 구조에 적어도 하나의 구멍을 드릴링하는 단계를 포함한다.
매립형 결함을 포함하는 다중층 구조의 부분을 제거함에 의해, 결함이 또한 제거된다. 다음으로, 무-결함 다중층 막이 새로이 증착될 수 있다. 이러한 공정이 일정 노력을 필요로 하지만, 결함을 보상하지 않고, 대신에 복구 공정에 의해 제거된다.
다른 측면에서, 복구 방법은 펨토초 레이저 펄스를 EUV 마스크에 국부적으로 포커싱함에 의해 상기 EUV 마스크의 다중층 구조 및/또는 기판 또는 일반적으로는 EUV 광학 소자를 국부적으로 압축 및/또는 확장하는 단계를 포함한다.
한정된 복구 방법은 EUV 광학 소자의 기판 및/또는 다중층 막에 따라 동작함에 의해 매립형 결함을 직접적으로 교정하는 복구의 예이다. 이와 관련하여, 다중층에 대한 결함의 복구의 충격을 최소화할 수 있으므로, 기판의 변형이 바람직하다.
다른 측면에서, 펨토초 레이저 펄스는 EUV 마스크의 기판을 통해 입사된다.
펨토초 레이저 펄스가 결함 위치에 기판을 통해 향하는 경우, 다중층 또는 적어도 다중층의 최상위 Mo-Si 층은 매립형 결함의 교정에 의해 영향을 받지 않거나 또는 적어도 현저하게 영향을 받지 않는다.
다른 측면에 따르면, 극자외 파장 범위내의 포토리소그래픽 마스크를 위한 검사 현미경은 상술한 것 중 어느 하나의 방법을 수행한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 청구항 11에 따른 방법이 제공된다. 실시예에서, 극자외(EUV) 광학 소자내의 매립형 결함을 복구하기 위한 방법으로서, 이온 빔을 상기 매립형 결함으로 향하도록 하여, 상기 EUV 광학 소자의 국부 용적 변화에 적합한 EUV 광학 소자내에 이온 도즈가 주입되도록 하는 단계를 포함한다.
EUV 광학 소자는 기판 및 다중층 구조를 갖는 EUV 미러 및/또는 기판, 다중층 구조 및 흡수 패턴 구조를 갖는 EUV 마스크를 포함한다.
본 발명의 방법은 보상형 복구를 적용함에 의해 이들 결함의 진폭 에러 부분을 보상만하는 대신에 기판 및/또는 다중층을 직접 개조함에 의해 EUV 광학 소자의 매립형 결함을 교정한다. 그러므로, 본 발명의 방법은 EUV 마스크에만 적용되는 것이 아니라, EUV 미러의 매립형 결함을 교정하는데 이용될 수 있다.
EUV 광학 소자는 아마도 반사성 광학 소자일 수 있다. 그러나, 본 발명의 방법은 반사성 광학 소자에 국한되지 않고, 투과성 광학 소자에도 적용될 수 있다. 더욱이, 한정된 방법은 EUV 광학 소자의 매립형 에러의 교정에만 국한되지 않는다. 대신에, 짧은 파장 외에도 긴 파장을 위해 설계된 광학 소자의 매립형 결함을 보상하는데 적용될 수 있다.
다른 측면에서, 이온 빔은 불활성 가스 이온, 바람직하게는 영족 가스 이온(noble gas ions), 가장 바람직하게는 헬륨 이온을 포함한다.
불활성 가스 이온은 이들이 주입된 재료와 반응하지 않는다는 장점을 갖는다. 이는, 기판 및/또는 다중층 막의 기계적 및/또는 광학적 특성이 이온 주입의 결과로서 현저하게 개조되지 않는다는 것을 의미한다. 또한, 불할성 가스 이온의 영족 가스 특성은 리소그래픽 시스템의 EUV 포톤이 시간이 경과하면 그 광학적 특성을 변환할 수 있는 EUV 광학 소자의 동작 동안 주변 재료와 주입된 불활성 가스의 반응을 유도하는 것을 방지한다.
다른 측면은 EUV 광학 소자의 표면 아래의 매립형 결함의 깊이에 대해 이온 빔 에너지를 적응하는 단계를 포함한다. 또 다른 측면에서, 이온 빔 에너지는 1keV 내지 200keV, 바람직하게는 5keV 내지 100keV, 가장 바람직하게는 10keV 내지 50keV의 범위를 포함한다.
이온은 특정 공간 분포로 EUV 광학 소자내에 주입된다. 분포의 최대 외에도 공간 분포는 EUV 광학 소자 상에 이온이 충돌하는 에너지에 의존한다. 주입된 이온 빔 방향의 분포는 이하 깊이 분포라 칭한다. EUV 광학 소자의 이온 충돌의 에너지는 주입된 이온의 깊이 분포의 최대가 매립형 결함의 깊이에 맞도록 선택될 수 있다.
다른 측면에서, EUV 광학 소자는 다중층 구조를 포함하며, 이온 빔의 에너지는 이온이 그 반사 특성을 결정하는 EUV 광학 소자의 다중층 구조의 층 아래에 본질적으로 주입되도록 선택된다.
"본질적으로"라는 용어는 본 명세서에서는 깊이 분포의 최대 및/또는 폭이 각 Mo-Si 층에 대해 조정되어, 이들층이 대다수의 주입된 이온을 포함하도록 되는 것을 의미한다.
제2 섹션에서 전술한 것처럼, 다중층 구조에서 주입된 이온은 EUV 포톤의 반사성을 국부적으로 변화시키고, 진폭 에러를 형성할 수 있다. 다중층 막이 점근적 반사 특성을 보이는 것은 공지되어 있다. 이는 EUV 소자의 표면에 인접한 Mo-Si 층이 대부분의 반사된 EUV 방사선을 차지함을 의미하며, 기판에 인접한 층은 단지 EUV 광학 소자의 반사성에 미약하게 기여한다. 결과적으로, 하부 Mo-Si 층(기판에 인접한 Mo-Si 층)에 주입되는 이온은 EUV 광학 소자의 반사 특성에 본질적으로 영향을 주지 않고 매립된 결함을 효율적으로 교정할 수 있다.
다른 측면에서, EUV 광학 소자는 기판과 다중층 사이에 배치된 적어도 하나의 캡쳐층을 포함하며, 이온 빔 에너지는 이온이 적어도 하나의 캡쳐층내에 본질적으로 주입되도록 조절된다.
캡쳐층내에 대부분의 이온을 주입함에 의해, 다중층 구조의 반사 특성은 변화하지 않거나 또는 적어도 현저하게 변화하지는 않는다. 기판에 인접한 Mo-Si 층내의 기판 표면 상에 위치한 결함은 다중층을 통해 전파할 수 있어서, 그 반사 특성에 영향을 준다. 그러므로, 캡쳐층내에 대부분의 이온을 주입함에 의해, 매립형 결함이 효율적으로 제거될 수 있어서, 결함 교정 공정이 다중층 구조의 반사 특성에 현저한 영향을 주지 않는다.
다른 측면은 상기 매립형 결함을 복구하는 경우 상기 이온 빔을 상기 매립형 결함으로 향하도록 하기 이전에 상기 이온 빔이 통과하여 향하는 상기 EUV 광학 소자의 표면 상에 국부 보호층을 배치하고, 상기 복구의 종료시에 상기 국부 보호층을 제거하는 단계를 포함한다.
EUV 광학 소자 상에 충돌하는 이온은 EUV 광학 소자의 표면 상에 스퍼터 효과를 가지며, 즉 이들은 EUV 광학 소자의 표면으로부터 원자를 제거하기 위한 에너지를 갖는다. 그러므로, 충돌 이온은 EUV 광학 소자의 표면에 손상을 줄 수 있다. 이 효과는 이온 충격(ion bombardment) 이전에 다중층 상에 보호층을 국부적으로 배치하고, 결함 복구 공정 종료시에 보호층을 제거함에 의해 회피될 수 있다.
다른 측면에 따르면, 이온 빔은 상기 EUV 광학 소자의 표면을 통해 상기 매립형 결함으로 비수직적으로 향한다.
전술한 것처럼, 스퍼터 효과 외에도, 이온은 다중층 표면으로부터 그들의 주입된 위치까지의 그들의 경로를 따라 다중층내에 손상을 유도할 수 있다. 이온 빔에 대한 경사진 입사를 이용함에 의해, EUV 광학 소자의 일부분은 웨이퍼 상의 마스크 패턴의 이미징에 대해 영향을 주지 않는 이온의 경로에 대해 선택될 수 있다. 특히, 입사 각도는 이온 빔이 흡수성 소자 상에 입사하도록 선택될 수 있다. 이러한 접근법에 의해, 매립형 결함 위의 다중층 구조는 결함의 복구 동안 손상을 입지 않는다.
다른 측면에서, 매립형 결함은 오목형 결함, 특히 핏 및/또는 스크래치이며, 국부 용적 변환은 국부 용적 증가, 특히 국부 높이 증가를 포함한다. 다른 측면에 따르면, 상기 매립형 결함은 볼록형 결함, 특히 범프이며, 상기 국부 용적 변화는 국부 용적 감소, 특히 국부 높이 감소를 포함한다.
더욱이, 다른 측면은 상술한 측면 중 하나의 방법으로 상기 매립형 결함을 분석하는 단계를 포함한다.
마지막으로, 다른 측면에 따르면, 포커스된 이온 빔 장치는 상술한 측면 중 하나의 방법을 수행한다.
본 발명을 보다 잘 이해하고 그 실제 응용을 인식하기 위해서, 이하 도면이 제공되며 이하에서 참조된다. 도면들은 단지 예로서 주어지고, 어떠한 경우라도 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.
도 1은 종래 기술에 따른 EUV 마스크의 매립형 결함의 보상형 복구를 개략적으로 도시하는 도면.
도 2는 EUV 포토리소그래픽 마스크의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 3은 다양한 결함을 갖는 도 2의 EUV 마스크를 개략적으로 도시한다.
도 4는 다중층 구조의 다양한 Mo-Si 층을 통한 기판상의 매립형 결함의 전파의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 포커스 및 ±75nm의 디포커스 위치에 대한 오프셋(흡수성 소자의 중심 위치와 피트 결함의 중심 사이의 간격)의 함수로서 임계 치수(CD) 변이의 시뮬레이션을 개략적으로 도시한다.
도 6은 도 5에서 시뮬레이트된 구성을 나타내는 패턴 소자의 중심에 대한 결함 및 결함의 오프셋을 갖는 EUV 마스크의 잘려진 부분의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 7은 주입된 헬륨 이온 도즈의 함수로서 EUV 마스크 표면의 높이 변이를 개략적으로 나타낸다.
도 8은 침투 깊이를 EUV 마스크내의 헬륨 빔 에너지의 함수로서 개략적으로 나타내고, 헬륨 이온은 EUV 마스크의 다중층 상에 충돌한다.
도 9는 EUV 마스크내의 헬륨 빔 에너지의 함수로서 침투 깊이를 개략적으로 나타내고, 헬륨 이온은 EUV 마스크의 흡수 패턴 소자 상에 충돌한다.
도 10은 다중층 구조를 통한 매립형 결함의 전파를 개략적으로 도시하고(좌측), 그 다중층 구조에서의 이온 주입에 의한 볼륨 증가의 동작을 개략적으로 도시한다.
도 11은 EUV 마스크의 기판과 다중층 사이에 배치된 캡쳐층을 갖는 EUV 광학 소자를 개략적을 도시하고(좌측), 주입된 이온의 깊이 프로파일을 개략적으로 도시(우측)한다.
도 12는 기판의 피트 결함 위의 다중층 상의 보호층의 증착을 개략적으로 나타내고(좌측), 피트 결함의 복구 이후의 보호층을 개략적으로 도시하고(중간), 복구 공정의 완료 이후에 EUV 마스크를 개략적으로 도시(우측)한다.
도 13은 흡수 패턴 소자를 통해 이온을 결함쪽으로 경사지게 향하게 함으로써 EUV 마스크의 기판 상의 피트 결함을 복구하는 것을 개략적으로 도시(좌측)하고, 이온과 다중층의 원자와의 상호작용에 의해 손상된 볼륨을 갖는 복구 처리의 종료시의 EUV 마스크를 개략적으로 도시한다.
이하에서, 본 발명이 본 발명의 실시예가 도시되는 첨부된 도면을 참조로 보다 상세히 설명된다. 그러나, 본 발명은 상이한 형태로 구체화될 수 있으며, 여기서 설명된 예에 대해 제한되는 것으로 이해되어서는 안될 것이다. 또한, 개시가 본 발명의 범위로 이어지고 당업자에게 전달되도록 이들 예들이 제공된다.
도 1은 EUV 마스크(100)의 절단의 상면도를 도시한다. 좌측 그림(110)은 매립형 결함으로 칭하는, 다중층 구조(120)에 매립된, 다중층 결함(130)을 갖는 다중층 구조(120)를 포함한다. 다중층(120) 상에, 흡수 스트라이프의 형태를 갖는 2개의 패턴 소자(140)가 배치된다. 우측 그림(150)은 매립형 결함(130)에 의해 커버되는 영역의 감소된 반사율을 보상하기 위하여 매립형 결함(130) 둘레의 패턴 소자(160)의 흡수 재료의 일부를 제거함에 의해 다중층 결함(130)이 부분적으로 보상된 이후에 EUV 마스크(100)의 좌측 그림(100)의 흡수 구조(160)를 도시한다. 제3 섹션에서 이미 설명한 것처럼, 매립형 결함 복구에 대한 이러한 접근법은 "보상형 복구"라 칭한다.
도 2는 13.5nm의 노광 파장에 대한 포토리소그래픽 마스크(200)의 개략적 횡단면도를 도시한다. 현재 적용되는 포토리소그래픽 마스크와는 상이하게, EUV 마스크(200)는 다중층 구조(205)에 기초한 반사성 광학 소자이다. 다중층 구조(205)는 입사 EUV 포톤을 선택적으로 반사하는 미러의 역할을 한다. EUV 마스크(200)의 다중층 구조(205)는 용융 실리카 기판과 같은 적절한 기판(210)의 전면 기판 표면(215) 상에 증착된다. ZERODUR®, ULE® 또는 CLEARCERAM®과 같은 투명 유전체, 유리 재료 또는 반도체 재료가 또한 포토리소그래픽 마스크를 위한 기판으로서 적용될 수 있다. 기판(210)의 재료는 매우 낮은 열팽창 계수를 가지는 것이 바람직하다.
다중층 막 또는 다중층 구조(205)는 몰리브덴(Mo)층(220)과 실리콘(Si) 층(225)(이하, Mo-Si 층으로 칭함)을 교대로 40 내지 60 쌍 포함한다. 각 Mo 층(220)의 두께는 4.15nm이고, Si 층(225)의 두께는 2.80nm에 이른다. 다중층 구조(205)를 보호하기 위하여, 7nm 깊이의 자연 산화막(native oxide)을 갖는 실리콘의 캐핑층(capping layer; 230)이 다중층 구조(205)의 상부에 배치된다. 예를 들면 루테늄과 같은 다른 재료가 또한 캐핑층(230)을 형성하기 위하여 이용될 수 있다.
다중층(205)에서, Mo 층(220)은 산란층의 역할을 하며, 실리콘층(225)은 분리층의 역할을 한다. 산란층으로서 Mo 대신에 높은 Z 번호를 갖는 다른 원소, 예를 들면 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 레늄(Re) 및 이리듐(Ir)가 이용될 수 있다.
이미 설명한 것처럼, EUV 마스크(200)의 기판(210) 상의 다중층 구조(205)는 EUV 전자기 방사를 위한 미러로서 작용한다. EUV 마스크(200)가 되기 위하여, 버퍼 구조(235) 및 흡수 패턴 구조(240)가 캐핑층(230) 상에 추가적으로 증착된다. 버퍼층(235)은 공정 동안 예를 들면 에칭 및/또는 흡수 패턴 구조(240)의 흡수 패턴의 복구 동안 다중층 구조(205)를 보호하기 위하여 증착될 수 있다. 가능한 버퍼 구조 재료로는 예를 들면 용융 실리카(SiO2), 실리콘-산소-질화물(SiON), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 및/또는 크롬질화물(CrN)이다. 흡수 구조(240)는 EUV 파장 범위내의 포톤에 대한 큰 흡수 상수를 갖는 재료를 포함한다. 이러한 재료의 예로는 크롬(Cr), 티타늄 질화물(TiN) 및/또는 탄탈륨 질화물(TaN)을 포함한다.
흡수 패턴(240)의 표면에 의해 포톤이 반사되지 않는 것을 보장하기 위하여 반사 방지(AR)층(245)이 추가로 흡수 패턴 구조(240) 상에 배치될 수 있다. AR 층에 대한 재료는 예를 들면 탄탈륨 산질화물(TaON)이다. 흡수 구조(240)에 입사하는 기본적으로는 전체 EUV 포톤(250)을 흡수하기 위해서는 약 50nm 두께면 충분하다. 이러한 맥락에서, 용어 "기본적으로"는 측정 한계내의 양의 수치적 값을 의미한다.
EUV 마스크(200)의 기판(210)은 일반적으로 152mm x 152mm의 측방향 치수를 가지고, 본질적으로 6.35mm의 두께 또는 높이를 갖는다. 기판(210)의 후면(270) 또는 기판 후면(270)은 얇은 금속 코팅(275)을 갖는다. 일반적으로 이러한 코팅(275)은 크롬을 포함한다. 금속 코팅(275)은 정전력의 인가에 의해 EUV 스캐너에서 EUV 마스크(200)를 고정하는데 이용된다.
도 3은 다양한 결함을 갖는 도 2의 EUV 마스크(300)를 나타낸다. 이하의 고려 사항을 단순하게 유지하기 위하여, AR층(245) 외에도 캐핑층(230), 버퍼층(235)은 도 3에서 생략된다. 다중층 구조(305) 상에, 흡수 패턴(340)이 증착된다. 흡수 패턴(340)의 패턴 소자(350)는 흡수 재료를 부분적으로 손실하는 부분을 갖는다. 더욱이, 먼지 입자(dirt particle)(360)가 다중층(305)의 표면(370) 상에 부착된다. 먼지 입자(360)는 EUV 마스크(300)를 세정 공정 즉, 세정 및/또는 폴리싱함에 의해 제거될 수 있다. 결함의 두 유형, EUV 마스크(300)의 표면(370) 상의 흡수 결함(350) 및 입자 결함(360)은 이하에서 표면 결함(380)으로 칭한다.
표면 결함(380)은 EUV 마스크(300)의 표면 분석에 의해 검출될 수 있다. SEM의 전자 빔은 예를 들면 EUV 마스크(300)의 표면 분석에 대해 적용될 수 있다. 더욱이, 표면 결함(380)은 흡수 패턴(340)의 개조에 의한 복구에 억세스 가능하다. 제2 섹션에서 이미 언급한 것처럼, 이는 예를 들면 Carl Zeiss SMS의 MeRiT® 시스템에 대한 마스크 검사 및 복구 시스템을 이용함에 의해 수행될 수 있다. 그러한 도구는 적절한 전구체 기체 또는 전구체 기체들의 조합과 조합하여 전자 빔을 이용함에 의해 결함 패턴 소자(350)에 흡수 재료를 추가하도록 한다. 전구체 기체의 예는 금속 카르보닐, 특히 디코발트 옥타카르보닐(Co2(CO)8)이다.
먼지 입자(360)가 세정 공정에 의해 제거될 수 없는 경우, 먼지 입자(360)를 포함하는 EUV 마스크(300)의 다중층(305)의 영역내의 감소된 반사를 보상하기 위하여 흡수 패턴(340)이 개조될 수 있다. 이는 매립형 결함(130)의 보상형 복구를 위하여 도 1에 개략적으로 표시된 것처럼 입자 결함(360) 둘레의 흡수 패턴(340)의 일부를 제거함에 의해 수행될 수 있다. 에칭 가스 또는 에칭 가스의 조합과 결합한 전자 빔이 흡수 패턴(340)의 일부분을 선택적으로 제거할 수 있도록 적용될 수 있다. 예를 들면, 이플루오르화 크세논(XeF2)가 에칭 가스로서 이용될 수 있다.
또한, 도 3의 EUV 마스크(300)가 기판(310)내의 결함(320)을 또한 도시한다. 도 3의 예에서, 기판 결함(320)은 기판(310)의 표면 상의 피트 또는 스크래치이다. 기판 결함(320)은 EUV 마스크(300)의 다중층 구조(305)내의 결함(330)으로서 전파한다. 다중층 구조(305)를 통한 그 전파 동안, 다중층 결함(330)은 그 측방향 치수를 증가시킨다 즉, 다중층 표면으로 향한 Mo-Si 층의 왜곡이 큰 영역으로 확장된다. 동시에, 다중층 구조(305)를 통과하는 다중층 결함(330)의 전파 동안 개별 Mo-Si 층의 높이의 변이가 감소한다. 도 3에 표시된 것처럼, 기판(310)의 기판 결함(320)은 매립형 결함(320) 위의 다중층(305)의 표면(370)의 얕은 함몰(shallow depression) 내에서 반사된다. 다중층(305)의 표면(370)에서의 함몰의 높이 변이가 수 nm만큼 작을 수 있다.
상술한 것처럼, 도 3은 기판(310) 상의 피트 또는 스크래치에 의해 초래되는 매립형 결함(320)을 나타낸다. 예를 들면 다중층(305)의 증착의 시작에서 기판(310)의 표면 상의 먼지 입자가 존재하는 것이 가능하다. 더욱이, 기판(310)은 그 표면(370)에서 작은 국부 상승이 있을 수 있다. 도 4는 기판(410)이 펌프 결함(420)을 갖는 EUV 마스크(400)의 절단의 단면을 개략적으로 도시한다. 도 3의 피트 결함(320)과 유사하게, 범프 결함(420)은 다중층(405)을 통해 다중층 결함(430)으로서 전파한다.
기판 결함(320, 420)에 추가하여, 매립형 결함은 다중층(305, 420)내에 위치 결정될 수 있다. 예를 들면, 개별 Mo 및/또는 Si 층이 하나 또는 수개의 층의 폭이 그 타겟 값에서 벗어날 수 있는 결함 위치를 가질 수 있다(도 3 또는 4에 표시 없음). 더욱이, 특정 Mo 및/또는 Si 층 상의 먼지 입자가 다중층 구조(305, 405)의 연속적으로 증착된 Mo-Si 층의 주기성을 방해할 수 있음이 예측할 수 있다. 기판 결함(320, 420)과 유사하게, 이러한 다중층 구조(305, 405)의 주기성의 이러한 국부 왜곡은 다중층(305, 405)의 표면(370, 470)을 향하여 전파할 수 있다.
이하에서, 기판(310, 410)의 결함 및 다중층 구조(305, 405) 내의 결함은 매립형 결함(480)로 요약된다. 웨이퍼 상의 진폭 에러를 유도하는 표면 결함(380)에 대조적으로, 매립형 결함(480)은 주로 웨이퍼 조사에서 위상 에러를 초래한다.
다중층(305, 405)내의 결함외에도 기판 결함(320, 420)이 종종 작은 국부 함몰 또는 다중층 표면(370)의 작은 국부 증가를 보이게 되고, 이들 결함은 그 조명시에 웨이퍼 상에서의 인쇄가능한 에러를 초래할 수 있다.
기판 결함(320, 420) 또는 일반적으로 매립형 결함(480)의 검출이 관련된다. SEM의 전자 빔은 기판 결함(320, 420)과 결함(320, 420)에 의해 유도된 다중층(305, 405)의 표면(370, 470)에서의 얕은 함몰 또는 증가를 검출할 수 없다. 예를 들면, 원자력 현미경(AFM)은 다중층 시스템(305, 405)의 표면(370, 470)의 얕은 변이를 검출할 수 있다. 그러나, 작은 국부 증가 또는 함몰을 초래하는 기판 결함(320, 420) 또는 일반적인 매립형 결함(480)이 다른 계층 툴에 의해 식별되고 위치 결정되었다. 시간 제약이 전체 EUV 마스크(300, 400)를 AFM으로 스캔하는 것을 방지한다.
마스크 조사 툴로 EUV 마스크(300, 400)의 결함 위치의 단일 공간 이미지만을 기록하는 것이 아니라 포커스를 통해 공간 이미지 세트를 기록하는 것이 매립형 결함(320, 420)을 찾아낼 수 있다. 이를 목적으로, 결함 위치의 공간 이미지가 최적 포커스 평면내에 기록된다. 추가적으로, 공간 이미지는 초평면 위 및 아래에 일정 간격 예를 들면, ±15 nm, ±30 nm, ±45 nm, ±60 nm, 및 ±75 nm으로 기록된다. 이 예에서, 포커스 스택은 11개의 이미지를 포함한다. 디포커스 간격 외에도 이미지의 수가 분석된 결함에 조정될 수 있다.
도 5는 흡수 패턴 소자(640)의 중심(650)과 결함(630)의 중심의 위치(660) 사이의 간격인 오프셋의 함수로서의 임계 치수(CD) 변이의 시뮬레이션의 도표(500)를 도시한다. 도 6은 도 5에서 시뮬레이트된 구성을 도시한다. 도 6은 도 4의 범프 결함(420)과 유사한 매립형 결함(620)을 갖는 다중층 구조(605)를 도시한다. 범프 결함(620)은 다중층 표면(680)으로 향한 결함(630)으로서 전파한다. 다중층 표면(670)은 흡수 패턴 소자(640)를 갖는다. 흡수 패턴 소자(640)의 중심(650)은 결함(630)의 중심(660)의 오프셋 또는 중심까지의 간격의 기준점(650)이다. 도 6의 좌측 방향에서의 매립형 결함(620)의 시프트는 도 5에서 포지티브 오프셋을 초래하고, 그 반대도 같다.
도 5에서, CD는 이 CD 수치값에서 수직 대쉬선(510)에 의해 나타낸 것처럼 22nm에 이른다. 상부 대쉬선(520) 및 하부 대쉬선(530)은 ±10%의 CD 변이의 경계선을 나타낸다. 곡선(540)은 초점이 맞는 CD 변이의 패턴 소자(640)의 중심(650)으로부터의 결함(620)의 간격의 함수로서의 시뮬레이션을 나타낸다. 60nm와 80nm 사이 범위에서의 오프셋을 위하여, 시뮬레이트된 CD 변이는 2.2 nm 보다 크다 즉, CD 변이가 10% 보다 크다. 곡선(550)은 ±75nm의 디포커스에 대한 오프셋의 함수로서의 시뮬레이트된 CD 변이를 도시한다. 이러한 디포커스에 대해, CD 변이는 전체 시뮬레이트된 오프셋에 걸쳐 ±10% 변이 대역폭내에 있다. 반면에, -75nm의 디포커스로 시뮬레이트된 곡선(560)은 ±10%의 허용가능 CD 변이를 넘어선 시뮬레이트된 오프셋 범위의 대부분에 대한 것이다.
시뮬레이트된 곡선(540, 550, 560)은 초점 위치의 CD 변이의 강한 의존성을 나타낸다. 그러한 태양은 도 6의 매립형 결함(620)에 의해 나타낸 것과 같이 위상 에러에 대해 예측된다. 도 5는 포커스 스택의 또는 포커스를 통한 공간 이미지의 측정이 면 결함(380)의 진폭 에러와 EUV 마스크(300, 400, 600)의 매립형 결함(480)의 위상 에러 사이를 구별하기 위해 이용될 수 있음을 제시한다.
도 5의 곡선(540, 550 및 560)은 보상형 복구에 대해 이용될 수 있다. 인 포커스 곡선(540)의 개선이 도 1에 개략적으로 나타낸 것과 같이 패턴 소자(640)를 개조함에 의해 얻어질 수 있어서, 인 포커스 곡선(540)은 총 오프셋 범위에 걸쳐 ± 10% 변이 기준을 실현한다. 그러나, 디포커스 곡선(550 및/또는 560)의 CD 변이가 여전히 ± 10% 변이 기준을 넘는다. 그러므로, 그러한 복구는 EUV 마스크(600)를 이용한 웨이퍼의 조명에서의 프로세스 윈도우를 줄인다. 이러한 상황은 만족스럽지 않으며, 따라서 매립형 결함을 상세히 분석하는 결함 인식 방법이 필요하다. 더욱이, 결함 복구 방법은 프로세스 윈도우가 복구 공정의 끝에서 가능한 크도록 매립형 결함을 복구하는 결함 복구 방법이 필요하다.
EUV 마스크(300, 400, 600)의 표면 구성은 예를 들면 원자력 현미경(AFM)으로 식별된 매립형 결함(320, 420, 620) 주변에서 측정된다. 결함 위치를 스캔하기 위하여 적용될 수 있는 다른 툴로는 예를 들면 스캐닝 터넬링 현미경, 촉침식 박막 두께 측정기(stylus profilometer) 및/ 또는 간섭계이다. 측정된 표면 구성은 EUV 마스크(300, 400, 600)에 대한 이상적인 표면 구성으로부터 측정된 표면 구성의 편차의 결정을 가능하게 한다.
다음 단계에서, EUV 마스크의 다양한 매립형 결함에 대해 모델 구조가 생성된다. 모델 구조의 생성을 위하여, 결함 위치에서의 EUV 마스크의 흡수 패턴의 데이터가 필요하다. 이러한 데이터는 마스크의 디자인 데이터로부터 얻어지거나 또는 SEM으로 기록된 이미지로부터 얻어진다.
결함 분석이 EUV 마스크에 대해 이하 설명되지만, 설명된 방법은 EUV 미러의 결함 분석에도 적용될 수 있음을 알 것이다. 더욱이, 한정된 방법은 EUV 파장 범위에 국한되지 않고, 투과성 광학 소자의 결함 분석에 대해서도 활용될 수 있다.
생성된 모델 구조 각각에 대해, 포커스 스택의 각 초점 위치에 대한 공간 이미지가 시뮬레이트된다. 이 시뮬레이트된 공정에서, 복수개의 상술한 결함은 각 표면 구성에 대해 고려된다.
다음으로 측정된 표면 구성 및 결함 위치에서의 포커스 스택의 측정된 공간 이미지가 생성된 모델 구조의 포커스 스택의 시뮬레이트된 공간 이미지와 비교된다. 그 공간 이미지가 포커스 스택에 걸친 측정된 공간 이미지와 최고의 일치를 제공하는 모델 구조가 식별된 결함의 3차원(3D) 에러 구조로서 취해진다.
마지막으로, 결정된 3D 에러 구조를 기초로, 결함 위치의 특정 처리에 의한 웨이퍼 조명에서의 EUV 마스크의 3D 에러 구조의 영향을 최소화하는 복구 또는 보상 정책이 개발된다. 처리의 목적은 복구 공정의 종료시에서의 웨이퍼 조명에 대한 제조 공정에서 EUV 마스크를 다시 활용하는 것이다.
3D 에러 구조의 결정을 위한 2개의 대안을 생각해볼 수 있다: (a) 포커스 스택의 측정된 공간 이미지가 식별된 에러가 진폭 에러임을 나타내는 경우, 진폭 에러를 초래하는 표면 결함(380)은 패턴 구조(340, 640)를 가변함에 의해 직접적으로 교정될 수 있다. 이러한 대안은 AFM으로 스캔함에 의해 검출된 표면 결함(380) 둘레의 EUV 마스크의 표면 구성을 분석하지 않는다.
(b) 식별된 에러 유형과는 무관하게, 각 식별된 결함에 대한 3D 에러 구조의 차후의 결정을 위한 표면 구성을 결정하기 위하여 검출된 결함의 표면 구성은 예를 들면 AFM을 이용하여 스캔된다.
결정된 3D 에러 구조의 교정을 위하여, 다양한 복구 방법이 적용될 수 있다. 이미 설명한 것처럼, 흡수 패턴 구조의 일부분이 전자 빔 및/또는 적절하게는 이온 빔과 에칭 가스 또는 에칭 가스들의 조합과의 적절한 조합을 이용함에 의해 제거될 수 있다. 흡수 재료는 수평 방향 외에도 수직 방향에서 제거될 수 있다.
다르게는, 흡수 재료 예를 들면 크롬이 수직 및 수평 방향 모두에 추가될 수 있다. 또한, 전자 빔 및/또는 이온 빔과 바람직하게는 각 전구체 기체 또는 전구체 기체들의 조합과 함께 증착이 수행될 수 있다. 두 방법은 표면 결함(380)을 교정하는데 적용될 수 있고, 도 1에 개략적으로 도시된 것처럼 매립형 결함(480)의 보상형 복구를 위해 채용될 수 있다.
다른 복구 방법은 예를 들면 다중층 구조(305, 405, 605)내로 적절한 치수를 갖는 구멍을 드릴링함에 의한 다중층 구조(305, 405, 605)의 적어도 부분적인 제거 단계를 포함한다. 매립형 결함(480)을 포함하는 다중층 구조(305, 405, 605)의 일부가 제거되는 경우, 결함(480)이 또한 제거된다. 다음으로, 결함이 없는 다중층 구조(305, 405, 605)는 제거된 다중층 부분 상에 새로이 증착될 수 있다.
전술한 복구 방법의 효과는 다중층 구조(305, 405 605)의 일부분의 대체를 수행하기 이전에 시뮬레이션에 의해 검사된다. 이는 의도된 교정이 결정된 3D 에러 구조에 초기 적용되고, 포커스 스택의 최종 공간 이미지의 시뮬레이션이 수행됨을 의미한다. 그 결과가 교정된 위치의 최종 공간 이미지가 충분히 넓은 프로세스 윈도우를 가지는 것을 확인한 경우에만, 복구 방법이 실제로 수행된다. 이러한 경우가 아니라면, 다양한 복구 방법 또는 복구 파라미터를 각각 이용하여 추가 시뮬레이션이 수행된다.
복구 방법의 파라미터는 반복적 방법에 의해 최적화될 수 있다. 예를 들면, 다중층 구조(305, 405, 605)내의 매립형 결함(480)이 다중층(305, 405, 605)으로 구멍을 드릴링함에 의해 복구되는 경우, 다양한 깊이, 상이한 직경 및/또는 매립형 결함으로부터의 다양한 간격을 갖는 구멍에 대해 시뮬레이션이 수행된다.
상술한 복구 방법을 수행하기 위하여, EUV 마스크 검사 현미경이 집적된 복구 시스템에 제공된다. 또한, 결함 분석 및 결함 복구를 분리된 시스템에서 적용하는 것도 가능하다.
다른 복구 방법은 전자기 방사의 영향에 의한 기판(310, 410)의 및/또는 다중층 구조(305, 405, 605)의 국부 압축 및/또는 국부 확장을 포함한다. 기판(310, 410) 및/또는 다중층 구조(305, 405, 605)는 예를 들면 펨토초 레이저 펄스의 이용에 의해 압축 또는 확장될 수 있다.
EUV 광학 소자의 다양한 층의 압축 및 확장이 EUV 광학 소자의 적절한 위치에 이온을 주입함에 의해 달성될 수 있다. 이하 설명되는 예에서, 방법은 용적 확장의 맥락에서 설명된다. 그러나, 용적 확장의 논의는 용억 확장에 대한 설명된 방법에 국한하지 않는 것으로 이해된다. 대신에, 각 용적 축소를 수행하는 것에 또한 적용 가능하다.
도 7은 포토리소그래픽 마스크의 높이의 유도된 변화를 주입된 이온 도즈의 함수로서 도시하는 곡선을 나타낸다. 도 7의 예에서, 마스크는 30keV의 빔 에너지를 갖는 헬륨 이온 빔으로 조사된다. 이미 설명한 것처럼, 헬륨 빔 또는 일반적으로 이온 빔은 기본적으로 두개의 효과를 갖는다: (a) 스퍼터링 효과, 즉, (헬륨) 이온이 샘플의 원자와 충돌하고, 샘플로부터 원자를 이완하는 것, (b) 주입, (헬륨) 이온이 샘플 재료내에 유지하는 것.
도 7의 예에서, 헬륨 원자의 주입은 기본적으로 약 2·1016㎠의 내장 이온 도즈 아래로의 용적 변화를 유도하지 않는다. 이 값 위에서, 헬륨 이온의 주입은 주입된 헬륨 도즈의 증가로 급격히 상승하는 마스크 재료의 용적 확장을 초래한다.
도 7은 헬륨 이온의 예에 대한 포토리소그래픽 마스크의 용적 확장과 주입된 이온 도즈 사이의 상호관련을 도시한다. 다른 불활성 가스 원자, 특히 영족 기체 원자에 대해 유사한 곡선이 존재하는 것이 이해된다.
주입된 이온의 한정된 측방향 분포 외에도 한정된 깊이 분포를 갖는 EUV 마스크내에 이온 도즈를 주입하기 위하여, 이온 빔의 포커스된 이온 빔(FIB) 장치가 이용될 수 있다. 다르게는, FIB 소스는 상술한 것과 같은 결함 분석에 적용되는 마스크 검사 툴내에 집적될 수 있다. 더욱이, AFM은 예를 들면 주입된 이온에 의해 유도되는 용적 변화를 결정하는데 이용될 수 있다. EUV 마스크로의 이온의 주입에 의해 초래되는 국부 높이 변화를 검출하기 위하여 표면 구성의 결정의 맥락에서 스캐닝 툴 중 하나 또는 상술한 이들의 조합을 이용하는 것이 가능하다.
도 8은 EUV 마스크로의 헬륨 이온 빔의 깊이 분포의 시뮬레이션을 이온 에너지의 함수로서 도시한다. 헬륨 빔은 흡수 패턴 소자가 없는 위치에서 EUV 마스크에 충돌한다. 좌표는 주입된 이온의 누적 정규화 합을 나타낸다. 도 2로부터 알수 있듯이, EUV 마스크는 도 8에서 참조 번호 830으로 표시되는 얇은 캐핑층(230)을 갖는다. 다중층 구조(805)는 약 280nm의 폭을 갖는다. 도 8에 표시된 상부 관련 부분만이 도 8에 도시된 밀리미터 범위의 폭을 갖는 기판(810) 상에 이것이 증착된다.
도 9는 EUV 마스크로의 헬륨 이온 빔의 깊이 분포의 시뮬레이션을 이온 에너지의 함수로서 나타낸다. 헬륨 빔은 흡수 패턴 소자의 위치에서 EUV 마스크에 충돌한다. 도 8에 유사하게, 좌표는 다시 주입된 이온의 누적 정화화 합을 나타낸다. 도 2에서 나타낸 것처럼, 흡수 패턴(940)은 흡수 패턴 소자(940) 상에 배치된 수 나노미터의 얇은 AR 층(945)을 갖는다. 흡수 패턴 구조(940)는 약 70nm의 폭을 갖는다. 도 2의 설명 부분에서 이미 언급한 것처럼, 흡수 재료에 의존하여, 전체 입사 EUV 포톤을 기본적으로 흡수하는데 약 50nm의 두께면 충분하다. 도 9의 다중층 구조(905) 및 기판(910)은 도 8의 다중층(805) 및 기판(810)과 동일하다.
도 8 및 도 9에서 알 수 있듯이, 이온이 EUV 마스크에 주입되는 깊이는 이온이 EUV 마스크의 표면 상에 충돌하는 에너지에 의존한다. 이는 주입된 이온의 깊이 분포가 이온 빔 에너지에 의한 선택에 의해 설정될 수 있다. 또한, 도 8 및 도 9는 깊이 분포의 폭이 또한 헬륨 빔의 에너지에 따라 가변함을 나타낸다. 90keV의 이온 빔 에너지에 대해서도, 주입된 이온의 50% 초과가 200nm의 깊이 범위내에 집적되도록 이온이 주입된다. 50keV 또는 그 이하의 이온 빔 에너지에 대해, 내장 이온의 대다수가 100nm 미만의 깊이 범위에서 주입된다.
도 8 및 도 9의 비교는 흡수 패턴 소자가 주입된 헬륨 이온의 깊이 분포를 현저하게 변경하지 않음을 보여준다.
도 8 및 도 9의 시뮬레이션은 논문 "The Stopping and Range of Ions in Solids" by J.F. Ziegler, J.P. Biersack, and U. Littmark, Pergamon Press, New York, 1985에서 기술된 소프트웨어 프로그램 SRIM으로 실행되었다.
EUV 마스크내의 주입된 도즈 분포는 예를 들면 EUV 마스크의 단면 샘플을 마련하고 TEM(transmission electron microscopy)으로 샘플을 검사함에 의해 결정될 수 있다. 소정 이온 빔 파라미터를 이용한 소정 시간에 대한EUV 마스크의 확장과 EUV 마스크내의 최종 주입된 도즈 분포 사이의 관계는 예를 들면 일련의 준비된 테스트 샘플의 TEM 측정으로부터 얻어질 수 있다. 이는 주입된 이온의 공간 분포가 이온 빔 파라미터의 선택에 의해 제어될 수 있음을 의미한다.
도 10은 좌측 부분 이미지에서 EUV 마스크(100)의 기판(1020)내의 피트 결함(1020)을 개략적으로 도시한다. 도 3, 4 및 6과 유사하게, 피트 결함은 다중층 구조(1005)를 통해 결함(1030)으로서 전파한다. 우측 부분 이미지는 예를 들면 헬륨 이온과 같은 이온의 주입 이후의 다중층 구조(1005)를 개략적으로 도시한다. 헬륨 이온은 바람직하게는 Si 층(1040)내에 집적되어, Si 층(1040)의 용적의 증가를 초래한다. 유도된 용적 변화가 이온 종류 및 이온 흡수 재료의 함수로서 가변하는 것이 관찰되었다. Mo-Si 층내의 내장 헬륨 이온이 대부분 Si 층(1040)의 용적 확장을 초래한다. 결과적으로, Si 층(1040)의 국부 용적 확장이 다중층 구조(1005)의 표면(1070)에서의 피트 결함(1020)의 효과를 교정한다.
도 10의 예에서, 피트 결함(1020)의 교정은 다중층 구조(1050)의 개별 Mo 층(1040)의 국부 용적 증가에 의해 수행된다. 이러한 복구 방법은 Bragg 반사 조건의 국부 위반을 초래한다. 이 문제는 이온이 바람직하게는 기판(1010)에 인접한 다중층 구조(1005)의 최하위 Mo-Si 층내에 주입되는 경우 방지되거나 또는 적어도 감소될 수 있다. 전술한 것처럼, 다중층 구조(1005)는 점근 반사 양태를 보인다. EUV 마스크(1000)의 표면(1070)에 인접한 상부 Mo-Si 층은 반사된 EUV 방사에 중요부분 기여하며, 하위 Mo-Si 층의 기여는 중요하지 않다. 그러므로, 다중층 구조(1005)의 하부 Mo-Si 층내의 이온 주입에 의한 EUV 마스크(1000)의 피트 결함(1020)의 교정에 의해, 복구 공정으로 인한 Bragg 반사 조건의 국부 위반이 다중층 구조(1005)의 반사성에 대해 작은 영향을 갖는다.
도 11은 다중층 구조의 반사성을 기본적으로 왜곡하지 않고 다중층내에 매립된 결함의 복구를 가능하게 하는 다른 접근법을 개략적으로 도시한다. EUV 마스크(1100)에서, 소위 캡쳐층(1115)이 기판(1210)과 다중층 구조(1105) 사이에 삽입된다. 캡쳐층(1115)은 거의 수백 나노미터의 폭을 갖는다. 캡쳐층을 위해 적절한 재료는 예를 들면 실리콘(Si) 및/또는 몰리브덴 디실리사이드(MoSi2) 이다.
캡쳐층(1115)의 목적은 이온을 효율적으로 캡쳐하고 큰 국부 용적 변화를 제공하기 위한 것이다. 도 11의 우측 부분 이미지의 그림은 주입된 이온의 깊이 분포를 개략적으로 나타낸다. 얇은 캡쳐층(1115)에서, 다중층(1105) 상에 충돌하는 이온의 대부분이 캡쳐되고 집적된다. 도 7은 재료가 그 아래로는 용적 확장을 보이지 않는 이온 도즈에 대한 임계치가 존재함을 나타낸다. 그러므로, 주입된 이온의 깊이 분포(우측 부분 이미지)는 캡쳐층(1115)이 큰 국부 용적 확장을 제공할 수 있음을 나타내고, 이는 입사 이온 빔의 빔 파라미터를 제어함에 의해 조정될 수 있다. 반면에, 기판(1110)내에 및 다중층(1105)내에 주입된 도즈는 이들 층내의 용적 변화를 유도할만큼 충분히 크지는 않다.
이미 설명한 것처럼, 이온 빔을 이용한 표면의 충돌이 재료 표면으로부터 원자의 국부 제거를 유도한다. 이 효과는 상부 Mo-Si 층이 다중층 구조의 전체 반사성에 대해 중요한 기여를 하므로, 다중층에 대해 해롭다.
도 12는 EUV 마스크 및/또는 EUV 미러를 포함할 수 있는 EUV 광학 소자(1200)를 도시한다. EUV 광학 소자(1200)는 피트 결함(1220)을 갖는 기판(1210) 및 다중층 구조(1205)를 갖는다. 단순화 하기 위하여, 다중층 구조(1205)를 통한 매입 결합의 전파가 억제된다. 입사 이온 빔으로 이온의 주입함에 의해 결함 복구 공정을 시작하기 이전에, 국부 보호층(1230)이 다중층 구조(1205) 상에 증착된다. 도 8 및 도 9의 비교로부터 알수 있듯이, 얇은 보호층의 이용은 주입된 이온의 공간 분포 또는 깊이 분포를 현저하게 왜곡하지 않는다.
보호층(1230)은 적어도 매립형 결함의 측방향 치수의 폭을 가지고, 약 100nm의 높이를 갖는다. 보호층(1230)의 바람직한 재료로는 예를 들면 탄소(C) 및/또는 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)이다. 보호층(1230)은 전자 빔 및/또는 전구체 기체와 결합된 이온 빔을 이용함에 의해 다중층 구조(1205) 상에 국부적으로 증착된다.
보호층(1230)의 국부 증착 이후에, 매립형 결함(1220)은 상술한 것처럼 다중층 구조(1205)내의 적절한 이온 도즈를 주입함에 의해 교정된다. 매립형 결함(1320)의 교정은 도 12의 중간 부분에 개략적으로 도시된다. 입사 이온이 보호층(1230)의 상부 부분의 일부(1240)를 스퍼터한다. 그러므로, 보호층(1230)은 입사 이온의 스퍼터 동작으로부터 다중층 구조(1205)의 표면을 효율적으로 보호한다.
이온 주입 공정의 종료시에, 보호층(1230)은 다시 제거된다. 이는 예를 들면 하나의 에칭 가스 또는 에칭 가스들 조합과 함께 전자 빔 및/또는 이온 빔을 이용하는 에칭 공정에 의해 수행될 수 있다.
표면에서의 스퍼터 동작 외에, 재료를 통과하는 그들의 경로를 따른 재료와의 이온의 상호작용이 이온 경로를 따른 재료내의 손상을 유도할 수 있다. 그러므로, 무결성이 다중층 막의 반사성에 대해 덜 중요한 EUV 광학 소자의 다중층 구조의 부분을 통해 입사 이온을 인도하는 것이 유리할 수 있다.
도 13은 EUV 마스크(1300)에 대해 어떻게 그러한 개선이 구현될 수 있는지의 예를 개략적으로 도시한다. 도 12의 좌측 부분 이미지와 유사하게, 도 13의 좌측 부분 이미지는 다시 피트 결함(1320)을 갖는 기판(1310)을 나타낸다. 다중층 구조(1305)를 통한 매입형 결함의 전파는 다시 무시된다. 흡수 패턴(1340)이 다중층 막(1305) 상에 층착된다. 매립형 결함(1320)은 흡수 패턴 소자(1340) 아래에 위치하지 않고, 다중층 구조(1305)의 표면(1370) 아래에 위치한다. 이온 빔이 매립형 결함(1320) 상에 수직적으로 입사하는 경우, 이는 다중층(1305)의 표면을 통과해야 하고, 표면(1370)에 가장 가까운 Mo-Si 층으로부터의 원자를 스퍼터링함에 의해 표면(1370)를 손상시킬 수 있다. 더욱이, 이온 빔은 이전 문장에서 설명한 것처럼, 매립형 결함(1320)으로의 그 경로를 따라 다중층 구조(1305)를 손상시킬 수 있다.
도 13은 다중층의 반사 임계 부분의 가능한 손상이 적어도 부분적으로 방지될 수 있는 구성을 도시한다. 도 13의 좌측 부분 이미지는 이온 빔 조사의 시작시의 구성을 개략적으로 도시한다. 이온 빔(1380)은 패턴 소자(1340)상에 경사지게 충돌하며, 매립형 결함(1320)으로의 경로상에서 다중층 구조(1305)를 경사지게 횡단한다. 도 13의 우측 부분 이미지는 복구 공정의 종료시의 상황을 도시한다. 주입된 이온에 의해 초래되는 국부 용적 확장이 매립형 결함(1320)을 교정한다. 패턴 소자(1340)의 표면(1360)은 복구 공정 동안 이온 빔(1380)의 스퍼터 동작에 의해 손상된다. 필요하다면, 패턴 소자(1340)의 표면 손상(1360)이 상술한 방법을 이용함에 의해 손상된 표면(1360) 상에 흡수 재료를 국부적으로 증착함에 의해 교정될 수 있다.
흡수 패턴 소자(1340) 아래의 백색 영역(1330)은 이 영역이 이온 빔(1380)이 이온과 다중층 구조(1305)의 Mo 및 Si 원자와의 상호작용에 의해 손상될 수 있음을 나타낸다. 이는 물방울 형상이다. 잠재적으로 손상된 영역의 주요부는 패턴 소자(1340) 아래에 위치한다. 특히, 이온은 다중층 구조(1305)의 표면(1370)에 가장 가까운 Mo-Si 층을 횡단하지 않는다. 그러므로, 이온 빔(1380)의 선택된 경로에 의해, 다중층 구조(1305)의 반사율에 대한 이온 빔(1380)의 충돌이 최소화된다.
흡수 패턴을 갖지 않는 EUV 미러도 도 12의 보호층(1230)이 패턴 소자(1340) 대신에 EUV 미러 상에 배치되는 경우에 상술한 공정으로 교정될 수 있다.
마지막으로, 논의된 복구 방법이 다중층 구조의 증착 이전에 마스크 블랭크의 결함에 대해 적용될 수 있다. 기판 상에 존재하는 결함을 이미 마스크 블랭크 상에서 교정함에 의해, 다중층 구조의 가능한 손상이 방지될 수 있다.
결함 분석을 위한 한정된 방법이 표면 결함과 EUV 광학 소자의 매립형 결함 사이를 신뢰성 있게 구별한다. 흡수 패턴의 개조에 의한 EUV 마스크의 매립형 결함의 충돌을 불완전하게 보상하는 대신에, 논의된 복구 방법은 기판 및/또는 EUV 광학 소자의 다중층 구조의 개조에 의해 매립형 결함을 교정한다.

Claims (22)

  1. 극자외(EUV) 파장 범위에 대한 포토리소그래픽 마스크(EUV 마스크)의 결함을 분석하는 방법으로서, 상기 방법은:
    a. EUV 마스크 검사 툴을 이용하여 결함과 관련된 적어도 하나의 포커스 스택을 생성하는 단계;
    b. 결함의 위치에서 EUV 마스크의 표면 구성을 결정하는 단계;
    c. 상이한 위상 에러를 갖는 상기 결정된 표면 구성을 가지는 모델 구조를 제공하여 각 포커스 스택을 생성하는 단계; 및
    d. 상기 결함의 적어도 하나의 생성된 포커스 스택과 상기 모델 구조의 생성된 포커스 스택을 비교함에 의해 EUV 마스크 결함의 3차원 에러 구조를 결정하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 3차원 에러 구조에 대해 상이한 복구 방법을 적용하고, 최적 복구 방법을 결정하기 위하여 각 포커스 스택을 시뮬레이트하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 최적 복구 방법을 상기 결함 위치에 적용하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모델 구조는 상기 EUV 마스크의 표면 상에 흡수 패턴 구조를 포함하는, 방법.
  5. 청구항 4에 있어서, EUV 마스크 디자인 데이터로부터 및/또는 적어도 하나의 이미지의 기록으로부터 상기 흡수 패턴 구조를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3차원 에러 구조를 교정하는 복구 방법을 이용하여 최종 다중층 구조가 이상적인 다중층 구조로 적어도 대략적으로 교정되는 단계를 더 포함하는, 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 EUV 마스크의 결함 위치에 대해 직접 상기 복구 방법을 적용하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  8. 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복구 방법은 상기 다중층 구조를 적어도 부분적으로 제거하는 특히, 상기 다중층 구조에 적어도 하나의 구멍을 드릴링하는 단계를 포함하는, 방법.
  9. 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복구 방법은 펨토초 레이저 펄스를 EUV 마스크에 국부적으로 포커싱함에 의해 상기 EUV 마스크의 다중층 구조 및/또는 기판을 국부적으로 압축 및/또는 확장하는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 이전 청구항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 수행하도록 적응된 극자외 파장 범위내의 포토리소그래픽 마스크를 위한 검사 현미경.
  11. 극자외(EUV) 광학 소자내의 매립형 결함을 감소하기 위한 방법으로서,
    이온 빔을 상기 매립형 결함으로 향하도록 하여, 상기 EUV 광학 소자의 국부 용적 변화에 적합한 이온 도즈가 EUV 광학 소자내에 주입되도록 하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 이온 빔은 불활성 가스 이온, 바람직하게는 영족 가스 이온(noble gas ions), 가장 바람직하게는 헬륨 이온을 포함하는, 방법.
  13. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서, 이온 빔 에너지를, 상기 EUV 광학 소자의 표면 아래의 상기 매립형 결함의 깊이에 적응시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 이온 빔 에너지는 1keV 내지 200keV, 바람직하게는 5keV 내지 100keV, 가장 바람직하게는 10keV 내지 50keV의 범위를 포함하는, 방법.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 EUV 광학 소자는 다중층 구조를 포함하며, 상기 이온 빔의 에너지는 상기 이온이 상기 EUV 광학 소자의 다중층 구조의 층 아래에 본질적으로 주입되도록 선택되는, 방법.
  16. 청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EUV 광학 소자는 기판과 다중층 구조 사이에 배치된 적어도 하나의 캡쳐층을 더 포함하며, 상기 이온 빔 에너지는 상기 이온이 상기 적어도 하나의 캡쳐층에 본질적으로 주입되도록 조절되는, 방법.
  17. 청구항 11 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매립형 결함을 복구하는 경우 상기 이온 빔을 상기 매립형 결함으로 향하도록 하기 이전에 상기 이온 빔이 통과하여 향하는 상기 EUV 광학 소자의 표면 상에 국부 보호층을 배치하고, 상기 복구의 종료시에 상기 국부 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  18. 청구항 11 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 EUV 광학 소자의 표면을 통해 상기 매립형 결함으로 비수직적으로 향하는, 방법.
  19. 청구항 11 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매립형 결함은 오목형 결함, 특히 핏 및/또는 스크래치이며, 국부 용적 변환은 국부 용적 증가, 특히 국부 높이 증가를 포함하는, 방법.
  20. 청구항 11 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매립형 결함은 볼록형 결함, 특히 범프이며, 상기 국부 용적 변화는 국부 용적 감소, 특히 국부 높이 감소를 포함하는, 방법.
  21. 청구항 11 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 상기 매립형 결함을 분석하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  22. 청구항 11 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 기재된 방법을 수행하기 위한 포커스된 이온 빔 장치.
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