CN111460751A - 一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置。
背景技术
空间和航天技术的发展，使人们在外层空间的活动日益增多，处在外层空间飞行用的电子系统也应当考虑宇宙空间的辐射环境影响。核辐射对电子学系统的影响，一方面取决于辐射的种类、能量和剂量，另一方面也取决于电子系统所采用的元器件、材料、结构及电路设计等。因此，为了研究核辐射对电子学系统的影响，应研究电子系统中核辐射对所采用的的元器件以及材料的影响。一般来说，核辐射对半导体器件的影响最灵敏，对电子材料的影响也不可忽视。
传统半导体器件在一般的环境下表现良好，但在高温强辐射环境下，传统的半导体器件的性能会恶化，无法稳定可靠地工作。第三代化合物半导体SiC材料与Si和GaAs等第一、二代半导体材料相比，具有禁带宽度大，热稳定性好，热导率高和抗辐照能力优越等的突出优点，是高频、高温和抗辐照器件制备和研究的优选材料。SiC MOSFET器件的空间应用面临着来自空间中高能质子的辐照影响。质子是氢离子，带有1个单位正电荷，其能量是电子的1800倍，穿透能力弱，不容易被偏转。尽管空间质子通量较高，但由于高能质子具有极强的能量损失特征，其造成的电离损伤不可忽略。同时由于SiC MOSFET器件为高压器件，因此这种质子损伤将可能更为严重。质子入射靶材料中，能量逐渐减小，不断损失能量。质子在材料中主要的能量损失方式是考虑核能损和电离能损。电离能损通过与靶材料中原子核外电子的非弹性碰撞和激发损失能量，高能质子的电离能损起主导作用，其会激发形成沿离子入射方向上的二次电子径迹。核能损通过与原子核相互作用发生，核能损在离子射程末端核阻止区起主导作用。利用SRIM可以计算质子在SiC材料中的能量损失参数并获得其造成的潜径迹图。
潜径迹是电子能损在凝聚态物质中引起的一个重要辐射效应。在凝聚态物质中，单个重离子沿其路径产生的一串缺陷损伤称之为潜径迹。潜径迹的直径很小，进过化学蚀刻称为径迹。构成潜径迹的缺陷可以是点缺陷、缺陷团，也可以是局限非晶化或相变。潜径迹是入射离子与材料内部相互作用的结果，潜径迹的形成及形貌不仅依赖于入射离子的种类和能量，也依赖于靶材料的类型。不同靶材如绝缘材料、金属材料、半导体材料对辐照的敏感程度差异很大。人们为了解释荷能离子在凝聚态物质中慢化过程中的电子能损机制下引起的缺陷产生和潜径迹的形成，提出了许多理论模型，主要有库仑爆炸模型、热峰模型、激子模型等。其中应用较多且较为成功的是库仑爆炸模型和热峰模型。
质子辐射实验的辐照源可选取中国原子能科学研究院的质子加速器作为辐照源。质子是带电粒子,与SiC作用时,一方面产生电离损伤,另外一方面与晶格中的Si和C原子发生弹性碰撞,使晶格原子离开平衡晶格点,产生空位-间隙原子对,从而在SiC禁带中引入各种缺陷能级,当缺陷能级充当复合中心时,使材料中的少数载流子寿命下降。靠近禁带中心的的缺陷能级成为载流子(电子或空穴)的陷阱,降低了SiC材料中的多数载流子数密度。原子位移将产生附加的电离散射中心,从而降低了载流子的迁移率。
通过SRIM对SiC MOSFET器件结构进行构建，选择合适的物理模型等参数，可以通过模拟的方法来获取SiC MOSFET器件在不同能量质子辐射下的潜径迹情况。
现有的技术无法估算出在不同能量的质子辐照条件下，器件对于质子造成的能量损失，能量损失包括电离能损和非电离能损，无法得出这些参数就无法推断出器件损伤的具体类型，也无法预估器件中造成的主要损伤方式(电离或非电离)。且在实际操作的实验中，所需要的实验时间长，实验周期周期长，对于质子能量变化所需要的操作复杂效率低，实际实验所需要的资金成本也很高。
发明内容
(一)发明目的
本发明的目的是提供一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置以解决现有技术对SiC MOSFET器件损伤机理的分析操作复杂、成本高的问题。
(二)技术方案
为解决上述问题，本发明的第一方面提供了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
进一步地，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
进一步地，所述利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集包括：利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
进一步地，所述根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理包括：对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
根据本发明的另一个方面，提供一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析装置，包括：参数信息获取模块，用于获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；模拟SiC MOSFET器件构建模块，用于根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；辐照模拟模块，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；分析模块，用于根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiCMOSFET器件的损伤机理。
进一步地，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
进一步地，所述辐照模拟模块包括：辐照过程模拟单元，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；辐照结果模拟单元，用于获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
进一步地，所述分析模块包括：对比单元，用于对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；分析单元，用于根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
根据本发明的又一方面，提供一种计算机存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述技术方案中任意一项所述方法的步骤。
根据本发明的又一方面，提供一种电子设备，包括存储器、显示器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述技术方案中任意一项所述方法的步骤。
本发明旨在提供一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，通过模拟计算的方式对不同能量的质子对于SiC MOSFET器件的潜径迹损伤的损伤区域、损伤范围以及能量损失进行了数据上的分析，从而做出了定性的推断。保护点：本专利探究并表征了不同能量的质子对于SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域的对比以及分析，分析了不同能量下电离能损以及非电离能损的差别，从而得出了质子对于SiC MOSFET器件的损伤机理。分析了不同能量质子的能量损失随深度的变化，并分析得出了变化规律。
(三)有益效果
本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
本发明方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
附图说明
图1是根据本发明第一实施方式的SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法流程图；
图2是根据本发明一具体实施方式的SEM和EDX制样位置图；
图3是根据本发明一具体实施方式的SiC MOSFET器件结构剖面图；
图4是根据本发明一具体实施方式的不同能量质子入射产生的潜径迹模拟图；
图5是根据本发明一具体实施方式的不同能量质子入射产生的电离能损和反冲能损折线图；
图6是根据本发明一具体实施方式的不同能量质子入射产生的声子能损和空位能损折线图；
图7是根据本发明一具体实施方式的不同能量质子辐照SiC材料的能量损失分布图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
SiC MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor的英文缩写,中文含义是金属氧化物半导体场效应晶体管；
SRIM是Stopping and Ranges ofIons in Matter的英文缩写，中文含义是物质中离子的停止和射程。
如图1所示，在本发明实施例的第一方面，提供了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：
S1：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；
S2：根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；
S3：利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；
S4：根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
SRIM是模拟计算离子在靶材中能量损失和分布的程序组。它采用Monte Carlo方法，利用计算机模拟跟踪入射粒子的运动。粒子的位置、能量损失以及次级粒子的各种参数都在整个跟踪过程中存储下来，最后得到各种所需物理量的期望值和相应的统计误差。该软件可以选择特定的入射离子及靶材种类，并可设置合适的加速电压。可以计算不同粒子，以不同的能量，从不同的位置，以不同的角度入射到靶中的情况。
通过实际的实验操作，对SiC MOSFET进行不同能量质子的辐照，从而得出在不同能量下对SiC MOSFET器件的潜径迹损伤，从而可以对比质子的能量参数对于器件的影响。
可选的，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
可选的，所述利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集包括：利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
可选的，所述根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理包括：对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
在本发明一具体实施例中，以选取的SiC MOSFET器件为例，首先通过SRIM来构建SiC MOSFET器件的几何模型。具体通过对SiC MOSFET器件进行纵向剖切，获得各层材料以及其对应厚度，然后在SRIM中设定靶目标各层参数，并规定入射粒子的种类和能量，最后对不同能量质子辐射SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟。
这里以1MeV、5MeV、10MeV能量的质子为例，在SRIM中设置参数。首先我们对选定的器件进行了切片处理，并且在SEM下分析了SiC MOSFET器件结构，如图2所示，并对每个部分的器件进行了测量，从而得到了器件每个部分的尺寸结构，根据测量结果画出了SiCMOSFET器件结构剖面图，如图3所示，由图中可知，源极与漏极之间的SiC外延层与衬底的厚度占整个器件的绝大部分(占98.8％)，故在模拟过程中选用外延层与衬底进行模拟实验。
质子会与在宇宙环境中运行的电子系统通过核散射与核反应在其组成材料内部产生具有较高能量的反冲原子或反冲次级产物，这些反冲原子或反冲产物会在材料内部沉积大量能量。这些能量通常分为两部分，一部分为非电离能量损失(Non-Ionizing EnergyLoss,NIEL)，即可使材料内部原子产生离位效应，在材料中引入位移缺陷，使材料性能退化；另一部分为电离能量损失(Ionizing Energy Loss,IEL)，引起材料内部原子进一步电离或激发。位移损伤的计算归结为NIEL与粒子通量的计算，所以器件NIEL的相关性研究已成为位移损伤效应分析的趋势。质子与SiC的相互作用过程产生的非电离能损：初始粒子在材料中输运时和靶核发生库仑作用，使靶原子发生电离和激发，其中激发属于NIEL；当初始粒子能量降低到不足以产生电离和激发时，可以使靶核在晶格位置产生振荡，其能量以声子形式损失，其中声子能量属于NIEL；初始粒子与原子核的弹性碰撞和核反应产生的反冲核动能属于NIEL，这部分能量可以引起位移损伤。由上述可知，为准确描述质子在材料中产生潜径迹损伤的过程，必须正确描述质子输运以及质子在材料内部产生的能量损失。
如果一个运动的原子撞击了一个靶原子，并且传递给后者超过Edisp(移位能)的能量，那么靶原子将会被撞击出其晶格位置。由于它将损失Elatt(晶格束缚)的能量到晶格中去，因而它的反冲能量Erecoil＝Edisp-Elatt。如果反冲靶原子的能量大于Edisp，那么它将继续通过撞击其它靶原子来产生更多空位。假设入射粒子原子序数为Z1能量为E。它和原子序数为Z2的靶原子发生碰撞。在碰撞之后入射粒子能量为E1并且被撞击原子能量为E2。
1)当E2>Edisp时靶原子移位。若E1>Edisp，空位产生，两者都有足够能量离开晶格位置。在下一次碰撞之前，靶原子能量变为：E2-Elatt。若E1<Edisp，Z1＝Z2，替位产生，入射粒子Z1取代靶原子的位置，E1以声子形式释放。Z1≠Z2，入射粒子Z1变为间隙原子。
2)当E2>Edisp，靶原子留在原位，E2以声子形式释放。若E1<Edisp，Z1≠Z2，入射粒子Z1变为间隙原子，E1+E2以声子形式释放。克服电子束缚并将原子从晶格中移位出来是需要能量的，因而这部分被转移到反冲原子中的能量被丢失了。晶格结合能必然小于位错能。
我们利用SRIM开始进行模拟辐照，当TRIM模块计算开始时，我们可以看到入射粒子在器件内部产生的质子潜径迹，其中不同能量的质子产生了不同数目的空位和移动原子，并且随着能量的上升射程也逐步增加，辐照损伤区越深，如图4所示。我们可以利用SRIM得到不同能量质子入射后造成的电离能损和反冲能损折线图，如图5-6所示。反冲能损是入射原子失掉了几乎所有能量后不足以再继续往前走而进入反冲靶原子遗留下来的空穴中所产生了移位所造成的能损。由图中可以看出，随着质子能量的上升，电离能损与反冲能损都在逐步上升，这说明随着质子能量的上升，质子对器件产生的电离效应在逐渐加强，同样我们也可以看到电离能损相比于反冲能损高出了大约4个数量级，这说明质子在材料内部造成的潜径迹损伤主要是由电离效应产生的。同样我们也可以利用SRIM得到不同能量质子入射后造成的声子与空位能损折线图，如图7所示，因为空位能损与声子能损之和代表非电离能损，由图可知随着质子能量的上升，非电离能损在能量损失中所占的比例(单位：％)逐渐下降，由此可以推出随着质子能量的上升，质子产生的位移损伤效应对SiC MOSFET器件的影响逐渐减小。图7展示了不同能量质子辐照SiC材料的能量损失分布图，由图中可以看出，随着质子能量的增加，SiC材料中同一深度的NIEL逐渐降低。这是因为质子是比较重的粒子，在材料中质子的轨迹基本是沿直线前进的。能量越高，质子与靶核之间的相互作用截面越小，平均传递给靶核的能量就越小。
上述实施例提出通过SRIM来构建SiC MOSFET器件的二维尺寸模型，通过选取不同能量的质子进行入射，利用SRIM在器件中观测到发生的位移效应以及其形成的潜径迹，得到不同的能量损失，通过对比能量损失的差距，可以得出器件对于不同能量的质子的抗辐照性能；通过更改本发明所设置的二维尺寸模型，可以对不同器件的可以对不同特征尺寸或不同生长方式的SiC MOSFET器件，开展质子辐照实验的评估研究，与开展质子辐照实验相比，无需花费大量的时间和金钱进行实测实验，就可以对器件的抗辐照性能有个很好的预测。
在本发明实施例的另一个方面，提供一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析装置，包括：
参数信息获取模块，用于获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；
模拟SiC MOSFET器件构建模块，用于根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiCMOSFET器件；
辐照模拟模块，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；
分析模块，用于根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
可选的，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
可选的，所述辐照模拟模块包括：辐照过程模拟单元，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiCMOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；辐照结果模拟单元，用于获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
可选的，所述分析模块包括：对比单元，用于对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；分析单元，用于根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
在本发明实施例的又一方面，提供一种计算机存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述实施例中任意一项所述方法的步骤。
在本发明实施例的又一方面，提供一种电子设备，包括存储器、显示器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述实施例中任意一项所述方法的步骤。
本发明旨在保护一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiCMOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (10)
1.一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，其特征在于，包括：
获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；
根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；
利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；
根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集包括：
利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；
获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理包括：
对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；
根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
5.一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析装置，其特征在于，包括：
参数信息获取模块，用于获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；
模拟SiC MOSFET器件构建模块，用于根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；
辐照模拟模块，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；
分析模块，用于根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述参数信息为SiC MOSFET器件各层的材料和厚度。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述辐照模拟模块包括：
辐照过程模拟单元，用于利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，并对不同能量的质子辐照所述模拟SiC MOSFET器件后产生的潜径迹损伤进行数值模拟；
辐照结果模拟单元，用于获取每种能量质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照后，所述模拟SiC MOSFET器件的损伤区域、损伤范围以及该种质子的能量损失，得到对应有质子能量的损伤信息集。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述分析模块包括：
对比单元，用于对比不同能量的质子对于所述模拟SiC MOSFET器件造成潜径迹损伤区域，得到差别信息；
分析单元，用于根据所述差别信息分析得到所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。
9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现权利要求1-4中任意一项所述方法的步骤。
10.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、显示器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-4中任意一项所述方法的步骤。
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| CN202010229918.9A CN111460751A (zh) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114021306A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-02-08 | 中国人民解放军海军工程大学 | 金属材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质 |
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