KR20130098564A - Method of forming a light extraction layer, organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device - Google Patents

Method of forming a light extraction layer, organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device Download PDF

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KR20130098564A
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Abstract

PURPOSE: A method for forming a light extraction layer, an organic light emitting display device, and a manufacturing method thereof are provided to form the light extraction layer which improves luminous characteristics by only the deposition process without an etching process or an imprinting process. CONSTITUTION: A light extraction layer (120) with an uneven part or a corrugated part is formed on the rear side of a substrate (100). The light extraction layer is formed by using light extraction compositions mixed with silicate sol solutions and titanium oxide sol solutions. A first electrode (110) is formed on the front side of the substrate. An organic layer (130) includes a hole transport layer and a light emitting layer which are successively formed on the first electrode. A second electrode (140) is formed on the organic layer.

Description

광추출층의 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF FORMING A LIGHT EXTRACTION LAYER, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD OF FORMING A LIGHT EXTRACTION LAYER, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 광추출층의 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 광추출층의 형성 방법, 광추출층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 광추출층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a light extraction layer, an organic light emitting display device, and a method of manufacturing an organic light emitting display device. More specifically, the present invention relates to a method of forming a light extraction layer, an organic light emitting display device including the light extraction layer, and a method of manufacturing an organic light emitting display device including the light extraction layer.

유기 발광 표시(organic light emitting display: OLED) 장치는 양극(anode)과 음극(cathode)으로부터 각기 제공되는 정공들과 전자들이 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 유기 발광층에서 결합하여 생성되는 광을 이용하여 영상, 문자 등의 정보를 나타낼 수 있는 표시 장치를 말한다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지므로 유망한 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다Organic light emitting display (OLED) devices use holes and holes provided from an anode and a cathode, respectively, and light generated by combining electrons in the organic light emitting layer positioned between the anode and the cathode. A display device capable of displaying information such as images, characters, and the like. The organic light emitting diode display has attracted attention as a promising next-generation display device because it has various advantages such as wide viewing angle, fast response speed, thin thickness, and low power consumption.

상기 유기 발광 표시 장치는 유리 기판 등과 같이 투명 기판 상에 적층된 전극들 및 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 등을 포함하는 유기층들을 포함한다. 따라서, 상기 투명 기판, 전극들 및 유기층들의 계면에서 굴절률 차이가 발생할 수 있다. 상기 유기층에서 발생된 광이 상기 굴절률 차이에 따른 전반사 등의 현상에 의해 외부로 방출되지 못하고, 상기 유기 발광 표시 장치 내부에 트랩되는 문제점이 발생할 수 있다.The organic light emitting diode display may include electrodes stacked on a transparent substrate, such as a glass substrate, and organic layers including a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and the like. Therefore, a difference in refractive index may occur at the interface between the transparent substrate, the electrodes, and the organic layers. Light generated in the organic layer may not be emitted to the outside due to a total reflection due to the difference in refractive index, and may be trapped inside the organic light emitting diode display.

따라서, 상술한 광의 트랩 현상을 감소시키고 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 효율 및 양자 효율을 향상시킬 수 있는 방법이 연구되고 있다. Therefore, a method of reducing the above-mentioned light trapping phenomenon and improving the luminous efficiency and quantum efficiency of the organic light emitting diode display has been studied.

본 발명의 일 목적은 우수한 광추출 효율이 우수한 광추출층의 형성 방법을 제공하는 것이다. One object of the present invention is to provide a method for forming a light extraction layer excellent in excellent light extraction efficiency.

본 발명의 다른 목적은 상기 광추출층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device including the light extraction layer.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 광추출층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including the light extraction layer.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전술한 과제들에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and may be variously expanded within a range without departing from the spirit and scope of the present invention.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 광추출층의 형성 방법에 따르면, 실리케이트(SiO2) 졸 용액 및 티타늄 산화물(TiOx) 졸 용액을 혼합하여 광추출 조성물을 제조한다. 상기 광추출 조성물을 사용하여 스핀-코팅 공정을 통해 투명 기판 상에 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층을 형성한다. According to the method of forming the light extraction layer according to the exemplary embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the light extraction by mixing a silicate (SiO 2 ) sol solution and titanium oxide (TiOx) sol solution Prepare the composition. The light extraction composition is used to form a light extraction layer having a wrinkled or uneven structure on the transparent substrate through a spin-coating process.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 SiO2 졸 용액은 TEOS(tetraethyl orthosilicate)를 알코올 용매에 혼합하여 제조될 수 있다.According to exemplary embodiments, the SiO 2 sol solution may be prepared by mixing TEOS (tetraethyl orthosilicate) with an alcohol solvent.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 TiOx 졸 용액은 티타늄 알콕사이드계 화합물을 알코올 용매에 혼합하여 제조될 수 있다. According to exemplary embodiments, the TiOx sol solution may be prepared by mixing a titanium alkoxide compound with an alcohol solvent.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대하여 상기 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 부피비는 30:70 내지 50:50 범위일 수 있다.According to exemplary embodiments, the volume ratio of the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition may range from 30:70 to 50:50.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 스핀-코팅 공정은 3500rpm 내지 5500rpm 범위의 회전 속도로 수행될 수 있다. According to exemplary embodiments, the spin-coating process may be performed at a rotation speed in the range of 3500 rpm to 5500 rpm.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 65% 이상이고 상기 회전 속도가 5000rpm 이상일 때, 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조는 2차원의 그물 형상을 가질 수 있다. According to exemplary embodiments, when the volume ratio of the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is 65% or more and the rotational speed is 5000rpm or more, the corrugated or uneven structure of the light extraction layer has a two-dimensional It may have a net shape.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소할 수 있다.According to exemplary embodiments, as the volume ratio of the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition increases, the width of the wrinkled or uneven structure of the light extraction layer may decrease.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 회전속도가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소할 수 있다.According to exemplary embodiments, as the rotational speed increases, the width of the wrinkled or uneven structure of the light extraction layer may decrease.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 전면에 제1 전극이 형성된 투명 기판을 준비한다. 상기 투명 기판의 배면 상에 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액을 혼합한 광추출 조성물을 사용하여 스핀-코팅 공정을 통해 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층을 형성한다. 상기 제1 전극 상에 순차적으로 유기층 및 제2 전극을 형성한다. In the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, a transparent substrate having a first electrode formed on the front surface is prepared. On the back surface of the transparent substrate, a light extraction layer having a SiO 2 sol solution and a TiOx sol solution is mixed to form a light extraction layer having a wrinkled or uneven structure through a spin-coating process. The organic layer and the second electrode are sequentially formed on the first electrode.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 SiO2 졸 용액은 TEOS를 알코올 용매에 혼합하여 제조되며, 상기 TiOx 졸 용액은 티타늄 알콕사이드계 화합물을 알코올 용매에 혼합하여 제조될 수 있다.In example embodiments, the SiO 2 sol solution may be prepared by mixing TEOS with an alcohol solvent, and the TiOx sol solution may be prepared by mixing a titanium alkoxide compound with an alcohol solvent.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대하여 상기 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 부피비는 30:70 내지 50:50 범위이고, 상기 스핀-코팅 공정의 회전 속도는 3500rpm 내지 5500rpm 범위일 수 있다.According to exemplary embodiments, the volume ratio of the SiO 2 sol solution and TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is in the range of 30:70 to 50:50, the rotational speed of the spin-coating process is 3500rpm to 5500rpm It can be a range.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 증가하거나, 상기 회전 속도가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소할 수 있다.According to exemplary embodiments, the width of the corrugated or uneven structure of the light extraction layer may decrease as the volume ratio of the TiOx sol solution increases or the rotational speed increases with respect to the total volume of the light extraction composition. .

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 65% 이상이고 상기 회전 속도가 5000rpm 이상일 때, 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조는 2차원의 그물 형상을 가질 수 있다.According to exemplary embodiments, when the volume ratio of the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is 65% or more and the rotational speed is 5000rpm or more, the corrugated or uneven structure of the light extraction layer has a two-dimensional It may have a net shape.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출층을 형성하기 전에 상기 투명 기판의 상기 배면을 산소 플라즈마 처리할 수 있다.In example embodiments, the back surface of the transparent substrate may be subjected to an oxygen plasma treatment before the light extraction layer is formed.

상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면에 제1 전극이 형성된 투명 기판, 상기 투명 기판의 배면 상에 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액을 포함하는 광추출 조성물을 스핀-코팅하여 형성된 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기층, 및 상기 유기층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.In accordance with another aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes a transparent substrate having a first electrode formed on a front surface thereof, a SiO 2 sol solution, and TiOx formed on a rear surface of the transparent substrate. And a light extraction layer having a wrinkled or uneven structure formed by spin-coating a light extraction composition including a sol solution, an organic layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic layer.

상술한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 스핀-코팅 공정을 통해 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 혼합물을 사용하여 요철 또는 주름 구조의 광추출층을 포함하는 OLED 장치를 제조할 수 있다. 따라서, 식각 또는 임프린팅 공정 없이도 단순한 증착 공정만으로 OLED 장치의 발광 특성을 향상시키는 상기 광추출층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 스핀-코팅 공정에 있어서 회전 속도 및 상기 혼합물의 조성비를 조절하여 상기 광추출층의 표면 모폴로지의 형상을 변화시킬 수 있다. According to the exemplary embodiments of the present invention as described above, according to the exemplary embodiments of the present invention, by using a mixture of SiO 2 sol solution and TiOx sol solution through a spin-coating process of the uneven or corrugated structure An OLED device including a light extraction layer may be manufactured. Therefore, the light extraction layer may be formed to improve the light emitting characteristics of the OLED device by a simple deposition process without an etching or imprinting process. In addition, in the spin-coating process, the shape of the surface morphology of the light extraction layer may be changed by adjusting the rotation speed and the composition ratio of the mixture.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 광추출 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내기 위한 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7c는 스핀-코팅 장치의 회전 속도 변화에 따른 광추출층의 모폴로지 변화를 나타내는 광학 현미경(optical microscope) 사진들이다.
도 8a 내지 도 8c는 광추출 조성물의 농도 변화에 따른 광추출층의 모폴로지 변화를 나타내는 광학 현미경 사진들이다.
도 9a 내지 도 9c는 스핀-코팅 속도 및 광추출 조성물 농도 변화에 따른 광추출층의 표면 프로파일을 나타내는 그래프들이다.
도 10a 및 도 10b는 스핀-코팅 속도의 변화에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11a 및 도 11b는 SiO2 졸 용액의 함량 변화에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12a 및 도 12b는 예시적인 실시예들에 따른 광추출층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 발광 강도의 스펙트럼을 나타내는 그래프들이다.
1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device in accordance with example embodiments.
2A and 2B are cross-sectional views illustrating a light extraction mechanism of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to example embodiments.
7A to 7C are optical microscope pictures showing a morphology change of the light extraction layer according to the change in the rotational speed of the spin-coating device.
8a to 8c are optical micrographs showing the morphology change of the light extraction layer according to the concentration change of the light extraction composition.
9A to 9C are graphs showing the surface profile of the light extraction layer according to the spin-coating speed and the light extraction composition concentration.
10A and 10B are graphs illustrating light emission characteristics of an organic light emitting diode display according to a change in spin-coating speed.
11A and 11B are graphs illustrating light emission characteristics of an organic light emitting diode display according to a change in content of a SiO 2 sol solution.
12A and 12B are graphs illustrating spectrums of emission intensities of an organic light emitting diode display including a light extracting layer according to example embodiments.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, the terms "comprising ", or" having ", and the like, are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, or combinations thereof, , Steps, operations, elements, or combinations thereof, as a matter of principle, without departing from the spirit and scope of the invention.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 이하에서는, 유기 발광 표시 장치를 OLED 장치로 약칭한다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device in accordance with example embodiments. Hereinafter, the organic light emitting display device will be abbreviated as OLED device.

도 1을 참조하면, 상기 OLED 장치는 기판(100) 상에 순차적으로 적층된 제1 전극(110), 유기층(130) 및 제2 전극(140)을 포함한다. 예시적인 실시예들에 따르면, 기판(100)의 배면에는 요철 또는 주름(corrugated) 형상을 갖는 광추출층(120)이 구비된다. Referring to FIG. 1, the OLED device includes a first electrode 110, an organic layer 130, and a second electrode 140 sequentially stacked on the substrate 100. In example embodiments, a light extraction layer 120 having a concave-convex or corrugated shape may be provided on the rear surface of the substrate 100.

기판(100)은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 플라스틱 기판은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르(polyether) 등으로 이루어질 수 있다. 기판(100) 상에는 스위칭 소자, 절연막 등을 포함하는 하부 구조물(도시하지 않음)이 구비될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT) 소자 또는 산화물 반도체 소자 등을 포함할 수 있다The substrate 100 may include a glass substrate or a transparent plastic substrate. For example, the transparent plastic substrate may be made of polyimide, acryl, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyacrylate, polyether, or the like. have. A lower structure (not shown) including a switching element, an insulating layer, and the like may be provided on the substrate 100. The switching device may include a thin film transistor (TFT) device or an oxide semiconductor device.

광추출층(120)은 실리케이트(SiO2) 졸 용액 및 티타늄 산화물(TiOx)의 졸 용액의 혼합한 광추출 조성물을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 광추출층(120)은 다수의 요철을 포함하는 주름진 형상 또는 파동 형상을 가질 수 있다. The light extraction layer 120 may be formed using a mixed light extraction composition of a silicate (SiO 2 ) sol solution and a sol solution of titanium oxide (TiOx). According to exemplary embodiments, the light extraction layer 120 may have a corrugated shape or a wave shape including a plurality of irregularities.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 혼합물의 실리케이트 및 티타늄 산화물의 함량비에 따라, 광추출층(120)의 모폴로지 또는 표면 프로파일이 변화될 수 있다. 실리케이트의 함량이 증가할수록, 광추출층(120)의 주름 또는 요철의 두께 및/또는 높이가 증가하고, 그 형상은 실질적으로 1차원의 라인 형상을 가질 수 있다. 반면, 티타늄 산화물의 함량이 증가할수록, 광추출층(120)의 주름 또는 요철의 두께 및/또는 높이가 감소하고, 그 간격이 작아질 수 있다. 이 경우, 광추출층(120)은 실질적으로 2차원의 망상 또는 그물 구조의 주름 또는 요철 구조를 가질 수 있다.According to exemplary embodiments, the morphology or surface profile of the light extraction layer 120 may be changed according to the content ratio of the silicate and the titanium oxide of the mixture. As the content of the silicate increases, the thickness and / or height of the wrinkles or irregularities of the light extraction layer 120 increases, and the shape may have a substantially one-dimensional line shape. On the other hand, as the content of titanium oxide increases, the thickness and / or height of wrinkles or irregularities of the light extraction layer 120 may decrease, and the gap may be reduced. In this case, the light extraction layer 120 may have a corrugated or uneven structure of a substantially two-dimensional network or net structure.

제1 전극(110)은 기판(100)의 전면에 형성될 수 있다. 제1 전극(110)은 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지며 투명하고 도전성이 우수한 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(110)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 주석 산화물(SnOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(110)은 상기 금속 산화물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(110)은 유기층(130)에 정공(hole)들을 제공하는 양극(anode)에 해당될 수 있다. 또한, 제1 전극(110)은 기판(100) 상에 구비된 상기 스위칭 소자의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 110 may be formed on the entire surface of the substrate 100. The first electrode 110 may include a metal oxide having a relatively high work function and having excellent transparency and conductivity. For example, the first electrode 110 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnOx), gallium oxide (GaOx), tin oxide (SnOx), or the like. These may be used alone or in combination with each other. In addition, the first electrode 110 may have a single layer structure or a multilayer structure including the metal oxide. In example embodiments, the first electrode 110 may correspond to an anode that provides holes to the organic layer 130. In addition, the first electrode 110 may be electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the switching element provided on the substrate 100.

유기층(130)은 제1 전극(110)상에 순차적으로 적층되는 정공 수송층(hole transport layer: HTL) 및 발광층(emitting layer: EML)을 포함할 수 있다. 상기 정공 수송층은 비제한적인 예로서, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), N,N-디-1-나프틸-N,N-디페닐-1,1-비페닐-4,4-디아민(NPD), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 정공 수송 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상을 조합하여 사용될 수 있다. The organic layer 130 may include a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML) that are sequentially stacked on the first electrode 110. The hole transport layer is a non-limiting example of 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB), 4,4'-bis [N- (3-methylphenyl ) -N-phenylamino] biphenyl (TPD), N, N-di-1-naphthyl-N, N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine (NPD), N-phenyl Hole transport materials such as carbazole, polyvinylcarbazole, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 발광층은 적색(R)광, 녹색(G)광, 청색(B)광 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시키기 위한 발광 물질들을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(150)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현하기 위한 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(150)은 전술한 발광 물질들에 비하여 실질적으로 큰 밴드 갭(band gap)을 갖는 형광 혹은 인광 호스트 물질을 추가적으로 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층은 공지의 발광 물질을 포함할 수 있으며, 상기 발광 물질에 의해 본 발명이 제한되는 것은 아니다.The light emitting layer may include light emitting materials for generating different color lights such as red (R) light, green (G) light, and blue (B) light. In addition, the light emitting layer 150 may have a multilayer structure in which a plurality of light emitting materials for realizing different color lights such as red light, green light, and blue light are stacked to emit white light. In example embodiments, the light emitting layer 150 may further include a fluorescent or phosphorescent host material having a band gap substantially larger than that of the above-described light emitting materials. According to exemplary embodiments, the light emitting layer may include a known light emitting material, and the present invention is not limited by the light emitting material.

일 실시예에 있어서, 상기 정공 수송층 아래에 정공 주입층(hole injection layer: HIL)이 더 구비될 수도 있다. 상기 정공 주입층은 제1 전극(110)으로부터 상기 정공 수송층으로의 정공 주입을 원활하게 하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 정공 주입층은, 비제한적인 예로서, CuPc(copper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 등의 정공 주입 물질을 포함할 수 있다. In one embodiment, a hole injection layer (HIL) may be further provided below the hole transport layer. The hole injection layer may serve to facilitate hole injection from the first electrode 110 to the hole transport layer. For example, the hole injection layer may include a hole injection material such as copper phthalocyanine (CuPc), poly (3,4) -ethylenedioxythiophene (PEDOT), polyaniline (PANI), or the like.

일 실시예에 있어서, 상기 발광층 상에는 전자 수송층(electron transport layer: ETL)이 배치될 수 있다. 상기 전자 수송층은 비제한적인 예로서, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 2-(4-비페닐릴)-5-4-터트-부틸페닐-1,3,4-옥시디아졸(PBD), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-페닐페놀라토-알루미늄(BAlq), 바쏘쿠프로인(BCP) 등의 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. In one embodiment, an electron transport layer (ETL) may be disposed on the light emitting layer. The electron transporting layer is, by way of non-limiting example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3), 2- (4-biphenylyl) -5-4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxy Electron transport materials such as diazole (PBD), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (BAlq), vasocuproin (BCP), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

일 실시예에 있어서, 상기 전자 수송층 상에 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 더 배치될 수도 있다. 상기 전자 주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물 및/또는 불화물 등과 같은 무기성 전자 주입 물질을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 전자 주입층은 Alq3, PBD 등의 유기성 전자 주입 물질을 포함할 수도 있다.In one embodiment, an electron injection layer (EIL) may be further disposed on the electron transport layer. The electron injection layer may include an inorganic electron injection material such as alkali metal, alkaline earth metal, oxide and / or fluoride of the alkali metal or alkaline earth metal. Alternatively, the electron injection layer may include an organic electron injection material such as Alq3, PBD.

일 실시예에 있어서, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층 사이에 정공 차단층이 더 구비될 수도 있다. 상기 정공 차단층은 정공 수송 능력은 떨어지면서도 전자 수송 능력이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 상기 정공 차단층을 위한 물질의 예로서는, 바쏘쿠프로인(Bathocuproine: BCP), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-터트-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 발광층 및 상기 정공 수송층 사이에 전자 차단층이 더 구비될 수도 있다. 상기 전자 차단층은 전자 수송 능력은 현저히 떨어지면서 정공 수송 능력이 우수한 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들면 Ir(ppz)3 등을 포함할 수 있다.In one embodiment, a hole blocking layer may be further provided between the emission layer and the electron transport layer. The hole blocking layer may include a material having excellent electron transport ability while decreasing hole transport ability. Examples of the material for the hole blocking layer include Bathocuproine (BCP), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4 -Triazole (TAZ) etc. are mentioned. In addition, an electron blocking layer may be further provided between the emission layer and the hole transport layer. The electron blocking layer may include a material having excellent hole transport ability while significantly decreasing electron transport ability, and may include, for example, Ir (ppz) 3 or the like.

유기층(130) 상에는 제2 전극(140)이 배치된다. 제2 전극(140)은 투명 전극 또는 반사 전극인지 여부에 따라 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 아연 산화물, 갈륨 인듐 아연 산화물, 알루미늄 도핑된 아연 산화물 등의 투명 도전성 물질을 포함하거나 은, 알루미늄, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 팔라듐 등의 금속 및 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(140)은 유기층(130)에 전자를 제공하는 음극(cathode) 역할을 수행할 수 있다.The second electrode 140 is disposed on the organic layer 130. The second electrode 140 may be transparent, such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium zinc oxide, gallium indium zinc oxide, or aluminum doped zinc oxide, depending on whether the electrode is a transparent electrode or a reflective electrode. It may include a conductive material or may include metals such as silver, aluminum, platinum, gold, chromium, tungsten, molybdenum, titanium, palladium, alloys thereof, and the like. In example embodiments, the second electrode 140 may serve as a cathode for providing electrons to the organic layer 130.

도 2a 및 도 2b는 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 광추출 메커니즘을 설명하기 위한 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a light extraction mechanism of an organic light emitting diode display according to example embodiments.

도 2a는 기판(100) 배면에 광추출층이 형성되지 않은 경우, 광의 진행 경로를 나타내는 도면이다. 도 2a를 참조하면, 발광층(130)에서 생성된 광은 복수의 층들의 계면에서의 굴절률 차이에 따라, 상기 광의 경로가 꺾일 수 있다. 예를 들면, ITO를 포함하는 제1 전극(110) 및 유기층(130)은 각각 약 1.7 내지 2의 굴절률을 가질 수 있다. 기판(100)이 유리 기판인 경우 굴절률은 약 1.5를 가지며, 공기의 굴절률은 약 1.0이다. 도 2a를 참조하면, 발광층(130)에서 생성된 광은 그 경로 또는 입사각에 따라, 기판(100)의 상기 배면 외부로 방출될 수도 있으며, 전반사되어 상기 OLED 장치 내부에 트랩될 수도 있다. 예를 들면, 기판(100) 및 공기의 계면에서 입사각이 임계각보다 작게 형성되는 경우, 일부 광(Ray A로 표시됨)은 기판(100)의 상기 배면 외부로 추출될 수 있다. 그러나, 기판(100) 및 상기 공기의 계면에서 입사각이 임계각보다 크게 형성되는 경우, 일부 광(Ray B로 표시됨)은 상기 계면에서 전반사되어 상기 OLED 장치의 내부에 트랩될 수 있다. 2A is a view showing a path of light when the light extraction layer is not formed on the back surface of the substrate 100. Referring to FIG. 2A, the path of the light may be broken according to the difference in refractive index at the interface of the light emitting layer 130. For example, the first electrode 110 and the organic layer 130 including ITO may have refractive indices of about 1.7 to 2, respectively. When the substrate 100 is a glass substrate, the refractive index is about 1.5, and the refractive index of air is about 1.0. Referring to FIG. 2A, light generated in the light emitting layer 130 may be emitted to the outside of the rear surface of the substrate 100 according to its path or angle of incidence, and may be totally reflected and trapped inside the OLED device. For example, when the incident angle is formed smaller than the critical angle at the interface between the substrate 100 and the air, some light (denoted as Ray A) may be extracted outside the rear surface of the substrate 100. However, when the incident angle at the interface between the substrate 100 and the air is greater than the critical angle, some light (denoted by Ray B) may be totally reflected at the interface and trapped inside the OLED device.

도 2b는 기판(100) 배면에 예시적인 실시예들에 따른 광추출층이 형성된 경우, 광의 진행 경로를 나타내는 도면이다.2B is a view showing a path of light when the light extraction layer according to the exemplary embodiments is formed on the back surface of the substrate 100.

도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(100)에서 광추출층(120)으로 진입한 광(Ray C로 표시됨)은 광추출층(120)의 모폴로지 또는 표면 프로파일에 기인하여, 공기와의 계면에서 입사각이 감소하게 된다. 따라서, 상기 광의 대부분은 전반사되지 않고 외부로 방출될 수 있다. 이에 따라, 상기 OLED 장치의 광추출 효율 및/또는 양자 효율이 증가될 수 있으며, 이는 상기 OLED 장치의 휘도 등과 같은 발광 특성을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 2B, light entering the light extraction layer 120 from the substrate 100 (denoted by Ray C) is due to the morphology or surface profile of the light extraction layer 120 at the interface with air. The angle of incidence is reduced. Therefore, most of the light can be emitted to the outside without total reflection. Accordingly, light extraction efficiency and / or quantum efficiency of the OLED device may be increased, which may improve light emission characteristics such as luminance of the OLED device.

도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내기 위한 단면도들이다. 한편, 도 5는 광추출층의 주름구조가 형성되는 메커니즘을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to example embodiments. On the other hand, Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing a mechanism in which the wrinkle structure of the light extraction layer is formed.

도 3을 참조하면, 전면에 제1 전극(110)이 형성된 기판(100)을 준비한다. 기판(100)으로서 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 제1 전극(110)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 주석 산화물(SnOx) 등과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 전극(110)은 스퍼터링(sputtering)공정, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 수행하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, a substrate 100 on which a first electrode 110 is formed is prepared. As the substrate 100, a glass substrate or a transparent plastic substrate can be used. The first electrode 110 may be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnOx), gallium oxide (GaOx), tin oxide (SnOx), or the like. . The first electrode 110 may be formed by performing a sputtering process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a vacuum deposition process, a printing process, or the like.

도 4를 참조하면, 기판(100)의 배면 상에 광추출층(120)을 형성한다. 예시적인 실시예들에 따르면, 광추출층(120)은 실리케이트(SiO2) 졸 용액 및 티타늄 산화물(TiOx) 졸 용액을 혼합한 광추출 조성물을 사용하여 스핀-코팅(spin-coating) 공정을 통해 형성될 수 있다. 광추출층(120)은 다수의 요철들을 포함하는 실질적으로 주름 또는 파동 형상으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the light extraction layer 120 is formed on the rear surface of the substrate 100. According to exemplary embodiments, the light extraction layer 120 is a spin-coating process using a light extraction composition mixed with a silicate (SiO 2 ) sol solution and a titanium oxide (TiOx) sol solution Can be formed. The light extraction layer 120 may be formed in a substantially corrugated or wave shape including a plurality of irregularities.

상기 SiO2 졸 용액은 실리케이트 전구체를 예를 들면, 메탄올, 2-메톡시 에탄올 등과 같은 알코올류의 휘발성 용매에 혼합하여 수득될 수 있다. 상기 실리케이트 전구체의 예로서, 테트라에틸 오르쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate: TEOS)를 들 수 있다. 상기 SiO2 졸 용액은 예를 들면, (3-글리시독시프로필) 트리메톡시실란((3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane: GPTMS)과 같은 유기실란계 물질을 더 포함할 수도 있다. The SiO 2 sol solution may be obtained by mixing the silicate precursor with a volatile solvent of alcohols such as methanol, 2-methoxy ethanol and the like. Tetraethyl orthosilicate (TEOS) is mentioned as an example of the said silicate precursor. The SiO 2 sol solution may further include an organosilane-based material such as, for example, (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane (GPTMS).

상기 TiOx 졸 용액은 티타늄 산화물 전구체를 알코올과 같은 휘발성 용매에 혼합하여 수득될 수 있다. 상기 티타늄 산화물 전구체의 예로서, 티타늄 테트라 이소프로폭사이드, 티타늄 테트라 부톡사이드 등과 같은 티타늄 알콕사이드계 화합물을 들 수 있다.The TiOx sol solution may be obtained by mixing a titanium oxide precursor with a volatile solvent such as alcohol. Examples of the titanium oxide precursor include titanium alkoxide compounds such as titanium tetra isopropoxide, titanium tetra butoxide and the like.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광추출 조성물에 포함되는 상기 SiO2 졸 용액 및 상기 TiOx 졸 용액의 조성비를 조절함으로써 광추출층(120)의 모폴로지 또는 표면 프로파일을 변화시킬 수 있다. 상기 광추출 조성물에 포함되는 상기 SiO2 졸 용액의 함량이 감소하거나, 상기 TiOx 졸 용액의 함량이 증가할수록 광추출층(120)의 요철 또는 주름 구조가 미세화될 수 있으며, 일 실시예에 따르면, 광추출층(120)은 2차원의 실질적인 그물 또는 망상 형상의 주름 구조를 가질 수 있다. 이와는 달리, 상기 SiO2 졸 용액의 함량이 증가하면 광추출층(120)의 요철 또는 주름의 폭이 증가하며, 일 실시예에 있어서, 광추출층(120)은 1차원의 실질적으로 라인 패턴 형상의 요철 또는 주름 구조를 가질 수 있다.According to exemplary embodiments, the morphology or surface profile of the light extraction layer 120 may be changed by adjusting the composition ratio of the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution included in the light extraction composition. As the content of the SiO 2 sol solution included in the light extraction composition decreases or as the content of the TiOx sol solution increases, the uneven or wrinkled structure of the light extraction layer 120 may be miniaturized. According to one embodiment, The light extraction layer 120 may have a two-dimensional substantially net or reticulated structure. On the contrary, when the content of the SiO 2 sol solution is increased, the width of the irregularities or wrinkles of the light extraction layer 120 is increased. In one embodiment, the light extraction layer 120 has a substantially one-dimensional line pattern shape. It may have an uneven or wrinkled structure.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 SiO2 졸 용액 및 상기 TiOx 졸 용액은 부피비 기준으로 약 30:70 내지 약 50:50의 비율로 혼합될 수 있다. 상기 광추출 조성물 총 부피 대비 상기 SiO2 졸 용액의 부피가 50%를 초과하는 경우 충분한 요철 또는 주름 구조가 형성되지 않을 수 있다. 상기 광추출 조성물 총 부피 대비 상기 SiO2 졸 용액의 부피가 30% 미만인 경우 광추출층(120)의 접착력(adhesion)이 떨어짐으로써, 기판(100)으로부터 박리되는 문제가 발생할 수 있다.According to exemplary embodiments, the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution may be mixed in a ratio of about 30:70 to about 50:50 based on volume ratio. When the volume of the SiO 2 sol solution relative to the total volume of the light extraction composition exceeds 50%, sufficient concave-convex or wrinkled structure may not be formed. When the volume of the SiO 2 sol solution is less than 30% of the total volume of the light extraction composition, the adhesion of the light extraction layer 120 may be lowered, thereby causing a problem of peeling from the substrate 100.

상기 TiOx 졸 용액은 기판(100) 상에 스핀-코팅되면서 상기 SiO2 졸 용액보다 상대적으로 빠르게 증발한다. 따라서, 충분한 레벨링 효과가 발휘되기 전에 기판(100) 상에 겔화(gelation)가 일어나 기판(100) 상에 상술한 요철 또는 주름 구조를 형성할 수 있다. 반면, 순수한 상기 SiO2 졸 용액은 상기 TiOx 졸 용액에 비해 우수한 흐름성 및 접착성을 갖는다. 따라서, 상기 SiO2 졸 용액 및 상기 TiOx 졸 용액을 혼합하여 사용함으로써, 기판(100)에 대해 우수한 접착성을 유지하면서 상기 요철 또는 주름 구조를 갖는 광추출층(120)을 형성할 수 있다. The TiOx sol solution evaporates relatively faster than the SiO 2 sol solution while being spin-coated onto the substrate 100. Therefore, gelation may occur on the substrate 100 before the sufficient leveling effect is exerted, thereby forming the above-mentioned concave-convex or wrinkled structure on the substrate 100. On the other hand, the pure SiO 2 sol solution has superior flowability and adhesion compared to the TiOx sol solution. Therefore, by mixing the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution, the light extraction layer 120 having the concave-convex or wrinkled structure can be formed while maintaining excellent adhesion to the substrate 100.

이하에서는, 도 5를 참조로 광추출층(120)의 요철 또는 주름 구조의 형성 메커니즘을 간략히 설명한다.Hereinafter, the mechanism of forming the uneven or wrinkled structure of the light extraction layer 120 will be briefly described with reference to FIG. 5.

도 5를 참조하면, 기판(100) 상에 상기 광추출 조성물의 액적이 접촉하고, 상기 스핀-코팅 공정의 초기 단계에서 스프레딩 되면서 예비 광추출층(115)이 형성될 수 있다(S10). 이어서, 상기 광추출 조성물 내에 포함된 용매들이 증발하면서 상기 요철 또는 주름 구조를 갖는 실질적으로 파동 형상의 광추출층(120)이 형성될 수 있다(S20). 상기 요철 또는 주름 구조는 스트리에이션(striation) 현상에 기인한 것으로 추측된다. 구체적으로, 상기 용매가 증발되면, 예비 광추출층(115)의 온도가 감소하고, 국소적인 표면 장력의 편차가 나타날 수 있다. 국부적으로 높은 표면 장력을 갖는 영역은 주변의 물질을 끌어들여 상기 파동의 마루를 형성하고, 이에 따라, 국부적으로 낮은 표면 장력을 갖는 영역은 상기 파동의 골을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 용매의 증발이 완료되면, 상기 요철 또는 주름 구조를 갖는 파동 형상의 광추출층(120)을 수득할 수 있다.Referring to FIG. 5, droplets of the light extraction composition may contact each other on the substrate 100, and the preliminary light extraction layer 115 may be formed while being spread in the initial stage of the spin-coating process (S10). Subsequently, while the solvents included in the light extraction composition evaporate, a substantially wave-shaped light extraction layer 120 having the uneven or wrinkled structure may be formed (S20). The uneven or wrinkled structure is presumed to be due to a striation phenomenon. Specifically, when the solvent is evaporated, the temperature of the preliminary light extracting layer 115 may decrease and local deviation of surface tension may appear. Areas with locally high surface tension draw in surrounding material to form the ridges of the waves, whereby areas with locally low surface tension can form valleys of the waves. Therefore, when the evaporation of the solvent is completed, it is possible to obtain a wave-shaped light extraction layer 120 having the concave-convex or wrinkled structure.

일 실시예에 있어서, 광추출층(120)을 형성하기 전에 기판(100)의 상기 배면을 산소 플라즈마로 세정 처리함으로써 불순물을 제거할 수 있다. 상기 불순물을 제거하지 않는 경우, 표면 장력 분포에 교란이 발생하여 원하는 상기 요철 또는 주름 구조의 규칙성이 저하될 수 있다. In one embodiment, impurities may be removed by cleaning the back surface of the substrate 100 with oxygen plasma before forming the light extraction layer 120. If the impurities are not removed, disturbance may occur in the surface tension distribution, thereby lowering the regularity of the desired irregularities or wrinkles.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 스핀-코팅 공정의 회전 속도를 조절함으로써 광추출층(120)의 상기 모폴로지 또는 표면 프로파일을 변화시킬 수 있다. 상기 회전 속도가 증가할 수록, 광추출층(120)의 상기 요철 또는 주름 구조가 미세화될 수 있으며, 상기 회전 속도가 감소할수록 광추출층(120)의 상기 요철 또는 주름의 폭이 증가하며, 상기 요철 또는 주름의 수가 감소할 수 있다. According to exemplary embodiments, the morphology or surface profile of the light extraction layer 120 may be changed by adjusting the rotation speed of the spin-coating process. As the rotational speed increases, the uneven or wrinkled structure of the light extraction layer 120 may be refined. As the rotational speed decreases, the width of the unevenness or wrinkles of the light extraction layer 120 increases. The number of irregularities or wrinkles may be reduced.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 회전 속도는 약 3500 내지 5500rpm 범위의 값을 가질 수 있다. 상기 회전 속도가 3500rpm 미만인 경우, 충분한 요철 또는 주름 패턴들이 형성되지 않을 수 있다. 반면, 상기 회전 속도가 5500rpm을 초과하는 경우, 레벨링 효과에 의해 오히려 광추출층(120)이 평탄화될 수 있다. According to exemplary embodiments, the rotation speed may have a value in the range of about 3500 to 5500 rpm. When the rotational speed is less than 3500 rpm, sufficient uneven or wrinkled patterns may not be formed. On the other hand, when the rotation speed exceeds 5500rpm, the light extraction layer 120 may be flattened by the leveling effect.

도 6을 참조하면, 제1 전극(110) 상에 유기층(130) 및 제2 전극(140)을 순차적으로 형성함으로써, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 수득할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 유기층(130)을 형성하기 전에 제1 전극(110) 상면을 아세톤, 알코올 등을 이용한 초음파 처리 등을 통해 세척할 수 있다. 이에 따라, 광추출층(120) 형성을 위한 상기 스핀-코팅 공정에서 발생하는 오염물을 제거할 수 있다.Referring to FIG. 6, an organic light emitting display device according to example embodiments may be obtained by sequentially forming the organic layer 130 and the second electrode 140 on the first electrode 110. In an exemplary embodiment, the upper surface of the first electrode 110 may be cleaned by ultrasonication using acetone, alcohol, or the like before forming the organic layer 130. Accordingly, contaminants generated in the spin-coating process for forming the light extraction layer 120 may be removed.

예시적인 실시예들에 따르면, 유기층(130)은 제1 전극(110) 상에 순차적으로 적층되는 정공 수송층 및 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 정공 수송층 아래에 정공 주입층이 더 형성될 수도 있다. 상기 정공 수송층, 발광층 및 정공 주입층은 각각 상술한 정공 수송물질, 발광 물질 및 정공 주입 물질을 사용하여, 예를 들면 진공 증착 공정, 열증착 공정, 스핀-코팅 공정, 프린팅 공정 또는 전사(transfer) 공정 등을 통해 형성될 수 있다.According to example embodiments, the organic layer 130 may include a hole transport layer and a light emitting layer sequentially stacked on the first electrode 110. In addition, a hole injection layer may be further formed below the hole transport layer. The hole transport layer, the light emitting layer, and the hole injection layer may be formed using, for example, the above-described hole transport material, light emitting material, and hole injection material, for example, a vacuum deposition process, a thermal deposition process, a spin-coating process, a printing process, or a transfer process. It may be formed through a process or the like.

일 실시예에 있어서, 상기 발광층 상에 전자 수송층 및/또는 전자 주입층을 형성할 수 있다. 상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 각각 상술한 전자 수송 물질 및 전자 주입 물질을 사용하여 , 예를 들면 진공 증착 공정, 열증착 공정, 스핀-코팅 공정, 프린팅 공정 또는 전사 공정 등을 통해 형성될 수 있다.In an embodiment, an electron transport layer and / or an electron injection layer may be formed on the emission layer. The electron transport layer and the electron injection layer may be formed using, for example, a vacuum deposition process, a thermal deposition process, a spin-coating process, a printing process or a transfer process using the above-described electron transport material and electron injection material. .

일 실시예에 있어서, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층 사이에 상술한 정공 차단 물질을 이용하여 정공 차단층을 더 형성할 수도 있다. 또한, 상기 발광층 및 상기 정공 수송층 사이에 상술한 전자 차단 물질을 이용하여 전자 차단층을 더 형성할 수도 있다.In example embodiments, a hole blocking layer may be further formed between the emission layer and the electron transport layer by using the hole blocking material described above. In addition, an electron blocking layer may be further formed between the emission layer and the hole transport layer by using the above-described electron blocking material.

제2 전극(140)은 투명 전극 또는 반사 전극인지 여부에 따라 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 아연 산화물, 갈륨 인듐 아연 산화물, 알루미늄 도핑된 아연 산화물 등의 투명 도전성 물질을 사용하거나 은, 알루미늄, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 팔라듐 등의 금속 및 이들의 합금을 사용하여 형성할 수 있다. 제2 전극(140)은 예를 들면, 스퍼터링 공정, CVD 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 수행하여 형성될 수 있다.The second electrode 140 may be transparent, such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, tin oxide, gallium zinc oxide, gallium indium zinc oxide, or aluminum doped zinc oxide, depending on whether the electrode is a transparent electrode or a reflective electrode. It may be formed using a conductive material or using metals such as silver, aluminum, platinum, gold, chromium, tungsten, molybdenum, titanium, palladium, and alloys thereof. For example, the second electrode 140 may be formed by performing a sputtering process, a CVD process, a vacuum deposition process, a printing process, or the like.

전술한 바와 같이, 상술한 광추출층은 OLED 장치의 발광 효율, 양자 효율을 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 상기 광추출층의 용도는 상기 OLED 장치에 국한되는 것은 아니다. 예시적인 실시예들에 따른 상기 광추출층은 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 디스플레이 장치에 사용되는 투명 기판의 배면에 부착되어 발광 효율, 휘도 등을 향상시키기 위해 활용될 수 있다.As described above, the above-described light extraction layer can be used to increase the luminous efficiency and quantum efficiency of the OLED device. However, the use of the light extraction layer is not limited to the OLED device. The light extracting layer according to exemplary embodiments may be attached to a rear surface of a transparent substrate used in various display devices such as a liquid crystal display device and a plasma display device, and may be utilized to improve luminous efficiency, brightness, and the like.

실험예Experimental Example

광추출층 조성물의 제조Preparation of Light Extraction Layer Composition

1) SiO2 졸 용액의 제조1) Preparation of SiO 2 Sol Solution

TEOS(tetraethyl orthosilicate) 0.77ml, (3-글리시독시프로필) 트리메톡시실란((3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane: GPTMS) 3.5ml, 메탄올 1.2ml, 아세트산 0.065ml 및 탈이온수 1ml를 상온에서 3시간 동안 교반하면서 혼합하였다. 얻어진 용액에 메탄올 2.6ml 및 2-메톡시 에탄올 1.9ml를 첨가하여 SiO2 졸 용액을 제조하였다.0.77 ml of TEOS (tetraethyl orthosilicate), 3.5 ml of (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane (GPTMS), 1.2 ml of methanol, 0.065 ml of acetic acid and 1 ml of deionized water at room temperature for 3 hours. Mix with stirring. To the obtained solution, 2.6 ml of methanol and 1.9 ml of 2-methoxy ethanol were added to prepare a SiO 2 sol solution.

2) TiOx 졸 용액의 제조2) Preparation of TiOx Sol Solution

5.1ml의 메탄올에 4.3ml의 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(titanium tetra isopropoxide: TTIP)를 적하하고, 0.76ml의 냉각된 아세트산을 상온에서 첨가하였다. 30분 후 얻어진 용액에 0.2ml의 탈이온수를 적하하고 24시간 동안 반응을 추가로 진행시킴으로써 TiOx 졸 용액을 제조하였다.4.3 ml of titanium tetra isopropoxide (TTIP) was added dropwise to 5.1 ml of methanol, and 0.76 ml of cooled acetic acid was added at room temperature. A TiOx sol solution was prepared by adding 0.2 ml of deionized water to the solution obtained after 30 minutes and further proceeding the reaction for 24 hours.

3) 광추출층 조성물의 제조3) Preparation of Light Extraction Layer Composition

상기 SiO2 졸 용액 및 상기 TiOx 졸 용액을 볼텍스(vortex) 믹서에서 1시간 동안 혼합하여 광추출물 조성물을 제조하였다. 상기 SiO2 졸 용액 및 상기 TiOx 졸 용액을 35:65, 40:60 및 45:55 혼합비(vol/vol)로 혼합함으로써, 각각 조성물 1, 조성물 2 및 조성물 3을 제조하였다.
The SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution were mixed for 1 hour in a vortex mixer to prepare a light extract composition. Compositions 1, 2 and 3 were prepared by mixing the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution in 35:65, 40:60 and 45:55 mixing ratios (vol / vol), respectively.

광추출층의 형성 및 모폴로지 분석Formation and Morphology Analysis of Light Extraction Layer

상기 조성물 1, 조성물 2 및 조성물 3을 사용하여 유리 기판 상에 광추출층을 형성한 후 상기 광추출층의 모폴로지를 분석하였다.After the light extraction layer was formed on the glass substrate using the composition 1, composition 2 and composition 3, the morphology of the light extraction layer was analyzed.

ITO 층이 전면에 코팅된 유리 기판(1 inch x 1 inch) 기판을 준비하였다. 상기 유리 기판의 배면을 약 10분간 산소 플라즈마로 처리함으로써 세정하였다. 상기 광추출층 조성물들을 사용하여 스핀-코팅 공정을 통해 상기 유리 기판의 상기 배면 상에 광추출층을 형성하였다. 스핀-코팅 장치의 회전 속도를 변화시키고, 서로 다른 광추출층 조성물들을 사용하여 복수의 상기 광추출층이 형성된 샘플들을 제조하였다. 제조된 샘플들은 약 70℃의 컨벡션 오븐(convection oven)에서 약 10분간 저장되었다. 형성된 광추출층의 모폴로지 또는 표면 프로파일을 광학 현미경(Nikon사의 L150) 및 Veeco Dektak-8 표면 프로파일러(스타일러스 중량: 15mg, 스타일러스 팁 반경: 2.5㎛)를 사용하여 분석하였다.A glass substrate (1 inch x 1 inch) substrate with an ITO layer coated on the front surface was prepared. The back surface of the glass substrate was cleaned by treatment with oxygen plasma for about 10 minutes. Using the light extracting layer compositions, a light extraction layer was formed on the rear surface of the glass substrate through a spin-coating process. The rotational speed of the spin-coating device was varied, and samples with the plurality of light extraction layers formed were prepared using different light extraction layer compositions. The prepared samples were stored for about 10 minutes in a convection oven at about 70 ° C. The morphology or surface profile of the formed light extraction layer was analyzed using an optical microscope (L150 from Nikon) and a Veeco Dektak-8 surface profiler (stylus weight: 15 mg, stylus tip radius: 2.5 μm).

도 7a 내지 도 7c는 스핀-코팅 장치의 회전 속도 변화에 따른 광추출층의 모폴로지 변화를 나타내는 광학 현미경(optical microscope) 사진들이다. 7A to 7C are optical microscope pictures showing a morphology change of the light extraction layer according to the change in the rotational speed of the spin-coating device.

구체적으로, 도 7a 내지 도 7c는 상술한 조성물 2를 사용하여 각각 회전 속도 5000rpm, 4500rpm 및 4000rpm으로 조절하여 약 30초간 스핀-코팅후 촬영한 이미지들이다. 도 7a 내지 도 7c는 모두 수득된 광추출층으로부터 동일한 거리에서 촬영한 동일 배율의 이미지들이다.Specifically, FIGS. 7A to 7C are images taken after spin-coating for about 30 seconds by adjusting the rotational speeds 5000 rpm, 4500 rpm, and 4000 rpm using the above-described composition 2, respectively. 7A to 7C are all images of the same magnification taken at the same distance from the obtained light extraction layer.

도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 상기 광추출층 모두 실질적으로 파동형, 주름형 또는 요철형의 모폴로지를 갖도록 형성되었음을 알 수 있다. 또한, 도 7a 에서 도 7c로 갈수록 주름 또는 요철의 두께가 증가함을 확인할 수 있다. 즉, 스핀-코팅 속도를 증가시킬수록 미세한 요철 또는 주름 구조의 광추출층을 형성할 수 있음을 알 수 있다. 7A to 7C, it can be seen that the light extraction layers are all formed to have a morphology of substantially wave-like, corrugated or uneven. In addition, it can be seen that the thickness of the wrinkles or irregularities increases from FIG. 7A to FIG. 7C. That is, it can be seen that as the spin-coating speed is increased, a light extraction layer having a fine uneven or wrinkled structure can be formed.

도 8a 내지 도 8c는 광추출 조성물의 농도 변화에 따른 광추출층의 모폴로지 변화를 나타내는 광학 현미경 사진들이다.8a to 8c are optical micrographs showing the morphology change of the light extraction layer according to the concentration change of the light extraction composition.

구체적으로, 도 8a 내지 도 8c는 각각 조성물 3, 조성물 2 및 조성물 1을 사용하여 수득된 광추출층들의 이미지들이다. 도 8a 내지 도 8c 모두 스핀-코팅 속도는 5000rpm으로 고정하고, 수득된 광추출층으로부터 동일한 거리에서 촬영한 동일 배율의 이미지들이다.Specifically, FIGS. 8A-8C are images of light extraction layers obtained using Composition 3, Composition 2 and Composition 1, respectively. 8A to 8C are spin-coating speeds fixed at 5000 rpm, and images of the same magnification taken at the same distance from the obtained light extraction layer.

도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 상기 광추출층 모두 실질적으로 파동형, 주름형 또는 요철형의 모폴로지를 갖도록 형성되었음을 알 수 있다. 또한, 도 8a 에서 도 8c로 갈수록 주름 또는 요철의 두께가 감소함을 확인할 수 있다. 즉, 상기 광추출층 조성물에 있어서, SiO2 졸 용액의 농도 또는 부피비가 감소할수록 미세한 주름 또는 요철 구조의 광추출층을 형성할 수 있음을 알 수 있다. 특히, 도 8c에서 나타난 바와 같이, SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 혼합비(vol/vol)가 35:65인 경우(조성물 1), 실질적으로 2차원의 망상 또는 그물 형상을 갖는 주름 구조 또는 요철 구조의 광추출층이 형성되었다.8A to 8C, it can be seen that the light extraction layers are all formed to have a morphology of substantially wave-like, corrugated or uneven. In addition, it can be seen that the thickness of the wrinkles or unevenness decreases from FIG. 8A to FIG. 8C. That is, in the light extraction layer composition, it can be seen that as the concentration or volume ratio of the SiO 2 sol solution decreases, a light extraction layer having a fine wrinkle or concave-convex structure can be formed. In particular, as shown in FIG. 8C, when the mixing ratio (vol / vol) of the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution is 35:65 (composition 1), a wrinkle structure or irregularities having a substantially two-dimensional network or net shape The light extraction layer of the structure was formed.

도 9a 내지 도 9c는 스핀-코팅 속도 및 광추출 조성물 농도 변화에 따른 광추출의 표면 프로파일을 나타내는 그래프들이다.9A to 9C are graphs showing the surface profile of light extraction according to the spin-coating speed and the light extraction composition concentration.

구체적으로, 도 9a 및 도 9b는 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 혼합비(vol/vol)가 40:60인 광추출 조성물(조성물 2)을 사용하여 각각 스핀-코팅 속도 4000rpm 및 5000rpm으로 형성된 광추출층의 표면 프로파일 그래프이다. 도 9c는 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 혼합비(vol/vol)가 45:55인 광추출 조성물(조성물 3)을 사용하여 5000rpm의 스핀-코팅 속도로 형성된 광추출층의 표면 프로파일 그래프이다. 상기 그래프들의 x축은 상기 광추출층이 형성된 유리 기판의 중심에서의 수평거리를 나타내며, y축은 상기 광추출층의 요철 또는 주름 구조의 높이를 나타낸다.Specifically, FIGS. 9A and 9B show light formed at a spin-coating speed of 4000 rpm and 5000 rpm, respectively, using a light extraction composition (composition 2) having a mixing ratio (vol / vol) of a SiO 2 sol solution and a TiOx sol solution of 40:60. It is a graph of the surface profile of the extraction layer. 9C is a surface profile graph of a light extraction layer formed at a spin-coating speed of 5000 rpm using a light extraction composition (composition 3) having a mixing ratio (vol / vol) of SiO 2 sol solution and TiOx sol solution at 45:55. The x axis of the graphs represents the horizontal distance from the center of the glass substrate on which the light extraction layer is formed, and the y axis represents the height of the uneven or corrugated structure of the light extraction layer.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 5000rpm의 스핀-코팅 속도로 형성된 광추출층에서(도 9b) 보다 많은 요철 또는 주름의 피크(peak)가 나타나며, 인접하는 상기 피크들이 보다 촘촘하게 형성된 것을 확인할 수 있다. 또한 도 9b 및 도 9c를 비교하면, 동일한 스핀-코팅 속도에서 상기 SiO2 졸 용액의 함량이 증가함에 따라 피크들의 수가 감소하고, 상기 피크들의 너비가 증가함을 확인할 수 있다.9A and 9B, more peaks of irregularities or wrinkles appear in the light extraction layer formed at the spin-coating speed of 5000 rpm (FIG. 9B), and the adjacent peaks may be formed more densely. . 9b and 9c, it can be seen that the number of peaks decreases and the width of the peaks increases as the content of the SiO 2 sol solution increases at the same spin-coating speed.

광추출 조성물의 혼합비 및 스핀-코팅 속도에 따른 표면 프로파일의 특성을 하기의 표 1에 요약하였다.The properties of the surface profile according to the mixing ratio and spin-coating speed of the light extraction composition are summarized in Table 1 below.

표 1Table 1

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1에서 피크 너비는 광추출의 총 길이를 형성된 피크들의 수로 나눈 값을 나타내며, 피크 높이는 상기 피크들의 높이의 평균값을 나타낸다. In Table 1 the peak width represents the total length of light extraction divided by the number of formed peaks, and the peak height represents the average of the heights of the peaks.

표 1을 참조하면, 스핀-코팅 속도가 증가하고 광추출 조성물 내의 TiOx 졸 용액의 함량이 증가할수록 상기 피크들의 너비가 감소함을 알 수 있다. 또한 상기 스핀-코팅 속도가 증가할수록 상기 피크들의 높이가 감소함을 알 수 있다. 이는 상기 스핀-코팅 속도가 증가하고 상기 TiOx 졸 용액의 함량이 증가할수록 상기 광추출 조성물에 포함된 용매의 증발 속도가 빨라지는 현상에 기인한 것으로 추정된다. 특히, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의 부피가 65%(조성물 1)이고, 스핀-코팅 속도가 5000rpm 이상일 때, 상기 광추출층은 2차원의 망상 형태의 요철 또는 주름 구조를 나타내었다.
Referring to Table 1, it can be seen that the width of the peaks decreases as the spin-coating rate increases and the content of the TiOx sol solution in the light extraction composition increases. In addition, it can be seen that the height of the peaks decreases as the spin-coating speed increases. This is presumably due to the phenomenon that the evaporation rate of the solvent included in the light extraction composition increases as the spin-coating rate increases and the content of the TiOx sol solution increases. Particularly, when the volume of the TiOx sol solution is 65% (composition 1) with respect to the total volume of the light extraction composition, and the spin-coating speed is 5000 rpm or more, the light extraction layer has a two-dimensional network-like irregularities or wrinkles. Indicated.

광추출층을 포함한 OLED 장치의 발광특성 평가Evaluation of emission characteristics of OLED device including light extraction layer

ITO 층이 전면에 코팅된 유리 기판(1 inch x 1 inch) 기판을 준비하였다. 상기 유리 기판의 배면을 약 10분간 산소 플라즈마로 처리함으로써 세정하였다. 조성물 2(혼합비 40:60)를 사용하여 각각 4000rpm, 4500rpm 및 5000rpm의 회전 속도로 상기 유리 기판의 상기 배면 상에 광추출층을 스핀-코팅한 샘플들을 제조하였다. 또한 상기 광추출층이 형성되지 않은 참조(reference) 샘플을 제조하였다. 제조된 4개의 샘플들은 약 70℃의 컨벡션 오븐(convection oven)에서 약 10분간 저장되었다. 이후, 상기 ITO 층의 상면을 초음파 세척기 내에서 아세톤 및 이소프로필 알코올을 사용하여 세정함으로써, 상기 스핀-코팅 공정에서 발생할 수 있는 오염물을 제거하였다. 또한, 상기 ITO층의 상면을 10분간 오존 분위기에서 UV 처리하였다. 상기 각 샘플들의 상기 ITO층 상에 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 양극층을 형성하여 4개의 OLED 장치 샘플들을 제조하였다.A glass substrate (1 inch x 1 inch) substrate with an ITO layer coated on the front surface was prepared. The back surface of the glass substrate was cleaned by treatment with oxygen plasma for about 10 minutes. Samples were prepared by spin-coating a light extraction layer on the back side of the glass substrate using composition 2 (mixing ratio 40:60) at rotational speeds of 4000 rpm, 4500 rpm and 5000 rpm, respectively. In addition, a reference sample was prepared in which the light extraction layer was not formed. The four samples prepared were stored for about 10 minutes in a convection oven at about 70 ° C. Thereafter, the top surface of the ITO layer was cleaned using acetone and isopropyl alcohol in an ultrasonic cleaner to remove contaminants that may occur in the spin-coating process. In addition, the upper surface of the ITO layer was UV treated for 10 minutes in an ozone atmosphere. Four OLED device samples were prepared by forming a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer and an anode layer on the ITO layer of each of the samples.

상기 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 양극층은 각각 NPB, Alq3, LiF 및 Al을 사용하여 열 증착 공정을 통해 수득하였다. 수득된 상기 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 양극층의 두께는 각각 40nm, 50nm, 0.5nm 및 100nm로 측정되었다.The hole transport layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the anode layer were obtained through a thermal deposition process using NPB, Alq 3 , LiF and Al, respectively. The obtained thicknesses of the hole transport layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the anode layer were measured at 40 nm, 50 nm, 0.5 nm and 100 nm, respectively.

상술한 공정에 의해 제조된 상기 OLED 장치 샘플들의 발광 특성 또는 발광 효율을 Keithley 2400 source 측정 유닛을 사용하여 계측하였다.The luminescence properties or luminescence efficiencies of the OLED device samples produced by the process described above were measured using a Keithley 2400 source measurement unit.

도 10a 및 도 10b는 스핀-코팅 속도의 변화에 따른 OLED 장치의 발광 특성을 나타내는 그래프이다. 10A and 10B are graphs showing light emission characteristics of OLED devices according to changes in spin-coating speeds.

도 10a를 참조하면, 상기 광추출층이 형성된 3개의 상기 OLED 장치 샘플들 모두 참조(Reference) 샘플보다, 동일한 전류 밀도(Current Density)에서 높은 휘도(Luminance)를 보임을 알 수 있다. 이는 상기 광추출층에 의해 상기 발광층에서 생성된 보다 많은 광이 상기 OLED 장치 샘플들의 외부로 추출되었음을 의미한다. Referring to FIG. 10A, it can be seen that all three OLED device samples in which the light extraction layer is formed show higher luminance at the same current density than the reference sample. This means that more light generated in the light emitting layer by the light extraction layer has been extracted outside of the OLED device samples.

추가적으로, 도 10a의 좌측 상단 그래프에 표시된 바와 같이, 4개의 샘플들 모두 유사한 전압-전류밀도 곡선을 보였다. 즉, 상기 광추출층이 추가되더라도 기본적인 전류-전압 특성을 변동시키지 않음을 알 수 있다.Additionally, as shown in the upper left graph of FIG. 10A, all four samples showed similar voltage-current density curves. That is, even if the light extraction layer is added it can be seen that does not change the basic current-voltage characteristics.

도 10b를 참조하면, 상기 광추출층이 형성된 3개의 상기 OLED 장치 샘플들 모두 참조(Reference) 샘플보다 동일한 휘도(Luminance)에서 높은 발광 효율(Luminous) 및 외부 양자 효율(External quantum efficiency)를 보임을 알 수 있다. 참조 샘플은 5000cd/m2의 휘도에서 약 3.55cd/A의 발광 효율을 나타내나, 상기 광추출층이 형성된 샘플들은 5000cd/m2의 휘도에서 약 4.05cd/A 까지의 발광 효율을 기록하였다. Referring to FIG. 10B, all three OLED device samples in which the light extraction layer is formed show higher luminous efficiency and external quantum efficiency at the same luminance as a reference sample. Able to know. The reference sample showed a light emission efficiency of about 3.55 cd / A at a luminance of 5000 cd / m 2 , but the samples having the light extraction layer recorded a light emission efficiency of up to about 4.05 cd / A at a luminance of 5000 cd / m 2 .

추가적으로, 도 10a 및 도 10b에 나타난 바와 같이, 5000rpm으로 제조된 OLED 장치 샘플이 전체적으로 가장 우수한 휘도, 발광 효율 및/또는 외부 양자 효율을 갖는 것을 확인할 수 있다. 즉, 스핀-코팅 속도를 증가시킴으로써, 상기 광추출층의 요철 또는 주름 구조를 보다 미세하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 광추출 효과도 증가할 수 있음을 알 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 10A and 10B, it can be seen that an OLED device sample manufactured at 5000 rpm has the best overall luminance, luminous efficiency and / or external quantum efficiency. That is, by increasing the spin-coating speed, it can be seen that the uneven or wrinkled structure of the light extraction layer can be formed more finely, and thus the light extraction effect can be increased.

한편, 스핀-코팅 속도는 5000rpm으로 고정하고, SiO2 졸 용액의 함량이 각각 35%(조성물 1), 40%(조성물 2) 및 45%(조성물 3)인 광추출 조성물들을 사용하여, 상술한 공정 및/또는 물질들과 실질적으로 동일한 공정 및/또는 물질들을 사용하여 3개의 OLED 장치 샘플들을 제조하였다, 참조 샘플은 상술한 바와 같다.On the other hand, the spin-coating speed is fixed at 5000rpm, using the light extraction compositions of the content of SiO 2 sol solution 35% (composition 1), 40% (composition 2) and 45% (composition 3), respectively, Three OLED device samples were prepared using processes and / or materials substantially the same as the process and / or materials, the reference sample as described above.

도 11a 및 도 11b는 SiO2 졸 용액의 함량 변화에 따른 OLED 장치의 발광 특성을 나타내는 그래프이다. 11A and 11B are graphs illustrating light emission characteristics of OLED devices according to changes in content of SiO 2 sol solution.

도 11a를 참조하면, 상기 광추출층이 형성된 3개의 상기 OLED 장치 샘플들 모두 참조(Reference) 샘플보다, 동일한 전류 밀도(Current Density)에서 높은 휘도(Luminance)를 보임을 알 수 있다. Referring to FIG. 11A, it can be seen that all three OLED device samples in which the light extraction layer is formed show higher luminance at the same current density than the reference sample.

도 11b를 참조하면, 상기 광추출층이 형성된 3개의 상기 OLED 장치 샘플들 모두 참조(Reference) 샘플보다 동일한 휘도(Luminance)에서 높은 발광 효율(Luminous) 및 외부 양자 효율(External quantum efficiency)를 보임을 알 수 있다. Referring to FIG. 11B, all three OLED device samples in which the light extraction layer is formed show higher luminous efficiency and external quantum efficiency at the same luminance as a reference sample. Able to know.

추가적으로, 도 11a 및 도 11b에 나타난 바와 같이, SiO2 졸 용액의 함량이 35%로 가장 낮은 조성물 1을 사용한 OLED 장치 샘플이 전체적으로 가장 우수한 휘도, 발광 효율 및/또는 외부 양자 효율을 갖는 것을 확인할 수 있다. 즉, TiOx 졸 용액의 함량이 높아질수록 상기 광추출층의 요철 또는 주름 구조를 보다 미세하게 형성할 수 있으며, 이에 따라 광추출 효과도 증가할 수 있음을 알 수 있다.Additionally, as shown in FIGS. 11A and 11B, it can be seen that the OLED device samples using Composition 1 having the lowest content of SiO 2 sol solution at 35% had the best overall brightness, luminous efficiency and / or external quantum efficiency. have. That is, as the content of the TiOx sol solution increases, it can be seen that the uneven or wrinkled structure of the light extraction layer can be formed more finely, and thus the light extraction effect can be increased.

도 12a 및 도 12b는 예시적인 실시예들에 따른 광추출층을 포함하는 OLED 장치의 발광 강도 스펙트럼을 나타내는 그래프들이다.12A and 12B are graphs showing emission intensity spectra of an OLED device including a light extraction layer according to exemplary embodiments.

구체적으로, 도 12a는 175mA/cm2 전류밀도에서 OLED 장치의 회전 각도에 따라 변화하는 정규화된 발광 강도(Normalized intensity)의 그래프들을 나타낸다. 검은 사각형으로 연결된 곡선은 광추출층이 형성되지 않은 종래의 OLED 장치의 방사 패턴 그래프이다. 삼각형으로 연결된 곡선은 예시적인 실시예들에 따른 광추출을 포함하는 OLED 장치를 상기 광추출층에 수직한 축을 따라 회전하면서 측정된 방사 패턴의 그래프이다. 원으로 연결된 곡선은 예시적인 실시예들에 따른 광추출을 포함하는 OLED 장치를 상기 광추출층에 평행한 축을 따라 회전하면서 측정된 방사 패턴의 그래프이다.Specifically, FIG. 12A shows graphs of normalized intensity varying with the rotation angle of the OLED device at 175 mA / cm 2 current density. The curve connected by the black squares is a radiation pattern graph of a conventional OLED device in which no light extraction layer is formed. The curves connected by triangles are graphs of radiation patterns measured while rotating an OLED device comprising light extraction according to exemplary embodiments along an axis perpendicular to the light extraction layer. The curve connected by the circle is a graph of the radiation pattern measured while rotating an OLED device comprising light extraction according to exemplary embodiments along an axis parallel to the light extraction layer.

도 12a에 도시된 바와 같이, 상기 광추출층에 수직한 축을 따라 회전시키며 측정한 방사패턴은 종래 OLED 장치의 방사 패턴과 유사한 형상을 나타내나, 상기 광추출층에 평행한 축을 따라 회전시키며 측정한 방사패턴은 종래 OLED 장치의 방사패턴보다 향상된 발광 강도를 나타냄을 확인할 수 있다. 즉, 시야각 변화에 따라 상기 광추출층에 의해 발광층에서 생성된 보다 많은 광이 OLED 장치외부로 추출되었음을 알 수 있다.As shown in FIG. 12A, the radiation pattern measured while rotating along an axis perpendicular to the light extraction layer has a shape similar to that of a conventional OLED device, but measured by rotating along an axis parallel to the light extraction layer. It can be seen that the radiation pattern exhibits improved emission intensity than the radiation pattern of the conventional OLED device. That is, it can be seen that more light generated in the light emitting layer by the light extraction layer is extracted outside the OLED device according to the change of viewing angle.

도 12b는 파장 변화에 따라 상대 발광 광도(Relative EL intensity)의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 예시적인 실시예들에 따른 광추출층이 형성된 OLED 장치(w/ pattern으로 표시됨) 및 상기 광추출층을 포함하지 않는 종래의 OLED 장치(w/o pattern으로 표시됨)의 발광 강도가 0, 30, 60ㅀ의 시야각들에서 각각 표시되었다.12B is a graph illustrating a spectrum of relative EL intensity according to wavelength change. The emission intensity of the OLED device (shown with w / pattern) and the conventional OLED device (shown with w / o pattern) not including the light extracting layer according to the exemplary embodiments is 0, 30, Each was shown at 60 ° viewing angles.

도 12b에 표시된 바와 같이, 상기 광추출층이 형성됨에 따라 동일 시야각 및 동일 파장에서 발광 강도는 증가하나, 스펙트럼의 형상은 유사한 모양으로 유지됨을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 광추출층 도입에 의해 상기 OLED 장치의 기본적인 발광 특성은 유지하면서, 광추출효율 또는 양자 효율을 증가시킬 수 있음을 알 수 있다. As shown in FIG. 12B, as the light extracting layer is formed, the emission intensity increases at the same viewing angle and the same wavelength, but the shape of the spectrum is maintained in a similar shape. Therefore, it can be seen that by introducing the light extraction layer, the light extraction efficiency or the quantum efficiency can be increased while maintaining the basic light emission characteristics of the OLED device.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 스핀-코팅 공정을 통해 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 혼합물을 사용하여 요철 또는 주름 구조의 광추출층을 포함하는 OLED 장치를 제조할 수 있다. 따라서, 식각 또는 임프린팅 공정 없이도 단순한 증착 공정만으로 OLED 장치의 발광 특성을 향상시키는 상기 광추출층을 형성할 수 있다. 상기 광추출층은 OLED 장치 뿐만 아니라, 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 표시 장치들에 채용될 수도 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, an OLED device including an uneven or corrugated light extraction layer may be manufactured using a mixture of SiO 2 sol solution and TiOx sol solution through a spin-coating process. Therefore, the light extraction layer may be formed to improve the light emitting characteristics of the OLED device by a simple deposition process without an etching or imprinting process. The light extraction layer may be employed in various display devices such as an LCD device, a liquid crystal display device, a plasma display device, and the like.

상술한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood that the invention may be modified and varied without departing from the scope of the invention.

100:기판 110:제1 전극
115 : 예비 광추출층 120:광추출층
130 : 유기층 140:제2 전극
100: substrate 110: first electrode
115: preliminary light extraction layer 120: light extraction layer
130: organic layer 140: second electrode

Claims (15)

실리케이트(SiO2) 졸 용액 및 티타늄 산화물(TiOx) 졸 용액을 혼합하여 광추출 조성물을 제조하는 단계; 및
상기 광추출 조성물을 사용하여 스핀-코팅 공정을 통해 투명 기판 상에 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층을 형성하는 단계를 포함하는 광추출층의 형성 방법.
Preparing a light extraction composition by mixing a silicate (SiO 2 ) sol solution and a titanium oxide (TiOx) sol solution; And
Forming a light extraction layer comprising the step of forming a light extraction layer having a wrinkled or uneven structure on the transparent substrate through a spin-coating process using the light extraction composition.
제1항에 있어서, 상기 SiO2 졸 용액은 TEOS(tetraethyl orthosilicate)를 알코올 용매에 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법.The method of claim 1, wherein the SiO 2 sol solution is prepared by mixing TEOS (tetraethyl orthosilicate) with an alcohol solvent. 제1항에 있어서, 상기 TiOx 졸 용액은 티타늄 알콕사이드계 화합물을 알코올 용매에 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법.The method of claim 1, wherein the TiOx sol solution is prepared by mixing a titanium alkoxide compound in an alcohol solvent. 제1항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대하여 상기 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 부피비는 30:70 내지 50:50 범위인 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법.The method of claim 1, wherein the volume ratio of the SiO 2 sol solution and the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is in the range of 30:70 to 50:50. 제4항에 있어서, 상기 스핀-코팅 공정은 3500rpm 내지 5500rpm 범위의 회전 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법. The method of claim 4, wherein the spin-coating process is performed at a rotation speed in the range of 3500 rpm to 5500 rpm. 제5항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 65% 이상이고 상기 회전 속도가 5000rpm 이상일 때, 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조는 2차원의 그물 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법.According to claim 5, When the volume ratio of the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is 65% or more and the rotational speed is 5000rpm or more, the corrugated or uneven structure of the light extraction layer has a two-dimensional mesh shape Method for forming a light extraction layer, characterized in that having a. 제5항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소하는 것을 특징으로 하는 광추출의 형성 방법.The method of claim 5, wherein the width of the wrinkled or uneven structure of the light extraction layer decreases as the volume ratio of the TiOx sol solution increases with respect to the total volume of the light extraction composition. 제5항에 있어서, 상기 회전속도가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소하는 것을 특징으로 하는 광추출층의 형성 방법.The method of claim 5, wherein the width of the wrinkled or uneven structure of the light extraction layer decreases as the rotation speed increases. 전면에 제1 전극이 형성된 투명 기판을 준비하는 단계;
상기 투명 기판의 배면 상에 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액을 혼합한 광추출 조성물을 사용하여 스핀-코팅 공정을 통해 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 전극 상에 순차적으로 유기층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Preparing a transparent substrate having a first electrode formed on a front surface thereof;
Forming a light extraction layer having a wrinkled or uneven structure through a spin-coating process by using a light extraction composition mixed with a SiO 2 sol solution and a TiOx sol solution on a rear surface of the transparent substrate; And
And sequentially forming an organic layer and a second electrode on the first electrode.
제9항에 있어서, 상기 SiO2 졸 용액은 TEOS를 알코올 용매에 혼합하여 제조되며, 상기 TiOx 졸 용액은 티타늄 알콕사이드계 화합물을 알코올 용매에 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 9, wherein the SiO 2 sol solution is prepared by mixing TEOS with an alcohol solvent, and the TiOx sol solution is prepared by mixing a titanium alkoxide compound with an alcohol solvent. . 제9항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대하여 상기 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액의 부피비는 30:70 내지 50:50 범위이고, 상기 스핀-코팅 공정의 회전 속도는 3500rpm 내지 5500rpm 범위인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The volume ratio of the SiO 2 sol solution and TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is in the range of 30:70 to 50:50, and the rotational speed of the spin-coating process is in the range of 3500 rpm to 5500 rpm. A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that. 제11항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 증가하거나, 상기 회전 속도가 증가할수록 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조의 너비가 감소하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of claim 11, wherein the volume ratio of the TiOx sol solution with respect to the total volume of the light extraction composition, or as the rotational speed is increased, the width of the wrinkled or uneven structure of the light extraction layer is reduced A method of manufacturing an organic light emitting display device. 제11항에 있어서, 상기 광추출 조성물 총 부피에 대해서 상기 TiOx 졸 용액의의 부피비가 65% 이상이고 상기 회전 속도가 5000rpm 이상일 때, 상기 광추출층의 상기 주름 또는 요철 구조는 2차원의 그물 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.12. The method of claim 11, wherein when the volume ratio of the TiOx sol solution to the total volume of the light extraction composition is 65% or more and the rotational speed is 5000rpm or more, the corrugated or uneven structure of the light extraction layer has a two-dimensional mesh shape The manufacturing method of the organic light emitting display device characterized by having. 제9항에 있어서, 상기 광추출층을 형성하는 단계 이전에 상기 투명 기판의 상기 배면을 산소 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 9, further comprising oxygen plasma treating the back surface of the transparent substrate before forming the light extraction layer. 전면에 제1 전극이 형성된 투명 기판;
상기 투명 기판의 배면 상에 SiO2 졸 용액 및 TiOx 졸 용액을 포함하는 광추출 조성물을 스핀-코팅하여 형성된 주름 또는 요철 구조를 갖는 광추출층;
상기 제1 전극 상에 형성된 유기층; 및
상기 유기층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
A transparent substrate having a first electrode formed on a front surface thereof;
A light extraction layer having a wrinkled or uneven structure formed by spin-coating a light extraction composition comprising a SiO 2 sol solution and a TiOx sol solution on a rear surface of the transparent substrate;
An organic layer formed on the first electrode; And
An organic light emitting display device comprising a second electrode formed on the organic layer.
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