JP2008084910A - Organic el display - Google Patents

Organic el display Download PDF

Info

Publication number
JP2008084910A
JP2008084910A JP2006260132A JP2006260132A JP2008084910A JP 2008084910 A JP2008084910 A JP 2008084910A JP 2006260132 A JP2006260132 A JP 2006260132A JP 2006260132 A JP2006260132 A JP 2006260132A JP 2008084910 A JP2008084910 A JP 2008084910A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
display device
compound
electron injection
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006260132A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yojiro Matsuda
陽次郎 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2006260132A priority Critical patent/JP2008084910A/en
Publication of JP2008084910A publication Critical patent/JP2008084910A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display in which light extraction efficiency of an organic EL element developing each luminescent color can be enhanced without causing elevation in voltage or deterioration in emission efficiency. <P>SOLUTION: In the organic EL display where a plurality of organic EL elements developing different luminescent colors are arranged, the organic EL element having a peak wavelength of EL emission not less than 500 nm includes an electron injection layer consisting of a mixture layer of an organic compound and a metal or a metal compound, and the organic EL element having a peak wavelength of EL emission less than 500 nm includes an electron injection layer consisting of a thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター等に用いられる有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device used for a flat panel display, a projection display, a printer, and the like.

有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)が現在盛んに研究開発されている。このような有機EL素子では電子注入効率を向上させるために、アルミニウム・リチウム合金やマグネシウム・銀合金を陰極に用いることが知られている。また、陰極と接する電子注入層にリチウムやフッ化リチウム、酸化マグネシウム、フッ化カリウムなどの誘電体を極めて薄く(5〜10Å)挿入することも知られている。   Organic EL elements (organic electroluminescence elements) are currently being actively researched and developed. In such an organic EL element, it is known to use an aluminum / lithium alloy or a magnesium / silver alloy for the cathode in order to improve the electron injection efficiency. It is also known that a dielectric such as lithium, lithium fluoride, magnesium oxide, or potassium fluoride is inserted very thinly (5 to 10 mm) into the electron injection layer in contact with the cathode.

特許文献1には、ドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する金属を有する電子注入層(10〜3000Å)が陰極に接するように設けられている構成が開示されている。このドナードーパントとして用いられる金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類を含む遷移金属等が開示されている。   Patent Document 1 discloses a configuration in which an electron injection layer (10 to 3000 mm) having a metal that functions as a donor (electron donating) dopant is provided in contact with the cathode. As the metal used as the donor dopant, alkali metals, alkaline earth metals, transition metals including rare earths, and the like are disclosed.

特許文献2には、金属酸化物あるいは金属塩をドーパントとして有する電子注入層(10〜2000Å)が陰極に接するように設けられている構成が開示されている。   Patent Document 2 discloses a configuration in which an electron injection layer (10 to 2000 mm) having a metal oxide or metal salt as a dopant is provided in contact with a cathode.

一方で、有機EL素子の光取り出し効率を向上させる取り組みがなされている。特許文献3には、発光界面から金属電極の界面までの光学距離が波長の1/4の奇数倍と略等しくなるような膜厚で、発光層から金属電極に接するまでの有機化合物層が成膜されている構成が開示されている。このような構成により、発光される光と金属電極で反射されて戻る光との光干渉を最大とすることで光取り出し効率が向上する。   On the other hand, efforts are being made to improve the light extraction efficiency of organic EL elements. In Patent Document 3, an organic compound layer from the light emitting layer to the metal electrode is formed in such a film thickness that the optical distance from the light emitting interface to the metal electrode interface is substantially equal to an odd multiple of 1/4 of the wavelength. A filmed configuration is disclosed. With such a configuration, the light extraction efficiency is improved by maximizing the optical interference between the emitted light and the light reflected and returned by the metal electrode.

特許文献4には、陽極と陰極との光学距離が波長の1/2の整数倍と等しくなるような膜厚で、有機化合物層が成膜されている構成が開示されている。このような構成により、陽極と陰極との間で反射する光が互いに強め合う関係の共振器構造となり、光取り出し効率が向上する。   Patent Document 4 discloses a configuration in which the organic compound layer is formed with a film thickness such that the optical distance between the anode and the cathode is equal to an integral multiple of ½ of the wavelength. With such a configuration, a resonator structure in which the light reflected between the anode and the cathode strengthens each other is obtained, and the light extraction efficiency is improved.

特開平10−270171号公報JP-A-10-270171 特開平10−270172号公報JP-A-10-270172 特開2000−323277号公報JP 2000-323277 A 特開平4−132189号公報JP-A-4-132189

干渉効果を利用して光取り出し効率を向上させる場合、発光波長が異なるRBGの各有機EL素子において最適な膜厚が異なる。一般的に、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の膜厚を塗り分けることで各色の光取り出し効率を向上させている。   When the light extraction efficiency is improved using the interference effect, the optimum film thickness is different for each organic EL element of RBG having a different emission wavelength. Generally, the light extraction efficiency of each color is improved by coating the film thicknesses of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer.

しかし、一般的に膜厚が厚くなるほど電子・ホール輸送性が低くなる傾向にあり、特にピーク波長が他の色よりも長い赤色有機EL素子では膜厚が厚くなる分だけ高電圧化してしまう。更には、最適なキャリアバランスを崩して発光効率の低下を起こしてしまう課題がある。   However, in general, as the film thickness increases, the electron / hole transportability tends to decrease. In particular, in a red organic EL element having a longer peak wavelength than other colors, the voltage increases as the film thickness increases. Furthermore, there is a problem that the optimal carrier balance is lost and the luminous efficiency is lowered.

本発明の目的は、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく、各発光色を呈する有機EL素子の光取り出し効率を向上させることができる有機EL表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of improving the light extraction efficiency of an organic EL element exhibiting each emission color without causing an increase in voltage or a decrease in light emission efficiency.

上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項1に記載した発明に係る有機EL表示装置は、
異なる発光色を呈する有機EL素子が複数配置されてなる有機EL表示装置において、
EL発光のピーク波長が500nm以上の有機EL素子は、電子注入層が有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなり、
EL発光のピーク波長が500nm以下の有機EL素子は、電子注入層がアルカリ金属、又はアルカリ土類金属、又はアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物の薄膜からなることを特徴とする。
As means for solving the problems of the background art, an organic EL display device according to the invention described in claim 1 is:
In an organic EL display device in which a plurality of organic EL elements exhibiting different emission colors are arranged,
In the organic EL device having a peak wavelength of EL emission of 500 nm or more, the electron injection layer is a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound,
An organic EL device having an EL emission peak wavelength of 500 nm or less is characterized in that the electron injection layer is made of a thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound.

本発明によれば、EL発光のピーク波長が500nm以上の有機EL素子の電子注入層が、有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる。そのため、ドープ濃度を制御することによって高電圧化することなく膜厚をある程度自由に設定することができる。特に光学的に最適な膜厚が厚くなる赤色有機EL素子において、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく光取り出し効率を向上させることが出来る。   According to the present invention, the electron injection layer of the organic EL device having a peak wavelength of EL emission of 500 nm or more is composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound. Therefore, by controlling the doping concentration, the film thickness can be set freely to some extent without increasing the voltage. In particular, in a red organic EL element having an optically optimum film thickness, the light extraction efficiency can be improved without causing a high voltage or a decrease in light emission efficiency.

また、EL発光のピーク波長が500nm以下の有機EL素子の電子注入層は、アルカリ(土類)金属、又はアルカリ(土類)金属化合物の薄膜からなる。そのため、極めて薄膜(5〜10Å)にできるため、他の有機化合物層の膜厚を必要以上に薄くする必要がなくなる。特に光学的に最適な膜厚が薄くなる青色有機EL素子において、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく光取り出し効率を向上させることが出来る。   In addition, the electron injection layer of the organic EL element having a peak wavelength of EL emission of 500 nm or less is made of a thin film of an alkali (earth) metal or an alkali (earth) metal compound. Therefore, since it can be made extremely thin (5 to 10 mm), it is not necessary to make the film thickness of the other organic compound layers unnecessarily thin. In particular, in a blue organic EL element having a thin optically optimum film thickness, the light extraction efficiency can be improved without causing an increase in voltage or a decrease in light emission efficiency.

先ず、本発明者が発明に至った経緯を説明する。   First, the background of the inventor's achievement of the invention will be described.

有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる電子注入層は、10〜3000Åの範囲で電子注入が可能となる。より実用的な膜厚としては100〜1000Åが好ましい。この範囲の膜厚であればドープ濃度を制御することによって高電圧化することなく膜厚をある程度自由に設定することが可能である。このことから、本発明者が検討した結果、ピーク波長が500nm以上の有機EL素子においては、有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる電子注入層により、光学的に最適な膜厚を調整することが好ましいことを見出した。従来までのようにホール輸送層、発光層、電子輸送層のみで膜厚制御をおこなう場合には、膜厚が厚くなるとその分だけ電子・ホール輸送性が低下するため高電圧化してしまう場合がある。特に光学的に最適な膜厚が厚くなる赤色有機EL素子では高電圧化してしまう場合がある。更には、最適なキャリアバランスを崩して発光効率の低下を起こしてしまう場合がある。   An electron injection layer composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound can inject electrons in the range of 10 to 3000 mm. A more practical film thickness is preferably 100 to 1000 mm. If the film thickness is within this range, the film thickness can be freely set to some extent by controlling the doping concentration without increasing the voltage. From this, as a result of the study by the present inventors, in an organic EL device having a peak wavelength of 500 nm or more, an electron injection layer composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound has an optically optimum film thickness. It has been found that adjustment is preferable. When film thickness control is performed only with a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer as in the past, when the film thickness is increased, the electron / hole transportability is reduced by that amount, which may increase the voltage. is there. In particular, a red organic EL element having an optically optimum film thickness may increase the voltage. Furthermore, the optimal carrier balance may be lost, leading to a decrease in luminous efficiency.

しかし一方で、ピーク波長が500nm以下の有機EL素子においては、光学的に最適な膜厚が薄いため、アルカリ(土類)金属、又はアルカリ(土類)金属化合物の薄膜からなる電子注入層を用いることが好ましい。前記電子注入層を極めて薄膜(5〜10Å)にできるため、他の有機化合物層(ホール輸送層、発光層、電子輸送層)の膜厚を必要以上に薄くする必要がなくなり、材料選択の自由度が高くなる。各有機材料は最適な膜厚以下に薄くなると、電気的特性や膜性が変化して、低効率化や寿命劣化を引き起こしてしまう場合がある。   However, on the other hand, in an organic EL element having a peak wavelength of 500 nm or less, since the optically optimal film thickness is thin, an electron injection layer made of a thin film of an alkali (earth) metal or an alkali (earth) metal compound is provided. It is preferable to use it. Since the electron injection layer can be made extremely thin (5 to 10 mm), it is not necessary to reduce the film thickness of other organic compound layers (hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer) more than necessary, and freedom of material selection The degree becomes higher. When each organic material becomes thinner than the optimum film thickness, the electrical characteristics and film properties may change, resulting in a reduction in efficiency and a decrease in life.

また、本発明者が検討した結果、有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる電子注入層は材料の組み合わせによって、500nm以下のスペクトルを吸収する着色を呈する場合があった。有機化合物と金属との間で金属錯体を形成することで、着色を呈する場合があると考えられる。前記電子注入層のスペクトル吸収による輝度低下を回避するために、ピーク波長が500nm以下の有機EL素子においては、アルカリ(土類)金属、又はアルカリ(土類)金属化合物の薄膜の電子注入層を形成することが好ましいことを見出した。   Further, as a result of investigation by the present inventors, an electron injection layer composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound sometimes exhibits a color that absorbs a spectrum of 500 nm or less depending on the combination of materials. It is thought that coloring may be exhibited by forming a metal complex between an organic compound and a metal. In order to avoid a decrease in luminance due to spectral absorption of the electron injection layer, in an organic EL device having a peak wavelength of 500 nm or less, an electron injection layer of a thin film of an alkali (earth) metal or an alkali (earth) metal compound is provided. It has been found that it is preferable to form.

<実施形態1>
以下、図1を参照して本発明の有機EL表示装置の第1の実施形態について説明する。
<Embodiment 1>
Hereinafter, a first embodiment of the organic EL display device of the present invention will be described with reference to FIG.

図1に示す有機EL表示装置は、基板1上に、透明性陽極22、ホール輸送層3、発光層4、電子輸送層5、電子注入層6(61A、62A、63B)、反射性陰極71を設けた構成の赤(R)、緑(G)、青(B)の有機EL素子を備えている。発光層4は各有機EL素子の発光色に対応して、R発光層41、G発光層42、B発光層43に塗り分けられている。この有機EL素子に電流を通電することで、透明性陽極22から注入されたホールと反射性陰極71から注入された電子が発光層4において再結合し発光を生じる。   The organic EL display device shown in FIG. 1 has a transparent anode 22, a hole transport layer 3, a light emitting layer 4, an electron transport layer 5, an electron injection layer 6 (61 A, 62 A, 63 B), a reflective cathode 71 on a substrate 1. The organic EL elements of red (R), green (G), and blue (B) are provided. The light emitting layer 4 is separately applied to the R light emitting layer 41, the G light emitting layer 42, and the B light emitting layer 43 corresponding to the light emission color of each organic EL element. By passing a current through the organic EL element, the holes injected from the transparent anode 22 and the electrons injected from the reflective cathode 71 are recombined in the light emitting layer 4 to emit light.

本発明の有機EL表示装置は、ピーク波長が500nm以上の有機EL素子の電子注入層が、有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる。そして、ピーク波長が500nm以下の有機EL素子の電子注入層は、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属、又はアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物の薄膜からなることを特徴とする。   In the organic EL display device of the present invention, the electron injection layer of the organic EL element having a peak wavelength of 500 nm or more is composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound. The electron injection layer of the organic EL element having a peak wavelength of 500 nm or less is characterized by comprising a thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound.

本実施形態では、R有機EL素子の電子注入層61AとG有機EL素子の電子注入層62Aが、有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなる。そのため、ドープ濃度を制御することによって高電圧化することなく膜厚をある程度自由に設定することができる。特に、本実施形態のように光学的に最適な膜厚が厚くなるR有機EL素子(ピーク波長が500nm以上)において、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく光取り出し効率を向上させることが出来る。   In this embodiment, the electron injection layer 61A of the R organic EL element and the electron injection layer 62A of the G organic EL element are composed of a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound. Therefore, by controlling the doping concentration, the film thickness can be set freely to some extent without increasing the voltage. In particular, in an R organic EL element (peak wavelength is 500 nm or more) in which an optically optimum film thickness is increased as in this embodiment, the light extraction efficiency can be improved without causing a high voltage or a decrease in light emission efficiency. I can do it.

前記電子注入層61A、62Aは、電子注入効率を向上させるために仕事関数の低い金属又はその化合物をドーパントとして用いることが好ましく、仕事関数が低い金属としてはアルカリ金属又はアルカリ土類金属又は希土類が好ましい。アルカリ金属化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易なため好ましい。例えば、アルカリ金属化合物としてセシウム化合物が好ましく、炭酸セシウムは大気中で安定であり、取り扱いが容易である。電子注入層の有機化合物としては電子輸送性の材料が好ましく、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることが出来る。   In order to improve the electron injection efficiency, the electron injection layers 61A and 62A preferably use a metal having a low work function or a compound thereof as a dopant, and the metal having a low work function may be an alkali metal, an alkaline earth metal, or a rare earth. preferable. Alkali metal compounds are preferred because they are relatively easy to handle in the atmosphere. For example, a cesium compound is preferable as the alkali metal compound, and cesium carbonate is stable in the air and easy to handle. The organic compound for the electron injection layer is preferably an electron transporting material, and a known material such as an aluminum quinolinol complex or a phenanthroline compound can be used.

B有機EL素子の電子注入層63Bは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属又はアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物の薄膜からなる。電子注入層63Bは、極めて薄膜(5〜10Å)にできるため、他の有機化合物層(ホール輸送層、発光層、電子輸送層)の膜厚を必要以上に薄くする必要がなくなる。特に本実施形態のように光学的に最適な膜厚が薄くなるB有機EL素子(ピーク波長が500nm以下)において、高電圧化や発光効率低下を引き起こすことなく光取り出し効率を向上させることが出来る。   The electron injection layer 63B of the B organic EL element is made of a thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound. Since the electron injection layer 63B can be made extremely thin (5 to 10 mm), it is not necessary to reduce the film thickness of other organic compound layers (hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer) more than necessary. In particular, in the B organic EL element (peak wavelength is 500 nm or less) in which the optimum film thickness is optically thin as in this embodiment, the light extraction efficiency can be improved without causing a high voltage or a decrease in light emission efficiency. .

前記電子注入層63Bは、フッ化リチウム(LiF)又はフッ化カリウム(KF)又は酸化マグネシウム(MgO)を用いることが好ましい。   The electron injection layer 63B is preferably made of lithium fluoride (LiF), potassium fluoride (KF), or magnesium oxide (MgO).

本実施形態の有機EL表示装置は、以下に示した2つの方法のいずれか一方、又はその両方を用いて光取り出し効率を向上させている。   In the organic EL display device of this embodiment, the light extraction efficiency is improved by using either one or both of the following two methods.

(1)発光層4の発光面と反射性陰極71との光学距離dと、EL発光波長λと、反射性陰極71での位相シフト量φ(ラジアン)とが、下記<式1>を満たすように有機化合物層が成膜されている。
<式1>
2d/λ+φ/2π=N(整数)
(1) The optical distance d between the light emitting surface of the light emitting layer 4 and the reflective cathode 71, the EL emission wavelength λ, and the phase shift amount φ (radian) at the reflective cathode 71 satisfy the following <Formula 1>. Thus, an organic compound layer is formed.
<Formula 1>
2d / λ + φ / 2π = N (integer)

このような構成により、発光される光と反射性陰極71で反射されて戻る光との光干渉が最大となり光取り出し効率が向上する。   With such a configuration, the light interference between the emitted light and the light reflected and returned by the reflective cathode 71 is maximized, and the light extraction efficiency is improved.

(2)透明性陽極22と反射性陰極71との光学距離Dと、EL発光波長λと、透明性陽極22での位相シフト量φ1(ラジアン)と、反射性陰極71での位相シフト量φ2(ラジアン)とが、下記<式2>を満たすように有機化合物層が成膜されている。
<式2>
2D/λ+(φ1+φ2)/2π=N(整数)
(2) The optical distance D between the transparent anode 22 and the reflective cathode 71, the EL emission wavelength λ, the phase shift amount φ1 (radian) at the transparent anode 22, and the phase shift amount φ2 at the reflective cathode 71 The organic compound layer is formed so that (radian) satisfies the following <formula 2>.
<Formula 2>
2D / λ + (φ1 + φ2) / 2π = N (integer)

具体的に云うと、R有機EL素子とG有機EL素子において、発光層41、42の発光界面から反射性陰極71までの光学距離が各RG発光波長の1/4の奇数倍と略等しくなるような膜厚で電子注入層61A、62Aが成膜されている。この場合、R有機EL素子のピーク波長は630nm、G有機EL素子のピーク波長は530nmである。   Specifically, in the R organic EL element and the G organic EL element, the optical distance from the light emitting interface of the light emitting layers 41 and 42 to the reflective cathode 71 is substantially equal to an odd multiple of 1/4 of each RG emission wavelength. The electron injection layers 61A and 62A are formed in such a film thickness. In this case, the peak wavelength of the R organic EL element is 630 nm, and the peak wavelength of the G organic EL element is 530 nm.

一方、B有機EL素子においては、発光層43の発光界面から反射性陰極71までの光学距離がB発光波長の1/4の奇数倍と略等しくなるような膜厚で電子輸送層5が成膜されている。この場合、B有機EL素子のピーク波長は460nmである。   On the other hand, in the B organic EL element, the electron transport layer 5 is formed with such a film thickness that the optical distance from the light emitting interface of the light emitting layer 43 to the reflective cathode 71 is substantially equal to an odd multiple of 1/4 of the B light emission wavelength. It is a membrane. In this case, the peak wavelength of the B organic EL element is 460 nm.

このような構成により、透明性陽極22と反射性陰極71との間で反射する光が互いに強め合う関係の共振器構造となり、光取り出し効率が向上する。   With such a configuration, a resonator structure in which the light reflected between the transparent anode 22 and the reflective cathode 71 intensifies each other is formed, and the light extraction efficiency is improved.

なお、実際の有機EL表示装置では、正面の光取り出し効率とトレードオフ関係にある視野角特性なども考慮して、必ずしも上記の膜厚に一致させる必要はない。   In an actual organic EL display device, it is not always necessary to match the above film thickness in consideration of a viewing angle characteristic that is in a trade-off relationship with the front light extraction efficiency.

<実施形態2>
次に、図2を参照して本発明の有機EL表示装置の第2の実施形態について説明する。
<Embodiment 2>
Next, a second embodiment of the organic EL display device of the present invention will be described with reference to FIG.

図2に示す有機EL表示装置は、上記実施形態1の有機EL表示装置と略同様の構成とされている。しかし、アルカリ(土類)金属、又はアルカリ(土類)金属化合物の薄膜の電子注入層63Bが、全ての有機EL素子の共通膜として反射性陰極71と電気的に接するように形成されている。このような構成とすることで、電子注入層63Bの成膜時にシャドーマスクを用いる必要がなく、マスクの位置合わせ等のプロセスが簡略化できるためスループットが向上するとともに、製造装置を簡略化することができる。   The organic EL display device shown in FIG. 2 has substantially the same configuration as the organic EL display device of the first embodiment. However, a thin electron injection layer 63B of an alkali (earth) metal or alkali (earth) metal compound is formed so as to be in electrical contact with the reflective cathode 71 as a common film for all organic EL elements. . With such a configuration, it is not necessary to use a shadow mask when forming the electron injection layer 63B, and a process such as mask alignment can be simplified, so that throughput is improved and a manufacturing apparatus is simplified. Can do.

なお、上記実施形態1、2では基板1上に透明性陽極22を形成した構成の一例を示したが、本発明はこの形態に限定されるものではない。基板側より陰極、有機化合物層(電子輸送層、電子注入層、発光層、ホール輸送層)、陽極の順序で構成されていても良く、電極の選択や、有機EL素子の積層順序は特に制限はない。また、本実施形態では発光を基板側から取り出すボトムエミッション型の表示装置を示しているが、基板と反対側の上部電極から取り出すトップエミッション型の表示装置へも適用できる。   In the first and second embodiments, an example of the configuration in which the transparent anode 22 is formed on the substrate 1 is shown, but the present invention is not limited to this embodiment. The cathode, organic compound layer (electron transport layer, electron injection layer, light-emitting layer, hole transport layer), and anode may be configured in this order from the substrate side. The selection of electrodes and the stacking order of organic EL elements are particularly limited. There is no. In this embodiment, a bottom emission type display device in which light emission is extracted from the substrate side is shown. However, the present invention can also be applied to a top emission type display device in which light emission is extracted from the upper electrode on the side opposite to the substrate.

また、本発明の電極は特に限定されるものではなく、透明性電極、反射性電極、半透明性電極として、ITOやIZO等の酸化物導電膜や、金、白金、銀やアルミニウム、マグネシウム等の金属やそれらの合金等、又はこれらの多層構成とすることができる。例えば、図1に示す有機EL表示装置では、透明性陽極22としてITO(膜厚120nm)を用い、反射性陰極71にアルミニウム(膜厚150nm)を用いる。   In addition, the electrode of the present invention is not particularly limited, and as a transparent electrode, a reflective electrode, a translucent electrode, an oxide conductive film such as ITO or IZO, gold, platinum, silver, aluminum, magnesium, or the like These metals, their alloys, etc., or a multilayer structure thereof. For example, in the organic EL display device shown in FIG. 1, ITO (film thickness 120 nm) is used as the transparent anode 22, and aluminum (film thickness 150 nm) is used as the reflective cathode 71.

以下、実施例に従って本発明を説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described according to examples, but the present invention is not limited thereto.

<実施例1>
図2に示すRGB3色からなる有機EL表示装置の構成を作製工程に沿って説明する。本実施例で用いる有機化合物の化学式を<化1>に示す。また、各膜厚を<表1>に示す。
<Example 1>
The configuration of the organic EL display device having three colors RGB shown in FIG. 2 will be described along the manufacturing steps. The chemical formula of the organic compound used in this example is shown in <Chemical Formula 1>. Each film thickness is shown in <Table 1>.

Figure 2008084910
Figure 2008084910

Figure 2008084910
Figure 2008084910

支持体としてのガラス基板1上に、ITOを120nmの膜厚にスパッタリング法にて形成してパターニングすることで透明性陽極22を形成する。次に、アクリル樹脂により素子分離膜(図示は省略)を形成する。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。更に、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により成膜する。   On the glass substrate 1 as a support, ITO is formed to a thickness of 120 nm by a sputtering method and patterned to form the transparent anode 22. Next, an element isolation film (not shown) is formed with acrylic resin. This is subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol (IPA) and then dried after boiling and drying. Further, after UV / ozone cleaning, an organic compound is deposited by vacuum deposition.

始めに、共通のホール輸送層3としてα−NPDを真空蒸着法にて40nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。 First, α-NPD is formed as a common hole transport layer 3 to a thickness of 40 nm by vacuum deposition. The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa and the film formation rate is 0.3 nm / sec.

次に、シャドーマスクを用いてRGBそれぞれの発光層41、42、43を成膜する。R発光層としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物Ir(piq)3とを共蒸着(重量比91:9)して膜厚30nmの発光層41を設ける。G発光層としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して膜厚30nmの発光層42を設ける。B発光層としては、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneとを共蒸着(重量比90:10)して膜厚30nmの発光層43を設ける。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01〜0.1nm/secとする。 Next, the RGB light emitting layers 41, 42, and 43 are formed using a shadow mask. As the R light emitting layer, a light emitting layer 41 having a thickness of 30 nm is provided by co-evaporating Alq3 and a light emitting compound Ir (piq) 3 as a host (weight ratio 91: 9). As the G light emitting layer, a light emitting layer 42 having a film thickness of 30 nm is provided by co-evaporating Alq3 and a light emitting compound coumarin 6 (weight ratio 99: 1) as a host. As the B light emitting layer, a light emitting layer 43 having a thickness of 30 nm is provided by co-evaporating Balq and a light emitting compound Perylene as a host (weight ratio 90:10). The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 0.01 to 0.1 nm / sec.

更に、共通の電子輸送層5としてバソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。 Further, bathophenanthroline (Bphen) is formed as a common electron transport layer 5 to a thickness of 10 nm by vacuum deposition. The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa and the film formation rate is 0.3 nm / sec.

シャドーマスクを用いてRG各色の電子注入層61A、62Aを成膜する。R電子注入層61Aとしては、ホストとしてBphenとアルカリ金属化合物のドーパントとして炭酸セシウムを40nmの厚さに成膜する。G電子注入層62Aとしては、ホストとしてBphenとアルカリ金属化合物のドーパントとして炭酸セシウムを20nmの厚さに成膜する。電子注入層61A、62Aの蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.009nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。 RG electron injection layers 61A and 62A are formed using a shadow mask. As the R electron injection layer 61A, Bphen as a host and cesium carbonate as a dopant of an alkali metal compound are formed to a thickness of 40 nm. As the G electron injection layer 62A, Bphen as a host and cesium carbonate as a dopant of an alkali metal compound are formed to a thickness of 20 nm. The degree of vacuum during the deposition of the electron injection layers 61A and 62A is 1 × 10 −4 Pa, the film formation rate is 0.009 nm / sec for cesium carbonate, and 0.3 nm / sec for Bphen.

B電子注入層63Bとしては、フッ化リチウム(LiF)の薄膜を0.5nmの厚さに、全ての有機EL素子の共通膜として成膜する。電子注入層63Bの蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01nm/secとする。 As the B electron injection layer 63B, a thin film of lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm as a common film for all organic EL elements. The degree of vacuum during the deposition of the electron injection layer 63B is 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 0.01 nm / sec.

電子注入層63B上に膜厚150nmのアルミニウム(Al)を成膜して反射性陰極71を形成する。反射性陰極71まで形成した後、窒素雰囲気中のグローブボックスにおいて、乾燥剤を入れたガラスキャップ(図示は省略)により封止をして有機EL表示装置を作製する。   A reflective cathode 71 is formed by depositing aluminum (Al) having a thickness of 150 nm on the electron injection layer 63B. After forming up to the reflective cathode 71, the glove box in a nitrogen atmosphere is sealed with a glass cap (not shown) containing a desiccant to produce an organic EL display device.

このようにして得られた有機EL表示装置に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を測定する。R有機EL素子は、印加電圧4.0Vにて電流密度20.4mA/cm2、輝度1891cd/m2、発光効率9.4cd/Aの発光特性を示す。G有機EL素子は、印加電圧3.6Vにて電流密度23.2mA/cm2、輝度2560cd/m2、発光効率11.0cd/Aの発光特性を示す。B有機EL素子は、印加電圧4.3Vにて電流密度42.0mA/cm2、輝度742cd/m2、発光効率1.8cd/Aの発光特性を示す。 A direct current voltage is applied to the organic EL display device thus obtained to measure the light emission characteristics of each color of RGB. The R organic EL element exhibits a light emission characteristic with a current density of 20.4 mA / cm 2 , a luminance of 1891 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 9.4 cd / A at an applied voltage of 4.0 V. The G organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 23.2 mA / cm 2 , a luminance of 2560 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 11.0 cd / A at an applied voltage of 3.6 V. The B organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 42.0 mA / cm 2 , a luminance of 742 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 1.8 cd / A at an applied voltage of 4.3 V.

<比較例1>
本比較例では、RGB各色の電子輸送層の膜厚を塗り分ける。本比較例の構成を図4に示す。また、各膜厚を<表2>に示す。
<Comparative Example 1>
In this comparative example, the film thicknesses of the electron transport layers of RGB colors are separately applied. The configuration of this comparative example is shown in FIG. Each film thickness is shown in <Table 2>.

Figure 2008084910
Figure 2008084910

RGB各色の電子輸送層51、52、53の膜厚をそれぞれR:50nm、G:30nm、B:10nmとして、同一の電子注入層6Bとした以外は実施例1と同様の方法で有機EL表示装置を作製する。電子注入層6Bとしては、フッ化リチウム(LiF)の薄膜を0.5nmの厚さに成膜する。   Organic EL display is performed in the same manner as in Example 1 except that the electron transport layers 51, 52, and 53 of RGB colors have the same electron injection layer 6B with R: 50 nm, G: 30 nm, and B: 10 nm, respectively. Make the device. As the electron injection layer 6B, a thin film of lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm.

実施例1と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を測定する。R有機EL素子は、印加電圧5.4Vにて電流密度20.1mA/cm2、輝度998cd/m2、発光効率5.0cd/Aの発光特性を示す。G有機EL素子は、印加電圧4.6Vにて電流密度23.1mA/cm2、輝度2260cd/m2、発光効率9.8cd/Aの発光特性を示す。B有機EL素子は、印加電圧4.3Vにて電流密度42.0mA/cm2、輝度742cd/m2、発光効率1.8cd/Aの発光特性を示す。 In the same manner as in Example 1, a direct current voltage is applied to measure the light emission characteristics of each color of RGB. The R organic EL element exhibits light emission characteristics with an applied voltage of 5.4 V, a current density of 20.1 mA / cm 2 , a luminance of 998 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 5.0 cd / A. The G organic EL element exhibits light emission characteristics with an applied voltage of 4.6 V, a current density of 23.1 mA / cm 2 , a luminance of 2260 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 9.8 cd / A. The B organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 42.0 mA / cm 2 , a luminance of 742 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 1.8 cd / A at an applied voltage of 4.3 V.

電子輸送層の膜厚のみで塗り分けた場合、実施例1と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。   When only the film thickness of the electron transport layer is applied, higher voltage and lower efficiency can be seen compared to Example 1.

<実施例2>
図3に示すRGB3色からなる有機EL表示装置の構造を作製工程に沿って説明する。本実施例で用いる有機化合物の化学式を上記<化1>に示す。また、各膜厚を<表3>に示す。
<Example 2>
The structure of the organic EL display device having three colors RGB shown in FIG. 3 will be described along the manufacturing process. The chemical formula of the organic compound used in this example is shown in the above <Chemical Formula 1>. Each film thickness is shown in <Table 3>.

Figure 2008084910
Figure 2008084910

支持体としてのガラス基板1上に、反射性陽極21としてのアルミニウム合金(AlNiNd)を100nmの膜厚にスパッタリング法にて形成してパターニングする。更に、透明性陽極22としてのIZOをスパッタリング法にて20nmの膜厚に形成してパターニングすることで陽極を形成する。次に、ポリイミド樹脂により素子分離膜(図示は省略)を形成する。これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥する。更に、UV/オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により成膜する。   On a glass substrate 1 as a support, an aluminum alloy (AlNiNd) as a reflective anode 21 is formed to a thickness of 100 nm by sputtering and patterned. Further, IZO as the transparent anode 22 is formed to a thickness of 20 nm by sputtering and patterned to form an anode. Next, an element isolation film (not shown) is formed from polyimide resin. This is subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol (IPA) and then dried after boiling and drying. Further, after UV / ozone cleaning, an organic compound is deposited by vacuum deposition.

始めに、共通のホール輸送層3としてFL03を真空蒸着法にて30nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。 First, FL03 is formed as a common hole transport layer 3 to a thickness of 30 nm by a vacuum deposition method. The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa and the film formation rate is 0.3 nm / sec.

次に、シャドーマスクを用いてRGBそれぞれの発光層41、42、43を成膜する。R発光層としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物Ir(piq)3を共蒸着(重量比91:9)して膜厚40nmの発光層41を設ける。G発光層としては、ホストとしてAlq3と発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して膜厚30nmの発光層42を設ける。B発光層としては、ホストとしてBalqと発光性化合物Peryleneと、を共蒸着(重量比90:10)して膜厚30nmの発光層43を設ける。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01〜0.1nm/secとする。 Next, the RGB light emitting layers 41, 42, and 43 are formed using a shadow mask. As the R light emitting layer, a light emitting layer 41 having a film thickness of 40 nm is provided by co-evaporating Alq3 and a light emitting compound Ir (piq) 3 as a host (weight ratio 91: 9). As the G light emitting layer, a light emitting layer 42 having a film thickness of 30 nm is provided by co-evaporating Alq3 and a light emitting compound coumarin 6 (weight ratio 99: 1) as a host. As the B light emitting layer, a light emitting layer 43 having a thickness of 30 nm is provided by co-evaporating Balq and a light emitting compound Perylene as a host (weight ratio 90:10). The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 0.01 to 0.1 nm / sec.

更に、共通の電子輸送層5としてバソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成する。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.3nm/secとする。 Further, bathophenanthroline (Bphen) is formed as a common electron transport layer 5 to a thickness of 10 nm by vacuum deposition. The degree of vacuum during vapor deposition is 1 × 10 −4 Pa and the film formation rate is 0.3 nm / sec.

シャドーマスクを用いてRG各色の電子注入層61A、62Aを成膜する。R電子注入層61Aとしては、ホストとしてBphenとアルカリ金属化合物のドーパントとして炭酸セシウムを40nmの厚さに成膜する。G電子注入層62Aとしては、ホストとしてBphenとアルカリ金属化合物のドーパントとして炭酸セシウムを20nmの厚さに成膜する。電子注入層61A、62Aの蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは炭酸セシウムを0.009nm/secとし、Bphenを0.3nm/secとする。 RG electron injection layers 61A and 62A are formed using a shadow mask. As the R electron injection layer 61A, Bphen as a host and cesium carbonate as a dopant of an alkali metal compound are formed to a thickness of 40 nm. As the G electron injection layer 62A, Bphen as a host and cesium carbonate as a dopant of an alkali metal compound are formed to a thickness of 20 nm. The degree of vacuum during the deposition of the electron injection layers 61A and 62A is 1 × 10 −4 Pa, the film formation rate is 0.009 nm / sec for cesium carbonate, and 0.3 nm / sec for Bphen.

B電子注入層63Bとしては、フッ化リチウム(LiF)の薄膜を0.5nmの厚さに、全ての有機EL素子の共通膜として成膜する。電子注入層63Bの蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜レートは0.01nm/secとする。 As the B electron injection layer 63B, a thin film of lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm as a common film for all organic EL elements. The degree of vacuum during the deposition of the electron injection layer 63B is 1 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 0.01 nm / sec.

電子注入層63上に膜厚10nmの銀マグネシウム合金(Ag:Mg)を成膜して半透明性(反射性)陰極71を形成する。更に、透明性陰極72としてのIZOをスパッタリング法にて60nmの膜厚に形成することで陰極を形成する。陰極まで形成した後、PV層8として窒化シリコンを1200nmの膜厚に成膜する。続いて、PV層8の上に樹脂層9として厚さ500μmのアクリル樹脂を、更に樹脂層9上に厚さ700μmのガラス板10をそれぞれ張り合わせて有機EL表示装置を作製する。   A 10 mg-thick silver magnesium alloy (Ag: Mg) is formed on the electron injection layer 63 to form a translucent (reflective) cathode 71. Further, the cathode is formed by forming IZO as the transparent cathode 72 to a film thickness of 60 nm by a sputtering method. After forming up to the cathode, a silicon nitride film is formed to a thickness of 1200 nm as the PV layer 8. Subsequently, an acrylic resin having a thickness of 500 μm is laminated as a resin layer 9 on the PV layer 8, and a glass plate 10 having a thickness of 700 μm is further laminated on the resin layer 9 to produce an organic EL display device.

このようにして得られた有機EL表示装置に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を測定する。R有機EL素子は、印加電圧4.5Vにて電流密度20.6mA/cm2、輝度2023cd/m2、発光効率9.8cd/Aの発光特性を示す。G有機EL素子は、印加電圧3.6Vにて電流密度24.0mA/cm2、輝度2704cd/m2、発光効率11.3cd/Aの発光特性を示す。B有機EL素子は、印加電圧4.6Vにて電流密度40.0mA/cm2、輝度794cd/m2、発光効率2.0cd/Aの発光特性を示す。 A direct current voltage is applied to the organic EL display device thus obtained to measure the light emission characteristics of each color of RGB. The R organic EL element exhibits a light emission characteristic with a current density of 20.6 mA / cm 2 , a luminance of 2023 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 9.8 cd / A at an applied voltage of 4.5V. The G organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 24.0 mA / cm 2 , a luminance of 2704 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 11.3 cd / A at an applied voltage of 3.6 V. The B organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 40.0 mA / cm 2 , a luminance of 794 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 2.0 cd / A at an applied voltage of 4.6 V.

<比較例2>
本比較例では、RGB各色の電子輸送層の膜厚を塗り分ける。本比較例の構成を図5に示す。また、各膜厚を<表4>に示す。
<Comparative example 2>
In this comparative example, the film thicknesses of the electron transport layers of RGB colors are separately applied. The structure of this comparative example is shown in FIG. Each film thickness is shown in <Table 4>.

Figure 2008084910
Figure 2008084910

RGB各色の電子輸送層51、52、53の膜厚をそれぞれR:50nm、G:30nm、B:10nmとして、同一の電子注入層6Bとした以外は実施例2と同様の方法で表示装置を作製する。電子注入層6Bとしては、フッ化リチウム(LiF)の薄膜を0.5nmの厚さに成膜する。   The display device was fabricated in the same manner as in Example 2 except that the electron transport layers 51, 52, and 53 for each color of RGB had the same electron injection layer 6B with R: 50 nm, G: 30 nm, and B: 10 nm, respectively. Make it. As the electron injection layer 6B, a thin film of lithium fluoride (LiF) is formed to a thickness of 0.5 nm.

実施例2と同様に直流電圧を印加してRGB各色の発光特性を測定する。R有機EL素子は、印加電圧6.0Vにて電流密度20.1mA/cm2、輝度1048cd/m2、発光効率5.2cd/Aの発光特性を示す。G有機EL素子は、印加電圧4.7Vにて電流密度23.8mA/cm2、輝度2234cd/m2、発光効率9.4cd/Aの発光特性を示す。B有機EL素子は、印加電圧4.6Vにて電流密度40.0mA/cm2、輝度794cd/m2、発光効率2.0cd/Aの発光特性を示す。 In the same manner as in Example 2, a direct current voltage is applied to measure light emission characteristics of each color of RGB. The R organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 20.1 mA / cm 2 , a luminance of 1048 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 5.2 cd / A at an applied voltage of 6.0 V. The G organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 23.8 mA / cm 2 , a luminance of 2234 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 9.4 cd / A at an applied voltage of 4.7 V. The B organic EL element exhibits light emission characteristics with a current density of 40.0 mA / cm 2 , a luminance of 794 cd / m 2 , and a light emission efficiency of 2.0 cd / A at an applied voltage of 4.6 V.

電子輸送層の膜厚のみで塗り分けた場合、実施例2と比較して、高電圧化と低効率化が見られる。   In the case of coating only by the film thickness of the electron transport layer, higher voltage and lower efficiency can be seen as compared with Example 2.

本発明の有機EL表示装置は、テレビ、携帯情報端末、携帯電話、デジタルカメラ・デジタルビデオカメラのモニタ、等に利用される可能性がある。   The organic EL display device of the present invention may be used for televisions, personal digital assistants, mobile phones, digital camera / digital video camera monitors, and the like.

本発明の実施形態1に係る有機EL表示装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態2及び実施例1に係る有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display which concerns on Embodiment 2 and Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係る有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の比較例1に係る有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display which concerns on the comparative example 1 of this invention. 本発明の比較例2に係る有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display which concerns on the comparative example 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
3 ホール輸送層
4 発光層
5 電子輸送層
6 電子注入層
8 PV層
9 樹脂層
10 ガラス板
21 反射性陽極
22 透明性陽極
41 赤色有機EL素子の発光層
42 緑色有機EL素子の発光層
43 青色有機EL素子の発光層
51 赤色有機EL素子の電子輸送層
52 緑色有機EL素子の電子輸送層
53 青色有機EL素子の電子輸送層
61A 赤色有機EL素子の電子注入層
62A 緑色有機EL素子の電子注入層
63B 青色有機EL素子の電子注入層
71 反射性(半透明性)陰極
72 透明性陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 3 Hole transport layer 4 Light emitting layer 5 Electron transport layer 6 Electron injection layer 8 PV layer 9 Resin layer 10 Glass plate 21 Reflective anode 22 Transparent anode 41 Light emitting layer of red organic EL element 42 Light emitting layer of green organic EL element 43 Light-Emitting Layer 51 of Blue Organic EL Element Electron Transport Layer 52 of Red Organic EL Element Electron Transport Layer 53 of Green Organic EL Element Electron Transport Layer 61A of Blue Organic EL Element Electron Injection Layer 62A of Red Organic EL Element Electron injection layer 63B Electron injection layer 71 of blue organic EL element Reflective (semi-transparent) cathode 72 Transparent cathode

Claims (9)

異なる発光色を呈する有機EL素子が複数配置されてなる有機EL表示装置において、
EL発光のピーク波長が500nm以上の有機EL素子は、電子注入層が有機化合物と金属又は金属化合物との混合層からなり、
EL発光のピーク波長が500nm以下の有機EL素子は、電子注入層がアルカリ金属、又はアルカリ土類金属、又はアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物の薄膜からなることを特徴とする、有機EL表示装置。
In an organic EL display device in which a plurality of organic EL elements exhibiting different emission colors are arranged,
In the organic EL device having a peak wavelength of EL emission of 500 nm or more, the electron injection layer is a mixed layer of an organic compound and a metal or a metal compound,
An organic EL device having an EL emission peak wavelength of 500 nm or less is characterized in that the electron injection layer is made of a thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound. Display device.
混合層の金属は、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属、又は希土類であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the metal of the mixed layer is an alkali metal, an alkaline earth metal, or a rare earth. 混合層の金属化合物は、アルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物、又は希土類金属化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the metal compound in the mixed layer is an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, or a rare earth metal compound. アルカリ金属化合物はセシウム化合物であることを特徴とする、請求項3に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 3, wherein the alkali metal compound is a cesium compound. セシウム化合物は炭酸セシウムであることを特徴とする、請求項4に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 4, wherein the cesium compound is cesium carbonate. 薄膜は、フッ化リチウム、又はフッ化カリウム、又は酸化マグネシウムであることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the thin film is lithium fluoride, potassium fluoride, or magnesium oxide. 薄膜は全ての有機EL素子の共通膜として陰極と電気的に接するように形成されていることを特徴とする、請求項1又は請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the thin film is formed so as to be in electrical contact with the cathode as a common film of all organic EL elements. 有機EL素子の陽極と陰極との少なくとも一方が反射性を有し、この反射性電極と発光層内の発光面との光学距離と、EL発光波長と、反射性電極での位相シフト量とは、
<式1>
2d/λ+φ/2π=N(整数)
但し、d:光学距離、λ:EL発光波長、φ(ラジアン):位相シフト量
を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。
At least one of the anode and the cathode of the organic EL element has reflectivity, and the optical distance between the reflective electrode and the light emitting surface in the light emitting layer, the EL emission wavelength, and the phase shift amount at the reflective electrode ,
<Formula 1>
2d / λ + φ / 2π = N (integer)
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein d: optical distance, λ: EL emission wavelength, and φ (radian): phase shift amount are satisfied.
有機EL素子の陽極と陰極との少なくとも一方が半透明反射性を有し、前記陽極と陰極との光学距離と、EL発光波長と、陽極での位相シフト量と、陰極での位相シフト量とは、
<式2>
2D/λ+(φ1+φ2)/2π=N(整数)
但し、D:光学距離、λ:EL発光波長、φ1(ラジアン):陽極での位相シフト量、φ2(ラジアン):陰極での位相シフト量
を満たすことを特徴とする、請求項1又は請求項8に記載の有機EL表示装置。
At least one of the anode and the cathode of the organic EL element has translucency, the optical distance between the anode and the cathode, the EL emission wavelength, the phase shift amount at the anode, and the phase shift amount at the cathode Is
<Formula 2>
2D / λ + (φ1 + φ2) / 2π = N (integer)
Wherein D: optical distance, λ: EL emission wavelength, φ1 (radian): phase shift amount at the anode, φ2 (radian): phase shift amount at the cathode are satisfied. 8. The organic EL display device according to 8.
JP2006260132A 2006-09-26 2006-09-26 Organic el display Withdrawn JP2008084910A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006260132A JP2008084910A (en) 2006-09-26 2006-09-26 Organic el display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006260132A JP2008084910A (en) 2006-09-26 2006-09-26 Organic el display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008084910A true JP2008084910A (en) 2008-04-10

Family

ID=39355490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006260132A Withdrawn JP2008084910A (en) 2006-09-26 2006-09-26 Organic el display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008084910A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101582440A (en) * 2008-05-14 2009-11-18 精工爱普生株式会社 Light emitting device and electronic apparatus
JP2013077834A (en) * 2012-12-20 2013-04-25 Canon Inc Organic luminescence element
KR20140084859A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same
CN104488106A (en) * 2012-05-25 2015-04-01 株式会社Lg化学 Organic light-emitting device and manufacturing method thereof
KR20190038781A (en) * 2019-04-01 2019-04-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277507A (en) * 2008-05-14 2009-11-26 Seiko Epson Corp Light-emitting apparatus and electronic equipment
CN101582440A (en) * 2008-05-14 2009-11-18 精工爱普生株式会社 Light emitting device and electronic apparatus
CN104488106B (en) * 2012-05-25 2017-06-09 乐金显示有限公司 Organic luminescent device and its manufacture method
CN104488106A (en) * 2012-05-25 2015-04-01 株式会社Lg化学 Organic light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2015517744A (en) * 2012-05-25 2015-06-22 エルジー・ケム・リミテッド ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US9406907B2 (en) 2012-05-25 2016-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
JP2013077834A (en) * 2012-12-20 2013-04-25 Canon Inc Organic luminescence element
KR20140084859A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same
US20170040389A1 (en) 2012-12-27 2017-02-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US10297643B2 (en) 2012-12-27 2019-05-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display including optical assistant transporting layer and method of manufacturing the same
KR102033612B1 (en) 2012-12-27 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same
KR20190038781A (en) * 2019-04-01 2019-04-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same
KR102018539B1 (en) 2019-04-01 2019-09-05 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and fabricating of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4898560B2 (en) Organic light emitting device
KR100932940B1 (en) Organic light emitting display device
JP5783780B2 (en) Display device
JP2010114428A (en) Organic electroluminescent display device
JP2009521095A (en) White light emitting organic electroluminescent device
US8183564B2 (en) Multicolor display apparatus
WO2011010696A1 (en) Organic electroluminescent element
JP2006302878A (en) Light emitting element, light emitting device equipped with light emitting element, and its manufacturing method
JP2007157691A (en) White organic electroluminescent element
JP2008218415A (en) Organic light emitting display device, and method of manufacturing the same
WO2022007177A1 (en) Organic light-emitting diode display device and manufacturing method therefor, and display panel
JP2012146764A (en) Display device
JPWO2007004563A1 (en) Organic electroluminescence device
JP5627809B2 (en) Organic EL display device
JP2012018899A (en) Organic light emitting diode device
JP2007053091A (en) Organic white color light emitting element and method of manufacturing the same
JP2006302879A (en) Light emitting element, light emitting device equipped with light emitting element, and its manufacturing method
JP4770699B2 (en) Display element
JP2008084910A (en) Organic el display
JP2008130485A (en) Organic electroluminescent device array
JP2014063829A (en) Organic el display device
CN100508242C (en) Organic electroluminescence device
US10243147B2 (en) Organic light-emitting element
US7914906B2 (en) Organic electro-luminescence device
JP2012156075A (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20091201