KR20130097245A - 이미징 장치, 상기 이미징 장치를 형성하는 방법, 및 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법 - Google Patents

이미징 장치, 상기 이미징 장치를 형성하는 방법, 및 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 적어도 하나의 감쇠 영역을 포함하는 이미징 장치. 적어도 하나의 어레이 패턴 영역 내 복수의 이미징 특징부와 적어도 하나의 감쇠 영역 내 복수의 보조 특징부는 서로 실질적으로 동일한 크기이며 실질적으로 온 피치로 형성된다. 이미징 장치를 형성하는 방법과 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법이 역시 개시된다.

Description

이미징 장치, 상기 이미징 장치를 형성하는 방법, 및 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법{IMAGING DEVICES, METHODS OF FORMING SAME, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES}
우선권 주장
이 출원은 2011년 01월 07일에 출원된 미국 특허 출원 번호 12/986,836 "IMAGING DEVICES, METHODS OF FORMING SAME, AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES"의 출원 일의 이익을 주장한다.
기술 분야
본 발명의 실시예는 포토리소그래피 공정에 관한 것이며, 더 구체적으로, 실질적으로 동일한 크기이며 실질적으로 온 피치로 형성된 어레이 특징부 및 보조 특징부(assist feature)를 갖는 이미징 장치를 이용하는 포토리소그래피 공정을 개선하는 것. 이러한 이미징 장치를 형성하는 방법, 및 이미징 장치를 이용하는 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법에 관한 것이다.
종종 집적 회로 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위해 레티클(reticle)이 사용된다. 패턴 치수가 증가할수록, 임계 치수(CD)(critical dimension) 근접 효과가 상당한 문제가 되고, 상기 근접 효과 문제를 교정하기 위한 방법이 사용된다. 광학 근접 교정(OPC)(optical proximity correction)은 근접 효과로 인한 장치의 임계 치수의 편차를 제거하는 방법이다. 상기 근접 효과는 복사선, 가령, 광이 패턴을 갖는 레티클로 투사될 때 발생한다. 산란(scattering)이라고도 특징지어질 수 있는 레티클에 의한 복사선의 회절 때문에, 복사선은 발산 및 확산된다. 회절된 광은 복수의 회절 차수를 생성하며, 광학 시스템의 렌즈에 의해 이들 모두 포착되는 것은 아니다. 상기 렌즈는 광의 일부분을 포착하며, 상기 광의 일부분은 반도체 기판의 표면으로 지향된다. 덧붙여, 반도체 기판 상의 포토레지스트 물질을 통과하는 복사선의 일부분이 아래 위치하는 반도체 기판의 표면에 의해 반사되어, 광 간섭을 초래하고, 패턴의 일부분에서 포토레지스트 물질의 과다노출을 야기하며, 이는 포토레지스트 물질에, 결함, 가령, 광학 왜곡(가령, 라운딩부(rounding))을 초래한다. OPC 방법이 이들 결함에 대해 교정하기 위해 사용되지만, 컴퓨터 소프트웨어가 광학 왜곡이 발생할 가능성이 높은 곳을 계산하기 위해 사용되어야 하기 때문에, 종래의 OPC 방법은 복잡하다. 종래의 OPC 방법은 경험 데이터에도 의존한다. 그러나 경험 기반 OPC 해결책은 성공적으로 현상되기 위해 긴 시간, 및 많은 마스크 반복을 필요로 한다.
또한 종래의 OPC 방법에서 보조 특징부, 가령, 세리프(serif) 특징부, 해머헤드(hammerhead) 특징부, 및 아웃트리거(outrigger) 특징부가 사용된다. 상기 보조 특징부는, 반도체 기판 상에 형성될 특징부에 대응하는 레티클 상의 패턴에 비해 분해능 이하 규모(sub resolution scale)로 형성된다. 종래의 보조 특징부는 반도체 기판 상에 이미징(가령, 인쇄)되지 않지만, 높은 받음각(angle of attack)으로 존재할 수 있고 광학 시스템 내 렌즈의 변부를 통과할 수 있는 회절 신호(diffractive signal)의 생성으로 인해, 이들 보조 특징부는 복사선의 추가 회절 및 산란을 야기한다. 종래의 보조 특징부는 반도체 기판 상의 특징부의 이미징을 가능하게 하지만, 스스로는 이미징에 참여하지 않기 때문에 수차(aberration)에 민감하다. 종래의 OPC 방법에서 이러한 보조 특징부를 사용함으로써, 생산과 시뮬레이션/모델링 모두에서, CD 균일성(CDU: CD uniformity) 및 CD 바이어스(CD bias) 제어에 문제가 초래된다.
마스크 제조 문제, 이미징 품질 문제, CD, 및 CDU 문제가 더 적어진 포토리소그래피 공정을 이루는 것이 바람직할 것이다.
도 1-3은 본 발명의 실시예에 따르는 이미징 장치의 평면도이며,
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따르는 반도체 장치 구조물 상에 형성된 패턴의 측면도이고,
도 5는 도 3의 이미징 장치를 이용하여 생성된, 시뮬레이트된 도즈-투-클리어 곡선(포토레지스트 두께의 함수로서의 복사선의 상대 강도)이며,
도 6은 종래 기술의 이미징 장치의 평면도이고,
도 7은 도 6의 이미징 장치를 이용해 생성된, 시뮬레이트된 도즈-투-클리어 곡선(포토레지스트 두께의 함수로서의 복사선의 상대 강도)이며,
도 8은 본 발명의 하나의 실시예에 따르는 반도체 장치 구조물 상에 형성된 패턴의 측면도이고,
도 9는 도 1의 이미징 장치를 이용해 생성된, 시뮬레이트된 도즈-투-클리어 곡선(포토레지스트 두께의 함수로서의 복사선의 상대 강도)이며,
도 10은 종래 기술의 이미징 장치의 평면도이고,
도 11은 도 10의 이미징 장치를 이용해 생성된, 시뮬레이트된 도즈-투-클리어 곡선(포토레지스트 두께의 함수로서의 복사선의 상대 강도)이며,
도 12는 도 2A 및 2B의 이미징 장치를 이용해 생성된, 시뮬레이트된 도즈-투-클리어 곡선(포토레지스트 두께의 함수로서의 복사선의 상대 강도)이고,
도 13 및 14는 본 발명의 실시예에 따르는 이미징 장치의 평면도이다.
발명의 실시 모드
반도체 장치 구조물을 형성하기 위한 이미징 장치(가령, 포토마스크, 가령, 레티클)가 개시되고, 이미징 장치를 형성하는 방법 및 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법도 개시된다. 상기 이미징 장치는 하나의 기판 상에 적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 적어도 하나의 감쇠 영역(attenuation region)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 어레이 패턴 영역은 궁극적으로 반도체 장치 구조물 상에 형성될 어레이 특징부에 대응하는 이미징 특징부를 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서, 적어도 하나의 감쇠 영역은, 대응하는 특징부가 반도체 장치 구조물 상에 형성되지 않도록, 복사선을 적어도 실질적으로 감쇠(가령, 차단)하도록 구성된 보조 특징부(assist feature)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 적어도 하나의 감쇠 영역은 대응하는 특징부가 반도체 장치 구조물 상에 형성되지 않도록 복사선을 적어도 실질적으로 감쇠(가령, 차단)하도록 구성된 보조 특징부 및 적어도 하나의 픽셀화된 구조물을 포함할 수 있다. 반도체 장치 구조물 상의 어레이 특징부는 실질적으로 서로 동일한 크기이고, 실질적으로 온 피치로 형성되는 것이 종종 바람직하다. 따라서 어레이 패턴 영역 내 이미징 특징부가 실질적으로 서로 동일한 크기이고 실질적으로 온 피치로 형성된다. 감쇠 영역 내 보조 특징부들은 실질적으로 서로 동일한 특징부 크기이며, 실질적으로 이미징 특징부와 동일한 특징부 크기 및 피치이다. 이미징 특징부 및 보조 특징부의 주기성은 반도체 장치 구조물 상에 궁극적으로 형성된 어레이 특징부로 우수한 CD 및 CDU를 제공할 수 있다.
본 발명의 이미징 장치는 상기 이미징 장치의 서로 다른 영역을 서로 다른 양의 복사선이 투과하게 한다. 보조 특징부의 주기성이 감쇠 영역에 걸쳐 일정한(가령, 균일한) 피치로 유지될 수 있기 때문에, 어레이 패턴 영역이 이미징되기 더 쉬울 수 있다. 따라서 이미징 장치를 이용하는 포토리소그래피 공정에서 광학 시스템이 (어레이 패턴 영역 내) 이미징 특징부 및 (감쇠 영역 내) 보조 특징부를 그레이 스케일(gray scale) 및 균일 필드(uniform field)로서 관찰할 수 있다. 실질적으로 동일한 크기 및 피치로 이미징 특징부 및 보조 특징부를 형성함으로써, 어레이와 주변부에 걸친 회절 일관성(diffraction consistency)이 개선된다. 덧붙여, 이미징 특징부의 이미지 품질과, 이에 따른 어레이 특징부의 이미지 품질이 유지될 수 있다. 본 발명의 이미징 장치 및 방법을 이용함으로써, 이미징, 가령, 플래시 메모리의 제작 시 채용되는 이미징이 근본적으로 개선될 수 있다.
이하에서, 본 발명의 실시예의 완전한 설명을 제공하기 위해 이미징 장치에서의 특정 상세사항, 가령, 물질 유형, 물질 두께, 및 패턴이 제공된다. 그러나 해당 분야의 통상의 기술자라면 본 발명의 실시예가 이들 구체적 상세사항 없이도 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 실제로, 본 발명의 실시예는 산업에서 채용되는 종래의 제작 기법과 함께 실시될 수 있다. 덧붙여, 이하에서 제공되는 기재는 반도체 장치를 제작하기 위한 완전한 공정 흐름을 형성하지 않는다. 이하에서 기재된 상기 반도체 장치 구조물은 완전한 반도체 장치를 형성하지 않는다. 본 발명의 실시예를 이해하기 위해 필요한 이들 공정 동작들 및 구조물만 이하에서 상세히 기재된다. 반도체 장치 구조물로부터 완전한 반도체 장치를 형성하기 위한 추가 동작이 종래의 제작 기법에 의해 수행될 수 있다.
본원에 기재된 물질은, 다르게 특정되지 않는 한, 임의의 적합한 기법, 비-제한적 예를 들면, 스핀 코팅, 블랭킷 코팅, 화학 기상 증착(CVD), 원자 층 증착(ALD), 플라스마 보강형 ALD, 또는 물리 기상 증착(PVD)에 의해 형성될 수 있다. 대안적으로, 물질은 인 시추(in situ) 성장될 수 있다. 형성될 특정 물질에 따라, 해당 분야의 통상의 기술자에 의해 물질을 증착 또는 성장시키기 위한 기법이 선택될 수 있다. 본원에 기재되고 도시된 물질은 층으로 형성될 수 있지만, 물질은 이에 국한되지 않으며 그 밖의 다른 3차원 구성으로 형성될 수 있다.
본원에 제공된 도시가 임의의 특정 반도체 장치 구조물의 실제 모습인 것은 아니며, 본 발명을 설명하기 위해 사용되는 이상적인 표현에 불과하다. 도면은 반드시 실 비율로 그려진 것은 아니다. 덧붙여, 도면들 간 요소들이 동일한 숫자 지정어를 유지할 수 있다.
이미징 장치를 통과할 복사선의 크기(즉, 강도)로도 특징지어질 수 있는 서로 다른 양의 투과를 가능하게 함으로써, 반도체 장치 구조물 상에 형성될 어레이 특징부의 원하는 패턴이 얻어질 수 있다. 예를 들어, 반도체 장치 구조물 상에 어레이 특징부를 형성하기 위해, 이미징 장치의 어레이 패턴 영역이 더 높은 퍼센티지의 복사선의 투과를 가능하게 할 수 있고, 반면에, 감쇠 영역은 더 낮은 퍼센티지의 복사선의 투과를 가능하게 할 수 있다. 따라서 감쇠 영역에 위치하는 보조 특징부에 대응하는 특징부가 반도체 장치 구조물 상에 형성되지 않을 수 있다. 이미지 장치의 감쇠 영역을 감쇠된 양의 복사선이 통과하도록 하기 위해, 상기 보조 특징부는 복사선 감쇠 물질에서 형성될 수 있다. 복사선 감쇠 물질은 복사선의 감쇠의 원하는 정도 및 위상을 제공하도록 선택될 수 있다. 반도체 장치 구조물 상에 형성될 어레이 특징부는 밀집 특징부(dense feature), 고립 특징부(isolated feature), 또는 이들의 조합일 수 있다. 본원에서 사용될 때, "밀집 특징부" 및 "고립 특징부"라는 용어는 반도체 장치 구조물 상의 개별 특징부들의 서로에 대한 상대적 근접도를 지칭한다. 상기 밀집 특징부는 반도체 장치 구조물 상에서 서로 근접하게 위치할 수 있고, 고립 특징부는 서로 멀리 떨어져 이격되어 있을 수 있다. 또한 반도체 장치 구조물은 밀집 특징부가 고립 특징부로 전환되는 영역을 더 포함할 수 있다. 편의상, 본원에서 이러한 전환 영역은 이른바 "고립-밀집 영역(ios-dense region)"이라고 지칭된다. 상기 고립-밀집 영역은 어레이 특징부에서 보조 특징부로 전화되는 반도체 장치 구조물의 일부분이다. 상기 어레이 특징부는 반도체 장치 구조물의 주 평면 내에 있는 실질적으로 1차원인 특징부, 가령, 전도성 라인, 가령 접속 라인(access line)(즉, 워드라인), 또는 2차원 특징부, 가령 콘택트(contact)일 수 있다.
본 발명의 방법은 반도체 장치 구조물 상에 원하는 패턴을 형성하기 위해 적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 적어도 하나의 감쇠 영역을 갖는 이미징 장치를 이용할 수 있다. 도 1에 도시된 것처럼, 이미징 장치(2)는, 통과하는 복사선을 적어도 부분적으로 감쇠시키도록 구성된 보조 특징부(6)가 그 위에 형성된 기판(4)을 포함할 수 있다. 그 밖의 다른 이미징 장치(2', 2'', 2''', 2'''')가 도 2A, 2B, 3, 및 13에 도시된다. 예를 들어, 보조 특징부(6)는 이미징 장치(2', 2'', 2''', 2'''')를 통과하는 복사선을 실질적으로 차단하도록 구성될 수 있다. 상기 보조 특징부(6)는 복사선을 감쇠시키는 광 불투명성 물질로부터 형성될 수 있다. 본원에서 사용될 때, "광 불투명성(optically opaque)"이라는 용어 또는 이와 문법적으로 동등한 용어는, 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')가 노출되는 복사선을 가로채도록(가령, 흡수하도록) 구성된 물질을 의미하고 포함한다. 또한 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')는 광 불투명성 물질 또는 부분 투과성 물질에서 형성된 이미징 특징부(8)를 더 포함할 수 있다. 본원에서 사용될 때, "부분 투과성 물질" 또는 이와 문법적으로 동등한 용어는 예를 들어 포토리소그래피 공정 중에 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')가 복사선에 노출될 때 상기 선택된 파장 또는 파장 범위의 복사선의 일부분이 통과하는 물질을 의미하고 포함한다. 예를 들어, 부분 투과성 물질은, 몰리브데넘 실리콘(MoSi), 몰리브데넘 도핑된 실리콘 옥사이드(MoSixOy), 몰리브데넘 도핑된 실리콘 옥시니트라이드(MoSixOyNz), 몰리브데넘 도핑된 실리콘 니트라이드, 몰리브데넘 실리사이드, 크롬 옥사이드(CrO), 탄탈럼 실리콘 옥시니트라이드(TaSiON), 또는 이들의 조합을 포함하며, 이에 한정되지 않고, 여기서 "x", "y" 및 "z"는 0보다 큰 숫자이다. 부분 투과성 물질은, 선택된 물질에 따라, 복사선의 대략 6%, 대략 20%, 대략 30%, 또는 대략 40%가 자신을 통과하도록 할 수 있다. 복사선의 6% 또는 20%가 자신을 통과하도록 하는 부분 투과성 물질은 종래 기술에 알려져 있다. 이미징 특징부(8)는 이미징 장치(2) 상의 개방 영역 및 보조 특징부(6)와 180° 차이나는 위상을 가질 수 있다. 앞서 기재된 것처럼, 보조 특징부(6)는 감쇠 영역(10)을 형성할 수 있고, 이미징 특징부(8)는 어레이 패턴 영역(12)을 형성할 수 있다. 기판(4)은 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')가 노출될 한 파장 또는 파장 범위의 복사선에 대해 광 투명성 물질로 형성될 수 있다. 본원에 사용될 때, "광 투명성" 또는 이와 문법적으로 동등한 용어는, 가령, 포토리소그래피 공정 중에 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')가 복사선에 노출될 때 선택된 파장 또는 파장 범위의 실질적으로 모든 복사선이 통과하는 물질을 의미하고 포함한다. 예를 들어, 광 투명성 물질은 석영일 수 있다. 도 1-3 및 13에서, 복사선이 통과하는 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')의 영역(광 투명성 물질로 형성된 영역)은 백색으로 표시되고, 복사선이 실질적으로 차단되는 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')의 영역(광 불투명성 물질로 형성된 영역)은 흑색으로 표시되며, 복사선이 적어도 부분적으로 차단되는 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')의 영역은 회색으로 표시된다(보조 특징부(6), 픽셀화된 구조물(14), 또는 이미징 특징부(8)).
이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')의 일부 실시예에서, 보조 특징부(6)의 두께에서 복사선을 부분적으로 감쇠시키도록 제조된 물질로 보조 특징부(6)를 형성함으로써, 보조 특징부(6)는 복사선을 적어도 부분적으로 감쇠시킨다. 상기 복사선 감쇠 물질은 복사선의 원하는 감쇠 퍼센티지(부분 투과율)를 얻기 위해 물질의 흡광 계수(extinction coefficient)(k)를 기초로 선택될 수 있다. 상기 복사선 감쇠 물질은 특정 파장 또는 파장 범위의 복사선의 알려진 퍼센티지가 감쇠 영역(10)을 통과하는 것을 차단하면서, 나머지 복사선이 자신을 통과하게 할 수 있다. 상기 복사선 감쇠 물질은 MoSi, MoSixOy, MoSixOyNz, 몰리브데넘 도핑된 실리콘 니트라이드, 몰리브데넘 실리사이드, CrO, TaSiON, 또는 이들의 조합일 수 있으며, 여기서 "x", "y" 및 "z"는 0보다 큰 숫자이다. 하나의 실시예에서, 복사선 감쇠 물질은 MoSi이다. 예를 들어, 복사선 감쇠 물질은 복사선의 6%를 차단 또는 복사선의 20%를 차단하도록 구성된 MoSi일 수 있다. 상기 복사선 감쇠 물질은 종래 기법에 의해, 가령, 화학 기상 증착(CVD) 또는 물리 기상 증착(PVD)에 의해, 기판(4) 상에 형성될 수 있다. 상기 보조 특징부(6)는 복사선 감쇠 물질을 패터닝함으로써, 가령, 본원에서 상세히 설명되지 않을 종래의 포토리소그래피 기법을 이용함으로써, 복사선 감쇠 물질에서 형성될 수 있다. 복사선의 효과적인 감쇠를 위한 복사선 감쇠 물질의 두께는 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')가 노출될 복사선의 파장 또는 파장 범위에 따라 그리고 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')를 통과하는 복사선의 원하는 투과율의 정도에 따라 달라질 수 있다. 비-제한적 예를 들면, 복사선으로서 대략 193㎚ 내지 대략 248㎚의 파장이 사용될 경우, 복사선 감쇠 물질의 두께는 대략 50㎚ 내지 대략 200㎚일 수 있다.
이미징 장치(2', 2'')의 또 다른 실시예에서, 도 2A 및 2B에 도시된 것처럼, 감쇠 영역(10)은, 이미징 장치(2', 2'')가 노출되는 파장 또는 파장 범위의 복사선에 대해 광 불투명성, 또는 흡수성의(가령, 투과성이 아닌), 또는 부분 투과성인 물질에서 형성된 적어도 하나의 픽셀화된 구조물(14)을 포함한다. 상기 픽셀화된 구조물(14)은 광 불투명성 물질의 복수의 이른바 "도트(dot)"로 형성될 수 있고, 이는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 광학 시스템에게 그레이 스케일처럼 보인다. 픽셀화된 구조물(14)의 도트는 분해능 이하 규모(sub resolution scale)로 형성될 수 있어서, 픽셀화된 구조물(14)의 도트의 크기가 포토리소그래피 공정에서 사용되는 광학 시스템의 분해능보다 작을 수 있다. 픽셀화된 구조물(14)과 조합하여, 보조 특징부(6)는 이미징 장치(2', 2'')의 감쇠 영역(10)에서의 복사선의 투과를 제어할 수 있다. 예를 들어, 광 불투명성 물질은 금속 물질, 가령, 크롬(Cr), 크롬 함유 화합물, 티타늄 니트라이드, 텅스텐, 또는 이들의 조합일 수 있다. 보조 특징부(6) 및 픽셀화된 구조물(14)은 이미징 특징부(8)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 하나의 실시예에서, 보조 특징부(6) 및 픽셀화된 구조물(14)은 크롬에서 형성된다. 광 불투명성 물질은 대략 400Å 내지 대략 800Å의 두께로 형성될 수 있다. 사용되는 물질에 따라 종래의 기법, 가령, CVD 또는 PVD에 의해 상기 광 불투명성 물질이 기판(4) 상에 형성될 수 있다. 광 불투명성 물질을 패터닝함으로써, 가령, 본원에서 상세히 기재되지 않을 종래의 포토마스크 라이팅 기법(photomask writing technique)를 이용함으로써, 보조 특징부(6) 및 픽셀화된 구조물(14)이 상기 광 불투명성 물질에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 광 불투명성 물질은 e-빔 라이터(e-beam writer) 또는 레이저-기반 노광 툴을 이용해 패터닝될 수 있다.
도 2A 및 2B의 보조 특징부(6)는 어레이 패턴 영역(12)의 이미징 특징부(8)에 대해 온 피치로 형성될 수 있다. 그러나 픽셀화된 구조물(14)은 보조 특징부(6) 및 이미징 특징부(8)에 대해 오프 피치(off pitch)로 형성될 수 있다. 도 2A 및 2B에서 도시된 것처럼, 감쇠 영역(10)에서 패터닝된 광 불투명성 물질은 픽셀화된 구조물(14) 및 보조 특징부(6)를 형성할 수 있다. 픽셀화된 구조물(14)은 도 2A에서 도시된 것처럼, 보조 특징부(6)에 근접하게 개별 보조 특징부(6)들 사이에 위치하거나, 도 2B에 도시된 것처럼 보조 특징부(6)와 접촉하여 위치할 수 있다. 이미징 장치(2', 2'')가 복사선에 노출될 때, 픽셀화된 구조물(14) 및 보조 특징부(6)는 복사선이 감쇠 영역(10)을 통과하는 것을 막을 수 있다. 픽셀화된 구조물(14)의 피치에 의해 광학 시스템이 픽셀화된 구조물(14)을 균일한 감쇠 필드로서 볼 수 있다. 보조 특징부(6) 및 픽셀화된 구조물(14)에 의한 복사선의 회절 때문에, 복사선은 광학 시스템의 렌즈에 의해 포착될 영역 외부에 닿을 수 있다. 복사선의 에너지는 광학 시스템이 픽셀화된 구조물(14)을 균일한 감쇠 필드로서 볼 수 있게 하는 임계 수준(E0) 이하이다. 결과적으로, 어레이 특징부가 반도체 장치 구조물 상에 형성되는 동안 보조 특징부(6) 및 픽셀화된 구조물(14)은 상기 반도체 장치 구조물 상에 형성(가령, 인쇄)되지 않을 수 있다.
그 밖의 다른 실시예에서, 어레이 패턴 영역(12)과 감쇠 영역(10)의 상대적 크기가 상이한 이미징 장치(2, 2''')가 형성될 수 있다. 예를 들어, 어레이 패턴 영역(12)은 감쇠 영역(10)보다 큰 크기를 갖거나 어레이 패턴 영역(12)은 감쇠 영역(10)보다 작은 크기를 가질 수 있으며, 이는 도 1 및 3에서 이들 영역의 비교에 의해 나타난다. 하나의 실시예에서, 도 1에 도시된 것처럼, 반도체 장치 구조물 상에 형성될 패턴에 대응하는 어레이 패턴 영역(12)은 이미징 장치(2)의 감쇠 영역(10)에 비해 작을 수 있다. 감쇠 영역(10)은 대규모 특징부이기 때문에, 감쇠 영역(10)은 복사선의 감쇠를 대규모로 제공할 수 있다. 덧붙여, 감쇠 영역(10)의 비교적 넓은 영역 때문에, 본 발명의 방법은 종래의 OPC 방법보다 구현하기 더 용이할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 도 3에 도시된 것처럼, 이미징 장치(2''')의 어레이 패턴 영역(12)은 감쇠 영역(10)에 비해 더 클 수 있다. 그러나 두 실시예 모두에서, 어레이 패턴 영역(12) 및 감쇠 영역(10)은 실질적으로 온 피치인 특징부(보조 특징부(6) 및 이미징 특징부(8))를 포함할 수 있다. 따라서 더 작은 크기를 갖고 수차 감도에 취약한 종래의 보조 특징부와 달리, 본 발명의 이미징 장치(2, 2''')의 감쇠 영역(10)은 실질적으로 감소된 수차 감도를 가질 수 있다.
도 1-3에 도시된 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')는 반도체 장치 구조물 상의 어레이 특징부, 가령, 선(line)과 공백(space)의 패턴을 형성하도록 사용될 수 있다. 덧붙여, 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')에 유사한 이미징 장치는 반도체 장치 구조물 상에 서로 다른 패턴을 형성하도록 사용될 수 있다. 이하에서 더 상세히 기재될 패턴을 형성하기 위해, 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')는 포토레지스트 물질(도시되지 않음)을 그 위에 갖는 기판(4) 상에 배치될 수 있다. 상기 포토레지스트 물질은 포토리소그래피 공정에서 사용되는 종래의 물질일 수 있으며, 따라서 본원에서 상세히 기재되지 않는다. 본원에서 사용될 때, "기판"이라는 용어는 종래의 실리콘 기판 또는 반도체 물질의 층을 갖는 그 밖의 다른 벌크 기판을 의미하고 포함한다. 본원에서 사용될 때, "벌크 기판"이라는 용어는 실리콘 웨이퍼뿐 아니라 실리콘 온 절연체(SOI: silicon on insulator) 기판, 실리콘 온 사파이어(SOS: silicon on sapphire) 기판, 기저 반도체 토대 상에서의 실리콘의 에피택시 층, 및 그 밖의 다른 반도체 또는 광전자 물질, 가령, 실리콘 게르마늄, 게르마늄, 갈륨 아세나이드(gallium arsenide), 또는 인듐 포스파이드(indium phosphide)까지 포함한다. 기판(4)은, 선택사항으로서, 그 밖의 다른 물질(도시되지 않음), 가령, 반도체 장치 구조물의 제작 중에 실시된 이전 동작으로부터의 물질을 자신 위에 포함할 수 있다. 상기 기판(4) 및 포토레지스트 물질은, 그 위에 어레이 특징부가 형성될 중간(intermediate) 반도체 장치 구조물을 형성할 수 있다. 단순화를 위해, 포토레지스트 물질과, 존재하는 경우 그 아래 위치하는 물질 모두 도면에 도시되지 않는다.
원하는 파장 또는 파장 범위의 복사선이 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''') 각각을 통해 중간 반도체 장치 구조물의 포토레지스트 물질로 지향될 수 있다. 복사선이 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''') 각각을 통과함에 따라, 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')의 어레이 패턴 영역(12)과 감쇠 영역(10)은 복사선이 자신들을 서로 다르게 투과하게 함으로써, 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')의 각각 상의 패턴이 기판(4) 아래의 포토레지스트 물질로 전사될 수 있다. 포토레지스트 물질에 도달하는 복사선의 강도가 임계 수준(E0)보다 큰 경우, 상기 포토레지스트 물질은 복사선에 의해 경화되고, 그 후 현상 및 제거되어, 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''') 내 패턴에 대응하는 패턴을 포토레지스트 물질에 생성한다. 본원의 다양한 실시예가 포토레지스트 물질을 포지티브형 포토레지스트(positive tone photoresist)로서 기재하고 이의 현상을 포지티브형 현상 공정으로서 기재하지만, 포토레지스트 물질은, 포지티브형 현상 프로세스를 이용해 현상되는 네거티브형 포토레지스트(negative tone photoresist)(가령, TMAH), 또는 네거티브형 현상 프로세스를 이용해 현상되는 포지티브형 포토레지스트(가령, 노출되지 않은 영역에 대한 용매)일 수도 있다. 예를 들어, 감쇠 영역(10)의 보조 특징부(6) 또는 픽셀화된 구조물(14)을 형성하기 위해 사용된 물질에 따라, 복사선은 어레이 패턴 영역(12)을 통해 투과될 수 있고(이를 통과하는 복사선은 E0보다 큼), 감쇠 영역(10)에 의해 적어도 부분적으로 감쇠되거나 실질적으로 차단될 수 있다(이를 과하는 복사선은 E0보다 작음). 현상 후, 패터닝된 포토레지스트 물질은 아래 위치하는 물질, 가령, 기판(4)을 패터닝하기 위한 마스크로서 사용될 수 있어서, 기판(4)의 상부 표면 상의 어레이 특징부를 생성한다.
본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''') 및 방법은 기판(4) 상에 어레이 특징부를 형성하기 위해 포토리소그래피 공정에서 사용될 수 있으며, 여기서 어레이 특징부는 균일한 피치로 위치한다. 상기 어레이 특징부는 밀집형 또는 고립형일 수 있다. 예를 들어, 어레이 특징부는 선과 공백의 패턴, 가령, 플래시 메모리용 접속 선(즉, 워드라인) 같은 전도성 선의 패턴일 수 있다. 형성될 어레이 특징부가 실질적으로 온 피치이고 실질적으로 동일 크기를 갖는 한, 본 발명의 이미징 장치(2'''') 및 방법은 또한 관심 2차원 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''') 및 방법을 이용해 형성될 패턴의 다양한 예시가 이하에서 더 상세히 기재된다. 단순화를 위해, 도 4 및 8은 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''')를 이용해 형성될 수 있는 반도체 장치 구조물(16, 16')의 상부 표면을 도시한다.
도 4는 도 3의 이미징 장치(2''')를 이용하여 형성된 선(18)과 공백(20)의 패턴을 갖는 반도체 장치 구조물(16)을 도시한다. 예를 들어, 이 패턴은 NAND(Not-and) 플래시 메모리 장치에서 전도성 선(즉, 접속 선, 가령, 워드 라인)을 생성하도록 사용될 수 있다. 도 5에 도시된 것처럼, 공간 영상 플롯의 시뮬레이션(기판(4) 위에 높인 포토레지스트 물질을 완전히 제거하기 위해 사용되는 복사선의, 기판(4) 상의 위치의 함수로서의 상대적 강도)이 균일한 선(18)이 형성(가령, 인쇄)될 수 있음을 나타낸다. 강도 임계치는 포토레지스트 물질의 파라미터이고, 포토레지스트 물질이 완전히 현상될 수 있기 위해 포토레지스트 물질의 화학적 속성의 충분한 변화를 유도하기 위해 요구되는 복사선의 양을 정의한다. 앞서 기재된 바와 같이, 포토레지스트 물질은 포지티브형 또는 네거티브형일 수 있고, 포지티브형 현상 공정 또는 네거티브형 현상 공정에 의해 현상될 수 있다. 포토리소그래피용 시뮬레이션 툴이 공지되어 있으며, 가령, KLA Tencor Corp.(캘리포니아, 밀피타스)의 상용화된 PROLITH™ 시스템이 있다. 도 5에서 자명한 바와 같이, 선(18)은 우수한 CDU와 음영대비(contrast)를 보일 수 있다. 덧붙여, 정규화된 이미지 로그 기울기(NILS: normalized image log slope) 및 CD가 선(18)을 따라 균일할 수 있다(가령, 변하지 않는다). 따라서 이미징 장치(2''')의 사용이 어레이 특징부의 CDU의 단순화된 제어를 가능하게 하고 어떠한 추가 OPC도 필요하지 않을 수 있다. 그러나 추가 교정(correction)이 필요한 경우, 본 발명의 방법은 종래의 OPC 방법과 조합되어 사용될 수 있다. 이와 달리, 도 6에 도시된 것과 같이, 서로 다른 크기의 특징부(24)를 갖고 온 피치로 형성되지 않은 이미징 장치(22)를 이용하는 종래의 OPC 방법에서, 공중 이미지 플롯(도 7)이 선은 균일하게 형성되지 않으며 NILS 및 CD가 선을 따라 변함을 가리킨다.
도 8은 도 1의 이미징 장치(2)를 이용하여 형성된 선(18)과 공백(20)의 패턴을 갖는 반도체 장치 구조물(16')을 도시한다. 이 패턴은 NAND 플래시 메모리 장치에서 전도성 선(가령, 접속 선, 가령, 워드 라인)을 생성하도록 사용될 수 있다. 도 9에 도시된 것처럼, 공중 이미지 플롯은 균일한 선(18)이 형성될 수 있음을 가리킨다. 이와 달리, 서로 다른 크기의 특징부(24)를 갖는 도 10에 도시된 이미징 장치(22')를 이용하는 종래의 OPC 방법에서, 공중 이미지 플롯(도 11)은 선이 균일하게 형성되지 않음을 가리킨다.
픽셀화된 구조물(14)을 포함하는 도 2A 및 2B의 이미징 장치(2', 2'')는 도 4에 도시된 반도체 장치 구조물(16) 상에 (18)과 공백(20)의 패턴을 형성하도록 사용될 수 있다. 도 12의 도즈-투-클리어 곡선(dose-to-clear curve)이 가리키는 것처럼, 이미징 장치(2', 2'')가 활용될 때 균일한 선이 형성될 수 있다. 따라서 어떠한 추가 OPC도 필요하지 않을 수 있다.
도 13 및 14에 도시된 것처럼, 작은 고립 특징부, 가령, 콘택트(contact)가 이미징 장치(2'''')를 이용해 반도체 장치 구조물 상에 형성될 수 있다. 상기 이미징 장치(2'''')는 감쇠 영역(10)에 보조 특징부(6)와 어레이 패턴 영역(12)에 이미징 특징부(8)를 포함할 수 있으며, 상기 보조 특징부(6)는 복사선 감쇠 물질(26)에 의해 서로 분리된다. 어레이 패턴 영역(12) 내 이미징 특징부(8)는 반도체 장치 구조물 상에 형성될 콘택트의 패턴에 대응하는 패턴을 가질 수 있다. 감쇠 영역(10) 내 보조 특징부(6)와 어레이 패턴 영역(12) 내 이미징 특징부(8)는 실질적으로 동일한 크기이고 실질적으로 온 피치로 형성될 수 있다. 감쇠 영역(10)의 총 면적은 어레이 패턴 영역(12)의 총 면적보다 실질적으로 클 수 있다. 이미징 특징부(8)와 보조 특징부(6)의 실질적으로 균일한 피치와 크기 때문에, 광학 시스템은 포토리소그래피 동안 이미징 장치(2'''')를 균일한 필드를 갖는 것으로서 관찰할 수 있다. 감쇠 영역(10) 내 보조 특징부(6)의 크기 및 피치가 어레이 패턴 영역(12) 내 이미징 특징부(8)와 실질적으로 동일하지만, 복사선 감쇠 물질(26)이 복사선의 통과를 감쇠시키기 때문에, 보조 특징부(6)는 광학 시스템에 의해 형성되지 않는다.
도 13에 도시된 실시예에서, 종래의 포지티브형 현상 프로세스가 고립 특징부를 형성하도록 사용될 수 있다. 상기 보조 특징부(6)는 부분 투과성 물질에서 형성될 수 있고, 이미징 특징부(8)는 광 투명성 물질, 가령, 석영에서 형성될 수 있으며, 어레이 패턴 영역(12)은 부분 투과성 물질, 가령 앞서 기재된 물질들 중 하나에서 형성될 수 있고, 복사선 감쇠 물질(26)은 광 불투명성 물질에서 형성될 수 있다. 복사선의 감쇠가 보조 특징부(6)를 포함하는 이미징 장치(2'''')의 영역에서 발생할 수 있다. 도 14에 도시된 실시예에서, 종래의 네거티브형 현상 프로세스가 고립 특징부를 형성하도록 사용될 수 있다. 상기 보조 특징부(6)와 이미징 특징부(8)는 광 불투명성 물질에서 형성될 수 있고, 어레이 패턴 영역(12)은 광 투명성 물질, 가령, 석영에서 형성될 수 있으며, 복사선 감쇠 물질(26)은 부분 투과성 물질, 가령, 앞서 기재된 물질들 중 하나에서 형성될 수 있다.
앞서 기재된 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''') 및 방법은 또한 복수의 밀집 어레이 특징부(도시되지 않음)와 복수의 고립 어레이 특징부(도시되지 않음)를 포함하는 반도체 장치 구조물을 형성하도록 사용될 수 있다. 상기 반도체 장치 구조물은 또한 반도체 장치 구조물이 어레이 특징부에서 보조 특징부로 전환되는 고립-밀집 영역(iso-dense region)을 포함할 수 있다. 종래 방법에 의한 이러한 반도체 장치 구조물의 형성 동안, 일반적으로 전환 영역은 어레이의 변부(edge)에서 CDU, CD 바이어스(CD bias), 및 CD 비대칭에 대한 문제를 보인다. 그러나 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''') 및 방법을 이용함으로써, CDU, CD 바이어스, 및 CD 비대칭에 대한 문제는 감소하거나 제거될 수 있다.
포토리소그래피 공정에서 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')를 이용함으로써, 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')의 넓은 영역 상에서 단일 감쇠 동작이 실시될 수 있다. 따라서 본 발명의 방법은 종래의 OPC 방법보다 구현하기 더 용이할 수 있다. 상기 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''')는, 기존 설비 및 하드웨어를 거의 수정하지 않고 종래의 포토리소그래피 공정에서 사용될 수 있다. 종래의 OPC 방법에서, 복사선이 광학 시스템의 렌즈 밖에 닿을 수 있고, 이는 높은 수차 감도(aberration sensitivity)를 초래한다. 그러나 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''') 및 방법을 이용할 때, 실질적으로 복사선 전부가 렌즈 내에 속하게 되어, 강건한 수차 성능을 제공한다. 보조 특징부(6)가 이미징 특징부(8)와 실질적으로 동일한 특징부 크기 및 피치에서 형성되기 때문에, 본 발명의 방법에서 사용되는 광학 시스템은 보조 특징부(6)를 쉽게 이미징하여, 낮은 수차 감도를 가능하게 할 수 있다. 덧붙여, 보조 특징부(6)가 감쇠 영역(10)에 걸쳐 주기 방식으로 형성되기 때문에, 광학 시스템에 의해 상기 보조 특징부(6)는 균일한 필드로서 광학적으로 관찰될 수 있다. 따라서 대응하는 특징부가 반도체 장치 구조물(16, 16') 상에 형성되지 않을지라도 감쇠 영역(10)의 보조 특징부(6)는 이미징에 참여할 수 있다. 이와 달리, 종래의 OPC 방법에서, 보조 특징부가 분해능 이하 규모(sub resolution scale)로 형성되기 때문에 광학 시스템은 보조 특징부를 광학적으로 인지하지 않는다. 본 발명의 이미징 장치(2, 2', 2'', 2''', 2'''') 및 방법에서, 어레이 패턴 영역(12)과 달리, 감쇠 영역(10)은 그레이 스케일로서 광학적으로 관찰될 수 있다.
결론
본 발명의 하나의 실시예는 이미징 장치를 포함한다. 상기 이미징 장치는 적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 적어도 하나의 감쇠 영역을 포함한다. 적어도 하나의 어레이 패턴 영역 내 복수의 이미징 특징부 및 적어도 하나의 감쇠 영역 내 복수의 보조 특징부는 실질적으로 서로 동일한 크기를 갖고 실질적으로 온 피치(on pitch)로 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 이미징 장치를 형성하는 방법을 포함한다. 상기 방법은 기판 상에 복수의 이미징 특징부와 복수의 보조 특징부를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 복수의 이미징 특징부 및 복수의 보조 특징부는 실질적으로 서로 동일한 크기를 갖고 실질적으로 균일한 피치를 가진다.
본 발명의 또 다른 실시예는 이미징 장치를 통해 포토레지스트 물질을 복사선에 노출시키는 단계를 포함하는 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법을 포함한다. 상기 이미징 장치는 적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 적어도 하나의 감쇠 영역을 포함한다. 상기 적어도 하나의 어레이 패턴 내 특징부는 상기 적어도 하나의 감쇠 영역 내 특징부들과 실질적으로 동일한 크기를 갖고 실질적으로 동일한 피치로 형성된다. 포토레지스트 물질의 일부분이 제거되어 포토레지스트 물질에서 패턴을 형성할 수 있다. 그 후, 상기 패턴은 구조물로 전사된다.
본 발명은 다양한 수정 및 대안적 형태로 가능하며, 특정 실시예가 예시로서 도면에서 도시되었고, 본원에서 상세히 기재되었다. 그러나 본 발명은 개시된 특정 형태로 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명은 이하의 청구항 및 이들의 법적 균등물에 의해 정의되는 본 발명의 범위 내에 속하는 모든 변형예, 균등예, 및 대안예를 포함한다.

Claims (20)

  1. 복수의 이미징 특징부를 포함하는 적어도 하나의 어레이 패턴 영역과 복수의 보조 특징부를 포함하는 적어도 하나의 감쇠 영역을 포함하되,
    상기 복수의 이미징 특징부 및 복수의 보조 특징부는 서로 실질적으로 동일한 크기이며 실질적으로 온 피치(on pitch)로 형성되는, 이미징 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 어레이 패턴 영역은 광 투명성 물질과 광 불투명성 또는 부분 투과성 물질의 패턴을 포함하는, 이미징 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 어레이 패턴 영역의 총 면적은 적어도 하나의 감쇠 영역의 총 면적보다 넓은, 이미징 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 감쇠 영역의 총 면적은 적어도 하나의 어레이 패턴 영역의 총 면적보다 넓은, 이미징 장치.
  5. 기판 상에 복수의 이미징 특징부 및 복수의 보조 특징부를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 이미징 특징부 및 상기 복수의 보조 특징부는 서로 실질적으로 동일한 크기로 형성되며 실질적으로 균일한 피치를 갖는, 이미징 장치를 형성하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 기판 상에 복수의 이미징 특징부 및 복수의 보조 특징부를 형성하는 단계는, 광 불투명성 물질 또는 부분 투과성 물질에서 복수의 이미징 특징부를 형성하는 단계를 포함하는, 이미징 장치를 형성하는 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 복수의 보조 특징부는 광 불투명성 물질 또는 복사선 감쇠 물질에서 형성되는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  8. 적어도 하나의 어레이 패턴 영역 내 특징부들이 적어도 하나의 감쇠 영역 내 특징부들과 실질적으로 동일한 크기이고 실질적으로 동일한 피치로 형성되는, 적어도 하나의 어레이 패턴 영역 및 적어도 하나의 감쇠 영역을 포함하는 이미징 장치를 통해 포토레지스트 물질을 복사선에 노출시키는 단계,
    포토레지스트 물질의 일부분을 제거하여 포토레지스트 물질에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 포토레지스트 물질에서의 패턴을 구조물로 전사하는 단계
    를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질의 일부분을 제거하여 포토레지스트 물질에 패턴을 형성하는 단계는 임계 레벨보다 높은 복사선에 노출된 포토레지스트 물질의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질의 일부분을 제거하여 포토레지스트 물질에 패턴을 형성하는 단계는 복사선에 노출되지 않은 포토레지스트 물질의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 이미징 장치를 통해 포토레지스트 물질을 복사선에 노출시키는 단계는 적어도 하나의 어레이 패턴 영역을 통해 그리고 적어도 하나의 감쇠 영역을 통해 서로 다른 양의 복사선에 포토레지스트 물질을 노출시키는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 이미징 장치를 통해 포토레지스트 물질을 복사선에 노출시키는 단계는 적어도 하나의 어레이 패턴 영역을 통해 고 퍼센티지의 복사선에 포토레지스트 물질을 노출시키고 적어도 하나의 감쇠 영역을 통해 저 퍼센티지의 복사선에 포토레지스트 물질을 노출시키는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질에서의 패턴을 구조물로 전사하는 단계는 적어도 하나의 감쇠 영역의 특징부에 대응하는 추가 특징부를 형성하지 않고 어레이 특징부를 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  14. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 이미징 장치는 적어도 하나의 픽셀화된 구조물(pixelated structure)을 더 포함하는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 적어도 하나의 픽셀화된 구조물(pixelated structure) 중 하나의 픽셀화된 구조물은 복수의 이미징 특징부 중 하나의 이미징 특징부와 접촉하는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 적어도 하나의 픽셀화된 구조물 중 하나의 픽셀화된 구조물은 복수의 이미징 특징부 중 하나의 이미징 특징부에 근접하여 위치하는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 픽셀화된 구조물 중 픽셀화된 구조물 각각은 복수의 보조 특징부 중 인접하는 보조 특징부들 사이에 배치되는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 픽셀화된 구조물 중 픽셀화된 구조물 각각은 복수의 보조 특징부 중 각자의 보조 특징부와 접촉하는, 이미징 장치 또는 이미징 장치를 형성하는 방법.
  19. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질에서의 패턴을 구조물로 전사하는 단계는 선(line)과 공백(space)의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
  20. 제 8 항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질에서의 패턴을 구조물로 전사하는 단계는 콘택트(contact)를 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법.
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