KR20130093898A - Apparatus for polishing semiconductor wafers - Google Patents

Apparatus for polishing semiconductor wafers Download PDF

Info

Publication number
KR20130093898A
KR20130093898A KR1020120015129A KR20120015129A KR20130093898A KR 20130093898 A KR20130093898 A KR 20130093898A KR 1020120015129 A KR1020120015129 A KR 1020120015129A KR 20120015129 A KR20120015129 A KR 20120015129A KR 20130093898 A KR20130093898 A KR 20130093898A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
polishing
unit
transfer
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020120015129A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101879228B1 (en
Inventor
정인권
Original Assignee
주식회사 엠티에스나노테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엠티에스나노테크 filed Critical 주식회사 엠티에스나노테크
Priority to KR1020120015129A priority Critical patent/KR101879228B1/en
Publication of KR20130093898A publication Critical patent/KR20130093898A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101879228B1 publication Critical patent/KR101879228B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus for polishing a semiconductor substrate is provided to obtain high productivity, to efficiently use a space and to facilitate maintenance and repair services. CONSTITUTION: A first substrate transfer unit (20) includes a substrate transfer device (20a) connected to a track (20b). A first polishing device (100) includes a substrate loading unit (130), first to third polishing tables (110a,110b,110c), and a polishing head assembly (120). A cleaning device (200) includes a substrate cleaning unit (220,230,240), a substrate drying unit (145), and a linear transfer device (270). The substrate cleaning unit and the substrate drying unit are arranged between a substrate input unit (210) and a substrate output unit (260) in a row. A processing device (600) for polishing a substrate includes a first lateral side (600L), a second lateral side, and a first rear side (600B). [Reference numerals] (AA) Width direction; (BB) Length direction

Description

반도체 기판 연마용 가공 장치 {APPARATUS FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS}Processing device for semiconductor substrate polishing {APPARATUS FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS}

본 출원은 2012년 2월 10일 출원된 한국 출원 특허 번호 10-2012-0013549의 이익을 부여받으며 여기에서 참조로 통합된다.This application is granted the benefit of Korean Application Patent No. 10-2012-0013549, filed February 10, 2012, which is incorporated herein by reference.

본 발명은 일반적으로 반도체 기판의 가공 장치에 관한 것이며, 더 구체적으로는 반도체 기판을 연마 및 세정하기 위한 장치와 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention generally relates to processing devices for semiconductor substrates, and more particularly, to apparatus and methods for polishing and cleaning semiconductor substrates.

반도체 기판(wafer)을 연마하기 위한 기판 가공(processing) 장치는 연마 장치와 세정 장치를 포함한다. 연마 장치는 다수의 연마 테이블들 및 연마 헤드들을 포함한다. 연마 헤드들은 연마 테이블에 부착된 연마 패드 상에서 연마재를 사용하여 기판 표면의 절연막 또는 금속 막을 연마해 낸다. 세정 장치는 연마된 기판을 세정하기 위한 세정 챔버와 세정된 기판을 건조하기 위한 건조 챔버로 구성된다.A substrate processing apparatus for polishing a semiconductor wafer includes a polishing apparatus and a cleaning apparatus. The polishing apparatus includes a plurality of polishing tables and polishing heads. The polishing heads use an abrasive to polish an insulating film or metal film on the substrate surface on the polishing pad attached to the polishing table. The cleaning apparatus is composed of a cleaning chamber for cleaning the polished substrate and a drying chamber for drying the cleaned substrate.

반도체 소자 제조 과정에서 반도체 기판 연마 공정이 더 많이 사용됨에 따라 높은 생산성을 제공하는 기판 연마용 가공 장치가 요구되고 있다. 또한, 기판 연마용 가공 장치는 비싼 건설 및 운영 비용이 필요한 클린룸에 설치되므로 같은 생산성이라면 작은 면적의 장치가 선호되고 있다. 작은 면적의 장치를 제공하려면 공간을 효율적으로 활용하도록 연마 장치 및 세정 장치를 디자인하고 기판 연마용 가공 장치 내에 배치하는 것이 중요하다. 또한, 작업자가 유지 관리를 위하여 연마 장치 및 세정 장치에 쉽게 접근할 수 있도록 연마 장치 및 세정 장치를 배치하는 것도 중요하다.As more semiconductor substrate polishing processes are used in semiconductor device manufacturing, there is a need for a substrate polishing processing apparatus that provides high productivity. In addition, since a substrate polishing processing apparatus is installed in a clean room requiring expensive construction and operating costs, a small area apparatus is preferred for the same productivity. To provide a small area apparatus, it is important to design and place the polishing apparatus and cleaning apparatus in a processing apparatus for polishing a substrate so as to make efficient use of space. It is also important to arrange the polishing device and the cleaning device so that an operator can easily access the polishing device and the cleaning device for maintenance.

본 발명이 해결하려는 과제는 이러한 관점에서, 고생산성, 효율적인 공간 활용, 및 유지 관리 작업을 위한 접근 용이성을 제공하는 반도체 기판을 연마 및 세정하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The problem to be solved by the present invention is to provide an apparatus and method for polishing and cleaning semiconductor substrates that provide high productivity, efficient space utilization, and ease of access for maintenance work.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치는 제1 기판 이송 장치를 포함하는 제1 기판 이송부, 제1 작업 공간, 입력 기판 거치대, 세정 장치, 제1 연마 장치 및 제2 기판 이송 장치를 포함한다. 상기 제1 작업 공간은 상기 제1 기판 이송부 및 상기 제1 연마 장치 사이에 배치되어, 작업자가 상기 제1 기판 이송부 및 상기 제1 연마 장치로 접근할 수 있는 공간을 제공한다. 상기 세정 장치는 제1 끝단에 배치되는 기판 출력부, 상기 제1 끝단의 맞은 편인 제2 끝단에 배치되는 기판 입력부, 상기 기판 출력부에 인접하여 배치되는 기판 건조부, 상기 기판 입력부와 상기 기판 건조부 사이에 배치되는 적어도 하나의 기판 세정부, 및 적어도 하나의 기판 그리핑 장치를 이용하여 기판을 상기 기판 입력부로부터 상기 적어도 하나의 기판 세정부 및 상기 기판 건조부를 거쳐서 상기 기판 출력부로 이송하도록 구성되는 기판 이송 장치를 포함한다. 상기 세정 장치의 상기 기판 입력부, 상기 적어도 하나의 기판 세정부, 상기 기판 건조부 및 상기 기판 출력부는 기판을 수직으로 세워서 기판의 앞면이 상기 제1 끝단 또는 상기 제2 끝단을 향하게끔 지지하도록 구성된다. 상기 세정 장치의 상기 기판 출력부는 상기 제1 기판 이송부의 상기 제1 기판 이송 장치가 상기 기판 출력부로부터 상기 기판을 이송할 수 있도록 상기 제1 기판 이송부에 인접하여 배치된다. 상기 입력 기판 거치대는 상기 제1 기판 이송부 및 상기 세정 장치에 인접하여 배치되는 제1 기판 이송 위치 및 상기 세정 장치 및 상기 제2 기판 이송 장치 근처에 인접하여 배치되는 제2 기판 이송 위치 사이를 왕복하도록 구성되며, 상기 제1 기판 이송 위치에서 상기 제1 기판 이송부의 상기 제1 기판 이송 장치로부터 기판을 전달 받아 상기 제2 기판 이송 위치로 이동하여 상기 제2 기판 이송 장치로 전달하도록 구성된다. 상기 제1 연마 장치는 기판 로딩부, 제1 ~ 제3 연마 테이블, 및 상기 기판 로딩부에서 기판을 흡착하여 상기 제1, 제2 및 제3 연마 테이블 중의 적어도 하나로 이동하여 상기 기판을 연마한 뒤 다시 상기 기판 로딩부로 되돌아와서 상기 기판을 상기 기판 로딩부에 되돌려주도록 구성되는 적어도 하나의 연마 헤드 조립체를 포함한다. 상기 제1 연마 테이블은 상기 제1 작업 공간 및 상기 세정 장치에 인접하여 배치되며, 상기 제2 연마 테이블은 상기 제1 작업 공간에 인접하여 상기 제1 연마 테이블을 사이에 두고 상기 세정 장치의 맞은편에 배치되며, 상기 제3 연마 테이블은 상기 제2 연마 테이블을 사이에 두고 상기 제1 작업 공간의 맞은편에 배치되며, 상기 기판 로딩부는 상기 세정 장치와 상기 제3 연마 테이블 사이에 배치된다. 상기 제2 기판 이송 장치는 상기 세정 장치의 기판 입력부, 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부, 및 상기 입력 기판 거치대의 상기 제2 기판 이송 위치 근처에 배치되며, 상기 입력 기판 거치대로부터 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부로 기판을 전달하며, 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부로부터 상기 세정 장치의 상기 기판 입력부로 기판을 전달하도록 구성된다.A substrate polishing processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first substrate transfer unit including a first substrate transfer apparatus, a first work space, an input substrate holder, a cleaning apparatus, a first polishing apparatus, and a second substrate transfer apparatus. do. The first working space is disposed between the first substrate transfer portion and the first polishing apparatus to provide a space for an operator to access the first substrate transfer portion and the first polishing apparatus. The cleaning apparatus includes a substrate output unit disposed at a first end, a substrate input unit disposed at a second end opposite to the first end, a substrate dryer disposed adjacent to the substrate output unit, the substrate input unit and the substrate drying unit. And transfer the substrate from the substrate input to the substrate output via the at least one substrate cleaner and the substrate drying unit using at least one substrate cleaner disposed between the sections and at least one substrate gripping device. It includes a substrate transfer device. The substrate input portion, the at least one substrate cleaning portion, the substrate drying portion, and the substrate output portion of the cleaning apparatus are configured to hold the substrate vertically so that the front surface of the substrate is supported toward the first end or the second end. . The substrate output portion of the cleaning apparatus is disposed adjacent to the first substrate transfer portion so that the first substrate transfer apparatus of the first substrate transfer portion can transfer the substrate from the substrate output portion. The input substrate holder is configured to reciprocate between a first substrate transfer position disposed adjacent to the first substrate transfer portion and the cleaning apparatus and a second substrate transfer position disposed adjacent to the cleaning apparatus and the second substrate transfer apparatus. And a substrate received from the first substrate transfer apparatus of the first substrate transfer unit at the first substrate transfer position, moved to the second substrate transfer position, and transferred to the second substrate transfer apparatus. The first polishing apparatus adsorbs the substrate from the substrate loading part, the first to third polishing tables, and the substrate loading part to move to at least one of the first, second and third polishing tables to polish the substrate. At least one polishing head assembly configured to return back to the substrate loading portion and return the substrate to the substrate loading portion. The first polishing table is disposed adjacent to the first work space and the cleaning apparatus, and the second polishing table is opposite the cleaning apparatus with the first polishing table interposed adjacent to the first working space. And the third polishing table is disposed opposite the first working space with the second polishing table interposed therebetween, and the substrate loading portion is disposed between the cleaning apparatus and the third polishing table. The second substrate transfer apparatus is disposed near the substrate transfer portion of the cleaning apparatus, the substrate loading portion of the first polishing apparatus, and the second substrate transfer position of the input substrate holder, and the first substrate transfer unit is disposed from the input substrate holder. And transfer a substrate to the substrate loading portion of the polishing apparatus and to transfer the substrate from the substrate loading portion of the first polishing apparatus to the substrate input portion of the cleaning apparatus.

본 발명에 따르면, 높은 생산성, 효율적인 공간 활용 및 유지 관리를 위한 접근 용이성을 제공하는 반도체 기판 연마 및 세정을 위한 장치 및 방법을 확보할 수 있다.According to the present invention, it is possible to secure an apparatus and method for semiconductor substrate polishing and cleaning that provide high productivity, efficient space utilization and easy access for maintenance.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 연마 장치의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 세정 장치의 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a substrate polishing processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side view of the polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is a side view of the cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention.
5 is a plan view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시 예들에 대하여 첨부하는 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이후 언급되는 구성 요소들에는 참조 번호를 덧붙여서 표기하며, 동일한 기능을 하는 구성 요소에 대해서는 참조 번호에 프라임(') 또는 더블 프라임(") 기호를 덧붙여서 표기한다. 예를 들면, 제1 연마 장치 및 이와 동일한 기능을 하는 제2 연마 장치는 각각 100 및 100'으로 표기되며, 제1 건조 챔버 및 이와 동일한 기능을 하는 제2 및 제3 건조 챔버는 각각 145a' 및 145a"으로 표기된다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The components mentioned later are denoted by the reference numerals, and for components having the same function, the reference numerals are denoted by adding the prime (') or double prime (") symbol. For example, the first polishing apparatus and The second polishing apparatus having the same function is denoted as 100 and 100 ', respectively, and the first drying chamber and the second and third drying chamber having the same function are denoted as 145a' and 145a ", respectively.

도 1을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치(600)가 설명된다. 도 1은 기판 연마용 가공 장치(600)의 평면도이다. 기판 연마용 가공 장치(600)는 제1 기판 이송부(20), 입력 기판 거치대(25), 기판 이송 장치(30), 제1 연마 장치(100), 세정 장치(200) 및 제1 작업 공간(S1)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate polishing apparatus 600 according to an embodiment of the present invention will be described. 1 is a plan view of a substrate polishing processing apparatus 600. The substrate polishing apparatus 600 includes a first substrate transfer part 20, an input substrate holder 25, a substrate transfer device 30, a first polishing device 100, a cleaning device 200, and a first working space ( S1).

제1 기판 이송부(20)는 기판 이송 장치(20a)를 포함하며, 기판 이송 장치(20a)는 이동 가능하도록 트랙(20b)에 체결될 수 있다. 제1 기판 이송부(20)는 기판 연마용 가공 장치(600)의 앞 부분에 배치된다. 제1 기판 이송부(20)에는 기판(5)을 보관하는 기판 보관 장치(10)가 부착된다.The first substrate transfer unit 20 may include a substrate transfer device 20a, and the substrate transfer device 20a may be fastened to the track 20b to be movable. The first substrate transfer part 20 is disposed in front of the substrate polishing processing apparatus 600. The substrate storage device 10 for storing the substrate 5 is attached to the first substrate transfer part 20.

제1 연마 장치(100)는 기판 로딩부(130), 제1 ~ 제3 연마 테이블(110a, 110b 및 110c), 및 기판 로딩부(130)에서 기판을 흡착하여 제1, 제2 및 제3 연마 테이블(110a-110c) 중의 적어도 하나로 이동하여 상기 기판을 연마한 뒤 다시 기판 로딩부(130)로 되돌아와서 상기 기판을 기판 로딩부(130)에 되돌려주도록 구성되는 적어도 하나의 연마 헤드 조립체(120)를 포함한다.The first polishing apparatus 100 adsorbs the substrate by the substrate loading unit 130, the first to third polishing tables 110a, 110b, and 110c, and the substrate loading unit 130 to thereby adsorb the first, second, and third portions. At least one polishing head assembly 120 configured to move to at least one of the polishing tables 110a-110c to polish the substrate and then return to the substrate loading unit 130 to return the substrate to the substrate loading unit 130. ).

도 1 및 도 2를 참조하여, 제1 연마 장치(100)가 추가로 설명된다. 도 2는 제1 연마 장치(100)의 측면도이다. 연마 헤드 조립체(120)는 연마 헤드(122), 회전축(123) 및 연마 헤드 구동 장치(124)를 포함한다. 연마 헤드(122)는 회전축(123)에 의하여 연마 헤드 구동 장치(124)에 연결된다. 연마 헤드 구동 장치(124)는 회전축(123)을 회전시킴으로써 연마 헤드(122)에 흡착된 기판을 연마 테이블(110) 상에서 회전시키며, 회전축(123) 내부에 형성되는 유체관을 통하여 압력을 인가함으로써 기판을 연마 테이블(110) 상에서 연마하도록 구성된다.1 and 2, a first polishing apparatus 100 is further described. 2 is a side view of the first polishing apparatus 100. The polishing head assembly 120 includes a polishing head 122, a rotating shaft 123, and a polishing head driving device 124. The polishing head 122 is connected to the polishing head drive device 124 by the rotation shaft 123. The polishing head driving device 124 rotates the substrate adsorbed to the polishing head 122 by rotating the rotating shaft 123 on the polishing table 110, and applies pressure through a fluid tube formed inside the rotating shaft 123. The substrate is configured to polish on the polishing table 110.

연마 테이블(110a-110c)은 각각의 회전축(113)에 의하여 각각의 회전 구동 장치(114)에 연결되어 회전된다. 연마 테이블들(110a-110c)에는 연마 헤드 조립체(120)가 기판을 연마할 수 있도록 연마 패드(도 2에 도시되지 않음)가 부착되고 연마재(도 2에 도시되지 않음)가 연마 패드 상으로 공급된다.Polishing tables 110a-110c are rotated in connection with respective rotary drive units 114 by respective rotary shafts 113. A polishing pad (not shown in FIG. 2) is attached to the polishing tables 110a-110c so that the polishing head assembly 120 can polish the substrate and an abrasive material (not shown in FIG. 2) is supplied onto the polishing pad. do.

기판 로딩부(130)는 연마 헤드 조립체(120)가 기판 로딩부(130) 상에 위치하면, 연마 헤드(122)로 기판을 흡착(loading) 시키거나 연마 헤드(122)로부터 언로딩(unloading)되는 기판을 전달받도록 구성된다.The substrate loading unit 130 may be loaded or unloaded from the polishing head 122 when the polishing head assembly 120 is positioned on the substrate loading unit 130. The substrate is configured to be received.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 연마 헤드 조립체(120)는 기판 로딩부(130) 및 상기 제1 ~ 제3 연마 테이블(110a-110c)의 상부에 배치되며 상기 적어도 하나의 연마 헤드 조립체(120)가 기판 로딩부(130) 및 상기 제1 ~ 제3 연마 테이블(110a-110c) 사이를 이동할 수 있도록 구성되는 원형 트랙(140)에 이동 가능하도록 체결될 수도 있다. 기판 로딩부(130) 및 제1 ~ 제3 연마 테이블(110a, 110b 및 110c)은 원형 트랙(140)을 따라서 그 아래 쪽에 원형으로 배치된다. 연마 헤드 조립체(120)는 가이드 블록(125)에 의하여 원형 트랙(140)에 이송 가능하도록 체결된다.According to an embodiment of the present invention, the at least one polishing head assembly 120 is disposed on the substrate loading unit 130 and the first to third polishing tables 110a-110c and the at least one polishing head. The assembly 120 may be fastened to a circular track 140 configured to move between the substrate loading unit 130 and the first to third polishing tables 110a-110c. The substrate loading portion 130 and the first to third polishing tables 110a, 110b, and 110c are circularly disposed under the circular track 140. The polishing head assembly 120 is fastened to be transportable to the circular track 140 by the guide block 125.

도 1과 도 3을 참조하여, 세정 장치(200)가 설명된다. 도 3은 세정 장치(200)의 측면도이다. 세정 장치(200)는 기판 입력부(210)와 기판 출력부(260) 사이에 일렬로 배치되는 적어도 하나, 예를 들면 3개의 기판 세정부들(220, 230 및 240) 및 기판 건조부(145)를 포함한다. 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240), 기판 건조부(145) 및 기판 출력부(260)는 도 3에 도시된 바와 같이 기판 입력부(210), 제1 기판 세정부(220), 제2 기판 세정부(230), 제3 기판 세정부(240), 기판 건조부(145), 기판 출력부(260)의 순서로 일렬로 배치되어 세정 장치(200)의 하단 프레임(202)에 고정된다. 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240), 기판 건조부(145) 및 기판 출력부(260)는 기판을 수직으로 세워서 기판의 앞면이 세정 장치(200)의 제1 끝단(200x) 또는 제2 끝단(200y)을 향하게끔 지지하도록 구성된다. 제1 끝단(200x)에는 기판 출력부(260)가 배치되며, 제2 끝단(200y)에는 기판 입력부(210)가 배치된다.With reference to FIGS. 1 and 3, the cleaning apparatus 200 is described. 3 is a side view of the cleaning apparatus 200. The cleaning apparatus 200 may include at least one, for example, three substrate cleaners 220, 230, and 240 and a substrate drying unit 145 disposed in a line between the substrate input unit 210 and the substrate output unit 260. It includes. The substrate input unit 210, the substrate cleaners 220-240, the substrate dryer 145, and the substrate output unit 260 are the substrate input unit 210 and the first substrate cleaner 220 as shown in FIG. 3. ), The second substrate cleaning unit 230, the third substrate cleaning unit 240, the substrate drying unit 145, and the substrate output unit 260 are arranged in a row in order to form the lower frame 202 of the cleaning apparatus 200. It is fixed to). The substrate input unit 210, substrate cleaners 220-240, substrate dryer 145, and substrate output unit 260 stand the substrate vertically so that the front surface of the substrate is the first end 200x of the cleaning apparatus 200. Or toward the second end 200y. The substrate output unit 260 is disposed at the first end 200x, and the substrate input unit 210 is disposed at the second end 200y.

제1 기판 세정부(220)는 2개의 세정 챔버들(220a 및 220a')을 포함한다. 제2 기판 세정부(230)는 2개의 세정 챔버들(230 및 230')을 포함한다. 제3 기판 세정부(240)는 2개의 세정 챔버들(240a 및 240a')을 포함한다. 기판 건조부(145)는 2개 이상, 예를 들면 3개의 건조 챔버들(145a, 145a'및 145a")을 포함한다.The first substrate cleaner 220 includes two cleaning chambers 220a and 220a '. The second substrate cleaner 230 includes two cleaning chambers 230 and 230 ′. The third substrate cleaner 240 includes two cleaning chambers 240a and 240a '. The substrate drying unit 145 includes two or more, for example, three drying chambers 145a, 145a ′ and 145a ″.

세정 챔버들(220a-240a')은 기판을 수직으로 지지하면서 세정하도록 구성된다. 기판 세정에는 SC1(과수 및 암모니아 혼합 수용액) 및 HF(불산 수용액)와 같은 화학약품이 사용될 수 있다. 세정 종료 후 세척을 위하여 초순수가 사용될 수 있다. 세정 및 세척 과정에서. 기판을 닦아주기 위하여 PVA (폴리비닐알콜) 브러시가 사용될 수 있다. 세정을 촉진하기 위하여 기판에 극초음파(megasonic wave)가 인가될 수도 있다. 제1, 제2 및 제3 기판 세정부(220, 230 및 240)는 각각 다른 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성될 수 있다. 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다. 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230 및 230')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다. 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다.The cleaning chambers 220a-240a 'are configured to clean while supporting the substrate vertically. Chemicals such as SC1 (a mixture of aqueous fruit and ammonia) and HF (aqueous hydrofluoric acid) may be used for substrate cleaning. Ultrapure water may be used for cleaning after completion of cleaning. In the cleaning and washing process. PVA (polyvinyl alcohol) brush may be used to clean the substrate. Microsonic waves may be applied to the substrate to facilitate cleaning. The first, second, and third substrate cleaners 220, 230, and 240 may be configured to clean the substrate by different cleaning methods, respectively. The cleaning chambers 220a and 220a ′ of the first substrate cleaner 220 are configured to clean the substrate by the same cleaning method. The cleaning chambers 230 and 230 ′ of the second substrate cleaner 230 are configured to clean the substrate by the same cleaning method. The cleaning chambers 240a and 240a ′ of the third substrate cleaner 240 are configured to clean the substrate by the same cleaning method.

건조 챔버들(145a, 145a' 및 145a")은 기판을 수직으로 세워서 지지하도록 구성되며, 기판을 회전시킴으로써 건조하거나 기판에 IPA(아이소프로필알콜)를 분사하여 건조하는 마랑고니(Marangoni) 방법으로 건조하도록 구성될 수도 있다. 건조 챔버들(145a, 145a' 및 145a")은 동일한 방법으로 기판을 건조하도록 구성된다.The drying chambers 145a, 145a 'and 145a "are configured to support the substrate in an upright position and are dried by the Marangoni method which is dried by rotating the substrate or by spraying IPA (isopropyl alcohol) onto the substrate. The drying chambers 145a, 145a 'and 145a "are configured to dry the substrate in the same manner.

세정 장치(200)는 직선 이송 장치(270)를 더 포함한다. 직선 이송 장치(270)는 직선 트랙(274)에 체결된 적어도 하나의 기판 그리핑 장치를 이용하여 기판들을 기판 입력부(210)로부터 기판 세정부들(220-240) 및 기판 건조부(145)를 순차적으로 거쳐서 기판 출력부(260)로 이송하도록 구성된다. 예를 들면, 직선 이송 장치(270)는 도 3에 도시된 바와 같이 직선 트랙(274)에 체결된 5 개의 기판 그리핑 장치들(272a-272e)을 포함한다. 기판 그리핑 장치들(272a-272e)은 각각의 직선 이송 구동 장치(275a-275e)에 의하여 직선 트랙(274) 상에서의 직선 이송 운동이 개별적으로 제어되도록 구성될 수 있다.The cleaning device 200 further includes a linear conveying device 270. The linear transfer apparatus 270 may transfer the substrates from the substrate input unit 210 to the substrate cleaners 220-240 and the substrate dryer 145 using at least one substrate gripping device fastened to the linear track 274. It is configured to transfer to the substrate output unit 260 sequentially. For example, the straight line transfer device 270 includes five substrate gripping devices 272a-272e fastened to the straight track 274 as shown in FIG. 3. Substrate gripping devices 272a-272e can be configured such that the linear feed motion on the straight track 274 is individually controlled by each linear feed drive device 275a-275e.

직선 트랙(274)은 세정 장치(200)의 상부에 설치되며, 직선 트랙(274)은 기판 그리핑 장치들(272a-272e)이 적어도 하나씩 체결되는 여러 개의 직선 트랙들로 나뉘어 구성될 수도 있다.The straight track 274 is installed above the cleaning apparatus 200, and the straight track 274 may be divided into a plurality of straight tracks to which the substrate gripping devices 272a-272e are fastened at least one by one.

기판 그리핑 장치들(272a-272e)은 도 3에 도시된 바와 같이 각각의 기판 그리핑 암들(272a'-272e')을 포함한다. 기판 그리핑 암들(272a'-272e')은 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240), 기판 건조부(145) 및 기판 출력부(260)와 기판을 주고 받을 수 있도록 각각의 기판 그리핑 장치들(272a-272e)로부터 하강하도록 구성된다.Substrate gripping devices 272a-272e include respective substrate gripping arms 272a ′-272e ′ as shown in FIG. 3. The substrate gripping arms 272a ′ -272e ′ may each exchange a substrate with the substrate input unit 210, the substrate cleaners 220-240, the substrate drying unit 145, and the substrate output unit 260. And to descend from the substrate gripping devices 272a-272e.

직선 이송 장치(270)는 제1 기판 그리핑 장치(272a)가 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')로, 제2 기판 그리핑 장치(272b)가 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')로부터 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a')로, 제3 기판 그리핑 장치(272c)가 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a')로부터 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')로, 제4 기판 그리핑 장치(272d)가 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')로부터 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a, 145a' 및 145a")로, 그리고 제5 기판 그리핑 장치(272e)가 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a, 145a' 및 145a")로부터 기판 출력부(260)로 기판을 이송하도록 구성될 수 있다.The linear transfer device 270 has a first substrate gripping device 272a from the substrate input unit 210 to the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaning unit 220. 272b is a third substrate gripping apparatus 272c from the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220 to the cleaning chambers 230a and 230a' of the second substrate cleaner 230. ) From the cleaning chambers 230a and 230a 'of the second substrate cleaner 230 to the cleaning chambers 240a and 240a' of the third substrate cleaner 240, the fourth substrate gripping apparatus 272d. From the cleaning chambers 240a and 240a 'of the third substrate cleaner 240 to the drying chambers 145a, 145a' and 145a "of the substrate dryer 145, and to the fifth substrate gripping apparatus 272e. ) May be configured to transfer the substrate from the drying chambers 145a, 145a ′ and 145a ″ of the substrate dryer 145 to the substrate output 260.

기판 출력부(260)로 이송된 기판들은 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)에 의하여 기판 보관 장치(10)로 이송된다. 기판 출력부(260)는 기판 이송 장치(20a)가 기판 출력부(260)의 측면(262)을 통하여 기판을 꺼내 갈 수 있도록 그 측면(262)이 제1 기판 이송부의 기판 이송 장치(20a)를 향하도록 배치된다. 또한, 기판 출력부(260)는 그 측면(262)에 기판의 출입을 위하여 문(door)이 달린 개구부가 형성될 수 있다.The substrates transferred to the substrate output unit 260 are transferred to the substrate storage device 10 by the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20. The substrate output unit 260 has the side surface 262 of the first substrate transfer unit 20a so that the substrate transfer device 20a can take out the substrate through the side surface 262 of the substrate output unit 260. It is arranged to face. In addition, the substrate output unit 260 may have an opening having a door on its side surface 262 to access the substrate.

세정 장치(200)는 직선 이송 장치(270)를 이용하여 제1 기판을 포함하는 제1 그룹의 기판들은 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a') 중의 하나, 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230 및 230') 중의 하나, 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a') 중의 하나, 및 기판 건조부(145)의 제1 ~ 제3 건조 챔버들(145a-145a") 중의 하나, 예를 들면 제1 건조 챔버(145a)로 순차적으로 이송하면서 세정 및 건조하며, 제2 기판을 포함하는 제2 그룹의 기판들은 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a') 중의 다른 하나, 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230 및 230') 중의 다른 하나, 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a') 중의 다른 하나, 및 기판 건조부(145)의 제1 ~ 제3 건조 챔버들(145a-145a") 중의 다른 하나, 예를 들면 제2 건조 챔버(145a')로 순차적으로 이송하면서 세정 및 건조하며, 제3 기판을 포함하는 제3 그룹의 기판들은 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a') 중의 하나, 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230 및 230') 중의 하나, 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a') 중의 하나, 및 기판 건조부(145)의 제1 ~ 제3 건조 챔버들(145a-145a") 중의 나머지 하나, 예를 들면 제3 건조 챔버(145a")로 순차적으로 이송하면서 세정 및 건조하도록 구성된다.The cleaning apparatus 200 uses the linear transfer apparatus 270 to clean the first group of substrates including the first substrate from the substrate input unit 210 to the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaning unit 220. ), One of the cleaning chambers 230 and 230 'of the second substrate cleaning unit 230, one of the cleaning chambers 240a and 240a' of the third substrate cleaning unit 240, and the substrate drying unit. A second group comprising a second substrate which is cleaned and dried while being sequentially transferred to one of the first to third drying chambers 145a-145a ″ of 145, for example the first drying chamber 145a Substrates of the cleaning substrates 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220 and the cleaning chambers 230 and 230' of the second substrate cleaner 230 of the second substrate cleaner 230. The other one of the cleaning chambers 240a and 240a 'of the third substrate cleaner 240 and the other of the first to third drying chambers 145a-145a "of the substrate dryer 145. , For example, the substrates of the third group including the third substrate are cleaned and dried while being sequentially transferred to the second drying chamber 145a ', and the cleaning chambers of the first substrate cleaner 220 are transferred from the substrate input unit 210. One of the cleaning chambers 230 and 230 'of the second substrate cleaner 230, and one of the cleaning chambers 240a and 240a' of the third substrate cleaner 240. And cleaning and drying while sequentially transferring to the other one of the first to third drying chambers 145a-145a ″ of the substrate drying unit 145, for example, the third drying chamber 145a ″.

도 1로 되돌아가서, 기판 연마용 가공 장치(600)는 길이 방향을 따라 배치되는 제1 및 제2 측면(600L 및 600L')을 포함하며, 폭 방향을 따라서 배치되는 제1 후면(600B)을 포함한다. 제1 및 제2 측면(600L 및 600L')은 서로 마주보며, 제1 후면(600B)은 제1 기판 이송부(20)와 마주보는 면이다.Returning to FIG. 1, the substrate polishing apparatus 600 includes first and second side surfaces 600L and 600L ′ disposed along the longitudinal direction and includes a first rear surface 600B disposed along the width direction. Include. The first and second side surfaces 600L and 600L 'face each other, and the first rear surface 600B faces the first substrate transfer part 20.

세정 장치(200)는 제2 측면(600L')으로부터 접근 가능하도록 제2 측면(600L')에 인접하여 배치된다. 세정 장치(200)는 기판 연마용 가공 장치(600)의 길이 방향을 따라서 세정 장치(200)의 제1 끝단(200x)은 제1 기판 이송부(20)와 인접하도록 배치되며 그 반대편인 제2 끝단(200y)은 제1 후면(600B)에 인접하도록 배치된다. The cleaning apparatus 200 is disposed adjacent to the second side 600L 'to be accessible from the second side 600L'. In the cleaning apparatus 200, the first end 200x of the cleaning apparatus 200 is disposed to be adjacent to the first substrate transfer part 20 along the longitudinal direction of the processing apparatus 600 for substrate polishing, and the second end opposite thereto. 200y is disposed to be adjacent to the first rear surface 600B.

제1 작업 공간(S1) 및 제1 연마 장치(100)는 제1 측면(600L)으로부터 접근 가능하도록 제1 측면(600L)에 인접하여 배치된다. 제1 작업 공간(S1) 및 제1 연마 장치(100)는 기판 연마용 가공 장치(600)의 길이 방향을 따라서 기판 이송부(20)로부터 제1 작업 공간(S1), 제1 연마 장치(100)의 순서로 배치된다. 제1 작업 공간(S1)은 제1 기판 이송부(20)와 제1 연마 장치(100) 사이임과 동시에 제1 측면(600L)과 세정 장치(200) 사이인 공간에 배치된다. 제1 작업 공간(S1)은 작업자가 제1 측면(600L)으로부터 접근하여 제1 연마 장치(100) 및 제1 기판 이송부(20)를 유지 관리할 수 있는 공간을 제공해 준다.The first working space S1 and the first polishing apparatus 100 are disposed adjacent to the first side surface 600L to be accessible from the first side surface 600L. The first work space S1 and the first polishing apparatus 100 are formed from the substrate transfer part 20 along the first direction S1 and the first polishing apparatus 100 along the longitudinal direction of the substrate polishing processing apparatus 600. Are arranged in order. The first working space S1 is disposed between the first substrate transfer unit 20 and the first polishing apparatus 100 and at the same time between the first side surface 600L and the cleaning apparatus 200. The first work space S1 provides a space for an operator to approach from the first side surface 600L to maintain the first polishing apparatus 100 and the first substrate transfer part 20.

제1 연마 장치(100)의 제1 연마 테이블(110a)은 제1 작업 공간(S1) 및 상기 세정 장치(200)에 인접하여 배치되며, 제2 연마 테이블(110b)은 제1 작업 공간(S1) 및 제1 측면(600L)에 인접하여 제1 연마 테이블(110a)을 사이에 두고 세정 장치(200)의 맞은편에 배치된다. 제3 연마 테이블은(110c) 제1 측면(600L)에 인접하여 제2 연마 테이블(110b)과 제1 후면(600B) 사이에 배치된다. 기판 로딩부(130)는 제3 연마 테이블(110c)과 세정 장치(200) 사이에 배치된다.The first polishing table 110a of the first polishing apparatus 100 is disposed adjacent to the first working space S1 and the cleaning apparatus 200, and the second polishing table 110b is arranged in the first working space S1. And the first polishing table 110a between the first side surface 600L and the first side surface 600L. The third polishing table 110c is disposed between the second polishing table 110b and the first rear surface 600B adjacent to the first side surface 600L. The substrate loading unit 130 is disposed between the third polishing table 110c and the cleaning apparatus 200.

입력 기판 거치대(25)는 세정 장치(200)에 인접하여 배치된다. 입력 기판 거치대(25)는 제1 기판 이송부(20)에 인접하며 세정 장치(200)와 제1 작업 공간(S1)의 사이에 위치하는 제1 기판 이송 위치(25x)와 기판 이송 장치(30)에 인접하며 세정 장치(200)와 연마 장치(100) 사이에 위치하는 제2 기판 이송 위치(25y) 사이를 왕복 이동(25a)하도록 구성된다. 입력 기판 거치대(25)는 제1 이송 위치(25x)에서 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)로부터 기판을 받아서 제2 이송 위치(25y)로 이동하여 기판 이송 장치(30)로 전달하도록 구성된다. 입력 기판 거치대(25)의 이동 경로(25a)는 세정 장치(200)의 측면에 인접하여 배치된다. 입력 기판 거지대(25)는 기판을 수직으로 세워서 기판의 앞면이 세정 장치(200) 또는 그 반대 방향을 향하게끔 지지하도록 구성될 수 있다.The input substrate holder 25 is disposed adjacent to the cleaning device 200. The input substrate holder 25 is adjacent to the first substrate transfer part 20 and is positioned between the cleaning apparatus 200 and the first work space S1 and the first substrate transfer position 25x and the substrate transfer apparatus 30. And reciprocating 25a between a second substrate transfer position 25y adjacent to and positioned between the cleaning apparatus 200 and the polishing apparatus 100. The input substrate holder 25 receives the substrate from the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20 at the first transfer position 25x and moves to the second transfer position 25y to the substrate transfer device 30. Configured to deliver. The movement path 25a of the input substrate holder 25 is disposed adjacent to the side of the cleaning device 200. The input substrate beacon 25 may be configured to hold the substrate vertically so that the front surface of the substrate is supported so as to face the cleaning apparatus 200 or the opposite direction.

기판 이송 장치(30)는 제1 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130) 및 제1 후면(600B) 사이의 공간에 배치되며, 제2 기판 이송 위치(25y)의 입력 기판 거치대(210)로부터 기판을 받아서 제1 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130)로 전달하며, 제1 연마 장치(100)에서 연마된 기판들을 기판 로딩부(130)로부터 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)로 이송하도록 구성된다.The substrate transfer apparatus 30 is disposed in a space between the substrate loading portion 130 and the first rear surface 600B of the first polishing apparatus 100, and the input substrate holder 210 of the second substrate transfer position 25y is provided. The substrate is received from the substrate polishing unit 100 of the first polishing apparatus 100 and transferred to the substrate loading unit 130, the substrate polishing unit 200 from the substrate loading unit 130, the substrate input unit ( Configured to be transferred to 210.

기판 연마용 가공 장치(600)의 동작 방법은 다음의 단계를 포함한다.The operation method of the substrate polishing processing apparatus 600 includes the following steps.

(1) 기판 이송 장치(20a)가 기판 보관 장치(10)로부터 제1 기판 이송 위치(25x)의 입력 기판 거치대(25)로 기판들(5)을 전달하는 단계,(1) the substrate transfer device 20a transferring the substrates 5 from the substrate storage device 10 to the input substrate holder 25 at the first substrate transfer position 25x,

(2) 입력 기판 거치대(25)가 제2 기판 이송 위치(25y)로 이동하는 단계,(2) the input substrate holder 25 is moved to the second substrate transfer position 25y,

(3) 기판 이송 장치(30)가 입력 기판 거치대(25)로부터 기판들을 집어서 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130)로 전달하는 단계,(3) the substrate transfer device 30 picking up the substrates from the input substrate holder 25 and transferring them to the substrate loading portion 130 of the polishing apparatus 100,

(4) 기판들을 연마 장치(100)에서 연마하는 단계,(4) polishing the substrates in the polishing apparatus 100,

(5) 기판 이송 장치(30)가 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130)로부터 기판들을 잡아서 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)로 전달하는 단계,(5) the substrate transfer device 30 catches the substrates from the substrate loading portion 130 of the polishing apparatus 100 and transfers the substrates to the substrate input portion 210 of the cleaning apparatus 200,

(6) 세정 장치(200)가 기판을 제1, 제2 및 제3 기판 세정부(220, 230 및 240)를 거치면서 세정하고, 기판 건조부(145)를 거치면서 건조하고, 기판 출력부(260)로 이송하는 단계, 및(6) The cleaning device 200 cleans the substrate while passing through the first, second and third substrate cleaning units 220, 230, and 240, and dries while passing through the substrate drying unit 145, and the substrate output unit. Transferring to 260, and

(7) 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)가 기판 출력부(260)로부터 기판 보관 장치(10)로 기판을 전달하는 단계를 포함한다.(7) the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20 transfers the substrate from the substrate output unit 260 to the substrate storage device 10.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판 연마용 장치(600)는 도 4에 도시된 바와 같이 제2 연마 장치(100') 및 제2 작업 공간(S2)을 더 포함할 수 있다. 도 4는 제2 연마 장치(100') 및 제2 작업 공간(S2)을 더 포함하는 기판 연마용 장치(600a)의 평면도이다. 제2 작업 공간(S2)은 제1 측면(600L)에 인접하여 제1 연마 장치(100)의 제3 연마 테이블(110c)과 제1 후면(600B) 사이에 배치된다. 제2 연마 장치(100')는 1 연마 장치(100)와 유사하게 구성되며, 세정 장치(200)와 제1 후면(600B) 사이의 공간과 제1 연마 장치(100)와 제1 후면(600B) 사이의 공간에 배치된다. 또한, 제2 연마 장치(100')는 제2 측면(600L')에 인접하여 제2 측면(600L')과 제2 작업 공간(S2) 사이에 배치된다.According to an embodiment of the present disclosure, the substrate polishing apparatus 600 may further include a second polishing apparatus 100 ′ and a second working space S2, as shown in FIG. 4. 4 is a plan view of a substrate polishing apparatus 600a further including a second polishing apparatus 100 'and a second working space S2. The second work space S2 is disposed between the third polishing table 110c and the first rear surface 600B of the first polishing apparatus 100 adjacent to the first side surface 600L. The second polishing apparatus 100 ′ is configured similarly to the first polishing apparatus 100, and has a space between the cleaning apparatus 200 and the first rear surface 600B, and the first polishing apparatus 100 and the first rear surface 600B. ) Is placed in the space between. In addition, the second polishing apparatus 100 'is disposed between the second side surface 600L' and the second work space S2 adjacent to the second side surface 600L '.

제2 연마 장치(100')의 제1 연마 테이블(110a')은 세정 장치(200)의 제2 끝단(200y) 및 제2 측면(600L')에 인접하여 배치되며, 제2 연마 테이블(110b')은 제2 측면(600L') 및 세정 장치의 제1 후면(600B)에 인접하여 배치된다. 제2 연마 장치(100')의 제3 연마 테이블은(110c') 제1 후면(600B)에 인접하여 제2 연마 장치(100')의 제2 연마 테이블(100b')과 제2 작업 공간(S2)의 사이에 배치된다. 제2 연마 장치(100')의 기판 로딩부(130')는 제2 연마 장치(100')의 제1 연마 테이블(110a')과 제2 작업 공간(S2) 사이에 배치되며 제2 기판 이송 장치를 가로질러서 제1 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130)를 마주보도록 배치된다.The first polishing table 110a 'of the second polishing apparatus 100' is disposed adjacent to the second end 200y and the second side surface 600L 'of the cleaning apparatus 200, and the second polishing table 110b. ') Is disposed adjacent the second side surface 600L' and the first rear surface 600B of the cleaning apparatus. The third polishing table 110c 'of the second polishing apparatus 100' is adjacent to the first rear surface 600B and the second polishing table 100b 'of the second polishing apparatus 100' and the second working space ( It is arrange | positioned between S2). The substrate loading portion 130 'of the second polishing apparatus 100' is disposed between the first polishing table 110a 'and the second working space S2 of the second polishing apparatus 100' and transfers the second substrate. It is arranged to face the substrate loading portion 130 of the first polishing apparatus 100 across the apparatus.

기판 이송 장치(30)는 제1 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130), 제2 연마 장치(100')의 기판 로딩부(130') 및 세정 장치(200)의 기판 입력부(210) 사이의 공간에 배치된다. 기판 이송 장치(30)는 제2 기판 이송 위치(25y)의 입력 기판 거치대(210)로부터 기판을 받아서 제2 연마 장치(100')의 기판 로딩부(130')로 전달하며, 제2 연마 장치(100')에서 연마된 기판들을 기판 로딩부(130')로부터 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)로 이송하도록 구성된다.The substrate transfer apparatus 30 may include a substrate loading unit 130 of the first polishing apparatus 100, a substrate loading unit 130 ′ of the second polishing apparatus 100 ′, and a substrate input unit 210 of the cleaning apparatus 200. It is placed in the space between. The substrate transfer apparatus 30 receives the substrate from the input substrate holder 210 at the second substrate transfer position 25y and transfers the substrate to the substrate loading portion 130 ′ of the second polishing apparatus 100 ′. The substrate polished at 100 ′ is configured to be transferred from the substrate loading unit 130 ′ to the substrate input unit 210 of the cleaning apparatus 200.

기판 연마용 가공 장치(600a)의 동작 방법은 다음의 단계를 포함한다.The operation method of the substrate polishing processing apparatus 600a includes the following steps.

(1) 기판 이송 장치(20a)가 기판 보관 장치(10)로부터 제1 기판 이송 위치(25x)의 입력 기판 거치대(25)로 기판들(5)을 전달하는 단계,(1) the substrate transfer device 20a transferring the substrates 5 from the substrate storage device 10 to the input substrate holder 25 at the first substrate transfer position 25x,

(2) 입력 기판 거치대(25)가 제2 기판 이송 위치(25y)로 이동하는 단계,(2) the input substrate holder 25 is moved to the second substrate transfer position 25y,

(3) 기판 이송 장치(30)가 입력 기판 거치대(25)로부터 기판들을 집어서 연마 장치들(100 및 100')의 기판 로딩부들(130 및 130')로 번갈아 전달하는 단계,(3) the substrate transfer device 30 picking up the substrates from the input substrate holder 25 and transferring them alternately to the substrate loading portions 130 and 130 'of the polishing devices 100 and 100',

(4) 기판들을 연마 장치들(100 및 100')에서 연마하는 단계,(4) polishing the substrates in polishing apparatuses 100 and 100 ',

(5) 기판 이송 장치(30)가 연마 장치들(100 및 100')의 기판 로딩부들(130 및 130')로부터 기판들을 잡아서 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)로 전달하는 단계,(5) the substrate transfer device 30 catches the substrates from the substrate loading portions 130 and 130 'of the polishing apparatuses 100 and 100' and transfers them to the substrate input portion 210 of the cleaning apparatus 200,

(6) 세정 장치(200)가 기판을 제1, 제2 및 제3 기판 세정부(220, 230 및 240)를 거치면서 세정하고, 기판 건조부(145)를 거치면서 건조하고, 기판 출력부(260)로 이송하는 단계, 및(6) The cleaning device 200 cleans the substrate while passing through the first, second and third substrate cleaning units 220, 230, and 240, and dries while passing through the substrate drying unit 145, and the substrate output unit. Transferring to 260, and

(7) 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)가 기판 출력부(260)로부터 기판 보관 장치(10)로 기판을 전달하는 단계를 포함한다.(7) the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20 transfers the substrate from the substrate output unit 260 to the substrate storage device 10.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 연마용 가공 장치(600a)는 도 4에 도시된 바와 같이 기판 연마용 가공 장치(600a)의 상부 프레임에 고정되며 기판 이송 위치(TP) 및 작업 위치(WP) 사이를 연결하는 트랙(35)을 더 포함할 수 있다. 이송장치(30)는 트랙(35)에 매달리도록 체결되어 기판 이송 위치(TP) 및 작업 위치(WP) 사이에서 이동하도록 구성된다. 기판 이송 위치(TP)에서는 도 4에 도시된 바와 같이 제2 기판 이송 장치(30)가 입력 기판 거치대(25)의 제2 기판 이송 위치(25y), 제1 연마 장치(100)의 기판 로딩부(130), 제2 연마 장치(100')의 기판 로딩부(130') 및 세정 장치(200)의 기판 입력부(210) 근처에 위치하여 이들 사이에서 기판을 이송한다. 작업 위치(WP)에서는 도 5에 도시된 바와 같이 기판 이송 장치(30)가 제1 연마 장치(100)의 제3 연마 테이블(110c)의 위 또는 제2 작업 공간(S2)으로 이동하여 위치함으로써 작업자가 제1 및 제2 연마 장치(100 및 100')의 기판 로딩부들(130 및 130')로 접근할 수 있는 공간을 제공한다. 도 5는 기판 이송 장치(30)가 작업 위치(WP)로 이동하여 위치한 상태를 보여주는 기판 연마용 가공 장치(600a)의 평면도이다.According to an embodiment of the present invention, the substrate polishing apparatus 600a is fixed to the upper frame of the substrate polishing apparatus 600a as shown in FIG. 4, and the substrate transfer position TP and the working position WP are shown in FIG. 4. It may further comprise a track (35) connecting between. The transfer device 30 is fastened to hang on the track 35 and is configured to move between the substrate transfer position TP and the work position WP. In the substrate transfer position TP, as shown in FIG. 4, the second substrate transfer apparatus 30 includes the second substrate transfer position 25y of the input substrate holder 25 and the substrate loading portion of the first polishing apparatus 100. 130, the substrate loading portion 130 ′ of the second polishing apparatus 100 ′ and the substrate input portion 210 of the cleaning apparatus 200 are positioned to transfer the substrate therebetween. In the working position WP, as shown in FIG. 5, the substrate transfer device 30 moves and is positioned on the third polishing table 110c of the first polishing apparatus 100 or in the second working space S2. Provides a space for a worker to access the substrate loading portions 130 and 130 'of the first and second polishing apparatuses 100 and 100'. 5 is a plan view of a substrate polishing processing apparatus 600a showing a state where the substrate transfer device 30 is moved to the working position WP.

본 발명은 특정한 실시 예들을 참조하여 설명되었으나 본 발명은 이렇게 설명된 특정한 실시 예들에 의해서 제한 받지 않으며 본 발명의 취지를 따르는 변형된 실시 예들에 대해서도 유효하게 적용된다. 예를 들면, 반도체 기판들을 연마 및 세정하기 위한 다양한 장치들 및 방법들이 설명되었으나, 상기 장치들과 방법들은 반도체 기판이 아닌 다른 대상들을 연마하고 세정하기 위하여 사용될 수 있다.While the invention has been described with reference to specific embodiments, the invention is not to be limited by the specific embodiments described, but may be advantageously applied to modified embodiments which are within the scope of the invention. For example, while various apparatuses and methods for polishing and cleaning semiconductor substrates have been described, the apparatuses and methods may be used to polish and clean objects other than a semiconductor substrate.

100 및 100' 연마 장치
200 세정 장치
600 기판 연마용 가공 장치
210, 220 및 230 기판 세정부
145 기판 건조부100 and 100 'polishing device
200 cleaning device
600 Substrate Polishing Machine
210, 220, and 230 substrate cleaners
145 substrate drying unit

Claims (7)

제1 기판 이송 장치를 포함하는 제1 기판 이송부, 제1 작업 공간, 입력 기판 거치대, 세정 장치, 제1 연마 장치 및 제2 기판 이송 장치를 포함하는 기판 연마용 가공 장치에 있어서,
상기 제1 작업 공간은 상기 제1 기판 이송부 및 상기 제1 연마 장치 사이에 배치되어, 작업자가 상기 제1 기판 이송부 및 상기 제1 연마 장치로 접근할 수 있는 공간을 제공하며,
상기 세정 장치는 제1 끝단에 배치되는 기판 출력부, 상기 제1 끝단의 맞은 편인 제2 끝단에 배치되는 기판 입력부, 상기 기판 출력부에 인접하여 배치되는 기판 건조부, 상기 기판 입력부와 상기 기판 건조부 사이에 배치되는 적어도 하나의 기판 세정부, 및 적어도 하나의 기판 그리핑 장치를 이용하여 기판을 상기 기판 입력부로부터 상기 적어도 하나의 기판 세정부 및 상기 기판 건조부를 거쳐서 상기 기판 출력부로 이송하도록 구성되는 기판 이송 장치를 포함하며, 상기 기판 입력부, 상기 적어도 하나의 기판 세정부, 상기 기판 건조부 및 상기 기판 출력부는 기판을 수직으로 세워서 기판의 앞면이 상기 제1 끝단 또는 상기 제2 끝단을 향하게끔 지지하도록 구성되며, 상기 세정 장치의 상기 기판 출력부는 상기 제1 기판 이송부의 상기 제1 기판 이송 장치가 상기 기판 출력부로부터 상기 기판을 이송할 수 있도록 상기 제1 기판 이송부에 인접하여 배치되며,
상기 입력 기판 거치대는 상기 제1 기판 이송부 및 상기 세정 장치에 인접하여 배치되는 제1 기판 이송 위치 및 상기 세정 장치 및 상기 제2 기판 이송 장치 근처에 인접하여 배치되는 제2 기판 이송 위치 사이를 왕복하도록 구성되며, 상기 제1 기판 이송 위치에서 상기 제1 기판 이송부의 상기 제1 기판 이송 장치로부터 기판을 전달 받아 상기 제2 기판 이송 위치로 이동하여 상기 제2 기판 이송 장치로 전달하도록 구성되며,
상기 제1 연마 장치는 기판 로딩부, 제1 ~ 제3 연마 테이블, 및 상기 기판 로딩부에서 기판을 흡착하여 상기 제1, 제2 및 제3 연마 테이블 중의 적어도 하나로 이동하여 상기 기판을 연마한 뒤 다시 상기 기판 로딩부로 되돌아와서 상기 기판을 상기 기판 로딩부에 되돌려주도록 구성되는 적어도 하나의 연마 헤드 조립체를 포함하며, 상기 제1 연마 테이블은 상기 제1 작업 공간 및 상기 세정 장치에 인접하여 배치되며, 상기 제2 연마 테이블은 상기 제1 작업 공간에 인접하여 상기 제1 연마 테이블을 사이에 두고 상기 세정 장치의 맞은편에 배치되며, 상기 제3 연마 테이블은 상기 제2 연마 테이블을 사이에 두고 상기 제1 작업 공간의 맞은편에 배치되며, 상기 기판 로딩부는 상기 세정 장치와 상기 제3 연마 테이블 사이에 배치되며,
상기 제2 기판 이송 장치는 상기 세정 장치의 기판 입력부, 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부, 및 상기 입력 기판 거치대의 상기 제2 기판 이송 위치 근처에 배치되며, 상기 입력 기판 거치대로부터 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부로 기판을 전달하며, 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부로부터 상기 세정 장치의 상기 기판 입력부로 기판을 전달하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.In a substrate polishing processing apparatus comprising a first substrate transfer unit including a first substrate transfer device, a first work space, an input substrate holder, a cleaning device, a first polishing device and a second substrate transfer device,
The first working space is disposed between the first substrate transfer portion and the first polishing apparatus, to provide a space for an operator to access the first substrate transfer portion and the first polishing apparatus,
The cleaning apparatus includes a substrate output unit disposed at a first end, a substrate input unit disposed at a second end opposite to the first end, a substrate dryer disposed adjacent to the substrate output unit, the substrate input unit and the substrate drying unit. And transfer the substrate from the substrate input to the substrate output via the at least one substrate cleaner and the substrate drying unit using at least one substrate cleaner disposed between the sections and at least one substrate gripping device. And a substrate transfer device, wherein the substrate input unit, the at least one substrate cleaning unit, the substrate drying unit, and the substrate output unit vertically support the substrate so that the front surface of the substrate faces the first end or the second end. And the substrate output portion of the cleaning apparatus transfers the first substrate of the first substrate transfer portion. Value are disposed adjacent to the first substrate transfer unit to transfer the substrate from the substrate output unit,
The input substrate holder is configured to reciprocate between a first substrate transfer position disposed adjacent to the first substrate transfer portion and the cleaning apparatus and a second substrate transfer position disposed adjacent to the cleaning apparatus and the second substrate transfer apparatus. And receive a substrate from the first substrate transfer device of the first substrate transfer unit at the first substrate transfer position, move the substrate to the second substrate transfer position, and transfer the substrate to the second substrate transfer apparatus.
The first polishing apparatus adsorbs the substrate from the substrate loading part, the first to third polishing tables, and the substrate loading part to move to at least one of the first, second and third polishing tables to polish the substrate. At least one polishing head assembly configured to return back to the substrate loading portion and return the substrate to the substrate loading portion, wherein the first polishing table is disposed adjacent to the first working space and the cleaning apparatus, The second polishing table is disposed opposite the cleaning apparatus with the first polishing table interposed adjacent to the first work space, and the third polishing table is disposed between the second polishing table with the second polishing table interposed therebetween. 1 is disposed opposite the working space, wherein the substrate loading portion is disposed between the cleaning apparatus and the third polishing table,
The second substrate transfer apparatus is disposed near the substrate transfer portion of the cleaning apparatus, the substrate loading portion of the first polishing apparatus, and the second substrate transfer position of the input substrate holder, and the first substrate transfer unit is disposed from the input substrate holder. And transfer the substrate to the substrate loading portion of the polishing apparatus, and transfer the substrate from the substrate loading portion of the first polishing apparatus to the substrate input portion of the cleaning apparatus. 제 1항에 있어서, 상기 제1 연마 장치가 상기 적어도 하나의 연마 헤드 조립체가 체결되어 상기 적어도 하나의 연마 헤드 조립체가 상기 기판 로딩부 및 상기 제1 ~ 제3 연마 테이블 사이를 이동할 수 있도록 구성되는 원형 트랙을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.The polishing apparatus of claim 1, wherein the first polishing apparatus is configured to fasten the at least one polishing head assembly to move the at least one polishing head assembly between the substrate loading portion and the first to third polishing tables. Processing apparatus for substrate polishing comprising a circular track. 제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 기판 세정부는 각각 2 개의 기판 세정 챔버를 포함하며, 상기 세정 장치의 상기 기판 이송 장치는 제1 기판을 상기 기판 입력부로부터 상기 적어도 하나의 기판 세정부의 상기 2 개의 세정 챔버들 중의 하나를 거쳐서 상기 기판 건조부로 이송하며, 제2 기판을 상기 기판 입력부로부터 상기 적어도 하나의 기판 세정부의 상기 2 개의 세정 챔버들 중의 다른 하나를 거쳐서 상기 기판 건조부로 이송하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.The substrate cleaning apparatus of claim 1, wherein each of the at least one substrate cleaning unit comprises two substrate cleaning chambers, wherein the substrate transfer device of the cleaning apparatus is configured to transfer a first substrate from the substrate input unit to the at least one substrate cleaning unit. Transferring the substrate to the substrate drying unit through one of two cleaning chambers, and transferring the second substrate from the substrate input to the substrate drying unit via another one of the two cleaning chambers of the at least one substrate cleaning unit. A substrate polishing processing device, characterized in that. 제1 항에 있어서, 상기 기판 건조부가 2개 이상의 기판 건조 챔버를 포함하며, 상기 세정 장치의 상기 기판 이송 장치는 기판을 상기 기판 입력부로부터 상기 적어도 하나의 기판 세정부를 거쳐서 상기 기판 건조부의 상기 2 개의 이상의 기판 건조 챔버들로 나누어 이송하며, 상기 기판을 상기 기판 건조부의 상기 2개 이상의 기판 건조 챔버들로부터 상기 기판 출력부로 이송하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.2. The substrate drying unit of claim 1, wherein the substrate drying unit includes two or more substrate drying chambers, and the substrate transfer device of the cleaning apparatus passes a substrate from the substrate input unit through the at least one substrate cleaning unit. And transferring the substrate into two or more substrate drying chambers, wherein the substrate is transferred from the two or more substrate drying chambers of the substrate drying unit to the substrate output unit. 제1 항에 있어서, 상기 제1 기판 이송부의 맞은편에 배치되는 상기 기판 연마용 가공 장치의 제1 후면과 상기 제1 연마 장치의 상기 제3 연마 테이블 사이에 배치되는 제2 작업 공간을 더 포함하며,
기판 로딩부, 제1 ~ 제3 연마 테이블, 및 상기 기판 로딩부에서 기판을 흡착하여 상기 제1, 제2 및 제3 연마 테이블 중의 적어도 하나로 이동하여 상기 기판을 연마한 뒤 다시 상기 기판 로딩부로 되돌아와서 상기 기판을 상기 기판 로딩부에 되돌려주도록 구성되는 적어도 하나의 연마 헤드 조립체를 포함하는 제2 연마 장치를 더 포함하며,
상기 제2 연마 장치의 상기 제1 연마 테이블은 상기 세정 장치의 상기 제2 끝단에 인접하여 배치되며, 상기 제2 연마 장치의 상기 제2 연마 테이블은 상기 제2 연마 장치의 상기 제1 연마 테이블과 상기 제1 후면 사이에 배치되며, 상기 제2 연마 장치의 상기 제3 연마 테이블은 상기 제1 후면에 인접하여 상기 제2 연마 장치의 상기 제2 연마 테이블과 상기 제2 작업 공간 사이에 배치되며, 상기 제2 연마 장치의 상기 기판 로딩부는 상기 제2 연마 장치의 상기 제1 연마 테이블과 상기 제2 작업 공간 사이에서 상기 제2 기판 이송 장치를 가로질러서 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부를 마주보도록 배치되며,
상기 제2 기판 이송 장치가 상기 제2 기판 이송 위치의 상기 입력 기판 거치대로부터 상기 제2 연마 장치의 상기 기판 로딩부로 기판을 전달하며 상기 제2 연마 장치의 상기 기판 로딩부로부터 상기 세정 장치의 상기 기판 입력부로 상기 기판을 전달하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.The apparatus of claim 1, further comprising a second working space disposed between the first rear surface of the substrate polishing apparatus and the third polishing table of the first polishing apparatus, which are disposed opposite the first substrate transfer unit. ,
The substrate loading unit, the first to the third polishing table, and the substrate loading unit adsorbs the substrate, moves to at least one of the first, second and third polishing tables to polish the substrate, and then returns to the substrate loading unit. And a second polishing apparatus including at least one polishing head assembly configured to come and return the substrate to the substrate loading portion,
The first polishing table of the second polishing apparatus is disposed adjacent to the second end of the cleaning apparatus, and the second polishing table of the second polishing apparatus is connected to the first polishing table of the second polishing apparatus. Disposed between the first rear surface, the third polishing table of the second polishing apparatus is disposed between the second polishing table and the second working space of the second polishing apparatus adjacent to the first rear surface; The substrate loading portion of the second polishing apparatus to face the substrate loading portion of the first polishing apparatus across the second substrate transfer apparatus between the first polishing table and the second working space of the second polishing apparatus. Will be placed,
The second substrate transfer device transfers the substrate from the input substrate holder at the second substrate transfer position to the substrate loading portion of the second polishing apparatus and from the substrate loading portion of the second polishing apparatus the substrate of the cleaning apparatus. And a substrate polishing processing apparatus configured to transfer the substrate to an input unit. 제 5항에 있어서, 상기 제2 연마 장치가 상기 적어도 하나의 연마 헤드 조립체가 체결되어 상기 기판 로딩부 및 상기 제1 ~ 제3 연마 테이블 사이를 이동할 수 있도록 구성되는 원형 트랙을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein the second polishing apparatus includes a circular track configured to engage the at least one polishing head assembly to move between the substrate loading portion and the first to third polishing tables. Processing apparatus for substrate polishing. 제 5항에 있어서, 상기 기판 연마용 가공 장치가 상기 기판 연마용 가공 장치의 상부 프레임에 고정되며 기판 이송 위치 및 작업 위치 사이를 연결하는 트랙을 포함하며, 상기 제2 기판 이송장치가 상기 트랙에 매달리도록 체결되어 상기 기판 이송 위치 및 상기 작업 위치 사이에서 이동하도록 구성되며, 상기 기판 이송 위치에서는 상기 제2 기판 이송 장치가 상기 입력 기판 거치대의 상기 제2 기판 이송 위치, 상기 제1 연마 장치의 상기 기판 로딩부, 상기 제2 연마 장치의 상기 기판 로딩부 및 상기 세정 장치의 상기 기판 입력부 근처에 위치하여 이들 사이에서 기판을 이송하며, 상기 작업 위치에서는 상기 제2 기판 이송 장치가 상기 제1 연마 장치의 상기 제3 연마 테이블의 위 또는 상기 제2 작업 공간에 위치하여 작업자가 상기 제1 및 제2 연마 장치의 상기 기판 로딩부들로 접근할 수 있는 공간을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
6. The apparatus of claim 5, wherein the substrate polishing apparatus comprises a track fixed to an upper frame of the substrate polishing apparatus and connecting between a substrate transfer position and a working position, wherein the second substrate transfer apparatus is connected to the track. It is fastened to hang and configured to move between the substrate transfer position and the working position, wherein the second substrate transfer device is the second substrate transfer position of the input substrate holder, the first polishing device of the It is located near the substrate loading portion, the substrate loading portion of the second polishing apparatus and the substrate input portion of the cleaning apparatus, and transfers the substrate therebetween, and in the working position, the second substrate transfer apparatus is the first polishing apparatus. Of the first and second polishing devices located above or above the third polishing table of the A substrate polishing apparatus characterized in that is configured to provide a space that can be reached by the substrate loading parts group.
KR1020120015129A 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers KR101879228B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015129A KR101879228B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015129A KR101879228B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130093898A true KR20130093898A (en) 2013-08-23
KR101879228B1 KR101879228B1 (en) 2018-08-20

Family

ID=49217908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120015129A KR101879228B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101879228B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053418A (en) 2019-11-02 2021-05-12 신호식 Mouse pad has a keyboard attached

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001018161A (en) * 1999-07-07 2001-01-23 Ebara Corp Polishing device
KR20070095096A (en) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus
KR20070095702A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 삼성전자주식회사 Substrate transpoting apparatus and chemical mechanical polishing apparatus with it
KR20070116531A (en) * 2005-04-19 2007-12-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
JP2011519166A (en) * 2008-04-25 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド High-throughput chemical mechanical polishing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001018161A (en) * 1999-07-07 2001-01-23 Ebara Corp Polishing device
KR20070116531A (en) * 2005-04-19 2007-12-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
KR20070095096A (en) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus
KR20070095702A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 삼성전자주식회사 Substrate transpoting apparatus and chemical mechanical polishing apparatus with it
JP2011519166A (en) * 2008-04-25 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド High-throughput chemical mechanical polishing system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 공표특허공보 특표2011-519166호(2011.06.30.) 1부. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053418A (en) 2019-11-02 2021-05-12 신호식 Mouse pad has a keyboard attached

Also Published As

Publication number Publication date
KR101879228B1 (en) 2018-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI437656B (en) Substrate processing apparatus
US9646859B2 (en) Disk-brush cleaner module with fluid jet
JP4999487B2 (en) Substrate processing equipment
US7775222B2 (en) Single substrate cleaning apparatus and method for cleaning backside of substrate
JP2008166368A (en) Substrate processing apparatus
TW200836289A (en) Substrate transporting apparatus, substrate platform shelf and substrate processing apparatus
JP6329813B2 (en) Transfer robot
US20130111678A1 (en) Brush box module for chemical mechanical polishing cleaner
KR101905399B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
US20200294821A1 (en) Post cmp cleaning apparatus and post cmp cleaning methods
KR101879228B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR101591957B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2000094317A (en) Polishing device for wafer
JP6159282B2 (en) Substrate processing apparatus and piping cleaning method for substrate processing apparatus
KR101880449B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
JP4869097B2 (en) Substrate processing equipment
WO2022187093A1 (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
KR102134434B1 (en) Cleaning unit and substrate treating apparatus
KR101879230B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR102188351B1 (en) Transporting unit, substrate treating apparatus, substrate treating system and substrate transporting method
JP5385965B2 (en) Substrate processing equipment
KR101590903B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101587006B1 (en) Apparatus of multi-step cleaning wafers and wafer transfer device used therein
KR20150072198A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2014175333A (en) Substrate transfer apparatus, substrate polishing device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant