KR101879230B1 - Apparatus for polishing semiconductor wafers - Google Patents

Apparatus for polishing semiconductor wafers Download PDF

Info

Publication number
KR101879230B1
KR101879230B1 KR1020120015132A KR20120015132A KR101879230B1 KR 101879230 B1 KR101879230 B1 KR 101879230B1 KR 1020120015132 A KR1020120015132 A KR 1020120015132A KR 20120015132 A KR20120015132 A KR 20120015132A KR 101879230 B1 KR101879230 B1 KR 101879230B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
polishing
cleaning
unit
section
Prior art date
Application number
KR1020120015132A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130093900A (en
Inventor
정인권
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020120015132A priority Critical patent/KR101879230B1/en
Publication of KR20130093900A publication Critical patent/KR20130093900A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101879230B1 publication Critical patent/KR101879230B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/0076Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools

Abstract

반도체 기판 연마용 가공 장치가 제공된다. 상기 기판 연마용 가공 장치는 연마 장치, 세정 장치 및 이들 사이에서 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 포함한다. 상기 연마 장치는 1단계 연마에 최적화되어 일렬로 배치된 2개의 연마부로 구성되며, 상기 세정 장치는 일렬로 배치된 2개의 세정 챔버를 포함하는 적어도 하나의 기판 세정부 및 2개의 건조 챔버를 포함하는 기판 건조부를 포함한다. 상기 기판 연마용 가공 장치에서 연마되는 기판들은 상기 2개의 연마부로 나뉘어 보내져서 각각의 연마 테이블에서 연마된 뒤, 상기 기판 이송 장치에 의하여 상기 세정 장치로 보내어진다. 상기 세정 장치에서 상기 기판들은 상기 적어도 하나의 기판 세정부의 2개의 세정 챔버들로 나뉘어 보내어져 세정 된 뒤, 상기 기판 건조부의 2개의 건조 챔버들로 나뉘어 보내어져 건조된다. 본 발명에서 제공하는 기판 연마용 가공 장치는 1단계 연마용으로 최적화되어 높은 생산성 및 효율적인 클린룸 공간 활용성을 제공한다.A machining apparatus for polishing a semiconductor substrate is provided. The substrate polishing apparatus includes a polishing apparatus, a cleaning apparatus, and a substrate transfer apparatus for transferring a substrate therebetween. Wherein the polishing apparatus comprises two polishing units arranged in a line optimized for one-stage polishing, the cleaning apparatus comprising at least one substrate cleaning unit including two cleaning chambers arranged in a line and two drying chambers And a substrate drying unit. The substrates to be polished in the polishing apparatus for substrate polishing are divided into the two polishing parts, polished in the respective polishing tables, and then sent to the cleaning device by the substrate transfer device. In the cleaning apparatus, the substrates are divided into two cleaning chambers of the at least one substrate cleaning section and cleaned. Then, the substrates are divided into two drying chambers of the substrate drying section and dried. The substrate polishing apparatus provided by the present invention is optimized for one-stage polishing, thereby providing high productivity and efficient clean room space utilization.

Figure R1020120015132
Figure R1020120015132

Description

반도체 기판 연마용 가공 장치 {APPARATUS FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS}[0001] APPARATUS FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS [0002]

본 출원은 2012년 2월 10일 출원된 한국 출원 특허 번호 10-2012-0013549의 이익을 부여받으며 여기에서 참조로 통합된다.This application is assigned the benefit of Korean Patent Application No. 10-2012-0013549, filed February 10, 2012, which is incorporated herein by reference.

본 발명은 일반적으로 반도체 기판의 가공 장치에 관한 것이며, 더 구체적으로는 반도체 기판을 연마 및 세정하기 위한 장치와 방법에 관한 것이다..BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a processing apparatus for a semiconductor substrate, and more particularly to an apparatus and method for polishing and cleaning a semiconductor substrate.

반도체 기판(wafer)을 연마하기 위한 기판 연마용 가공(processing) 장치는 연마 장치와 세정 장치를 포함한다. 연마 장치는 다수의 연마 테이블 및 연마 헤드들을 포함한다. 연마 헤드들은 연마 테이블에 부착된 연마 패드 상에서 연마재를 사용하여 기판 표면의 절연막 또는 금속 막을 연마해 낸다. 세정 장치는 연마된 기판을 세정하기 위한 세정 챔버와 세정된 기판을 건조하기 위한 건조 챔버로 구성된다.A processing apparatus for polishing a substrate for polishing a semiconductor wafer includes a polishing apparatus and a cleaning apparatus. The polishing apparatus includes a plurality of polishing tables and polishing heads. The polishing heads use an abrasive on the polishing pad attached to the polishing table to polish the insulating film or metal film on the substrate surface. The cleaning apparatus comprises a cleaning chamber for cleaning the polished substrate and a drying chamber for drying the cleaned substrate.

반도체 소자 제조 과정에서 반도체 기판 연마 공정이 더 많이 사용됨에 따라 높은 생산성을 제공하는 기판 연마용 가공 장치가 요구되고 있다. 또한, 기판 연마용 가공 장치는 비싼 건설 및 운영 비용이 필요한 클린룸에 설치되므로 같은 생산성이라면 작은 면적의 장치가 선호되고 있다. 작은 면적의 장치를 제공하려면 공간을 효율적으로 활용하도록 연마 장치 및 세정 장치를 디자인하고 연마용 가공 장치 내에 배치하는 것이 중요하다. There is a demand for a polishing apparatus for polishing a substrate which provides high productivity as semiconductor substrate polishing processes are used more frequently in semiconductor device manufacturing processes. In addition, since the polishing apparatus for substrate polishing is installed in a clean room requiring expensive construction and operation costs, a small-sized apparatus is preferred for the same productivity. In order to provide a small-area apparatus, it is important to design and arrange the polishing apparatus and the cleaning apparatus in the polishing processing apparatus to efficiently utilize the space.

연마 장치는 기판을 3개의 연마 테이블을 순차적으로 거치면서 3단계로 나누어 연마하는 3단계 연마 장치가 사용되고 있다. 그러나 3단계 연마 장치는 기판 표면 거칠기 제거 및 절연막 증착 과정에서 발생한 파티클을 제거하는 용도로 사용되는 1단계 연마, 예를 들면 1개의 연마 테이블에서 10초 내외의 짧은 연마만으로 연마 공정을 종료하는 기판 표면 개질 용으로는 비효율적이다.In the polishing apparatus, a three-stage polishing apparatus is used in which the substrate is divided into three stages while sequentially passing through three polishing tables. However, in the three-stage polishing apparatus, the first-stage polishing used for removing the surface roughness of the substrate and the removal of the particles generated in the insulating film deposition process, for example, the polishing of the substrate surface It is inefficient for reforming.

본 발명이 해결하려는 과제는 이러한 관점에서, 1단계 연마에 적합하며 고생산성 및 효율적인 공간 활용을 제공하는 반도체 기판을 연마 및 세정하기 위한 기판 연마용 가공 장치 및 방법을 제공하는 것이다.In view of the above, it is an object of the present invention to provide an apparatus and method for polishing a substrate for polishing and cleaning a semiconductor substrate which is suitable for one-stage polishing and provides high productivity and efficient space utilization.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치는 기판 연마용 가공 장치의 길이 방향을 따라서 일렬로 배치되며 각각 1개의 연마 테이블과 1개의 기판 로딩부를 포함하는 제1 및 제2 연마부를 포함하는 기판 연마 장치, 상기 기판 연마용 가공 장치의 길이 방향을 따라서 일렬로 배치되며 2개의 세정 챔버를 포함하는 적어도 하나의 기판 세정부와 2개의 건조 챔버를 포함하는 기판 건조부를 포함하는 세정 장치, 및 상기 연마 장치와 상기 세정 장치 사이에 배치되어 상기 연마 장치로부터 상기 세정 장치로 기판을 이송하는 기판 이송부를 포함한다. 상기 제1 연마부의 상기 제1 기판 로딩부와 상기 제1 연마 테이블, 및 상기 제2 기판 연마부의 상기 제2 기판 로딩부와 상기 제2 연마 테이블은 상기 기판 연마용 가공 장치의 길이 방향을 따라서 일렬로 배치된다.A substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention is a substrate polishing apparatus for polishing a substrate including a first and a second polishing section which are arranged in a line along the longitudinal direction of the substrate polishing apparatus and each include one polishing table and one substrate loading section A cleaning apparatus comprising a polishing apparatus, a substrate drying section including at least one substrate cleaning section and two drying chambers, which are arranged in a line along the longitudinal direction of the substrate polishing processing apparatus and including two cleaning chambers, And a substrate transferring unit disposed between the apparatus and the cleaning apparatus for transferring the substrate from the polishing apparatus to the cleaning apparatus. Wherein the first substrate loading portion and the first polishing table of the first polishing portion and the second substrate loading portion and the second polishing table of the second substrate polishing portion are arranged in a line in the longitudinal direction of the substrate polishing processing device .

본 발명에 따르면, 높은 생산성 및 효율적인 공간 활용성을 제공하며 1단계 연마용으로 적합한 반도체 기판 연마용 가공 장치 및 방법을 확보할 수 있다.According to the present invention, it is possible to secure a machining apparatus and method for polishing a semiconductor substrate, which provides high productivity and efficient space utilization and is suitable for one-stage polishing.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 연마 장치의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 세정 장치의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치의 평면도이다.
1 is a plan view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side view of a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시 예들에 대하여 첨부하는 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이후 언급되는 구성 요소들에는 참조 번호를 덧붙여서 표기하며, 동일한 기능을 하는 구성 요소에 대해서는 참조 번호에 프라임(') 또는 더블 프라임(") 기호를 덧붙여서 표기한다. 예를 들면, 제1 연마 장치 및 이와 동일한 기능을 하는 제2 연마 장치는 각각 100a 및 100a'으로 표기되며, 제1 건조 챔버 및 이와 동일한 기능을 하는 제2 및 제3 건조 챔버는 각각 145a' 및 145a"으로 표기된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, reference numerals are added to reference numerals, and reference numerals are denoted by adding a prime (') or double prime (") symbol to components having the same function. A second polishing apparatus having the same function is denoted by 100a and 100a ', respectively, and the first drying chamber and the second and third drying chambers having the same function are denoted by 145a' and 145a ', respectively.

도 1을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마용 가공 장치(500)가 설명된다. 도 1은 기판 연마용 가공 장치(500)의 평면도이다. 기판 연마용 가공 장치(500)는 제1 기판 이송부(20), 제2 기판 이송부(30), 연마 장치(100) 및 세정 장치(200)를 포함한다.Referring to Fig. 1, a substrate polishing apparatus 500 according to an embodiment of the present invention will be described. Fig. 1 is a plan view of a substrate polishing apparatus 500. Fig. The substrate polishing apparatus 500 includes a first substrate transfer section 20, a second substrate transfer section 30, a polishing apparatus 100, and a cleaning apparatus 200.

제1 기판 이송부(20)는 기판 이송 장치(20a)를 포함하며, 기판 이송 장치(20a)는 이동 가능하도록 트랙(20b)에 체결될 수 있다. 제1 기판 이송부(20)는 기판 연마용 가공 장치(500)의 앞 부분에 배치된다. 제1 기판 이송부(20)에는 기판(5)을 보관하는 기판 보관 장치(10)가 부착된다.The first substrate transfer unit 20 includes a substrate transfer device 20a and the substrate transfer device 20a can be fastened to the track 20b to be movable. The first substrate transfer section 20 is disposed in the front portion of the substrate polishing processing apparatus 500. A substrate storage device 10 for storing the substrate 5 is attached to the first substrate transfer part 20.

제2 기판 이송부(30)는 입력 기판 거치대(25) 및 기판 이송 장치(30a)를 포함한다. 기판 이송부(30)는 기판 연마용 가공 장치(500)의 길이 방향을 따라서 연마 장치(100)와 세정 장치(200)의 사이에 배치된다. 제2 기판 이송부(30)는 그 제1 끝단(30x)이 제1 기판 이송부(20)와 인접하도록 배치된다. 제1 끝단(30x)에는 입력 기판 거치대(25)가 배치되어 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)로부터 기판을 전달받는다. 기판 이송 장치(30a)는 이동 가능하도록 트랙(30b)에 체결될 수 있다. 기판 이송 장치(30a)는 입력 기판 거치대(25)로부터 기판을 이송해 간다.The second substrate transfer section 30 includes an input substrate holder 25 and a substrate transfer device 30a. The substrate transferring section 30 is disposed between the polishing apparatus 100 and the cleaning apparatus 200 along the longitudinal direction of the substrate polishing processing apparatus 500. The second substrate transfer unit 30 is disposed such that the first end 30x of the second substrate transfer unit 30 is adjacent to the first substrate transfer unit 20. An input substrate holder 25 is disposed at the first end 30x to receive the substrate from the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20. The substrate transfer device 30a can be fastened to the track 30b so as to be movable. The substrate transfer device 30a transfers the substrate from the input substrate holder 25.

연마 장치(100)는 제1 및 제2 연마부(100a 및 100a')를 포함한다. 연마 장치(100)는 기판 연마용 가공 장치(500)의 길이 방향을 따라서 제2 기판 이송부(30)를 사이에 두고 세정 장치(200)의 맞은편에 배치된다. 연마 장치(100)는 그 제1 끝단(100x)이 제1 기판 이송부(20)와 인접하도록 배치된다.The polishing apparatus 100 includes first and second polishing units 100a and 100a '. The polishing apparatus 100 is disposed on the opposite side of the cleaning apparatus 200 with the second substrate transfer section 30 therebetween along the longitudinal direction of the substrate polishing apparatus 500. [ The polishing apparatus 100 is disposed so that the first end 100x thereof is adjacent to the first substrate transferring section 20.

제1 연마부(100a)는 1 개의 연마 테이블(110), 2 개의 연마 헤드 조립체(120a 및 120b, polishing head assembly), 1 개의 기판 로딩부(130, loading station) 및 1 개의 원형 트랙(140)을 포함한다. 제2 연마부(100a')는 1 개의 연마 테이블(110'), 2 개의 연마 헤드 조립체(120a' 및 120b'), 1 개의 기판 로딩부(130') 및 1 개의 원형 트랙(140')을 포함한다.The first polishing portion 100a includes a polishing table 110, two polishing head assemblies 120a and 120b, a loading station 130 and a circular track 140, . The second polishing portion 100a 'includes one polishing table 110', two polishing head assemblies 120a 'and 120b', one substrate loading portion 130 'and one circular track 140' .

제1 연마부(100a)의 연마 테이블(110)은 연마 장치(100)의 제1 끝단(100x)에 배치되며, 제2 연마부(100a')의 연마 테이블(110')은 제1 끝단(100x)의 반대편인 연마장치(100)의 제2 끝단(100y)에 배치된다. 제1 연마부(100a)의 연마 테이블(110), 제1 연마부(100a)의 기판 로딩부(130), 제2 연마부(100a')의 기판 로딩부(130'), 및 제2 연마부(100a')의 연마 테이블(110')은 연마 테이블(110), 기판 로딩부(130), 기판 로딩부(130'), 연마 테이블(110')의 순서로 연마 장치(100) 및 기판 연마용 가공 장치(500)의 길이 방향을 따라서 일렬로 배치된다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 연마부(100a)의 연마 테이블(110)과 기판 로딩부(130)는 위치를 바꾸어 배치될 수도 있다. 본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 제2 연마부(100a')의 연마 테이블(110')과 기판 로딩부(130')는 위치를 바꾸어 배치될 수도 있다.The polishing table 110 of the first polishing section 100a is disposed at the first end 100x of the polishing apparatus 100 and the polishing table 110 'of the second polishing section 100a' 100x of the polishing apparatus 100, which is opposite to the second end 100y. The polishing table 110 of the first polishing section 100a, the substrate loading section 130 of the first polishing section 100a, the substrate loading section 130 'of the second polishing section 100a' The polishing table 110 'of the polishing pad 100a' is arranged in the order of the polishing table 110, the substrate loading part 130, the substrate loading part 130 'and the polishing table 110' Are arranged in a line along the longitudinal direction of the polishing processing device (500). According to the embodiment of the present invention, the polishing table 110 and the substrate loading unit 130 of the first polishing unit 100a may be arranged in a different position. According to another embodiment of the present invention, the polishing table 110 'and the substrate loading part 130' of the second polishing part 100a 'may be arranged in a different position.

도 1 및 도 2를 참조하여, 제1 연마부(100a)가 추가로 설명된다. 도 2는 제1 연마부(100a)의 측면도이다. 제2 연마부(100')는 제1 연마부(100a)와 유사하게 구성된다. 제1 연마부(100a)의 연마 헤드 조립체들(120a 및 120b)은 각각의 연마 헤드(122a 및 122b), 각각의 회전축(123a 및 123b), 각각의 연마 헤드 구동 장치(124a 및 124b) 및 각각의 가이드 블럭(125a 및 125b, guide block)을 포함한다. 연마 헤드(122a 및 122b)는 각각의 회전축(123a 및 123b)에 의하여 각각의 연마 헤드 구동 장치(124a 및 124b)에 연결된다. 연마 헤드 구동 장치(124a 및 124b)는 각각의 회전축(123a 및 123b)을 회전시킴으로써 각각의 연마 헤드(122a 및 123b)에 흡착된 기판을 연마 테이블(110) 상에서 회전시키며, 각각의 회전축(123a 및 123b) 내부에 형성되는 유체관을 통하여 압력을 인가함으로써 기판을 연마 테이블(110) 상에서 연마하도록 구성된다.Referring to Figs. 1 and 2, the first polishing portion 100a is further described. 2 is a side view of the first polishing portion 100a. The second polishing part 100 'is configured similarly to the first polishing part 100a. The polishing head assemblies 120a and 120b of the first polishing section 100a are provided with respective polishing heads 122a and 122b, respective rotational shafts 123a and 123b, respective polishing head driving devices 124a and 124b, And guide blocks 125a and 125b (guide blocks). The polishing heads 122a and 122b are connected to the respective polishing head driving devices 124a and 124b by respective rotation shafts 123a and 123b. The polishing head driving devices 124a and 124b rotate the substrates attracted to the respective polishing heads 122a and 123b on the polishing table 110 by rotating the respective rotating shafts 123a and 123b, To polish the substrate on the polishing table 110 by applying pressure through a fluid tube formed within the polishing table 123b.

연마 헤드 조립체(120a 및 120b)는 각각의 가이드 블럭(125a 및 125b)에 의하여 원형 트랙(140)에 이송 가능하도록 체결된다. 연마 헤드 조립체(120a 및 120b)는 각각에 연결되는 이송 구동 장치들(도 1 및 2에 도시되지 않음)에 의하여 원형 트랙(140)을 따라서 이동할 수 있다. 원형 트랙(140)의 하부에는 기판 로딩부(130)와 연마 테이블(110)이 배치되며, 연마 헤드 조립체(120a 및 120b)는 원형 트랙(140)을 따라서 기판 로딩부(130)와 연마 테이블(110)이 사이를 왕복하면서 서로 자리 바꿈 하도록 구성된다.The polishing head assemblies 120a and 120b are retractably coupled to the circular track 140 by respective guide blocks 125a and 125b. The polishing head assemblies 120a and 120b can move along the circular track 140 by means of feed drives (not shown in Figures 1 and 2) connected to each. A substrate loading portion 130 and a polishing table 110 are disposed below the circular track 140. The polishing head assemblies 120a and 120b are disposed along the circular track 140 between a substrate loading portion 130 and a polishing table 110 are reciprocated between each other.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 연마 헤드 조립체들(120a 및 120b)은 하나의 거치대(도 1 및 2에 도시되지 않음)에 의하여 서로 연결되며, 상기 하나의 지지대에 연결되는 하나의 이송 구동 장치(도 1 및 2에 도시되지 않음)에 의해서 기판 로딩부(130)와 연마 테이블(110) 사이에서 동시에 자리 바꿈 하도록 구성될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the polishing head assemblies 120a and 120b are connected to each other by one cradle (not shown in Figures 1 and 2) (Not shown in Figs. 1 and 2) to swap between the substrate loading portion 130 and the polishing table 110 at the same time.

연마 테이블(110)은 회전축(113)에 의하여 회전 구동 장치(114)에 연결되어 회전된다. 연마 테이블(110)에는 연마 헤드 조립체(120a 및 120b)가 기판을 연마할 수 있도록 연마 패드(도 2에 도시되지 않음)가 부착되고 연마재(도 2에 도시되지 않음)가 연마 패드 상으로 공급된다.The polishing table 110 is connected to the rotation driving device 114 by the rotation shaft 113 and rotated. The polishing table 110 is provided with an abrasive pad (not shown in Fig. 2) and an abrasive (not shown in Fig. 2) are supplied onto the polishing pad so that the polishing head assemblies 120a and 120b can polish the substrate .

기판 로딩부(130)는 연마 헤드 조립체(120a 및 120b)가 기판 로딩부(130) 상에 위치하면, 연마 헤드(122a 및 122b)로 기판을 흡착(loading) 시키거나 연마 헤드(122a 및 122b)로부터 언로딩(unloading)되는 기판을 전달받도록 구성된다.The substrate loading portion 130 is configured to load the substrate to the polishing heads 122a and 122b or to move the polishing heads 122a and 122b to the substrate loading portions 130a and 120b when the polishing head assemblies 120a and 120b are positioned on the substrate loading portion 130. [ The substrate to be unloaded is received.

연마부(100a)의 경우를 예들 들어 설명하면, 연마부(100a 및 100a')에서 기판을 연마하는 방법은 다음의 단계를 포함한다.Taking the case of the polishing section 100a as an example, a method of polishing the substrate in the polishing sections 100a and 100a 'includes the following steps.

(1) 연마 헤드 조립체들(120a 및 120b)을 각각 기판 로딩부(130)와 연마 테이블(110) 상에 위치시키는 단계,(1) positioning the polishing head assemblies 120a and 120b on the substrate loading portion 130 and the polishing table 110, respectively,

(2) 제2 기판 이송부(30)의 기판 이송 장치(30a)에 의하여 기판 로딩부(130)로 기판을 이송하는 단계,(2) transferring the substrate to the substrate loading part 130 by the substrate transfer device 30a of the second substrate transfer part 30,

(3) 연마 헤드 조립체(120a)가 기판 로딩부(130)로부터 기판을 흡착하는 단계,(3) the polishing head assembly 120a sucking the substrate from the substrate loading portion 130,

(4) 연마 헤드 조립체들(120a 및 120b)을 원형 트랙(140)을 따라서 이송하여 각각 연마 테이블(110)과 기판 로딩부(130)로 이동시킴으로써 자리 바꿈 하는 단계,(4) transferring the polishing head assemblies 120a and 120b along the circular track 140 and moving them to the polishing table 110 and the substrate loading part 130, respectively,

(5) 연마 헤드 조립체(120b)로부터 기판을 언로딩하여 기판 로딩부(130)로 내려놓는 단계,(5) unloading the substrate from the polishing head assembly 120b and lowering it to the substrate loading portion 130,

(6) 제2 기판 이송부(30)의 기판 이송 장치(30a)에 의하여 기판 로딩부(130)로부터 기판을 제거하고 새로운 기판을 제공하는 단계,(6) removing the substrate from the substrate loading part (130) by the substrate transfer device (30a) of the second substrate transfer part (30) and providing a new substrate,

(7) 연마 헤드 조립체(120b)가 기판 로딩부(130)로부터 상기 새로운 기판을 흡착하는 단계,(7) the polishing head assembly 120b adsorbs the new substrate from the substrate loading portion 130,

(8) 연마 헤드 조립체(120a 및 120b)를 원형 트랙(140)을 따라서 이송하여 각각 기판 로딩부(130)와 연마 테이블(110) 상에 위치시킴으로써 자리 바꿈 하는 단계,(8) swapping by transferring the polishing head assemblies 120a and 120b along the circular track 140 and positioning them on the substrate loading portion 130 and the polishing table 110, respectively,

(9) 연마 헤드 조립체(120a)로부터 기판을 기판 로딩부(130)로 언로딩하여 기판 로딩부(130)로 내려놓는 단계, 및 (9) unloading the substrate from the polishing head assembly 120a to the substrate loading portion 130 and lowering the substrate into the substrate loading portion 130, and

(10) 제2 기판 이송부(30)의 기판 이송 장치(30a)에 의하여 기판 로딩부(130)로부터 기판을 제거하고 새로운 기판을 제공하는 단계를 포함한다.(10) removing the substrate from the substrate loading part (130) by the substrate transfer device (30a) of the second substrate transfer part (30) and providing a new substrate.

도 1과 도 3을 참조하여, 기판 연마용 가공 장치(500)의 세정 장치(200)가 설명된다. 도 3은 세정 장치(200)의 측면도이다. Referring to Figs. 1 and 3, a cleaning apparatus 200 of a substrate polishing apparatus 500 will be described. 3 is a side view of the cleaning apparatus 200. Fig.

세정 장치(200)는 기판 연마용 가공 장치(500)의 길이 방향을 따라서 제2 기판 이송부(30)를 사이에 두고 연마 장치(100)의 맞은편에 배치된다. 세정 장치(200)의 제1 끝단(200x)은 제1 기판 이송부(20)와 인접하도록 배치되며 그 반대편인 제2 끝단(200y)은 제1 기판 이송부(20)로부터 먼 곳에 배치된다. 제2 끝단(200y)에는 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)가 배치되며, 제1 끝단(200x)에는 세정 장치(200)의 기판 건조부(145)가 배치된다.The cleaning apparatus 200 is arranged opposite to the polishing apparatus 100 with the second substrate transfer section 30 therebetween along the longitudinal direction of the substrate polishing processing apparatus 500. The first end 200x of the cleaning apparatus 200 is disposed adjacent to the first substrate transfer unit 20 and the second end 200y opposite thereto is disposed away from the first substrate transfer unit 20. The substrate input unit 210 of the cleaning apparatus 200 is disposed at the second end 200y and the substrate drying unit 145 of the cleaning apparatus 200 is disposed at the first end 200x.

세정 장치(200)는 기판 입력부(210)와 기판 건조부(145) 사이에 일렬로 배치되는 적어도 하나, 예를 들면 3개의 기판 세정부들(220, 230 및 240)을 더 포함한다. 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240) 및 기판 건조부(145)는 도 3에 도시된 바와 같이 기판 입력부(210), 제1 기판 세정부(220), 제2 기판 세정부(230), 제3 기판 세정부(240), 기판 건조부(145)의 순서로 일렬로 배치되어 세정 장치(200)의 하단 프레임(202)에 고정된다. 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240) 및 기판 건조부(145)는 기판을 수직으로 세워서 반도체 기판의 앞면이 세정 장치(200)의 제1 끝단(200x) 또는 제2 끝단(200y)을 향하게끔 지지하도록 구성된다.The cleaning apparatus 200 further includes at least one, e.g., three, substrate cleaners 220, 230, and 240 disposed in series between the substrate input 210 and the substrate drying unit 145. 3, the substrate input unit 210, the substrate cleaning units 220-240, and the substrate drying unit 145 may include a substrate input unit 210, a first substrate cleaning unit 220, The second substrate cleaning unit 230, the third substrate cleaning unit 240 and the substrate drying unit 145 are arranged in a line and fixed to the lower frame 202 of the cleaning apparatus 200. The substrate input unit 210, the substrate cleaners 220-240 and the substrate drying unit 145 may vertically erase the substrate so that the front surface of the semiconductor substrate may contact the first end 200x or the second end 200x of the cleaning apparatus 200 200y.

제1 기판 세정부(220)는 2개의 세정 챔버들(220a 및 220a')을 포함한다. 제2 기판 세정부(230)는 2개의 세정 챔버들(230a 및 230a')을 포함한다. 제3 기판 세정부(240)는 2개의 세정 챔버들(240a 및 240a')을 포함한다. 기판 건조부(145)는 3개의 건조 챔버들(145a, 145a'및 145a")을 포함한다.The first substrate cleaner 220 includes two cleaning chambers 220a and 220a '. The second substrate cleaning section 230 includes two cleaning chambers 230a and 230a '. The third substrate cleaning section 240 includes two cleaning chambers 240a and 240a '. The substrate drying unit 145 includes three drying chambers 145a, 145a 'and 145a ".

세정 챔버들(220a-240a')은 기판을 수직으로 지지하면서 세정하도록 구성된다. 기판 세정에는 SC1(과수 및 암모니아 혼합 수용액) 및 HF(불산 수용액)와 같은 화학약품이 사용될 수 있다. 세정 종료 후 세척을 위하여 초순수가 사용될 수 있다. 세정 및 세척 과정에서. 기판을 닦아주기 위하여 PVA (폴리비닐알콜) 브러시가 사용될 수 있다. 세정을 촉진하기 위하여 기판에 극초음파(megasonic wave)가 인가될 수도 있다. 제1, 제2 및 제3 기판 세정부(220, 230 및 240)는 각각 다른 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성될 수 있다. 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다. 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다. 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')은 동일한 세정 방법으로 기판을 세정하도록 구성된다.The cleaning chambers 220a-240a 'are configured to clean while supporting the substrate vertically. Chemical cleaning agents such as SC1 (mixed aqueous solution of fruit and ammonia) and HF (aqueous solution of HF) may be used for cleaning the substrate. Ultrapure water may be used for cleaning after cleaning. During the cleaning and cleaning process. A PVA (polyvinyl alcohol) brush can be used to wipe the substrate. A megasonic wave may be applied to the substrate to facilitate cleaning. The first, second, and third substrate cleaners 220, 230, and 240 may be configured to clean the substrate with different cleaning methods, respectively. The cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220 are configured to clean the substrate by the same cleaning method. The cleaning chambers 230a and 230a 'of the second substrate cleaner 230 are configured to clean the substrate by the same cleaning method. The cleaning chambers 240a and 240a 'of the third substrate cleaning section 240 are configured to clean the substrate by the same cleaning method.

건조 챔버들(145a 및 145a')은 기판을 수직으로 세워서 지지하도록 구성되며, 기판을 회전시킴으로써 건조하거나 기판에 IPA(아이소프로필알콜)를 분사하여 건조하는 마랑고니(Marangoni) 방법으로 건조하도록 구성될 수도 있다. 건조 챔버들(145a 및 145a')은 동일한 방법으로 기판을 건조하도록 구성된다.The drying chambers 145a and 145a 'are configured to support the substrate vertically and configured to dry by rotating the substrate or by the Marangoni method of spraying and drying IPA (isopropyl alcohol) on the substrate It is possible. The drying chambers 145a and 145a 'are configured to dry the substrate in the same manner.

세정 장치(200)는 직선 이송 장치(270)를 더 포함한다. 직선 이송 장치(270)는 직선 트랙(274)에 체결된 적어도 하나의 기판 그리핑 장치를 이용하여 기판들을 기판 입력부(210)로부터 기판 세정부들(220-240)을 순차적으로 거쳐서 기판 건조부(145)로 이송하도록 구성된다. 예를 들면, 직선 이송 장치(270)는 도 3에 도시된 바와 같이 직선 트랙(274)에 체결된 4 개의 기판 그리핑 장치들(272a-272d)을 포함한다. 기판 그리핑 장치들(272a-272d)은 각각의 직선 이송 구동 장치(275a-275d)에 의하여 직선 트랙(274) 상에서의 직선 이송 운동이 개별적으로 제어되도록 구성될 수 있다. The cleaning apparatus 200 further includes a linear transfer device 270. The linear transfer device 270 transfers the substrates from the substrate input 210 to the substrate cleaners 220-240 sequentially through at least one substrate gripping device secured to the straight track 274, 145, respectively. For example, the linear transport device 270 includes four substrate gripping devices 272a-272d fastened to a straight track 274 as shown in FIG. The substrate gripping devices 272a-272d may be configured such that the linear feed motion on the linear track 274 is individually controlled by the respective linear feed drive devices 275a-275d.

직선 트랙(274)은 세정 장치(200)의 상부에 설치되며, 직선 트랙(274)은 기판 그리핑 장치들(272a-272d)이 적어도 하나씩 체결되는 여러 개의 직선 트랙들로 나뉘어 구성될 수도 있다.The linear track 274 is installed on the upper part of the cleaning apparatus 200 and the linear track 274 may be divided into a plurality of linear tracks in which at least one of the substrate gridding devices 272a-272d is fastened.

기판 그리핑 장치들(272a-272d)은 도 3에 도시된 바와 같이 각각의 기판 그리핑 암들(272a'-272d')을 포함한다. 기판 그리핑 암들(272a'-272d')은 기판 입력부(210), 기판 세정부들(220-240) 및 기판 건조부(145)와 기판을 주고 받을 수 있도록 각각의 기판 그리핑 장치들(272a-272d)로부터 하강하도록 구성된다.The substrate gripping devices 272a-272d include respective substrate gripping arms 272a'-272d 'as shown in FIG. The substrate gripping arms 272a'-272d 'are connected to the respective substrate gripping devices 272a, 272d so as to be able to exchange substrates with the substrate input 210, the substrate cleaners 220-240, -272d.

직선 이송 장치(270)는 제1 기판 그리핑 장치(272a)가 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')로, 제2 기판 그리핑 장치(272b)가 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a')로부터 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a')로, 제3 기판 그리핑 장치(272c)가 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a')로부터 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')로, 그리고 제4 기판 그리핑 장치(272d)가 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a')로부터 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a')로 기판을 이송하도록 구성된다.The linear transfer device 270 is configured such that the first substrate gridding device 272a is connected to the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220 from the substrate input 210, 272b are moved from the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220 to the cleaning chambers 230a and 230a' of the second substrate cleaner 230 and the third substrate gridding device 272c Are transferred from the cleaning chambers 230a and 230a 'of the second substrate cleaner 230 to the cleaning chambers 240a and 240a' of the third substrate cleaner 240 and to the fourth substrate gripper 272d Is configured to transfer the substrate from the cleaning chambers 240a and 240a 'of the third substrate cleaning section 240 to the drying chambers 145a and 145a' of the substrate drying section 145.

세정 장치(200a)는 직선 이송 장치(270)를 이용하여 제1 기판을 포함하는 제1 그룹의 기판들은 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a') 중의 하나, 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a') 중의 하나, 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a') 중의 하나, 및 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a') 중의 하나, 예를 들면 제1 건조 챔버(145a)로 순차적으로 이송하면서 세정 및 건조하며, 제2 기판을 포함하는 제2 그룹의 기판들은 기판 입력부(210)로부터 제1 기판 세정부(220)의 세정 챔버들(220a 및 220a') 중의 다른 하나, 제2 기판 세정부(230)의 세정 챔버들(230a 및 230a') 중의 다른 하나, 제3 기판 세정부(240)의 세정 챔버들(240a 및 240a') 중의 다른 하나, 및 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a') 중의 다른 하나, 예를 들면 제2 건조 챔버(145a')로 순차적으로 이송하면서 세정 및 건조하도록 구성된다.The cleaning apparatus 200a uses the linear transfer apparatus 270 to transfer the first group of substrates including the first substrate from the substrate input unit 210 to the cleaning chambers 220a and 220a ' One of the cleaning chambers 230a and 230a 'of the second substrate cleaning section 230, one of the cleaning chambers 240a and 240a' of the third substrate cleaning section 240, For example, one of the drying chambers 145a and 145a 'of the first drying chamber 145, for example, the first drying chamber 145a, and the second group of substrates, including the second substrate, Another one of the cleaning chambers 220a and 220a 'of the first substrate cleaner 220, another one of the cleaning chambers 230a and 230a' of the second substrate cleaner 230, One of the cleaning chambers 240a and 240a 'of the substrate cleaning section 240 and the other of the drying chambers 145a and 145a' of the substrate drying section 145, The sequence is constructed and sent to a second drying chamber (145a ') for cleaning and drying.

도 1로 되돌아가서, 제2 기판 이송부(30)의 기판 이송 장치(30a)는 기판 입력 거치대(25)로부터 제1 및 제2 연마 장치(100a 및 100a')의 기판 로딩부(130 및 130')로 연마될 기판을 전달하며, 제1 및 제2 연마 장치(100a 및 100a')에서 연마된 기판들을 기판 로딩부(130 및 130')로부터 세정 장치(200)의 기판 입력부(210)로 전달하도록 구성된다.1, the substrate transfer device 30a of the second substrate transfer unit 30 transfers substrates from the substrate input holder 25 to the substrate loading units 130 and 130 'of the first and second polishing apparatuses 100a and 100a' And transfers the polished substrates from the first and second polishing apparatuses 100a and 100a 'from the substrate loading units 130 and 130' to the substrate input unit 210 of the cleaning apparatus 200 .

제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)는 기판 보관 장치(10)로부터 연마될 기판(5)을 제2 기판 이송부(30)의 입력 기판 거치대(25)로 전달하며, 세정 장치(200)의 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a')로부터 각각의 측면(146a 및 146a')을 통하여 기판을 꺼내서 기판 보관 장치(10)로 전달하도록 구성된다. 기판 건조 챔버들(145a 및 145a')은 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)가 기판을 꺼내어 갈 수 있도록 기판 건조 챔버들(145a 및 145a')의 각각의 측면들(145a 및 146a')이 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)를 마주보도록 배치된다. 또한, 건조 챔버들(145a 및 145a') 각각의 측면들(146a 및 146a')에는 기판의 출입을 위하여 문(door)이 달린 개구부들이 형성될 수 있다.The substrate transfer apparatus 20a of the first substrate transfer unit 20 transfers the substrate 5 to be polished from the substrate storage apparatus 10 to the input substrate holder 25 of the second substrate transfer unit 30, The substrate is taken out from the drying chambers 145a and 145a 'of the substrate drying unit 145 of the substrate storage unit 200 through the respective side surfaces 146a and 146a' The substrate drying chambers 145a and 145a 'may be disposed on the respective sides 145a and 145a' of the substrate drying chambers 145a and 145a 'so that the substrate transfer apparatus 20a of the first substrate transfer unit 20 can take out the substrate. 146a 'are disposed so as to face the substrate transfer device 20a of the first substrate transfer unit 20. In addition, openings having doors may be formed on the side surfaces 146a and 146a 'of the drying chambers 145a and 145a', respectively, for the entrance and exit of the substrate.

본 발명의 실시 예에 따르면 기판 연마용 가공 장치(500)의 세정 장치(200)는 도 4에 도시된 바와 같이 제1 끝단(200x)에 기판 출력부(260)를 더 포함할 수 있다. 도 4는 기판 연마용 가공 장치(500)의 평면도이다. 기판 출력부(260)는 세정 장치(200)의 제1 끝단(200x)에 기판 건조부(145)에 인접하여 배치된다. 기판 출력부(260)는 기판을 수직으로 세워서 지지하도록 구성된다. 기판 출력부(260)는 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)가 기판을 꺼내어 갈 수 있도록 그 측면(262)이 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)를 마주보도록 배치된다.According to the embodiment of the present invention, the cleaning apparatus 200 of the polishing apparatus for substrate polishing 500 may further include the substrate output unit 260 at the first end 200x as shown in FIG. Fig. 4 is a plan view of the substrate polishing apparatus 500. Fig. The substrate output section 260 is disposed adjacent to the substrate drying section 145 at the first end 200x of the cleaning apparatus 200. [ The substrate output section 260 is configured to vertically support the substrate. The substrate output section 260 is disposed so that a side surface 262 of the substrate transfer section 20a faces the substrate transfer apparatus 20a of the first substrate transfer section 20 so that the substrate transfer apparatus 20a of the first substrate transfer section 20 can take out the substrate. .

세정 장치(200)의 직선 이송 장치(270)는 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a')로부터 기판 출력부(260)로 기판을 이송하도록 구성되는 제5 기판 그리핑 장치(272e)를 더 포함한다. 제5 기판 그리핑 장치(272e)는 직선 트랙(274)에 체결되며 직선 이동 구동 장치(275e, 도 4에 도시되지 않음)에 의하여 직선 트랙(274)에서의 이동이 제어된다. 이 실시 예에서는 기판 건조부(145)의 건조 챔버들(145a 및 145a')에서 건조된 기판들이 제5 기판 그리핑 장치(272e)에 의하여 기판 출력부(260)로 이송되며, 제1 기판 이송부(20)의 기판 이송 장치(20a)에 의하여 기판 출력부(260)로부터 제거되어 기판 보관 장치(10)로 이송된다.The linear transfer device 270 of the cleaning apparatus 200 includes a fifth substrate gripping device (not shown) configured to transfer substrates from the drying chambers 145a and 145a 'of the substrate drying portion 145 to the substrate output portion 260 272e. The fifth substrate gridding device 272e is fastened to the linear track 274 and the movement of the linear track 274 is controlled by the linear motion driving device 275e (not shown in Fig. 4). The substrates dried in the drying chambers 145a and 145a 'of the substrate drying section 145 are transferred to the substrate output section 260 by the fifth substrate gridding device 272e, Is removed from the substrate output section (260) by the substrate transfer apparatus (20a) of the transfer unit (20) and transferred to the substrate storage apparatus (10).

본 발명은 특정한 실시 예들을 참조하여 설명되었으나 본 발명은 이렇게 설명된 특정한 실시 예들에 의해서 제한 받지 않으며 본 발명의 취지를 따르는 변형된 실시 예들에 대해서도 유효하게 적용된다. 예를 들면, 반도체 기판들을 연마 및 세정하기 위한 장치들 및 방법들이 설명되었으나, 상기 장치들과 방법들은 반도체 기판이 아닌 다른 대상들을 연마하고 세정하기 위하여 사용될 수 있다.While the invention has been described with reference to specific embodiments, the invention is not to be limited by the specific embodiments described, but may be advantageously applied to modified embodiments which are within the scope of the invention. For example, devices and methods for polishing and cleaning semiconductor substrates have been described, but the devices and methods can be used to polish and clean other objects than semiconductor substrates.

100 연마 장치
100a 및 100a' 기판 연마부
110 및 110' 연마 테이블
200 세정 장치
500 기판 연마용 가공 장치
210, 220 및 230 기판 세정부
145 기판 건조부
100 abrasive machine
100a and 100a '
110 and 110 'polishing table
200 Cleaning device
500 Polishing machine for substrate
210, 220 and 230 substrate cleaning section
145 substrate drying section

Claims (12)

기판의 표면 개질용 연마 및 세정을 행하는 기판 연마용 가공 장치로서,
연마가 행해질 기판을 공급하는 제1기판이송부(20)와;
상기 기판을 공급받는 기판 로딩부(130)와, 하나의 연마 테이블(110)과, 2개 의 연마 헤드 조립체(120a, 120b)와, 하나의 상기 기판 로딩부(130)와 하나의 상기 연마 테이블(110)만을 폐루프 형태로 연결하여 2개의 상기 연마 헤드 조립체(120a, 120b)가 상기 연마 테이블(110)과 상기 기판 로딩부(130) 중 어느 하나로 교대로 이동하는 것을 안내하는 폐루프 트랙(140)을 포함하고, 상기 연마헤드 조립체가 상기 폐루프 트랙(140)을 따라 이동하여 상기 폐루프 트랙의 하부에 위치한 상기 연마 테이블에 부착된 연마 패드 상에서 상기 연마 헤드 조립체에 로딩된 상기 기판의 연마 공정이 행해지는 제1연마부(100a)와;
끝단(30x)이 상기 제1기판이송부와 인접하게 배치되어, 상기 제1기판이송부로부터 기판을 공급받아 상기 제1연마부의 상기 기판 로딩부로 기판을 공급하고, 상기 제1연마부에 대하여 폭방향으로 인접 배치되고 상기 제1기판이송부에 대하여 길이 방향으로 인접 배치된 제2기판이송부(30)와;
다수의 기판 세정부와 기판 건조부가 일렬로 배치되되, 상기 기판 건조부는 상기 제1기판이송부를 향하는 길이 방향의 끝단에 배치되고, 상기 제2기판이송부를 기준으로 상기 제1연마부를 향하는 반대 방향의 폭방향으로 상기 제2기판이송부에 인접하되 길이 방향으로 일렬로 배열된 세정 장치(200)를;
포함하고, 상기 제2기판이송부에 의하여 연마 공정이 종료된 기판이 상기 세정 장치로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
1. A polishing apparatus for polishing a surface of a substrate for polishing and cleaning,
A first substrate transfer section (20) for supplying a substrate to be polished;
A substrate loading unit 130 to which the substrate is supplied, a polishing table 110, two polishing head assemblies 120a and 120b, one substrate loading unit 130, And a closed loop track (not shown) for guiding two of the polishing head assemblies 120a and 120b to move alternately to either the polishing table 110 or the substrate loading section 130, 140), wherein the polishing head assembly moves along the closed loop track (140) to polish the substrate loaded on the polishing head assembly on a polishing pad attached to the polishing table located below the closed loop track A first polishing section 100a in which a process is performed;
The substrate is supplied to the substrate loading unit of the first polishing unit from the first substrate by receiving the substrate from the transfer unit, and the substrate is supplied with the width A second substrate transfer section (30) disposed adjacent to the transfer section in the longitudinal direction and adjacent to the transfer section;
A plurality of substrate cleaning units and substrate drying units are arranged in a line, wherein the substrate drying unit is disposed at an end in the longitudinal direction of the first substrate toward the transmitting unit, and the second substrate is opposed to the first polishing unit A cleaning device (200) arranged in a line in the longitudinal direction of the second substrate adjacent to the transmitting portion in a width direction of the first substrate;
And a substrate on which the second substrate is polished by the sending unit is supplied to the cleaning apparatus.
제 1항에 있어서,
상기 제2기판 이송부(30)로부터 상기 기판을 공급받는 기판 로딩부(130')와, 하나의 연마 테이블(110')과, 2개 이상의 연마 헤드 조립체(120a', 120b')와, 하나의 상기 기판 로딩부(130')와 하나의 상기 연마 테이블(110')만을 폐루프 형태로 연결하여 상기 연마 헤드 조립체(120a', 120b')가 상기 연마 테이블(110)과 상기 기판 로딩부(130) 중 어느 하나로 교대로 이동하는 것을 안내하는 폐루프 트랙(140')을 포함하고, 상기 연마헤드 조립체(120a', 120b')가 상기 폐루프 트랙(140')을 따라 이동하여 상기 폐루프 트랙(140')의 하부에 위치한 상기 연마 테이블에 부착된 연마 패드 상에서 상기 연마 헤드 조립체에 로딩된 상기 기판의 연마 공정이 행해지는 제2연마부(100b)를;
더 포함하고, 상기 제2연마부(100b)에서 연마 공정이 종료된 기판은 상기 제2기판이송부(30)를 거쳐 이송된 상기 세정 장치(200)에서 세정이 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
The method according to claim 1,
A substrate loading part 130 'for receiving the substrate from the second substrate transfer part 30, a polishing table 110', two or more polishing head assemblies 120a 'and 120b' The polishing head assembly 120a 'and 120b' are connected to the polishing table 110 and the substrate loading unit 130 (130 ') by connecting only the substrate loading unit 130' and one of the polishing tables 110 ' , The polishing head assembly (120a ', 120b') moving along the closed loop track (140 ') to guide the alternating movement of the closed loop track A second polishing portion 100b on which a polishing process of the substrate loaded on the polishing head assembly is performed on a polishing pad attached to the polishing table located at a lower portion of the polishing head 140 ';
Wherein the substrate having been polished in the second polishing part (100b) is cleaned by the cleaning device (200) transferred through the transfer part (30) Processing device.
제 2항에 있어서,
상기 제2기판이송부에는 상기 제1기판이송부에 길이방향으로 인접한 위치에 상기 제1기판이송부로부터 공급되는 기판을 거치시키는 입력기판 거치대가 배치되어;
상기 제2기판이송부의 기판이송장치(30a)는 상기 입력기판 거치대에 놓여진 기판을 이송하여 상기 제1연마부와 상기 제2연마부 중 어느 하나에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the second substrate transfer section is provided with an input substrate holder for holding the substrate to which the first substrate is supplied from the transfer section at a position adjacent to the first substrate in the longitudinal direction of the transfer section;
Wherein the substrate transfer device (30a) of the second substrate transfer unit transfers the substrate placed on the input substrate holder to one of the first polishing unit and the second polishing unit .
제 3항에 있어서,
상기 제2기판이송부의 기판이송장치(30a)는 직선 형태의 트랙(30b)에 설치되어, 상기 입력기판 거치대로부터 직선 경로로 상기 제1연마부와 상기 제2연마부 중 어느 하나로 이송하여 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
The method of claim 3,
The substrate transfer device 30a of the second substrate transfer unit is installed in a straight track 30b and is transferred from the input substrate holder to a first polishing unit and a second polishing unit in a linear path, Wherein the substrate polishing apparatus further comprises:
제 1항에 있어서,
상기 세정 장치의 상부에 설치된 직선 트랙과, 상기 직선 트랙을 따라 각각 직선 이송되는 다수의 기판 그리핑 장치들을; 더 포함하고, 상기 기판 그리핑 장치들은 상기 기판을 세워서 파지하고 각각 하강할 수 있는 그립핑 암을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
The method according to claim 1,
A linear track provided on an upper portion of the cleaning apparatus, and a plurality of substrate gripping devices linearly transported along the linear track, respectively; Further comprising a gripping arm capable of grasping the substrate, holding the substrate, and gripping the substrate.
제 1항에 있어서,
상기 기판 세정부는 제1기판세정부와, 제2기판세정부를 포함하고, 상기 제1기판세정부에는 2개 이상의 세정 챔버가 배치된 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate cleaning section includes a first substrate cleaning section and a second substrate cleaning section, wherein at least two cleaning chambers are disposed in the first substrate cleaning section.
제 6항에 있어서,
상기 세정 챔버에서 상기 기판은 세워진 상태로 세정되는 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공 장치.
The method according to claim 6,
And the substrate is cleaned in a standing state in the cleaning chamber.
제 1항에 있어서,
상기 세정 장치의 제1끝단에는 상기 기판 건조부와 인접 배치된 기판 출력부가 배치되고, 상기 기판 출력부는 상기 제1기판이송부의 기판이송장치(20a)와 마주보게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 연마용 가공장치.
The method according to claim 1,
Wherein a substrate output portion disposed adjacent to the substrate drying portion is disposed at a first end of the cleaning device, and the substrate output portion is disposed facing the substrate transfer device (20a) of the transfer portion. Processing device.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020120015132A 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers KR101879230B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015132A KR101879230B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015132A KR101879230B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130093900A KR20130093900A (en) 2013-08-23
KR101879230B1 true KR101879230B1 (en) 2018-08-20

Family

ID=49217910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120015132A KR101879230B1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Apparatus for polishing semiconductor wafers

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101879230B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149781A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus and wafer polishing method
JP2011519166A (en) * 2008-04-25 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド High-throughput chemical mechanical polishing system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030032467A (en) * 2001-10-18 2003-04-26 삼성전자주식회사 Device for transfering wafer of chemical mechanical polishing apparatus
KR20070080531A (en) * 2006-02-07 2007-08-10 삼성전자주식회사 Chemical mechanical polishing system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149781A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus and wafer polishing method
JP2011519166A (en) * 2008-04-25 2011-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド High-throughput chemical mechanical polishing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130093900A (en) 2013-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI806931B (en) chemical mechanical grinding equipment
US7775222B2 (en) Single substrate cleaning apparatus and method for cleaning backside of substrate
TWI437656B (en) Substrate processing apparatus
JP4744426B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4999487B2 (en) Substrate processing equipment
US7591711B2 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using one or more polishing surfaces
TW201442092A (en) Polishing apparatus and polishing method
KR100981766B1 (en) Apparatus and method for polishing objects using object cleaners
CN111524833B (en) Chemical mechanical polishing system and chemical mechanical polishing method
TW202012102A (en) Polishing loading and unloading component module
US20090061739A1 (en) Polishing apparatus and method for polishing semiconductor wafers using load-unload stations
US20080038993A1 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafers
US7374471B2 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using one or more pivotable load-and-unload cups
KR101879230B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR101905399B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR101591957B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101880449B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR101879228B1 (en) Apparatus for polishing semiconductor wafers
KR101664784B1 (en) Wafer treatment system capable of diverse processes
KR100875752B1 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using pivotable load/unload cups
KR101527898B1 (en) Supporting unit, substrate treating apparatus, substrate treating equipment, and substrate treating method
KR100913387B1 (en) Apparatus and method for transfering substrate
JP2006315175A (en) Polishing device
KR101587006B1 (en) Apparatus of multi-step cleaning wafers and wafer transfer device used therein
KR20150061105A (en) Cleaning unit and substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant