KR20150061105A

KR20150061105A - Cleaning unit and substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR20150061105A
Application number: KR1020130144010A
Authority: KR
Inventors: 김준성
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-11-25
Filing date: 2013-11-25
Publication date: 2015-06-04
Also published as: KR102134434B1

Abstract

The present invention provides a cleaning unit. The cleaning unit for cleaning a substrate includes a frame which is provided in contact with the substrate and includes a roll brush which rotates around a central axis, a vacuum member which includes a vacuum hole which suctions the particle of the roll brush and cleans the roll brush, and a driving unit which moves the vacuum member.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cleaning unit,

본 발명은 세정 유닛 및 이를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning unit and a substrate processing apparatus for processing a substrate using the cleaning unit.

일반적으로 웨이퍼의 화학적 기계적 평탄화 공정 이후에는 웨이퍼를 세정 장치에 투입함으로써, 상기 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 각종 슬러리성 컴파운드(slurry compound)를 제거한다. 이러한 세정 장치는 크게 1차 세정 공정과 2차 세정 공정을 수행하는데, 1차 세정 공정에서는 웨이퍼를 회전시키면서 상면과 하면을 세정하고, 2차 세정 공정에서는 웨이퍼를 린스 및 건조시킨다. 1차 세정 공정은 주로 롤 브러쉬, 세정용 케미컬 및 회전 부재에 의해 수행된다. 이 때, 롤 브러쉬가 회전하며 웨이퍼를 세정하는데, 롤 브러쉬는 파티클과 같은 이물질에 의해 오염되어 세정력이 떨어진다. Generally, after the chemical mechanical planarization process of the wafer, the wafer is put into a cleaning device to remove various slurry compounds on the surface of the wafer. Such a cleaning apparatus largely performs a primary cleaning process and a secondary cleaning process. In the primary cleaning process, the top and bottom surfaces are cleaned while the wafer is rotated, and the wafer is rinsed and dried in the secondary cleaning process. The primary cleaning process is mainly performed by a roll brush, a cleaning chemical, and a rotating member. At this time, the roll brush rotates to clean the wafer, and the roll brush is contaminated by foreign matter such as particles and deteriorates the cleaning ability.

본 발명은 롤 브러쉬를 세정하는 세정 유닛 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a cleaning unit and a substrate processing method for cleaning a roll brush.

또한, 본 발명은 더미 웨이퍼를 사용하지 않고 롤 브러쉬를 에이징하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for aging a roll brush without using a dummy wafer.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 세정 유닛을 제공한다. The present invention provides a cleaning unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 세정 유닛은, 기판을 세정하는 세정 유닛에 있어서, 기판에 접촉하도록 제공되고, 그 중심축을 기준으로 회전되는 롤 브러쉬를 포함하는 프레임, 상기 롤 브러쉬의 파티클을 흡착하는 진공 홀을 포함하고 상기 롤 브러쉬를 세정하는 진공 부재, 그리고 상기 진공 부재를 이동시키는 구동기를 포함할 수 있다.A cleaning unit according to an embodiment of the present invention is a cleaning unit for cleaning a substrate, comprising: a frame provided to be in contact with a substrate and including a roll brush rotated about a center axis thereof; A vacuum member including a vacuum hole for cleaning the roll brush, and a driver for moving the vacuum member.

상기 프레임은 상기 진공 부재를 포함하고, 상기 세정 유닛은 상기 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 진공 부재는 상기 롤 브러쉬와 이격되게 제공될 수 있다.The frame may further include the vacuum member, and the cleaning unit may further include a controller for controlling the actuator, wherein the vacuum member may be provided apart from the roll brush.

상기 구동기는 상기 롤 브러쉬로 상기 기판을 세정할 때는 상기 진공 부재를 상기 롤 브러쉬로부터 제 1 거리만큼 이격된 제 1 위치에 위치시키고, 상기 진공 부재로 상기 롤 브러쉬를 세정할 때는 상기 진공 부재를 상기 롤 브러쉬로부터 제 2 거리만큼 이격된 제 2 위치에 위치시키되, 상기 제 2 거리는 상기 제 1 거리보다 가까울 수 있다.Wherein the actuator is configured to position the vacuum member at a first position spaced a first distance away from the roll brush when the substrate is cleaned with the roll brush and when the roll brush is cleaned with the vacuum member, And the second distance may be closer to the first distance than the second distance.

상기 세정 유닛은 에이징 부재를 더 포함하고, 상기 에이징 부재는 상기 롤 브러쉬 부재의 길이 방향을 따라 대향되게 제공되는 나이프를 포함할 수 있다.The cleaning unit may further include an aging member, and the aging member may include a knife provided opposite to the longitudinal direction of the roll brush member.

상기 진공 홀은 상기 에이징 부재에 형성될 수 있다.The vacuum hole may be formed in the aging member.

상기 구동기는 상기 롤 브러쉬를 에이징 할 때는 상기 에이징 부재를 상기 롤 브러쉬와 접촉되는 제 3 위치에 위치시킬 수 있다. The agitating member may be positioned at a third position in contact with the roll brush when aging the roll brush.

상기 에이징 부재는 상기 롤 브러쉬와 동일한 재질로 제공될 수 있다.The aging member may be provided in the same material as the roll brush.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention also provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 다른 실시예에 의한 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하우징, 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 상기 기판에 접촉하도록 제공되고, 그 중심축을 기준으로 회전되는 롤 브러쉬를 포함하는 프레임, 상기 롤 브러쉬의 파티클을 흡착하는 진공 홀을 포함하고 상기 롤 브러쉬를 세정하는 진공 부재, 그리고 상기 진공 부재를 이동시키는 구동기를 포함할 수 있다.An apparatus for processing a substrate according to another embodiment of the present invention, comprising: a housing; a support unit for supporting the substrate and rotating the substrate; and a cleaning unit for cleaning the substrate supported by the support unit, The unit includes a frame including a roll brush provided to be in contact with the substrate and rotated about a center axis thereof, a vacuum member for cleaning the roll brush, including a vacuum hole for sucking particles of the roll brush, And a driver for moving the member.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 롤 브러쉬를 세정하는 세정 유닛 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a cleaning unit for cleaning the roll brush and a substrate processing method can be provided.

또한, 본 발명은 더미 웨이퍼를 사용하지 않고 롤 브러쉬를 에이징하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a substrate processing apparatus for aging a roll brush without using a dummy wafer.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 세정 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 세정 유닛을 측면에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 세정 유닛의 내부를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 롤 브러쉬 부재가 기판을 세정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 도 4의 진공 부재가 롤 브러쉬를 세정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 4의 진공 부재가 롤 브러쉬를 에이징하는 모습을 각각 보여주는 도면이다.1 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a top view of the cleaning unit of Fig. 1; Fig.
Figure 3 is a side view of the cleaning unit of Figure 2;
Figure 4 is a view showing the interior of the cleaning unit of Figure 2;
Fig. 5 is a view showing a state in which the roll brush member of Fig. 4 cleans the substrate.
Figs. 6 to 8 are views showing a state in which the vacuum member of Fig. 4 cleans the roll brush. Fig.
Fig. 9 is a view showing a state in which the vacuum member of Fig. 4 ages the roll brush; Fig.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예에서 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리, 대체로 원판 형상으로 제공된 다양한 종류의 기판일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S is described taking the wafer W used for manufacturing semiconductor chips as an example. Alternatively, however, it may be various types of substrates provided in a generally disc shape.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100), 반송 로봇(200), 처리 모듈(300), 그리고 세정 모듈(400)을 가진다. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus 10 according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 10 has an index module 100, a transfer robot 200, a processing module 300, and a cleaning module 400.

인덱스 모듈(100)은 복수의 웨이퍼(W)들이 수납된 카세트와 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송한다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인터페이스 로봇(120)을 가진다. 로드 포트(110)에는 웨이퍼(W)가 수납된 카세트가 안착된다. 로드 포트(110)는 복수 개 제공될 수 있다. 도 1을 참조하면, 로드 포트(112, 114, 116, 118)는 4개가 일렬로 배치된다. 로드 포트(110)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에 놓인 카세트로부터 웨이퍼(W)를 꺼내 버퍼부(460)에 안착시킨다.The index module 100 conveys the wafer W between the cassette containing a plurality of wafers W and the cleaning module 400. The index module 100 has a load port 110 and an interface robot 120. In the load port 110, a cassette containing the wafer W is seated. A plurality of load ports 110 may be provided. Referring to FIG. 1, four load ports 112, 114, 116, and 118 are arranged in a line. The number of load ports 110 may increase or decrease depending on process efficiency, footprint conditions, and the like. The interface robot 120 takes the wafer W out of the cassette placed on the load port 110 and places it on the buffer part 460.

반송 로봇(200)은 처리 모듈(300)과 세정 모듈(400) 사이에 제공된다. 반송 로봇(200)은 처리 모듈(300) 과 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송시킨다. The transfer robot 200 is provided between the processing module 300 and the cleaning module 400. The transfer robot 200 transfers the wafer W between the processing module 300 and the cleaning module 400.

처리 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 처리한다. 이하에서는, 처리 모듈(300)이 연마 공정을 수행하는 연마 모듈(300)인 것을 예로 들어 설명한다. 연마 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 화학적, 기계적 연마한다. 연마 모듈(300)은 익스체인져(Exchanger, 310), 로딩 컵(320), 연마 스테이션(330), 아암(340), 연마 헤드(350)를 포함한다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)과 인접하게 제공된다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)으로부터 받은 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 제공한다. 로딩 컵(320)에 놓인 웨이퍼(W)는 연마 헤드(350)에 장착된다. 연마 스테이션(330)은 웨이퍼(W) 연마 공정을 수행한다. 연마 스테이션(330)은 연마 패드가 부착된 플래튼을 가진다. 연마 스테이션(330)은 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 연마 스테이션(330)은 3개가 제공된다. 복수 개의 연마 스테이션(332, 334, 336)들은 순차적으로 연마 공정을 수행할 수 있다. 연마 공정은 각각의 연마 스테이션(332, 334, 336)에서 하나의 웨이퍼(W)에 대해 부분적으로 진행될 수 있다. 아암(340)은 연마 스테이션(330) 상부에 제공된다. 도 1을 참조하면, 아암(340)의 단부에 각각 연마 헤드(350)가 고정 결합되어 제공된다. 아암(340)은 그 중심축을 기준으로, 연마 헤드(350)를 회전시킨다. 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 연마 스테이션(330)으로 이동시킨다. 연마 헤드(350)는 진공을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착한다. 연마 공정이 끝나면, 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 언로딩한다. 언로딩된 웨이퍼(W)는 익스체인져(310)로부터 다시 반송 로봇(200)으로 제공된다. 또한, 도면에서는 도시되지 않았지만, 연마 모듈(300)은 슬러리 공급부 등을 포함할 수 있다.The processing module 300 processes the wafer W. [ In the following description, the processing module 300 is an abrasive module 300 that performs a polishing process. The polishing module 300 chemically and mechanically polishes the wafer W. The polishing module 300 includes an exchanger 310, a loading cup 320, a polishing station 330, an arm 340, and a polishing head 350. The exchanger 310 is provided adjacent to the conveying robot 200. The exchanger 310 provides the loading cup 320 with the wafer W received from the transfer robot 200. The wafer W placed on the loading cup 320 is mounted on the polishing head 350. The polishing station 330 performs the wafer W polishing process. The polishing station 330 has a platen to which a polishing pad is attached. A plurality of polishing stations 330 may be provided. As an example, as shown in Fig. 1, three polishing stations 330 are provided. The plurality of polishing stations 332, 334, and 336 may sequentially perform the polishing process. The polishing process can be partially performed on one wafer W at each of the polishing stations 332, 334, and 336. The arm 340 is provided on top of the polishing station 330. Referring to FIG. 1, each end of the arm 340 is provided with a polishing head 350 fixedly coupled thereto. The arm 340 rotates the polishing head 350 about the central axis thereof. The polishing head 350 moves the wafer W to the polishing station 330. The polishing head 350 sucks the wafer W using a vacuum. At the end of the polishing process, the polishing head 350 unloads the wafer W to the loading cup 320. The unloaded wafers W are supplied from the exchanger 310 to the conveying robot 200 again. Further, although not shown in the drawings, the polishing module 300 may include a slurry supply unit or the like.

세정 모듈(400)은 인덱스 모듈(100)와 연마 모듈(300) 사이에 제공된다. 도 1을 참조하면, 세정 모듈(400)는 인덱스 모듈(100)에 인접하게 제공된다. 세정 모듈(400)는 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440), 이송 유닛(450), 그리고 버퍼부(460)를 포함한다. 도 1과 같이, 세정 모듈(400)은 4개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)를 포함할 수 있다. 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 각각 순차적으로 세정 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 서로 동일한 세정 공정 또는 상이한 세정 공정을 수행할 수 있다. 버퍼부(460)에는 웨이퍼(W)가 수직한 상태로 재치된다. 이 경우, 인터페이스 로봇(120)과 반송 로봇(200)은 웨이퍼(W)를 지지하는 핸드가 수평 상태와 수직 상태 간에 변환이 가능하다. 따라서, 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에서 웨이퍼(W)를 수평 상태로 꺼낸 후, 버퍼부(460)에 수직 상태로 제공한다. 반송 로봇(400)은 버퍼부(460)에서 웨이퍼(W)를 수직 상태로 꺼낸 후, 로딩 컵(320)에 수평 상태로 제공한다. 버퍼부(460)에 웨이퍼(W)가 수직 상태로 재치됨에 따라, 세정 모듈(400)의 점유 면적(foot print)를 줄일 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(10)는 한정된 공간 내에서 공간 효율성이 높아진다. The cleaning module 400 is provided between the index module 100 and the polishing module 300. Referring to FIG. 1, a cleaning module 400 is provided adjacent to the index module 100. The cleaning module 400 includes a plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440, a transfer unit 450, and a buffer unit 460. As shown in FIG. 1, the cleaning module 400 may include four cleaning devices 410, 420, 430, and 440. The plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440 may sequentially perform a cleaning process. For example, the plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440 may perform the same cleaning process or different cleaning processes. In the buffer unit 460, the wafer W is placed vertically. In this case, the interface robot 120 and the carrying robot 200 can convert the hand supporting the wafer W between the horizontal state and the vertical state. Accordingly, the interface robot 120 horizontally removes the wafer W from the load port 110, and then vertically supplies the wafer W to the buffer unit 460. The carrier robot 400 removes the wafer W vertically from the buffer unit 460 and horizontally supplies the wafer W to the loading cup 320. The footprint of the cleaning module 400 can be reduced as the wafer W is mounted on the buffer unit 460 in a vertical state. Therefore, the substrate processing apparatus 10 has high spatial efficiency within a limited space.

이하, 위 세정 장치들 중 브러쉬를 이용하여 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(410)에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(4100)를 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(4100)는 하우징(4110), 지지 유닛(4120), 그리고 세정 유닛(4130)을 포함한다. 하우징(4110)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 지지 유닛(4120)은 기판을 지지한다. 지지 유닛(4120)은 웨이퍼(W)를 회전시킨다. Hereinafter, a substrate processing apparatus 410 for performing a cleaning process using a brush among the above cleaning apparatuses will be described. 2 is a view showing a substrate processing apparatus 4100 according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 4100 includes a housing 4110, a supporting unit 4120, and a cleaning unit 4130. The housing 4110 provides a space in which the substrate processing process is performed. The support unit 4120 supports the substrate. The supporting unit 4120 rotates the wafer W.

도 2는 도 1의 세정 유닛(4130)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 3은 도 2의 세정 유닛(4130)을 측면에서 바라본 도면이다. 도 4는 각 도 2의 세정 유닛(4130)의 내부를 보여주는 도면이다. 세정 유닛(4130)은 지지 유닛(4120)에 지지된 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 유닛(4130)은 프레임(4140), 롤 브러쉬(4150), 진공 부재(4160), 진공 홀(4165), 에이징 부재(4170), 나이프(4175), 구동기(4180), 그리고 제어기(4190)를 포함한다. 연마 공정 후에는, 웨이퍼(W) 상에 케미컬 또는 슬러리 등이 잔존한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 기판 처리 장치(4100)에서 세정된다.2 is a top view of the cleaning unit 4130 of FIG. 3 is a side view of the cleaning unit 4130 of FIG. Fig. 4 is a view showing the inside of the cleaning unit 4130 in Fig. 2, respectively. The cleaning unit 4130 cleans the wafer W supported by the supporting unit 4120. The cleaning unit 4130 includes a frame 4140, a roll brush 4150, a vacuum member 4160, a vacuum hole 4165, an aging member 4170, a knife 4175, a driver 4180, . After the polishing process, a chemical or slurry remains on the wafer W. Thus, the wafer W is cleaned in the substrate processing apparatus 4100.

프레임(4140)은 롤 브러쉬(4150), 에이징 부재(4170), 그리고 구동기(4180)를 포함한다. 프레임(4140)의 하부에는 롤 브러쉬(4150)가 결합된다. 프레임(4140)은 웨이퍼(W)의 지름과 대응되는 길이로 제공된다. The frame 4140 includes a roll brush 4150, an aging member 4170, and a driver 4180. A roll brush 4150 is coupled to the lower portion of the frame 4140. The frame 4140 is provided in a length corresponding to the diameter of the wafer W. [

롤 브러쉬(4150)는 웨이퍼(W)에 접촉하도록 제공된다. 롤 브러쉬(4150)는 그 중심축을 기준으로 회전된다. 롤 브러쉬(4150)는 그 길이 방향이 웨이퍼(W)의 지름에 대응되게 제공된다. The roll brush 4150 is provided to contact the wafer W. [ The roll brush 4150 is rotated about its central axis. The roll brush 4150 is provided so that its longitudinal direction corresponds to the diameter of the wafer W. [

진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)를 세정한다. 도 4와 같이, 진공 부재(4160)는 프레임(4140) 내 롤 브러쉬(4150)의 상부에 위치할 수 있다. 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)와 이격되게 제공된다. 선택적으로, 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)의 상부가 아닌 측부에 제공될 수 있다. 진공 부재(4160)는 진공 홀(4165)을 포함한다. 진공 홀(4165)은 롤 브러쉬(4150)에 잔류하는 파티클을 흡착한다. 도 4를 참조하면, 진공 홀(4165)은 진공 부재(4160)의 중앙부를 관통하여 형성될 수 있다. 이 때, 진공 홀(4165)은 에이징 부재(4170)에 형성될 수 있다. Vacuum member 4160 cleans roll brush 4150. 4, the vacuum member 4160 may be located above the roll brush 4150 in the frame 4140. Vacuum member 4160 is provided so as to be spaced apart from roll brush 4150. Optionally, the vacuum member 4160 may be provided on the side of the roll brush 4150 rather than on top. The vacuum member 4160 includes a vacuum hole 4165. The vacuum hole 4165 absorbs the particles remaining in the roll brush 4150. Referring to FIG. 4, the vacuum hole 4165 may be formed through the central portion of the vacuum member 4160. At this time, the vacuum hole 4165 may be formed in the aging member 4170.

에이징 부재(4170)는 진공 부재(4160)의 하부에 제공된다. 에이징 부재(4170)는 롤 브러쉬(4150)를 에이징한다. 에이징 부재(4170)는 롤 브러쉬(4150)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 에이징 부재(4170)는 나이프(4175)를 포함할 수 있다. 나이프(4175)는 롤 브러쉬(4150)의 길이 방향을 따라 대향되게 제공된다. 나이프(4175)는 롤 브러쉬(4150)에 접촉되어 롤 브러쉬(4150)를 에이징할 수 있다. The aging member 4170 is provided at the lower portion of the vacuum member 4160. The aging member 4170 ages the roll brush 4150. The aging member 4170 may be provided in the same material as the roll brush 4150. The aging member 4170 may include a knife 4175. The knife 4175 is provided opposite to the roll brush 4150 along the longitudinal direction thereof. The knife 4175 can contact the roll brush 4150 to agitate the roll brush 4150.

구동기(4180)는 프레임(4140)에 제공된다. 일 예로, 구동기(4180)는 프레임(4140) 내부에 제공될 수 있다. 구동기(4180)는 진공 부재(4160)를 이동시킨다. 구동기(4180)는 진공 부재(4160)를 제 1 위치, 제 2 위치, 그리고 제 3 위치 간에 위치시킨다. 제 1 위치는 진공 부재(4160)가 롤 브러쉬(4150)로부터 제 1 거리(D1)만큼 이격된 위치이다. 제 2 위치는 진공 부재(4160)가 롤 브러쉬(4150)로부터 제 2 거리(D2)만큼 이격된 위치이다. 이 때, 제 2 거리(D2)는 제 1 거리(D1)보다 가깝다. 제 3 위치는 진공 부재(4160)가 롤 브러쉬(4150)와 접촉되는 위치이다. 제어기(4190)는 구동기(4180)를 제어한다. The driver 4180 is provided in the frame 4140. In one example, the driver 4180 may be provided within the frame 4140. The actuator 4180 moves the vacuum member 4160. [ The actuator 4180 positions the vacuum member 4160 between the first position, the second position, and the third position. The first position is the position where the vacuum member 4160 is spaced a first distance D1 from the roll brush 4150. The second position is the position where the vacuum member 4160 is separated from the roll brush 4150 by a second distance D2. At this time, the second distance D2 is closer to the first distance D1. The third position is the position at which the vacuum member 4160 contacts the roll brush 4150. The controller 4190 controls the driver 4180.

이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여 롤 브러쉬(4150)를 세정하는 과정과 에이징하는 과정을 설명한다. 도 5는 롤 브러쉬(4150)로 웨이퍼(W)를 세정하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6 내지 도 8은 진공 부재(4160)로 롤 브러쉬(4150)를 세정하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 9는 에이징 부재(4170)로 롤 브러쉬(4150)를 에이징하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 5 내지 도 9는 설명을 용이하게 하기 위해, 프레임(4140)을 제외한 진공 부재(4160)와 롤 브러쉬(4150)만을 도시하였다. 롤 브러쉬(4150)가 웨이퍼(W)를 세정할 때는, 구동기(4180)는 진공 부재(4160)를 제 1 위치에 위치시킨다. 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)와 제 1 거리(D1)만큼 떨어지도록 제공된다. 롤 브러쉬(4150)를 세정해야 할 때는, 구동기(4180)가 진공 부재(4160)를 제 2 위치에 위치시킨다. 제 2 위치에서, 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)와 제 2 거리(D2)만큼 이격된다. 제 2 거리(D2)는 제 1 거리(D1)보다 가깝다. 제 2 위치에서, 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)와 매우 인접하나, 롤 브러쉬(4150) 또는 롤 브러쉬(4150)에 형성되는 유막에서 이격되게 제공된다. 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150) 상에 잔류하는 파티클을 진공 홀(4165)로 흡착시켜 배출시킨다. 이에 따라, 롤 브러쉬(4150)는 세정된다. 롤 브러쉬(4150)를 에이징할 때는, 도 9와 같이 진공 부재(4160)가 제 3 위치에 놓인다. 이 때, 진공 부재(4160)는 롤 브러쉬(4150)에 접촉된다. 이에 따라, 나이프(4175)와 롤 브러쉬(4150)가 접촉되어, 마찰에 의해 포어가 마모되고, 롤 브러쉬(4150)는 에이징된다. 롤 브러쉬(4150)가 나이프(4175)에 의해 직접 마모되어, 기판 처리 장치(4100)는 더미 웨이퍼(W)를 사용하지 않을 수 있다. 나이프(4175)는 롤 브러쉬(4150)와 동일한 재질로 제공된다. Hereinafter, the process of cleaning and aging the roll brush 4150 will be described with reference to FIGS. 5 to 9. FIG. Fig. 5 is a view showing a state in which the wafer W is cleaned by the roll brush 4150. Fig. Figs. 6 to 8 are views showing a state in which the roll brush 4150 is cleaned by the vacuum member 4160. Fig. 9 is a view showing a state in which the agitating member 4170 ages the roll brush 4150. Fig. 5 to 9 show only the vacuum member 4160 and the roll brush 4150 except for the frame 4140 for ease of explanation. When the roll brush 4150 cleans the wafer W, the actuator 4180 places the vacuum member 4160 in the first position. The vacuum member 4160 is provided so as to be separated from the roll brush 4150 by the first distance D1. When the roll brush 4150 is to be cleaned, the actuator 4180 places the vacuum member 4160 in the second position. In the second position, the vacuum member 4160 is separated from the roll brush 4150 by a second distance D2. The second distance D2 is closer to the first distance D1. In the second position, the vacuum member 4160 is provided adjacent to the roll brush 4150 but spaced apart from the oil film formed on the roll brush 4150 or roll brush 4150. The vacuum member 4160 sucks and discharges the particles remaining on the roll brush 4150 with the vacuum hole 4165. Thus, the roll brush 4150 is cleaned. When the roll brush 4150 is aged, the vacuum member 4160 is placed in the third position as shown in Fig. At this time, the vacuum member 4160 contacts the roll brush 4150. As a result, the knife 4175 and the roll brush 4150 are brought into contact with each other, the pores are worn by the friction, and the roll brush 4150 is aged. The roll brush 4150 is directly worn by the knife 4175 so that the substrate processing apparatus 4100 may not use the dummy wafer W. [ The knife 4175 is provided in the same material as the roll brush 4150.

이상의 본 실시예에서는 프레임(4140) 내부에 롤 브러쉬(4150)와 진공 부재(4160)가 포함되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 롤 브러쉬(4150)와 진공 부재(4160)는 각각의 바디로 제공될 수 있다. 또한, 선택적으로, 에이징 부재(4170)도 별도의 바디로 제공될 수 있다. The roll brush 4150 and the vacuum member 4160 are included in the frame 4140. Alternatively, the roll brush 4150 and the vacuum member 4160 may be provided in the respective bodies . Optionally, aging member 4170 may also be provided as a separate body.

이상에서는 처리 모듈(300)이 웨이퍼(W)에 대해 화학적, 기계적 연마하는 공정을 수행하는 모듈인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 다른 공정을 수행하는 모듈일 수 있다. 또한, 세정 모듈(400)이 처리 모듈(300)과 하나의 장치로 제공되는 것으로 설명하였으나, 선택적으로, 세정 모듈(400)은 처리 모듈(300)과 독립적으로 제공될 수 있다. 이 때, 세정 모듈(400)은 별도의 장치로 제공되고, 세정 모듈(400)과 처리 모듈(300)간에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇 및 웨이퍼(W)를 재치하는 용기 등이 제공될 수 있다. In the above description, the processing module 300 is a module for performing chemical and mechanical polishing of the wafer W. Alternatively, the processing module 300 may be a module for performing other processes. In addition, although the cleaning module 400 is described as being provided with the processing module 300 as a single device, the cleaning module 400 may be provided independently of the processing module 300. The cleaning module 400 is provided as a separate device and is provided with a transport robot for transporting the wafer W between the cleaning module 400 and the processing module 300 and a container for placing the wafer W .

상술한 예들에서는 웨이퍼(W)에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above examples, the cleaning process for the wafer W has been described. However, the number of process chambers and the number of process chambers may be different from each other. Further, a steam member, a nozzle member or the like may be further provided for the wafer W. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

100 : 인덱스 모듈 200 : 반송 로봇
300 : 연마 모듈 400 : 세정 모듈
4120 : 지지 유닛 4130 : 세정 유닛
4140 : 프레임 4150 : 롤 브러쉬
4160 : 진공 부재 4165 : 진공 홀
4170 : 에이징 부재 4175 : 나이프
4180 : 구동기 4190 : 제어기 100: Index module 200: Transport robot
300: polishing module 400: cleaning module
4120: support unit 4130: cleaning unit
4140: Frame 4150: Roll brush
4160: Vacuum member 4165: Vacuum hole
4170: aging member 4175: knife
4180: driver 4190: controller

Claims

A cleaning unit for cleaning a substrate,
A frame provided in contact with the substrate and including a roll brush rotated about its central axis;
A vacuum member including a vacuum hole for adsorbing particles remaining in the roll brush and cleaning the roll brush; And
And a driver for moving the vacuum member.

The method according to claim 1,
The frame including the vacuum member,
The cleaning unit further includes a controller for controlling the driver,
Wherein the vacuum member is provided so as to be spaced apart from the roll brush.