KR20130091487A - Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same - Google Patents

Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130091487A
KR20130091487A KR1020120012807A KR20120012807A KR20130091487A KR 20130091487 A KR20130091487 A KR 20130091487A KR 1020120012807 A KR1020120012807 A KR 1020120012807A KR 20120012807 A KR20120012807 A KR 20120012807A KR 20130091487 A KR20130091487 A KR 20130091487A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit pattern
carrier member
silicon layer
insulating layer
inch
Prior art date
Application number
KR1020120012807A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유정상
김태균
이영일
Original Assignee
주식회사 아모그린텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아모그린텍 filed Critical 주식회사 아모그린텍
Priority to KR1020120012807A priority Critical patent/KR20130091487A/en
Publication of KR20130091487A publication Critical patent/KR20130091487A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1536—Temporarily stacked PCBs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PURPOSE: A carrier member for transferring a circuit pattern and a circuit pattern transferring method using the same prevent transfer defects by controlling the bonding strength between the circuit pattern and the carrier member through silicon surface treatment before forming the circuit pattern. CONSTITUTION: A carrier member (200) for transferring a circuit pattern has a structure with a silicon layer (220) formed on one side or both sides of an insulating layer (210) made of materials such as a transparent glass substrate or a plastic substrate or an opaque insulating substrate. The bonding strength (RF) between the circuit pattern and the silicon layer has a small value when the circuit pattern is directly formed on the silicon layer. [Reference numerals] (AA) First direction

Description

회로패턴 전사용 캐리어 부재 및 이를 이용한 회로패턴 전사 방법 {CARRIER MEMBER FOR TRANSMITTING CIRCUIT PATTERN, AND CIRCUIT PATTERN TRANSMITTING METHOD USING THE SAME}Carrier member for circuit pattern transfer and circuit pattern transfer method using same {CARRIER MEMBER FOR TRANSMITTING CIRCUIT PATTERN, AND CIRCUIT PATTERN TRANSMITTING METHOD USING THE SAME}

본 발명은 회로패턴 전사용 캐리어 부재 및 이를 이용한 전사 방법에 관한 것으로, 전사 공정 수행 시에 회로패턴과 캐리어 부재와의 강한 부착력으로 인한 전사 불량이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 회로패턴과의 부착강도 조절을 위한 실리콘 표면 처리가 되어 있는 회로패턴 전사용 캐리어 부재 및 이를 이용한 전사 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a carrier member for a circuit pattern transfer and a transfer method using the same, in order to prevent a transfer failure due to a strong adhesion between the circuit pattern and the carrier member when performing the transfer process, the adhesion strength with the circuit pattern The present invention relates to a carrier member for circuit pattern transfer having a silicon surface treatment for adjustment, and a transfer method using the same.

인쇄회로기판을 제조하는 공정에 있어서, 절연층에 회로패턴을 형성하는 공정은 가장 기본이 됨과 동시에 가장 중요한 공정이다. 제조된 인쇄회로기판이 설계자가 의도한 기능을 충실히 수행하기 위해서는, 회로패턴에 불량이 없어야 하기 때문이다. 이러한 회로패턴을 형성하는 방법으로는, 증착 방식, 식각 방식, 잉크젯 방식, 전사 방식 등이 이용되고 있다. In the process of manufacturing a printed circuit board, the process of forming a circuit pattern on the insulating layer is the most important and the most important process. In order for the manufactured printed circuit board to faithfully perform the function intended by the designer, there should be no defects in the circuit pattern. As a method of forming such a circuit pattern, a vapor deposition method, an etching method, an inkjet method, a transfer method, and the like are used.

이 가운데 전사 방식은, 별도의 캐리어(CARRIER) 부재에 회로패턴을 형성하고, 이를 부착력을 갖는 절연층에 압착시킨 다음, 상기 캐리어 부재를 제거함으로써 절연층에 회로패턴이 매립되도록 하는 방법을 말한다. The transfer method refers to a method of forming a circuit pattern on a separate carrier member, compressing the circuit pattern to an insulating layer having an adhesive force, and then removing the carrier member to embed the circuit pattern in the insulating layer.

도 1 내지 도 4는 전사 방식을 사용한 종래의 인쇄회로기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다. 1 to 4 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional printed circuit board using a transfer method.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 캐리어 부재(100) 상에 회로패턴(110)을 형성한 후에, 부착력을 갖는 절연층(120)의 일면이 회로패턴(110)과 접촉하도록 캐리어 부재(100)와 절연층(120)을 압착한다. 그 후, 캐리어 부재(100)를 제거하여 회로패턴(110)이 형성된 인쇄회로기판(130)을 제조한다. 1 to 3, after the circuit pattern 110 is formed on the carrier member 100, the carrier member 100 is formed such that one surface of the insulating layer 120 having the adhesive force contacts the circuit pattern 110. And the insulating layer 120 are compressed. Thereafter, the carrier member 100 is removed to manufacture the printed circuit board 130 on which the circuit pattern 110 is formed.

그러나, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 전사 방식을 이용하여 인쇄회로기판을 제조하는 경우에, 회로패턴이 형성된 캐리어 부재를 절연층에 압착한 후에 상기 캐리어 부재를 제거할 때, 상기 회로패턴과 상기 캐리어 부재 사이의 강한 부착력으로 인해 상기 회로패턴의 일부가 상기 절연층에 매립된 채로 남지 못하고, 상기 캐리어 부재와 함께 상기 절연층으로부터 제거되는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 현상으로 인해, 회로패턴이 설계자가 의도한 대로 인쇄회로기판에 형성되지 못하는 전사 불량이 발생하게 되는 문제점이 있다. However, as shown in FIG. 4, in the case of manufacturing a printed circuit board using the transfer method as described above, when the carrier member is removed after pressing the carrier member having the circuit pattern formed thereon onto the insulating layer, the circuit Due to the strong adhesion between the pattern and the carrier member, a portion of the circuit pattern may not remain embedded in the insulating layer, and may be removed from the insulating layer together with the carrier member. Due to this phenomenon, there is a problem that a transfer failure occurs in which the circuit pattern is not formed on the printed circuit board as intended by the designer.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 회로패턴과의 부착강도 조절을 위한 실리콘 표면 처리가 되어 있는 회로패턴 전사용 캐리어 부재를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a carrier member for transferring a circuit pattern having a silicon surface treatment for adjusting adhesion strength with a circuit pattern.

또한, 본 발명은 회로패턴과의 부착강도 조절을 위한 실리콘 표면 처리가 되어 있는 회로패턴 전사용 캐리어 부재를 이용한 전사 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a transfer method using a carrier member for transferring a circuit pattern, which has a silicon surface treatment for adjusting the adhesion strength with the circuit pattern.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에서는:In order to achieve the above object, in the present invention:

절연층; 및 Insulating layer; And

상기 절연층의 적어도 일면에 형성된 실리콘층을 포함하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재를 제공한다.Provided is a carrier member for transferring a circuit pattern comprising a silicon layer formed on at least one surface of the insulating layer.

상기 절연층은 투명한 유리 기판, 플렉시블(flexible)한 플라스틱 기판 및 불투명한 절연 기판 중 어느 하나일 수 있다.The insulating layer may be any one of a transparent glass substrate, a flexible plastic substrate, and an opaque insulating substrate.

상기 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film)일 수 있다.The insulating layer may be a polyimide film.

상기 실리콘층은 20gf/inch 내지 600gf/inch 의 RF값을 가질 수 있으며, 상기 RF값은 상기 실리콘층과, 상기 실리콘층 상에 형성되는 도전성 금속을 포함하는 회로패턴 사이의 부착 강도를 의미한다.The silicon layer may have an RF value of 20 gf / inch to 600 gf / inch, and the RF value means an adhesion strength between the silicon layer and a circuit pattern including a conductive metal formed on the silicon layer.

상기 실리콘층은 30gf/inch 내지 190gf/inch 의 RF값을 가질 수 있다.The silicon layer may have an RF value of 30 gf / inch to 190 gf / inch.

상기 다른 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는:In order to achieve the above another object, in the present invention:

제1절연층의 적어도 일면 상에 실리콘층을 형성하여 캐리어 부재를 형성하는 단계;Forming a carrier member by forming a silicon layer on at least one surface of the first insulating layer;

상기 실리콘층 상에 하나 이상의 회로패턴을 형성하는 단계;Forming at least one circuit pattern on the silicon layer;

적어도 일면에 접착력을 갖는 제2절연층을, 접착력이 갖는 면이 상기 회로패턴과 접촉하도록 상기 캐리어 부재와 결합하여 압착하는 단계; 및Pressing a second insulating layer having an adhesive force on at least one surface thereof in combination with the carrier member such that the surface having adhesive force contacts the circuit pattern; And

상기 캐리어 부재를 상기 제2절연층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로패턴의 전사 방법을 제공한다.Separating the carrier member from the second insulating layer provides a transfer method of a circuit pattern.

상기 실리콘층을 형성하는 단계는, 바 코팅, 그라비아 코팅, 다이 코팅, 인-라인 코팅 및 오프-라인 코팅 법 중 어느 하나의 방법을 사용할 수 있다.The forming of the silicon layer may include any one of bar coating, gravure coating, die coating, in-line coating, and off-line coating.

상기 회로패턴을 형성하는 단계는, 식각, 스크린 인쇄, 잉크젯 및 도금 중 적어도 어느 하나의 방법을 사용할 수 있다.In the forming of the circuit pattern, at least one of etching, screen printing, inkjet, and plating may be used.

상기 실리콘층은 30gf/inch 내지 190gf/inch 의 RF값을 가질 수 있으며, 상기 RF값은 상기 실리콘층과, 상기 실리콘층 상에 형성되는 도전성 금속을 포함하는 회로패턴 사이의 부착 강도를 의미한다.The silicon layer may have an RF value of 30 gf / inch to 190 gf / inch, and the RF value means an adhesion strength between the silicon layer and a circuit pattern including a conductive metal formed on the silicon layer.

본 발명의 회로패턴 전사용 캐리어 부재는 회로패턴을 형성하기 전에 상기 캐리어 부재의 표면에 실리콘을 이용한 표면 처리를 수행함으로써 이형성을 부여하여, 이 후 회로패턴 형성 공정에서 상기 회로패턴과 상기 캐리어 부재와의 부착강도를 조절할 수 있다. 따라서, 전사 공정 수행 시에 상기 회로패턴과 상기 캐리어 부재 간의 강한 부착력으로 인해 상기 캐리어 부재와 상기 회로패턴이 분리되지 않는 전사 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. The carrier member for transferring a circuit pattern of the present invention imparts releasability by performing a surface treatment using silicon on the surface of the carrier member before forming the circuit pattern, and thereafter, the circuit pattern and the carrier member The adhesive strength of can be adjusted. Therefore, it is possible to prevent a transfer failure in which the carrier member and the circuit pattern are not separated due to the strong adhesion between the circuit pattern and the carrier member when the transfer process is performed.

도 1 내지 도 4는 전사 방식을 사용한 종래의 인쇄회로기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재의 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재를 이용한 전사 방법을 나타내는 단면도들이다.1 to 4 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional printed circuit board using a transfer method.
5 is a cross-sectional view of a carrier member for transferring a circuit pattern according to an embodiment of the present invention.
6 to 10 are cross-sectional views illustrating a transfer method using a carrier member for transferring a circuit pattern according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 인쇄 회로 기판 및 인쇄 회로 기판의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.Hereinafter, a printed circuit board and a manufacturing method of a printed circuit board according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited by the following embodiments, and Those skilled in the art may implement the present invention in various other forms without departing from the technical spirit of the present invention.

본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.In this specification, specific structural and functional descriptions are merely illustrative and are for the purpose of describing the embodiments of the present invention only, and embodiments of the present invention may be embodied in various forms and are limited to the embodiments described herein And all changes, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention are to be understood as being included therein. When a component is described as being "connected" or "contacted" to another component, it is to be understood that it may be directly connected to or in contact with another component, but there may be another component in between. something to do. In addition, when a component is described as being "directly connected" or "directly contacted" with another component, it may be understood that there is no other component in between. Other expressions that describe the relationship between components, for example, "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", and the like may also be interpreted.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing exemplary embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. As used herein, the terms "comprise", "comprise" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof that is practiced, and that one or the same. It is to be understood that the present invention does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application .

제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.The terms first, second and third, etc. may be used to describe various components, but such components are not limited by the terms. The terms are used to distinguish one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second or third component, and similarly, the second or third component may be alternately named.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 기술하기로 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a carrier member for transferring a circuit pattern according to an embodiment of the present invention.

이하, 이를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재(200)에 대해 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a description will be given of a circuit pattern transfer carrier member 200 according to an embodiment of the present invention with reference to this.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재(200)는 절연층(210)의 일면 또는 양면에 실리콘층(220)이 형성된 구조를 가질 수 있으며, 제1방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. Referring to FIG. 5, the circuit pattern transfer carrier member 200 according to the present invention may have a structure in which a silicon layer 220 is formed on one or both surfaces of the insulating layer 210 and extends in a first direction. Can have

절연층(210)은 투명한 유리 기판이나 플렉시블(flexible)한 플라스틱 기판 또는 불투명한 절연 기판 등일 수 있으며, 바람직하게는 폴리이미드 필름(polyimide film)일 수 있다. The insulating layer 210 may be a transparent glass substrate, a flexible plastic substrate, an opaque insulating substrate, or the like, and preferably, may be a polyimide film.

절연층(210)의 일면 또는 양면에 형성된 실리콘층(220)의 이형성으로 인하여, 실리콘층(220) 상에 형성되는 회로패턴과 실리콘층(220) 사이의 부착 강도(RF)가 상기 회로패턴을 절연층(210) 상에 직접 형성한 경우에 비해 작은 값을 가질 수 있다. 상기 RF값은 실리콘 표면처리 정도에 따라 조절될 수 있으며, 구체적으로는, 상기 RF값은 약 20gf/inch 내지 600gf/inch 일 수 있으며, 바람직하게는 약 30gf/inch 내지 190gf/inch 일 수 있다. 상기 RF값이 20gf/inch 미만인 경우에는 이형성이 과도하여, 실리콘층(220)의 표면에 회로패턴을 형성할 때, 상기 회로패턴과 실리콘층(220)이 분리되는 현상이 발생하여, 전사 공정용 캐리어 부재로 사용하기에 부적합하다. 한편, 상기 RF값이 600gf/inch 초과하는 경우에는 이형성이 약해, 전사 공정에서 회로패턴과 실리콘층(220)이 분리되지 않는 현상이 발생할 수 있어 역시 캐리어 부재로 사용하기에 부적합하다.
Due to the releasability of the silicon layer 220 formed on one or both surfaces of the insulating layer 210, the adhesion strength RF between the circuit pattern formed on the silicon layer 220 and the silicon layer 220 may cause the circuit pattern. It may have a smaller value than when directly formed on the insulating layer 210. The RF value may be adjusted according to the degree of silicon surface treatment. Specifically, the RF value may be about 20 gf / inch to 600 gf / inch, and preferably about 30 gf / inch to 190 gf / inch. When the RF value is less than 20 gf / inch, the releasability is excessive, and when the circuit pattern is formed on the surface of the silicon layer 220, the circuit pattern and the silicon layer 220 are separated, thereby causing a transfer process. Not suitable for use as a carrier member. On the other hand, when the RF value exceeds 600gf / inch, the releasability is weak, and the circuit pattern and the silicon layer 220 may not be separated in the transfer process, which is not suitable for use as a carrier member.

도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 회로패턴 전사용 캐리어 부재를 이용한 전사 방법을 나타내는 단면도들이다.6 to 10 are cross-sectional views illustrating a transfer method using a carrier member for transferring a circuit pattern according to an embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하면, 캐리어 부재의 기본 기판인 제1절연층(210)을 마련한다. 제1절연층(210)은 투명한 유리 기판이나 플렉시블(flexible)한 플라스틱 기판 또는 불투명한 절연 기판 등일 수 있고, 바람직하게는 폴리이미드 필름(polyimide film)일 수 있으며, 어느 하나에 한정되는 것은 아니다. 6 and 7, a first insulating layer 210, which is a basic substrate of the carrier member, is prepared. The first insulating layer 210 may be a transparent glass substrate, a flexible plastic substrate, an opaque insulating substrate, or the like, and may preferably be a polyimide film, but is not limited thereto.

제1절연층(210)의 일면 또는 양면을 커버하도록 실리콘층(220)을 형성하여 캐리어 부재를 형성한다. 실리콘층(220)은 제1절연층(210)의 일면 또는 양면을 커버하도록 형성될 수 있으며, 실리콘층(220)은 바 코팅, 그라비아 코팅, 다이 코팅, 인-라인 코팅, 오프-라인 코팅 법 등과 같은 종래의 공지된 실리콘 코팅법을 사용하여 형성할 수 있으며, 어느 하나의 방법에 한정되는 것은 아니다.The carrier layer is formed by forming the silicon layer 220 to cover one or both surfaces of the first insulating layer 210. The silicon layer 220 may be formed to cover one or both surfaces of the first insulating layer 210, and the silicon layer 220 may be bar coated, gravure coated, die coated, in-line coated, or off-line coated. It can be formed using a conventionally known silicone coating method such as, but is not limited to any one method.

도 8을 참조하면, 상기 캐리어 부재의 실리콘층(220)의 표면 상에 하나 이상의 회로패턴(230)을 형성한다. Referring to FIG. 8, one or more circuit patterns 230 are formed on the surface of the silicon layer 220 of the carrier member.

회로패턴(230)은 배선으로 사용될 수 있도록 도전 재료를 포함하고 있으며, 상기 도전 재료로서, 예컨대 구리, 금, 은, 알루미늄, 니켈 또는 주석 등의 도전성 금속 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있고, 나노 은 입자 등의 금속 재료, 카본 블랙, 흑연 또는 카본 나노 튜브 등의 탄소 재료, 또는 폴리싸이오펜 또는 폴리아닐린 등의 도전성 고분자 재료를 이용할 수도 있으며, 또는 이들 재료를 2종류 이상 혼합한 재료를 이용할 수 있다.The circuit pattern 230 includes a conductive material to be used as a wiring, and as the conductive material, for example, at least one of conductive metals such as copper, gold, silver, aluminum, nickel or tin may be used, and nano silver Metal materials, such as particle | grains, carbon materials, such as carbon black, graphite, or a carbon nanotube, or conductive polymer materials, such as polythiophene or polyaniline, can also be used, or the material which mixed two or more types of these materials can be used.

회로패턴(230)의 형성 방법은 도전 물질을 포함하는 패턴 형성 방법이면 특별한 한정 없이 사용할 수 있고, 바람직하게는 식각, 스크린 인쇄, 잉크젯 또는 도금 등의 방법을 사용하여 형성할 수 있으며, 또는 이들 방법을 2종 이상 혼합하여 형성할 수 있다.The method of forming the circuit pattern 230 may be used without any particular limitation as long as it is a pattern forming method including a conductive material. Preferably, the circuit pattern 230 may be formed using a method such as etching, screen printing, inkjet, or plating. It can be formed by mixing two or more kinds.

도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 캐리어 부재의 실리콘층(220)의 표면 상에 회로패턴(230)을 형성한 후에, 부착력을 갖는 면을 적어도 한 면 이상 포함하는 제2절연층(240)을 상기 부착력을 갖는 면이 회로패턴(230)과 접촉하도록 상기 캐리어 부재와 결합시켜 압착한다. 회로패턴(230)이 제2절연층(240)에 충분히 접착된 후에 제2절연층(240)과 상기 캐리어 부재를 분리하여, 회로패턴(230)을 제2절연층(240)의 표면 상으로 전사할 수 있다. 9 and 10, after the circuit pattern 230 is formed on the surface of the silicon layer 220 of the carrier member, the second insulating layer 240 includes at least one surface having an adhesive force. It is combined with the carrier member so that the surface having the adhesive force is in contact with the circuit pattern 230 is pressed. After the circuit pattern 230 is sufficiently adhered to the second insulating layer 240, the second insulating layer 240 and the carrier member are separated to move the circuit pattern 230 onto the surface of the second insulating layer 240. Can be killed.

캐리어 부재의 실리콘층으로 인한 이형성으로 인해, 회로패턴과 상기 캐리어 부재와의 부착강도를 조절할 수 있어, 전사 공정 수행 시에 상기 회로패턴과 상기 캐리어 부재 간의 강한 부착력으로 인해 상기 캐리어 부재와 상기 회로패턴이 분리되지 않는 전사 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Due to the releasability due to the silicon layer of the carrier member, the adhesion strength between the circuit pattern and the carrier member can be adjusted, and the carrier member and the circuit pattern due to the strong adhesion between the circuit pattern and the carrier member during the transfer process are performed. This non-separable transfer failure can be prevented from occurring.

100, 200 : 캐리어 부재 110, 230 : 회로패턴
120 : 절연층 130 : 인쇄회로기판
210 : 절연층, 제1절연층 220 : 실리콘층
240 : 제2절연층100, 200: carrier member 110, 230: circuit pattern
120: insulating layer 130: printed circuit board
210: insulating layer, first insulating layer 220: silicon layer
240: second insulating layer

Claims (9)

절연층; 및
상기 절연층의 적어도 일면에 형성된 실리콘층을 포함하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재.Insulating layer; And
And a silicon layer formed on at least one surface of the insulating layer. 청구항 1에 있어서,
상기 절연층은 투명한 유리 기판, 플렉시블(flexible)한 플라스틱 기판 및 불투명한 절연 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재.The method according to claim 1,
And the insulating layer is any one of a transparent glass substrate, a flexible plastic substrate, and an opaque insulating substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 것을 특징으로 하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재.The method according to claim 1,
The insulating layer is a carrier member for circuit pattern transfer, characterized in that the polyimide film (polyimide film). 청구항 1에 있어서,
상기 실리콘층은 20gf/inch 내지 600gf/inch 의 RF값을 가지며, 상기 RF값은 상기 실리콘층과, 상기 실리콘층 상에 형성되는 도전성 금속을 포함하는 회로패턴 사이의 부착 강도를 의미하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재. The method according to claim 1,
The silicon layer has an RF value of 20 gf / inch to 600 gf / inch, and the RF value means an adhesion strength between the silicon layer and a circuit pattern including a conductive metal formed on the silicon layer. A carrier member for transferring a circuit pattern. 청구항 1에 있어서,
상기 실리콘층은 30gf/inch 내지 190gf/inch 의 RF값을 가지며, 상기 RF값은 상기 실리콘층과, 상기 실리콘층 상에 형성되는 도전성 금속을 포함하는 회로패턴 사이의 부착 강도를 의미하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 전사용 캐리어 부재. The method according to claim 1,
The silicon layer has an RF value of 30 gf / inch to 190 gf / inch, and the RF value means an adhesion strength between the silicon layer and a circuit pattern including a conductive metal formed on the silicon layer. A carrier member for transferring a circuit pattern. 제1절연층의 적어도 일면 상에 실리콘층을 형성하여 캐리어 부재를 형성하는 단계;
상기 실리콘층 상에 하나 이상의 회로패턴을 형성하는 단계;
적어도 일면에 접착력을 갖는 제2절연층을, 접착력을 갖는 면이 상기 회로패턴과 접촉하도록 상기 캐리어 부재와 결합하여 압착하는 단계; 및
상기 캐리어 부재를 상기 제2절연층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로패턴의 전사 방법.Forming a carrier member by forming a silicon layer on at least one surface of the first insulating layer;
Forming at least one circuit pattern on the silicon layer;
Bonding a second insulating layer having an adhesive force to at least one surface thereof in combination with the carrier member such that a surface having the adhesive force contacts the circuit pattern; And
Separating the carrier member from the second insulating layer. 청구항 6에 있어서,
상기 실리콘층을 형성하는 단계는, 바 코팅, 그라비아 코팅, 다이 코팅, 인-라인 코팅 및 오프-라인 코팅 법 중 어느 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 회로패턴의 전사 방법.The method of claim 6,
The forming of the silicon layer may include at least one of bar coating, gravure coating, die coating, in-line coating, and off-line coating. 청구항 6에 있어서,
상기 회로패턴을 형성하는 단계는, 식각, 스크린 인쇄, 잉크젯 및 도금 중 적어도 어느 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 회로패턴의 전사 방법.The method of claim 6,
The forming of the circuit pattern may include at least one of etching, screen printing, inkjet, and plating. 청구항 6에 있어서,
상기 실리콘층은 30gf/inch 내지 190gf/inch 의 RF값을 가지며, 상기 RF값은 상기 실리콘층과, 상기 실리콘층 상에 형성되는 도전성 금속을 포함하는 회로패턴 사이의 부착 강도를 의미하는 것을 특징으로 하는 회로패턴의 전사 방법.The method of claim 6,
The silicon layer has an RF value of 30 gf / inch to 190 gf / inch, and the RF value means an adhesion strength between the silicon layer and a circuit pattern including a conductive metal formed on the silicon layer. The transfer method of the circuit pattern to perform.
KR1020120012807A 2012-02-08 2012-02-08 Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same KR20130091487A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120012807A KR20130091487A (en) 2012-02-08 2012-02-08 Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120012807A KR20130091487A (en) 2012-02-08 2012-02-08 Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130091487A true KR20130091487A (en) 2013-08-19

Family

ID=49216660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120012807A KR20130091487A (en) 2012-02-08 2012-02-08 Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130091487A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101812606B1 (en) Method for manufacturing transparent printed circuit and method for manufacturing transparent touch panel
JP6898127B2 (en) Electromagnetic wave shield film and printed wiring board with electromagnetic wave shield film
CN110545626B (en) Method for realizing liquid metal patterning on elastic substrate
EP2040289A3 (en) Packaging substrate structure and method for manufacturing the same
TW200731898A (en) Circuit board structure and method for fabricating the same
US20170359904A1 (en) Anisotropic conductive film, manufacturing method thereof, and connection structure
JP2017195278A (en) Electromagnetic wave shielding film and printed wiring board with the same
JP6022963B2 (en) Stretchable wiring board and manufacturing method thereof
TW201406229A (en) Printed circuit board and method for manufacturing the same
JP2018056330A (en) Electromagnetic wave shield film, method of manufacturing electromagnetic wave shield film and method of manufacturing printed wiring board with electromagnetic wave shield film
CN103841767A (en) Transparent printed circuit board and manufacturing method thereof
JP3441981B2 (en) Conductive elastomer grafted to metal substrate
EP3007526A1 (en) Manufacturing method and structure of circuit board with very fine conductive circuit lines
CN109315069B (en) Three-dimensional wiring board, method for manufacturing three-dimensional wiring board, and substrate for three-dimensional wiring board
WO2011082778A3 (en) Method for producing a component that is embedded in an insulating material and comprises bumps and conductor tracks that overlap said bumps and corresponding device
TWI539870B (en) Built-in components of the substrate
KR20130091487A (en) Carrier member for transmitting circuit pattern, and circuit pattern transmitting method using the same
JP2013058545A (en) Electronic device and manufacturing method of the same
JP2016115178A (en) Flexible laminate, manufacturing method thereof, and capacitive three-dimensional sensor
JP2010062188A (en) Tab tape for semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4821995B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TWI505551B (en) Method for forming an antenna and compression head
KR20140044748A (en) Glass wiring board
JP2020061487A (en) Electromagnetic wave shielding film, print circuit board with electromagnetic wave shielding film, and manufacturing method thereof
CN210478087U (en) Printed electronics and printed electronics manufacturing system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application