KR20130079832A - A carrier and an wafer lapping apparatus including the same - Google Patents

A carrier and an wafer lapping apparatus including the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130079832A
KR20130079832A KR1020120000564A KR20120000564A KR20130079832A KR 20130079832 A KR20130079832 A KR 20130079832A KR 1020120000564 A KR1020120000564 A KR 1020120000564A KR 20120000564 A KR20120000564 A KR 20120000564A KR 20130079832 A KR20130079832 A KR 20130079832A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
carrier
insert
curved
polishing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020120000564A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101292226B1 (en
Inventor
김대훈
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020120000564A priority Critical patent/KR101292226B1/en
Publication of KR20130079832A publication Critical patent/KR20130079832A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101292226B1 publication Critical patent/KR101292226B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Abstract

PURPOSE: A carrier and a wafer polishing apparatus including the same are provided to prevent the edge of a wafer and an insertion unit from being damaged due to stress by changing the structure of the insertion unit in the carrier. CONSTITUTION: A body (112) has at least one wafer mounting hole to mount a wafer (101). The central part (201) of the inner side of the wafer mounting hole is formed with a protrusive structure. An insertion unit (114-1) is formed on the inner side (112-1) of the wafer mounting hole. The insertion unit includes an outer surface in contact with the inner side of the body and an inner surface in contact with the wafer. A part of the inner side of the insertion unit is curved.

Description

캐리어 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치{A carrier and an wafer lapping apparatus including the same}A carrier and an wafer lapping apparatus including the same}

실시 예는 캐리어 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a carrier and a wafer polishing apparatus comprising the same.

반도체 소자의 재료로서 실리콘 웨이퍼가 널리 사용되고 있으며, 실리콘 웨이퍼는 실리콘 표면 위에 동종의 실리콘을 성장시킨 웨이퍼이다. 실리콘 웨이퍼는 집적화하고자 하는 영역의 순도 및 결정 특성이 우수하고 반도체 소자의 수율 미 소자 특성에 유리하다.BACKGROUND ART Silicon wafers are widely used as materials for semiconductor devices, and silicon wafers are wafers in which homogeneous silicon is grown on a silicon surface. Silicon wafers are excellent in purity and crystallinity of the region to be integrated and are advantageous for the yield yield of semiconductor devices.

웨이퍼 제조 과정에서 웨이퍼를 평탄화시키는 래핑(lapping) 공정은 웨이퍼 양면을 상정반과 하정반 사이에 밀착시킨 후에 연마제와 화학 물질이 포함된 슬러리를 웨이퍼와 상정반 및 하정반 사이에 주입시켜 웨이퍼를 연마하는 공정이다.In the wafer manufacturing process, a lapping process for flattening a wafer is performed by polishing both sides of the wafer between the upper and lower surfaces, and then injecting a slurry containing abrasive and chemical between the wafer and the upper and lower surfaces to polish the wafer. It is a process.

이러한 래핑 공정에서는 웨이퍼를 상정반과 하정반 사이에 위치하여 웨이퍼가 장착되는 캐리어가 필요하다. In such a lapping process, a carrier on which a wafer is mounted is required by placing a wafer between an upper plate and a lower plate.

또한 DSP(Double Side polishing) 공정은 슬러리(slurry)를 연마제로 사용하여 정반 가압하에 패드(pad)와 웨이퍼의 마찰을 통하여 웨이퍼를 연마하여 웨이퍼의 평탄도를 결정할 수 있다.In the double side polishing (DSP) process, a slurry may be polished using a slurry as an abrasive to polish a wafer through friction between a pad and a wafer under surface pressure.

상기 래핑 공정 또는 DSP 공정에서는 상정반과 하정반 사이에 웨이퍼를 수용하는 홀이 형성된 캐리어가 위치하고, 캐리어는 하정반 상에서 자전과 공전을 한다.In the lapping process or the DSP process, a carrier having a hole for receiving a wafer is positioned between the upper plate and the lower plate, and the carrier rotates and rotates on the lower plate.

일반적으로 캐리어의 내측면은 평면이고 웨이퍼의 에지는 곡면이기 때문에 상기 래핑 공정 또는 DSP 공정 수행시 회전하는 웨이퍼의 에지는 캐리어의 내측면과 점 접촉한다. 이와 같이 회전하는 웨이퍼의 원심력이 웨이퍼의 에지와 캐리어의 내측면 사이의 점 접촉 부분에 스트레스를 주어 캐리어와 웨이퍼의 에지는 손상을 받을 수 있다.In general, since the inner side of the carrier is planar and the edge of the wafer is curved, the edge of the rotating wafer is in point contact with the inner side of the carrier during the lapping process or the DSP process. The centrifugal force of the rotating wafer thus stresses the point of contact between the edge of the wafer and the inner surface of the carrier and can damage the edge of the carrier and the wafer.

스트레스에 기인하는 웨이퍼의 에지 및 인서트부에 대한 손상을 방지할 수 있는 캐리어 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치를 제공한다.Provided are a carrier and a wafer polishing apparatus including the same, which can prevent damage to edges and insert portions of a wafer due to stress.

실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 캐리어는 웨이퍼가 장착되는 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀을 갖는 몸체, 및 상기 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀의 내측면 상에 마련되는 인서트부를 포함하며, 상기 인서트부의 내측면은 적어도 일부가 곡면이다A carrier of a wafer polishing apparatus according to an embodiment includes a body having at least one wafer mounting hole on which a wafer is mounted, and an insert portion provided on an inner surface of the at least one wafer mounting hole, wherein the inner surface of the insert portion is at least Part is curved

상기 인서트부의 내측면은 상기 인서트부의 내측면의 최상단부에서 중간 부분까지의 영역인 상단 부분, 상기 인서트부의 내측면의 최하단부에서 상기 중간 부분까지의 영역인 하단 부분, 및 상기 상단 부분과 상기 하단 부분이 만나는 영역인 상기 중간 부분을 포함할 수 있다.The inner side of the insert portion is an upper end portion which is an area from the top end to the middle portion of the inner side of the insert portion, a lower end portion which is an area from the bottom end to the middle portion of the inner side of the insert portion, and the upper portion and the lower portion It may include the middle portion which is the meeting area.

상기 상단 부분은 곡면이고, 상기 하단 부분은 평면일 수 있다. 상기 상단 부분은 반지름이 400um ~ 500um인 곡률을 가질 수 있다.The upper portion may be curved, and the lower portion may be flat. The upper portion may have a radius of curvature of 400um to 500um.

상기 최상단부로부터 수평면까지의 거리는 상기 최하단부로부터 상기 수평면까지의 거리와 동일하며, 상기 수평면은 상기 중간 부분으로부터 수평하게 연장되는 면일 수 있다.The distance from the top end to the horizontal plane is the same as the distance from the bottom end to the horizontal plane, and the horizontal plane may be a plane extending horizontally from the middle portion.

상기 인서트부의 내측면은 서로 다른 곡률을 갖는 적어도 2개의 곡면들을 가질 수 있다.The inner surface of the insert portion may have at least two curved surfaces having different curvatures.

상기 상단 부분은 제1 곡면이고, 상기 하단 부분은 상기 중간 부분을 기준으로 상기 제1 곡면과 비대칭인 제2 곡면일 수 있다.The upper portion may be a first curved surface, and the lower portion may be a second curved surface asymmetrical to the first curved surface with respect to the intermediate portion.

상기 중간 부분을 기준으로 상기 상단 부분과 상기 하단 부분 각각은 돌출된 형상이고, 상기 상단 부분은 상기 하단 부분에 비하여 더 돌출될 수 있다.The upper portion and the lower portion each have a protruding shape with respect to the middle portion, and the upper portion may protrude more than the lower portion.

수직면으로부터 상기 최상단부까지의 거리는 상기 수직면으로부터 상기 최하단부까지의 거리보다 크고, 상기 수직면은 상기 중간 부분에 접하고, 상기 중간 부분과 수직일 수 있다.The distance from the vertical plane to the uppermost end may be greater than the distance from the vertical plane to the lowest end, and the vertical plane may contact the middle part and be perpendicular to the middle part.

상기 인서트부의 내측면은 상기 상단 부분과 상기 하단 부분이 동일한 곡률을 갖는 하나의 곡면을 이루고, 상기 최하단부에 인접하는 상기 하단 부분의 일부가 제거된 구조일 수 있다.The inner surface of the insert portion may have a structure in which the upper portion and the lower portion form one curved surface having the same curvature, and a portion of the lower portion adjacent to the lowermost portion is removed.

실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치는 하면에 제1 연마 패드가 부착되는 상정반, 상면에 제2 연마 패드가 부착되는 하정반, 및 상기 제1 연마 패드와 상기 제2 연마 패드 사이에 배치되고, 웨이퍼를 수용하는 캐리어를 포함하며, 상기 캐리어는 상술한 실시 예일 수 있다.According to an embodiment, a wafer polishing apparatus includes an upper plate to which a first polishing pad is attached to a lower surface, a lower plate to which a second polishing pad is attached to an upper surface, and a wafer disposed between the first polishing pad and the second polishing pad. It includes a carrier for receiving, the carrier may be the above-described embodiment.

실시 예는 스트레스에 기인하는 웨이퍼의 에지 및 인서트부에 대한 손상을 방지할 수 있다.Embodiments can prevent damage to the edges and inserts of the wafer due to stress.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 캐리어의 상면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 캐리어의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 인서트부의 확대도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 캐리어의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 4에 도시된 인서트부의 확대도를 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 인서트부를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 웨이퍼 래핑 장치를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치의 단면도를 나타낸다.1 is a top view of a carrier of the wafer polishing apparatus according to the embodiment.
FIG. 2 shows a cross-sectional view in the AB direction of the carrier shown in FIG. 1.
3 is an enlarged view of the insert portion shown in FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of a carrier according to another embodiment.
5 is an enlarged view of the insert part shown in FIG. 4.
6 illustrates an insert part according to another embodiment.
7 illustrates a wafer wrapping apparatus according to an embodiment.
8 is a sectional view of a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 캐리어 및 웨이퍼 연마 장치를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a carrier and a wafer polishing apparatus according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 캐리어(100)의 상면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 캐리어(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 3은 도 2에 도시된 인서트부(112)의 확대도를 나타낸다. 도 1 내지 도 3에 도시된 캐리어(100)는 웨이퍼의 표면을 가공하기 위한 장치, 예컨대, 래핑(lapping) 장치 또는 DSP(double side polishing) 장치에 사용될 수 있다.1 shows a top view of a carrier 100 of a wafer polishing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 shows a cross-sectional view in the AB direction of the carrier 100 shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows the insert shown in FIG. 2. An enlarged view of the part 112 is shown. The carrier 100 shown in FIGS. 1-3 may be used in an apparatus for processing the surface of a wafer, such as a lapping apparatus or a double side polishing (DSP) apparatus.

도 1 및 도 2를 참조하면, 캐리어(100)는 몸체(112), 및 인서트부(insert unit, 114)를 포함한다. 몸체(112)는 원반형일 수 있으며, 복수의 웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5) 및 적어도 하나의 슬러리 홀(130)을 가질 수 있다.1 and 2, the carrier 100 includes a body 112 and an insert unit 114. The body 112 may be disc shaped and may have a plurality of wafer mounting holes 120-1 to 120-5 and at least one slurry hole 130.

복수의 웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5)은 서로 이격하여 배치되며, 슬러리 홀(130)은 웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5)과 이격하여 배치될 수 있다.The plurality of wafer mounting holes 120-1 to 120-5 may be spaced apart from each other, and the slurry hole 130 may be spaced apart from the wafer mounting holes 120-1 to 120-5.

웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5) 각각은 연마하고자 하는 웨이퍼(101)를 수용한다. 즉 웨이퍼(101)는 웨이퍼 장착 홀(120-1 내지 120-5) 내부에 로딩(loading)될 수 있다. 슬러리 홀(130)은 슬러리를 배출한다.Each of the wafer mounting holes 120-1 to 120-5 accommodates the wafer 101 to be polished. That is, the wafer 101 may be loaded in the wafer mounting holes 120-1 to 120-5. The slurry hole 130 discharges the slurry.

몸체(112)의 재질은 고온에서 열처리하여 강도를 높인 강철(steel)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몸체(112)의 웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5) 각각의 내측면(112-1)의 중앙 부분(201)은 돌출된 구조일 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 장착 홀들(120-1 내지 120-5) 각각의 내측면(112-1)의 중앙 부분(201)은 볼록한 형상('>')일 수 있다.The material of the body 112 may be steel, which is increased in strength by heat treatment at high temperature, but is not limited thereto. The central portion 201 of the inner side surface 112-1 of each of the wafer mounting holes 120-1 to 120-5 of the body 112 may have a protruding structure. For example, the central portion 201 of the inner surface 112-1 of each of the wafer mounting holes 120-1 to 120-5 may have a convex shape ('>').

몸체(112)의 외주면에는 후술하는 웨이퍼 연마 장치의 인터널 기어(internal gear) 및 선기어(sun gear)와 맞물리는 기어(140)가 형성된다. On the outer circumferential surface of the body 112, a gear 140 meshing with an internal gear and a sun gear of a wafer polishing apparatus to be described later is formed.

인서트부(114)는 몸체(112)의 웨이퍼 장착홀(120-1 내지 120-5)의 내측면(112-1) 상에 마련된다. 인서트부(114)는 몸체(112)의 내측면(112-1)과 면접촉할 수 있다. 몸체(112)와 인서트부(114)의 접착력을 향상시키기 위하여 몸체(112)와 인서트부(114)는 서로 요철 구조를 이룰 수 있다. 예컨대, 몸체(112)의 내측면(112-1)과 접촉하는 인서트부(114)의 외측면(310)은 몸체의 내측면(112-1)과 반대 형상인 오목한 형상('>')일 수 있다.The insert portion 114 is provided on the inner surface 112-1 of the wafer mounting holes 120-1 to 120-5 of the body 112. Insert portion 114 may be in surface contact with the inner surface (112-1) of the body (112). In order to improve adhesion between the body 112 and the insert portion 114, the body 112 and the insert portion 114 may form an uneven structure with each other. For example, the outer surface 310 of the insert portion 114 in contact with the inner surface 112-1 of the body 112 may be a concave shape ('>') opposite to the inner surface 112-1 of the body. Can be.

인서트부(114)는 몸체(112)의 내측면(112-1)에 탈부착이 가능하도록 탄성율이 높고, 마모도와 마찰계수가 양호한 재료로 이루어질 수 있다. 예컨대, 인서트부(114)는 웨이퍼(101)와 직접 접촉하기 때문에, 마찰 또는 충격에 의한 웨이퍼(101)의 에지의 손상을 감소시키도록 플라스틱(plastic), 예컨대, PBT(polybutylene Terephthalate)로 이루어질 수 있다.Insert portion 114 may be made of a material having a high elastic modulus and a good wear and friction coefficient so as to be detachable to the inner side (112-1) of the body (112). For example, since the insert portion 114 is in direct contact with the wafer 101, it may be made of plastic, for example polybutylene terephthalate (PBT), to reduce the damage of the edge of the wafer 101 by friction or impact. have.

인서트부(114)는 몸체(112)의 내측면(112-1)과 접촉하는 외측면(310)과 연마시 웨이퍼(101)와 접촉하는 내측면(320)을 가질 수 있다. 인서트부(114)의 내측면(320)은 적어도 일부가 곡면일 수 있다. 여기서 곡면이라 함은 웨이퍼의 에지의 라운드 형태와 맞물릴 수 있는 내곡면(incurve) 또는 역라운딩된 면일 수 있다. Insert portion 114 may have an outer surface 310 in contact with the inner surface 112-1 of the body 112 and an inner surface 320 in contact with the wafer 101 during polishing. At least a portion of the inner surface 320 of the insert portion 114 may be curved. Here, the curved surface may be an incurve or inversely rounded surface that may engage with the round shape of the edge of the wafer.

예컨대, 인서트부(114)의 내측면(320)의 상단 부분(332)은 곡면이고, 하단 부분(334)은 평면일 수 있다. 예컨대, 상단 부분(332)은 반지름이 400um ~ 550um인 곡률을 가질 수 있다. 일반적으로 웨이퍼 및 캐리어의 회전에 의한 원심력이 작용하기 때문에 원심력에 의하여 웨이퍼가 캐리어 밖으로 이탈될 수 있다. 그러나 실시 예는 인서트부(114)의 하단 부분(334)을 평면으로 하기 때문에 연마시 인서트부(114) 내에서 회전하는 웨이퍼(101)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다.For example, the upper portion 332 of the inner surface 320 of the insert portion 114 may be curved, and the lower portion 334 may be flat. For example, the upper portion 332 may have a radius of curvature of 400um to 550um. In general, since the centrifugal force due to the rotation of the wafer and the carrier acts, the wafer may be released out of the carrier by the centrifugal force. However, since the bottom portion 334 of the insert portion 114 is planarized, the embodiment may prevent the wafer 101 rotating in the insert portion 114 from being separated during polishing.

여기서 상단 부분(332)은 인서트부(114)의 내측면(320)의 최상단부(342)에서 중간 부분(intermediate part, 346)까지의 영역을 말하고, 하단 부분(334)은 인서트부(114)의 내측면(320)의 최하단부(344)에서 중간 부분(346)까지의 영역을 말한다. 중간 부분(346)는 상단 부분(332)과 하단 부분(334)이 만나는 영역일 수 있다. 이때 최상단부(342)로부터 수평면(301)까지의 거리(D1)는 최하단부(346)로부터 수평면(301)까지의 거리(D2)와 동일할 수 있다. 여기서 수평면(301)은 중간 부분(346)과 수평하게 연장되는 면일 수 있다.Here, the upper portion 332 refers to an area from the uppermost portion 342 to the intermediate portion 346 of the inner surface 320 of the insert portion 114, and the lower portion 334 is the insert portion 114. Refers to a region from the lowest end 344 to the middle portion 346 of the inner side surface 320. The middle portion 346 may be an area where the upper portion 332 and the lower portion 334 meet. In this case, the distance D1 from the top end 342 to the horizontal plane 301 may be the same as the distance D2 from the bottom end 346 to the horizontal plane 301. The horizontal surface 301 may be a surface extending horizontally with the middle portion 346.

중간 부분(346)를 기준으로 상단 부분(322)는 돌출된 형상이고, 하단 부분(324)은 중간 부분(346)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The upper portion 322 may have a protruding shape with respect to the middle portion 346, and the lower portion 324 may be located on the same plane as the middle portion 346.

연마시 라운드 형태의 웨이퍼(101) 에지(102)는 인서트부(114)의 내측면(320)과 면접촉을 하기 때문에, 원심력에 의한 웨이퍼(101)의 에지(102)가 받는 스트레스가 감소할 수 있다. 이로 인하여 실시 예는 스트레스에 기인하는 웨이퍼(101)의 에지(102) 및 인서트부(114)에 대한 손상을 방지할 수 있다.Since the round shaped wafer 101 edge 102 is in surface contact with the inner surface 320 of the insert 114, the stress of the edge 102 of the wafer 101 due to the centrifugal force is reduced. Can be. As a result, the embodiment can prevent damage to the edge 102 and the insert 114 of the wafer 101 due to stress.

도 4는 다른 실시 예에 따른 캐리어(200)의 단면도를 나타내고, 도 5는 도 4에 도시된 인서트부(114-1)의 확대도를 나타낸다.4 is a sectional view of a carrier 200 according to another embodiment, and FIG. 5 is an enlarged view of the insert part 114-1 shown in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 인서트부(114-1)의 내측면(420)은 서로 다른 곡률을 갖는 적어도 2개의 곡면들(422,424)을 가질 수 있다.4 and 5, the inner surface 420 of the insert portion 114-1 may have at least two curved surfaces 422 and 424 having different curvatures.

인서트부(114-1)의 상단 부분(432)은 제1 곡면이고, 하단 부분(434)은 중간 부분(346)을 기준으로 제1 곡면과 비대칭적인 제2 곡면일 수 있다. 상단 부분(432), 및 하단 부분(434)에 대한 구분은 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다.The upper portion 432 of the insert portion 114-1 may be a first curved surface, and the lower portion 434 may be a second curved surface asymmetric with the first curved surface with respect to the middle portion 346. The division of the upper portion 432 and the lower portion 434 may be the same as described with reference to FIG. 3.

중간 부분(346)를 기준으로 상단 부분(432)는 돌출된 형상이고, 하단 부분(434)은 돌출된 형상일 수 있다. 최상단부(342)로부터 수평면(301)까지의 거리(D1)는 최하단부(346)로부터 수평면(301)까지의 거리와 동일할 수 있다. 예컨대, 상단 부분(332)은 반지름이 400um ~ 550um인 곡률을 가질 수 있다.The upper portion 432 may have a protruding shape with respect to the middle portion 346, and the lower portion 434 may have a protruding shape. The distance D1 from the top end 342 to the horizontal plane 301 may be equal to the distance from the bottom end 346 to the horizontal plane 301. For example, the upper portion 332 may have a radius of curvature of 400um to 550um.

중간 부분(346)을 기준으로 상단 부분(432)은 하단 부분(434)에 비하여 더 돌출될 수 있다. 수직면(302)으로부터 최상단부(342)까지의 거리(D3)는 수직면(302)으로부터 최하단부(344)까지의 거리(D4)보다 클 수 있다(D3>D4). 수직면(302)은 중간 부분(346)에 접하고, 중간 부분(346)과 수직인 면일 수 있다.The upper portion 432 relative to the middle portion 346 may protrude more than the lower portion 434. The distance D3 from the vertical plane 302 to the top end 342 may be greater than the distance D4 from the vertical plane 302 to the bottom end 344 (D3> D4). The vertical surface 302 abuts the middle portion 346 and may be a surface perpendicular to the middle portion 346.

도 3에 도시된 실시 예는 상단 부분(332)과 하단 부분(334)이 비대칭적인 구조이기 때문에 연마시 회전하는 웨이퍼가 흔들림이 심하게 나타나고, 이로 인하여 연마의 신뢰성을 확보할 수 없고, 웨이퍼에 스크래치(scratch)가 발생할 수 있다.In the embodiment illustrated in FIG. 3, since the upper part 332 and the lower part 334 are asymmetrical, the wafer that rotates during polishing is severely shaken, and thus, the reliability of polishing cannot be secured, and the wafer is scratched. (scratch) may occur.

그러나 도 5에 도시된 인서트부(114-1)의 하단 부분(434)은 평면이 아닌 곡면이기 때문에 도 3의 실시 예에 비하여 비대칭 정도가 작아 연마시 웨이퍼의 흔들림 정도가 완화될 수 있어 연마의 신뢰성 확보 및 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.However, since the lower portion 434 of the insert portion 114-1 shown in FIG. 5 is a curved surface rather than a plane, the degree of asymmetry is smaller than that of the embodiment of FIG. It can secure reliability and prevent wafer damage.

도 6은 다른 실시 예에 따른 인서트부(114-2)를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 인서트부(114-2)의 내측면(420-1)은 상단 부분(432-1)과 하단 부분(434-1)이 동일한 곡률(R1)을 갖는 하나의 곡면을 이루고, 최하단부(344-1)에 인접하는 하단 부분(434-1)의 일부(610)가 제거된 구조일 수 있다. 이런 구조의 인서트부(114-2)에 의하여 실시 예는 웨이퍼가 캐리어 밖으로 이탈하는 것을 방지하는 것은 물론, 연마시 웨이퍼의 흔들림을 완화하여 연마의 신뢰성과 웨이퍼 손상을 방지할 수 있다. 6 illustrates an insert portion 114-2 according to another embodiment. Referring to FIG. 6, the inner surface 420-1 of the insert portion 114-2 forms one curved surface in which the upper portion 432-1 and the lower portion 434-1 have the same curvature R1. The portion 610 of the lower portion 434-1 adjacent to the lowermost portion 344-1 may be removed. By the insert portion 114-2 having such a structure, the embodiment prevents the wafer from leaving the carrier, and also reduces the shaking of the wafer during polishing, thereby preventing the reliability of the polishing and the wafer damage.

실시 예에 따른 캐리어(100, 또는 200)를 포함하는 웨이퍼의 표면을 가공하는 웨이퍼 연마 장치를 개시한다. 예컨대, 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼 래핑 장치 및 웨이퍼 양면 연마 장치일 수 있다.A wafer polishing apparatus for processing a surface of a wafer including a carrier 100 or 200 according to an embodiment is disclosed. For example, the wafer polishing apparatus may be a wafer wrapping apparatus and a wafer double side polishing apparatus.

도 7은 실시 예에 따른 웨이퍼 래핑 장치(300)를 나타낸다.7 illustrates a wafer wrapping apparatus 300 according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 웨이퍼 래핑 장치(300)는 제1 회전축(514), 상정반(510, upper plate), 캐리어(520, carrier), 하정반(530, lower plate), 및 제2 회전축(524)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the wafer wrapping apparatus 300 may include a first rotation shaft 514, an upper plate 510, an upper plate, a carrier 520, a lower plate 530, and a second rotation shaft ( 524).

상정반(510)과 하정반(530)은 원반 형상으로 서로 마주 보도록 위치할 수 있다. 제1 회전축(514)은 상정반(510)의 일면(예컨대, 상부면)에 연결되고, 상정반(510)을 제1 방향으로 회전시키며, 웨이퍼(101)에 가해지는 상정반(510)의 하중을 조절한다. 제2 회전축(534)은 하정반(530)의 일면(예컨대, 하부면)에 연결되고, 하정반(530)을 지지하며, 하정반(530)을 제2 방향으로 회전시킨다.The upper plate 510 and the lower plate 530 may be positioned to face each other in a disk shape. The first rotation shaft 514 is connected to one surface (eg, the upper surface) of the upper plate 510, rotates the upper plate 510 in the first direction, and the upper plate 510 of the upper plate 510 applied to the wafer 101. Adjust the load. The second rotation shaft 534 is connected to one surface (eg, the lower surface) of the lower surface plate 530, supports the lower surface plate 530, and rotates the lower surface plate 530 in the second direction.

상정반(510)의 다른 일면(예컨대, 하부면)과 하정반(530)의 다른 일면(예컨대, 상부면)이 대향하도록 상정반(510)은 하정반(530)의 상부에 배치된다. 상정반(510)은 제1 회전축(514)에 의하여 제1 방향으로 회전하며, 하정반(530)은 제2 회전축(534)에 의하여 제2 방향으로 회전할 수 있다. 여기서 제1 방향 및 제2 방향은 서로 반대 방향이거나 동일한 방향일 수 있다.The upper plate 510 is disposed above the lower plate 530 so that the other surface (eg, the lower surface) of the upper surface plate 510 and the other surface (eg, the upper surface) of the lower surface plate 530 face each other. The upper plate 510 may rotate in the first direction by the first rotation shaft 514, and the lower plate 530 may rotate in the second direction by the second rotation shaft 534. Here, the first direction and the second direction may be opposite directions or the same direction.

캐리어(520)는 도 2, 및 도 4에 도시된 실시 예들(100,200) 중 어느 하나일 수 있다. The carrier 520 may be any one of the embodiments 100 and 200 illustrated in FIGS. 2 and 4.

하정반(530)의 외주면에는 인터널 기어(internal gear, 522)가 구비되며, 하정반(530)의 중심부에는 선기어(sun gear, 524)가 배치된다. 캐리어(520)는 인터널 기어(522) 및 선기어(524)와 맞물려 연마 공정시 회전 운동을 할 수 있다. 이때 인터널(522)와 선기어(524)는 독립 회전이 가능하다.An internal gear 522 is provided on an outer circumferential surface of the lower plate 530, and a sun gear 524 is disposed in the center of the lower plate 530. The carrier 520 may be engaged with the internal gear 522 and the sun gear 524 to rotate in the polishing process. In this case, the internal 522 and the sun gear 524 may be independently rotated.

실시 예에 따른 웨이퍼 래핑 장치(300)는 캐리어(520)의 인서트부(114,114-1)의 구조를 변경함으로써, 웨이퍼 래핑 공정시 웨이퍼(101) 및 인서트부(114,114-1)의 손상을 방지하고, 제품 불량을 개선할 수 있다.The wafer wrapping apparatus 300 according to the embodiment changes the structure of the insert portions 114 and 114-1 of the carrier 520, thereby preventing damage to the wafer 101 and the insert portions 114 and 114-1 during the wafer wrapping process. , Product defects can be improved.

도 8은 실시 예에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치(400)의 단면도를 나타낸다.8 is a sectional view of a wafer double-side polishing apparatus 400 according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 웨이퍼 양면 연마 장치(400)는 제1 회전축(614), 상정반(610, upper plate), 제1 연마 패드(612), 캐리어(520, carrier), 하정반(630, lower plate), 제2 연마 패드(632), 및 제2 회전축(624)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the wafer double-side polishing apparatus 400 includes a first rotating shaft 614, an upper plate 610, an upper plate 610, a first polishing pad 612, a carrier 520, and a lower plate 630. lower plate), a second polishing pad 632, and a second axis of rotation 624.

상정반(610)과 하정반은 원반 형상으로 서로 마주보도록 위치한다. 예컨대, 상정반(610)의 다른 일면(예컨대, 하부면)과 하정반(630)의 다른 일면(예컨대, 상부면)이 대향하도록 상정반(610)은 하정반(630)의 상부에 배치될 수 있다.The upper plate 610 and the lower plate are positioned to face each other in a disk shape. For example, the upper surface 610 may be disposed above the lower surface 630 such that the other surface (eg, the lower surface) of the upper surface 610 and the other surface (eg, the upper surface) of the lower surface 630 face each other. Can be.

제1 연마 패드(612)는 상정반(610)의 하부면에 부착된다. The first polishing pad 612 is attached to the lower surface of the upper surface plate 610.

제1 회전축(614)은 상정반(610)의 일면(예컨대, 상부면)에 연결되고, 상정반(610)을 제1 방향으로 회전시키며, 웨이퍼(101)에 가해지는 상정반(610)의 하중을 조절한다.The first rotation shaft 614 is connected to one surface (eg, the upper surface) of the upper plate 610, rotates the upper plate 610 in the first direction, and the upper plate 610 of the upper plate 610 applied to the wafer 101. Adjust the load.

제2 연마 패드(632)는 하정반(630)의 상부면에 부착된다.The second polishing pad 632 is attached to the upper surface of the lower plate 630.

제2 회전축(634)은 하정반(630)의 일면(예컨대, 하부면)에 연결되고, 하정반(630)을 지지하며, 하정반(630)을 제2 방향으로 회전시킨다.The second rotating shaft 634 is connected to one surface (eg, the lower surface) of the lower platen 630, supports the lower platen 630, and rotates the lower platen 630 in the second direction.

상정반(610)은 제1 회전축(614)에 의하여 제1 방향으로 회전하고, 하정반(630)은 제2 회전축(634)에 의하여 제2 방향으로 회전할 수 있다. 여기서 제1 방향 및 제2 방향은 서로 반대 방향이거나 동일한 방향일 수 있다.The upper plate 610 may rotate in the first direction by the first rotation shaft 614, and the lower plate 630 may rotate in the second direction by the second rotation shaft 634. Here, the first direction and the second direction may be opposite directions or the same direction.

예컨대, 제1 회전축(614)은 구동 모터(미도시)에 연결될 수 있으며, 구동 모터의 회전에 의하여 제1 회전축(614)은 제1 방향(예컨대, 시계 방향)으로 회전하며, 제1 회전축(614)의 회전력에 의하여 상정반(610)은 제1 방향(예컨대, 시계 반대 방향)으로 회전할 수 있다.For example, the first rotation shaft 614 may be connected to a driving motor (not shown). The first rotation shaft 614 rotates in a first direction (eg, clockwise direction) by the rotation of the driving motor, and the first rotation shaft ( The upper surface plate 610 may rotate in a first direction (eg, counterclockwise) by the rotation force of 614.

제1 회전축(614)은 공압 또는 유압 실린더(cylinder, 미도시)와 연결되고, 공압 또는 유압 실린더에 의하여 상정반(610)의 하중(weight)이 제어된다. 연마시 상정반(610)은 캐리어(520)에 로딩된 웨이퍼(101)에 압력을 줄 수 있다. 예컨대, 공압 또는 유압 실린더(cylinder, 미도시)에 의하여 캐리어(520)에 로딩된 웨이퍼(101)에 가해지는 상정반(610)의 하중이 조절될 수 있다.The first rotating shaft 614 is connected to a pneumatic or hydraulic cylinder (not shown), the weight of the upper plate 610 is controlled by the pneumatic or hydraulic cylinder. When polishing, the upper plate 610 may apply pressure to the wafer 101 loaded on the carrier 520. For example, the load of the upper plate 610 applied to the wafer 101 loaded on the carrier 520 may be adjusted by a pneumatic or hydraulic cylinder (not shown).

또한 제2 회전축(634)은 하정반(630)의 일면(예컨대, 하부면)에 연결되고, 하정반(630)을 지지하며, 하정반(630)을 제2 방향으로 회전시킨다. 예컨대, 구동 모터(미도시)의 회전에 의하여 제2 회전축(634)은 제2 방향(예컨대, 시계 반대 방향)으로 회전하며, 제2 회전축(634)의 회전력에 의하여 하정반(630)은 제2 방향(예컨대, 시계 반대 방향)으로 회전할 수 있다.In addition, the second rotating shaft 634 is connected to one surface (eg, the lower surface) of the lower platen 630, supports the lower platen 630, and rotates the lower platen 630 in the second direction. For example, the second rotation shaft 634 rotates in the second direction (eg, counterclockwise) by the rotation of the drive motor (not shown), and the lower plate 630 is rotated by the rotation force of the second rotation shaft 634. It can rotate in two directions (eg counterclockwise).

캐리어(520)는 제1 연마 패드(612)와 제2 연마 패드(632) 사이에 배치되며, 캐리어(520)는 도 2, 및 도 4에 도시된 실시 예들(100,200) 중 어느 하나일 수 있다.The carrier 520 is disposed between the first polishing pad 612 and the second polishing pad 632, and the carrier 520 may be any one of the embodiments 100 and 200 shown in FIGS. 2 and 4. .

하정반(630)의 외주면에는 인터널 기어(internal gear, 622)가 구비되며, 하정반(630)의 중심부에는 선기어(sun gear, 624)가 배치된다. 캐리어(620)는 인터널 기어(622) 및 선기어(624)와 맞물려 연마 공정시 회전 운동을 할 수 있다. 이때 인터널(622)와 선기어(624)는 독립 회전이 가능하다.An internal gear 622 is provided on an outer circumferential surface of the lower plate 630, and a sun gear 624 is disposed in the center of the lower plate 630. The carrier 620 may engage with the internal gear 622 and the sun gear 624 to rotate in the polishing process. In this case, the internal 622 and the sun gear 624 may be independently rotated.

실시 예에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치(400)는 캐리어(520)의 인서트부(114,114-1)의 구조를 변경함으로써, 양면 연마시 웨이퍼(101) 및 인서트부(114,114-1)의 손상을 방지하고, 제품 불량을 개선할 수 있다.The wafer double-side polishing apparatus 400 according to the embodiment changes the structure of the insert portions 114 and 114-1 of the carrier 520, thereby preventing damage to the wafer 101 and the insert portions 114 and 114-1 during double-side polishing. , Product defects can be improved.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

112: 몸체 114: 인서트부
120-1 내지 120-5: 웨이퍼 장착 홀 510,610: 상정반
514,614: 제1 회전축 520,620: 캐리어
530,630: 하정반 524,624: 제2 회전축
612: 제1 연마 패드 632: 제2 연마 패드.112: body 114: insert portion
120-1 to 120-5: Wafer mounting hole 510,610: Top plate
514,614: first axis of rotation 520,620: carrier
530,630: lower plate 524,624: second axis of rotation
612: First polishing pad 632: Second polishing pad.

Claims (11)

웨이퍼가 장착되는 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀을 갖는 몸체; 및
상기 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀의 내측면 상에 마련되는 인서트부를 포함하며,
상기 인서트부의 내측면은 적어도 일부가 곡면인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.A body having at least one wafer mounting hole on which the wafer is mounted; And
An insert portion provided on an inner side surface of the at least one wafer mounting hole,
A carrier of the wafer polishing apparatus, wherein an inner side of the insert portion is at least partially curved. 제1항에 있어서, 상기 인서트부의 내측면은,
상기 인서트부의 내측면의 최상단부에서 중간 부분까지의 영역인 상단 부분;
상기 인서트부의 내측면의 최하단부에서 상기 중간 부분까지의 영역인 하단 부분; 및
상기 상단 부분과 상기 하단 부분이 만나는 영역인 상기 중간 부분을 포함하는 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.According to claim 1, wherein the inner surface of the insert portion,
An upper portion that is an area from an uppermost portion to an intermediate portion of the inner side of the insert portion;
A lower end portion which is an area from the lowest end of the inner side of the insert portion to the middle portion; And
And said intermediate portion being an area where said upper portion and said lower portion meet. 제2항에 있어서,
상기 상단 부분은 곡면이고, 상기 하단 부분은 평면인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 2,
And the upper portion is curved and the lower portion is planar. 제3항에 있어서,
상기 상단 부분은 반지름이 400um ~ 550um인 곡률을 가지는 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 3,
The upper portion is a carrier of the wafer polishing apparatus having a radius of curvature of 400um ~ 550um. 제2항에 있어서,
상기 최상단부로부터 수평면까지의 거리는 상기 최하단부로부터 상기 수평면까지의 거리와 동일하며, 상기 수평면은 상기 중간 부분으로부터 수평하게 연장되는 면인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 2,
The distance from the uppermost end to the horizontal plane is equal to the distance from the lowermost end to the horizontal plane, and the horizontal plane is a surface extending horizontally from the intermediate portion. 제1항에 있어서,
상기 인서트부의 내측면은 서로 다른 곡률을 갖는 적어도 2개의 곡면들을 갖는 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 1,
A carrier of the wafer polishing apparatus having an inner surface of the insert portion having at least two curved surfaces having different curvatures. 제2항에 있어서,
상기 상단 부분은 제1 곡면이고, 상기 하단 부분은 상기 중간 부분을 기준으로 상기 제1 곡면과 비대칭인 제2 곡면인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 2,
And the upper portion is a first curved surface, and the lower portion is a second curved surface asymmetrical to the first curved surface with respect to the intermediate portion. 제2항에 있어서,
상기 중간 부분을 기준으로 상기 상단 부분과 상기 하단 부분 각각은 돌출된 형상이고, 상기 상단 부분은 상기 하단 부분에 비하여 더 돌출되는 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.The method of claim 2,
The upper portion and the lower portion, respectively, with respect to the middle portion is a protruding shape, the upper portion is a carrier of the wafer polishing apparatus more protruding than the lower portion. 제8항에 있어서,
수직면으로부터 상기 최상단부까지의 거리는 상기 수직면으로부터 상기 최하단부까지의 거리보다 크고, 상기 수직면은 상기 중간 부분에 접하고, 상기 중간 부분과 수직인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.9. The method of claim 8,
The carrier from the vertical plane to the uppermost end is greater than the distance from the vertical plane to the lowest end, and the vertical plane is in contact with the middle part and perpendicular to the middle part. 제2항에 있어서, 상기 인서트부의 내측면은,
상기 상단 부분과 상기 하단 부분이 동일한 곡률을 갖는 하나의 곡면을 이루고, 상기 최하단부에 인접하는 상기 하단 부분의 일부가 제거된 형태인 웨이퍼 연마 장치의 캐리어.According to claim 2, wherein the inner surface of the insert portion,
And the upper portion and the lower portion form one curved surface having the same curvature, and a portion of the lower portion adjacent to the lowermost portion is removed. 상정반;
하정반; 및
상기 상정반과 상기 하정반 사이에 배치되고, 웨이퍼를 수용하는 캐리어를 포함하며,
상기 캐리어는,
상기 웨이퍼가 장착되는 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀을 갖는 몸체; 및
상기 적어도 하나의 웨이퍼 장착 홀의 내측면 상에 마련되는 인서트부를 포함하며,
상기 인서트부의 내측면은 적어도 일부가 곡면인 웨이퍼 연마 장치.An assumed section;
Lower plate; And
A carrier disposed between the upper surface plate and the lower surface plate and containing a wafer;
The carrier
A body having at least one wafer mounting hole on which the wafer is mounted; And
An insert portion provided on an inner side surface of the at least one wafer mounting hole,
At least a portion of the inner surface of the insert portion is a wafer polishing apparatus.
KR1020120000564A 2012-01-03 2012-01-03 A carrier and an wafer lapping apparatus including the same KR101292226B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120000564A KR101292226B1 (en) 2012-01-03 2012-01-03 A carrier and an wafer lapping apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120000564A KR101292226B1 (en) 2012-01-03 2012-01-03 A carrier and an wafer lapping apparatus including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130079832A true KR20130079832A (en) 2013-07-11
KR101292226B1 KR101292226B1 (en) 2013-08-02

Family

ID=48992152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120000564A KR101292226B1 (en) 2012-01-03 2012-01-03 A carrier and an wafer lapping apparatus including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101292226B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220113095A (en) * 2021-02-05 2022-08-12 에스케이실트론 주식회사 Carrier for double side polishing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4605233B2 (en) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus and double-side polishing method using the same
KR20100052871A (en) * 2008-11-11 2010-05-20 주식회사 실트론 Lapping carrier for improving quality of wafer edge
JP2010179375A (en) 2009-02-03 2010-08-19 Sumco Corp Grinding object carrier and manufacturing method of ground product

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220113095A (en) * 2021-02-05 2022-08-12 에스케이실트론 주식회사 Carrier for double side polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101292226B1 (en) 2013-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101565026B1 (en) Carrier for double-side polishing device, and double-side polishing device and double-side polishing method that use same
US20080064311A1 (en) Polishing Pad
KR20130131120A (en) A flexible membrane for polishing head
JP5648623B2 (en) Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus and double-side polishing method using the same
KR101292226B1 (en) A carrier and an wafer lapping apparatus including the same
CN110744440A (en) Double-side grinding device and method
KR102523271B1 (en) polishing pad, polishing apparatus and a method for polishing silicon wafer
JP6510334B2 (en) Wafer polisher
KR100506814B1 (en) Apparatus for polishing a wafer
KR20140014425A (en) A polishing pad and and a polishing apparatus including the same
KR101173766B1 (en) Apparatus for receiving wafer, carrier and apparatus for polishing wafer
KR101440175B1 (en) Polishing Pad and Method for Manufacturing The Same
KR101092980B1 (en) A apparatus for polishing a wafer
KR101104489B1 (en) Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer
KR101081930B1 (en) An apparatus for polishing a wafer
KR101104569B1 (en) Wafer polishing apparatus and method for polishing wafer by using the same
KR20040103634A (en) Conditioner assembly of CMP equipment to semiconductor wafer
KR101135744B1 (en) Apparatus for receiving wafer and wafer polishing apparatus having the same
KR102627543B1 (en) Carrier for substrate and chemical mechanical polishing apparatus comprising the same
KR102510720B1 (en) Retainer ring used in chemical mechanical polishing apparatus
KR102304948B1 (en) Wafer processing device for controlling semiconductor wafer shape
KR20110077297A (en) Carrier for double side polishing apparatus
KR101402841B1 (en) An apparatus for polishing a wafer
KR20230094096A (en) High-precision substrate polishing system
KR20220026793A (en) Retainer ring

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 7