KR101440175B1 - Polishing Pad and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 연마유체의 적어도 일부를 재활용함으로써 향상된 연마 효율을 나타내는 연마패드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 연마패드는 연마면, 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 포함하되, 상기 이면에는 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들이 형성되어 있다.The present invention relates to a polishing pad exhibiting improved polishing efficiency by recycling at least a part of a polishing fluid and a method of manufacturing the same, wherein the polishing pad of the present invention comprises a polishing surface and a back surface located opposite to the polishing surface, And a plurality of grooves for the flow of the polishing fluid are formed on the back surface.

Description

연마패드 및 그 제조방법{Polishing Pad and Method for Manufacturing The Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a polishing pad,

본 발명은 연마패드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 반도체 제조용 실리콘 웨이퍼, 디스플레이 패널 제조용 판상유리 또는 다른 기판을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : 이하 "폴리싱"이라고 약칭한다) 공정에 유용한 연마패드 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing pad and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a polishing pad and a method of manufacturing the same, more specifically, to a polishing method for polishing a silicon wafer for semiconductor manufacturing, ) Process and a method of manufacturing the same.

실리콘 웨이퍼 등의 평탄화를 위한 폴리싱 장치는 연마패드가 장착되는 원형 회전판을 갖는 하부 보드, 실리콘 웨이퍼를 연마패드에 밀착시키는 상부 보드 및 연마유체를 연마패드로 공급하는 연마유체 공급부를 포함한다.A polishing apparatus for planarization such as a silicon wafer includes a lower board having a circular rotary plate on which a polishing pad is mounted, an upper board for closely contacting the silicon wafer to the polishing pad, and a polishing fluid supply unit for supplying the polishing fluid to the polishing pad.

화학-기계적 연마인 폴리싱 작업은 웨이퍼를 구동하는 연마패드와 반대 방향으로 밀어 보내서 퇴적된 Si계열을 포함한 산화물을 제거하고, 웨이퍼상에 매우 평활하고 평탄한 면을 생성하는 작업으로서, 폴리싱 작업 동안에 탈이온수 및/또는 화학적으로 활성인 시약을 연마액과 함께 웨이퍼와 연마패드의 계면에 도포한다.The polishing operation, which is a chemical-mechanical polishing, is an operation of pushing in a direction opposite to the polishing pad driving the wafer to remove the oxide including the deposited Si series and creating a very smooth and flat surface on the wafer, And / or a chemically active reagent is applied to the interface of the wafer and the polishing pad along with the polishing liquid.

폴리싱에 사용되는 통상의 연마패드는 인위적으로 형성된 홈을 전혀 가지고 있지 않거나(일본 특개2006-043811), 오직 연마면 측에만 인위적 홈(한국특허 공개1996-7002787)을 가지고 있다.Conventional polishing pads used for polishing do not have any artificially formed grooves (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-043811) or have artificial grooves only on the polishing surface side (Korean Patent Laid-Open Publication No. 1996-7002787).

이와 같은 연마패드를 사용하는 경우 연마 효율을 향상시키는데 한계가 있다.When such a polishing pad is used, there is a limit in improving the polishing efficiency.

따라서, 본 발명은 위와 같은 관련 기술의 제한 및 단점들에 기인한 문제점들을 방지할 수 있는 연마패드 및 그 제조방법에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention is directed to a polishing pad and a method of manufacturing the same that can prevent problems due to limitations and disadvantages of the related art.

본 발명의 일 관점은 연마유체의 적어도 일부를 재활용함으로써 향상된 연마 효율을 나타내는 연마패드 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.One aspect of the present invention is to provide a polishing pad exhibiting improved polishing efficiency by recycling at least a part of the polishing fluid and a method of manufacturing the same.

본 발명의 다른 관점은 연마유체의 재활용 정도를 조절함으로써 요구되는 폴리싱 성능에 부합할 수 있는 연마패드 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a polishing pad and a manufacturing method thereof that can meet the polishing performance required by controlling the degree of recycling of the polishing fluid.

본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술될 것이고, 부분적으로는 그러한 기술로부터 자명할 것이다. 또는, 본 발명의 실시를 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 학습되어질 수 있을 것이다. 본 발명의 목적들 및 다른 이점들은 첨부된 도면은 물론이고 발명의 상세한 설명 및 특허청구범위에서 특정된 구조에 의해 실현되고 달성될 것이다.Further features and advantages of the invention will be described hereinafter, and will in part be obvious from the description. Alternatively, other features and advantages of the invention may be learned through practice of the invention. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objects and other advantages of the present invention will be realized and attained by the structure particularly pointed out in the written description and claims hereof as well as the appended drawings.

위와 같은 본 발명의 일 관점을 위해, 연마면(polishing surface); 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면(rear surface)을 포함하되, 상기 이면에는 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마패드가 제공된다.For one aspect of the present invention as above, a polishing surface; And a rear surface located on the opposite side of the polishing surface, wherein a plurality of grooves for the flow of the polishing fluid are formed on the back surface.

본 발명의 다른 관점을 위해, 연마면 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 갖는 초기 패드(initial pad)를 준비하는 단계; 및 상기 이면에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법이 제공된다.For another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing an initial pad having a polishing surface and a back surface located opposite to the polishing surface; And forming a plurality of grooves for flow of the polishing fluid on the back surface of the polishing pad.

본 발명의 또 다른 관점을 위해, 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면을 갖는 보조층을 준비하는 단계; 상기 제2 면 상에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들을 형성하는 단계; 및 상기 보조층의 제1 면 상에 연마층을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법이 제공된다.For another aspect of the present invention, there is provided a method comprising: preparing an auxiliary layer having a first side and a second side opposite to the first side; Forming a plurality of grooves for the flow of abrasive fluid on the second surface; And providing an abrasive layer on the first side of the auxiliary layer.

위와 같은 일반적 서술 및 이하의 상세한 설명 모두는 본 발명을 예시하거나 설명하기 위한 것일 뿐으로서, 특허청구범위의 발명에 대한 더욱 자세한 설명을 제공하기 위한 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory only and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

본 발명의 연마패드 및 그 제조방법에 의하면, 연마유체의 적어도 일부가 재활용되기 때문에 동일한 양의 연마유체가 사용된다고 가정할 경우 기존의 연마패드에 비해 더욱 향상된 연마율을 달성할 수 있을 뿐만 아니라 연마유체의 사용량을 절감할 수 있는 효과가 있다.According to the polishing pad of the present invention and the method of manufacturing the same, at least a part of the polishing fluid is recycled, so that it is possible to achieve a higher polishing rate than the conventional polishing pad, assuming that the same amount of polishing fluid is used, The amount of fluid used can be reduced.

또한, 본 발명에 의하면 연마유체의 유동 조절을 통하여 연마유체의 재활용 정도를 조절할 수 있기 때문에 폴리싱 공정의 목적에 부합하는 다양한 레벨의 폴리싱 성능이 달성될 수 있다.In addition, according to the present invention, since the degree of recycling of the polishing fluid can be controlled through the flow control of the polishing fluid, various levels of polishing performance can be achieved in accordance with the purpose of the polishing process.

본 발명의 그 밖의 다른 효과들은 그와 관련된 기술적 구성과 함께 이하에서 더욱 자세히 기술될 것이다. Other effects of the present invention will be described in more detail below with the related technical constructions.

첨부된 도면은 본 발명의 이해를 돕고 본 명세서의 일부를 구성하기 위한 것으로서, 본 발명의 실시예들을 예시하며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명한다.
도 1은 연마패드가 회전할 때 연마면 상에서의 연마유체 흐름을 보여주고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드의 이면을 보여주고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드의 홈을 따른 단면이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드가 회전할 때 연마유체의 흐름을 보여주고,
도 5는 본 발명에 따른 연마유체 흐름 방향을 설명하기 위한 도면이며,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드의 제조방법을 설명하기 위한 것으로서 홈을 따른 공정 단면도들이고,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마패드의 제조방법을 설명하기 위한 것으로서 홈을 따른 공정 단면도들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
Figure 1 shows the polishing fluid flow on the polishing surface as the polishing pad rotates,
2 shows a back surface of a polishing pad according to an embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view along the grooves of the polishing pad according to an embodiment of the present invention,
Figure 4 shows the flow of polishing fluid as the polishing pad rotates in accordance with an embodiment of the present invention,
5 is a view for explaining a polishing fluid flow direction according to the present invention,
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a polishing pad according to an embodiment of the present invention,
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a polishing pad according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.

본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명의 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 점은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명은 특허청구범위에 기재된 발명 및 그 균등물의 범위 내에 드는 변경 및 변형을 모두 포함한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the present invention encompasses all changes and modifications that come within the scope of the invention as defined in the appended claims and equivalents thereof.

폴리싱 작업의 연마율은 폴리싱 작업에 사용되는 연마유체의 양에 의존한다. 즉, 연마면에 제공되는 연마유체의 양이 증가할수록 폴리싱 작업의 연마율도 증가한다. The polishing rate of the polishing operation depends on the amount of polishing fluid used in the polishing operation. That is, as the amount of the polishing fluid supplied to the polishing surface increases, the polishing rate of the polishing operation also increases.

본 발명은 폴리싱 작업 중에 소비되는 연마유체의 양을 변화시키지 않으면서도 폴리싱 작업의 연마율을 증가시킬 수 있는 방안에 대한 고민으로부터 출발하였고, 본 발명자는 연마면 상에 제공되어 사용된 연마유체를 재활용할 수 있다면 소비되는 전체 연마유체의 양을 늘리지 않으면서도 폴리싱 작업에 실질적으로 사용된 연마유체의 양은 증가시킬 수 있고 그 결과 연마율도 향상시킬 수 있을 것이라는 점을 착안하였다.The present invention originates from the problem of the possibility of increasing the polishing rate of the polishing operation without changing the amount of the polishing fluid consumed during the polishing operation, and the present inventor has found that the polishing fluid provided on the polishing surface, The amount of polishing fluid actually used in the polishing operation can be increased without increasing the amount of the total polishing fluid consumed, and as a result, the polishing rate can also be improved.

홈이 전혀 형성되어 있지 않은 연마패드의 경우에는 연마유체의 흐름을 조절할 수 있는 수단이 존재하지 않는다는 점에서 연마유체의 재활용이 불가능하다. 연마면 상에만 홈을 갖는 연마패드의 경우에도 역시 상기 홈이 연마유체 및/또는 연마 찌꺼기의 배출 경로를 제공하는 기능만을 수행한다는 점에서 연마유체의 재활용이 불가능한 것은 마찬가지이다.In the case of a polishing pad in which grooves are not formed at all, it is impossible to recycle polishing fluid in that there is no means for controlling the flow of the polishing fluid. In the case of a polishing pad having grooves only on the polishing surface, it is also impossible to recycle the polishing fluid in that the grooves perform only the function of providing the discharge path of the polishing fluid and / or the polishing residue.

따라서, 사용된 연마유체의 재활용을 가능하게 하는 새로운 구조의 연마패드가 요구되는바, 이하에서는 본 발명에 따라 이와 같은 구조를 갖는 연마패드 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 살펴보도록 한다.Therefore, a polishing pad of a new structure that enables the recycling of the used polishing fluid is required. Hereinafter, a polishing pad having such a structure and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. do.

도 1은 연마패드(100)가 회전할 때 연마면 상에서의 연마유체 흐름(f1)을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view for explaining the polishing fluid flow f1 on the polishing surface when the polishing pad 100 is rotated.

도 1에 도시된 바와 같이, 폴리싱 작업 중에 연마패드(100)는 일반적으로 반시계 방향으로 회전을 하며, 연마패드(100)의 연마면 중심부 상에 연마유체(10)가 공급된다. 연마면의 중심부 상에 공급된 연마유체(10)에 연마패드(100)의 회전에 기인한 원심력 및 관성력이 가해진다. 그 결과, 연마유체(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 연마면의 중심부에서 외측부로 나선형 흐름(f1)을 나타낸 후 연마패드(100)로부터 배출된다. 상기 나선형 흐름(f1)은 연마패드(100)의 회전 방향으로 볼록한 나선 형태이다.As shown in Fig. 1, during the polishing operation, the polishing pad 100 generally rotates counterclockwise, and the polishing fluid 10 is supplied onto the center of the polishing surface of the polishing pad 100. The centrifugal force and the inertial force due to the rotation of the polishing pad 100 are applied to the polishing fluid 10 supplied on the central portion of the polishing surface. As a result, the polishing fluid 10 is discharged from the polishing pad 100 after showing a spiral flow f1 from the central portion to the outer portion of the polishing surface as shown in Fig. The spiral flow f1 is in the form of a convex spiral in the direction of rotation of the polishing pad 100.

본 발명에 의하면, 연마패드(100)로부터 배출될 연마유체(10)의 적어도 일부가 재활용될 수 있다.According to the present invention, at least a portion of the abrasive fluid 10 to be discharged from the polishing pad 100 can be recycled.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)의 이면을 보여주고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)의 홈(121)을 따른 단면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)가 회전할 때 연마유체의 흐름을 보여준다.3 is a cross-sectional view along the groove 121 of the polishing pad 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the polishing pad 100 according to an embodiment of the present invention, Shows the flow of polishing fluid as the polishing pad 100 rotates according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 연마패드(100)는 연마면과, 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 포함한다. As shown in Figs. 2 to 4, the polishing pad 100 of the present invention includes a polishing surface and a back surface located on the opposite side of the polishing surface.

본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 보조층(120) 및 상기 보조층(120) 상의 연마층(110)을 포함하는 적층 구조이다. 이 경우, 상기 연마층(110)의 상면이 연마패드(100)의 연마면이 되고 상기 보조층(120)의 하면이 연마패드(100)의 이면이 된다. The polishing pad 100 according to an embodiment of the present invention is a laminated structure including an auxiliary layer 120 and an abrasive layer 110 on the auxiliary layer 120 as shown in FIG. In this case, the upper surface of the polishing layer 110 serves as the polishing surface of the polishing pad 100, and the lower surface of the auxiliary layer 120 serves as the back surface of the polishing pad 100.

통상의 연마층은 열린 기공 또는 닫힌 기공으로 이루어진 구조이지만, 본 발명에 따른 연마층(110)은 특별히 어느 한 구조로 한정되지 않는다. 한편, 상기 보조층(120)은 폴리싱 작업시 완충 기능을 수행한다. The conventional polishing layer has a structure composed of open pores or closed pores, but the polishing layer 110 according to the present invention is not particularly limited to any one structure. Meanwhile, the auxiliary layer 120 performs a buffering function during the polishing operation.

선택적으로, 본 발명의 연마패드(100)는 연마면 및 이면을 갖는 단일층 구조일 수도 있다. Alternatively, the polishing pad 100 of the present invention may have a single layer structure having a polishing surface and a back surface.

연마패드(100)는 양면접착제로 이루어진 접착층(300)을 통해 정반(400)에 고정된다. 폴리싱 작업 중에 연마유체가 접착층(300)와 접촉함으로써 그 접착력을 손상시킬 수 있기 때문에, 연마유체에 의한 연마패드(100)의 박리를 방지하기 위하여 연마패드(100)와 접착층(300) 사이에는 보호층(200)이 개재될 수 있다.The polishing pad 100 is fixed to the surface plate 400 through an adhesive layer 300 made of a double-sided adhesive. Since the abrasive fluid is in contact with the adhesive layer 300 during the polishing operation, the adhesion between the polishing pad 100 and the adhesive layer 300 can be impaired. Therefore, in order to prevent the abrasion pad 100 from being peeled off by the polishing fluid, Layer 200 may be interposed.

연마패드(100)의 이면에는 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈(121)들이 형성되어 있다. 선택적으로, 홈(121)들의 깊이는 보조층(120)의 두께보다 작을 수 있고, 그 결과 상기 홈(121)들은 보조층(120)에만 형성될 수 있다.On the back surface of the polishing pad 100, a plurality of grooves 121 for the flow of the polishing fluid are formed. Alternatively, the depth of the grooves 121 may be less than the thickness of the auxiliary layer 120, so that the grooves 121 may be formed only in the auxiliary layer 120.

상기 홈(121)들은, 상기 연마패드(100)가 회전할 때 연마유체가 상기 홈(121)들을 따라 상기 연마패드(100)의 외측부로부터 중심부로 흐르도록 구성된다. 더욱 구체적으로 설명하면, 상기 홈(121)들 각각은 상기 연마패드(100)의 중심부에서 외측부로 연장되어 형성되고, 연마패드(100)의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태로 형성된다. The grooves 121 are configured to allow polishing fluid to flow from the outer side of the polishing pad 100 to the center along the grooves 121 as the polishing pad 100 rotates. More specifically, each of the grooves 121 is formed to extend from the central portion of the polishing pad 100 to the outer side, and is formed in a convex spiral shape in a direction opposite to the rotation direction of the polishing pad 100.

상기 홈(121)들의 깊이 및/또는 폭을 조절함으로써 연마면으로 리턴되는 연마유체의 양을 조절할 수 있다.By adjusting the depth and / or width of the grooves 121, the amount of polishing fluid returned to the polishing surface can be adjusted.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)의 연마면은 인위적 홈을 갖지 않을 수 있다. 연마면에 다수의 홈들이 형성될 경우 마찰력의 변화로 인하여 연마의 균일성이 훼손될 수 있기 때문이다.Meanwhile, the polishing surface of the polishing pad 100 according to an embodiment of the present invention may not have an artificial groove. This is because, when a plurality of grooves are formed on the polishing surface, the uniformity of the polishing can be impaired due to a change in frictional force.

본 발명의 연마패드(100)는 그 원주를 따라 순차적으로 형성된 다수의 제1 관통홀(h1)들을 갖는다. 상기 제1 관통홀(h1)들은 연마층(110) 및 보조층(120)을 관통한다. 연마패드(100)의 연마면에 제공된 연마유체는 연마면을 따라 흐르다가 적어도 그 일부가 상기 제1 관통홀(h1)들을 통해 상기 연마패드(100)의 이면으로 흐를 수 있다. The polishing pad 100 of the present invention has a plurality of first through holes h1 formed sequentially along its circumference. The first through holes (h1) pass through the polishing layer (110) and the auxiliary layer (120). The polishing fluid supplied to the polishing surface of the polishing pad 100 flows along the polishing surface and at least a part thereof can flow to the back surface of the polishing pad 100 through the first through holes h1.

연마유체가 연마면 상에서 충분히 머물 수 있도록 하기 위하여, 상기 제1 관통홀(h1)들은 연마패드(100)의 외측부에 형성된다. 이를 위하여, 상기 다수의 제1 관통홀들 각각과 상기 연마패드의 외주부 사이의 거리는 2 내지 20mm로 제한될 수 있다.The first through holes h1 are formed on the outer side of the polishing pad 100 so that the polishing fluid can sufficiently stay on the polishing surface. For this, the distance between each of the plurality of first through holes and the outer peripheral portion of the polishing pad may be limited to 2 to 20 mm.

상기 제1 관통홀(h1)들을 통해 연마패드(100)의 이면으로 흘러들어온 연마유체는 연마패드(100)가 회전함에 따라 상기 이면에 형성된 홈(121)들을 따라 연마패드(100)의 중심부로 흐르게 된다.The polishing fluid flowing into the back surface of the polishing pad 100 through the first through holes h1 is discharged to the center of the polishing pad 100 along the grooves 121 formed in the back surface as the polishing pad 100 rotates Flow.

본 발명에 따른 상기 홈(121)들은 연마패드(100)의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태를 갖기 때문에, 상기 제1 관통홀(h1)들을 통해 이면 측으로 유입된 연마유체가 상기 홈(121)들을 따라 연마패드의 중심부 측으로 흐르게 된다. 이하에서는 연마패드(100) 이면에서의 연마유체 흐름(f2)을 도 5를 참조하여 더욱 자세히 설명한다. Since the grooves 121 according to the present invention have a convex spiral shape in the direction opposite to the rotating direction of the polishing pad 100, the polishing fluid introduced into the back side through the first through holes h1 is formed in the grooves 121 To the center side of the polishing pad. Hereinafter, the polishing fluid flow f2 at the back surface of the polishing pad 100 will be described in more detail with reference to Fig.

도 5는 본 발명에 따른 연마패드(100) 이면에서의 연마유체의 흐름 방향을 설명하기 위한 도면으로서, 연마면 측에서 바라본 평면도이다.5 is a plan view for explaining the flow direction of the polishing fluid on the back surface of the polishing pad 100 according to the present invention, as viewed from the polishing surface side.

도 5는 연마패드(100)의 이면에 형성된 홈(121)들 중 하나를 예시하고 있다. 부호 10은 상기 홈(121)에 존재하는 연마유체를 가리킨다. 설명의 편의를 위하여, 연마패드(100)의 중심과 연마유체(100)를 연결하는 직선을 L1이라 하고, 연마유체(10) 위치에서 홈(121)의 접선을 L2라 하며, L1과 L2 사이의 각을 θ라 한다.FIG. 5 illustrates one of the grooves 121 formed on the back surface of the polishing pad 100. FIG. Reference numeral 10 denotes a polishing fluid existing in the groove 121. A straight line connecting the center of the polishing pad 100 and the polishing fluid 100 is defined as L1 and a tangent of the groove 121 at the position of the polishing fluid 10 is referred to as L2, Is defined as &thetas;

홈(121) 내에 존재하는 연마유체(10)는 연마패드(100)가 회전함에 따라 직선 L1에 수직인 방향으로 관성력(F0)을 받게된다. 이 관성력(F0)은 접선 L2에 평행한 방향의 F1과 접선 L2에 수직인 방향의 F2로 분할된다. F1과 달리, F2는 접선 L2에 수직인 방향을 갖기 때문에 홈(121) 내에서의 연마유체(10) 흐름에 아무런 영향을 주지 못한다. 따라서, 연마유체(10)는 F1에 의해 홈(121)을 따라 연마패드(100)의 중심부로 이동하게 된다. 최종적으로, 관성력(F0)에 의해 연마유체(10)를 연마패드(100)의 중심부로 이동시키는 힘의 크기는 F1(= F0·sinθ)이다.The polishing fluid 10 present in the groove 121 is subjected to the inertial force F0 in a direction perpendicular to the straight line L1 as the polishing pad 100 rotates. This inertia force F0 is divided into F1 in the direction parallel to the tangent L2 and F2 in the direction perpendicular to the tangent L2. Unlike F 1, F 2 has a direction perpendicular to the tangent line L 2, and thus has no influence on the flow of the polishing fluid 10 in the grooves 121. Therefore, the polishing fluid 10 is moved to the center of the polishing pad 100 along the groove 121 by F1. Finally, the magnitude of the force for moving the polishing fluid 10 to the central portion of the polishing pad 100 by the inertia force F0 is F1 (= F0 占 sin?).

만약 홈(121)이 연마패드(100)의 회전 방향으로 볼록한 나선 형태를 갖는다면, 위와 같은 원리에 의해 연마유체(10)는 연마패드(100)의 중심부로 이동할 수 없을 것이다.If the groove 121 has a convex spiral shape in the rotation direction of the polishing pad 100, the polishing fluid 10 will not be able to move to the center of the polishing pad 100 by the above-described principle.

한편, 연마유체(10)에는 직선 L1에 평행한 방향의 원심력도 작용을 한다. 이 원심력도 역시 접선 L2에 평행한 방향의 힘과 접선 L2에 수직인 방향의 힘으로 분할된다. 위에서 설명한 바와 같이, 접선 L2에 수직인 방향의 힘은 홈(121) 내에서의 연마유체(10) 흐름에 아무런 영향을 주지 못하고, 결국 원심력에 의해 연마유체(10)를 연마패드(100)의 외측부로 이동시키는 힘의 크기는 원심력·cosθ이다.On the other hand, centrifugal force in the direction parallel to the straight line L1 also acts on the polishing fluid 10. This centrifugal force is also divided by the force in the direction parallel to the tangent line L2 and the force in the direction perpendicular to the tangent L2. As described above, the force in the direction perpendicular to the tangent line L2 has no influence on the flow of the polishing fluid 10 in the grooves 121, and consequently the polishing fluid 10 is transferred to the polishing pad 100 by the centrifugal force The magnitude of the force to move to the outer side is the centrifugal force cos?.

결국, 홈(121) 내에서 연마유체(10)가 연마패드(100)의 중심부 측으로 이동하기 위해서는 관성력(F0)·sinθ가 원심력·cosθ보다 커야된다고 말할 수 있다.As a result, it can be said that the inertial force (F0). Sin .theta. Must be larger than the centrifugal force cos .theta. In order for the polishing fluid 10 to move to the center side of the polishing pad 100 in the groove 121. [

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 연마층(110) 및 보조층(120)을 관통하는 다수의 제2 관통홀(h2)들을 갖는다. 상기 제2 관통홀(h2)들은 상기 제1 관통홀(h1)들에 비해 연마패드(100)의 중심부 측에 위치한다. 선택적으로, 상기 다수의 제2 관통홀(h2)들은 상기 다수의 홈(121)들 내에 형성된다. 2, the polishing pad 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of second through holes h2 passing through the polishing layer 110 and the auxiliary layer 120, . The second through holes h2 are positioned closer to the center of the polishing pad 100 than the first through holes h1. Optionally, the plurality of second through holes (h2) are formed in the plurality of grooves (121).

연마패드(100)의 이면에 형성된 홈(121)들을 따라 연마패드(100)의 중심부로 흐르던 연마유체는 상기 다수의 제2 관통홀(h2)들을 통해 상기 이면으로부터 상기 연마면으로 흐르게 되고, 그 결과 폴리싱 작업을 위해 재사용될 수 있게 된다. The polishing fluid flowing along the grooves 121 formed on the back surface of the polishing pad 100 to the center of the polishing pad 100 flows from the back surface to the polishing surface through the plurality of second through holes h2, The result can be reused for polishing operations.

정리하면, 본 발명에 의할 경우, 연마면 위를 흐르면서 폴리싱 작업에 이용된 연마유체의 적어도 일부가 제1 관통홀(h1)들, 이면에 형성된 홈(121)들, 및 제2 관통홀(h2)들을 순차적으로 지나 다시 연마면으로 공급된다.In summary, according to the present invention, at least a part of the polishing fluid used for the polishing operation while flowing on the polishing surface is divided into the first through holes (h1), the grooves (121) formed in the back surface and the second through holes h2) are sequentially supplied to the polishing surface.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드의 제조방법을 설명하기 위한 것으로서 홈을 따른 공정 단면도들이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a process for manufacturing a polishing pad according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

먼저, 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면을 갖는 보조층(120a)을 준비한다. 상기 보조층(120a)은 폴리우레탄 또는 그 밖의 합성수지일 수 있다.First, an auxiliary layer 120a having a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface is prepared. The auxiliary layer 120a may be polyurethane or other synthetic resin.

보조층(120a)의 상기 제2 면 상에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈(121)들을 형성한다. 상기 다수의 홈(121)들 각각은 상기 보조층(120a)의 중심부에서 외측부로 연장되어 형성되고, 상기 연마 패드의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태를 갖는다.A plurality of grooves 121 for the flow of abrasive fluid are formed on the second side of the auxiliary layer 120a. Each of the plurality of grooves 121 is formed to extend from the central portion to the outer side of the auxiliary layer 120a and has a convex spiral shape in a direction opposite to the rotating direction of the polishing pad.

이어서, 보조층(120b)의 상기 제1 면 상에 연마층(110a)을 제공한다. 본 발명에 따른 연마층(110a)은 특별히 어느 한 구조로 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 연마층(110a)의 예로서는 부직포에 폴리우레탄과 같은 합성수지가 함침된 부직포 연마층, 다공형 폴리우레탄 연마층, 무공형 폴리우레탄 연마층 등이 있다.An abrasive layer 110a is then provided on the first side of the auxiliary layer 120b. The polishing layer 110a according to the present invention is not particularly limited to any one structure. Examples of the abrasive layer 110a according to the present invention include a nonwoven fabric abrasive layer impregnated with a synthetic resin such as polyurethane, a porous polyurethane abrasive layer, and a non-porous polyurethane abrasive layer.

이어서, 상기 연마층(110a) 및 보조층(120b) 모두를 관통하는 제1 및 제2 관통홀들(h1, h2)을 형성한다. 상기 제1 관통홀(h1)들은 연마층(110b) 및 보조층(120c)의 외주부로부터 2 내지 20mm 이내의 범위에서 원주를 따라 순차적으로 형성된다. 상기 제2 관통홀(h2)은 상기 홈(121)들 내에 형성될 수 있다.Then, first and second through holes (h1, h2) passing through both the polishing layer (110a) and the auxiliary layer (120b) are formed. The first through holes h1 are sequentially formed along the circumference within a range of 2 to 20 mm from the outer periphery of the polishing layer 110b and the auxiliary layer 120c. The second through hole (h2) may be formed in the grooves (121).

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마패드의 제조방법을 설명하기 위한 것으로서 홈을 따른 공정 단면도들이다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a polishing pad according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.

먼저, 연마면 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 갖는 초기 패드(100a)를 준비한다. 이어서, 상기 이면에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈(121)들을 형성한다. 상기 다수의 홈(121)들 각각은 상기 초기 패드(100a)의 중심부에서 외측부로 연장되어 형성되고, 연마 패드의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태이다.First, an initial pad 100a having a polishing surface and a rear surface located opposite to the polishing surface is prepared. Then, a plurality of grooves 121 for the flow of polishing fluid are formed on the back surface. Each of the plurality of grooves 121 is formed to extend from the central portion to the outer side of the initial pad 100a and has a convex spiral shape in a direction opposite to the rotation direction of the polishing pad.

이어서, 홈(121)들이 형성된 초기 패드(100b)를 관통하는 제1 및 제2 관통홀들(h1, h2)을 형성한다. 상기 제1 관통(h1)들은 연마 패드(100c)의 외주부로부터 2 내지 20mm 이내의 범위에서 원주를 따라 순차적으로 형성된다. 상기 제2 관통홀(h2)은 상기 홈(121)들 내에 형성될 수 있다.Then, first and second through holes (h1, h2) passing through the initial pad (100b) in which the grooves (121) are formed are formed. The first through holes h1 are sequentially formed along the circumference within a range of 2 to 20 mm from the outer periphery of the polishing pad 100c. The second through hole (h2) may be formed in the grooves (121).

본 발명에 의하면, 폴리싱에 사용된 연마유체를 연마패드의 연마면으로 리턴시키기 위한 순환 경로가 제공되기 때문에 폴리싱 작업의 연마 효율을 극대화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 연마유체 순환 경로는 다양한 종류의 연마패드에 모두 적용될 수 있기 때문에 연마 기능의 다양한 조절이 가능해진다. 또한, 연마유체의 적어도 일부를 재활용하기 때문에 연마유체를 보다 효율적으로 사용할 수 있고, 그 결과 연마유체의 사용량을 절감시킬 수 있다.According to the present invention, since the circulating path for returning the polishing fluid used for polishing to the polishing surface of the polishing pad is provided, the polishing efficiency of the polishing work can be maximized. In addition, since the polishing fluid circulating path of the present invention can be applied to various types of polishing pads, various control of the polishing function becomes possible. Further, since at least a part of the polishing fluid is recycled, the polishing fluid can be used more efficiently, and as a result, the amount of polishing fluid used can be reduced.

이하, 실시예 및 비교실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 살펴본다.그러나, 본 발명은 하기 실시예에 의해 그의 권리범위가 특별하게 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited specifically to the scope of the following examples.

실시예 1Example 1

반도체 연마용으로 통상적으로 사용되는 두께 1.5밀리미터의 부직포형 연마층의 이면에, 깊이가 1mm이고 폭이 2mm인 나선 형태의 홈들이 원주방향으로 순차적으로 형성된 1.5mm의 두께를 갖는 보조층을 접착하였다. 이어서, 상기 홈들을 따라 연마층과 보조층을 관통하는 직경 2mm의 관통홀들을 5mm 간격으로 형성한 후 직경 500mm의 원형으로 절개하여 시험용 패드를 제조하였다.On the back surface of a 1.5 mm thick non-woven polishing layer which is typically used for semiconductor polishing, an auxiliary layer having a thickness of 1.5 mm, in which spiral grooves having a depth of 1 mm and a width of 2 mm are formed in a circumferential direction, . Then, through holes having a diameter of 2 mm penetrating through the abrasive layer and the auxiliary layer along the grooves were formed at intervals of 5 mm, and then cut into a circle having a diameter of 500 mm to prepare a test pad.

실시예 2Example 2

반도체 연마용으로 통상적으로 사용되는 두께 1.5밀리미터의 부직포형 연마층의 이면에, 깊이가 1mm이고 폭이 2mm인 나선 형태의 홈들이 원주방향으로 순차적으로 형성된 1.5mm의 두께를 갖는 보조층을 접착하였다. 이어서, 상기 홈들을 따라 연마층과 보조층을 관통하는 직경 2mm의 관통홀들을 10mm 간격으로 형성한 후 직경 500mm의 원형으로 절개하여 시험용 패드를 제조하였다.On the back surface of a 1.5 mm thick non-woven polishing layer which is typically used for semiconductor polishing, an auxiliary layer having a thickness of 1.5 mm, in which spiral grooves having a depth of 1 mm and a width of 2 mm are formed in a circumferential direction, . Then, through holes having a diameter of 2 mm penetrating through the abrasive layer and the auxiliary layer along the grooves were formed at intervals of 10 mm, and then cut into a circle having a diameter of 500 mm to prepare a test pad.

실시예 3Example 3

반도체 연마용으로 통상적으로 사용되는 두께 1.5밀리미터의 부직포형 연마층의 이면에, 깊이가 1mm이고 폭이 2mm인 나선 형태의 홈들이 원주방향으로 순차적으로 형성된 1.5mm의 두께를 갖는 보조층을 접착하였다. 이어서, 상기 홈들을 따라 연마층과 보조층을 관통하는 직경 2mm의 관통홀들을 20mm 간격으로 형성한 후 직경 500mm의 원형으로 절개하여 시험용 패드를 제조하였다.On the back surface of a 1.5 mm thick non-woven polishing layer which is typically used for semiconductor polishing, an auxiliary layer having a thickness of 1.5 mm, in which spiral grooves having a depth of 1 mm and a width of 2 mm are formed in a circumferential direction, . Then, through holes having a diameter of 2 mm penetrating through the abrasive layer and the auxiliary layer along the grooves were formed at intervals of 20 mm, and then cut into a circle having a diameter of 500 mm to prepare a test pad.

비교실시예 1Comparative Example 1

보조층의 이면에 홈들이 형성되지 않았다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 시험용 패드를 제조하였다.
A test pad was prepared in the same manner as in Example 1, except that grooves were not formed on the back surface of the auxiliary layer.

연마시험Abrasion test

상기의 실시예 1 내지 3 및 비교실시예 1의 시험용 패드들을 사용하여 200mm 직경의 실리콘 웨이퍼를 아래와 같은 조건으로 각각 연마하였다.Using the test pads of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, silicon wafers of 200 mm in diameter were polished under the following conditions, respectively.

연마조건Abrasive condition

- 폴리싱 기계 : GNP Technology사의 Poli-500 PolisherPolishing machine: Poli-500 Polisher from GNP Technology

- 연마시간 : 10분- Polishing time: 10 minutes

- 하방력 : 웨이퍼 표면에서 250g/㎠(3.5psi)- Down force: 250 g / cm < 2 > (3.5 psi)

- 연마정반 속도 : 120rpm- Polishing Plate Speed: 120 rpm

- 웨이퍼 캐리어 속도 : 120rpm- Wafer carrier speed: 120 rpm

- 연마유체 유동량 : 700㎖/분- polishing fluid flow rate: 700 ml / min

- 연마유체 타입 : 날코(Nalco)2371, DIW와 연마유체를 15:1로 희석시킨 실리카계 연마유체- abrasive fluid type: Nalco 2371, silica-based abrasive fluid diluted with DIW and polishing fluid 15: 1

- 다이아몬드 드레서를 이용하여 10분간 드레싱 후 연마시험을 실시- Polishing test after 10 minutes of dressing using diamond dresser

- 초기 3회의 시험값은 버리고 이후의 연마시험을 3회 반복시험하여 평균 연마율을 구하여 1기 연마율(1st Removal Rate, nm/min)을 구함- Discard the initial 3 test values and repeat the subsequent polishing test three times to obtain the average removal rate and obtain the 1st removal rate (nm / min).

- Dummy Wafer를 사용하여 2시간 연마시험을 실시- Perform polishing test for 2 hours using dummy wafer

- 초기 3회의 시험값은 버리고 이후의 연마시험을 3회 반복시험하여 평균 연마율을 구하여 2기 연마율(2nd Removal Rate, nm/min)을 구함- Discard the initial 3 test values and repeat the subsequent polishing test 3 times to obtain the average removal rate and obtain the 2nd removal rate (nm / min).

- 다시 Dummy Wafer를 사용하여 2시간 연마시험을 실시- Perform polishing test for 2 hours using dummy wafer again.

- 초기 3회의 시험값은 버리고 이후의 연마시험을 3회 반복시험하여 평균 연마율을 구하여 3기 연마율(3rd Removal Rate, nm/min)을 구함- Discard the initial 3 test values and repeat the subsequent polishing test 3 times to obtain the average removal rate and obtain the 3rd removal rate (nm / min).

상기와 같이 연마(폴리싱) 처리된 실리콘 웨이퍼의 연마율을 측정한 결과는 표 1과 같다.The results of the measurement of the polishing rate of the silicon wafer subjected to the polishing (polishing) as described above are shown in Table 1.

연마 처리된 웨이퍼 연마율 측정결과Result of polishing rate measurement of polished wafers 구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교실시예 1Comparative Example 1 1기 연마율(1stRR)The first polishing rate (1stRR) 560nm560 nm 541nm541 nm 533nm533 nm 507nm507 nm 2기 연마율(2ndRR)Second polishing rate (2ndRR) 554nm554 nm 538nm538 nm 525nm525 nm 497nm497 nm 3기 연마율(3rdRR)3 ratios (3rdRR) 547nm547 nm 530nm530 nm 523nm523 nm 484nm484 nm

위 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 동일한 양의 연마유체가 사용되었음에도 불구하고 이면에 홈이 형성된 실시예 1 내지 3의 연마패드들이 홈이 형성되지 않은 비교 실시예 1의 연마패드에 비해 월등한 연마율을 나타냄을 알 수 있다.As can be seen from the above Table 1, even though the same amount of polishing fluid was used, the polishing pads of Examples 1 to 3 in which grooves were formed on the back surface were superior to the polishing pads of Comparative Example 1 in which grooves were not formed And the polishing rate is shown.

100: 연마패드 110: 연마층 120: 보조층100: polishing pad 110: polishing layer 120: auxiliary layer

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 연마면 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 포함하는 연마패드에 있어서,
상기 이면에는 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들이 형성되어 있고,
상기 연마패드는 상기 연마면에 제공된 연마유체가 상기 이면으로 흐르도록 하기 위한 다수의 제1 관통홀들을 가지되, 상기 다수의 제1 관통홀들은 상기 연마패드의 외주부로부터 동일한 거리만큼 이격되어 상기 연마패드의 원주를 따라 형성되어 있으며,
상기 다수의 제1 관통홀들 각각과 상기 연마패드의 외주부 사이의 상기 동일한 거리는 2 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 연마패드.A polishing pad comprising a polishing surface and a back surface located opposite to the polishing surface,
A plurality of grooves for the flow of the polishing fluid are formed on the back surface,
Wherein the polishing pad has a plurality of first through holes for allowing a polishing fluid provided on the polishing surface to flow to the back surface, the plurality of first through holes being spaced by the same distance from an outer circumferential portion of the polishing pad, And is formed along the circumference of the pad,
Wherein the same distance between each of the plurality of first through holes and an outer peripheral portion of the polishing pad is 2 to 20 mm. 제 4 항에 있어서,
상기 연마패드는, 상기 제1 관통홀들을 통해 상기 이면으로 흐른 상기 연마유체가 상기 이면으로부터 상기 연마면으로 흐르도록 하기 위한 다수의 제2 관통홀들을 갖는 것을 특징으로 하는 연마패드.5. The method of claim 4,
Wherein the polishing pad has a plurality of second through holes for allowing the polishing fluid that has flowed to the back surface through the first through holes to flow from the back surface to the polishing surface. 제 5 항에 있어서,
상기 다수의 제2 관통홀들은 상기 다수의 홈들 내에 형성된 것을 특징으로 하는 연마패드.6. The method of claim 5,
And the plurality of second through holes are formed in the plurality of grooves. 제 6 항에 있어서,
상기 연마패드는, 상기 이면을 갖는 보조층; 및 상기 보조층 상에 위치하며 상기 연마면을 갖는 연마층을 포함하고,
상기 다수의 홈들은 상기 보조층에만 형성되며,
상기 제1 및 제2 관통홀들은 상기 연마층 및 보조층 모두를 관통하는 것을 특징으로 하는 연마패드.The method according to claim 6,
The polishing pad comprising: an auxiliary layer having the back side; And an abrasive layer located on the auxiliary layer and having the abrasive surface,
Wherein the plurality of grooves are formed only in the auxiliary layer,
Wherein the first and second through holes penetrate both the polishing layer and the auxiliary layer. 삭제delete 연마면 및 상기 연마면의 반대 측에 위치한 이면을 갖는 초기 패드(initial pad)를 준비하는 단계;
상기 이면에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들을 형성하는 단계; 및
상기 초기 패드를 관통하는 제1 관통홀들을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제1 관통홀들은 상기 초기 패드의 외주부로부터 동일한 거리만큼 이격되어 상기 초기 패드의 원주를 따라 형성되며,
상기 제1 관통홀들 각각과 상기 초기 패드의 외주부 사이의 상기 동일한 거리는 2 내지 20 mm인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.Preparing an initial pad having a polishing surface and a back surface located opposite to the polishing surface;
Forming a plurality of grooves for flow of the polishing fluid on the back surface; And
Forming first through holes through the initial pad,
The first through holes are formed along the circumference of the initial pad by the same distance from the circumference of the initial pad,
Wherein the same distance between each of the first through holes and the outer periphery of the initial pad is 2 to 20 mm. 제 9 항에 있어서,
상기 다수의 홈들 각각은 상기 초기 패드의 중심부에서 외측부로 연장되어 형성되고, 상기 연마 패드의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein each of the plurality of grooves is formed to extend from a central portion of the initial pad to an outer side and is formed in a convex spiral shape in a direction opposite to a rotating direction of the polishing pad. 제 10 항에 있어서,
상기 초기 패드를 관통하는 제2 관통홀들을 형성하는 단계를 더 포함하되,
상기 제2 관통홀들은 상기 홈들 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.11. The method of claim 10,
Further comprising forming second through holes through the initial pad,
And the second through holes are formed in the grooves. 연마패드의 제조방법에 있어서,
제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면을 갖는 보조층을 준비하는 단계;
상기 제2 면 상에 연마유체의 흐름을 위한 다수의 홈들을 형성하는 단계;
상기 보조층의 제1 면 상에 연마층을 제공하는 단계; 및
상기 연마층 및 상기 보조층 모두를 관통하는 제1 관통홀들을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 다수의 제1 관통홀들은 상기 연마패드의 외주부로부터 동일한 거리만큼 이격되어 상기 연마패드의 원주를 따라 형성되며,
상기 제1 관통홀들 각각과 상기 연마 패드의 외주부 사이의 상기 동일한 거리는 2 내지 20 mm인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.In the method of manufacturing a polishing pad,
Providing an auxiliary layer having a first side and a second side opposite to the first side;
Forming a plurality of grooves for the flow of abrasive fluid on the second surface;
Providing an abrasive layer on a first side of the auxiliary layer; And
Forming first through holes through both the polishing layer and the auxiliary layer,
Wherein the plurality of first through holes are formed along the circumference of the polishing pad by an equal distance from an outer circumferential portion of the polishing pad,
Wherein the same distance between each of the first through holes and an outer peripheral portion of the polishing pad is 2 to 20 mm. 제 12 항에 있어서,
상기 다수의 홈들 각각은 상기 보조층의 중심부에서 외측부로 연장되어 형성되고, 상기 연마 패드의 회전 방향의 반대 방향으로 볼록한 나선 형태인 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein each of the plurality of grooves extends from a central portion of the auxiliary layer to an outer side thereof and is formed in a convex spiral shape in a direction opposite to a rotation direction of the polishing pad. 제 13 항에 있어서,
상기 연마층 및 보조층 모두를 관통하는 제2 관통홀들을 형성하는 단계를 더 포함하되,
상기 제2 관통홀들은 상기 홈들 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 연마패드의 제조방법.14. The method of claim 13,
Further comprising forming second through holes through both the polishing layer and the auxiliary layer,
And the second through holes are formed in the grooves.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160009234A (en) 2014-07-16 2016-01-26 주식회사 트랜드온 wrapper

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020068516A1 (en) 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
KR20050005963A (en) * 2003-07-08 2005-01-15 매그나칩 반도체 유한회사 polishing pad of chemical mechnical polishing apparatus
JP2005294410A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Polishing pad
JP2006187819A (en) 2004-12-29 2006-07-20 Toho Engineering Kk Polishing pad

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020068516A1 (en) 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
KR20050005963A (en) * 2003-07-08 2005-01-15 매그나칩 반도체 유한회사 polishing pad of chemical mechnical polishing apparatus
JP2005294410A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Polishing pad
JP2006187819A (en) 2004-12-29 2006-07-20 Toho Engineering Kk Polishing pad

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160127184A (en) 2015-04-23 2016-11-03 (주)우석에이티 A grinding tool

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