KR101104489B1 - Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer - Google Patents

Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer Download PDF

Info

Publication number
KR101104489B1
KR101104489B1 KR1020100029552A KR20100029552A KR101104489B1 KR 101104489 B1 KR101104489 B1 KR 101104489B1 KR 1020100029552 A KR1020100029552 A KR 1020100029552A KR 20100029552 A KR20100029552 A KR 20100029552A KR 101104489 B1 KR101104489 B1 KR 101104489B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
holder
plate
pad
wafer
seasoning
Prior art date
Application number
KR1020100029552A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110109707A (en
Inventor
최철호
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020100029552A priority Critical patent/KR101104489B1/en
Publication of KR20110109707A publication Critical patent/KR20110109707A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101104489B1 publication Critical patent/KR101104489B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

패드 보정장치 및 웨이퍼 연마장치가 개시된다. 패드 보정장치는 플레이트 형상을 가지고, 외측에 형성되는 기어를 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더; 및 상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트를 포함한다. 웨이퍼 연마장치의 패드는 패드 보정장치에 의해서 보정되고, 이에 따라서, 웨이퍼 연마장치는 향상된 편평도를 가지는 웨이퍼를 제조할 수 있다.A pad compensator and a wafer polishing apparatus are disclosed. The pad compensator has a plate shape, includes a gear formed on the outside, the holder is formed with a receiving groove; And a seasoning plate disposed inside the receiving groove and having a plate shape. The pad of the wafer polishing apparatus is corrected by the pad compensator, and accordingly, the wafer polishing apparatus can manufacture a wafer having an improved flatness.

Description

패드 보정장치, 이를 포함하는 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼를 연마하는 방법{APPARATUS FOR CONDITIONING PAD, WAFER POLISHING APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD OF POLISHING WAFER}A pad compensator, a wafer polishing apparatus including the same, and a method of polishing a wafer {APPARATUS FOR CONDITIONING PAD, WAFER POLISHING APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD OF POLISHING WAFER}

실시예는 패드 보정장치, 이를 포함하는 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a pad compensator, a wafer polishing apparatus comprising the same, and a method of polishing a wafer.

반도체 기술은 생산원가 절감 및 제품 성능 향상을 위해 보다 고집적화 공정으로 급속하게 발전하고 있다. 이에 따라 실리콘 웨이퍼에 요구되는 평탄도 조건은 더욱 엄격해지고 있다.Semiconductor technology is rapidly evolving into more integrated processes to reduce production costs and improve product performance. Accordingly, the flatness conditions required for silicon wafers are becoming more stringent.

기존 탭핑, 에칭, 폴리싱으로 대표되던 실리콘 웨이퍼 제조 공정은 엄격한 평탄도 조건을 만족할 수 없는 한계를 가지고 있다. 이러한 한계를 극복하게 위해 적용하고 있는 공정은 단면 및 양면 연마 등을 들 수 있다.Conventional tapping, etching and polishing silicon wafer manufacturing processes have limitations that cannot meet stringent flatness conditions. Processes applied to overcome these limitations include single-sided and double-sided polishing.

양면 연삭의 경우는 웨이퍼 전후의 요철면을 동시에 제거하므로 단면 연마에 비해 웨이퍼 전체 형상 및 평탄도가 매우 우수하고, 나노토포그라피의 수준도 매우 양호하게 나타난다.In the case of double-sided grinding, the uneven surfaces before and after the wafer are removed at the same time, so the overall shape and flatness of the wafer are excellent compared to the single-side polishing, and the level of nanotopography is also very good.

하지만, 연마 회수가 누적됨에 따라 손상영역이 패드에 발생될 수 있고, 이 손상영역은 연마패드의 평탄도를 심하게 해하는 요소로 작용할 수 있다.However, as the polishing counts accumulate, damage areas may occur in the pads, which may act as a factor that severely degrades the flatness of the polishing pad.

실시예는 패드를 효율적으로 보정하고, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 패드 보정장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a pad compensator for efficiently calibrating a pad and improving flatness of a wafer, and a wafer polishing apparatus including the same.

실시예에 따른 패드 보정장치는 플레이트 형상을 가지고, 외측에 다수 개의 기어들을 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더; 및 상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트를 포함한다.Pad correction apparatus according to the embodiment has a plate shape, a holder including a plurality of gears on the outside, the receiving groove is formed; And a seasoning plate disposed inside the receiving groove and having a plate shape.

실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 제 1 패드; 상기 제 1 패드 상에 배치되고, 플레이트 형상을 가지고, 외측에 다수 개의 기어들을 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더; 상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트; 및 상기 홀더 상에 배치되는 제 2 패드를 포함한다.Wafer polishing apparatus according to the embodiment includes a first pad; A holder disposed on the first pad, having a plate shape, including a plurality of gears on the outside thereof, and having a receiving groove formed therein; A seasoning plate disposed inside the receiving groove and having a plate shape; And a second pad disposed on the holder.

실시예에 따른 웨이퍼를 연마하는 방법은 상기 패드 보정장치를 사용하여, 패드를 보정하는 단계; 상기 패드의 상태를 검사하는 단계; 상기 패드를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 검사하는 단계를 포함한다.According to an embodiment, there is provided a method of polishing a wafer, using the pad correcting apparatus, correcting a pad; Checking the state of the pad; Polishing the wafer using the pad; And inspecting the wafer.

실시예에 따른 패드 보정장치는 시즈닝 플레이트를 포함한다. 시즈닝 플레이트는 패드를 보정할 수 있다. 특히, 시즈닝 플레이트는 패드의 표면을 고르게 할 수 있다. 즉, 시즈닝 플레이트는 플레이트 형상을 가지기 때문에, 평평한 상면 및 바닥면을 포함하고, 상면 및 바닥면에 의해서 패드의 표면이 고르게 된다.The pad compensator according to the embodiment includes a seasoning plate. The seasoning plate can calibrate the pads. In particular, the seasoning plate can even the surface of the pad. That is, since the seasoning plate has a plate shape, it includes a flat top surface and a bottom surface, and the surface of the pad is even by the top and bottom surfaces.

이에 따라서, 실시예에 따른 패드 보정장치에 의해서 패드의 표면이 콘디셔닝될 수 있고, 콘디셔닝된 패드에 의해서 웨이퍼가 평탄하게 연마될 수 있다.Accordingly, the surface of the pad can be conditioned by the pad compensator according to the embodiment, and the wafer can be polished flat by the conditioned pad.

특히, 시즈닝 플레이트가 세라믹을 포함하는 경우, 시즈닝 플레이트는 슬러리 등의 약품에 내구성을 가지고, 효율적으로 패드의 표면 상태를 향상시킬 수 있다.In particular, when the seasoning plate contains a ceramic, the seasoning plate has durability to chemicals such as slurry and can effectively improve the surface state of the pad.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 홀더 및 시즈닝 플레이트를 도시한 도면이다.
도 3은 시즈닝 플레이트의 평면 및 측면 형상을 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5는 제 1 연마패드 및 제 2 연마패드를 보정하는 과정을 도시한 도면들이다.
1 is an exploded perspective view showing a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.
2 shows a holder and a seasoning plate.
3 shows the planar and side shapes of the seasoning plate.
4 and 5 illustrate a process of calibrating the first polishing pad and the second polishing pad.

실시 예의 설명에 있어서, 각 캐리어, 홀더, 플레이트, 부, 패드 또는 웨이퍼 등이 각 캐리어, 홀더, 플레이트, 부, 패드 또는 웨이퍼 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each carrier, holder, plate, part, pad or wafer is formed on or under the "carrier" of each carrier, holder, plate, part, pad or wafer, or the like. When described as being "in" and "under" includes both those that are formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 홀더 및 시즈닝 플레이트를 도시한 도면이다. 도 3은 시즈닝 플레이트의 평면 및 측면 형상을 도시한 도면이다. 도 4 및 도 5는 제 1 연마패드 및 제 2 연마패드를 보정하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is an exploded perspective view showing a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment. 2 shows a holder and a seasoning plate. 3 shows the planar and side shapes of the seasoning plate. 4 and 5 illustrate a process of calibrating the first polishing pad and the second polishing pad.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 웨이퍼 양면 연마장치는 하정반(100), 상정반(200), 홀더(300), 다수 개의 시즈닝 플레이트들(400), 선 기어(500) 및 외곽 기어(600)를 포함한다.1 to 5, the wafer double-side polishing apparatus includes a lower plate 100, an upper plate 200, a holder 300, a plurality of seasoning plates 400, a sun gear 500 and an outer gear 600. ).

상기 하정반(100)은 상기 홀더(300)를 지지한다. 상기 하정반(100)은 중공(130)이 형성된 원형 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 하정반(100)은 도너츠 형상을 가질 수 있다. 상기 하정반(100)은 제 1 몸체부(110) 및 제 1 연마패드(120)를 포함한다.The lower plate 100 supports the holder 300. The lower plate 100 has a circular plate shape in which the hollow 130 is formed. For example, the lower plate 100 may have a donut shape. The lower surface plate 100 includes a first body portion 110 and a first polishing pad 120.

상기 제 1 몸체부(110)는 상기 제 1 연마패드(120)를 지지한다. 상기 제 1 몸체부(110)는 원형 플레이트 형상을 가진다. 상기 제 1 몸체부(110)는 모터 등과 같은 구동 수단에 의해서 회전할 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110)가 회전함에 따라서, 상기 제 1 연마패드(120)도 함께 회전된다.The first body part 110 supports the first polishing pad 120. The first body part 110 has a circular plate shape. The first body 110 may be rotated by a driving means such as a motor. As the first body part 110 rotates, the first polishing pad 120 also rotates together.

상기 제 1 연마패드(120)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치된다. 상기 제 1 연마패드(120)는 상기 제 1 몸체부(110)와 결합될 수 있다. 상기 제 1 연마패드(120)는 상기 제 1 몸체부(110)와 일체로 형성될 수 있다.The first polishing pad 120 is disposed on the first body portion 110. The first polishing pad 120 may be combined with the first body 110. The first polishing pad 120 may be integrally formed with the first body portion 110.

상기 제 1 연마패드(120)는 연마되는 웨이퍼에 직접 접촉한다. 더 자세하게, 상기 제 1 연마패드(120)는 상기 웨이퍼의 하면에 접촉하여, 상기 웨이퍼의 하면을 연마한다. 상기 제 1 연마패드(120)에는 슬러리를 공급하기 위한 다수 개의 홀들이 형성될 수 있다.The first polishing pad 120 is in direct contact with the wafer to be polished. In more detail, the first polishing pad 120 contacts the lower surface of the wafer to polish the lower surface of the wafer. A plurality of holes may be formed in the first polishing pad 120 to supply a slurry.

상기 제 1 연마패드(120)는 중공(130)이 형성된 플레이트 형상을 가진다. 더 자세하게, 상기 제 1 연마패드(120)는 중공(130)이 형성된 원형 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 제 1 연마패드(120)는 도너츠 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 중공(130)은 원 형상을 가질 수 있다.The first polishing pad 120 has a plate shape in which a hollow 130 is formed. In more detail, the first polishing pad 120 has a circular plate shape in which the hollow 130 is formed. For example, the first polishing pad 120 may have a donut shape. In addition, the hollow 130 may have a circular shape.

상기 상정반(200)은 상기 하정반(100) 상에 배치된다. 상기 상정반(200)은 상기 하정반(100)과 이격되며, 상기 하정반(100)에 대향된다. 즉, 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100)은 서로 마주본다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 상정반(200)에도 중공이 형성될 수 있다.The upper plate 200 is disposed on the lower plate 100. The upper plate 200 is spaced apart from the lower plate 100 and faces the lower plate 100. That is, the upper plate 200 and the lower plate 100 face each other. Although not shown in the drawings, a hollow may be formed in the upper surface plate 200.

상기 상정반(200)은 원형 플레이트 형상을 가진다. 상기 상정반(200)은 제 2 몸체부(210) 및 제 2 연마패드(220)를 포함한다.The upper plate 200 has a circular plate shape. The upper plate 200 includes a second body portion 210 and a second polishing pad 220.

상기 제 2 몸체부(210)는 상기 제 2 연마패드(220)를 지지한다. 상기 제 2 몸체부(210)는 원형 플레이트 형상을 가진다. 상기 제 2 몸체부(210)는 모터 등과 같은 구동 수단에 의해서 회전할 수 있다. 이때, 상기 제 2 몸체부(210)가 회전함에 따라서, 상기 제 2 연마패드(220)도 함께 회전한다. 또한, 상기 제 2 몸체부(210)는 상기 제 1 몸체부(110)와 같은 속도 또는 다른 속도로, 같은 방향 또는 다른 방향으로 다양하게 회전할 수 있다.The second body portion 210 supports the second polishing pad 220. The second body portion 210 has a circular plate shape. The second body portion 210 may be rotated by a driving means such as a motor. At this time, as the second body portion 210 rotates, the second polishing pad 220 also rotates together. In addition, the second body portion 210 may rotate in the same or different directions at the same speed or different speed as the first body portion 110.

상기 제 2 연마패드(220)는 상기 제 2 몸체부(210) 아래에 배치된다. 상기 제 2 연마패드(220)는 상기 제 2 몸체부(210)와 결합될 수 있다. 상기 제 2 연마패드(220)는 상기 제 2 몸체부(210)와 일체로 형성될 수 있다.The second polishing pad 220 is disposed below the second body portion 210. The second polishing pad 220 may be combined with the second body portion 210. The second polishing pad 220 may be integrally formed with the second body portion 210.

상기 제 2 연마패드(220)는 상기 웨이퍼와 직접 접촉한다. 더 자세하게, 상기 제 2 연마패드(220)는 상기 웨이퍼의 상면에 직접 접촉하여, 상기 웨이퍼의 상면을 연마할 수 있다.The second polishing pad 220 is in direct contact with the wafer. In more detail, the second polishing pad 220 may directly contact the upper surface of the wafer to polish the upper surface of the wafer.

상기 제 2 연마패드(220)에는 상기 웨이퍼에 슬러리를 공급하기 위한 다수 개의 홀들이 형성될 수 있다.A plurality of holes may be formed in the second polishing pad 220 to supply slurry to the wafer.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 홀더(300)는 상기 하정반 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)는 상기 제 1 연마패드(120) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)는 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220) 사이에 개재된다.As shown in Figures 1 to 3, the holder 300 is disposed on the lower plate. In more detail, the holder 300 is disposed on the first polishing pad 120. In more detail, the holder 300 is interposed between the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220.

상기 홀더(300)는 원형 플레이트 형상을 가지는 몸체 플레이트(310) 및 상기 몸체 플레이트(310)의 외주면(430)에 형성되는 기어(320)를 포함한다. 즉, 상기 홀더(300)는 전체적으로 원형 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 홀더(300)는 외곽에 기어가 형성되는 원형 플레이트이다.The holder 300 includes a body plate 310 having a circular plate shape and a gear 320 formed on an outer circumferential surface 430 of the body plate 310. That is, the holder 300 has a circular plate shape as a whole. For example, the holder 300 is a circular plate in which gears are formed on the outside.

상기 홀더(300)는 상기 외곽 기어(600) 내측에 배치되고, 상기 선 기어(500)와 외접한다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)는 상기 외곽 기어(600)와 내접한다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500)와 기어 접촉하고, 상기 외곽 기어(600)와 기어 접촉한다. 이에 따라서, 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)에 의해서 구동된다.The holder 300 is disposed inside the outer gear 600 and is external to the sun gear 500. In more detail, the holder 300 is inscribed with the outer gear 600. In more detail, the holder 300 is in gear contact with the sun gear 500 and in gear contact with the outer gear 600. Accordingly, the holder 300 is driven by the sun gear 500 and the outer gear 600.

또한, 상기 홀더(300)는 상기 몸체 플레이트(310)의 중앙 부분에 형성되는 더미홀(301) 및 상기 더미홀(301) 주위에 형성되는 다수 개의 수용홈들(302)을 포함한다.In addition, the holder 300 includes a dummy hole 301 formed in the central portion of the body plate 310 and a plurality of receiving grooves 302 formed around the dummy hole 301.

상기 더미홀(301)은 상기 몸체 플레이트(310)를 관통한다. 이에 따라서, 상기 더미홀(301)은 상기 제 1 연마패드(120)의 상면을 노출한다. 상기 더미홀(301)은 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)가 콘디셔닝되는 공정에서, 상기 제 1 연마패드(120)로부터 상기 홀더(300)를 용이하게 탈착시키는 기능을 수행할 수 있다. 즉, 상기 홀더(300)의 상기 제 1 연마패드(120)에 대한 접촉 면적은 상기 더미홀(301)에 의해서 감소되고, 이에 따라서, 상기 홀더(300)는 상기 제 1 연마패드(120)로부터 용이하게 탈착될 수 있다.The dummy hole 301 penetrates through the body plate 310. Accordingly, the dummy hole 301 exposes the top surface of the first polishing pad 120. The dummy hole 301 easily detaches the holder 300 from the first polishing pad 120 in a process in which the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 are conditioned. Function can be performed. That is, the contact area of the holder 300 with respect to the first polishing pad 120 is reduced by the dummy hole 301, and accordingly, the holder 300 is removed from the first polishing pad 120. It can be easily detached.

상기 더미홀(301)은 상기 몸체 플레이트(310)의 중앙 부분 이외에도 상기 수용홈(302)의 주위에 다수 개가 형성될 수 있다.A plurality of dummy holes 301 may be formed around the receiving groove 302 in addition to the central portion of the body plate 310.

상기 수용홈들(302)은 상기 몸체 플레이트(310)에 형성된다. 상기 수용홈들(302)은 상기 더미홀(301) 주위에 형성된다. 상기 수용홈들(302)은 예를 들어, 4개가 형성될 수 있다. 상기 수용홈들(302)은 상기 홀더(300)를 관통할 수 있다.The receiving grooves 302 are formed in the body plate 310. The receiving grooves 302 are formed around the dummy hole 301. Four receiving grooves 302 may be formed, for example. The receiving grooves 302 may pass through the holder 300.

상기 수용홈들(302)은 상기 시즈닝 플레이트들(400)을 수용한다. 즉, 상기 수용홈들(302)의 내측에는 각각 상기 시즈닝 플레이트들(400)이 배치된다. 즉, 상기 수용홈들(302)의 평면 형상은 상기 시즈닝 플레이트들(400)의 평면 형상에 대응될 수 있다. 또한, 상기 수용홈들(302)의 직경은 상기 시즈닝 플레이트들(400)의 직경에 대응되거나, 상기 시즈닝 플레이트들(400)의 직경보다 약간 더 클 수 있다. 예를 들어, 상기 수용홈들(302)의 직경은 약 10㎝ 내지 약 15㎝일 수 있다.The receiving grooves 302 receive the seasoning plates 400. That is, the seasoning plates 400 are disposed inside the receiving grooves 302, respectively. That is, the planar shape of the receiving grooves 302 may correspond to the planar shape of the seasoning plates 400. In addition, the diameter of the receiving grooves 302 may correspond to the diameter of the seasoning plates 400 or may be slightly larger than the diameter of the seasoning plates 400. For example, the diameter of the receiving grooves 302 may be about 10cm to about 15cm.

상기 홀더(300)로 사용되는 물질의 예로서는 플라스틱 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)로 사용되는 물질의 예는 나일론계 폴리머 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 홀더(300)로 사용되는 물질의 예로서 MC Nylon 등을 들 수 있다. 또한, 상기 홀더(300)의 두께는 약 0.5㎝ 내지 약 2㎝일 수 있다.Examples of the material used for the holder 300 may include plastic and the like. More specifically, examples of the material used as the holder 300 may include a nylon-based polymer and the like. In more detail, examples of the material used as the holder 300 may include MC Nylon and the like. In addition, the thickness of the holder 300 may be about 0.5cm to about 2cm.

상기 홀더(300)는 상기 시즈닝 플레이트(400)의 이탈을 방지한다. 즉, 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)에 의해서 회전할 때, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 이탈을 방지한다.The holder 300 prevents detachment of the seasoning plate 400. That is, when the holder 300 rotates by the sun gear 500 and the outer gear 600, the holder 300 prevents the detachment of the seasoning plate 400.

상기 시즈닝 플레이트들(400)은 상기 수용홈들(302)에 각각 배치된다. 상기 시즈닝 플레이트(400)는 플레이트 형상을 가진다. 더 자세하게, 상기 시즈닝 플레이트(400)는 원형 플레이트 형상을 가진다.The seasoning plates 400 are disposed in the receiving grooves 302, respectively. The seasoning plate 400 has a plate shape. In more detail, the seasoning plate 400 has a circular plate shape.

상기 시즈닝 플레이트(400)로 사용되는 물질의 예로서는 세라믹 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the seasoning plate 400 include ceramics and the like.

상기 시즈닝 플레이트(400)는 평평한 상면(410) 및 평평한 바닥면(420)을 포함한다. 상기 상면(410) 및 상기 바닥면(420)은 서로 마주본다. 또한, 상기 시즈닝 플레이트(400)는 상기 상면(410) 및 상기 바닥면(420)과 교차하는 외주면(430)을 포함한다. 상기 외주면(430)은 상기 상면(410) 및 상기 바닥면(420)과 수직으로 교차할 수 있다.The seasoning plate 400 includes a flat top surface 410 and a flat bottom surface 420. The top surface 410 and the bottom surface 420 face each other. In addition, the seasoning plate 400 includes an outer circumferential surface 430 intersecting with the upper surface 410 and the bottom surface 420. The outer circumferential surface 430 may vertically intersect the upper surface 410 and the bottom surface 420.

이때, 상기 상면(410) 및 상기 외주면(430)이 교차하는 부분(440)은 라운드 형상을 가진다. 즉, 상기 상면(410) 및 상기 외주면(430)이 교차하는 부분(440)은 라운드진다. 또한, 상기 바닥면(420) 및 상기 외주면(430)이 교차하는 부분(450)도 라운드 형상을 가진다. 즉, 상기 바닥면(420) 및 상기 외주면(430)이 교차하는 부분(450)은 라운드진다.At this time, the portion 440 where the upper surface 410 and the outer peripheral surface 430 intersect has a round shape. That is, the portion 440 where the upper surface 410 and the outer peripheral surface 430 intersect is rounded. In addition, the portion 450 where the bottom surface 420 and the outer circumferential surface 430 intersect also has a round shape. That is, the portion 450 where the bottom surface 420 and the outer circumferential surface 430 intersect is rounded.

즉, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 모서리 부분은 라운드 형상을 가진다. 이에 따라서, 상기 시즈닝 플레이트(400)에 의해서 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)에 가해지는 손상이 방지될 수 있다.That is, the edge portion of the seasoning plate 400 has a round shape. Accordingly, damage to the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 by the seasoning plate 400 can be prevented.

상기 시즈닝 플레이트(400)의 직경은 상기 수용홈(302)의 직경에 대응되거나, 상기 수용홈(302)의 직경보다 약간 더 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 직경은 약 10㎝ 내지 약 15㎝일 수 있다. 상기 시즈닝 플레이트(400)의 두께는 상기 홀더(300)의 두께보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 두께는 약 1㎝ 내지 약 3㎝일 수 있다.The diameter of the seasoning plate 400 may correspond to the diameter of the receiving groove 302 or may be slightly smaller than the diameter of the receiving groove 302. For example, the diameter of the seasoning plate 400 may be about 10 cm to about 15 cm. The thickness of the seasoning plate 400 may be greater than the thickness of the holder 300. For example, the thickness of the seasoning plate 400 may be about 1 cm to about 3 cm.

상기 홀더(300) 및 상기 시즈닝 플레이트들(400)은 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)를 보정하기 위한 패드 보정장치이다.The holder 300 and the seasoning plates 400 are pad compensators for calibrating the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220.

상기 선 기어(500)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200) 사이에 개재된다. 상기 선 기어(500)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)의 중심에 위치한다. 상기 선 기어(500)의 중심은 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)의 중심과 실질적으로 일치한다.The sun gear 500 is interposed between the lower plate 100 and the upper plate 200. The sun gear 500 is located at the center of the lower plate 100 and the upper plate 200. The center of the sun gear 500 is substantially coincident with the center of the lower plate 100 and the upper plate 200.

상기 선 기어(500)는 상기 상정반(200) 및/또는 상기 하정반(100)과 함께 구동될 수 있다. 즉, 상기 선 기어(500)는 상기 상정반(200) 및/또는 상기 하정반(100)에 고정될 수 있다.The sun gear 500 may be driven together with the upper plate 200 and / or the lower plate 100. That is, the sun gear 500 may be fixed to the upper plate 200 and / or the lower plate 100.

이와는 다르게, 상기 선 기어(500)는 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100)과 따로 구동될 수 있다. 예를 들어, 상기 선 기어(500)는 상기 상정반(200) 또는 상기 하정반(100)에 형성된 중공(130)을 통과하는 회전축과 결합되어 회전할 수 있다.Unlike this, the sun gear 500 may be driven separately from the upper plate 200 and the lower plate 100. For example, the sun gear 500 may be coupled to the rotating shaft passing through the hollow 130 formed in the upper plate 200 or the lower plate 100 to rotate.

상기 선 기어(500)는 상기 홀더(300)와 기어 결합된다. 즉, 상기 선 기어(500)의 회전에 의해서, 상기 홀더(300)가 구동된다.The sun gear 500 is gear-coupled with the holder 300. That is, the holder 300 is driven by the rotation of the sun gear 500.

상기 외곽 기어(600)는 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100) 사이에 배치된다. 상기 외곽 기어(600)는 상기 선 기어(500) 및 상기 홀더(300)를 둘러싼다. 상기 외곽 기어(600)는 상기 홀더(300)와 기어 결합되어, 상기 홀더(300)에 동력을 전달한다. 즉, 상기 홀더(300)의 외주면(430)과 상기 외곽 기어(600)의 내주면이 서로 기어 결합된다. 상기 외곽 기어(600)의 회전에 의해서, 상기 홀더(300)가 구동된다.The outer gear 600 is disposed between the upper platen 200 and the lower platen 100. The outer gear 600 surrounds the sun gear 500 and the holder 300. The outer gear 600 is gear-coupled with the holder 300 to transmit power to the holder 300. That is, the outer circumferential surface 430 of the holder 300 and the inner circumferential surface of the outer gear 600 are geared to each other. By the rotation of the outer gear 600, the holder 300 is driven.

상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)의 회전에 의해서, 상기 홀더(300)가 회전하면서, 상기 선 기어(500)의 주위를 이동한다. 즉, 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)로부터 동력을 전달받아, 자체적으로 회전하면서, 이동될 수 있다.By the rotation of the sun gear 500 and the outer gear 600, the holder 300 is rotated, moving around the sun gear 500. That is, the holder 300 may receive power from the sun gear 500 and the outer gear 600 and rotate while itself.

상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)는 같은 방향으로 회전할 수 있고, 다른 방향으로 회전할 수 있다. 또한, 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)는 같은 각속도로 회전하거나, 다른 각속도로 회전할 수 있다. 결과적으로 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)는 다양한 방식으로 회전하여, 상기 홀더(300)를(300)를 구동한다. 즉, 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)은 상기 홀더(300)을 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)에 대하여 상대 회전시키는 회전장치이다.The sun gear 500 and the outer gear 600 may rotate in the same direction and may rotate in different directions. In addition, the sun gear 500 and the outer gear 600 may rotate at the same angular speed, or may rotate at different angular speeds. As a result, the sun gear 500 and the outer gear 600 rotate in various manners to drive the holder 300. That is, the sun gear 500 and the outer gear 600 are rotation devices for relatively rotating the holder 300 with respect to the lower plate 100 and the upper plate 200.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 홀더(300)는 상기 시즈닝 플레이트(400)를 수용한 상태에서, 상기 외곽 기어(600)의 내측에 배치된다. 또한, 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500)의 외측에 배치된다.As shown in FIGS. 4 and 5, the holder 300 is disposed inside the outer gear 600 in a state in which the seasoning plate 400 is accommodated. In addition, the holder 300 is disposed outside the sun gear 500.

또한, 상기 홀더(300)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200) 사이에 개재된다. 즉, 상기 홀더(300)는 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220) 사이에 개재된다. 이때, 상기 시즈닝 플레이트(400)는 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)와 직접 접촉한다. 예를 들어, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 상면(410)은 상기 제 2 연마패드(220)와 직접 접촉하고, 상기 시즈닝 플레이트(400)의 바닥면(420)은 상기 제 1 연마패드(120)와 직접 접촉한다.In addition, the holder 300 is interposed between the lower plate 100 and the upper plate 200. That is, the holder 300 is interposed between the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220. In this case, the seasoning plate 400 is in direct contact with the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220. For example, the top surface 410 of the seasoning plate 400 is in direct contact with the second polishing pad 220, and the bottom surface 420 of the seasoning plate 400 is the first polishing pad 120. Direct contact with

이와 같은 상태에서, 위에서 설명한 바와 같이 상기 홀더(300)가 구동된다. 상기 홀더(300)는 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)에 의해서 자전 및 공전을 할 수 있다. 이에 따라서, 상기 시즈닝 플레이트들(400)은 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)를 보정한다. 즉, 상기 시즈닝 플레이트들(400)은 상기 제 1 연마패드 및 상기 제 2 연마패드(220)를 콘디셔닝 할 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 연마패드(120)의 상면(410) 및 상기 제 2 연마패드(220)의 하면은 전체적으로 고르게 평평해 질 수 있다.In this state, the holder 300 is driven as described above. The holder 300 may rotate and revolve by the sun gear 500 and the outer gear 600. Accordingly, the seasoning plates 400 correct the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220. That is, the seasoning plates 400 may condition the first polishing pad and the second polishing pad 220. Accordingly, the top surface 410 of the first polishing pad 120 and the bottom surface of the second polishing pad 220 may be evenly flattened as a whole.

이와 같이, 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)가 보정된 후, 상기 패드 보정장치, 즉, 상기 홀더(300) 및 상기 시즈닝 플레이트(400)는 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220) 사이로부터 이탈된다.As such, after the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 are corrected, the pad compensator, that is, the holder 300 and the seasoning plate 400 may be a first polishing pad ( 120 and separated from the second polishing pad 220.

이후, 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)의 상태는 육안에 의해서 검사될 수 있다.Thereafter, the states of the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 may be inspected by the naked eye.

이후, 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220) 사이에 캐리어가 배치된다. 또한, 상기 캐리어 내측에 웨이퍼가 배치되고, 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)의 구동에 의해서, 상기 웨이퍼가 양면 연마된다. 상기 웨이퍼를 연마하기 위해서, 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)는 위에서 기술한 바와 같이 구동될 수 있다.Thereafter, a carrier is disposed between the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220. In addition, a wafer is disposed inside the carrier, and the wafer is double-sided polished by driving of the sun gear 500 and the outer gear 600. In order to polish the wafer, the sun gear 500 and the outer gear 600 can be driven as described above.

상기 캐리어는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200) 사이에 개재된다. 상기 캐리어는 플레이트 형상을 가지며, 상기 웨이퍼를 수용하고, 상기 제 1 연마패드(120) 및/또는 상기 제 2 연마패드(220)로부터 공급되는 슬러리를 임시 저장한다. 상기 캐리어로 사용되는 물질의 예로서는 에폭시 글래스 등과 같은 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.The carrier is interposed between the lower plate 100 and the upper plate 200. The carrier has a plate shape, accommodates the wafer, and temporarily stores the slurry supplied from the first polishing pad 120 and / or the second polishing pad 220. Examples of the material used as the carrier include epoxy resins such as epoxy glass and the like.

상기 캐리어의 외곽영역에는 다수 개의 톱니들이 형성된다. 즉, 상기 캐리어는 상기 웨이퍼를 수용함과 동시에, 상기 선 기어(500) 및 상기 외곽 기어(600)으로부터 동력을 전달받는다.A plurality of teeth is formed in the outer region of the carrier. That is, the carrier receives the wafer and receives power from the sun gear 500 and the outer gear 600.

상기 캐리어는 웨이퍼 수용홈 및 슬러리 저장부들을 포함한다.The carrier includes a wafer receiving groove and slurry reservoirs.

상기 웨이퍼 수용홈은 상기 웨이퍼를 수용한다. 상기 웨이퍼 수용홈은 상기 웨이퍼와 대응되는 형상을 가지는 관통홈이다. 즉, 상기 웨이퍼 수용홈은 원 형상을 가지며, 상기 웨이퍼의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 가질 수 있다.The wafer receiving groove accommodates the wafer. The wafer receiving groove is a through groove having a shape corresponding to that of the wafer. That is, the wafer receiving groove may have a circular shape and may have a diameter substantially the same as the diameter of the wafer.

상기 웨이퍼 수용홈의 중심은 상기 캐리어의 중심에 대하여 편심될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 수용홈의 중심은 상기 캐리어의 중심과 일치하지 않는다. 이에 따라서, 상기 캐리어가 회전하는 경우, 상기 웨이퍼 수용홈에 수용된 웨이퍼는 편심 회전한다.The center of the wafer receiving groove may be eccentric with respect to the center of the carrier. That is, the center of the wafer receiving groove does not coincide with the center of the carrier. Accordingly, when the carrier rotates, the wafer accommodated in the wafer receiving groove rotates eccentrically.

상기 슬러리 저장부들은 상기 슬러리를 임시 저장한다. 상기 슬러리 저장부들은 상기 웨이퍼 수용홈의 주위에 형성된다. 상기 슬러리 저장부들은 관통홈들일 수 있다. 이때, 상기 슬러리 저장부들은 서로 다른 직경을 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 슬러리 저장부들이 원형상을 가지는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 상기 슬러리 저장부들은 다양한 형상을 가질 수 있다.The slurry reservoirs temporarily store the slurry. The slurry reservoirs are formed around the wafer receiving groove. The slurry reservoirs may be through grooves. In this case, the slurry reservoirs may have different diameters. In addition, in the present embodiment, the slurry reservoirs are shown as having a circular shape, but is not limited thereto, and the slurry reservoirs may have various shapes.

이후, 상기 연마된 웨이퍼는 다양한 장비들을 통하여, 검사될 수 있다.The polished wafer can then be inspected through various equipment.

상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)는 웨이퍼의 연마 공정이 여러 번 진행된 후, 또는 웨이퍼 연마 공정에 처음 적용되는 경우에, 상기 패드 보정장치에 의해서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 패드 보정 공정을 거쳐야 한다.The first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 are used after the polishing process of the wafer several times or when the first polishing pad 120 is first applied to the wafer polishing process. As shown in Fig. 5, the pad calibration process must be performed.

이후, 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)가 콘디셔닝된 후, 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼 양면 연마 공정이 진행된다.Thereafter, after the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 are conditioned, a wafer double-side polishing process is performed as shown in FIG. 6.

이와 같이, 상기 제 1 연마패드(120) 및 상기 제 2 연마패드(220)는 평평한 상면(410) 및 바닥면(420)을 가지는 시즈닝 플레이트들(400)에 의해서 콘디셔닝된다. 이에 따라서, 상기 웨이퍼는 보다 향상된 편평도를 가지도록 연마될 수 있다.As such, the first polishing pad 120 and the second polishing pad 220 are conditioned by seasoning plates 400 having a flat top surface 410 and a bottom surface 420. Accordingly, the wafer can be polished to have improved flatness.

따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치는 향상된 편평도를 가지는 웨이퍼를 제공할 수 있다.Accordingly, the wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment can provide a wafer having improved flatness.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (9)

플레이트 형상을 가지고, 외측에 형성되는 기어를 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더; 및
상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트를 포함하고,
상기 시즈닝 플레이트는
서로 마주보는 상면 및 바닥면; 및
상기 상면 및 상기 바닥면과 만나는 외주면을 포함하고,
상기 상면 및 상기 외주면이 만나는 부분 및 상기 바닥면 및 상기 외주면이 만나는 부분은 라운드 형상을 가지는 패드 보정장치.
A holder having a plate shape and including a gear formed at an outer side thereof, the receiving groove being formed; And
A seasoning plate disposed inside the receiving groove and having a plate shape;
The seasoning plate
Upper and lower surfaces facing each other; And
An outer circumferential surface that meets the upper surface and the bottom surface,
And a portion where the upper surface and the outer circumferential surface meet and the portion where the bottom surface and the outer circumferential surface meet have a round shape.
제 1 항에 있어서, 상기 홀더는 폴리머를 포함하고,
상기 시즈닝 플레이트는 세라믹을 포함하는 패드 보정장치.
The method of claim 1 wherein the holder comprises a polymer,
The seasoning plate is a pad compensator comprising a ceramic.
삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 시즈닝 플레이트의 두께는 상기 홀더의 두께보다 더 큰 패드 보정장치.The pad compensator of claim 1, wherein a thickness of the seasoning plate is greater than a thickness of the holder. 제 1 패드;
상기 제 1 패드 상에 배치되고, 플레이트 형상을 가지고, 외측에 다수 개의 기어들을 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더;
상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트; 및
상기 홀더 상에 배치되는 제 2 패드를 포함하고,
상기 시즈닝 플레이트는
서로 마주보는 상면 및 바닥면; 및
상기 상면 및 상기 바닥면과 만나는 외주면을 포함하고,
상기 상면 및 상기 외주면이 만나는 부분 및 상기 바닥면 및 상기 외주면이 만나는 부분은 라운드 형상을 가지는 웨이퍼 연마장치.
A first pad;
A holder disposed on the first pad, having a plate shape, including a plurality of gears on the outside thereof, and having a receiving groove formed therein;
A seasoning plate disposed inside the receiving groove and having a plate shape; And
A second pad disposed on the holder,
The seasoning plate
Upper and lower surfaces facing each other; And
An outer circumferential surface that meets the upper surface and the bottom surface,
And a portion where the top surface and the outer circumferential surface meet and a portion where the bottom surface and the outer circumferential surface meet each other have a round shape.
제 5 항에 있어서, 상기 홀더는 상기 제 1 패드의 상면을 노출하는 더미 홀을 포함하는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus of claim 5, wherein the holder comprises a dummy hole exposing an upper surface of the first pad. 제 5 항에 있어서, 상기 시즈닝 플레이트는 원형 플레이트 형상을 가지는 웨이퍼 연마장치.The wafer polishing apparatus according to claim 5, wherein the seasoning plate has a circular plate shape. 제 5 항에 있어서, 상기 홀더에 인접하여 배치되며, 상기 홀더와 기어 접촉하는 선기어; 및
상기 홀더 및 상기 선기어를 둘러싸며, 상기 홀더와 기어 접촉하는 외부기어를 포함하는 웨이퍼 연마장치.
6. The apparatus of claim 5, further comprising: a sun gear disposed adjacent the holder and in gear contact with the holder; And
And an outer gear surrounding the holder and the sun gear and in gear contact with the holder.
플레이트 형상을 가지고, 외측에 형성되는 기어를 포함하고, 수용홈이 형성되는 홀더; 및 상기 수용홈 내측에 배치되고, 플레이트 형상을 가지는 시즈닝 플레이트를 포함하는 패드 보정장치를 사용하여, 패드를 보정하는 단계;
상기 패드의 상태를 검사하는 단계;
상기 패드를 사용하여 웨이퍼를 연마하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 검사하는 단계를 포함하고,
상기 시즈닝 플레이트는
서로 마주보는 상면 및 바닥면; 및
상기 상면 및 상기 바닥면과 만나는 외주면을 포함하고,
상기 상면 및 상기 외주면이 만나는 부분 및 상기 바닥면 및 상기 외주면이 만나는 부분은 라운드 형상을 가지는 웨이퍼를 연마하는 방법.
A holder having a plate shape and including a gear formed at an outer side thereof, the receiving groove being formed; And calibrating the pad using a pad compensator disposed inside the receiving groove and including a seasoning plate having a plate shape.
Checking the state of the pad;
Polishing the wafer using the pad; And
Inspecting the wafer,
The seasoning plate
Upper and lower surfaces facing each other; And
An outer circumferential surface that meets the upper surface and the bottom surface,
And a portion where the top surface and the outer circumferential surface meet and a portion where the bottom surface and the outer circumferential surface meet have a round shape.
KR1020100029552A 2010-03-31 2010-03-31 Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer KR101104489B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100029552A KR101104489B1 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100029552A KR101104489B1 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110109707A KR20110109707A (en) 2011-10-06
KR101104489B1 true KR101104489B1 (en) 2012-01-12

Family

ID=45026825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100029552A KR101104489B1 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101104489B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102150157B1 (en) * 2018-05-02 2020-08-31 에스케이실트론 주식회사 Carrier for Wafer Lapping Device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11254310A (en) 1998-03-06 1999-09-21 Fujikoshi Mach Corp Both surface polishing device
JP2000190200A (en) * 1998-12-25 2000-07-11 Mitsubishi Materials Silicon Corp Seasoning jig for polishing cloth
KR20050064242A (en) * 2003-12-23 2005-06-29 주식회사 실트론 A device and method for polishing-pad seasoning of a double-side polisher for wafer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11254310A (en) 1998-03-06 1999-09-21 Fujikoshi Mach Corp Both surface polishing device
JP2000190200A (en) * 1998-12-25 2000-07-11 Mitsubishi Materials Silicon Corp Seasoning jig for polishing cloth
KR20050064242A (en) * 2003-12-23 2005-06-29 주식회사 실트론 A device and method for polishing-pad seasoning of a double-side polisher for wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110109707A (en) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100780005B1 (en) Method and apparatus of polishing both faces of an object
EP1808887B1 (en) Production method of semiconductor wafer
US8398461B2 (en) Polishing method, polishing pad and polishing system
KR101565026B1 (en) Carrier for double-side polishing device, and double-side polishing device and double-side polishing method that use same
EP2127806B1 (en) Method of grinding semiconductor wafers, grinding surface plate, and grinding device
WO2009141961A1 (en) Double-head grinding apparatus and wafer manufacturing method
US11453098B2 (en) Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus, and double-side polishing method
KR101104489B1 (en) Apparatus for conditioning pad, wafer polishing apparatus having the same and method of polishing wafer
KR20050013436A (en) Chemical mechanical polishing apparatus having insert pad for forming local step
JP2009004616A (en) Device and method for polishing semiconductor wafer
KR100578133B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and polishing pad used in the apparatus
JP2006035369A (en) Surface polishing machine
KR101173766B1 (en) Apparatus for receiving wafer, carrier and apparatus for polishing wafer
KR100901019B1 (en) Double side polishing and polishing method having the same
KR101026574B1 (en) Carrier for double side polishing apparatus and plate used in the same and Apparatus for double side polishing
KR101043487B1 (en) A Device And Method For Polishing-Pad Seasoning Of A Double-Side Polisher For Wafer
KR101104569B1 (en) Wafer polishing apparatus and method for polishing wafer by using the same
JPH11333707A (en) Carrier
KR101584427B1 (en) Brush unit for cleaning wafer
KR101092980B1 (en) A apparatus for polishing a wafer
KR101292226B1 (en) A carrier and an wafer lapping apparatus including the same
CN212095829U (en) Polishing jig device
KR101051818B1 (en) Wafer polishing apparatus
JP3139753U (en) Double-side polishing machine
KR20100115076A (en) Top ring of chemical mechanical polishing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171222

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 9