KR20130066562A - 플래튼 폴리싱 스테이션 각각 마다의 복수-캐리어 헤드에서의 폴리싱 프로세스의 튜닝 - Google Patents
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Abstract
하나 또는 둘 이상의 복수의 캐리어 헤드들 내에 기판이 존재하지 않을 때 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드에서 폴리싱되는 기판을 시뮬레이팅하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은 적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 이용하여 단일 폴리싱 패드 상에서 복수의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 폴리싱 스테이션으로 단일 기판을 제공하는 단계, 제 2 캐리어 헤드가 기판이 없는 상태로 유지되는 동안 제 1 캐리어 헤드 내에서 단일 기판을 유지하는 단계, 상기 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해 가압하는 단계, 및 상기 폴리싱 패드와 상기 제 1 캐리어 헤드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명의 실시예들은 전체적으로 반도체 기판과 같은 기판을 폴리싱하는 것에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 실시예들은 플래튼 폴리싱 스테이션 각각 마다의 복수-캐리어 헤드에서의 기판에 대한 폴리싱 프로세스의 튜닝에 관한 것이다.
화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 기판 상에 증착된(deposited; 편의상 '증착'이라 함) 물질의 층을 평탄화 또는 폴리싱하기 위해서 고밀도 집적회로들의 제조에서 일반적으로 이용되는 하나의 프로세스이다. 기판은 폴리싱 스테이션으로 제공될 수 있고 그리고 캐리어 헤드 내에서 유지될 수 있으며, 상기 캐리어 헤드는 플래튼 상에 장착된 이동 폴리싱 패드에 대해서 기판을 제어가능하게 가압한다. CMP는 기판의 피쳐 측면 사이에 접촉을 제공함으로써 그리고 폴리싱 유체가 존재하는 동안 폴리싱 패드에 대해서 기판을 이동시킴으로써 효과적으로 사용된다. 화학적 및 기계적 작용의 조합을 통해서, 폴리싱 표면과 접촉하는 기판의 피쳐 측면으로부터 물질이 제거된다.
통상적인 CMP 폴리싱 스테이션들은 플래튼 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드들을 포함할 수 있고, 그에 따라 복수의 기판들이 플래튼에 의해서 지지된 공통 폴리싱 패드 상에서 동시에 프로세싱될 수 있을 것이다. 통상적인 폴리싱 스테이션들은 한번에 하나 보다 많은 기판을 폴리싱 함으로써 처리량을 증대시키는데 있어서 및/또는 툴 풋프린트(tool footprint)를 줄이는데 있어서 효과적이다. 이들 스테이션들은, 폴리싱될 기판들의 수가 플래튼 각각 마다의 캐리어 헤드들의 수와 동일할 때 효과적으로 이용된다. 이러한 스테이션들에서의 프로세스 레시피들은 공지되어 있으며, 그리고 폴리싱 유체 농도, 폴리싱 유체 분포, 뿐만 아니라 단일 패드 상에서 폴리싱되는 복수의 기판들에 의해서 발생되는 열과 같은 인자들이 이용되어, 최적화된 제거 속도들(rates) 및 제거 프로파일을 제공한다. 그러나, 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들이 폴리싱 프로세스에서 이용되지 못하는 경우가 있을 수 있을 것이다. 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들의 불용(non-use)은 사용되는 캐리어 헤드들에서 폴리싱되는 다른 기판들에 대한 폴리싱 프로세스에 불리하게 영향을 미칠 수 있을 것이다.
그에 따라, 다른 캐리어 헤드들이 기판을 포함하지 않을 때, 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드 내의 하나의 캐리어 헤드에서 폴리싱되는 기판에 대한 폴리싱 파라미터들을 제어하기 위해서 이용되는 방법 및 장치가 필요하다.
본원 발명은 일반적으로 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들 내에 기판이 존재하지 않을 때 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드의 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들 내에서 폴리싱되는 기판을 시뮬레이팅하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 공통 폴리싱 패드를 이용하여 기판을 유지하도록 그리고 기판을 프로세싱하도록 구성된 적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 가지는 프로세싱 스테이션에서 기판에 대한 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법이 설명된다. 그러한 방법은, 제 2 캐리어 헤드가 비어 있는 동안에 제 1 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 내에서 단일 기판을 유지하는 단계, 비어 있는 상태로 유지되는 상기 제 2 캐리어 헤드 상에 배치된 제 2 유지 링을 폴리싱 표면과 접촉되게 하면서 상기 제 1 캐리어 헤드 및 단일 기판을 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해서 가압하는 단계, 단일 기판과 폴리싱 패드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계, 및 상기 폴리싱 패드에 대한 제 2 유지 링의 압력 및 상기 폴리싱 패드에 대한 제 2 유지 링의 회전 속도 중 하나 이상을 변화시키는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 제 1 기판보다 더 많은 하나 이상의 기판을 공통 패드 상에서 프로세싱하도록 구성된 폴리싱 스테이션 내에서 적어도 제 1 기판에 대한 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법이 설명된다. 그러한 방법은 하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 내에 제 1 기판을 유지하는 단계, 하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 및 기판이 없이 유지되는 하나 이상의 비어 있는 캐리어 헤드 상에 배치되는 제 2 유지 링을 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해 가압하는 단계, 및 상기 폴리싱 패드와 상기 하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 설명된다. 그 방법은 적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 이용하여 공통 폴리싱 패드 상에서 하나 이상의 기판보다 더 많은 복수의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 폴리싱 스테이션에서 하나 이상의 기판을 수용하는 단계, 제 2 캐리어 헤드가 비어 있는 상태로 유지되는 동안 제 1 캐리어 헤드 상에 배치된 유지 링 내에 하나 이상의 기판을 배치하는 단계, 상기 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해 가압하는 단계, 및 상기 폴리싱 패드와 상기 제 1 캐리어 헤드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계를 포함한다.
본 발명의 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 폴리싱 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 폴리싱 스테이션의 일 실시예의 부분 단면도이다.
도 3은 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 기판들의 제거 속도들을 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 기판들의 제거 프로파일들을 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 폴리싱 기판들로부터 획득된 지형적(topographical) 데이터를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본원 발명의 방법의 일 실시예를 보여주는 흐름도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 구성요소들을 표시하기 위해 동일한 참조 번호가 사용되었다. 추가적인 언급이 없이도, 하나의 실시예에서 개시된 구성요소들이 다른 실시예들에서 유리하게 이용될 수 있는 것으로 생각된다.
도 1은 폴리싱 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 폴리싱 스테이션의 일 실시예의 부분 단면도이다.
도 3은 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 기판들의 제거 속도들을 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 기판들의 제거 프로파일들을 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 2의 폴리싱 스테이션의 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지되는 폴리싱 기판들로부터 획득된 지형적(topographical) 데이터를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본원 발명의 방법의 일 실시예를 보여주는 흐름도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 구성요소들을 표시하기 위해 동일한 참조 번호가 사용되었다. 추가적인 언급이 없이도, 하나의 실시예에서 개시된 구성요소들이 다른 실시예들에서 유리하게 이용될 수 있는 것으로 생각된다.
본원 발명의 실시예들은 일반적으로 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 이용하여, 반도체 기판과 같은 기판을 폴리싱하는 것에 관한 것이다. CMP 프로세스는 복수의 폴리싱 스테이션들을 가지는 폴리싱 시스템에서 설명된다. 폴리싱 스테이션들의 각각은 처리량을 높이기 위해서 및/또는 툴 풋프린트를 감소시키기 위해서 공통 플래튼 상에서 작동될 수 있는 복수의 캐리어 헤드들을 포함한다. 본원 발명의 실시예들로부터 이득을 얻을 수 있는 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드는 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있는 REFLEXION GTTM 폴리싱 시스템이다. 그러나, REFLEXION GT TM 폴리싱 시스템은 단지 대표적인 것이고 다른 폴리싱 시스템들 및/또는 폴리싱 스테이션들이 또한 이로울 수 있다. 회전가능한 플래튼 상에 배치된 원형 패드를 이용하여 CMP 프로세스를 예시적으로 설명한다. 그러나, 직사각형 폴리싱 패드들 또는 벨트-타입 폴리싱 패드들과 같은 다른 형상들을 가지는 폴리싱 패드들에 대해 다른 실시예들이 이용될 수 있을 것이다.
도 1은 하나 또는 둘 이상의 기판들을 프로세싱하기 위한 폴리싱 모듈(100)의 평면도이다. 폴리싱 모듈(100)은 복수의 폴리싱 스테이션들(124)을 적어도 부분적으로 지지하고 수용하는 폴리싱 플랫폼(106)을 포함한다. 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들(126)에서 유지되는 기판들을 폴리싱하도록 복수의 폴리싱 스테이션들(124)의 각각이 구성된다. 하나 또는 둘 이상의 기판들의 폴리싱이 단일 폴리싱 스테이션(124)에서 동시에 발생될 수 있도록, 폴리싱 스테이션들(124)은 하나 또는 둘 이상의 캐리어 헤드들(126)과 동시에 인터페이싱(interface)하도록 하는 크기를 가질 수 있을 것이다. 캐리어 헤드들(126)은 오버헤드 트랙(128)에 장착되는 캐리지(carriage; 108)에 커플링된다. 또한, 플랫폼(106)은 캐리어 헤드들(126)과 팩토리 인터페이스(미도시) 또는 다른 장치(미도시) 사이에서 이송 로봇(110)에 의해서 기판을 이송하는 것을 돕도록 구성된 하나 또는 둘 이상의 로드(load) 컵들(122)을 포함한다. 일반적으로, 로드 컵들(122)은 캐리어 헤드들(126) 각각과 로봇(110) 간의 이송을 돕는다.
오버헤드 트랙(128)은 각각의 캐리지(108)가 폴리싱 플랫폼(106) 주위에 선택적으로 배치될 수 있게 한다. 캐리지들(108) 및 오버헤드 트랙(128)의 구성은 로드 컵들(122) 및 폴리싱 스테이션들(124) 위에서 캐리어 헤드들(126)을 선택적으로 위치결정하는 것을 용이하게 한다. 도 1에 도시된 실시예에서, 오버헤드 트랙(128)은 원형 구성(점선으로 도시됨)을 가지며, 그러한 원형 구성에 의해서 캐리어 헤드들(126)을 유지하는 캐리지들(108)이 선택적으로 폴리싱 스테이션들(124) 및 로드 컵들(122)의 위에서 회전될 수 있고 및/또는 폴리싱 스테이션들(124) 및 로드 컵들(122)로부터 치워질(clear of) 수 있다. 오버헤드 트랙(128)이 타원형, 계란형, 선형 또는 다른 적합한 배향을 포함하는 다른 구성들을 가질 수 있을 것이다.
일반적으로, 각각의 폴리싱 스테이션(124)은 프로세싱 동안에 폴리싱 패드(130)를 회전시키는 플래튼(도 1에 도시되지 않음) 상에서 지지되는 폴리싱 패드(130)를 포함한다. 일 실시예에서, 각각의 폴리싱 스테이션(124)이 2개의 기판들을 동시에 유지할 수 있는 2개의 캐리어 헤드들(126)을 수용할 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 폴리싱 스테이션(124)은 2개의 컨디셔닝 모듈들(132) 및 2개의 폴리싱 유체 전달 모듈들(134)을 포함한다. 폴리싱 유체 전달 모듈들(134)이 폴리싱 패드(130)로 폴리싱 유체를 제공하는 동안, 컨디셔닝 모듈들(132)은 폴리싱 패드(130)의 폴리싱 표면을 컨디셔닝하거나 또는 거칠게(roughen)하도록 사용된다. 추가적으로, 폴리싱 유체 전달 모듈들(134)의 각각은 폴리싱 패드(130) 상으로 폴리싱 유체의 미리 결정된 분배를 독립적으로 제공하도록 위치된다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(130)는 화학적 기계적 폴리싱 및/또는 전기화학적 기계적 폴리싱 프로세스 중 하나 이상에 적합하다.
도 2는 도 1의 폴리싱 스테이션(124)의 부분적인 단면도이다. 폴리싱 스테이션(124)은 폴리싱 패드(130)가 상부에 장착된 상태의 플래튼(200)을 포함한다. 플래튼(200)은 회전 축선을 중심으로 플래튼(200) 및 폴리싱 패드(130)를 회전시키기 위해 모터(204) 및 샤프트(202)에 커플링된다. 폴리싱 스테이션(124)은 도 1에 도시된 바와 같은 캐리어 헤드들(126)과 유사한 2개의 캐리어 헤드들(206A, 206B)을 포함한다.
캐리어 헤드(206A, 206B)들의 각각은 모터(210)에 커플링된 샤프트(208A, 208B)에 커플링되어, 폴리싱 패드(130)의 폴리싱 표면(212)에 대해서 Z 방향으로 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)를 독립적으로 상승 또는 하강시킨다. 캐리어 헤드(206A, 206B)들의 각각은 폴리싱 패드(130) 및 플래튼(200)에 대해서 회전 축선을 중심으로 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)를 독립적으로 회전시키도록 구성된 회전 액추에이터(214)에 커플링된다. 또한, 캐리어 헤드(206A, 206B)들은 트랙(128)과 캐리지(108) 사이에 배치된 액추에이터들(미도시)에 의해서 제공되는 선형(X 또는 Y 방향) 또는 원호형(X 및 Y 방향) 운동으로 폴리싱 패드(130)의 폴리싱 표면(212)을 가로질러 스위핑(sweep)하도록 구성될 수 있을 것이다. 폴리싱 패드(130) 상으로 폴리싱 유체(220)를 공급하기 위해서, 폴리싱 유체 공급 노즐(218)이 폴리싱 패드(130) 위에 배치된다.
폴리싱 패드(130)는 폴리머 물질일 수 있고, 이는 폴리싱 프로세스 동안에 기판으로부터 물질들을 제거하는 것을 돕도록 전적으로 유전성일 수 있을 것이다. 대안적으로, 전기화학적 기계적 폴리싱(ECMP) 프로세스에서 기판들로부터의 물질의 전기화학적 분해(dissolution)를 돕기 위해서, 폴리싱 패드(130)가 적어도 부분적으로 전도성일 수 있을 것이다. 이용될 수 있는 적합한 폴리머계 물질들은 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플루오로폴리머들, PTFE, PTFA, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 또는 이들의 조합들, 그리고 기판 표면들을 폴리싱하는데 이용되는 다른 폴리싱 물질들을 포함한다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(130)는 반도체 기판들의 폴리싱에서의 서비스를 위한 폴리싱 패드들의 제조에서 통상적으로 이용되는 개방-기공형(open-pored) 또는 폐쇄-기공형 폴리우레탄 물질과 같은, 적어도 폴리머(polymeric) 물질로 제조된 폴리싱 표면을 포함한다. 다른 적용예에서, 폴리싱 패드(130)가 고정된 접착제들을 포함할 수 있을 것이다. 그에 따라, 폴리싱 유체(220)는 이용되는 폴리싱 프로세스에 따라서 슬러리 또는 전해질 유체일 수 있을 것이다.
캐리어 헤드(206A, 206B)들의 각각은 유지 링(224)에 의해서 제한된(circumscribed) 바디(222)를 포함한다. 캐리어 헤드(206A, 206B)들의 각각은 또한, 기판들(216A, 216B)이 캐리어 헤드(206A, 206B)들 내에 유지될 때, 기판들(216A, 216B)의 후방측면과 접촉하는 가요성 멤브레인(230) 근처에 있는 블래더(bladder; 228)를 포함한다. 블래더(228)가 가압되어 가요성 멤브레인(230)을 비틀(distort) 수 있는 힘을 가요성 멤브레인(230)으로 가할 수 있을 것이다. 블래더(228)는 개별적으로 가압되도록 구성된 둘 또는 셋 이상의 가변 압력 존들(zones)로 분할될 수 있을 것이다. 일 실시예에서, 블래더(228)는 가요성 멤브레인(230)을 통해서 기판으로 가해질 수 있는 상이한 압력들을 포함하도록 구성된 5개의 별도의 가압가능한 존들로 분할된다. 블래더(228)로부터 가요성 멤브레인(230)으로 가해진 힘들은 기판들(216A, 216B)의 부분들로 전달되며, 그리고 폴리싱 표면(212)을 향해서 기판들(216A, 216B)의 부분들을 가압하기 위해서 이용될 수 있을 것이다. 추가적으로, 기판들(216A, 216B)의 후방측면으로 캐리어 헤드 내에서의 기판들(216A, 216B)의 유지를 돕는 흡입(suction)을 인가하기 위해서, 캐리어 헤드(206A, 206B)들 내에 진공 포트들(미도시)이 제공될 수 있을 것이다.
각각의 유지 링(224)은 플라스틱과 같이 CMP 프로세스에서 화학적으로 불활성인 물질, 예를 들어, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 탄소 함유 PEEK 물질, TEFLON(등록상표) 함유 PEEK 물질, 또는 복합 물질을 포함할 수 있을 것이다. 각각의 유지 링(224)은 가변 압력 소오스(226)와 유체 소통한다. 가변 압력 소오스(226)에 의해서, 유지 링(224)이 적어도 Z 방향으로 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)의 바디(222)에 대해서 이동할 수 있게 된다. 가변 압력 소오스(226)는 모터(210)에 의해서 제공된 운동과 무관한 유지 링(224)의 Z 방향 운동을 제공하도록 구성된다. 가변 압력 소오스(226)는 유지 링(224)에 대해서 음압 또는 양압을 인가함으로써 유지 링(224)의 운동을 제공할 수 있을 것이다. 일 양태에서, 유지 링(224)에 음압이 인가되어, 유지 링(224)을 폴리싱 표면(212)으로부터 멀리 이격시킨다. 다른 실시예에서, 가변 압력 소오스(226)가 평방 인치당 약 1 파운드(PSI) 내지 약 12 PSI의 압력을 인가하여, Z 방향으로 폴리싱 표면(212)을 향해 유지 링(224)을 가압한다. 이용될 수 있는 캐리어 헤드들의 예들은 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 모두 입수 가능한 TITAN HEADTM 캐리어 헤드 및 TITAN PROFILERTM 캐리어 헤드를 포함한다.
2개의 반도체 기판들(216A, 216B)과 같은 짝수의 기판들이 폴리싱 모듈(100)(도 1)의 로드 컵들(122)로 제공될 때, 로드 컵들(122)로부터 캐리어 헤드(206A, 206B)들로의 2개의 기판들(216A, 216B)의 이송을 돕기 위해서, 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)가 로드 컵들(122)의 위에 배치된다. 기판들의 후방측면 상에 작용하는 캐리어 헤드(206A, 206B)들에 의해서 인가된 진공에 의해서 및/또는 가변 압력 소오스(226)로부터 유지 링(224)으로 인가된 압력에 의해서 기판들(216A, 216B)을 홀딩하도록 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)가 구성된다. 기판들(216A, 216B)이 캐리어 헤드(206A, 206B)들 내에서 일단 유지되면, 캐리어 헤드(206A, 206B)들은 캐리지들(108)(도 1) 및 모터들(210)(도 2)의 작용에 의해서 폴리싱 패드(130) 위에 배치된다. 가변 압력 소오스(226)로부터의 압력에 의한 유지 링(224)의 운동 및 모터들(210) 중 하나 또는 그들의 조합에 의해서 제공된 힘들에 의해서 프로세싱 동안에 폴리싱 패드(130)의 프로세싱 표면(212)을 향해서 각각의 캐리어 헤드(206A, 206B)들이 가압된다.
기판의 피쳐 측면과 폴리싱 패드(130)의 폴리싱 표면(212) 사이의 접촉을 돕는 방식으로 기판들(216A, 216B)이 유지 링(224) 내에서 홀딩된다. 가변 압력 소오스(226)가 약 6 PSI 내지 약 8 PSI의 압력을 제공하여, 폴리싱 표면(212)을 향해서 기판을 가압한다. 캐리어 헤드(206A, 206B)들 내에서 유지되는 기판들(216A, 216B) 상에서의 최적의 제거 속도 및 제거 프로파일을 제공하도록, 폴리싱 유체(220)의 농도, 폴리싱 유체(220)의 분배, 폴리싱 표면의 조도(roughness)뿐만 아니라 폴리싱 패드(130) 상에서 폴리싱되는 2개의 기판들에 의해서 발생되는 열과 같은 프로세싱 인자들이 최적화된다. 그러나, 하나의 기판만이 존재할 때, 생성된 온도 및 유체 유동이 폴리싱 프로세스에 영향을 미친다.
예를 들어, 폴리싱하고자 하는 기판들의 수와 이용가능한 캐리어 헤드들의 수에 불일치가 있을 때, 캐리어 헤드들의 일부만이 이용될 것이다. 예를 들어, 이용가능한 캐리어 헤드들이 2개이고 그리고 기판(216A) 또는 기판(216B)과 같은 하나의 기판이 폴리싱 스테이션(124)으로 제공될 때, 캐리어 헤드(206A, 206B)들 중 하나 만이 단일 기판을 폴리싱하기 위해서 이용될 것이다. 캐리어 헤드들(126) 중 하나만이 단일 기판을 폴리싱하기 위해서 이용될 때, 폴리싱 다이나믹들이 변화되고 그리고 단일 기판 상의 폴리싱 프로세스에 상당한 영향을 미칠 수 있을 것이다.
단일 기판의 폴리싱을 최적화하기 위해서 여러 가지 조정들이 폴리싱 파라미터들에 대해서 이루어질 수 있을 것이다. 하나의 예에서, 사용되지 않는 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B)가 폴리싱 표면(212)으로부터 멀리 이격되도록 작동될 수 있는 한편, 그 동안 다른 캐리어 헤드는 단일 기판을 폴리싱하도록 이용될 수 있을 것이다. 단일 기판에 대한 최적의 제거 속도 및 제거 프로파일을 달성하기 위한 노력으로서, 폴리싱 유체(220)의 유동 속도, 단일 기판을 가지는 캐리어 헤드의 회전 속도 및 하향력에 대한 조정들이 이루어질 수 있을 것이다. 그러나, 그러한 조정들은 시행착오를 기반으로 할 것이고 그리고 시간이 많이 소요되고 비용도 많이 소요될 것이다. 다른 예에서, 사용되지 않는 캐리어 헤드 내에서 더미 기판을 유지할 수 있을 것이다. 그러나, 필름 화학성분(chemistry) 및 폴리싱 유체(220) 사이의 불일치(mismatches)로 인해서 발생할 수 있는 입자 오염 및/또는 화학적 반응들 때문에, 칩 제조자들은 더미 기판의 이용을 꺼린다.
본원 발명자들은 2개의 기판들의 폴리싱을 모사(mimic)하기 위해서 사용되지 않는 또는 비어 있는 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B)를 이용할 수 있다는 것을 발견하였다. 추가적으로, 사용되지 않는 캐리어 헤드가 단일 기판에 대한 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 제어 노브(knob)로서 사용될 수 있을 것이다. 그에 따라, 2개의 기판들의 폴리싱의 프로세싱 인자들과 실질적으로 유사한 방식으로, 단일 기판의 폴리싱 내의 프로세싱 인자들이 유지될 수 있을 것이다. 또한, 사용되지 않는 또는 비어 있는 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B)를 이용하여 단일 기판 상에서의 폴리싱 프로세스를 튜닝할 수 있을 것이다. 예를 들어, 단일 기판의 제거 속도, 제거 프로파일 및/또는 토포그래피(topography)는 비어 있는 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B)를 폴리싱 패드(130) 위에서 조작함으로써 제어될 수 있을 것이다.
도 3은 나머지 캐리어 헤드들이 비어 있는 동안에 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B) 중 하나 내에서 유지되는 3개의 개별적인 기판들의 연속적인 폴리싱으로부터 획득한 제거 속도 데이터를 나타내는 그래프(300)이다. 사용된 캐리어 헤드 내에서 유지된 3개의 기판들의 각각으로부터의 데이터가 30 초의 기간 동안의 제거 속도를 나타내는 라인들(305, 310 및 315)로서 표시되어 있다. 캐리어 헤드 및/또는 플래튼의 회전 속도들, 하향력, 유지 링 압력, 폴리싱 유체 유량들뿐만 아니라 다른 프로세싱 파라미터들과 같이, 기판들의 각각을 폴리싱하는데 이용된 프로세싱 파라미터들은, 캐리어 헤드들 양자 모두가 기판들을 수용하고 있는 것처럼 그리고 동시적인 폴리싱 프로세스에서 이용되는 것처럼, 유지되었다. 라인들(305, 310 및 315)의 각각은 각 기판들의 제거 속도들을 나타낸다. 그래프(300)는, 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)에 인가되는 다양한 압력들을 이용하여 각 기판의 제거 속도를 변경 또는 튜닝하기 위해서 비어 있는 캐리어 헤드가 어떻게 이용될 수 있는지를 보여준다.
라인(305)은, 유지 링(224)을 폴리싱 표면(212)으로부터 이격시키는 진공에서 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 유지될 때 0.5 분당 약 4,000 옹스트롬(Å)의 구리 제거 속도를 보여준다. 라인(310)은 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 약 5 PSI의 압력으로 폴리싱 표면(212)에 대해서 가압될 때 0.5 분당 약 4,500 Å의 구리 제거 속도를 보여준다. 라인(315)은 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 약 7 PSI의 압력으로 폴리싱 표면(212)을 향해서 가압될 때 0.5 분당 약 5,000 Å의 구리 제거 속도를 보여준다. 그에 따라, 단일 기판의 제거 속도를 튜닝하기 위해서, 비어 있는 캐리어 헤드로 인가되는 압력의 변화들이 조작될 수 있을 것이다.
도 4는, 나머지 캐리어 헤드가 비어 있는 동안에, 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B) 중 하나 내에서 유지되는 2개의 개별적인 기판들의 연속적인 폴리싱으로부터 획득된 제거 프로파일을 나타낸 그래프(400)이다. 캐리어 헤드 및/또는 플래튼의 회전 속도들, 하향력, 유지 링 압력, 폴리싱 유체 유량들뿐만 아니라 다른 프로세싱 파라미터들과 같이, 기판들의 각각을 폴리싱하는데 이용된 프로세싱 파라미터들은, 캐리어 헤드들 양자 모두가 기판들을 수용하고 있는 것처럼 그리고 동시적인 폴리싱 프로세스에서 이용되는 것처럼, 유지되었다. 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링으로 인가된 압력은 약 2 PSI 내지 약 8 PSI, 예를 들어, 약 3 PSI 내지 약 6 PSI였다. 사용된 캐리어 헤드 내에서 유지된 2개의 기판들의 각각으로부터의 데이터가 라인들(405 및 410)로서 표시되어 있다. 그래프(400)는, 비어 있는 캐리어 헤드에 인가되는 다양한 회전 속도들을 이용하여 기판들의 제거 프로파일을 변경 또는 튜닝하기 위해서 비어 있는 캐리어 헤드가 어떻게 이용될 수 있는지를 보여준다. 변경된 회전 속도들은 변경된 마찰을 생성하고, 그러한 변경된 마찰은 폴리싱 패드의 폴리싱 표면 및/또는 폴리싱 액체의 온도 변화를 초래한다. 추가적으로, 변경된 회전 속도는 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 가로질러 폴리싱 유체의 유동을 변화시킨다. 온도 변화 및 폴리싱 유체의 유동 다이나믹 중 하나 또는 조합이 단일 기판의 제거 프로파일을 변화시킨다.
라인(405)은, 비어 있는 캐리어 헤드의 회전 속도가 약 7의 분당 회전수(RPM)였던 동안, 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지된 제 1 기판의 제거 프로파일을 보여준다. 라인(410)은 비어 있는 캐리어 헤드의 회전 속도가 약 77 RPM 이었던 동안, 캐리어 헤드들 중 하나 내에서 유지된 제 2 기판의 제거 프로파일을 보여준다. 그에 따라, 단일 기판의 제거 프로파일을 튜닝하기 위해서, 비어 있는 캐리어 헤드에 인가되는 회전 속도들의 변경이 조작될 수 있을 것이다.
도 5는 나머지 캐리어 헤드가 비어 있는 동안에, 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B) 중 하나 내에서 유지되는 3개의 개별적인 기판들의 폴리싱으로부터 획득된 토포그래픽 데이터를 나타낸 그래프(400)이다. 캐리어 헤드 내에서 유지되는 3개의 기판들의 각각으로부터의 데이터가 바아들(505, 510 및 515)로서 표시되어 있다. 캐리어 헤드 및/또는 플래튼의 회전 속도들, 하향력, 유지 링 압력, 폴리싱 유체 유량들뿐만 아니라 다른 프로세싱 파라미터들과 같이, 각 기판의 폴리싱에서 이용된 프로세싱 파라미터들은, 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B) 양자 모두가 기판들을 수용하고 있는 것처럼 그리고 동시적인 폴리싱 프로세스에서 이용되는 것처럼, 유지되었다. 바아들(505, 510 및 515)의 각각은 피쳐 밀도에 대한 토포그래픽 측정들을 나타낸다. 그래프(500)는, 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)으로 인가된 여러 가지 압력을 이용하여 3개의 기판들의 각각의 토포그래피를 변경 또는 튜닝하기 위해서 비어 있는 캐리어 헤드(126A) 또는 캐리어 헤드(206B)가 어떻게 이용될 수 있는지를 보여준다.
구역들(A-H)은 3개의 기판들 각각의 여러 영역들을 나타낸다. 구역(A)은 100 ㎛ 라인 폭/피쳐들 사이의 100 ㎛ 공간 또는 거리를 나타낸다. 구역(B)는 50 ㎛ 라인 폭/피쳐들 사이의 1 ㎛ 공간 또는 거리를 나타낸다. 구역(C)은 9 ㎛ 라인 폭/피쳐들 사이의 1 ㎛ 공간 또는 거리를 나타낸다. 구역(D, E, F, G 및 H)은 격리된 라인 폭들을 나타낸다(예를 들어, 라인들 근방에는 피쳐들이 없다). 구역들(D, E, F, G 및 H)은 10 ㎛, 20 ㎛, 30 ㎛, 50 ㎛, 및 100 ㎛의 격리된 라인 폭들을 각각 나타낸다.
바아(505)는 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 진공으로 유지되는 각각의 구역에서의 데이터를 도시하고, 그러한 진공은 유지 링(224)이 폴리싱 표면(212)으로부터 멀리 이격되게 한다. 바아(510)는 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 약 3 PSI의 압력으로 폴리싱 표면(212)에 대해서 가압되었던 각 구역에서의 데이터를 보여준다. 바아(515)는 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)이 약 6 PSI의 압력으로 폴리싱 표면(212)을 향해서 가압되었던 각 구역에서의 데이터를 보여준다.
그에 따라, 그래프(500)는 비어 있는 캐리어 헤드에 인가된 압력이 단일 기판의 토포그래피를 변경하기 위해서 이용될 수 있다는 것을 보여준다. 추가적으로, 피쳐들이 보다 더 조밀해지기 시작함에 따라, 비어 있는 캐리어 헤드가 단일 기판의 토포그래피에 상당한 영향을 미칠 수 있을 것이다.
도 3-5에 도시된 데이터는 단일 기판의 폴리싱에 영향을 미치는 상호작용들의 복합 세트로부터 얻어진 것이다. 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)으로 인가된 압력 및/또는 회전 속도는 폴리싱 패드(130)의 온도, 폴리싱 표면(212) 상의 거칠음(asperity)뿐만 아니라, 폴리싱 유체 및 부산물 분포에 영향을 미친다. 하나의 예에서, 보다 큰 압력이 비어 있는 캐리어 헤드의 유지 링(224)에 인가됨에 따라, 조합된 영향들은 단일 기판 상의 보다 높은 토포그래피를 초래한다.
도 6은 본원 발명의 방법(600)의 일 실시예를 도시한 흐름도이다. '610'에서, 단일 폴리싱 패드 상에서 복수의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 가지는 폴리싱 스테이션으로 기판이 제공된다. 일 실시예에서, 기판은 폴리싱 패드 각각 마다 2개의 캐리어 헤드들을 포함하는 폴리싱 스테이션으로 제공된 단일 기판이다.
'620'에서, 단일 기판은 제 1 캐리어 헤드내에서 유지된다. 제 2 캐리어 헤드는 기판이 없이 또는 비어 있는 상태로 유지된다. '630'에서, 제 1 및 제 2 캐리어 헤드들은 단일 폴리싱 패드의 프로세싱 표면에 대해서 가압된다. '640'에서, 제 1 캐리어 헤드 내에서 유지되는 단일 기판과 폴리싱 패드 사이의 상대적인 운동이 제공된다.
공통 폴리싱 패드를 공유하는 2개의 캐리어 헤드들을 가지는 폴리싱 스테이션으로 방법(600)이 설명되었지만, 그러한 방법은 또한 폴리싱 패드 각각 마다 3개 또는 4개의 캐리어 헤드들을 포함하는 폴리싱 스테이션에 대해서 이용될 수 있을 것이다. 하나의 예에서, 폴리싱 스테이션에 제공된 단일 폴리싱 패드 상에서 하나 이상의 부가적인 기판이 동시에 유지되고 폴리싱되도록 충분한 캐리어 헤드들을 폴리싱 스테이션이 포함할 수 있을 것이다. 일 실시예에서, 폴리싱 스테이션에 제공된 기판(들)은 "n" 기판으로서 지칭될 수 있고, 여기에서 n은 플래튼 각각 마다의 캐리어 헤드들의 수 보다 적은 정수이다. 이러한 실시예에서, 플래튼 각각 마다의 이용가능한 캐리어 헤드들의 수는 "h" 캐리어 헤드들로서 지칭될 수 있을 것이다. 예를 들어, 2개의 기판들이 3개의 캐리어 헤드들을 가지는 폴리싱 스테이션으로 제공될 수 있을 것이다. 이러한 예에서, n은 2개의 기판들과 같고 h는 3개의 캐리어 헤드들과 같다. 일 실시예에서, 예시적인 폴리싱 스테이션의 사용되지 않는 캐리어 헤드(들)가 "h-n" 캐리어 헤드로서 지칭되고 그리고 사용되는 캐리어 헤드(들)가 "h+n" 캐리어 헤드로서 지칭된다.
일 양태에서, h+n 캐리어 헤드들에 배치된 단일 기판의 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위해서, 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들)이 이용된다. 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들)의 회전 속도들을 변경함으로써, 폴리싱 패드에 대한 h-n 캐리어 헤드(들) 또는 사용되지 않는 캐리어 헤드의 압력을 변경함으로써, 또는 이들의 조합에 의해서, 폴리싱되는 기판에 대한 폴리싱 프로세스가 변화될 수 있을 것이다.
일 실시예에서, 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h+n 캐리어 헤드(들) 상에 배치된 유지 링이 약 6 PSI 내지 약 8 PSI의 제 1 압력으로 폴리싱 패드를 향해서 가압되는 한편, 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들) 상에 배치된 유지 링이 제 1 압력보다 낮은 제 2 압력으로 폴리싱 패드를 향해서 가압된다. 일 실시예에서, 제 2 압력이 약 2 PSI 내지 약 7 PSI, 예를 들어 약 5 PSI가 된다. 다른 실시예에서, 제 1 압력 및 제 2 압력이 실질적으로 동일하다.
다른 실시예에서, 사용되는 캐리어 헤드 또는 h+n 캐리어 헤드(들)은 회전하는 폴리싱 패드에 대해서 제 1 회전 속도로 상대적으로 회전되고, 그리고 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들)은 회전하는 폴리싱 패드에 대해서 제 2 회전 속도로 상대적으로 회전된다. 일 양태에서, 제 1 회전 속도 및 제 2 회전 속도가 서로 다르다. 예를 들어, 사용되는 캐리어 헤드 또는 h+n 캐리어 헤드(들)의 제 1 회전 속도가 약 77 RPM인 한편, 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들)의 제 2 회전 속도가 약 7 RPM 내지 약 15 RPM이다. 다른 실시예에서, 사용되는 캐리어 헤드 또는 h+n 캐리어 헤드(들)의 제 1 회전 속도 및 사용되지 않는 캐리어 헤드 또는 h-n 캐리어 헤드(들)의 제 2 회전 속도가 실질적으로 동일하다.
일반적으로, 본원에 기재된 실시예들은, 복수의 캐리어 헤드들 중의 하나 또는 둘 이상에 기판이 제공되지 않는 경우에, 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드에서 폴리싱되는 기판을 시뮬레이팅하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 플래튼 스테이션들 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드는 통상적으로 동일한 필름 두께, 다이 레이아웃(die layout) 및 통합(integration) 층을 가지는 기판에 대한 폴리싱 및 세정장치 레시피들을 이용한다. 스테이션으로 제공된 기판들의 수가 스테이션 상의 캐리어 헤드들의 수와 같은 경우에, 플래튼 스테이션들 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드가 양호하게 작용한다. 복수의 캐리어 헤드들 중 하나 또는 둘 이상이 기판을 가지지 않는 경우에, 본원에 설명된 실시예들은 각각의 캐리어 헤드들 내에서 기판들을 폴리싱하는 것의 다이나믹들(dynamics)을 모사하기 위해서 플래튼 스테이션 각각 마다의 복수의 캐리어 헤드에서 사용되지 않는 캐리어 헤드들을 이용하는 방법을 제공한다. 또한, 불용 캐리어 헤드 또는 헤드들은 폴리싱되고 이TSms 기판의 제거 속도, 제거 프로파일 및/또는 토포그래피를 튜닝하기 위해 사용될 수 있을 것이다. 본원에서 설명된 바와 같은 방법은 구리 또는 텅스텐과 같은 금속 필름들의 폴리싱에서 뿐만 아니라, 테트라에틸 오르소실리케이트(TEOS), 탄탈륨 질화물(TaN) 및 탄소 도핑된 실리콘 이산화물 필름들과 같은 배리어 및 유전체 필름들에서 이용될 수 있을 것이다.
하나의 작동 예에서, 단일 기판이 도 2의 폴리싱 스테이션(124)으로 제공된다. 단일 기판이 캐리어 헤드(126A) 내에 유지되는 한편, 캐리어 헤드(206B)는 비어 있는 상태로 유지된다. 플래튼(200)은 약 70 RPM 내지 약 90 RPM, 예를 들어 약 80 RPM 내지 약 86 RPM, 예를 들어 약 83 RPM의 회전 속도로 회전된다. 동시에, 캐리어 헤드(126A)가 약 70 RPM 내지 약 84 RPM, 예를 들어 약 72 RPM 내지 약 80 RPM, 예를 들어 약 77 RPM으로 회전된다. 폴리싱 유체(220)가 분당 약 300 밀리리터의 유량으로 양 폴리싱 유체 전달 모듈들(135)(도 1)로부터 유동된다. 약 0.5 PSI 내지 약 3.5 PSI, 예를 들어 약 1.5 PSI 내지 약 2.8 PSI, 예를 들어 2.4 PSI의 압력이 캐리어 헤드(206A) 내에 배치된 블래더(228)로 인가된다. 블래더(228)는 기판의 후방측면으로 압력을 인가하고 그리고 기판의 영역들을 폴리싱 표면(212)에 대해서 가압한다. 단일 기판 상에서의 폴리싱 프로세스를 실행하기 위해서, 캐리어 헤드(206A) 상의 유지 링(224)이 약 3 PSI 내지 약 10 PSI, 예를 들어 약 4 PSI 내지 약 8 PSI, 예를 들어 약 6 PSI의 압력으로 가압된다.
동시에, 비어 있는 캐리어 헤드(206B)가 약 70 RPM 내지 약 84 RPM, 예를 들어 약 72 RPM 내지 약 80 RPM, 예를 들어 약 77 RPM으로 회전된다. 약 0.0 PSI까지의 음압이 캐리어 헤드(206B) 내에 배치된 블래더(228)로 인가되어 가요성 멤브레인(230)이 폴리싱 표면(212)과 접촉하는 것을 방지한다. 캐리어 헤드(206B) 상의 유지 링(224)과 폴리싱 표면(212) 사이의 접촉을 촉진하기 위해서, 캐리어 헤드(206B) 상의 유지 링(224)이 약 3 PSI 내지 약 10 PSI, 예를 들어 약 4 PSI 내지 약 8 PSI, 예를 들어 약 6 PSI의 압력으로 가압된다. 그에 따라, 공통 폴리싱 패드(130) 상에서 폴리싱되는 2개의 기판들의 다이내믹들 생성 또는 모사하도록 캐리어 헤드(206B)가 구성된다. 이러한 예에서, 폴리싱되는 단일 기판의 제거 속도 및/또는 제거 프로파일은 공통 폴리싱 패드(130) 상에서 폴리싱되는 2개의 기판들의 제거 속도들 및/또는 제거 프로파일과 실질적으로 같을 수 있을 것이다.
본원 발명의 실시예들에 대해서 전술하였지만, 본원 발명의 기본 범위로부터 이탈하지 않고도 본원 발명의 여타 실시예들이 안출될 수 있을 것이며, 본원 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.
Claims (15)
- 공통 폴리싱 패드를 이용하여 기판을 유지하도록 그리고 기판을 프로세싱하도록 구성된 적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 가지는 프로세싱 스테이션에서 기판에 대한 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법으로서:
제 2 캐리어 헤드가 비어 있는 상태로 유지되는 동안에 제 1 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 내에서 단일 기판을 유지하는 단계;
상기 제 1 캐리어 헤드 및 단일 기판을 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해서 가압하면서 상기 비어 있는 상태로 유지되는 제 2 캐리어 헤드 상에 배치된 제 2 유지 링을 상기 폴리싱 표면과 접촉되게 하는 단계;
상기 단일 기판과 폴리싱 패드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계; 및
상기 폴리싱 패드에 대한 상기 제 2 유지 링의 압력 및 상기 폴리싱 패드에 대한 상기 제 2 캐리어 헤드의 회전 속도 중 하나 이상을 변화시키는 단계를 포함하는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링을 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해서 가압하는 단계를 더 포함하는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 캐리어 헤드 상에 배치된 제 2 유지 링이 상기 제 1 압력보다 낮은 제 2 압력으로 폴리싱 표면을 향해서 가압되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 캐리어 헤드 상에 배치된 제 2 유지 링이 제 2 압력으로 폴리싱 표면을 향해서 가압되고, 상기 제 1 압력 및 제 2 압력이 실질적으로 동일한, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캐리어 헤드가 상기 폴리싱 패드에 대해서 제 1 속도로 회전되고, 그리고 상기 제 2 캐리어 헤드가 상기 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 상기 폴리싱 패드에 대해서 회전되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캐리어 헤드가 상기 폴리싱 패드에 대해서 제 1 속도로 회전되고, 그리고 상기 제 2 캐리어 헤드가 상기 제 1 속도와 실질적으로 동일한 제 2 속도로 상기 폴리싱 패드에 대해서 회전되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유지 링이 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해서 가압되고, 그리고 상기 제 2 캐리어 헤드 상에 배치된 제 2 유지 링이 제 2 압력으로 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해서 가압되고, 상기 제 2 압력이 상기 제 1 압력과 같거나 그 보다 낮은, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 공통 패드 상에서 제 1 기판보다 더 많은 하나 이상의 기판을 프로세싱하도록 구성된 폴리싱 스테이션 내에서 적어도 제 1 기판에 대한 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법으로서:
하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 내에 제 1 기판을 유지하는 단계;
하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 상에 배치된 제 1 유지 링 및 기판이 없이 유지되는 하나 이상의 비어 있는 캐리어 헤드 상에 배치되는 제 2 유지 링을 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해 가압하는 단계; 및
상기 폴리싱 패드와 상기 하나 이상의 사용된 캐리어 헤드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계를 포함하는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 유지 링이 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드를 향해서 가압되고, 그리고 상기 제 2 유지 링이 상기 제 1 압력보다 낮은 제 2 압력으로 상기 폴리싱 표면을 향해서 가압되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 유지 링이 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드를 향해서 가압되고, 그리고 상기 제 2 유지 링이 제 2 압력으로 상기 폴리싱 표면을 향해서 가압되며, 상기 제 1 압력과 제 2 압력이 실질적으로 동일한, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 비어 있는 캐리어 헤드와 상기 폴리싱 패드 사이의 상대적인 운동을 제공하는 단계를 더 포함하는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 사용되는 캐리어 헤드가 제 1 속도로 회전되고, 그리고 상기 비어 있는 캐리어 헤드가 상기 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 회전되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 유지 링이 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드를 향해서 가압되고, 그리고 상기 제 2 유지 링이 상기 제 1 압력보다 낮은 제 2 압력으로 상기 폴리싱 표면을 향해서 가압되는, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 유지 링이 제 1 압력으로 상기 폴리싱 패드를 향해서 가압되고, 그리고 상기 제 2 유지 링이 제 2 압력으로 상기 폴리싱 표면을 향해서 가압되며, 상기 제 1 압력 및 제 2 압력이 실질적으로 동일한, 폴리싱 프로세스를 튜닝하기 위한 방법. - 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서:
적어도 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 이용하여 공통 폴리싱 패드 상에서 하나 이상의 기판보다 더 많은 복수의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 폴리싱 스테이션에서 하나 이상의 기판을 수용하는 단계;
제 2 캐리어 헤드가 비어 있는 상태로 유지되는 동안 제 1 캐리어 헤드 상에 배치된 유지 링 내에 하나 이상의 기판을 배치하는 단계;
상기 제 1 캐리어 헤드 및 제 2 캐리어 헤드를 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 향해 가압하는 단계; 및
상기 제 1 캐리어 헤드, 제 2 캐리어 헤드, 및 폴리싱 패드 사이에 상대적인 운동을 제공하는 단계를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
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