KR20130050228A - 분쇄에서의 종단점 검출 - Google Patents

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Abstract

분쇄를 수행하는 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스들을 위한 타겟 휠 로딩을 선택하는 단계, 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행과 함께, 분쇄 프로세스의 휠 로딩이 측정된다. 분쇄 프로세스는 타겟 휠 로딩에 도달될 때 정지된다. 이 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스의 타겟 반사율을 선택하는 단계, 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 대안적으로 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행과 함께, 웨이퍼의 표면으로부터 반사된 광의 반사율들이 측정된다. 분쇄 프로세스는 반사율들 중 하나가 타겟 반사율에 도달된 이후 정지된다.

Description

분쇄에서의 종단점 검출{END POINT DETECTION IN GRINDING}
집적 회로의 제조에 있어서, 분쇄(grinding)는 공통적으로 사용되는 기술이다. 분쇄 프로세스에서, 분쇄 휠(grinding wheel)이 웨이퍼 위에 배치된다. 분쇄 휠 및 웨이퍼 둘 다가 회전하여서, 웨이퍼의 두께는 분쇄 휠에 의한 표면층의 제거로 인해 감소된다.
디바이스 웨이퍼의 제조에 있어서, 분쇄는 실리콘 기판의 배면측 박화(backside thinning)에, 예를 들어, TSV(through-silicon via)의 형성에 이용될 수 있다. 분쇄 기술이 이용될 수 있는 다른 프로세스들이 존재한다. 팬-아웃 칩 스케일 패키지(fan-out chip scale package)의 형성에서, 디바이스 웨이퍼들은 쏘잉될(sawed) 수 있고, 알려진-양호한-다이(known-good-die)들이 선택되어 캐리어에 부착되며 알려진-양호한 다이들은 서로 이격된다. 알려진-양호한-다이들은 팬-아웃 접속들의 형성을 위해 구리 포스트들을 포함한다. 그 다음, 몰딩 화합물은 팬-아웃 웨이퍼를 형성하도록 알려진-양호한-다이들 위에 및 그 사이들에 충진된다. 몰딩 화합물의 경화 이후에, 구리 포스트들 위의 다른 유전체 재료들 및 몰딩 화합물의 부분들을 제거하기 위해 분쇄 프로세스가 수행될 수 있다. 구리 포스트들이 노출된 이후, 구리 포스트들을 접속하기 위해 전기적 접속들이 제조될 수 있어서, 팬-아웃 웨이퍼에 대한 접속들은 알려진-양호한-다이들의 영역보다 넓은 영역으로 연장된다.
분쇄될 층들은 종종 박층들이기 때문에, 분쇄 프로세스를 제때에 정확하게 정지하는 것이 집적된 제조 프로세스의 수율에 필수적이다. 예를 들어, 팬-아웃 웨이퍼의 제조시에, 팬-아웃 웨이퍼 전체에 걸쳐서 실질적으로 모든 알려진-양호한-다이들의 구리 포스트들이 완전하게 노출되고 실질적으로 어떠한 과-분쇄(over-grinding)도 일어나지 않았을 때 분쇄가 정지될 필요가 있다. 기존의 분쇄 기술에서, 분쇄 프로세스 동안 팬-아웃 웨이퍼의 총 두께를 검출하기 위해 계량기(gauge)가 이용된다. 총 두께가 미리-결정된 값으로 감소될 때, 구리 포스트들이 완전히 노출되었다고 가정된다. 그러나 이러한 검출 방법은 부정확하고 결과적으로 수율의 손실을 초래할 수 있다.
본 발명은 분쇄에서의 종단점 검출을 제공하고자 한다.
분쇄를 수행하는 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스를 위한 타겟 휠 로딩을 선택하는 단계, 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행과 함께, 분쇄 프로세스의 휠 로딩이 측정된다. 분쇄 프로세스는 타겟 휠 로딩에 도달될 때 정지된다. 이 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스의 타겟 반사율을 선택하는 단계, 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 대안적으로 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행과 함께, 웨이퍼의 표면으로부터 반사된 광의 반사율이 측정된다. 분쇄 프로세스는 반사율 중의 하나가 타겟 반사율에 도달된 이후 정지된다.
본 발명에 따라 분쇄에서의 종단점 검출을 제공할 수 있다.
실시예들과 그 이점들의 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면들과 함께 이루어지는 이하의 설명들을 이제 참조한다.
도 1은 디바이스 다이들 및 디바이스 다이들을 몰딩하기 위한 몰딩 화합물을 포함하는 웨이퍼의 단면도를 예시하며, 여기서 분쇄 프로세스가 웨이퍼에 대해 수행되고 휠 로딩이 측정된다.
도 2는 시간의 함수로서 분쇄 프로세스에서 휠 전류를 개략적으로 예시하는 도면.
도 3은 상이한 모드들이 분쇄 프로세스의 스테이지들을 표현하기 위해 이용되는, 도 1에서 도시된 웨이퍼의 부분의 단면도.
도 4는 분쇄 프로세스에서 휠 전류의 함수로서 구리 포스트들의 구리 노출 레이트들(copper exposure rates)을 개략적으로 예시하는 도면.
도 5는 디바이스 다이들 및 디바이스 다이들을 몰딩하기 위한 몰딩 화합물을 포함하는 웨이퍼의 단면도를 예시하며, 여기서 분쇄 프로세스가 웨이퍼에 대해 수행되고 웨이퍼의 반사율(reflectivity)이 측정된다.
도 6은 반사율을 측정하기 위해 광이 웨이퍼 상에 방출되는 것을 예시하며, 여기서 웨이퍼는 회전된다.
도 7은 분쇄 프로세스에서 시간의 함수로서 웨이퍼로부터 반사광의 광 세기(light intensity)를 개략적으로 예시하는 도면.
도 8은 분쇄 시간의 함수로서 수신된 반사광의 세기 및 샘플 웨이퍼의 두께들을 예시하는 도면.
본 개시의 실시예들을 제조 및 이용은 이하에 상세히 설명된다. 그러나 실시예들은 매우 다양한 특정한 상황들에서 구현될 수 있는 다수의 응용 가능한 진보성있는 개념들을 제공한다는 것이 이해되어야 한다. 설명되는 특정 실시예들은 단지 예시적이며 본 개시의 범위를 제한하지 않는다.
분쇄 프로세스에서 종단점들을 검출하는 방법은 다양한 실시예들에 따라 제공된다. 실시예들의 변형들이 설명된다. 다양한 도면들 및 예시적인 실시예들 전체에 걸쳐서, 유사한 참조 번호들은 유사한 엘리먼트들을 지정하는데 이용된다. CSP들(chip level packages)을 위한 팬-아웃 웨이퍼들이 예로서 이용되지만, 실시예들에 따른 종단점 검출 방법들은 디바이스 웨이퍼들과 같이 다른 타입들의 웨이퍼들의 분쇄에 있어 종단점들을 검출하기 위해서도 이용될 수 있다.
도 1은 예를 들어, 팬-아웃 접속들을 형성하기 위한 팬-아웃 웨이퍼일 수 있는 웨이퍼(20)의 단면도를 예시한다. 웨이퍼(20)는 다이들(22)을 포함한다. 일 실시예에서, 다이들(22)은 트랜지스터들(도시되지 않음)과 같은 능동 디바이스들을 포함하는 디바이스 다이들이다. 다이들(22)은 접착제(42)를 통해 캐리어(40) 상에 접착될 수 있다. 다이들(22)의 상부면에 인접하게, 다이들(22)에 미리-형성된 금속 포스트들(26)(예를 들어, 구리 포스트들일 수 있음)이 있으며, 다이들(22)의 능동 디바이스들에 전기적으로 결합될 수 있다. 몇몇의 실시예들에서, 폴리이미드 층일 수 있는 폴리머층(28)이 금속층(26) 상에 형성된다. 몰딩 화합물(30)이 다이들(22) 사이의 공간 및 다이(22) 위에 충진된다. 웨이퍼(20)의 재료들 및 구조들은 실시예들의 개념을 설명하기 위한 예시들이며, 상이한 재료들 및 구조들을 갖는 웨이퍼들이 실시예들에 따른 종단점 검출 방법들을 이용하여 분쇄될 수 있다는 것을 주의한다. 예시적인 실시예들에 따라, 분쇄 프로세스는 몰딩 화합물(30) 및 폴리머층(28)의 부분들을 제거하고, 금속 포스트들(26)을 노출시키도록 이용되어서, 팬-아웃 접속들은 금속 포스트들(26)에 전기적으로 결합하도록 형성되게 할 수 있다.
웨이퍼(20)는 웨이퍼(20)의 상부면을 분쇄하기 위해 거친입자(grit)를 갖는 분쇄 휠(46)을 포함하는 분쇄 툴(44)에 의해 분쇄된다. 분쇄 프로세스 동안, 분쇄 휠(46) 및 웨이퍼(20) 둘 다기 회전한다. 분쇄 툴(44)은 분쇄 프로세스를 제어하고 분쇄휠(46)의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛(48)을 추가로 포함한다. 분쇄 프로세스 동안, 제어 유닛(48)은 분쇄되고 있는 표면을 검출하고 이에 따라 분쇄 프로세스의 휠 로딩을 조정할 수 있다. 몇몇의 실시예들에서, 분쇄 툴(44)은 분쇄 휠(46)을 구동하기 위한 휠 전류를 조정하고, 그에 따라 휠 전류는 예시적인 실시예들에 따른 휠 로딩을 표현하는데 이용될 수 있다. 휠 전류가 휠 로딩의 표시로서 이용될 수 있는 예시적인 분쇄 툴들은 Disco Corporation에 의해 제조된 DGP8761을 포함한다. 대안적인 실시예들에서, 휠 로딩 및/또는 분쇄된 표면의 저항력(resistance force)은 다른 파라미터들을 이용하여 표현될 수 있다.
도 2는 샘플 웨이퍼의 예시적인 분쇄 프로세스에서 분쇄 시간의 함수로서 휠 전류를 개략적으로 예시한다. 분쇄 프로세스에서, 휠 로딩은, 몰딩 화합물층, 폴리이미드층, 및 구리층의 분쇄에 각각 대응하는 50A, 50B 및 50C를 포함하는, 샘플 웨이퍼의 몇 개의 섹션들을 포함한다. 도 2는 상이한 재료들에 대해 휠 전류(휠 로딩)가 상이하다는 것을 예시한다.
분쇄 프로세스가 진행됨에 따라, 상위층들은 제거되고 하위층들이 노출되고 분쇄된다. 도 3은 금속 포스트들(26), 폴리머층(28), 및 몰딩 화합물(30)을 포함하는 도 1의 구조의 부분의 단면도를 예시한다. 도 3은 분쇄 프로세스의 스테이지들이 몇 개의 모드들, 즉 A 모드, B 모드, C 모드, 및 O 모드에 의해서 표현된다는 것을 개략적으로 예시한다. A 모드 동안, 몰딩 화합물(30) 및 폴리머 층(28)이 분쇄되고, 실질적으로 금속 포스트들(26) 중 어느것도 분쇄되지 않는다. B 모드 동안, 웨이퍼(20) 전체에 걸쳐서 금속 포스트들(26) 중 일부가 노출되고 분쇄되고, 노출된 금속 포스트들(26)은 분쇄된 끝(tip)을 가지는 반면, 더 큰 상부-관측 영역들을 갖는 하위 부분들은 아직 분쇄되지 않았을 수 있다. C 모드 동안, 실질적으로 금속 포스트들(26) 모두가 노출되고 분쇄되고, 웨이퍼(20) 전체에 걸쳐서 금속 포스트들(26)에 대해 실질적으로 어떠한 과-분쇄도 발생하지 않는다. O 모드에서, 과-분쇄가 발생한다. A 모드 및 O 모드는 바람직하지 않고 장애 모드들일 수 있는 반면에, 분쇄의 최적의 종단점은 C 모드에서, 또는 적어도 B 모드에서 발견될 수 있다는 것이 바람직하다.
휠 로딩은 상이한 재료들을 분쇄들에 대해 상이하기 때문에(도 3에서 표시된 바와 같이), A 모드, B 모드, 및 C 모드의 휠 로딩은 상이하다. A, B, 및 C 모드들에 대응하는 휠 로딩은 샘플 웨이퍼를 분쇄함으로써 발견될 수 있고, 모드들과 대응하는 휠 로딩간의 상관을 발견하기 위해 분쇄 프로세스 동안 주기적으로 샘플 웨이퍼를 검사할 수 있다. 그 다음, 상관은 분쇄 프로세스들의 최적의 종단점들을 결정하기 위해 이용될 수 있으며, 여기서 분쇄 프로세스들은 샘플 웨이퍼와 동일한 구조를 갖는 제품 웨이퍼들을 분쇄하기 위해 이용된다.
도 4는 샘플 팬-아웃 웨이퍼의 분쇄 프로세스로부터 획득된 실험 결과들을 예시하며, 여기서 (금속 포스트들(26)의) 구리 노출 레이트들은 휠 전류로서 표현되는 휠 로딩의 함수로서 예시된다. 지점들(52A, 52B, 52C, 및 52D)은 샘플 팬-아웃 웨이퍼가 검사되는 지점들이다. 지점(52A)은 8.8 amps의 휠 전류에 대응하며, 이 때, A 모드, B 모드, C 모드 및 O 모드의 수는 937개의 다이들 중에서, 각각 936, 0, 0 및 1이다. 지점(52B)은 9.1 amps의 휠 전류에 대응하며, 이 때, A 모드, B 모드, C 모드 및 O 모드의 수는 각각 666, 265, 2 및 1이다. 지점(52C)은 9.4 amps의 휠 전류에 대응하며, 이 때, A 모드, B 모드, C 모드 및 O 모드의 수는 각각 150, 711, 73 및 1이다. 지점(52D)은 10 amps의 휠 전류에 대응하며, 이 때, A 모드, B 모드, C 모드 및 O 모드의 수는 937개의 다이들 중에서, 각각 9, 501, 424 및 1이다. 지점(52D)에서, 단지 9개의 다이들이 여전히 A 모드에 있는 반면에, 937개 중에서 925개의 다이들이 B 모드 또는 C 모드에 있다. A 모드 및 B 모드로부터의 더 많은 다이들을 C 모드가 되게 하기 위해, 추가의 분쇄는 약 1.1㎛와 동일한 두께를 갖는 웨이퍼(20)의 부가적인 층을 제거하도록 수행된다(10 amps 휠 전류를 이용함). 그 결과, A 모드, B 모드, C 모드 및 O 모드의 다이들의 수는 각각 0, 16, 918 및 1이다. 이는 구리 노출 레이트의 99.7퍼센트와 같다(도 4). 이러한 실험 결과들은 휠 전류와 같은 휠 로딩이 최적의 종단점들을 결정하기 위한 표시자로서 이용될 수 있다는 것을 표시한다.
일반적으로, 실시예들에 따라, 최적의 종단점에 대응하는 타겟 휠 로딩은 예를 들어, 샘플 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하고 타겟 휠 로딩을 발견함으로써 발견될 수 있다(예를 들어, 도 4의 10 amps 전류). 샘플 웨이퍼와 동일한 구조를 갖는 제품 웨이퍼들 상에서, 최적의 종단점은 타겟 휠 로딩에 도달될 때일 수 있다. 다른 실시예들에서, 종단점은 이렇게 결정되어 타겟 휠 로딩에 도달된 이후, 미리 결정된 분쇄 두께(예를 들어, 도 4에서 도시된 예에서와 같이 1.1㎛)까지 웨이퍼의 두께를 감소시키도록 연장된 분쇄가 수행되게 된다. 미리 결정된 분쇄두께는 약 1㎛와 약 5㎛ 사이가 또한 될 수 있다. 이러한 미리 결정된 분쇄 두께는 일 예이며, 상이한 웨이퍼들을 분쇄하기 위해 그리고 다른 특징들을 노출하기 위해 변경될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 종단점이 이렇게 결정되어, 타겟 휠 로딩에 도달된 이후, 연장된 기간의 분쇄 시간동안 연장된 분쇄가 수행되게 된다. 예시적인 실시예에서, 연장된 분쇄는 약 10초와 약 40초 사이에서 수행될 수 있다. 연장된 분쇄에 대 한 최적의 지속기간은 실험들을 통해 발견될 수 있다. 몇몇의 실시예들에서, 도 1에서와 같은 분쇄 툴(44)은 타겟 휠 로딩에 도달된 이후 연장된 분쇄를 자동으로 수행하고, 그 다음 분쇄 프로세스를 정지할 수 있다. 다른 실시예들에서, 연장된 분쇄 프로세스는 수동으로 수행될 수 있다.
도 5 내지 7은 대안적인 실시예들에 따라 분쇄 프로세스의 종단점들을 결정하기 위한 방법을 예시한다. 이 실시예들은 휠 로딩보단, 분쇄되는 웨이퍼의 표면으로부터 측정된 반사율이 최적의 종단점을 결정하기 위한 기준으로서 이용된다는 점을 제외하고, 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예들과 유사하다. 달리 명기되지 않은 경우, 이 실시예들에서의 컴포넌트들의 재료들 및 형성 방법들은 기본적으로 도 1 내지 도 4에서 도시된 실시예들에서의 유사 참조 번호들에 의해 표시된 유사 컴포넌트들과 동일하다.
도 5를 참조하면, 발광/수광 계량기들(60)이 반사율의 측정을 위해 이용되며, 발광/수광 계량기들(60)은 방출광(62)을 위한 발광 계량기(60A) 및 반사광(64)을 수신하기 위한 수광 계량기(60B)를 포함할 수 있다. 발광/수광 계량기들(60)은 분쇄 프로세스 동안 웨이퍼(20)와 접촉하지 않은 비-접촉 계량기들이다. 발광/수광 계량기들(60)은 방출광(62)의 반사율을 측정하고, 반사광의 세기를 측정하고, 반사율을 계산하도록 구성된 반사율 측정 툴의 부분들일 수 있다. 광(64)이 표면으로부터 및 웨이퍼(20)의 내부 피처들로부터도 반사될 수 있기 때문에, 반사율은 표면 재료들 및 웨이퍼(20)의 표면 아래 매립된 재료들의 함수일 수 있다. 반사율은 또한 웨이퍼(20)에서의 피처들의 토폴로지의 함수일 수 있다.
도 6을 참조하면, 분쇄 프로세스 동안, 발광/수광 계량기들(60)에 의해 방출된 광(62)은 웨이퍼(20)의 지점(68)으로 투영된다(웨이퍼(20)의 회전을 통해 실질적으로 원을 형성함). 광(62)이 고정된 방향으로 투영될 수 있고 동시에 금속 포스트(26)(도 1) 중 하나에 투영될 수 있는 경우조차, 웨이퍼의 스피닝(spinning)에 의해, 상이한 시간 지점(time point)들에서, 광(62)은 다이들(22)(도 5) 사이의 몰딩 화합물(30)과 같은 웨이퍼(20)의 다른 피처들에 투영될 수 있다는 것이 이해된다. 이에 따라, 측정된 반사율은 원(68)으로터 획득한 평균화된 결과이다.
도 7은 예시적인 분쇄 프로세스에 있어서의 시간의 함수로서 반사광(64)(도 5)의 세기를 개략적으로 예시한다. 도 5의 입사광(62)은 고정된 세기를 가질 수 있기 때문에, 반사광(64)의 세기는 반사광(64)의 세기를 입사광(62)의 세기로 나눔으로써 계산될 수 있는 반사율을 또한 표현할 수 있다. 분쇄 프로세스에서, 예시된 광 세기는 몰딩 화합물층, 폴리이미드층, 구리층의 분쇄에 각각 대응하는 70A, 70B, 70C를 포함하는 몇 개의 섹션들을 포함한다. 상이한 재료들에 대해, 도 7은 반사광(64)의 세기들, 및 이에 따른 반사율이 상이하다는 것을 나타낸다. 이에 따라, 반사율은 분쇄 프로세스의 최적의 종단점을 결정하기 위한 표시자로서 이용될 수 있다.
도 8은 샘플 팬-아웃 웨이퍼의 분쇄 프로세스로부터 획득된 실험 결과를 예시하며, 샘플 웨이퍼의 두께 및 반사광의 세기는 분쇄 시간의 함수로서 예시된다. 왼쪽의 Y-축은 웨이퍼 두께들을 도시하고, 라인들(82 및 84)에 대응한다. 오른쪽의 Y-축은 광세기를 도시하며 파형(86)에 대응한다. 라인(82)은 분쇄 시간의 함수로서 몰딩 화합물(30)(도 1)의 두께를 나타내는 반면에, 라인(84)은 분쇄 시간의 함수로서 실리콘 기판(24)(도 1)의 두께를 나타낸다. 도 8에서 도시된 바와 같이, 몰딩 화합물(30)의 두께는 분쇄 프로세스의 진행과 함께 감소된다. 반면에, 폴리머층(28) 및 구리 포스트들과 같은 다른 피처들이 시간적으로 분쇄의 진행과 함께 노출될 수 있기 때문에, 광 세기(파형(86))가 증가한다. 몰딩 화합물(30), 폴리머층(28), 금속 포스트들(26), 및 실리콘 기판(24)이 분쇄되는 영역들은 영역들(88A, 88B, 88C 및 88D)로서 또한 도시된다. 금속 포스트들(26) 및 폴리머층(28) 둘 다가 분쇄될 때 최적의 종단점이 선택될 수 있다. 이에 따라, 시간 지점(T0)은 예시적인 최적의 종단점으로서 선택될 수 있고, 대응하는 광 세기(I0)는 타겟 반사율을 계산하기 위해 이용된다.
일반적으로, 실시예들에 따라, 최적의 종단점에 대응하는 타겟 반사율은 예를 들어, 샘플 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행함으로써, 주기적으로 검사를 수행함으로써, 및 타겟 반사율을 계산함으로써(예를 들어, 도 8에서의 세기 레벨(I0)로부터) 발견될 수 있다. 샘플 웨이퍼와 동일한 구조를 갖는 제품 웨이퍼들 상에서, 최적의 종단점은 타겟 반사율에 도달될 때이다. 다른 실시예들에서, 최적의 종단점이 이렇게 결정되어, 타겟 반사율에 도달된 이후, 연장된 분쇄는 분쇄 시간의 연장된 기간 동안 또는 미리 결정된 값으로 웨이퍼(20)의 두께를 감소시키기 위해 수행된다. 연장된 분쇄를 위한 최적의 지속기간은 심험들을 통해 발견될 수 있다.
실시예들에 따라, 분쇄를 수행하기 위한 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스를 위한 타겟 휠을 선택하는 단계, 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행을과 함께, 분쇄 프로세스의 휠 로딩이 측정된다. 분쇄 프로세스는 타겟 휠 로딩에 도달된 이후 정지된다.
다른 실시예들에 따라, 방법은 분쇄 휠을 이용하여 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계, 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계 동안, 분쇄 휠을 구동하기 위한 휠 전류를 모니터링하는 단계; 분쇄 프로세스의 최적의 종단점을 결정하도록 샘플 웨이퍼를 검사하는 단계; 및 최적의 종단점에 대응하는 휠 전류 중의 하나를 타겟 휠 전류로서 기록하는 단계를 포함한다. 분쇄 프로세스는 샘플 웨이퍼와 실질적으로 동일한 제품 웨이퍼에 대해 수행된다. 제품 웨이퍼를 분쇄하는 단계 동안, 제품 휠을 분쇄하기 위한 휠 전류가 모니터링된다. 분쇄 프로세스는 타겟 휠 전류가 도달될 때 정지된다.
또 다른 실시예들에 따라, 방법은 웨이퍼 분쇄 프로세스의 타겟 반사율을 선택하는 단계; 및 웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 분쇄 프로세스의 진행과 함께, 웨이퍼의 표면으로부터 반사된 광의 반사율들을 측정된다. 분쇄 프로세스는 반사율들 중 하나가 타겟 반사율에 도달된 이후 정지된다.
실시예들 및 그 이점들이 상세히 기술되었지만, 다양한 변경들, 교체들 및 변형들은 여기서 첨부된 청구항들에 정의된 것과 같은 실시예들의 사상 및 범위로부터 벗어남 없이 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 본 출원의 범위는 명세서에서 기술된 대상(matter), 수단, 방법들 및 단계들의 프로세스, 기계, 제조 및 구성의 특정한 실시예들로 제한되지 않도록 의도된다. 당업자는 본 개시를 쉽게 이해할 것이기 때문에, 여기서 기술되는 대응하는 실시예들과 실질적으로 동일한 결과를 달성하거나 실질적으로 동일한 기능을 수행하는, 현재 존재하거나 추후에 개발되는 대상, 수단, 방법들, 또는 단계들의 프로세스들, 기계들, 제조, 구성들은 본 개시에 따라 활용될 수 있다. 이에 따라, 첨부된 청구항들은 대상, 수단, 방법들 또는 단계들의 이러한 프로세스들, 기계들, 제조 또는 구성들을 그들의 범위 내에 포함하도록 의도된다. 또한, 각 청구항은 개별적인 실시예들을 구성하고, 다양한 청구항들 및 실시예들의 조합은 본 개시의 범위 내에 있다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼 분쇄 프로세스를 위한 타겟 휠 로딩을 선택하는 단계;
    웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하고, 상기 분쇄 프로세스의 진행과 함께 상기 분쇄 프로세스의 휠 로딩(wheel loading)을 측정하는 단계; 및
    상기 타겟(target) 휠 로딩에 도달된 후에 상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 휠 로딩에 도달될 때, 미리 결정된 두께를 갖는 웨이퍼의 층을 제거하도록 연장된 분쇄(extended grinding)를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료 시에 수행되는 것인 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 휠 로딩에 도달될 때, 미리 결정된 기간 동안 연장된 분쇄를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료시에 수행되는 것인 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 휠 로딩을 선택하는 단계는,
    상기 웨이퍼와 동일한 구조를 갖는 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계;
    상기 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계 동안, 상기 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 휠 로딩을 모니터링하는 단계;
    상기 분쇄 프로세스의 최적의 종단점을 결정하도록 상기 샘플 웨이퍼를 검사하는 단계; 및
    상기 최적의 종단점에 대응하는 휠 로딩 중의 하나를 타겟 휠 로딩으로서 기록하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  5. 분쇄 휠을 이용하여 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계;
    상기 샘플 웨이퍼를 분쇄하는 단계 동안, 상기 분쇄 휠을 구동하는 휠 전류를 모니터링하는 단계;
    상기 분쇄 프로세스의 최적의 종단점을 결정하도록 상기 샘플 웨이퍼를 검사하는 단계;
    상기 최적의 종단점에 대응하는 휠 전류 중의 하나를 타겟 휠 전류로서 기록하는 단계;
    상기 샘플 웨이퍼와 동일한 제품 웨이퍼(production wafer)에 대해 분쇄 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제품 웨이퍼를 분쇄하는 단계 동안, 상기 제품 웨이퍼를 분쇄하는 휠 전류를 모니터링하는 단계; 및
    상기 타겟 휠 전류에 도달될 때 상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계
    를 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 타겟 휠 전류에 도달될 때, 미리 결정된 두께를 갖는 제품 웨이퍼의 층을 제거하도록 연장된 분쇄를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료 시에 수행되는 것인 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 타겟 휠 전류에 도달될 때, 미리 결정된 기간 동안 연장된 분쇄를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료 시에 수행되는 것인 방법.
  8. 웨이퍼 분쇄 프로세스의 타겟 반사율을 선택하는 단계;
    웨이퍼에 대해 분쇄 프로세스를 수행하고, 상기 분쇄 프로세스의 진행과 함께 상기 웨이퍼의 표면으로부터 반사된 광의 반사율을 측정하는 단계; 및
    상기 반사율 중의 하나가 상기 타겟 반사율에 도달된 후에 상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계
    를 포함하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 타겟 반사율에 도달될 때, 미리 결정된 두께를 갖는 웨이퍼의 층을 제거하도록 연장된 분쇄를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료시에 수행되는 것인 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 타겟 반사율에 도달될 때, 미리 결정된 기간 동안 연장된 분쇄를 수행하는 단계를 더 포함하고,
    상기 분쇄 프로세스를 정지하는 단계는 상기 연장된 분쇄의 종료 시에 수행되는 것인 방법.
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