KR20130045080A - Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same - Google Patents

Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130045080A
KR20130045080A KR1020110109534A KR20110109534A KR20130045080A KR 20130045080 A KR20130045080 A KR 20130045080A KR 1020110109534 A KR1020110109534 A KR 1020110109534A KR 20110109534 A KR20110109534 A KR 20110109534A KR 20130045080 A KR20130045080 A KR 20130045080A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
substrate
thin substrate
chuck
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020110109534A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김윤수
김진구
권영도
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020110109534A priority Critical patent/KR20130045080A/en
Priority to JP2011285268A priority patent/JP2012142575A/en
Publication of KR20130045080A publication Critical patent/KR20130045080A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus for attaching and detaching a supporter for a thin film substrate and an attaching and detaching method thereby are provided to prevent the thin film substrate from being bent in a WLP(Wafer Level Package) process by easily attaching and detaching the thin film substrate. CONSTITUTION: A cylinder(110) is mounted on a body and is vertically driven. A vacuum chamber(120) is mounted on the body. A vacuum chuck(130) is combined with the cylinder in the vacuum chamber. A porous chuck(140) is mounted on the supporter installed in the body and is combined with a thin film substrate. A heater(150) is mounted on the vacuum chamber.

Description

박형 기판용 지지체 탈부착 설비 및 그에 의한 탈착 방법{APPARATUS FOR ATTACHING AND DETACHING SUPPORT FOR FILM SUBSTRATE AND DETACHING METHOD USING THE SAME}A support for attaching and detaching a support for a thin substrate and a method for desorption thereof {APPARATUS FOR ATTACHING AND DETACHING SUPPORT FOR FILM SUBSTRATE AND DETACHING METHOD USING THE SAME}

본 발명은 박형 기판용 지지체 탈부착 설비 및 그에 의한 탈착 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a support substrate desorption facility for a thin substrate and a desorption method thereby.

반도체 소자를 생산하는 제조공정은 크게 웨이퍼 기판을 가공하여 칩을 만드는 '전공정', 상기 칩에 리드선을 붙이고 패키징 작업을 하는 '조립공정', 각 단계마다 불량 여부를 검사하는 작업인 '검사' 공정으로 나눌 수 있다.The manufacturing process for manufacturing semiconductor devices is largely a 'pre-process' for processing chips by processing wafer substrates, an 'assembly process' for attaching leads and packaging work to the chips, and 'inspection' which is an operation for inspecting defects at each step. It can be divided into processes.

이 중에서 가공이 완료된 웨이퍼 기판에 리드선을 붙이고 패키징 작업을 하는 조립 공정에 있어서, 특히 WLP(Wafer Level Package) 공정에서는 웨이퍼 기판이 장비의 지지체와 탈부착되는 과정에서 손상이 자주 발생하게 된다.Among them, in the assembling process in which the lead wire is attached to the finished wafer substrate and the packaging operation is performed, in particular, in the WLP (Wafer Level Package) process, damage occurs frequently while the wafer substrate is detached from the support of the equipment.

한편, 일반적으로 실리콘을 사용한 웨이퍼 기판이 이용되어 왔으나, 최근 박형 기판의 재료로서 유기물 소재가 연구되고 있다.On the other hand, in general, a wafer substrate using silicon has been used, but an organic material has recently been studied as a material for thin substrates.

그러나 유기물 소재의 반도체 웨이퍼 기판은 휨 현상 및 손상이 더욱 쉽게 발생하는바, 이로 인하여 반도체 공정 진행에 문제가 있어 공정성을 개선하기 위한 반도체 웨이퍼 기판용 지지체 탈부착 설비 및 탈착 방법이 필요하게 되었으며, 더 나아가 WLP 공정에 있어서 웨이퍼 기판뿐만 아니라, 박형의 기판 모두에 적용될 수 있는 기판용 지지체 탈부착 설비 및 방법이 필요하게 되었다.
However, since the semiconductor wafer substrate made of organic material is more easily warped and damaged, there is a problem in the progress of the semiconductor process, and thus, the support for attaching and detaching the support for the semiconductor wafer substrate and the detachment method are required. In the WLP process, there is a need for a substrate support desorption facility and method that can be applied not only to wafer substrates but also to thin substrates.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 본 발명은 상기한 요구조건을 만족시키는, 박형 기판용 지지체 탈부착 설비 및 그에 의한 탈착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본체, 상기 본체 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더, 상기 본체 상에 장착되는 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내에서 상기 실린더 상에 결합되며, 재생 테이프가 부착된 지지체가 장착된 진공척, 상기 본체 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척, 및 상기 진공척 내부에 장착되어 상기 지지체를 가열하는 가열기로 구성된 장치를 이용함으로써 박형 기판과 지지체를 탈부착하는 과정에서 박형 기판의 손상을 최소화한 장치 및 그 방법을 제공한다.
Accordingly, the present invention was created to solve the problems of the prior art as described above, and the present invention relates to a support substrate desorption facility and a desorption method therefor for a thin substrate, which satisfies the above requirements, more specifically, the body, A cylinder mounted inside the main body and driven in an up and down direction, a vacuum chamber mounted on the main body, a vacuum chuck coupled to the cylinder in the vacuum chamber, and equipped with a support on which a recycling tape is attached, on the main body Minimized damage to the thin substrate in the process of detaching and detaching the thin substrate and the support by using a device consisting of a porous chuck mounted on the installed support is coupled to the thin substrate, and a heater mounted inside the vacuum chuck to heat the support. An apparatus and a method thereof are provided.

상기한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비는 본체; 상기 본체 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더; 상기 본체 상에 장착되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내에서 상기 실린더 상에 결합된 진공척; 상기 본체 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척; 및 상기 진공척 내부에 장착된 가열기;를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, the support for attaching and detaching equipment for a thin substrate of the present invention includes a main body; A cylinder mounted inside the main body and driven in a vertical direction; A vacuum chamber mounted on the body; A vacuum chuck coupled to the cylinder in the vacuum chamber; A porous chuck mounted on a support installed on the main body to which a thin substrate is coupled; And a heater mounted inside the vacuum chuck.

본 발명에서, 상기 진공척은 재생 테이프가 부착된 지지체가 장착된 것을 특징으로 한다.In the present invention, the vacuum chuck is characterized in that the support is attached to the regeneration tape.

본 발명에서, 상기 포러스척은 다공성의 재질인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the porous chuck is characterized in that the porous material.

본 발명에서, 상기 진공척은 그 상면에 진공영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the vacuum chuck is characterized in that it comprises a vacuum area on the upper surface.

본 발명에서, 상기 진공척은 그 상면의 일 측에 공기 분사구를 구비하는 것을 특징으로 한다In the present invention, the vacuum chuck is characterized in that it comprises an air injection port on one side of the upper surface

본 발명에서, 상기 상기 재생 테이프는 실리콘 소재인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the reproducing tape is characterized in that the silicon material.

한편, 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈착 방법은, 본체; 상기 본체 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더; 상기 본체 상에 장착되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내에서 상기 실린더 상에 결합되며, 재생 테이프가 부착된 지지체가 장착된 진공척; 상기 본체 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척; 및 상기 진공척 내부에 장착되어 상기 지지체를 가열하는 가열기를 포함하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치를 제공하는 단계; 상기 지지체와 결합하고 있는 박형 기판을 상기 포러스척에 실장하고 흡기하는 단계; 상기 지지체를 가열하여 상기 지지체에 부착된 재생 테이프의 온도를 상승시키는 단계; 및 상기 기판과 상기 지지체 사이에 공기를 분사하여 상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계;를 포함하여 구성된다.On the other hand, the support substrate desorption method for a thin substrate of the present invention, the main body; A cylinder mounted inside the main body and driven in a vertical direction; A vacuum chamber mounted on the body; A vacuum chuck coupled to the cylinder in the vacuum chamber, the vacuum chuck having a support on which a regeneration tape is attached; A porous chuck mounted on a support installed on the main body to which a thin substrate is coupled; And a heater mounted inside the vacuum chuck to heat the support. Mounting and inhaling a thin substrate coupled to the support to the porous chuck; Heating the support to raise the temperature of the recycled tape attached to the support; And separating the substrate and the support by injecting air between the substrate and the support.

본 발명에서, 상기 포러스척은 다공성 재질인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the porous chuck is characterized in that the porous material.

본 발명에서, 상기 재생 테이프는 실리콘 소재인 것을 특징으로 한다.In the present invention, the reproducing tape is characterized in that the silicon material.

본 발명에서, 상기 재생 테이프는 25～300℃로 가열되는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the recycled tape is heated to 25 ~ 300 ℃.

본 발명에서, 상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계에서, 상기 공기는 진공척의 상면의 일 측에 구비된 공기 분사구를 통하여 공급되는 것을 특징으로 한다.In the present invention, in the step of separating the substrate and the support, the air is characterized in that it is supplied through the air injection port provided on one side of the upper surface of the vacuum chuck.

본 발명에서, 상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계는 상기 진공척을 기울여서 상기 기판을 미끄러뜨려 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the present invention, the step of separating the substrate and the support is characterized in that it further comprises the step of slipping the substrate by tilting the vacuum chuck.

본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비 및 그에 의한 탈착 방법에 의하면, WLP 공정에서 박형 기판의 휨, 손상 현상을 최소화할 수 있고, 박형 기판의 탈부착이 용이하다는 효과가 있다.
According to the support desorption facility for a thin substrate of the present invention and the desorption method thereof, the warpage and damage of the thin substrate can be minimized in the WLP process, and the detachment of the thin substrate is easy.

도 1은 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비의 정면도이다.
도 2는 실리콘 소재의 재생 테이프의 온도별 점착 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비의 진공척의 평면도로서, (a)는 진공영역, (b)는 공기분사영역을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비의 진공척에 부착된 지지체와 재생 테이프가 결합된 상태의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비를 이용한 탈착 방법을 순서대로 도시한 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a front view of the support body detachment installation for thin boards of this invention.
2 is a graph showing the adhesive characteristics for each temperature of a recycled tape made of silicone material.
Fig. 3 is a plan view of a vacuum chuck of a support substrate detachment and attachment system for a thin substrate of the present invention, where (a) shows a vacuum region and (b) shows an air injection region.
Fig. 4 is a plan view of a state in which a support tape attached to a vacuum chuck of a support substrate desorption facility for a thin substrate of the present invention and a recycling tape are combined.
FIG. 5 shows a desorption method in sequence using the support desorption facility for a thin substrate of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art may easily implement the present invention. Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be limited to the usual or dictionary meanings, and the inventors will be required to properly define the concepts of terms in order to best describe their invention. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that it can.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예의 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Therefore, the configuration of the embodiments described herein is only one of the most preferred embodiments of the present invention and does not represent all of the technical idea of the present invention, various equivalents and modifications that can replace them at the time of the present application It should be understood that there may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

박형 기판용 지지체 탈부착 설비Support substrate detachment equipment for thin board

도 1은 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비의 정면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 설비는 본체(100), 실린더(110), 진공챔버(120), 진공척(130), 포러스척(140), 및 가열기(150)로 구성된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a front view of the support body detachment installation for thin boards of this invention. As shown in FIG. 1, the equipment of the present invention is composed of a main body 100, a cylinder 110, a vacuum chamber 120, a vacuum chuck 130, a porous chuck 140, and a heater 150.

더욱 상세하게는, 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비는 본체(100), 상기 본체(100) 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더(110), 상기 본체(100) 상에 장착되는 진공 챔버(120), 상기 진공 챔버(120) 내에서 상기 실린더(110) 상에 결합된 진공척(130), 상기 본체(100) 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척(140), 및 상기 진공척 내부에 장착된 가열기(150)를 포함하여 구성된다.More specifically, the support substrate detachment facility for a thin substrate of the present invention includes a main body 100, a cylinder 110 mounted inside the main body 100 and driven up and down, and a vacuum chamber mounted on the main body 100. 120, a vacuum chuck 130 coupled to the cylinder 110 in the vacuum chamber 120, and a porous chuck 140 mounted on a support installed on the main body 100 to bond a thin substrate. And a heater 150 mounted inside the vacuum chuck.

상기 본체(100)는 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비를 지지하는 역할을 한다.The main body 100 serves to support the support for attaching and detaching the support for the thin substrate of the present invention.

상기 실린더(110)는 상기 본체(100) 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동됨으로써, 상기 실린더(110) 상에 결합되어 있는 진공척(130)이 상하 방향으로 구동되어 그에 의해 지지된 지지체(10)가 박형 기판(도 1에는 미도시, 30)과의 탈부착이 원활히 이루어질 수 있도록 한다.The cylinder 110 is mounted in the main body 100 to be driven in the vertical direction, so that the support 10 supported by the vacuum chuck 130 coupled to the cylinder 110 is driven in the vertical direction. The thin substrate (not shown in Figure 1, 30) to be attached and detached to be made smoothly.

여기에서 상기 지지체(10)는 본 발명의 장치 내에서 박형 기판의 휨 현상을 개선하여 공정 구동을 용이하게 하는 것으로서, 금속, 세라믹, 유리 고분자 등 공정 구동성을 확보할 수 있는 물질이라면 어느 것이든 사용이 가능하다.Here, the support 10 is to facilitate the process driving by improving the warpage of the thin substrate in the apparatus of the present invention, any material that can ensure the process driveability, such as metal, ceramic, glass polymer Can be used.

상기 지지체(10)에는 재생 테이프(도 1에는 미도시, 20)가 부착되어 있는데, 상기 재생 테이프(20)는 상기 지지체(10)와 박형 기판(30)의 마스크 층을 서로 연결하는 역할을 하며, 탈부착이 여러 번 가능한 재생 소재, 예를 들면 실리콘 소재가 사용된다. 상기 실리콘 소재의 재생 테이프는 우수한 이형성을 갖고, 분리시 점착제의 잔사가 없는 소재가 바람직하며, 예를 들어, 상업적으로 판매되는 Taconic사의 Tacsil™ BP, Tacsil™ HBP, Tacsil™ H2BP 등이 있다.Recycling tape (not shown in FIG. 1, 20) is attached to the support 10, and the reproducing tape 20 serves to connect the mask layer of the support 10 and the thin substrate 30 to each other. For example, a regeneration material that can be detached many times, for example, a silicone material, is used. The recycled tape of the silicon material is preferably a material having excellent releasability and no adhesive residue when separated, for example, commercially available Tacsil ™ BP, Tacsil ™ HBP, Tacsil ™ H2BP, etc. of Taconic.

상기 진공 챔버(120)는 상기 본체(100)에 장착되어, 박형 기판(30)과 지지체(10)의 탈부착 공정이 진공상태에서 이루어질 수 있도록 공간을 형성하는 역할을 하며, 특히 상기 박형 기판(30)과 지지체(10)의 부착 공정시, 계면의 기포를 최소화되도록 한다.The vacuum chamber 120 is mounted to the main body 100 to form a space for the detachable process of the thin substrate 30 and the support 10 to be performed in a vacuum state, in particular the thin substrate 30 ) And the support 10 to minimize the air bubbles at the interface.

상기 진공척(130)은 상기 진공 챔버(120) 내에서 상기 실린더(110) 상에 결합되어 지지체(10)가 장착되는 것으로, 박형 기판과 지지체(10)가 부착되는 공정에서 진공 라미네이팅을 수행하도록 진공 환경을 만든다.The vacuum chuck 130 is coupled to the cylinder 110 in the vacuum chamber 120 to mount the support 10, so as to perform vacuum laminating in the process of attaching the thin substrate and the support 10. Create a vacuum environment.

여기에서 상기 진공척(130)은 상기 실린더(110)와 연결된 하부 고정틀(131)에 의하여 지지되는데, 상기 하부 고정틀(131)에는 관통부가 형성되어 있어, 상기 관통부로 관통핀(132)이 관통함으로써 상기 진공척(130)이 고정된다. 상기 관통부의 일측에는 상기 관통핀(132)이 움직일 수 있는 일정한 공간부(133)가 존재하여 상기 진공척(130)이 기울임 운동을 할 수 있게 된다.Here, the vacuum chuck 130 is supported by a lower fixing frame 131 connected to the cylinder 110. The lower fixing frame 131 has a through portion formed therein, so that the through pin 132 passes through the through portion. The vacuum chuck 130 is fixed. One side of the through part has a predetermined space portion 133 to which the through pin 132 can move, so that the vacuum chuck 130 can tilt.

상기 포러스척(140)은 상기 본체(100) 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판(30)이 결합되는 부분으로서, 상기 지지체(10)와 박형 기판(30)이 부착되는 경우 상기 포러스척(140)은 상기 박형 기판(30)과 분리되며, 상기 지지체(10)와 박형 기판(30)이 탈착되는 경우 상기 포러스척(140)은 상기 박형 기판(30)과 부착된다.The porous chuck 140 is mounted on a support installed on the main body 100 and is a portion to which the thin substrate 30 is coupled. When the support 10 and the thin substrate 30 are attached, the porous chuck ( 140 is separated from the thin substrate 30, and the porous chuck 140 is attached to the thin substrate 30 when the support 10 and the thin substrate 30 are detached.

여기에서, 상기 포러스척(140)은 상기 박형 기판(30)의 손상을 최소화하기 위하여 다공성의 재질로 되어 있는 것이 바람직하다.Here, the porous chuck 140 is preferably made of a porous material to minimize damage of the thin substrate 30.

상기 가열장치(150)는 상기 진공척(130) 상에 장착되어 상기 지지체를 가열하는 역할을 하며, 상기 지지체가 가열되면 지지체에 부착된 실리콘 소재의 재생 테이프(20)의 온도가 상승하게 된다.The heating device 150 is mounted on the vacuum chuck 130 to heat the support, and when the support is heated, the temperature of the regeneration tape 20 of the silicon material attached to the support is increased.

도 2는 실리콘 소재의 재생 테이프의 온도별 점착 특성을 나타내는 그래프이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 실리콘 소재는 상온 이상으로 온도가 상승하게 되면 그 점착력이 떨어지는 특성이 있고, 특히, 80~100℃에서 그 점착력이 상온에서의 점착력과 비교하여 약 10% 수준까지 감소하므로 박형 기판(30)의 탈착시에 기판의 손상없이 좀 더 용이하게 박형 기판(30)의 분리가 가능하게 된다.2 is a graph showing the adhesive characteristics for each temperature of a recycled tape made of silicone material. As shown in Figure 2, the silicone material has a characteristic that the adhesive strength is lowered when the temperature rises above room temperature, in particular, since the adhesive strength at 80 ~ 100 ℃ reduced to about 10% level compared to the adhesive strength at room temperature When the thin substrate 30 is attached and detached, the thin substrate 30 can be easily separated without damaging the substrate.

한편, 도 3은 진공척(130)의 평면도로서, (a)는 진공영역, (b)는 공기분사영역을 나타낸 것이다. 3 is a plan view of the vacuum chuck 130, (a) shows a vacuum region, and (b) shows an air injection region.

먼저, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 진공척(130)의 상면에는 진공영역(134)이 형성되어 있는데, 상기에서 설명한 바와 같이 지지체(10)와 박형 기판(30)과의 부착공정에서 상기 진공영역(134)을 통하여 진공 라미네이팅이 일어나게 된다. 여기에서 상기 진공영역(134)은 도 3a에 나타낸 형태에 한정되지 않고 자유롭게 변형이 가능하며, 진공방식은 당업자에게 자명한 사항이므로 별도의 설명은 하지 않는다.First, as shown in FIG. 3A, a vacuum region 134 is formed on an upper surface of the vacuum chuck 130. As described above, the vacuum region is formed in the attachment process between the support 10 and the thin substrate 30. Vacuum lamination occurs through 134. Here, the vacuum region 134 is not limited to the form shown in FIG. 3A, and may be freely modified. Since the vacuum method is obvious to those skilled in the art, a separate description is not provided.

다음으로 도 3b에 나타낸 바와 같이, 진공척(130)의 상면에는 공기 분사구(135)가 형성되어 있는데, 상기 공기 분사구(135)는 지지체(10)와 박형 기판(30)의 탈착 공정에서 진공척(130)에서 지지체(10)를 거쳐 박형 기판(30) 방향으로 공기를 분사(blow)함으로써 박형 기판(30)의 손상을 최소화하면서 탈착이 용이하게 이루어지도록 한다. 이때, 지지체(10)에는 상기 공기 분사구(135)로 빠져나오는 공기가 통과되도록 도 4에서 나타낸 바와 같이 기공(11)이 형성된다.Next, as shown in Figure 3b, the upper surface of the vacuum chuck 130 is formed with an air injection hole 135, the air injection hole 135 is a vacuum chuck in the desorption process of the support 10 and the thin substrate 30. Blowing air in the direction of the thin substrate 30 through the support 10 at (130) to minimize the damage of the thin substrate 30 to facilitate the detachment. At this time, the support 10 is formed with pores 11 as shown in Figure 4 so that the air exiting the air injection hole 135 passes.

특히, 여기에서 상기 공기 분사구(135)는 진공척(130)의 일측에만 구비될 수 있는데, 이 경우 일측에서만 공기 분사가 이루어져 상기 박형 기판(30)과 상기 지지체(10)가 분리되고, 진공척(130)이 기울어지면서 상기 박형 기판(30)이 상기 지지체(10)에서 미끄러져 탈착되므로 상기 박형 기판(30)의 손상을 최소화하면서도 용이하게 탈착할 수 있다.In particular, the air injection hole 135 may be provided only on one side of the vacuum chuck 130, in which case the air injection is made only on one side to separate the thin substrate 30 and the support 10, the vacuum chuck Since the thin substrate 30 is slid and detached from the support 10 while the 130 is inclined, the thin substrate 30 can be easily detached while minimizing damage to the thin substrate 30.

한편, 상기에서 설명한 바와 같이, 상기 지지체(10)의 상부에는 재생 테이프(20)가 부착되어 있는데, 도 4에서 나타낸 바와 같이, 지지체(10)에 구비된 기공(11)이 노출되도록 재생 테이프(20)에는 일정한 오픈 영역(21)이 형성된다.
On the other hand, as described above, the playback tape 20 is attached to the upper portion of the support 10, as shown in Figure 4, so that the pores 11 provided in the support 10 to expose the playback tape ( 20, a constant open area 21 is formed.

박형 기판용 지지체 탈착 방법Support Desorption Method for Thin Substrate

도 5는 본 발명의 박형 기판용 지지체 탈부착 설비를 이용한 탈착 방법을 순서대로 도시한 것이다.FIG. 5 shows a desorption method in sequence using the support desorption facility for a thin substrate of the present invention.

탈착 공정에 앞서, 그 전제가 되는 부착공정에 대하여 설명하면, 먼저, 재생 테이프(20)가 부착된 지지체(10)와 박형 기판(30)을 각각 진공척(130), 포러스척(140)에 실장한다(도 5a). Prior to the desorption process, the attaching process as a premise will be described. First, the support 10 and the thin substrate 30 to which the regeneration tape 20 is attached are attached to the vacuum chuck 130 and the porous chuck 140, respectively. It is mounted (FIG. 5A).

다음으로, 상기 진공척(130)에 압력을 인가하여 상기 재생 테이프(20)가 부착된 지지체(10)와 박형 기판(30)을 진공 라미네이팅한다. 이 때 진공척(130)의 상면에 형성된 진공영역(134)을 통하여 진공 라미네이팅이 실행된다(도 5b). Next, pressure is applied to the vacuum chuck 130 to vacuum laminate the support 10 and the thin substrate 30 to which the regeneration tape 20 is attached. At this time, vacuum laminating is performed through the vacuum region 134 formed on the upper surface of the vacuum chuck 130 (FIG. 5B).

다음으로, 상기 포러스척(140)으로부터 박형 기판(30)을 분리하여 상기 재생 테이프(20)가 부착된 지지체(10) 상부에 박형 기판(30)을 부착한다(도 5c). 이 때, 상기 박형 기판(30)은 상기 포러스척(140)으로부터 분리되며, 상기 박형 기판(30)은 상기 지지체(10)에 부착된 재생 테이프(20)에 의하여 지지체(10)와 부착됨으로써 부착공정이 완료된다.Next, the thin substrate 30 is separated from the porous chuck 140 and the thin substrate 30 is attached to the upper portion of the support 10 to which the regeneration tape 20 is attached (FIG. 5C). At this time, the thin substrate 30 is separated from the porous chuck 140, and the thin substrate 30 is attached by being attached to the support 10 by a reproducing tape 20 attached to the support 10. The process is complete.

본 발명의 탈착공정에 대하여 설명하면, 먼저, 상기 박형 기판(30)을 상기 포러스척(140)에 실장하고 흡기한다(도 5d). 상기에서 설명한 바와 같이 포러스척(140)은 다공성 재질로 되어 있기 때문에 흡기가 가능하며, 이러한 흡기 과정을 통하여 상기 포러스척(140)에 상기 박형 기판(30)이 잘 부착되어 지지체(10)로부터 박형 기판(30)의 이탈이 용이해진다. Referring to the desorption process of the present invention, first, the thin substrate 30 is mounted on the porous chuck 140 and inhaled (FIG. 5D). As described above, since the porous chuck 140 is made of a porous material, intake is possible, and through the intake process, the thin substrate 30 is well attached to the porous chuck 140 so that it is thin from the support 10. Detaching of the board | substrate 30 becomes easy.

다음으로, 상기 진공척(130)에 장착된 가열장치(150)에 의해서 상기 지지체(10)가 가열되고, 상기 지지체(10)에 부착된 상기 재생 테이프(20)의 온도가 상승하게 된다. 여기서 재생 테이프(20)는 실리콘 소재인 것을 사용하는데 실리콘은 온도가 상승함에 따라 점착력이 감소하게 되며, 특히, 80~100℃에서 그 점착력이 상온에서의 점착력과 비교하여 약 10% 수준까지 감소하므로 박형 기판(30)의 탈착시에 박형 기판의 손상없이 좀 더 용이하게 박형 기판(30)의 분리가 가능하게 된다. 따라서, 지지체를 가열하여 실리콘 소재인 재생테이프(20)의 온도가 상승하게 되면, 박형 기판(30)의 탈착이 더욱 용이하게 된다. 본 발명에서 실리콘 소재 재생 테이프의 온도 범위는 25℃ 이상 일 수 있으며, 상기 실리콘 소재 재생 테이프의 온도 범위는 이에 한정되지 않고, 재생 테이프의 종류 및/또는 특성에 따라 변형이 가능할 수 있다.Next, the support 10 is heated by the heating device 150 mounted on the vacuum chuck 130, and the temperature of the regeneration tape 20 attached to the support 10 is increased. Here, the recycled tape 20 uses a silicon material, but the silicon decreases the adhesive strength as the temperature increases, and particularly, at 80 to 100 ° C., the adhesive force decreases to about 10% compared to the adhesive force at room temperature. When the thin substrate 30 is attached or detached, the thin substrate 30 can be more easily separated without damaging the thin substrate. Therefore, when the temperature of the recycled tape 20 made of silicon is raised by heating the support, the detachment of the thin substrate 30 becomes easier. In the present invention, the temperature range of the silicon material recycling tape may be 25 ° C. or more, and the temperature range of the silicon material recycling tape is not limited thereto, and may be modified according to the type and / or characteristics of the recycling tape.

도 2의 실리콘 점착 테이프의 온도별 점착 특성을 살펴보면, 실리콘 소재의 점착테이프를 상온 이상으로 가열하였을 때 그 점착력이 온도의 상승과 반비례하여 감소하게 되고, 80℃ 전후를 기점으로 보다 완만한 곡선을 보이며 감소하여 300℃ 이상에서는 큰 변화를 보이지 않으므로 탈착 공정의 효율성을 고려하여, 본 발명에서 실리콘 소재 점착 테이프의 온도 범위는 25~300℃ 또는 80~100℃일 수 있다.Looking at the pressure-sensitive adhesive properties of the silicone pressure-sensitive adhesive tape of Figure 2, when the pressure-sensitive adhesive tape of the silicone material is heated above room temperature, the adhesive force decreases in inverse proportion to the increase of the temperature, a more gentle curve starting from around 80 ℃ Since it does not show a large change at 300 ° C or more, in view of the efficiency of the desorption process, the temperature range of the silicone adhesive tape in the present invention may be 25 to 300 ° C or 80 to 100 ° C.

마지막으로, 진공척(130)의 상면의 일 측에 구비된 공기 분사구(135)를 통해 공기를 분사하여 상기 박형 기판(30)과 상기 재생 테이프(20)가 부착된 지지체(10)를 분리함으로써 탈착공정이 완료된다(도 5e, 5f). 여기에서, 도 5f에 나타낸 바와 같이, 상기 진공척(130)이 기울여서 상기 박형 기판(30)을 미끄러뜨려 분리하므로 박형 기판(30)의 손상없이 탈착이 용이하게 된다.
Finally, by spraying air through the air injection port 135 provided on one side of the upper surface of the vacuum chuck 130 by separating the thin substrate 30 and the support 10 to which the regeneration tape 20 is attached The desorption process is completed (FIGS. 5E and 5F). Here, as shown in FIG. 5F, since the vacuum chuck 130 is inclined to slide and separate the thin substrate 30, detachment is easily performed without damaging the thin substrate 30.

이상에서 본 발명에 대하여 설명하였으나, 이는 일 실시예에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 얼마든지 다양한 변화 및 변형이 가능함은 본 기술분야에서 통상적으로 숙련된 당업자에게 분명하다.
Although the present invention has been described above, this is only one embodiment, and it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : 본체 150 : 가열기
110 : 실린더 10 : 지지체
120 : 진공 챔버 20 : 재생 테이프
130 : 진공척 30 : 박형 기판
140 : 포러스척100: main body 150: heater
110: cylinder 10: support
120: vacuum chamber 20: playing tape
130: vacuum chuck 30: thin substrate
140: Porus Chuck

Claims (12)

본체;
상기 본체 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더;
상기 본체 상에 장착되는 진공 챔버;
상기 진공 챔버 내에서 상기 실린더 상에 결합된 진공척;
상기 본체 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척; 및
상기 진공척 내부에 장착된 가열기;를 포함하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
main body;
A cylinder mounted inside the main body and driven in a vertical direction;
A vacuum chamber mounted on the body;
A vacuum chuck coupled to the cylinder in the vacuum chamber;
A porous chuck mounted on a support installed on the main body to which a thin substrate is coupled; And
And a heater mounted inside the vacuum chuck.
청구항 1에 있어서,
상기 진공척은 재생 테이프가 부착된 지지체가 장착된 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
The method according to claim 1,
The vacuum chuck is a support substrate detachable device for a thin substrate, characterized in that the support is attached to the playback tape is attached.
청구항 1에 있어서,
상기 포러스척은 다공성의 재질인 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
The method according to claim 1,
The porous chuck is a support substrate detachable device for a thin substrate, characterized in that the porous material.
청구항 1에 있어서,
상기 진공척은 그 상면에 진공영역이 구비된 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
The method according to claim 1,
The vacuum chuck is a support substrate detachment apparatus for a thin substrate, characterized in that the vacuum area is provided on the upper surface.
청구항 1에 있어서,
상기 진공척은 그 상면의 일 측에 공기 분사구가 구비된 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
The method according to claim 1,
The vacuum chuck is a support substrate detachable device for a thin substrate, characterized in that the air injection port is provided on one side of the upper surface.
청구항 2에 있어서,
상기 재생 테이프는 실리콘 소재인 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈부착 장치.
The method according to claim 2,
And said regeneration tape is a silicon material.
본체; 상기 본체 내부에 장착되어 상하 방향으로 구동되는 실린더; 상기 본체 상에 장착되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내에서 상기 실린더 상에 결합되며, 재생 테이프가 부착된 지지체가 장착된 진공척; 상기 본체 상에 설치된 지지대 상에 장착되어 박형 기판이 결합되는 포러스척; 및 상기 진공척 내부에 장착되어 상기 지지체를 가열하는 가열기를 포함하는 박형기판용 지지체 탈부착 장치를 제공하는 단계;
상기 지지체와 결합하고 있는 박형 기판을 상기 포러스척에 실장하고 흡기하는 단계;
상기 지지체를 가열하여 상기 지지체에 부착된 재생 테이프의 온도를 상승시키는 단계; 및
상기 기판과 상기 지지체 사이에 공기를 분사하여 상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계;를 포함하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법.
main body; A cylinder mounted inside the main body and driven in a vertical direction; A vacuum chamber mounted on the body; A vacuum chuck coupled to the cylinder in the vacuum chamber, the vacuum chuck having a support on which a regeneration tape is attached; A porous chuck mounted on a support installed on the main body to which a thin substrate is coupled; And a heater mounted on the inside of the vacuum chuck to heat the support.
Mounting and inhaling a thin substrate coupled to the support to the porous chuck;
Heating the support to raise the temperature of the recycled tape attached to the support; And
And separating the substrate and the support by spraying air between the substrate and the support.
청구항 7에 있어서,
상기 포러스척은 다공성 재질인 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법.
The method of claim 7,
The porous chuck is a support substrate detachment method for a thin substrate, characterized in that the porous material.
청구항 7에 있어서,
상기 재생 테이프는 실리콘 소재인 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법.
The method of claim 7,
And said recycled tape is a silicon material.
청구항 7에 있어서,
상기 재생 테이프는 25～300℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법.
The method of claim 7,
The reclaimed tape is heated to 25 ~ 300 ℃ a support substrate desorption method for a thin substrate.
청구항 7에 있어서,
상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계에서, 상기 공기는 진공척의 상면의 일 측에 구비된 공기 분사구를 통하여 공급되는 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법.
The method of claim 7,
In the step of separating the substrate and the support, the air is a support substrate detachment method for a thin substrate, characterized in that supplied through the air injection port provided on one side of the upper surface of the vacuum chuck.
청구항 7에 있어서,
상기 기판과 상기 지지체를 분리하는 단계는 상기 진공척을 기울여서 상기 기판을 미끄러뜨려 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 기판용 지지체 탈착 방법. The method of claim 7,
Separating the substrate and the support further comprises the step of slipping the substrate by tilting the vacuum chuck to remove the support.
KR1020110109534A 2010-12-29 2011-10-25 Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same KR20130045080A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110109534A KR20130045080A (en) 2011-10-25 2011-10-25 Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same
JP2011285268A JP2012142575A (en) 2010-12-29 2011-12-27 Thin substrate support body attachment/removal equipment and attachment/removal methods of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110109534A KR20130045080A (en) 2011-10-25 2011-10-25 Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130045080A true KR20130045080A (en) 2013-05-03

Family

ID=48657351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110109534A KR20130045080A (en) 2010-12-29 2011-10-25 Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130045080A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5705873B2 (en) Automatic heat slide peeling device
TWI462665B (en) Adhesive chuck and substrate bonding apparatus
JP2001007179A (en) Method and device for peeling article fixed to double face adhesive sheet
JP5409280B2 (en) Tip interval expansion method
JP2008153337A (en) Method and device for separating laminated substrate, and computer readable recording medium with program recorded thereon
TW201540149A (en) Apparatus and method for detaching chip
KR102220348B1 (en) Wafer debonding apparatus
WO2019033491A1 (en) Glass substrate separation method and glass substrate separation apparatus
JP4839294B2 (en) Semiconductor wafer holding device
KR20180112489A (en) Substrate supporting member and method of de-chucking substrate thereof
KR20130045080A (en) Apparatus for attaching and detaching support for film substrate and detaching method using the same
KR101175918B1 (en) Apparatus for attaching and detaching of support of film substrate and detaching method using the same
KR20120087462A (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
KR101135355B1 (en) Substrate lifting apparatus
KR101288864B1 (en) Substrate bonding apparatus
KR102189274B1 (en) Die pickup method and die pickup apparatus
KR20220112539A (en) Apparatus for processing substrate and method of processing substrate
KR20130078808A (en) Substrate bonding apparatus
CN110651355B (en) Adhesive layer forming apparatus, semiconductor chip production line, and method for manufacturing laminate
KR20130054307A (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
KR101458473B1 (en) Method for detaching substrates
KR101393464B1 (en) Substrates detaching apparatus
JP2012142575A (en) Thin substrate support body attachment/removal equipment and attachment/removal methods of the same
KR102221704B1 (en) Vacuum picker and die bonding apparatus including the same
CN214068698U (en) Substrate separator

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination