KR20130044032A - Optical member and display device having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An optical member and a display device having the same are provided to improve the efficiency of the light emitted from wavelength conversion particles and a light source. CONSTITUTION: A lower substrate(510) is arranged under a wavelength conversion layer(530). An upper substrate(520) is arranged on the wavelength conversion layer. First wave length conversion particles(532) change the wavelength of the light emitted from light emitting diodes. Conductive nanowires(534) are arranged between the first wave length conversion particles. The diameters of the conductive wires are 30 to 12 nm.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL MEMBER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}Optical member and display including the same {OPTICAL MEMBER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}

실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to an optical member and a display device including the same.

표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.Among display devices, there is a device that requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image. The backlight unit is a device for supplying light to a display panel including a liquid crystal or the like and includes a light emitting device and means for effectively transmitting the light output from the light emitting device to the liquid crystal side.

이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.As a light source of such a display device, a light emitting diode (LED) or the like may be applied. In addition, in order to effectively transmit the light output from the light source to the display panel side, a light guide plate, an optical sheet, or the like may be stacked and used.

이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.In this case, an optical member or the like that changes the wavelength of light generated from the light source and injects white light into the light guide plate or the display panel may be applied to the display device. In particular, in order to change the wavelength of light, quantum dots or the like can be used.

양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.Quantum dots have a particle size of 10 nm or less and have unique electro-optic properties depending on their size. For example, when the approximate size is 55 to 65 Å, it can emit red, 40 to 50 Å to green, and 20 to 35 Å to blue. Yellow has medium size of red and green quantum dots. As the spectrum of light changes from red to blue, the size of the quantum dots varies from 65 Å to 20 Å, which may be slightly different.

양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다.In order to form the optical member including the quantum dots, quantum dots emitting RGB or RYGB, which are three primary colors of light, may be formed by spin coating or printing a transparent substrate such as glass. In this case, when the quantum dot emitting yellow (Y) is further included, white light closer to natural light may be obtained. The matrix (medium) in which the quantum dots are dispersed can apply an inorganic substance or a polymer having excellent transmittance with respect to light in the visible light region and the ultraviolet region (including Far UV) or in the visible light region. For example, it may be inorganic silica, polymethylmethacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly lactic acid (PLA), silicon polymer or YAG.

이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.A display device to which such quantum dots are applied is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0012246.

실시예는 향상된 성능을 가지는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide an optical member having an improved performance and a display device including the same.

실시예에 따른 광학 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 도전성 와이어들을 포함한다.Optical member according to the embodiment is a host; A plurality of wavelength converting particles disposed in the host; And a plurality of conductive wires disposed in the host.

실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 도전성 와이어들을 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; A light conversion member to which light emitted from the light source is incident; And a display panel on which light emitted from the light conversion member is incident, wherein the light conversion member comprises a host; A plurality of wavelength converting particles disposed in the host; And a plurality of conductive wires disposed in the host.

실시예에 따른 광학 부재는 상기 도전성 나노 와이어들을 포함한다. 상기 도전성 와이어들의 직경은 약 30㎚ 내지 약 120㎚일 수 있다. 이에 따라서, 상기 도전성 와이어들의 표면에서는 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 발생될 수 있다.The optical member according to the embodiment includes the conductive nanowires. The diameter of the conductive wires may be about 30 nm to about 120 nm. Accordingly, surface plasmon resonance may occur on the surfaces of the conductive wires.

이에 따라서, 상기 광원으로부터 출사되는 광 및 상기 파장 변환 입자들로부터 출사되는 광의 효율이 향상될 수 있다.Accordingly, the efficiency of the light emitted from the light source and the light emitted from the wavelength conversion particles can be improved.

또한, 상기 파장 변환 입자들에 광이 입사되어 형성되는 전자 중 일부는 상기 도전성 와이어들에 임시 수용된 후, 상기 파장 변환 입자들에 다시 공급된다. 이와 같이, 공급된 전자에 의해서, 상기 파장 변환 입자들은 다시 발광하게 된다.In addition, some of the electrons formed by the light incident on the wavelength conversion particles are temporarily received in the conductive wires, and then supplied to the wavelength conversion particles. As such, by the supplied electrons, the wavelength conversion particles emit light again.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 광 전자 효과를 극대화시키고, 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 입사광에 의해서, 여기된 광은 여러 단계를 거쳐서 그라운드 상태로 내려간다. 특히, 상기 도전성 와이어들은 연장되는 형상을 가지고, 약 10㎛ 내지 약 70㎛의 길이를 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 도전성 와이어들은 상기 파장 변환 입자들로부터 전자를 효율적으로 수용하고, 다른 파장 변환 입자들로 효과적으로 전달할 수 있다.Accordingly, the optical member and the display device according to the embodiment can maximize the optoelectronic effect and improve the light efficiency. In addition, the light excited by the incident light goes down to the ground state through several steps. In particular, the conductive wires have an extended shape and may have a length of about 10 μm to about 70 μm. Accordingly, the conductive wires can efficiently receive electrons from the wavelength converting particles and effectively transfer the electrons to other wavelength converting particles.

실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 색 재현율을 향상시키고, 색 재현 지속성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 색좌표 변화율이 감소될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 파장 변환 효율을 향상시켜서, 향상된 광 특성을 가질 수 있다.The optical member and the display device according to the embodiment may improve color reproduction rate and increase color reproduction persistence. Accordingly, the rate of change of color coordinates can be reduced. Therefore, the optical member and the display device according to the embodiment may improve the wavelength conversion efficiency and have improved optical characteristics.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 9는 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 10 내지 도 12는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 13은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 14는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 15는 도 14에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 16은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing a light conversion member according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 and 5 illustrate a process of manufacturing the light conversion member according to the first embodiment.
6 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a second embodiment.
7 is a perspective view showing a light conversion member according to the second embodiment.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the second embodiment.
10 to 12 are views illustrating a process of forming the light conversion member according to the second embodiment.
13 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment.
14 is a perspective view showing a light conversion member according to the third embodiment.
FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along CC ′ in FIG. 14.
16 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the third embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4 및 도 5는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 2 is a perspective view showing a light conversion member according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2. 4 and 5 illustrate a process of manufacturing the light conversion member according to the first embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.1 to 3, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate uniform light onto the bottom surface of the liquid crystal panel 20 using a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, and a plurality of optical sheets. Field 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a shape in which an upper portion thereof is opened. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 400 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed below the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects the light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 is disposed inside the bottom cover 100.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or improve characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 to supply the light to the liquid crystal panel 20.

상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a light conversion member 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504. [

상기 광 변환 부재(501)는 상기 광원(300) 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The light conversion member 501 may be disposed on an optical path between the light source 300 and the liquid crystal panel 20. For example, the light conversion member 501 may be disposed on the light guide plate 200. In more detail, the light conversion member 501 may be interposed between the diffusion sheet 502 and the light conversion member 501. The light conversion member 501 can convert the wavelength of the incident light and emit the light upward.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes, the light conversion member 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the photo-conversion member 501 converts part of the blue light into green light having a wavelength range of about 520 nm to about 560 nm, and converts the other part of the blue light to a light having a wavelength range of about 630 nm to about 660 nm It can be converted into red light.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, light passing through the light conversion member 501 without conversion and light converted by the light conversion member 501 can form white light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to allow white light to enter the liquid crystal panel 20.

즉, 상기 광 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.That is, the photo-conversion member 501 is an optical member that converts the characteristics of the incident light. The photo-conversion member 501 has a sheet shape. That is, the photo-conversion member 501 may be an optical sheet.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530) 및 실링부(540)를 포함한다.As illustrated in FIGS. 2 and 3, the light conversion member 501 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520, a wavelength conversion layer 530, and a sealing unit 540.

상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the lower surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the lower substrate 510 include transparent polymers such as polyethylene terephthalate (PET) and the like.

상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the wavelength conversion layer 530. The upper substrate 520 is transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 520 may include a transparent polymer such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the wavelength conversion layer 530 from external physical impacts. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be in direct contact with the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 can protect the wavelength conversion layer 530 from external chemical impacts such as moisture and / or oxygen.

상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The wavelength conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 파장 변환층(530)은 호스트(531), 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(532), 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533), 다수 개의 도전성 나노 와이어들(534) 및 다수 개의 분산성 향상 입자들(535)을 포함한다.The wavelength conversion layer 530 includes a host 531, a plurality of first wavelength converting particles 532, a plurality of second wavelength converting particles 533, a plurality of conductive nanowires 534, and a plurality of powders. Acidic enhancing particles 535.

상기 호스트(531)는 상기 제 1 파장 변환 입자들(532), 상기 제 2 파장 변환 입자들(533), 상기 도전성 나노 와이어들(534) 및 상기 분산성 향상 입자들(535)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(531)는 상기 제 1 파장 변환 입자들(532), 상기 제 2 파장 변환 입자들(533), 상기 도전성 나노 와이어들(534) 및 상기 분산성 향상 입자들(535)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(531)는 실리콘계 수지 등과 같은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(531)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(531)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host 531 surrounds the first wavelength converting particles 532, the second wavelength converting particles 533, the conductive nanowires 534, and the dispersibility enhancing particles 535. That is, the host 531 uniforms the first wavelength converting particles 532, the second wavelength converting particles 533, the conductive nanowires 534, and the dispersibility enhancing particles 535. Disperse inside. The host 531 may be made of a polymer such as a silicone resin. The host 531 is transparent. That is, the host 531 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트(531)는 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The host 531 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The host 531 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 510 and a lower surface of the upper substrate 520.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 호스트(531)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 호스트(531)에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 농도로 분산될 수 있다.The first wavelength converting particles 532 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the first wavelength conversion particles 532 may be uniformly dispersed in the host 531, and the host 531 may be disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. . The first wavelength conversion particles 532 may be dispersed in the host 531 at a concentration of about 0.5 wt% to about 5 wt%.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.The first wavelength converting particles 532 convert the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 400. The first wavelength converting particles 532 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the first wavelength conversion particles 532 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into red light. That is, the first wavelength conversion particles 532 may convert the blue light into red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm. Alternatively, the first wavelength conversion particles 532 may convert light emitted from the light emitting diode into green light. That is, the first wavelength conversion particles 532 may convert light emitted from the light emitting diode into green light having a wavelength band of about 500 nm to about 600 nm.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 화합물 반도체를 포함한다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 화합물 반도체를 포함하는 나노 입자일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The first wavelength converting particles 532 include a compound semiconductor. In more detail, the first wavelength conversion particles 532 may be nanoparticles including a compound semiconductor. In more detail, the first wavelength conversion particles 532 may be a quantum dot (QD). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 직경은 1 nm 내지 15 nm일 수 있다. 더 자세하게, 상기 양자점의 직경은 약 8㎚ 내지 약 11㎚일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 15 nm. In more detail, the diameter of the quantum dot may be about 8 nm to about 11 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 청색 광을 적색 광으로 변환시키는 양자점이 사용될 수 있다.In more detail, the first wavelength converting particles 532 may be a quantum dot for converting blue light into red light.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트(531) 내에 균일하게 분산될 수 있다.The second wavelength converting particles 533 are disposed in the host 531. In more detail, the second wavelength conversion particles 533 may be uniformly dispersed in the host 531.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 직경은 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다.The second wavelength conversion particles 533 may have a larger diameter than the first wavelength conversion particles 532. In more detail, the diameters of the second wavelength conversion particles 533 may be about 0.5 μm to about 10 μm.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 청색광을 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드로부터의 광을 적색 광으로 변환시킬 수 있다.The second wavelength conversion particles 533 convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 400. The second wavelength converting particles 533 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the second wavelength conversion particles 533 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light. That is, the second wavelength conversion particles 533 may convert the blue light into green light having a wavelength band between about 500 nm and about 600 nm. Alternatively, the second wavelength converting particles 533 may convert light from the light emitting diode into red light.

즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 입사광을 적색 광으로 변환시키는 경우, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 입사광을 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 반대로, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 입사광을 녹색 광으로 변환시키는 경우, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 입사광을 적색 광으로 변환시킬 수 있다.That is, when the first wavelength conversion particles 532 convert incident light into red light, the second wavelength conversion particles 533 may convert incident light into green light. On the contrary, when the first wavelength converting particles 532 convert incident light into green light, the second wavelength converting particles 533 may convert incident light into red light.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)로 형광체가 사용될 수 있다. 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)로 녹색 형광체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 녹색 형광체의 예로서는 망간이 도핑된 징크 실리콘 옥사이드계 형광체(예를 들어, Zn2SiO4:Mn), 유로퓸이 도핑된 스트론튬 갈륨 설파이드계 형광체(예를 들어, SrGa2S4:Eu) 또는 유로퓸이 도핑된 바륨 실리콘 옥사이드 클로라이드계 형광체(예를 들어, Ba5Si2O7Cl4:Eu) 등을 들 수 있다.Phosphor may be used as the second wavelength conversion particles 533. As the second wavelength conversion particles 533, a green phosphor may be used. More specifically, examples of the green phosphor include manganese doped zinc silicon oxide based phosphors (eg, Zn 2 SiO 4: Mn), europium doped strontium gallium sulfide based phosphors (eg, SrGa 2 S 4: Eu) or europium doped. Barium silicon oxide chloride type fluorescent substance (for example, Ba5Si2O7Cl4: Eu) etc. are mentioned.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 적색 형광체일 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 형광체의 예로서는 프라세오디뮴 또는 알루미늄이 도핑된 스트론튬 티타늄 옥사이드계 형광체(예를 들어, SrTiO3:Pr,Al) 또는 프라세오디뮴이 도핑된 칼슘 티타늄 옥사이드계 형광체(예를 들어, CaTiO3:Pr) 등을 들 수 있다.The second wavelength conversion particles 533 may be a red phosphor. For example, examples of the red phosphor include praseodymium or aluminum-doped strontium titanium oxide-based phosphors (eg, SrTiO 3: Pr, Al) or praseodymium-doped calcium titanium oxide-based phosphors (eg, CaTiO 3: Pr) Etc. can be mentioned.

이와는 다르게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 모두 양자점일 수 있다.Alternatively, both of the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533 may be quantum dots.

이와는 다르게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 모두 형광체일 수 있다.Alternatively, both the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533 may be phosphors.

상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 호스트(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 호스트(531) 내에 균일하게 배치된다. 이에 따라서, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)에 인접할 수 있다.The conductive nanowires 534 is disposed in the host 531. In more detail, the conductive nanowires 534 are uniformly disposed in the host 531. Accordingly, the conductive nanowires 534 are disposed between the first wavelength converting particles 532. In more detail, the conductive nanowires 534 may be adjacent to the first wavelength conversion particles 532.

상기 도전성 나노 와이어들(534)은 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 종횡비는 약 100 내지 약 500일 수 있다. 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 직경은 약 30㎚ 내지 약 120㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 직경은 약 40㎚ 내지 약 60㎚일 수 있다. 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 길이는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 길이는 약 40㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다.The conductive nano wires 534 may have an extended shape. An aspect ratio of the conductive nanowires 534 may be about 100 to about 500. The conductive nanowires 534 may have a diameter of about 30 nm to about 120 nm. In more detail, the diameter of the conductive nanowires 534 may be about 40 nm to about 60 nm. The conductive nanowires 534 may have a length of about 10 μm to about 70 μm. In more detail, the conductive nano wires 534 may have a length of about 40 μm to about 60 μm.

상기 도전성 나노 와이어들(534)은 도전체이다. 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 금속을 포함한다. 더 자세하게, 상기 도전성 나노 와이어들(534)로 사용되는 물질의 예로서는 은, 금, 백금 또는 팔라듐 등과 같은 금속 등을 들 수 있다.The conductive nanowires 534 is a conductor. The conductive nanowires 534 includes a metal. More specifically, examples of the material used for the conductive nanowires 534 include metals such as silver, gold, platinum, palladium, and the like.

상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 호스트(531) 내에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 비율로 포함될 수 있다.The conductive nanowires 534 may be included in the host 531 at a rate of about 0.5 wt% to about 5 wt%.

상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트(531) 내에 배치된다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트(531) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533) 사이에 균일하게 분산될 수 있다.The dispersibility enhancing particles 535 are disposed in the host 531. The dispersibility enhancing particles 535 may be uniformly dispersed in the host 531. The dispersibility enhancing particles 535 may be uniformly dispersed between the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533.

상기 분산성 향상 입자들(535)은 투명할 수 있다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 분산성 향상 입자들(535)로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등과 같은 산화물을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 분산성 향상 입자들(535)로 실리카 입자들이 사용될 수 있다.The dispersibility enhancing particles 535 may be transparent. The dispersibility enhancing particles 535 may include an inorganic material. More specifically, examples of the material used as the dispersibility enhancing particles 535 include an oxide such as silicon oxide. For example, silica particles may be used as the dispersibility enhancing particles 535.

상기 분산성 향상 입자들(535)의 직경은 약 10㎚ 내지 약 10㎛일 수 있다. 또한, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트(531)에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 비율로 포함될 수 있다.The dispersibility enhancing particles 535 may have a diameter of about 10 nm to about 10 μm. In addition, the dispersibility enhancing particles 535 may be included in the host 531 at a rate of about 0.5 wt% to about 5 wt%.

상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 호스트(531) 내에서 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 분산성을 향상시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 입사광의 경로를 변경시키는 산란 입자 기능을 수행할 수 있다.The dispersibility enhancing particles 535 may function to improve dispersibility of the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533 in the host 531. . In addition, the dispersibility enhancing particles 535 may perform a scattering particle function of changing a path of incident light.

상기 광 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.The light conversion member 501 may be formed by the following process.

도 4를 참조하면, 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533) 및 다수 개의 도전성 나노 와이어들(534)이 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등에 균일하게 분산된다. 이때, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)는 초음파 분산에 의해서 분산될 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)에 초음파가 인가되어, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 작은 직경을 가지도록 분쇄될 수 있다.Referring to FIG. 4, the plurality of second wavelength converting particles 533 and the plurality of conductive nanowires 534 are uniformly dispersed in a silicone resin, an epoxy resin, or an acrylic resin. In this case, the second wavelength conversion particles 533 may be dispersed by ultrasonic dispersion. That is, ultrasonic waves are applied to the second wavelength converting particles 533 so that the second wavelength converting particles 533 may be pulverized to have a small diameter.

이때, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 형광체를 포함하기 때문에, 상기 초음파 분산과 같은 격렬하게 분산되더라도 자체적인 성능이 저하되지 않는다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 포함되지 않는 상황에서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 먼저 격렬한 방법으로 분산될 수 있다.In this case, since the second wavelength converting particles 533 include a phosphor, even if the second wavelength conversion particles 533 are vigorously dispersed, such as ultrasonic dispersion, their own performance is not deteriorated. That is, in a situation where the first wavelength converting particles 532 are not included, the second wavelength converting particles 533 may first be dispersed in a vigorous method.

이후, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 분산된 수지 조성물에 분산성 향상 입자들(535)이 첨가된다. 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 수지 조성물의 점도를 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 다시 응집되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533) 및 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 분산성을 유지시키는 기능을 수행할 수 있다.Thereafter, the dispersibility enhancing particles 535 are added to the resin composition in which the second wavelength conversion particles 533 are dispersed. The dispersibility enhancing particles 535 may increase the viscosity of the resin composition. Accordingly, the dispersibility enhancing particles 535 may prevent the second wavelength converting particles 533 from aggregation again. That is, the dispersibility enhancing particles 535 may function to maintain dispersibility of the second wavelength converting particles 533 and the conductive nanowires 534.

상기 분산성 향상 입자들(535)은 상기 수지 조성물에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 비율로 첨가될 수 있다.The dispersibility enhancing particles 535 may be added to the resin composition at a rate of about 0.5 wt% to about 5 wt%.

이후, 상기 수지 조성물에 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 첨가된다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)보다 덜 격렬한 방법에 의해서 상기 수지 조성물에 분산될 수 있다.Thereafter, the first wavelength conversion particles 532 are added to the resin composition. The first wavelength converting particles 532 may be dispersed in the resin composition by a less intense method than the second wavelength converting particles 533.

이후, 도 5를 참조하면, 상기 수지 조성물은 하부 기판(510) 상에 균일하게 코팅된다. 상기 수지 조성물은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등에 의해서 상기 하부 기판(510)의 상면에 코팅될 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 5, the resin composition is uniformly coated on the lower substrate 510. The resin composition may be coated on the upper surface of the lower substrate 510 by slit coating, spin coating or spray coating.

이후, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 침전된 후, 상기 코팅된 수지 조성물은 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 파장 변환층이 형성된다.Thereafter, after the second wavelength conversion particles 533 are precipitated, the coated resin composition is cured by light and / or heat, and a wavelength conversion layer is formed.

이후, 상기 파장 변환층(530) 상에 상부 기판(520)이 라미네이트되고, 실링부가 형성된다. 이에 따라서, 상기 광 변환 부재(501)가 형성될 수 있다.Thereafter, the upper substrate 520 is laminated on the wavelength conversion layer 530, and a sealing part is formed. Accordingly, the light conversion member 501 may be formed.

상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530) 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다.The sealing part 540 is disposed on the side of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 covers the side surface of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 is also disposed on side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the sealing part 540 covers side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

또한, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 밀착된다.In addition, the sealing part 540 may be attached to side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520. The sealing part 540 is in close contact with side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520.

이에 따라서, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.Accordingly, the sealing part 540 may seal the side surface of the wavelength conversion layer 530. That is, the sealing part 540 is a protection part that protects the wavelength conversion layer 530 from external chemical shock.

또한, 상기 광 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.In addition, the light conversion member 501 may further include a first inorganic protective film and a second inorganic protective film. The first inorganic protective layer may be coated on the lower surface of the lower substrate 510, and the second inorganic protective layer may be coated on the upper surface of the upper substrate 520. Examples of the material used for the first inorganic protective film and the second inorganic protective film include silicon oxide and the like.

상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the light conversion member 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. In addition, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel that displays an image by using light emitted from the backlight unit 10. The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarization filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. In the TFT substrate 21, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels, and respective intersections are performed. A thin flim transistor (TFT) is provided in each region and is connected in one-to-one correspondence with the pixel electrode mounted in each pixel. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정패널(20)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.At the edge of the liquid crystal panel 20, a driving PCB 25 is provided to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a tape carrier package (TCP).

앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도전성 나노 와이어들(534)을 포함한다. 이때, 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 직경은 약 30㎚ 내지 약 120㎚일 수 있다. 이에 따라서, 상기 도전성 나노 와이어들(534)의 표면에서는 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 발생될 수 있다.As described above, the light conversion member 501 includes the conductive nanowires 534. In this case, the diameters of the conductive nanowires 534 may be about 30 nm to about 120 nm. Accordingly, surface plasmon resonance may occur on the surfaces of the conductive nanowires 534.

이에 따라서, 상기 광원(400)으로부터 출사되는 광 및 상기 파장 변환 입자들(532, 533)로부터 출사되는 광의 효율이 향상될 수 있다.Accordingly, the efficiency of the light emitted from the light source 400 and the light emitted from the wavelength conversion particles 532 and 533 may be improved.

또한, 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상에 의한 광 효율 향상을 위해서, 상기 광 변환 부재(501)에 다수 개의 도전성 나노 입자들이 포함될 수 있다. 즉, 구 형상 등을 가지는 도전성 나노 입자가 상기 광 변환 부재(501)에 포함될 때, 상기 광 변환 부재(501)의 광 특성이 향상될 수 있다.In addition, in order to improve light efficiency due to surface plasmon resonance, a plurality of conductive nanoparticles may be included in the light conversion member 501. That is, when the conductive nanoparticles having a spherical shape or the like are included in the light conversion member 501, the optical properties of the light conversion member 501 may be improved.

상기 도전성 나노 입자는 상기 호스트(531) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 또한, 상기 도전성 나노 입자의 직경은 약 30㎚ 내지 약 120㎚일 수 있다.The conductive nanoparticles may be uniformly dispersed in the host 531. In addition, the diameter of the conductive nanoparticles may be about 30nm to about 120nm.

상기 도전성 나노 입자로 사용되는 물질의 예는 상기 도전성 나노 와이어들(534)로 사용되는 금속의 예와 동일할 수 있다.Examples of the material used as the conductive nanoparticles may be the same as the metal used as the conductive nanowires 534.

또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)에 광이 입사되어 형성되는 전자 중 일부는 상기 도전성 나노 와이어들(534)에 임시 수용된 후, 상기 제 1 파장 변환 입자들(534)에 다시 공급된다. 이와 같이, 공급된 전자에 의해서, 상기 파장 변환 입자들은 다시 발광하게 된다.In addition, some of the electrons formed by light incident on the first wavelength converting particles 532 are temporarily accommodated in the conductive nanowires 534 and then supplied to the first wavelength converting particles 534 again. . As such, by the supplied electrons, the wavelength conversion particles emit light again.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 광 전자 효과를 극대화시키고, 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 입사광에 의해서, 여기된 광은 여러 단계를 거쳐서 그라운드 상태로 내려간다. 특히, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 연장되는 형상을 가지고, 약 10㎛ 내지 약 70㎛의 길이를 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)로부터 전자를 효율적으로 수용하고, 다른 제 1 파장 변환 입자들로 효과적으로 전달할 수 있다. 이에 따라서, 상기 도전성 나노 와이어들(534)은 파장 변환이 사용되지 않고 손실되는 전자를 줄이고, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)의 변환 효율을 극대화시킬 수 있다.Accordingly, the optical member and the display device according to the embodiment can maximize the optoelectronic effect and improve the light efficiency. In addition, the light excited by the incident light goes down to the ground state through several steps. In particular, the conductive nanowires 534 may have an extended shape and have a length of about 10 μm to about 70 μm. Accordingly, the conductive nanowires 534 may efficiently receive electrons from the first wavelength converting particles 532 and effectively transfer the electrons to other first wavelength converting particles. Accordingly, the conductive nanowires 534 may reduce electrons lost without using wavelength conversion and maximize conversion efficiency of the first wavelength conversion particles 532.

실시예에 따른 액정표시장치는 색 재현율을 향상시키고, 색 재현 지속성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 색좌표 변화율이 감소될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 파장 변환 효율을 향상시켜서, 향상된 광 특성을 가질 수 있다.
The liquid crystal display according to the embodiment may improve color reproduction rate and increase color reproduction persistence. Accordingly, the rate of change of color coordinates can be reduced. Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment may improve the wavelength conversion efficiency and have improved optical characteristics.

도 6은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 7은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 8은 도 7에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 9는 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 10 내지 도 12는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.6 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a second embodiment. 7 is a perspective view showing a light conversion member according to the second embodiment. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 7. 9 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the second embodiment. 10 to 12 are views illustrating a process of forming the light conversion member according to the second embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the liquid crystal display device may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.6 to 9, the light conversion member 600 is interposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.The light conversion member 600 may have a shape extending in one direction. In more detail, the light conversion member 600 may have a shape extending along one side surface of the light guide plate 200. In more detail, the light conversion member 600 may have a shape extending along the incident surface of the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The light conversion member 600 receives the light emitted from the light emitting diodes 400 and converts the wavelength. For example, the light conversion member 600 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, the light conversion member 600 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the blue light has a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm. Can be converted to red light.

이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light passing through the light conversion member 600 and the light converted by the light conversion member 600 may form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the light guide plate 200.

도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 파장 변환층(630) 및 실링부(640)를 포함한다.As shown in FIGS. 7 to 9, the light conversion member 600 includes a lower substrate 610, an upper substrate 620, a wavelength conversion layer 630, and a sealing unit 640.

도 8에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.As shown in FIG. 8, the lower substrate 610 is disposed under the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 may be transparent and flexible. The lower substrate 610 may be in close contact with the bottom surface of the wavelength conversion layer 630.

상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 620 is disposed on the wavelength conversion layer 630. The upper substrate 620 may be transparent and flexible. The upper substrate 620 may be in close contact with the top surface of the wavelength conversion layer 630.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 파장 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.In addition, as shown in FIG. 9, the lower substrate 610 faces the light emitting diodes 400. That is, the lower substrate 610 is disposed between the light emitting diodes 400 and the wavelength conversion layer 630. In addition, the upper substrate 620 faces the light guide plate 200. That is, the upper substrate 620 is interposed between the wavelength conversion layer 630 and the light guide plate 200.

상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 실링부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(630)을 보호한다.The lower substrate 610 and the upper substrate 620 sandwich the wavelength conversion layer 630. In addition, the sealing part 640 covers the side surface of the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 and the upper substrate 620 support the wavelength conversion layer 630. In addition, the lower substrate 610, the upper substrate 620, and the sealing part 640 protect the wavelength conversion layer 630 from external physical shocks and chemical shocks.

본 실시예에 따른 광 변환 부재는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.The light conversion member according to the present embodiment may be formed by the following process.

도 10을 참조하면, 제 1 투명 기판(611) 상에 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(632), 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(633), 다수 개의 도전성 나노 입자들(634) 및 다수 개의 분산성 향상 입자들(535)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 수지 조성물의 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 제 1 투명 기판(611) 상에 예비 파장 변환층(635)이 형성된다.10, a plurality of first wavelength converting particles 632, a plurality of second wavelength converting particles 633, a plurality of conductive nanoparticles 634, and a plurality of first wavelength converting particles 611 on a first transparent substrate 611. A resin composition comprising two dispersibility enhancing particles 535 is coated. Thereafter, the resin composition is cured by light and / or heat of the resin composition, and a preliminary wavelength conversion layer 635 is formed on the first transparent substrate 611.

이후, 상기 예비 파장 변환층(635) 상에 제 2 투명 기판(621)이 라미네이팅된다.Thereafter, the second transparent substrate 621 is laminated on the preliminary wavelength conversion layer 635.

도 11을 참조하면, 상기 제 1 투명 기판(611), 상기 예비 파장 변환층(635) 및 제 2 투명 기판(621)은 한꺼번에 절단된다. 이에 따라서, 다수 개의 예비 광 변환 부재들(601)이 형성된다. 상기 예비 광 변환 부재들(601)은 각각 하부 기판(610), 파장 변환층(630) 및 상부 기판(620)을 포함한다. 이때, 상기 하부 기판(610), 상기 파장 변환층(630) 및 상기 상부 기판(620)은 같은 절단 공정에 의해서 형성되므로, 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면(605)을 포함한다.Referring to FIG. 11, the first transparent substrate 611, the preliminary wavelength conversion layer 635, and the second transparent substrate 621 are cut at a time. Accordingly, a plurality of preliminary light conversion members 601 are formed. The preliminary light conversion members 601 include a lower substrate 610, a wavelength conversion layer 630, and an upper substrate 620, respectively. In this case, since the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 are formed by the same cutting process, the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 includes a cut surface 605 disposed on the same plane.

도 12를 참조하면, 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)이 서로 마주보도록, 상기 예비 광 변환 부재들(601)이 서로 정렬된다. 이후, 상기 예비 광 변환 부재들(601)의 측면, 즉, 절단면(605)에 실링부(640)가 형성된다.Referring to FIG. 12, the preliminary light conversion members 601 are aligned with each other such that the lower substrate 610 and the upper substrate 620 face each other. Thereafter, a sealing part 640 is formed on the side surfaces of the preliminary light conversion members 601, that is, the cut surface 605.

이후, 상기 광 변환 부재들(600)은 서로 떼어내질 수 있다.Thereafter, the light conversion members 600 may be separated from each other.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(632) 및 제 2 파장 변환 입자들(633)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 630 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of the first wavelength converting particles 632 and the second wavelength converting particles 633 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(631) 및 제 2 파장 변환 입자들(533)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment can reduce the use of the first wavelength converting particles 631 and the second wavelength converting particles 533 and can be easily manufactured at low cost.

도 13은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 14는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 15는 도 14에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 16은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.13 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment. 14 is a perspective view showing a light conversion member according to the third embodiment. FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 14. 16 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the third embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 13 내지 도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.13 to 16, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of light conversion members 700. The light conversion members 700 correspond to the light emitting diodes 400, respectively.

또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.In addition, the light conversion members 700 are disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. That is, each light conversion member 600 is disposed between the corresponding light emitting diode and the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.The light conversion members 700 may have a larger planar area than the light emitting diodes 400. Accordingly, almost all of the light emitted from each light emitting diode may be incident on the corresponding light conversion member 600.

또한, 도 13 내지 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 파장 변환층(730) 및 실링부(640)를 포함한다.13 to 16, the light conversion members 700 include a lower substrate 710, an upper substrate 720, a wavelength conversion layer 730, and a sealing unit 640.

상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 실링부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.Features of the lower substrate 710, the upper substrate 720, the wavelength conversion layer 730, and the sealing unit 640 may be substantially the same as those described in the above-described embodiments.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(732) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 730 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of the first wavelength converting particles 732 and the second wavelength converting particles 733 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(432) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment can reduce the use of the first wavelength converting particles 432 and the second wavelength converting particles 733 and can be easily manufactured at low cost.

또한, 각각 광 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드(400)에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.In addition, the characteristics of each light conversion member 700 may be modified to suit the corresponding light emitting diode 400. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability, brightness, and uniform color reproduction.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (10)

호스트;
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 도전성 와이어들을 포함하는 광학 부재.
Host;
A plurality of wavelength converting particles disposed in the host; And
An optical member comprising a plurality of conductive wires disposed within the host.
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 와이어들은 금속을 포함하는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the conductive wires comprise a metal. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 와이어들은 은을 포함하는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the conductive wires comprise silver. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 와이어들의 직경은 30㎚ 내지 120㎚이고,
상기 도전성 와이어들의 길이는 10㎛ 내지 70㎛인 광학 부재.
The method of claim 1, wherein the diameter of the conductive wires is 30nm to 120nm,
The length of the conductive wires is 10㎛ 70㎛ optical member.
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 와이어들은 0.5wt% 내지 5wt%의 비율로 상기 호스트 내에 배치되는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the conductive wires are disposed in the host at a rate of 0.5 wt% to 5 wt%. 제 1 항에 있어서, 상기 파장 변환 입자들은 반도체 화합물을 포함하는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the wavelength conversion particles include a semiconductor compound. 광원;
상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 광 변환 부재; 및
상기 광 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 광 변환 부재는
호스트;
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 도전성 와이어들을 포함하는 표시장치.
Light source;
A light conversion member to which light emitted from the light source is incident; And
A display panel to which light emitted from the light conversion member is incident;
The light conversion member
Host;
A plurality of wavelength converting particles disposed in the host; And
And a plurality of conductive wires disposed in the host.
제 7 항에 있어서, 상기 파장 변환 입자들은
화합물 반도체를 포함하는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및
형광체를 포함하는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 표시장치.
The method of claim 7, wherein the wavelength conversion particles are
A plurality of first wavelength converting particles comprising a compound semiconductor; And
A display device comprising a plurality of second wavelength converting particles including a phosphor.
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 파장 변환 입자들의 직경은 1㎚ 내지 50㎚이고,
상기 제 2 파장 변환 입자들의 직경은 1㎛ 내지 50㎛인 표시장치.
The method of claim 7, wherein the diameter of the first wavelength conversion particles is 1nm to 50nm,
The diameter of the second wavelength conversion particles is 1㎛ 50㎛ display device.
호스트;
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및
상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 도전성 입자들을 포함하는 광학 부재.
Host;
A plurality of wavelength converting particles disposed in the host; And
An optical member comprising a plurality of conductive particles disposed in the host.
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