KR20130039462A

KR20130039462A - Probe card and manufacturing method threrof

Info

Publication number: KR20130039462A
Application number: KR1020110104022A
Authority: KR
Inventors: 홍기표; 최용석; 마원철; 이대형
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2011-10-12
Filing date: 2011-10-12
Publication date: 2013-04-22
Also published as: JP2013083620A

Abstract

PURPOSE: A probe card and a manufacturing method thereof are provided to improve the adhesion between a ceramic substrate and an electrode pad by burying the electrode pad in one surface of the ceramic substrate. CONSTITUTION: A circuit pattern(6) and an electrode pad(4) are formed on one surface of a ceramic substrate(10). The circuit pattern connects the electrode pad to a via electrode(2) connected to the inner part of the ceramic substrate. The electrode pad is separated from the ceramic substrate. A probe pin(20) includes a bonding part(13), a body part(15), and a contact part(17). One end of the bonding part is electrically connected to the electrode pad of the ceramic substrate.

Description

PROBE CARD AND MANUFACTURING METHOD THREROF}

본 발명은 프로브 카드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브 핀이 접합되는 전극 패드가 프로브 기판으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있는 프로브 카드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card, and more particularly, to a probe card and a method for manufacturing the same, which can prevent the electrode pad to which the probe pin is bonded from being peeled off from the probe substrate.

최근 반도체 회로의 집적 기술 개발로 인한 반도체의 크기가 계속 소형화가 진행됨에 따라 반도체 칩의 검사 장치도 높은 정밀도가 요구되고 있다. As the size of semiconductors continues to be miniaturized due to the recent development of integrated technology of semiconductor circuits, inspection devices for semiconductor chips are also required to have high precision.

웨이퍼 조립 공정(wafer fabrication process)을 거쳐 반도체 웨이퍼에 형성된 집적회로 칩들은 웨이퍼 상태에서 진행되는 전기적 특성 검사(EDS; Electrical Die Sorting)에 의해 양품과 불량품으로 분류된다. Integrated circuit chips formed on a semiconductor wafer through a wafer fabrication process are classified into good and defective products by Electrical Die Sorting (EDS) conducted in a wafer state.

이러한 전기적 특성 검사에는 일반적으로 검사 신호의 발생과 검사 결과의 판정을 담당하는 테스터(tester)와, 반도체 웨이퍼의 로딩(loading)과 언로딩(unloading)을 담당하는 프로브 스테이션(probe station), 및 반도체 웨이퍼와 테스터의 전기적 연결을 담당하는 프로브 카드(probe card)로 구성된 검사 장치가 주로 사용되고 있다. Such electrical property inspection generally includes a tester for generating test signals and determining test results, a probe station for loading and unloading semiconductor wafers, and a semiconductor. An inspection apparatus mainly composed of a probe card that is responsible for the electrical connection between the wafer and the tester is used.

이 중, 프로브 카드는 일반적으로 세라믹 그린시트에 회로 패턴과 전극 패드, 비아 전극 등을 형성하여 적층한 후, 이를 소성시켜 제조한 세라믹 기판에 프로브 핀을 접합한 형태가 주로 이용된다. Among these, a probe card is generally used in which a circuit pattern, an electrode pad, a via electrode, and the like are formed and stacked on a ceramic green sheet, and then the probe pins are bonded to a ceramic substrate manufactured by firing them.

이러한 세라믹 기판으로는 주로 고온 동시 소성 처리된 세라믹 기판이 주로 이용되고 있었으나, 최근 들어 저온 동시 소성 처리된 세라믹 기판도 이용되는 추세이다. As such ceramic substrates, ceramic substrates subjected to high temperature co-firing have been mainly used, but recently, ceramic substrates subjected to low temperature co-firing have also been used.

그런데 저온 동시 소성 처리된 세라믹 기판을 이용하는 경우, 고온 동시 소성 처리된 세라믹 기판에 비해, 기판상에 형성된 전극 패드와 기판과의 고착력이 약해진다는 단점이 있다. However, in the case of using a ceramic substrate subjected to low temperature co-firing, there is a disadvantage in that adhesion between the electrode pad and the substrate formed on the substrate becomes weaker than that of the ceramic substrate subjected to high temperature co-firing.

그리고 이러한 단점은 세라믹 기판 상에 프로브 핀을 부착한 후, 필요에 따라 프로브 핀을 다시 제거하는 과정에서 프로브 핀 만이 제거되지 않고, 프로브 핀이 부착된 전극 패드가 기판으로부터 박리되는 문제를 야기시키고 있다.And this disadvantage is that after attaching the probe pin on the ceramic substrate, the probe pin is not removed in the process of removing the probe pin again if necessary, causing the problem that the electrode pad attached to the probe pin is peeled off from the substrate .

본 발명의 목적은 세라믹 기판에 형성되는 전극 패드와 기판과의 고착력을 확보할 수 있는 프로브 카드 및 이의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a probe card and a method of manufacturing the same, which can secure a fixing force between an electrode pad formed on a ceramic substrate and a substrate.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드는, 일면에 적어도 하나의 패드용 홈이 형성되고, 상기 패드용 홈에 매립되는 형태로 형성되는 전극 패드를 구비하는 세라믹 기판; 및 상기 전극 패드에 접합되는 프로브 핀;을 포함할 수 있다. Probe card according to an embodiment of the present invention, at least one pad groove is formed on one surface, the ceramic substrate having an electrode pad is formed in a form that is embedded in the pad groove; And a probe pin bonded to the electrode pad.

본 실시예에 있어서 상기 세라믹 기판은, 일면으로 일단이 노출되는 다수의 비아 전극과, 상기 비아 전극의 일단과 상기 전극 패드를 전기적으로 연결하는 회로 패턴을 더 구비할 수 있다. In the present exemplary embodiment, the ceramic substrate may further include a plurality of via electrodes having one end exposed on one surface thereof, and a circuit pattern electrically connecting one end of the via electrode to the electrode pad.

본 실시예에 있어서 상기 전극 패드는, 상기 세라믹 기판의 외부로 노출되는 상부면이 상기 프로브 핀의 접합면보다 넓은 면적으로 형성될 수 있다. In the present exemplary embodiment, the electrode pad may have an upper surface exposed to the outside of the ceramic substrate to have a larger area than the bonding surface of the probe pin.

본 실시예에 있어서 상기 프로브 핀은, 상기 세라믹 기판의 외부로 노출되는 상기 전극 패드의 상부면 중심에 접합될 수 있다.In the present embodiment, the probe pin may be bonded to the center of the upper surface of the electrode pad exposed to the outside of the ceramic substrate.

본 실시예에 있어서 상기 세라믹 기판은, 상기 전극 패드의 일부를 덮으며 형성되는 절연 보호층을 더 포함할 수 있다.In the present embodiment, the ceramic substrate may further include an insulating protective layer formed covering a portion of the electrode pad.

본 실시예에 있어서 상기 절연 보호층은, 상기 프로브 핀이 접합되는 부분에 관통 구멍이 형성될 수 있다. In the present embodiment, the insulation protection layer may have a through hole formed at a portion to which the probe pin is bonded.

본 실시예에 있어서 상기 절연 보호층은, 폴리이미드(Polyimide) 재질로 형성될 수 있다. In the present embodiment, the insulating protective layer may be formed of a polyimide material.

또한 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법은, 세라믹 기판을 마련하는 단계; 상기 세라믹 기판의 일면에 적어도 하나의 패드용 홈을 형성하는 단계; 상기 패드용 홈 내에 매립되는 형태로 전극 패드를 형성하는 단계; 및 상기 전극 패드 상에 프로브 핀을 접합하는 단계;를 포함할 수 있다. In addition, the probe card manufacturing method according to an embodiment of the present invention, preparing a ceramic substrate; Forming at least one groove for a pad on one surface of the ceramic substrate; Forming an electrode pad in a form embedded in the groove for the pad; And bonding the probe pins to the electrode pads.

본 실시예에 있어서 상기 세라믹 기판을 마련하는 단계는, 일면으로 일단이 노출되는 다수의 비아 전극이 형성된 세라믹 기판을 마련하는 단계일 수 있다. In the present exemplary embodiment, the preparing of the ceramic substrate may include preparing a ceramic substrate having a plurality of via electrodes exposed at one end thereof.

본 실시예에 있어서 상기 전극 패드를 형성하는 단계는, 상기 세라믹 기판 상에 금속층을 형성하며 상기 패드용 홈의 내부를 메우는 단계; 및 상기 패드용 홈 외부에 형성된 금속층을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the forming of the electrode pad may include forming a metal layer on the ceramic substrate and filling the inside of the groove for the pad; And removing the metal layer formed outside the groove for the pad.

본 실시예에 있어서 상기 금속층을 형성하는 단계 이전에, 상기 세라믹 기판의 일면 전체에 금속 재질의 기저층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the present exemplary embodiment, before the forming of the metal layer, the method may further include forming a base layer of a metal material on an entire surface of the ceramic substrate.

본 실시예에 있어서 상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 기저층을 이용하여 상기 세라믹 기판의 일면 전체를 도금하여 상기 금속층을 형성하는 단계일 수 있다.In the present embodiment, the forming of the metal layer may include forming the metal layer by plating an entire surface of the ceramic substrate using the base layer.

본 실시예에 있어서 상기 전극 패드를 형성하는 단계 이후, 상기 비아 전극과 상기 전극 패드를 전기적으로 연결하는 회로 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the present embodiment, after forming the electrode pad, the method may further include forming a circuit pattern for electrically connecting the via electrode and the electrode pad.

본 실시예에 있어서 상기 전극 패드를 형성하는 단계 이후, 상기 세라믹 기판의 상부면에 절연 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the present exemplary embodiment, after the forming of the electrode pad, the method may further include forming an insulating protective layer on an upper surface of the ceramic substrate.

본 실시예에 있어서 상기 절연 보호층을 형성하는 단계는, 상기 프로브 핀이 접합되는 부분에 관통 구멍이 구비되도록 상기 절연 보호층을 형성하는 단계일 수 있다. In the present embodiment, the forming of the insulating protective layer may be a step of forming the insulating protective layer so that a through hole is provided at a portion to which the probe pin is bonded.

본 실시예에 있어서 상기 절연 보호층을 형성하는 단계는, 상기 전극 패드의 둘레를 따라 일부분을 덮으며 상기 절연 보호층을 형성하는 단계일 수 있다. In the present embodiment, the forming of the insulating protective layer may be a step of forming the insulating protective layer covering a portion along the circumference of the electrode pad.

본 실시예에 있어서 상기 절연 보호층을 형성하는 단계는, 폴리이미드(Polyimide) 재질로 상기 절연 보호층을 형성하는 단계일 수 있다. In the present embodiment, the forming of the insulating protective layer may be a step of forming the insulating protective layer of polyimide.

본 발명에 따른 프로브 카드는 세라믹 기판 본체의 일면에 전극 패드가 매립되며 박히는 형태로 세라믹 기판 상에 배치되므로, 전극 패드와 세라믹 기판 간의 고착력을 향상시킬 수 있다.Since the probe card according to the present invention is disposed on the ceramic substrate in such a manner that the electrode pad is embedded in one surface of the ceramic substrate main body, the probe card can improve the adhesion between the electrode pad and the ceramic substrate.

따라서, 프로브 기판으로 저온 동시 소성 세라믹 기판을 용이하게 이용할 수 있다.Therefore, a low temperature co-fired ceramic substrate can be easily used as the probe substrate.

또한, 전극 패드의 일부분이 세라믹 기판에 매립되므로, 프로브 핀을 제거하기 위해 프로브 핀의 측면에서 힘을 가하더라도, 전극 패드가 쉽게 세라믹 기판으로부터 박리되지 않는다. In addition, since a portion of the electrode pad is embedded in the ceramic substrate, even if a force is applied from the side of the probe pin to remove the probe pin, the electrode pad does not easily peel off from the ceramic substrate.

따라서, 사용 중인 프로브 핀에 이상이 발생하더라도, 프로브 핀을 용이하게 교환할 수 있다.Therefore, even if an abnormality occurs in the probe pin in use, the probe pin can be easily replaced.

더하여, 본 실시예에 따른 프로브 카드의 전극 패드가 프로브 핀과의 접촉면보다 넓은 면적으로 형성되는 경우, 프로브 핀 제거 시에 힘이 전극 패드의 중심으로 작용되므로, 전극 패드가 프로브 핀과 함께 기판으로부터 박리되는 것을 최소화할 수 있다. In addition, when the electrode pad of the probe card according to the present embodiment is formed with a larger area than the contact surface with the probe pin, the force acts as the center of the electrode pad when the probe pin is removed, so that the electrode pad together with the probe pin is removed from the substrate. Peeling can be minimized.

또한, 전극 패드의 일부를 덮으며 절연 보호층이 형성되는 경우, 전극 패드와 세라믹 기판과의 고착력을 더욱 보강할 수 있다.In addition, when an insulating protective layer is formed covering a portion of the electrode pad, the adhesion between the electrode pad and the ceramic substrate may be further reinforced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a probe card according to an embodiment of the present invention.
2A to 2F are cross-sectional views for each process for describing a method of manufacturing a probe substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing a probe card according to another embodiment of the present invention.
Figures 4a to 4c is a cross-sectional view for each process for explaining a method for manufacturing a probe substrate according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Prior to the detailed description of the present invention, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or preliminary meaning, and the inventor may designate his own invention in the best way It should be construed in accordance with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be appropriately defined as a concept of a term to describe it. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention. Therefore, various equivalents It should be understood that water and variations may be present.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음을 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that like elements are denoted by like reference numerals as much as possible. Further, the detailed description of known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some of the elements in the accompanying drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown, and the size of each element does not entirely reflect the actual size.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 프로브 카드(100)는 프로브 기판(10) 및 프로브 핀(20)을 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 1, the probe card 100 according to the present exemplary embodiment may include a probe substrate 10 and a probe pin 20.

또한, 프로브 기판(10)은 세라믹 기판으로, 일면에는 적어도 하나의 전극 패드(4)가 형성된다. In addition, the probe substrate 10 is a ceramic substrate, and at least one electrode pad 4 is formed on one surface thereof.

프로브 기판(10, 이하에서는 설명의 편의를 위해 프로브 기판과 세라믹 기판을 함께 사용하며 설명하지만, 두 기판은 동일한 구성요소를 지칭한다)은 복수의 세라믹 그린시트를 적층한 후, 이를 소성하여 제조될 수 있다. The probe substrate 10 (hereinafter, the probe substrate and the ceramic substrate are used and described together for convenience of description, but the two substrates refer to the same component) may be manufactured by stacking a plurality of ceramic green sheets and then firing them. Can be.

세라믹 기판(10)은 세라믹 그린시트에 의해 다수의 세라믹 층이 형성될 수 있으며, 각각의 세라믹 층에는 배선 패턴(8)과 이를 수직적으로 연결하는 도전성 비아(2) 등이 형성될 수 있다. In the ceramic substrate 10, a plurality of ceramic layers may be formed by ceramic green sheets, and each of the ceramic layers may include a wiring pattern 8 and a conductive via 2 that vertically connects the wiring patterns 8.

세라믹 기판(10)의 일면에는 회로 패턴(6) 및 전극 패드(4)가 형성될 수 있다. The circuit pattern 6 and the electrode pad 4 may be formed on one surface of the ceramic substrate 10.

회로 패턴(6)은 세라믹 기판(10)의 내부로 연결되는 비아 전극(2)과, 세라믹 기판(10)의 일면에 배치된 전극 패드(4)를 전기적으로 연결한다. The circuit pattern 6 electrically connects the via electrode 2 connected to the inside of the ceramic substrate 10 and the electrode pad 4 disposed on one surface of the ceramic substrate 10.

전극 패드(4)는 세라믹 기판(10)의 일면에서 일정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 전극 패드(4)는 후술되는 프로브 핀(20)이 접합되어 물리적, 전기적으로 연결된다.The electrode pads 4 may be arranged to be spaced apart from one surface of the ceramic substrate 10 by a predetermined distance. The electrode pad 4 is bonded to the probe pin 20 to be described later is physically and electrically connected.

여기서, 전극 패드(4)는 본 실시예에 따른 프로브 기판(10)이 세라믹 기판으로 이루어짐에 따라 부가되는 구성이다. 전술한 바와 같이 세라믹 기판(10)은 세라믹 그린시트에 배선 패턴(8)과 비아 전극(2) 등을 형성하여 적층한 후, 이를 소성시켜 제조한다. 그러나, 세라믹 기판(10)이 소성되는 과정에서 세라믹 그린시트는 수축이 발생되고, 이에 따라 비아 전극(2)은 그 위치가 일부 변경된다. 이에, 소성이 완료된 세라믹 기판(10)의 비아 전극(2)은 배치 위치에 대한 정밀도가 낮다.Here, the electrode pad 4 is configured to be added as the probe substrate 10 according to the present embodiment is made of a ceramic substrate. As described above, the ceramic substrate 10 is manufactured by laminating a wiring pattern 8, a via electrode 2, and the like on a ceramic green sheet, and then firing the ceramic substrate 10. However, in the process of firing the ceramic substrate 10, the ceramic green sheet shrinks, whereby the position of the via electrode 2 is partially changed. Accordingly, the via electrode 2 of the ceramic substrate 10 that has been fired is low in accuracy with respect to the placement position.

따라서, 본 실시예에 따른 세라믹 기판(10)은 비아 전극(2) 상에 다시 별도의 전극 패드(4)를 형성하고, 회로 패턴(6)을 이용하여 비아 전극(2)과 전극 패드(4)를 전기적으로 연결한다.Therefore, in the ceramic substrate 10 according to the present exemplary embodiment, a separate electrode pad 4 is again formed on the via electrode 2, and the via electrode 2 and the electrode pad 4 are formed using the circuit pattern 6. ) Is electrically connected.

한편, 이러한 전극 패드(4)와 회로 패턴(6)은 세라믹 기판(10) 상에 협소하게 배치되는 비아 전극(2)들에 대해, 프로브 핀(20)이 용이하게 부착될 수 있도록 프로브 핀(20)들 간의 거리를 확장시키는 데에도 활용될 수 있다. Meanwhile, the electrode pad 4 and the circuit pattern 6 may be attached to the probe pin 20 so that the probe pin 20 can be easily attached to the via electrodes 2 that are narrowly disposed on the ceramic substrate 10. It can also be used to extend the distance between them.

한편, 세라믹 기판(10)은 저온 동시 소성 세라믹(LTCC; Low temperature co-fired ceramic) 기판일 수 있다. 고온 동시소성 세라믹(HTCC; High temperature co-fired ceramic) 기판의 경우 약 1500 ~ 1700℃에서 소성이 진행되기 때문에, 도전성 물질로서 W, Mo 등을 사용해야 하므로, 공정 비용이 높아지고, 대면적의 정밀 패턴에 대한 치수 정밀도를 구현하기 어렵다는 문제가 있다. The ceramic substrate 10 may be a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate. Since high temperature co-fired ceramic (HTCC) substrates are fired at about 1500 to 1700 ° C, it is necessary to use W, Mo, etc. as conductive materials, thus increasing the process cost and providing a large-area precision pattern. There is a problem that it is difficult to implement the dimensional precision for.

그러나, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판(10)은 고온 동시 소성 세라믹(HTCC) 기판에 비하여 전극 패드(4)의 고착력이 낮다는 단점으로 인해 그 사용에 제한이 있었다.However, the low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate 10 has a limitation in its use due to the low adhesion force of the electrode pad 4 compared to the high temperature co-fired ceramic (HTCC) substrate.

이를 위해, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 일부분이 세라믹 기판(10)에 매립되는 형태로 형성된다.To this end, the electrode pad 4 according to the present embodiment is formed in a form in which a portion is embedded in the ceramic substrate 10.

보다 구체적으로, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 종래와 같이 얇은 막 형상이 아닌, 회로 패턴(6)보다 두꺼운 두께를 갖는 쐐기 형태로 형성되며, 그 두께만큼 세라믹 기판(10)에 박히는 형태로 배치된다. 이에, 세라믹 기판(10)의 상부면에는 전극 패드(4)의 상단면만이 노출되며, 나머지 부분은 모두 세라믹 기판(10)의 내부로 매립된다. More specifically, the electrode pad 4 according to the present embodiment is formed in a wedge shape having a thickness thicker than that of the circuit pattern 6, rather than a thin film shape as in the prior art, and is embedded in the ceramic substrate 10 by the thickness thereof. It is arranged in the form. Accordingly, only the top surface of the electrode pad 4 is exposed on the top surface of the ceramic substrate 10, and all remaining portions are embedded in the ceramic substrate 10.

전극 패드(4)가 이처럼 구성됨에 따라, 전극 패드(4)는 종래에 비해, 더욱 확장된 면적으로 세라믹 기판(10)과 접촉한다. 즉 종래에는 얇은 막 형태으로 전극 패드(4)가 형성됨에 따라 전극 패드(4)의 하부면만이 세라믹 기판(10)과 면접촉하였으나, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 하부면과 측면 전체가 세라믹 기판(10)과 면접촉하게 된다. As the electrode pad 4 is thus configured, the electrode pad 4 is in contact with the ceramic substrate 10 with a more expanded area than in the prior art. That is, while the electrode pad 4 is formed in the form of a thin film, only the lower surface of the electrode pad 4 is in surface contact with the ceramic substrate 10, but the electrode pad 4 according to the present embodiment has a lower surface and a side surface. The whole comes into surface contact with the ceramic substrate 10.

또한, 전극 패드(4)가 세라믹 기판(10) 상에 부착되는 형태가 아닌, 세라믹 기판(10)을 파고들어 박히는 형태로 구성됨에 따라, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 세라믹 기판(10)과의 고착력을 크게 증가시킬 수 있다. In addition, since the electrode pad 4 is not formed to be attached to the ceramic substrate 10, but is formed to penetrate the ceramic substrate 10, the electrode pad 4 according to the present embodiment may be formed of a ceramic substrate ( 10) can greatly increase the sticking force.

한편, 전극 패드(4) 상에 이미 접합되어 있는 프로브 핀(20)를 제거하는 경우, 일반적으로 프로브 핀(20)의 측면에서 프로프 핀을 가압(도 1의 F)하면서 전극 패드(4)로부터 프로브 핀(20)을 분리한다. On the other hand, when removing the probe pin 20 already bonded on the electrode pad 4, the electrode pad 4 is generally pressurized (F in FIG. 1) of the prop pin on the side of the probe pin 20. Remove the probe pin 20 from the

따라서, 하부면만이 세라믹 기판(10)과 접합되는 종래의 전극 패드(4)는 세라믹 기판(10)보다 프로브 핀(20)과의 고착력이 더 우수하므로, X 방향으로 힘이 가해지는 경우, 전극 패드(4)가 프로브 핀(20)과 함께 세라믹 기판(10)으로부터 쉽게 박리되는 문제가 있었다. Therefore, the conventional electrode pad 4 having only the bottom surface bonded to the ceramic substrate 10 has a better fixing force with the probe pin 20 than the ceramic substrate 10, and therefore, when a force is applied in the X direction, There was a problem that the electrode pad 4 was easily peeled from the ceramic substrate 10 together with the probe pin 20.

그러나 본 실시예에 따르면, 전극 패드(4)가 세라믹 기판(10)에 박혀있는 형태로 구성되므로, F 방향으로 힘이 가해지더라도 전극 패드(4)의 측벽이 세라믹 기판(10) 내에서 세라믹 기판(10)을 지지하게 되므로, 세라믹 기판(10)으로부터 쉽게 박리되지 않게 된다. However, according to the present embodiment, since the electrode pad 4 is configured to be embedded in the ceramic substrate 10, the sidewall of the electrode pad 4 may be in the ceramic substrate 10 even if a force is applied in the F direction. Since 10 is supported, it is not easy to peel from the ceramic substrate 10.

이처럼 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 세라믹 기판(10)에 박히는 형태로 세라믹 기판(10) 상에 배치되므로, 전극 패드(4)와 세라믹 기판(10) 간의 고착력이 향상되어 저온 동시 소성 세라믹 기판(10)을 용이하게 활용할 수 있다.As described above, since the electrode pad 4 according to the present embodiment is disposed on the ceramic substrate 10 in a form of being embedded in the ceramic substrate 10, the adhesion between the electrode pad 4 and the ceramic substrate 10 is improved and low temperature is simultaneously applied. The fired ceramic substrate 10 can be easily utilized.

이러한 전극 패드(4)는 도전성 물질에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로 Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Cu, Ti, W, Mo, Ni 및 이들의 합금이 재료로 이용될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.The electrode pad 4 may be formed of a conductive material. Specifically, Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Cu, Ti, W, Mo, Ni, and alloys thereof may be used as the material. However, the present invention is not limited thereto.

또한 전극 패드(4)는 도금이나, 스크린 프린팅 공법을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 별도의 금속 포스트를 세라믹 기판(10) 내에 끼워넣어 전극 패드(4)를 형성하는 등 전극 패드(4)가 세라믹 기판(10) 내에 박히도록 형성할 수 있다면 다양한 방법이 이용될 수 있다.
In addition, the electrode pad 4 may be formed through plating or a screen printing method. However, the present invention is not limited thereto, and various methods may be used as long as the electrode pad 4 may be embedded in the ceramic substrate 10 by inserting a separate metal post into the ceramic substrate 10 to form the electrode pad 4. Can be used.

프로브 핀(20)은 외팔보 형태로써 접합부(13)와 몸체부(15) 그리고 접촉부(17)를 포함할 수 있다. 프로브 핀(20)은 반도체 제조에서 응용되는 미세 박판 기술을 이용하여 제조할 수 있다. The probe pin 20 may include a joint 13, a body 15, and a contact 17 in the form of a cantilever. The probe pin 20 may be manufactured using a micro thin plate technology applied in semiconductor manufacturing.

접합부(13)는 사각판의 형상을 가지며 접합부(13)의 일단이 세라믹 기판(10)의 전극 패드(4)와 접합되어 전기적으로 연결되고, 접합부(13)의 타단은 몸체부(15)의 일단과 연결될 수 있다. The junction part 13 has a rectangular plate shape, and one end of the junction part 13 is electrically connected to the electrode pad 4 of the ceramic substrate 10, and the other end of the junction part 13 is connected to the body part 15. It can be connected with one end.

몸체부(15)는 캔틸레버 구조를 가지며 몸체부(15)의 타단과 접촉부(17)의 일단이 연결될 수 있다. Body portion 15 has a cantilever structure and the other end of the body portion 15 and one end of the contact portion 17 may be connected.

접촉부(17)는 몸체부(15)의 타단에 수직하게 형성되고 접촉부(17)의 타단은 피검사체(도시되지 않음)와 접촉될 수 있는 접촉팁(19)을 포함할 수 있다. The contact part 17 may be formed perpendicular to the other end of the body part 15, and the other end of the contact part 17 may include a contact tip 19 that may be in contact with the object under test (not shown).

한편, 본 실시예에서는 프로브 핀(10)이 외팔보 형태지만 이에 한정되지 않으며, 수직하게 접합되는 일자형으로 형성하는 등 다양한 형태로 변형될 수 있다.
On the other hand, in this embodiment, the probe pin 10 is a cantilever shape, but is not limited thereto, and may be modified in various forms such as a straight line that is vertically bonded.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 기판(10)의 제조 방법을 설명한다. 도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
Hereinafter, a method of manufacturing the probe substrate 10 according to the embodiment of the present invention will be described. 2A to 2F are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a probe substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 복수의 세라믹 층이 적층되어 소결된 세라믹 기판(10)를 마련한다.First, as shown in FIG. 2A, a plurality of ceramic layers are stacked to prepare a sintered ceramic substrate 10.

세라믹 기판(10)을 구성하는 복수의 세라믹 층에는 배선 패턴(8)과, 비아 전극(2) 등이 형성될 수 있다.The wiring pattern 8, the via electrode 2, and the like may be formed in the plurality of ceramic layers constituting the ceramic substrate 10.

전술한 바와 같이, 세라믹 기판(10)은 저온 동시 소성 세라믹(이하, LTCC) 기판(10)일 수 있다. 저온 동시 소성 세라믹 기판(10)은 닥터 블레이드 공정과 같은 당해 기술 분야에서 공지된 방법으로 세라믹 그린 시트를 마련한 후, 각각의 세라믹 그린 시트에 도전성 비아(2), 배선 패턴(8)을 형성한 후 이들을 적층하고 소결함에 따라 형성될 수 있다. 이때, 소결 공정은 약 700 ~ 900℃의 온도에서 수행될 수 있다.
As described above, the ceramic substrate 10 may be a low temperature co-fired ceramic (hereinafter referred to as LTCC) substrate 10. After the low temperature co-fired ceramic substrate 10 is provided with a ceramic green sheet by a method known in the art, such as a doctor blade process, the conductive vias 2 and the wiring patterns 8 are formed in each ceramic green sheet. They can be formed by laminating and sintering them. At this time, the sintering process may be performed at a temperature of about 700 ~ 900 ℃.

다음으로 도 2b에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 패드용 홈(3)을 형성하는 단계가 수행된다. 패드용 홈(3)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 레이저 드릴링 방법이 이용될 수 있으며, 화학적 에칭 방법이 이용될 수도 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
Next, as shown in FIG. 2B, the step of forming the groove 3 for the pad in one surface of the ceramic substrate 10 is performed. The method of forming the pad groove 3 is not particularly limited. For example, laser drilling methods may be used, and chemical etching methods may be used. However, it is not limited thereto.

다음으로, 세라믹 기판(10)에 형성된 패드용 홈(3)의 내부를 메우며 전극 패드를 형성하는 단계가 수행된다. Next, filling the inside of the pad groove 3 formed in the ceramic substrate 10 to form an electrode pad.

먼저 도 2c에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 금속 재질의 기저층(5)을 형성한다. 기저층(5)은 세라믹 기판(10) 상에 얇은 막 형태로 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 2C, a metal base layer 5 is formed on one surface of the ceramic substrate 10. The base layer 5 may be formed in a thin film form on the ceramic substrate 10.

기저층(5)은 도전성 재질로 형성될 수 있다. 특히 세라믹 기판(10) 상에 형성되는 회로 패턴(도 1의 6)이나, 프로브 핀(도 1의 20)을 형성하는 재질과 용이하게 결합되고, 높은 결합력을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The base layer 5 may be formed of a conductive material. In particular, the circuit pattern (6 of FIG. 1) or the probe pin (20 of FIG. 1) formed on the ceramic substrate 10 may be easily combined with a material having a high bonding force.

예를 들어 기저층(5)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 또는 금(Au) 중에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성된 금속층(7)일 수 있다. For example, the base layer 5 is a metal layer 7 formed of at least one metal selected from titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), or gold (Au). Can be.

또한, 티타늄, 크롬, 또는 니켈로 형성된 금속층(7) 위에 구리, 은, 또는 금으로 금속층(7)을 더 형성하여 기저층(5)을 구성할 수도 있다. In addition, the base layer 5 may be formed by further forming a metal layer 7 of copper, silver, or gold on the metal layer 7 formed of titanium, chromium, or nickel.

기저층(5)은 후술되는 금속층(도 2d의 7)이 형성될 때, 금속층(7)을 보다 견고하게 세라믹 기판(10)에 접합시키기 위해 구비된다.The base layer 5 is provided for bonding the metal layer 7 to the ceramic substrate 10 more firmly when the metal layer (7 in FIG. 2D) to be described later is formed.

이러한 기저층(5)은 스퍼터링(sputtering)이나 에어로졸(aerosol), 전자빔(e-beam) 등을 이용하여 세라믹 기판(10) 상에 박막 형태로 형성할 수 있다. 또한, 고압의 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N₂) 분위기 하에서 저온 스프레이(Cold spray) 코팅법을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
The base layer 5 may be formed in the form of a thin film on the ceramic substrate 10 using sputtering, aerosol, electron beam, or the like. In addition, it is also possible to form using a cold spray coating method under high pressure argon (Ar), helium (He), nitrogen (N ₂ ) atmosphere.

다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 금속층(7)을 형성하는 단계가 수행된다. 이때, 금속층(7)은 패드용 홈(도 2c의 3)을 메울 수 있어야 하므로, 패드용 홈(3)의 깊이 이상의 두께로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 2D, the step of forming the metal layer 7 on one surface of the ceramic substrate 10 is performed. At this time, since the metal layer 7 should be able to fill the grooves for pads (3 in FIG. 2C), the metal layer 7 may be formed to have a thickness greater than or equal to the depth of the pad grooves 3.

이러한 금속층(7)은 전해 도금법을 이용하여 수행될 수 있다. 즉, 전해액 내에 세라믹 기판(10)을 함침시킨 후, 도전성을 갖는 기저층(5)에 전압을 인가함으로써, 기저층(5) 상에 금속층(7)을 성장시킬 수 있다.This metal layer 7 may be performed using an electroplating method. That is, after impregnating the ceramic substrate 10 in the electrolyte solution, the metal layer 7 can be grown on the base layer 5 by applying a voltage to the conductive base layer 5.

본 실시예의 경우, 기저층(5)이 세라믹 기판(10)의 일면 전체에 형성되어 있다. 따라서 전해 도금법을 용이하게 적용할 수 있다. In the present embodiment, the base layer 5 is formed on the entire surface of the ceramic substrate 10. Therefore, the electroplating method can be easily applied.

한편, 본 발명에 따른 금속층(7) 형성 방법은 전해 도금법으로 한정되지 않으며, 무전해 도금법이나 스크린 프린팅, 스퍼터링, 등 다양한 방법을 이용하여 금속층(7)을 형성할 수 있다.
Meanwhile, the method of forming the metal layer 7 according to the present invention is not limited to the electroplating method, and the metal layer 7 may be formed using various methods such as electroless plating, screen printing, sputtering, and the like.

다음으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 패드용 홈의 외부에 형성된 금속층(7, 기저층 포함)을 제거하는 단계가 수행된다. 이는 세라믹 기판(10)의 일면을 연마하거나, 물리적 또는 화학적 식각 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 본 실시예에서는 그라인더(40) 등을 이용하여 세라믹 기판(10)의 일면을 일부 깍아내며 금속층(7)을 제거하는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 2E, a step of removing the metal layer 7 (including the base layer) formed on the outside of the groove for the pad is performed. This may be performed by polishing one surface of the ceramic substrate 10 or by using a physical or chemical etching method. In the present embodiment, a case in which one surface of the ceramic substrate 10 is removed by using the grinder 40 or the like and the metal layer 7 is removed is taken as an example. However, the present invention is not limited thereto.

이에, 세라믹 기판(10)의 일면에 형성되었던 금속층(7)과 기저층(5)은 패드용 홈(3)에 삽입된 부분을 제외하고는 모두 제거된다. 그리고 패드용 홈(3)에 삽입된 부분은 전극 패드(4)로 형성된다.
Accordingly, the metal layer 7 and the base layer 5 formed on one surface of the ceramic substrate 10 are all removed except the portion inserted into the pad groove 3. The portion inserted into the pad groove 3 is formed of an electrode pad 4.

다음으로, 도 2f에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10)의 일면에 회로 패턴(6)을 형성하는 단계가 수행된다. 회로 패턴(6)은 세라믹 기판(10)의 비아 전극(2)과, 전극 패드(4)를 각각 전기적으로 연결하도록 형성된다. 이로 인해, 각각의 전극 패드(4)들은 세라믹 기판(10)의 내부와 전기적으로 연결된다.
Next, as shown in FIG. 2F, the step of forming the circuit pattern 6 on one surface of the ceramic substrate 10 is performed. The circuit pattern 6 is formed to electrically connect the via electrode 2 and the electrode pad 4 of the ceramic substrate 10, respectively. As a result, the respective electrode pads 4 are electrically connected to the inside of the ceramic substrate 10.

이상의 과정을 통해 본 실시예에 따른 프로브 기판(10)이 완성되면, 전극 패드(4)의 상부에 프로브 핀(20)을 부착하여 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 프로브 카드를 완성하게 된다.
When the probe substrate 10 according to the present embodiment is completed through the above process, the probe pin 20 is attached to the upper portion of the electrode pad 4 to complete the probe card according to the present embodiment shown in FIG. 1. .

이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 프로브 카드는 세라믹 기판의 일면에 전극 패드가 매립되며 박히는 형태로 세라믹 기판 상에 배치되므로, 전극 패드와 세라믹 기판 간의 고착력을 향상시킬 수 있다.Since the probe card according to the present exemplary embodiment configured as described above is disposed on the ceramic substrate in such a manner that the electrode pad is embedded in one surface of the ceramic substrate, the probe card may be improved, and thus the adhesion between the electrode pad and the ceramic substrate may be improved.

따라서, 사용 중인 프로브 핀에 이상이 발생하더라도, 프로브 핀을 용이하게 교환할 수 있다.
Therefore, even if an abnormality occurs in the probe pin in use, the probe pin can be easily replaced.

한편, 본 발명에 따른 프로브 카드 및 이의 제조 방법은 전술한 실시예들에 한정되지 않으며, 다양한 응용이 가능하다. On the other hand, the probe card and its manufacturing method according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, various applications are possible.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 프로브 카드(200)는 전술된 실시예의 프로브 카드(도 1의 100)와 유사한 구조로 구성되며, 전극 패드(4)와 절연 보호층(9)의 구조에 있어서만 차이를 갖는다. 따라서 동일한 구성요소들에 대한 상세한 설명은 생략하며 전극 패드(4)와 절연 보호층(9)의 구조를 중심으로 하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 또한, 전술한 실시예와 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 부호를 이용하여 설명하기로 한다.The probe card 200 according to the present embodiment has a structure similar to that of the probe card (100 in FIG. 1) of the above-described embodiment, and has a difference only in the structure of the electrode pad 4 and the insulating protective layer 9. . Therefore, detailed description of the same components will be omitted and will be described in more detail based on the structure of the electrode pad 4 and the insulating protective layer 9. In addition, the same components as in the above-described embodiment will be described with the same reference numerals.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 프로브 카드(200)는 프로부 기판(10) 및 프로브 핀(20)을 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 3, the probe card 200 according to the present exemplary embodiment may include a pro-sub substrate 10 and a probe pin 20.

또한, 프로브 기판(10)은 세라믹 기판(10), 전극 패드(4), 및 절연 보호층(9)을 포함할 수 있다. In addition, the probe substrate 10 may include a ceramic substrate 10, an electrode pad 4, and an insulating protective layer 9.

본 실시예에 따른 세라믹 기판(10)은 전술한 실시예에 따른 세라믹 기판(10)과 유사하게 구성되나, 전극 패드(4)의 크기가 다르게 구성된다. The ceramic substrate 10 according to the present embodiment is configured similarly to the ceramic substrate 10 according to the above-described embodiment, but the electrode pad 4 is configured in a different size.

본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 세라믹 기판(10) 상에 형성되는 면적(즉 수평 단면)이 전술한 실시예의 경우보다 더 넓게 형성된다. The electrode pad 4 according to the present embodiment has a larger area (that is, a horizontal cross section) formed on the ceramic substrate 10 than in the above-described embodiment.

보다 구체적으로, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 프로브 핀(20)의 접합부(13)의 접촉면보다 넓은 면적으로 형성된다. 그리고, 프로브 핀(20)의 접합부(13)는 전극 패드(4)의 중심에 배치되며 전극 패드(4)에 접합된다. More specifically, the electrode pad 4 according to the present embodiment is formed with a larger area than the contact surface of the junction 13 of the probe pin 20. The junction 13 of the probe pin 20 is disposed at the center of the electrode pad 4 and bonded to the electrode pad 4.

이러한 구성으로 인해, 프로브 핀(20)의 측면으로 힘(F)이 가해지는 경우, 전극 패드(4)는 테두리 부분이 아닌, 전극 패드(4)의 내부에 힘이 가해지므로, 테두리 부분에서 박리가 시작되는 것을 억제할 수 있다. Due to this configuration, when the force F is applied to the side of the probe pin 20, the electrode pad 4 is applied to the inside of the electrode pad 4, not the edge portion, so that the electrode pad 4 is peeled off at the edge portion. Can be suppressed from starting.

또한, 본 실시예에 따른 세라믹 기판(10)은 절연 보호층(9)을 포함한다. 절연 보호층(9)은 세라믹 기판(10)의 가장 상부에 배치되어 세라믹 기판(10)의 일면을 보호한다. In addition, the ceramic substrate 10 according to the present embodiment includes an insulating protective layer 9. The insulating protective layer 9 is disposed on the top of the ceramic substrate 10 to protect one surface of the ceramic substrate 10.

또한 절연 보호층(9)은 전극 패드(4)의 상부를 일부 덮는 형태로 형성된다. 즉 절연 보호층(9)은 전극 패드(4)에 대응하는 부분에 관통 구멍(도 4의 9a)이 형성되는데, 이러한 관통 구멍(9a)은 전극 패드(4)의 면적보다 작은 크기로 형성된다. 보다 구체적으로 관통 구멍(9a)은 프로브 핀(20)의 접합부(13) 접촉면에 대응하는 크기로 형성된다. In addition, the insulating protective layer 9 is formed to cover a portion of the upper portion of the electrode pad 4. That is, in the insulating protective layer 9, a through hole (9a in FIG. 4) is formed in a portion corresponding to the electrode pad 4, and the through hole 9a is formed to have a size smaller than the area of the electrode pad 4. . More specifically, the through hole 9a is formed to have a size corresponding to the contact surface of the junction portion 13 of the probe pin 20.

이에, 본 실시예에 따른 전극 패드(4)는 절연 보호층(9)에 의해 세라믹 기판(10)에 더욱 견고하게 부착될 수 있다. 절연 보호층(9)이 전극 패드(4)의 일부를 덮는 형태로 형성됨에 따라 프로브 핀(20)에 힘이 가해지더라도 절연 보호층(9)이 하방으로 전극 패드(4)를 지지하게 되므로, 전극 패드(4)가 세라믹 기판(10)으로부터 쉽게 박리되지 않게 된다. Thus, the electrode pad 4 according to the present exemplary embodiment may be more firmly attached to the ceramic substrate 10 by the insulating protective layer 9. Since the insulating protective layer 9 is formed to cover a part of the electrode pad 4, even when a force is applied to the probe pin 20, the insulating protective layer 9 supports the electrode pad 4 downward, The electrode pad 4 is not easily peeled off from the ceramic substrate 10.

이를 위해, 본 실시예에 따른 절연 보호층(9)의 재질로 폴리이미드(polyimide)가 이용될 수 있다. 폴리이미드는 내열성이 좋으며 고온에서 특성 변화가 적으므로, 이를 이용하는 경우, 프로브 핀(20)을 접합하는 등의 공정에서 접합 패드에 열이 가해지는 경우, 절연 보호층(9)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. To this end, polyimide may be used as a material of the insulating protective layer 9 according to the present embodiment. Since the polyimide has good heat resistance and little change in characteristics at high temperatures, the polyimide prevents damage to the insulating protective layer 9 when heat is applied to the bonding pad in a process such as bonding the probe pin 20. can do.

또한 폴리이미드를 이용하는 경우, 절연 보호층(9)의 두께를 얇게 형성할 수 있어 세라믹 기판(10)의 두께가 크게 증가하지 않는다는 이점도 있다.
In addition, when polyimide is used, the thickness of the insulating protective layer 9 can be formed thinly, which also has the advantage that the thickness of the ceramic substrate 10 does not increase significantly.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 기판(10)의 제조 방법을 설명한다. 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.Hereinafter, a method of manufacturing the probe substrate 10 according to the embodiment of the present invention will be described. 4A through 4C are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a probe substrate, according to another exemplary embodiment.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 복수의 세라믹 층이 적층되어 소결된 세라믹 기판(10) 본체를 마련하고, 패드용 홈(3)을 형성한다. First, as shown in FIG. 4A, a plurality of ceramic layers are stacked to form a sintered ceramic substrate 10 main body, and a groove 3 for pads is formed.

본 단계는 전술한 실시예와 동일하게 수행될 수 있으며, 패드용 홈(3)을 형성하는 과정에서 전술한 실시예보다 넓은 면적으로 패드용 홈(3)을 형성한다는 점에서만 차이를 갖는다.
This step may be performed in the same manner as in the above-described embodiment, and the difference is only in that the pad groove 3 is formed in a larger area than the above-described embodiment in the process of forming the pad groove 3.

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 전극 패드(4)와 회로 패턴(6)을 형성하는 단계가 수행된다. 본 단계 역시 전술한 실시예와 동일하게 수행될 수 있다.
Next, as shown in FIG. 4B, the step of forming the electrode pad 4 and the circuit pattern 6 is performed. This step may also be performed in the same manner as in the above-described embodiment.

이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 세라믹 기판(10) 상에 절연 보호층(9)을 형성하는 단계가 수행된다. 본 단계는 절연 물질을 도포하고, 마스크를 이용하여 관통 구멍(9a)을 형성하는 일반적인 절연층 형성 방법을 통해 수행될 수 있다.
Subsequently, as shown in FIG. 4C, the step of forming the insulating protective layer 9 on the ceramic substrate 10 is performed. This step may be performed through a general method of forming an insulating layer by applying an insulating material and forming a through hole 9a using a mask.

이상의 과정을 통해 본 실시예에 따른 프로브 기판(10)이 완성되면, 전극 패드(4)의 상부에 프로브 핀(20)을 부착하여 도 3에 도시된 본 실시예에 따른 프로브 카드(200)를 완성하게 된다.
When the probe substrate 10 according to the present embodiment is completed through the above process, the probe pin 20 is attached to the upper portion of the electrode pad 4 so that the probe card 200 according to the present embodiment shown in FIG. You are done.

이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 프로브 카드는 전극 패드가 프로브 핀과의 접촉면보다 넓은 면적으로 형성되고, 프로브 핀 제거 시에 힘이 전극 패드의 중심으로 작용되므로, 전극 패드가 프로브 핀과 함께 기판으로부터 박리되는 것을 최소화할 수 있다. In the probe card according to the present embodiment configured as described above, the electrode pad is formed with a larger area than the contact surface with the probe pin, and the force acts as the center of the electrode pad when the probe pin is removed. Peeling from the substrate can be minimized.

또한, 전극 패드의 일부를 덮으며 절연 보호층이 형성되므로, 전극 패드와 세라믹 기판과의 고착력을 더욱 보강할 수 있다.
In addition, since an insulating protective layer is formed to cover a part of the electrode pad, the adhesion between the electrode pad and the ceramic substrate can be further reinforced.

또한, 본 실시예에서는 세라믹 기판으로 프로브 카드가 형성되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 프로브 핀이 접합되는 프로브 카드라면 폭넓게 적용될 수 있다. In addition, in the present embodiment, the case where the probe card is formed of a ceramic substrate has been described as an example, but is not limited thereto. Any probe card to which the probe pins are bonded may be widely applied.

100.....프로브 카드
10.....프로브 기판, 세라믹 기판
20.....프로브 핀
2.....도전성 비아, 비아 전극
5.....기저층 4.....전극 패드
6.....회로 패턴 7.....금속층
8.....배선 패턴 9.....절연 보호층100 ..... probe card
10 ..... Probe substrate, ceramic substrate
20 ..... probe pin
2 ..... Conductive Vias, Via Electrodes
5 .... base layer 4 .... electrode pad
6 ..... circuit pattern 7 ..... metal layer
8 ..... wiring pattern 9 ..... insulating protective layer

Claims

A ceramic substrate having at least one pad groove formed on one surface thereof and having an electrode pad formed to be embedded in the pad groove; And
A probe pin bonded to the electrode pad;
Probe card comprising a.

The method of claim 1, wherein the ceramic substrate,
And a plurality of via electrodes having one end exposed on one surface thereof, and a circuit pattern electrically connecting one end of the via electrode to the electrode pad.

The method of claim 1, wherein the electrode pad,
And a top surface exposed to the outside of the ceramic substrate to have a larger area than a bonding surface of the probe pin.

The method of claim 3, wherein the probe pin,
And a probe card bonded to a center of an upper surface of the electrode pad exposed outside of the ceramic substrate.

The method of claim 3, wherein the ceramic substrate,
The probe card further comprises an insulating protective layer covering a portion of the electrode pad.

The method of claim 5, wherein the insulating protective layer,
And a through hole formed at a portion at which the probe pin is joined.

The method of claim 5, wherein the insulating protective layer,
Probe card made of polyimide.

Providing a ceramic substrate;
Forming at least one groove for a pad on one surface of the ceramic substrate;
Forming an electrode pad in a form embedded in the groove for the pad; And
Bonding a probe pin onto the electrode pad;
Probe card manufacturing method comprising a.

The method of claim 8, wherein the preparing of the ceramic substrate comprises:
A method of manufacturing a probe card, the method comprising: preparing a ceramic substrate having a plurality of via electrodes exposed at one end thereof.

The method of claim 8, wherein forming the electrode pad,
Forming a metal layer on the ceramic substrate and filling the inside of the groove for the pad; And
Removing the metal layer formed outside the groove for the pad;
Probe card manufacturing method comprising a.

The method of claim 10, prior to forming the metal layer,
And forming a base layer of a metal material on an entire surface of the ceramic substrate.

The method of claim 11, wherein the forming of the metal layer comprises:
And forming the metal layer by plating an entire surface of the ceramic substrate using the base layer.

The method of claim 9, after the forming of the electrode pad,
And forming a circuit pattern electrically connecting the via electrode and the electrode pad.

The method of claim 8, after the forming of the electrode pad,
And forming an insulating protective layer on an upper surface of the ceramic substrate.

The method of claim 14, wherein the forming of the insulating protective layer comprises:
And forming the insulating protective layer so that a through hole is provided at a portion at which the probe pin is bonded.

The method of claim 14, wherein the forming of the insulating protective layer comprises:
And forming a portion of the insulating protective layer to cover a portion of the electrode pad.

The method of claim 14, wherein the forming of the insulating protective layer comprises:
Probe card manufacturing method of forming the insulating protective layer of a polyimide (Polyimide) material.