KR20130035877A - 내부식성 부재 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판, 및 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 상기 기판의 적어도 한 영역의 표면상에 형성된 내부식성 막의 적어도 하나의 층을 포함하는 내부식성 부재에 관한 것으로, 상기 내부식성 막은 이트리아를 주성분으로 함유하고, 이트리아에 대한 오산화물(pentoxide)에 대하여 0.02 몰% 내지 10 몰%의 양으로 탄탈룸 및 니오븀 중 적어도 하나를 더 함유하고, 비-용융부는 내부식성 막 내에 존재하지 않는 것을 특징한다.

Description

내부식성 부재 및 그의 제조 방법{CORROSION RESISTANT MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 및 액정디스플레이부 등의 제조를 위한 플라즈마 처리 장치에 적합하게 사용될 수 있는 내부식성 부재 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
지금까지, 반도체 및 액정디스플레이부 등의 제조를 위한 플라즈마 처리 장치의 일부로서, 알루미나 세라믹 및 이트리아 세라믹을 사용해 왔지만, 큰 규모의 부재의 경우에 있어서 이를 소결체로 제조하는 어려움이 있다.
그러므로, 또한 비용에 관점에서, 플라즈마 처리시에 내부식성이 요구되는 영역에만 분무 등과 같은 방법에 의해 알루미나 또는 이트리아의 막을 형성하는 방법이 적합했었다.
이러한 분무로 형성된 막은 불순물을 함유하지 않아서 플라즈마 처리 장치에 처리될 물품(article)은 오염되지 않는다. 이트리아의 분무와 같은 이러한 관점으로부터, 이트리아만이 분무를 위한 물질로서 홀로 사용되어왔다.
그러나, 이트리아만으로 구성된 분무로 형성된 막은 조밀하게 하기 어렵고, 막은 약 3% 내지 5%의 다공성을 갖는 기공을 함유하는 상태로 형성된다. 막이 많은 기공을 함유하는 경우에, 플라즈마 처리시에 기공부에서 쉽게 식각되고, 이러한 식각은 입자의 발생을 유발하고, 또한 플라즈마 도는 부식성 가스에 대항하여 내부식성을 감소시킴으로써 분무로 형성된 막이 내구성이 떨어지는 문제점이 있다.
전술한 문제점에 맞서서, 이트리아 만을 함유하는 막을 형성하지 않고 또 다른 물질과 혼합된 막을 형성하는 것이 제안되어 왔다. 예를 들어, 특허문헌 1은 정전 척(electrostatic chuck)에 대한 보호층을 형성함으로써 플라즈마 저항에 개선에 대해 개시하고 있으며, 여기서 상기 보호층은 알루미늄, 마그네슘, 티타늄 또는 탄탈룸과 같은 금속과 혼합된 이트리아를 함유하는 구조를 갖는다.
반면에, 특허문헌 1에 설명된 보호층에서, 이트리아와 혼합될 물질이 탄탈룸과 같은 금속이기 때문에, 금속 성분은 플라즈마 처리 장치 내에서 불순물로서 웨이퍼와 같은 처리될 물품 내에 혼합되어서 처리될 물품을 오염시킨다.
나아가, 탄탈룸과 같은 금속의 융점이 약 3000℃이고, 이는 이트리아의 융점인 2430℃보다 높기 때문에, 막이 이트리아와 탄탈룸을 혼합한 것의 분무 등에 의해 형성되는 경우에, 막 표면은 충분히 조밀하지 않고, 입자의 발생을 유발할 수 있는 기공 및 불균질성이 존재하지 않는 상태로 만들기가 어렵다.
따라서, 플라즈마 처리 장치의 부재 상에 형성될 내부식성 막에 있어서, 내부식성 막이 적은 불순물을 함유할 뿐만 아니라 입자의 발생을 유발할 수 있는 적은 기공과 적은 불균질성을 갖는 것이 요구되고, 뿐만 아니라 조밀하고 매끈한 표면을 갖는 것이 요구된다.
JP-A-2008-42197
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 고안되었고, 그 목적은 이트리아를 주성분으로 구성된 막으로 코팅된 내부식성 부재를 제공하는 것이되, 상기 부재는 조밀하고 매끈한 표면을 가지며, 플라즈마 처리시에 입자 및 금속 불순물의 발생을 통해 처리될 물품을 오염시키지 않고 강도 및 내구성이 훌륭한 반도체, 액정디스플레이부 등을 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치의 부재로서 사용하기에 적합하고, 내부식성 부재를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판, 및 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 기판의 적어도 한 영역의 표면상에 형성된 적어도 하나의 내부식성 막 층을 포함하는 내부식성 부재에 관한 것으로,
상기 내부식성 막은 주 성문으로 이트리아를 함유하고, 나아가 이트리아에 대한 오산화물(pentoxide)에 대한 비로 0.02 몰% 내지 10 몰%의 양으로 탄탈룸 및 니오븀 중 적어도 하나를 더 포함하고, 비-용융부는 내부식성 막 내에 존재하지 않는 것을 특징으로 한다.
본원에서, 비-용융부는 이트리아가 완전히 용융되지 않는 부분을 의미하고, 그의 잔해는 내부식성 막 상에서 입자상으로 존재한다.
이러한 비-용융부가 존재하지 않는 상태의 이트리아 막은 조밀하고 매끈한 표면을 가지고 훌륭한 내부식성 막으로서 기능하고 강도의 개선도 달성하기 때문에, 처리될 물품이 입자 및 금속 불순물의 발생을 통해 오염되는 것이 내부식성 부재가 플라즈마 처리 장치에 응용되는 경우에 억제될 수 있다.
내부식성 막에 있어서, 함유된 탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 모든 양은 이트리아에 용해되는 것이 바람직하다.
전체가 균질한 상태의 고체 용액으로 내부식성 막을 형성함으로써, 내부식성은 훨씬 개선될 수 있다.
또한, 내부식성 막은 분무로 형성된 막인 것이 바람직하다.
높은 융점을 갖는 금속 산화 물질로 구성된 내부식성 막을 균질하고 쉽게 형성하기 위하여, 상기 막을 분무로 형성된 막으로 형성하는 것이 바람직하다.
나아가, 내부식성 막은 5μm 내지 1000μm의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 적어도 그의 표면은 2.0% 이하의 다공성을 갖는 것이 바람직하다.
전술한 범위 내의 두께 및 다공성을 갖는 내부식성 막을 형성함으로써, 입자의 발생을 억제하는 것을 달성하고, 내부식성 부재가 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 시에 내부식성 및 내구성의 개선이 달성된다.
또한, 본 발명의 내부식성 부재를 제조하는 방법은, 원재료 분말의 이트리아를 원재료 분말의 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나와 혼합한 뒤; 상기 원재료 분말들을 과립형 분말로 얻기 위해 과립화(granulating)하고; 내부식성 막을 형성하기 위해 가스 플라즈마 분무에 의해 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판의 표면상에 과립화된 분말을 분무하는 것을 포함한다.
이러한 가스 플라즈마 분무에 의해, 조밀하고 균질한 고급의 내부식성 막이 형성될 수 있다.
내부식성 부재를 제조하는 방법에 있어서, 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50은 이트리아의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50에 대하여 10% 내지 80%를 차지한다.
여기서, 50% 입자 직경 D50은 50% 축적시의 입자 직경이고, 이를 평균 직경이라고도 부른다.
원재료 분말을 전술한 입자 크기로 조절함으로써, 모든 양의 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물이 이트리아에 용해된 상태의 내부식성 막이 적합하게 형성될 수 있다.
본 발명의 내부식성 부재에 따르면, 매끈한 표면을 갖는 조밀한 내부식성 막이 형성되기 때문에, 상기 막이 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출되는 경우에 입자 및 금속 불순물의 발생이 억제되고, 또한 강도 및 내구성의 개선이 달성된다.
그러므로, 본 발명의 내부식성 부재는 반도체 및 액정디스플레이부 등을 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치의 부재로서 주요하게 적절히 응용될 수 있고, 물품이 플라즈마 처리시에 불순물에 오염되는 것을 억제할 수 있다.
나아가, 본 발명의 제조 방법에 따르면, 전술한 내부식성 부재는 적절히 제조될 수 있다.
하기에서는 본 발명을 더 구체적으로 설명할 것이다.
본 발명의 내부식성 부재는, 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판 및 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 기판의 적어도 한 영역의 표면상에 형성된 적어도 하나의 내부식성 막 층을 포함하는 부재로서, 상기 내부식성 막은 이트리아를 주성분으로 함유하고, 나아가 이트리아에 대한 오산화물에 대한 비로 0.02 몰% 내지 10 몰%의 양으로 탄탈룸 및 니오븀 중 적어도 하나를 더 포함하고, 비-용융부는 내부식성 막 내에 존재하지 않는 것을 특징으로 한다.
전술한 금속 산화물을 이트리아에 첨가하고 비-용융부가 존재하지 않는 상태를 달성함으로써, 조밀성 및 매끈한 표면을 갖는 내부식성 막이 얻어질 수 있다.
전술한 내부식성 막의 조성물로서, 내부식성 막은 이트리아를 주성분으로 함유하고, 나아가 이트리아에 대한 오산화물에 대한 비로 0.02 몰% 내지 10 몰%의 양으로 탄탈룸 및 니오븀 중 적어도 하나를 더 함유한다.
탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중, 안정한 산화물은 탄탈룸 오산화물 또는 니오븀 오산화물이다. 탄탈룸 오산화물의 융점은 약 1880℃이고 니오븀 오산화물의 융점은 약 1520℃이다. 상기 융점들이 이트리아의 융점인 약 2430℃보다 낮기 때문에, 산화물 둘 모두는 이트리아를 주성분으로 함유하는 혼합물의 융점을 낮추는 역할을 하고 막의 조밀화를 촉진한다.
나아가, 상기 탄탈룸 오산화물 또는 니오븀 오산화물은 이트리아와 함께 고체 용액 또는 합성 산화물을 형성하여 안정화시키기 때문에, 이들이 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출되는 경우에, 탄탈룸 또는 니오븀의 금속 홑원소의 불순물의 발생이 억제되고, 또한 플라즈마 또는 부식성 가스에 대한 내부식성에 대해, 이트리아만 있는 경우에 자체적으로 손상되던 것이, 여기서는 손상되지 않는다.
그러므로, 상기 탄탈룸 산화물 또는 니오븀 산화물은 탄탈룸 오산화물 또는 니오븀 오산화물인 것이 바람직하다.
상기 내부식성 막의 상기 조성물에 있어서, 내부식성 막에 함유된 탄탈룸 산화물 또는 니오븀 산화물은 이들 중 어느 하나가 혼합되거나 둘 모두가 혼합될 수 있다.
탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 함량은 조성물의 주성분인 이트리아에 대한 오산화물의 비로서 0.02 몰% 내지 10 몰%이다.
함량이 0.02 몰% 미만이 되는 경우에, 융점을 낮추는 전술한 효과는 불충분하고 내부식성 막을 조밀화하는 효과도 충분히 얻어지지 않는다. 반면에, 함량이 10 몰%를 초과하는 경우에, 탄탈룸 산화물 또는 니오븀 산화물은 과잉되고 탄탈룸 또는 니오븀으로부터 유래되는 불순물은 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 시에 발생되기 쉬워진다.
탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 함량은 0.5 몰% 내지 5 몰%인 것이 바람직하다.
나아가, 비-용융부는 내부식성 막에 존재하지 않는다.
비-용융부가 내부식성 막에 존재하지 않는 경우에, 이트리아는 완전히 용융되지 않고 비-용융부에 입자 상태로 존재하여 빈 공간이 입자 둘레로 존재하고, 따라서 조밀한 막이 형성되지 않게 되어서 내부식성 막의 강도의 감소가 초래된다.
그러므로, 내부식성 막은 강도를 개선하기 위한 관점에서 완전히 용융된 상태로 형성되어야 한다.
내부식성 막은 비-용융부가 전술한 바와 같이 존재하지 않는 상태이고, 나아가 함유된 탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 모든 양이 이트리아에 용해되는 것이 바람직하다.
이와 관련하여, 구절 "함유된 탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 모든 양이 이트리아에 용해된다"은 상기 막이 X-레이 회절(XRD)로 조사한 경우에, Ta 금속의 Ta로부터 유래된 어떠한 피크, Ta 단일 피크 등이 존재하지 않다는 것을 의미한다.
내부식성 막이 고체 용액으로 구성되고 전체로서 균질한 상태이기 때문에, 플라즈마 또는 부식성 가스에 대한 내부식성은 더 개선될 수 있다.
전술한 내부식성 막은 분무로 형성된 막이 바람직하다.
막이 분무로 형성된 막인 경우에, 높은 융점을 갖는 금속 산화 물질로 구성된 내부식성 막은 균질할 수 있고 복잡한 형태를 갖는 기판 표면 등 상에도 손쉽게 형성될 수 있다.
나아가, 내부식성 막은 5μm 내지 1000μm의 두께를 가진다.
상기 범위 내에서, 충분한 내부식성은 기판의 노출 없이 얻어지고, 또한 내부식성 부재가 플라즈마 또는 부식성 가스에 장시간 노출되는 경우에도 얻어지고, 우수한 내구성의 부재도 얻어진다. 나아가, 기판과의 충분한 결합 강도가 얻어지고 내부식성 막의 박락(peel-off)은 용이하게 일어나지 않는다.
내부식성 막은 50μm 내지 500μm의 두께를 갖는 것이 더 바람직하다.
나아가, 내부식성 막 중 적어도 하나의 표면층은 2.0% 이하의 다공성을 가진다.
다공성이 2.0% 이하인 경우에, 기공으로부터 유래되는 식각의 과정은 촉진되지 않고, 입자의 발생은 내부식성 부재가 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 시에 억제될 수 있다.
내부식성 막의 성분인 이트리아, 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 원재료 각각에 있어서, 모든 경우에서 순도 99% 이상을 갖는 매우 순수한 분말을 사용하는 것이 바람직하다.
순도가 99% 이상인 경우에, 입자의 발생 및 이러한 원재료 내의 불순물로부터 유래된 오염물질은 내부식성 부재가 플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 시에 억제될 수 있다.
내부식성 막으로 코팅될 기판의 재료는 세라믹 또는 금속인 이상 특별히 제한되지 않는다. 내부식성 부재가 반도체, 액정디스플레이부 등을 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치에 사용되는 경우에, 예를 들어 알루미늄(양극 산화처리된 알루미늄 포함), 석영, 알루미나, 실리콘, 탄화 규소, 실리콘 등이 사용된다.
전술한 본 발명의 내부식성 부재는 원재료 분말의 이트리아를 원재료 분말의 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나와 혼합한 뒤; 상기 원재료 분말들을 과립형 분말로 얻기 위해 과립화하고; 내부식성 막을 형성하기 위해 가스 플라즈마 분무에 의해 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판의 표면상에 과립화된 분말을 분무하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조되는 것이 바람직하다.
분무하는 방법으로서, 일반적으로, 플레임 분무(flame spraying), 플라즈마 분무 등이 있다. 본 발명에 있어서, 내부식성 막의 구성 재료를 혼합한 뒤, 분무용 분말을 얻기 위해 구성 재료를 과립화하고, 플라즈마 분무에 의해 내부식성 막을 형성하는 것이 바람직하다.
특히, 가스 플라즈마 분무에 있어서, 분무용 분말은 불활성 가스를 사용하는 플라즈마 제트 블라스트(plasma jet blast)로 분무되며, 이트리아와 같은 내부식성 막을 구성하기 위한 재료는 고온에서 충분히 용융될 수 있고 플레임 분무의 경우에서보다 더 빠른 속도로 기판에 충돌될 수 있어서, 조밀하고 균질한 고급 내부식성 막이 형성될 수 있다.
상기 제조 방법에 있어서, 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50은 이트리아의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50에 대하여 10% 내지 80%를 차지한다.
탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 모든 양이 이트리아에 용해된 상태의 내부식성 막을 형성하기 위해서, 각각의 입자 크기를 조절하여, 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 50% 입자 직경 D50과 이트리아의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50이 전술한 관계를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 D50이 이트리아의 원재료 분말의 D50의 10% 미만인 경우에, 분말은 분리되기 쉽고 균질한 과립형 분말은 과립화 단계에서 얻어지지 않고, 따라서 탄탈룸 산화물 또는 니오븀 산화물의 편석(segregation) 및 비-용융부는 분무로 형성된 막에서 발생되기 쉽다.
반면에, 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 D50이 이트리아의 원재료 분말의 D50의 80%를 초과하는 경우에, 탄탈룸 산화물의 굵은 입자가 이트리아와 함께 완전한 고체 용액을 형성하기 쉽지 않고, 또한 이와 같은 경우에, 탄탈룸 산화물 또는 니오븀 산화물의 편석 및 비-용융부는 분무로 형성된 막에서 발생되기 쉽다.
실시예
이하에서는 실시예에 기초하여 본 발명을 더 구체적으로 설명할 것이지만, 본 발명은 이하 실시예에 한정되는 것으로 이해되지는 않아야 할 것이다.
탄탈룸 오산화물(Ta2O5) 또는 니오븀 오산화물(Nb2O5)을 원재료 순도 99.5%를 갖는 이트리아 분말에 첨가하고, 분무 과립화 후에, 혼합물을 공기 중에서 1000℃로 가열했다. 분무용 분말로서 얻어진 분말을 사용하여, 100mm x 100mm x 두께 10mm인 판-형상의 알루미늄 기판 표면상에 가스 플라즈마 분무 방법에 의해 200μm의 두께를 갖는 내부식성 막을 형성하였으며, 이러한 방식으로 표 1의 실시예 및 비교예 각각에 도시된 값의 이트리아에 대한 탄탈룸(Ta) 또는 니오븀(Nb)의 함량으로 내부식성 부재의 표본을 각각 제조했다.
각각의 얻어진 표면 내의 Ta 및/또는 Nb 함량을 ICP 방출 분광분석에 의해 측정했고 오산화물에 대하여 계산했다.
그런데, 비교예 10에서, 내부식성 막을 형성하기 위하여, 탄탈룸 오산화물 또는 니오븀 오산화물을 첨가하는 대신에 금속 탄탈룸(Ta)을 첨가했다.
상기 실시예 및 비교예에서 얻은 표본 각각에 대해서, 주사전자현미경(SEM)의 200배 확대 사진에서 기공의 면적을 측정하여 내부식성 막의 다공성을 측정했다.
SEM 관찰을 통해 비-용융부의 존재를 살폈다. X-레이 회절 분석에서 Ta 및 Nb의 피크의 검출에 기초하여 편석의 존재를 확인하여 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물의 고체 용액 상태를 살폈다.
나아가, 50mm x 40 mm x 5 mm의 판-형상 알루미늄 기판 표면상에 전술한 방법과 동일한 방식으로 5mm 두께를 갖는 내부식성 막을 형성한 후에, 3mm x 4mm x 40mm의 내부식성 막의 시험 조각을 제조하기 위해 알루미늄 기판으로부터 내무식성 막을 제거했다. 그 후에, JIS R 1601에 따라서 4-점 굴곡 강도(4-point flexual strength)를 측정했다.
나아가, 전술한 방법과 동일한 방식으로 알루미늄으로 만들어진 상부 전극 상에 분무로 형성된 막을 형성했고, 그 전극을 사용하여, RIE형 식각 장치(사용 가스: CF4, O2)에서 300mm 직경을 갖는 실리콘 웨이퍼를 플라즈마 처리했다.
그 후에, 레이저 입자 카운터(laser particle counter)의 방식으로 웨이퍼 상에 0.15μm 이상의 크기를 갖는 입자들의 수를 측정했다. 나아가, 웨이퍼 상에 Ta, Nb 등의 오염물질을 검출했고 각 원소의 양을 ICP-MS로 측정했다.
상기 실시예 및 비교예의 각각의 측정 결과는 표 1에서 수집해서 보여진다. 이와 관련하여, 표 1에서 D50은 이트리아의 원재료 분말의 D50에 대한 Ta2O5 및 Nb2O5의 원재료 분말의 D50의 비율이다.
Figure pat00001
Figure pat00002
표 1에서 보여지는 바와 같이, 실시예1 내지 22의 내부식성 부재에서, 굴곡 강도는 개선되었고, 내부식성 막을 구성하는 재료로부터 유래된 금속 오염물질 및 처리될 웨이퍼 상의 입자는 적거나 작았으므로, 불순물 오염물질이 억제되었다는 것을 관찰했다.
이와 관련하여, 플라즈마 처리 이후에, 내부식성 막의 두께가 너무 얇은 경우에(실시예 19), 기판의 일부가 노출되었다. 반면에, 내부식성 막이 너무 두꺼운 경우에(실시예 20), 박락이 내부식성 막의 일부에서 발생했다.
본 발명이 그의 특정 실시예를 참조하여 구체적으로 설명되었지만, 다양한 변화 및 변형이 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 그 안에서 이루어질 수 있다는 것이 통상의 기술자에게 자명할 것이다.
또한, 본원은 2011년 9월 30일에 출원된 일본특허출원 제2011-217772호에 기초한 것이고 그 내용은 참고로서 본원에 포함된다.

Claims (9)

  1. 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판, 및
    플라즈마 또는 부식성 가스에 노출될 상기 기판 중 적어도 한 영역의 표면상에 형성된 적어도 하나의 내부식성 막 층을 포함하는 내부식성 부재에 있어서,
    상기 내부식성 막은 이트리아를 주성분으로 함유하고, 이트리아에 대한 오산화물(pentoxide)에 대하여 0.02 몰% 내지 10 몰%의 양으로 탄탈룸 및 니오븀 중 적어도 하나를 더 함유하고, 비-용융부는 내부식성 막 내에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    내부식성 막에서, 함유된 탄탈룸 산화물 및/또는 니오븀 산화물의 모든 양은 이트리아와 용융되는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  3. 제 1 항에 있어서,
    내부식성 막은 분무로 형성된 막인 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  4. 제 2 항에 있어서,
    내부식성 막은 분무로 형성된 막인 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  5. 제 1 항에 있어서,
    내부식성 막은 5μm 내지 1000μm의 두께를 가지고, 적어도 그의 표면층은 2.0% 이하의 다공성을 가지는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  6. 제 2 항에 있어서,
    내부식성 막은 5μm 내지 1000μm의 두께를 가지고, 적어도 그의 표면층은 2.0% 이하의 다공성을 가지는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  7. 제 3 항에 있어서,
    내부식성 막은 5μm 내지 1000μm의 두께를 가지고, 적어도 그의 표면층은 2.0% 이하의 다공성을 가지는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재.
  8. 제 1 항에 따른 내부식성 부재를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은:
    원재료 분말의 이트리아를 원재료 분말의 탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나와 혼합한 뒤, 상기 원재료 분말들을 과립형 분말로 얻기 위해 과립화하는 단계; 및
    내부식성 막을 형성하기 위해, 가스 플라즈마 분무에 의해 세라믹 또는 금속으로 구성된 기판의 표면상에 과립화된 분말을 분무하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부식성 부재를 제조하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    탄탈룸 산화물 및 니오븀 산화물 중 적어도 하나의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50은 이트리아의 원재료 분말의 50% 입자 직경 D50에 대하여 10% 내지 80%인 것을 특징으로 하는 내부식성 부재를 제조하는 방법.
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