JP2007119834A - 耐プラズマ性溶射部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックスまたは金属からなる基材表面に、イットリア系プラズマ溶射膜が形成された溶射部材において、前記溶射膜は、タングステンがイットリアに対して5重量%以上60重量%未満分散し、気孔率が5%以下であり、該溶射部材の20〜400℃での表面抵抗率を106Ω・cm以上1013Ω・cm未満とする。
【選択図】なし
Description
これらの中でも、特に、イットリアは、耐プラズマ性に優れていることから、注目されている。
例えば、特許文献1には、イットリアのセラミックス多孔質焼結体が、プラズマ処理装置に用いることができることが開示されている。
また、体積抵抗率が高いことに起因して、例えば、エッチング工程において、上記のセラミックスからなる部材がウエハ近傍で使用されると、ウエハ直上に形成されるイオンシースが不均一となり、ウエハ面内で均一にエッチングされず、エッチングレートが中心部と外周部で異なるという問題も生じていた。
その結果、イットリアに所定量のタングステンを添加し、プラズマ溶射膜により被覆することが有効であることを見出した。
このような溶射部材をハロゲンプラズマプロセスにおける装置用部材として用いれば、部材の帯電によるパーティクルの発生を抑制することができ、また、ウエハ等のエッチングにおいて、ウエハ面内でのエッチングレートの均一性を保持することができる。
表面抵抗率が上記範囲内である耐プラズマ性溶射部材であれば、上記のパーティクル発生の抑制およびウエハ面内におけるエッチングレートの均一化において、より効果的である。
さらに、前記耐プラズマ性溶射部材を用いれば、耐久性の向上、クリーニングサイクルの長期化が図られ、また、ハロゲンプラズマプロセスにおいても、パーティクルの発生が抑制されるため、ひいては、後の工程において製造される半導体チップ等の歩留まり向上に寄与し得る。
本発明に係る耐プラズマ性溶射部材は、セラミックスまたは金属からなる基材表面に、イットリア系プラズマ溶射膜が形成されているものである。そして、前記溶射膜が、タングステンがイットリアに対して5重量%以上60重量%未満分散し、気孔率が5%以下であることを特徴とするものである。
このように、それ自体が耐プラズマ性を有するイットリアに、高融点金属であるタングステンを添加した溶射膜を形成することによって、部材の表面抵抗率を低下させることができる。
すなわち、本発明に係る溶射部材は、フッ素系、塩素系等のハロゲン耐プラズマ性に優れており、高融点金属であるタングステンの添加量によって、表面抵抗率の調整を可能としたものである。
このため、前記溶射部材をハロゲンプラズマプロセスにおける装置用部材として用いた場合、該部材の帯電によるパーティクルの発生を抑制することができ、また、ウエハ等のエッチングにおいて、ウエハ面内でのエッチングレートの均一性を保持することができるため、従来の絶縁性セラミックスを用いた場合と比較して、製造される半導体チップ等の歩留まりの向上を図ることができる。
前記添加量が60重量%以上である場合、溶射膜の耐プラズマ性が著しく低下し、該溶射部材をハロゲンプラズマプロセス装置用部材として用いた場合、該部材の消耗により発生するパーティクルが増加する。
一方、前記添加量が5重量%未満である場合、表面抵抗率はほとんど低下しない。
前記開気孔率が5%を超える場合、該溶射部材をハロゲンプラズマプロセス装置用部材として用いた場合、プラズマによって気孔周辺部分が集中的に腐食し、部材自体がエッチングされて、パーティクルが発生しやすくなる。
フレーム溶射法は、プラズマ溶射法に比べて、低温で行われるため、イットリアのような高融点材料を十分に溶融させることは困難である。
一方、プラズマ溶射法は、プラズマ炎を使用するため、溶射材であるイットリアを十分に溶融して高速で基材に衝突させることができ、緻密な膜を形成することができる。
溶射膜が緻密でない、すなわち、気孔が多く存在する場合は、耐プラズマ性の低下のみならず、長時間の使用により、溶射膜中の気孔を通過した腐食性ガスが基材を徐々に腐食するため、基材と溶射膜との密着性が低下し、膜剥離を生じる。この剥離した溶射膜自体がパーティクルとなり、さらに、膜剥離により露出した基材表面がプラズマと反応して、パーティクル源となり得る。
したがって、溶射膜によって耐プラズマ性を発現させるためには、均一かつ緻密な膜を形成させることが求められることから、溶射方法としては、プラズマ溶射法を用いることが好ましい。
前記基材は、溶射膜との密着性を向上させる観点から、セラミックスの場合には、表面粗さRaが1〜8μm、金属の場合には、表面粗さRaが2〜15μmとなるように、表面状態を研磨処理等しておくことが好ましい。
前記表面抵抗率が1013Ω・cmを超える場合、該溶射部材は、帯電しやすく、ハロゲンプラズマプロセス装置用部材として用いた場合、パーティクルの発生を抑制することは困難である。また、ウエハ直上に形成されるイオンシースが不均一になり、該ウエハ面内におけるエッチングレートが不均一となる。
一方、前記体積抵抗率が106Ω・cm未満である場合、絶縁性が十分とは言えず、この場合も、上記のようなパーティクルの発生の抑制およびエッチングレートの均一化の効果は得られない。
具体的には、例えば、純水中に純度99.9%のイットリア原料粉末(平均粒径2〜20μm)に、タングステン粉末(平均粒径0.2〜4.0μm)を所定量添加し、ボールミルにて混合する。そして、得られたスラリーをスプレードライヤにて造粒し、平均粒径10〜70μmの造粒粉を得る。この造粒粉を溶射用粉末として用い、プラズマ溶射を行うことにより、表面粗さRaが2〜8μmの溶射膜を形成することができる。
前記溶射膜は、厚すぎると基材から離れるにつれて気孔が増大するため、1000μm以下であることが好ましい。
また、複雑な形状やウエハの大口径化に対応した大型の部材であっても、セラミックス焼結体からなる耐プラズマ性部材に比べて、加工性、コスト等において有利である。
[実施例1]
純度99.9%のイットリア原料粉末に、タングステン(W)粉末を前記イットリアに対して5重量%添加し、スプレードライヤにて溶射用粉末を得た。
得られた粉末を用いて、アルミニウム基材表面に、ガスプラズマ溶射法によりイットリア溶射膜を形成した。
前記溶射膜について、断面画像解析法により開気孔率を測定した。この気孔率は、試料断面を研磨して、マイクロスコープによる撮影画像と既知の開孔率の指標画像とを比較することにより求めたものである。
また、表面抵抗率を、室温(25℃)にて、4端子法(JIS K 7194準拠)により測定した。
これらの測定結果を表1に示す。
これを、RIE方式のエッチング装置(使用ガス:CF4、O2)に装着して、8インチのシリコンウエハのエッチング処理を行った後、レーザパーティクルカウンタにより、ウエハ上の0.3μm以上のパーティクル数を測定した。
また、前記ウエハからチップ(15mm×7mm)を作製し、その歩留まりの評価も行った。
これらの結果を表1に示す。
イットリアに対するタングステン(W)粉末の添加量を、それぞれ、表1の実施例2〜7、比較例1〜5に示す量として、それ以外については、実施例1と同様にして、イットリア溶射膜を形成した。
各溶射膜について、実施例1と同様に、開気孔率および表面抵抗率を測定し、また、プラズマ整流リングとした場合のウエハのパーティクル数の測定およびチップの歩留まりの評価も行った。
これらの結果をまとめて表1に示す。
Claims (2)
- セラミックスまたは金属からなる基材表面に、イットリア系プラズマ溶射膜が形成され、前記溶射膜は、タングステンがイットリアに対して5重量%以上60重量%未満分散し、気孔率が5%以下であることを特徴とする耐プラズマ性溶射部材。
- 20〜400℃での表面抵抗率が106Ω・cm以上1013Ω・cm未満であることを特徴とする請求項1記載の耐プラズマ性溶射部材。
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