KR20130032244A - 조명 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20130032244A
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

일 실시 형태에 따르면, 조명 장치는, 제1 기판, 제1 전극부, 유기 EL부, 제2 전극부 및 제2 기판을 포함한다. 제1 전극부는 제1 기판의 표면에 설치되고, 복수의 개구를 포함한다. 유기 EL부는 제1 전극부와, 상기 복수의 개구에 노출되는 상기 제1 기판의 표면을 덮도록 설치된다. 제2 전극부는 유기 EL부를 덮도록 설치된다. 제2 기판은 제1 기판의 표면에 대향된다. 제1 전극부는 양극이고, 제2 전극부는 음극이다.

Description

조명 장치 및 그 제조 방법{ILLUMINATION DEVICE AND MEHTOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
관련 출원의 상호 참조
본원은 2011년 9월 22일에 출원된 일본 특허 출원 제2011-208124호에 기초하여 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로서 원용된다.
후술하는 실시 형태는 일반적으로 조명 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다
유기 일렉트로루미네센스 소자(이하, 단순히 유기 EL 소자라고 칭함)에 기초한 조명 장치가 있다.
이와 같은 조명 장치는, 예를 들어, 반사형 액정 표시 장치를 전방면으로부터 조명하는 프론트 라이트 장치로서 이용될 수 있다. 그 후, 유기 EL 소자는 반사형 액정 표시 장치로부터의 반사광을 차광시킨다.
따라서, 유기 EL 소자의 미세화가 요구된다.
일반적으로, 일 실시 형태에 따르면, 조명 장치는, 제1 기판, 제1 전극부, 유기 EL부, 제2 전극부 및 제2 기판을 포함한다. 제1 전극부는 제1 기판의 표면에 설치되고, 복수의 개구를 포함한다. 유기 EL부는 제1 전극부와, 복수의 개구에 노출되는 제1 기판의 표면을 덮도록 설치된다. 제2 전극부는 유기 EL부를 덮도록 설치된다. 제2 기판은 제1 기판의 표면에 대향된다. 제1 전극부는 양극이고, 제2 전극부는 음극이다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 조명 장치(1)를 예시하는 모식적 단면도이다.
도 2는 비교예에 따른 조명 장치(30)를 예시하는 모식적 단면도이다.
도 3의 (a) 내지 (e)는 제2 실시 형태에 따른 조명 장치(1)의 제조 방법을 예시하는 모식적 공정 단면도이다.
이하, 첨부하는 도면을 참조하면서, 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다. 도면에서, 유사한 구성 요소에는 유사한 참조 번호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명은 적절히 생략한다.
[제1 실시 형태]
도 1은 제1 실시 형태에 따른 조명 장치(1)를 예시하는 모식적 단면도이다.
도 2는 비교예에 따른 조명 장치(30)를 예시하는 모식적 단면도이다.
도 1 및 도 2는, 일례로서, 조명 장치가, 반사형 액정 표시 장치(100)를 전방면으로부터 조명하는 프론트 라이트 장치로서 이용되는 경우를 예시한다.
우선, 도 2에 도시하는 비교예에 따른 조명 장치(30)에 대하여 예시한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 조명 장치(30)는 기판(32a), 기판(32b), 전극부(33), 유기 EL부(34) 및 전극부(35)를 포함한다.
기판(32a)과 기판(32b)은 서로 대향되어 있다. 기판(32a)과 기판(32b) 사이에는 전극부(33), 유기 EL부(34) 및 전극부(35)가 설치된다.
전극부(33)는 막 형상이고 기판(32b)의 주면에 설치된다. 전극부(33)는 투광성의 도전성 재료로 형성된다. 따라서, 전극부(33)는 유기 EL부(34)로부터 출사된 광 L31을 투과시킬 수 있다.
유기 EL부(34)는 일정한 방향으로 신장하는 스트라이프 형상(이하, 단순히 스트라이프 형상이라고 칭함)을 갖고, 전극부(33) 위에 설치된다. 유기 EL부(34)는 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층부를 적층하여 형성될 수 있다.
전극부(35)는 스트라이프 형상을 갖고, 유기 EL부(34) 위에 설치된다. 전극부(35)는 알루미늄 및 은 등의 금속으로 형성된다.
전극부(33), 유기 EL부(34) 및 전극부(35)가 적층되는 부분은 유기 EL 소자(36)를 구성한다.
이 경우, 전극부(33)는 양극으로서 기능하고, 전극부(35)는 음극으로서 기능한다.
따라서, 전극부(33)에는 플러스 전위가 인가되고, 전극부(35)에는 마이너스 전위가 인가된다. 그 후, 유기 EL 소자(36)를 구성하는 부분에서 발광이 생긴다. 즉, 유기 EL부(34)에서, 전극부(33)와 전극부(35) 사이에 끼워진 부분에서 발광이 생긴다.
유기 EL부(34)로부터 출사된 광 L31은 전극부(33) 및 기판(32b)을 투과하고, 반사형 액정 표시 장치(100)에 의해 반사된다. 반사형 액정 표시 장치(100)에 의해 반사된 광 L32는 조명 장치(30)를 투과하여 관찰자측으로 향한다. 이 경우, 유기 EL 소자(36)를 구성하는 전극부(35)는 차광 효과를 갖는 금속으로 형성된다. 따라서, 광 L32의 일부가 차광된다.
이 경우, 유기 EL 소자(36)를 미세화하면, 차광되는 광 L32의 양을 저감시킬 수 있다.
여기서, 일반적으로, 스트라이프 형상을 갖는 유기 EL부(34) 및 스트라이프 형상을 갖는 전극부(35)는, 마스크 증착법을 이용하여 형성된다.
그러나, 마스크 증착법을 이용하여, 미세한 유기 EL부(34)와 전극부(35)를 형성하면, 소위 증착 불선명(blur) 등의 불량이 발생하여 수율이 저하될 수 있다.
또한, 미세한 유기 EL부(34)와 전극부(35)의 형성에는, 고정밀도의 증착 마스크가 필요하여, 제조 비용이 증가될 수 있다.
따라서, 조명 장치(30)의 구성에서는, 유기 EL 소자(36)의 미세화가 곤란하다.
다음으로, 도 1로 복귀하여, 제1 실시 형태에 따른 조명 장치(1)를 예시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 조명 장치(1)는, 기판(2a)(제1 기판의 일례에 대응함), 기판(2b)(제2 기판의 일례에 대응함), 전극부(3)(제1 전극부의 일례에 대응함), 유기 EL부(4) 및 전극부(5)(제2 전극부의 일례에 대응함)를 포함한다.
참조 번호 100은 반사형 액정 표시 장치를 나타낸다.
기판(2a)과 기판(2b)은 투광성 재료로 형성된 판 형상일 수 있다. 투광성 재료는, 예를 들어, 소다 석회 글래스(소다 글래스(soda glass)라고도 칭함) 등의 무기 글래스, 석영, 또는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 폴리카보네이트 등의 투명 수지일 수 있다.
기판(2a)과 기판(2b)은 서로 대향되어 있다. 기판(2a)의 주연과 기판(2b)의 주연은, 예를 들어, 프릿으로 구성된 밀봉부(10)에 의해 밀봉된다. 밀봉부(10)에 의해 규정된(defined) 영역에는, 전극부(3), 유기 EL부(4) 및 전극부(5)가 설치된다. 기판(2a)과 기판(2b) 사이의, 밀봉부(10)에 의해 규정된 영역은 질소 가스 및 아르곤 가스 등의 불활성 가스로 충전될 수 있다.
전극부(3)는 기판(2a)의 주면에 설치된다. 전극부(3)는 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구(3b)를 포함한다. 전극부(3)는, 복수의 개구(3b)를 포함함으로써, 스트라이프 형상을 갖는다. 스트라이프 부분(3a)은 미리 설정된(prescribed) 간격을 두고 복수 설치된다. 스트라이프 부분(3a)은 서로 평행하게 설치된다.
여기서, 전극부(3)는 양극으로서 기능한다. 즉, 전극부(3)는 유기 EL부(4)에 설치된 정공 수송층에 정공을 주입하는 전극으로서 기능한다.
그 결과, 전극부(3)는 정공 수송층에 정공을 주입하기 쉬운 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
정공 수송층에 정공을 주입하기 쉬운 재료는, 예를 들어, 일함수가 높은 재료일 수 있다. 이 경우, 그 재료의 일함수는, 유기 EL부(4)를 형성하는 재료의 일함수의 값과 동등한 값을 갖거나 그 이상의 값을 갖는 것이 바람직하다. 일반적으로, 유기 EL부(4)를 형성하는 재료의 일함수는 대략 4.8eV이다. 따라서, 일함수의 관점에서는, 일함수가 4.7eV 이상인 재료가 바람직하다. 일함수가 4.7eV 이상인 재료는, 예를 들어, 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 플래티넘(Pt)으로 구성되는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 재료일 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이, 전극부(3)에는 반사형 액정 표시 장치(100)에 의해 반사된 광 L2의 일부가 입사한다. 따라서, 전극부(3)는 가시광 영역에서의 광 반사율이 40% 이상인 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 가시광 영역에서의 광 반사율이 40% 이상인 재료로 전극부(3)를 형성하면, 전극부(3)에서 흡수되는 광량이 저감될 수 있다. 따라서, 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
후술하는 바와 같이, 전극부(3)는 건식 에칭법이나 습식 에칭법에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 그러한 가공법을 이용하여 재료가 용이하게 가공될 수 있는 것이 바람직하다.
따라서, 일함수, 가시광 영역에서의 광 반사율 및 가공법의 관점에서, 전극부(3)는, 팔라듐, 니켈 및 플래티넘으로 구성되는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
여기에서, 제조 비용 및 가공의 곤란성의 관점에서, 전극부(3)는 니켈 또는 니켈 합금으로 형성되는 것이 바람직하다.
유기 EL부(4)는 막 형상이다. 유기 EL부(4)는 전극부(3)의 스트라이프 부분(3a)과, 복수의 개구(3b)에 노출되는 기판(2a)의 주면을 덮도록 설치된다. 유기 EL부(4)는, 예를 들어, 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층을 적층하여 형성될 수 있다. 그러나, 유기 EL부(4)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 적절하게 변경될 수 있다.
전극부(5)는 막 형상이다. 전극부(5)는 유기 EL부(4)를 덮도록 설치된다. 전극부(5)는 유기 EL부(4)로부터 출사된 광 L1을 투과시킨다. 그 결과, 전극부(5)는 투광성의 도전성 재료로 형성된다. 또한, 전극부(5)는 가시광 영역에서의 광 투과율이 높은 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 전극부(5)의 일함수의 값은 전극부(3)의 일함수의 값보다 작다.
따라서, 전극부(5)는 일함수가 4.7eV 미만이고, 가시광 영역에서의 광 투과율이 30% 이상인 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 전극부(5)는 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide; 산화 인듐 주석) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide; 산화 인듐 아연)으로 형성될 수 있다.
그 외에, 예를 들어, 전극부(3) 및 전극부(5)를 외부 전원에 접속하기 위한 도시하지 않은 접속 배선이 적절하게 설치될 수 있다.
본 실시 형태에서는, 전극부(3), 유기 EL부(4) 및 전극부(5)가 적층되는 부분이 유기 EL 소자(6)를 구성한다.
이 경우, 전극부(3)는 양극으로서 기능하고, 전극부(5)는 음극으로서 기능한다.
따라서, 전극부(3)에는 플러스 전위가 인가되고, 전극부(5)에는 마이너스 전위가 인가된다. 그 후, 유기 EL 소자(6)를 구성하는 부분에서 발광이 생긴다. 즉, 유기 EL부(4)에서, 전극부(3)와 전극부(5) 사이에 끼워진 부분에서 발광이 생긴다.
전술한 조명 장치(30)는 양극으로서 기능하는 전극부(33)를 통해 광을 출사시킨다. 이에 반해, 조명 장치(1)는 음극으로서 기능하는 전극부(5)를 통해 광을 출사시킨다.
유기 EL 소자(6)를 구성하는 부분에서 유기 EL부(4)로부터 출사된 광 L1은 전극부(5) 및 기판(2b)을 투과하고, 반사형 액정 표시 장치(100)에 의해 반사된다. 반사형 액정 표시 장치(100)에 의해 반사된 광 L2는 조명 장치(1)를 투과하여 관찰자측으로 향한다. 이 경우, 유기 EL 소자(6)를 구성하는 전극부(3)는 차광 효과를 갖는 금속으로 형성된다. 따라서, 광 L2의 일부가 차광된다.
이 경우, 유기 EL 소자(6)의 미세화는 차광되는 광 L2의 양을 저감시킬 수 있다.
본 실시 형태에서는, 유기 EL 소자(6)를 구성하는 요소 중에서, 스트라이프 형상으로 가공될 필요가 있는 것은 전극부(3)만이다. 즉, 유기 EL부(4) 및 전극부(5)는 막 형상으로 남아 있을 수 있다.
후술하는 바와 같이, 이는, 전극부(3)를 구성하는 막(13)을 형성하고, 그것을 건식 에칭법 또는 습식 에칭법을 이용하여 스트라이프 형상으로 가공하는 것을 용이하게 한다. 이 경우, 소위 반도체 제조 공정에서 이용되는 건식 에칭법이나 습식 에칭법을 이용하여, 전극부(3)를 구성하는 막(13)을 스트라이프 형상으로 가공할 수 있다. 따라서, 미세하고 고정밀도의 전극부(3)를 용이하게 형성할 수 있다.
이는, 유기 EL 소자(6)의 미세화를 가능하게 한다.
(제2 실시 형태)
도 3의 (a) 내지 (e)는 제2 실시 형태에 따른 조명 장치(1)의 제조 방법을 예시하는 모식적 공정 단면도이다.
우선, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 투광성 재료로 형성된 기판(2a)의 주면에, 전극부(3)를 구성하는 막(13)을 형성한다.
전극부(3)를 구성하는 막(13)은, 예를 들어, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 전극부(3)를 구성하는 막(13) 위에 스트라이프 형상을 갖는 레지스트 마스크(21)를 형성한다.
예를 들어, 전극부(3)를 구성하는 막(13) 위에 레지스트를 도포한다. 포토리소그래피법을 이용하여, 스트라이프 형상을 갖는 레지스트 마스크(21)에 레지스트를 형성한다. 레지스트 마스크(21)로 덮여 있는 부분은 스트라이프 부분(3a)을 구성한다.
다음으로, 건식 에칭법이나 습식 에칭법을 이용하여 막(13)을 에칭하여, 전극부(3)를 형성한다.
예를 들어, 기판(2a)은 무기 글래스로 형성될 수 있고, 전극부(3)를 구성하는 막(13)은 니켈로 형성될 수 있다. 이 경우, 염화 제2철(FeCl3)을 포함하는 에칭액을 이용하여 막(13)을 에칭함으로써 전극부(3)를 형성할 수 있다.
전극부(3)를 형성할 때에, 전극부(3) 및 전극부(5)를 외부 전원에 접속하기 위한 접속 배선(도시하지 않음) 을 적절하게 형성할 수 있다.
다음으로, 레지스트 마스크(21)를 제거한다.
레지스트 마스크(21)는, 예를 들어, 산소 플라즈마를 이용한 건식 애싱법이나 유기 용제를 이용한 습식 애싱법을 이용하여 제거할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 막 형상의 유기 EL부(4)를 형성한다.
유기 EL부(4)는, 전극부(3)의 스트라이프 부분(3a)과, 복수의 개구(3b)에 노출되는 기판(2a)의 주면을 덮도록 형성된다.
예를 들어, 유기 용제에 용해된 공지된 발광 재료를 예를 들어, 잉크젯법, 노즐 도포법, 디스펜서(dispenser)법 또는 스크린 인쇄법을 이용하여 도포함으로써 막 형상의 유기 EL부(4)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 유기 EL부(4)를 덮도록 막 형상의 전극부(5)를 형성한다.
예를 들어, 스퍼터링법 등의 물리 기상 성막법(PVD; Physical Vapor Deposition), 또는 화학 기상 성막법(CVD; Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 전극부(5)를 형성할 수 있다.
예를 들어, 스퍼터링법을 이용하여, ITO로 구성되는 막을 유기 EL부(4) 위에 성막함으로써 막 형상의 전극부(5)를 형성할 수 있다.
이 경우, 전극부(3), 유기 EL부(4) 및 전극부(5)가 적층되는 부분은 유기 EL 소자(6)를 구성한다.
다음으로, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 기판(2a)과 기판(2b)을 서로 대향시킨다. 기판(2a)의 주연과 기판(2b)의 주연은 예를 들어, 프릿(frit)을 이용하여 밀봉한다.
예를 들어, 기판(2b)의 주연에, 미리 설정된 형상으로 프릿을 도포하고, 소성한다. 그 후, 전극부(3), 유기 EL부(4) 및 전극부(5)가 형성된 기판(2a)과, 소성된 프릿이 형성된 기판(2b)을 질소 가스 및 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기에서 적층시킨다. 다음으로, 소성된 프릿에 레이저를 조사한다. 따라서, 프릿이 용해 및 응고된다. 따라서, 기판(2a)의 주연과 기판(2b)의 주연을 함께 밀봉한다. 이 경우, 프릿을 용해 및 응고시킴으로써 밀봉부(10)를 형성한다.
따라서, 조명 장치(1)를 제조할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 조명 장치(1)의 제조 방법에서, 소위 반도체 제조 공정에서 이용되는 건식 에칭법이나 습식 에칭법을 이용하여, 전극부(3)를 구성하는 막(13)을 스트라이프 형상으로 에칭한다. 따라서, 미세하고 고정밀도의 전극부(3)를 용이하게 형성할 수 있다. 이 경우, 유기 EL부(4) 및 전극부(5)는 막 형상으로 남아 있다.
따라서, 미세화된 유기 EL 소자(6)를 포함하는 조명 장치(1)를 용이하게 제조할 수 있다.
상술한 조명 장치(1) 및 조명 장치(1)의 제조 방법에서는, 스트라이프 형상을 갖은 전극부(3)가 설치된다. 그러나, 전극부(3)의 형상은 스트라이프 형상으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전극부(3)는 격자 형상일 수도 있다.
즉, 전극부(3)는, 단지 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구를 포함하면 된다. 이 경우, 전극부(3)는, 복수의 개구를 포함함으로써, 일정한 방향으로 신장하는 스트라이프 형상 및 격자 형상 중 적어도 하나를 갖는다.
그러나, 조명 장치(1)가, 반사형 액정 표시 장치(100)를 전방면으로부터 조명하는 프론트 라이트 장치로서 이용되는 경우에는, 반사된 광 L2의 투과가 억제되기 어려운 스트라이프 형상을 이용하는 것이 바람직하다.
스트라이프 형상이나 격자 형상의 배치 간격(배치 피치 치수)은 일정할 수도 있고, 또는 변화될 수도 있다. 스트라이프 형상이나 격자 형상의 폭 치수는 일정할 수도 있고, 또는 변화될 수도 있다.
상술한 실시 형태에 따르면, 유기 EL 소자의 미세화를 도모할 수 있는 조명 장치 및 그 제조 방법을 실현할 수 있다.
소정의 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 단지 예로서 제시했을 뿐이며 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 실제로, 본원에 개시되는 신규한 실시 형태는 다양한 그 밖의 형태로 구현될 수 있고, 또한, 본 발명의 요지에서 벗어남 없이, 본원에 개시된 실시 형태에 있어서 다양한 생략, 대체 및 변경이 이루어질 수 있다. 그러한 실시 형태 또는 변형은, 본 발명의 범위 및 요지에 포함되는 것과 마찬가지로, 첨부하는 특허청구범위 및 그의 균등한 범위에 포함되는 것이다. 또한, 상술한 실시 형태는 서로 조합하여 실시할 수 있다.
1: 조명 장치
2a, 2b: 기판
3: 전극부
4: 유기 EL부
5: 전극부

Claims (20)

  1. 조명 장치로서,
    제1 기판;
    상기 제1 기판의 표면에 설치되고, 복수의 개구를 포함하는 제1 전극부;
    상기 제1 전극부와, 상기 복수의 개구에 노출되는 상기 제1 기판의 표면을 덮도록 설치된 유기 EL부;
    상기 유기 EL부를 덮도록 설치된 제2 전극부; 및
    상기 제1 기판의 표면에 대향되는 제2 기판
    를 포함하고,
    상기 제1 전극부는 양극이며 상기 제2 전극부는 음극인, 조명 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 일함수가 4.7eV 이상인, 조명 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 가시광 영역에서의 광 반사율이 40% 이상인, 조명 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 팔라듐, 니켈 및 플래티넘으로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 조명 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부보다 일함수의 값이 작은, 조명 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부는 일함수가 4.7eV 미만인, 조명 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부는 가시광 영역에서의 광 투과율이 30% 이상인, 조명 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부는 ITO(Indium Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는, 조명 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 상기 복수의 개구를 포함함으로써, 일정한 방향으로 신장하는 스트라이프 형상 및 격자 형상 중 적어도 하나를 갖는, 조명 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부는 막 형상으로 되어 있는, 조명 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유기 EL부는 막 형상으로 되어 있는, 조명 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부,
    상기 제2 전극부, 및
    상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 끼워진 상기 유기 EL부의 부분이 유기 EL 소자를 구성하는, 조명 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 끼워진 상기 유기 EL부의 부분에서 발생된 광은 상기 제2 전극부를 통해 출사되는, 조명 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 전극부를 통해 출사된 광은 반사형 액정 표시 장치에 의해 반사되고,
    상기 반사형 액정 표시 장치에 의해 반사된 광은 상기 제2 전극부와 상기 유기 EL부를 투과하는, 조명 장치.
  15. 조명 장치의 제조 방법으로서,
    제1 기판의 표면에 제1 전극부를 구성하는 막을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극부를 구성하는 상기 막을 에칭하여, 복수의 개구를 포함하는 상기 제1 전극부를 형성하는 단계;
    상기 제1 전극부와, 상기 복수의 개구에 노출되는 상기 제1 기판의 표면을 덮도록, 유기 EL부를 형성하는 단계;
    상기 유기 EL부를 덮도록 제2 전극부를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 기판의 표면에 제2 기판을 대향시키고, 상기 제1 기판의 주연(periphery)과 상기 제2 기판의 주연을 밀봉하는 밀봉부를 형성하는 단계
    를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전극부를 구성하는 막을 에칭하여, 복수의 개구를 포함하는 상기 제1 전극부를 형성하는 단계는, 염화 제2철(ferric chloride)을 포함하는 에칭액을 이용하여, 복수의 개구를 포함하는 상기 제1 전극부를 형성하는 단계를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전극부와, 상기 복수의 개구에 노출되는 상기 제1 기판의 표면을 덮도록, 유기 EL부를 형성하는 단계는, 유기 용제에 용해된 발광 재료를 도포함으로써, 막 형상의 상기 유기 EL부를 형성하는 단계를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 유기 EL부를 덮도록 제2 전극부를 형성하는 단계는, 물리 기상 성막법 또는 화학 기상 성막법을 이용하여, 막 형상의 상기 제2 전극부를 형성하는 단계를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제1 기판의 표면에 상기 제2 기판을 대향시키고, 상기 제1 기판의 주연과 상기 제2 기판의 주연을 밀봉하는 밀봉부를 형성하는 단계는, 불활성 가스 분위기에서, 상기 제1 기판의 표면에 상기 제2 기판을 대향시키는 단계를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 팔라듐, 니켈 및 플래티넘을 구성하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 조명 장치의 제조 방법.
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