KR20130027879A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20130027879A
KR20130027879A KR1020110091388A KR20110091388A KR20130027879A KR 20130027879 A KR20130027879 A KR 20130027879A KR 1020110091388 A KR1020110091388 A KR 1020110091388A KR 20110091388 A KR20110091388 A KR 20110091388A KR 20130027879 A KR20130027879 A KR 20130027879A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
light emitting
gap
light
Prior art date
Application number
KR1020110091388A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101830950B1 (en
Inventor
성영운
김태진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110091388A priority Critical patent/KR101830950B1/en
Publication of KR20130027879A publication Critical patent/KR20130027879A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101830950B1 publication Critical patent/KR101830950B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure

Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to improve efficiency by enhancing a current spreading function through a current spreading pattern on the lower side of a p-type Gap transmissive semiconductor layer. CONSTITUTION: A first conductive GaP transmissive semiconductor layer(130) is formed on an ohmic layer(152). A GaP transmissive ohmic layer(145) is formed between the ohmic layer and the first conductive GaP transmissive semiconductor layer. A first conductive AlGaInP based semiconductor layer(122) is formed on the first conductive GaP transmissive semiconductor layer. An AlGaInP based active layer(124) is formed on the first conductive AlGaInP based semiconductor layer. A second conductive AlGaInP based semiconductor layer(126) is formed on the AlGaInP based active layer. A current spreading pattern is formed between the ohmic layer and the first conductive GaP transmissive semiconductor layer.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package and an illumination system.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 소자로이며, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다. Light Emitting Device is a device that converts electrical energy into light energy and can realize various colors by adjusting the composition ratio of compound semiconductors.

적색 내지 황녹색의 가시광을 발하는 발광다이오드로서, 예를 들어 AlGaInP계열 활성층을 구비한 화합물 반도체 발광 다이오드가 알려져 있다. As light emitting diodes emitting red to yellow green visible light, for example, a compound semiconductor light emitting diode having an AlGaInP series active layer is known.

한편, AlGaInP계열 활성층을 구비한 발광소자는 III-V족 화합물층 등과 격자 정합하는 GaAs으로 이루어지는 단결정 기판 상에 형성된다.On the other hand, a light emitting device having an AlGaInP series active layer is formed on a single crystal substrate made of GaAs lattice matched with a group III-V compound layer or the like.

그런데, AlGaInP 계열 활성층으로부터 출사되는 광은 GaAs에 흡수되어 버리기 때문에, 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 p형 GaP 투광성 반도체층을 발광부 또는 소자 구조부에 다시 접합시켜, 휘도가 높은 투명재료 접합형의 화합물 반도체 LED를 구성하는 기술이 개시되어 있다.However, since the light emitted from the AlGaInP series active layer is absorbed by GaAs, the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer made of an optically transparent material is bonded again to the light emitting portion or the element structure portion, so that the compound semiconductor of high transparent material bonding type A technique for constructing an LED is disclosed.

한편, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 개재하여 전극층이 본딩된다.On the other hand, according to the prior art, the electrode layer is bonded on the p-type GaP light transmissive semiconductor layer via the ohmic layer.

도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진이다.1 is a photograph in which AuBe dot (D) is formed on a p-type GaP light transmissive semiconductor layer in the prior art.

종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하기 전에 AuBe 도트(dot)를 형성하여 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층의 오믹컨택(ohmic contact)을 증진시킨다.According to the related art, before forming the ohmic layer on the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer, AuBe dots are formed to promote ohmic contact between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer.

그런데, 종래기술에 의하면 AuBe 도트(Dot) 형성 시 AuBe층을 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전체적으로 형성 후 습식식각(wet etching)을 진행하여 AuBe 도트(Dot)를 형성하고, 그 이후 합금화 열처리 공정을 진행한다.However, according to the prior art, when the AuBe dot is formed, the AuBe layer is entirely formed on the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer, followed by wet etching to form the AuBe dot, followed by an alloying heat treatment process. Proceed.

그런데, 종래기술에 의하면 도 1과 같이, AuBe 도트(Dot)를 형성을 위한 습식식각 시 AuBe 에지(edge)부가 들뜰 수 있으며 이에 따라 광추출 효율이 감소될 수 있다.However, according to the related art, as shown in FIG. 1, the AuBe edge part may be raised during wet etching to form an AuBe dot, and thus the light extraction efficiency may be reduced.

또한, 종래기술에 의하면 잔존하는 AuBe 도트(Dot)(D)에 의해 광흡수가 발생하여 광추출 효율이 감소하는 문제가 있다.In addition, according to the prior art there is a problem that light absorption occurs due to the remaining AuBe dot (D) (D) to reduce the light extraction efficiency.

한편, 최근 기존 대비 고효율의 LED 칩(chip) 개발이 시장에서 필요하게 되는데, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층의 전류확산(current spreading) 기능이 약하여 광효율이 저하되는 문제가 있어 고효율의 발광소자를 제공하지 못하는 문제가 있다.On the other hand, recently, the development of a high-efficiency LED chip is required in the market. According to the prior art, the current spreading function of the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer is weak and thus the light efficiency is deteriorated. There is a problem that can not provide a device.

실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a high efficiency light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

또한, 실시예는 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a method for manufacturing a light emitting device that can improve the yield.

실시예에 따른 발광소자는 오믹층; 상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층; 상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층; 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및 상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes an ohmic layer; A first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer on the ohmic layer; A GaP transmissive ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP transmissive semiconductor layer; A first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer; An AlGaInP-based active layer on the first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer; And a second conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer.

또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 AlGaInP 계열 반도체층을 형성하는 단계; 상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계; 상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the manufacturing method of the light emitting device according to the embodiment comprises the steps of forming an AlGaInP series semiconductor layer; Forming a first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer on the AlGaInP series semiconductor layer; Forming an AuBe layer on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer; Performing an alloying process of the first conductive GaP light transmissive semiconductor layer and the AuBe layer; Removing the AuBe layer to expose the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer; And forming an ohmic layer on the exposed first conductive GaP transmissive semiconductor layer.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment eliminates AuBe dots between the p-type GaP transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize the light absorbed by the AuBe dots to produce a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and an illumination. A system can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a high efficiency light emitting device by providing a current spreading pattern under the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current spreading function.

도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정단면도.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.1 is a photograph of a AuBe dot (D) formed on a p-type GaP light transmissive semiconductor layer in the prior art.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the first embodiment;
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
4 to 12 are process cross-sectional views of a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
14 is a perspective view of a lighting unit according to an embodiment.
15 is a perspective view of a backlight unit according to the embodiment;

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

(실시예)(Example)

도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the light emitting device 100 according to the first embodiment.

실시예에 따른 발광소자(100)는 오믹층(152)과, 상기 오믹층(152) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)과, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes an ohmic layer 152, a first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130, an ohmic layer 152, and the first conductivity type on the ohmic layer 152. Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 between the GaP light-transmitting semiconductor layer 130, a first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 126 on the first conductivity-type GaP light-transmitting semiconductor layer 130, and the An AlGaInP-based active layer 124 and a second conductivity-type AlGaInP-based semiconductor layer 122 may be included on the AlGaInP-based semiconductor layer 126.

실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a high efficiency light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

이를 위해, 제1 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하고, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.To this end, the first embodiment includes a GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be between the ohmic layer 152 and the first conductivity-type GaP light-transmitting semiconductor layer 130, and the first conductivity-type GaP light-transmitting High efficiency light emitting device, manufacturing method of light emitting device, light emitting device package and lighting system by eliminating AuBe dot between semiconductor layer 130 and ohmic layer 152 to minimize light absorbed by AuBe dot Can be provided.

실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the exemplary embodiment, the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 is a GaP binary compound semiconductor in which Be is diffused, and since Be is diffused in GaP, the BeP-doped GaP transmissive ohmic layer 145 does not become GaBeP, which is a ternary compound semiconductor in terms of all components. .

실시예에 의하면 Ga 대비 Be의 양은 극소량이며, Ga의 경우 결정 구조에서 약 1.0E 25개/㎥이나 Be의 경우 동일 구조에서 약 1.0E 19개/㎥를 차지할 수 있다.According to the embodiment, the amount of Be relative to Ga is very small, and in the case of Ga, about 1.0E 25 particles / m 3 may be occupied in the crystal structure, and in case of Be, the amount of Be may be about 1.0E 19 particles / m 3.

이에 따라 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로　실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.As a result, the number of Be to Ga is about one millionth of the number of GaP binary compound semiconductors in which Be is diffused but not substantially changed to the GaBeP layer.

실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현함과 아울러, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, AuBe dots are removed between the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer 130 and the ohmic layer 152 to minimize the light absorbed by the AuBe dots, thereby realizing a highly efficient semiconductor. The GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be is provided between the ohmic layer 152 and the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to realize ohmic contact, thereby manufacturing a light emitting device having high efficiency. It is possible to provide a method, a light emitting device package and an illumination system.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자(102)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the light emitting device 102 according to the second embodiment.

제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.

제2 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The second embodiment includes a current spreading pattern 147 between the ohmic layer 152 and the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to enhance the current spreading function, thereby providing a high efficiency light emitting device. Can be provided.

상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The current diffusion pattern 147 may be an insulating film pattern such as an oxide film or a nitride film, but is not limited thereto.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment eliminates AuBe dots between the p-type GaP transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize the light absorbed by the AuBe dots to produce a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and an illumination. A system can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a high efficiency light emitting device by providing a current spreading pattern under the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current spreading function.

도 2 및 도 3에 도시된 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법의 설명에서 설명하기로 한다.Unexplained reference numerals among the reference numerals shown in FIGS. 2 and 3 will be described in the following description of the manufacturing method.

이하, 도 4 내지 도 12를 참조하여,실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명하면서 실시예의 기술적인 특징을 상술한다.Hereinafter, the technical features of the embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 12, describing a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.

우선, 도 4와 같이, 기판(105) 상에 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4, an AlGaInP-based semiconductor layer 120 is formed on a substrate 105.

상기 기판(105)은 GaAs 단결정 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이후, 상기 기판(105) 상에 버퍼층(미도시), 분리층(107)을 순차적으로 형성한다.The substrate 105 may be a GaAs single crystal substrate, but is not limited thereto. Thereafter, a buffer layer (not shown) and a separation layer 107 are sequentially formed on the substrate 105.

상기 버퍼층은 n형 GaAs 버퍼층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 분리층(107)은 AlAs을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The buffer layer may be an n-type GaAs buffer layer, but is not limited thereto. The separation layer 107 may include AlAs, but is not limited thereto.

상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)은 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122), 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The AlGaInP-based semiconductor layer 120 is formed on the AlGaInP-based active layer 124 and the AlGaInP-based active layer 124 on the second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122 and the second conductive AlGaInP-based semiconductor layer 122. The first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer 126 may include, but is not limited thereto.

실시예의 설명에 있어 제2 도전형은 n 형, 제1 도전형은 p형을 예로 들고 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the description of the embodiment, the second conductivity type is n-type and the first conductivity type is p-type, but the embodiment is not limited thereto.

상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 n형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The second conductivity-type AlGaInP-based semiconductor layer 122 may be an n-type AlGaInP-based semiconductor layer, and the second conductivity-type AlGaInP-based semiconductor layer 122 may form an AlGaInP-based active layer 124 (Al x Ga 1). -x ) The band gap may be wider than Y In 1 -y P (0 ≦ x ≦ 1, 0 <y ≦ 1).

상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)을 포함할 수 있고, 상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 단색성이 우수한 발광을 얻기 위해, 단일 양자 웰 구조 또는 다중 양자 웰 구조로 형성될 수 있다.The AlGaInP-based active layer 124 may include (Al x Ga 1- x ) Y In 1 -y P (0 ≦ x ≦ 1, 0 <y ≦ 1), and the AlGaInP-based active layer 124 may be monochromatic In order to obtain excellent light emission, it may be formed of a single quantum well structure or a multi quantum well structure.

상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 p형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The first conductivity-type AlGaInP-based semiconductor layer 126 may be a p-type AlGaInP-based semiconductor layer, and the first conductivity-type AlGaInP-based semiconductor layer 126 may form an AlGaInP-based active layer 124 (Al x Ga 1). -x ) The band gap may be wider than Y In 1 -y P (0 ≦ x ≦ 1, 0 <y ≦ 1).

상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 보다 굴절률이 더 큰 반도체층을 형성될 수 있다.The first conductivity type AlGaInP series semiconductor layer 126 and the second conductivity type AlGaInP series semiconductor layer 122 may have a semiconductor layer having a larger refractive index than the AlGaInP series active layer 124.

이후, 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 형성한다.Thereafter, a first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130 is formed on the AlGaInP-based semiconductor layer 120.

예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)은 p형 GaP 투광성 반도체층일 수 있으며, 상기 p형 GaP 투광성 반도체층은 MOVPE법에 의해 에피택셜로 성장될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first conductivity type GaP light transmissive semiconductor layer 130 may be a p type GaP light transmissive semiconductor layer, and the p type GaP light transmissive semiconductor layer may be epitaxially grown by the MOVPE method, but is not limited thereto. .

다음으로, 도 5와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)으로부터 상기 기판(105)을 제거한다. 예를 들어, 상기 분리층(107)을 습식식각 용액으로 선택 에칭하여 기판(105)을 박리하는 형태로 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 5, the substrate 105 is removed from the AlGaInP-based semiconductor layer 120. For example, the separation layer 107 may be selectively etched by a wet etching solution to remove the substrate 105 in a form in which the separation layer 107 is peeled off, but is not limited thereto.

다음으로, 도 6과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 AuBe 층(142)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 전면 상에 AuBe 층(142)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6, an AuBe layer 142 is formed on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130. For example, an AuBe layer 142 is formed on the entire surface of the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130.

다음으로, 도 7과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142)의 합금화 공정을 약 300℃~350℃에서 진행할 수 있다. 합금화 공정온도가 350℃온도 범위를 초과하는 경우 발광구조물에 열적인 영향을 미칠 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, an alloying process of the first conductive GaP light transmissive semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142 may be performed at about 300 ° C. to 350 ° C. FIG. If the alloying process temperature exceeds the 350 ℃ temperature range may have a thermal effect on the light emitting structure.

이를 통해 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있다.As a result, a Be-doped GaP transmissive ohmic layer 145 may be formed between the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142.

실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the exemplary embodiment, the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 is a GaP binary compound semiconductor in which Be is diffused, and since Be is diffused in GaP, the BeP-doped GaP transmissive ohmic layer 145 does not become GaBeP, which is a ternary compound semiconductor in terms of all components. .

예를 들어, Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)에서 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로　실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.For example, the BeP-doped GaP transmissive ohmic layer 145 is a GaP binary compound semiconductor in which Be is diffused, but the number of Be relative to Ga is not substantially changed to a GaBeP layer by one million.

실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현할 수 있다.According to the embodiment, the AuBe dot may be removed between the first conductivity type GaP light transmissive semiconductor layer 130 and the ohmic layer 152 to minimize the light absorbed by the AuBe dot, thereby realizing a high efficiency semiconductor.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

또한, 실시예는 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment has a GaP light-transmitting ohmic layer 145 doped with Be between the ohmic layer 152 and the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to be formed later to implement an ohmic contact, high efficiency light emitting device A method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system can be provided.

다음으로, 도 8과 같이 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시킨다. Next, as shown in FIG. 8, the AuBe layer 142 is removed to expose the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130.

실시예에서 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시키는 단계에서, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 노출될 수 있다.In the exposing the first conductivity type GaP light transmissive semiconductor layer 130 by removing the AuBe layer 142, the Be doped GaP light transmissive on the first conductivity type GaP light transmissive semiconductor layer 130 is formed. The ohmic layer 145 may be exposed.

실시예에 의하면 종래기술과 달리 AuBe 층(142)을 제거하기 전에, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 AuBe 층(142) 사이에 합금화 공정을 통해 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있고, 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)의 상부 전면에 형성되어 오믹컨택을 증진시킬 수 있다.According to the embodiment, unlike the prior art, before removing the AuBe layer 142, the GaP transmissive ohmic layer doped with Be is subjected to an alloying process between the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130 and the AuBe layer 142. 145 may be formed, and the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer 145 may be formed on the entire upper surface of the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer 130 to promote ohmic contact.

다음으로, 도 9와 같이 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145) 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 형성할 수 있다. 이를 통해, 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)이 구비되어 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, a current spreading pattern 147 may be formed on the Be-doped GaP transmissive ohmic layer 145. As a result, a current spreading pattern 147 is provided between the ohmic layer 152 and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer 130 formed thereafter, thereby enhancing the current spreading function to provide a high efficiency light emitting device. Can provide.

상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The current diffusion pattern 147 may be an insulating film pattern such as an oxide film or a nitride film, but is not limited thereto.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a high-efficiency light emitting device by providing a current spreading pattern on the p-type GaP transmissive semiconductor layer to enhance the current spreading function.

다음으로, 도 10과 같이 상기 전류확산 패턴(147)이 구비된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 오믹층(152)을 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 10, an ohmic layer 152 may be formed on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer 130 provided with the current diffusion pattern 147.

상기 오믹층(152)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(152)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 152 may be formed by stacking a single metal, a metal alloy, a metal oxide, or the like in multiple layers so as to efficiently inject a carrier. For example, the ohmic layer 152 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and IGTO. (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), At least one of ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO may be formed, but is not limited to these materials.

이후, 상기 오믹층(152) 상에 본딩층(154), 본딩 기판(156), 솔더층(158) 등을 순차적으로 형성할 수 있다.Thereafter, a bonding layer 154, a bonding substrate 156, a solder layer 158, and the like may be sequentially formed on the ohmic layer 152.

상기 본딩층(154)은 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용할 수 있고, 상기 본딩 기판(156)은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있으며, 상기 솔더층(158)은 Au-Ti, Au-Sn 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The bonding layer 154 may use nickel (Ni), gold (Au), or the like, and the bonding substrate 156 may be copper (Cu), gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), or nickel (Ni−). nickel), copper-tungsten (Cu-W), and a carrier wafer (eg, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, etc.), and the like, and the solder layer 158 may be Au-. Ti, Au-Sn may be included, but is not limited thereto.

다음으로, 도 11과 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 일부 식각하여 발광구조물 영역을 설정할 수 있다. 실시예는 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상면에 소정의 식각 공정 등에 의해 광추출 패턴(P)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the AlGaInP-based semiconductor layer 120 may be partially etched to set a light emitting structure region. In an embodiment, the light extraction pattern P may be formed on the upper surface of the AlGaInP-based semiconductor layer 120 by a predetermined etching process.

다음으로, 도 12와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상의 패드 전극영역에 제2 전류확산층(172), 제2 오믹층(174), 배리어층(176),패드 전극(178)을 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 12, the second current spreading layer 172, the second ohmic layer 174, the barrier layer 176, and the pad electrode 178 may be formed in the pad electrode region on the AlGaInP-based semiconductor layer 120. But it is not limited thereto.

예를 들어 상기 제2 전류확산층(172)은 GaP을 포함하고, 상기 제2 오믹층(174)은 GaAs을 포함하고, 상기 배리어층(176)은 AuGe/Ni/Au를 포함하고, 상기 패드 전극(178)은 Ti/Au를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the second current spreading layer 172 includes GaP, the second ohmic layer 174 includes GaAs, the barrier layer 176 includes AuGe / Ni / Au, and the pad electrode 178 may include Ti / Au, but is not limited thereto.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment eliminates AuBe dots between the p-type GaP transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize the light absorbed by the AuBe dots to produce a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and an illumination. A system can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a high efficiency light emitting device by providing a current spreading pattern under the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current spreading function.

도 13은 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.13 is a view illustrating a light emitting device package 200 in which a light emitting device is installed, according to embodiments.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)가 포함된다.The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a package body 205, a third electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214 installed on the package body 205, and the package body 205. The light emitting device 100 is installed at and electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214, and a molding member 240 surrounding the light emitting device 100 is included.

상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The package body 205 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 100. The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may function to increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, And may serve to discharge heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 도 2에 예시된 수직형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 예시된 제2 실시예의 발광소자(102)도 적용될 수 있고, 나아가 수평형 발광소자도 적용될 수 있다.The light emitting device 100 may be a vertical type light emitting device illustrated in FIG. 2, but is not limited thereto. The light emitting device 102 of the second exemplary embodiment illustrated in FIG. 3 may also be applied. Light emitting elements can also be applied.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 설치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be installed on the package body 205 or on the third electrode layer 213 or the fourth electrode layer 214.

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213)과 와이어(230)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제4 전극층(214)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and / or the fourth electrode layer 214 by a wire, flip chip, or die bonding method. The light emitting device 100 is electrically connected to the third electrode layer 213 through the wire 230 and is electrically connected to the fourth electrode layer 214 directly.

상기 몰딩부재(240)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 240 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 240 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or function as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight.

도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도(1100)이다. 다만, 도 14의 조명 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.14 is a perspective view 1100 of a lighting unit according to an embodiment. However, the lighting unit 1100 of FIG. 14 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 조명 유닛(1100)은 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.In the embodiment, the lighting unit 1100 is connected to the case body 1110, the light emitting module unit 1130 installed on the case body 1110, and the case body 1110 and receive power from an external power source. It may include a terminal 1120.

상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1110 may be formed of a material having good heat dissipation characteristics. For example, the case body 1110 may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may include a substrate 1132 and at least one light emitting device package 200 mounted on the substrate 1132.

상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 1132 may be a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 1132 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The at least one light emitting device package 200 may be mounted on the substrate 1132. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) 100. The light emitting diodes 100 may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module unit 1130 may be disposed to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1120 may be electrically connected to the light emitting module unit 1130 to supply power. In an embodiment, the connection terminal 1120 is coupled to the external power source by a socket, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1120 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다. 다만, 도 15의 백라이트 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.15 is an exploded perspective view 1200 of a backlight unit according to an embodiment. However, the backlight unit 1200 of FIG. 15 is an example of an illumination system, but is not limited thereto.

실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The backlight unit 1200 according to the embodiment includes a light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240 that provides light to the light guide plate 1210, a reflective member 1220 under the light guide plate 1210, and the light guide plate. 1210, a bottom cover 1230 for accommodating the light emitting module unit 1240 and the reflective member 1220, but is not limited thereto.

상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1210 serves to surface light by diffusing light. The light guide plate 1210 is made of a transparent material, for example, an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module unit 1240 provides light to at least one side of the light guide plate 1210 and ultimately serves as a light source of a display device in which the backlight unit is installed.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module unit 1240 may be in contact with the light guide plate 1210, but is not limited thereto. Specifically, the light emitting module 1240 includes a substrate 1242 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 1242. The substrate 1242 is mounted on the light guide plate 1210, But is not limited to.

상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1242 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1242 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the substrate 1242 such that a light emitting surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1210 by a predetermined distance.

상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1220 may be formed under the light guide plate 1210. The reflection member 1220 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1210 so as to face upward, thereby improving the brightness of the backlight unit. The reflective member 1220 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1230 may accommodate the light guide plate 1210, the light emitting module unit 1240, the reflective member 1220, and the like. For this purpose, the bottom cover 1230 may be formed in a box shape having an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The bottom cover 1230 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment eliminates AuBe dots between the p-type GaP transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize the light absorbed by the AuBe dots to produce a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, a light emitting device package, and an illumination. A system can be provided.

또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, the embodiment prevents defects such as the AuBe edge portion is lifted by omitting the wet etching process to form the AuBe dot in the prior art to increase the light efficiency, process time This shortening can reduce the defect rate by about 30% or more, so that the yield can be significantly improved.

또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a high efficiency light emitting device by providing a current spreading pattern under the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current spreading function.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

100: 발광소자
120: AlGaInP 계열 반도체층
122: 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
124: AlGaInP 계열 활성층
126: 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
130: 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층
145: Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층
152: 오믹층100: light emitting element
120: AlGaInP series semiconductor layer
122: first conductivity type AlGaInP series semiconductor layer
124: AlGaInP series active layer
126: second conductivity type AlGaInP series semiconductor layer
130: first conductive GaP transmissive semiconductor layer
145: Be-doped GaP transmissive ohmic layer
152: ohmic layer

Claims (6)

오믹층;
상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층;
상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;
상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및
상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함하는 발광소자.Ohmic layer;
A first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer on the ohmic layer;
A GaP transmissive ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP transmissive semiconductor layer;
A first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer;
An AlGaInP-based active layer on the first conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer; And
And a second conductivity type AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer. 제1 항에 있어서,
상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 전류확산 패턴을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a current diffusion pattern between the ohmic layer and the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer. AlGaInP 계열 반도체층을 형성하는 단계;
상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계;
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.Forming an AlGaInP-based semiconductor layer;
Forming a first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer on the AlGaInP series semiconductor layer;
Forming an AuBe layer on the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer;
Performing an alloying process of the first conductive GaP light transmissive semiconductor layer and the AuBe layer;
Removing the AuBe layer to expose the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer; And
Forming an ohmic layer on the exposed first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer. 제3 항에 있어서,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계에 의해,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 형성되는 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
Performing an alloying process of the first conductivity type GaP light transmissive semiconductor layer and the AuBe layer;
A BeP-doped GaP light-transmitting ohmic layer is formed between the first conductivity type GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer. 제4 항에 있어서,
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계에서,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 노출되는 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
Removing the AuBe layer to expose the first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer,
And a Be-doped GaP transmissive ohmic layer on the first conductive GaP transmissive semiconductor layer. 제3 항에 있어서,
상기 오믹층을 형성하는 단계 전에,
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
Before the step of forming the ohmic layer,
And forming a current diffusion pattern on the exposed first conductivity type GaP transmissive semiconductor layer.
KR1020110091388A 2011-09-08 2011-09-08 Light emitting device KR101830950B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110091388A KR101830950B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110091388A KR101830950B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130027879A true KR20130027879A (en) 2013-03-18
KR101830950B1 KR101830950B1 (en) 2018-02-22

Family

ID=48178625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110091388A KR101830950B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101830950B1 (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010192701A (en) * 2009-02-18 2010-09-02 Showa Denko Kk Light emitting diode, light emitting diode lamp, and method of manufacturing the light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR101830950B1 (en) 2018-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101028277B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting unit
KR101081062B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package
KR101014071B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
EP2372791A2 (en) Light emitting diode
US8994001B2 (en) Light emitting device for improving a light emission efficiency
KR101826982B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
EP2434545A1 (en) Light emitting device
EP2562814A2 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20130021300A (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
US20110193127A1 (en) Light Emitting Apparatus And Lighting System
KR20130027275A (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20130021296A (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20120048413A (en) Light emitting device and light emitting device package
KR102075151B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
US20110233590A1 (en) Light emitting device, method for fabricating light emitting device, and light emitting device package
KR20120014972A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101880445B1 (en) Light emitting device, method of fabricating light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20130006846A (en) Light emitting device
KR20110118333A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20110139445A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101826983B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, light unit, and method for fabricating light emitting device
KR20120006257A (en) Electrode, light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR20120137180A (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101865923B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR101842594B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right