KR20130027272A - Light emitting module - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting module is provided to prevent a dark area between adjacent light emitting devices by activating a lateral light emission through the lateral side of the light emitting device coated with fluorescent substances. CONSTITUTION: A circuit board(100) includes a metal plate(110), a circuit pad(135), and a guide pattern. A solder resist(120) is coated on the circuit board. A light emitting device package(200) is attached to a cavity(150) of the circuit board and includes an insulation substrate(210), a plurality of pad parts(220), and a plurality of light emitting devices(250). The pad part includes an electrode region and a connection region(221) for a wire bonding with the circuit pad of the circuit board or the adjacent light emitting device. The light emitting device is attached to the electrode region. A pad island(225) is connected to the light emitting device of the adjacent pad part through a wire.

Description

발광모듈{LIGHT EMITTING MODULE}[0001] LIGHT EMITTING MODULE [0002]

본 실시예는 발광모듈에 관한 것이다. This embodiment relates to a light emitting module.

일반적으로, 회로기판이란 전기 절연성 기판에 구리와 같은 전도성 재료로 회로 패턴을 형성시킨 것으로 전자부품 관련 발열소자를 탑재하기 직전의 기판을 말한다. 상기와 같은 회로기판은 반도체 소자 및 발광다이오드(LED:light emitting diode) 등과 같은 발열소자를 탑재하게 된다.In general, a circuit board is a circuit pattern formed of a conductive material such as copper on an electrically insulating board, and refers to a board immediately before mounting an electronic component related heating element. The circuit board as described above includes a semiconductor device and a heating device such as a light emitting diode (LED).

특히, 발광다이오드를 탑재한 회로기판은 자동차 헤드램프용으로 개발이 진행되면서, 내열성과 열전달 특성이 요구되고 있다. In particular, as circuit boards equipped with light emitting diodes are developed for automotive headlamps, heat resistance and heat transfer characteristics are required.

그러나, 발광다이오드 등과 같은 소자는 심각한 열을 방출하며, 발열소자가 실장된 회로기판에서 열이 처리되지 못하게 되면, 발열소자가 탑재된 회로기판의 온도를 상승시켜 발열소자의 동작 불능 및 오동작을 야기할 뿐만 아니라 제품의 신뢰성을 저하시킨다.However, a device such as a light emitting diode emits serious heat, and when heat is not processed in a circuit board on which the heating element is mounted, the temperature of the circuit board on which the heating element is mounted increases, causing an inoperability and malfunction of the heating element. Not only does it lower the reliability of the product.

실시예는 새로운 구조의 자동차 헤드램프용 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module for a vehicle headlamp having a new structure.

실시예는 발광소자 패키지를 캐비티가 형성된 회로기판의 캐비티 내에 실장하는 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module for mounting a light emitting device package in a cavity of a circuit board on which a cavity is formed.

실시예는 방열성 및 광집진성이 향상된 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module having improved heat dissipation and light dust collection.

실시예는 캐비티가 형성되어 있는 금속회로기판; 및 상기 금속회로기판의 상기 캐비티 내에 부착되는 질화물 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 패드부, 그리고 상기 패드부 위에 부착되어 있는 복수의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 복수의 발광소자는 측면에 형광체층을 포함하는 발광모듈을 제공한다.Embodiments include a metal circuit board on which a cavity is formed; And a light emitting device package including a nitride insulating substrate attached to the cavity of the metal circuit board, at least one pad portion formed on the insulating substrate, and a plurality of light emitting elements attached to the pad portion. The plurality of light emitting devices provide a light emitting module including a phosphor layer on a side thereof.

실시예는 금속 회로기판의 캐비티 내에 발광소자 패키지를 직접 실장하여 발광소자 패키지의 방열 효율을 개선하여 소자 신뢰성을 확보할 수 있다. 실시예는 회로기판에 가이드부 및 상기 솔더 레지스트를 광투과율이 낮은 색으로 형성함으로써 빛을 방출 방향으로 집진할 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device package may be directly mounted in the cavity of the metal circuit board, thereby improving heat dissipation efficiency of the light emitting device package, thereby securing device reliability. According to the embodiment, light may be collected in an emission direction by forming a guide part and the solder resist in a color having a low light transmittance on a circuit board.

또한, 실시예는 발광소자 패키지의 패드부를 스퍼터링 등을 통해 박막으로 형성하여 미세 회로를 구현할 수 있다.In addition, the embodiment may implement a fine circuit by forming the pad portion of the light emitting device package into a thin film through sputtering or the like.

또한, 실시예는 발광 소자의 측면에 형광체 코팅을 수행함으로써 측면 발광을 활성화함으로써 이웃한 발광소자 사이에서 암부가 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the embodiment can prevent the dark portion generated between the adjacent light emitting device by activating the side light emission by applying a phosphor coating on the side of the light emitting device.

도 1은 본 발명의 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광모듈의 결합상면도이다.
도 3은 도 2의 발광모듈을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 발광모듈의 확대도이다.
도 6은 도 3의 발광모듈에 형성되어 있는 발광소자의 상세 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 발광 모듈의 단면도이다.
도 9는 실시예의 발광모듈이 적용되는 헤드렘프의 구성도이다. 1 is an exploded perspective view of a light emitting module of the present invention.
FIG. 2 is a coupled top view of the light emitting module of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the light emitting module of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 cut through II-II '.
5 is an enlarged view of the light emitting module of FIG. 3.
6 is a detailed cross-sectional view of a light emitting device formed in the light emitting module of FIG. 3.
7 is an exploded perspective view of a light emitting module according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 7.
9 is a configuration diagram of a headlamp to which the light emitting module of the embodiment is applied.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 간접(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer, region, pattern, or structure is formed “on” or “under” of a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. When described as "on" and "under" include both "directly" or "indirectly through" another layer. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 발광모듈을 설명한다.Hereinafter, the light emitting module of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

도 1은 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 발광모듈의 결합상면도이고, 도 3은 도 2의 발광모듈을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting module, FIG. 2 is a combined top view of the light emitting module, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the light emitting module of FIG. 2, and FIG. 4 is a light emitting module II of FIG. 2. It is sectional drawing cut by -II '.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광모듈(300)은 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100)의 캐비티(150)에 발광소자 패키지(200)를 포함한다.1 to 4, the light emitting module 300 includes a circuit board 100 and a light emitting device package 200 in a cavity 150 of the circuit board 100.

상기 발광모듈(300)은 회로기판(100)의 캐비티(150) 내에 발광소자 패키지(200)가 탑재된 구조로서, 상기 발광소자 패키지(200)는 기판(210) 위에 복수의 발광 소자(250)가 1행 또는 그 이상의 행으로 배열될 수 있으며, 복수의 발광 소자(250)가 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 이러한 기술적 특징은 실시예의 기술적 범위 내에서 변경될 수 있다. The light emitting module 300 has a structure in which a light emitting device package 200 is mounted in a cavity 150 of a circuit board 100, and the light emitting device package 200 includes a plurality of light emitting devices 250 on a substrate 210. May be arranged in one row or more rows, and the plurality of light emitting devices 250 may be connected to each other in series or in parallel. Such technical features may be changed within the technical scope of the embodiments.

상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 회로 패턴과 연결되어 있는 회로패드(135) 및 가이드 패턴(130)을 포함 할 수 있다.The circuit board 100 may include a metal plate 110, an insulating layer 140, a circuit pad 135 connected to a circuit pattern, and a guide pattern 130.

상기 가이드 패턴(130)은 경우에 따라 삭제할 수 있으며, 삭제할 경우 가이드부는 금속플레이트에 직접 접촉할 수 있다. The guide pattern 130 may be deleted in some cases, and when deleted, the guide portion may directly contact the metal plate.

상기 금속 플레이트(110)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 등 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The metal plate 110 is a heat conductive plate having high thermal conductivity, and may be formed of an alloy including at least one of copper, aluminum, silver, or gold.

상기 금속 플레이트(110)는 사각형 또는 원형의 평면상을 가지며, 사각형 또는 원형의 단면을 가지는 직육면체 또는 원기둥의 형상을 가질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.,The metal plate 110 may have a rectangular or circular planar shape, and may have a rectangular parallelepiped or cylindrical shape having a rectangular or circular cross section, but is not limited thereto.

상기 금속 플레이트(110)은 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. The metal plate 110 is formed with a cavity 150 having a predetermined depth from an upper surface.

상기 캐비티(150)는 발광소자 패키지(200)를 실장하기 위한 실장부로서, 상기 발광소자 패키지(200)보다 넓은 평면적을 갖도록 형성될 수 있다. The cavity 150 is a mounting part for mounting the light emitting device package 200, and may be formed to have a larger planar area than the light emitting device package 200.

이때, 상기 금속 플레이트(110)의 두께는 약 1000μm 이상일 수 있으며, 상기 캐비티(150)의 깊이는 약 300μm 이상일 수 있다.In this case, the thickness of the metal plate 110 may be about 1000 μm or more, and the depth of the cavity 150 may be about 300 μm or more.

상기 금속 플레이트(110)의 상면에는 상기 캐비티(150)를 노출하며 절연층(140)이 형성될 수 있다.An insulating layer 140 may be formed on the top surface of the metal plate 110 to expose the cavity 150.

상기 절연층(140)은 복수의 절연층을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 절연층 중 일부는 상기 금속 플레이트(110)와 상부의 회로 패턴(도시하지 않음) 및 상기 회로 패턴과 연결되어 있는 회로패드(135), 그리고 가이드 패턴(130)의 모체가 되는 동박층 등의 금속층을 접착하는 접착층으로서 기능할 수 있다.The insulating layer 140 may include a plurality of insulating layers, and some of the plurality of insulating layers are connected to the metal plate 110 and the upper circuit pattern (not shown) and the circuit pattern. It can function as an adhesive layer for adhering a pad 135 and a metal layer such as a copper foil layer serving as a parent of the guide pattern 130.

상기 절연층(140)은 에폭시계 또는 폴리 이미드계 수지를 포함하며, 내부에 고형 성분, 예를 들어, 필러 또는 유리 섬유 등이 분산되어 있을 수 있으며, 이와 달리 산화물 또는 질화물 등의 무기물일 수 있다. The insulating layer 140 may include an epoxy-based or polyimide-based resin, and solid components such as fillers or glass fibers may be dispersed therein. Alternatively, the insulating layer 140 may be an inorganic material such as an oxide or a nitride. .

상기 절연층(140) 위에 가이드 패턴(130) 및 회로패드(135)가 형성되어 있다.The guide pattern 130 and the circuit pad 135 are formed on the insulating layer 140.

상기 가이드 패턴(130) 및 회로패드(135)는 동박층을 식각하여 형성되는 구리 또는 구리를 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 회로패드(135)의 표면은 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 등 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금을 이용하여 표면처리될 수 있다. The guide pattern 130 and the circuit pad 135 may be formed of copper or an alloy including copper formed by etching the copper foil layer, and the surface of the circuit pad 135 may be nickel, silver, gold, palladium, or the like. Surface treatment may be performed using an alloy comprising one or more of these.

상기 절연층(140) 위에 회로 패턴을 매립하며, 상기 가이드 패턴(130) 및 상기 회로패드(135)를 노출하는 솔더 레지스트(120)가 형성되어 있다.A solder resist 120 is formed on the insulating layer 140 to fill the circuit pattern and expose the guide pattern 130 and the circuit pad 135.

상기 솔더 레지스트(120)는 상기 회로기판(100) 전면에 도포되며, 산란되는 빛을 흡수함으로써 빛의 집진성을 향상시키기 위하여 광투과성이 낮고, 반사도가 낮은 어두운 색으로 착색되어 있다. 예를 들어, 상기 솔더 레지스트(120)는 검은색일 수 있다.The solder resist 120 is applied to the entire surface of the circuit board 100 and is colored in a dark color having low light transmittance and low reflectivity in order to improve scattering of light by absorbing scattered light. For example, the solder resist 120 may be black.

한편, 상기 회로패드(135) 및 상기 가이드 패턴(130)은 도 4와 같이, 솔더 레지스트(120)에 의해 전기적으로 분리되어 있다. Meanwhile, the circuit pad 135 and the guide pattern 130 are electrically separated by the solder resist 120 as shown in FIG. 4.

구체적으로, 상기 가이드 패턴(130)은 상기 캐비티(150)를 둘러싸며, 상기 캐비티(150)로부터 소정 거리(d1, d2)만큼 이격되어 형성되어 있다.In detail, the guide pattern 130 surrounds the cavity 150 and is spaced apart from the cavity 150 by a predetermined distance d1 and d2.

상기 회로패드(135)는 상기 캐비티(150) 내에 실장되는 상기 발광소자 패키지(200)와 와이어(262) 본딩하기 위한 회로패드(135)로서, 상기 캐비티(150)와 상기 가이드 패드(130) 사이의 이격된 거리(d1, d2) 내에 노출되어 형성된다. 따라서, 상기 가이드 패턴(130)은 상기 회로패드(135)가 형성되는 영역에서 분리되어 있다. The circuit pad 135 is a circuit pad 135 for bonding the light emitting device package 200 and the wire 262 to be mounted in the cavity 150, and between the cavity 150 and the guide pad 130. It is formed to be exposed within the distance (d1, d2) of the. Thus, the guide pattern 130 is separated from the region where the circuit pad 135 is formed.

이때, 상기 가이드 패드(130)와 상기 캐비티(150) 사이의 이격된 거리(d1, d2)는 상기 회로패드(135)가 형성되어 있는 변의 거리(d1)와 상기 회로패드(135)가 형성되어 있지 않은 변의 거리(d2)가 서로 다를 수 있다.At this time, the distance (d1, d2) between the guide pad 130 and the cavity 150 is the distance (d1) of the side on which the circuit pad 135 is formed and the circuit pad 135 is formed The distances d2 of the sides that are not present may be different.

즉, 상기 회로패드(135)가 형성되어 있는 제1변의 이격 거리(d1)가 상기 회로패드(135)가 형성되어 있지 않은 제2변의 이격 거리(d2)보다 더 클 수 있다. That is, the separation distance d1 of the first side on which the circuit pad 135 is formed may be greater than the separation distance d2 of the second side on which the circuit pad 135 is not formed.

상기 가이드 패드(130) 위에 상기 캐비티(150)를 둘러싸며 가이드부(160)가 형성되어 있다.The guide part 160 is formed on the guide pad 130 to surround the cavity 150.

상기 가이드부(160)는 분리되어 있는 두 개의 상기 가이드 패드(130)를 연결하여 폐루프를 형성한다.The guide part 160 forms a closed loop by connecting two guide pads 130 separated from each other.

상기 가이드패드(130)가 삭제된 경우 상기 회로패드(135)가 형성되는 영역에서는 상기 가이드부(160)의 하면에 단차를 주어 상기 회로패드(135)가 상기 가이드부(160) 외부의 회로패턴과 전기적으로 연결될 수 있도록 할 수 있다.When the guide pad 130 is deleted, a step is provided on the lower surface of the guide part 160 in the area where the circuit pad 135 is formed so that the circuit pad 135 has a circuit pattern outside the guide part 160. Can be electrically connected to the

상기 가이드부(160)는 절연성의 무기물로 형성될 수 있으며, 불투과성의 물질로 형성된다. 상기 가이드부는 벌크(bulk) 산화 알루미늄과 같이 불투과성의 물질일 수 있으며, 약 800 μm의 높이를 가질 수 있다. 상기 가이드부(160)는 상기 발광소자 패키지(200)로부터 발광되는 빛을 집광하기 위한 구조로서, 산란되는 빛을 흡수하는 흡수층으로서 기능할 수 있다.한편, 상기 회로기판(100)의 캐비티(150) 내에는 발광소자 패키지(200)가 부착되어 있다. The guide unit 160 may be formed of an insulating inorganic material, and is formed of an impermeable material. The guide portion may be an impermeable material, such as bulk aluminum oxide, and may have a height of about 800 μm. The guide unit 160 is a structure for condensing light emitted from the light emitting device package 200 and may function as an absorbing layer for absorbing scattered light. Meanwhile, the cavity 150 of the circuit board 100. In the light emitting device package 200 is attached.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참고하여 발광소자 패키지(200)에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the light emitting device package 200 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 도 3의 발광모듈의 확대도이고, 도 5는 도 3의 발광모듈에 형성되어 있는 발광소자의 상세 단면도이다.4 is an enlarged view of the light emitting module of FIG. 3, and FIG. 5 is a detailed cross-sectional view of the light emitting device formed in the light emitting module of FIG. 3.

상기 발광소자 패키지(200)는 절연 기판(210), 상기 절연 기판(210) 위에 형성된 복수의 패드부(220) 및 상기 패드부(220) 위에 부착되어 있는 복수의 발광소자(250)를 포함한다.The light emitting device package 200 includes an insulating substrate 210, a plurality of pad parts 220 formed on the insulating substrate 210, and a plurality of light emitting devices 250 attached to the pad part 220. .

상기 절연 기판(210)은 상기 캐비티(150) 내에 실장될 수 있도록 상기 캐비티(150)의 바닥면과 같거나 작은 단면적을 가지는 다면체 형상을 가진다.The insulating substrate 210 has a polyhedral shape having a cross-sectional area equal to or smaller than the bottom surface of the cavity 150 so that the insulating substrate 210 may be mounted in the cavity 150.

상기 절연 기판(210)는 열전도율이 높은 질화물 기판으로서, 질화알루미늄 기판일 수 있다. 상기 절연 기판은 열전도율이 170 Kcal/m·h·℃ 이상을 가질 수 있다. 상기 질화물 절연 기판(210)은 300 μm이상의 두께를 가지며 본 실시예에서는 350 μm 이상의 두께를 가질 수 있으며, 캐비티(150)의 깊이보다 큰 두께를 가지는 경우 캐비티(150) 외부로 돌출되어 있을 수 있다.The insulating substrate 210 is a nitride substrate having a high thermal conductivity, and may be an aluminum nitride substrate. The insulating substrate may have a thermal conductivity of 170 Kcal / m · h · ° C or more. The nitride insulating substrate 210 may have a thickness of 300 μm or more, and in the present embodiment, may have a thickness of 350 μm or more, and may have a thickness greater than the depth of the cavity 150 to protrude out of the cavity 150. .

상기 절연 기판(210)은 도 5와 같이 상기 캐비티(150) 바닥면에 도포되어 있는 열전도성이 높은 접착 페이스트(271)에 의해 상기 캐비티(150) 내에 고정되어 있다. 상기 접착 페이스트(271)은 Au 또는 Sn 중 적어도 하나를 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다.The insulating substrate 210 is fixed in the cavity 150 by a high thermal conductive adhesive paste 271 applied to the bottom surface of the cavity 150 as shown in FIG. 5. The adhesive paste 271 may be a conductive paste including at least one of Au or Sn.

상기 접착 페이스트(271)는 열과 압력에 의해 상기 절연 기판(210)의 바닥면 하부에 얇게 분산되며, 상기 절연 기판(210)의 측면의 일부를 감싸도록 필렛(270)이 형성되며 상기 절연 기판(210)을 지지 할 수 있다.The adhesive paste 271 is thinly dispersed under the bottom surface of the insulating substrate 210 by heat and pressure, and a fillet 270 is formed to surround a portion of the side surface of the insulating substrate 210. 210 can be supported.

한편, 상기 절연기판(210)의 상면으로 복수의 패드부(220)가 형성되고,상기 복수의 패드부(220)는 상기 발광소자(250)의 배열에 따라 행을 형성하며 배치되어 있을 수 있다.Meanwhile, a plurality of pad parts 220 may be formed on an upper surface of the insulating substrate 210, and the plurality of pad parts 220 may be disposed in a row according to the arrangement of the light emitting devices 250. .

상기 패드부(220)는 상기 발광소자(250)의 수와 동일한 수효를 가지며, 도 1 내지 도 4와 같이 상기 발광소자 패키지(200)에 한 행을 이루는 4개의 발광소자(250)가 형성되는 경우, 상기 패드부(220)는 행을 이루는 4개로 구성된다.The pad part 220 has the same number as the number of the light emitting devices 250, and as shown in FIGS. 1 to 4, four light emitting devices 250 forming one row are formed in the light emitting device package 200. In this case, the pad unit 220 is composed of four rows.

상기 패드부(220)는 상기 발광소자(250)가 부착되는 전극 영역 및 이웃한 발광소자(250) 또는 회로기판(100)의 회로패드(135)와 와이어 본딩하기 위한 연결 영역(221)을 포함한다.The pad part 220 includes an electrode area to which the light emitting device 250 is attached and a connection area 221 for wire bonding with a circuit pad 135 of a neighboring light emitting device 250 or a circuit board 100. do.

상기 전극 영역은 상기 발광 소자(250)의 면적의 형상을 따라 사각형의 형상을 가질 수 있으며, 연결 영역(221)은 상기 전극 영역으로부터 연장되어 이웃한 패드부(220)와 근접하게 돌출되어 있을 수 있다. The electrode region may have a quadrangular shape along the shape of the area of the light emitting device 250, and the connection region 221 may extend from the electrode region and protrude close to the adjacent pad part 220. have.

상기 패드부(220)는 서로 다른 크기를 가진다.The pad part 220 has different sizes.

상세하게는, 행을 이루는 패드부(220) 중 양 끝부분에 배치되는 패드부(220)는 중앙 영역의 패드부(220)보다 큰 면적을 가진다.In detail, the pad part 220 disposed at both ends of the pad part 220 forming a row has an area larger than that of the pad part 220 in the center area.

중앙 영역에 배치되는 상기 패드부(220)는 상기 발광소자(250)보다 작은 면적을 가지며, 상기 패드부(220)는 연결 영역을 제외하고 외부에서 관측되지 않는다. The pad part 220 disposed in the center area has a smaller area than the light emitting device 250, and the pad part 220 is not observed from the outside except the connection area.

도 1 및 도 2에서는 상기 연결 영역(221)을 사각형의 형태를 갖도록 도시하였으나 이와 달리 다양한 형상으로 패턴을 형성할 수 있다.In FIGS. 1 and 2, the connection region 221 is illustrated to have a quadrangular shape. However, the connection region 221 may be formed in various shapes.

상기 패드부(220)의 전극 영역 위에 각각의 발광 소자(250)가 부착되어 있다.Each light emitting device 250 is attached to an electrode region of the pad part 220.

상기 발광 소자(250)는 수직형 발광 다이오드로서, 일단이 상기 패드부(220)와 부착되어 있으며, 타단이 이웃한 패드부(220)의 연결 영역(221)과 와이어(260)를 통해 본딩되어 직렬 연결을 가질 수 있다. The light emitting device 250 is a vertical light emitting diode, one end of which is attached to the pad part 220, and the other end of the light emitting device 250 is bonded through a connection area 221 and a wire 260 of the adjacent pad part 220. It can have a serial connection.

이와 같이, 복수의 발광 소자(250)가 직렬로 연결되어 있는 경우, 첫번째 열의 패드부(220)의 연결 영역(221)은 와이어(262)를 통해 근접한 회로기판(100)의 회로패드(135)와 연결되어 있다.As described above, when the plurality of light emitting devices 250 are connected in series, the connection area 221 of the pad part 220 in the first column is connected to the circuit pad 135 of the circuit board 100 through the wire 262. Connected with

이때, 상기 발광소자 패키지(200)의 상면에는 마지막 발광소자(250)가 부착되어 있는 패드부(220)와 이웃하여 연결 영역(221)만을 포함하는 패드섬(pad island)(225)을 포함한다.In this case, the upper surface of the light emitting device package 200 includes a pad island 225 adjacent to the pad unit 220 to which the last light emitting device 250 is attached and including only the connection region 221. .

상기 패드섬(225)은 상기 이웃한 패드부(220)의 발광 소자(250)와 와이어(260)를 통해 연결되고, 상기 이웃한 회로기판(100)의 회로패드(135)와 와이어(262)를 통해 연결된다.The pad island 225 is connected to the light emitting device 250 of the neighboring pad unit 220 through a wire 260, and the circuit pad 135 and the wire 262 of the neighboring circuit board 100. Is connected through.

상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 상기 연결 영역(221)이 상기 회로기판(100)의 회로패드(135)와 근접하도록 상기 제너 다이오드(170) 및 온도 센서(180)를 향하여 배치된다.The pad part 220 and the pad island 225 are disposed toward the zener diode 170 and the temperature sensor 180 such that the connection area 221 is close to the circuit pad 135 of the circuit board 100. do.

이때, 상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 도 5와 같이 복수의 금속층(222,223,224)으로 형성되어 있다.In this case, the pad part 220 and the pad island 225 are formed of a plurality of metal layers 222, 223, and 224 as shown in FIG. 5.

상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 제1 금속층(222), 제2 금속층(223) 및 제3 금속층(224)의 적층 구조를 가지며, 각 금속층(222,223,224)은 티타늄, 니켈, 금 또는 백금을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The pad part 220 and the pad island 225 have a lamination structure of the first metal layer 222, the second metal layer 223, and the third metal layer 224, and each metal layer 222, 223, 224 is titanium, nickel, or gold. Or it may be formed of an alloy containing platinum.

바람직하게는 제1 금속층(222)은 티타늄을 포함하는 합금으로 형성되고, 제2 금속층(223)은 니켈을 포함하는 합금으로 형성되며, 제3 금속층(224)은 금을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 제1 금속층 내지 제3 금속층(222,223,224)의 총 두께의 합이 0.45 μm 내지 0.75μm를 충족할 수 있다.Preferably, the first metal layer 222 is formed of an alloy containing titanium, the second metal layer 223 is formed of an alloy containing nickel, and the third metal layer 224 is formed of an alloy containing gold. The sum of the total thicknesses of the first metal layer to the third metal layer 222, 223, 224 may satisfy 0.45 μm to 0.75 μm.

상기 제1 내지 제3 금속층(222,223,224)은 스퍼터링, 이온빔증착, 전자빔증착 등의 박막 증착법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 제1 금속층 내지 제3 금속층(222,223,224)을 수 μm를 충족하도록 박막으로 형성함으로써 발광소자 패키지(200) 내에서 미세 패턴을 구현할 수 있다.The first to third metal layers 222, 223, and 224 may be formed by thin film deposition such as sputtering, ion beam deposition, and electron beam deposition. By forming the first to third metal layers 222, 223, and 224 in a thin film to satisfy a few μm, a fine pattern may be implemented in the light emitting device package 200.

상기 패드부(220)의 전극 영역 위에 발광 소자(250)가 부착되어 있다. 상기 발광 소자(250)는 하부에 도전성접착층인 전도성 지지기판(252)을 포함하며, 상기 전도성 지지기판(252) 하부에 Au 또는 Sn 중 적어도 하나를 포함하는 전도성 페이스트(251)이 도포되어 있을 수 있다. 상기 도전성접착층(252)은 30 μm 이하의 두께를 가지며, 실시예는 25 μm이하의 두께를 가질 수 있다. The light emitting device 250 is attached to the electrode area of the pad part 220. The light emitting device 250 may include a conductive support substrate 252, which is a conductive adhesive layer, and a conductive paste 251 including at least one of Au or Sn may be coated on the lower portion of the conductive support substrate 252. have. The conductive adhesive layer 252 may have a thickness of 30 μm or less, and the embodiment may have a thickness of 25 μm or less.

상기 전도성 페이스트(251)의 도포 면적은 상기 패드부(220)의 면적보다 작거나 같게 형성된다. An application area of the conductive paste 251 is formed to be smaller than or equal to an area of the pad part 220.

발광 소자(250)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다. The light emitting device 250 may selectively include a semiconductor light emitting device manufactured using a compound semiconductor of Group III and Group V elements, such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs, and the like. have.

또한, 각 발광 소자(250)는 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 청-녹색 LED 칩 등으로 이루어질 수 있으나, 자동차의 헤드램프용인 경우 청색 LED칩일 수 있다. In addition, each light emitting device 250 may be composed of a blue LED chip, yellow LED chip, green LED chip, red LED chip, UV LED chip, amber LED chip, blue-green LED chip, etc. It may be a blue LED chip.

이러한 발광 소자(250)는 도 6과 같이 전도성 지지기판(252), 본딩층(253), 제2 도전형 반도체층(255), 활성층(257), 및 제1 도전형 반도체층(259)을 포함한다.The light emitting device 250 may include a conductive support substrate 252, a bonding layer 253, a second conductive semiconductor layer 255, an active layer 257, and a first conductive semiconductor layer 259 as shown in FIG. 6. Include.

전도성 지지기판(252)은 금속 또는 전기 전도성 반도체 기판으로 형성될 수 있다. The conductive support substrate 252 may be formed of a metal or an electrically conductive semiconductor substrate.

기판(252) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.  A group III-V nitride semiconductor layer is formed on the substrate 252. The semiconductor growth equipment includes an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD), and dual thermal It can be formed by a dual-type thermal evaporator sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), etc., but is not limited to such equipment.

전도성 지지기판(252) 위에는 본딩층(253)이 형성될 수 있다. 본딩층(253)은 전도성 지지기판(252)과 질화물 반도체층을 접착되도록 한다. 또한, 전도성 지지기판(252)은 본딩 방식이 아닌 도금 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 본딩층(253)은 형성되지 않을 수도 있다. The bonding layer 253 may be formed on the conductive support substrate 252. The bonding layer 253 bonds the conductive support substrate 252 to the nitride semiconductor layer. In addition, the conductive support substrate 252 may be formed by a plating method instead of a bonding method, and in this case, the bonding layer 253 may not be formed.

본딩층(253) 위에는 제2 도전형 반도체층(255)이 형성되며, 제2 도전형 반도체층(255)은 패드부(220)의 전극 영역과 접촉하여 전기적으로 연결된다.  A second conductive semiconductor layer 255 is formed on the bonding layer 253, and the second conductive semiconductor layer 255 is electrically connected to the electrode region of the pad part 220.

제2 도전형 반도체층(255)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(323)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 255 may be formed of at least one of a group III-V group compound semiconductor, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The second conductive semiconductor layer 323 may be doped with a second conductive dopant, and the second conductive dopant may be a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(255)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Mg와 같은 p형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 p형 GaN층으로 형성될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 255 may be formed of a p-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas including p-type dopant such as NH 3 , TMGa (or TEGa), and Mg.

제2 도전형 반도체층(255)은 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다.  The second conductive semiconductor layer 255 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current spreading structure includes semiconductor layers in which the current spreading speed in the horizontal direction is higher than the current spreading speed in the vertical direction.

전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 반도체층들을 포함할 수 있다.  The current spreading structure can include, for example, semiconductor layers having a difference in concentration or conductivity of the dopant.

제2 도전형 반도체층(255)은 그 위의 다른 층 예컨대, 활성층(257)에 균일한 분포로 확산된 캐리어를 공급될 수 있다. The second conductivity-type semiconductor layer 255 may supply a carrier diffused in a uniform distribution to another layer thereon, for example, the active layer 257.

제2 도전형 반도체층(255) 위에는 활성층(257)이 형성된다. 활성층(257)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(257)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다.  The active layer 257 is formed on the second conductive semiconductor layer 255. The active layer 257 may be formed in a single quantum well or multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 257 may optionally include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제2 도전형 반도체층(255)과 활성층(257) 사이에는 제2 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 p형 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.  A second conductive cladding layer (not shown) may be formed between the second conductive semiconductor layer 255 and the active layer 257. The second conductive cladding layer may be formed of a p-type GaN-based semiconductor. The second conductivity type clad layer may be formed of a material having a band gap higher than that of the well layer.

활성층(257) 위에는 제1 도전형 반도체층(259)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(259)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.  The first conductivity type semiconductor layer 259 is formed on the active layer 257. The first conductive semiconductor layer 259 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant. The n-type semiconductor layer may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. The first conductivity type dopant is an n-type dopant, and at least one of Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like may be added.

제1 도전형 반도체층(255)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 n형 GaN층을 형성할 수 있다.For example, the first conductive semiconductor layer 255 may supply a gas including an n-type dopant such as NH 3 , TMGa (or TEGa), and Si to form an n-type GaN layer having a predetermined thickness.

또한, 제2 도전형 반도체층(259)은 p형 반도체층, 제1 도전형 반도체층(259)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제1도전형 반도체층을 그 예로 설명하기로 한다.In addition, the second conductive semiconductor layer 259 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 259 may be an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Hereinafter, for the purpose of description, the first conductive semiconductor layer will be described as an example of the uppermost layer of the semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층(259) 위에는 제1 전극 또는/및 전극층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. 전극층은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다.  A first electrode and / or an electrode layer (not shown) may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 259. The electrode layer may be an oxide or nitride-based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON), indium zinc tin oxide (IZTO), or IAZO. (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO It may be selected from materials. The electrode layer may function as a current spreading layer capable of diffusing current.

상기 발광소자(250)는 이웃한 발광소자(250)와 일정한 이격 거리를 갖도록 배치되어 있다. The light emitting device 250 is disposed to have a predetermined distance from the adjacent light emitting device 250.

즉, 상기 발광소자(250) 사이에 이격 거리가 존재함으로써 발광소자(250) 측면으로부터 방출되는 빛이 외부로 출력되나 상면으로부터 출력되는 광량에 비해 작은 양이 출력됨으로써 발광소자(250)와 발광소자(250) 사이에 암부가 발생할 수 있다. That is, since the distance between the light emitting device 250 is present, the light emitted from the side of the light emitting device 250 is output to the outside, but a small amount is output compared to the amount of light output from the upper surface, so that the light emitting device 250 and the light emitting device A dark portion may occur between 250.

이때, 상기 암부를 줄이기 위하여 측면 광을 늘리기 위하여 상기 발광소자(250)의 측면에 형광체층(254)을 형성한다.In this case, the phosphor layer 254 is formed on the side surface of the light emitting device 250 to increase the side light to reduce the dark portion.

상기 형광체층(254)은 투광성 수지 내에 형광체입자(256)를 분산시켜 형성할 수 있으며, 컨포멀(conformal) 코팅하여 형성할 수도 있다. 이때, 상기 형광체층(254)은 상기 발광소자(250)의 발광색에 따라 선택적으로 형광체입자(256)를 도포할 수 있다. The phosphor layer 254 may be formed by dispersing the phosphor particles 256 in the translucent resin, or may be formed by conformal coating. In this case, the phosphor layer 254 may selectively apply the phosphor particles 256 according to the light emission color of the light emitting device 250.

상기 형광체층(254)은 측면에만 선택적으로 형성될 수 있으나, 이와 달리 바닥면을 제외한 전체에 도포될 수 있다. The phosphor layer 254 may be selectively formed only on the side surface, but may be applied to the entire surface except the bottom surface.

도 1 내지 도 6의 발광소자 패키지(200)는 복수의 수직형 발광 소자(250)가 직렬로 연결되어 있는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 수직형 발광 소자(250)가 병렬로 연결될 수도 있으며, 수평형 발광 소자(250)가 직렬 또는 병렬로 연결되어 있는 구조도 가능하다. 1 to 6, the light emitting device package 200 has been described as having a plurality of vertical light emitting devices 250 connected in series. Alternatively, the vertical light emitting devices 250 may be connected in parallel. It is also possible that the light emitting device 250 is connected in series or in parallel.

이와 같이, 도 1 내지 도 6의 발광모듈(300)은 발광소자 패키지(200)의 절연 기판(210)을 질화물로 사용하고, 상기 절연 기판(210)과 회로기판(100)의 금속 플레이트(110)를 열전도성이 높은 접착 페이스트(271)를 통하여 직접 접착함으로써 방열성을 확보하여, 상기 발광소자 패키지(200) 상의 패드부(220)를 두꺼운 구리 금속을 패터닝하여 형성할 필요 없이, 스퍼터링 등을 통하여 금속 박막으로 형성함으로써 미세 패턴을 형성할 수 있다.As such, the light emitting module 300 of FIGS. 1 to 6 uses the insulating substrate 210 of the light emitting device package 200 as a nitride, and the metal plate 110 of the insulating substrate 210 and the circuit board 100. ) Is directly bonded through a thermally conductive adhesive paste 271, thereby ensuring heat dissipation, so that the pad portion 220 on the light emitting device package 200 is formed by patterning a thick copper metal. By forming a thin metal film, a fine pattern can be formed.

한편, 다시 도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 회로 기판(100)의 상기 금속 플레이트(110) 상면의 솔더 레지스트(120) 위에 제너 다이오드(170) 및 온도센서(180)가 형성되어 있다. Meanwhile, referring back to FIGS. 1 and 2, a zener diode 170 and a temperature sensor 180 are formed on the solder resist 120 on the upper surface of the metal plate 110 of the circuit board 100.

상기 제너 다이오드(170) 및 상기 온도센서(180)는 도 1과 같이 상기 가이드부(160) 바깥쪽에 형성되어 있다. The zener diode 170 and the temperature sensor 180 are formed outside the guide unit 160 as shown in FIG. 1.

상기 온도센서(180)는 온도에 따라 저항 값이 변하는 가변저항인 써미스터(thermistor)일 수 있으며 온도가 상승함에 따라 비저항이 작아지는 NTC(negative temperature coefficient)일 수도 있다. The temperature sensor 180 may be a thermistor, which is a variable resistor whose resistance value changes with temperature, or may be a negative temperature coefficient (NTC), in which a specific resistance decreases as the temperature increases.

상기 커넥터(190)는 일단이 외부로부터 신호를 전송받는 복수의 전선(195)과 연결되며, 타단이 상기 회로기판(100)의 회로 패턴과 연결되어 상기 제너 다이오드(170), 상기 온도센서(180) 및 상기 발광소자 패키지(200)로 전압을 인가하고, 상기 온도센서(180)로부터 출력되는 전류를 외부로 흘린다.The connector 190 has one end connected to a plurality of wires 195 for receiving a signal from the outside, and the other end connected to a circuit pattern of the circuit board 100 so that the zener diode 170 and the temperature sensor 180 are connected. And a voltage is applied to the light emitting device package 200, and a current output from the temperature sensor 180 flows to the outside.

외부의 제어부(도시하지 않음)는 상기 온도센서(180)로부터 출력되는 전류값에 따라 상기 발광 소자(250)의 발열을 감지하여 상기 발광 소자(250)에 인가되는 전압을 제어할 수 있다.An external controller (not shown) may control the voltage applied to the light emitting device 250 by sensing the heat generated by the light emitting device 250 according to the current value output from the temperature sensor 180.

이상에서는 상기 가이드부(160)가 금속 플레이트(110) 위에 형성되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 절연 기판(210) 위에 형성될 수도 있다. In the above description, the guide part 160 is formed on the metal plate 110. Alternatively, the guide part 160 may be formed on the insulating substrate 210.

이하에서는 도 7 및 도 8을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 모듈을 설명한다.Hereinafter, a light emitting module according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

도 7 및 도 8을 참고하면, 발광모듈(300A)은 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100)의 캐비티(150)에 발광소자 패키지(200)를 포함한다.7 and 8, the light emitting module 300A includes a circuit board 100 and a light emitting device package 200 in a cavity 150 of the circuit board 100.

상기 발광모듈(300A)은 회로기판(100) 위에 복수의 발광 소자(250)가 탑재된 구조로서, 상기 발광 소자(250)는 회로기판(100) 위에 1행 또는 그 이상의 행으로 배열될 수 있으며, 복수의 발광 소자(250)가 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. The light emitting module 300A has a structure in which a plurality of light emitting devices 250 are mounted on the circuit board 100, and the light emitting devices 250 may be arranged in one or more rows on the circuit board 100. In addition, the plurality of light emitting devices 250 may be connected to each other in series or in parallel.

상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 회로 패턴(도시하지 않음)을 포함한다. The circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, and a circuit pattern (not shown).

상기 금속 플레이트(110)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 등을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 실시예는 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The metal plate 110 is a heat conductive plate having high thermal conductivity, and may be formed of an alloy including copper, aluminum, silver, or gold, and the exemplary embodiment may be formed of an alloy containing aluminum or aluminum.

상기 금속 플레이트(110)의 상면에는 절연층(140)이 형성되어 있다.The insulating layer 140 is formed on the upper surface of the metal plate 110.

상기 절연층(140)은 상기 금속 플레이트(110)의 표면을 아노다이징하여 형성하는 산화층일 수 있으며, 이와 달리 별도의 절연층을 부착하여 형성할 수 있다.The insulating layer 140 may be an oxide layer formed by anodizing the surface of the metal plate 110. Alternatively, the insulating layer 140 may be formed by attaching a separate insulating layer.

상기 절연층(140) 위에 회로 패턴 및 패드(227)가 형성되어 있다.Circuit patterns and pads 227 are formed on the insulating layer 140.

상기 패턴 및 패드(227)는 동박층을 식각하여 형성될 수 있으며, 패드(227)의 표면은 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 등을 포함하는 합금을 이용하여 표면처리될 수 있다. The pattern and the pad 227 may be formed by etching the copper foil layer, and the surface of the pad 227 may be surface treated using an alloy including nickel, silver, gold or palladium.

상기 절연층(140) 상에는 발광소자 및 구동에 필요한 회로 소자를 실장하는 영역을 제외한 회로 패턴을 매립하는 솔더 레지스트(120)가 형성되어 있다.The solder resist 120 is formed on the insulating layer 140 to fill a circuit pattern except for a region in which a light emitting device and a circuit device required for driving are mounted.

상기 패드(227) 위에 상기 발광 소자(250)의 실장 영역을 둘러싸며 가이드부(160)가 형성되어 있다.The guide part 160 is formed on the pad 227 to surround the mounting area of the light emitting device 250.

한편, 상기 회로기판(100)의 발광소자 실장 영역에는 발광 소자(250)가 부착되어있다.Meanwhile, the light emitting device 250 is attached to the light emitting device mounting region of the circuit board 100.

상기 발광 소자(250)는 상기 발광 소자 실장 영역에 노출되어 있는 패드(227) 위에 부착된다.The light emitting device 250 is attached to the pad 227 exposed to the light emitting device mounting region.

상기 패드(227)는 상기 발광소자(250)의 배열에 따라 행을 형성하며 배치되어 있을 수 있다.The pads 227 may be disposed in a row according to the arrangement of the light emitting devices 250.

상기 패드(227)는 상기 발광소자(250)의 수효와 동일한 수효를 가지며, 도 1 내지 도 4와 같이 상기 발광소자 패키지(200)에 한 행을 이루는 4개의 발광소자(250)가 형성되는 경우, 상기 패드(227)는 행을 이루는 4개로 구성된다.The pad 227 has the same number as the number of the light emitting devices 250, and when four light emitting devices 250 forming one row are formed in the light emitting device package 200 as shown in FIGS. 1 to 4. The pad 227 is composed of four rows.

상기 패드(227)는 상기 발광소자(250)가 부착되는 전극 영역 및 이웃한 발광소자(250)와 와이어 본딩하기 위한 연결 영역(221)을 포함한다.The pad 227 includes an electrode region to which the light emitting device 250 is attached and a connection area 221 for wire bonding with a neighboring light emitting device 250.

상기 패드(227)는 상기 발광소자(250)보다 작은 면적을 가지며, 상기 패드(227)는 연결 영역(221)을 제외하고 외부에서 관측되지 않는다. The pad 227 has a smaller area than the light emitting device 250, and the pad 227 is not observed from the outside except the connection area 221.

상기 연결 영역(221)을 사각형의 형태를 갖도록 도시하였으나 이와 달리 다양한 형상으로 패턴을 형성할 수 있다.Although the connection region 221 is illustrated to have a quadrangular shape, a pattern may be formed in various shapes.

상기 패드(227)의 전극 영역 위에 각각의 발광 소자(250)가 부착되어 있다.Each light emitting device 250 is attached to an electrode region of the pad 227.

상기 발광 소자(250)는 수직형 발광 다이오드로서, 일단이 상기 패드(227)와 부착되어 있으며, 타단이 이웃한 패드(227)의 연결 영역(221)과 와이어(260)를 통해 본딩되어 직렬 연결을 가질 수 있다. The light emitting device 250 is a vertical light emitting diode, one end of which is attached to the pad 227, and the other end of which is bonded to the pad 227 adjacent to the pad 227 by a wire 260 and connected in series. Can have

이와 같이, 복수의 발광 소자(250)가 직렬로 연결되어 있는 경우, 첫번째 열의 패드부(227)의 연결 영역(221)은 금속 기판의 회로 패턴과 연결되어 있다.As described above, when the plurality of light emitting devices 250 are connected in series, the connection area 221 of the pad part 227 in the first row is connected to the circuit pattern of the metal substrate.

상기 발광소자(250)는 도 6의 발광 소자(250)와 동일하며, 측면에 형광체층이 형성되어 있는 구조를 가진다. The light emitting device 250 is the same as the light emitting device 250 of FIG. 6, and has a structure in which a phosphor layer is formed on a side surface thereof.

도 7 및 도 8에서는 발광소자 실장 영역에 패드(227)가 회로 패턴과 동시에 형성되고, 상기 패드(227) 위에 발광 소자(250)가 직접 부착되는 것으로 기재하였으나, 이와 달리, 상기 발광소자 실장 영역에 절연기판 위에 발광소자가 부착되어 있는 도 1의 발광소자 패키지가 부착될 수 있다.In FIGS. 7 and 8, the pad 227 is formed in the light emitting device mounting region at the same time as the circuit pattern, and the light emitting device 250 is directly attached on the pad 227. The light emitting device package of FIG. 1, in which a light emitting device is attached on an insulating substrate, may be attached.

도 9는 발광 모듈이 적용된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다. 9 is a diagram illustrating an embodiment of a head lamp to which a light emitting module is applied.

도 9를 참조하면, 실시예의 헤드램프는 발광모듈(901), 상기 발광모듈(901) 위에 배치되는 리플렉터(902), 상기 발광모듈(901)과 이격되어 상기 리플렉터(902)와 대면하는 렌즈(904), 그리고 상기 발광모듈(901)과 렌즈(904) 사이에 쉐이드(903)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the headlamp of the embodiment includes a light emitting module 901, a reflector 902 disposed on the light emitting module 901, and a lens spaced apart from the light emitting module 901 to face the reflector 902 ( 904 and a shade 903 between the light emitting module 901 and the lens 904.

상기 렌즈(904)는 외부를 향하여 볼록하게 형성되며, 리플렉터(902)로부터의 빛을 집광하여 외부로 방출한다. 상기 발광모듈(901)은 도 1 내지 도 8에 도시되어 있는 발광모듈(901)일 수 있으며, 상면으로 빛을 발광한다.The lens 904 is convex toward the outside, and collects light from the reflector 902 and emits it to the outside. The light emitting module 901 may be the light emitting module 901 illustrated in FIGS. 1 to 8, and emits light to an upper surface.

상기 리플렉터(902)는 렌즈(904)를 향하여 오목한 원호를 가지는 반사면을 가지며, 상기 발광모듈(901)로부터의 빛을 받아 렌즈(904)로 방출한다.The reflector 902 has a reflective surface having a circular arc concave toward the lens 904, receives the light from the light emitting module 901 and emits the light to the lens 904.

상기 쉐이드(903)는 발광모듈(901)과 렌즈(904) 사이에 배치되며 렌즈(904)와 발광모듈(901) 사이로 빛샘을 방지한다. 상기 쉐이드(903)의 표면은 반사막 코팅되어 있을 수 있으며, 상기 발광모듈(901)로부터 방출된 빛은 리플렉터(902)와 쉐이드(903)를 통해 반사되어 렌즈(904)에서 집광 후 외부로 방출된다.The shade 903 is disposed between the light emitting module 901 and the lens 904 and prevents light leakage between the lens 904 and the light emitting module 901. The surface of the shade 903 may be coated with a reflective film, and the light emitted from the light emitting module 901 is reflected through the reflector 902 and the shade 903 to be emitted from the lens 904 after condensing. .

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광모듈 300
회로기판 100
발광소자 패키지 200
발광 소자 250Light emitting module 300
Circuit Board 100
LED Package 200
Light emitting element 250

Claims (15)

금속회로기판; 및
상기 금속회로기판 상에 고정되는 질화물 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 패드부, 그리고 상기 패드부 위에 부착되어 있는 복수의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지
를 포함하며,
상기 복수의 발광소자는 측면에 형광체층을 포함하는 발광모듈.Metal circuit boards; And
A light emitting device package comprising a nitride insulating substrate fixed on the metal circuit board, at least one pad portion formed on the insulating substrate, and a plurality of light emitting elements attached to the pad portion.
Including;
The light emitting module includes a phosphor layer on the side. 제1항에 있어서,
상기 질화물 절연 기판의 열전도율은 170 Kcal/m·h·℃ 이상인 발광모듈. The method of claim 1,
The thermal conductivity of the nitride insulating substrate is 170 Kcal / m · h · ℃ or more light emitting module. 제1항에 있어서,
상기 발광모듈은 상기 금속회로기판 또는 상기 절연 기판 위에 상기 발광소자 패키지 둘러싸는 가이드부를 더 포함하는 발광모듈.The method of claim 1,
The light emitting module further comprises a guide unit surrounding the light emitting device package on the metal circuit board or the insulating substrate. 제3항에 있어서,
상기 금속회로기판은,
금속 플레이트,
상기 금속 플레이트 위의 절연층,
상기 절연층 위에 상기 발광소자 패키지의 패드부와 전기적으로 연결되는 회로패드, 그리고
상기 절연층 위에 상기 회로패드를 노출하는 커버층을 포함하는 발광모듈. The method of claim 3,
The metal circuit board,
Metal plate,
An insulating layer on the metal plate,
A circuit pad electrically connected to the pad part of the light emitting device package on the insulating layer, and
And a cover layer exposing the circuit pad on the insulating layer. 제1항에 있어서,
상기 형광체층은 상기 발광소자의 상면 및 상기 발광소자의 측면의 적어도 일부 상에 형성되는 발광모듈. The method of claim 1,
The phosphor layer is formed on at least a portion of the upper surface of the light emitting device and the side of the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 패드부 의 면적은 서로 다른 발광모듈.The method of claim 1,
Light emitting modules having different pad areas. 제6항에 있어서,
상기 패드부는
가장자리 영역에 배치되는 제1 패드부,
중앙 영역에 배치되는 제2 패드부를 포함하며,
상기 제2 패드부는 상기 제1 패드부보다 작은 면적을 가지는 발광모듈.The method according to claim 6,
The pad portion
A first pad portion disposed in the edge region,
A second pad part disposed in the central area,
The second pad part has a smaller area than the first pad part. 제6항에 있어서,
상기 제2 패드부의 면적은 상기 제2 패드부와 대향하는 상기 발광소자의 면의 면적보다 작은 발광모듈.The method according to claim 6,
The area of the second pad portion is smaller than the area of the surface of the light emitting element facing the second pad portion. 제6항에 있어서,
상기 패드부와 상기 발광소자 사이에 도전성 접착재가 위치하며, 상기 도전성 접착재의 두께는 30um보다 작은 발광모듈.The method according to claim 6,
A conductive adhesive is positioned between the pad and the light emitting device, and the thickness of the conductive adhesive is less than 30 μm. 금속회로기판; 및
상기 금속회로기판의 발광소자 실장 영역에 배치되는 복수의 발광소자를 포함하며,
서로 인접하는 상기 발광소자 사이에 절연층이 위치하고,
상기 절연층 상에 형광체층이 형성되어 있는 발광모듈.Metal circuit boards; And
It includes a plurality of light emitting devices disposed in the light emitting device mounting area of the metal circuit board,
An insulating layer is located between the light emitting devices adjacent to each other,
A light emitting module having a phosphor layer formed on the insulating layer. 제10항에 있어서,
상기 금속회로기판은
금속 플레이트,
상기 금속 플레이트 위의 절연층,
상기 절연층 위에 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 패드, 그리고
상기 절연층 위에 상기 패드를 노출하는 커버층을 포함하는 발광모듈. The method of claim 10,
The metal circuit board is
Metal plate,
An insulating layer on the metal plate,
A pad electrically connected to the light emitting device on the insulating layer, and
And a cover layer exposing the pad on the insulating layer. 제11항에 있어서,
상기 절연층은 상기 금속 플레이트의 산화막인 발광모듈. The method of claim 11,
The insulating layer is a light emitting module of the oxide film of the metal plate. 제12항에 있어서,
상기 패드는 상기 패드에 대향하는 상기 발광소자의 면보다 작은 면적을 가지는 발광모듈. The method of claim 12,
The pad has a smaller area than the surface of the light emitting element facing the pad. 제10항에 있어서,
상기 절연층은 적어도 두 개 이상의 층으로 구성되는
발광모듈. The method of claim 10,
The insulating layer is composed of at least two layers
Light emitting module. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 발광모듈을 포함하는 헤드램프.A headlamp comprising the light emitting module of claim 1.
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