KR20130023010A - 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법 및 그로부터 제조되는 센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 두 가지 이상의 원소를 포함하는 박막을 제조한 다음, 특정 원소를 선택적으로 제거함으로써 다공성 구조를 갖는 박막을 형성한 후 이를 센서의 작동전극 또는 작동전극과 보조전극으로 사용하는 센서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 의하면 기존의 전해석출법에 의해 제조된 센서에 비해 제조공정이 비교적 간단하고, 다공성 박막의 기공 크기 조절이 용이하며 재현성 있는 감도를 갖는 센서의 제작이 가능하다. 또한, 우수한 성능을 갖는 센서의 대량 생산이 가능한 장점이 있다.
본 발명의 방법을 이용하여 혈당 농도를 측정하는 바이오센서 등을 제조할 수 있다.

Description

다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법 및 그로부터 제조되는 센서{Methods of manufacturing sensors having mesoporous film and sensor manufactured by the same}

본 발명은 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법에 관한 것으로, 용이한 방법에 의해 재현성 있는 반응 감도를 나타내는 센서를 제작하는 방법 및 그로부터 제조되는 센서에 관한 것이다.

센서는 검출하고자 하는 물질을 생물적 또는 화학적으로 반응시키고, 반응에 따라 외적으로 나타나는 신호의 변화를 측정함으로써 검출하고자 하는 물질의 존재 또는 농도를 측정하는 수단이다. 대표적인 센서로서 대기 중에 포함된 가스량을 검출하는 가스 센서, 용액 중의 수소 이온의 농도를 측정하는 환경 센서 또는 생화학 물질의 생물적·화학적 반응으로부터 시료 내 미량 포함된 물질의 농도를 측정하는 바이오센서가 있다.

이중에서 바이오센서는 검출하고자 하는 물질에 대해 특이성을 갖는 효소를 고정시킨 전극을 사용하여 농도를 측정하는 "효소 센서"가 대표적이다. 효소 센서는 효소가 고정된 전극을 시료와 접촉시켜 효소-기질의 반응을 일으키고, 이때 발생되는 생성물의 산화-환원 반응을 전기적 신호(전기화학적 방법)로 감지하여 물질의 농도를 측정하는 방법이다. 예를 들어 혈당 센서에서는 글루코스 옥시다아제(glucose oxidase)라는 효소를 이용하여 혈당을 산화시키고, 이때 생성되는 환원형 효소는 산소와 반응하여 과산화수소를 발생시키거나 전자전달 매개체를 환원형으로 전화시키는데, 이러한 과산화수소 또는 환원형 전자전달 매개체의 재산화 과정에서 발생되는 산화 전류를 측정함으로써 혈당 농도를 측정한다.

그러나 이러한 효소 센서에서는 센서 개별 제품에 따라 감도의 편차가 크고, 센서의 보관시 온도, 습도 등 환경 조건에 따라 효소가 변질되기 쉬워 제품의 품질 관리에 문제가 있다. 이에 효소를 사용하지 않는 센서로서 귀금속(Pt, Au 등) 전극을 이용하여 생화학적 물질을 검출하는 무효소 바이오센서에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다.

효소 센서를 대체하기 위한 무효소 바이오센서에서 사용하는 귀금속 전극은 다공성 구조이어야 한다. 현재까지 실험실 수준에서 제작된 다공성 백금(Pt) 박막에서 효소 센서 정도의 감도가 나온다는 결과가 보고되어 있다(S. Park et al, Anal. Chem. 75, 3046 (2003)).

실험실 수준의 귀금속 다공성 박막은 대부분 전기화학적 전해석출법(electrodeposition)으로 제작되었다(대한민국 등록특허 제10-0481663호, 제10-0846456호, 제10-0966620호 등). 이 방법은 계면활성제로 둘러싸인 나노 크기의 금속 핵을 미리 준비한 전극판에 도금시켜 쌓은 다음(전기화학적 도금), 금속 핵을 둘러싼 계면활성제를 제거함으로써 중기공성(2-50nm 크기의 기공성)을 구현하는 것이다.

그러나 전해석출법을 이용한 다공성 박막의 제작은 도금 용액의 농도를 일정하게 유지하거나 시간을 조절해야 하는 등 공정 자체의 관리에 많은 노력이 들어가며, 계면활성제의 제거 공정 또한 간단하지 않은 경우가 많다. 또한 공정 중에 유해한 산과 염기를 많이 사용해야 하므로 환경적으로도 많은 부담이 드는 공정이다. 이러한 문제점들 때문에 전기화학적 도금법을 이용한 다공성 박막의 제작은 개별적 실험실 수준의 테스트용으로는 적합하나 실제 상용화를 위한 대량 생산에는 적용이 매우 어려운 실정이다.

또한 전해석출법에서 다공성 박막의 기공 크기와 박막 두께는 계면활성제 사슬의 길이로 결정되는데, 이러한 방법으로 다공도를 조절하는 것은 용이하지 않으며, 특히 대량으로 박막을 제작하는 경우에 있어 재현성 있는 성능을 갖도록 센서를 제작하는 것은 더욱 곤란하다.

한편, 선택적 용해법(dealloying)은 두 가지 이상 금속의 합금 박막에서 금속 원소를 선택적으로 제거함으로써 다공성 구조를 형성하는 방법이다. 이러한 선택적 용해법을 이용한 다공성 구조에 대해 미국특허 US7294409 B2는 체내에서 소량의 약물을 일정하게 내보내는 기능을 갖는 다공성 금속 구조체를 개시하고, US 2007/0224099 A1는 연료전지의 전극에 사용되는 금을 포함한 다공성 금속구조체를 개시하고 있다.

한편, 선택적 용해법은 용액을 이용하는 습식 식각법인데 비해, 건식 식각법은 원소를 제거하는데 있어서 용해액을 사용하는 대신, 제거하고자 하는 원소에 대한 반응성이 높은 기체를 사용하여 특정 원소를 선택적으로 제거하는 방법이다. 플라즈마를 이용한 RIE(Reactive ion etching), ICP(Inductively coupled plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance), helicon discharge 등의 방식이 있고 비플라즈마 기체를 이용하는 경우엔 XeF₂, BrF₃, ClF₃ 등 불소(F)를 포함한 반응 기체군, CCl₄, Cl₂ 등 염소(Cl)를 포함한 반응 기체군, Br₂ 등 브롬(Br)을 포함한 반응 기체군 등을 이용할 수 있다.

본 발명은 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법으로서, 제조방법이 간단하고 공정 조건의 컨트롤이 용이하며, 재현성 있는 감도를 나타내는 센서를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 대량 생산이 가능한 센서의 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명은 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법에 관한 것이다. 상기 다공성 박막은 특히 2 내지 50nm 크기의 중기공성(mesoporous) 박막으로, 본 발명에 의하면 박막의 다공도 조절이 용이하고, 다공도를 일정하게 유지함으로써 재현성 있는 성능을 갖는 센서를 제조할 수 있다.

구체적으로 본 발명은 두 가지 이상의 원소를 증착하여 박막을 형성하는 단계 및 상기 박막으로부터 원소를 선택적으로 제거하여 다공성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 센서의 제조방법을 제공한다.

바람직하게, 상기 박막은 두 가지 이상의 원소를 스퍼터링하여 증착시킨 것이다.

바람직하게, 상기 원소의 선택적 제거에는 제거하고자 하는 원소에 대해 선택적인 용해성을 갖는 용매를 사용하거나 제거하고자 하는 원소에 대해 반응성이 높은 기체를 사용한다.

바람직하게, 상기 박막은 Si 또는 O 원소 및 Pt, Pd, Au 및 Ag로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 원소를 포함한다.

바람직하게, 상기 제거되는 원소는 Si 및 O 중 하나 이상이다.

바람직하게, 상기 다공성 박막은 1 내지 50 nm 크기의 기공을 포함한다.

바람직하게, 상기 다공성 박막은 1 내지 500 nm의 두께이다.

바람직하게, 상기 다공성 박막은 1 내지 500의 거칠기(roughness factor)를 가진다.

또한 본 발명은 상기 방법으로부터 제조되는 센서로서 상기 다공성 박막을 작동전극 또는 보조전극으로 하는 2 전극계 또는 3 전극계의 센서이다.

바람직하게, 상기 센서는 혈당 농도를 측정하는 바이오센서이다.

바람직하게, 상기 센서는 수소 이온의 농도를 측정하는 환경센서이다.

본 발명에 의하면 비교적 간단한 공정에 의해 재현성 있는 성능을 나타내는 센서를 제작할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 센서에 포함되는 다공성 박막의 기공도 및 박막의 두께를 조절함으로써 용이한 방법으로 센서의 감도를 조절할 수 있다.

또한 본 발명은 센서의 대량 생산을 가능하게 한다.

도 1은 실시예 1-1에서 선택적 용해법으로 제작된 중기공성 Pt 박막의 주사전자현미경 사진이다.
도 2는 실시예 2에서 건식식각인 XeF₂ etcher법으로 제작된 중기공성 Pt 박막의 주사전자현미경 사진이다.
도 3a는 실시예 1-1의 중기공성 Pt 박막이 혈당센서로서 성능을 나타내는 것을 보여주는 그래프이다.
도 3b는 실시예 2 에서 건식식각법으로 제작된 중기공성 Pt 박막이 혈당센서로서 성능을 나타내는 것을 보여주는 그래프이다.
도 4a는 실시예 1-1 내지 1-5에서 선택적 용해법으로 제작된 중기공성 Pt 박막이 혈당센서로서 성능을 비교하는 그래프이다.
도 4b는 실시예 2에서 건식식각법으로 제작된 중기공성 Pt 박막의 혈당센서로서 성능을 실시예 1-1의 Pt 박막과 비교하는 그래프이다.

본 발명은 다공성 박막을 포함하는 센서의 제조방법에 관한 것으로, 두 가지 이상의 원소로부터 박막을 제조한 다음, 상기 박막으로부터 특정 원소를 선택적으로 제거함으로써 다공성 구조를 갖는 박막을 제조하는 공정을 포함한다.

상기 원소는 Si 또는 O 원소 및 Pt, Pd, Au 및 Ag로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 원소이다.

박막을 제조하기 위해 본 발명은 두 가지 이상의 원소를 동시에 스퍼터 증착시키는 방법을 사용한다. 스퍼터 증착 방식은 공정이 간단하고, 환경을 오염시키는 물질을 배출할 가능성이 적다. 또한 증착되는 원소들의 증착률을 용이하게 조절할 수 있다. 따라서 스퍼터 증착 방법으로부터 제조된 박막을 이용하는 본 발명의 센서 제조방법에서는 다공도의 조절이 용이하고, 나아가 다공도가 일정하게 유지되도록 조절할 수 있다는 장점을 갖는다.

상기 두 가지 이상의 원소를 증착시키는 단계에서 원소의 부피비를 조절하는 것이 바람직하다. 본 발명은 후술될 선택적 원소 용해법에 의해 원소를 용해시키거나 건식 식각법으로 다공성 구조를 형성하는 것이므로, 용해되는 원소의 부피비에 따라 다공도를 조절할 수 있다. 일 실시예로 본 발명은 60 내지 90부피%의 Si 원소를 포함하는 박막을 형성한다.

본 발명의 센서 제조방법에서는 바람직하게 1 내지 500 nm 두께의 박막을 제조하여 사용한다. 1nm 미만 두께의 박막으로부터 제작된 센서로는 검출 물질을 감지하기에 충분한 정도의 반응을 일으킬 수 없고, 500 nm를 초과하는 박막은 필요 이상으로 형성된 박막으로 인해 재료의 낭비 및 단가의 상승은 물론, 검출에 요구되는 범위를 벗어나는 반응으로 검출 성능의 저하를 가져올 수도 있기 때문이다.

다음으로, 본 발명에서 두 가지 이상의 원소를 포함하는 박막으로부터 특정 원소를 선택적으로 제거하기 위해서 그에 대한 선택적 용해성을 갖는 용매를 사용한다. 원소를 제거하기 위해 상기 용매 및 박막을 작동전극으로 하여 셀을 구성한 후 정전압법(potentiostat)에 의해 일정 시간에 걸쳐 일정 전압을 가해줌으로써 특정 원소를 녹여낸다. 이때 용매의 농도, 인가 전압 및 시간에 따라 용해량이 조절된다. 본 발명에서는 두 가지 이상의 원소를 포함하는 박막을 제조한 후 그 중 특정 원소를 일부 또는 전부 녹여냄으로써 남아있는 원소로 이루어진 다공성 구조의 박막을 제조한다.

바람직하게, 본 발명에서 선택적인 원소의 용해로부터 다공성 구조를 형성하기 위해 0.9 내지 1.1 V 범위의 인가 전압하에서 0.5 내지 20분간의 정전압법(potentiostat)을 행할 수 있다. 또 다른 방법으로, 0V 내지 1.3V의 범위에서 약 10mV/s의 속도로 전압을 올렸다가 내리면서 인가하는 방법을 사용할 수도 있다.

본 발명에서는 상기 습식 용매에 의한 용해 외에도 건식 방법으로서, 박막을 이루는 원소에 대해 반응성이 높은 기체를 반응시킴으로써 원소를 제거하는 방법을 제공한다. 예를 들어, 박막내 Si 원소는 XeF₂ 기체를 이용해 제거할 수 있다.

상기 방법으로부터 제조되는 다공성 박막에서의 기공은 2 내지 50 nm 크기를 갖도록 조절되는 것이 바람직하다. 이러한 범위의 기공은 특히 "중기공성(mesoporous)"이라는 용어로 정의되는 것으로, 본 발명은 중기공성의 다공성 박막 구조를 포함하는 센서의 제조방법을 제공한다.

또한 본 발명의 다공성 박막에서 거칠기(roughness factor)는 1 내지 500이다. "거칠기"는 기하학적 단위면적당 박막의 실제 표면적의 비율로 정의되는 값으로서, 예를들어 가로세로 1cm인 면적에 대해 실제 표면적을 측정해서 40cm²이 나왔다면 거칠기는 40이다.

기공의 크기 및 거칠기가 상기 범위 내로 한정되어야 하는 이유는 기공이 너무 작을 경우 검출하고자 물질 분자가 기공 내로 들어가기가 어렵고 반면 기공이 너무 클 경우 다공성 구조 자체가 너무 약해지고 박막의 실제 표면적이 줄어들기 때문이다.

본 발명은 일 실시예로서 Si 원소를 포함하는 두 가지 이상의 원소를 진공 챔버 안에서 스퍼터 증착하여 박막을 형성한 후, 선택적 용해법(dealloying)에 의해 박막으로부터 Si를 녹여내어 나노 크기의 중기공성(mesoporous)의 다공을 갖는 박막을 제작한다. 또는 Si 원소에 반응성이 높은 XeF₂ 기체를 이용하여 박막에서 Si를 제거한다.

상기 방법으로 제작된 다공성 박막은 혈당의 농도를 측정하는 바이오센서 또는 용액 내에서 수소 이온의 농도를 측정하는 환경 센서에 포함되어 이용될 수 있다. 구체적으로 상기 센서는 작동전극과 보조전극을 포함하는 2 전극계 또는 작동전극, 보조전극 및 기준전극을 포함하는 3 전극계일 수 있다. 본 발명에서는 센서의 작동전극 또는 작동전극 및 보조전극으로 상기 제조된 다공성 박막을 사용한다.

따라서 본 발명은 혈당 농도를 측정하는 바이오센서 또는 용액 속의 수소 이온의 농도 측정으로부터 오염도를 측정하는 환경센서의 제조방법을 제공한다.

이하 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나 이는 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것으로 여겨져서는 안된다.

실시예 1-1

두 가지 이상의 원소를 포함하는 박막을 형성하기 위해 Pt와 Si를 동시에 스퍼터 증착시켰다. 먼저 n 도핑된 Si(100) 웨이퍼 표면에 Ti adhesive layer를 3 nm 증착하고, Pt의 underlayer 30 nm를 증착하였다. 다음으로, Pt-Si cosputter 박막을 150 nm 증착했다. Pt target과 Si target의 위치 및 시료와의 거리를 조정하여 Pt-Si 박막 중 Si의 함량이 80 부피%가 되도록 하였다.

다음으로, 상기 박막으로부터 Si 원소를 녹여내기 위해 3%의 HF 수용액을 사용했다. Ag/AgCl을 기준전극, Pt을 counter 전극, 상기 제조된 박막을 working 전극으로 하는 전기화학 cell을 꾸민 후, 3% HF 수용액에서 potentiostat를 이용하여 수행하였다. 인가 전압을 1.0V로 걸어 Pt-Si 박막으로부터 Si를 녹여내었다.

도1은 이러한 방식으로 제작된 다공성 Pt 박막을 보여준다. Si는 제거되고 남은 Pt들이 수십 nm의 구조를 이루는 것을 알 수 있다. 또한 기공의 크기도 수십 nm 이어서 박막은 중기공성 나노구조를 이루고 있는 것을 알 수 있다.

또한 Si를 녹여내고 난 후 남은 Pt 박막의 거칠기(roughness factor)는 37.7로 측정되었다.

실시예 1-2 내지 1-5

실시예 1-1에서와 동일한 방법으로 4개의 다공성 Pt 박막을 더 제작하였다. 각각의 다공성 박막에 대해 거칠기를 측정하였다. 36.4, 37.5, 39.9, 38.3로 나타났다. 이것은 10% 이내의 변화로서 재현성 있는 결과이다.

실시예 2

두 가지 이상의 원소를 포함하는 박막 구조를 형성하기 위해 Pt와 Si를 동시에 스퍼터 증착시켰다. 먼저 n 도핑된 Si(100) 웨이퍼 표면에 Ti adhesive layer를 3 nm 증착하고, Pt의 underlayer 30 nm를 증착시켰다. 다음으로, Pt-Si cosputter 박막을 150 nm 증착했다. Pt target과 Si target의 위치 및 시료와의 거리를 조정하여 Pt-Si 박막 중 Si의 함량이 80 부피%가 되도록 하였다.

상기 박막으로부터 Si 원소를 제거하기 위해 XeF₂ etcher로 1 Torr 압력 하에 1분 식각하여 박막내 Si를 제거하였다.

Pt 박막의 거칠기(roughness factor)는 40.9로 측정되었다.

도2는 이러한 방식으로 제작된 다공성 Pt 박막을 보여준다. Si는 제거되고 남은 Pt들이 수십 nm의 구조를 이루는 것을 알 수 있다. 또한 기공의 크기도 수십 nm 이어서 박막은 중기공성 나노구조를 이루고 있는 것을 알 수 있다.

혈당 농도 측정 평가

실시예 1-1 및 실시예 2에서 제작된 다공성 Pt 박막을 이용하여 혈당 농도 측정을 위해 Ag/AgCl을 기준전극, Pt 선을 counter 전극, 다공성 Pt 박막을 working 전극으로 하는 전기화학 cell을 구성하였다. 그런다음 기준 전극 대비 0.4V의 전압을 건 상태에서 PBS 완충액에 다양한 농도의 혈당을 첨가하면서 전류변화를 측정하였다. 결과를 도3a 및 도3b에 나타내었다.

도3a에 의하면 혈당 농도가 1mM 에서 20mM 에 이르기까지 증가함에 따라 거의 선형으로 전류가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히 10mM 농도까지 약 10 μAcm^-2mM^-1의 반응 민감도를 나타냈다. 이는 기존의 도금법으로 제작된 다공성 Pt 박막과 비슷한 성능이다. 따라서 본 발명의 방법으로 제조된 다공성 박막은 혈당 농도 측정용 센서로 사용할 수 있는 반응 감도를 가지는 것임을 알 수 있다.

도3b에 의하면 실시예 2에서 제조된 박막 구조를 포함하는 센서의 경우 혈당 농도가 1mM 에서 20mM 에 이르기까지 증가함에 따라 거의 선형으로 전류가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히 10mM 농도까지 약 9 μAcm^-2mM^-1의 반응 민감도를 나타냈다. 이는 기존의 도금법으로 제작된 다공성 Pt 박막과 비슷한 성능이다. 따라서 본 발명의 방법으로 제조된 박막 구조는 혈당 농도 측정용 센서로 사용할 수 있는 반응 감도를 가지는 것임을 알 수 있다.

도 4a는 실시예 1-1 내지 1-5에서 제작된 5개의 다공성 박막으로부터 구성된 혈당 농도 측정 cell에서 혈당에 대한 반응 감도를 측정한 결과이다. 이로부터 10 mM 농도까지 약 10% 이내에서 비슷한 결과가 나오고 있음을 알 수 있다.

또한 도 4b는 실시예 1-1 및 실시예 2에서 제작된 박막으로 구성된 혈당 농도 측정 cell에서 혈당에 대한 반응 감도를 비교한 것이다. 이로부터 본 발명에서 습식공정으로 제조된 박막 구조와 건식공정으로 제조된 박막 구조는 혈당에 대한 반응감도가 혈당 15mM까지 거의 동일하게 나오는 것을 알 수 있다.

상기 결과로부터 본 발명의 방법에 따라 센서를 제조하면 센서의 반응 감응도 면에서 재현성 있는 결과가 나타난다는 것을 확인할 수 있다.

간섭물질에 대한 반응 평가

다음으로, 실시예 1-1 및 2에서 제조된 박막에 대해 20mM까지 혈당을 첨가한 후 간섭물질인 아스코르빈산(AA)과 아세트아미노페놀(AP)을 첨가하여 센서가 간섭물질에 얼마나 반응하는가를 확인하였다. 도 3a 및 도 3b에 그 결과를 나타내었다. 결과를 보면 간섭물질인 0.11mM의 AA 및 0.17mM의 AP을 첨가하였을 때 기존 도금법으로 제작한 Pt 박막과 비슷하게 간섭물질에 대해 매우 낮은 반응 감도를 보였다. 이것으로 본 발명의 방법으로 제조된 센서는 간섭물질에 의한 영향면에서도 기존 센서 수준의 성능을 갖는 것임을 확인할 수 있다.

Claims (12)

1. 두 가지 이상의 원소를 증착하여 박막을 형성하는 단계 및
   상기 박막으로부터 원소를 선택적으로 제거하여 다공성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 센서의 제조방법.
2. 제1항에서,
   상기 박막을 형성하는 단계에서는 두 가지 이상의 원소를 스퍼터 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
3. 제1항에서,
   상기 원소의 선택적 제거에는 원소에 대해 선택적인 용해성을 갖는 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
4. 제1항에서,
   상기 원소의 선택적 제거에는 원소에 대해 반응성이 높은 반응기체를 이용하여 건식으로 제거하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
5. 제1항에서,
   상기 박막은 Si 또는 O 원소 및 Pt, Pd, Au 및 Ag로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
6. 제1항에서,
   상기 제거되는 원소는 Si 및 O 원소 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
7. 제1항에서,
   상기 다공성 박막은 1 내지 50 nm 크기의 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
8. 제1항에서,
   상기 다공성 박막은 1 내지 500 nm의 두께인 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
9. 제1항에서,
   상기 다공성 박막은 1 내지 500의 거칠기(roughness factor)를 갖는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법으로부터 제조되는 센서로서, 상기 다공성 박막을 작동전극 또는 보조전극으로 사용하는 2 전극계 또는 3 전극계 센서.
11. 제10항에서,
    상기 센서는 혈당 농도를 측정하는 바이오센서인 것을 특징으로 하는 센서.
12. 제10항에서,
    상기 센서는 수소 이온의 농도를 측정하는 환경센서인 것을 특징으로 하는 센서.

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