KR20130019182A - Poly silicon deposition device - Google Patents
Poly silicon deposition device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130019182A KR20130019182A KR1020110081175A KR20110081175A KR20130019182A KR 20130019182 A KR20130019182 A KR 20130019182A KR 1020110081175 A KR1020110081175 A KR 1020110081175A KR 20110081175 A KR20110081175 A KR 20110081175A KR 20130019182 A KR20130019182 A KR 20130019182A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- core rod
- unit
- silicon core
- reaction gas
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 48
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 19
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로, 반응가스를 공급하는 노즐부를 수평형으로 배치하여, 반응가스의 흐름을 개선하고 파우더의 배출을 원활하게 하며 덴드라이트(Dendrite) 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for producing polysilicon, wherein a nozzle unit for supplying a reaction gas is horizontally disposed to improve the flow of the reaction gas, facilitate the discharge of powder, and reduce the generation of dendrite. It relates to a silicon manufacturing apparatus.
다결정 상태의 고순도 실리콘인 폴리실리콘(polysilicon 또는 polycrystalline silicon)은 실리콘결정형 태양전지의 원료로 사용된다.Polysilicon (polysilicon or polycrystalline silicon), which is high-purity silicon in a polycrystalline state, is used as a raw material for silicon crystalline solar cells.
현재 폴리실리콘 생산 공장에서는 실리콘 석출용 실란원료, 즉 Si-H-Cl계 화합물 가운데에서, 삼염화실란(trichloro-silane) 또는 모노실란(mono-silane) 가운데 한 가지를 선택하여 사용하고 있다. 이외에도 사염화실란 및 이염화실란이 채택될 수 있지만, 모노실란에 비해 경제성이 좋지 못하다.Currently, polysilicon production plants use one of trichloro-silane or mono-silane among silicon precipitation silane raw materials, that is, Si-H-Cl-based compounds. In addition, tetrachloride and dichlorosilane may be adopted, but it is not economically good compared to monosilane.
가스화공정으로 제조되는 초고순도의 실란원료로부터 고체상태의 폴리실리콘을 형성시키는 과정을 실리콘 석출공정이라 한다.The process of forming the solid polysilicon from the ultra-high purity silane raw material manufactured by the gasification process is called silicon precipitation process.
실란원료 가스는 고온에서의 수소환원반응 및 열분해를 통해 실리콘 원소를 생성시키고, 이 실리콘 원소가 막대(rod) 또는 입자의 표면에 다결정상태로 실리콘 결정을 형성시켜 나간다. The silane raw material gas generates silicon element through hydrogen reduction reaction and pyrolysis at high temperature, and the silicon element forms silicon crystal in polycrystalline state on the surface of rod or particle.
이러한 실리콘 석출공정으로는, 막대형 제품 생산용 종형(bell-jar) 반응기를 이용하는 지멘스(Simens) 석출법과, 입자형 제품 생산용 유동층석출법(fluidized bed reactor: FBR)을 이용하는 유동층석출법(이를 'FBR법' 이라 함) 이 있다.Such silicon precipitation processes include Simens precipitation using a bell-jar reactor for producing rod-shaped products and fluidized bed precipitation using a fluidized bed reactor (FBR) for producing particulate products. Called the FBR Act.
모노실란을 실란원료 가스로 이용하여 지멘스 석출법을 이용하는 실리콘 석출공법의 경우, 종형 반응기 내에서 파우더가 발생되는 문제가 있다. 이러한 파우더는 종형 반응기 내의 온도 측정을 방해함은 물론, 실리콘 코어 로드의 표면을 불균질하게 하여 품질에 악영향을 끼친다.In the case of the silicon precipitation method using the Siemens precipitation method using monosilane as the silane raw material gas, there is a problem that powder is generated in the vertical reactor. These powders not only interfere with temperature measurements in the vertical reactors, but also make the surface of the silicon core rods uneven, adversely affecting quality.
본 발명은 반응가스의 흐름을 개선하여 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polysilicon production apparatus that can reduce the generation of dendrites by improving the flow of the reaction gas.
관련선행기술로는 대한민국 등록특허 등록번호 10-1039659호 (공고일자 2011년 6월 8일) '폴리실리콘 증착장치'가 있다.Related prior arts include Korean Patent Registration No. 10-1039659 (announcement date June 8, 2011) 'polysilicon deposition apparatus'.
본 발명의 목적은 반응가스를 공급하는 노즐부를 수평형으로 배치하여 실리콘 코어 로드부 주변으로 흐르는 반응가스의 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a polysilicon manufacturing apparatus that improves the flow of the reaction gas flowing around the silicon core rod portion by arranging the nozzle unit for supplying the reaction gas in a horizontal type.
본 발명은 다륵 목적은 반응가스의 흐름을 개선하여 파우더 배출을 원활하게 하고, 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 폴리실리콘 제조장치를 제공함에 있다.
Another object of the present invention is to provide a polysilicon production apparatus that can improve the flow of the reaction gas to facilitate powder discharge, and reduce the generation of dendrites.
본 발명은 반응가스를 공급받는 가스 투입관 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관를 구비하며 내부에 챔버를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기; 상기 종형 반응기의 바닥판을 관통하여 상기 챔버의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 전극부; 상기 제1전극으로 인가된 전류를 상기 제2전극으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부; 상기 실리콘 코어 로드부의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부를 가열하는 자켓부; 및 상기 가스 투입관에 연결되어 상기 실리콘 코어 로드부의 하부 둘레에 균일하게 반응가스를 분사하는 노즐부;를 포함하되, 상기 자켓부는 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되어 반응가스의 흐름을 개선한 것을 특징으로 한다.The present invention includes a bell-jar reactor having a gas inlet tube for receiving a reaction gas and a gas outlet tube for discharging the exhaust gas and forming a chamber therein; An electrode part including a first electrode and a second electrode which protrude through the bottom plate of the vertical reactor and are spaced apart from each other; A silicon core rod unit which is formed to connect an electric current applied to the first electrode to the second electrode, and thermally decomposes a reaction gas to precipitate silicon on the surface as it is heated; A jacket part arranged to surround a circumference of the silicon core rod part to heat the silicon core rod part; And a nozzle unit connected to the gas inlet tube to uniformly inject a reaction gas around the lower portion of the silicon core rod unit, wherein the jacket unit has a tubular shape of which an upper and lower sides are opened and a lower end thereof is spaced apart from the reactor bottom plate. It is characterized by improving the flow of the reaction gas.
상기 노즐부는 링 형상으로 형성되는 주배관과, 상기 주배관에 구비되는 복수개의 분사홀을 포함한다. 이 때, 상기 노즐부는 상기 주배관이 복수개의 동심원 형상으로 구비될 수 있다.The nozzle unit includes a main pipe formed in a ring shape, and a plurality of injection holes provided in the main pipe. In this case, the main nozzle may be provided with a plurality of concentric circles.
또한, 상기 노즐부는 링 형상으로 형성되는 주배관과, 상기 주배관에 수직방향으로 연결된 복수개의 분사관을 포함할 수 있다.The nozzle unit may include a main pipe formed in a ring shape, and a plurality of injection pipes connected in a vertical direction to the main pipe.
한편, 상기 자켓부는 상기 반응기에 지지대를 통하여 연결된다.On the other hand, the jacket portion is connected to the reactor through a support.
그리고, 본 발명에 따른 폴리실리콘 제조장치는 상기 자켓부의 하단과, 상기 반응기의 바닥판 사이에 배치되며, 가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 더 포함할 수 있다.
In addition, the polysilicon manufacturing apparatus according to the present invention may further include a flow rate control unit disposed between the lower end of the jacket portion and the bottom plate of the reactor, the gas inlet hole.
본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 반응가스를 공급하는 노즐부가 수평방향으로 배열되어 실리콘 코어 로드 주변의 반응가스가 원활한 상승흐름을 가지도록함으로써 파우더 배출 속도를 향상시키고 덴드라이트 발생을 억제하는 효과를 가져온다.In the polysilicon manufacturing apparatus according to the present invention, the nozzle parts supplying the reaction gas are arranged in a horizontal direction so that the reaction gas around the silicon core rod has a smooth upward flow, thereby improving the powder discharge rate and suppressing dendrite generation. Bring.
또한, 본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 반응가스 흐름을 원활하게 하여 균일한 표면을 가지는 폴리실리콘을 제조할 수 있는 효과를 가져온다.
In addition, the polysilicon manufacturing apparatus according to the present invention has an effect that can produce a polysilicon having a uniform surface by smoothing the reaction gas flow.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 폴리실리콘 제조장치의 노즐부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 노즐부가 실리콘 코어 로드부와 나란하게 배치된 폴리실리콘 제조장치(비교예)의 자켓부 내부온도 분포와, 노즐부가 실리콘 코어 로드부 하부에 링형상으로 배치된 본 발명에 따른 폴리실리콘 제조장치(실시예)의 자켓부 내부온도 분포를 나타낸 도면,
도 6은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 온도분포를 나타낸 그래프,
도 7은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 반응가스의 속도를 나타낸 도면임.1 is a view schematically showing a longitudinal cross-sectional structure of a polysilicon manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a longitudinal cross-sectional structure of a polysilicon manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
3 and 4 is a view schematically showing another embodiment of the nozzle unit of the polysilicon production apparatus according to the present invention,
5 is a polysilicon production according to the present invention in which the nozzle portion of the polysilicon manufacturing apparatus (comparative example) in which the nozzle portion is arranged in parallel with the silicon core rod portion, and the nozzle portion is arranged in a ring shape under the silicon core rod portion. Figure showing the internal temperature distribution of the jacket portion of the device (example),
Figure 6 is a graph showing the temperature distribution inside the jacket of the comparative example and the embodiment,
7 is a view showing the speed of the reaction gas inside the jacket of the comparative example and the embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치에 관하여 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings it will be described with respect to the polysilicon production apparatus to improve the reaction gas flow in accordance with a preferred embodiment of the present invention.
본 발명은 반응가스 흐름을 개선함으로써 파우더의 배출을 원활하게 하고, 증착효율을 향상시킬 수 있도록 한 폴리실리콘 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polysilicon manufacturing apparatus that can smoothly discharge the powder by improving the reaction gas flow and improve the deposition efficiency.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a longitudinal cross-sectional structure of a polysilicon manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치(100)는, 반응가스를 공급받는 가스 투입관(112) 및 배출가스를 배출하는 가스 배출관(114)를 구비하며 내부에 챔버(111)를 형성하는 종형(bell-jar) 반응기(110)와, 종형 반응기(110)의 바닥판을 관통하여 상기 챔버(111)의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극(122) 및 제2전극(124)을 포함하는 전극부(120)와, 상기 제1전극(122)으로 인가된 전류를 상기 제2전극(124)으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부(130)와, 상기 실리콘 코어 로드부(130)의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부(130)를 가열하며, 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되게 형성되는 자켓부(140)와, 상기 가스 투입관(112)에 연결되어 반응가스를 실리콘 코어 로드부(130)로 분사하는 노즐부(160)를 포함한다.Polysilicon
본 발명의 노즐부(160)는 도시된 바와 같이, 실리콘 코어 로드부(130)의 하부에 수평방향으로 형성되어 있다. 종래에는 노즐부가 실리콘 코어 로드부(130)와 나란하게 배열되어 있었으나, 노즐부가 실리콘 코어 로드부(130)의 길이 방향으로 나란하게 형성된 경우 자켓부(140) 내부의 하부 온도분포가 넓게 나타나서 파우더 생성 속도가 빠르고 파우더 생성량이 많은 문제점을 가지고 있었다.The
또한, 노즐부가 실리콘 코어 로드부(130)와 나란하게 배열되는 분사되는 반응가스가 실리콘 코어 로드부(130) 둘레를 따라 회전하는 회전흐름이 강하게 나타나기 때문에, 폴리실리콘의 표면에 회오리 형태가 나타나는 문제점을 가지고 있었다. 또한 반응가스가 실리콘 코어 로드부(130)의 일측면에서만 분사되기 때문에 노즐에 인접한 부분에서 불균형한 증착이 이루어지는 문제점을 가지고 있었다.In addition, since the rotation flow of the reaction gas sprayed along the
반면에, 본원발명은 노즐부(160)가 링 형상으로 실리콘 코어 로드부(130) 하부에 배치됨으로써, 분사되는 반응가스가 회전흐름을 나타내지 않고 수직방향으로 상승하는 흐름을 나타내게 된다. 따라서 자켓부(140) 내부의 하부 온도를 낮출수 있으며, 표면에 균일한 증착이 이루어지게 된다.
On the other hand, the present invention shows that the
또한, 종래의 자켓부는 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)과 연결되어 있어 반응가스가 자켓부(140) 내부에서 역류하거나, 반응가스가 자켓부 내부에서 와류를 형성하는 문제점을 가지고 있었다.In addition, the conventional jacket portion has a problem that the lower end is connected to the bottom plate (110a) of the
본 발명은 자켓부(140)의 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판과 이격되도록 함으로써, 이격된 공간으로 챔버(111) 내부의 가스가 유입될 수 있도록 함으로써 자켓부(140) 내부의 반응가스 흐름을 개선하는 것을 특징으로 한다.
The present invention allows the bottom of the
이하, 본 발명에 따른 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치의 각각의 구성요소에 관하여 상세하게 살펴본다.Hereinafter, each component of the polysilicon manufacturing apparatus having improved reaction gas flow according to the present invention will be described in detail.
종형 반응기(110)는, 상단부가 종형(bell-jar) 형상으로 이루어지며, 측벽부는 밀폐된 원형 둘레를 가지며, 저부가 평탄한 바닥판으로 형성된 반응기(reactor)를 의미한다.The
이러한 종형 반응기(110)는, 하부가 개방된 종(bell) 형상을 가지는 반응기 몸체(110b)와, 상기 반응기 몸체(110b)의 하단을 폐쇄하는 바닥판(110a)을 포함한다. 반응기 몸체(110b)와 바닥판(110a)에는 온도조절을 위한 냉각로드(미도시)를 구비한다.The
여기서, 종형 반응기(110) 내부의 밀폐된 공간을 챔버(111)라 한다.Here, the closed space inside the
상기 챔버(111)는 내부로 도입된 반응가스가 실리콘 코어 로드부(130)의 가열에 의해 열분해됨에 따라 폴리실리콘을 석출하는 수용공간을 형성한다.The
이를 위해, 챔버(111)의 바닥판에는 반응가스를 공급받는 가스 투입관(112)와, 반응 후의 배출가스를 배출하는 가스 배출관(114) 각각이 연통 형성된다. 가스 배출관(114)은 입구가 자켓부(140)의 상단보다 높은 높이에 형성되어, 상기 자켓부(140)의 상단으로 배출되는 가스가 상기 가스 배출관(114)으로 용이하게 흘러 나갈수 있도록 하는 것이 바람직하다.To this end, the bottom plate of the
상기 투입관(112)의 상단에는 링 형상으로 실리콘 코어 로드부(130)의 둘레를 감싸는 형태의 노즐부(160)가 연결된다.The
노즐부(160)는 링(ring) 형상을 가지는 주배관(162)과, 상기 주배관(162)에 구비되는 복수개의 분사홀(163)을 포함한다. 실리콘 코어 로드부(130)의 표면에 균일한 반응가스가 공급되도록 하기 위해서, 상기 분사홀(163)은 등간격으로 형성되는 것이 바람직하다.
The
전극부(120)는, 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)을 관통하여 챔버(111) 내부로 돌출 형성되는 제1전극(122) 및 제2전극(124)을 포함한다.The
이때, 상기 제1전극(122) 및 제2전극(124)의 하단부는 외부 전원과 연결되며, 상단부는 각각 폴리실리콘 코어 로드부(130)의 양단부와 연결된다.In this case, lower ends of the
여기서, 제1전극(122)은 외부로부터 전류를 인가 받는 전극 부위이며, 이와 달리 제2전극(124)은 상기 제1전극(122)으로부터 인가된 전류를 폴리 실리콘 코어 로드부(130)에 의해 통전 받는 전극 부위이다.
Here, the
폴리실리콘 코어 로드부(130)는 종형 반응기(110)의 저부 상에 배치된 제1전극(122)과, 상기 제2전극(124) 사이를 연결하는 형상을 가진다. 즉, 역 U자 형상으로 제1전극(122)과 제2전극(134) 사이를 연결한다.The
제1전극(122)으로 초기 전류가 인가되면 상기 폴리실리콘 코어 로드부(130)를 통해 제2전극(124)까지 통전된다. 그리고 폴리실리콘 코어 로드부(130)는 전기저항 가열된다. When an initial current is applied to the
폴리실리콘 코어 로드(130)는 이러한 전극부(120)에 의한 통전 작용에 따라, 전기저항 가열되어 발열하는데, 공급된 반응가스를 열분해함으로써, 표면상으로 폴리실리콘을 석출한다.
The
자켓부(140)는, 실리콘 코어 로드부(130)가 전기저항 가열되기까지 비저항을 낮추어주도록 예열시키는 가열수단이다. 이를 위해, 상기 자켓부(140)는 실리콘 코어 로드부(130)의 외주면에 근접 배치되어 내부 유동하는 열매체를 순환하는 열교환기의 형태를 띠고 있다. 자켓부(140)의 내부로는 반응가스가 상향의 흐름을 가지도록 공급된다. The
반응가스는 반응가스 투입관(112)에 의하여 실리콘 코어 로드부(130) 주변으로 공급된다.The reaction gas is supplied around the silicon
본 발명은 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이에 이격공간을 형성하여, 반응가스의 상향 흐름을 원활하게 하는 것을 특징으로 한다. 즉, 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이로 챔버 내부의 기체가 유입되도록 함으로써 반응가스의 상향 흐름을 원활하게 한 것이다.The present invention forms a spaced space between the bottom of the
도시한 실시예의 경우 자켓부(140)의 하단과 반응기(110)의 바닥판 사이에 링 형상으로 완전히 개방된 형태이나, 후술하는 실시예와 같이 이격공간에 유량 가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 별도로 구비하는 형태가 될 수도 있다.In the illustrated embodiment, the lower end of the
자켓부(140)는 도시된 바와 같이 별도의 지지대(145)에 의하여 반응기(110)의 바닥판과 이격된 상태로 고정될 수 있으나, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니고, 자켓부(140)의 하단이 반응기 바닥판(110a)과 이격공간을 유지할 수 있는 상태로 고정되면 족하다.
종래에는 자켓부(140)의 하부로 가스가 유입되지 않는 구조를 가지고 있어서, 가스 투입관(112)을 통해서 공급되는 반응가스의 유량이 작은 경우 백 플로우(back flow)가 발생해 자켓 내부 반응가스의 상승 흐름에 방해를 준다. 따라서 상승 속도가 낮아 파우더가 배출되는 시간이 길어져 덴드라이트 발생이 쉬운 문제점을 가지고 있었다. 또한 백 플로우(back flow)를 없애기 위해 반응가스의 유량을 증가시키게 되면 자켓부 내부에서 와류가 발생하여 파우더의 배출을 방해하고, 이로인해 덴드라이트 발생이 쉬운 문제점을 가지고 있었다.Conventionally, since the gas does not flow into the lower portion of the
본 발명은 자켓부(140) 하단이 종형 반응기(110)의 바닥판(110a)과 이격되도록 함으로써, 반응가스의 상승 흐름을 개선하여 파우더 발생을 적게하며, 백 플로우의 영향을 없앰으로써 덴드라이트 발생을 저감한 것을 특징으로 한다.
In the present invention, the bottom of the
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 폴리실리콘 제조장치의 종방향 단면 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing a longitudinal cross-sectional structure of a polysilicon manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
제1실시예는 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 이격공간이 형성된 형태를 가지고 있었으나, 제2실시예는 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 유량조절부(150)를 구비하는 것을 특징으로 한다.The first embodiment had a form in which a space between the bottom of the
유량조절부(150)는 자켓부(140)와 동일한 형태의 통형상을 가지는 것으로, 자켓부(140)의 하단과 종형 반응기(110)의 바닥판 사이에 연결된다.
유량조절부(150)는 하나 또는 그 이상의 가스 유입홀을 구비하며, 복수개의 가스유입홀(152)이 구비되는 경우 복수개가 방사상으로 균등하게 형성되는 것이 바람직하다. 가스 유입홀(152)을 통해서 챔버내의 가스가 자켓부(140)로 유입되는데, 가스 유입홀(152)이 방사상으로 균일하게 형성되지 않으면 자켓부(140) 내부의 반응가스가 불균일하게 공급될 수 있기 때문이다.The flow
제1실시예의 경우 자켓부(140)와 종형 반응기(110)가 이격된 상태로 고정되어야 하는 것으로, 자켓부(140)를 별도의 지지대(145)에 의하여 반응기(110)의 바닥판과 연결되었으나, 본 실시예의 경우 종형 반응기(110)의 바닥판에 유량조절부(150)가 연결되고, 유량조절부(150)에 자켓부(140)가 연결되는 형태로 구성될 수 있다.In the first embodiment, the
도시한 실시예에서는 유량조절부(150)가 자켓부(140)와 별도로 형성되어 있으나, 유량조절부(150)를 자켓부(140)와 일체로 형성할 수도 있다.In the illustrated embodiment, the
공정 조건에 따라서 다양한 형태의 유량조절부를 사용할 수 있으며, 유량조절부(150)에서 가스유입홀(152)이 차지하는 면적인 개구율을 조절하여 가스의 유입량을 조절할 수 있다. 또한 코어 로드부(130)의 주변에 균일한 가스가 공급될 수 있도록 가스유입홀(152)은 대칭 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
Various types of flow control units may be used according to process conditions, and the flow rate of the gas may be controlled by adjusting the opening ratio of the area occupied by the gas inlet hole 152 in the
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 폴리실리콘 제조장치의 노즐부의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.3 and 4 are diagrams schematically showing another embodiment of the nozzle unit of the polysilicon production apparatus according to the present invention.
도 3은 링 형상의 주배관(162, 166)이 2개가 구비되며, 이들이 동심원 형태로 배열된 것을 나타낸 것이다. 각각의 주배관(162, 166)에는 복수개의 분사홀(163, 167)이 형성된다. 이러한 형태는 실리콘 코어 로드부의 직경이 크거나 반응가스 유량이 많을 경우 사용될 수 있다. 도시한 실시예의 경우 2개의 주배관을 포함하나, 3개 이상의 주배관이 동심원 형태로 배열되도록 구성할 수도 있다.3 is provided with two ring-shaped
도 4는 노즐부(160)가 링형상의 주배관(162)과, 상기 주배관(162)에서 수직방향으로 연장형성되는 복수개의 분사관(164)을 포함한다. 분사관(164)의 상단으로 반응가스가 분사되는 것으로, 분사관(164)은 반응가스의 분사방향을 안내하는 역할을 수행한다. 또한 분사관(164)의 길이를 조절함으로써 반응가스의 분사위치를 조절할 수도 있다. 분사관(164)은 도 3의 분사홀과 마찬가지로 주배관(162) 상에 균등한 간격으로 배치되는 것이 바람직하다.
4 shows that the
실시예Example
도 5는 노즐부가 실리콘 코어 로드부와 나란하게 배치된 폴리실리콘 제조장치(비교예)의 자켓부 내부온도 분포와, 노즐부가 실리콘 코어 로드부 하부에 링형상으로 배치된 본 발명에 따른 폴리실리콘 제조장치(실시예)의 자켓부 내부온도 분포를 나타낸 것이다. 인덱스에 나타낸 바와 같이 파란색에 가까울수록 온도가 낮은 것이고, 붉은색에 가까울수록 온도가 높은 것이다.5 is a polysilicon production according to the present invention in which the nozzle portion of the polysilicon manufacturing apparatus (comparative example) in which the nozzle portion is arranged in parallel with the silicon core rod portion, and the nozzle portion is arranged in a ring shape under the silicon core rod portion. The internal temperature distribution of the jacket portion of the device (example) is shown. As shown in the index, the closer to blue, the lower the temperature. The closer to red, the higher the temperature.
좌측의 비교예가 우측의 실시예를 대비하여 살펴보면, 비교예가 자켓부 하부(주황색 실선 부분)의 온도 분포가 상대적으로 넓고 높게 나타나는 것을 알 수 있다. 이로부터 비교예가 실시예에 비하여 파우더 생성속도가 빠르고, 파우더 생성량도 많은 것을 알 수 있다. 즉, 노즐부를 실리콘 코어 로드부 하부에 링형으로 형성한 실시예가 노즐부를 실리콘 코어 로드부의 길이방향을 따라 형성한 비교예 보다 파우더 생성속도와 생산량을 감소시키는 효과를 나타냄을 알 수 있다.
Looking at the comparative example on the left compared to the embodiment on the right, it can be seen that the comparative example is relatively wide and high temperature distribution of the lower portion of the jacket (orange solid line). From this, it can be seen that the comparative example is faster in powder generation rate and more powder generation amount than in Example. That is, it can be seen that the embodiment in which the nozzle portion is formed in a ring shape under the silicon core rod portion has an effect of reducing the powder production speed and the yield compared to the comparative example in which the nozzle portion is formed along the longitudinal direction of the silicon core rod portion.
도 6은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 온도분포를 나타낸 그래프로, 도면의 좌측은 도 5의 검정 점선 부분(실리콘 코어 로드부의 반지름방향)의 온도를 측정한 것이고, 도면의 우측은 도 5의 빨간 점선 부분(실리콘 코어 로드부의 길이방향)의 온도를 측정한 것이다.6 is a graph showing the temperature distribution inside the jacket of the comparative example and the embodiment, the left side of the figure is measured the temperature of the black dotted line portion (radial direction of the silicon core rod portion) of Figure 5, the right side of the figure The temperature of the red dotted line part (the length direction of the silicon core rod part) was measured.
파란색 그래프가 비교예를 나타낸 것이며, 붉은색 그래프가 실시예를 나타낸 것이다. 좌측의 그래프를 살펴보면 실시예가 비교예보다 전반적으로 낮은 온도를 가지며 균일한 온도분포를 나타내는 것을 알 수 있으며, 우측의 그래프를 살펴보면 실리콘 코어 로드부의 하부에서 실시예가 비교예가 낮은 온도를 나타내는 것을 알 수 있다.
The blue graph shows a comparative example and the red graph shows an example. Looking at the graph on the left, it can be seen that the embodiment has a lower overall temperature and a uniform temperature distribution than the comparative example. Looking at the graph on the right, it can be seen that the example shows the lower temperature at the bottom of the silicon core rod part. .
도 7은 비교예와 실시예의 자켓부 내부 반응가스의 속도를 나타낸 그래프로, 도면의 좌측은 비교예를 나타낸 것이고 도면의 우측은 실시예를 나타낸 것이다.7 is a graph showing the speed of the reaction gas inside the jacket of the comparative example and the embodiment, the left side of the figure shows a comparative example and the right side of the figure shows an example.
파란색에 가까울수록 속도가 느리며, 붉은색에 가까울수록 속도가 빠른 것이다. The closer to blue, the slower the speed. The closer to red, the faster.
좌측의 비교예의 경우 노즐부에서 분사되는 반응가스의 흐름이 하부로 쏠리거나, 노즐부 주변에서 회전흐름이 강하게 발생함을 알 수 있다. 결과적으로 반응가스와 파우더의 배출경로가 길어져 덴드라이트 발생을 유발하게 된다.In the comparative example on the left side, the flow of the reaction gas injected from the nozzle portion is lowered, or the rotational flow is strongly generated around the nozzle portion. As a result, the discharge path of the reaction gas and the powder is long, which causes dendrites.
우측의 실시예의 경우 회전흐름 보다는 상승흐름이 더 강하게 나타나는 것을 알 수 있다.In the case of the right embodiment it can be seen that the upward flow is stronger than the rotation flow.
결과적으로, 본 발명과 같이 노즐부를 실리콘 코어 로드부 하부 둘레를 따라 배치한 실시예가 비교예에 비하여 자켓부 내부 온도를 낮추고, 파우더 배출을 원활하게 하는 효과를 가져옴을 알 수 있다.
As a result, it can be seen that the embodiment in which the nozzle unit is disposed along the lower circumference of the silicon core rod part as in the present invention has the effect of lowering the jacket internal temperature and smoothing powder discharge as compared with the comparative example.
표 1은 상술한 바와 같은 비교예와 실시예의 온도와 상승속도 결과를 정리한 것이다.
Table 1 summarizes the results of the temperature and the rise rate of the comparative examples and examples as described above.
이상에서, 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 폴리 실리콘 제조장치는 노즐부를 실리콘 코어 로드부 하부에 둘레방향으로 배치하고, 자켓부 하단으로 가스가 유입되도록 함으로써, 자켓부 내부의 온도를 낮추는 효과와 백 플로우 영향을 없애 상승 흐름을 빠르게 하는 효과를 가져온다. 결과적으로 파우더 발생을 억제하고, 파우더의 배출을 원활하게 함으로써 덴드라이트 발생을 저감할 수 있는 효과를 가져온다.
As described above, in the polysilicon manufacturing apparatus according to the present invention, the nozzle part is disposed in the circumferential direction under the silicon core rod part, and the gas flows into the lower part of the jacket part, thereby reducing the temperature inside the jacket part and the back flow. Eliminates the effect, which leads to the effect of speeding up the flow. As a result, by suppressing the generation of powder, the smooth discharge of the powder has the effect of reducing the generation of dendrites.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. These changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should be determined by the following claims.
100: 폴리실리콘 제조장치
110: 종형 반응기
120: 전극부
130: 실리콘 코어 로드부
140: 자켓부
150 : 유량조절부
160 : 노즐부100: polysilicon manufacturing apparatus
110: bell reactor
120:
130: silicon core rod
140: jacket
150: flow control unit
160: nozzle unit
Claims (7)
상기 종형 반응기의 바닥판을 관통하여 상기 챔버의 내부로 돌출 형성되며 서로 이격 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 전극부;
상기 제1전극으로 인가된 전류를 상기 제2전극으로 통전시키도록 연결 형성되며, 가열됨에 따라 반응가스를 열분해하여 표면상에 실리콘을 석출하는 실리콘 코어 로드부;
상기 실리콘 코어 로드부의 둘레를 감싸도록 배치되어 상기 실리콘 코어 로드부를 가열하는 자켓부; 및
상기 가스 투입관에 연결되어 상기 실리콘 코어 로드부의 하부 둘레에 균일하게 반응가스를 분사하는 노즐부;
를 포함하되,
상기 자켓부는 상하가 개방된 통형상을 가지며 하단이 상기 반응기 바닥판과 이격되어 반응가스의 흐름을 개선한 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
A bell-jar reactor having a gas inlet tube for receiving the reaction gas and a gas outlet tube for discharging the exhaust gas and forming a chamber therein;
An electrode part including a first electrode and a second electrode which protrude through the bottom plate of the vertical reactor and are spaced apart from each other;
A silicon core rod unit which is formed to connect an electric current applied to the first electrode to the second electrode, and thermally decomposes a reaction gas to precipitate silicon on the surface as it is heated;
A jacket part arranged to surround a circumference of the silicon core rod part to heat the silicon core rod part; And
A nozzle unit connected to the gas inlet tube and uniformly injecting a reaction gas around the lower portion of the silicon core rod unit;
Including but not limited to:
The jacket part has a tubular shape of the top and bottom open and the bottom is spaced apart from the reactor bottom plate polysilicon production apparatus characterized in that to improve the flow of the reaction gas.
상기 노즐부는
링 형상으로 형성되는 주배관과, 상기 주배관에 구비되는 복수개의 분사홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
The method of claim 1,
The nozzle unit
Polysilicon manufacturing apparatus comprising a main pipe formed in a ring shape, and a plurality of injection holes provided in the main pipe.
상기 노즐부는
상기 주배관이 복수개의 동심원 형상으로 구비되는 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
The method of claim 2,
The nozzle unit
Polysilicon production apparatus characterized in that the main pipe is provided in a plurality of concentric circles.
상기 노즐부는
링 형상으로 형성되는 주배관과,
상기 주배관에 수직방향으로 연결된 복수개의 분사관을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
The method of claim 1,
The nozzle unit
A main pipe formed in a ring shape,
Polysilicon manufacturing apparatus comprising a plurality of injection pipes connected in a vertical direction to the main pipe.
상기 자켓부는 상기 반응기에 지지대를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
The method of claim 1,
The jacket portion polysilicon production apparatus characterized in that connected to the reactor through a support.
상기 자켓부의 하단과, 상기 반응기의 바닥판 사이에 배치되며,
가스유입홀을 구비하는 유량조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.
The method of claim 1,
It is disposed between the bottom of the jacket portion and the bottom plate of the reactor,
Polysilicon manufacturing apparatus further comprises a flow rate control unit having a gas inlet hole.
상기 가스유입홀은
복수개가 균등하게 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조장치.The method of claim 3, wherein
The gas inlet hole
Polysilicon production apparatus characterized in that the plurality is formed evenly.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110081175A KR20130019182A (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Poly silicon deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110081175A KR20130019182A (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Poly silicon deposition device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130019182A true KR20130019182A (en) | 2013-02-26 |
Family
ID=47897396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110081175A KR20130019182A (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Poly silicon deposition device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20130019182A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015174705A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 주식회사 엘지화학 | Device for manufacturing polysilicon using horizontal reactor and method for manufacturing same |
WO2016052841A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | Poly-silicon manufacturing apparatus and method using high-efficiency hybrid horizontal reactor |
CN108557824A (en) * | 2017-04-01 | 2018-09-21 | 上海韵申新能源科技有限公司 | A kind of gas phase controllable type polycrystalline silicon reducing furnace |
CN109354023A (en) * | 2018-10-12 | 2019-02-19 | 中国化学赛鼎宁波工程有限公司 | A kind of the monosilane thermal decomposition furnace and production technology of bilayer cooling jacket |
KR20200139160A (en) * | 2018-04-05 | 2020-12-11 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | Method for manufacturing polycrystalline silicon rod and reactor |
CN114808121A (en) * | 2022-05-11 | 2022-07-29 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Flow guide device for polycrystalline ingot furnace and use method of flow guide device |
-
2011
- 2011-08-16 KR KR1020110081175A patent/KR20130019182A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015174705A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | 주식회사 엘지화학 | Device for manufacturing polysilicon using horizontal reactor and method for manufacturing same |
WO2016052841A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | Poly-silicon manufacturing apparatus and method using high-efficiency hybrid horizontal reactor |
US10322938B2 (en) | 2014-09-29 | 2019-06-18 | Lg Chem, Ltd. | Poly-silicon manufacturing apparatus and method using high-efficiency hybrid horizontal reactor |
CN108557824A (en) * | 2017-04-01 | 2018-09-21 | 上海韵申新能源科技有限公司 | A kind of gas phase controllable type polycrystalline silicon reducing furnace |
CN108557824B (en) * | 2017-04-01 | 2024-03-29 | 上海韵申新能源科技有限公司 | Gas-phase controllable polysilicon reduction furnace |
KR20200139160A (en) * | 2018-04-05 | 2020-12-11 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | Method for manufacturing polycrystalline silicon rod and reactor |
CN109354023A (en) * | 2018-10-12 | 2019-02-19 | 中国化学赛鼎宁波工程有限公司 | A kind of the monosilane thermal decomposition furnace and production technology of bilayer cooling jacket |
CN114808121A (en) * | 2022-05-11 | 2022-07-29 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Flow guide device for polycrystalline ingot furnace and use method of flow guide device |
CN114808121B (en) * | 2022-05-11 | 2023-09-29 | 扬州晶樱光电科技有限公司 | Flow guiding device for polycrystalline ingot furnace and use method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20130019182A (en) | Poly silicon deposition device | |
KR100892123B1 (en) | Poly silicon deposition device | |
CN101870471B (en) | High-efficiency large polycrystalline silicon reducing furnace | |
CN109569473A (en) | A kind of device and method of liquid metal catalyzed hydrocarbon production hydrogen and carbon black | |
US20120251427A1 (en) | Reactor and method for production of silicon | |
CN201512418U (en) | Polycrystalline silicon reducing furnace | |
CN103343331A (en) | Chemical vapor deposition reaction device | |
CN102134745B (en) | Reactor and system for producing polycrystalline silicon | |
KR20130019183A (en) | Poly silicon deposition device | |
KR100921210B1 (en) | Poly silicon deposition device | |
CN105271241B (en) | For producing the reactor of polysilicon | |
CN104981428B (en) | The method of polysilicon deposition | |
CN102259862B (en) | Novel polysilicon reduction furnace with 42 rods and connection mode | |
KR20120020928A (en) | Chuck with nozzle in cvd reactor for producing polysilicon and cvd reactor for producing polysilicon comprising the same | |
CN102515167A (en) | Periodical alternatively operating polycrystalline silicon reduction furnace equipped with inner heat-insulating barrel and operation method | |
CN202046891U (en) | Energy-saving polysilicon reduction furnace with heat shield | |
CN205687571U (en) | A kind of polycrystalline silicon reducing furnace of band internal cooling system | |
CN201990494U (en) | Energy-saving polycrystalline silicon reduction furnace | |
KR101034030B1 (en) | Poly silicon deposition device | |
CN204281334U (en) | For the production of the reactor of polysilicon | |
JPH02279512A (en) | Production of high-purity polycrystal silicon | |
KR101298233B1 (en) | Fluidized bed reactor for producing a granulated polysilicon | |
JPH0230611A (en) | Method and device for producing polycrystalline silicon | |
KR101626645B1 (en) | Apparatus for producing polysilicon and preparation of polysilicon using same | |
KR101590679B1 (en) | Apparatus for generating dual plasma and method of producing polysilicon using same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |