KR20120020928A - Chuck with nozzle in cvd reactor for producing polysilicon and cvd reactor for producing polysilicon comprising the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chuck with a nozzle in a CVD(Chemical Vapor Deposition) reactor for producing a polysilicon and a CVD reactor for producing a polysilicon including the same are provided to increase a contact rate of a slim load and a reaction gas by omitting a separate reacting gas inlet. CONSTITUTION: A slim load(3) passes through a hollow. A slim rod holder(2) is inserted into the hollow of a cap portion(5). The slim rod holder fixes the slim load. A chuck body(1) is combined with a bottom portion of the slim rod holder. The chuck body includes a reaction gas path(6) inside.

Description

폴리실리콘 제조용 ＣＶＤ 반응기의 노즐 겸용 척 및 이를 포함하는 폴리실리콘 제조용 ＣＶＤ 반응기{CHUCK WITH NOZZLE IN CVD REACTOR FOR PRODUCING POLYSILICON AND CVD REACTOR FOR PRODUCING POLYSILICON COMPRISING THE SAME}CHUCK WITH NOZZLE IN CVD REACTOR FOR PRODUCING POLYSILICON AND CVD REACTOR FOR PRODUCING POLYSILICON COMPRISING THE SAME}

본 발명은 폴리실리콘 제조용 CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학기상증착) 반응기의 노즐 겸용 척 및 이를 포함하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기존에 별도의 반응가스 주입구를 통해 트리클로로실란(TCS) 등의 반응가스를 투입하여 슬림 로드(slim rod)에 실리콘을 석출하던 것과 달리, 상기 슬림 로드를 고정시키는 척에 상기 반응가스를 주입하는 노즐 기능을 동시에 구비시킨 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척 및 이를 포함하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기에 관한 것이다.
The present invention relates to a nozzle combined chuck of a CVD (chemical vapor deposition) reactor for polysilicon production, and a CVD reactor for polysilicon production, including the same, and more specifically, to trichloro by a separate reaction gas inlet. Unlike silicon deposited on a slim rod by adding a reaction gas such as silane (TCS), a CVD reactor for manufacturing polysilicon having a nozzle function for simultaneously injecting the reaction gas into a chuck fixing the slim rod is provided. It relates to a nozzle combined chuck of CVD reactor for producing polysilicon comprising the same.

반도체 또는 태양전지의 제조에 있어서 폴리실리콘이 그 원료로 사용되기 때문에, 반도체 또는 태양전지의 원료로 적합한 99.9999999% 내지 99.999999999%의 고순도의 폴리실리콘에 대한 수요가 증가하고 있고, 이는 전자공업의 종합적 발전에 중요한 부분을 차지하고 있다.
Since polysilicon is used as a raw material in the manufacture of semiconductors or solar cells, the demand for high-purity polysilicon of 99.9999999% to 99.999999999% suitable as a raw material for semiconductors or solar cells is increasing, which is a comprehensive development of the electronics industry. Occupies an important part.

상기 폴리실리콘의 제조공정을 개괄적으로 살펴보면, 먼저 규사나 규석(SiO2)을 원료로 하여 전기로에서 용융시키고 탄소를 이용하여 환원시킴으로써 금속 실리콘을 얻는다. 그러나, 이때 나오는 금속 실리콘의 순도는 98% 정도로, Re, Al, Ca, Cr,Mn, B, Cu 등 여러 불순물이 포함되어 있어 이를 바로 반도체 또는 태양전지의 원료로 사용하기에는 부적합하다.
Looking at the manufacturing process of the polysilicon as a general overview, first, silica or silica (SiO 2 ) as a raw material to obtain a metal silicon by melting in an electric furnace and using carbon to reduce. However, the purity of the metal silicon coming out at this time is about 98%, and includes various impurities such as Re, Al, Ca, Cr, Mn, B, and Cu, which is not suitable for use as a raw material of a semiconductor or a solar cell.

따라서, 상기 환원과정을 통해 얻어진 금속 실리콘을 염화수소 등의 반응가스와 반응시켜 트리클로로실란 등으로 기체화하고, 이를 증류과정을 통해 정제시킴으로써 상기 불순물을 제거하게 된다. 그리고나서, CVD 반응기를 이용하여 상기 불순물이 제거된 트리클로로실란으로부터 실리콘을 석출하는 과정을 거치게 된다.
Therefore, the metal silicon obtained through the reduction process is reacted with a reaction gas such as hydrogen chloride to gasify with trichlorosilane and the like, and the impurities are purified by distillation. Then, the CVD reactor is used to precipitate silicon from the trichlorosilane from which the impurities are removed.

본 발명은 상기 공정 중에서도 CVD 반응기를 이용하여 트리클로로실란 등의 실란 반응가스로부터 실리콘을 석출하는 방법에 관한 것으로, 일반적으로 지멘스(Siemens) 공법이 이용된다. 지멘스 공법이란 일반적으로 종형(bell-jar type)의 반응기에 가는 슬림 로드(slim rod)를 설치하고, 상기 슬림 로드를 전극을 통해 전기 가열시킨 후 트리클로로실란 등을 주입하여 열분해시킴으로써 상기 슬림 로드에 실리콘을 석출시키는 방법을 말한다. 물론, 상기 반응기의 형상에는 제한이 없고, 슬림 로드의 가열방식도 전극을 통한 전기 가열 외에도 고온 복사나 고주파 또는 전자기파 가열방식을 이용할 수 있으며, 상기 반응기에 주입되는 반응가스도 트리클로로실란에 한정되는 것이 아니라 모노실란, 이염화실란, 사염화실란 등의 다른 가스를 사용하는 것도 가능하다.
The present invention relates to a method of depositing silicon from a silane reaction gas such as trichlorosilane using a CVD reactor among the above processes, and generally, a Siemens method is used. The Siemens method generally includes a slim rod that goes to a bell-jar type reactor, electrically heats the slim rod through an electrode, and thermally decomposes by injecting trichlorosilane into the slim rod. It is a method of depositing silicon. Of course, the shape of the reactor is not limited, the heating method of the slim rod may also use a high-temperature radiation or high frequency or electromagnetic wave heating method in addition to the electrical heating through the electrode, the reaction gas injected into the reactor is also limited to trichlorosilane It is also possible to use other gases such as monosilane, dichloride, tetrachloride and the like.

이하에서, 도 1을 통해 종래의 지멘스 반응기에 대해 구체적으로 살펴보면, 종래의 지멘스 반응기는 슬림 로드를 고정시키는 척(chuck); 및 트리클로로실란 등의 반응가스가 주입되는 반응가스 주입구를 포함한다. 상기 척은 슬림 로드를 고정시킴과 동시에, 그 아래 부분에 연결된 전극으로부터 전기를 통전시켜 슬림 로드를 저항체로 하여 전기 가열하게 된다. 이는 실란 반응가스를 열분해시켜 실리콘을 석출시키기 위해서는 매우 고온의 환경이 필요하기 때문에, 상기 전기 가열을 통해 슬림 로드를 고온으로 유지시키는 것이다.
Hereinafter, referring to the conventional Siemens reactor in detail with reference to FIG. 1, the conventional Siemens reactor includes a chuck fixing a slim rod; And a reaction gas inlet through which a reaction gas such as trichlorosilane is injected. The chuck fixes the slim rod and conducts electricity from an electrode connected to the lower portion thereof, thereby electrically heating the slim rod as a resistor. This is because a very high temperature environment is required to pyrolyze the silane reaction gas to precipitate silicon, thereby maintaining the slim rod at a high temperature through the electric heating.

또한, 상기 반응가스 주입구는 트리클로로실란 등의 실란 가스가 주입되는 곳으로서, 상기 슬림 로드가 충분히 가열된 후 실란 가스가 상기 주입구를 통해 주입되면 상기 실란 가스가 열분해되어 슬림 로드에 실리콘이 석출됨으로써, 슬림 로드가 점점 두꺼워지는 것이다.
In addition, the reaction gas inlet is a place where silane gas such as trichlorosilane is injected, and after the slim rod is sufficiently heated, when the silane gas is injected through the inlet, the silane gas is thermally decomposed to precipitate silicon in the slim rod. The slim rod is getting thicker.

또한, 도면에는 나타나지 않았지만, 최근에는 하나의 지멘스 반응기에 하나의 슬림 로드만 설치되는 것이 아니라 다수의 슬림 로드를 설치함으로써, 반응기를 효율적으로 사용함으로써 경제적으로 더 많은 실리콘을 석출시키고 있다.
In addition, although not shown in the drawings, recently, not only one slim rod is installed in one Siemens reactor, but a plurality of slim rods are installed, so that more silicon is economically precipitated by using the reactor efficiently.

그러나, 상기 종래의 지멘스 반응기는 상기 양 척 사이의 반응기 바닥부분에 반응가스가 주입되는 반응가스 주입구를 반드시 구비하여야 하기 때문에, 상기 척 사이의 공간을 충분히 확보하여야 하고, 이에 따라 반응기의 공간을 효율적으로 사용하기 어려운 문제가 있었다. 특히, 최근과 같이 하나의 지멘스 반응기에 많은 슬림 로드를 설치할 때에는 매 슬림 로드마다 별도의 반응가스 주입구를 설치하는 것이 공간의 제약으로 인해 한계가 있었다.
However, since the conventional Siemens reactor must have a reaction gas inlet port through which the reaction gas is injected at the bottom of the reactor between the two chucks, the space between the chucks must be sufficiently secured, thereby making the space of the reactor efficient. There was a problem that is difficult to use. In particular, when installing a number of slim rods in a single Siemens reactor as described above, it is limited to install a separate reaction gas inlet for each slim rod due to space limitation.

뿐만 아니라, 종래와 같이 척부 사이에서 반응가스가 주입될 경우 가스가 주입되는 부분과 슬림 로드 사이의 거리가 멀기 때문에 반응가스와 슬림 로드의 접촉이 원활하지 않아 실리콘의 석출이 용이하지 않는 문제도 있었다.
In addition, when the reaction gas is injected between the chuck parts as in the prior art, since the distance between the gas injection portion and the slim rod is far, there is a problem that the deposition of silicon is not easy because the contact of the reaction gas and the slim rod is not smooth. .

따라서, 폴리실로콘 제조용 CVD 반응기의 반응가스 주입구로 인한 공간활용의 제약 및 반응가스와 슬림 로드와의 원활하지 못한 접촉을 해결할 수 있는 기술에 대한 요구가 매우 증가하고 있는 실정이다.
Therefore, there is an increasing demand for technology that can solve the limitation of space utilization due to the reaction gas inlet of the CVD reactor for producing polysilicon and the smooth contact between the reaction gas and the slim rod.

본 발명은 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기에 있어서 별도의 반응가스 주입구의 설치로 인한 단점을 해결하여, 반응기의 공간활용을 극대화하고, 반응가스와 슬림 로드의 접촉율을 향상시킬 수 있는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척 및 이를 포함하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기을 제공한다.
The present invention solves the shortcomings due to the installation of a separate reaction gas inlet in the CVD reactor for producing polysilicon, maximizing the space utilization of the reactor, and improving the contact ratio between the reactant gas and the slim rod. It provides a nozzle combined chuck and a CVD reactor for producing polysilicon comprising the same.

본 발명은 슬림 로드(slim rod)가 통과하는 중공부를 포함하는 캡(cap)부; 상기 캡부의 중공부에 삽입되며, 상기 슬림 로드를 고정하는 슬림 로드 홀더(holder); 및 상기 슬림 로드 홀더의 하단과 결합되고, 내부에 반응가스 통로가 구비된 척 바디(chuck body)를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척을 제공한다.
The present invention includes a cap portion including a hollow portion through which a slim rod passes; A slim rod holder inserted into the hollow part of the cap part to fix the slim rod; And a chuck body coupled to a lower end of the slim rod holder and having a reaction gas passage therein, the chuck body of the CVD reactor for polysilicon production.

이때, 상기 슬림 로드 홀더는 상기 홀더의 외주면을 따라 하단으로부터 상단으로 연결되는 홈이 형성된 것이 바람직하다.
At this time, the slim rod holder is preferably formed with a groove connected from the bottom to the top along the outer peripheral surface of the holder.

또한, 상기 슬림 로드 홀더는 상기 슬림 로드를 감싸는 형태로 2개 이상의 부품(part)이 결합된 것이 보다 바람직하다.
In addition, the slim rod holder is more preferably two or more parts (part) are combined in a form surrounding the slim rod.

또한, 상기 캡부는 상기 캡부의 상면에 상기 반응가스가 통과하는 적어도 하나의 유입홀이 구비된 것이 바람직하다.
In addition, the cap portion is preferably provided with at least one inlet hole through which the reaction gas passes on the upper surface of the cap portion.

한편, 본 발명은 슬림 로드(slim rod)가 통과하는 중공부를 포함하는 캡(cap)부; 상기 캡부의 중공부에 삽입되며, 상기 슬림 로드를 고정하는 슬림 로드 홀더(holder); 및 상기 슬림 로드 홀더의 하단과 결합되고, 내부에 반응가스 통로가 구비된 척 바디(chuck body)를 포함하는 노즐 겸용 척을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기를 제공한다.
On the other hand, the present invention includes a cap portion including a hollow portion through which a slim rod passes; A slim rod holder inserted into the hollow part of the cap part to fix the slim rod; And a nozzle combined chuck coupled to a lower end of the slim rod holder and including a chuck body having a reaction gas passage therein.

이때, 상기 슬림 로드 홀더는 상기 홀더의 외주면을 따라 하단으로부터 상단으로 연결되는 홈이 형성된 것이 바람직하다.
At this time, the slim rod holder is preferably formed with a groove connected from the bottom to the top along the outer peripheral surface of the holder.

또한, 상기 슬림 로드 홀더는 상기 슬림 로드를 감싸는 형태로 2개 이상의 부품(part)이 결합된 것이 보다 바람직하다.
In addition, the slim rod holder is more preferably two or more parts (part) are combined in a form surrounding the slim rod.

또한, 상기 캡부는 상기 캡부의 상면에 상기 반응가스가 통과하는 적어도 하나의 유입홀이 구비된 것이 바람직하다.
In addition, the cap portion is preferably provided with at least one inlet hole through which the reaction gas passes on the upper surface of the cap portion.

본 발명의 일측면에 따르면, 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기에 있어서 별도의 반응가스 주입구를 생략시킴으로써, 상기 반응기의 공간활용을 극대화할 수 있고, 반응가스와 슬림 로드의 접촉율을 높일 수 있고, 이에 따라 저비용으로 더욱 효과적인 폴리실리콘 제조가 가능해져 전자산업의 발전 및 경제성장에 기여할 수 있다.
According to one aspect of the present invention, by omitting a separate reaction gas inlet in the CVD reactor for polysilicon production, it is possible to maximize the space utilization of the reactor, it is possible to increase the contact ratio of the reaction gas and the slim rod, accordingly More efficient polysilicon production is possible at low cost, which can contribute to the development and economic growth of the electronic industry.

도 1은 종래의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 일례를 나타낸 개략도이다.
도 2는 종래의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척의 단면도를 일례로 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척이 조립되기 전의 모습을 일례로 나타낸 개략도이다.
도 4는 본 발명의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척의 단면도를 일례로 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing an example of a conventional CVD reactor for producing polysilicon.
2 is a schematic view showing, as an example, a cross-sectional view of a chuck of a conventional CVD reactor for polysilicon production.
Figure 3 is a schematic diagram showing an example of the state before the chuck of the CVD reactor for producing polysilicon of the present invention is assembled.
4 is a schematic view showing, as an example, a cross-sectional view of a chuck of a CVD reactor for producing polysilicon of the present invention.

먼저, 도 2를 통해 종래의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척을 개략적으로 살펴보면, 종래 반응기의 척은 슬림 로드(3)를 고정하는 슬림 로드 홀더(2)와 상기 슬림 로드 홀더의 하단과 결합되고, 전극(4)이 설치되어 있는 척 바디(chuck body)(1)를 포함하는 형태로 구성되고, 상기 척 바디(1)와 상기 슬림 로드 홀더(2)는 분리형이 아니라 일체형으로 사용되어 왔다. 상기 전극(4)은 슬림 로드(3)를 가열하기 위한 것으로, 트리클로로실란 등의 반응가스는 상기 가열된 고온의 슬림 로드(3)에서 열분해됨으로써 실리콘을 석출하는 것이다.
First, looking at the chuck of the conventional CVD reactor for polysilicon production through Figure 2, the chuck of the conventional reactor is coupled with the slim rod holder 2 and the bottom of the slim rod holder fixing the slim rod (3), It is configured to include a chuck body (1) is provided with an electrode (4), the chuck body (1) and the slim rod holder (2) has been used as a unit, not a separate type. The electrode 4 is for heating the slim rod 3, and a reaction gas such as trichlorosilane is thermally decomposed in the heated high temperature slim rod 3 to precipitate silicon.

이와 같이 종래의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기는 양 척 사이의 반응기 바닥부에 반응가스 주입구가 별도로 설치되어 있기 때문에, 상기 반응기의 척은 슬림 로드를 고정하고 가열하기 위한 수단으로만 사용되었고, 이러한 종래의 CVD 반응기는 상기 반응가스 주입구의 설치로 인해 반응기 공간 활용 및 반응가스와 슬림 로드의 접촉율이 좋지 못한 문제가 있었던 것이다.
As such, the conventional CVD reactor for polysilicon production has a reaction gas inlet separately installed at the bottom of the reactor between the two chucks, so that the chuck of the reactor is used only as a means for fixing and heating the slim rod. The CVD reactor had a problem that the utilization of the reactor space and the contact ratio of the reaction gas and the slim rod were not good due to the installation of the reaction gas inlet.

이에 본 발명자들은 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 공간 활용을 극대화하기 위해서는 반응가스 주입구가 제거되어야 하고, 반응가스와 슬림 로드의 접촉을 원활하게 하기 위해서는 슬림 로드가 고정되는 위치인 척에서 반응가스가 주입되어야 한다는 점에 착안하여, 상기 반응가스 주입구를 생략하는 대신 척(chuck)에 반응가스를 주입하는 노즐(nozzle) 기능을 동시에 구비하도록 함으로써 CVD 반응기의 공간 활용도를 높이고, 동시에 반응가스와 슬림 로드의 접촉율을 향상시키는 발명을 하기에 이른 것이다. In order to maximize the space utilization of the CVD reactor for polysilicon production, the present inventors need to remove the reaction gas inlet, and in order to facilitate contact between the reaction gas and the slim rod, the reaction gas must be injected at the position where the slim rod is fixed. In view of the above, it is possible to simultaneously provide a nozzle function for injecting the reaction gas into the chuck instead of omitting the reaction gas inlet, thereby increasing the space utilization of the CVD reactor and simultaneously contacting the reaction gas with the slim rod. The invention which improves a rate is followed.

즉, 본 발명은 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척을 개량시킨 것으로서, 이하에서, 도 2 및 3을 통해 본 발명의 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 척을 상세히 설명한다.
That is, the present invention improves the chuck of the CVD reactor for polysilicon production. Hereinafter, the chuck of the CVD reactor for polysilicon production of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

본 발명은 슬림 로드(slim rod)(3)가 통과하는 중공부를 포함하는 캡(cap)부(5); 상기 캡부(5)의 중공부에 삽입되며, 상기 슬림 로드(3)를 고정하는 슬림 로드 홀더(holder)(2); 및 상기 슬림 로드 홀더(2)의 하단과 결합되고, 내부에 반응가스 통로가 설치된 척 바디(chuck body)(1)를 포함하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐(nozzle) 겸용 척(chuck)을 제공한다.
The present invention provides a cap portion 5 including a hollow portion through which a slim rod 3 passes; A slim rod holder (2) inserted into a hollow portion of the cap portion 5 and fixing the slim rod 3; And a chuck combined with a lower end of the slim rod holder 2 and including a chuck body 1 having a reaction gas passage therein, the CVD reactor for producing polysilicon. do.

상기 척 바디(1)는 내부에 트리클로로실란 등의 반응가스가 통과하는 반응가스 통로(6)를 구비하는데, 이는 종래에 양 척 사이의 반응기 바닥부에 설치되었던 반응가스 주입구를 생략하는 대신 척에 반응가스가 주입되는 노즐을 동시에 구비하기 위한 것으로서, 반응가스가 척으로부터 반응기 내부로 공급되기 위해서는 상기 척 바디(1)에 반응가스가 통과할 수 있는 반응가스 통로(6)가 설치되는 것이다. 또한, 상기 척 바디(1)는 슬림 로드(3)에 통전시키는 역할을 하기 때문에, 종래와 마찬가지로 전극이 연결되어 전기 가열을 통해 슬림 로드를 고온의 상태로 유지시켜 준다.
The chuck body 1 has a reaction gas passage 6 through which a reaction gas, such as trichlorosilane, passes, which is a chuck instead of omitting a reaction gas inlet that was conventionally installed at the bottom of the reactor between both chucks. In order to simultaneously supply a nozzle into which the reaction gas is injected, a reaction gas passage 6 through which the reaction gas can pass is provided in the chuck body 1 so that the reaction gas is supplied from the chuck into the reactor. In addition, since the chuck body 1 serves to energize the slim rod 3, the electrode is connected as in the prior art to maintain the slim rod in a high temperature state through electric heating.

또한, 상기 슬림 로드 홀더(2)는 도 3에서 보는 바와 같이, 캡부(5)의 중공부에 삽입되며, 슬림 로드(3)를 고정시켜 주는 역할을 하는 것으로서, 상기 척 바디(1)와 일체형으로 사용할 수도 있고, 분리형으로 사용할 수도 있다. 특히, 본 발명의 CVD 반응기의 척은 반응가스가 주입될 수 있는 경로를 형성하는 것이 매우 중요한데, 상기 척 바디(1)의 반응가스 통로(6)를 통과하여 올라온 반응가스를 반응기 내부로 주입시키는 방법은 매우 다양할 수 있다. 상기 슬림 로드 홀더(2)에 특별한 가공을 하지 않고, 상기 캡부(5)에 유입홀을 설치하거나 상기 캡부(5)의 중공부의 틈새로 상기 반응가스가 반응기 내부로 주입될 수도 있고, 상기 척 바디(1)의 반응가스 통로의 상단에 관을 연결하여 상기 관을 통해 반응기 내부로 주입시키는 것도 가능하다.
In addition, as shown in Figure 3, the slim rod holder 2 is inserted into the hollow portion of the cap portion 5, and serves to fix the slim rod (3), integral with the chuck body (1) Can also be used as a separate, or can be used as a separate type. In particular, in the CVD reactor of the present invention, it is very important to form a path through which the reaction gas can be injected, which injects the reaction gas raised through the reaction gas passage 6 of the chuck body 1 into the reactor. The method can vary widely. Without special processing on the slim rod holder 2, the inlet hole may be provided in the cap part 5, or the reaction gas may be injected into the reactor into a gap between the hollow part of the cap part 5, and the chuck body It is also possible to connect a tube to the upper end of the reaction gas passage of (1) and inject it into the reactor through the tube.

보다 바람직한 반응가스 주입의 형태로서는, 상기 슬림 로드 홀더(2)에 외주면을 따라 하단에서 상단으로 이어지는 홈(7)을 형성할 수 있는데, 상기 슬림 로드 홀더(2)의 홈(7)은 상기 척 바디(1)의 반응가스 통로(6)의 상단에 형성하는 것이 바람직하다. 이는 반응가스가 반응가스 통로(6)로 통과하여 슬림 로드 홀더(2)의 하단에 도달하면 상기 슬림 로드 홀더(2)의 외주면을 따라 슬림 로드 홀더(2)의 상단까지 용이하게 타고 올라갈 수 있도록 한 것이다. 상기 홈(7)의 형태에는 제한이 없으나, 반응가스의 이동이 원활한 형태로 제작되는 것이 바람직하다.
As a more preferable form of reaction gas injection, the slim rod holder 2 may be provided with a groove 7 extending from the lower end to the upper end along the outer circumferential surface, wherein the groove 7 of the slim rod holder 2 is the chuck. It is preferable to form the upper end of the reaction gas passage 6 of the body (1). This is so that when the reaction gas passes through the reaction gas passage (6) to reach the bottom of the slim rod holder (2) it can easily ride up to the top of the slim rod holder (2) along the outer circumferential surface of the slim rod holder (2) It is. The shape of the groove 7 is not limited, but it is preferable that the reaction gas is smoothly manufactured.

특히, 상기 슬림 로드 홀더(2)는 상기 슬림 로드(3)를 감싸는 형태로 2개 이상의 부품(part)이 결합된 것이 보다 바람직한데, 이는 상기 슬림 로드 홀더(2)에 홈(7)을 형성하는 바람직한 하나의 형태를 제시한 것이다. 즉, 슬림 로드 홀더(2)는 슬림 로드(3)를 고정하기 위한 것으로, 하나의 부품(part)으로 제작되는 것보다 2개 이상의 부품(part)으로 슬림 로드(3)를 감싸는 형태로 제작되는 것이 슬림 로드(3)의 고정에 더욱 용이할 수 있는데, 이와 같이 슬림 로드 홀더(2)가 2개 이상의 부품으로 결합될 경우 그 결합 부분에 홈(8)이 형성될 수밖에 없고, 이렇게 형성된 홈(8)은 상기 척 바디(1)의 반응가스 통로(6)를 통과하여 나온 반응가스가 슬림 로드 홀더(2)의 외주면을 따라 반응기 내부로 유입되도록 하는 상기 홈(7)과 같은 역할을 할 수 있다.
In particular, the slim rod holder 2 is more preferably coupled to two or more parts (part) in the form of surrounding the slim rod 3, which forms a groove (7) in the slim rod holder (2) One preferred form is to be presented. That is, the slim rod holder 2 is for fixing the slim rod 3, and is manufactured in a form in which the slim rod 3 is wrapped in two or more parts rather than one part. It may be easier to fix the slim rod (3). When the slim rod holder (2) is combined into two or more parts, the groove (8) is inevitably formed in the coupling portion. 8) may serve as the groove 7 for allowing the reaction gas from the reaction gas passage 6 of the chuck body 1 to flow into the reactor along the outer circumferential surface of the slim rod holder 2. have.

따라서, 슬림 로드 홀더(2)를 2개 이상의 부품(part)으로 결합시킴으로써, 슬림 로드 홀더(2)의 제작의 용이성 및 활용에 유리하도록 함과 동시에, 슬림 로드 홀더(2)의 외주면을 인위적으로 가공하여 홈(7)을 생성시키지 않고도 자연적으로 슬림 로드 홀더(2)의 외주면에 하단에서 상단으로 이어지는 홈(8)을 형성시킬 수 있는 것이다. 또한, 주입되는 반응가스의 양을 증가시키기 위해, 도 2와 같이 슬림 로드 홀더(2)를 2개 이상의 부품으로 결합하고, 또한 동시에 슬림 로드 홀더(2)의 외주면에 홈(7)을 별도로 형성시킴으로써, 반응가스가 타고 올라갈 수 있는 홈의 개수를 필요에 따라 늘릴 수도 있다.
Accordingly, by combining the slim rod holder 2 into two or more parts, the outer circumferential surface of the slim rod holder 2 is artificially made to be advantageous to the ease of manufacture and utilization of the slim rod holder 2. It is possible to form a groove 8 extending from the bottom to the top on the outer circumferential surface of the slim rod holder 2 without processing to produce the groove (7). In addition, in order to increase the amount of reactant gas injected, the slim rod holder 2 is combined into two or more parts as shown in FIG. 2, and at the same time, the groove 7 is separately formed on the outer circumferential surface of the slim rod holder 2. By doing so, the number of grooves through which the reaction gas can climb can be increased as necessary.

한편, 상기 캡부(5)는 상기 캡부(5)의 상면에 상기 반응가스가 통과하는 적어도 하나의 유입홀(4)이 구비된 것이 바람직하다. 상기 유입홀(4)은 상기 척 바디(1)의 반응가스 통로(6)로부터 유출된 반응가스가 상기 캡부(5)를 원활하게 통과하여 반응기 내부로 유입될 수 있도록 하기 위한 것이다. 상기 유입홀(4)의 개수나 형태에는 제한이 없고, 바람직한 일측면으로서, 도 2와 같이 상기 캡부(5)의 상면에 있어서 상기 슬림 로드 홀더(2)의 홈(7, 8)과 접하는 부분에 유입홀(4)을 설치함으로써, 상기 홈(7, 8)을 타고 올라온 반응가스가 더욱 용이하게 반응기 내부로 유입되도록 할 수 있고, 또다른 일측면으로서, 상기 캡부(5) 내부에서 관을 통하여 상기 반응가스를 상기 캡부(5) 밖으로 이동하게 할 수도 있다.
On the other hand, the cap portion 5 is preferably provided with at least one inlet hole 4 through which the reaction gas passes on the upper surface of the cap portion (5). The inlet hole 4 is for allowing the reaction gas flowing out from the reaction gas passage 6 of the chuck body 1 to smoothly pass through the cap part 5 and flow into the reactor. The number and shape of the inflow holes 4 are not limited, and as one preferable side, a portion in contact with the grooves 7 and 8 of the slim rod holder 2 on the upper surface of the cap portion 5 as shown in FIG. 2. By installing the inflow hole 4 in the reaction gas, the reaction gas from the grooves 7 and 8 can be more easily introduced into the reactor, and as another side, the pipe is formed inside the cap part 5. The reaction gas may be moved out of the cap 5 through.

또한, 본 발명의 상기 노즐(nozzle) 겸용 척(chuck)을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기를 제공한다. 즉, 본 발명은 상기 척을 통해 슬림 로드를 고정하는 척에 반응가스를 주입하는 노즐 기능을 동시에 구비함으로써, 별도의 반응가스 주입구를 설치하지 않아도 됨에 따라 반응기의 공간 활용을 극대화할 수 있고, 이에 따라 상기 반응기 크기 또는 상기 반응기에 설치되는 슬림 로드의 개수를 필요에 따라 다양하게 제어할 수 있으며, 슬림 로드가 고정되는 부분으로부터 반응가스가 주입되므로, 반응가스와 슬림 로드의 접촉이 더욱 용이해져 실리콘 석출량의 증대에도 기여할 수 있게 한 것이다.
The present invention also provides a CVD reactor for producing polysilicon, comprising the nozzle chuck of the present invention. That is, the present invention is provided with a nozzle function for injecting the reaction gas into the chuck fixing the slim rod through the chuck at the same time, it is possible to maximize the utilization of the space of the reactor, as it does not need to install a separate reaction gas inlet, Accordingly, the size of the reactor or the number of slim rods installed in the reactor can be variously controlled as necessary, and since the reaction gas is injected from the portion where the slim rod is fixed, the contact between the reaction gas and the slim rod is more facilitated. It also contributed to the increase in the amount of precipitation.

이하, 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하지만, 이는 본 발명의 보다 완전한 설명을 위한 것이고, 하기 개별실시예에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, which are intended for a more complete description of the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following individual examples.

1: 척 바디(chuck body) 2: 슬림 로드 홀더(holder)
3: 슬림 로드 4: 전극
5: 캡(cap)부 6: 반응가스 통로
7, 8: 홈 9: 유입홀(hole)1: chuck body 2: slim rod holder
3: slim rod 4: electrode
5: cap part 6: reaction gas passage
7, 8: groove 9: inlet hole

Claims (8)

슬림 로드(slim rod)가 통과하는 중공부를 포함하는 캡(cap)부; 상기 캡부의 중공부에 삽입되며, 상기 슬림 로드를 고정하는 슬림 로드 홀더(holder); 및 상기 슬림 로드 홀더의 하단과 결합되고, 내부에 반응가스 통로가 구비된 척 바디(chuck body)를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척.A cap portion including a hollow portion through which a slim rod passes; A slim rod holder inserted into the hollow part of the cap part to fix the slim rod; And a chuck body coupled to the lower end of the slim rod holder and having a reaction gas passage therein, the chuck body having a CVD reactor for polysilicon production. 청구항 1에 있어서,
상기 슬림 로드 홀더는 상기 홀더의 외주면을 따라 하단으로부터 상단으로 연결되는 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척.The method according to claim 1,
The slim rod holder is a nozzle combined chuck of the CVD reactor for polysilicon characterized in that the groove formed from the bottom to the top is formed along the outer peripheral surface of the holder. 청구항 2에 있어서,
상기 슬림 로드 홀더는 상기 슬림 로드를 감싸는 형태로 2개 이상의 부품(part)이 결합된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척.The method according to claim 2,
The slim rod holder is a nozzle combined chuck of the CVD reactor for polysilicon, characterized in that two or more parts (part) are combined to form a wrap around the slim rod. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡부는 상기 캡부의 상면에 상기 반응가스가 통과하는 적어도 하나의 유입홀이 구비된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기의 노즐 겸용 척.The method according to any one of claims 1 to 3,
The cap unit chuck combined chuck of the CVD reactor for polysilicon production, characterized in that the upper surface of the cap portion is provided with at least one inlet hole through which the reaction gas passes. 슬림 로드(slim rod)가 통과하는 중공부를 포함하는 캡(cap)부; 상기 캡부의 중공부에 삽입되며, 상기 슬림 로드를 고정하는 슬림 로드 홀더(holder); 및 상기 슬림 로드 홀더의 하단과 결합되고, 내부에 반응가스 통로가 구비된 척 바디(chuck body)를 포함하는 노즐 겸용 척을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기.A cap portion including a hollow portion through which a slim rod passes; A slim rod holder inserted into the hollow part of the cap part to fix the slim rod; And a nozzle combined chuck coupled to the lower end of the slim rod holder and including a chuck body having a reaction gas passage therein. 2. 청구항 5에 있어서,
상기 슬림 로드 홀더는 상기 홀더의 외주면을 따라 하단으로부터 상단으로 연결되는 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기.The method according to claim 5,
The slim rod holder is a CVD reactor for producing polysilicon, characterized in that the groove formed from the bottom to the top is formed along the outer peripheral surface of the holder. 청구항 6에 있어서,
상기 슬림 로드 홀더는 상기 슬림 로드를 감싸는 형태로 2개 이상의 부품(part)이 결합된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기.The method of claim 6,
The slim rod holder CVD reactor for producing polysilicon, characterized in that two or more parts (part) are combined to form a wrap around the slim rod. 청구항 5 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡부는 상기 캡부의 상면에 상기 반응가스가 통과하는 적어도 하나의 유입홀이 구비된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 제조용 CVD 반응기.The method according to any one of claims 5 to 7,
The cap portion CVD reactor for producing polysilicon, characterized in that the upper surface of the cap portion is provided with at least one inlet through which the reaction gas passes.
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