KR20130017465A - Light emitting device package and light emitting apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting element package and a light emitting device including the same are provided to increase a heat radiation area by arranging a heat radiation frame in a protrusion between a cavity and a first side of a body. CONSTITUTION: A body(11) includes a cavity(15). A first lead frame(31) and a second lead frame(41) are located in the cavity of the body. A heat radiation frame(21) is located between the first lead frame and the second lead frame. At least one light emitting chip(101,102) is located on the heat radiation frame. A protrusion(16) is more protrusive than an interval between the cavity ad a second side of the body.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THE SAME

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a light emitting device having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing a conventional fluorescent lamp and an incandescent lamp.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 캐비티와 몸체의 제1측면부 사이의 간격을 다른 제2측면부 사이의 간격보다 더 넓게 형성한 돌출부에 방열 프레임을 배치함으로써, 방열 면적을 증가시켜 줄 수 있도록 한 발광 소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package capable of increasing a heat dissipation area by disposing a heat dissipation frame on a protrusion formed with a distance between the cavity and the first side part of the body wider than the distance between the other second side parts.

실시 예는 몸체의 돌출부에 방열 프레임의 방열부를 제1리드부 및 제2리드부보다 더 돌출시켜 기판 상의 오목부에 삽입되도록 한 발광 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device in which the heat dissipating portion of the heat dissipation frame protrudes more than the first lead portion and the second lead portion to be inserted into the recess on the substrate.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체의 캐비티에 제1리드 프레임 및 제2리드 프레임; 상기 캐비티에 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 방열 프레임; 상기 방열 프레임 위에 적어도 하나의 발광 칩; 및 상기 몸체의 캐비티와 제1측면부 사이에 상기 캐비티와 제2측면부 사이의 간격보다 더 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 방열 프레임은 상기 몸체의 돌출부를 관통하여 상기 몸체의 제1측면부로 절곡된 제1방열부를 포함한다. The light emitting device package according to the embodiment, the body having a cavity; A first lead frame and a second lead frame in the cavity of the body; A heat dissipation frame in the cavity between the first lead frame and the second lead frame; At least one light emitting chip on the heat dissipation frame; And a protrusion protruding more than a gap between the cavity and the second side portion between the cavity of the body and the first side portion, wherein the heat dissipation frame is bent into the first side portion of the body through the protrusion of the body. It includes one heat dissipation unit.

실시 예에 따른 발광 장치는, 금속층, 배선층, 상기 금속층과 상기 배선층 사이에 절연층을 포함하는 기판; 상기 기판의 상면으로부터 제1깊이로 형성된 오목부; 상기 기판의 상부에 배치되며 상기 오목부의 양측에 배치 제1패드 및 제2패드; 상기 기판의 오목부에 일부가 삽입되며 상기 제1패드 및 제2패드에 연결된 발광 소자 패키지를 포함하며, A light emitting device according to an embodiment includes a substrate including a metal layer, a wiring layer, and an insulating layer between the metal layer and the wiring layer; A recess formed at a first depth from an upper surface of the substrate; First pads and second pads disposed on the substrate and disposed on both sides of the recess; A light emitting device package partially inserted into a recess of the substrate and connected to the first pad and the second pad;

상기 발광 소자 패키지는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체의 캐비티에 제1리드 프레임 및 제2리드 프레임; 상기 캐비티에 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 방열 프레임; 및 상기 방열 프레임 위에 적어도 하나의 발광 칩; 상기 몸체의 캐비티와 제1측면부 사이에 상기 캐비티와 제2측면부 사이의 간격보다 더 돌출되어 상기 기판의 오목부에 삽입된 돌출부를 포함하며, 상기 방열 프레임은 상기 몸체의 돌출부를 관통하여 상기 몸체의 제1측면부로 절곡된 제1방열부를 포함한다.The light emitting device package, the body having a cavity; A first lead frame and a second lead frame in the cavity of the body; A heat dissipation frame in the cavity between the first lead frame and the second lead frame; At least one light emitting chip on the heat dissipation frame; A protruding portion inserted between the cavity of the body and the first side portion and protruding more than a gap between the cavity and the second side portion and inserted into a recess of the substrate, wherein the heat dissipation frame penetrates the protruding portion of the body and It includes a first heat radiation portion bent to the first side portion.

실시 예는 발광 소자 패키지의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting device package.

실시 예는 사이드 뷰 타입의 발광 소자 패키지에서 열 병목 현상을 제거하여, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the heat dissipation efficiency by removing the thermal bottleneck in the side view type light emitting device package.

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package and the light emitting device having the same.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지를 나타낸 정면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자 패키지의 제1측면부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 발광 소자 패키지의 제2측면부에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 발광 소자 패키지의 제3측면부에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 발광 소자 패키지의 제4측면부에서 바라본 도면이다.
도 7은 도 2의 발광 소자 패키지의 A-A 측 단면도이다.
도 8은 도 2의 발광 소자 패키지의 B-B 측 단면도이다.
도 9는 도 7의 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 2의 발광 소자 패키지를 갖는 발광 모듈의 분해 상태도이다.
도 11은 도 2의 발광 소자 패키지를 갖는 발광 모듈의 결합 상태도이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view showing a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a front view illustrating the light emitting device package of FIG. 1.
FIG. 3 is a view of the first side of the light emitting device package of FIG. 2.
4 is a view seen from the second side portion of the light emitting device package of FIG. 2.
FIG. 5 is a view seen from the third side portion of the light emitting device package of FIG. 2.
FIG. 6 is a view seen from the fourth side portion of the light emitting device package of FIG. 2.
7 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device package of FIG. 2.
8 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device package of FIG. 2.
9 is a cross-sectional view illustrating another example of the light emitting device package of FIG. 7.
10 is an exploded state diagram of a light emitting module having the light emitting device package of FIG. 2.
FIG. 11 is a diagram illustrating a coupling state of a light emitting module having the light emitting device package of FIG. 2.
12 is a diagram illustrating an example of a light emitting chip according to an embodiment.
13 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device package according to an exemplary embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 정면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자 패키지의 제1측면부의 도면이고, 도 4는 도 2의 발광 소자 패키지의 제2측면부의 도면이며, 도 5는 도 2의 발광 소자 패키지의 제3측면부에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 2의 발광 소자 패키지의 제4측면부에서 바라본 도면이며, 도 7은 도 2의 발광 소자 패키지의 A-A 측 단면도이며, 도 8은 도 2의 발광 소자 패키지의 B-B 측 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a front view of the light emitting device package of FIG. 1, FIG. 3 is a view of a first side portion of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 4 is FIG. FIG. 5 is a view from the third side of the light emitting device package of FIG. 2, FIG. 6 is a view from the fourth side of the light emitting device package of FIG. 2 is a sectional view taken along the AA side of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 8 is a sectional view taken along the BB side of the light emitting device package of FIG. 2.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 측면 발광형 패키지로 구현될 수 있으며, 휴대 전화기와 휴대 컴퓨터 등의 액정표시장치의 광원, 조명 분야 등의 발광 장치로서 다양하게 적용될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 측면 발광형 패키지에 대해서 설명하기로 한다.1 to 8, the light emitting device package 100 may be implemented as a side light emitting package and may be variously applied as a light source such as a light source and an illumination field of a liquid crystal display such as a mobile phone and a portable computer. have. Hereinafter, a side light emitting package will be described for convenience of description.

상기 발광 소자 패키지(100)는 캐비티(15)를 갖는 몸체(11), 상기 캐비티(15) 내에 제1 및 제2리드 프레임(31,41), 상기 제1 및 제2리드 프레임(31,41) 사이에 방열 프레임(21), 상기 방열 프레임(21) 위에 발광 칩(101,102), 상기 방열 프레임(21)으로부터 절곡되어 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1) 및 제2측면부(S2) 상에 배치된 제1방열부(23) 및 제2방열부(24)를 포함한다. The light emitting device package 100 includes a body 11 having a cavity 15, first and second lead frames 31 and 41 in the cavity 15, and first and second lead frames 31 and 41. Between the heat dissipation frame 21, the light emitting chips 101 and 102, and the heat dissipation frame 21 on the heat dissipation frame 21, and the first side part S1 and the second side part S2 of the body 11. And a first heat dissipation part 23 and a second heat dissipation part 24 disposed thereon.

상기 몸체(11)는 인쇄회로기판(PCB), 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide : SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride ; AlN), 폴리프탈아마이드(poly phthalamide : PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer) 등에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다. The body 11 includes a printed circuit board (PCB), silicon, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), poly phthalamide (PPA), and polymer liquid crystal (Liquid). Crystal Polymer) may be formed in at least one, and the like, but is not limited thereto.

또한 상기 몸체(11)는 폴리프탈아마이드(PPA)와 같은 재질을 사출 구조물로 사출 성형되거나, 에칭 방식을 이용하여 형성하거나, 인쇄회로기판으로 제조될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. In addition, the body 11 may be formed by injection molding a material such as polyphthalamide (PPA) into an injection structure, using an etching method, or may be manufactured as a printed circuit board, but is not limited thereto.

상기 몸체(11)는 도 1, 도 2, 및 도 7과 같이, 반사부(12) 및 지지부(13)를 포함하며, 상기 반사부(12)는 상부가 개방된 캐비티(15)를 포함하며, 상기 지지부(13)는 상기 반사부(12)의 아래에서 상기 반사부(12)와 일체로 형성된다. 상기 반사부(12)와 지지부(13) 사이에는 상기 캐비티(15)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(31), 방열 프레임(21) 및 제2리드 프레임(41)이 배치된다.The body 11 includes a reflector 12 and a support 13, as shown in FIGS. 1, 2, and 7, and the reflector 12 includes a cavity 15 having an open top. The support 13 is integrally formed with the reflector 12 below the reflector 12. The first lead frame 31, the heat dissipation frame 21, and the second lead frame 41 disposed on the bottom of the cavity 15 are disposed between the reflective part 12 and the support part 13.

상기 몸체(11)의 전면부(S0)에는 개방된 캐비티(15)가 형성되며, 상기 캐비티(15)는 소정 깊이 및 소정 형상으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)의 상측 영역은 광 출사 영역이 될 수 있다. 상기 캐비티(15)의 둘레는 도 7 및 도 8과 같이, 상기 캐비티(15)의 바닥에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. An open cavity 15 is formed in the front portion S0 of the body 11, and the cavity 15 may be formed to have a predetermined depth and a predetermined shape. The upper region of the cavity 15 may be a light emitting region. 7 and 8, the circumference of the cavity 15 may be formed to be inclined or perpendicular to the bottom of the cavity 15, but is not limited thereto.

상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)는 기판에 탑재될 영역이며, 제2측면부(S2)는 상기 제1측면부(S1)의 반대측 영역이 된다. 제3측면부(S3)와 제4측면부(S4)는 서로 반대측에 배치된다. 상기 캐비티(15)는 제3측면부(S3) 및 제4측면부(S4) 사이에 배치된 영역의 길이가 제2측면부(S2)와 제2측면부(S1) 사이에 배치된 영역의 길이보다 더 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first side surface portion S1 of the body 11 is an area to be mounted on the substrate, and the second side surface portion S2 is an area opposite to the first side surface portion S1. The third side portion S3 and the fourth side portion S4 are disposed opposite to each other. The cavity 15 has a length longer than the length of the region disposed between the third side portion S3 and the fourth side portion S4, the length of the region disposed between the second side portion S2 and the second side portion S1. It may be formed, but not limited thereto.

상기 캐비티(15)의 바닥 중앙에는 방열 프레임(21)이 배치되고, 제1 및 제2리드 프레임(31,41)은 상기 캐비티(15) 내에 상기 방열 프레임(21)의 양측에 배치된다.The heat dissipation frame 21 is disposed at the center of the bottom of the cavity 15, and the first and second lead frames 31 and 41 are disposed at both sides of the heat dissipation frame 21 in the cavity 15.

상기 제1, 제2리드 프레임(31,41) 및 방열 프레임(21)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다.The first and second lead frames 31 and 41 and the heat dissipation frame 21 are made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), and chromium (Cr). ), Tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) may include at least one, and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.

상기 제1리드 프레임(31)은 상기 캐비티(15)의 일측에 상기 방열 프레임(21)과 이격되게 배치되며, 상기 제2리드 프레임(41)은 상기 캐비티(15)의 타측에 상기 방열 프레임(21)과 이격되게 배치된다. The first lead frame 31 is disposed to be spaced apart from the heat dissipation frame 21 at one side of the cavity 15, and the second lead frame 41 is disposed at the other side of the cavity 15. 21) and spaced apart.

상기 제1리드 프레임(31)은 도 3 및 도 5와 같이 제1리드부(33)를 포함하며, 상기 제1리드부(33)는 상기 제1리드 프레임(31)으로부터 상기 몸체(11)를 관통하여 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)의 제1영역(S11)으로 절곡되고, 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)와 거의 평행하게 배치된다. 상기 제1리드부(33)는 상기 몸체(11)의 지지부(13)의 일 측면 상에 밀착된다. The first lead frame 31 includes a first lead part 33 as shown in FIGS. 3 and 5, and the first lead part 33 is the body 11 from the first lead frame 31. It is bent through the first region (S11) of the first side portion (S1) of the body 11 and is disposed substantially parallel to the first side portion (S1) of the body (11). The first lead portion 33 is in close contact with one side of the support portion 13 of the body (11).

상기 제2리드 프레임(41)은 도 3 및 도 6과 같이 제2리드부(43)를 포함하며, 상기 제2리드부(43)는 상기 제2리드 프레임(41)으로부터 상기 몸체(11)를 관통하여 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)의 제2영역(S12)으로 절곡되고, 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)와 거의 평행하게 배치된다. 상기 제2리드부(43)는 상기 몸체(11)의 지지부(13)의 일 측면 상에 밀착된다. The second lead frame 41 includes a second lead portion 43 as shown in FIGS. 3 and 6, and the second lead portion 43 is the body 11 from the second lead frame 41. It is bent through the second region (S12) of the first side portion (S1) of the body 11 and is disposed substantially parallel to the first side portion (S1) of the body (11). The second lead portion 43 is in close contact with one side of the support portion 13 of the body (11).

상기 몸체(11)의 돌출부(16)는 상기 제1리드 프레임(31)의 제1리드부(33)와 상기 제2리드 프레임(41)의 제2리드부(43) 사이에 배치되며, 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1) 방향으로 다른 영역(S11,S12)보다 더 돌출된다. The protrusion 16 of the body 11 is disposed between the first lead portion 33 of the first lead frame 31 and the second lead portion 43 of the second lead frame 41. The body 11 protrudes more than other regions S11 and S12 in the direction of the first side portion S1.

상기 몸체(11)의 돌출부(16)는 도 1 및 도 2에서 볼 때, 상기 캐비티(15)와 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1) 사이의 간격(D1)으로 이격되며, 상기 간격(D1)은 0.6~0.7mm일 수 있다. 상기 간격(D1)은 상기 캐비티(15)와 상기 몸체(11)의 제2측면부(S2) 사이의 간격(D2)보다 더 넓게 이격되며, 예컨대 간격(D2)보다 적어도 0.2mm 이상 넓게 형성될 수 있다. The protrusions 16 of the body 11 are spaced apart by the distance D1 between the cavity 15 and the first side portion S1 of the body 11, as seen in FIGS. 1 and 2. D1 may be 0.6 to 0.7 mm. The gap D1 is spaced more wider than the gap D2 between the cavity 15 and the second side portion S2 of the body 11, and may be formed to be at least 0.2 mm wider than the gap D2, for example. have.

상기 몸체(11)의 전면부(S0)의 너비를 보면, 몸체(11)의 센터 영역의 너비(D4)는 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1) 또는 제1방열부(23)와 제2측면부(S2) 사이의 거리로서, 상기 돌출부(16)에 의해 상기 몸체(11)의 사이드 영역의 너비(D5)보다 더 넓게 형성된다. 상기 몸체(11)의 센터 영역은 상기 돌출부(16) 및 상기 방열 프레임(21)이 배치된 영역이며, 사이드 영역은 제1리드 프레임(31) 및 제2리드 프레임(41)이 배치된 영역으로서 상기 몸체(11)의 제1측면부(S2)와 제1영역(S11) 및 제2영역(S12) 사이의 영역을 포함한다. 상기 몸체(11)의 사이드 영역의 너비(D5)는 몸체(11)의 제1측면부(S1)의 영역(S11, S12) 또는 리드부(33,43)와 상기 제2측면부(S2) 사이의 거리이다. Looking at the width of the front portion (S0) of the body 11, the width (D4) of the center area of the body 11 and the first side portion (S1) or the first heat dissipating portion (23) of the body (11) As the distance between the second side portions S2, the protrusion 16 is wider than the width D5 of the side region of the body 11. The center area of the body 11 is an area in which the protrusion 16 and the heat dissipation frame 21 are disposed, and the side area is an area in which the first lead frame 31 and the second lead frame 41 are disposed. It includes a region between the first side portion (S2) and the first region (S11) and the second region (S12) of the body (11). The width D5 of the side region of the body 11 is between the regions S11 and S12 or the lead portions 33 and 43 of the first side portion S1 of the body 11 and the second side portion S2. Distance.

도 7과 같이, 상기 캐비티(15)의 바닥에 배치된 방열 프레임(21)의 길이(L2)는 상기 캐비티(15)의 바닥의 길이(L)보다 더 짧게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 길이 방향은 상기 발광 칩(101,102)들의 중심을 지나는 방향일 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the length L2 of the heat dissipation frame 21 disposed on the bottom of the cavity 15 may be shorter than the length L of the bottom of the cavity 15. Here, the length direction may be a direction passing through the center of the light emitting chips 101 and 102.

방열 프레임(21)은 제1방열부(23) 및 제2방열부(24)를 포함하며, 상기 몸체(11)의 센터 영역의 너비(D5)와 거의 동일한 너비로 배치된다. 상기 방열 프레임(21)은 상기 캐비티(15)의 바닥에서 몸체(11)의 제1측면부(S1) 및 제2측면부(S2)까지 연장된다. 도 8과 같이, 상기 제1방열부(23)는 상기 몸체(11)의 돌출부(16) 내에 배치된 상기 방열 프레임(21)으로부터 상기 몸체(11)의 제1측면부(S1)로 절곡되어, 상기 제1측면부(S1)와 평행하게 배치된다. 상기 제2방열부(24)는 상기 방열 프레임(21)으로부터 상기 몸체(11)의 제2측면부(S2)로 절곡되어, 상기 제2측면부(S2)와 평행하게 배치된다.The heat dissipation frame 21 includes a first heat dissipation part 23 and a second heat dissipation part 24, and is disposed to have a width substantially equal to the width D5 of the center area of the body 11. The heat dissipation frame 21 extends from the bottom of the cavity 15 to the first side portion S1 and the second side portion S2 of the body 11. As shown in FIG. 8, the first heat dissipation part 23 is bent from the heat dissipation frame 21 disposed in the protrusion 16 of the body 11 to the first side surface part S1 of the body 11. It is disposed in parallel with the first side portion (S1). The second heat dissipation part 24 is bent from the heat dissipation frame 21 to the second side part S2 of the body 11 and disposed in parallel with the second side part S2.

도 8과 같이, 상기 방열 프레임(21)의 제1방열부(23) 및 제2방열부(24)는 상기 몸체(11)의 반사부(12)가 아닌 지지부(13)의 서로 반대측 면 상에 배치된다. 이에 따라 상기 방열 프레임(21)에서의 열 병목 현상을 제거할 수 있다.As shown in FIG. 8, the first heat dissipation part 23 and the second heat dissipation part 24 of the heat dissipation frame 21 are on opposite sides of the support part 13, not the reflecting part 12 of the body 11. Is placed on. Accordingly, the thermal bottleneck in the heat dissipation frame 21 may be eliminated.

상기 방열 프레임(21)의 제1방열부(23)는 상기 제1리드부(33) 및 상기 제2리드부(43)와 서로 다른 평면 상에 배치된다.
The first heat dissipation part 23 of the heat dissipation frame 21 is disposed on a plane different from the first lead part 33 and the second lead part 43.

도 1, 도 2, 도 4 및 도 8를 참조하면, 상기 몸체(11)의 반사부(12)의 두께(T2)는 지지부(13)의 두께(T3)보다 더 얇을 수 있으며, 상기 방열 프레임(21)의 제1방열부(23)의 너비(T1)는 지지부(13)의 두께(T3) 또는 그 이상의 너비로 형성될 수 있으며, 상기 제2방열부(24)의 너비(T4)는 상기 지지부(13)의 두께(T3)이거나, 또는 그 이하 또는 그 이상의 너비로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1방열부(23)와 상기 제2방열부(23)의 면적은 서로 다른 면적으로서, 예컨대 제1방열부(23)의 면적이 제2방열부(24)의 면적보다 더 큰 면적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.1, 2, 4, and 8, the thickness T2 of the reflector 12 of the body 11 may be thinner than the thickness T3 of the support 13, and the heat radiation frame The width T1 of the first heat dissipation part 23 of the 21 may be formed to have a thickness T3 or more than the width of the support part 13, and the width T4 of the second heat dissipation part 24 is The support part 13 may have a thickness T3 or a width less than or equal to that of the support part 13. In addition, the areas of the first heat dissipation unit 23 and the second heat dissipation unit 23 are different from each other. For example, an area of the first heat dissipation unit 23 is larger than that of the second heat dissipation unit 24. It may be formed as, but is not limited thereto.

상기 방열 프레임(21)의 제1방열부(23) 및 제2방열부(24)는 상기 몸체(11)의 지지부(13)의 양 측면에 서로 대향되게 배치된다. 상기 방열 프레임(21)은 상기 몸체(11)의 돌출부(16) 내로 연장된 영역과, 제1방열부(23) 및 제2방열부(24)에 의해 발광 칩(101,102)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다.The first heat dissipation part 23 and the second heat dissipation part 24 of the heat dissipation frame 21 are disposed opposite to each other on both sides of the support part 13 of the body 11. The heat dissipation frame 21 may extend an area extending into the protrusion 16 of the body 11 and heat generated from the light emitting chips 101 and 102 by the first heat dissipation part 23 and the second heat dissipation part 24. It can radiate heat effectively.

도 4 및 도 8과 같이, 방열 프레임(21) 내에는 적어도 하나의 구멍(18)이 형성되어, 상기 구멍(18)에 상기 몸체(11)의 일부(19)가 배치된다. 이에 따라 방열 프레임(21)과 상기 몸체(11)와의 접착력은 개선될 수 있다.4 and 8, at least one hole 18 is formed in the heat dissipation frame 21, and a portion 19 of the body 11 is disposed in the hole 18. Accordingly, the adhesive force between the heat dissipation frame 21 and the body 11 may be improved.

발광 칩(101,102)은 상기 방열 프레임(21) 상에 배치되며, 제1리드 프레임(31) 및 제2리드 프레임(41)과 와이어(105)로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(101,102)은 제1리드 프레임(31)과 제2리드 프레임(41)로부터 공급된 전원에 의해 구동되고, 상기 방열 프레임(21)에 의해 효과적으로 방열이 이루어질 수 있다. The light emitting chips 101 and 102 may be disposed on the heat dissipation frame 21 and may be connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 41 by a wire 105. The light emitting chips 101 and 102 may be driven by power supplied from the first lead frame 31 and the second lead frame 41, and may be effectively radiated by the heat radiating frame 21.

상기 발광 칩(101,102)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 등과 같은 유색 LED 칩을 선택적으로 포함할 수 있다. 또한 상기 캐비티(15) 내에는 하나 또는 복수의 발광 칩(101,102)이 배치될 수 있으며, 또한 발광 칩(101,102)은 와이어(105)로 서로 연결된 예를 도시하였으나, 각 리드 프레임(31,41)에 와이어로 각각 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(101, 102)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The light emitting chips 101 and 102 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light, for example, colored LED chips such as red LED chips, blue LED chips, green LED chips, yellow green LED chips, and the like. It may optionally include. In addition, although one or a plurality of light emitting chips 101 and 102 may be disposed in the cavity 15, and the light emitting chips 101 and 102 are connected to each other by a wire 105, the lead frames 31 and 41 may be connected to each other. Can be connected with wires respectively. The light emitting chips 101 and 102 include compound semiconductor light emitting devices of Group II to Group VI elements.

도 7 및 도 8과 같이, 상기 몸체(11)의 캐비티(15)에는 몰딩 부재(61)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(61)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(61) 또는 상기 발광 칩(101,102) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(101,102)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(61)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIGS. 7 and 8, a molding member 61 is disposed in the cavity 15 of the body 11, and the molding member 61 includes a light transmissive resin layer such as silicon or epoxy, and is formed in a single layer or a multilayer. It can be formed as. The molding member 61 or the light emitting chips 101 and 102 may include a phosphor for changing the wavelength of the light emitted, and the phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting chips 101 and 102 to provide a different wavelength. Will emit light. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 61 may be formed in a flat shape, concave shape, convex shape and the like, but is not limited thereto.

여기서, 상기 몸체(11)의 제5측면부(S5)에는 사출 성형시 액상의 몸체 재질을 주입하는 주입구에 의해 형성된 오목부(91)이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the concave portion 91 formed by the injection hole for injecting the liquid body material during the injection molding may be further disposed on the fifth side portion S5 of the body 11, but is not limited thereto.

상기 몸체(11)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.A lens may be further formed on an upper portion of the body 11, and the lens may include a concave or / and convex lens structure, and may provide a light distribution of light emitted from the light emitting device package 100. I can regulate it.

상기 몸체(11), 또는 어느 하나의 리드 프레임 또는 방열 프레임 상에는 수광 소자, 보호 소자 등의 반도체 소자가 탑재될 수 있으며, 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
A semiconductor element such as a light receiving element or a protection element may be mounted on the body 11 or any one of the lead frames or the heat radiation frame, and the protection element may be implemented by a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS). The zener diode may protect the light emitting chip from electro static discharge (ESD).

도 9는 도 7의 방열 프레임의 다른 예이다.9 is another example of the heat dissipation frame of FIG. 7.

도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지의 방열 프레임(21A)는 상기 캐비티(15)의 바닥보다 더 깊은 방향으로 오목한 컵 구조(15A)를 포함한다. 상기의 방열 프레임(21A)의 컵 구조(15A)는 방열 면적을 증가시켜 줄 수 있으며, 그 내부에는 발광 칩(101,102)이 배치될 수 있다. 상기 방열 프레임(21A)의 컵 구조(21A)의 하부는 몸체(11)의 제5측면부(S5)에 노출되거나, 이격될 수 있다. 상기 몸체(11)의 제5측면부(S5)는 상기 캐비티(15)의 반대측 즉, 몸체(11)의 전면의 반대측 면이다.
Referring to FIG. 9, the heat dissipation frame 21A of the light emitting device package includes a cup structure 15A concave in a direction deeper than the bottom of the cavity 15. The cup structure 15A of the heat dissipation frame 21A may increase a heat dissipation area, and light emitting chips 101 and 102 may be disposed therein. The lower portion of the cup structure 21A of the heat dissipation frame 21A may be exposed or spaced from the fifth side portion S5 of the body 11. The fifth side portion S5 of the body 11 is the opposite side of the cavity 15, that is, the opposite side of the front surface of the body 11.

도 10 및 도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 기판에 탑재된 발광 모듈의 예를 나타낸 도면이다. 10 and 11 are views illustrating an example of a light emitting module in which a light emitting device package according to an embodiment is mounted on a substrate.

도 10를 참조하면, 발광 모듈(300)는 발광 장치로서, 기판(200) 및 상기 기판 (200) 상에 탑재된 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)를 포함한다. 상기 기판(200)은 금속층(211), 상기 금속층(211) 상에 절연층(213), 상기 절연층(213) 상에 배선층(215), 상기 배선층(215) 상에 보호층(217)을 포함한다. 상기 금속층(211)은 철(Fe), 철을 갖는 합금, 알루미늄, 알루미늄을 갖는 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 절연층(213)은 에폭시, 실리콘과 같은 수지 계열이거나, 세라믹 계열을 포함하며, 상기 배선층(215)은 전극 패드로서, 예컨대 Cu와 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 배선층(215)에는 제1패드(215A) 및 제2패드(215B)을 포함한다. 상기 제1패드(215A)는 및 제2패드(215B)는 서로 이격된다. Referring to FIG. 10, the light emitting module 300 is a light emitting device and includes a substrate 200 and at least one light emitting device package 100 mounted on the substrate 200. The substrate 200 includes a metal layer 211, an insulating layer 213 on the metal layer 211, a wiring layer 215 on the insulating layer 213, and a protective layer 217 on the wiring layer 215. Include. The metal layer 211 may include at least one of iron (Fe), an alloy having iron, an alloy having aluminum, and aluminum, and the insulating layer 213 may be a resin series such as epoxy, silicon, or ceramic series. The wiring layer 215 may include, for example, at least one of Cu and Au as an electrode pad. The wiring layer 215 includes a first pad 215A and a second pad 215B. The first pad 215A and the second pad 215B are spaced apart from each other.

상기 보호층(217)은 솔더 레지스터와 같은 절연 물질을 포함할 수 있으며, 광 반사율이 50% 이상인 물질을 포함한다. 상기 금속층(211)의 두께는 상기 기판(200) 두께의 50% 이상의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 0.3mm~0.8mm 정도의 두께이며, 다른 예로서 0.4~0.6mm의 두께로 형성될 수 있다. The protective layer 217 may include an insulating material, such as a solder resistor, and may include a material having a light reflectance of 50% or more. The metal layer 211 may have a thickness of 50% or more of the thickness of the substrate 200, for example, a thickness of about 0.3 mm to 0.8 mm, and as another example, a thickness of about 0.4 mm to 0.6 mm. .

상기 기판(200)의 금속층(211)은 상기 바텀 커버 또는 방열 플레이트 상에 면 접촉되어, 상기 기판(200)의 방열 효율을 향상시켜 줄 수 있다. 상기 기판(200)은 금속 기판의 PCB(예: MCPCB)를 포함한다.The metal layer 211 of the substrate 200 may be in surface contact with the bottom cover or the heat dissipation plate, thereby improving heat dissipation efficiency of the substrate 200. The substrate 200 includes a PCB (eg, MCPCB) of a metal substrate.

상기 기판(200)은 오목부(201)를 포함하며, 상기 오목부(201)의 바닥에는 상기 금속층(211)이 노출된다. 상기 기판(200)의 오목부(201)는 상기 발광 소자 패키지(100)의 돌출부(16)가 삽입되는 깊이(H1)로 형성되고, 예컨대, 0.6~0.7mm의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 오목부(201)의 너비는 상기 발광 소자 패키지(200)의 돌출부(16)가 삽입되는 정도의 넓이로 형성될 수 있다.The substrate 200 includes a recess 201, and the metal layer 211 is exposed at the bottom of the recess 201. The concave portion 201 of the substrate 200 may be formed to a depth H1 into which the protrusion 16 of the light emitting device package 100 is inserted. For example, the concave portion 201 may be formed to a depth of 0.6 mm to 0.7 mm. The width of the concave portion 201 may be formed to the extent that the protrusion 16 of the light emitting device package 200 is inserted.

도 11과 같이, 상기 발광 소자 패키지(100)의 돌출부(16)로 돌출되어 제1측면부(S1) 상에 배치된 제1방열부(23)는 상기 기판(200)의 오목부(201)에 삽입되며, 접착 부재(81)에 의해 상기 금속층(211)과 접착된다. 상기 접착 부재(81)는 전도성 물질이거나, 비 전도성 물질일 수 있으며, 열 전도율이 높은 수지 물질로 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 11, the first heat dissipation part 23 protruding from the protrusion 16 of the light emitting device package 100 and disposed on the first side surface part S1 may be formed in the concave part 201 of the substrate 200. The metal layer 211 is inserted into the metal layer 211 by an adhesive member 81. The adhesive member 81 may be a conductive material or a non-conductive material, and may be formed of a resin material having high thermal conductivity.

상기 접착 부재(81)는 수지 재질이거나, 상기 수지 재질 내에 금속 입자나 세라믹 계열의 물질을 첨가하여 사용할 수 있다. 상기의 금속 입자는 은을 포함할 수 있으며, 상기 세라믹 계열은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.
The adhesive member 81 may be a resin material, or may be used by adding metal particles or a ceramic-based material to the resin material. The metal particles may include silver, and the ceramic series may include low temperature co-fired ceramics (LTCC), high temperature co-fired ceramics (HTCC), and alumina. ), Quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fusedsilica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia ( beryllia) and aluminum nitride. The ceramic material may be formed of a metal nitride having higher thermal conductivity than nitride or oxide among insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include, for example, a material having a thermal conductivity of 140 W / mK or more. The ceramic material may be, for example, SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , BN, Si 3 N 4 , SiC (SiC-BeO), BeO, It may be a ceramic series such as CeO, AlN. The thermally conductive material may comprise a component of C (diamond, CNT).

상기 발광 소자 패키지(100)의 제1리드부(도 3의 33)는 상기 기판(200)의 제1패드(215A) 상에 전도성 물질(82)로 연결되고, 제2리드부(도 3의 43)는 상기 기판(200)의 제2패드(215B) 상에 전도성 물질(83)에 의해 연결된다. 상기 전도성 물질(82,83)은 솔더 페이스트와 같은 전도성 본딩 물질을 포함한다. The first lead part 33 of FIG. 3 of the light emitting device package 100 is connected to the first pad 215A of the substrate 200 with a conductive material 82 and the second lead part of FIG. 3. 43 is connected by a conductive material 83 on the second pad 215B of the substrate 200. The conductive materials 82 and 83 include conductive bonding materials such as solder paste.

발광 모듈은 상기 발광 소자 패키지(100)의 발광 칩(101,102)로부터 발생된 열을 상기 방열 프레임(21)을 통해 상기 기판(200)의 금속층(211)으로 전도시켜 방열시키고, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 방열 프레임(21)의 제2방열부(24)를 통해서도 자체적으로 방열하게 된다. The light emitting module conducts heat generated from the light emitting chips 101 and 102 of the light emitting device package 100 to the metal layer 211 of the substrate 200 through the heat radiating frame 21 to radiate heat, and the light emitting device package ( 100 also heats itself through the second heat dissipation part 24 of the heat dissipation frame 21.

상기 기판(200) 상에 복수의 오목부(201)가 배치되어, 각 오목부(201)에 상기 발광 소자 패키지(100)가 어레이될 수 있다.
A plurality of recesses 201 may be disposed on the substrate 200, and the light emitting device package 100 may be arrayed in each recess 201.

도 12는 도 2의 발광 소자 패키지의 발광 칩을 나타낸 도면이다.12 is a view illustrating a light emitting chip of the light emitting device package of FIG. 2.

도 12를 참조하면, 발광 칩(101)은 성장 기판(111), 버퍼층(113), 저전도층(115), 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119), 제2클래드층(121), 및 제2도전형 반도체층(123)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, the light emitting chip 101 may include a growth substrate 111, a buffer layer 113, a low conductive layer 115, a first conductive semiconductor layer 117, an active layer 119, and a second cladding layer ( 121, and a second conductive semiconductor layer 123.

상기 성장 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 성장 기판(111)의 상면에는 복수의 돌출부(112)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(112)는 상기 성장 기판(111)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부(112)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 성장 기판(111)의 두께는 30㎛~150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The growth substrate 111 may use a light transmissive, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 At least one of LiGaO 3 may be used. A plurality of protrusions 112 may be formed on an upper surface of the growth substrate 111, and the plurality of protrusions 112 may be formed through etching of the growth substrate 111, or may include light such as a separate roughness. It may be formed into an extraction structure. The protrusion 112 may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The growth substrate 111 may have a thickness in the range of 30 μm to 150 μm, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(111) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. A plurality of compound semiconductor layers may be grown on the growth substrate 111, and the growth equipment of the plurality of compound semiconductor layers may be an electron beam evaporator, a physical vapor deposition (PVD), a chemical vapor deposition (CVD), or a plasma laser deposition (PLD). Can be formed by dual-type thermal evaporator sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(111) 위에는 버퍼층(113)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(113)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(113)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.
A buffer layer 113 may be formed on the growth substrate 111, and the buffer layer 113 may be formed of at least one layer using a group II to group VI compound semiconductor. The buffer layer 113 comprises a semiconductor layer using a group III -V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x A semiconductor having a compositional formula of + y ≦ 1) includes at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. The buffer layer 113 may be formed in a super lattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층(113)은 상기 성장 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 상기 성장 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(113)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The buffer layer 113 may be formed to alleviate the difference in lattice constant between the growth substrate 111 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer 113 may have a value between lattice constants between the growth substrate 111 and the nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 113 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto. The buffer layer 113 may be formed in the range of 30 to 500 nm, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(113) 위에 저 전도층(115)이 형성되며, 상기 저 전도층(115)은 언도프드 반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(117)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(115)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(115)은 복수의 제1도전형 반도체층(117) 사이에 형성될 수 있다.A low conductive layer 115 is formed on the buffer layer 113, and the low conductive layer 115 is an undoped semiconductor layer and has a lower electrical conductivity than the first conductive semiconductor layer 117. The low conductive layer 115 may be implemented as a GaN-based semiconductor using a group III-V compound semiconductor, and the undoped semiconductor layer may have a first conductivity type even without intentionally doping a conductive dopant. The undoped semiconductor layer may not be formed, but is not limited thereto. The low conductive layer 115 may be formed between the plurality of first conductive semiconductor layers 117.

상기 저 전도층(115) 위에는 제1도전형 반도체층(117)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive semiconductor layer 117 may be formed on the low conductive layer 115. The first conductive semiconductor layer 117 is formed of a group III-V group compound semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 Y? 1, 0? X + y? 1). When the first conductive semiconductor layer 117 is an n-type semiconductor layer, the dopant of the first conductive type is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 저 전도층(115)와 상기 제1도전형 반도체층(117) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 A 이상으로 형성될 수 있다.At least one of the low conductive layer 115 and the first conductive semiconductor layer 117 may have a superlattice structure in which different first and second layers are alternately arranged, and the first layer And the thickness of the second layer may be formed to a number A or more.

상기 제1도전형 반도체층(117)과 상기 활성층(119) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는 InGaN/GaN 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A first cladding layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 117 and the active layer 119, and the first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor. The first cladding layer serves to restrain the carrier. As another example, the first cladding layer (not shown) may be formed of an InGaN layer or an InGaN / GaN superlattice structure, but is not limited thereto. The first cladding layer may include an n-type and / or p-type dopant, and may be formed of, for example, a first conductive type or low conductivity semiconductor layer.

상기 제1도전형 반도체층(117) 위에는 활성층(119)이 형성된다. 상기 활성층(119)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(119)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다. An active layer 119 is formed on the first conductive semiconductor layer 117. The active layer 119 may be formed of at least one of a single well, a single quantum well, a multi well, a multi quantum well (MQW), a quantum line, and a quantum dot structure. In the active layer 119, a well layer and a barrier layer are alternately disposed, and the well layer may be a well layer having a continuous energy level. In addition, the well layer may be a quantum well in which the energy level is quantized. The well layer may be defined as a quantum well layer, and the barrier layer may be defined as a quantum barrier layer. The pair of the well layer and the barrier layer may be formed in 2 to 30 cycles. The well layer is, for example, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). The barrier layer is a semiconductor layer having a band gap wider than the band gap of the well layer. For example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + It can be formed from a semiconductor material having a compositional formula of y≤1). The pair of the well layer and the barrier layer includes, for example, at least one of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN.

상기 활성층(119)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.The active layer 119 may selectively emit light in the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band, for example, may emit a peak wavelength in the range of 420nm to 450nm.

상기 활성층(119) 위에는 제2클래드층(121)이 형성되며, 상기 제2클래드층(121)은 상기 활성층(119)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(121)은 GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(121)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.The second clad layer 121 is formed on the active layer 119, and the second clad layer 121 has a higher band gap than the band gap of the barrier layer of the active layer 119. The compound semiconductor may be formed of, for example, a GaN-based semiconductor. For example, the second clad layer 121 may include GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN superlattice structure, or the like. The second clad layer 121 may include an n-type and / or p-type dopant, and may be formed of, for example, a second conductive or low conductivity semiconductor layer.

상기 제2클래드층(121) 위에는 제2도전형 반도체층(123)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(123)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 123 is formed on the second cladding layer 121, and the second conductive semiconductor layer 123 includes a dopant of a second conductive type. The second conductive semiconductor layer 123 may be formed of at least one of a group III-V compound semiconductor, for example, a compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, etc., and may include a single layer or a multilayer. . When the second conductive semiconductor layer 123 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

발광 구조물(150)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(123)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(117)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(123) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 발광 칩(101)은 상기 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119) 및 상기 제2도전형 반도체층(123)을 발광 구조물(150)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(150)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.The conductive types of the layers of the light emitting structure 150 may be formed to be opposite to each other. For example, the second conductive semiconductor layer 123 may be an n-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 117 may be a p-type semiconductor layer. It can be implemented as. An n-type semiconductor layer, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type, may be further formed on the second conductive semiconductor layer 123. The light emitting chip 101 may define the first conductive semiconductor layer 117, the active layer 119, and the second conductive semiconductor layer 123 as a light emitting structure 150. ) May include at least one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure. In the n-p and p-n junctions, an active layer is disposed between two layers, and an n-p-n junction or a p-n-p junction includes at least one active layer between three layers.

발광 구조물(150) 위에 전극층(141) 및 제2전극(145)이 형성되며, 상기 제1도전형 반도체층(117) 위에 제1전극(143)이 형성된다.An electrode layer 141 and a second electrode 145 are formed on the light emitting structure 150, and a first electrode 143 is formed on the first conductive semiconductor layer 117.

상기 전극층(141)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 141 is a current diffusion layer and may be formed of a material having transparency and electrical conductivity. The electrode layer 141 may be formed to have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(141)은 제2도전형 반도체층(123)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 141 is formed on an upper surface of the second conductive semiconductor layer 123, and the material may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum (AZO). zinc oxide (IGZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, etc. Selected, and may be formed of at least one layer. The electrode layer 141 may be formed as a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed among, for example, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir, and two or more alloys thereof.

상기 제2전극(145)은 상기 제2도전형 반도체층(123) 및/또는 상기 전극층(141) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(145)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(145)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode 145 may be formed on the second conductive semiconductor layer 123 and / or the electrode layer 141, and may include an electrode pad. The second electrode 145 may further include a current spreading pattern having an arm structure or a finger structure. The second electrode 145 may be made of a metal having the characteristics of an ohmic contact, an adhesive layer, and a bonding layer, but is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(117)의 일부에는 제1전극(143)이 형성된다. 상기 제1전극(143)과 상기 제2전극(145)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.A first electrode 143 is formed on a portion of the first conductive semiconductor layer 117. The first electrode 143 and the second electrode 145 are Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Au and Au It can be chosen from the optional alloys.

상기 발광 소자(101)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(150)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
An insulating layer may be further formed on the surface of the light emitting device 101, and the insulating layer may prevent an interlayer short of the light emitting structure 150 and prevent moisture penetration.

상기에 개시된 실시예(들)에 따른 발광 모듈 또는 기판은 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 13에 도시된 표시 장치, 다른 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting module or substrate according to the embodiment (s) disclosed above may be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arranged, and may include a display device, another lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electronic signboard, and the like shown in FIG. 13.

도 13은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 13 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 13을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(300)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(300) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 13, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 300 that provides light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and the light guide plate 1041. A bottom cover 1011 that houses an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 300, and a reflective member 1022. ), But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(300)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse surface light provided from the light emitting module 300 to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(300)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 300 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(300)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(300)은 기판(200)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(200)는 상기 기판(200) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(200)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.At least one light emitting module 300 is disposed in the bottom cover 1011, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 300 may include a substrate 200 and a light emitting device package 100 according to the embodiment disclosed above, and the light emitting device package 200 may be arranged on the substrate 200 at predetermined intervals. have. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 200 may be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting device package 100 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(200) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(30)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 200 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device 30 may directly or indirectly provide light to a light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(300) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 300, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(300)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light emitting module 300 to display information. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(300)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 300, but are not limited thereto.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광 소자 패키지 11: 몸체
12: 지지부 13: 반사부
15: 캐비티 21: 방열 프레임
23,24; 방열부 31,41: 리드 프레임
33,43: 리드부 101,102: 발광 칩
16: 돌출부 200: 기판
201: 오목부 211: 금속층
213: 절연층 215: 배선층
217: 보호층 300: 발광 모듈100: light emitting device package 11: body
12: support portion 13: reflecting portion
15: cavity 21: heat dissipation frame
23,24; Heat Sink 31,41: Lead Frame
33,43: lead portion 101,102: light emitting chip
16: protrusion 200: substrate
201: recess 211: metal layer
213: insulating layer 215: wiring layer
217: protective layer 300: light emitting module

Claims (15)

캐비티를 갖는 몸체;
상기 몸체의 캐비티에 배치된 제1리드 프레임 및 제2리드 프레임;
상기 캐비티에 배치된 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 방열 프레임;
상기 방열 프레임 위에 배치된 적어도 하나의 발광 칩; 및
상기 몸체의 캐비티와 제1측면부 사이에 상기 캐비티와 제2측면부 사이의 간격보다 더 돌출된 돌출부를 포함하며,
상기 방열 프레임은 상기 몸체의 돌출부를 관통하여 상기 몸체의 제1측면부로 절곡된 제1방열부를 포함하는 발광 소자 패키지.A body having a cavity;
A first lead frame and a second lead frame disposed in the cavity of the body;
A heat dissipation frame between the first lead frame and the second lead frame disposed in the cavity;
At least one light emitting chip disposed on the heat dissipation frame; And
A protrusion protruding more than a gap between the cavity and the second side portion between the cavity of the body and the first side portion,
The heat dissipation frame includes a first heat dissipation portion bent through the protrusion of the body to the first side portion of the body. 제1항에 있어서, 상기 캐비티와 상기 제1측면부 사이의 간격은 0.6~0.7mm 범위를 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein an interval between the cavity and the first side portion is in a range of 0.6 mm to 0.7 mm. 제1항에 있어서, 상기 방열 프레임은 상기 몸체의 캐비티로부터 상기 제1측면부의 반대측 제2측면부로 절곡된 제2방열부를 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the heat dissipation frame includes a second heat dissipation portion bent from a cavity of the body to a second side portion opposite to the first side portion. 제3항에 있어서, 상기 방열 프레임의 제1방열부와 상기 제2방열부는 서로 대향되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 3, wherein the first heat dissipation unit and the second heat dissipation unit of the heat dissipation frame face each other. 제3항에 있어서, 상기 방열 프레임의 제1방열부는 상기 제2방열부의 너비보다 더 넓은 너비를 갖는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 3, wherein the first heat dissipation part of the heat dissipation frame has a width wider than the width of the second heat dissipation part. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제1측면부의 제1영역으로 절곡된 제1리드부; 및 상기 제2리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제1측면부의 제2영역으로 절곡된 제2리드부를 포함하는 발광 소자 패키지.6. The apparatus of claim 1, further comprising: a first lead portion bent from the first lead frame to a first region of the first side portion of the body; And a second lead portion bent from the second lead frame to a second region of the first side portion of the body. 제6항에 있어서, 상기 제1방열부와 상기 몸체의 제2측면부 사이의 너비는 상기 제1리드부와 상기 몸체의 제2측면부 사이의 너비보다 더 넓은 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 6, wherein a width between the first heat dissipating part and the second side part of the body is wider than a width between the first lead part and the second side part of the body. 제6항에 있어서, 상기 제1방열부는 상기 제1리드부 및 상기 제2리드부와 서로 다른 평면 상에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 6, wherein the first heat dissipation part is disposed on a plane different from the first lead part and the second lead part. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방열 프레임은 상기 캐비티 내에서 상기 캐비티 바닥보다 더 깊은 깊이를 갖는 컵 구조를 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to any one of claims 1 to 5, wherein the heat dissipation frame includes a cup structure having a depth deeper than the bottom of the cavity in the cavity. 제9항에 있어서, 상기 방열 프레임은 상기 몸체의 캐비티가 개방된 면의 반대측 면으로 노출되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 9, wherein the heat dissipation frame is exposed to a surface opposite to an open surface of the cavity of the body. 제1항에 있어서, 상기 몸체 내에 배치된 상기 방열 프레임에 형성된 적어도 하나의 구멍을 포함하며, 상기 적어도 하나의 구멍에는 상기 몸체의 일부가 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, further comprising at least one hole formed in the heat dissipation frame disposed in the body, wherein a portion of the body is disposed in the at least one hole. 금속층, 배선층, 상기 금속층과 상기 배선층 사이에 절연층을 포함하는 기판;
상기 기판의 상면으로부터 제1깊이로 형성된 오목부;
상기 기판의 상부에 배치되며 상기 오목부의 양측에 배치 제1패드 및 제2패드;
상기 기판의 오목부에 일부가 삽입되며 상기 제1패드 및 제2패드에 연결된 발광 소자 패키지를 포함하며,
상기 발광 소자 패키지는,
캐비티를 갖는 몸체;
상기 몸체의 캐비티에 제1리드 프레임 및 제2리드 프레임;
상기 캐비티에 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 방열 프레임; 및
상기 방열 프레임 위에 적어도 하나의 발광 칩;
상기 몸체의 캐비티와 제1측면부 사이에 상기 캐비티와 제2측면부 사이의 간격보다 더 돌출되어 상기 기판의 오목부에 삽입된 돌출부를 포함하며,
상기 방열 프레임은 상기 몸체의 돌출부를 관통하여 상기 몸체의 제1측면부로 절곡된 제1방열부를 포함하는 발광 장치.A substrate including a metal layer, a wiring layer, and an insulating layer between the metal layer and the wiring layer;
A recess formed at a first depth from an upper surface of the substrate;
First pads and second pads disposed on the substrate and disposed on both sides of the recess;
A light emitting device package partially inserted into a recess of the substrate and connected to the first pad and the second pad;
The light emitting device package,
A body having a cavity;
A first lead frame and a second lead frame in the cavity of the body;
A heat dissipation frame in the cavity between the first lead frame and the second lead frame; And
At least one light emitting chip on the heat dissipation frame;
And a protrusion inserted between the cavity of the body and the first side portion more than the gap between the cavity and the second side portion and inserted into the recess of the substrate,
The heat dissipation frame includes a first heat dissipation portion which is bent to the first side portion of the body through the protrusion of the body. 제12항에 있어서, 상기 기판의 오목부에는 상기 기판의 금속층이 배치되어 상기 발광 소자 패키지의 방열 프레임의 제1방열부와 대응되는 발광 장치.The light emitting device of claim 12, wherein a metal layer of the substrate is disposed in the concave portion of the substrate to correspond to the first heat dissipation portion of the heat dissipation frame of the light emitting device package. 제13항에 있어서, 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제1측면부의 제1영역으로 절곡되어 상기 기판의 제1패드와 대응되는 제1리드부; 및 상기 제2리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제1측면부의 제2영역으로 절곡되어 상기 기판의 제2패드와 대응되는 제2리드부를 포함하는 발광 장치.14. The apparatus of claim 13, further comprising: a first lead portion bent from the first lead frame to a first region of the first side portion of the body to correspond to the first pad of the substrate; And a second lead portion bent from the second lead frame to a second region of the first side portion of the body to correspond to a second pad of the substrate. 제12항에 있어서, 상기 기판 상에 배치된 복수의 오목부에 상기 발광 소자 패키지가 각각 탑재된 발광 장치.

The light emitting device of claim 12, wherein the light emitting device packages are mounted on a plurality of recesses disposed on the substrate, respectively.

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