KR20130010537A - Deposition apparatus for thin film and deposition method for thin film using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 박막 증착 공정시 기판의 열손실을 방지하여 기판에 균일한 박막을 증착시킬 수 있도록 한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method using the same to prevent the heat loss of the substrate during the thin film deposition process to deposit a uniform thin film on the substrate.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 회로 패턴 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 영역의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined circuit pattern or optical pattern must be formed on the surface of the substrate. To this end, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, A photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film in an exposed region.
최근에는 상기의 반도체 제조 공정 중에서 박막 증착 공정으로는 기판 상에 형성되는 박막의 스텝 커버리지(Step Coverage), 균일성(Uniformity) 및 양산성 등과 같은 증착 특성이 우수한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)법이 가장 보편적으로 사용되고 있다. 이와 같은 화학 기상 증착법에는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD(Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등으로 나눌 수 있다.In recent years, the thin film deposition process in the above semiconductor manufacturing process has been widely used in chemical vapor deposition (CVD), which has excellent deposition characteristics such as step coverage, uniformity and mass productivity of a thin film formed on a substrate Are most commonly used. Examples of such chemical vapor deposition methods include LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD (Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) And so on.
상기의 화학 기상 증착법 중에서 MOCVD법은 유기 금속의 열분해 반응을 이용하여 기판 상에 고유전체 박막, 강유전체 박막, 초전도 박막, 전극 등에 사용되는 금속의 화합물 또는 산화물로 이루어지는 박막을 형성하는 방식이다.In the chemical vapor deposition method, the MOCVD method is a method of forming a thin film made of a metal compound or oxide used for a high dielectric thin film, a ferroelectric thin film, a superconducting thin film, an electrode, or the like on a substrate by using a pyrolysis reaction of an organic metal.
도 1은 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정을 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a thin film deposition process using a conventional MOCVD method.
도 1을 참조하여 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 1, a conventional thin film deposition process using the MOCVD method will be schematically described below.
먼저, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 히터(미도시)를 내장하는 서셉터(10)를 관통하도록 설치된 복수의 기판 지지 부재(20) 상에 기판(S)을 안착시킨다.First, as shown in Fig. 1 (a), a substrate S is placed on a plurality of
그런 다음, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 기판 지지 부재(20)를 하강시켜 기판(S)을 서셉터(10)의 상면에 안착시킨다. 이때, 복수의 기판 지지 부재(20)는 기판(S)의 배면에 접촉한 상태로 서셉터(10)에 형성된 복수의 삽입 홈(12) 내부에 삽입된다.Then, as shown in FIG. 1 (b), the plurality of
그런 다음, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 히터의 구동을 통해 기판(S)을 가열함과 아울러 가스 분사 수단(미도시)을 통해 소스 가스와 공정 가스를 기판(S)에 분사함으로써 소스 가스의 열적 분해를 이용해 기판(S)에 소정의 박막(TF)을 증착하게 된다.Then, as shown in FIG. 1C, the substrate S is heated by driving the heater, and the source gas and the process gas are injected to the substrate S through the gas injecting means (not shown) A predetermined thin film TF is deposited on the substrate S by thermal decomposition of the source gas.
이와 같은, MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정은 열적 균일도가 매우 중요한 공정으로써 기판(S)의 열적 균일도에 따라 기판(S)에 증착되는 박막의 증착율 차이가 크게 나타나게 된다.In the thin film deposition process using the MOCVD method, the thermal uniformity is very important, and the difference in the deposition rate of the thin film deposited on the substrate S becomes large according to the thermal uniformity of the substrate S.
종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정에서는 박막 증착 공정시 복수의 삽입 홈(12)에 삽입된 복수의 기판 지지 부재(20)가 기판(S)에 지속적으로 접촉되게 된다. 이로 인하여, 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정에서는 열전도율이 낮은 애노다이징 알루미늄(Anodizing Al) 또는 폴리이미드 재질로 이루어진 기판 지지 부재(20)를 통해 기판(S)을 지지함으로써 기판 지지 부재(20)와 기판(S)의 접촉에 의한 기판(S)의 열 손실을 최소화한다.In the thin film deposition process using the conventional MOCVD method, a plurality of
그러나, 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정에서는 기판(S)과 기판 지지 부재(20)의 재질 차이로 인하여 기판(S)과 기판 지지 부재(20)의 접촉 부분에서 기판(S)의 열 손실 또는 열적 불균일이 발생함으로써 기판(S)과 기판 지지 부재(20)의 접촉 부분의 증착율이 달라지게 된다.However, in the thin film deposition process using the conventional MOCVD method, the heat loss of the substrate S at the contact portion between the substrate S and the
따라서, 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정은 기판 지지 부재(20)와 접촉되는 기판(S)에 박막의 증착 두께 차이에 따른 기판 지지 부재(20)의 자국이 발생하게 된다. 이러한 자국은 최종적인 상품의 상품성을 저하시키고, 박막 증착 공정 이후에 진행되는 레이저 패터닝 공정의 레이저 가공성을 저하시킬 수 있다.Therefore, in the conventional thin film deposition process using the MOCVD method, marks of the
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 열손실을 방지하여 기판에 균일한 박막을 증착시킬 수 있도록 한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.Disclosure of Invention The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method capable of depositing a uniform thin film on a substrate by preventing heat loss of the substrate.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 증착 공정을 이용해 적어도 하나의 기판에 박막을 증착하기 위한 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 배치되어 상기 박막의 증착 공정시 상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치되어 상기 증착 공정을 위한 소스 가스를 상기 기판에 분사하는 가스 분사 수단; 및 상기 서셉터를 관통하도록 배치되어 기판 출입시 상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 복수의 기판 지지 부재를 포함하여 구성되며, 상기 박막의 증착 공정시 상기 복수의 기판 지지 부재 각각의 상면은 상기 서셉터에 지지된 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition apparatus including: a process chamber for providing a process space for depositing a thin film on at least one substrate using a deposition process; A susceptor disposed in the process chamber to support the at least one substrate during the deposition process of the thin film; A gas injection means installed in the process chamber so as to face the susceptor and injecting a source gas for the deposition process onto the substrate; And a plurality of substrate support members disposed to penetrate the susceptor to support the at least one substrate when the substrate enters and exits the substrate, wherein an upper surface of each of the plurality of substrate support members is formed during the deposition process of the thin film. It is characterized in that it is inserted into the susceptor to be spaced apart from the back of the substrate supported by a predetermined distance.
상기 서셉터는 승강 장치에 의해 승강되는 베이스 부재, 상기 베이스 부재에 내장된 히터, 및 상기 베이스 부재를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀을 포함하여 구성되며, 상기 복수의 관통 홀 각각은 상기 베이스 부재의 상면으로부터 상기 제 1 높이를 가지도록 오목하게 형성된 헤드 삽입 홈; 및 상기 헤드 삽입 홈에 연통되도록 상기 베이스 부재를 관통하여 형성된 삽입 홀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The susceptor includes a base member which is lifted and lowered by a lifting device, a heater embedded in the base member, and a plurality of through holes formed to penetrate the base member, wherein each of the plurality of through holes is formed of the base member. A head insertion groove recessed to have the first height from an upper surface thereof; And an insertion hole formed through the base member so as to communicate with the head insertion groove.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 삽입 홀에 관통하도록 삽입된 지지대; 및 상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성되어 상기 지지대의 상면에 결합된 헤드부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of substrate supporting members may include a support inserted into the insertion hole; And a head portion formed to have a second height lower than the first height and coupled to an upper surface of the support.
상기 지지대와 상기 헤드부 각각은 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 하나의 몸체로 형성된 것을 특징으로 한다.Each of the support and the head is made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more or the same material as that of the susceptor.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 지지대와 상기 헤드부에 코팅된 은(Ag), 구리(Cu), 또는 금(Au) 재질의 코팅층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Each of the substrate support members may further include a coating layer made of silver (Ag), copper (Cu), or gold (Au) coated on the support and the head.
상기 지지대를 가열하여 상기 헤드부를 가열하는 가열 수단을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.And a heating means for heating the support to heat the head portion.
상기 헤드부는 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어지고, 상기 지지대는 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100W / mK or more or the same material as the susceptor, the support is characterized in that the ceramic material.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 삽입 홀에 관통하도록 삽입되되 상기 기판의 출입시 상기 서셉터의 상부에 위치하고 상기 증착 공정시 상기 삽입 홀 내부에 위치하는 제 1 지지대; 상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성되어 상기 제 1 지지대의 상면에 결합된 헤드부; 및 상기 제 1 지지대의 하부에 결합되어 상기 삽입 홀에 삽입되되 상기 기판의 출입시 상기 삽입 홀 내부에 위치하고 상기 증착 공정시 상기 서셉터의 하부에 위치하는 제 2 지지대를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of substrate supporting members inserted into the insertion hole, the first support being positioned above the susceptor when entering and exiting the substrate, and positioned inside the insertion hole during the deposition process; A head portion formed to have a second height lower than the first height and coupled to an upper surface of the first support; And a second support coupled to a lower portion of the first support and inserted into the insertion hole, the second support being positioned inside the insertion hole when the substrate enters and exits and positioned below the susceptor during the deposition process. do.
상기 제 1 지지대와 상기 헤드부 각각은 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 하나의 몸체로 형성되고, 상기 제 2 지지대는 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Each of the first support and the head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more, or the same material as that of the susceptor, and is formed as a single body, and the second support is made of a ceramic material.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 상기 서셉터의 승강에 따라 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 서셉터의 가장자리 부분에 대응되는 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임; 및 상기 공정 챔버의 내측벽에 설치되어 상기 서셉터의 하강시 상기 기판 지지 프레임을 지지하는 복수의 프레임 지지 부재를 더 포함하여 구성되며, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 한다.The thin film deposition apparatus according to the present invention for achieving the above-described technical problem is disposed in the process chamber to be elevated in accordance with the lifting of the susceptor, one edge portion of each of the plurality of substrates corresponding to the edge portion of the susceptor A substrate support frame supporting the substrate; And a plurality of frame support members installed on an inner wall of the process chamber to support the substrate support frame when the susceptor is lowered, wherein each of the plurality of substrate support members is the remainder of each of the plurality of substrates. It is characterized by supporting the edge portion.
상기 기판 지지 프레임은 상기 서셉터의 가장자리 부분에 중첩되도록 형성되어 상기 서셉터의 승강시 상기 서셉터의 가장자리 부분에 안착되는 플레이트; 상기 플레이트에 형성되어 상기 서셉터의 하강시 상기 복수의 프레임 지지 부재가 삽입되는 복수의 지지 홀; 및 상기 플레이트의 내측벽에 분리 가능하게 설치되어 상기 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 복수의 기판 지지 핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate support frame is formed so as to overlap the edge portion of the susceptor is seated on the edge portion of the susceptor when the susceptor lifts; A plurality of support holes formed in the plate and into which the plurality of frame support members are inserted when the susceptor descends; And a plurality of substrate support pins detachably installed on an inner side wall of the plate to support one side edge portion of each of the plurality of substrates.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 상기 서셉터가 통과하여 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩시에만 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임; 및 상기 공정 챔버의 내측벽에 설치되어 상기 기판 지지 프레임을 지지하는 복수의 프레임 지지 부재를 더 포함하여 구성되며, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 한다.The thin film deposition apparatus according to the present invention for achieving the above-described technical problem is disposed in the process chamber so that the susceptor is elevated by passing through the one side edge portion of each of the plurality of substrates only during loading or unloading of the substrate. A substrate support frame for supporting; And a plurality of frame support members installed on an inner wall of the process chamber to support the substrate support frame, wherein each of the plurality of substrate support members supports the remaining edge portion of each of the plurality of substrates. It features.
상기 기판 지지 프레임은 상기 서셉터에 중첩되지 않도록 형성되어 상기 프레임 지지 부재에 지지된 플레이트; 상기 플레이트에 형성되어 상기 서셉터의 하강시 상기 복수의 프레임 지지 부재가 삽입되는 복수의 지지 홀; 및 상기 플레이트의 내측벽에 분리 가능하게 설치되어 상기 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 복수의 기판 지지 핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate support frame is formed so as not to overlap the susceptor and is supported by the frame support member; A plurality of support holes formed in the plate and into which the plurality of frame support members are inserted when the susceptor descends; And a plurality of substrate support pins detachably installed on an inner side wall of the plate to support one side edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 서셉터의 승강에 따라 승강되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of substrate supporting members is lifted by lifting the susceptor.
상기 복수의 기판 지지 핀 각각은 엔지니어링 플라스틱(Engineering Plastics) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of substrate support pins may be made of engineering plastics.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 공정 챔버의 공정 공간에서 수행되는 증착 공정을 이용해 적어도 하나의 기판에 박막을 증착하는 박막 증착 방법에 있어서, 상기 공정 챔버에 설치된 서셉터를 관통하도록 배치된 복수의 기판 지지 부재를 이용하여 상기 공정 챔버로 로딩되는 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계; 상기 복수의 기판 지지 부재에 안착된 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계; 상기 서셉터의 가열을 통해 상기 적어도 하나의 기판을 가열하는 단계; 및 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치된 가스 분사 수단을 이용해 상기 증착 공정을 위한 소스 가스를 상기 기판에 분사하여 상기 적어도 하나의 기판에 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 박막의 증착 공정시 상기 복수의 기판 지지 부재 각각의 상면은 상기 서셉터에 안착된 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입된 것을 특징으로 한다.In the thin film deposition method according to the present invention for achieving the above technical problem is a thin film deposition method for depositing a thin film on at least one substrate using a deposition process performed in the process space of the process chamber, a susceptor installed in the process chamber Supporting at least one substrate loaded into the process chamber using a plurality of substrate support members disposed to penetrate through the substrate; Placing at least one substrate seated on the plurality of substrate support members on an upper surface of the susceptor; Heating the at least one substrate through heating of the susceptor; And depositing a thin film on the at least one substrate by injecting a source gas for the deposition process onto the substrate by using a gas injection means installed in the process chamber so as to face the susceptor. An upper surface of each of the plurality of substrate support members may be inserted into the susceptor so as to be spaced apart from the rear surface of the substrate seated on the susceptor by a predetermined distance.
상기 서셉터는 제 1 높이를 가지도록 오목하게 형성된 헤드 삽입 홈을 포함하고, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성된 헤드부를 포함하며, 상기 헤드 삽입 홈에 삽입된 상기 헤드부는 상기 제 1 및 제 2 높이의 차이만큼 상기 서셉터에 안착된 기판의 배면으로부터 이격된 것을 특징으로 한다.The susceptor includes a head insertion groove concavely formed to have a first height, each of the plurality of substrate supporting members includes a head portion formed to have a second height lower than the first height, and the head insertion groove The head portion inserted into is spaced apart from the rear surface of the substrate seated on the susceptor by the difference between the first and second height.
상기 헤드부는 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 상기 서셉터의 가열시 서셉터로부터 전달되는 열을 통해 이격된 기판의 온도를 증가시키는 것을 특징으로 한다.The head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more or the same material as the susceptor to increase the temperature of the substrate spaced apart through the heat transferred from the susceptor when the susceptor is heated.
상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계는 상기 서셉터의 승강에 따라 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치된 기판 지지 프레임을 이용해 상기 서셉터의 가장자리 부분에 대응되는 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하고, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각을 이용해 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 한다.The supporting of the at least one substrate may include one edge portion of each of the plurality of substrates corresponding to the edge portion of the susceptor by using a substrate support frame disposed inside the process chamber to move up and down as the susceptor moves up and down. And a remaining edge portion of each of the plurality of substrates using each of the plurality of substrate support members.
상기 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계는 상기 서셉터를 상승시켜 상기 기판 지지 프레임과 상기 복수의 기판 및 상기 복수의 기판 지지 부재를 상승시키는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터의 상면에 안착되고, 상기 복수의 기판 지지 부재는 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터에 안착된 상기 복수의 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입됨과 아울러 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되는 것을 특징으로 한다.The mounting of the at least one substrate on an upper surface of the susceptor may include raising the susceptor to lift the substrate support frame, the plurality of substrates, and the plurality of substrate support members. Substrates are seated on an upper surface of the susceptor as the susceptor is raised, and the plurality of substrate supporting members is spaced apart from a rear surface of the plurality of substrates seated on the susceptor by a predetermined distance. It is inserted into the susceptor so as to be raised to a predetermined height from the bottom surface of the process chamber in accordance with the rise of the susceptor.
상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계는 상기 서셉터가 통과하여 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치된 기판 지지 프레임을 이용해 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하고, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각을 이용해 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 한다.The supporting of the at least one substrate may include supporting one edge portion of each of the plurality of substrates by using a substrate support frame disposed inside the process chamber so that the susceptor passes through and descends. It characterized in that for supporting the remaining edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계는 상기 서셉터를 상승시켜 상기 복수의 기판 및 상기 복수의 기판 지지 부재를 상승시키는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터의 상면에 안착되고, 상기 복수의 기판 지지 부재는 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터에 안착된 상기 복수의 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입됨과 아울러 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되는 것을 특징으로 한다.Seating the at least one substrate on the top surface of the susceptor comprises raising the susceptor to raise the plurality of substrates and the plurality of substrate support members, wherein the plurality of substrates comprise the stand. The plurality of substrate supporting members are seated on the upper surface of the susceptor according to the rise of the acceptor, and the plurality of substrate supporting members are spaced apart from the rear surface of the plurality of substrates seated on the susceptor by a predetermined distance to the susceptor. In addition to being inserted, as the susceptor is raised, it is raised to a predetermined height from the bottom surface of the process chamber.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 상기 적어도 하나의 기판이 상기 서셉터 상면에 안착되면, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각에 설치된 가열 수단을 이용해 상기 복수의 기판 지지 부재를 가열하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the thin film deposition method according to the present invention for achieving the above technical problem, when the at least one substrate is seated on the upper surface of the susceptor, using the heating means provided on each of the plurality of substrate support members, It further comprises the step of heating.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the thin film deposition apparatus and the thin film deposition method using the same have the following effects.
첫째, 기판 지지 부재의 헤드부를 서셉터의 헤드 삽입 홈보다 낮은 높이로 형성하여 기판 출입시에만 접촉시킴으로써 기판 지지 부재의 헤드부와 기판의 접촉 시간을 최소화하고, 이를 통해 기판의 열 손실을 최소화할 수 있다.First, the head portion of the substrate support member is formed at a height lower than the head insertion groove of the susceptor to contact only when entering and exiting the substrate. Can be.
둘째, 높은 열전도율을 가지는 재질로 기판 지지 부재의 헤드부를 형성하여 서셉터의 열을 이용해 헤드부의 온도를 증가시킴으로써 기판의 열적 균일도를 향상시킬 수 있다.Second, the thermal uniformity of the substrate may be improved by forming the head of the substrate support member by using a material having high thermal conductivity and increasing the temperature of the head by using the heat of the susceptor.
셋째, 가열 수단을 이용해 기판 지지 부재를 가열하여 헤드부의 온도를 증가시킴으로써 기판의 열적 균일도를 향상시킬 수 있다.Third, it is possible to improve the thermal uniformity of the substrate by heating the substrate support member using a heating means to increase the temperature of the head portion.
넷째, 기판의 열 손실을 최소화하여 기판 열적 균일도를 향상시킴으로써 최종적인 상품의 상품성을 향상시키고, 박막 증착 공정 이후에 진행되는 레이저 패터닝 공정의 레이저 가공성을 향상시킬 수 있다.Fourth, it is possible to minimize the heat loss of the substrate to improve the thermal uniformity of the substrate to improve the commercial product of the final product, and to improve the laser processability of the laser patterning process performed after the thin film deposition process.
도 1은 종래의 MOCVD법을 이용한 박막 증착 공정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 지지 부재의 제 1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 기판 지지 부재의 제 2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 기판 지지 부재의 제 3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 도 3에 도시된 기판 지지 부재의 제 4 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 1 또는 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치에 있어서, 기판 지지 부재에 지지된 복수의 기판을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 서셉터와 기판 지지 프레임 및 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 12에 도시된 기판 지지 핀의 제 1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 14a 및 도 14b는 도 12에 도시된 기판 지지 핀의 제 2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 도 12에 도시된 기판 지지 핀의 제 3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 16a 내지 도 16c는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 도 18에 도시된 서셉터와 기판 지지 프레임 및 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 20a 내지 도 20c은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 21은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view schematically showing a thin film deposition process using a conventional MOCVD method.
2 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining the susceptor and the substrate supporting member shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 4 is a diagram for describing a first embodiment of the substrate support member illustrated in FIG. 3.
FIG. 5 is a diagram for describing a second embodiment of the substrate support member illustrated in FIG. 3.
FIG. 6 is a view for explaining a third embodiment of the substrate support member shown in FIG. 3.
7A and 7B are diagrams for describing a fourth embodiment of the substrate support member illustrated in FIG. 3.
8A to 8C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
10 is a view for explaining a plurality of substrates supported by a substrate support member in the thin film deposition apparatus according to the first or second embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining the susceptor, the substrate support frame, and the substrate support member shown in FIG. 11.
FIG. 13 is a diagram for describing a first embodiment of the substrate support pin illustrated in FIG. 12.
14A and 14B are diagrams for describing a second embodiment of the substrate support pin illustrated in FIG. 12.
FIG. 15 is a diagram for describing a third embodiment of the substrate support pin illustrated in FIG. 12.
16A to 16C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
17 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
18 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
19 is a view for explaining the susceptor, the substrate support frame, and the substrate support member shown in FIG. 18.
20A to 20C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
21 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view for explaining a susceptor and a substrate supporting member shown in FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100)는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버(110); 기판(S)을 지지하기 위한 서셉터(120); 소스 가스를 기판(S)에 분사하는 가스 분사 수단(130); 및 서셉터(120)를 관통하도록 배치되어 기판 출입시 기판(S)을 지지하고, 박막의 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리만큼 이격되도록 서셉터(120)에 삽입되는 복수의 기판 지지 부재(140)를 포함하여 구성된다.2 and 3, the thin
공정 챔버(110)는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하기 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 공정 챔버(110)는 하부 챔버(112), 및 상부 챔버(114)를 포함하여 구성된다.The
하부 챔버(112)는 상부가 개구된 "U"자 형태로 형성된다. 이러한, 하부 챔버(112)의 일측에는 기판이 출입하는 기판 출입구(미도시)가 형성되고, 바닥면의 일측에는 공정 공간의 가스를 배기하기 위한 배기구가 형성된다.The
상부 챔버(114)는 하부 챔버(112)의 상부에 설치되어 하부 챔버(112)의 상부를 덮는다.The
서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 하부 챔버(112)에 승강 가능하게 설치되어 박막의 증착 공정시 기판(S)을 지지한다. 이를 위해, 서셉터(120)는 베이스 부재(122), 및 복수의 관통 홀(124)을 포함하여 구성된다.The
베이스 부재(122)는 하부 챔버(112)의 바닥면을 관통하는 승강축(121a)에 의해 승강 가능하도록 지지된다. 이때, 베이스 부재(122)는 알루미늄 재질로 이루어질 수 있다.The
상기의 승강축(121)은 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 승강된다. 상기의 승강축(121a)은 벨로우즈(121b)에 의해 밀봉된다.The lifting shaft 121 is moved up and down according to the driving of the lifting device (not shown). The lifting
한편, 베이스 부재(122)에는 기판(S)의 온도를 공정 온도에 적합하도록 가열하기 위한 히터(미도시)가 내장된다. 히터는 베이스 부재(122)를 소정의 온도를 가열함으로써 가열되는 베이스 부재(122)를 통해 기판(S)을 가열한다.On the other hand, a heater (not shown) for heating the temperature of the substrate S to a process temperature is built in the
복수의 관통 홀(124) 각각은 베이스 부재(122)를 관통하도록 형성된다. 이러한 복수의 관통 홀(124)에는 기판 지지 부재(140)가 삽입된다. 이를 위해, 복수의 관통 홀(124) 각각은 헤드 삽입 홈(124a), 및 삽입 홀(124b)을 포함하여 구성된다.Each of the plurality of through
헤드 삽입 홈(124a)은 베이스 부재(122)의 상면으로부터 제 1 높이(H1)를 가지도록 오목하게 형성된다. 이때, 헤드 삽입 홈(124a)은 평면적으로 원 또는 사각 형태를 가지도록 형성된다.The
삽입 홀(124b)은 헤드 삽입 홈(124a)에 연통되도록 베이스 부재(122)를 관통하여 형성된다.The
이와 같은, 서셉터(120)는 승강축(121a)의 상승에 의해 상승되어 복수의 기판 지지 부재(140)에 지지된 기판(S)을 지지함과 아울러 공정 위치로 상승시킨다. 이때, 기판(S)은 서셉터(120)가 기판 지지 부재(140)의 위치보다 더 높게 상승할 경우 서셉터(120)의 상면에 안착됨으로써 서셉터(120)의 상승에 따라 공정 위치로 이송된다. 또한, 서셉터(120)는 승강축(121a)의 하강에 의해 하강되어 공정 위치에 있는 기판(S)이 복수의 기판 지지 부재(140)에 안착되도록 기판(S)을 기판 출입 위치로 하강시킨다.As such, the
가스 분사 수단(130)은 상부 챔버(114)를 관통하는 가스 공급관(132)에 연통되도록 공정 챔버(110)의 상부 챔버(114)에 설치된다. 이러한 가스 분사 수단(130)은 기판(S) 상에 소정의 박막을 형성하기 위하여, 가스 공급관(132)을 통해 공급되는 소스 가스를 균일하게 확산시켜 기판(S) 상에 분사한다.The gas injection means 130 is installed in the
상기의 소스 가스는 공정 챔버(110)의 공정 공간에서 수행되는 화학 기상 증착 공정에 의해 기판(S)에 형성될 박막의 물질을 포함하여 이루어진다. 예를 들어, 가스 분사 수단(130)에는 유기 금속 전구체(Metal Organic Precursor)인 제 1 소스 가스와, 산소, 질소, 암모니아 등과 같은 제 2 소스 가스가 공급될 수 있다. 제 1 소스 가스는 재액화되거나 열분해되지 않는 온도로 가열된 상태로 가스 분사 수단(130)에 공급되고, 제 2 소스 가스는 실온 상태 또는 제 1 소스 가스와 동일하게 가열된 상태로 가스 분사 수단(130)에 공급될 수 있다.The source gas comprises a thin film material to be formed on the substrate S by a chemical vapor deposition process performed in the process space of the
복수의 기판 지지 부재(140) 각각은 서셉터(120)를 관통하도록 공정 챔버(110) 내부에 배치되어 기판 출입시 기판(S)의 배면을 지지한다. 이러한 복수의 기판 지지 부재(140) 각각의 상면은 박막의 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리로 이격되도록 서셉터(120)에 삽입된다.Each of the plurality of
제 1 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 지지대(142) 및 헤드부(144)를 포함하여 구성된다.As illustrated in FIG. 4, the plurality of
지지대(142)는 소정 길이를 가지도록 수직하게 형성되어 서셉터(120)에 형성된 관통 홀(124)의 삽입 홀(124b)에 관통하도록 삽입된다. 이러한 지지대(142)는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.The
헤드부(144)는, 도 3의 확대도와 같이, 지지대(142)의 상면에 결합되어 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이때, 헤드부(144)는 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)과 동일한 형태를 가지도록 형성되되 헤드 삽입 홈(124a)보다 작은 면적으로 가지도록 형성됨과 아울러 헤드 삽입 홈(124a)의 제 1 높이(H1)보다 낮은 제 2 높이(H2)를 가지도록 형성된다. 그리고, 헤드부(144)의 상면은 평면 또는 곡면 형태를 가질 수 있다.The
상기의 헤드부(144)는 서셉터(120)와 동일한 재질로 이루어지거나, 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. 여기서, 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 또는 몰리브덴(Mo) 등이 될 수 있다. 상기 헤드부(144)는 서셉터(120)의 재질인 알루미늄 재질과 동일한 재질이거나 알루미늄보다 높은 열전도율을 가지는 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The
이와 같은, 헤드부(144)는 기판 출입시 기판(S)의 제 1 부분(이하, "헤드 접촉 부분"이라 함)을 지지하고, 박막 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리로 이격되도록 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이에 따라, 헤드부(144)는 기판 출입시를 제외하고는 기판(S)과 접촉되지 않는다. 그리고, 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된 헤드부(144)는 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열에 의해 가열됨으로써 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 헤드 접촉 부분을 제외한 기판(S)의 나머지 서셉터 접촉 부분(이하, "서셉터 접촉 부분"이라 함)이 열적 균형을 이루도록 한다.As such, the
한편, 제 1 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 지지대(142)의 하부에 결합되어 지지대(142)의 무게 중심을 형성하는 중량 부재(146)를 더 포함하여 구성된다.Meanwhile, the plurality of
중량 부재(146)는 서셉터(120)의 상승시 서셉터(120)와 함께 상승되어 하부 챔버(112)의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되어 지지대(142)의 무게 중심을 잡는 무게 추의 역할을 하고, 서셉터(120)의 하강시 하부 챔버(112)의 바닥면에 안착되어 지지대(142)를 수직하게 지지하는 받침대의 역할을 한다.The
제 2 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 몸체로 일체화된 지지대(242) 및 헤드부(244)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 5, the plurality of
지지대(242)는 소정 길이를 가지도록 수직하게 형성되어 서셉터(120)에 형성된 관통 홀(124)의 삽입 홀(124b)에 관통하도록 삽입된다.The
헤드부(244)는 지지대(242)의 상면에 결합되어 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이때, 헤드부(244)는 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)과 동일한 형태를 가지도록 형성되되 헤드 삽입 홈(124a)보다 작은 면적으로 가지도록 형성됨과 아울러 헤드 삽입 홈(124a)의 제 1 높이(H1)보다 낮은 제 2 높이(H2)를 가지도록 형성된다. 그리고, 헤드부(244)의 상면은 평면 또는 곡면 형태를 가질 수 있다.The
상기의 지지대(242)와 헤드부(244)는 하나의 몸체로 일체화된 "T"자 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 제 2 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 "T"자 형태로 가지도록 형성되어 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)을 통해 삽입 홀(124b)에 삽입된다.The
하나의 몸체로 일체화된 지지대(242)와 헤드부(244)는 서셉터(120)와 동일한 재질로 이루어지거나, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 또는 몰리브덴(Mo) 등이 될 수 있다.The
이와 같은, 헤드부(244)는 기판 출입시 기판(S)의 헤드 접촉 부분을 지지하고, 박막 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이에 따라, 헤드부(244)는 기판 출입시를 제외하고는 기판(S)과 접촉되지 않는다. 그리고, 서셉터(120)의 관통 홀(124)에 삽입된 지지대(142)와 헤드부(244)는 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열에 의해 가열됨으로써 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 헤드 접촉 부분과 서셉터 접촉 부분이 열적 균형을 이루도록 한다.As such, the
한편, 제 2 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 지지대(242)의 하부에 결합되어 지지대(242)의 무게 중심을 형성하는 중량 부재(146)를 더 포함하여 구성된다.Meanwhile, the plurality of
중량 부재(146)는 서셉터(120)의 상승시 서셉터(120)와 함께 상승되어 하부 챔버(112)의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되어 지지대(242)의 무게 중심을 잡는 무게 추의 역할을 하고, 서셉터(120)의 하강시 하부 챔버(112)의 바닥면에 안착되어 지지대(242)를 수직하게 지지하는 받침대의 역할을 한다.The
제 3 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 몸체로 일체화된 지지대(242)와 헤드부(244), 및 지지대(242)와 헤드부(244)에 코팅된 코팅층(248)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 제 3 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 코팅층(248)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 도 5에 도시된 제 2 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.As shown in FIG. 6, the plurality of
코팅층(248)은 열전도율이 높은 은(Ag), 구리(Cu), 또는 금(Au)의 재질로 이루어져 지지대(242)와 헤드부(244)에 소정 두께로 코팅된다. 이러한 코팅층(248)은 박막 증착 공정시 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열에 의해 가열됨으로써 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 헤드 접촉 부분과 헤드 접촉 부분이 열적 균형을 이루도록 한다.The
한편, 하나의 몸체로 일체화된 지지대(242)와 헤드부(244)를 열전도율이 높은 은(Ag), 구리(Cu), 또는 금(Au) 재질로 형성할 수 있지만, 이 경우 상기의 재질은 강성(또는 강도)이 약하여 기판(S)을 지지할 수 없다. 이에 따라, 제 3 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 강성이 높지만 상대적으로 낮은 열전도율을 가지는 지지대(244)와 헤드부(244)를 통해 기판(S)을 지지하고, 박막 증착 공정시에는 코팅층(248)의 높은 열전도율을 이용해 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시킨다.On the other hand, the
제 4 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제 1 지지대(342), 헤드부(344), 및 제 2 지지대(345)를 포함하여 구성된다.The plurality of
제 1 지지대(342)는 소정 길이를 가지도록 수직하게 형성되어 서셉터(120)에 형성된 관통 홀(124)의 삽입 홀(124b)에 관통하도록 삽입된다. 상기의 제 1 지지대(342)는 서셉터(120)의 높이와 동일한 높이(H3)를 가지도록 형성된다. 이러한 제 1 지지대(342)는, 도 7b의 (a)에 도시된 바와 같이, 박막 증착 공정을 위한 서셉터(120)의 상승에 의해 기판(S)이 서셉터(120)에 지지될 경우, 서셉터(120)의 삽입 홀(124b)에 삽입됨으로써 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열을 헤드부(344)에 전달한다. 반면에, 제 1 지지대(342)는, 도 7b의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판 출입을 위한 서셉터(120)의 하강에 의해 기판(S)이 헤드부(344)에 지지될 경우, 서셉터(120)의 삽입 홀(124b)에 삽입되지 않고 서셉터(120)의 상면으로부터 소정 높이에 위치함으로써 서셉터(120)의 열이 헤드부(344)로 전달되는 것을 최소화한다.The
헤드부(344)는 제 1 지지대(342)의 상면에 결합되어 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이때, 헤드부(344)는 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)과 동일한 형태를 가지도록 형성되되 헤드 삽입 홈(124a)보다 작은 면적으로 가지도록 형성됨과 아울러 헤드 삽입 홈(124a)의 제 1 높이(H1)보다 낮은 제 2 높이(H2)를 가지도록 형성된다. 그리고, 헤드부(344)의 상면은 평면 또는 곡면 형태를 가질 수 있다.The
이와 같은, 헤드부(344)는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 기판 출입시 상술한 기판(S)의 헤드 접촉 부분을 지지하고, 박막 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된다. 이에 따라, 헤드부(344)는 기판 출입시를 제외하고는 기판(S)과 접촉되지 않는다. 그리고, 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된 헤드부(344)는 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열에 의해 가열됨으로써 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 헤드 접촉 부분과 헤드 접촉 부분이 열적 균형을 이루도록 한다.As shown in FIG. 7B, the
상기의 제 1 지지대(342)와 헤드부(344)는 하나의 몸체로 일체화된 "T"자 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, "T"자 형태로 가지도록 형성된 제 1 지지대(342)와 헤드부(344)는 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)을 통해 삽입 홀(124b)에 삽입된다. 하나의 몸체로 일체화된 지지대(342)와 헤드부(344)는 서셉터(120)와 동일한 재질로 이루어지거나, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 또는 몰리브덴(Mo) 등이 될 수 있다.The
제 2 지지대(345)는 제 1 지지대(342)의 하부에 결합되어 제 1 지지대(342)를 지지한다. 상기의 제 2 지지대(345)는 제 1 지지대(342)보다 낮은 열전도율을 가지는 재질로 형성된다. 예를 들어, 제 2 지지대(345)는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 이러한 제 2 지지대(345)는, 도 7b의 (a)에 도시된 바와 같이, 박막 증착 공정을 위한 서셉터(120)의 상승에 의해 기판(S)이 서셉터(120)에 지지될 경우, 서셉터(120)의 삽입 홀(124b)에 삽입되지 않고 서셉터(120)의 하부에 위치함으로써 히터에 의해 가열되는 서셉터(120)의 열이 제 1 지지부(342)를 통해 헤드부(344)로 전달되도록 한다. 반면에, 제 2 지지대(345)는, 도 7b의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판 출입을 위한 서셉터(120)의 하강에 의해 기판(S)이 헤드부(344)에 지지될 경우, 서셉터(120)의 삽입 홀(124b)에 삽입됨으로써 서셉터(120)의 열이 제 1 지지부(342)로 전달되는 것을 최소화한다.The
한편, 제 4 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 부재(140)는 제 2 지지대(345)의 하부에 결합되어 제 1 및 제 2 지지대(342, 345)의 무게 중심을 형성하는 중량 부재(146)를 더 포함하여 구성된다.Meanwhile, the plurality of
중량 부재(146)는 서셉터(120)의 상승시 서셉터(120)와 함께 상승되어 하부 챔버(112)의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되어 제 1 및 제 2 지지대(342, 345)의 무게 중심을 잡는 무게 추의 역할을 하고, 서셉터(120)의 하강시 하부 챔버(112)의 바닥면에 안착되어 제 2 지지대(345)를 수직하게 지지하는 받침대의 역할을 한다.The
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.8A to 8C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 8a 내지 도 8c를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100)를 이용한 박막 증착 방법을 설명하면 다음과 같다.A thin film deposition method using the thin
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이, 승강축(121a)을 하강시켜 공정 챔버(110)에 설치된 서셉터(120)를 홈 위치로 하강시킨다. 이에 따라, 서셉터(120)를 관통하는 복수의 기판 지지 부재(140) 각각의 중량 부재(146)가 하부 챔버(112)의 바닥면에 지지됨으로써 복수의 기판 지지 부재(140) 각각의 헤드부(144)는 기판 출입 위치에 위치하게 된다.First, as shown in FIG. 8A, the lifting
그런 다음, 도 8b에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 공정 챔버(110)의 공정 공간으로 반입하여 복수의 기판 지지 부재(140) 각각의 헤드부(144)에 안착시킨다.Then, as shown in FIG. 8B, the substrate S is loaded into the process space of the
그런 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 승강축(121a)을 상승시켜 서셉터(120)를 공정 위치로 상승시킨다. 이에 따라, 서셉터(120)는 승강축(121a)의 상승에 따라 상승하여 복수의 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144)에 지지된 기판(S)을 지지하면서 공정 위치로 상승하게 된다. 이때 복수의 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144) 각각은 서셉터(120)에 안착된 기판(S)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된 후, 서셉터(120)의 상승과 함께 소정 높이 상승하게 된다.Then, as shown in FIG. 8C, the lifting
이어서, 공정 챔버(110)의 내부에 진공 분위기를 형성한 다음, 서셉터(120)를 이용해 기판(S)을 공정 온도로 가열한다. 이때, 헤드 삽입 홈(124a)에 삽입된 복수의 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144) 각각은 서셉터(120)의 열에 의해 가열되어 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시킴으로써 서셉터(120)에 의해 가열되는 기판(S)의 열적 균일도를 향상시킨다.Subsequently, a vacuum atmosphere is formed inside the
이어서, 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)에 설치된 가스 분사 수단(130)을 이용해 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스를 기판(S)에 분사함으로써 기판(S)에 박막을 증착한다. 예를 들어, 상기의 화학 기상 증착 공정은 기판(S) 상에 금속의 화합물 또는 산화물로 이루어지는 박막을 형성하는 유기 금속 화학 기상 증착 공정이 될 수 있다.Subsequently, a thin film is deposited on the substrate S by spraying a source gas for a chemical vapor deposition process onto the substrate S using the gas injection means 130 installed in the
상술한 바와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144)를 서셉터(120)의 헤드 삽입 홈(124a)보다 낮은 높이로 형성하여 기판 출입시에만 접촉시킴으로써 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144)와 기판(S)의 접촉 시간을 최소화하고, 이를 통해 기판(S)의 열 손실을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 높은 열전도율을 가지는 재질로 기판 지지 부재(140)의 헤드부(144)를 형성하여 서셉터(120)의 열을 이용해 헤드부(144)의 온도를 증가시킴으로써 기판 출입시에만 헤드부(144)에 접촉되는 기판(S)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 기판(S)의 열적 균일도를 향상시킨다.As described above, in the thin
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 기판 지지 부재(120)에 의해 기판(S)에 발생되는 자국을 방지함으로써 최종적인 상품의 상품성을 향상시키고, 박막 증착 공정 이후에 진행되는 레이저 패터닝 공정의 레이저 가공성을 향상시킬 수 있다.As described above, the thin
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400)는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버(110); 기판(S)을 지지하는 서셉터(120); 소스 가스를 기판(S)에 분사하는 가스 분사 수단(130); 서셉터(120)를 관통하도록 배치되어 기판 출입시 기판(S)을 지지하고, 박막의 증착 공정시 서셉터(120)에 지지된 기판(S)의 배면과 소정 거리로 이격되도록 서셉터(120)에 삽입되는 복수의 기판 지지 부재(140); 및 복수의 기판 지지 부재(140)를 가열하기 위한 가열 수단(150)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400)는 가열 수단(150)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.9, the thin
가열 수단(150)은, 도 11의 확대도와 같이, 서셉터(120)를 가열하는 히터의 구동에 동기되어 복수의 기판 지지 부재(140)를 가열한다. 이를 위해, 가열 수단(150)은 복수의 가열 부재(152), 복수의 전원 공급 부재(154), 및 복수의 전원 케이블(156)을 포함하여 구성된다.The heating means 150 heats the plurality of
복수의 가열 부재(152) 각각은 서셉터(120)의 하부 쪽으로 돌출된 기판 지지 부재(140)의 지지대(142)를 감싸도록 설치된다. 이러한 복수의 가열 부재(152) 각각은 전원 케이블(156)을 통해 전원 공급 부재(154)로부터 공급되는 전원을 이용해 기판 지지 부재(140) 각각의 지지대(142)를 가열한다. 이때, 복수의 기판 지지 부재(140)는 가열 부재(152)의 구동에 의해 헤드부(144)가 가열될 수 있도록 도 5에 도시된 하나의 몸체로 일체화된 지지대(242) 및 헤드부(244)를 포함하여 구성되거나, 도 6에 도시된 하나의 몸체로 일체화된 지지대(242)와 헤드부(244), 및 지지대(242)와 헤드부(244)에 코팅된 코팅층(248)을 포함하여 구성된다.Each of the plurality of
복수의 전원 공급 부재(154) 각각은 하부 챔버(112)의 바닥면에 설치되어 기판 지지 부재(140)를 가열하기 위한 전원을 생성하고, 생성된 전원을 해당 가열 부재(152)에 제공한다.Each of the plurality of
복수의 전원 케이블(156) 각각은 복수의 전원 공급 부재(154) 각각으로부터 생성되는 전원을 해당 가열 부재(152)에 공급한다. 이때, 복수의 전원 케이블(156) 각각은 서셉터(120)의 승강에 따른 기판 지지 부재(140)의 승강에 따라 길이가 변화되도록 나선 형태로 형성된다.Each of the plurality of
이와 같은 가열 수단(150)은 박막 증착 공정을 위한 기판(S)의 가열시 가열 부재(152)의 구동에 따라 복수의 기판 지지 부재(140) 각각을 가열함으로써 서셉터(120)에 의해 가열되는 기판(S)의 열적 균일도를 향상시킨다.The heating means 150 is heated by the
상술한 바와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 서셉터(120)를 이용한 기판(S)의 가열과 함과 가열 수단(150)을 이용해 기판 지지 부재(140)를 가열하는 것을 제외하고는 도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.As described above, the thin
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일한 효과를 제공한다.Therefore, the thin
한편, 상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100, 400) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 하나의 기판(S) 상에 박막을 증착하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 도 10에 도시된 바와 같이, 2장의 기판(S1, S2)에 대한 박막 증착 공정을 동시에 수행할 수도 있다.Meanwhile, although the thin
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 12는 도 11에 도시된 서셉터와 기판 지지 프레임 및 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 11 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a view for explaining the susceptor, the substrate support frame, and the substrate support member shown in FIG. 11.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버(510); 공정 챔버(510)의 내부에 배치되어 복수의 기판(S1 내지 S4) 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임(520); 복수의 기판(S1 내지 S4)을 지지하기 위한 서셉터(530); 소스 가스를 기판(S)에 분사하는 가스 분사 수단(540); 공정 챔버(510)의 내벽에 설치되어 서셉터(530)의 하강시 기판 지지 프레임(520)을 지지하는 프레임 지지 부재(550); 및 서셉터(530)를 관통하도록 배치되어 기판 출입시 복수의 기판(S1 내지 S4) 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하고, 박막의 증착 공정시 서셉터(530)에 지지된 복수의 기판(S1 내지 S4)의 배면과 소정 거리만큼 이격되도록 서셉터(530)에 삽입되는 복수의 기판 지지 부재(560)를 포함하여 구성된다.11 and 12, a thin
공정 챔버(510)는 화학 기상 증착 공정을 수행하기 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 공정 챔버(510)는 하부 챔버(512), 및 상부 챔버(514)를 포함하여 구성된다.
하부 챔버(512)는 상부가 개구된 "U"자 형태로 형성된다. 이러한, 하부 챔버(512)의 일측에는 기판이 출입하는 기판 출입구(미도시)가 형성되고, 바닥면의 일측에는 공정 공간의 가스를 배기하기 위한 배기구가 형성된다.The
상부 챔버(514)는 하부 챔버(512)의 상부에 설치되어 하부 챔버(512)의 상부를 덮는다.The
기판 지지 프레임(520)은 기판 출입구를 출입하는 기판 반송 장치로부터 공정 챔버(510)의 내부로 로딩되는 복수의 기판(S1 내지 S4) 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하거나, 공정 챔버(510)에서 외부로 언로딩되는 복수의 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 부분을 지지한다. 이를 위해, 기판 지지 프레임(520)은 제 1 플레이트(521), 제 2 플레이트(522), 복수의 기판 지지 핀(523), 복수의 지지 홀(525), 제 1 더미 플레이트(527), 제 2 더미 플레이트(528), 및 플레이트 지지 부재(529)를 포함하여 구성된다.The
제 1 플레이트(521)는 4개의 기판(S1 내지 S4)의 면적에 대응되는 개구부를 가지도록 사각틀 형태로 형성되며, 기판 출입구에 대응되는 일측부에는 기판 반송 장치가 출입하는 제 1 및 제 2 측면 개구부(521a, 521b)가 형성된다. 이러한, 제 1 플레이트(521)는 서셉터(530)의 가장자리 부분(BE)에 중첩되도록 서셉터(530) 상에 배치된다. 상기의 제 1 플레이트(521)는 알루미늄(Al), 스테인리스(SUS), 카본(Carbon)이 함유된 화합물, 질화 알루미늄(AlN), 또는 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있다.The
제 2 플레이트(522)는 사각판 형태로 형성되어 제 1 및 제 2 측면 개구부(521a, 521b) 사이에 설치된다. 이때, 제 2 플레이트(522)는 제 1 플레이트(521)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.The
복수의 기판 지지 핀(523)은 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522) 각각의 내측벽에 분리 가능하게 설치되어 기판 반송 장치에 의해 로딩되는 복수의 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 부분을 지지한다.The plurality of substrate support pins 523 may be detachably installed on the inner walls of the first and
제 1 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 핀(523) 각각은, 도 13에 도시된 바와 같이, 브라켓(523a), 및 돌출부(523b)를 포함하여 구성된다.Each of the plurality of substrate support pins 523 according to the first embodiment includes a
브라켓(523a)은 수평부과 수평부로부터 수직하게 절곡된 수직부를 가지도록 "L"자 형태로 형성된다. 수평부에는 적어도 하나의 스크류 삽입 홀(523c)가 형성된다. 이러한, 브라켓(523a)은 스크류 삽입 홀(523c)에 삽입되어 플레이트(521, 522)의 배면에 체결되는 스크류(미도시)에 의해 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)의 내측벽에 분리 가능하게 설치된다. 이때, 브라켓(523a)의 수직부는 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)의 내측벽에 대향된다.The
돌출부(523b)는 브라켓(523a)의 수직부로부터 소정 길이를 가지도록 돌출되어 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 배면을 지지한다. 이때, 돌출부(523b)는 원 기둥 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다각 기둥 형태로 형성될 수 있다.The
제 2 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 핀(523) 각각은, 도 14a에 도시된 바와 같이, 핀 플레이트(523a), 및 돌출부(523b)를 포함하여 구성된다.Each of the plurality of substrate support pins 523 according to the second embodiment includes a
핀 플레이트(523a)는 적어도 하나의 스크류 체결 홀(523c)을 가지도록 평판 형태로 형성된다. 이러한, 핀 플레이트(523a)는 스크류 체결 홀(523c)을 통해 플레이트(521, 522)의 배면에 체결되는 스크류(미도시)에 의해 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)의 내측 배면에 분리 가능하게 설치된다.The
돌출부(523b)는 핀 플레이트(523a)의 측면으로부터 소정 길이를 가지도록 돌출되어 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 배면을 지지한다. 이때, 돌출부(523b)는 다각 기둥 형태로 형성될 수 있다. 한편, 상기의 돌출부(523b)은, 도 14b에 도시된 바와 같이, 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성될 수도 있다.The
제 3 실시 예에 따른 복수의 기판 지지 핀(523) 각각은, 도 15에 도시된 바와 같이, 돌출부(523b), 및 나사산(523d)을 포함하여 구성된다.Each of the plurality of substrate support pins 523 according to the third embodiment includes a
돌출부(523b)는 소정 길이를 가지도록 형성되어 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 배면을 지지한다. 이때, 돌출부(523b)는 다각 기둥 형태로 형성될 수 있다.The
나사산(523d)은 돌출부(523b)의 일측부에 형성되어 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)의 내측벽에 분리 가능하게 설치된다. 이를 위해, 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)의 내측벽에는 상기 나사산(523d)이 체결되는 나사홀(미도시)이 형성된다.The
이와 같은, 제 1 내지 제 3 실시 예들에 따른 복수의 기판 지지 핀(523) 각각은 열적/기계적 특성이 우수한 엔지니어링 플라스틱(Engineering Plastics) 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기의 복수의 기판 지지 핀(523) 각각은 U 폴리머(U), 폴리술폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 또는 4불화에틸렌수지(PTFE) 재질로 이루어지는 고성능 엔지니어링 플라스틱 재질이거나, 폴리아미드이미드(PAI), 또는 폴리이미드(PI) 재질로 이루어지는 초내열성 엔지니어링 플라스틱 재질이 될 수 있다.As described above, each of the plurality of substrate support pins 523 according to the first to third embodiments may be made of an engineering plastic material having excellent thermal / mechanical characteristics. For example, each of the plurality of substrate support pins 523 may include a U polymer (U), a polysulfone (PSF), a polyphenylene sulfide (PPS), a polyetherimide (PEI), a polyether sulfone (PES), High-performance engineering plastics made of polyarylate (PAR), polyether ether ketone (PEEK), or ethylene tetrafluoride (PTFE), or super heat-resistant made of polyamideimide (PAI) or polyimide (PI) It can be an engineering plastics material.
다시 도 14에서, 복수의 지지 홀(525) 각각은 복수의 프레임 지지 부재(550) 각각에 대응되도록 제 1 플레이트(521)의 각 모서리 부분에 형성된다. 이러한, 복수의 지지 홀(525) 각각에는 서셉터(530)의 하강시 복수의 프레임 지지 부재(550) 각각이 삽입된다. 이에 따라, 기판 지지 프레임(520)은 복수의 프레임 지지 부재(550)에 의해 지지된다.Again in FIG. 14, each of the plurality of support holes 525 is formed at each corner portion of the
제 1 더미 플레이트(527)는 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522) 사이에 마련된 제 1 측면 개구부(521a)에 중첩되도록 서셉터(530)의 일측 가장자리에 장착된다. 이때, 제 1 더미 플레이트(527)에는 복수의 제 1 스크류 삽입 홀(527a)이 형성된다. 이러한, 제 1 더미 플레이트(527)는 복수의 제 1 스크류 삽입 홀(527a)에 삽입되어 서셉터(530)에 형성된 복수의 제 1 스크류 홀(527b)에 체결되는 복수의 스크류(미도시)에 의해 서셉터(530)에 분리 가능하게 설치된다. 상기의 제 1 더미 플레이트(527)는 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)가 서셉터(530)에 안착될 경우 제 1 측면 개구부(521a)에 삽입된다.The
제 2 더미 플레이트(528)는 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522) 사이에 마련된 제 2 측면 개구부(521b)에 중첩되도록 서셉터(530)의 일측 가장자리에 장착된다. 이때, 제 2 더미 플레이트(528)에는 복수의 제 2 스크류 삽입 홀(528a)이 형성된다. 이러한, 제 2 더미 플레이트(528)는 복수의 제 2 스크류 삽입 홀(528a)에 삽입되어 서셉터(530)에 형성된 복수의 제 1 스크류 홀(528b)에 체결되는 복수의 스크류(미도시)에 의해 서셉터(530)에 분리 가능하게 설치된다. 상기의 제 2 더미 플레이트(528)는 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)가 서셉터(530)에 안착될 경우 제 2 측면 개구부(521b)에 삽입된다.The
플레이트 지지 부재(529)는 제 1 및 제 2 측면 개구부(521a, 521b)에 인접한 제 1 플레이트(521)의 일측과 타측을 지지함과 아울러 제 2 플레이트(522)의 양측을 지지한다. 이를 위해, 플레이트 지지 부재(529)는 제 1 내지 제 4 수직 바, 및 수평 바를 포함하여 구성된다.The
제 1 수직 바는 제 1 측면 개구부(521a)의 일측에 인접한 제 1 플레이트(521)의 일측에 수직하게 설치된다.The first vertical bar is vertically installed at one side of the
제 2 수직 바는 제 1 측면 개구부(521a)의 타측에 인접한 제 2 플레이트(522)의 타측에 수직하게 설치된다.The second vertical bar is installed perpendicular to the other side of the
제 3 수직 바는 제 2 측면 개구부(521b)의 일측에 인접한 제 2 플레이트(522)의 일측에 수직하게 설치된다. 이때, 제 2 및 제 3 수직 바는 하나로 구성되어 제 2 플레이트(522)를 지지할 수도 있다.The third vertical bar is vertically installed at one side of the
제 4 수직 바는 제 2 측면 개구부(521b)의 타측에 인접한 제 1 플레이트(521)의 타측에 수직하게 설치된다.The fourth vertical bar is installed perpendicular to the other side of the
수평 바는 제 1 내지 제 4 수직 바 각각의 하단부를 공통으로 지지한다.The horizontal bar commonly supports the lower end of each of the first to fourth vertical bars.
이와 같은, 플레이트 지지 부재(529)는 제 1 및 제 2 측면 개구부(521a, 521b)가 형성된 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)를 지지함으로써 제 1 플레이트(521)에 발생되는 처짐 또는 휨을 방지함과 아울러 제 2 플레이트(522)를 지지한다. 또한, 제 1 및 제 2 수직 바 사이와, 제 3 및 제 4 수직 바 사이에 마련되는 공간은 외부의 기판 반송 장치가 출입하는 출입 통로가 된다.As described above, the
서셉터(530)는 공정 챔버(510)의 하부 챔버(512)에 승강 가능하게 설치되어 박막의 증착 공정시 복수의 기판(S1 내지 S4)을 지지한다. 이를 위해, 서셉터(530)는 베이스 부재(532), 복수의 관통 홀(534), 및 복수의 핀 삽입 홈(536)을 포함하여 구성된다.The
베이스 부재(532)는 사각 형태를 가지도록 형성되어 하부 챔버(512)의 바닥면을 관통하는 승강축(531a)에 의해 승강 가능하도록 지지된다. 이때, 베이스 부재(532)는 알루미늄 재질로 이루어질 수 있다.The
상기의 승강축(531a)은 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 승강된다. 상기의 승강축(531a)은 벨로우즈(531b)에 의해 밀봉된다.The lifting
한편, 베이스 부재(532)에는 복수의 기판(S1 내지 S4)의 온도를 공정 온도에 적합하도록 가열하기 위한 히터(미도시)가 내장된다. 히터는 베이스 부재(532)를 소정의 온도를 가열함으로써 가열되는 베이스 부재(532)를 통해 복수의 기판(S1 내지 S4)을 가열한다.On the other hand, the
상기의 베이스 부재(532)는 소정 높이로 돌출된 기판 안착부(533)를 포함하여 구성된다.The
기판 안착부(533)는 기판 지지 프레임(520)의 개구부에 대응되도록 베이스 부재(532)의 가장자리 부분(BE)을 제외한 나머지 부분으로부터 소정 높이로 돌출된다. 이때, 기판 안착부(533)에는 베이스 부재(532)의 상승시 기판 지지 프레임(520)에 지지된 4개의 기판(S1 내지 S4)이 안착된다. 그리고, 베이스 부재(532)의 가장자리 부분(BE)에는 베이스 부재(532)의 상승시 기판 지지 프레임(520)의 제 1 및 제 2 플레이트(521, 522)가 안착된다.The
기판 지지 프레임(520)의 제 2 플레이트(522)에 중첩되는 베이스 부재(532)의 일측 가장자리에는 기판 지지 프레임(520)의 제 1 및 제 2 더미 플레이트(527, 528)가 상기 제 2 플레이트(522)의 길이만큼 이격되도록 설치된다. 이에 따라, 기판 지지 프레임(520)의 제 1 및 제 2 측면 개구부(521a, 521b) 각각에는 서셉터(530)의 상승시 베이스 부재(532)에 설치된 제 1 및 제 2 더미 플레이트(527, 528) 각각이 삽입된다.At one side edge of the
복수의 관통 홀(534) 각각은 베이스 부재(532)를 관통하도록 형성된다. 이러한 복수의 관통 홀(534)에는 기판 지지 부재(560)가 삽입된다. 이를 위해, 복수의 관통 홀(534) 각각은 헤드 삽입 홈(534a), 및 삽입 홀(534b)을 포함하여 구성된다.Each of the plurality of through
헤드 삽입 홈(534a)은 베이스 부재(532)의 상면으로부터 제 1 높이(H1)를 가지도록 오목하게 형성된다. 이때, 헤드 삽입 홈(534a)은 평면적으로 원 또는 사각 형태를 가지도록 형성된다.The
삽입 홀(534b)은 헤드 삽입 홈(534a)에 연통되도록 베이스 부재(532)를 관통하여 형성된다.The
복수의 핀 삽입 홈(536) 각각은 기판 지지 프레임(520)에 설치된 복수의 기판 지지 핀(523) 각각에 중첩되도록 기판 안착부(533)의 가장자리 부분에 형성된다. 이러한, 복수의 핀 삽입 홈(536) 각각에는 베이스 부재(532)의 상승시 상기 복수의 기판 지지 핀(523) 각각의 돌출부(523b) 각각이 삽입된다.Each of the plurality of
한편, 서셉터(530)의 상승에 따라 복수의 기판(S1 내지 S4)이 기판 안착부(533)에 안착되어 공정 위치로 이송되거나 박막 증착 공정시 기판(S1 내지 S4)의 열손실을 방지하기 위하여, 도 11에 도시된 확대도 "A"와 같이, 복수의 기판 지지 핀(523)이 기판(S1 내지 S4)의 배면에 접촉되지 않는 것이 바람직하다. 이를 위해, 복수의 핀 삽입 홈(536) 각각은 기판 지지 핀(523)의 높이(H4)보다 높은 높이(H5)를 가지도록 형성된다. 이에 따라, 핀 삽입 홈(536)에 삽입된 기판 지지 핀(523)은 기판(S1 내지 S4)의 배면으로부터 소정 거리(H5-H4)만큼 이격된다.Meanwhile, as the
상술한 바와 같이, 서셉터(530)는 승강축(531a)의 상승에 의해 상승되어 기판 지지 프레임(520)과 복수의 기판 지지 부재(560)에 지지된 4개의 기판(S1 내지 S4)을 동시에 지지하여 4개의 기판(S1 내지 S4)을 공정 위치로 상승시키고, 승강축(531a)의 하강에 의해 하강되어 안착된 4개의 기판(S1 내지 S4)이 기판 지지 프레임(520)과 복수의 기판 지지 부재(560)에 안착되도록 기판 출입 위치로 하강시킨다.As described above, the
가스 분사 수단(540)은 상부 챔버(514)를 관통하는 가스 공급관(542)에 연통되도록 공정 챔버(510)의 상부 챔버(514)에 설치된다. 이러한 가스 분사 수단(540)은 복수의 기판(S1 내지 S4) 상에 소정의 박막을 형성하기 위하여, 가스 공급관(542)을 통해 공급되는 소스 가스를 균일하게 확산시켜 복수의 기판(S1 내지 S4) 상에 분사한다.The gas injection means 540 is installed in the
상기의 소스 가스는 공정 챔버(510)의 공정 공간에서 수행되는 화학 기상 증착 공정에 의해 복수의 기판(S1 내지 S4)에 형성될 박막의 물질을 포함하여 이루어진다. 예를 들어, 가스 분사 수단(540)에는 유기 금속 전구체인 제 1 소스 가스와, 산소, 질소, 암모니아 등과 같은 제 2 소스 가스가 공급될 수 있다. 제 1 소스 가스는 재액화되거나 열분해되지 않는 온도로 가열된 상태로 가스 분사 수단(540)에 공급되고, 제 2 소스 가스는 실온 상태 또는 제 1 소스 가스와 동일하게 가열된 상태로 가스 분사 수단(540)에 공급될 수 있다.The source gas includes a thin film material to be formed on the plurality of substrates S1 to S4 by a chemical vapor deposition process performed in the process space of the
프레임 지지 부재(550)는 기판 지지 프레임(520)의 제 1 플레이트(521)에 형성된 복수의 지지 홀(525) 각각에 대응되도록 하부 챔버(512)의 내측벽에 설치된다. 이러한, 복수의 프레임 지지 부재(550) 각각은 서셉터(530)가 기판 출입 위치보다 더 낮게 하강될 경우에만 제 1 플레이트(521)에 형성된 복수의 지지 홀(525) 각각에 삽입되어 제 1 플레이트(521)를 지지함으로써 기판 지지 프레임(520)이 기판 출입 위치에 위치하도록 한다.The
복수의 기판 지지 부재(560) 각각은 서셉터(530)를 관통하도록 공정 챔버(510) 내부에 배치되어 기판 출입시 복수의 기판(S1 내지 S4)의 배면을 지지한다. 이러한 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 상면은 박막의 증착 공정시 서셉터(530)에 지지된 기판(S1 내지 S4)의 배면과 소정 거리만큼 이격되도록 서셉터(530)의 관통 홀(534)에 삽입된다. 이를 위해, 복수의 기판 지지 부재(560) 각각은, 도 4, 도 5, 도 6, 또는 도 7a에 도시된 바와 같이 구성되며, 이에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144, 244, 344)는 기판 출입시 복수의 기판(S1 내지 S4)의 헤드 접촉 부분을 지지하고, 박막 증착 공정시 서셉터(530)에 안착된 기판(S1 내지 S4)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(530)의 헤드 삽입 홈(534a)에 삽입된다. 이에 따라, 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144, 244, 344)는 기판 출입시를 제외하고는 기판(S1 내지 S4)과 접촉되지 않는다. 그리고, 서셉터(530)의 헤드 삽입 홈(534a)에 삽입된 헤드부(344)는 히터에 의해 가열되는 서셉터(530)의 열에 의해 가열됨으로써 기판(S1 내지 S4)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시켜 기판(S1 내지 S4)의 헤드 접촉 부분과 서셉터 접촉 부분이 열적 균형을 이루도록 한다.Each of the
도 16a 내지 도 16c는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.16A to 16C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 16a 내지 도 16c를 도 12와 결부하여 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)를 이용한 박막 증착 방법을 설명하면 다음과 같다.A thin film deposition method using the thin
먼저, 도 16a에 도시된 바와 같이, 승강축(531a)을 하강시켜 공정 챔버(510)에 설치된 서셉터(530)를 홈 위치로 하강시킨다. 이에 따라, 서셉터(530)를 관통하는 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 중량 부재(146)가 하부 챔버(512)의 바닥면에 지지됨으로써 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144/244/344)는 기판 출입 위치에 위치하게 된다. 또한, 기판 지지 프레임(520)은 프레임 지지 부재(550)에 의해 지지되어 기판 출입 위치에 위치하게 된다.First, as shown in FIG. 16A, the lifting
그런 다음, 도 16b에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(S1 내지 S4)을 공정 챔버(510)의 공정 공간으로 반입하여 기판 지지 프레임(520)과 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144/244/344)에 안착시킨다.Then, as shown in Figure 16b, the plurality of substrates (S1 to S4) is carried into the process space of the
그런 다음, 도 16c에 도시된 바와 같이, 승강축(531a)을 상승시켜 서셉터(530)를 공정 위치로 상승시킨다. 이에 따라, 서셉터(530)는 승강축(531a)의 상승에 따라 상승하여 기판 지지 프레임(520)을 상승시킴과 동시에 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344)에 지지된 기판(S1 내지 S4)을 지지하면서 공정 위치로 상승하게 된다. 이때 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344) 각각은 서셉터(530)에 안착된 기판(S1 내지 S4)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(530)의 헤드 삽입 홈(534a)에 삽입된 후, 서셉터(530)의 상승과 함께 소정 높이 상승하게 된다.Then, as shown in FIG. 16C, the lifting
이어서, 공정 챔버(510)의 내부에 진공 분위기를 형성한 다음, 서셉터(530)를 이용해 기판(S1 내지 S4)을 공정 온도로 가열한다. 이때, 헤드 삽입 홈(534a)에 삽입된 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344) 각각은 서셉터(530)의 열에 의해 가열되어 대향되는 기판(S1 내지 S4)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시킴으로써 서셉터(530)에 의해 가열되는 기판(S1 내지 S4)의 열적 균일도를 향상시킨다.Subsequently, a vacuum atmosphere is formed in the
이어서, 서셉터(530)에 대향되도록 공정 챔버(510)에 설치된 가스 분사 수단(540)을 이용해 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스를 기판(S1 내지 S4)에 분사함으로써 기판(S1 내지 S4)에 박막을 증착한다. 예를 들어, 상기의 화학 기상 증착 공정은 기판(S1 내지 S4) 상에 금속의 화합물 또는 산화물로 이루어지는 박막을 형성하는 유기 금속 화학 기상 증착 공정이 될 수 있다.Subsequently, the source gas for the chemical vapor deposition process is injected onto the substrates S1 to S4 by using the gas injection means 540 installed in the
상술한 바와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 상술한 바와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 증착 장치(100) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 기판 지지 프레임(520)과 복수의 기판 지지 부재(560)를 이용해 복수의 기판(S1 내지 S4) 또는 대면적 기판에 균일한 두께의 박막을 증착할 수 있다.The thin
도 17은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.17 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
도 17을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치(600)는 공정 챔버(510), 기판 지지 프레임(520), 서셉터(530), 가스 분사 수단(540), 프레임 지지 부재(550), 복수의 기판 지지 부재(560), 및 복수의 기판 지지 부재(560)를 가열하기 위한 가열 수단(650)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치(600)는 가열 수단(650)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.Referring to FIG. 17, the thin
가열 수단(650)은, 도 17의 확대도 "B"와 같이, 서셉터(530)를 가열하는 히터의 구동에 동기되어 복수의 기판 지지 부재(560)를 가열한다. 이를 위해, 가열 수단(650)은 복수의 가열 부재(152), 복수의 전원 공급 부재(154), 및 복수의 전원 케이블(156)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 가열 수단(650)은 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400)의 가열 수단(150)과 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.The heating means 650 heats the plurality of
이와 같은 가열 수단(650)은 박막 증착 공정을 위한 기판(S1 내지 S4)의 가열과 동기되는 가열 부재(152)의 구동에 따라 복수의 기판 지지 부재(560) 각각을 가열함으로써 서셉터(530)에 의해 가열되는 기판(S1 내지 S4)의 열적 균일도를 향상시킨다.The heating means 650 heats each of the plurality of
상술한 바와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치(600) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 서셉터(530)를 이용한 기판(S1 내지 S4)의 가열과 함과 가열 수단(650)을 이용해 기판 지지 부재(560)를 가열하는 것을 제외하고는 도 16a 내지 도 16c에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.As described above, the thin
따라서, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 박막 증착 장치(600) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일한 효과를 제공한다.Accordingly, the thin
도 18은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 19는 도 18에 도시된 서셉터와 기판 지지 프레임 및 기판 지지 부재를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 18 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a view for explaining the susceptor, the substrate support frame, and the substrate support member shown in FIG. 18.
도 18 및 도 19를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(700)는 공정 챔버(510), 공정 챔버(510)의 내부에 배치되어 복수의 기판(S1 내지 S4) 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임(720), 기판 지지 프레임(520)을 관통하여 승강되어 복수의 기판(S1 내지 S4)을 지지하기 위한 서셉터(730), 가스 분사 수단(540), 프레임 지지 부재(550), 및 복수의 기판 지지 부재(560)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(700)에서 기판 지지 프레임(720)과 서셉터(730)를 제외한 나머지 구성들은 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.18 and 19, the thin
기판 지지 프레임(720)은 기판 출입구를 출입하는 기판 반송 장치로부터 공정 챔버(510)의 내부로 로딩되는 복수의 기판(S1 내지 S4) 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하거나, 공정 챔버(510)에서 외부로 언로딩되는 복수의 기판(S1 내지 S4)의 일측 가장자리 부분을 지지한다. 이를 위해, 기판 지지 프레임(720)은 제 1 플레이트(521), 제 2 플레이트(522), 복수의 기판 지지 핀(523), 복수의 지지 홀(525), 및 플레이트 지지 부재(529)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 기판 지지 프레임(720)은 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)에서 기판 지지 프레임(520)의 제 1 및 제 2 더미 플레이트(527, 528) 각각이 생략되어 구성되는 것을 제외한 모두 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 기판 지지 프레임(720)은 프레임 지지 부재(550)에 의해 지지되어 기판 출입 위치에 고정된다. 즉, 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)에서 기판 지지 프레임(520)은 서셉터(530)의 승강에 따라 승강되지만, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(700)의 기판 지지 프레임(720)은 서셉터(530)의 승강에 따라 승강되지 않고 프레임 지지 부재(550)에 지지되어 고정된 상태를 유지한다.The
서셉터(730)는 기판 지지 프레임(720)의 제 1 플레이트(521)에 의해 마련된 개구부를 관통하여 승강될 수 있도록 하부 챔버(512)에 설치되어 박막의 증착 공정시 복수의 기판(S1 내지 S4)을 지지한다. 이를 위해, 서셉터(730)는 베이스 부재(732) 및 복수의 관통 홀(734)을 포함하여 구성된다.The
베이스 부재(732)는 사각 형태를 가지도록 형성되되 기판 지지 프레임(720)의 제 1 플레이트(521)에 의해 마련된 개구부를 통과할 수 있는 크기를 가지도록 형성된다. 이때, 베이스 부재(732)는 알루미늄 재질로 이루어질 수 있다. 이러한 베이스 부재(732)는 하부 챔버(512)의 바닥면을 관통하는 승강축(731a)에 의해 승강 가능하도록 지지된다.The
상기의 승강축(731a)은 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 승강된다. 상기의 승강축(731a)은 벨로우즈(731b)에 의해 밀봉된다.The lifting
한편, 베이스 부재(732)에는 복수의 기판(S1 내지 S4)의 온도를 공정 온도에 적합하도록 가열하기 위한 히터(미도시)가 내장된다. 히터는 베이스 부재(732)를 소정의 온도를 가열함으로써 가열되는 베이스 부재(732)를 통해 복수의 기판(S1 내지 S4)을 가열한다.On the other hand, the
복수의 관통 홀(734) 각각은 베이스 부재(732)를 관통하도록 형성된다. 이러한 복수의 관통 홀(734)에는 기판 지지 부재(560)가 삽입된다. 이를 위해, 복수의 관통 홀(734) 각각은 헤드 삽입 홈(734a), 및 삽입 홀(734b)을 포함하여 구성된다.Each of the plurality of through
헤드 삽입 홈(734a)은 베이스 부재(732)의 상면으로부터 제 1 높이(H1)를 가지도록 오목하게 형성된다. 이때, 헤드 삽입 홈(734a)은 평면적으로 원 또는 사각 형태를 가지도록 형성된다.The
삽입 홀(734b)은 헤드 삽입 홈(734a)에 연통되도록 베이스 부재(732)를 관통하여 형성된다.The
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 이용한 박막 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.20A to 20C are diagrams for describing a thin film deposition method using a thin film deposition apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
도 20a 내지 도 20c를 도 21과 결부하여 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500)를 이용한 박막 증착 방법을 설명하면 다음과 같다.20A to 20C will be described with reference to FIG. 21 to describe a thin film deposition method using the thin
먼저, 도 20a에 도시된 바와 같이, 승강축(731a)을 하강시켜 공정 챔버(510)에 설치된 서셉터(730)를 홈 위치로 하강시킨다. 이에 따라, 서셉터(730)를 관통하는 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 중량 부재(146)가 하부 챔버(512)의 바닥면에 지지됨으로써 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144/244/344)는 기판 출입 위치에 위치하게 된다.First, as shown in FIG. 20A, the lifting
그런 다음, 도 20b에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(S1 내지 S4)을 공정 챔버(510)의 공정 공간으로 반입하여 기판 지지 프레임(720)과 복수의 기판 지지 부재(560) 각각의 헤드부(144/244/344)에 안착시킨다.Then, as shown in FIG. 20B, the plurality of substrates S1 to S4 are brought into the process space of the
그런 다음, 도 20c에 도시된 바와 같이, 승강축(731a)을 상승시켜 서셉터(730)를 공정 위치로 상승시킨다. 이에 따라, 서셉터(730)는 승강축(731a)의 상승에 따라 기판 지지 프레임(720)을 통과하여 상승하면서 기판 지지 프레임(720)과 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344)에 지지된 기판(S1 내지 S4)을 지지하면서 공정 위치로 상승하게 된다. 이때 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344) 각각은 서셉터(730)에 안착된 기판(S1 내지 S4)의 배면과 소정 거리(H1-H2)만큼 이격되도록 서셉터(730)의 헤드 삽입 홈(734a)에 삽입된 후, 서셉터(730)의 상승과 함께 소정 높이 상승하게 된다.Then, as shown in FIG. 20C, the lifting
이어서, 공정 챔버(510)의 내부에 진공 분위기를 형성한 다음, 서셉터(730)를 이용해 기판(S1 내지 S4)을 공정 온도로 가열한다. 이때, 헤드 삽입 홈(734a)에 삽입된 복수의 기판 지지 부재(560)의 헤드부(144/244/344) 각각은 서셉터(730)의 열에 의해 가열되어 대향되는 기판(S1 내지 S4)의 헤드 접촉 부분의 온도를 증가시킴으로써 서셉터(730)에 의해 가열되는 기판(S1 내지 S4)의 열적 균일도를 향상시킨다.Subsequently, a vacuum atmosphere is formed in the
이어서, 서셉터(730)에 대향되도록 공정 챔버(510)에 설치된 가스 분사 수단(540)을 이용해 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스를 기판(S1 내지 S4)에 분사함으로써 기판(S1 내지 S4)에 박막을 증착한다. 예를 들어, 상기의 화학 기상 증착 공정은 기판(S1 내지 S4) 상에 금속의 화합물 또는 산화물로 이루어지는 박막을 형성하는 유기 금속 화학 기상 증착 공정이 될 수 있다.Subsequently, the source gas for the chemical vapor deposition process is injected onto the substrates S1 to S4 by using the gas injection means 540 installed in the
상술한 바와 같은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(700) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 상술한 바와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(600) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 기판 지지 프레임(720)과 복수의 기판 지지 부재(560)를 이용해 복수의 기판(S1 내지 S4) 또는 대면적 기판에 균일한 두께의 박막을 증착할 수 있다.The thin
도 21은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.21 is a view for explaining a thin film deposition apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
도 21을 참조하면, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치(800)는 공정 챔버(510), 기판 지지 프레임(720), 서셉터(730), 가스 분사 수단(540), 프레임 지지 부재(550), 복수의 기판 지지 부재(560), 및 복수의 기판 지지 부재(560)를 가열하기 위한 가열 수단(850)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치(800)는 가열 수단(850)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 박막 증착 장치(700)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.Referring to FIG. 21, the thin
가열 수단(850)은, 도 21의 확대도 "C"와 같이, 서셉터(730)를 가열하는 히터의 구동에 동기되어 복수의 기판 지지 부재(560)를 가열한다. 이를 위해, 가열 수단(850)은 복수의 가열 부재(152), 복수의 전원 공급 부재(154), 및 복수의 전원 케이블(156)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 가열 수단(850)은 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 증착 장치(400)의 가열 수단(150)과 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.The heating means 850 heats the plurality of
이와 같은 가열 수단(850)은 박막 증착 공정을 위한 기판(S1 내지 S4)의 가열과 동기되는 가열 부재(152)의 구동에 따라 복수의 기판 지지 부재(560) 각각을 가열함으로써 서셉터(730)에 의해 가열되는 기판(S1 내지 S4)의 열적 균일도를 향상시킨다.The heating means 850 heats each of the plurality of
상술한 바와 같은, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치(800) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 서셉터(730)를 이용한 기판(S1 내지 S4)의 가열과 함과 가열 수단(850)을 이용해 기판 지지 부재(560)를 가열하는 것을 제외하고는 도 16a 내지 도 16c에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일하기 때문에 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.As described above, the thin
따라서, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치(800) 및 이를 이용한 박막 증착 방법은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 증착 장치(500) 및 이를 이용한 박막 증착 방법과 동일한 효과를 제공한다.Therefore, the thin
한편, 상술한 본 발명의 제 1 내지 제 6 실시 예에 따른 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법에서는 금속 유기 화학 기상 증착 공정을 수행하여 적어도 하나의 기판(S)에 금속의 화합물 또는 산화물로 이루어지는 박막을 형성하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 금속 유기 화학 기상 증착 공정 이외의 다른 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 수행하여 박막을 형성할 수도 있다.Meanwhile, in the above-described thin film deposition apparatus and the thin film deposition method using the same according to the first to sixth embodiments of the present invention, a metal organic chemical vapor deposition process is performed, and the at least one substrate S is formed of a metal compound or oxide. Although described as forming the thin film, the present invention is not limited thereto, and the thin film may be formed by performing a chemical vapor deposition process or an atomic layer deposition process other than the metal organic chemical vapor deposition process.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
110, 510: 공정 챔버 112, 512: 하부 챔버
114, 514: 상부 챔버 120, 530, 730: 서셉터
130, 540: 가스 분사 수단 140, 560 : 기판 지지 부재
142, 242, 342, 345: 지지대 144, 244, 344: 헤드부
146: 중량 부재 150, 650, 850: 가열 수단
520, 720: 기판 지지 프레임 550: 프레임 지지 부재110, 510:
114, 514:
130, 540: gas injection means 140, 560: substrate support member
142, 242, 342, 345:
146:
520, 720: substrate support frame 550: frame support member
Claims (23)
상기 공정 챔버에 배치되어 상기 박막의 증착 공정시 상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 서셉터;
상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치되어 상기 증착 공정을 위한 소스 가스를 상기 기판에 분사하는 가스 분사 수단; 및
상기 서셉터를 관통하도록 배치되어 기판 출입시 상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 복수의 기판 지지 부재를 포함하여 구성되며,
상기 박막의 증착 공정시 상기 복수의 기판 지지 부재 각각의 상면은 상기 서셉터에 지지된 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.A process chamber providing a process space for depositing a thin film on at least one substrate using a deposition process;
A susceptor disposed in the process chamber to support the at least one substrate during the deposition process of the thin film;
Gas injection means installed in the process chamber so as to face the susceptor and injecting a source gas for the deposition process onto the substrate; And
A plurality of substrate supporting members disposed to penetrate the susceptor to support the at least one substrate when entering and exiting the substrate;
And a top surface of each of the plurality of substrate supporting members is inserted into the susceptor so as to be spaced apart from a rear surface of the substrate supported by the susceptor at a predetermined distance during the deposition process of the thin film.
상기 서셉터는 승강 장치에 의해 승강되는 베이스 부재, 상기 베이스 부재에 내장된 히터, 및 상기 베이스 부재를 관통하도록 형성된 복수의 관통 홀을 포함하여 구성되며,
상기 복수의 관통 홀 각각은,
상기 베이스 부재의 상면으로부터 상기 제 1 높이를 가지도록 오목하게 형성된 헤드 삽입 홈; 및
상기 헤드 삽입 홈에 연통되도록 상기 베이스 부재를 관통하여 형성된 삽입 홀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The susceptor is configured to include a base member which is lifted by the lifting device, a heater built in the base member, and a plurality of through holes formed to penetrate the base member,
Each of the plurality of through holes is
A head insertion groove concavely formed to have the first height from an upper surface of the base member; And
And an insertion hole formed through the base member so as to communicate with the head insertion groove.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은,
상기 삽입 홀에 관통하도록 삽입된 지지대; 및
상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성되어 상기 지지대의 상면에 결합된 헤드부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 2,
Each of the plurality of substrate support members
A support inserted to penetrate the insertion hole; And
And a head portion formed to have a second height lower than the first height and coupled to an upper surface of the support.
상기 지지대와 상기 헤드부 각각은 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 하나의 몸체로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 3, wherein
Each of the support and the head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more, or the same material as that of the susceptor, and a thin film deposition apparatus, characterized in that formed in one body.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 지지대와 상기 헤드부에 코팅된 은(Ag), 구리(Cu), 또는 금(Au) 재질의 코팅층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 3, wherein
Each of the plurality of substrate support members further comprises a coating layer made of silver (Ag), copper (Cu), or gold (Au) coated on the support and the head.
상기 지지대를 가열하여 상기 헤드부를 가열하는 가열 수단을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
And a heating means for heating the support to heat the head portion.
상기 헤드부는 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어지고,
상기 지지대는 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 3, wherein
The head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more or the same material as the susceptor,
Thin film deposition apparatus, characterized in that the support is made of a ceramic material.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은,
상기 삽입 홀에 관통하도록 삽입되되 상기 기판의 출입시 상기 서셉터의 상부에 위치하고 상기 증착 공정시 상기 삽입 홀 내부에 위치하는 제 1 지지대;
상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성되어 상기 제 1 지지대의 상면에 결합된 헤드부; 및
상기 제 1 지지대의 하부에 결합되어 상기 삽입 홀에 삽입되되 상기 기판의 출입시 상기 삽입 홀 내부에 위치하고 상기 증착 공정시 상기 서셉터의 하부에 위치하는 제 2 지지대를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 2,
Each of the plurality of substrate support members
A first support inserted into the insertion hole and positioned above the susceptor when the substrate enters and exits the insertion hole, and positioned inside the insertion hole during the deposition process;
A head portion formed to have a second height lower than the first height and coupled to an upper surface of the first support; And
A second support coupled to a lower portion of the first support and inserted into the insertion hole, the second support being positioned inside the insertion hole when the substrate enters and exits, and positioned below the susceptor during the deposition process. Thin film deposition apparatus.
상기 제 1 지지대와 상기 헤드부 각각은 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 하나의 몸체로 형성되고,
상기 제 2 지지대는 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 8,
Each of the first support and the head is formed of a single body made of a material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more or the same material as that of the susceptor.
The second support is a thin film deposition apparatus, characterized in that made of a ceramic material.
상기 서셉터의 승강에 따라 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 서셉터의 가장자리 부분에 대응되는 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임; 및
상기 공정 챔버의 내측벽에 설치되어 상기 서셉터의 하강시 상기 기판 지지 프레임을 지지하는 복수의 프레임 지지 부재를 더 포함하여 구성되며,
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
A substrate support frame disposed in the process chamber to move up and down by the susceptor to support one side edge of each of the plurality of substrates corresponding to the edge of the susceptor; And
It is configured to further include a plurality of frame support member is installed on the inner wall of the process chamber to support the substrate support frame when the susceptor is lowered,
And each of the plurality of substrate supporting members supports the remaining edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 기판 지지 프레임은,
상기 서셉터의 가장자리 부분에 중첩되도록 형성되어 상기 서셉터의 승강시 상기 서셉터의 가장자리 부분에 안착되는 플레이트;
상기 플레이트에 형성되어 상기 서셉터의 하강시 상기 복수의 프레임 지지 부재가 삽입되는 복수의 지지 홀; 및
상기 플레이트의 내측벽에 분리 가능하게 설치되어 상기 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 복수의 기판 지지 핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.11. The method of claim 10,
The substrate support frame,
A plate formed to overlap an edge portion of the susceptor and seated at an edge portion of the susceptor when the susceptor is lifted and raised;
A plurality of support holes formed in the plate and into which the plurality of frame support members are inserted when the susceptor descends; And
And a plurality of substrate support pins detachably installed on an inner side wall of the plate to support one edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 서셉터가 통과하여 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩시에만 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 기판 지지 프레임; 및
상기 공정 챔버의 내측벽에 설치되어 상기 기판 지지 프레임을 지지하는 복수의 프레임 지지 부재를 더 포함하여 구성되며,
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
A substrate support frame disposed inside the process chamber to allow the susceptor to move up and down to support one edge portion of each of the plurality of substrates only when the substrate is loaded or unloaded; And
It is configured to further include a plurality of frame support members installed on the inner wall of the process chamber for supporting the substrate support frame,
And each of the plurality of substrate supporting members supports the remaining edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 기판 지지 프레임은,
상기 서셉터에 중첩되지 않도록 형성되어 상기 프레임 지지 부재에 지지된 플레이트;
상기 플레이트에 형성되어 상기 서셉터의 하강시 상기 복수의 프레임 지지 부재가 삽입되는 복수의 지지 홀; 및
상기 플레이트의 내측벽에 분리 가능하게 설치되어 상기 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하는 복수의 기판 지지 핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.13. The method of claim 12,
The substrate support frame,
A plate formed so as not to overlap the susceptor and supported by the frame support member;
A plurality of support holes formed in the plate and into which the plurality of frame support members are inserted when the susceptor descends; And
And a plurality of substrate support pins detachably installed on an inner side wall of the plate to support one edge portion of each of the plurality of substrates.
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 서셉터의 승강에 따라 승강되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.14. The method according to claim 11 or 13,
And each of the plurality of substrate support members is elevated in accordance with the elevation of the susceptor.
상기 복수의 기판 지지 핀 각각은 엔지니어링 플라스틱(Engineering Plastics) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.14. The method according to claim 11 or 13,
Each of the plurality of substrate support pins is a thin film deposition apparatus, characterized in that made of Engineering Plastics.
상기 공정 챔버에 설치된 서셉터를 관통하도록 배치된 복수의 기판 지지 부재를 이용하여 상기 공정 챔버로 로딩되는 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계;
상기 복수의 기판 지지 부재에 안착된 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계;
상기 서셉터의 가열을 통해 상기 적어도 하나의 기판을 가열하는 단계; 및
상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버에 설치된 가스 분사 수단을 이용해 상기 증착 공정을 위한 소스 가스를 상기 기판에 분사하여 상기 적어도 하나의 기판에 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지며,
상기 박막의 증착 공정시 상기 복수의 기판 지지 부재 각각의 상면은 상기 서셉터에 안착된 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입된 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.In the thin film deposition method of depositing a thin film on at least one substrate using a deposition process performed in the process space of the process chamber,
Supporting at least one substrate loaded into the process chamber using a plurality of substrate support members disposed through the susceptor installed in the process chamber;
Mounting at least one substrate seated on the plurality of substrate support members on an upper surface of the susceptor;
Heating the at least one substrate through heating of the susceptor; And
And depositing a thin film on the at least one substrate by injecting a source gas for the deposition process onto the substrate using a gas injection means installed in the process chamber so as to face the susceptor.
And a top surface of each of the plurality of substrate support members is inserted into the susceptor so as to be spaced apart from the rear surface of the substrate seated on the susceptor by a predetermined distance during the deposition process of the thin film.
상기 서셉터는 제 1 높이를 가지도록 오목하게 형성된 헤드 삽입 홈을 포함하고,
상기 복수의 기판 지지 부재 각각은 상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 가지도록 형성된 헤드부를 포함하며,
상기 헤드 삽입 홈에 삽입된 상기 헤드부는 상기 제 1 및 제 2 높이의 차이만큼 상기 서셉터에 안착된 기판의 배면으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.17. The method of claim 16,
The susceptor includes a head insertion groove concavely formed to have a first height,
Each of the plurality of substrate supporting members includes a head portion formed to have a second height lower than the first height,
And the head portion inserted into the head insertion groove is spaced apart from a rear surface of the substrate seated on the susceptor by a difference between the first and second heights.
상기 헤드부는 100W/mK 이상의 열전도율을 가지는 재질 또는 상기 서셉터와 동일한 재질로 이루어져 상기 서셉터의 가열시 서셉터로부터 전달되는 열을 통해 이격된 기판의 온도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The method of claim 17,
The head portion is made of a material having a thermal conductivity of 100W / mK or more or the same material as the susceptor, the thin film deposition method characterized in that to increase the temperature of the substrate spaced apart through the heat transferred from the susceptor when the susceptor is heated.
상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계는,
상기 서셉터의 승강에 따라 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치된 기판 지지 프레임을 이용해 상기 서셉터의 가장자리 부분에 대응되는 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하고,
상기 복수의 기판 지지 부재 각각을 이용해 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.17. The method of claim 16,
Supporting the at least one substrate,
Supports one edge portion of each of the plurality of substrates corresponding to the edge portion of the susceptor by using a substrate support frame disposed inside the process chamber so that the susceptor moves up and down,
And a remaining edge portion of each of the plurality of substrates using each of the plurality of substrate support members.
상기 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계는 상기 서셉터를 상승시켜 상기 기판 지지 프레임과 상기 복수의 기판 및 상기 복수의 기판 지지 부재를 상승시키는 단계를 포함하여 구성되고,
상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터의 상면에 안착되고,
상기 복수의 기판 지지 부재는 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터에 안착된 상기 복수의 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입됨과 아울러 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.The method of claim 19,
Seating the at least one substrate on an upper surface of the susceptor comprises raising the susceptor to lift the substrate support frame, the plurality of substrates and the plurality of substrate support members,
The plurality of substrates are seated on the upper surface of the susceptor as the susceptor rises,
The plurality of substrate supporting members may be inserted into the susceptor so as to be spaced apart from the rear surface of the plurality of substrates seated on the susceptor by a predetermined distance as the susceptor is raised, and as the susceptor is raised, A thin film deposition method which is raised from the bottom to a predetermined height.
상기 적어도 하나의 기판을 지지하는 단계는,
상기 서셉터가 통과하여 승강되도록 상기 공정 챔버의 내부에 배치된 기판 지지 프레임을 이용해 복수의 기판 각각의 일측 가장자리 부분을 지지하고,
상기 복수의 기판 지지 부재 각각을 이용해 상기 복수의 기판 각각의 나머지 가장자리 부분을 지지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.17. The method of claim 16,
Supporting the at least one substrate,
Supports one side edge portion of each of the plurality of substrates by using a substrate support frame disposed inside the process chamber so that the susceptor passes up and down,
And a remaining edge portion of each of the plurality of substrates using each of the plurality of substrate support members.
상기 적어도 하나의 기판을 상기 서셉터의 상면에 안착시키는 단계는 상기 서셉터를 상승시켜 상기 복수의 기판 및 상기 복수의 기판 지지 부재를 상승시키는 단계를 포함하여 구성되고,
상기 복수의 기판은 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터의 상면에 안착되고,
상기 복수의 기판 지지 부재는 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 서셉터에 안착된 상기 복수의 기판의 배면과 소정 거리로 이격되도록 상기 서셉터에 삽입됨과 아울러 상기 서셉터의 상승에 따라 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 소정 높이로 상승되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.22. The method of claim 21,
Seating the at least one substrate on an upper surface of the susceptor comprises raising the susceptor to raise the plurality of substrates and the plurality of substrate support members,
The plurality of substrates are seated on the upper surface of the susceptor as the susceptor rises,
The plurality of substrate supporting members may be inserted into the susceptor so as to be spaced apart from the rear surface of the plurality of substrates seated on the susceptor by a predetermined distance as the susceptor is raised, and as the susceptor is raised, A thin film deposition method which is raised from the bottom to a predetermined height.
상기 적어도 하나의 기판이 상기 서셉터 상면에 안착되면, 상기 복수의 기판 지지 부재 각각에 설치된 가열 수단을 이용해 상기 복수의 기판 지지 부재를 가열하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법.17. The method of claim 16,
And when the at least one substrate is seated on an upper surface of the susceptor, heating the plurality of substrate support members using heating means provided on each of the plurality of substrate support members.
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| KR20160075385A (en) * | 2016-02-02 | 2016-06-29 | 주식회사 테스 | Susceptor and substrate processing apparatus having the same |
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