KR20130009313A - An appararus of polishing an edge of a wafer - Google Patents

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KR20130009313A
KR20130009313A KR1020110070328A KR20110070328A KR20130009313A KR 20130009313 A KR20130009313 A KR 20130009313A KR 1020110070328 A KR1020110070328 A KR 1020110070328A KR 20110070328 A KR20110070328 A KR 20110070328A KR 20130009313 A KR20130009313 A KR 20130009313A
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for polishing the edge of a wafer is provided to decrease the use amount of slurry by supplying slurry intensively a part of a grinding pad touching the edge of the wafer. CONSTITUTION: A chuck(50) loads a wafer. A drum(30) is arranged in the upper part of the chuck. A grinding pad(210) polishes the edge of the wafer loaded in the chuck. A slurry supplying pipe(220) supplies slurry through the drum. An injection nozzle(230) sprays the slurry supplied from the slurry supplying pipe to the grinding pad.

Description

웨이퍼 에지 연마 장치{An appararus of polishing an edge of a wafer}An appararus of polishing an edge of a wafer

실시 예는 웨이퍼 에지 연마 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer edge polishing apparatus.

웨이퍼 에지를 폴리싱(polishing)하는 공정에서는 슬러리(slurry)와 패드(pad)가 사용된다. 이때 슬러리는 자유 낙하 방식으로 회전하는 웨이퍼 표면에 공급되어 비산된다. 그리고 회전축을 중심으로 회전하는 드럼에 부착된 패드와 척(chuck)에 로딩되어 회전하는 웨이퍼의 에지가 마찰을 하여 웨이퍼 에지의 폴리싱이 수행될 수 있다.Slurry and pads are used in the process of polishing the wafer edges. At this time, the slurry is supplied to the surface of the rotating wafer in a free-falling manner and scattered. The wafer edge may be polished by friction between the pad attached to the drum rotating about the rotation axis and the edge of the rotating wafer loaded on the chuck.

웨이퍼 에지 폴리싱 공정의 경우 웨이퍼 에지에 의하여 패드가 받는 압력이 높기 때문에 가공 시간은 짧지만 패드의 손상이 크다.In the wafer edge polishing process, since the pressure applied to the pad by the wafer edge is high, the processing time is short but the pad is damaged.

도 3은 웨이퍼(5)의 에지(7)에 의하여 패드가 받는 압력 및 손상을 나타내는 개념도이다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼(5)의 에지(7)와 연마 장치의 패드(2)는 서로 압력을 형성하며, 이로 인하여 패드(2)의 표층부(3)는 눌려진다. 웨이퍼(5)의 자체 탄성에 의하여 눌려진 패드(2)의 표층부(3)가 원상태로 복원되어야 패드(2)의 수명이 길어질 수 있다.3 is a conceptual diagram showing the pressure and damage the pads receive by the edge 7 of the wafer 5. Referring to FIG. 3, the edge 7 of the wafer 5 and the pad 2 of the polishing apparatus form pressure with each other, which causes the surface layer portion 3 of the pad 2 to be pressed. The lifespan of the pad 2 may be extended when the surface layer portion 3 of the pad 2 pressed by the elasticity of the wafer 5 is restored to its original state.

그러나 일반적으로 웨이퍼(5)의 에지(7)는 단면적이 작아 패드(2)가 받는 압력이 크기 때문에 눌려진 패드(2)의 표층부(3)가 원상태로 쉽게 복원되는 않아 패드(2)의 수명이 단축될 수 있다.However, in general, the edge 7 of the wafer 5 has a small cross-sectional area, and the pressure applied to the pad 2 is large, so that the surface layer portion 3 of the pressed pad 2 is not easily restored to its original state. Can be shortened.

실시 예는 연마 패드의 수명을 연장하고, 슬러리량 사용량을 감소시킬 수 있는 웨이퍼 에지 연마 장치를 제공한다.The embodiment provides a wafer edge polishing apparatus capable of extending the life of the polishing pad and reducing the amount of slurry used.

실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치는 웨이퍼를 로딩하는 척, 상기 척 상부에 배치되는 드럼, 상기 드럼의 내측면에 고정되며, 상기 척에 로딩된 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 패드, 상기 드럼을 관통하며, 슬러리를 공급하는 슬러리 공급관, 및 상기 슬러리 공급관으로부터 공급되는 슬러리를 상기 연마 패드로 분사하는 분사 노즐을 포함한다.The wafer edge polishing apparatus according to the embodiment includes a chuck for loading a wafer, a drum disposed on the chuck, a polishing pad fixed to an inner surface of the drum, and a polishing pad for polishing an edge of the wafer loaded on the chuck, and penetrating the drum. And a slurry supply pipe for supplying a slurry, and an injection nozzle for spraying the slurry supplied from the slurry supply pipe to the polishing pad.

상기 웨이퍼 에지 연마 장치는 상기 슬러리 공급관 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급하는 압력 펌프를 더 포함할 수 있다.The wafer edge polishing apparatus may further include a pressure pump for supplying a slurry of a predetermined pressure into the slurry supply pipe.

상기 압력 펌프에 의하여 공급되는 슬러리의 압력은 12 MPa ~ 18 MPa일 수 있다.The pressure of the slurry supplied by the pressure pump may be 12 MPa ~ 18 MPa.

상기 드럼은 상면 판, 및 상기 상면 판의 둘레와 연결되고, 링 형태를 갖는 측면부를 포함하며, 상기 연마 패드는 상기 측면부의 내면에 부착될 수 있다. 상기 드럼은 상기 로딩되는 웨이퍼의 상면을 기준으로 1° ~ 3 °기울어질 수 있다.The drum may be connected to a top plate and a circumference of the top plate and include a side portion having a ring shape, and the polishing pad may be attached to an inner surface of the side portion. The drum may be tilted by 1 ° to 3 ° based on the top surface of the loaded wafer.

상기 분사 노즐로부터 분사되는 슬러리의 분사 방향은 상기 측면부 안쪽의 중앙 영역으로부터 상기 측면부의 내면에 고정되는 상기 연마 패드 방향일 수 있다.The spraying direction of the slurry sprayed from the spray nozzle may be in the polishing pad direction fixed to the inner surface of the side portion from the central region inside the side portion.

상기 분사 노즐은 복수의 서로 다른 방향으로 개방되는 복수의 분사구들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 분사구들은 상기 분사 노즐을 기준으로 서로 대칭적으로 마련될 수 있다. The injection nozzle may include a plurality of injection holes opened in a plurality of different directions. The plurality of injection holes may be provided symmetrically with respect to the injection nozzle.

실시 예는 연마 패드의 수명을 연장하고, 슬러리량 사용량을 감소시킬 수 있다.Embodiments can extend the life of the polishing pad and reduce the amount of slurry used.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 연마 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다.
도 3은 웨이퍼 에지에 의하여 패드가 받는 압력 및 손상을 나타내는 개념도이다.
도 4는 도 2에 도시된 분사 노즐로부터 분사되는 슬러리에 의한 연마 패드의 표층부의 복원을 나타내는 모식도이다.
도 5는 웨이퍼의 에지 베벨을 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of the wafer edge polishing apparatus shown in FIG. 1.
3 is a conceptual diagram illustrating pressure and damage that a pad receives by a wafer edge.
It is a schematic diagram which shows restoration of the surface layer part of the polishing pad by the slurry sprayed from the spray nozzle shown in FIG.
5 shows the edge bevel of the wafer.
6 is a schematic cross-sectional view of a wafer edge polishing apparatus according to another embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 연마 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다. 1 is a perspective view of a wafer edge polishing apparatus according to an embodiment, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the wafer edge polishing apparatus shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 에지 연마 장치(100)는 회전축(spindle, 10), 드럼 브라켓(drum braket, 20), 드럼(drum, 30), 연마 패드(210), 척 패드(chuck pad, 40), 척(chuck, 50), 슬러리 공급관(220), 분사 노즐(nozzle, 230), 및 압력 펌프(240), 슬러리 비산 방지 상부 커버(60), 및 슬러리 비산 방지 하부 커버(70)를 포함한다.1 and 2, the wafer edge polishing apparatus 100 includes a spindle 10, a drum braket 20, a drum 30, a polishing pad 210, and a chuck pad. pad 40, chuck 50, slurry feed tube 220, injection nozzle 230, and pressure pump 240, slurry scattering prevention top cover 60, and slurry scattering prevention bottom cover 70 ).

회전축(10)은 일정한 방향으로 회전할 수 있으며, 드럼 브라켓(20)과 연결된다. 예컨대, 회전축(10)은 모터(미도시)에 의하여 회전할 수 있다. 또한 회전축(10)은 상하 운동이 가능하다.The rotating shaft 10 may rotate in a predetermined direction and is connected to the drum bracket 20. For example, the rotation shaft 10 may rotate by a motor (not shown). In addition, the rotary shaft 10 can be moved up and down.

드럼 브라켓(20)은 일면(예컨대, 상면)이 회전축(10)과 연결되며, 회전축(10)이 회전함에 따라 일정한 방향으로 회전할 수 있다. 드럼 브라켓(20)은 원통 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.One side (eg, the upper surface) of the drum bracket 20 is connected to the rotating shaft 10, and may rotate in a predetermined direction as the rotating shaft 10 rotates. The drum bracket 20 may have a cylindrical shape, but is not limited thereto.

드럼(30)은 드럼 브라켓(20)의 다른 일면(예컨대, 하면)에 고정된다. 드럼(30)은 회전축(10)에 의하여 드럼 브라켓(20)이 회전함에 따라 일정한 방향으로 회전할 수 있다. 또한 드럼(30)은 회전축(10)의 상하 운동에 의하여 상하로 이동할 수 있다.The drum 30 is fixed to the other side (eg, bottom) of the drum bracket 20. The drum 30 may rotate in a predetermined direction as the drum bracket 20 rotates by the rotation shaft 10. In addition, the drum 30 may move up and down by vertical movement of the rotation shaft 10.

드럼(30)은 드럼 브라켓(20)과 마찬가지로 원통 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The drum 30 may have a cylindrical shape like the drum bracket 20, but is not limited thereto.

드럼(30)은 상면 판(32)과 측면부(34)를 포함한다, 상면 판(32)은 드럼 브라켓(20)의 하면에 고정되며, 원형일 수 있다. 측면부(34)는 상면 판(32)의 둘레와 연결되고, 드럼 브라켓(20)의 반대 방향으로 확장되는 링 형태일 수 있다.The drum 30 includes an upper plate 32 and a side portion 34. The upper plate 32 is fixed to the lower surface of the drum bracket 20 and may be circular. The side portion 34 may be connected to the circumference of the upper plate 32 and may have a ring shape extending in the opposite direction of the drum bracket 20.

연마 패드(210)는 드럼(30)의 내측면에 고정된다. 예컨대, 연마 패드(210)는 측면부(34)의 내면(32-1)에 부착될 수 있다. 드럼(30)의 측면부(34)의 내면(32-1)에는 복수의 연마 패드들이 서로 이격하여 부착될 수 있다. 예컨대, 측면부(34)의 내면(32-1)에 4 조각 또는 5 조각의 연마 패드들이 부착될 수 있다.The polishing pad 210 is fixed to the inner side of the drum 30. For example, the polishing pad 210 may be attached to the inner surface 32-1 of the side portion 34. A plurality of polishing pads may be spaced apart from each other on the inner surface 32-1 of the side surface 34 of the drum 30. For example, four or five pieces of polishing pads may be attached to the inner surface 32-1 of the side portion 34.

드럼(30)은 웨이퍼(201)의 상면, 또는 척 패드(40)를 기준으로 θ 만큼 기울어지도록 배치된다. 예컨대, θ = 1° ~ 3 °일 수 있다. The drum 30 is disposed to be inclined by θ relative to the upper surface of the wafer 201 or the chuck pad 40. For example, θ = 1 ° -3 °.

특히 연마 패드(210)와 웨이퍼(201)의 에지 베벨(edge bevel) 영역과의 접촉 면적을 최대로 하기 위하여 드럼(30)은 웨이퍼(201)의 상면으로부터 2 °기울어지도록 배치될 수 있다.In particular, in order to maximize the contact area between the polishing pad 210 and the edge bevel area of the wafer 201, the drum 30 may be arranged to be tilted 2 ° from the top surface of the wafer 201.

도 5는 웨이퍼(201)의 에지 베벨을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 웨이퍼의 에지 베벨(A1, A2)은 웨이퍼(201)의 상면 가장 자리(501)로부터 에지의 뾰족한 부분(Apex, 501)까지의 영역을 말한다.5 shows an edge bevel of the wafer 201. Referring to FIG. 5, the edge bevels A1 and A2 of the wafer refer to an area from the top edge 501 of the wafer 201 to the pointed portions Apex 501 of the edge.

척(50)은 드럼(50) 하부에 배치되며, 일정 방향으로 회전한다. 척(50)은 웨이퍼가 로딩되며, 로딩된 웨이퍼(201)를 지지하는 역할을 한다. 척(50)은 원통형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The chuck 50 is disposed below the drum 50 and rotates in a predetermined direction. The chuck 50 is loaded with a wafer and serves to support the loaded wafer 201. The chuck 50 may be cylindrical, but is not limited thereto.

척 패드(40)는 척(50)의 상부면에 배치되며, 로딩된 웨이퍼(201)를 고정한다. 척 패드(40)는 가공을 위하여 고정되는 웨이퍼(201)에 자국 또는 손상이 발생하지 않도록 완충하는 역할을 한다.The chuck pad 40 is disposed on the upper surface of the chuck 50 and fixes the loaded wafer 201. The chuck pad 40 serves to cushion the wafer 201 to be fixed for processing so that a mark or damage does not occur.

슬러리 공급관(220)은 드럼(30)과 연결되며, 외부로부터 드럼(30) 내부로 슬러리를 공급한다. 예컨대, 슬러리 공급관(220)은 드럼(30)의 상면 판(32)을 관통하며, 일단이 드럼(30) 내부에 위치할 수 있다. 슬러리 공급관(220)은 드럼(30)의 중앙 부분을 관통할 수 있다.The slurry supply pipe 220 is connected to the drum 30, and supplies the slurry to the drum 30 from the outside. For example, the slurry supply pipe 220 may pass through the top plate 32 of the drum 30, and one end may be located inside the drum 30. The slurry supply pipe 220 may penetrate the central portion of the drum 30.

분사 노즐(230)은 드럼(30) 내부에 배치되며, 드럼(30)의 상면 판(32)을 관통하는 슬러리 공급관(220)의 일단과 연결된다. 예컨대, 분사 노즐(230)은 드럼(30)의 측면부(34) 안쪽에 배치될 수 있으며, 슬러리 공급관(220)의 일단과 연결될 수 있다. 슬러리 공급관(220)이 드럼(30)의 중앙 부분을 관통할 경우, 분사 노블(230)은 드럼(30)의 측면부(34) 안쪽의 중앙 영역에 배치될 수 있다.The spray nozzle 230 is disposed inside the drum 30 and is connected to one end of the slurry supply pipe 220 passing through the top plate 32 of the drum 30. For example, the spray nozzle 230 may be disposed inside the side portion 34 of the drum 30, and may be connected to one end of the slurry supply pipe 220. When the slurry supply pipe 220 passes through the central portion of the drum 30, the injection noble 230 may be disposed in the central region inside the side portion 34 of the drum 30.

분사 노즐(230)은 드럼(30)의 내측면, 예컨대, 측면부(34)의 내면(32-1)에 부착된 연마 패드(210)로 슬러리 공급관(220)으로부터 공급되는 슬러리(235)를 분사한다. The spray nozzle 230 sprays the slurry 235 supplied from the slurry supply pipe 220 to the polishing pad 210 attached to the inner surface of the drum 30, for example, the inner surface 32-1 of the side surface 34. do.

예컨대, 분사 노즐(230)로부터 분사되는 슬러리(235)의 분사 방향은 드럼(30)의 측면부(34) 안쪽의 중앙 영역으로부터 드럼(30)의 측면부(34) 내측에 고정되는 연마 패드(210) 방향일 수 있다.For example, the injection direction of the slurry 235 sprayed from the spray nozzle 230 is fixed to the polishing pad 210 inside the side portion 34 of the drum 30 from a central region inside the side portion 34 of the drum 30. Direction.

압력 펌프(240)는 슬러리 공급관(220)에 연결되며, 슬러리 공급관(220) 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급한다. 즉 압력 펌프(240)에 의하여 슬러리 공급관(220)은 기설정된 압력의 슬러리를 분사 노즐(230)에 공급할 수 있으며, 분사 노즐(230)은 슬러리를 연마 패드(210)로 분사할 수 있다. The pressure pump 240 is connected to the slurry supply pipe 220, and supplies a slurry of a predetermined pressure into the slurry supply pipe 220. That is, the slurry supply pipe 220 may supply the slurry having a predetermined pressure to the spray nozzle 230 by the pressure pump 240, and the spray nozzle 230 may spray the slurry onto the polishing pad 210.

도 4는 도 2에 도시된 분사 노즐(230)로부터 분사되는 슬러리(235)에 의한 연마 패드(210)의 표층부(212)의 복원을 나타내는 모식도이다.FIG. 4 is a schematic diagram illustrating restoration of the surface layer portion 212 of the polishing pad 210 by the slurry 235 sprayed from the spray nozzle 230 shown in FIG. 2.

연마 패드(210)가 웨이퍼(201)의 에지에 의하여 압력을 받으면, 연마 패드(210)의 표층부(212)는 구겨지듯이 눌려지게 된다. 분사 노즐(230)에 의하여 분사되는 슬러리(235)는 패드(210)의 표층부(212) 내로 침투하며, 침투한 슬러리(401)는 패드(210)의 표층부(212)를 빗질하듯이 정렬하고, 눌려진 부분을 부풀려주어 패드(210)의 표층부(212)를 복원시킬 수 있다. When the polishing pad 210 is pressurized by the edge of the wafer 201, the surface layer portion 212 of the polishing pad 210 is crushed. The slurry 235 sprayed by the spray nozzle 230 penetrates into the surface layer portion 212 of the pad 210, and the infiltrated slurry 401 aligns the surface layer portion 212 of the pad 210 as if combed. The pressed portion may be inflated to restore the surface layer portion 212 of the pad 210.

이때 압력 펌프(240)에 의하여 공급되는 슬러리의 압력은 12 MPa ~ 18 MPa일 수 있다. 여기서 MPa는 압력의 단위로 메가파스칼(Mega Pascal)을 나타낸다.At this time, the pressure of the slurry supplied by the pressure pump 240 may be 12 MPa ~ 18 MPa. Where MPa represents Mega Pascal in units of pressure.

슬러리의 공급 압력이 너무 작을 경우 연마 패드(210)의 표층부(212)의 복원이 힘들고, 슬러리의 공급 압력이 너무 클 경우 연마 패드(210)의 표층부(212)가 손상을 받을 수 있기 때문이다. If the supply pressure of the slurry is too small, it is difficult to restore the surface layer portion 212 of the polishing pad 210, and if the supply pressure of the slurry is too large, the surface layer portion 212 of the polishing pad 210 may be damaged.

일반적으로 자유 낙하 방식에 의하여 슬러리를 공급할 경우에는 연마 가공에 직접 사용되지 않고 낭비되는 슬러리가 발생할 수 있다. 그러나 실시 예는 웨이퍼(201)의 에지와 접촉하는 연마 패드(210) 부분에만 슬러리를 집중적으로 공급하기 때문에 웨이퍼 에지에 대한 연마 가공시 사용되는 슬러리량을 감소시킬 수 있다.In general, when the slurry is supplied by the free fall method, the slurry may be wasted without being directly used for polishing. However, since the embodiment intensively supplies the slurry only to the portion of the polishing pad 210 in contact with the edge of the wafer 201, the amount of slurry used during the polishing process on the wafer edge may be reduced.

슬러리 비산 방지 상부 커버(60)는 회전축(10), 드럼 브라켓(20), 및 드럼(30)의 주위를 둘러싸도록 배치되며, 연마 시 슬러리가 주위로 비산하는 것을 방지한다.The slurry scattering prevention top cover 60 is disposed to surround the periphery of the rotating shaft 10, the drum bracket 20, and the drum 30, and prevents the slurry from scattering around during polishing.

슬러리 비산 방지 하부 커버(70)는 척(50) 주위를 감싸돌고 배치되며, 연마 시 슬러리가 주위로 비산하는 것을 방지한다.The slurry scatter prevention lower cover 70 is disposed around the chuck 50 to prevent the slurry from scattering to the surroundings during polishing.

도 6은 다른 실시 예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다. 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 간략하게 설명하거나 설명을 생략한다. 6 is a schematic cross-sectional view of a wafer edge polishing apparatus according to another embodiment. The same reference numerals as in FIG. 2 denote the same components, and the same components will be briefly described or omitted.

도 6을 참조하면, 웨이퍼 에지 연마 장치(200)는 도 2에 도시된 웨이퍼 에지 연마 장치(100)와 유사하다. 다만 다른 점은 분사 노즐(310)이다.Referring to FIG. 6, the wafer edge polishing apparatus 200 is similar to the wafer edge polishing apparatus 100 shown in FIG. 2. The only difference is the injection nozzle 310.

분사 노즐(310)은 서로 다른 방향으로 향하도록 개방되는 복수의 분사구들(예컨대, 312, 314)을 포함할 수 있다. 도 6에는 2개의 분사구들(312,314)을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The injection nozzle 310 may include a plurality of injection holes (eg, 312 and 314) which open to face in different directions. Although two injection holes 312 and 314 are shown in FIG. 6, the present invention is not limited thereto.

복수의 분사구들(예컨대, 312,314)은 슬러리 공급관(220)으로부터 기설정된 압력으로 공급되는 슬러리를 연마 패드(210)로 복수의 서로 다른 방향들로 분사한다.The plurality of injection holes (eg, 312 and 314) spray the slurry supplied from the slurry supply pipe 220 at a predetermined pressure to the polishing pad 210 in a plurality of different directions.

예컨대, 제1 분사구(312)는 연마 패드(210)의 제1 부분(301)으로 슬러리를 제1 분사하고(235-1), 제2 분사구(314)는 연마 패드(210)의 제2 부분(302)으로 슬러리를 제2 분사할 수 있다(235-2). 이때 제1 분사(235-1)와 제2 분사(235-1)는 동시에 수행될 수 있다.For example, the first nozzle 312 first sprays the slurry to the first portion 301 of the polishing pad 210 (235-1), and the second nozzle 314 is the second portion of the polishing pad 210. The slurry may be sprayed second to 302 (235-2). In this case, the first injection 235-1 and the second injection 235-1 may be simultaneously performed.

복수의 분사구들(예컨대, 312, 314)은 분사 노즐(310)을 기준으로 서로 대칭적으로 마련될 수 있다. 복수의 분사구들(예컨대, 312, 314)이 이루는 내각은 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 제1 분사구(312)와 제2 분사구(314)가 이루는 각도는 180 °일 수 있다.The plurality of injection holes (eg, 312 and 314) may be provided symmetrically with respect to the injection nozzle 310. Cabinets formed by the plurality of injection holes (eg, 312 and 314) may be identical to each other. For example, the angle formed by the first injection hole 312 and the second injection hole 314 may be 180 °.

도 2에 도시된 실시 예에 비하여, 도 6에 도시된 실시 예는 분사 노즐(310)에 의하여 동시에 수행되는 복수의 슬러리 분사(235-1, 235-2)를 통하여 연마 패드(210)에 대한 복원을 향상시킬 수 있다. In contrast to the embodiment shown in FIG. 2, the embodiment shown in FIG. 6 is applied to the polishing pad 210 through a plurality of slurry injections 235-1 and 235-2 simultaneously performed by the injection nozzle 310. It can improve restoration.

실시 예는 웨이퍼의 가공 압력에 의하여 변형된 연마 패드의 표층부에 슬러리를 분사하고, 분사된 슬러리가 연마 패드의 표층부를 쓸어주듯이 정렬하여 연마 패드의 표층부 복원을 도와줌으로써 연마 패드의 수명을 연장할 수 있다.The embodiment may extend the life of the polishing pad by spraying the slurry on the surface layer of the polishing pad deformed by the processing pressure of the wafer, and aligning the sprayed slurry to sweep the surface layer portion of the polishing pad to help restore the surface layer portion of the polishing pad. have.

또한 실시 예는 슬러리를 기존의 자유낙하 방식으로 공급하는 경우에 비하여, 비산되어 소모되는 슬러리량을 줄임으로써, 연마 공정시 슬러리 사용량을 줄일 수 있다.In addition, the embodiment can reduce the amount of slurry used during the polishing process by reducing the amount of slurry consumed by scattering, compared to the case of supplying the slurry in the conventional free-falling method.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10: 회전축 20: 드럼 브라켓
30: 드럼 40: 척 패드
50: 척 60: 슬러리 비산 방지 상부 커버
70: 슬러리 비산 방지 하부 커버 210: 연마 패드
212: 표층부 220: 슬러리 공급관
230, 310: 분사 노즐 235: 슬러리 분사
240: 압력 펌프.10: axis of rotation 20: drum bracket
30: drum 40: chuck pad
50: Chuck 60: Slurry Shatter Proof Top Cover
70: slurry scattering prevention lower cover 210: polishing pad
212: surface layer portion 220: slurry supply pipe
230, 310 spray nozzle 235 slurry spray
240: pressure pump.

Claims (8)

웨이퍼를 로딩(loading)하는 척(Chuck)
상기 척 상부에 배치되는 드럼(Drum);
상기 드럼의 내측면에 고정되며, 상기 척에 로딩된 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 패드;
상기 드럼을 관통하며, 슬러리를 공급하는 슬러리 공급관; 및
상기 슬러리 공급관으로부터 공급되는 슬러리를 상기 연마 패드로 분사하는 분사 노즐을 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.Chuck to load the wafer
A drum disposed above the chuck;
A polishing pad fixed to an inner side of the drum, the polishing pad polishing the edge of the wafer loaded on the chuck;
A slurry supply pipe passing through the drum and supplying a slurry; And
And an injection nozzle for injecting the slurry supplied from the slurry supply pipe to the polishing pad. 제1항에 있어서,
상기 슬러리 공급관 내부로 기설정된 압력의 슬러리를 공급하는 압력 펌프를 더 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1,
Wafer edge polishing apparatus further comprises a pressure pump for supplying a slurry of a predetermined pressure into the slurry supply pipe. 제2항에 있어서,
상기 압력 펌프에 의하여 공급되는 슬러리의 압력은 12 MPa ~ 18 MPa인 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 2,
The pressure of the slurry supplied by the pressure pump is 12 MPa ~ 18 MPa wafer edge polishing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 드럼은,
상면 판: 및
상기 상면 판의 둘레와 연결되고, 링 형태를 갖는 측면부를 포함하며,
상기 연마 패드는 상기 측면부의 내면에 부착되는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1, wherein the drum,
Top plate: and
It is connected to the circumference of the upper plate, and includes a side portion having a ring shape,
And the polishing pad is attached to an inner surface of the side portion. 제1항에 있어서, 상기 드럼은,
상기 로딩되는 웨이퍼의 상면을 기준으로 1° ~ 3 °기울어지는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1, wherein the drum,
Wafer edge polishing apparatus is tilted 1 ° ~ 3 ° relative to the top surface of the wafer to be loaded. 제4항에 있어서,
상기 분사 노즐로부터 분사되는 슬러리의 분사 방향은 상기 측면부 안쪽의 중앙 영역으로부터 상기 측면부의 내면에 고정되는 상기 연마 패드 방향인 웨이퍼 에지 연마 장치.5. The method of claim 4,
And a spraying direction of the slurry sprayed from the spraying nozzle is in the direction of the polishing pad fixed to the inner surface of the side portion from the center region inside the side portion. 제1항에 있어서,
상기 분사 노즐은 복수의 서로 다른 방향으로 개방되는 복수의 분사구들을 포함하는 웨이퍼 에지 연마 장치.The method of claim 1,
And the injection nozzle comprises a plurality of injection holes opening in a plurality of different directions. 제7항에 있어서,
상기 복수의 분사구들은 상기 분사 노즐을 기준으로 서로 대칭적으로 마련되는 웨이퍼 에지 연마 장치. The method of claim 7, wherein
And the plurality of injection holes are provided symmetrically with respect to the injection nozzle.
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