KR101540855B1 - Apparutus for polishing wafer edge - Google Patents

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Abstract

본 발명의 에지 폴리싱 장치는 연마하려는 웨이퍼를 진공 흡착하여 고정하는 척 패드; 상기 척 패드를 지지하고 회전시키는 척 샤프트; 상기 척 패드의 외측에서 배치되어, 상기 웨이퍼의 에지를 기계적으로 연마하는 드럼부; 및 상기 척 패드의 상측에 마련되어, 상기 웨이퍼의 에지를 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 공급수단;을 포함하며, 상기 슬러리 공급수단은 상기 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부와, 상기 웨이퍼 에지의 일측에서 상기 슬러리를 분사하는 슬러리 분사노즐과, 상기 슬러리 공급부에서 공급된 슬러리를 상기 슬러리 분사노즐까지 안내하는 슬러리 안내부로 구성된 것을 특징으로 한다.
제안되는 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 에지에 직접 슬러리를 분사하여 웨이퍼의 LLS 품질을 높일 수 있고, 웨이퍼의 에지에 균일하게 슬러리를 공급하여 평균 에지 거칠기를 낮추고 에지 거칠기의 산포를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. An edge polishing apparatus of the present invention comprises: a chuck pad for vacuum-chucking and fixing a wafer to be polished; A chuck shaft for supporting and rotating the chuck pad; A drum portion disposed outside the chuck pad for mechanically polishing an edge of the wafer; And a slurry supply means provided above the chuck pad for spraying the slurry toward an edge of the wafer, wherein the slurry supply means includes a slurry supply portion for supplying the slurry, and a slurry supply portion for supplying the slurry from one side of the wafer edge And a slurry guide section for guiding the slurry supplied from the slurry supply section to the slurry spray nozzle.
According to the present invention, it is possible to improve the LLS quality of a wafer by spraying slurry directly on the edge of the wafer, to uniformly slurry the wafer at the edge thereof, to lower the average edge roughness and to reduce scattering of edge roughness .

Description

에지 폴리싱 장치 {Apparutus for polishing wafer edge} [0001] Apparatus for polishing wafer edge [0002]

본 발명은 웨이퍼의 에지를 폴리싱하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for polishing an edge of a wafer.

반도체 제조시 기판이 되는 웨이퍼(wafer)는 원료로 사용되는 잉곳을 성장시키는 공정(Ingot growing), 잉곳을 웨이퍼 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하고 평탄화하는 랩핑(lapping) 공정, 발생한 데미지를 제거 및 완화하는 에칭(etching) 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정 및 웨이퍼를 세척하고 표면에 부착된 이물질을 제거하는 클리닝 (cleaning)공정을 거쳐 제조된다. The wafer used as a substrate in the semiconductor manufacturing process includes a ingot growing process, a slicing process for cutting the ingot into a wafer form, a lapping process for uniformizing and planarizing the thickness of the wafer, An etching process for removing and alleviating the generated damage, a polishing process for mirror-polishing the surface of the wafer, and a cleaning process for cleaning the wafer and removing foreign matter adhering to the surface.

위와 같은 공정진행 중 웨이퍼의 표면(surface)과 표면 이하의 영역(subsurface)에는 결함(defect)이 발생할 수 있다. 이러한 결함의 종류로는 입자오염(particle), 스크래치(scratch), 크리스탈 디펙트(crystal defects) 및 표면 거칠기(subsurface roughness)등이 있다. During the above process, defects may occur on the surface and sub-surface of the wafer. Examples of such defects include particle particles, scratches, crystal defects, and surface roughness.

그리고, 이러한 결함들은 크기가 submicron에서 nano급 사이즈이므로, LLS(localized light scattering) 또는 DIC(differential interference contrast) 방법에 의하여 측정되며, 측정방법에 따라서 LLS 결함 또는 DIC 결함이라 불리기도 한다. These defects are measured by a localized light scattering (LLS) method or a differential interference contrast (DIC) method because the size is submicron to nano-sized, and may be referred to as LLS defects or DIC defects depending on the measurement method.

최근에는 이러한 웨이퍼의 LLS 결함에 대한 규제가 급격히 강화되고 있으며, 특히, 웨이퍼의 대구경화가 진행되면서, 대구경 웨이퍼의 가공 특성상 높은 수준의 무결점 웨이퍼를 구현하는 것이 요구되고 있다. In recent years, restrictions on LLS defects of such wafers have been rapidly strengthened. Particularly, with the progress of large-scale wafer hardening, it is required to realize a high-level defect-free wafer due to the processing characteristics of large diameter wafers.

한편, 상기 폴리싱 공정은 이러한 결함을 제거하기 위한 공정으로, 이전 공정에서 웨이퍼의 표면(surface)과 표면 밑의 영역(subsurface)에서 발생한 상기 결함(defect)을 제거하여, 무결점의 거울면으로 웨이퍼를 가공하는 공정이다. 특히, 에지 폴리싱 공정은 웨이퍼의 에지(edge)에서 손상된 층(deep damage layer)을 제거하기 위한 공정을 의미한다. In the meantime, the polishing process is a process for removing such defects. In the previous process, the defects generated in the surface and under the surface of the wafer are removed in the previous process, Process. In particular, the edge polishing process refers to a process for removing a deep damage layer at the edge of the wafer.

좀더 상세히, 이러한 에지 폴리싱 공정은 웨이퍼의 에지를 연마(polishing)하여 에지 거칠기(Edge Roughness)를 Å 수준으로 낮추기 위한 것으로, 웨이퍼의 에지를 연마 패드로 기계적 연마하면서 슬러리(slurry)를 이용해 기계적 연마를 보조함과 동시에 화학적 연마를 하는 공정을 의미한다. More specifically, this edge polishing process is used to polish the edge of the wafer to lower the edge roughness to the level of A. The edge polishing is performed by mechanically polishing the edge of the wafer with a polishing pad while performing a mechanical polishing using a slurry Means a process of chemical polishing simultaneously with the auxiliary process.

이러한 에지 폴리싱 공정 진행시, 일반적인 에지 폴리싱 장치는 웨이퍼의 일측에서 웨이퍼 표면에 슬러리를 분사한 후 회전하는 웨이퍼의 원심력을 이용하여 슬러리를 웨이퍼의 에지에 공급한다. In this edge polishing process, a general edge polishing apparatus supplies slurry to the edge of the wafer by using the centrifugal force of the rotating wafer after spraying the slurry on the wafer surface from one side of the wafer.

그런데, 이때, 웨이퍼의 에지로 전달되지 못하고 웨이퍼의 표면에 잔존하는 불용 슬러리가 발생하며, 웨이퍼 에지의 앵글 영역별로 슬러리의 양이 불균일하게 공급되는 문제점이 발생한다.At this time, insoluble slurry remaining on the surface of the wafer is not transferred to the edge of the wafer, and the amount of slurry is supplied irregularly to each angle region of the wafer edge.

본 실시예는 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 에지에 직접 슬러리를 공급하고, 웨이퍼 에지의 앵글영역마다 균일하게 슬러리를 공급할 수 있는 에지 폴리싱 장치를 제안하고자 한다.In order to solve the above problems, the present embodiment proposes an edge polishing apparatus capable of supplying slurry directly to the edge of a wafer and uniformly supplying slurry to each angle region of the wafer edge.

본 실시예는 연마하려는 웨이퍼를 진공 흡착하여 고정하는 척 패드; 상기 척 패드를 지지하고 회전시키는 척 샤프트; 상기 척 패드의 외측에서 배치되어, 상기 웨이퍼의 에지를 기계적으로 연마하는 드럼부; 및 상기 척 패드의 상측에 마련되어, 상기 웨이퍼의 에지를 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 공급수단;을 포함하며, 상기 슬러리 공급수단은 상기 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부와, 상기 웨이퍼 에지의 일측에서 상기 슬러리를 분사하는 슬러리 분사노즐과, 상기 슬러리 공급부에서 공급된 슬러리를 상기 슬러리 분사노즐까지 안내하는 슬러리 안내부로 구성된 것을 특징으로 한다. This embodiment comprises a chuck pad for vacuum-chucking and fixing a wafer to be polished; A chuck shaft for supporting and rotating the chuck pad; A drum portion disposed outside the chuck pad for mechanically polishing an edge of the wafer; And a slurry supply means provided above the chuck pad for spraying the slurry toward an edge of the wafer, wherein the slurry supply means includes a slurry supply portion for supplying the slurry, and a slurry supply portion for supplying the slurry from one side of the wafer edge And a slurry guide section for guiding the slurry supplied from the slurry supply section to the slurry spray nozzle.

본 실시예의 에지 폴리싱 장치는 에지 연마시 웨이퍼의 에지에만 슬러리를 공급하여, 웨이퍼 표면에 슬러리가 잔존하는 것을 방지함으로써, 웨이퍼의 LLS 품질을 높일 수 있는 장점이 있다. The edge polishing apparatus of this embodiment has an advantage that the LLS quality of the wafer can be improved by supplying slurry only to the edge of the wafer during edge polishing to prevent the slurry from remaining on the wafer surface.

본 실시예의 에지 폴리싱 장치는 웨이퍼의 에지에 균일하게 슬러리를 공급하여 에지 거칠기의 산포를 감소시킬 수 있고, 에지 거칠기를 감소시킬 수 있으며, 웨이퍼 표면의 슬러리 흡착을 방지하여 표면 평탄도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The edge polishing apparatus of the present embodiment can uniformly slurry the edge of the wafer to reduce scattering of edge roughness, reduce edge roughness, prevent slurry adsorption on the wafer surface, and improve surface flatness There is an advantage.

따라서, 본 실시예의 에지 폴리싱 장치는 LLS 품질이 높고, 균일한 에지 거칠기 산포를 갖으며, 평균 에지 거칠기가 낮은 고품질의 웨이퍼를 생산할 수 있는 장점이 있다. Therefore, the edge polishing apparatus of the present embodiment has an advantage of producing a high-quality wafer having a high LLS quality, a uniform edge roughness dispersion, and an average edge roughness.

도 1(a)는 에지 폴리싱 공정 이후 웨이퍼 에지의 평균 에지 거칠기를 나타내는 그래프이고, 도 1(b)는 웨이퍼의 에지의 영역을 앵글별로 나누어 측정한 에지 거칠기를 나타낸 그래프이다.
도 2는 에지 폴리싱 공정 이후 웨이퍼 표면에 발생한 결함을 DIC로 측정한 결과를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 웨이퍼의 에지로 직접 슬러리를 공급하는 슬러리 공급수단을 구비한 에지 폴리싱 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 슬러리 공급수단의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른, 슬러리 분사방향을 변경할 수 있는 슬러리 분사노즐이 장착된 슬러리 공급수단을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른, 슬러리 공급수단의 단면도를 나타내낸다.
도 7은 본발명의 제 4 실시예에 따른, 슬러리 공급수단의 단면도를 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 제 5 실시예에 따른, 상측 슬러리 공급수단과 하측 슬러리 공급수단의 단면을 나타내는 도면이다. FIG. 1 (a) is a graph showing the average edge roughness of the wafer edge after the edge polishing process, and FIG. 1 (b) is a graph showing edge roughness obtained by dividing the edge region of the wafer by angle.
FIG. 2 is a diagram showing a result of measuring a defect occurring on the wafer surface after the edge polishing process by DIC. FIG.
3 is a schematic representation of an edge polishing apparatus with slurry supply means for direct slurry supply to the edge of a wafer, according to a first embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of the slurry supply means according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 5 shows a slurry supply means equipped with a slurry spray nozzle capable of changing the slurry spray direction according to the second embodiment of the present invention.
Figure 6 shows a cross-sectional view of a slurry supply means according to a third embodiment of the present invention.
7 shows a cross-sectional view of a slurry supply means according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of the upper slurry supply means and the lower slurry supply means according to the fifth embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

일반적인 에지 폴리싱 장치는 웨이퍼(W) 상측에서 웨이퍼(W)의 표면을 향해 슬러리를 분사하고, 회전하는 웨이퍼의 원심력을 이용하여 슬러리가 에지로 이동하도록 하는 방식으로 슬러리를 에지에 공급한다. A typical edge polishing apparatus dispenses slurry from the top side of the wafer W toward the surface of the wafer W and feeds the slurry to the edge in such a way that the slurry moves to the edge using the centrifugal force of the rotating wafer.

이때, 표면에 분사된 슬러리가 에지로 이동하는 과정에서, 웨이퍼(W)의 에지 각 영역마다 불균일하게 슬러리가 공급되며, 웨이퍼(W)의 에지로 슬러리가 전달되지 못하고 표면에 잔존하는 불용 슬러리가 발생한다. At this time, in the process of moving the slurry sprayed on the surface to the edge, slurry is supplied irregularly to each edge region of the wafer W, and insoluble slurry remaining on the surface can not be transferred to the edge of the wafer W Occurs.

도 1(a)는 에지 폴리싱 공정 이후 웨이퍼(W) 에지의 평균 에지 거칠기를 나타내는 그래프이고, 도 1(b)는 웨이퍼(W)의 에지의 영역을 앵글별로 나누어 측정한 에지 거칠기를 나타낸 그래프이며, 도 2는 에지 폴리싱 공정 이후 웨이퍼(W) 표면에 발생한 결함을 DIC로 측정한 결과를 나타내는 도면이다. 1 (a) is a graph showing the average edge roughness of the edge of the wafer W after the edge polishing process, and FIG. 1 (b) is a graph showing edge roughness obtained by dividing the edge region of the wafer W by angle And FIG. 2 is a view showing a result of measuring the defects occurring on the surface of the wafer W after the edge polishing process by DIC.

도 1을에 참조하면, 웨이퍼(W) 에지의 일부 영역마다 슬러리의 양이 불균일하게 공급되어 에지 마다 연마되는 양의 차이가 발생하게 됨에 따라서, 에지 거칠기의 산포가 큰 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 1, it can be seen that the amount of slurry is uniformly supplied to each region of the edge of the wafer W, and the difference in amount to be polished for each edge occurs, and the scattering of the edge roughness is large.

또한, 웨이퍼(W)의 평균 에지 거칠기는 웨이퍼(W)의 일부 영역에서 큰 값을 갖는 에지 거칠기에 의하여 결정되는 것을 상기 그래프로부터 유추할 수 있다. It can also be deduced from the graph that the average edge roughness of the wafer W is determined by the edge roughness having a large value in a part of the area of the wafer W. [

그리고, 도 2를 참조하면, 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 불용 슬러리가 웨이퍼(W)를 에칭하여 웨이퍼(W)의 표면에 DIC 결함이 발생한 것을 확인할 수 있다. 2, insoluble slurry remaining on the surface of the wafer W etches the wafer W to confirm that a DIC defect has occurred on the surface of the wafer W. As shown in FIG.

이러한 문제점들을 극복하기 위하여, 본 실시예는 에지 폴리싱 공정 진행시 웨이퍼(W)의 표면이 아닌 연마되는 웨이퍼(W)의 에지에 직접 슬러리를 분사하여, 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 불용 슬러리 발생을 방지함으로써 DIC 결함 발생을 억제하고, 각 에지의 앵글영역 별로 골고루 슬러리를 공급하여 균일한 에지 거칠기를 갖도록 하려는 것이다. In order to overcome these problems, in the present embodiment, the slurry is directly sprayed on the edge of the wafer W to be polished, not on the surface of the wafer W in the course of the edge polishing process so that the insoluble slurry remaining on the surface of the wafer W So that the occurrence of DIC defects is suppressed and slurry uniformly distributed in each angle region of each edge is provided so as to have a uniform edge roughness.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 웨이퍼(W)의 에지로 직접 슬러리를 공급하는 슬러리 공급수단(10)을 구비한 에지 폴리싱 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 3 schematically shows an edge polishing apparatus with a slurry supply means 10 for supplying a slurry directly to the edge of a wafer W, according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예의 에지 폴리싱 장치는 연마대상이 되는 웨이퍼(W)를 진공흡착하여 고정시키는 척 패드(500)와, 상기 척 패드(500)의 외측에 마련되어 웨이퍼(W)의 에지를 연마하는 드럼부(400)와, 상기 척 패드(500)의 일측에 배치되어 연마되는 웨이퍼(W)의 에지로 슬러리를 고속분사하는 슬러리 공급수단(10)을 포함한다. 3, the edge polishing apparatus of the present embodiment includes a chuck pad 500 for vacuum-chucking and fixing a wafer W to be polished, and a chuck pad 500 provided outside the chuck pad 500, And a slurry supply means 10 disposed at one side of the chuck pad 500 for spraying the slurry at high speed at the edge of the wafer W to be polished.

좀더 상세히, 상기 척 패드(500)는 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 고정시키는 진공 플레이트와, 상기 진공 플레이트의 하측에 마련되어 상기 진공 플레이트를 지지하고 회전시키는 척 샤프트(510)로 구성된다. More specifically, the chuck pad 500 comprises a vacuum plate for holding and fixing the wafer W by vacuum suction, and a chuck shaft 510 provided below the vacuum plate for supporting and rotating the vacuum plate.

그리고, 상기 드럼부(400)는 척 패드(500)의 외측에 배치되는 원통형상의 드럼바디(410, 411)와, 상기 드럼바디(410, 411)의 측면에 부착되어 에지를 연마하는 연마 패드(420, 421)로 구성된다. The drum unit 400 includes cylindrical drum bodies 410 and 411 disposed outside the chuck pad 500 and a polishing pad attached to the side surfaces of the drum bodies 410 and 411 to polish the edges 420, and 421, respectively.

한편, 웨이퍼(W)의 에지는 웨이퍼(W)의 최외곽 모서리를 의미하는 에이펙스(Apex)와, 평탄화된 웨이퍼(W)의 표면에서 에이 펙스까지의 경사를 의미하는 베벨(bevel)로 나누어 지칭될 수 있으며, 상기 베벨은 에지의 상면 경사를 이루는 상부 베벨과 에지의 하면 경사를 이루는 하부 베벨로 구성된다. The edge of the wafer W is divided into an Apex representing the outermost edge of the wafer W and a bevel representing the inclination from the surface of the wafer W to the Apex, And the bevel is composed of an upper bevel forming an upper surface inclination of the edge and a lower bevel forming a lower inclination of the edge.

이러한 에지의 형상을 동시에 연마하기 위하여, 상기 드럼부(400)는 수평 각도를 달리한 복수개의 드럼바디(410, 411)로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 드럼부(400)는 에지의 상부 베벨을 연마하기 위한 제 1 드럼바디(410)와, 에이 펙스를 연마하기 위한 제 2 드럼바디와(미도시), 하부 베벨를 연마하기 위한 제 3 드럼바디(411)가 척 패드(500)의 외주연을 따라서 소정의 간격을 두고 각각 배치되도록 구성될 수 있다. In order to simultaneously polish the shape of the edge, the drum unit 400 may include a plurality of drum bodies 410 and 411 having different horizontal angles. For example, the drum unit 400 may include a first drum body 410 for polishing the upper bevel of the edge, a second drum body (not shown) for polishing the Apex, Three drum bodies 411 may be arranged at predetermined intervals along the outer periphery of the chuck pad 500, respectively.

또한, 이때, 상기 드럼바디(410, 411)의 측면에 부착된 연마 패드(420, 421)는 웨이퍼(W)의 에지 형상인 상부 베벨과 하부 베벨의 목표 형상에 대응하는 곡면 또는 사면으로 이루어질 수 있다. At this time, the polishing pads 420 and 421 attached to the side surfaces of the drum bodies 410 and 411 may be formed as curved surfaces or slopes corresponding to the target shapes of the upper and lower bevel edges of the wafer W have.

또한, 이러한 드럼바디(410, 411)에는 회전할 수 있도록 중심 축과 구동 모터가 드럼바디(410, 411)에 장착되며, 수평이동 및 상하이동수단들이 추가로 장착될 수 있다. 예를 들어, 상기 척 패드(500)에 웨이퍼(W)가 고정되는 경우, 척 패드(500)의 외주연에 마련된 상기 드럼바디(410, 411)들은 각각 연마하려는 에지에 접촉하도록 수평이동 및 상하 이동한 후 회전하여 웨이퍼(W)의 에지를 연마할 수 있다. In addition, the drum body 410 and 411 may be mounted with a central shaft and a driving motor on the drum bodies 410 and 411 so that the drum bodies 410 and 411 may be rotated. Horizontal movement and vertical movement means may be additionally installed. For example, when the wafer W is fixed to the chuck pad 500, the drum bodies 410 and 411 provided at the outer periphery of the chuck pad 500 are moved horizontally and vertically It is possible to polish the edge of the wafer W by rotating and moving.

한편, 상기 드럼부(400)가 회전하여 웨이퍼(W)의 에지를 기계적으로 연마할 때, 본 실시예의 에지 폴리싱 장치에는 척 패드(500)의 상측에 배치되어 베벨과 에이펙스를 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 공급수단(10)이 더 마련된다. On the other hand, when the drum unit 400 is rotated to mechanically polish the edge of the wafer W, the edge polishing apparatus of the present embodiment is disposed above the chuck pad 500 to spray the slurry toward the bevel and the apex The slurry supply means 10 is further provided.

좀더 상세히, 상기 슬러리 공급수단(10)은 웨이퍼(W)의 에지에 직접 균일하게 슬러리를 분사하기 위하여, 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(100)와, 상기 슬러리 공급부(100)와 연결되어 슬러리의 이동을 안내하는 슬러리 안내부(200)와, 상기 슬러리 안내부(200)와 연결되어 연마하려는 웨이퍼(W)의 에지로 슬러리를 분사하는 슬러리 분사노즐(300)로 이루어진다. More specifically, the slurry supply unit 10 includes a slurry supply unit 100 for supplying a slurry uniformly to the edge of the wafer W, a slurry supply unit 100 connected to the slurry supply unit 100, And a slurry spray nozzle 300 connected to the slurry guide unit 200 and spraying slurry to the edge of the wafer W to be polished.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 슬러리 공급수단(10)의 사시도이다. 4 is a perspective view of the slurry supply means 10 according to the first embodiment of the present invention.

이하에서는 상기 슬러리 공급수단(10)에 대해 좀더 상세히 도 4를 참조하여 설명한다. Hereinafter, the slurry supply means 10 will be described in more detail with reference to FIG.

먼저, 상기 슬러리 공급부(100)는 상기 척 패드(500)의 상측에 배치되어 하부에 연결된 슬러리 안내부(200)에 압력을 조절하여 슬러리를 공급한다. First, the slurry supply unit 100 adjusts the pressure of the slurry guide unit 200 connected to the lower side of the chuck pad 500 to supply slurry.

상기 슬러리 공급부(100)로부터 슬러리를 공급받은 슬러리 안내부(200)는 연마하려는 웨이퍼(W)의 에지를 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 분사노즐(300)로 슬러리를 안내할 수 있는 다양한 형상으로 구비될 수 있다. The slurry guide unit 200 supplied with the slurry from the slurry supply unit 100 may be provided in various shapes to guide the slurry to the slurry spray nozzle 300 for spraying the slurry toward the edge of the wafer W to be polished .

예를 들어, 본 발명의 제 1 실시예의 슬러리 안내부(200)는 웨이퍼(W) 크기의 원반형상으로 구성되어, 중앙에서 공급받은 슬러리를 원반의 외곽으로 이동시킬 수 있다. For example, the slurry guide unit 200 of the first embodiment of the present invention is formed in a disc shape having a size of the wafer W, and the slurry supplied from the center can be moved to the outer periphery of the disc.

또한, 도시된 도면과 다르게 슬러리 안내부(200)는 슬러리 공급부(100)에서 슬러리 분사노즐(300)까지 연결된 관으로 구성될 수 있다. In addition, unlike the drawing, the slurry guide unit 200 may be constituted by a pipe connected to the slurry supply nozzle 300 from the slurry supply unit 100.

이러한 슬러리 안내부(200)의 하면에는 외곽을 따라서 수직방향으로 돌출된 슬러리 분사노즐(300)이 구비된다. 이때, 웨이퍼(W) 에지의 각 앵글영역별로 골고루 슬러리를 공급하기 위하여, 상기 슬러리 안내부(200)에는 등간격으로 이격된 복수개의 슬러리 분사노즐(300)이 구비될 수 있다. A slurry injection nozzle 300 protruding in a vertical direction along an outer periphery is provided on the lower surface of the slurry guide unit 200. At this time, in order to uniformly supply slurry to each angle region of the edge of the wafer W, the slurry guide unit 200 may be provided with a plurality of slurry spray nozzles 300 spaced at regular intervals.

그리고, 상기 슬러리 분사노즐(300)은 슬러리 안내부(200)로부터 이동된 슬러리를 웨이퍼(W)의 에지를 향해 분사하여, 웨이퍼(W)의 에지부로 슬러리를 공급하도록 할 수 있다. 즉, 상기 슬러리 분사노즐(300)은 웨이퍼(W)의 에지 상측에서 수직방향으로 슬러리를 분사하여 자유 낙하 운동을 통해 웨이퍼(W)의 에지로 슬러리를 공급한다.The slurry spray nozzle 300 may spray the slurry moved from the slurry guide unit 200 toward the edge of the wafer W to supply the slurry to the edge of the wafer W. [ That is, the slurry spray nozzle 300 sprays a slurry in a vertical direction on the edge of the wafer W, and supplies the slurry to the edge of the wafer W through a free fall motion.

그런데, 이때, 슬러리가 비산하여 웨이퍼(W)의 외곽의 표면으로 분사되는 슬러리의 양이 상당할 수 있어서, 웨이퍼(W)의 품질에 악영향을 끼칠 수 있다.  At this time, the amount of the slurry sprayed onto the outer surface of the wafer W may be considerably large because the slurry is scattered, and the quality of the wafer W may be adversely affected.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른, 슬러리 분사방향을 변경할 수 있는 슬러리 분사노즐(300)이 장착된 슬러리 공급수단(10)을 나타낸다. FIG. 5 shows a slurry supply means 10 equipped with a slurry spray nozzle 300 capable of changing the slurry spray direction according to the second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 상기 슬러리 분사노즐(300)은 좀더 정확하게 웨이퍼(W)의 에지 방향으로 슬러리를 공급하기 위하여, 슬러리를 분사각도를 변경할 수 있도록 형성된다. Referring to FIG. 5, the slurry spray nozzle 300 is formed so as to change the spray angle of the slurry so as to more accurately supply the slurry in the edge direction of the wafer W.

예를 들어, 상기 슬러리 분사노즐(300)은 슬러리 안내부(200)로부터 슬러리를 공급받는 몸통부와, 슬러리를 분사하는 분사구가 형성된 노즐부로 구성되고, 상기 노즐부와 몸통부 사이에 관절부가 추가되도록 구성될 수 있다. For example, the slurry spray nozzle 300 may include a body portion for receiving slurry from the slurry guide portion 200 and a nozzle portion having an injection port for spraying the slurry, and a joint portion may be added between the nozzle portion and the body portion Lt; / RTI >

즉, 상기 슬러리 분사노즐(300)은 몸통부와 노즐부 사이의 각도를 조절하여, 상기 노즐부의 분사구를 연마하려는 웨이퍼(W)의 에지를 향하도록 할 수 있으며, 이를 통해 좀더 정확하게 슬러리를 웨이퍼(W)의 에지로 분사할 수 있다. That is, the slurry spray nozzle 300 can adjust the angle between the body and the nozzle so that the injection port of the nozzle can be directed toward the edge of the wafer W to be polished, W). ≪ / RTI >

또한, 상기 슬러리 분사노즐(300)의 내부에 슬러리 필터를 배치하여, 슬러리에 포함된 오염물질을 제거할 수 있고 슬러리 입자크기를 균일하게 유지시킬 수 있다. In addition, a slurry filter may be disposed inside the slurry spray nozzle 300 to remove contaminants contained in the slurry, and the particle size of the slurry can be uniformly maintained.

한편, 전술한 구성요소들에 의하여, 상기 슬러리 공급수단(10)은 웨이퍼(W)의 에지에 직접 슬러리를 공급할 수 있으나, 각 에지 영역마다 좀더 균일하게 슬러리를 공급하기 위해서 슬러리 안내부(200)의 형상이 변형될 수 있다. The slurry supply unit 10 can supply the slurry directly to the edge of the wafer W. However, in order to more uniformly supply the slurry to each edge region, Can be deformed.

이하에서는 다양한 형상의 슬러리 안내부(200)에 대한 실시예를 설명하며, 전술한 내용과 공통적으로 적용되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the slurry guide unit 200 having various shapes will be described, and explanations common to the above-described contents will be omitted.

도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른, 슬러리 공급수단(10)의 단면도를 나타내고, 도 7은 본발명의 제 4 실시예에 따른, 슬러리 공급수단(10)의 단면도를 나타낸다. Fig. 6 shows a cross-sectional view of the slurry supply means 10 according to the third embodiment of the present invention, and Fig. 7 shows a cross-sectional view of the slurry supply means 10 according to the fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 상기 슬러리 안내부(200)는 슬러리 공급부(100)로부터 공급받은 슬러리를 좀더 효율적으로 웨이퍼(W) 에지 상측에 위치한 슬러리 분사노즐(300)로 이동시키기 위하여, 슬러리 공급부(100)에서 슬러리 분사노즐(300)까지 경사가 형성되도록 구성한다. 6, the slurry guide unit 200 includes a slurry supply unit 100 for moving the slurry supplied from the slurry supplying unit 100 more efficiently to the slurry spraying nozzle 300 located above the edge of the wafer W. [ ) To the slurry spraying nozzle (300).

즉, 상기 슬러리 안내부(200)의 내부를 원뿔 형상으로 구성하여, 슬러리를 원뿔의 꼭짓점에서 공급받아 옆면을 따라 이동하도록 안내함으로써, 슬러리를 슬러리 분사노즐(300)로 이동시킬 수 있다. That is, the inside of the slurry guide unit 200 may be formed in a conical shape, and the slurry may be supplied to the slurry spray nozzle 300 by guiding the slurry to be supplied from the vertex of the cone and moving along the side face.

이때, 상기 슬러리 안내부(200)의 하면에 복수개의 슬러리 분사노즐(300)이 연마하려는 웨이퍼(W) 에지의 상측에 복수개로 형성되고, 원뿔의 옆면에는 각각의 슬러리 분사노즐(300)을 향해 슬러리를 안내하는 홈이 마련될 수 있다. 이를 통해, 상기 슬러리 안내부(200)는 좀더 균일하게 슬러리를 슬러리 분사노즐(300)로 이동시킬 수 있다. At this time, a plurality of slurry spray nozzles 300 are formed on the lower surface of the slurry guide unit 200 on the upper side of the edge of the wafer W to be polished, and the side faces of the cones are directed toward the respective slurry spray nozzles 300 A groove for guiding the slurry may be provided. Accordingly, the slurry guide unit 200 can move the slurry to the slurry spray nozzle 300 more uniformly.

도 7을 참조하면, 상기 슬러리 안내부(200)는 슬러리 공급부(100)로부터 공급받은 슬러리를 좀더 효율적으로 웨이퍼(W) 에지 상측에 배치된 슬러리 분사노즐(300)로 안내하기 위하여, 슬러리 공급부(100)에서 슬러리 분사노즐(300)까지 경사를 갖도록 형성될 수 있다. 7, the slurry guide unit 200 includes a slurry supply unit 100 for guiding the slurry supplied from the slurry supply unit 100 more efficiently to the slurry injection nozzle 300 disposed above the edge of the wafer W 100) to the slurry spraying nozzle 300.

즉, 본 발명의 제 4 실시예의 슬러리 안내부(200)의 내부를 돔 형상으로 구성하여, 공급받은 슬러리가 상기 형상을 따라서 슬러리 분사노즐(300)로 이동하도록 할 수 있다. 이때, 상기 경사는 제 3 실시예와 다르게 경사가 분사노즐(300)에 다가갈수록 가파르게 구성된다. That is, the inside of the slurry guide portion 200 of the fourth embodiment of the present invention may be configured in a dome shape so that the supplied slurry moves to the slurry spraying nozzle 300 according to the shape. At this time, unlike the third embodiment, the inclination becomes steep as the inclination approaches the injection nozzle 300.

또한, 상기 슬러리 안내부(200)에는 각각의 슬러리 분사노즐(300)을 향하도록 안내하는 홈이 마련될 수 있다. In addition, the slurry guide unit 200 may be provided with grooves for guiding the respective slurry spray nozzles 300.

한편, 상기 실시예들의 슬러리 공급수단(10)은 웨이퍼(W) 에지의 상부 베벨과 에이펙스에 슬러리를 균일하게 공급할 수 있으나, 웨이퍼(W) 에지의 하부 베벨에는 직접 슬러리를 공급할 수 없다. The slurry supply means 10 of the above embodiments can uniformly supply the slurry to the upper bevel and the apex of the edge of the wafer W but can not directly supply the slurry to the lower bevel of the edge of the wafer W.

도 8은, 본 발명의 제 5 실시예에 따른, 상측 슬러리 공급수단과 하측 슬러리 공급수단의 단면을 나타내는 도면이다. 8 is a cross-sectional view of the upper slurry supply means and the lower slurry supply means according to the fifth embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예의 에지 폴리싱 장치는 상기 척 패드(500)의 상측에 배치되는 제 1 슬러리 공급수단(11)과, 상기 척 패드(500)의 하측에 배치되는 제 2 슬러리 공급수단(12)을 포함한다. 8, the edge polishing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention includes a first slurry supply unit 11 disposed on the upper side of the chuck pad 500, a second slurry supply unit 11 disposed below the chuck pad 500, 2 slurry supply means 12. [

상기 제 1 슬러리 공급수단(11)은 척 패드(500)의 상측에 배치되고, 제 1 슬러리 공급부(101)와, 제 1 슬러리 안내부(201)와, 제 1 슬러리 분사노즐(301)로 구성되어, 척 패드(500)에 고정된 웨이퍼(W)의 상부 베벨과 드럼부(400) 사이에 슬러리를 공급한다. The first slurry supply means 11 is disposed on the chuck pad 500 and includes a first slurry supply portion 101, a first slurry guide portion 201, and a first slurry injection nozzle 301 So that the slurry is supplied between the upper bevel of the wafer W fixed to the chuck pad 500 and the drum part 400.

이와 동시에, 상기 제 2 슬러리 공급수단(12)은 제 1 슬러리 공급수단(12)에 대향되도록 배치된 제 2 슬러리 공급부(102)와, 제 2 슬러리 안내부(202)와, 제 2 슬러리 분사노즐(302)로 구성되며, 이를 통해 척 패드(500)에 고정된 웨이퍼(W)의 하부 베벨에 슬러리를 직접 공급한다. At the same time, the second slurry supply means 12 includes a second slurry supply portion 102 disposed to face the first slurry supply means 12, a second slurry guide portion 202, And the slurry is directly supplied to the lower bevel of the wafer W fixed to the chuck pad 500 through the slit 302.

전술한 본 발명의 실시예들에 의하여, 에지 폴리싱 장치는 웨이퍼(W)의 에지에 직접 슬러리를 분사하여 웨이퍼(W)의 LLS 품질을 높일 수 있고, 웨이퍼(W)의 에지에 균일하게 슬러리를 공급하여 평균 에지 거칠기를 낮추고 에지 거칠기의 산포를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. According to the embodiments of the present invention described above, the edge polishing apparatus can increase the LLS quality of the wafer W by spraying the slurry directly onto the edge of the wafer W, and uniformly slurry the edge of the wafer W There is an advantage that the average edge roughness can be lowered and the scattering of the edge roughness can be reduced.

10: 슬러리 공급수단
100: 슬러리 공급부
200: 슬러리 안내부
300: 슬러리 분사노즐
400: 드럼부
500: 척 패드 10: slurry supply means
100: Slurry supply part
200: slurry guide
300: Slurry spray nozzle
400: drum portion
500: Chuck pads

Claims (9)

연마하려는 웨이퍼를 진공 흡착하여 고정하는 척 패드;
상기 척 패드를 지지하고 회전시키는 척 샤프트;
상기 척 패드의 외측에서 배치되어, 상기 웨이퍼의 에지를 기계적으로 연마하는 드럼부; 및
상기 척 패드의 일측에 배치되어, 상기 웨이퍼의 에지를 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 공급수단;을 포함하며,
상기 슬러리 공급수단은 상기 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부와, 상기 웨이퍼 에지의 일측에서 상기 슬러리를 분사하는 슬러리 분사노즐과, 상기 슬러리 공급부에서 공급된 슬러리를 상기 슬러리 분사노즐까지 안내하는 슬러리 안내부로 구성되며,
상기 슬러리 안내부는 상기 척 패드 상측에 원반형상으로 배치되고, 상기 슬러리 안내부의 하부에는 돌출된 슬러리 분사노즐이 마련되며,
상기 슬러리 안내부의 내부에는 상기 슬러리가 상기 슬러리 공급부로부터 상기 슬러리 분사노즐까지 이동하도록 안내하는 슬러리 경로가 형성되고, 상기 슬러리 경로는 경사를 갖는 에지 폴리싱 장치.A chuck pad for holding a wafer to be polished by vacuum suction;
A chuck shaft for supporting and rotating the chuck pad;
A drum portion disposed outside the chuck pad for mechanically polishing an edge of the wafer; And
And slurry supply means disposed at one side of the chuck pad for spraying the slurry toward the edge of the wafer,
Wherein the slurry supply means comprises a slurry supply section for supplying the slurry, a slurry spray nozzle for spraying the slurry from one side of the wafer edge, and a slurry guide section for guiding the slurry supplied from the slurry supply section to the slurry spray nozzle ,
Wherein the slurry guide portion is disposed in a disc shape on the chuck pad, a protruded slurry injection nozzle is provided at a lower portion of the slurry guide portion,
Wherein a slurry path is formed in the slurry guide section to guide the slurry to move from the slurry supply section to the slurry spray nozzle, and the slurry path has an inclination. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 분사노즐은 상기 슬러리 안내부의 하부에 소정의 간격으로 이격되어 복수개로 마련되는 에지 폴리싱 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slurry spraying nozzles are provided in a plurality of spaced apart portions at a predetermined interval below the slurry guide portion. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 경로의 경사는 상기 슬러리 공급부로부터 상기 슬러리 분사노즐로 갈수록 경사각도가 증가하는 에지 폴리싱 장치. The method according to claim 1,
Wherein an inclination angle of the slurry path increases from the slurry supply unit toward the slurry spray nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 경로에는 상기 슬러리 공급부에서 상기 슬러리 분사노즐까지 연결하는 홈이 마련된 에지 폴리싱 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slurry path is provided with a groove for connecting the slurry supply nozzle to the slurry supply nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 안내부는 상기 슬러리 공급부로부터 상기 슬러리 분사노즐까지 연결된 관으로 형성되는 에지 폴리싱 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slurry guide portion is formed of a tube connected from the slurry supply portion to the slurry spray nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 분사노즐은 상기 슬러리를 공급받는 몸통부와, 상기 슬러리를 분사하는 분사구를 갖는 노즐부로 구성되고, 상기 노즐부와 몸통부 사이에는 관절부가 형성된 에지 폴리싱 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slurry spray nozzle comprises a body portion for receiving the slurry and a nozzle portion having an injection port for spraying the slurry, and a joint portion is formed between the nozzle portion and the body portion. 제 1 항에 있어서,
상기 슬러리 공급수단은 상기 척 패드의 상측에서 상기 웨이퍼 에지의 상부 베벨로 상기 슬러리를 분사하는 제 1 슬러리 공급수단과, 상기 척 패드의 하측에서 상기 웨이퍼 에지의 하부 베벨로 상기 슬러리를 분사하는 제 2 슬러리 공급수단으로 구성된 에지 폴리싱 장치.The method according to claim 1,
Wherein the slurry supply means comprises a first slurry supply means for spraying the slurry from the upper side of the chuck pad to the upper bevel of the wafer edge and a second slurry supply means for spraying the slurry from the lower side of the chuck pad to the lower bevel of the wafer edge, And a slurry supply means.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287142A (en) * 2000-04-04 2001-10-16 Ebara Corp Substrate edge polishing device
KR20100034733A (en) * 2007-07-13 2010-04-01 램 리서치 아게 Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287142A (en) * 2000-04-04 2001-10-16 Ebara Corp Substrate edge polishing device
KR20100034733A (en) * 2007-07-13 2010-04-01 램 리서치 아게 Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
KR20130009313A (en) * 2011-07-15 2013-01-23 주식회사 엘지실트론 An appararus of polishing an edge of a wafer
KR20130079746A (en) * 2012-01-03 2013-07-11 주식회사 엘지실트론 An appararus of polishing an edge of a wafer

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