KR20210152227A - Apparatus for polishing edge of wafer - Google Patents

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KR20210152227A KR1020200069053A KR20200069053A KR20210152227A KR 20210152227 A KR20210152227 A KR 20210152227A KR 1020200069053 A KR1020200069053 A KR 1020200069053A KR 20200069053 A KR20200069053 A KR 20200069053A KR 20210152227 A KR20210152227 A KR 20210152227A
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신명현
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에스케이실트론 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention provides a wafer edge polishing apparatus comprising: a chuck pad part for rotating a vacuum-adsorbed wafer; a drum body part disposed outside the chuck pad part and being rotated; and a polishing plate part disposed on the drum body part to polish the edge of the wafer, wherein the polishing plate part includes a polishing body and a polishing pad provided on the inner surface of the polishing body, the polishing pad has a stepped structure formed on the inner surface, and a nozzle is provided in a recessed part of the stepped structure. The wafer edge polishing apparatus can perform efficient polishing of wafer edges.

Description

웨이퍼의 에지 연마 장치{APPARATUS FOR POLISHING EDGE OF WAFER}Wafer edge polishing apparatus

실시예는 에지 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 에지 연마 공정에서 연마량을 증가시키고 불량을 개선하는 에지 연마 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to an edge polishing apparatus, and more particularly, to an edge polishing apparatus for increasing a polishing amount and improving defects in a wafer edge polishing process.

통상적인 실리콘 웨이퍼는, 단결정(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장 공정과, 단결정을 절삭(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 절삭공정과, 상기 절삭으로 인하여 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하는 연삭(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼를 경면화하고 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함하여 이루어진다.A typical silicon wafer includes a single crystal growth process for making a single crystal (ingot), a cutting process of cutting a single crystal to obtain a thin disk-shaped wafer, and damage caused by mechanical processing remaining on the wafer due to the cutting ( Damage), a polishing process for mirror-finishing the wafer, and a cleaning process for mirror-finishing the polished wafer and removing abrasives or foreign substances attached to the wafer.

이때, 웨이퍼의 표면에는 결함(defect)이 발생할 수 있다. 결함의 종류로는 입자오염(particle), 스크래치(scratch), 크리스탈 디펙트(crystal defects) 및 표면 거칠기(subsurface roughness) 등이 있다.In this case, defects may occur on the surface of the wafer. The types of defects include particle contamination, scratches, crystal defects, and surface roughness.

최근에는, 전술한 웨이퍼의 결함에 대한 규제가 강화되고 있으며, 특히, 웨이퍼의 대구경화가 진행되면서, 대구경 웨이퍼의 가공 특성상 높은 수준의 무결점 웨이퍼를 구현하는 것이 요구되고 있다.In recent years, the above-mentioned regulations on the defects of the wafer have been strengthened, and in particular, as the diameter of the wafer progresses, it is required to implement a high-level defect-free wafer due to the processing characteristics of the large-diameter wafer.

이러한 흐름에 맞춰, 결함 제거, 특히 웨이퍼의 에지(edge) 영역의 결함을 제거하기 위하여 연마 공정 중 에지 연마 공정이 수행되고 있는데, 에지 연마 공정은 웨이퍼의 에지를 연마 패드로 기계적 연마하면서 슬러리(slurry)를 이용해 기계적 연마를 보조함과 동시에 화학적 연마를 하는 공정을 의미한다.In line with this flow, an edge polishing process is being performed during a polishing process to remove defects, particularly, to remove defects in an edge region of a wafer. ) refers to the process of chemical polishing while assisting mechanical polishing.

도 1은 웨이퍼의 에지 연마 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an edge polishing apparatus for a wafer.

도시된 바와 같이, 웨이퍼(wafer)의 에지를 연마하는 연마 패드가 웨이퍼의 에지와 인접하여 배치되고, 웨이퍼의 위에는 슬러리 분사 장치가 구비되어 슬러리(slurry)를 웨이퍼의 전면(front surface)으로 공급한다.As shown, a polishing pad for polishing the edge of the wafer is disposed adjacent to the edge of the wafer, and a slurry spraying device is provided on the wafer to supply the slurry to the front surface of the wafer. .

이때, 웨이퍼의 전면으로 공급되는 슬러리는 웨이퍼의 회전에 의하여 원심력이 발생하여 웨이퍼의 중심에서 바깥쪽으로 흘러내리는데, 따라서 상술한 웨이퍼의 바깥쪽으로 흘러내리는 슬러리는 웨이퍼의 에지 연마에 사용되지 못하므로, 에지 연마 효율 특히 슬러리의 공급 효율이 저하되는 문제점이 있다.At this time, the slurry supplied to the front surface of the wafer flows outward from the center of the wafer due to centrifugal force generated by the rotation of the wafer. There is a problem in that the polishing efficiency, particularly the supply efficiency of the slurry, is lowered.

실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 에지를 효율적으로 연마하는 웨이퍼의 에지 연마 장치를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to solve the above-described problems, and to provide an edge polishing apparatus for efficiently polishing an edge of a wafer.

실시예는 진공 흡착된 웨이퍼를 회전시키는 척 패드부; 상기 척 패드부의 외측에 배치되어 회전하는 드럼 몸체부; 및 상기 드럼 몸체부에 배치되어 상기 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 플레이트부;를 포함하고, 상기 연마 플레이트부는 연마 몸체와 상기 연마 몸체의 내측면에 구비된 연마 패드를 포함하고, 상기 연마 패드는 내측면에 단차구조가 형성되고, 상기 단차구조의 오목부에 노즐이 구비된 웨이퍼의 에지 연마 장치를 제공한다.The embodiment includes a chuck pad unit for rotating a vacuum-adsorbed wafer; a drum body disposed outside the chuck pad and rotating; and a polishing plate portion disposed on the drum body portion to polish the edge of the wafer, wherein the polishing plate portion includes a polishing body and a polishing pad provided on an inner surface of the polishing body, and the polishing pad has an inner surface. Provided is an edge polishing apparatus for a wafer in which a stepped structure is formed on a side surface and a nozzle is provided in a recessed portion of the stepped structure.

웨이퍼의 에지 연마 장치는, 연마 패드의 노즐에 대응되는 상기 연마 몸체에 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀에 연결된 슬러리 공급부를 더 포함할 수 있다.The wafer edge polishing apparatus may further include a slurry supply unit having a through hole formed in the polishing body corresponding to the nozzle of the polishing pad and connected to the through hole.

연마 패드의 단차 구조는 복수 개의 오목부와 복수 개의 볼록부가 교대로 배치되고, 상기 노즐은 상기 오목부 중 적어도 하나에 형성될 수 있다.In the step structure of the polishing pad, a plurality of concave portions and a plurality of convex portions may be alternately disposed, and the nozzle may be formed in at least one of the concave portions.

오목부와 상기 볼록부는, 각각 사각형의 단면을 가질 수 있다.Each of the concave portion and the convex portion may have a rectangular cross section.

오목부는 상기 노즐을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고, 상기 오목부를 둘러싸고 볼록부가 구비될 수 있다.The concave portion may surround the nozzle and have a circular cross-section, and a convex portion may be provided to surround the concave portion.

다른 실시예는 진공 흡착된 웨이퍼를 회전시키는 척 패드부; 상기 척 패드부의 외측에 배치되어 회전하는 드럼 몸체부; 및 상기 드럼 몸체부에 배치되어 상기 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 플레이트부;를 포함하고, 상기 연마 플레이트부는 웨이퍼의 에지의 중앙 영역을 연마하는 제1 연마 플레이트부와, 상기 웨이퍼의 에지의 상부 영역을 연마하는 제2 연마 플레이트부, 및 상기 웨이퍼의 에지의 하부 영역을 연마하는 제3 연마 플레이트부를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각은, 연마 몸체와 상기 연마 몸체의 내측면에 구비된 연마 패드를 포함하고, 상기 연마 패드는 내측면에 단차구조가 형성되고, 상기 단차구조의 오목부에 노즐이 구비된 웨이퍼의 에지 연마 장치를 제공한다.Another embodiment is a chuck pad for rotating the vacuum-adsorbed wafer; a drum body disposed outside the chuck pad and rotating; and a polishing plate portion disposed on the drum body for polishing an edge of the wafer, wherein the polishing plate portion includes a first polishing plate portion polishing a central area of the edge of the wafer, and an upper area of the edge of the wafer a second abrasive plate to polish the wafer, and a third abrasive plate to polish a lower region of the edge of the wafer, wherein each of the first to third abrasive plates includes a polishing body and an inner surface of the abrasive body. Provided is an edge polishing apparatus for a wafer comprising a polishing pad provided, wherein the polishing pad has a stepped structure formed on an inner surface thereof, and a nozzle is provided in a concave portion of the step structure.

제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각에 구비된 연마 패드의 내측면은, 서로 다른 각도로 구비되될 수 있다.The inner surfaces of the polishing pads provided in each of the first to third polishing plate portions may be provided at different angles.

제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각의 연마 패드의 노즐에 대응되는 각각의 연마 몸체에 관통홀이 형성되고, 상기 각각의 연마 몸체에 형성된 관통홀은 서로 다른 각도로 구비되고, 웨이퍼의 에지 연마 장치는 상기 각각의 연마 몸체의 관통홀에 연결된 슬러리 공급부를 더 포함할 수 있다.Through-holes are formed in each polishing body corresponding to the nozzle of the polishing pad of each of the first to third polishing plates, and the through-holes formed in the respective polishing bodies are provided at different angles, and the wafer edge polishing apparatus may further include a slurry supply unit connected to the through hole of each of the polishing bodies.

제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각의 연마 패드의 단차 구조 중 적어도 하나는, 복수 개의 오목부와 복수 개의 볼록부가 교대로 배치되고, 상기 노즐은 상기 오목부 중 적어도 하나에 형성될 수 있다.In at least one of the stepped structures of the polishing pad of each of the first to third polishing plate portions, a plurality of concave portions and a plurality of convex portions may be alternately disposed, and the nozzle may be formed in at least one of the concave portions.

오목부와 상기 볼록부는, 각각 사각형의 단면을 가질 수 있다.Each of the concave portion and the convex portion may have a rectangular cross section.

제1 내지 제3 연마 플레이트부 중 적어도 하나의 연마 패드에 구비된 오목부는 상기 노즐을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고, 상기 오목부를 둘러싸고 볼록부가 구비될 수 있다.A concave portion provided in at least one polishing pad of the first to third polishing plate portions may surround the nozzle and have a circular cross-section, and a convex portion may be provided to surround the concave portion.

실시예에 따른 웨이퍼의 에지 연마 장치는, 웨이퍼의 에지 부분에 배치되는 연마 패드의 오목부에 구비된 노즐로부터 슬러리가 공급되므로, 슬러리는 웨이퍼의 에지에 직접 분사되고, 동시에 연마 패드의 볼록부가 웨이퍼의 에지와 직접 마찰하며 슬러리의 물리적 및 화학적 작용에 의하여 웨이퍼의 에지가 연마되어, 공급되는 슬러리가 낭비가 줄어들고 웨이퍼의 에지 연마 효율이 향상될 수 있다.In the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment, since the slurry is supplied from a nozzle provided in the concave portion of the polishing pad disposed on the edge portion of the wafer, the slurry is directly sprayed on the edge of the wafer, and at the same time, the convex portion of the polishing pad is the wafer The edge of the wafer is polished by the physical and chemical action of the slurry while in direct friction with the edge of the slurry, so that waste of the supplied slurry can be reduced and the edge polishing efficiency of the wafer can be improved.

도 1은 웨이퍼의 에지 연마 장치 를 나타낸 도면이고,
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 연마 장치를 나타낸 도면이고,
도 3a 및 도 3b는 도 2의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 2의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a wafer edge polishing apparatus,
2 is a view showing an edge polishing apparatus for a wafer according to an embodiment;
3A and 3B are views showing an embodiment of a polishing pad of the edge polishing apparatus of the wafer of FIG. 2;
4 is a view showing another embodiment of the polishing pad of the edge polishing apparatus of the wafer of FIG. 2,
It is a view showing another embodiment of the polishing pad of the wafer edge polishing apparatus of FIG. 5 .

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to help the understanding of the present invention by giving examples, and to explain the present invention in detail.

그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided in order to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower", etc., shall not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. In this case, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 2는 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 연마 장치를 나타낸 도면이다. 이하에서, 본 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 연마 장치의 일 실시예를 설명한다.2 is a view showing an edge polishing apparatus for a wafer according to an embodiment. Hereinafter, an embodiment of the wafer edge polishing apparatus according to the present embodiment will be described.

실시예에 따른 에지 폴리싱 장치(100)는 척 패드부(110) 및 드럼부를 포함하고, 드럼부는 드럼 몸체부(120) 및 연마 플레이트부(130)를 포함한다.The edge polishing apparatus 100 according to the embodiment includes a chuck pad part 110 and a drum part, and the drum part includes a drum body part 120 and a polishing plate part 130 .

척 패드부(110)는 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 고정시키는 진공 플레이트와, 상기 진공 플레이트의 하측에 마련되어 진공 플레이트를 지지하고 회전시키는 척 샤프트를 포함한다.The chuck pad unit 110 includes a vacuum plate for vacuum-adsorbing and fixing the wafer W, and a chuck shaft provided below the vacuum plate to support and rotate the vacuum plate.

일 실시예에서, 드럼 몸체부(120)는 척 패드부(110)의 외측에 배치되는 구조로서, 드럼 몸체부(120)의 측면에 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 연마 플레이트부(130)를 배치된 상태에서 드럼 몸체부(120)가 고속 회전하거나, 연마 플레이트부(130)와 별개로 고속 회전할 수도 있다.In one embodiment, the drum body 120 has a structure disposed on the outside of the chuck pad part 110 , and the polishing plate 130 for polishing the edge of the wafer is disposed on the side of the drum body 120 . In this state, the drum body 120 may rotate at a high speed, or may rotate at a high speed separately from the abrasive plate 130 .

연마 플레이트부(130)는 드럼 몸체부(120)의 일 측면에 구비되며, 연마 몸체(131) 및 상기 연마 몸체(131)의 일면에 배치된 연마 패드(132)를 포함하는데, 상세하게는 연마 패드(132)는 연마 몸체(131)의 내측면에 구비되고 여기서 내측면이라 함은 웨이퍼 방향의 측면을 뜻한다.The polishing plate 130 is provided on one side of the drum body 120 , and includes a polishing body 131 and a polishing pad 132 disposed on one surface of the polishing body 131 , in detail polishing. The pad 132 is provided on the inner surface of the polishing body 131 , where the inner surface refers to a side surface in the wafer direction.

척 패드부(110)의 작용에 의하여 웨이퍼가 회전하면서, 연마 플레이트(130)의 연마 패드(132)와 웨이퍼의 에지 부분이 마찰하며 웨이퍼의 에지 부분이 연마될 수 있는데, 이때 슬러리는 연마 플레이트(130)의 연마 패드(132)로부터 웨이퍼의 에지 부분으로 공급될 수 있다.As the wafer is rotated by the action of the chuck pad unit 110, the polishing pad 132 of the polishing plate 130 and the edge portion of the wafer rub against each other, and the edge portion of the wafer may be polished. It may be supplied from the polishing pad 132 of 130 to the edge portion of the wafer.

도 3a 및 도 3b는 도 2의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 일 실시예를 설명한다.3A and 3B are diagrams illustrating an embodiment of a polishing pad of an edge polishing apparatus for a wafer of FIG. 2 . Hereinafter, an embodiment of the polishing pad of the wafer edge polishing apparatus will be described with reference to FIGS. 3A and 3B .

도시된 바와 같이 연마 몸체(131)의 전면에 연마 패드(132)가 구비되고, 연마 패드(132)는 내측면에 단차 구조가 형성될 수 있다. 여기서 내측면은 웨이퍼와 마찰하며 접촉할 연마 패드(132)의 표면을 가리킨다.As illustrated, a polishing pad 132 is provided on the front surface of the polishing body 131 , and a stepped structure may be formed on the inner surface of the polishing pad 132 . Here, the inner surface refers to the surface of the polishing pad 132 to rub against and contact the wafer.

상기의 단차 구조는 도시된 바와 같이 적어도 하나 씩의 오목부(132a)와 볼록부(132b)를 포함하고, 상세하게는 복수 개의 오목부(132a)와 볼록부(132b)가 서로 교대로 배치될 수 있다. 그리고, 오목부(132a) 중 적어도 하나에는 노즐(n)이 구비될 수 있다.The step structure includes at least one concave portion 132a and a convex portion 132b as shown, in detail, a plurality of concave portions 132a and convex portions 132b may be alternately arranged with each other. can In addition, a nozzle n may be provided in at least one of the concave portions 132a.

노즐(n)은 연마 패드(132)의 오목부(132a)의 내측면에 별도의 형상으로 구비되거나 또는 연마 패드(132)의 오목부(132a)의 내측면이 오픈되며 형성될 수 있다.The nozzle n may be provided in a separate shape on the inner surface of the concave portion 132a of the polishing pad 132 , or may be formed with the inner surface of the concave portion 132a of the polishing pad 132 open.

도 3b를 참조하면, 연마 패드(132)의 노즐(n)에 대응되는 연마 몸체(131)에는 점선으로 도시된 바와 같이 관통홀이 형성되고, 관통홀에는 슬러리 공급부(미도시)가 연결되어, 슬러리 공급부로부터 공급된 슬러리가 연마 몸체(131) 관통홀을 통하여 연마 패드(132)의 노즐(n)을 웨이퍼 방향으로 분사될 수 있다.Referring to FIG. 3B , a through hole is formed in the polishing body 131 corresponding to the nozzle n of the polishing pad 132 as shown by a dotted line, and a slurry supply unit (not shown) is connected to the through hole, The slurry supplied from the slurry supply unit may be sprayed through the polishing body 131 through-hole through the nozzle n of the polishing pad 132 in the wafer direction.

도 3a에서 오목부(132a)와 볼록부(132b)는 각각 사각형의 단면을 가지는데, 상세하게는 오목부(132a)와 볼록부(132b)의 내측면이 사각형의 단면을 가질 수 있다. In FIG. 3A , the concave portion 132a and the convex portion 132b each have a rectangular cross section, and in detail, the inner surface of the concave portion 132a and the convex portion 132b may have a rectangular cross section.

도 4는 도 2의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하면, 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 다른 실시예는 오목부(132a)와 볼록부(132b)의 단면, 특히 내측면의 형상이, 도 3a 및 도 3b에 도시된 실시예와 상이하다.4 is a view showing another embodiment of the polishing pad of the edge polishing apparatus of the wafer of FIG. 2 . Referring to FIG. 4 , another embodiment of the polishing pad of the wafer edge polishing apparatus is an embodiment in which the cross-section of the concave portion 132a and the convex portion 132b, particularly the shape of the inner surface, is shown in FIGS. 3A and 3B . different from

즉, 도 4에서 오목부(132a)의 내측면은 노즐(n)을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고, 볼록부(132b)의 내측면은 오목부(132a)를 둘러싸며 배치될 수 있다.That is, in FIG. 4 , the inner surface of the concave portion 132a may surround the nozzle n and have a circular cross-section, and the inner surface of the convex portion 132b may be disposed to surround the concave portion 132a.

도 3a와 도 3b 및 도 4에 도시된 실시예에서, 웨이퍼의 에지 연마 장치에서, 웨이퍼의 에지 부분에 배치되는 연마 패드의 오목부에 구비된 노즐로부터 슬러리가 공급되므로, 상기 슬러리는 웨이퍼의 에지에 직접 분사되고, 동시에 연마 패드의 볼록부가 웨이퍼의 에지와 직접 마찰하며 슬러리의 물리적 및 화학적 작용에 의하여 웨이퍼의 에지가 연마된다. 따라서, 공급되는 슬러리가 낭비가 줄어들고 웨이퍼의 에지 연마 효율이 향상될 수 있다.3A, 3B, and 4, in the edge polishing apparatus for a wafer, the slurry is supplied from a nozzle provided in a recess of a polishing pad disposed on an edge portion of the wafer, so that the slurry is applied to the edge of the wafer. is directly sprayed on the surface, and at the same time, the convex portion of the polishing pad directly rubs against the edge of the wafer, and the edge of the wafer is polished by the physical and chemical action of the slurry. Therefore, waste of the supplied slurry can be reduced and the edge polishing efficiency of the wafer can be improved.

도 5의 웨이퍼의 에지 연마 장치의 연마 패드의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 이때, 웨이퍼는 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 최외곽 모서리 부분인 정점(Apex, 101)과, 평탄화된 웨이퍼(W)의 표면에서 정점(101)까지의 경사를 의미하는 베벨(bevel)로 구분되는데, 베벨은 에지의 상면 경사를 이루는 전면 베벨(102)과 에지의 하면 경사를 이루는 후면 베벨(103)로 구분할 수 있다.It is a view showing another embodiment of the polishing pad of the wafer edge polishing apparatus of FIG. 5 . At this time, the wafer is, as shown, the apex 101, which is the outermost edge portion of the wafer W, and the bevel, which means the inclination from the surface of the flattened wafer W to the apex 101. The bevel can be divided into a front bevel 102 constituting an inclined upper surface of the edge and a rear bevel 103 forming an inclined lower surface of the edge.

본 실시예에서 연마 플레이트부는 제1 연마 플레이트부 내지 제3 플레이트부(130, 230, 330)을 포함할 수 있다.In this embodiment, the abrasive plate part may include first to third plate parts 130 , 230 , and 330 .

제1 연마 플레이트부(130)는 웨이퍼의 에지의 중앙 영역 즉, 정점(101)을 연마할 수 있고 제2 연마 플레이트부(230)는 웨이퍼의 에지의 상부 영역, 즉 전면 베벨(102)을 연마할 수 있으며, 제3 연마 플레이트부(330)는 웨이퍼의 에지의 하부 영역, 즉 후면 베벨(103)을 연마할 수 있다.The first abrasive plate part 130 can polish the central region of the edge of the wafer, that is, the apex 101 , and the second abrasive plate part 230 grinds the upper region of the edge of the wafer, ie, the front bevel 102 . In this case, the third polishing plate unit 330 may polish the lower region of the edge of the wafer, that is, the rear bevel 103 .

그리고, 제1 연마 플레이트부 내지 제3 연마 플레이트부(130, 230, 330) 각각은, 연마 몸체(131, 231, 331)와 연마 몸체의 내측면에 구비된 연마 패드(132, 232, 332)를 포함할 수 있다.In addition, each of the first to third polishing plate portions 130 , 230 , and 330 includes a polishing body 131 , 231 , 331 and a polishing pad 132 , 232 , 332 provided on the inner surface of the polishing body. may include

이때, 각각의 연마 패드(132, 232, 332)의 형상은 도 3a와 도 3b 및 도 4에 도시된 실시예와 유사할 수 있다. 즉, 각각의 연마 패드(132, 232, 332)는 웨이퍼의 연마하고자 하는 에지 방향의 내측면(S1, S2, S3)에 단차 구조가 형성되고, 상기 단차구조의 오목부에 노즐이 구비될 수 있다.In this case, the shape of each of the polishing pads 132 , 232 , and 332 may be similar to the embodiment illustrated in FIGS. 3A , 3B and 4 . That is, each of the polishing pads 132, 232, and 332 has a stepped structure on the inner surfaces S1, S2, and S3 in the direction of the edge to be polished of the wafer, and a nozzle may be provided in the recess of the step structure. have.

이때, 제1 내지 제3 연마 플레이트부(130, 230, 330) 각각에 구비된 연마 패드(132, 232, 332)의 내측면(S1, S2, S3)은, 서로 다른 각도로 구비될 수 있다. 여기서, 서로 다른 각도로 구비된다 함은 서로 나란하지 않고 경사를 이룸을 뜻하는데, 각각의 연마 패드(132, 232, 332)들이 연마하고자 하는 웨이퍼의 에지가 각각 웨이퍼의 에지(edge) 중 정점(101)과 전면 베벨(102) 및 후면 베벨(103)이고, 정점(101)과 전면 베벨(102) 및 후면 베벨(103)이 서로 경사를 이루므로 각각의 연마 패드(132, 232, 332)의 내측면(S1, S2, S3)도 경사를 이루게 배치될 수 있다.In this case, the inner surfaces S1 , S2 , and S3 of the polishing pads 132 , 232 , 332 provided in each of the first to third polishing plate parts 130 , 230 and 330 may be provided at different angles. . Here, being provided at different angles means that they are not parallel to each other but are inclined. 101) and the front bevel 102 and the rear bevel 103, and since the apex 101 and the front bevel 102 and the rear bevel 103 are inclined to each other, the The inner surfaces S1 , S2 , and S3 may also be disposed to be inclined.

그리고, 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 연마 플레이트부(130, 230, 330) 각각에 구비된 연마 패드(132, 232, 332)에는 노즐(n1, n2 n3)이 구비될 수 있다. 그리고, 제1 내지 제3 연마 플레이트부(130, 230, 330) 각각에 구비된 연마 몸체(131, 231, 331)에는 각각 점선으로 도시된 바와 같이 관통홀이 형성되고, 각각의 관통홀을 통하여 공급되는 슬러리는 상기 각각의 노즐(n1, n2 n3)을 통하여 웨이퍼의 에지의 정점(101)과 전면 베벨(102) 및 후면 베벨(103)로 공급될 수 있다.Also, as illustrated, the first to third polishing plate portions 130 , 230 , and 330 may include nozzles n1 , n2 and n3 in the polishing pads 132 , 232 , and 332 provided in each. In addition, through holes are formed in the polishing bodies 131 , 231 , 331 provided in each of the first to third polishing plate parts 130 , 230 , and 330 as indicated by dotted lines, respectively, and through the respective through holes. The supplied slurry may be supplied to the apex 101 of the edge of the wafer and the front bevel 102 and the rear bevel 103 through the respective nozzles n1, n2 and n3.

이때, 각각의 연마 몸체(131, 231, 331)의 관통홀에는 슬러리 공급부가 연결되어, 슬러리를 관통홀로 공급할 수 있다.At this time, a slurry supply unit may be connected to the through-holes of each of the polishing bodies 131 , 231 , and 331 to supply the slurry to the through-holes.

또한, 각각의 연마 패드(132, 232, 332)의 내측면(S1, S2, S3)도 경사를 이루게 배치되므로, 각각의 연마 몸체(131, 231, 331)에 형성되는 관통홀들도 나란하지 않고 경사를 이루며 구비될 수 있다.In addition, since the inner surfaces S1 , S2 , S3 of each polishing pad 132 , 232 , 332 are also inclined, the through-holes formed in each polishing body 131 , 231 , 331 are not side by side. It may be provided with an inclination without it.

또한, 제1 연마 플레이트부 내지 제3 연마 플레이트부(130, 230, 330)에 구비된 각각의 연마 패드(132, 232, 332)는, 전술한 실시예에서 설명한 바와 같이, 단차 구조를 가지고, 상기 단차 구조는 각각의 연마 패드(132, 232, 332)가 오목부와 볼록부를 포함하고, 오목부 중 적어도 하나에 노즐(n1, n2, n3)이 각각 형성될 수 있다.In addition, each of the polishing pads 132, 232, 332 provided in the first to third polishing plate portions 130, 230, 330 has a stepped structure, as described in the above-described embodiment, In the step structure, each of the polishing pads 132 , 232 , and 332 may include a concave portion and a convex portion, and nozzles n1 , n2 , and n3 may be formed in at least one of the concave portions, respectively.

또한, 각각의 연마 패드(132, 232, 332)에 형성된 오목부와 볼록부는, 상술한 도 3a와 도 3b및 도 4에 도시된 실시예와 같이, 각각 사각형의 단면을 가지거나 또는 오목부는 노즐을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고 오목부를 둘러싸며 볼록부가 구비될 수 있다.In addition, the concave and convex portions formed in each of the polishing pads 132 , 232 , 332 have a rectangular cross section or the concave portion respectively has a rectangular cross section, as in the embodiment shown in FIGS. 3A, 3B, and 4 described above. A convex portion may be provided to surround the concave portion and to have a circular cross-section.

본 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 연마 장치는, 서로 기울어진 각도로 구비된 3개의 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 에지의 정점과 전면 베벨 및 후면 베벨을 각각 더 정밀하게 가공할 수 있으며, 각각의 연마 패드에는 볼록부와 오목부가 구비되고 오목부에 구비된 노즐로부터 에지의 각 부분으로 슬러리가 분사되어, 공급되는 슬러리가 낭비가 줄어들고 웨이퍼의 에지 연마 효율이 향상될 수 있다.The wafer edge polishing apparatus according to the present embodiment can more precisely process the apex of the wafer edge, the front bevel, and the rear bevel, respectively, using three polishing pads provided at an angle inclined to each other, and each polishing The pad is provided with a convex portion and a concave portion, and the slurry is sprayed from a nozzle provided in the concave portion to each portion of the edge, thereby reducing waste of the supplied slurry and improving the edge polishing efficiency of the wafer.

또한, 상술한 바와 같이 슬러리가 연마 패드로부터 웨이퍼에 직접 공급되는 방식은 에지 연마 외에 에지 그라인딩 공정에서도 사용될 수 있다.In addition, the method in which the slurry is directly supplied to the wafer from the polishing pad as described above may be used in the edge grinding process in addition to the edge polishing.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, although the embodiment has been described with reference to the limited embodiment and the drawings, the present invention is not limited to the above embodiment, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations from these descriptions. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the following claims as well as the claims and equivalents.

100: 에지 폴리싱 장치 101: 정점
102: 전면 베벨 103: 후면 베벨
110: 척 패드부 120: 드럼 본체부
130, 230, 330: 연마 플레이트부
131, 231, 331: 연마 몸체 132. 232, 332: 연마 패드
132a: 오목부 132b: 볼록부100: edge polishing device 101: vertex
102: front bevel 103: rear bevel
110: chuck pad part 120: drum body part
130, 230, 330: abrasive plate part
131, 231, 331: polishing body 132. 232, 332: polishing pad
132a: concave part 132b: convex part

Claims (11)

진공 흡착된 웨이퍼를 회전시키는 척 패드부;
상기 척 패드부의 외측에 배치되어 회전하는 드럼 몸체부; 및
상기 드럼 몸체부에 배치되어 상기 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 플레이트부;를 포함하고,
상기 연마 플레이트부는 연마 몸체와 상기 연마 몸체의 내측면에 구비된 연마 패드를 포함하고,
상기 연마 패드는 내측면에 단차구조가 형성되고, 상기 단차구조의 오목부에 노즐이 구비된 웨이퍼의 에지 연마 장치.a chuck pad unit for rotating the vacuum-adsorbed wafer;
a drum body disposed outside the chuck pad and rotating; and
and a polishing plate portion disposed on the drum body portion to polish the edge of the wafer;
The polishing plate portion includes a polishing body and a polishing pad provided on the inner surface of the polishing body,
The polishing pad has a stepped structure formed on an inner surface thereof, and a nozzle is provided in a concave portion of the step structure. 제1 항에 있어서,
상기 연마 패드의 노즐에 대응되는 상기 연마 몸체에 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀에 연결된 슬러리 공급부를 더 포함하는 웨이퍼의 에지 연마 장치.According to claim 1,
The wafer edge polishing apparatus further comprising: a through hole formed in the polishing body corresponding to the nozzle of the polishing pad; and a slurry supply unit connected to the through hole. 제1 항에 있어서,
상기 연마 패드의 단차 구조는 복수 개의 오목부와 복수 개의 볼록부가 교대로 배치되고, 상기 노즐은 상기 오목부 중 적어도 하나에 형성된 웨이퍼의 에지 연마 장치.According to claim 1,
In the step structure of the polishing pad, a plurality of concave portions and a plurality of convex portions are alternately disposed, and the nozzle is formed in at least one of the concave portions. 제3 항에 있어서,
상기 오목부와 상기 볼록부는, 각각 사각형의 단면을 가지는 웨이퍼의 에지 연마 장치.4. The method of claim 3,
The concave portion and the convex portion each have a rectangular cross section. 제1 항에 있어서,
상기 오목부는 상기 노즐을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고, 상기 오목부를 둘러싸고 볼록부가 구비되는 웨이퍼의 에지 연마 장치.According to claim 1,
and the concave portion surrounds the nozzle and has a circular cross-section, and a convex portion surrounds the concave portion. 진공 흡착된 웨이퍼를 회전시키는 척 패드부;
상기 척 패드부의 외측에 배치되어 회전하는 드럼 몸체부; 및
상기 드럼 몸체부에 배치되어 상기 웨이퍼의 에지를 연마하는 연마 플레이트부;를 포함하고,
상기 연마 플레이트부는 웨이퍼의 에지의 중앙 영역을 연마하는 제1 연마 플레이트부와, 상기 웨이퍼의 에지의 상부 영역을 연마하는 제2 연마 플레이트부, 및 상기 웨이퍼의 에지의 하부 영역을 연마하는 제3 연마 플레이트부를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각은,
연마 몸체와 상기 연마 몸체의 내측면에 구비된 연마 패드를 포함하고,
상기 연마 패드는 내측면에 단차구조가 형성되고, 상기 단차구조의 오목부에 노즐이 구비된 웨이퍼의 에지 연마 장치.a chuck pad for rotating the vacuum-adsorbed wafer;
a drum body disposed outside the chuck pad and rotating; and
and a polishing plate portion disposed on the drum body portion to polish the edge of the wafer;
The polishing plate portion includes a first polishing plate portion for polishing a central region of the edge of the wafer, a second polishing plate portion polishing an upper region of the edge of the wafer, and a third polishing portion for polishing a lower region of the edge of the wafer including a plate part,
Each of the first to third polishing plate parts,
Comprising a polishing body and a polishing pad provided on the inner surface of the polishing body,
The polishing pad has a stepped structure formed on an inner surface thereof, and a nozzle is provided in a concave portion of the step structure. 제6 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각에 구비된 연마 패드의 내측면은, 서로 다른 각도로 구비되는 웨이퍼의 에지 연마 장치.7. The method of claim 6,
The inner surface of the polishing pad provided on each of the first to third polishing plate parts is provided at different angles from each other. 제6 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각의 연마 패드의 노즐에 대응되는 각각의 연마 몸체에 관통홀이 형성되고, 상기 각각의 연마 몸체에 형성된 관통홀은 서로 다른 각도로 구비되고, 상기 각각의 연마 몸체의 관통홀에 연결된 슬러리 공급부를 더 포함하는 웨이퍼의 에지 연마 장치.7. The method of claim 6,
A through hole is formed in each polishing body corresponding to the nozzle of the polishing pad of each of the first to third polishing plate parts, and the through hole formed in each polishing body is provided at different angles, and the respective polishing A wafer edge polishing apparatus further comprising a slurry supply connected to the through hole of the body. 제6 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 각각의 연마 패드의 단차 구조 중 적어도 하나는, 복수 개의 오목부와 복수 개의 볼록부가 교대로 배치되고, 상기 노즐은 상기 오목부 중 적어도 하나에 형성된 웨이퍼의 에지 연마 장치.7. The method of claim 6,
In at least one of the step structures of the polishing pad of each of the first to third polishing plate portions, a plurality of concave portions and a plurality of convex portions are alternately disposed, and the nozzle polishes an edge of a wafer formed in at least one of the concave portions. Device. 제9 항에 있어서,
상기 오목부와 상기 볼록부는, 각각 사각형의 단면을 가지는 웨이퍼의 에지 연마 장치.10. The method of claim 9,
The concave portion and the convex portion each have a rectangular cross section. 제6 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 연마 플레이트부 중 적어도 하나의 연마 패드에 구비된 오목부는,는 상기 노즐을 둘러싸고 원형의 단면을 가지고, 상기 오목부를 둘러싸고 볼록부가 구비되는 웨이퍼의 에지 연마 장치.7. The method of claim 6,
A concave portion provided in at least one polishing pad of the first to third polishing plate portions, has a circular cross-section surrounding the nozzle, and surrounds the concave portion and includes a convex portion.
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