KR20130007096A - 본딩 와이어, 본딩 와이어를 갖는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 - Google Patents

본딩 와이어, 본딩 와이어를 갖는 발광 소자 패키지 및 조명 장치 Download PDF

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Abstract

실시 예는 본딩 와이어에 관한 것으로 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 에 95.0 질량% 이상의 고순도의 은 (Ag) 를 함유시킨 합금 본딩 와이어로서, 상기 본딩 와이어는 상기 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 를 함유하는 본딩 와이어를 제공한다.

Description

본딩 와이어, 본딩 와이어를 갖는 발광 소자 패키지 및 조명 장치{BONDING WIRE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING APPARATUS HAVING THE SAME}
실시 예는 본딩 와이어 및 본딩 와이어를 갖는 발광 소자 패키지와 조명 장치에 관한 것이다.
LED 패키징 공정에서 LED 칩에 전류를 흘려줄 수 있도록 와이어 접합이 수행된다. 일반적으로, 와이어는 구리, 알루미늄, 금 와이어 중 금 와이어가 주로 이용된다. 금은 높은 화학적 안정성과 높은 전기 전도도 때문에 발광 소자 상의 전극과 외부 단자 사이를 접합하는 본딩 와이어의 재질로 널리 사용되어 왔다.
하지만, 멀티칩 구조 LED 패키징인 경우 일반적으로 칩간의 전기적 연결을 위해 배치되는 와이어의 수가 증가하게 되고 이로 인한 와이어의 간섭으로 광속이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 순도가 높은 금 와이어를 사용하는 경우 LED 패키징의 전체 제조 비용을 증가시키는 요인이 될 수 있다.
따라서, 조명 장치 산업계에서의 지속적인 제조 비용의 감소 요구에 부응하고, 최근 금값의 상승으로 인한 비용 증대 문제를 해결하기 위해, 금 본딩 와이어를 대체할 새로운 와이어가 요구되고 있다.
실시 예는 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제조 비용을 현저히 절감시키는 본딩 와이어를 제공한다.
또한, 실시 예는 본딩 와이어에 의한 간섭 효과를 최소화하며 광속 저하 문제를 해결할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
또한, 실시 예는 방열 효율이 향상된 발광 소자 패키지를 제공한다.
또한, 실시 예는 반사율이 향상된 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에서, 본딩 와이어는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 에 95.0 질량% 이상의 고순도의 은 (Ag) 를 함유시킨 합금 본딩 와이어로서, 상기 본딩 와이어는 상기 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 를 함유할 수 있다.
또한, 상기 본딩 와이어의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
다른 실시 예에서, 본딩 와이어는 코어재 및 상기 코어재 상의 표피층을 포함하는 본딩 와이어로서, 상기 표피층은 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 를 함유하고, 상기 본딩 와이어는 상기 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여, 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 를 함유할 수 있다.
또한, 상기 코어재는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 표피층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥 쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
또한, 상기 코어재와 상기 표피층 사이에 배치되는 혼합층을 더 포함하고, 상기 혼합층은 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 과 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 이 혼합되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 혼합층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치되는 복수의 발광 소자; 상기 패키지 몸체에 배치되며, 상기 복수의 발광 소자와 전기적으로 연결되는 복수의 리드 단자; 상기 복수의 리드 단자와 상기 복수의 발광 소자 중 일부를 연결시키는 제 1 본딩 와이어; 및 상기 복수의 발광 소자 사이를 연결시키는 제 2 본딩 와이어를 포함하고, 상기 제 2 본딩 와이어는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 에 95.0 질량% 이상의 고순도의 은 (Ag) 를 함유시킨 합금 본딩 와이어로서, 상기 제 2 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 본딩 와이어는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 본딩 와이어일 수 있다.
또한, 상기 제 2 본딩 와이어의 은 (Ag) 의 농도는 상기 제 2 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
또한, 상기 제 2 본딩 와이어는 코어재 및 상기 코어재 상의 표피층을 포함하고, 상기 표피층은 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 을 함유할 수 있다.
또한, 상기 표피층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥 쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
또한, 상기 제 2 본딩 와이어는 상기 코어재와 상기 표피층 사이에 배치되는 혼합층을 더 포함하고, 상기 혼합층은 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 과 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 이 혼합되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 혼합층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 제 2 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커질 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 조명 장치는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 상술된 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
실시 예에 따르면, 본딩 와이어 제조 비용을 현저히 절감시키며, 이로 인해 본딩 와이어를 사용하는 발광 소자 패키지의 제조 비용을 절감시킨다.
또한, 실시 예에 따르면, 본딩 와이어에 의한 간섭 효과가 최소화되며, 본딩 와이어의 간섭으로 인한 발광 소자 패키지의 광속 저하 문제가 해결된다.
또한, 실시 예에 따르면, 발광 소자 패키지의 방열 효율이 향상된다.
또한, 실시 예에 따르면, 발광 소자 패키지의 반사율이 향상된다.
도 1 은 일 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면을 도시한다.
도 2 는 일 실시 예에 따른 금-은 합금 제 2 본딩 와이어의 단면을 도시한다.
도 3 은 다른 실시 예에 따른 금-은 합금 본딩 와이어의 단면을 도시한다.
도 4 는 또 다른 실시 예에 따른 금-은 합금 본딩 와이어의 단면을 도시한다.
도 5 는 상기 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한다.
이하 본 발명의 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.
또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)" 으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1 은 일 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 1 을 참조하면, 발광 소자 패키지 (100) 는 패키지 몸체 (110), 패키지 몸체에 배치되는 복수의 발광 소자 (120), 패키지 몸체 (110) 에 배치되며, 복수의 발광 소자 (120) 와 전기적으로 연결되는 복수의 리드 단자 (130) 를 포함할 수 있다.
복수의 리드 단자 (130) 는 발광 소자 패키지 (100) 의 전기적인 연결을 위해 제공되는 것으로, 리드 단자 (130) 의 배치는 예시적으로 도시되었을 뿐이며, 발광 소자 패키지 (100) 의 종류에 따라서 다양하게 변형될 수 있다.
도 1 을 참조하면, 발광 소자는 나란히 3 개가 직렬 연결되어 있으나, 이는 예시일 뿐, 발광 소자의 배치 및 개수는 이에 제한되지 않는다.
복수의 리드 단자 (130) 와 복수의 발광 소자 (120) 중 일부는 제 1 본딩 와이어 (140) 로 연결되고, 복수의 발광 소자 (120) 사이의 연결은 제 2 본딩 와이어 (150) 에 의해 이루어진다.
제 1 본딩 와이어 (140) 는 금 (Au) 와이어일 수 있다. 발광 소자 (120) 의 전극과 리드 단자 (130) 를 접속하는 제 1 본딩 와이어 (140) 는 순도 95.0 질량% 이상의 고순도 금으로 이루어지는 금 (Au) 본딩 와이어가 사용될 수 있다. 본딩 와이어에 사용되는 고순도 금의 순도는 99.0 질량% 이상 또는 99.9 질량% 이상일 수 있다.
금 (Au) 본딩 와이어를 접속하는 방법에 있어서는, 초음파 병용 열압착 본딩법이 이용될 수 있다. 초음파 병용 열압착 본딩법에서는 와이어 선단을 아크 입열로 가열 융용하고, 표면 장력에 의해 볼을 형성시킨 후에, 150~300 oC 의 범위 내에서 가열하여 발광 소자 (120) 의 전극 상에 볼부를 압착 접합하게 하고, 그 후 본딩 와이어를 리드 단자 (130) 측에 초음파 압착에 의해 직접 웨지 (wedge) 접합시킬 수 있다.
제 2 본딩 와이어 (150) 는 통상적인 금 (Au) 와이어 대신에 은 (Ag) 을 함유하는 은 합금 (Ag alloy) 와이어일 수 있다. 은 (Ag) 은 금속 가운데서도 전기 전도도가 높고, 금 (Au) 보다도 30% 이상 높은 전기 전도도를 갖는다. 또한, 은 (Ag) 은 금 (Au) 에 비해 가격이 싸므로 본딩 와이어의 재료비 절감에 기여할 수 있다.
예를 들어, 은 (Ag) 은 금 (Au) 에 비해서 1/30 내지 1/50 의 비용으로 구매할 수 있다. 또한, 은 (Ag) 은 금 (Au) 과 유사한 기계적 특성을 가지고 있으므로, 종래 금 (Au) 와이어 본딩 공정이 은 합금 (Ag alloy) 와이어 본딩 공정에도 그대로 적용될 수 있다.
또한, 은 (Ag) 은 높은 반사도를 가지므로, 발광 소자 (120) 로부터 방출되는 빛이 와이어를 통해서도 반사되므로, 발광 소자 패키지 (100) 의 전체 광 효율이 증가한다. 또한, 은 (Ag) 은 높은 열전도도를 가지고 있으므로, 발광 소자 패키지의 방열 효율도 향상시킬 수 있다.
금-은 (Au-Ag) 합금 와이어에서 은 (Ag) 함량은 비용 절감 효과와 더불어, 발광 소자 패키지로서 갖추어야 할 전기적 특성 및 신뢰성을 확보하기 위해 적절하게 조절될 수 있다.
예를 들어, 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 에 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 을 전체 질량의 15% 내지 30% 질량만큼 첨가하여 금-은 합금계를 구성할 수 있다. 고순도의 금 (Au) 은, 불순물을 제거하여 순도를 높이도록 전기 화학적 정제방법 및 국부적 용해 정제 방법의 2 단계 정제를 거침으로써 얻을 수 있다. 본딩 와이어에 함유되는 고순도 은 (Ag) 의 순도는 99 질량% 이상 또는 99.9 질량% 이상일 수 있다.
일 실시 예에서, 리드 단자 (130) 와 리드 단자 (130) 와 연결되는 발광 소자 (120) 사이에는 금 (Au) 본딩 와이어를 사용하고, 발광 소자 (120) 로부터 방출되는 빛이 와이어에 의해 가려질 수 있는 발광 소자 사이의 연결에는 금-은 합금 (Au-Ag alloy) 와이어를 사용할 수 있다.
이에 따라, 리드 단자 (130) 와 발광 소자 (120) 사이의 연결은 금 (Au) 와이어로 인해 보다 높은 안정성을 유지하면서도, 발광 소자 (120) 로부터 방출되는 빛은 금-은 합금 와이어에 의해 반사되게 되어, 와이어에 의한 광 효율 저하 문제를 해결하게 된다.
도 2 는 일 실시 예에 따른 금-은 합금 제 2 본딩 와이어 (150) 의 단면을 도시한다.
제 2 본딩 와이어 (150) 는 순도 95.0 질량% 이상의 금 (Au) 에 순도 95.0 질량% 이상의 은 (Ag) 을 함유시킨 합금 본딩 와이어로서, 제 2 본딩 와이어는 제 2 본딩 와이어 질량 전체의 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 을 함유할 수 있다.
제 2 본딩 와이어 (150) 의 직경은 10 내지 50 ㎛ 이며, 본딩 와이어의 직경 방향으로 은 (Ag) 의 농도 구배를 가질 수 있다. 제 2 본딩 와이어 (150) 에 함유된 은 (Ag) 의 농도는 제 2 본딩 와이어 (150) 의 바깥 방향인 r 방향으로 갈수록 커지도록 구성될 수 있다.
이 경우, 제 2 본딩 와이어 (150) 의 중심부로 갈수록 내화학성 및 내식성이 뛰어나며 시간의 경과에도 화학적인 안정성을 유지하는 금 (Au) 의 농도가 높아져 와이어의 중심을 이루는 부분에서 안정성이 높아지며, 제 2 본딩 와이어 (150) 의 표면부로 갈수록 반사도가 높은 은 (Ag) 의 농도가 높아져 와이어에 의한 빛 반사효과를 얻을 수 있다.
은 (Ag) 의 농도가 높아지는 정도는 실시형태에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 제 2 본딩 와이어 (150) 의 인장 강도, 탄성율, 구부림 강성, 장기 신뢰성 등을 향상시키기 위해서는 중심부 근처에서의 금 (Au) 의 농도가 높아지도록 은 (Ag) 의 농도를 낮게 유지하고, 표면부로 갈수록 은 (Ag) 의 농도 경사가 급격히 올라가도록 설계할 수 있다.
도 3 은 다른 실시 예에 따른 금-은 합금 본딩 와이어 (200) 의 단면을 도시한다.
금-은 합금 본딩 와이어 (200) 는 코어재 (210) 와 코어재 (210) 상의 표피층 (220) 을 포함하며, 코어재 (210) 는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 으로 이루어지며, 표피층 (220) 은 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 을 함유한다. 또한, 금-은 합금 본딩 와이어 (200) 는 전체 질량에서 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 을 함유할 수 있다.
코어재 (210) 는 반지름 d1 을 가지고, 표피층 (220) 은 두께 d2 - d1 을 가지며, 코어재 (210) 의 반지름 및 표피층 (220) 의 두께는 실시형태에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 반지름 d1 을 크게 할수록 고순도 금 (Au) 으로 이루어진 부분이 커져 본딩 와이어 (200) 의 인장 강도, 탄성율, 구부림 강성, 장기 신뢰성 등이 향상된다.
표피층 (220) 은 금 (Au) 과 은 (Ag) 이 섞여 있는 합금으로서, 금-은 합금 딩 와이어의 (200) 바깥 방향, 즉 r 방향으로 갈수록 은 (Ag) 의 농도가 커지도록 제조될 수 있다. 바깥쪽에서 가장 높은 은 (Ag) 의 농도를 가지므로, 본딩 와이어의 표면부에서의 반사율이 향상된다.
도 4 는 또 다른 실시 예에 따른 금-은 합금 본딩 와이어 (300) 의 단면을 도시한다.
금-은 합금 본딩 와이어 (300) 는 코어재 (310) 와 코어재 상의 혼합층 (320) 과 혼합층 (320) 상의 표피층 (330) 을 갖는다. 코어재 (310) 는 반지름 d1 을 가지고, 혼합층 (320) 은 두께 d3 - d1 을 가지고 표피층은 두께 d2 - d3 를 갖는다.
코어재 (310) 는 고순도 금 (Au) 으로 이루어지며, 표피층 (330) 은 은 (Ag) 으로 이루어질 수 있다. 코어재 (310) 가 고순도 금 (Au) 으로 이루어지므로, 본딩 와이어 (300) 의 중심부에서의 인장 강도, 탄성율, 구부림 강성, 장기 신뢰성 등이 향상되고, 표피층 (330) 이 은 (Ag) 으로 이루어짐으로써 본딩 와이어 (300) 의 반사도가 향상되어, 전체 발광 소자 패키지의 발광 효율이 증가한다.
혼합층 (320) 은 금 (Au) 과 은 (Ag) 이 혼합된 층으로서, 혼합층 (320) 을 통해 계면 간의 밀착성과 기계적 특성 등을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 계면 간의 밀착성이 향상됨을 통해 본딩 와이어 (300) 가 구부러지거나 외부에서 열 및/또는 압력을 받는 경우에도 계면 박리가 억제될 수 있다.
또한, 혼합층 (320) 은 본딩 와이어 (300) 의 바깥 방향, 즉 r 방향으로 갈수록 은 (Ag) 의 농도가 증가하는 농도 구배를 가질 수 있다. 이 경우, 코어재 (310) 와 접촉하는 혼합층 (320) 의 부분은 금 (Au) 의 농도가 크고, 표피층 (330) 과 접촉하는 혼합층 (320) 의 부분은 은 (Ag) 의 농도가 크게 되어, 계면 간의 밀착도가 더욱 향상될 수 있다.
한편, 표피층 (330) 또한 금 (Au) 과 은 (Ag) 이 혼합된 층일 수 있으나, 표피층 (330) 에서의 은 (Ag) 의 농도는 혼합층 (320) 에서의 은 (Ag) 의 농도와 비교하여 현저히 큰 값을 가지며, 혼합층 (320)의 경계는 은 (Ag) 의 농도가 불연속으로 변화하는 계면이 될 수 있다.
도 5 는 상기 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치 (400) 이다.
도 5 를 참조하면, 조명 장치(400) 는 케이스(410), 케이스(410) 내에 배치되는 발광 모듈 (430), 및 케이스(410) 내에 배치되며 외부 전원 공급원으로부터 전력을 공급받는 접속 터미널 (420) 을 포함할 수 있다.
케이스 (410) 는 금속 및 레진 물질과 같은 방열성이 좋은 물질로 형성될 수 있다.
발광 모듈 (430) 은 보드 (435) 및 보드 (435) 상에 탑재되는 실시 예에 따른 적어도 하나의 발광 소자 패키지 (431) 를 포함할 수 있다. 발광 소자 패키지 (431) 는 매트릭스 구조로 서로 일정한 거리로 이격되어 배열된 복수의 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
보드 (435) 는 회로 패턴이 인쇄된 절연 기판일 수 있고, 예를 들어, PCB (printed circuit board), 메탈 코어 PCB, 플렉서블 PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다.
또한, 보드 (435) 는 빛을 효과적으로 반사하는 물질로 형성될 수 있고, 보드 (435) 의 표면은 빛을 효과적으로 반사하는 흰색 또는 은색의 색으로 형성될 수 있다.
적어도 하나의 발광 소자 패키지 (431) 가 보드 (435) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자 패키지 (431) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드 (LED) 칩을 포함할 수 있다. LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 방출하는 LED 및 UV 를 방출하는 UV LED 를 포함할 수 있다.
발광 소자 패키지 (431) 에 배치된 발광 소자들 사이에서는 상술된 금-은 합금 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광 소자와 외부 전극은 금 (Au) 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 모듈은 원하는 색 및 휘도를 얻도록 다양한 발광 소자 패키지 (431) 의 조합을 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈은 높은 CRI 를 얻도록 백색, 적색, 녹색 LED 의 조합을 가질 수 있다.
접속 터미널 (420) 은 전력 공급을 위해 발광 모듈에 전기적으로 연결될 수 있다. 접속 터미널 (420) 은 외부 전력에 소켓 타입으로 나사식으로 연결될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 접속 터미널 (420) 은 핀 타입으로 만들어져 외부 전력에 삽입될 수 있으며, 전력선을 통해 외부 전력에 접속될 수도 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 431: 발광 소자 패키지
110: 패키지 몸체
120: 발광 소자
130: 리드 단자
140: 제 1 본딩 와이어
150: 제 2 본딩 와이어
200, 300: 금-은 합금 본딩 와이어
210, 310: 코어재
320: 혼합층
220, 330: 표피층
400: 조명 장치
410: 케이스
420: 접속 터미널
430: 발광 모듈
435: 보드

Claims (10)

  1. 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 에 95.0 질량% 이상의 고순도의 은 (Ag) 를 함유시킨 합금 본딩 와이어로서,
    상기 본딩 와이어는 상기 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 를 함유하는,
    본딩 와이어.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩 와이어의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커지는,
    본딩 와이어.
  3. 코어재 및 상기 코어재 상의 표피층을 포함하는 본딩 와이어로서,
    상기 표피층은 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 를 함유하고,
    상기 본딩 와이어는 상기 본딩 와이어 질량 100% 에 대하여, 15% 내지 30% 질량의 은 (Ag) 를 함유하는,
    본딩 와이어.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 코어재는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 으로 형성되는,
    본딩 와이어.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 표피층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커지는,
    본딩 와이어.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 코어재와 상기 표피층 사이에 배치되는 혼합층을 더 포함하고,
    상기 혼합층은 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 과 95.0 질량% 이상의 고순도 은 (Ag) 이 혼합되어 형성되는,
    본딩 와이어.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 혼합층의 은 (Ag) 의 농도는 상기 본딩 와이어의 바깥쪽으로 갈수록 커지는,
    본딩 와이어.
  8. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 배치되는 복수의 발광 소자;
    상기 패키지 몸체에 배치되며, 상기 복수의 발광 소자와 전기적으로 연결되는 복수의 리드 단자;
    상기 복수의 리드 단자와 상기 복수의 발광 소자 중 일부를 연결시키는 제 1 본딩 와이어; 및
    상기 복수의 발광 소자 사이를 연결시키는 제 2 본딩 와이어를 포함하고,
    상기 제 2 본딩 와이어는 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 본딩 와이어인,
    발광 소자 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 본딩 와이어는 95.0 질량% 이상의 고순도 금 (Au) 으로 형성되는,
    발광 소자 패키지.
  10. 기판; 및
    상기 기판 상에 배치되는 제 8 항 내에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는,
    조명 장치.

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