KR20200017972A - 발광소자 패키지 및 광원 모듈 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 제 1 및 제 2 프레임, 상기 제 1 및 제 2 프레임을 감싸며 배치되고, 서로 이격된 제 1 및 제 2 개구부를 갖는 몸체, 상기 몸체 상에 배치되고, 제 1 및 제 2 본딩부를 포함하는 발광소자 및 상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되는 제 1 및 제 2 도전부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 개구부는 상기 제 1 및 제 2 프레임과 각각 수직으로 중첩되고, 상기 제 1 및 제 2 도전부는 상기 제 1 및 제 2 프레임과 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 본딩부는 상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되며 상기 제 1 및 제 2 도전부와 전기적으로 연결되고, 상기 발광소자는 상기 제 1 및 제 2 개구부의 외측에서 상기 몸체 상에 배치되는 지지 영역을 포함한다.
또한, 실시예에 따른 광원 모듈은 회로기판 및 상기 회로기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자 패키지를 포함한다.

Description

발광소자 패키지 및 광원 모듈{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT MODULE}
실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 황색, 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요구됨에 따라 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어서, 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어서, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어서, 반도체 소자와 패키지 사이의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 자세하게, 반도체 소자의 크기가 작아짐에 따라 상기 반도체 소자와 리드 프레임 사이의 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 상기 반도체 소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출하여 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 상기 반도체 소자와 리드 프레임 사이에 공극(void)이 형성되는 것을 방지하여 상기 반도체 소자와 상기 리드 프레임 사이에서 열충격에 의한 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있는 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어서, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄일 수 있고, 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
실시예는 본딩부 상에 도전부를 배치하여 프레임과 상기 도전부 사이에 공극(void)이 형성되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 열에 의해 상기 발광소자의 본딩부와 상기 도전부 사이, 상기 도전부와 상기 프레임 사이에 크랙(crack)이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 몸체의 두께를 감소시킬 수 있어 보다 슬림한 구조의 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 광을 상부 방향으로 유도하여 광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 열을 효율적으로 배출할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자 패키지가 기판 등에 본딩되는 과정에서 발광소자와 패키지 몸체 사이의 본딩 영역이 리멜팅(re-melting) 되는 현상을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격되어 배치되는 제 1 및 제 2 프레임, 상기 제 1 및 제 2 프레임을 감싸며 배치되고, 서로 이격된 제 1 및 제 2 개구부를 갖는 몸체, 상기 몸체 상에 배치되고, 제 1 및 제 2 본딩부를 포함하는 발광소자 및 상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되는 제 1 및 제 2 도전부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 개구부는 상기 제 1 및 제 2 프레임과 각각 수직으로 중첩되고, 상기 제 1 및 제 2 도전부는 상기 제 1 및 제 2 프레임과 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 본딩부는 상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되며 상기 제 1 및 제 2 도전부와 전기적으로 연결되고, 상기 발광소자는 상기 제 1 및 제 2 개구부의 외측에서 상기 몸체 상에 배치되는 지지 영역을 포함한다.
또한, 실시예에 따른 광원 모듈은 회로기판 및 상기 회로기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자 패키지를 포함한다.
실시예는 본딩부와 도전부 사이에 공극(void)이 형성되는 것을 방지할 수 있어 상기 본딩부와 상기 도전부 사이에 열충격 등에 의한 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 도전부와 프레임 사이의 결합력을 향상시킬 수 있어 열충격 등에 의해 상기 도전부와 상기 프레임 사이에서 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자의 본딩부 상에 상기 도전부를 형성하여 발광소자 패키지가 기판 등에 본딩되는 과정에서 상기 발광소자와 몸체 사이의 본딩 영역이 리멜팅(re-melting) 되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 몸체의 두께를 감소시킬 수 있어 보다 슬림한 구조를 가질 수 있고, 발광소자로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 유도하여 광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 본딩부 상에 배치되는 도전부에 의해 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 발광소자의 본딩부 상에 상기 도전부를 미리 형성함에 따라 상기 발광소자와 상기 프레임을 사이의 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자의 크기가 작을 경우, 상기 발광소자와 상기 프레임 사이의 솔더링(soldering)이 매우 어려워 얼라인(align) 불량, 크랙 발생, 공극 형성 등의 불량이 발생할 수 있다. 그러나, 실시예는 상기 도전부가 상기 본딩부에 미리 형성됨에 따라 상술한 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 신뢰성 및 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 패키지 몸체에서 프레임을 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 4는 도 3의 A영역을 확대한 도면이다.
도 5 및 도 6은 도 4의 변형예를 도시한 도면이다.
도 7은 도 1의 발광소자 패키지에서 프레임의 변형예를 도시한 A-A' 단면도이다.
도 8는 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 9은 도 8의 B-B' 단면도이다.
도 10은 도 4의 B영역을 확대한 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 회로 기판에 배치된 모듈의 예를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 반도체 소자 패키지로 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
또한, 발명의 실시예에 대한 설명을 하기 앞서, 제 1 방향은 도면에 도시된 x축 방향일 수 있고, 제 2 방향은 도면에 도시된 y축 방향으로 상기 x축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 또한, 제 3 방향은 도면에 도시된 z축 방향으로, 상기 x축 및 y축과 직교하는 방향일 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 패키지 몸체에서 프레임을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 도 1의 A-A' 단면도이며, 도 4는 도 3의 A영역을 확대한 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 패키지 몸체(100) 및 발광소자(500)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 복수 개의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(100)는 서로 이격되는 제 1 프레임(110) 및 제 2 프레임(120)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 2 프레임(120)와 제 1 방향(x축 방향)으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 몸체(130)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(130)는 상기 제 1 프레임(110)과 상기 제 2 프레임(120)을 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몸체(130)는 상기 제 1 프레임(110)과 상기 제 2 프레임(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(130)의 상면은 상기 제 1 및 제 2 프레임(110, 120)의 상면보다 상부에 위치할 수 있다. 상기 몸체(130)는 상기 복수 개의 프레임 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(130)는 절연 부재로 지칭될 수 있다.
상기 몸체(130)는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(130)는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 몸체(130)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(110, 120)의 상에 경사진 내측면(IS1, IS2, IS3, IS4)을 제공할 수 있다. 상기 경사진 내측면(IS1, IS2, IS3, IS4)에 의해 상기 제 1 프레임(110)과 상기 제 2 프레임(120) 상에는 캐비티(170)가 제공될 수 있다. 상기 캐비티(170)의 높이(제 3 방향)은 약 300㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 캐비티(170)의 높이(t1)는 약 130㎛ 내지 약 280㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 캐비티(170)의 높이(t1)는 약 130㎛ 내지 약 260㎛일 수 있다. 실시예에 따른 패키지 몸체(100)는 상기 캐비티(170)가 있는 구조로 제공될 수도 있고, 상기 캐비티(170)가 없이 상기 패키지 몸체(100)의 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다. 상기 몸체(130) 상에는 상부 몸체(135)가 배치되며, 상기 상부 몸체(135)는 상기 캐비티(170)를 가질 수 있다. 상기 상부 몸체(135)는 상기 몸체(130)과 동일한 재질이거나 별도의 재질로 배치될 수 있다. 또한, 상기 상부 몸체(135)는 상기 몸체(130)와 일체로 형성될 수 있다.
상기 몸체(130)는 복수 개의 개구부를 포함할 수 있다. 상기 몸체(130)는 서로 이격되는 복수 개의 개구부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(130)는 제 1 개구부(h11) 및 제 2 개구부(h12)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)는 상기 캐비티(170)의 바닥면에 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)는 상기 몸체(130)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 개구부(h11)는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 개구부(h11)는 상기 제 1 프레임(110)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 개구부(h11)의 하면은 상기 제 1 프레임(110)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 개구부(h11)는 상기 제 1 프레임(110)의 상면을 노출시킬 수 있다. 상기 제 1 개구부(h11)의 상부 영역의 면적은 하부 영역의 면적과 서로 다르거나 같을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 개구부(h11)의 상부 영역 면적은 하부 영역 면적보다 작을 수 있다. 여기서, 제 1 개구부(h11)의 상부 영역은 상기 제 1 개구부(h11)의 최상부에 위치한 영역일 수 있다. 또한, 상기 제 1 개구부(h11)의 최상부 영역을 연결하는 가상의 수평면은 상기 몸체(130)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 개구부(h11)의 수직 방향 높이는 약 30㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 개구부(h11)의 높이는 약 5㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다.
상기 제 2 개구부(h12)는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)는 상기 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)의 하면은 상기 제 2 프레임(120)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)의 하면은 상기 제 1 개구부(h11)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)는 상기 제 2 프레임(120)의 상면을 노출시킬 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)의 상부 영역 면적은 하부 영역 면적과 서로 다르거나 같을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 개구부(h12)의 상부 영역 면적은 하부 영역 면적보다 작을 수 있다. 여기서, 제 2 개구부(h12)의 상부 영역은 상기 제 2 개구부(h12)의 최상부에 위치한 영역일 수 있다. 또한, 상기 제 2 개구부(h12)의 최상부 영역을 연결하는 가상의 수평면은 상기 몸체(130)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 개구부(h12)의 상부 및 하부 영역 각각의 면적은 상기 제 1 개구부(h11)의 상부 및 하부 영역 각각의 면적과 대응될 수 있다.
상기 제 2 개구부(h12)의 수직 방향 높이는 약 30㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 개구부(h12)의 높이는 약 5㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다. 상기 제 2 개구부(h12)의 높이는 상기 제 1 개구부(h11)의 높이와 대응될 수 있다.
상기 몸체(130)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(100)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(130)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다.
상기 상부 몸체(135)는 상기 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 상부 몸체(135)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 상부 몸체(135)는 반사 몸체로써의 기능을 수행할 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 복수 개의 측면들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(130)는 제 1 방향으로 서로 마주하는 제 1 측면(S1) 및 제 2 측면(S2)을 포함할 수 있고, 제 2 방향으로 서로 마주하는 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)과 상기 제 2 측면(S2)을 연결하는 측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 측면(S3)은 상기 제 1 측면(S1)의 일 끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 일 끝단과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)의 타 끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 타 끝단과 연결될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몸체(100)의 하면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 제 1 방향(x축 방향) 길이 및 제 2 방향(y축 방향) 길이를 가질 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이보다 길 수 있다. 자세하게, 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이보다 약 2배 이상 길 수 있다. 여기서, 상기 제 1 방향은 상기 발광소자(500)의 제 1 및 제 2 방향 길이 중에서 더 긴 길이를 갖는 변의 방향일 수 있다.
예를 들어, 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 제 2 방향으로 이격될 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 사이의 거리는 상기 패키지 몸체(100)의 두께와 대응될 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)의 두께는 약 1.2mm 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 패키지 몸체(100)의 두께는 약 1mm 이하일 수 있다.
또한, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 제 1 방향으로 이격될 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리는 상기 패키지 몸체(100)의 두께의 약 2배 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리는 상기 패키지 몸체(100)의 두께의 약 3배 이상일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리는 상기 패키지 몸체(100)의 두께의 약 4배 이상일 수 있다. 즉, 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 약 2.5mm 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 패키지 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 약 2.7mm 내지 약 5mm 일 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)는 제 1 방향의 길이를 길게 제공함으로써, 제 1 방향으로 상기 발광소자 패키지(1000)들을 배열될 때, 발광소자 패키지(1000)의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)는 두께(T1)를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광소자 패키지(1000)를 갖는 라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 캐비티(170)는 전면(S5)이 개방되고 광이 출사되므로, 상기 제 4 측면(S4)을 기준으로 사이드 뷰 타입으로 광을 방출할 수 있다.
상기 상부 몸체(135)는 복수 개의 내측면들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 상부 몸체(135)는 상기 캐비티(170)의 둘레에 경사진 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)을 포함할 수 있다. 상기 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)은 경사기저나 수직할 수 있다. 상기 내측면(IS1, IS2, IS3, IS4)은 제 1 방향으로 마주하는 제 1 내측면(IS1) 및 제 2 내측면(IS2)을 포함할 수 있고, 제 2 방향으로 마주하는 제 3 내측면(IS3) 및 제 4 내측면(IS4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)은 상기 제 1 및 제 2 내측면들(IS1, IS2)을 연결하는 내측면일 수 있다. 상기 제 1 내측면(IS1)은 상기 제 1 측면(S1)과 인접할 수 있고, 상기 제 2 내측면(IS2)은 상기 제 2 측면(S2)과 인접할 수 있다. 또한, 상기 제 3 내측면(IS3)은 상기 제 3 측면(S3)과 인접할 수 있고, 상기 제 4 내측면(IS4)은 상기 제 4 측면(S4)과 인접할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 내측면들(IS1, IS2)의 경사각은 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)의 경사각과 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 내측면(IS1, IS2)의 경사각은 상기 제 3 및 제 4 내측면(IS3, IS4)의 경사각보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출된 광은 완만한 상기 제 1 및 제 2 내측면(IS1, IS2)을 통해 반사될 수 있어 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 전면(S5) 및 후면(S6)을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)의 전면(S5)은 상기 발광소자(500)로부터 방출된 광이 출사하는 면으로 상기 캐비티(170)가 배치되는 면일 수 있다. 상기 캐비티(170)는 상기 전면(S5)으로부터 상기 후면(S6) 방향으로 함몰될 수 있다. 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6)은 상기 전면(S5)과 반대되는 면으로 오목부(180)가 배치될 수 있다. 상기 오목부(180)는 상기 발광소자(500)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 오목부(180)는 상기 발광소자(500)와 수직 방향(z축 방향)으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 4 측면(S4)은 도 1에 도시된 바와 같이 패키지 몸체(100) 또는 몸체(130)의 바닥부일 수 있다. 상기 제 4 측면(S4)은 후술할 회로기판(810)과 대면하는 면일 수 있다. 상기 제 3 측면(S3)은 상기 패키지 몸체(100) 또는 몸체(130)의 상면부일 수 있다. 또한, 상기 제 1 측면(S1)과 제 2 측면(S2)은 상기 패키지 몸체(100) 또는 몸체(130)의 측면부일 수 있다.
상기 패키지 몸체(100) 상에는 발광소자(500)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 캐비티(170) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(110), 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 개구부(h11) 및 상기 제 2 개구부(h12) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 몸체(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 몸체(130)와 수직 방향(z축 방향)으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 하면 둘레에 지지 영역(590)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(500)의 지지 영역(590)은 상기 몸체(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 지지 영역(590)은 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)와 이격될 수 있다. 상기 지지 영역(590)은 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12) 외측에 위치할 수 있다. 상기 지지 영역(590)은 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)와 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 발광소자(500)의 지지 영역(590)은 상기 몸체(130)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광소자(500)는 발광 구조물(510), 제 1 본딩부(501) 및 제 2 본딩부(502)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501) 및 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 발광 구조물(510)의 바닥면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 본딩부(501, 502)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 프레임(110)과 마주할 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 프레임(110)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 개구부(h11)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 개구부(h11) 내에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(501)의 하면은 상기 몸체(130)의 상면보다 하부에 위치할 수 있고, 상기 제 1 개구부(h11)의 하면보다 상부에 위치할 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 프레임(120)과 마주할 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 개구부(h12)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 개구부(h12) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)의 하면은 상기 몸체(130)의 상면보다 하부에 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 본딩부(502)의 하면은 상기 몸체(130)의 상면보다 하부에 위치할 수 있고, 상기 제 2 개구부(h12)의 하면보다 상부에 위치할 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(510)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 제 1 도전형 반도체층(511), 활성층(512), 제 2 도전형 반도체층(513)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 또한, 상기 활성층(512)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(512)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.
상기 발광소자(500)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(500)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다. 상기 발광소자(500)는 후술할 도 8 및 도 9를 이용하여 보다 자세히 설명하기로 한다.
상기 발광소자(500)의 두께(t2)는 상기 캐비티(170)의 높이(t1)보다 작을 수 있다. 상기 캐비티(170) 내에 배치되는 발광소자(500)의 두께(t2)는 상기 캐비티(170)의 높이(t1)보다 작을 수 있다. 상기 발광소자(500)의 두께(t2)는 상기 캐비티(170)의 높이(t1)의 약 35% 내지 약 65%일 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 두께(t2)는 상기 캐비티(170)의 높이(t1)의 약 40% 내지 약 60%일 수 있다. 일례로, 상기 캐비티(170) 내에 배치되는 발광소자(500)의 두께(t2)는 약 110㎛ 내지 약 130㎛일 수 있고, 상기 캐비티(170)의 높이(t1)는 약 220㎛ 내지 약 260㎛일 수 있다.
또한, 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 제 2 본딩부(502)의 두께는 약 10㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 제 2 본딩부(502)의 두께는 약 8㎛ 이하일 수 있다. 더 자세하게, 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 제 2 본딩부(502)의 두께는 약 5㎛ 이하일 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 제 1 프레임(110)과 제 2 프레임(120)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(110)과 상기 제 2 프레임(120)은 서로 이격될 수 있다. 상기 제 1 프레임(110)과 상기 제 2 프레임(120)은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(110)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(120)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(110)은 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(120)은 상기 발광소자(500)의 제 2 본딩부(502)와 연결될 수 있다.
상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 1 측면(S1) 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 절곡되며 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출되는 제 1 리드부(111)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 리드부(111)는 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 1 리드부(111)로부터 절곡되어 상기 제 1 측면(S1)의 후면에 배치되는 제 1 방열부(113)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 프레임(120)은 상기 제 2 측면(S2) 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(120)은 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 절곡되며 상기 제 4 측면(S4)으로부터 돌출되는 제 2 리드부(121)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 리드부(121)는 상기 제 4 측면(S4) 방향으로 돌출될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(120)은 상기 제 2 리드부(121)로부터 절곡되어 상기 제 2 측면(S2)의 후면에 배치되는 제 2 방열부(123)를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 금속 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 상기 발광소자(500)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120) 각각의 두께는 약 120㎛ 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(110) 및 제 2 프레임(120) 각각의 두께는 약 120㎛ 내지 약 250㎛일 수 있다. 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120)은 상기 패키지 몸체(100)의 구조적 강도를 향상시킬 수 있고, 방열 특성 및 전기적 특성을 고려하여 그 두께는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이에는 도전부(610, 620)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이에는 서로 이격되는 제 1 도전부(610) 및 제 2 도전부(620)가 배치될 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 하면은 상기 몸체(130)의 상면보다 하부에 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면 일부 또는 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)의 내측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)의 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)의 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 하면에 노출된 상기 제 1 본딩부(501)의 전체 영역을 감싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 및 측면 전체를 감싸며 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)보다 길 수 있고 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)는 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 제 1 본딩부(501) 및 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 일측면은 상기 제 1 본딩부(501)의 일측면과 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 하면 면적은 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)은 상기 제 1 도전부(610)에 의해 외부에서 시인되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 길이보다 짧거나 같을 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 Ag, Au, Sn, Cu, AgSn, AuSn 및 상술한 물질들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 도전부(610)는 AgSn을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 2% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3.5%인 AgSn을 포함할 수 있다. 여기서 %는 중량%(wt%)를 의미할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 하면과 상기 제 1 프레임(110)이 중첩하는 영역에서 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 본딩부(501)가 배치되지 않은 상기 발광소자(500)의 하면과 상기 제 1 프레임(110) 사이에서 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 상기 제 1 두께(t4)는 상기 제 1 본딩부(501)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 1 두께(t4)는 상기 제 1 개구부(h11)의 높이보다 크거나 같을 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 1 두께(t4)는 약 30㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)의 제 1 두께(t4)는 약 5㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다.
또한, 상기 제 1 도전부(610)는 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110)이 수직 방향으로 중첩하는 영역에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 본딩부(501)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 두께(t4)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 도전부(610)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 개구부(h11)의 높이보다 작을 수 있다. 제 1 도전부(501)의 제 2 두께(t5)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(501)의 제 2 두께(t5)는 약 15㎛ 이하일 수 있다.
또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면 상에서 제 1 너비(d3)를 가질 수 있다. 상기 제 1 너비(d3)는 수평 방향 너비를 의미할 수 있다. 상기 제 1 너비(d3)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면과 상기 제 1 개구부(h11)의 내측면 사이의 거리와 대응될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 1 너비(d3)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(501)의 제 1 너비(d3)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 상기 제 1 도전부(501)의 제 1 너비(d3)는 상기 제 2 두께(t5)와 대응될 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)의 제 1 두께(t4), 제 2 두께(t5) 및 제 1 너비(d3) 각각이 상술한 범위 미만인 경우, 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110)은 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 1 두께(t4), 제 2 두께(t5) 및 제 1 너비(d3) 각각이 상술한 범위를 초과할 경우 상기 제 1 도전부(610)의 두께가 증가하여 패키지의 전체 두께가 증가할 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 하면은 상기 몸체(130)의 상면보다 하부에 위치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면 일부 또는 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12)의 내측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 하면에 노출된 상기 제 2 본딩부(502)의 전체 영역을 감싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 및 측면 전체를 감싸며 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)는 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)보다 길 수 있고, 상기 제 2 개구부(h12)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)는 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 제 2 본딩부(502) 및 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 일측면은 상기 제 2 본딩부(502)의 일측면과 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 하면 면적은 상기 제 2 면적의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)은 상기 제 2 도전부(620)에 의해 외부에서 시인되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 길이보다 짧거나 같을 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 Ag, Au, Sn, Cu, AgSn, AuSn 및 상술한 물질들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 도전부(610)는 AgSn을 포함할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 Sn의 비율이 약 2% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)는 Sn의 비율이 약 3% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)는 Sn의 비율이 약 3.5%인 AgSn을 포함할 수 있다. 여기서 %는 중량%(wt%)를 의미할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 1 도전부(610)와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 1 도전부(610)와 대응되는 두께, 너비를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도전부(620)는 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 하면과 상기 제 2 프레임(120)이 중첩하는 영역에서 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 본딩부(502)가 배치되지 않은 상기 발광소자(500)의 하면과 상기 제 2 프레임(120) 사이에서 제 1 두께(t4)를 가질 수 있다. 상기 제 1 두께(t4)는 상기 제 2 본딩부(502)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 두께(t4)는 상기 제 2 개구부(h12)의 높이보다 크거나 같을 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 두께(t4)는 약 30㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 두께(t4)는 약 5㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다.
또한, 상기 제 2 도전부(620)는 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임 사이에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120)이 수직 방향으로 중첩하는 영역에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 두께(t5)는 상기 제 2 본딩부(502)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 두께(t4)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 개구부(h11)의 높이보다 작을 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 두께(t5)는 약 15㎛ 이하일 수 있다.
또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면 상에서 제 1 너비(d3)를 가질 수 있다. 상기 제 1 너비(d3)는 수평 방향 너비를 의미할 수 있다. 상기 제 1 너비(d3)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면과 상기 제 2 개구부(h12)의 내측면 사이의 거리와 대응될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 너비(d3)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 너비(d3)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 너비(d3)는 상기 제 2 두께(t5)와 대응될 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)의 제 1 두께(t4), 제 2 두께(t5) 및 제 1 너비(d3) 각각이 상술한 범위 미만인 경우, 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120)은 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)의 제 1 두께(t4), 제 2 두께(t5) 및 제 1 너비(d3) 각각이 상술한 범위를 초과할 경우 상기 제 2 도전부(620)의 두께가 증가하여 패키지 전체 두께가 증가할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 및 측면에 증착될 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 및 측면에 증착될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 도전부(610, 620) 각각은 도금, 물리적 기상 증착(PVD) 등을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 도전부(610, 620)는 전해도금(electro plating), 무전해도금(electroless plating), 스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation) 등을 통해 각각의 본딩부(501, 502) 상에 형성될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501) 상에 증착된 이후 상기 제 1 프레임(110)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502) 상에 증착된 이후 상기 제 2 프레임(120)과 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 도전부(610, 620) 각각을 상기 제 1 및 제 2 프레임(110, 120)과 연결할 경우, 상기 제 1 및 제 2 프레임(110, 120) 상에는 각각 플럭스(flux)가 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)의 하면과 마주하는 각각의 프레임(110, 120)의 상면 상에는 플럭스가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 개구부(h11)의 하면과 상기 제 2 개구부(h12)의 하면 상에는 플럭스가 배치될 수 있다. 상기 플럭스는 송진, 수지, 무기산, 유기산 등의 환원성 물질을 포함할 수 있다. 상기 플럭스는 상기 프레임(110, 120) 상에 상기 도전부(610, 620)를 고정시키는 역할을 수행할 수 있다. 이후, 열 압착 등을 진행하여 상기 도전부(610, 620)와 상기 프레임(110, 120)을 고정시킬 수 있고 상기 도전부(610, 620)와 상기 프레임(110, 120)은 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 도전부(610, 620)는 상기 프레임(110, 120)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 플럭스는 상기 도전부(610, 620) 및 상기 프레임(110, 120)이 결합된 이후 제거될 수 있다.
상기 패키지 몸체(100) 상에는 제 1 수지(210)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몸체(130) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 몸체(130)의 상면 및 상기 발광소자(500)의 배면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 제 2 본딩부(502) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 제 1 도전부(610) 및 상기 제 2 도전부(620) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 제 1 개구부(h11) 및 상기 제 2 개구부(h12) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제 1 수지(210)는 접착성 재질 또는/및 반사성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 수지(210)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 제 1 수지(210)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.
상기 몸체(130)는 오목부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(130)의 상면은 상기 몸체(130)의 하면 방향으로 오목한 적어도 하나의 오목부가 형성될 수 있다. 상기 오목부는 상기 발광소자(500) 하면에 배치될 수 있다. 상기 오목부는 전체 영역이 상기 발광소자와 중첩될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 오목부에 제공될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 오목부에 의해 제공 위치 및 공급량을 제어할 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 발광소자(500)와 상기 몸체(130)에 접착될 수 있다. 상기 제 1 수지(210)는 상기 제 1 도전부(610) 및 상기 제 2 도전부(620)와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 수지(210)는 상기 제 1 도전부(610)의 외측면과 상기 제 2 도전부(620)의 외측면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 수지(210)는 상기 발광소자(500)의 하부 접착력 및 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지(210)는 반사성 수지 재질로 형성되어 광을 확산시킬 수 있으며 이에 따라 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 패키지 몸체(100) 상에는 제 2 수지(220)가 더 배치될 수 있다. 상기 제 2 수지(220)는 상기 캐비티(170) 하면에 배치되는 몸체(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 수지(220)는 상기 제 1 및 제 2 개구부(h11, h12)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 제 2 수지(220)는 상기 발광소자(500)의 둘레에 배치될 수 있다.
상기 제 2 수지(220)는 접착성 재질 또는/및 반사성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 수지(210)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 제 2 수지(220)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.
상기 제 2 수지(220)는 상기 발광소자(500)의 측면과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 수지(220)는 상기 발광소자(500)의 측면 접착력을 강화시킬 수 있고 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 몰딩부(300)를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체(130) 및 상기 발광소자(500) 상에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(400)는 상기 상부 몸체(135)에 의하여 제공된 상기 캐비티(170) 내에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)를 감싸며 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(300)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 황색, 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(300) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610nm에서 650nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4+, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)가 자외선(UV)을 방출하는 발광소자를 포함하는 경우 상기 몰딩부(300)는 생략될 수 있다.
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)가 형성될 수 있고, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 열충격 등에 의한 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)를 미리 형성함에 따라 상기 발광소자(500)를 상기 프레임(110, 120) 상에 쉽게 연결시킬 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자의 크기가 점차 작아지면서, 소형의 발광소자(500)와 프레임(110, 120) 사이의 솔더링(soldering)의 어려움이 있다. 그러나, 실시예는 상기 도전부(610, 620)가 사전에 형성됨에 따라 상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이의 얼라인(align) 문제, 공극 형성, 크랙 발생 등의 솔더링 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 도전부(610, 620)는 상기 본딩부(501, 502)의 측면 및 하면을 감싸며 배치됨에 상기 본딩부(501, 502)와 상기 도전부(610, 620) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있고, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 실시예는 발광소자 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 4의 변형예를 도시한 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면과 이격하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)의 하면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 제 1 도전부(501)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)와 대응될 수 있고, 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)는 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 여기서 상기 제 1 본딩부(501) 및 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 일측면은 상기 제 1 본딩부(501)의 일측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 일측면은 상기 제 1 개구부(h11)의 내측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 도전부(610)의 상면 면적은 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 면적과 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 개구부(h11)의 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 길이보다 짧거나 같을 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 1 본딩부(501)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 제 2 두께(t5)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)의 제 2 두께(t5)는 약 15㎛ 이하일 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면과 이격하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)의 하면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)는 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)와 대응될 수 있고, 상기 제 2 개구부(h12)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)는 상기 제 2 개구부(h12)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 여기서 상기 제 2 본딩부(502) 및 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 일측면은 상기 제 2 본딩부(502)의 일측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 일측면은 상기 제 2 개구부(h12)의 내측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 도전부(620)의 상면 면적은 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 면적과 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 2 개구부(h12)의 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 길이보다 짧거나 같을 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120) 사이에서 제 2 두께(t5)를 가질 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 상기 제 2 본딩부(502)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)의 제 2 두께(t5)는 약 15㎛ 이하일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 도전부(610, 620) 각각의 제 2 두께(t5)가 상술한 범위 미만인 경우, 상기 본딩부(501, 502)와 상기 프레임(110, 120)이 연결되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제 2 두께(t5)가 상술한 범위를 초과할 경우 상기 도전부(610, 620)의 두께가 증가하여 패키지의 전체 두께가 증가할 수 있다.
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)가 형성될 수 있고, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 열충격 등에 의한 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)를 미리 형성함에 따라 상기 발광소자(500)를 상기 프레임(110, 120) 상에 쉽게 연결시킬 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자의 크기가 점차 작아지면서, 소형의 발광소자(500)와 프레임(110, 120) 사이의 솔더링(soldering)의 어려움이 있다. 그러나, 실시예는 상기 도전부(610, 620)가 사전에 형성됨에 따라 상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이의 얼라인(align) 문제, 공극 형성, 크랙 발생 등의 솔더링 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 도전부(610, 620)는 상기 본딩부(501, 502)의 하면과 직접 접촉하며 상기 본딩부(501, 502)의 하면과 대응되는 면적을 가짐에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 실시예는 발광소자 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 측면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)의 하면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)보다 짧을 수 있고, 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)는 상기 제 1 개구부(h11)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 여기서 상기 제 1 본딩부(501) 및 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 일측면은 상기 제 1 본딩부(501)의 일측면과 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 일측면은 상기 제 1 개구부(h11)의 내측면과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)와 상기 제 1 개구부(h11)는 제 2 너비(d4)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)의 측면과 상기 제 1 개구부(h11)의 내측면은 제 2 너비(d4)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 2 너비(d4)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 너비(d4)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 상면 면적은 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 길이보다 짧을 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 하면 면적은 상기 제 1 개구부(h11) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(110)의 상면 면적보다 작을 수 있다.
또한, 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 일부는 노출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)의 장축 길이(d2)가 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)보다 짧음에 따라 상기 제 1 본딩부(501)의 하면 일부는 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 프레임(110) 사이에는 갭(gap)이 형성될 수 있다. 상기 갭에는 상술한 플럭스가 배치될 수 있고, 상기 플럭스에 의해 상기 제 1 본딩부(501), 상기 제 1 도전부(610) 및 상기 제 1 프레임(110) 사이의 결합력은 향상될 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 발광소자(500)의 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 측면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)의 하면과 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)는 상기 제 1 본딩부(501)의 장축 길이(d1)보다 짧을 수 있고, 상기 제 2 개구부(h12)의 수평 방향 폭보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)는 상기 제 2 개구부(h12)의 수평 방향 폭과 대응될 수 있다. 여기서 상기 제 2 본딩부(502) 및 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d1, d2)는 수평 방향의 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 일측면은 상기 제 2 본딩부(502)의 일측면과 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 일측면은 상기 제 2 개구부(h12)의 내측면과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)와 상기 제 2 개구부(h12)는 제 2 너비(d4)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)의 측면과 상기 제 2 개구부(h12)의 내측면은 제 2 너비(d4)만큼 이격될 수 있다. 상기 제 2 너비(d4)는 약 20㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 너비(d4)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 상면 면적은 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)는 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 길이보다 짧을 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)의 하면 면적은 상기 제 2 개구부(h12) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(120)의 상면 면적보다 작을 수 있다.
또한, 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 일부는 노출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)의 장축 길이(d2)가 상기 제 2 본딩부(502)의 장축 길이(d1)보다 짧음에 따라 상기 제 2 본딩부(502)의 하면 일부는 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 프레임(120) 사이에는 갭(gap)이 형성될 수 있다. 상기 갭에는 상술한 플럭스가 배치될 수 있고, 상기 플럭스에 의해 상기 제 2 본딩부(502), 상기 제 2 도전부(620) 및 상기 제 2 프레임(120) 사이의 결합력은 향상될 수 있다.
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)가 형성될 수 있고, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 열충격 등에 의한 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)를 미리 형성함에 따라 상기 발광소자(500)를 상기 프레임(110, 120) 상에 쉽게 연결시킬 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자의 크기가 점차 작아지면서, 소형의 발광소자(500)와 프레임(110, 120) 사이의 솔더링(soldering)의 어려움이 있다. 그러나, 실시예는 상기 도전부(610, 620)가 사전에 형성됨에 따라 상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이의 얼라인(align) 문제, 공극 형성, 크랙 발생 등의 솔더링 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 도전부(610, 620)는 상기 본딩부(501, 502)의 하면 및 상기 프레임(110, 120)의 상면과 직접 접촉하며 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 실시예는 발광소자 패키지(1000)의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 도전부(610, 620)의 면적이 본딩부(501, 502)의 면적보다 작음에 따라 상기 본딩부(501, 502)와 프레임(110, 120) 사이에는 갭이 형성될 수 있고, 상기 갭에는 플럭스가 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 본딩부(501, 502), 상기 도전부(610, 620) 및 상기 프레임 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 7은 도 1의 발광소자 패키지에서 프레임의 변형예를 도시한 A-A' 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 패키지 몸체(100)는 제 1 프레임(110) 및 제 2 프레임(120)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프레임(110)은 상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 1 본딩부(501)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(120)은 상기 발광소자(500)의 제 2 본딩부(502)와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 프레임(120)은 상기 제 2 본딩부(502)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 1 프레임(110)은 상기 캐비티(170)의 하면에서 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6) 방향으로 절곡되는 제 1 지지부(115)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 지지부(115)는 상기 패키지 몸체(100) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제 1 지지부(115)는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되지 않고 상기 캐비티(170)의 하면과 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 지지부(115)는 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6)보다 상기 캐비티(170)의 하면과 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 지지부(115)의 양단부(116, 117)는 절곡된 부분으로 상기 양단부(116, 117)는 상기 제 1 프레임(110)과 상기 패키지 몸체(100) 내부에 배치되는 제 1 내부 프레임(119)과 연결될 수 있다. 상기 제 1 지지부(115)의 양단부(116, 117)의 두께는 상기 제 1 프레임(110)의 두께보다 얇을 수 있다. 또한, 상기 제 1 지지부(115)의 양단부(116, 117)의 두게는 상기 제 1 내부 프레임(119)의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 제 2 프레임(120)은 상기 캐비티(170)의 하면에서 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6) 방향으로 절곡되는 제 2 지지부(125)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 지지부(125)는 상기 패키지 몸체(100) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제 2 지지부(125)는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되지 않고 상기 캐비티(170)의 하면과 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 지지부(125)는 상기 패키지 몸체(100)의 후면(S6)보다 상기 캐비티(170)의 하면과 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 지지부(125)의 양단부(126, 127)는 절곡된 부분으로 상기 양단부(126, 127)는 상기 제 1 프레임(110)과 상기 패키지 몸체(100) 내부에 배치되는 제 2 내부 프레임(129)과 연결될 수 있다. 상기 제 2 지지부(125)의 양단부(126, 127)의 두께는 상기 제 2 프레임(120)의 두께보다 얇을 수 있다. 또한, 상기 제 2 지지부(125)의 양단부(126, 127)의 두게는 상기 제 2 내부 프레임(129)의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 패키지 몸체(100)는 양단부가 절곡된 지지부(115, 125)를 포함함에 따라, 상기 몸체(130)와 상기 제 1 및 제 2 프레임(110, 120) 사이의 접촉 면적을 넓힐 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체(130), 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 2 프레임(120) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있어 발광소자 패키지(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 9는 도 8의 B-B' 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 실시에에 따른 발광소자(500)는 기판(505), 발광 구조물(510), 전도층(530), 반사층(560), 제 1 전극(541), 제 2 전극(542), 제 1 본딩부(501), 제 2 본딩부(502) 및 보호층(550)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 본딩부(501, 502)는 상기 발광 구조물(510) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 및 제 2 본딩부(501, 502)가 일면 상에 배치되어 플립 칩 방식으로 패키지 내부에 배치되거나 회로 기판 상에 배치될 수 있다.
상기 기판(505)은 상기 발광 구조물 하부에 배치될 수 있다. 상기 기판(505)은 투광성 재질 또는 절연성 재질일 수 있다. 상기 기판(505)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(505)은 상부 면에 요철 패턴(502)이 배치될 수 있다. 상기 요철 패턴(502)은 복수의 볼록부가 배열될 수 있으며, 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 줄 수 있다. 상기 기판(505)은 상면 및 하면 중 적어도 하나에 볼록부 또는 오목부가 배치될 수 있다. 상기 기판(505)은 상기 발광 소자(500)의 내부에서 방출된 광을 출사하는 면을 제공할 수 있다. 상기 기판(505)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물(510)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(510)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(510)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 복수의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(510)은 예컨대, 제 1 도전형 반도체층(511), 제 2 도전형 반도체층(513), 상기 제 1 도전형 반도체층(511)과 상기 제 2 도전형 반도체층(513) 사이에 배치된 활성층(512)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 상기 기판(505) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(511)과 상기 기판(505) 사이에는 단층 또는 다층의 화합물 반도체층이 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(510)은, 청색, 녹색, 적색, 자외선 또는 적외선 광을 발광할 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 상기 활성층(512) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 상기 활성층(512)과 상기 기판(505) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 예로서, 2족-6족 화합물 반도체 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 InxAlyGa1-x-yN(0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료 또는 (AlxGa1-x)yIn1-yP(0=x≤=1, 0≤=y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 제공될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 도전형 반도체층(511)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, AlInP, GaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 단층 또는 다층 구조이거나, 초격자 구조를 포함할 수 있다.
상기 활성층(512)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511) 위에 배치될 수 있다. 상기 활성층(512)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511)과 상기 제 2 도전형 반도체층(513)에 접촉될 수 있다. 상기 활성층(512)은, 예로서 2족-6족 화합물 반도체 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(512)은 InxAlyGa1-x-yN(0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료 또는 (AlxGa1-x)yIn1-yP(0=x≤=1, 0≤=y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 활성층(512)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, AlInP, GaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 활성층(512)은 다중 우물 구조로 제공될 수 있으며, 복수의 장벽층과 복수의 우물층을 포함할 수 있다. 상기 활성층(512)은 청색, 녹색, 적색, 자외선 또는 적외선 중 적어도 하나의 광을 발광할 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 상기 활성층(512) 위에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 활성층(512)과 전도층(530) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은, 예로서 2족-6족 화합물 반도체 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 InxAlyGa1-x-yN(0=x≤=1, 0≤=y≤=1, 0≤=x+y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료 또는 (AlxGa1-x)yIn1-yP(0=x≤=1, 0≤=y≤=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 제공될 수 있다. 예를 들어 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, AlInP, GaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 단층 또는 다층으로 배치되거나, 초격자 구조를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광 구조물(510)에서 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 도전형 반도체층(511)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제 2 도전형 반도체층(513)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제 1 도전형 반도체층(511)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제 2 도전형 반도체층(513)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.
상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 제 1 전극(541)과 연결될 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(513)은 전도층(530)과 제 2 전극(542) 중 적어도 하나 또는 모두에 연결될 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 도 9에 도시된 바와 같이 복수의 제 1 리세스(h1)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제 1 리세스(h1)는 상기 발광 구조물(510)의 상면에서 상기 제 1 도전형 반도체층(511)의 상부(511a)가 노출되는 단차진 영역일 수 있다. 상기 제 1 리세스(h1)은 도 8에 도시된 개구부(h2)와 대응되는 영역에 각각 배치될 수 있다. 상기 제 1 리세스(h1)는 상기 발광 구조물(510)과 제 1 전극(541)이 중첩된 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 복수의 제 1 리세스(h1)는 전도층(530), 상기 제 2 도전형 반도체층(513) 및 활성층(512)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(510) 상에서 상기 복수의 제 1 리세스(h1)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 제 1 리세스(h1)는 제 1 및 제 2 방향(x축 및 y축 방향)으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 제 1 리세스(h1)는 제 1 방향으로 동일 간격으로 배치될 수 있고, 제 2 방향으로 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.
상기 제 1 리세스(h1)는 상부 너비 또는 상부 면적은 하부 너비 또는 하부 면적보다 넓을 수 있다. 상기 제 1 리세스(h1)의 상부 형상은 다각 형상 또는 원 형상일 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 외곽 둘레에 낮게 단차진 외곽부(511b)를 포함할 수 있다. 상기 외곽부(511b)는 상기 기판(505)의 측면보다 더 내측에 배치되며, 상기 발광 구조물(510)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다.
상기 발광 구조물(510) 상에는 전도층(530), 전류확산층(520), 제 1 전극(541), 제 2 전극(542) 및 반사층(560)이 배치될 수 있다.
상기 전도층(530)은 상기 발광 구조물(530) 상에 배치될 수 있다. 상기 전도층(530)은 제 2 도전형 반도체층(513) 상에 배치될 수 있다. 상기 전도층(530)은 제 2 전극(542)와 연결되고 전류를 확산시켜 줄 수 있다. 예로서, 상기 전도층(530)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도층(530)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다. 상기 전도층(530)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전도층(530)의 상면 면적은 상기 제2 도전형 반도체층(513) 상면 면적보다 작을 수 있다. 상기 전도층(530)은 투명한 층으로서, 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다. 상기 전도층(530)은 상기 발광 구조물(510)의 상면 면적 대비 80% 이상의 면적으로 배치하여, 발광 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
상기 반사층(560)은 상기 발광 구조물(510)로부터 방출되는 광을 반사시킬 수 있다. 상기 반사층(560)은 절연 물질 또는/및 금속성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(560)은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directional Reflector)를 포함할 수 있으나 있다. 예를 들어, 상기 반사층(560)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1,2층이 교대로 적층된 DBR 구조를 포함할 수 있다. 상기 반사층(560)은 굴절률이 다른 적어도 두 층을 교대로 적층할 수 있으며, 제 1 층은 Al2O3, TiO2와 SiO2 중 어느 하나이며, 제 2 층은 Al2O3, Ta2O5와 SiO2 중 다른 하나일 수 있다.
상기 반사층(560)은 상기 발광 구조물(510)의 외곽부(511b)에 배치될 수 있다. 상기 외곽부(511b)의 바닥은 상기 활성층(512)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(510)의 외측면의 상부는 상기 외곽부(511b) 상에서 경사진 면으로 제공될 수 있다.
상기 반사층(560)이 상기 발광 구조물(510)의 외곽부(511b)를 커버하게 되므로, 상기 발광 구조물(510)의 활성층(512)이 노출되는 것을 방지할 수 있다. 상기 반사층(560)이 상기 발광 구조물(510)의 활성층(512)의 측면까지 연장되므로, 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
또한, 상기 반사층(560)의 일부는 상기 복수 개의 제 1 리세스(h1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 반사층(560)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511)의 상부(511a)와 대응되고 상기 상부(511a)에 연결되는 개구부(h2)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(h2)는 상부가 넓고 하부가 좁을 수 있다. 상기 개구부(h2)에는 제 1 전극(541)의 제 1 접촉부(k1)가 각각 배치될 수 있다. 상기 제 1 접촉부(k1)는 상기 제 1 도전형 반도체층(511)의 상부(511a)와 접촉될 수 있다. 이에 따라 제 1 도전형 반도체층(511)은 상기 제 1 전극(541)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 반사층(560)은 다수의 관통홀(h3)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(h3)에는 상기 제 2 전극(542)의 제 2 접촉부(k2)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 관통홀(h3)은 상기 제 2 전극(542)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(h3)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 방향으로 복수개가 배열될 수 있고, 제 2 방향으로 복수개가 배열될 수 있다. 상기 관통홀(h3)은 제 1 방향으로 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있고, 제 2 방향으로 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다. 이러한 각 방향에 따라 균일한 간격으로 관통홀(h3)가 배열될 경우, 제 2 접촉부(k2)를 통해 전류가 균일한 분포로 공급될 수 있다.
상기 전류확산층(520)은 발광 구조물(510) 상에 배치될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 제 2 도전형 반도체층(513) 상에 배치될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 제 2 도전형 반도체층(513)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 상기 제 2 도전형 반도체층(513)과 상기 전도층(530) 사이에 배치될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 상기 전도층(530)과 상기 발광 구조물(510) 사이의 영역 중에서 상기 제 2 전극(542)의 제 2 접촉부(k2)와 대응되는 영역에 각각 배치될 수 있다. 이러한 전류확산층(520)은 입력된 전류를 차단하거나 블록킹하여, 상기 전도층(530)을 통해 수평 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 예로서, 상기 전류확산층(520)은 산화물 또는 질화물로 배치되거나, 절연 물질 또는 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 상기 제 2 접촉부(k2)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 복수의 영역에 분산되어 배치될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 제 2 전극(542) 아래에서 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(560)의 관통홀(h3)은 상기 전류확산층(520)과 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제 2 접촉부(k2)를 통해 주입되는 전류가 상기 전류확산층(520)을 통해 확산될 수 있다. 상기 전류확산층(520)은 도트 형상으로 배치될 수 있으며, 상기 제 1 및 제 2 본딩부(501, 502)와 중첩되는 영역에 배치되거나 상기 관통홀(h3) 아래에 각각 배치될 수 있다.
상기 전극 구조에서 제 1 전극(541) 및 제 2 전극(542)은 상기 반사층(560) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)은 상기 반사층(560) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)은 상기 반사층(560)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제 2 전극(542)은 상기 반사층(560)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)은 제 1 접촉부(k1)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 접촉부(k1)는 상기 개구부(h2)를 통해 각각 돌출되며, 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 접촉부(k1)는 상기 반사층(560)의 개구부(h2)를 통해 제 1 도전형 반도체층(511)과 연결되고 접촉될 수 있다.
상기 제 1 전극(541)은 상기 발광 구조물(510)과 제 1 본딩부(501) 사이의 제 1 본딩영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)은 상기 제 1 본딩영역으로부터 상기 발광 구조물(510)과 제 2 본딩부(502) 사이의 제 2 본딩영역으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)은 상기 제 2 본딩영역으로 연장된 제 1 연장부(541a), 및 상기 제 1 전극(541)과 제 1 연장부(541a) 사이에 연결된 제 2 연장부(541b)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 연장부(541a)와 상기 제 2 연장부(541b)는 상기 제 1 전극(541)과 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 연장부(541a, 541b)는 제 1 전극(541)으로부터 제 1 방향으로 긴 길이를 갖고 연장될 수 있다.
상기 제 1 전극(541)은 상기 제 2 전극(542)의 오픈 영역(h10)에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 서로 이격될 수 있다. 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 보호층(550)에 의해 서로 분리되거나 절연될 수 있다.
상기 제 2 전극(542)은 상기 제 2 본딩부(572)의 아래의 제2본딩영역에서 제 1 본딩영역 또는 제 1 본딩부(571) 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 전극(542)은 상기 제 1 본딩부(571) 아래로 연장된 제 3 연장부(542a), 및 상기 제 2 전극(542)으로부터 제 3 연장부(542a) 방향으로 연장된 제 4 연장부(542b)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 및 상기 제 4 연장부(542a, 542b)는 상기 제 2 전극(542)과 연결될 수 있다. 상기 제 3 및 제 4 연장부(542a, 542b)는 제 2 전극(542)으로부터 상기 반사층(560)의 전 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 전극(541,542)은 서로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제 2 전극(542)은 상기 제 2 도전형 반도체층(513) 상에 배치되어 상기 제 2 도전형 반도체층(513)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 전극(542)는 상기 반사층(560)에 형성된 관통홀(h3)을 통하여 상기 제 2 도전형 반도체층(513)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 전극(542)은 상기 전도층(530)을 통해 상기 제 2 도전형 반도체층(513)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 전극(542)은 상기 전도층(530) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(513) 중 적어도 하나와 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 금속성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Cu, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다. 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 전극(542)은 서로 동일한 적층 구조 또는 동일한 금속을 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 전극(541, 542) 상에는 보호층(550)이 배치될 수 있다. 상기 보호층(550)은 절연층으로, 제 1 및 제 2 전극(541, 542) 사이를 절연시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(550)은 오픈 영역(h10)에 채워져, 제 1 및 제 2 전극(541, 542)을 서로 분리시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(550)은 상기 제 1 전극(541)과 상기 제 2 본딩부(502) 사이에 배치되어, 서로 절연시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(550)은 제 2 전극(542)과 상기 제 1 본딩부(501) 사이에 배치되어, 서로 절연시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(550)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(550)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy (여기서, 1≤x≤5, 1≤y≤5)를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(550)은 상기 발광 구조물(510)의 외곽부(511b)에 연장되어, 발광 구조물(510)의 표면을 보호할 수 있다.
상기 보호층(550)은 제 1 오픈 영역(h5)을 포함하고, 상기 제 1 오픈 영역(h5)은 상기 제 1 전극(541)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 제 1 오픈 영역(h5)은 상기 제 1 본딩부(501)와 상기 제 1 전극(541)이 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 오픈 영역(h5)은 상기 개구부(h2)와 수직 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 제 1 오픈 영역(h5)은 하나 또는 복수 개가 배치될 수 있다.
또한, 상기 보호층(550)은 제 2 오픈 영역(h6)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 오픈 영역(h6)은 상기 제 2 전극(542)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 제 2 오픈 영역(h6)은 상기 제 2 본딩부(502)와 상기 제 2 전극(542)이 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 2 오픈 영역(h6)은 상기 반사층(560)의 관통홀(h3)과 수직 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 제 2 오픈 영역(h6)은 하나 또는 복수 개가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 2 오픈 영역(h6)의 개수는 상기 제 1 오픈 영역의 개수보다 많을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 전극(542)에 주입되는 전류 효율이 향상될 수 있다.
상기 보호층(550) 상에는 제 1 본딩부(501) 및 제 2 본딩부(502)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 2 본딩부(502)와 제 1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 전극(541), 상기 제 1 전극(541)의 제 1 연장부(542a) 및 상기 반사층(560)과 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(501)의 일부(k3)는 상기 제 1 오픈 영역(h5)을 통해 상기 제 1 전극(541)과 직접 접촉할 수 있고 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 전극(542), 상기 제 2 전극(542) 및 상기 반사층(560)과 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 본딩부(502)의 일부(k4)는 상기 제 2 오픈 영역(h6)을 통해 상기 제 2 전극(542)과 직접 접촉할 수 있고 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 본딩부(501, 502)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 등 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
도 10은 도 4의 B영역을 확대한 도면이다. 도 10을 참조하면 상기 제 1 본딩부(501)는 적어도 하나의 오목부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(501)의 하면은 상기 제 1 본딩부(501)의 상면을 향하는 방향으로 오목한 적어도 하나의 제 1 오목부(R1)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 발광 구조물(510)은 상술한 제 1 리세스(h1)를 포함하고, 상기 보호층(550)은 제 1 오픈 영역(h5)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 보호층(550)의 제 1 오픈 영역(h5)을 채우며 배치됨에 따라, 상기 제 1 본딩부(501)의 하면은 적어도 하나의 제 1 오목부(R1)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(R1)는 상기 제 1 오픈 영역(h5)과 수직 방향으로 중첩되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제 1 오목부(R1)의 개수는 상기 제 1 오픈 영역(h5)의 개수보다 많거나 같을 수 있다.
상기 제 1 본딩부(501) 상에는 상기 제 1 도전부(610)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 본딩부(501)의 하면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 오목부(R1) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 오목부(R1)의 내측면과 직접 접촉하며 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)는 상기 제 1 오목부(R1) 전체를 채우며 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 하면 상에는 제 1 프레임(110)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)의 하면은 상기 제 1 프레임(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 Ag, Au, Sn, Cu, AgSn, AuSn 및 상술한 물질들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게 상기 제 1 도전부(610)는 AgSn을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610)가 AgSn을 포함할 경우, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 2% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3% 내지 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3.5%인 AgSn을 포함할 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)는 복수 개의 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전부(610)는 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 영역(A1)은 상기 제 1 도전부(610)에서 상기 제 1 본딩부(501)와 접하는 영역일 수 있다. 상기 제 3 영역(A3)은 상기 제 1 도전부(610)에서 상기 제 1 프레임(110)과 접하는 영역일 수 있다. 상기 제 2 영역(A2)은 상기 제 1 영역(A1)과 상기 제 3 영역(A3)의 사이일 수 있다. 상기 제 2 영역(A2)은 상기 제 1 도전부(610) 두께의 약 1/2지점과 대응되는 영역을 의미할 수 있다. 즉, 상기 제 2 영역(A2)은 수직 방향을 기준으로 상기 제 1 영역(A1)과 상기 제 3 영역(A3) 사이에 위치하는 영역일 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)의 제 1 영역(A1)은 상기 제 1 도전부(610)와 상기 제 1 본딩부(501)에 포함된 물질과 화합되어 형성된 제 1 금속간 화합물을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610) 및 상기 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 금속간 화합물에 의해 결합될 수 있다.
또한, 상기 제 1 도전부(610)의 제 3 영역(A3)은 상기 제 1 도전부(610)와 상기 제 1 프레임(110)에 포함된 물질이 화합하여 형성된 제 2 금속간 화합물을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전부(610) 및 상기 제 1 프레임(110)은 상기 제 2 금속간 화합물에 의해 결합될 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)에 포함된 물질의 조성은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(A1), 상기 제 2 영역(A2) 및 상기 제 3 영역(A3) 각각에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%) 및 주석(Sn)의 함량(wt%)은 서로 상이할 수 있다.
상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 5 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 3 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 20 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 10 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 40 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)에서 상기 은(Ag)의 함량은, 상기 제 1 영역(A1)에서 최소값을 가질 수 있고, 상기 제 3 영역(A3)에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)에서 은(Ag)의 함량은 상기 제 1 영역(A1)에서 상기 제 3 영역(A3)으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 프레임(110)은 은(Ag)을 포함할 수 있고, 상기 제 1 도전부(610)에 포함된 은(Ag)은 상기 제 1 프레임(110)으로 마이그레이션(migration) 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)에 포함된 은(Ag)의 함량은 상술한 특징을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 15 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 10 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 45 wt% 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이상일 수 있다.
상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 45 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 1 도전부(610)에서 주석(Sn)의 함량은 상기 제 1 영역(A1)에서 최소값을 가질 수 있고, 상기 제 2 영역(A2)에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전부(610)에서 주석(Sn)의 함량은 상기 제 2 영역(A2)을 기준으로 상기 제 1 영역(A1)으로 갈수록 점진적으로 감소할 수 있고, 상기 제 2 영역(A2)을 기준으로 상기 제 3 영역(A3)으로 갈수록 점진적으로 감소할 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 도전부(620)는 복수 개의 영역을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전부(620)는 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)포함할 수 있다. 상기 제 1 영역(A1)은 상기 제 2 도전부(620)에서 상기 제 2 본딩부(502)와 접하는 영역일 수 있다. 상기 제 3 영역(A3)은 상기 제 2 도전부(620)에서 상기 제 2 프레임(120)과 접하는 영역일 수 있다. 상기 제 2 영역(A2)은 상기 제 1 영역(A1)과 상기 제 3 영역(A3)의 사이일 수 있다. 상기 제 2 영역(A2)은 상기 제 2 도전부(620) 두께의 약 1/2지점과 대응되는 영역을 의미할 수 있다. 즉, 상기 제 2 영역(A2)은 수직 방향을 기준으로 상기 제 1 영역(A1)과 상기 제 3 영역(A3) 사이에 위치하는 영역일 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)는 Ag, Au, Sn, Cu, AgSn, AuSn 및 상술한 물질들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게 상기 제 2 도전부(620)는 AgSn을 포함할 수 있다. 상기 제 2 도전부(620)가 AgSn을 포함할 경우, 상기 제 2 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 2% 내지 약 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3% 내지 4%인 AgSn을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 도전부(610)는 Sn의 비율이 약 3.5%인 AgSn을 포함할 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)의 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)에 포함된 물질의 조성은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(A1), 상기 제 2 영역(A2) 및 상기 제 3 영역(A3) 각각에 포함된 은(Ag)의 함량 및/또는 주석(Sn)의 함량은 서로 상이할 수 있다.
상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 5 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 3 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 20 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 10 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 은(Ag)의 함량(wt%)은 약 40 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)에서 상기 은(Ag)의 함량은, 상기 제 1 영역(A1)에서 최소값을 가질 수 있고, 상기 제 3 영역(A3)에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)에서 은(Ag)의 함량은 상기 제 1 영역(A1)에서 상기 제 3 영역(A3)으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 프레임(120)은 은(Ag)을 포함할 수 있고, 상기 제 2 도전부(620)에 포함된 은(Ag)은 상기 제 2 프레임(120)으로 마이그레이션(migration) 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내지 제 3 영역(A1, A2, A3)에 포함된 은(Ag)의 함량은 상술한 특징을 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 15 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 10 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 상기 제 1 영역(A1)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)보다 많을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 45 wt% 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이상일 수 있다.
상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 상기 제 2 영역(A2)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 50 wt% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(A3)에 포함된 주석(Sn)의 함량(wt%)은 약 45 wt% 이하일 수 있다.
상기 제 2 도전부(620)에서 주석(Sn)의 함량은 상기 제 1 영역(A1)에서 최소값을 가질 수 있고, 상기 제 2 영역(A2)에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전부(620)에서 주석(Sn)의 함량은 상기 제 2 영역(A2)을 기준으로 상기 제 1 영역(A1)으로 갈수록 점진적으로 감소할 수 있고, 상기 제 2 영역(A2)을 기준으로 상기 제 3 영역(A3)으로 갈수록 점진적으로 감소할 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 회로기판에 배치된 모듈의 예를 도시한 도면이다.
도 11을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 사이드 뷰 방식의 발광소자 패키지일 수 있다. 상기 광원 모듈은 하나 또는 복수 개의 발광소자 패키지(1000)가 회로기판(810) 상에 사이드 뷰 방식으로 배치될 수 있다.
상기 회로기판(810)은 제 1 및 제 2 패드(851, 852)를 포함하는 기판 부재를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(810)에는 상기 발광소자(500)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 회로기판(810) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 몸체(100)의 제 4 측면(S4)이 상기 회로기판(810)의 상면과 대면하게 배치될 수 있다.
상기 회로기판(810)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로기판(810)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로기판(810)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층으로부터 노출된 패드들(851, 852)이 배치된다. 상기 패드들(851, 852)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지(1000)를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.)
상기 패드(851, 852)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
상기 패드(851, 852)는 서로 이격되는 제 1 패드(851) 및 제 2 패드(852)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드(851)는 상기 제 1 프레임(110)의 제 1 리드부(111)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패드(851)는 상기 제 1 리드부(111)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 패드(852)는 상기 제 2 프레임(120)의 제 2 리드부(121)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 패드(852)는 상기 제 2 리드부(121)와 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치될 수 있다.
상기 제 1 패드(851)는 상기 제 1 리드부(111)를 통해 상기 제 1 프레임(110)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 패드(852)는 상기 제 2 리드부(121)를 통해 상기 제 2 프레임(120)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 1 패드(851) 및 상기 제 1 리드부(111) 사이에는 제 1 전도부(871)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 전도부(871)는 상기 제 1 패드(851)의 상면 및 상기 제 1 리드부(111)의 하면과 직접 접촉하며 상기 제 1 패드(851)와 상기 제 1 리드부(111)를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제 1 전도부(871)는 상기 제 1 리드부의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 패드(852) 및 상기 제 2 리드부(121) 사이에는 제 2 전도부(872)가 배치될 수 있다. 상기 제 2 전도부(872)는 상기 제 1 전도부(871)와 이격될 수 있다. 상기 제 2 전도부(872)는 상기 제 2 패드(852)의 상면 및 상기 제 2 리드부(121)의 하면과 직접 접촉하며 상기 제 2 패드(852)와 상기 제 2 리드부(121)를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제 2 전도부(872)는 상기 제 2 리드부의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광소자(500)의 제 1 본딩부(501)는 상기 제 1 전도부(871), 상기 제 1 리드부(111), 상기 제 1 프레임(110) 및 상기 제 1 도전부(610)에 의해 상기 제 1 패드(851)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 본딩부(502)는 상기 제 2 전도부(872), 상기 제 2 리드부(121), 상기 제 2 프레임(120) 및 상기 제 2 도전부(620)에 의해 상기 제 2 패드(852)와 연결될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 전도부(871, 872)는 액상의 재질로, 상기 회로기판(810)의 제 1 패드(851) 및 제 2 패드(852) 각각의 상면 상에 위치시킨 후 상기 회로기판(810) 상에 정렬된 발광소자 패키지(1000)를 결합하게 된다. 상기 제 1 및 제 2 전도부(871, 872)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 전도부(871, 872)는 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트 등을 포함할 수 있다. 상기 전도부(871, 872)는 상기 패드(851, 852) 및 상기 프레임(110, 120) 각각의 리드부(111, 121)에 포함된 물질과 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 일례로, 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny 및 AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)가 형성될 수 있고, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 공극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 프레임(110, 120)과 도전부(610, 620) 사이에 열충격 등에 의한 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 도전부(610, 620)를 미리 형성함에 따라 상기 발광소자(500)를 상기 프레임(110, 120) 상에 쉽게 연결시킬 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자의 크기가 점차 작아지면서, 소형의 발광소자(500)와 프레임(110, 120) 사이의 솔더링(soldering)의 어려움이 있다. 그러나, 실시예는 상기 도전부(610, 620)가 사전에 형성됨에 따라 상기 발광소자(500)와 상기 프레임(110, 120) 사이의 얼라인(align) 문제, 공극 형성, 크랙 발생 등의 솔더링 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 도전부(610, 620)는 상기 본딩부(501, 502)의 측면 및 하면을 감싸며 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 실시예는 발광소자 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자(500)의 본딩부(501, 502) 상에 상기 도전부(610, 620)를 형성하여 발광소자 패키지(1000)가 회로기판(810)등에 본딩되는 과정에서 상기 발광소자(500)와 몸체(130) 사이의 본딩 영역, 예컨대 도전부(610, 620)가 리멜팅(re-melting) 되는 현상을 방지할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 서로 이격되어 배치되는 제 1 및 제 2 프레임;
    상기 제 1 및 제 2 프레임을 감싸며 배치되고, 서로 이격된 제 1 및 제 2 개구부를 갖는 몸체;
    상기 몸체 상에 배치되고, 제 1 및 제 2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및
    상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되는 제1 및 제2 도전부를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 개구부는 상기 제1 및 제2 프레임과 각각 수직으로 중첩되고,
    상기 제1 및 제2 도전부는 상기 제1 및 제2 프레임과 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 제 1 및 제 2 개구부 내에 각각 배치되며 상기 제1 및 제2 도전부와 전기적으로 연결되고,
    상기 발광소자는, 상기 제 1 및 제 2 개구부의 외측에서 상기 몸체 상에 배치되는 지지 영역을 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전부는 상기 제 1 본딩부의 바닥면 및 측면 상에 배치되고,
    상기 제 2 도전부는 상기 제 2 본딩부의 바닥면 및 측면 상에 배치되는 발광소자 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 도전부는, 상기 제 1 본딩부와 상기 제 1 프레임 사이에서 수직 방향으로 제 1 두께를 가지며, 상기 제 1 본딩부와 상기 제 1 개구부 내측면 사이에서 수평 방향으로 제 1 너비를 가지는 발광소자 패키지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 도전부의 제 1 두께는 5㎛ 내지 30㎛이고,
    상기 제 1 도전부의 제 1 너비는 5㎛ 내지 30㎛이고,
    상기 제 1 도전부의 제 1 두께와 상기 제 1 너비는 대응되는 발광소자 패키지.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 개구부의 수평 방향 폭은 상기 제 1 본딩부의 수평 방향 폭보다 크고,
    상기 제 2 개구부의 수평 방향 폭은 상기 제 2 본딩부의 수평 방향의 폭보다 큰 발광소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도전부 각각의 바닥면 면적은, 상기 제 1 및 제 2 본딩부 각각의 바닥면 면적보다 큰 발광소자 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 본딩부의 수평 방향 폭은 상기 제 1 도전부의 수평 방향 폭보다 크고,
    상기 제 2 본딩부의 수평 방향 폭은 상기 제 2 도전부의 수평 방향 폭보다 큰 발광소자 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도전부는 AgSn을 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 도전부는,
    상기 제 1 본딩부의 하면과 접하는 제 1 영역;
    상기 제 1 프레임의 상면과 접하는 제 3 영역; 및
    상기 제 1 및 제 3 영역 사이에 배치되는 제 2 영역을 포함하고,
    상기 제 1 내지 제 3 영역에 포함된 은(Ag)의 함량은 서로 상이한 발광소자 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 도전부에 포함된 은(Ag)의 함량은 상기 제 1 본딩부에서 상기 제 1 프레임 방향으로 갈수록 증가하는 발광소자 패키지.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체 및 상기 발광소자 사이에는 배치되는 제 1 수지를 더 포함하고,
    상기 제 1 수지는, 상기 발광소자의 하면과 접하는 발광소자 패키지.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체 상에 배치되는 제 2 수지를 더 포함하고,
    상기 제 2 수지는 상기 제 1 및 제 2 개구부 외측에 배치되며 상기 발광소자의 측면과 접하는 발광소자 패키지.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 발광소자가 배치되는 캐비티를 더 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 프레임은 상기 캐비티 바닥면 상에 배치되고,
    상기 발광소자의 수직 방향 두께는, 상기 캐비티의 수직 방향 높이의 35% 내지 65%인 발광소자 패키지.
  14. 회로기판; 및
    상기 회로기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자 패키지를 포함하고,
    상기 발광소자 패키지는 제 1항 내지 제 13 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지인 광원 모듈.
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