KR20130007029A - 광 추출 효율이 개선된 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
전류 밀집 현상을 개선하고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조의 발광 소자와 그 제조방법을 제시한다.
본 발명의 발광 소자는, 기판, 기판 상에 배치되며, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 제1 도전형의 반도체층 상에 배치된 제1 전극, 및 제2 도전형의 반도체층 상에 배치된 제2 전극, 제2 전극 하부의 제2 도전형의 반도체층의 표면에 형성되며, 그 표면에 전류확산패턴이 형성된 전류차단층을 포함한다.
본 발명의 발광 소자는, 기판, 기판 상에 배치되며, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 제1 도전형의 반도체층 상에 배치된 제1 전극, 및 제2 도전형의 반도체층 상에 배치된 제2 전극, 제2 전극 하부의 제2 도전형의 반도체층의 표면에 형성되며, 그 표면에 전류확산패턴이 형성된 전류차단층을 포함한다.
Description
본 발명은 광 추출 효율이 개선된 구조의 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode ; LED) 소자는 GaAs, AlGaN, AlGaAs 등의 화합물 반도체를 이용하여 발광원을 구성함으로써 다양한 색의 빛을 발생시키는 반도체 발광 소자이다. 최근, 물리적, 화학적 특성이 우수한 질화물을 이용하여 구현된 고효율의 3원색(적, 청, 녹) 및 백색 발광 다이오드가 등장하면서 발광 다이오드의 응용범위가 넓어지고 있다. 특히 LED 소자는 반도체 레이저에 비해 제조 및 제어가 용이하며 또 형광등에 비해 장수명이므로, 형광등을 대신하여 차세대 디스플레이 장치의 조명용 광원으로서 부각되고 있다.
이러한 LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색, 휘도, 빛의 세기 등이 있으며 1차적으로 LED 소자에 사용되는 화합물 반도체 재료에 의해 결정된다. 또한, LED 소자의 활성층에서 생성된 광이 효과적으로 외부로 추출될 수 있어야 하는데 이는 투명 전극이나 LED 소자 패키지의 구조 및 재질에 의해 결정된다.
도 1은 일반적인 LED 소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, LED 소자는 사파이어 기판(11) 위에 n형 반도체층(13), 활성층(15), p형 반도체층(17) 및 투명전극층(19)이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다.
n형 반도체층(13)과 p형 반도체층(17) 사이에 전압을 인가하면, p형 반도체층(17)의 정공과 n형 반도체층(13)의 전자가 활성층(15)에서 결합하여 발광이 이루어진다. 이 광은 투명전극층(19)을 통하여 LED 소자의 밖으로 방출된다.
그러나, 이 과정에서 LED의 구조적인 문제로 인해 n-전극과 p-전극으로 주입된 전자와 정공이 LED 내부에서 균일하게 공급되어 결합하지 못한다. 즉, 특정 부분에서 집중적으로 공급 또는 재결합이 일어나고 다른 부분에서는 전류의 공급이 원활하지 못하는 전류 밀집(current crowding) 현상이 일어나게 된다. 특히, p형 GaN의 경우 높은 박막 저항 및 낮은 이동도 특성으로 인하여 전류 확산이 더욱 어렵다.
LED 소자의 전류 밀집 현상은 소자에 큰 스트레스를 줄뿐 아니라 발광 균일도를 나쁘게 한다. 전류 밀집 현상은 전류의 공급량을 늘릴수록 더 심각한 문제를 야기한다. 즉, 일정량 이상의 전류가 인가되면 광 효율이 일정하게 유지되는 것이 아니라 감소하기 시작하여, 인가되는 전류와 광 출력의 관계가 더 이상 선형적이지 않게 되는 문제와, 더 많은 전류가 인가되면 인가될수록 더 많은 열이 발생하는데 부분적으로 다른 부분보다 열이 많이 발생하게 되면 전반적으로 LED의 성능과 수명을 열화 시키는 주요 요인이 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전류 밀집 현상을 개선하고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조의 발광 소자를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 전류 밀집 현상을 개선하고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조의 발광 소자를 제조하는 적합한 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 배치된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 및 상기 제2 전극 하부의 상기 제2 도전형의 반도체층의 표면에 형성되며, 그 표면에 전류확산패턴이 형성된 전류차단층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전류차단층은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON) 중의 어느 하나로 형성된 것일 수 있다.
상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 투명전극층을 더 포함하며, 상기 제2 전극 하부의 상기 투명전극층의 표면에 형성된 전류확산패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 패터닝하여 각 발광셀로 분리하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 제2 도전형의 반도체층 및 활성층을 식각하는 단계; 상기 제2 전극이 형성될 영역의 상기 제2 도전형의 반도체층 상에, 그 표면에 전류확산패턴을 갖는 전류차단층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 도전형 및 제2 도전형의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전류차단층은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON) 중의 어느 하나로 형성할 수 있다.
상기 전류차단층을 형성하는 단계 후, 상기 전극을 형성하는 단계 전에, 상기 전류차단층이 형성된 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 투명전극층을 형성하는 단계 후, 상기 제2 전극이 형성될 영역의 상기 투명전극층의 표면에 전류확산패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 발광 소자에 따르면, p-전극 하부의 제2 도전형의 반도체층 상에 전류확산패턴을 갖는 전류차단층을 형성함으로써, p-전극 하부에 전류가 밀집되는 현상을 방지하고 발광면의 전체에서 균일한 광을 추출할 수 있다.
도 1은 일반적인 LED 소자의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위하여 나타내보인 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위하여 나타내보인 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
종래의 LED 소자의 경우 p-전극의 하부에 전류 밀집 현상이 발생하여 p-전극 주위만 밝게 빛나는 현상이 발생하는 등 발광 소자의 발광 효율 및 신뢰도가 떨어지는 문제가 있었다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 p-전극의 하부에 전류의 흐름을 차단하는 전류차단층을 형성한다. 전류차단층에 의해 전류가 p-전극의 하부에 밀집되지 않고 고르게 확산되므로 발광면 전체에 걸쳐 균일한 광을 추출할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자 에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위하여 나타내보인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, 기판(100) 위에 형성된 반도체 다층막(110), 투명전극층(120), 전류확산패턴(135)이 형성된 전류차단층(130) 그리고 전극(140, 142)을 포함한다.
상기 기판(100)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게는, 사파이어(Al2O3)를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성된다. 사파이어 외에 징크옥사이드(ZnO), 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 및 알루미늄나이트라이드(AlN) 등으로 이루어진 기판일 수 있다.
반도체 다층막(110)은 기판(100)으로부터 순차적으로 적층된 n형 질화물 반도체층(112), 활성층(114) 및 p형 질화물 반도체층(116)으로 구성된다.
n형 질화물 반도체층(112)과 기판(100) 사이에는 버퍼층(102)이 개재될 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(100)과 그 상부에 형성되는 반도체층의 격자부정합을 완화시키기 위하여 배치된다. 버퍼층(102)은 예를 들어 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)과 같은 물질로 형성될 수 있으며 단일층 또는 다층으로 형성될 수도 있다. 버퍼층(102)은 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로서, 반드시 필요한 층은 아니므로 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
n형 질화물 반도체층(112)은 BN, AlN, InN 또는 GaN과 같은 질화물계 반도체로 형성될 수 있다. n형 질화물 반도체층(112)은 구동전압을 낮추기 위하여 n형 도펀트로 도핑된다. n형 도펀트로는 예를 들어, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등을 사용할 수 있다. n형 질화물 반도체층(112)은 n형 전극(130)과 통전되어 외부로부터 전류가 주입되고, 활성층(114)으로 흐르는 전자를 생성하게 된다.
활성층(114)은 p형 질화물 반도체층(116)에서 생성된 정공과 n형 질화물 반도체층(112)에서 생성된 전자가 결합함으로써 광을 발생시키는 층이다. 활성층(114)은 요구되는 파장의 광, 예를 들어 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다. 또한, 활성층(114)은 InGaN/GaN 양자우물(quantum well: QW) 구조를 이룰 수 있다. 그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(114)으로 이용될 수 있음은 물론이다.
활성층(114)에서는 전극을 통해 전계를 인가하였을 때, 전자(electron)-정공(hole) 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다. 또한, 활성층(114)은 휘도 향상을 위하여 양자우물 구조(QW)가 복수로 형성되어 다중 양자우물(multi quantum well: MQW) 구조를 이룰 수 있다.
p형 질화물 반도체층(116)은 BN, AlN, InN 또는 GaN과 같은 질화물계 반도체로 형성될 수 있다. p형 질화물 반도체층(116)은 p형 도펀트로 도핑되며, p형 도펀트로는 예를 들어, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등을 사용할 수 있다.
p형 질화물 반도체층(116) 상에는 투명전극층(120)이 배치될 수 있다. 투명전극층(120) 상에는 p-전극(142)이 배치되고, n형 질화물 반도체층(112) 상에는 n-전극(140)이 배치된다.
투명전극층(120)은 가시영역의 광에 대해 광 투과도가 높으면서 또한 전기전도도가 높은 물질로 이루어진다. 이러한 물질로는, 예를 들어 인듐 틴 옥사이드(ITO), 틴 옥사이드(SnO2), 또는 징크 옥사이드(ZnO)를 들 수 있다.
p-전극(142) 하부의 투명전극층(120) 내에는 전류차단층(130)이 배치되어 있고, p-전극(142)과 접촉하고 있는 투명전극층(120)의 표면과 p-전극 하부의 전류차단층(130)의 표면에 전류확산패턴(125, 135)이 형성되어 있다.
전류차단층(130)은 예를 들면 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 절연막으로 이루어져, 전류가 흐르지 않도록 차단하는 역할을 한다. 즉, P-전극(142)에 전압이 인가될 때 P-전극 하부로 전류가 집중되는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, P-전극(142)과 접촉하는 부분의 투명전극층(120) 표면에 형성된 패턴(125)과, 상기 전류차단층(130)의 표면에 형성된 패턴(135)은 각각 P-전극과의 접촉 또는 대응하는 면적을 증가시켜 전류 스프레딩 효과를 증대시키는 역할을 한다.
상기 전류확산패턴(125, 135)은 규칙적으로 배열된 형상이거나 불규칙적인 형상일 수 있으며, 또는 러프니스(roughness) 패턴일 수 있다.
본 발명의 발광 소자에 따르면, p-전극의 하부에 패턴이 형성된 전류차단층을 배치함으로써 전류 스프레딩 효과를 증가시켜 p-전극의 하부에 전류가 밀집되는 현상을 방지하고, 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
다음은, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 2와 동일한 참조번호는 동일한 부분을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 통상의 반도체 공정 기술, 예를 들면 MOCVD(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 방법을 사용하여 버퍼층(102)을 형성한다.
기판(100)은 사파이어(Al2O3) 기판을 사용할 수 있으며, 사파이어 외에 징크옥사이드(ZnO), 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 및 알루미늄나이트라이드(AlN) 등으로 이루어진 기판을 사용할 수 있다.
방향 결정 구조를 갖는 사파이어 기판(100) 상에 질화물로 이루어진 박막을 성장시킬 경우 격자 부정합에 의하여 박막의 품질이 저하될 수 있으므로, 먼저 사파이어 기판(100) 상에 버퍼층(102)을 형성하고, 이 버퍼층(102) 위에 질화물계 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 버퍼층(102)은 다수의 층으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(102)은 기판(100) 상에 핵(seed) 역할을 하며 저온에서 성장되는 제1 버퍼층과, 이 제1 버퍼층 위에 형성되며 도핑되지 않는 GaN 반도체층으로 이루어지는 제2 버퍼층으로 형성할 수 있다(도시되지 않음). 제1 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN 및 AlGalnN 등이 이용될 수 있다. 도핑되지 않은 GaN층은 예컨대 1,500℃ 정도의 온도에서 암모니아(NH3)와 트리메탈갈륨을 공급하면 소정 두께로 도펀트를 포함하지 않는 GaN층을 형성할 수 있다. 버퍼층(102)의 형성을 생략할 수도 있다.
다음에, 상기 버퍼층(102) 위에 n형 반도체층(112)을 형성하는데, n형 반도체층(112)은 n-GaN층으로, 구동전압을 낮추기 위해 n형 도펀트로 도핑한다. n형 도펀트로는 예를 들어, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등을 사용할 수 있다.
다음에, n형 반도체층(112) 상에 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물 구조의 활성층(114)을 형성한다. 활성층(114)은 예를 들어 700 ～ 800℃ 정도의 온도에서 질소를 캐리어 가스로 사용하여 암모니아(NH3), 트리메틸갈륨(TM-Ga) 및 트리메틸인듐(TM-In)을 공급하여 InGaN/GaN 구조로 형성할 수 있다.
활성층(114)은 n형 반도체층(112)을 통해 주입되는 전자와 p형 반도체층(116)을 통해 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하게 된다. 따라서, 활성층(114)은 요구되는 파장의 광, 예를 들어 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다.
다음에, 상기 활성층(114) 상에 p형 반도체층(116)을 형성한다. p형 반도체층(116)은 p-GaN층으로, 예컨대 1,500℃ 정도의 온도에서 암모니아(NH3)와 트리메탈갈륨을 공급하면서 도펀트로 마그네슘(Mg)을 공급하면 p-GaN으로 이루어진 반도체층(116)을 형성할 수 있다. p형 도펀트로 마그네슘(Mg) 외에 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be)을 사용할 수 있다.
도 4를 참조하면, 반도체층의 형성이 완료되면 발광셀을 한정하는 공정을 실시한다.
보다 상세하게는, 먼저 p형 반도체층(116) 상에 발광셀이 형성될 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 p형 반도체층(116), 활성층(114) 및 n형 반도체층(112)을 식각한다. p형 반도체층(116), 활성층(114) 및 n형 반도체층(112)에 대한 식각은, 예를 들면 플라즈마를 이용한 건식식각 공정으로 수행할 수 있다.
다음에, 식각 마스크로 사용된 포토레지스트 패턴을 제거하고, p형 반도체층 및 활성층에 대한 식각을 추가 실시하여 n형 반도체층(112)의 일부 표면을 노출시킨다. 이때, 노출된 n형 반도체층(112)은 과도식각에 의해 도시된 것처럼 일정 두께 제거될 수 있다.
도 5를 참조하면, p-전극 하부의 p형 반도체층(116) 상에 전류차단층(130)을 형성한다. 이를 위하여 먼저, p형 반도체층(116) 상에 예를 들면 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 절연막을 일정 두께 증착한다.
다음에, 증착된 절연막의 표면에 전류확산패턴(135)을 형성한다. 상기 전류확산패턴(135)은 절연막의 표면을 소정 패턴으로 식각하여 형성할 수 있는데, 규칙적으로 반복되는 패턴으로 형성하거나 불규칙적인 패턴으로 형성할 수 있으며 러프니스(roughness) 패턴으로 형성할 수도 있다.
다음에, 후속 단계에서 형성될 p-전극의 하부에만 전류차단층(130)이 형성되도록, 상기 절연막을 패터닝한다. 전류차단층(130)을 형성하기 위하여 절연막을 패터닝하는 공정과 절연막의 표면에 전류확산패턴(135)을 형성하는 공정의 순서를 바꾸어 실시할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 전류차단층(130)이 형성된 p형 반도체층(116) 상에 투명전극층(120)을 형성한다. 투명전극층(120)은 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 Ni/Au와 같은 투명 금속으로 형성한다. 투명전극층(120)은 각각의 셀 단위로 패터닝된 복수개의 발광셀이 형성된 기판 상에 투명전극 물질을 일정 두께 증착한 후 식각하여 형성할 수 있다. 또는, 발광셀을 한정하기 위하여 p형 반도체층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 전에, p형 반도체층(116) 상에 투명전극물질을 증착한 후, 발광셀을 한정하기 위한 식각 과정에서 p형 반도체층과 함께 패터닝하여 형성할 수도 있다. 이때, 도시된 바와 같이 p-전극과 접촉하는 영역의 투명전극층(120)의 표면에, 전류차단층(130)의 표면에 형성된 것처럼 전류확산패턴(135)을 형성할 수도 있다.
계속해서, 셀 분리된 n형 반도체층(112) 및 투명전극층(120) 상에 각각 n-전극(140) 및 p-전극(142)을 형성하고, 통상의 후속 공정을 진행하여 발광 소자를 완성한다.
상술한 본 발명에 따르면, p-전극 하부의 p형 반도체층 상에 전류확산패턴을 갖는 전류차단층을 형성함으로써, p-전극 하부에 전류가 밀집되는 현상을 방지하고 발광면의 전체에서 균일한 광을 추출할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
10, 100..... 기판 12, 112..... n형 반도체층
14, 114..... 활성층 16, 116..... p형 반도체층
20, 120..... 투명전극층 125, 135.....전류확산패턴
130..........전류차단층 140, 142.....전극
14, 114..... 활성층 16, 116..... p형 반도체층
20, 120..... 투명전극층 125, 135.....전류확산패턴
130..........전류차단층 140, 142.....전극
Claims (9)
- 기판;
상기 기판 상에 차례로 적층된 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형의 반도체층 상에 배치된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제2 전극 하부의 상기 제2 도전형의 반도체층의 표면에 형성되며, 그 표면에 전류확산패턴이 형성된 전류차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층과 기판 사이에 개재된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 전류차단층은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON) 중의 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 투명전극층을 더 포함하며,
상기 제2 전극 하부의 상기 투명전극층의 표면에 형성된 전류확산패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 차례로 형성하는 단계;
상기 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 패터닝하여 각 발광셀로 분리하는 단계;
상기 제1 도전형의 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 제2 도전형의 반도체층 및 활성층을 식각하는 단계;
상기 제2 전극이 형성될 영역의 상기 제2 도전형의 반도체층 상에, 그 표면에 전류확산패턴을 갖는 전류차단층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 도전형 및 제2 도전형의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 전류차단층은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiN) 또는 실리콘옥시나이트라이드(SiON) 중의 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 전류차단층을 형성하는 단계 후, 상기 전극을 형성하는 단계 전에,
상기 전류차단층이 형성된 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 투명전극층을 형성하는 단계 후,
상기 제2 전극이 형성될 영역의 상기 투명전극층의 표면에 전류확산패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법.
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