KR20130006305A - Processing apparatus - Google Patents

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KR20130006305A
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게이지 노마루
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

PURPOSE: A processing device is provided to improve productivity by arranging a line sensor in a totally reflected light path to securely recognize a shape of a transparent wafer. CONSTITUTION: A maintaining unit(2) includes an absorbing unit(20) which absorbs an object. A processing unit(3) processes the object maintained in the maintaining unit. A scanner(10) is arranged in a moving path of the object from an attaching and detaching region(A) to an applying region(B) and includes a line light and a line sensor which senses reflected light from the line light. A shape recognizing unit(11) recognizes the shape of the object maintained in the maintaining unit according to information from the scanner. [Reference numerals] (11) Shape recognizing unit

Description

가공 장치{PROCESSING APPARATUS}Processing device {PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 피가공물의 형상을 인식하는 기능을 갖는 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus having a function of recognizing a shape of a workpiece.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는 다이싱되어 개개의 디바이스로 다이싱되고, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 반도체 웨이퍼의 다이싱에는, 일반적으로 절삭 블레이드가 이용된다.A plurality of devices, such as ICs and LSIs, are divided by dividing lines and are formed on the surface, and are diced into individual devices and used for various electronic devices. Generally, a cutting blade is used for dicing a semiconductor wafer.

한편, LED 등의 광디바이스가 복수개 형성된 광디바이스 웨이퍼는, 사파이어와 같이 모스 경도가 높은 기판의 표면에 에피택셜 성장에 의해 n형 반도체, p형 반도체가 적층되고, 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 광디바이스가 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 광디바이스 웨이퍼는 절삭 블레이드에 의한 절삭이 곤란하기 때문에, 레이저광의 조사에 의해 분할 예정 라인이 가공되어 개개의 광디바이스로 분할되고, 조명 기기, 액정 텔레비전의 백라이트 등의 각종 전기 기기에 이용되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).On the other hand, in an optical device wafer in which a plurality of optical devices such as LEDs are formed, an n-type semiconductor and a p-type semiconductor are laminated by epitaxial growth on the surface of a substrate having a high Mohs hardness, such as sapphire, and partitioned by a division schedule line. An optical device is formed. Since the optical device wafer formed in this way is difficult to be cut by the cutting blade, a division scheduled line is processed by laser light irradiation, and divided into individual optical devices, and applied to various electric devices such as a lighting device and a backlight of a liquid crystal television. It is used (for example, refer patent document 1).

웨이퍼에 대한 절삭이나 레이저광의 조사에 의해 웨이퍼를 분할하는 가공 장치에서는, 가공하여야 할 영역을 검출하거나, 가공하여야 할 영역을 검출함에 있어서 대상 영역을 특정하기 위해, 웨이퍼의 형상을 인식하는 형상 인식 수단을 구비하고 있고, 인식한 웨이퍼의 형상에 기초하여, 가공 위치의 얼라인먼트를 고정밀도로 실시하여, 적정한 가공을 행하고 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).In a processing apparatus for dividing a wafer by cutting the wafer or irradiating laser light, shape recognition means for recognizing the shape of the wafer in order to detect a region to be processed or to specify a target region in detecting a region to be processed. , The alignment of the processing position is performed with high accuracy based on the recognized shape of the wafer, and appropriate processing is performed (for example, refer to Patent Document 2).

일본 특허 출원 공개 평성10-305420호 공보Japanese Patent Application Publication No. Hei 10-305420 일본 특허 제3173052호 공보Japanese Patent No.3173052

그러나, 이 형상 인식 수단은, 웨이퍼를 유지한 유지 수단을 정지시킨 상태에서, CCD 카메라를 이용하여 웨이퍼 전체를 촬상하는 구성이기 때문에, 형상 인식을 위해 많은 시간을 요하며, 디바이스의 생산 효율이 낮다고 하는 문제가 있다.However, since this shape recognition means is a structure which picks up the whole wafer using a CCD camera in the state which stopped the holding means which hold | maintained the wafer, it requires a lot of time for shape recognition, and it is low in device production efficiency. There is a problem.

또한, 웨이퍼가 실리콘 등의 불투명한 재료로 구성되어 있는 경우는, 확산 반사광을 이용한 스캐닝에 의해 웨이퍼의 형상을 인식할 수 있지만, 예컨대 사파이어 기판과 같은 투명한 재료로 형성되는 웨이퍼의 경우는, 확산 반사광을 포착하기 어렵기 때문에, 웨이퍼의 형상을 인식할 수 없다고 하는 문제가 있다.In the case where the wafer is made of an opaque material such as silicon, the shape of the wafer can be recognized by scanning using diffused reflected light. In the case of a wafer formed of a transparent material such as a sapphire substrate, for example, diffused reflected light There is a problem that the shape of the wafer cannot be recognized because it is difficult to capture.

본 발명은 이러한 문제에 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼를 가공하는 가공 장치에 있어서, 웨이퍼의 형상을 원활하게 인식하여 생산 효율을 양호하게 하며, 투명한 웨이퍼에 대해서도 형상을 인식할 수 있도록 하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and in the processing apparatus for processing a wafer, it is an object of the present invention to smoothly recognize a shape of a wafer to improve production efficiency and to recognize a shape even for a transparent wafer. .

본 발명은, 피가공물을 유지하는 유지 수단과, 유지 수단에 유지된 피가공물에 가공을 실시하는 가공 수단과, 유지 수단에 유지된 피가공물을 촬상하여 가공하여야 할 영역을 검출하는 얼라인먼트 수단을 적어도 구비하고, 피가공물이 가공 수단에 의한 작용을 받는 영역인 작용 영역과 피가공물의 유지 수단에 대한 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역의 사이에서 유지 수단이 이동 가능하게 구성된 가공 장치에 관하여, 착탈 영역으로부터 작용 영역까지의 피가공물의 이동 경로에 배치된 스캐너와, 스캐너로부터의 정보에 의해 유지 수단에 유지된 피가공물의 형상을 인식하는 형상 인식 수단을 구비하며, 스캐너는 라인 조명과, 라인 조명의 반사광을 포착하는 라인 센서를 구비하고, 라인 조명으로부터 조사되는 광의 입사각은 피가공물의 상면에서 전반사되는 각도로 설정되며, 전반사된 광의 경로에 라인 센서가 배치된다.The present invention provides at least a holding means for holding a workpiece, a processing means for processing a workpiece held by the holding means, and an alignment means for detecting an area to be imaged by processing the workpiece held by the holding means. A detachable region with respect to a processing apparatus provided with a retaining means movable between a working region which is a region where the workpiece is acted upon by the processing means and a detachable region that is a region where detachment of the workpiece is performed. A scanner disposed in the movement path of the workpiece from the to the working area, and shape recognition means for recognizing the shape of the workpiece held in the holding means by the information from the scanner, wherein the scanner includes line illumination and line illumination. And a line sensor for capturing the reflected light, the incident angle of the light irradiated from the line illumination on the upper surface of the workpiece Is set to the reflected angle, the line sensor is disposed in a total internal reflection light path.

가공 수단으로서는, 레이저 광선을 발진하는 레이저 발진기와, 레이저 발진기가 발진한 레이저 광선을 유지 수단에 유지된 피가공물에 집광하는 집광기를 적어도 구비한 레이저 가공 수단을 일례로서 들 수 있다.As processing means, the laser processing means provided with at least the laser oscillator which oscillates a laser beam, and the condenser which collects the laser beam oscillated by the laser oscillator to the workpiece hold | maintained by the holding means is mentioned as an example.

본 발명에서는, 착탈 영역으로부터 작용 영역까지의 피가공물의 이동 경로에 스캐너를 배치하였기 때문에, 유지 수단에 유지된 피가공물이 착탈 영역으로부터 작용 영역까지 이동하는 동안에 스캐너 및 형상 인식 수단에 의해 피가공물의 형상이 인식된다. 따라서, 피가공물의 형상 인식을 위해 유지 수단의 움직임을 정지시킬 필요가 없기 때문에, 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.In the present invention, since the scanner is disposed in the movement path of the workpiece from the detachable region to the working region, the workpiece is held by the scanner and the shape recognition means while the workpiece held in the holding means moves from the detachable region to the working region. The shape is recognized. Therefore, since it is not necessary to stop the movement of the holding means for recognizing the shape of the workpiece, the productivity of the device can be improved.

또한, 라인 조명으로부터 조사되는 광의 입사각은 피가공물의 상면에서 전반사되는 각도로 설정되고, 전반사된 광의 경로에 라인 센서가 배치되기 때문에, 예컨대 사파이어와 같은 투명한 웨이퍼에 대해서도, 확실하게 형상을 인식할 수 있다.In addition, since the incident angle of the light irradiated from the line illumination is set to the angle totally reflected on the upper surface of the workpiece, and the line sensor is disposed in the path of the totally reflected light, the shape can be reliably recognized even for a transparent wafer such as sapphire. have.

도 1은 레이저 가공 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 스캐너의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은 웨이퍼가 테이프에 점착되어 프레임에 지지된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4는 웨이퍼의 형상을 인식할 때의 웨이퍼의 움직임을 나타내는 사시도이다.
도 5는 웨이퍼의 형상을 인식하는 상태를 나타내는 설명도이다.
1 is a perspective view illustrating an example of a laser processing apparatus.
2 is a schematic diagram showing the configuration of a scanner.
3 is a perspective view showing a state in which a wafer is adhered to a tape and supported by a frame.
4 is a perspective view showing the movement of the wafer when recognizing the shape of the wafer.
It is explanatory drawing which shows the state which recognizes the shape of a wafer.

도 1에 나타내는 레이저 가공 장치(1)는 본 발명의 가공 장치의 일종이며, 유지 수단(2)에 유지된 피가공물에 대하여 가공 수단(3)에 의해 레이저 가공이 실시되도록 구성되어 있다.The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is a kind of the processing apparatus of this invention, and is comprised so that a laser processing may be performed by the processing means 3 with respect to the to-be-processed object hold | maintained by the holding means 2. As shown in FIG.

유지 수단(2)은 피가공물을 흡착하는 흡착부(20)를 구비하고 있다. 흡착부(20)는, 예컨대 다공성 세라믹스 등의 다공질 부재에 의해 형성되고, 상면이 평탄하게 형성되어 있다. 또한, 흡착부(20)의 외주측에는, 도 1과 같이 피가공물(W)이 테이프(T)에 점착되며 테이프(T)의 주연부에 링형의 프레임(F)이 점착되는 경우에 있어서, 프레임(F)을 고정하기 위한 고정부(21)가 배치되어 있다.The holding means 2 is provided with the adsorption | suction part 20 which adsorb | sucks a to-be-processed object. The adsorption | suction part 20 is formed of porous members, such as porous ceramics, for example, and the upper surface is formed flat. In addition, when the workpiece W adheres to the tape T and the ring-shaped frame F adheres to the peripheral edge of the tape T as shown in FIG. The fixing part 21 for fixing F) is arrange | positioned.

레이저 가공 장치(1)는 유지 수단(2)에 대한 피가공물의 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역(A)과, 피가공물이 가공 수단(3)에 의한 작용을 받는 영역인 작용 영역(B)으로 구성되고, 유지 수단(2)은 착탈 영역(A)과 작용 영역(B)의 사이를 X축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.The laser processing apparatus 1 has a detachable region A which is a region where the workpiece is attached or detached to the holding means 2, and an action region B which is a region where the workpiece is acted upon by the processing means 3. The holding means 2 is comprised so that a movement in the X-axis direction between the detachable area A and the action area B is possible.

착탈 영역(A)에는, 피가공물을 복수개 수용하는 카세트(4)와, 카세트(4)로부터의 피가공물의 반출 및 카세트(4)에의 피가공물의 반입을 행하는 반출반입 수단(5)을 구비하고 있다. 카세트(4)의 후방에는, 카세트(4)로부터 반출한 피가공물 및 카세트(4)에 반입하는 피가공물이 일시적으로 배치되는 영역인 가배치 영역(6)이 위치하고, 가배치 영역(6)의 근방에는, 유지 수단(2)과 가배치 영역(6)의 사이에서 피가공물을 반송하는 제1 반송 수단(7a)을 구비하고 있다.The detachable area A is provided with a cassette 4 for accommodating a plurality of workpieces and a carrying-in / out means 5 for carrying out the workpieces from the cassette 4 and carrying the workpieces into the cassette 4. have. Behind the cassette 4, the provisional placing area 6 which is the area where the workpiece | work carried out from the cassette 4 and the workpiece carried in the cassette 4 is temporarily arrange | positioned is located, In the vicinity, the 1st conveyance means 7a which conveys a to-be-processed object between the holding means 2 and the provisional placement area | region 6 is provided.

착탈 영역(A)의 후방측에는, 가공 후의 피가공물을 세정하는 세정 수단(8)이 배치되어 있다. 또한, 세정 수단(8)의 상방에는, 유지 수단(2)과 세정 수단(8)의 사이에서 피가공물을 반송하는 제2 반송 수단(7b)이 배치되어 있다.In the rear side of the detachable area A, the washing | cleaning means 8 which wash | cleans the to-be-processed object is arrange | positioned. Moreover, above the washing | cleaning means 8, the 2nd conveying means 7b which conveys a to-be-processed object between the holding means 2 and the washing | cleaning means 8 is arrange | positioned.

작용 영역(B)에는 가공 수단(3)이 배치되어 있다. 가공 수단(3)은 레이저 광선을 하방으로 출사하는 조사 헤드(30)를 구비하고 있고, 조사 헤드(30)의 하단에는 집광기(31)를 구비하고 있다. 가공 수단(3)에는, 레이저 광선을 발진하는 레이저 발진기(32)를 구비하고 있고, 레이저 발진기(32)에서 발진된 레이저 광선이 조사 헤드(30)에 보내지며, 그 레이저 광선이 집광기(31)에 의해 피가공물에 집광되는 구성으로 되어 있다. 가공 수단(3)은 Y축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.The processing means 3 is arranged in the action region B. The processing means 3 is provided with the irradiation head 30 which radiates a laser beam downward, and the light collector 31 is provided in the lower end of the irradiation head 30. As shown in FIG. The processing means 3 is equipped with the laser oscillator 32 which oscillates a laser beam, the laser beam oscillated by the laser oscillator 32 is sent to the irradiation head 30, and the laser beam is condenser 31 The structure condenses on the workpiece. The processing means 3 is movable in the Y-axis direction.

유지 수단(2)의 착탈 영역(A)으로부터 작용 영역(B)까지의 이동 경로의 상방에는, 유지 수단(2)에 유지된 피가공물을 촬상하여 가공하여야 할 영역을 검출하는 얼라인먼트 수단(9)이 배치되어 있다. 얼라인먼트 수단(9)은 촬상부(90)를 구비하고 있다.Above the moving path from the detachable area A of the holding means 2 to the working area B, the alignment means 9 for detecting the region to be processed by imaging the workpiece held in the holding means 2. This is arranged. The alignment means 9 is provided with the imaging part 90.

유지 수단(2)의 착탈 영역(A)으로부터 작용 영역(B)까지의 이동 경로의 상방으로서, 촬상부(90)보다 착탈 영역(A)에 가까운 측에는, 스캐너(10)가 배치되어 있다. 스캐너(10)에는, 스캐너(10)로부터 출력되는 정보를 판독하는 유지 수단(2)에 유지된 피가공물의 형상을 인식하는 형상 인식 수단(11)이 전기적으로 접속되어 있다. 형상 인식 수단(11)에는, CPU, 메모리 등을 구비하고 있다. 또한, 스캐너(10)로부터 취득된 화상이나, 촬상부(90)가 취득한 화상은, 디스플레이(12)에 표시시킬 수 있다.The scanner 10 is disposed on the side closer to the detachable region A than the imaging unit 90 as above the moving path from the detachable region A to the working region B of the holding means 2. The scanner 10 is electrically connected to a shape recognizing means 11 for recognizing the shape of the workpiece held by the holding means 2 for reading the information output from the scanner 10. The shape recognizing means 11 is provided with a CPU, a memory, and the like. In addition, the image acquired from the scanner 10 and the image acquired by the imaging unit 90 can be displayed on the display 12.

도 2에 나타내는 바와 같이, 스캐너(10)는, LED 등의 조명 기기가 Y축 방향으로 정렬하여 구성되어 유지 수단(2)에 유지된 피가공물에 대하여 라인형으로 광을 조사하는 라인 조명(100)과, 촬상 소자가 라인 조명(100)과 평행하게 정렬하여 구성되어 피가공물에서의 반사광을 포착하는 라인 센서(101)를 구비하고 있다.As shown in FIG. 2, the scanner 10 is line illumination 100 which irradiates light linearly with respect to the to-be-processed object hold | maintained by the holding means 2, and is comprised by the lighting apparatuses, such as LED, aligned in the Y-axis direction. And an image sensor are arranged in parallel with the line illumination 100, and the line sensor 101 which captures the reflected light from a to-be-processed object is provided.

라인 센서(101)는 라인 조명(100)의 X축 방향의 연장 상에 위치하고 있다. 라인 조명(100)으로부터 출사되는 입사광(102a)의 입사각(α) 및 피가공물에서 반사되는 그 반사광(102b)의 반사각(β)은 가변적이고, 라인 센서(101)는 라인 조명(100)으로부터 조사된 광의 피가공물에서의 반사광을 포착할 수 있는 위치에 배치된다.The line sensor 101 is located on the extension of the line illumination 100 in the X-axis direction. The incident angle α of the incident light 102a emitted from the line light 100 and the reflection angle β of the reflected light 102b reflected from the workpiece are variable, and the line sensor 101 irradiates from the line light 100. It is arrange | positioned in the position which can capture the reflected light in the to-be-processed object of the processed light.

도 3에 나타내는 웨이퍼(W)는, 레이저 가공 장치(1)를 사용하여 가공되는 피가공물의 일례이며, 투명한 사파이어 기판의 표면(W1)에 종횡으로 형성된 분할 예정 라인(S)에 의해 구획된 영역에 광디바이스(D)가 형성된 광디바이스 웨이퍼이다. 이 웨이퍼(W)의 이면(W2)에는 테이프(T)가 점착된다. 테이프(T)의 주연부에는 링형의 프레임(F)이 점착되고, 웨이퍼(W)가 테이프(T)를 통해 프레임(F)에 지지된 상태가 된다. 웨이퍼(W)는 거의 원형으로 형성되고, 외주의 일부에는 노치(N)가 형성되어 있다.The wafer W shown in FIG. 3 is an example of the workpiece to be processed using the laser processing apparatus 1, and is a region partitioned by the division scheduled line S formed vertically and horizontally on the surface W1 of the transparent sapphire substrate. An optical device wafer having an optical device D formed thereon. The tape T adheres to the back surface W2 of the wafer W. As shown in FIG. The ring-shaped frame F is adhered to the periphery of the tape T, and the wafer W is supported by the frame F through the tape T. As shown in FIG. The wafer W is formed almost circularly, and the notch N is formed in a part of the outer periphery.

이렇게 하여 프레임(F)과 일체화된 웨이퍼(W)는 도 1에 나타낸 카세트(4)에 복수개 수용된다. 그리고, 반출반입 수단(5)에 의해 프레임(F)이 인출됨으로써 웨이퍼(W)가 가배치 영역(6)에 배치되며, 그 후, 제1 반송 수단(7a)에 의해, 착탈 영역(A)에 위치하는 유지 수단(2)에 반송되고, 웨이퍼(W)가 흡착부(20)에 흡인 유지되며, 프레임(F)이 고정부(21)에 의해 고정된다.In this way, the wafer W integrated with the frame F is accommodated in the cassette 4 shown in FIG. Then, the frame F is pulled out by the carry-in / out means 5, so that the wafer W is disposed in the provisional placement area 6, and thereafter, by the first transport means 7a, the detachable area A is removed. The wafer W is sucked and held by the suction unit 20, and the frame F is fixed by the fixing unit 21.

다음에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 유지 수단(2)이 작용 영역(B)측으로(화살표 C 방향으로) 이동하고, 웨이퍼(W)를 스캐너(10)의 하방에 위치 설정하여 천천히 통과시킨다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 스캐너(10)를 구성하는 라인 조명(100)으로부터는, 반도체 웨이퍼(W)의 표면(W1)을 향하여 입사광(102a)이 조사된다. 이때, 입사각(α)은 웨이퍼(W)의 재질 고유의 굴절률에 따라, 입사광(102a)이 웨이퍼(W)의 표면(W1)에서 전반사되도록 설정된다. 그리고, 전반사된 반사광(102b)의 경로에 라인 센서(101)가 배치된다.Next, as shown in FIG. 4, the holding means 2 moves to the action area | region B side (in the arrow C direction), and sets the wafer W under the scanner 10, and makes it pass slowly. As shown in FIG. 5, incident light 102a is irradiated toward the surface W1 of the semiconductor wafer W from the line illumination 100 which comprises the scanner 10. As shown in FIG. At this time, the incident angle α is set such that the incident light 102a is totally reflected at the surface W1 of the wafer W according to the refractive index inherent in the material of the wafer W. As shown in FIG. The line sensor 101 is disposed in the path of the totally reflected reflected light 102b.

이와 같이 하여, 웨이퍼(W)를 X축 방향으로 이동시키면서, 라인 조명(100)으로부터의 입사광(102a)을 웨이퍼(W)의 표면(W1)에서 전반사시키고, 라인 센서(101)가 순차 반사광(102b)을 포착하여 주사를 행하면, Y축 방향의 라인마다 그 화소 정보가 형상 인식 수단(11)에 전송된다. 형상 인식 수단(11)에서는, 라인마다 화소의 색을 인식함으로써, 웨이퍼(W)와 유지 수단(2)의 경계 부분의 좌표를 구하고, 그 좌표 정보에 기초하여 웨이퍼(W)의 형상을 명확하게 인식할 수 있다. 예컨대 도 5에 있어서, 라인 센서(101)의 X 좌표가 X1일 때의 주사에서는, 웨이퍼(W) 윤곽의 Y 좌표는 Y4와 Y16인 것이 인식된다. 마찬가지로, 유지 수단(2)을 X축 방향으로 이동시키면서 웨이퍼(W) 윤곽의 좌표 정보를 순차 취득해 감으로써, 웨이퍼(W)의 형상을 형상 인식 수단(11)이 인식할 수 있다.In this way, the incident light 102a from the line illumination 100 is totally reflected on the surface W1 of the wafer W while moving the wafer W in the X-axis direction, and the line sensor 101 sequentially reflects the light ( When 102b) is captured and scanned, the pixel information is transmitted to the shape recognizing means 11 for each line in the Y-axis direction. In the shape recognizing means 11, by recognizing the color of the pixel for each line, the coordinates of the boundary between the wafer W and the holding means 2 are obtained, and the shape of the wafer W is clearly defined based on the coordinate information. I can recognize it. For example, in FIG. 5, in the scan when the X coordinate of the line sensor 101 is X 1 , it is recognized that the Y coordinate of the outline of the wafer W is Y 4 and Y 16 . Similarly, the shape recognition means 11 can recognize the shape of the wafer W by sequentially obtaining the coordinate information of the outline of the wafer W while moving the holding means 2 in the X axis direction.

도 5의 예에서는, 웨이퍼(W)의 X축 방향의 한쪽 단부의 X 좌표가 X0, 다른쪽 단부의 X 좌표가 Xn이고, 웨이퍼(W)의 Y축 방향의 한쪽 단부의 Y 좌표가 Y0, 다른쪽 단부의 Y 좌표가 Yn이다. 따라서, 웨이퍼(W)는 X 좌표가 X0∼Xn, Y 좌표가 Y0∼Yn의 범위에 존재하는 것이 인식된다. 또한, 웨이퍼(W)의 윤곽을 구성하는 각 좌표로부터, 웨이퍼(W)가 거의 원형으로 형성되며, 노치(N)가 형성되어 있는 위치도 인식된다.In the example of FIG. 5, the X coordinate of one end in the X-axis direction of the wafer W is X 0 , the X coordinate of the other end is X n , and the Y coordinate of one end of the wafer W in the Y-axis direction is Y 0 , the Y coordinate of the other end is Y n . Accordingly, it is recognized that the wafer W exists in the range of X 0 to X n and Y coordinate to Y 0 to Y n . Moreover, from each coordinate which comprises the outline of the wafer W, the wafer W is formed in substantially circular shape, and the position where the notch N is formed is also recognized.

이와 같이, 레이저 가공 장치(1)는 착탈 영역(A)으로부터 작용 영역(B)까지의 피가공물의 이동 경로에 스캐너(10)를 배치하였기 때문에, 유지 수단(2)에 유지된 웨이퍼(W)가 착탈 영역(A)으로부터 작용 영역(B)으로 이동하는 동안에 웨이퍼(W)의 형상을 인식할 수 있다. 따라서, 형상 인식을 위해 유지 수단(2)의 움직임을 정지시킬 필요가 없기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다.Thus, since the laser processing apparatus 1 arrange | positioned the scanner 10 in the movement path | route of the to-be-processed object from the detachable area | region A to the action area | region B, the wafer W hold | maintained by the holding means 2 The shape of the wafer W can be recognized while moving from the detachable area A to the working area B. FIG. Therefore, since it is not necessary to stop the movement of the holding means 2 for shape recognition, productivity can be improved.

또한, 스캐너(10)는 라인 조명(100)으로부터 출사된 광을 웨이퍼(W)의 표면(W1)에서 전반사시켜, 반사광을 라인 센서(101)에 의해 포착하도록 구성하였기 때문에, 예컨대 사파이어나 유리와 같은 투명한 재료에 의해 형성된 웨이퍼에 대해서도, 확실하게 형상을 인식할 수 있다.In addition, since the scanner 10 is configured to totally reflect the light emitted from the line illumination 100 on the surface W1 of the wafer W, and to capture the reflected light by the line sensor 101, for example, sapphire or glass and the like. The shape can also be recognized reliably also about the wafer formed from the same transparent material.

웨이퍼(W)의 형상이 인식되면, 웨이퍼(W)를 유지한 유지 수단(2)은 그 상태로 정지하는 일없이 X축 방향으로 이동하여, 도 1에 나타낸 촬상부(90)의 바로 밑에 웨이퍼(W)가 위치 설정된다. 그리고, 형상 인식 수단(11)에 의해 존재하는 영역이 명확해진 웨이퍼(W)는 촬상부(90)에 의해 촬상되고, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 거쳐 얼라인먼트 수단(9)에 의해 가공하여야 할 분할 예정 라인(S)(도 3 참조)이 검출된다. 촬상부(90)는 스캐너(10)보다도 웨이퍼(W)의 이동 방향 하류측에 배치되어 있고, 형상 인식 수단(11)에 의해 웨이퍼(W)가 존재하는 영역이 미리 인식되어 있기 때문에, 분할 예정 라인(S)을 원활하게 검출할 수 있다.When the shape of the wafer W is recognized, the holding means 2 holding the wafer W moves in the X-axis direction without stopping in that state, so that the wafer is directly under the imaging unit 90 shown in FIG. (W) is positioned. Then, the wafer W in which the region existing by the shape recognizing means 11 becomes clear is picked up by the imaging unit 90 and divided by the alignment means 9 through image processing such as pattern matching. The predetermined line S (see Fig. 3) is detected. The imaging unit 90 is arranged on the downstream side in the movement direction of the wafer W than the scanner 10, and the shape recognition means 11 recognizes the region where the wafer W exists in advance, so that the image is to be divided. The line S can be detected smoothly.

그리고, 검출된 분할 예정 라인(S)의 X축 방향의 연장선 상에 집광기(31)가 위치 설정되고, 그 상태로 웨이퍼(W)를 유지한 유지 수단(2)이 X축 방향으로 더 이동하며, 집광기(31)로부터 레이저 광선이 조사되고, 예컨대 웨이퍼(W)의 내부에 레이저 광선이 집광되어, 그 내부에 개질층이 형성된다.And the condenser 31 is positioned on the detected extension line of the X-axis direction of the division plan line S, and the holding means 2 which hold | maintained the wafer W in that state further moves to an X-axis direction, The laser beam is irradiated from the condenser 31, for example, the laser beam is condensed inside the wafer W, and a modified layer is formed therein.

또한, 유지 수단(2)을 X축 방향으로 왕복 이동시키면서, 인접하는 분할 예정 라인(S)의 간격만큼 가공 수단(3)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하여 분할 예정 라인(S)에 순차 레이저 조사를 행하면, 같은 방향의 모든 분할 예정 라인(S)을 따라 개질층이 형성된다. 유지 수단(2)을 90도 회전시키고 나서 마찬가지로 레이저 조사를 거듭 행하면, 모든 분할 예정 라인(S)을 따라 종횡으로 개질층이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면(W1)에 홈을 형성하는 어블레이션 가공을 행하는 경우는, 표면(W1)에 레이저 광선을 집광한다.Further, while the holding means 2 is reciprocated in the X-axis direction, the machining means 3 is indexed and transferred in the Y-axis direction by the interval of the adjacent scheduled dividing line S, and the laser dividing line S is sequentially irradiated. Is performed, a modified layer is formed along all the division scheduled lines S in the same direction. If the laser irradiation is repeated in the same manner after the holding means 2 is rotated by 90 degrees, the modified layer is formed along the division scheduled lines S vertically and horizontally. In addition, when performing the ablation process which forms a groove in the surface W1 of the wafer W, a laser beam is condensed on the surface W1.

이와 같이 하여 분할 예정 라인(S)을 따라 내부에 개질층이 형성된 웨이퍼(W)에 대하여, 면 방향으로 확장시키는 외력을 가하면, 분할 예정 라인(S)이 파단되어, 개개의 광디바이스로 분할된다.In this way, when an external force that extends in the plane direction is applied to the wafer W having the modified layer formed therein along the division scheduled line S, the division scheduled line S is broken and divided into individual optical devices. .

상기 실시형태에서는, 피가공물의 예로서 투명한 사파이어 웨이퍼를 들었지만, 투명하지 않는 피가공물의 가공에도 본 발명을 이용할 수 있다.In the said embodiment, although the transparent sapphire wafer was mentioned as an example of a to-be-processed object, this invention can be used also for the process of a to-be-processed workpiece.

또한, 가공 장치로서 레이저 가공 장치를 예로 들어 설명하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 다른 가공 장치로서는, 고속 회전하는 절삭 블레이드를 피가공물에 절입하여 절삭하는 절삭 장치 등도 있다.In addition, although the laser processing apparatus was demonstrated as an example as a processing apparatus, it is not limited to this. For example, as another processing apparatus, there exists a cutting apparatus which cuts and cuts the cutting blade which rotates at high speed to a to-be-processed object.

W: 웨이퍼 W1: 표면
S: 분할 예정 라인 D: 디바이스
W2: 이면 T: 테이프
F: 프레임 1: 레이저 가공 장치
A: 착탈 영역 B: 작용 영역
2: 유지 수단 20: 흡착부
21: 고정부 3: 가공 수단
30: 조사 헤드 31: 집광기
32: 레이저 발진기 4: 카세트
5: 반출반입 수단 6: 가배치 영역
7a: 제1 반송 수단 7b: 제2 반송 수단
8: 세정 수단 9: 얼라인먼트 수단
90: 촬상부 10: 스캐너
100: 라인 조명 101: 라인 센서
102a: 입사광 102b: 반사광
11: 형상 인식 수단
W: wafer W1: surface
S: Divided line D: Device
W2: Backside T: Tape
F: frame 1: laser processing device
A: detachable area B: working area
2: holding means 20: adsorption part
21: fixed part 3: processing means
30: irradiation head 31: condenser
32: laser oscillator 4: cassette
5: Import / Export means 6: Placement area
7a: first conveying means 7b: second conveying means
8: cleaning means 9: alignment means
90: imaging unit 10: scanner
100: line illumination 101: line sensor
102a: incident light 102b: reflected light
11: shape recognition means

Claims (2)

피가공물을 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단에 유지된 피가공물에 가공을 실시하는 가공 수단과, 상기 유지 수단에 유지된 피가공물을 촬상하여 가공하여야 할 영역을 검출하는 얼라인먼트 수단을 적어도 구비하고, 피가공물이 상기 가공 수단에 의한 작용을 받는 영역인 작용 영역과 피가공물의 상기 유지 수단에 대한 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역의 사이에서 상기 유지 수단이 이동 가능하게 구성된 가공 장치에 있어서,
상기 착탈 영역으로부터 상기 작용 영역까지의 피가공물의 이동 경로에 배치된 스캐너와,
상기 스캐너로부터의 정보에 따라 상기 유지 수단에 유지된 피가공물의 형상을 인식하는 형상 인식 수단
을 구비하며,
상기 스캐너는 라인 조명과, 상기 라인 조명의 반사광을 포착하는 라인 센서를 구비하고, 상기 라인 조명으로부터 조사되는 광의 입사각은 피가공물의 상면에서 전반사되는 각도로 설정되며, 이 전반사된 광의 경로에 상기 라인 센서가 배치되는 것인 가공 장치.
At least holding means for holding the workpiece, processing means for processing the workpiece held by the holding means, and alignment means for detecting an area to be processed by imaging the workpiece held by the holding means; In the processing apparatus in which the said holding means is movable between the action area | region which is a area | region where a to-be-processed object is acted by the said processing means, and the detachable area | region which is a area | region where the removal and detachment of the workpiece | work to and from the said holding means are performed, WHEREIN:
A scanner disposed in the movement path of the workpiece from the detachable region to the working region;
Shape recognition means for recognizing the shape of the workpiece held in the holding means in accordance with the information from the scanner
And,
The scanner has a line light and a line sensor for capturing the reflected light of the line light, the incident angle of the light irradiated from the line light is set to an angle totally reflected on the upper surface of the workpiece, the line in the path of the totally reflected light The processing device in which the sensor is placed.
제1항에 있어서, 상기 가공 수단은,
레이저 광선을 발진하는 레이저 발진기와,
상기 레이저 발진기가 발진한 레이저 광선을 상기 유지 수단에 유지된 피가공물에 집광하는 집광기
를 적어도 구비한 레이저 가공 수단인 것인 가공 장치.
The method according to claim 1, wherein the processing means,
A laser oscillator for oscillating a laser beam,
A condenser which condenses the laser beam oscillated by the laser oscillator on the workpiece held by the holding means.
Processing apparatus which is a laser processing means provided with at least.
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