KR20130000507A - Optical member and method of fabricating the same - Google Patents

Optical member and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130000507A
KR20130000507A KR1020110061032A KR20110061032A KR20130000507A KR 20130000507 A KR20130000507 A KR 20130000507A KR 1020110061032 A KR1020110061032 A KR 1020110061032A KR 20110061032 A KR20110061032 A KR 20110061032A KR 20130000507 A KR20130000507 A KR 20130000507A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
conversion layer
substrate
light
disposed
Prior art date
Application number
KR1020110061032A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101792882B1 (en
Inventor
박성규
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110061032A priority Critical patent/KR101792882B1/en
Publication of KR20130000507A publication Critical patent/KR20130000507A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101792882B1 publication Critical patent/KR101792882B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/23—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour
    • G02F1/25—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour as to hue or predominant wavelength
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent

Abstract

PURPOSE: An optical member and a display device including same are provided to effectively seal a wavelength conversion layer by using a reflection sealing part , thereby protecting wavelength conversion particles from external moisture and/or oxygen. CONSTITUTION: A optical member(501) includes a first substrate(510), a wavelength conversion layer(530), a second substrate(520) and a reflection sealing part(540). The wavelength conversion layer is arranged on the first substrate. The second substrate is arranged on the wavelength conversion layer. The reflection sealing part is arranged in the side of the wavelength conversion layer.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL MEMBER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Optical member and display device including the same {OPTICAL MEMBER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to an optical member and a display device including the same.

발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays by using the characteristics of compound semiconductors. They are mainly used in home appliances, remote controllers, and large electric sign boards.

고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.

또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.

실시예는 향상된 신뢰성 및 광학적 특성을 가지는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide an optical member having improved reliability and optical characteristics and a display device including the same.

일 실시예에 따른 광학 부재는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 상에 배치되는 제 2 기판; 및 상기 파장 변환층의 측면에 배치되는 반사 실링부를 포함한다.In one embodiment, an optical member includes: a first substrate; A wavelength conversion layer disposed on the first substrate; A second substrate disposed on the wavelength conversion layer; And a reflective sealing part disposed on a side of the wavelength conversion layer.

일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 상기 파장 변환 부재; 및 상기 파장 변환 부재에 의해서 변환되는 광이 입사되는 표시패널을 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; The wavelength conversion member for converting a wavelength of light emitted from the light source; And a display panel to which light converted by the wavelength conversion member is incident.

일 실시예에 따른 표시장치는 도광판; 상기 도광판의 측면에 배치되는 광원; 및 상기 광원 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환 부재를 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 상기 광원 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 및 상기 광원 사이에 개재되는 제 1 기판; 상기 파장 변환층 및 상기 도광판 사이에 개재되는 제 2 기판; 및 상기 파장 변환층의 적어도 일 면에 배치되는 반사 실링부를 포함한다.In one embodiment, a display device includes: a light guide plate; A light source disposed on a side of the light guide plate; And a wavelength conversion member interposed between the light source and the light guide plate, wherein the wavelength conversion member comprises a wavelength conversion layer interposed between the light source and the light guide plate; A first substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light source; A second substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light guide plate; And a reflective sealing part disposed on at least one surface of the wavelength conversion layer.

실시예에 따른 광학 부재는 상기 파장 변환층의 적어도 일면, 예를 들어, 측면에 배치되는 반사 실링부를 포함한다. 상기 반사 실링부는 상기 파장 변환층을 외부로부터 효과적으로 밀봉할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 외부의 습기 및/또는 산소 등으로부터 상기 파장 변환층 내의 파장 변환 입자들을 효과적으로 보호할 수 있다.The optical member according to the embodiment includes a reflective sealing part disposed on at least one surface, for example, a side surface of the wavelength conversion layer. The reflective sealing unit may effectively seal the wavelength conversion layer from the outside. Accordingly, the optical member according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion particles in the wavelength conversion layer from external moisture and / or oxygen.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the optical member and the display device according to the embodiment can have improved reliability and durability.

또한, 상기 반사 실링부는 상기 파장 변환층으로부터 출사되는 광을 반사시켜서, 상기 파장 변환층 또는 상기 도광판에 입사시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 새는 광을 줄이고, 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.The reflection sealing unit may reflect light emitted from the wavelength conversion layer and enter the wavelength conversion layer or the light guide plate. Therefore, the optical member and the display device according to the embodiment can reduce the leakage light and have improved optical characteristics.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 12는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 13은 도 12에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 14는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a second embodiment.
5 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a second embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the second embodiment.
8 to 10 are views illustrating a process of forming the wavelength conversion member.
11 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment.
12 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along CC ′ in FIG. 12.
14 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the third embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.1 to 3, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate uniform light onto the bottom surface of the liquid crystal panel 20 using a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, and a plurality of optical sheets. Field 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a shape in which an upper portion thereof is opened. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 400 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed below the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects the light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 is disposed inside the bottom cover 100.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or improve characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 to supply the light to the liquid crystal panel 20.

상기 광학 시트들(500)은 파장 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a wavelength conversion member 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504.

상기 파장 변환 부재(501)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 파장 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The wavelength conversion member 501 may be disposed on an optical path between the light source and the liquid crystal panel 20. For example, the wavelength conversion member 501 may be disposed on the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 501 may be interposed between the light guide plate 200 and the diffusion sheet 502. The wavelength conversion member 501 may convert the wavelength of the incident light and exit upward.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes, the wavelength conversion member 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 501 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the blue light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm. Can be converted to red light.

또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes, the wavelength conversion member 501 may convert ultraviolet light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 into blue light, green light, and red light. That is, the wavelength conversion member 501 converts a part of the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the ultraviolet light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm. Green light, and another portion of the ultraviolet light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light that is not converted and passes through the wavelength conversion member 501 and the light converted by the wavelength conversion member 501 may form white light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to allow white light to enter the liquid crystal panel 20.

즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 파장 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.That is, the wavelength conversion member 501 is an optical member that converts the characteristics of incident light. The wavelength conversion member 501 has a sheet shape. That is, the wavelength conversion member 501 may be an optical sheet.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530) 및 반사 실링부(540)를 포함한다.As shown in FIGS. 2 and 3, the wavelength conversion member 501 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520, a wavelength conversion layer 530, and a reflective seal 540.

상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the lower surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the lower substrate 510 may include a transparent polymer such as polyethyleneterephthalate (PET).

상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the wavelength conversion layer 530. The upper substrate 520 may be transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 520 may include a transparent polymer such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the wavelength conversion layer 530 from external physical impacts. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be in direct contact with the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 can protect the wavelength conversion layer 530 from external chemical impacts such as moisture and / or oxygen.

상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The wavelength conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 파장 변환층(530)은 다수 개의 파장 변환 입자들(531) 및 호스트층(532)을 포함한다.The wavelength conversion layer 530 includes a plurality of wavelength conversion particles 531 and a host layer 532.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.The wavelength conversion particles 531 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. More specifically, the wavelength converting particles 531 are uniformly dispersed in the host layer 532, and the host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion particles 531 convert wavelengths of light emitted from the light emitting diodes 400. The wavelength conversion particles 531 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 531 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 531 convert the blue light into green light having a wavelength range of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the blue light to about 630 And can be converted into red light having a wavelength band of from about nm to about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength conversion particles 531 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 400 into blue light, green light, and red light. That is, a part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray into blue light having a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray to about 520 Can be converted into green light having a wavelength band between nm and 560 nm. Further, another part of the wavelength converting particles 531 may convert the ultraviolet ray into red light having a wavelength range of about 630 nm to about 660 nm.

즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes generating blue light, wavelength converting particles 531 for converting blue light into green light and red light may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet light, wavelength converting particles 531 which convert ultraviolet light into blue light, green light, and red light may be used.

상기 파장 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles 531 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. In addition, the shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host layer 532 surrounds the wavelength converting particles 531. That is, the host layer 532 uniformly disperses the wavelength converting particles 531 therein. The host layer 532 may be comprised of a polymer. The host layer 532 is transparent. That is, the host layer 532 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The host layer 532 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 510 and a lower surface of the upper substrate 520.

상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530) 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 반사 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다.The reflective sealing unit 540 is disposed on the side of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the reflective sealing part 540 covers the side surface of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the reflective sealing unit 540 is also disposed on the side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the reflective sealing part 540 covers side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

또한, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 밀착된다.In addition, the reflective sealing unit 540 may be attached to side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520. The reflective sealing unit 540 is in close contact with side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520.

이에 따라서, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.Accordingly, the reflective sealing unit 540 may seal the side surface of the wavelength conversion layer 530. That is, the reflective sealing unit 540 is a protection unit that protects the wavelength conversion layer 530 from external chemical shock.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반사 실링부(540)는 실링층(541) 및 다수 개의 반사 비드들(542)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the reflective sealing portion 540 includes a sealing layer 541 and a plurality of reflective beads 542.

상기 실링층(541)은 폴리머를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 실링층(541)은 투명한 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 실링층(541)은 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 실링층(541)은 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.The sealing layer 541 may include a polymer. In more detail, the sealing layer 541 may include a transparent polymer. The sealing layer 541 may include a photocurable resin or a thermosetting resin. In more detail, the sealing layer 541 may include an acrylic resin, a silicone resin, or an epoxy resin.

상기 실링층(541)은 상기 호스트층(532)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링층(541)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링층(541)은 상기 호스트층(532), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 코팅된다.The sealing layer 541 covers the side surface of the host layer 532. In more detail, the sealing layer 541 covers side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In detail, the sealing layer 541 is coated on side surfaces of the host layer 532, the lower substrate 510, and the upper substrate 520.

상기 실링층(541)은 상기 반사 실링부(540)의 대부분을 구성한다. 상기 실링층(541)은 상기 파장 변환층(530)의 측면을 보호한다. 즉, 상기 실링층(541)은 상기 파장 변환층(530)을 밀봉하여, 상기 파장 변환층(530)을 보호하는 보호막 기능을 수행한다.The sealing layer 541 constitutes most of the reflective sealing part 540. The sealing layer 541 protects the side surface of the wavelength conversion layer 530. That is, the sealing layer 541 seals the wavelength conversion layer 530 and performs a protective film function to protect the wavelength conversion layer 530.

상기 반사 비드들(542)은 상기 실링층(541) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 비드들(542)은 상기 실링층(541) 내에 균일하게 분산된다. 상기 반사 비드들(542)의 직경은 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다. 상기 반사 비드들(542)은 상기 실링층(541)에 대해서, 약 0.5wt% 내지 약 4wt%의 비율로 첨가될 수 있다.The reflective beads 542 are disposed in the sealing layer 541. In more detail, the reflective beads 542 are uniformly dispersed in the sealing layer 541. The reflective beads 542 may have a diameter of about 0.5 μm to about 10 μm. The reflective beads 542 may be added at a rate of about 0.5 wt% to about 4 wt% with respect to the sealing layer 541.

상기 반사 비드들(542)은 상기 파장 변환층(530)으로부터의 광을 반사시킬 수 있다. 즉, 상기 반사 비드들(542)은 상기 파장 변환층(530)으로부터의 광을 상기 파장 변환층(530) 또는 상기 도광판(200)으로 반사시킬 수 있다.The reflective beads 542 may reflect light from the wavelength conversion layer 530. That is, the reflective beads 542 may reflect light from the wavelength conversion layer 530 to the wavelength conversion layer 530 or the light guide plate 200.

즉, 상기 반사 비드들(542)에 의해서, 상기 반사 실링부(540)는 반사층 기능을 수행할 수 있다. 즉, 상기 반사 비드들(542)에 의해서, 상기 파장 변환 부재(501)의 광학적 특성이 향상될 수 있다.That is, by the reflective beads 542, the reflective sealing unit 540 may perform a reflective layer function. That is, the optical characteristics of the wavelength conversion member 501 may be improved by the reflective beads 542.

상기 반사 비드들(542)로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드 등을 들 수 있다. 또한, 상기 반사 비드들(542)로 알루미늄 입자들 또는 은 입자들과 같은 금속 입자들이 사용될 수 있다.Examples of the material used as the reflective beads 542 include aluminum oxide or titanium oxide. Also, metal particles such as aluminum particles or silver particles may be used as the reflective beads 542.

또한, 상기 파장 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.In addition, the wavelength conversion member 501 may further include a first inorganic protective film and a second inorganic protective film. The first inorganic protective layer may be coated on the lower surface of the lower substrate 510, and the second inorganic protective layer may be coated on the upper surface of the upper substrate 520. Examples of the material used for the first inorganic protective film and the second inorganic protective film include silicon oxide and the like.

상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the wavelength conversion member 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. In addition, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel that displays an image by using light emitted from the backlight unit 10. The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarization filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. In the TFT substrate 21, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels, and respective intersections are performed. A thin flim transistor (TFT) is provided in each region and is connected in one-to-one correspondence with the pixel electrode mounted in each pixel. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.A driving PCB 25 is provided at the edge of the liquid crystal display panel 210 to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a tape carrier package (TCP).

앞서 설명한 바와 같이, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)을 외부로부터 효과적으로 밀봉할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 외부의 습기 및/또는 산소 등으로부터 상기 파장 변환 입자들(531)을 효과적으로 보호할 수 있다.As described above, the reflective sealing unit 540 may effectively seal the wavelength conversion layer 530 from the outside. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion particles 531 from external moisture and / or oxygen.

이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability and durability.

또한, 상기 반사 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)으로부터 출사되는 광을 반사시켜서, 상기 파장 변환층(530) 또는 상기 도광판에 입사시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 새는 광을 줄이고, 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.
In addition, the reflective sealing unit 540 may reflect the light emitted from the wavelength conversion layer 530 and enter the wavelength conversion layer 530 or the light guide plate. Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment can reduce the leakage light and have improved optical characteristics.

도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 5는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 8 내지 도 10은 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.4 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a second embodiment. 5 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a second embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 5. 7 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the second embodiment. 8 to 10 are views illustrating a process of forming the wavelength conversion member. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the liquid crystal display device may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 파장 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.4 to 7, the wavelength conversion member 600 is interposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.The wavelength conversion member 600 may have a shape extending in one direction. In more detail, the wavelength conversion member 600 may have a shape extending along one side surface of the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 600 may have a shape extending along the incident surface of the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion member 600 receives light emitted from the light emitting diodes 400 and converts the wavelength. For example, the wavelength conversion member 600 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 600 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the blue light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm. Can be converted to red light.

또한, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, the wavelength conversion member 600 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 400 into blue light, green light, and red light. That is, the wavelength conversion member 600 converts a part of the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the ultraviolet light has a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm. Green light, and another portion of the ultraviolet light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light passing through the wavelength conversion member 600 and the light converted by the wavelength conversion member 600 may form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the light guide plate 200.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 파장 변환층(630) 및 반사 실링부(640)를 포함한다.5 to 7, the wavelength conversion member 600 includes a lower substrate 610, an upper substrate 620, a wavelength conversion layer 630, and a reflective seal 640.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.As shown in FIG. 6, the lower substrate 610 is disposed under the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 may be transparent and flexible. The lower substrate 610 may be in close contact with the bottom surface of the wavelength conversion layer 630.

상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 620 is disposed on the wavelength conversion layer 630. The upper substrate 620 may be transparent and flexible. The upper substrate 620 may be in close contact with the top surface of the wavelength conversion layer 630.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 파장 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.In addition, as shown in FIG. 7, the lower substrate 610 faces the light emitting diodes 400. That is, the lower substrate 610 is disposed between the light emitting diodes 400 and the wavelength conversion layer 630. In addition, the upper substrate 620 faces the light guide plate 200. That is, the upper substrate 620 is interposed between the wavelength conversion layer 630 and the light guide plate 200.

상기 파장 변환층(630)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 상기 파장 변환층(630)은 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)에 의해서 샌드위치된다. 또한, 상기 파장 변환층(630)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향하는 입사면, 상기 도광판(200)에 대향하는 출사면 및 상기 입사면으로부터 상기 출사면으로 연장되는 제 1 측면 및 제 2 측면을 포함한다.The wavelength conversion layer 630 is disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. The wavelength conversion layer 630 is sandwiched by the lower substrate 610 and the upper substrate 620. In addition, the wavelength conversion layer 630 may include an entrance surface facing the light emitting diodes 400, an emission surface facing the light guide plate 200, and first and second side surfaces extending from the entrance surface to the emission surface. It includes a side.

상기 반사 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 반사 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630), 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)의 측면을 덮는다.The reflective sealing unit 640 is disposed on the side of the wavelength conversion layer 630. In more detail, the reflective sealing part 640 covers the side surface of the wavelength conversion layer 630. In more detail, the reflective sealing part 640 covers side surfaces of the wavelength conversion layer 630, the lower substrate 610, and the upper substrate 620.

상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 반사 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 반사 실링부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(630)을 보호한다.The lower substrate 610 and the upper substrate 620 sandwich the wavelength conversion layer 630. In addition, the reflective sealing part 640 covers the side surface of the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 and the upper substrate 620 support the wavelength conversion layer 630. In addition, the lower substrate 610, the upper substrate 620, and the reflective sealing part 640 protect the wavelength conversion layer 630 from external physical shocks and chemical shocks.

상기 반사 실링부(640)는 제 1 반사 실링부(643) 및 제 2 반사 실링부(644)를 포함할 수 잇다. 상기 제 1 반사 실링부(643)는 상기 제 1 측면을 덮고, 상기 제 2 반사 실링부(644)는 상기 제 2 측면을 덮는다. 상기 제 1 반사 실링부(643) 및 상기 제 2 반사 실링부(644)는 상기 파장 변환층(630)을 사이에 두고 서로 마주본다.The reflective sealing unit 640 may include a first reflective sealing unit 643 and a second reflective sealing unit 644. The first reflective sealing portion 643 covers the first side surface, and the second reflective sealing portion 644 covers the second side surface. The first reflective sealing unit 643 and the second reflective sealing unit 644 face each other with the wavelength conversion layer 630 interposed therebetween.

본 실시예에 따른 파장 변환 부재는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.The wavelength conversion member according to the present embodiment may be formed by the following process.

도 8을 참조하면, 제 1 투명 기판(611) 상에 다수 개의 파장 변환 입자들(531)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 수지 조성물의 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 제 1 투명 기판(611) 상에 양자점층(633)이 형성된다.Referring to FIG. 8, a resin composition including a plurality of wavelength conversion particles 531 is coated on a first transparent substrate 611. Thereafter, the resin composition is cured by light and / or heat, and a quantum dot layer 633 is formed on the first transparent substrate 611.

이후, 상기 양자점층(633) 상에 제 2 투명 기판(621)이 라미네이팅된다.Thereafter, the second transparent substrate 621 is laminated on the quantum dot layer 633.

도 9를 참조하면, 상기 제 1 투명 기판(611), 상기 양자점층(633) 및 제 2 투명 기판(621)은 한꺼번에 절단된다. 이에 따라서, 다수 개의 예비 파장 변환 부재들(601)이 형성된다. 상기 예비 파장 변환 부재들(601)은 각각 하부 기판(610), 파장 변환층(630) 및 상부 기판(620)을 포함한다. 이때, 상기 하부 기판(610), 상기 파장 변환층(630) 및 상기 상부 기판(620)은 같은 절단 공정에 의해서 형성되므로, 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면(605)을 포함한다.Referring to FIG. 9, the first transparent substrate 611, the quantum dot layer 633, and the second transparent substrate 621 may be cut at a time. Accordingly, a plurality of preliminary wavelength conversion members 601 are formed. The preliminary wavelength converting members 601 include a lower substrate 610, a wavelength converting layer 630, and an upper substrate 620, respectively. In this case, since the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 are formed by the same cutting process, the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 includes a cut surface 605 disposed on the same plane.

도 10을 참조하면, 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)이 서로 마주보도록, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)이 서로 정렬된다. 이후, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)의 측면, 즉, 절단면(605)에 다수 개의 반사 비드들(642)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다.Referring to FIG. 10, the preliminary wavelength converting members 601 are aligned with each other such that the lower substrate 610 and the upper substrate 620 face each other. Thereafter, a resin composition including a plurality of reflective beads 642 is coated on the side surfaces of the preliminary wavelength conversion members 601, that is, the cut surface 605.

이후, 상기 코팅된 수지 조성물은 광 및/또는 열에 의해서 경화된다. 이에 따라서, 상기 절단면(605)에 반사 실링층(645)이 형성된다. 즉, 실시예에 따른 파장 변환 부재들(600)이 형성된다. 상기 파장 변환 부재들(600)은 서로 떼어내질 수 있다.Thereafter, the coated resin composition is cured by light and / or heat. Accordingly, the reflective sealing layer 645 is formed on the cut surface 605. That is, the wavelength conversion members 600 according to the embodiment are formed. The wavelength conversion members 600 may be separated from each other.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 파장 변환 입자들(631)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 630 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of wavelength converting particles 631 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 입자들(631)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at a low cost by reducing the use of the wavelength conversion particles 631.

도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 12는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 13은 도 12에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 14는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.11 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment. 12 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 12. 14 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the third embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 11 내지 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 파장 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.11 to 14, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of wavelength converting members 700. The wavelength conversion members 700 correspond to the light emitting diodes 400, respectively.

또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 파장 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.In addition, the wavelength conversion members 700 are disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. That is, each wavelength conversion member 600 is disposed between the corresponding light emitting diode and the light guide plate 200.

또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 대응되는 발광다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 이때, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색광과 같은 제 1 파장의 광으로 변환시키는 제 1 파장 변환 부재들(700) 및 적색광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시키는 제 2 파장 변환 부재들(700)로 나누어질 수 있다.In addition, the wavelength conversion members 700 convert the wavelength of light emitted from the corresponding light emitting diode. In this case, the wavelength conversion members 700 convert the light emitted from the light emitting diodes into light having a first wavelength such as green light and light having a second wavelength such as red light. The second wavelength converting members 700 may be divided into second wavelength converting members 700.

상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 파장 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.The wavelength conversion members 700 may have a larger planar area than the light emitting diodes 400. Accordingly, almost all of the light emitted from each light emitting diode may be incident on the corresponding wavelength converting member 600.

또한, 도 11 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 파장 변환층(730) 및 반사 실링부(640)를 포함한다.11 to 14, the wavelength conversion members 700 include a lower substrate 710, an upper substrate 720, a wavelength conversion layer 730, and a reflective seal 640. .

상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 반사 실링부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.Features of the lower substrate 710, the upper substrate 720, the wavelength conversion layer 730, and the reflective seal 640 may be substantially the same as those described in the above-described embodiments.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 파장 변환 입자들(731)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 730 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of wavelength converting particles 731 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 입자들(731)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at a low cost by reducing the use of the wavelength conversion particles 731.

또한, 각각 파장 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.In addition, the characteristics of each of the wavelength conversion member 700 may be modified to suit the corresponding light emitting diode. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability, brightness, and uniform color reproduction.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (12)

제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치되는 파장 변환층;
상기 파장 변환층 상에 배치되는 제 2 기판; 및
상기 파장 변환층의 측면에 배치되는 반사 실링부를 포함하는 광학 부재.A first substrate;
A wavelength conversion layer disposed on the first substrate;
A second substrate disposed on the wavelength conversion layer; And
An optical member comprising a reflective sealing portion disposed on the side of the wavelength conversion layer. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 실링부는 다수 개의 반사 비드들을 포함하는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the reflective sealing part comprises a plurality of reflective beads. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 실링부는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 측면에 배치되는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the reflective sealing part is disposed on side surfaces of the first substrate and the second substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 실링부는 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드를 포함하는 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the reflective sealing part comprises aluminum oxide or titanium oxide. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판, 상기 2 기판 및 상기 파장 변환층은 동일한 평면에 배치되는 절단면을 포함하고,
상기 반사 실링부는 상기 절단면에 접착되는 광학 부재.The method of claim 1, wherein the first substrate, the second substrate and the wavelength conversion layer comprises a cut surface disposed on the same plane,
And the reflective sealing unit is adhered to the cut surface. 광원;
상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 부재; 및
상기 파장 변환 부재에 의해서 변환되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 파장 변환 부재는
제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치되는 파장 변환층;
상기 파장 변환층 상에 배치되는 제 2 기판; 및
상기 파장 변환층의 측면에 배치되는 반사 실링부를 포함하는 표시장치.Light source;
A wavelength conversion member for converting the wavelength of the light emitted from the light source; And
A display panel to which light converted by the wavelength conversion member is incident;
The wavelength conversion member
A first substrate;
A wavelength conversion layer disposed on the first substrate;
A second substrate disposed on the wavelength conversion layer; And
And a reflective sealing part disposed on a side of the wavelength conversion layer. 도광판;
상기 도광판의 측면에 배치되는 광원; 및
상기 광원 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환 부재를 포함하고,
상기 파장 변환 부재는
상기 광원 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환층;
상기 파장 변환층 및 상기 광원 사이에 개재되는 제 1 기판;
상기 파장 변환층 및 상기 도광판 사이에 개재되는 제 2 기판; 및
상기 파장 변환층의 적어도 일 면에 배치되는 반사 실링부를 포함하는 표시장치.Light guide plate;
A light source disposed on a side of the light guide plate; And
A wavelength conversion member interposed between the light source and the light guide plate,
The wavelength conversion member
A wavelength conversion layer interposed between the light source and the light guide plate;
A first substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light source;
A second substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light guide plate; And
And a reflective sealing part disposed on at least one surface of the wavelength conversion layer. 제 7 항에 있어서, 상기 파장 변환층, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면을 포함하고,
상기 반사 실링부는 상기 절단면에 배치되는 표시장치.The method of claim 7, wherein the wavelength conversion layer, the first substrate and the second substrate comprises a cut surface disposed in the same plane with each other,
The reflective sealing unit is disposed on the cut surface. 제 7 항에 있어서, 상기 반사 실링부는 상기 파장 변환층을 사이에 두고 서로 마주보는 제 1 반사 실링부 및 제 2 반사 실링부를 포함하는 표시장치.The display device of claim 7, wherein the reflective sealing part comprises a first reflective sealing part and a second reflective sealing part facing each other with the wavelength conversion layer interposed therebetween. 제 7 항에 있어서, 상기 파장 변환층은
상기 광원에 대향하는 입사면;
상기 도광판에 대향하는 출사면; 및
상기 입사면으로부터 상기 출사면으로 연장되는 측면을 포함하고,
상기 반사 실링부는 상기 측면을 덮는 표시장치.The method of claim 7, wherein the wavelength conversion layer is
An incident surface facing the light source;
An emission surface facing the light guide plate; And
A side surface extending from the incident surface to the exit surface,
The reflective sealing unit covers the side surface. 제 7 항에 있어서, 상기 반사 실링부는
상기 파장 변환층과 접촉하는 실링층; 및
상기 실링층 내에 배치되는 다수 개의 반사 비드들을 포함하는 표시장치.The method of claim 7, wherein the reflective sealing portion
A sealing layer in contact with the wavelength conversion layer; And
And a plurality of reflective beads disposed in the sealing layer. 제 7 항에 있어서, 상기 반사 비드들은 금속을 포함하는 표시장치.The display device of claim 7, wherein the reflective beads comprise a metal.
KR1020110061032A 2011-06-23 2011-06-23 Optical member and method of fabricating the same KR101792882B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110061032A KR101792882B1 (en) 2011-06-23 2011-06-23 Optical member and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110061032A KR101792882B1 (en) 2011-06-23 2011-06-23 Optical member and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130000507A true KR20130000507A (en) 2013-01-03
KR101792882B1 KR101792882B1 (en) 2017-11-20

Family

ID=47833985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110061032A KR101792882B1 (en) 2011-06-23 2011-06-23 Optical member and method of fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101792882B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150094871A (en) * 2014-02-11 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 Wavelengh conversion member, and method for manufacturing the same, and backlight assembly including the same
CN109001936A (en) * 2017-06-06 2018-12-14 群创光电股份有限公司 Light source module and display equipment
CN109507825A (en) * 2018-12-19 2019-03-22 惠科股份有限公司 Display panel and display panel manufacturing method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102252196B1 (en) * 2019-09-16 2021-05-13 엘지전자 주식회사 Display device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5418762B2 (en) * 2008-04-25 2014-02-19 ソニー株式会社 Light emitting device and display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150094871A (en) * 2014-02-11 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 Wavelengh conversion member, and method for manufacturing the same, and backlight assembly including the same
CN109001936A (en) * 2017-06-06 2018-12-14 群创光电股份有限公司 Light source module and display equipment
CN109507825A (en) * 2018-12-19 2019-03-22 惠科股份有限公司 Display panel and display panel manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101792882B1 (en) 2017-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101210163B1 (en) Optical sheet and method of fabricating the same
KR101673627B1 (en) Optical member and display device
KR101210180B1 (en) Optical member and method for fabricating the same
KR101251815B1 (en) Optical sheet and display device having the same
KR101905852B1 (en) Optical sheet and display device having the same
KR20120107794A (en) Light conversion member and display device having the same
KR20130009024A (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101326938B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101725023B1 (en) Optical member and display device
KR20120085105A (en) Light conversion member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101855991B1 (en) Display device
KR20130110946A (en) Optical member and display device having the same
KR101251807B1 (en) Display device
KR101792882B1 (en) Optical member and method of fabricating the same
KR101855997B1 (en) Display device
KR101210084B1 (en) Optical member and method of fabricating the same
KR101814807B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101262502B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101210068B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101349555B1 (en) Display device
KR101877489B1 (en) Display
KR101251775B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101283130B1 (en) Display device
KR101882199B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101956061B1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant