KR20130000293A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20130000293A
KR20130000293A KR1020110060903A KR20110060903A KR20130000293A KR 20130000293 A KR20130000293 A KR 20130000293A KR 1020110060903 A KR1020110060903 A KR 1020110060903A KR 20110060903 A KR20110060903 A KR 20110060903A KR 20130000293 A KR20130000293 A KR 20130000293A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
guide plate
light
light guide
substrate
Prior art date
Application number
KR1020110060903A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101251807B1 (en
Inventor
이상진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110060903A priority Critical patent/KR101251807B1/en
Publication of KR20130000293A publication Critical patent/KR20130000293A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101251807B1 publication Critical patent/KR101251807B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133615Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0026Wavelength selective element, sheet or layer, e.g. filter or grating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133524Light-guides, e.g. fibre-optic bundles, louvered or jalousie light-guides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/23Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour
    • G02F1/25Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  for the control of the colour as to hue or predominant wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

PURPOSE: A display device is provided to effectively change the wavelength of the light coming from a light source. CONSTITUTION: A light source(300) is arranged on the side of a light guide plate(200). A wavelength conversion member is interposed between the light guide plate and the light source. The wavelength conversion member includes a wavelength conversion layer(430), a first substrate(410) and a second substrate(420). The wavelength conversion layer is interposed between the light guide plate and the light source. The first substrate is interposed between the wavelength conversion layer and the light source. The second substrate is interposed between the wavelength conversion layer and the light guide plate.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

실시예는 표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a display device.

발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays by using the characteristics of compound semiconductors. They are mainly used in home appliances, remote controllers, and large electric sign boards.

고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.

또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.

실시예는 향상된 신뢰성 및 광학적 특성을 가지고, 용이하게 제조될 수 있는 표시장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a display device having improved reliability and optical characteristics and which can be easily manufactured.

실시예에 따른 표시장치는 도광판; 상기 도광판의 측면에 배치되는 광원; 및 상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 파장 변환 부재를 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 및 상기 광원 사이에 개재되는 제 1 기판; 및 상기 파장 변환층 및 상기 도광판 사이에 개재되는 제 2 기판을 포함한다.In one embodiment, a display device includes: a light guide plate; A light source disposed on a side of the light guide plate; And a wavelength conversion member interposed between the light guide plate and the light source, wherein the wavelength conversion member comprises a wavelength conversion layer interposed between the light guide plate and the light source; A first substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light source; And a second substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light guide plate.

실시예에 따른 표시장치는 상기 파장 변환 부재를 상기 도광판 및 상기 광원 사이에 배치시킨다. 이에 따라서, 작은 크기의 파장 변환 부재를 사용하여, 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 효과적으로 변환시킬 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment, the wavelength conversion member is disposed between the light guide plate and the light source. As a result, the wavelength conversion member having a small size can be used to effectively convert the wavelength of the light emitted from the light source.

이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 상기 파장 변환 부재에 사용되는 재료의 양을 줄일 수 있고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Accordingly, the display device according to the embodiment can reduce the amount of material used for the wavelength conversion member and can be easily manufactured at low cost.

또한, 상기 제 1 기판, 상기 파장 변환층 및 상기 제 2 기판의 측면에 보호부가 배치되어, 상기 파장 변환층을 보호할 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환층은 상기 보호부에 의해서, 외부의 습기 및/또는 산소 등의 화학적인 충격으로부터 효과적으로 보호되고, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.In addition, a protection unit may be disposed on side surfaces of the first substrate, the wavelength conversion layer, and the second substrate to protect the wavelength conversion layer. Accordingly, the wavelength conversion layer may be effectively protected from chemical shocks such as external moisture and / or oxygen by the protection part, and may have improved reliability and durability.

또한, 상기 보호부는 반사층 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.In addition, the protection unit may function as a reflective layer. Accordingly, the display device according to the embodiment can have improved optical characteristics.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 1 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 12는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 13은 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the first embodiment.
5 to 7 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member.
8 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a second embodiment.
9 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the second embodiment.
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 9.
FIG. 11 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a second embodiment.
12 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the third embodiment.
FIG. 13 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a fourth embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 제 1 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 5 내지 도 7은 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2. 4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the first embodiment. 5 to 7 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.1 to 4, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate uniform light onto the bottom surface of the liquid crystal panel 20 using a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(201), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(300), 인쇄회로기판(301), 파장 변환 부재(400) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may include a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 201, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 300, a printed circuit board 301, and a wavelength conversion member ( 400) and a plurality of optical sheets 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(300), 상기 인쇄회로기판(301), 상기 반사시트(201) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a shape in which an upper portion thereof is opened. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 300, the printed circuit board 301, the reflective sheet 201, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(201) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 201. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 300 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(201)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(201)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(201)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 201 is disposed under the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 201 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 201 reflects light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(300)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(300)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(300)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 300 are light sources for generating light. The light emitting diodes 300 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 300 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(300)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(300)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 300 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 300 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(300)은 상기 인쇄회로기판(301)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(300)은 상기 인쇄회로기판(301) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(300)은 상기 인쇄회로기판(301)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 300 are mounted on the printed circuit board 301. The light emitting diodes 300 are disposed under the printed circuit board 301. The light emitting diodes 300 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 301.

상기 인쇄회로기판(301)은 상기 발광다이오드들(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(301)은 상기 발광다이오드들(300)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(301)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 301 is electrically connected to the light emitting diodes 300. The printed circuit board 301 may mount the light emitting diodes 300. The printed circuit board 301 is disposed inside the bottom cover 100.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)에 접착된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면에 접착된다.The wavelength conversion member 400 may be disposed on an optical path between the light source and the liquid crystal panel 20. In more detail, the wavelength conversion member 400 is interposed between the light emitting diodes 300 and the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 400 is adhered to the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 400 is adhered to the incident surface of the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(400)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다.The wavelength conversion member 400 may have a shape extending in one direction. In more detail, the wavelength conversion member 400 may have a shape extending along the incident surface of the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300)으로부터 출사되는 광을 변환하여 상기 도광판(200)으로 출사할 수 있다.The wavelength conversion member 400 may convert the light emitted from the light emitting diodes 300 and output the light to the light guide plate 200.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(300)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 300 are blue light emitting diodes, the wavelength conversion member 400 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 400 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the blue light has a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm. Can be converted to red light.

또한, 상기 발광다이오드들(300)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, when the light emitting diodes 300 are UV light emitting diodes, the wavelength conversion member 400 may convert ultraviolet light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 into blue light, green light, and red light. That is, the wavelength conversion member 400 converts a part of the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the ultraviolet light has a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm. Green light, and another portion of the ultraviolet light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light that is not converted and passes through the wavelength conversion member 400 and the light converted by the wavelength conversion member 400 may form white light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to allow white light to enter the liquid crystal panel 20.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 하부 기판(410), 상부기판(420), 파장 변환층(430) 및 측면 보호부(440)를 포함한다.As illustrated in FIGS. 2 and 3, the wavelength conversion member 400 includes a lower substrate 410, an upper substrate 420, a wavelength conversion layer 430, and a side protection part 440.

상기 하부 기판(410)은 상기 파장 변환층(430) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(410)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(410)은 상기 파장 변환층(430)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 410 is disposed under the wavelength conversion layer 430. The lower substrate 410 may be transparent and flexible. The lower substrate 410 may be in close contact with the bottom surface of the wavelength conversion layer 430.

상기 하부 기판(410)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the lower substrate 410 may include a transparent polymer such as polyethyleneterephthalate (PET).

상기 상부기판(420)은 상기 파장 변환층(430) 상에 배치된다. 상기 상부기판(420)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부기판(420)은 상기 파장 변환층(430)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 420 is disposed on the wavelength conversion layer 430. The upper substrate 420 may be transparent and flexible. The upper substrate 420 may be in close contact with the top surface of the wavelength conversion layer 430.

상기 상부기판(420)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 420 may include a transparent polymer such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 상기 파장 변환층(430)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 상기 파장 변환층(430)을 지지한다. 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(430)을 보호한다. 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 상기 파장 변환층(430)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 410 and the upper substrate 420 sandwich the wavelength conversion layer 430. The lower substrate 410 and the upper substrate 420 support the wavelength conversion layer 430. The lower substrate 410 and the upper substrate 420 protect the wavelength conversion layer 430 from an external physical shock. The lower substrate 410 and the upper substrate 420 may be in direct contact with the wavelength conversion layer 430.

또한, 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(430)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 410 and the upper substrate 420 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 410 and the upper substrate 420 may protect the wavelength conversion layer 430 from external chemical impact such as moisture and / or oxygen.

상기 파장 변환층(430)은 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(430)은 상기 하부 기판(410)의 상면에 밀착되고, 상기 상부기판(420)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 430 is interposed between the lower substrate 410 and the upper substrate 420. The wavelength conversion layer 430 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 410, and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 420.

상기 파장 변환층(430)은 다수 개의 파장 변환 입자들(431) 및 호스트층(432)을 포함한다.The wavelength conversion layer 430 includes a plurality of wavelength conversion particles 431 and a host layer 432.

상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 호스트층(432)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(432)은 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420) 사이에 배치된다.The wavelength converting particles 431 are disposed between the lower substrate 410 and the upper substrate 420. In more detail, the wavelength conversion particles 431 are uniformly dispersed in the host layer 432, and the host layer 432 is disposed between the lower substrate 410 and the upper substrate 420.

상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(431) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(431) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength converting particles 431 convert the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 300. The wavelength converting particles 431 receive light emitted from the light emitting diodes 300 to convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 431 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 300 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 431 convert the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 431 converts the blue light about 630. It can be converted into red light having a wavelength band between nm and about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(431)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(431) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(431) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(431) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength conversion particles 431 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 300 into blue light, green light, and red light. That is, some of the wavelength converting particles 431 convert the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the wavelength converting particles 431 converts the ultraviolet light about 520. It can be converted into green light having a wavelength band between nm and about 560 nm. In addition, another portion of the wavelength conversion particles 431 may convert the ultraviolet light into red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

즉, 상기 발광다이오드들(300)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(431)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(300)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(431)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 300 are blue light emitting diodes generating blue light, wavelength converting particles 431 for converting blue light into green light and red light may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 300 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet rays, wavelength converting particles 431 for converting ultraviolet rays into blue light, green light, and red light may be used.

상기 파장 변환 입자들(431)은 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles 431 may be a quantum dot (QD). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. In addition, the shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 호스트층(432)은 상기 파장 변환 입자들(431)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(432)은 상기 파장 변환 입자들(431)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(432)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(432)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(432)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host layer 432 surrounds the wavelength conversion particles 431. That is, the host layer 432 uniformly disperses the wavelength conversion particles 431 therein. The host layer 432 may be made of a polymer. The host layer 432 is transparent. That is, the host layer 432 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트층(432)은 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(432)은 상기 하부 기판(410)의 상면 및 상기 상부기판(420)의 하면에 밀착될 수 있다.The host layer 432 is disposed between the lower substrate 410 and the upper substrate 420. The host layer 432 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 410 and a lower surface of the upper substrate 420.

상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 측면 보호부(440)는 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 측면 보호부(440)는 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)의 측면을 덮는다.The side protection part 440 is disposed on the side of the host layer 432. In more detail, the side protection part 440 covers the side surface of the host layer 432. In more detail, the side protection part 440 is also disposed on side surfaces of the lower substrate 410 and the upper substrate 420. In more detail, the side protection part 440 covers side surfaces of the lower substrate 410 and the upper substrate 420.

또한, 상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432), 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432), 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)의 측면에 밀착된다.In addition, the side protection part 440 may be adhered to side surfaces of the host layer 432, the lower substrate 410, and the upper substrate 420. The side protection part 440 is in close contact with side surfaces of the host layer 432, the lower substrate 410, and the upper substrate 420.

이에 따라서, 상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 측면 보호부(440)는 상기 호스트층(432)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.Accordingly, the side protection part 440 may seal the side surface of the host layer 432. That is, the side protection part 440 is a protection part that protects the host layer 432 from external chemical shock.

상기 측면 보호부(440)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등과 같은 무기 물질 또는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지 또는 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질 등을 들 수 있다. 또한, 상기 측면 보호부(440)으로 알루미늄 또는 은 등과 같은 금속 등이 사용될 수 있다.Examples of the material used as the side protection part 440 include an inorganic material such as silicon oxide, or an organic material such as silicone resin, acrylic resin, or epoxy resin. In addition, a metal such as aluminum or silver may be used as the side protection part 440.

또한, 상기 측면 보호부(440)는 상기 파장 변환층(430)으로부터의 광을 반사시키는 반사층 기능을 수행할 수 있다.In addition, the side protection part 440 may perform a reflective layer function to reflect light from the wavelength conversion layer 430.

또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(410)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부기판(420)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.In addition, the wavelength conversion member 400 may further include a first inorganic protective film and a second inorganic protective film. The first inorganic protective film may be coated on the lower surface of the lower substrate 410, and the second inorganic protective film may be coated on the upper surface of the upper substrate 420. Examples of the material used for the first inorganic protective film and the second inorganic protective film include silicon oxide and the like.

본 실시예에 따른 파장 변환 부재(400)는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.The wavelength conversion member 400 according to the present embodiment may be formed by the following process.

도 5를 참조하면, 제 1 투명 기판(411) 상에 다수 개의 파장 변환 입자들(431)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 수지 조성물의 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 제 1 투명 기판(411) 상에 양자점층(433)이 형성된다.Referring to FIG. 5, a resin composition including a plurality of wavelength converting particles 431 is coated on a first transparent substrate 411. Thereafter, the resin composition is cured by light and / or heat, and a quantum dot layer 433 is formed on the first transparent substrate 411.

이후, 상기 양자점층(433) 상에 제 2 투명 기판(421)이 라미네이팅된다.Thereafter, a second transparent substrate 421 is laminated on the quantum dot layer 433.

도 6을 참조하면, 상기 제 1 투명 기판(411), 상기 양자점층(433) 및 제 2 투명 기판(421)은 한꺼번에 절단된다. 이에 따라서, 다수 개의 예비 파장 변환 부재들(401)이 형성된다. 상기 예비 파장 변환 부재들(401)은 각각 하부 기판(410), 파장 변환층(430) 및 상부기판(420)을 포함한다. 이때, 상기 하부 기판(410), 상기 파장 변환층(430) 및 상기 상부기판(420)은 같은 절단 공정에 의해서 형성되므로, 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면(405)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the first transparent substrate 411, the quantum dot layer 433, and the second transparent substrate 421 are cut at a time. Accordingly, a plurality of preliminary wavelength conversion members 401 are formed. The preliminary wavelength conversion members 401 include a lower substrate 410, a wavelength conversion layer 430, and an upper substrate 420, respectively. In this case, since the lower substrate 410, the wavelength conversion layer 430, and the upper substrate 420 are formed by the same cutting process, the lower substrate 410, the wavelength converting layer 430, and the upper substrate 420 include cutting surfaces 405 disposed on the same plane.

도 7을 참조하면, 상기 하부 기판(410) 및 상기 상부기판(420)이 서로 마주보도록, 상기 예비 파장 변환 부재들(401)이 서로 정렬된다. 이후, 상기 예비 파장 변환 부재들(401)의 측면, 즉, 절단면(405)에 측면 보호부(440)가 형성된다.Referring to FIG. 7, the preliminary wavelength converting members 401 are aligned with each other such that the lower substrate 410 and the upper substrate 420 face each other. Thereafter, side protection parts 440 are formed on the side surfaces of the preliminary wavelength conversion members 401, that is, the cut surface 405.

상기 측면 보호부(440)는 수지 조성물의 코팅 및 경화 공정에 의해서 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 측면 보호부(440)는 실리콘 옥사이드 등과 같은 무기 물질의 증착에 의해서 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 측면 보호부(440)는 은 또는 알루미늄 등의 금속의 증착에 의해서 형성될 수 있다.The side protection part 440 may be formed by a coating and curing process of the resin composition. Alternatively, the side protection part 440 may be formed by deposition of an inorganic material such as silicon oxide. Alternatively, the side protection part 440 may be formed by deposition of a metal such as silver or aluminum.

이후, 형성된 파장 변환 부재들은 서로 떼어내질 수 있다.Thereafter, the formed wavelength conversion members can be separated from each other.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or improve characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 to supply the light to the liquid crystal panel 20.

상기 광학 시트들(500)은 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504.

상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(400) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the wavelength conversion member 400. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. In addition, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel that displays an image by using light emitted from the backlight unit 10. The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarization filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. In the TFT substrate 21, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels, and respective intersections are performed. A thin flim transistor (TFT) is provided in each region and is connected in one-to-one correspondence with the pixel electrode mounted in each pixel. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.A driving PCB 25 is provided at the edge of the liquid crystal display panel 210 to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a tape carrier package (TCP).

앞서 설명한 바와 같이, 상기 측면 보호부(440)는 상기 파장 변환층(430)을 외부로부터 효과적으로 밀봉할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 외부의 습기 및/또는 산소 등으로부터 상기 파장 변환 입자들(431)을 효과적으로 보호할 수 있다.As described above, the side protection part 440 may effectively seal the wavelength conversion layer 430 from the outside. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion particles 431 from external moisture and / or oxygen.

이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability and durability.

또한, 상기 측면 보호부(440)는 상기 파장 변환층(430)으로부터 출사되는 광을 반사시켜서, 상기 파장 변환층(430) 또는 상기 도광판(200)에 입사시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 새는 광을 줄이고, 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.In addition, the side protection part 440 may reflect the light emitted from the wavelength conversion layer 430 and enter the wavelength conversion layer 430 or the light guide plate 200. Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment can reduce the leakage light and have improved optical characteristics.

또한, 본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(430)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 파장 변환 입자들(431)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 430 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of wavelength converting particles 431 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 입자들(431)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at a low cost by reducing the use of the wavelength conversion particles 431.

도 8은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 9는 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 10은 도 9에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 11은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.8 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a second embodiment. 9 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the second embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 9. FIG. 11 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a second embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 파장 변환 부재들(600)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재들(600)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.8 to 11, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of wavelength converting members 600. The wavelength conversion members 600 correspond to the light emitting diodes 400, respectively.

또한, 상기 파장 변환 부재들(600)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 파장 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.In addition, the wavelength conversion members 600 are disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. That is, each wavelength conversion member 600 is disposed between the corresponding light emitting diode and the light guide plate 200.

또한, 상기 파장 변환 부재들(600)은 대응되는 발광다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 이때, 상기 파장 변환 부재들(600)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색광과 같은 제 1 파장의 광으로 변환시키는 제 1 파장 변환 부재들(600) 및 적색광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시키는 제 2 파장 변환 부재들(600)로 나누어질 수 있다.In addition, the wavelength conversion members 600 convert the wavelength of light emitted from the corresponding light emitting diode. In this case, the wavelength conversion members 600 convert the light emitted from the light emitting diodes into the light of the first wavelength conversion members 600 and the light of the second wavelength such as red light to convert the light emitted from the light emitting diodes into light of the first wavelength such as green light. It may be divided into the second wavelength conversion member 600 to make.

상기 파장 변환 부재들(600)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 파장 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.The wavelength conversion members 600 may have a larger planar area than the light emitting diodes 400. Accordingly, almost all of the light emitted from each light emitting diode may be incident on the corresponding wavelength converting member 600.

또한, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재들(600)은 하부 기판(610), 상부 기판(620), 파장 변환층(630) 및 측면 보호부(640)를 포함한다.8 to 11, the wavelength conversion members 600 include a lower substrate 610, an upper substrate 620, a wavelength conversion layer 630, and a side protection part 640. .

상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620), 상기 파장 변환층(630) 및 상기 측면 보호부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.Features of the lower substrate 610, the upper substrate 620, the wavelength conversion layer 630, and the side protection part 640 may be substantially the same as those described in the above-described embodiments.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(631)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 630 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of light conversion particles 631 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(631)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at low cost by reducing the use of the light conversion particles 631.

또한, 각각 파장 변환 부재(600)의 특성은 대응되는 발광다이오드에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
In addition, the characteristics of each wavelength conversion member 600 may be modified to suit the corresponding light emitting diode. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability, brightness, and uniform color reproduction.

도 12는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.12 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the third embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 12를 참조하면, 측면 보호부(740)는 도광판(200)의 상면 및 하면까지 연장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 측면 보호부(740)는 제 1 측면 보호부(741) 및 제 2 측면 보호부(742)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the side protection part 740 may extend to the top and bottom surfaces of the light guide plate 200. In more detail, the side protection part 740 includes a first side protection part 741 and a second side protection part 742.

상기 제 1 측면 보호부(741)는 하부 기판(710), 파장 변환층(730) 및 상부 기판(720)의 제 1 절단면(705)을 덮는다. 또한, 상기 제 1 측면 보호부(741)는 상기 도광판(200)의 하면의 일부를 덮는다. 더 자세하게, 상기 제 1 측면 보호부(741)는 상기 제 1 절단면(705) 및 상기 도광판(200)의 하면의 일부에 접착된다.The first side protection part 741 covers the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the first cut surface 705 of the upper substrate 720. In addition, the first side surface protection part 741 covers a portion of the lower surface of the light guide plate 200. In more detail, the first side protection part 741 is adhered to the first cut surface 705 and a part of the lower surface of the light guide plate 200.

상기 제 2 측면 보호부(742)는 하부 기판(710), 파장 변환층(730) 및 상부 기판(720)의 제 2 절단면(706)을 덮는다. 또한, 상기 제 2 측면 보호부(742)는 상기 도광판(200)의 상면의 일부를 덮는다. 더 자세하게, 상기 제 2 측면 보호부(742)는 상기 제 2 절단면(706) 및 상기 도광판(200)의 상면의 일부에 접착된다.The second side protection part 742 covers the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the second cut surface 706 of the upper substrate 720. In addition, the second side protection part 742 covers a part of the upper surface of the light guide plate 200. In more detail, the second side protection part 742 is attached to the second cut surface 706 and a portion of the upper surface of the light guide plate 200.

상기 측면 보호부(740)는 상기 하부 기판(710), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 상부 기판(720)이 상기 도광판(200)의 입사면에 접착된 후, 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(710), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 상부 기판(720)이 상기 도광판(200)에 접착된 후, 상기 제 1 절단면(705) 및 상기 도광판(200)의 하면에 백색 잉크 또는 금속층 등이 코팅된다. 이에 따라서, 상기 제 1 측면 보호부(741)가 형성될 수 있다.The side protection part 740 may be formed after the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the upper substrate 720 are bonded to the incident surface of the light guide plate 200. For example, after the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the upper substrate 720 are bonded to the light guide plate 200, the first cut surface 705 and the light guide plate 200 may be formed. A white ink or metal layer is coated on the lower surface. Accordingly, the first side protection part 741 may be formed.

마찬가지로, 상기 하부 기판(710), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 상부 기판(720)이 상기 도광판(200)에 접착된 후, 상기 제 2 절단면(706) 및 상기 도광판(200)의 상면에 백색 잉크 또는 금속층 등이 코팅된다. 이에 따라서, 상기 제 2 측면 보호부(742)가 형성될 수 있다.Similarly, after the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the upper substrate 720 are adhered to the light guide plate 200, the lower substrate 710, the wavelength conversion layer 730, and the upper substrate 720 are attached to the light guide plate 200. A white ink or metal layer is coated. Accordingly, the second side protection part 742 may be formed.

상기 제 2 측면 보호부(742)는 상기 파장 변환층(730)을 외부로부터 밀봉할 뿐만 아니라, 상기 파장 변환층(730) 및 상기 도광판(200)의 상면 중, 상기 파장 변환층(730)에 인접한 부분에서 광이 새는 것을 방지할 수 있다.The second side protection part 742 not only seals the wavelength conversion layer 730 from the outside, but also the wavelength conversion layer 730 of the upper surface of the wavelength conversion layer 730 and the light guide plate 200. Light can be prevented from leaking in adjacent parts.

즉, 상기 측면 보호부(740)는 입사광을 반사시키는 반사 보호부에 해당된다.That is, the side protection part 740 corresponds to a reflection protection part that reflects incident light.

이에 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지고, 향상된 휘도 및 휘도 균일성을 가질 수 있다.
Accordingly, the liquid crystal display according to the present embodiment may have improved reliability and durability, and may have improved luminance and luminance uniformity.

도 13는 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.FIG. 13 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a fourth embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 13을 참조하면, 파장 변환 부재(800)는 도광판(200)의 하면 및 상면에도 접착된다. 즉, 상기 파장 변환 부재(800)는 상기 도광판(200)의 하면, 입사면 및 상면에 접착된다. 즉, 상기 파장 변환 부재(800)는 상기 도광판(200)의 하면으로부터 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서, 상기 도광판(200)의 상면까지 연장된다.Referring to FIG. 13, the wavelength conversion member 800 is also adhered to the lower surface and the upper surface of the light guide plate 200. That is, the wavelength conversion member 800 is adhered to the lower surface, the incident surface and the upper surface of the light guide plate 200. That is, the wavelength conversion member 800 extends from the bottom surface of the light guide plate 200 to the top surface of the light guide plate 200 along the incident surface of the light guide plate 200.

더 자세하게, 상부 기판(820)은 상기 도광판(200)의 하면, 입사면 및 상면에 접착된다. 마찬가지로, 파장 변환층(830)은 상기 도광판(200)의 하면으로부터 상기 도광판(200)의 입사면을 거쳐서, 상기 도광판(200)의 상면까지 연장된다.In more detail, the upper substrate 820 is attached to the lower surface, the incident surface and the upper surface of the light guide plate 200. Similarly, the wavelength conversion layer 830 extends from the bottom surface of the light guide plate 200 to the top surface of the light guide plate 200 through the incident surface of the light guide plate 200.

제 1 측면 보호부(841)는 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 하면의 일부를 덮는다. 즉, 상기 제 1 측면 측변 보호부는 상기 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 하면의 일부에 코팅된다.The first side protection part 841 covers a side surface of the lower substrate 810, a side surface of the wavelength conversion layer 830, a side surface of the upper substrate 820, and a portion of a bottom surface of the light guide plate 200. That is, the first side surface side protection part is coated on the side surface of the lower substrate 810, the side surface of the wavelength conversion layer 830, the side surface of the upper substrate 820, and a portion of the bottom surface of the light guide plate 200.

제 2 측면 보호부(842)는 상기 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 상면의 일부를 덮는다. 즉, 상기 제 1 측면 보호부(841)는 상기 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 상면의 일부에 코팅된다.The second side protection part 842 covers the side surface of the lower substrate 810, the side surface of the wavelength conversion layer 830, the side surface of the upper substrate 820, and a portion of an upper surface of the light guide plate 200. That is, the first side protection part 841 may be formed on a side surface of the lower substrate 810, a side surface of the wavelength conversion layer 830, a side surface of the upper substrate 820, and a part of an upper surface of the light guide plate 200. Coated.

상기 제 1 측면 보호부(841) 및 상기 제 2 측면 보호부(842)는 상기 하부 기판(810), 상기 파장 변환층(830) 및 상기 상부 기판(820)이 상기 도광판(200)의 하면, 입사면 및 상면에 접착된 후, 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(810), 상기 파장 변환층(830) 및 상기 상부 기판(820)이 상기 도광판(200)에 접착된 후, 상기 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 하면에 백색 잉크 또는 금속층 등이 코팅된다. 이에 따라서, 상기 제 1 측면 보호부(841)가 형성될 수 있다.The first side protection part 841 and the second side protection part 842 have the lower substrate 810, the wavelength conversion layer 830, and the upper substrate 820 under the light guide plate 200. After being bonded to the incident surface and the upper surface, it can be formed. For example, after the lower substrate 810, the wavelength conversion layer 830, and the upper substrate 820 are bonded to the light guide plate 200, the side surface of the lower substrate 810 and the wavelength conversion layer ( A white ink or a metal layer is coated on the side of the 830, the side of the upper substrate 820, and the bottom of the light guide plate 200. Accordingly, the first side protection part 841 may be formed.

마찬가지로, 상기 하부 기판(810), 상기 파장 변환층(830) 및 상기 상부 기판(820)이 상기 도광판(200)에 접착된 후, 상기 하부 기판(810)의 측면, 상기 파장 변환층(830)의 측면, 상기 상부 기판(820)의 측면 및 상기 도광판(200)의 상면에 백색 잉크 또는 금속층 등이 코팅된다. 이에 따라서, 상기 제 2 측면 보호부(842)가 형성될 수 있다.Similarly, after the lower substrate 810, the wavelength conversion layer 830, and the upper substrate 820 are bonded to the light guide plate 200, the side surface of the lower substrate 810 and the wavelength conversion layer 830 are attached. A side surface of the upper substrate 820 and the upper surface of the light guide plate 200 is coated with a white ink or a metal layer. Accordingly, the second side protection part 842 may be formed.

상기 제 1 측면 보호부(841) 및 상기 제 2 측면 보호부(842)는 상기 파장 변환층(830)을 외부로부터 밀봉할 뿐만 아니라, 상기 파장 변환층(830) 및 상기 도광판(200)의 상면 중, 상기 파장 변환층(830)에 인접한 부분에서 광이 새는 것을 방지할 수 있다.The first side protection part 841 and the second side protection part 842 not only seal the wavelength conversion layer 830 from the outside, but also an upper surface of the wavelength conversion layer 830 and the light guide plate 200. Among them, light may be prevented from leaking in a portion adjacent to the wavelength conversion layer 830.

즉, 상기 제 1 측면 보호부(841) 및 상기 제 2 측면 보호부(842)는 입사광을 반사시키는 반사 보호부이다.That is, the first side protection part 841 and the second side protection part 842 are reflection protection parts that reflect incident light.

이에 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지고, 향상된 휘도 및 휘도 균일성을 가질 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display according to the present embodiment may have improved reliability and durability, and may have improved luminance and luminance uniformity.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (10)

도광판;
상기 도광판의 측면에 배치되는 광원; 및
상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 파장 변환 부재를 포함하고,
상기 파장 변환 부재는
상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 파장 변환층;
상기 파장 변환층 및 상기 광원 사이에 개재되는 제 1 기판; 및
상기 파장 변환층 및 상기 도광판 사이에 개재되는 제 2 기판을 포함하는 표시장치.
Light guide plate;
A light source disposed on a side of the light guide plate; And
A wavelength conversion member interposed between the light guide plate and the light source;
The wavelength conversion member
A wavelength conversion layer interposed between the light guide plate and the light source;
A first substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light source; And
And a second substrate interposed between the wavelength conversion layer and the light guide plate.
제 1 항에 있어서, 상기 파장 변환층, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면을 포함하는 표시장치.The display device of claim 1, wherein the wavelength conversion layer, the first substrate, and the second substrate include a cut surface disposed on the same plane. 제 2 항에 있어서, 상기 절단면에 배치되는 측면 보호부를 포함하는 표시장치.The display device of claim 2, further comprising a side protection part disposed on the cut surface. 제 3 항에 있어서, 상기 측면 보호부는 상기 도광판의 상면에 배치되는 표시장치.The display device of claim 3, wherein the side protection part is disposed on an upper surface of the light guide plate. 제 1 항에 있어서, 상기 파장 변환 부재는 상기 도광판에 접착되는 표시장치.The display device of claim 1, wherein the wavelength conversion member is attached to the light guide plate. 제 1 항에 있어서, 상기 파장 변환 부재는 상기 도광판의 하면으로부터 상기 도광판의 상면으로 연장되는 표시장치.The display device of claim 1, wherein the wavelength conversion member extends from a lower surface of the light guide plate to an upper surface of the light guide plate. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 기판은 상기 도광판의 하면, 상기 도광판의 측면 및 상기 도광판의 상면에 접착되는 표시장치.The display device of claim 6, wherein the second substrate is attached to a lower surface of the light guide plate, a side surface of the light guide plate, and an upper surface of the light guide plate. 제 6 항에 있어서, 상기 도광판의 하면 및 상기 파장 변환 부재의 측면을 덮는 반사 보호부를 포함하는 표시장치.The display device of claim 6, further comprising a reflective protective part covering a lower surface of the light guide plate and a side surface of the wavelength conversion member. 제 6 항에 있어서, 상기 도광판의 하면 및 상기 파장 변환 부재의 측면을 덮는 반사 보호부를 포함하는 표시장치.The display device of claim 6, further comprising a reflective protective part covering a lower surface of the light guide plate and a side surface of the wavelength conversion member. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 반사 보호부는 백색 잉크 또는 금속층을 포함하는 표시장치.The display device of claim 8, wherein the reflective protector comprises a white ink or a metal layer.
KR1020110060903A 2011-06-22 2011-06-22 Display device KR101251807B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110060903A KR101251807B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110060903A KR101251807B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130000293A true KR20130000293A (en) 2013-01-02
KR101251807B1 KR101251807B1 (en) 2013-04-09

Family

ID=47833911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110060903A KR101251807B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101251807B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150092793A (en) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 Wavelengh conversion member, and method for manufacturing the same, and backlight assembly including the same
CN107577081A (en) * 2016-07-04 2018-01-12 迎辉科技股份有限公司 Optical film and light-emitting device
CN110646971A (en) * 2018-06-26 2020-01-03 三星显示有限公司 Optical member and display apparatus including the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150093284A (en) 2014-02-06 2015-08-18 삼성디스플레이 주식회사 Backlight unit
KR20160045453A (en) * 2014-10-17 2016-04-27 서울반도체 주식회사 Back light unit and light emitting device package for side-view

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4911624B2 (en) * 2007-10-30 2012-04-04 ミネベア株式会社 Surface lighting device
KR20100087851A (en) * 2009-01-29 2010-08-06 삼성전자주식회사 Light-emitting unit, method of manufacturing the same, and light source device having the light-emitting unit
KR20110012246A (en) * 2009-07-30 2011-02-09 엘지이노텍 주식회사 Backlight unit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150092793A (en) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 Wavelengh conversion member, and method for manufacturing the same, and backlight assembly including the same
CN107577081A (en) * 2016-07-04 2018-01-12 迎辉科技股份有限公司 Optical film and light-emitting device
CN110646971A (en) * 2018-06-26 2020-01-03 三星显示有限公司 Optical member and display apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101251807B1 (en) 2013-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101210163B1 (en) Optical sheet and method of fabricating the same
KR101673627B1 (en) Optical member and display device
KR101251815B1 (en) Optical sheet and display device having the same
KR101210180B1 (en) Optical member and method for fabricating the same
KR101905852B1 (en) Optical sheet and display device having the same
KR20120107794A (en) Light conversion member and display device having the same
KR101725023B1 (en) Optical member and display device
KR101326938B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101199064B1 (en) Light conversion member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101855991B1 (en) Display device
KR101251807B1 (en) Display device
KR20130110946A (en) Optical member and display device having the same
KR101792882B1 (en) Optical member and method of fabricating the same
KR101855997B1 (en) Display device
KR101210084B1 (en) Optical member and method of fabricating the same
KR101814807B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101882199B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101349555B1 (en) Display device
KR101262502B1 (en) Optical member and display device having the same
KR101210068B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR20130047508A (en) Display device
KR101877489B1 (en) Display
KR101251775B1 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
KR101956061B1 (en) Display device
KR101283130B1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170307

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180306

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190313

Year of fee payment: 7