KR20120139799A - Organic el device, method for manufacturing same, and organic photoelectric conversion device - Google Patents

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KR20120139799A KR1020127026795A KR20127026795A KR20120139799A KR 20120139799 A KR20120139799 A KR 20120139799A KR 1020127026795 A KR1020127026795 A KR 1020127026795A KR 20127026795 A KR20127026795 A KR 20127026795A KR 20120139799 A KR20120139799 A KR 20120139799A
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도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
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Abstract

광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 효과를 얻는 유기 EL 장치에 있어서, 소자 형성시에 광 반투과성 금속막(3)의 보호를 도모한다. 유기 EL 장치는 기판(2) 상방에 적층된 광 반투과성 금속막(3)과, 금속막(3) 상에 적층된 광 투과성 보호막(4)과, 보호막(4) 상에 적층되어 금속막(3)과 보호막(4)의 양측면을 덮는 투명 도전막(5)과, 투명 도전막(5) 상에 적층된 유기막(6)과, 유기막(6) 상에 적층된 광 반사성 도전막(7)을 구비하고, 유기 EL 소자(1A)는 기판(2)을 통해 광이 방출되는 발광 영역(S)을 구비하고, 금속막(3)은 발광 영역(S)의 전역을 차지하도록 적층되어 있다.In an organic EL device having an optical micro resonance (micro cavity) effect, the light semitransmissive metal film 3 is protected during element formation. The organic EL device includes a light semitransmissive metal film 3 stacked above the substrate 2, a light transmissive protective film 4 stacked on the metal film 3, and a metal film 3 laminated on the protective film 4. ) And a transparent conductive film 5 covering both sides of the protective film 4, an organic film 6 stacked on the transparent conductive film 5, and a light reflective conductive film 7 stacked on the organic film 6. ), The organic EL element 1A has a light emitting region S through which light is emitted through the substrate 2, and the metal film 3 is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting region S. .

Description

유기 EL 장치 및 그 제조 방법, 유기 광전 변환 장치{ORGANIC EL DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE}Organic electroluminescent apparatus, its manufacturing method, organic photoelectric conversion apparatus {ORGANIC EL DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE}

본 발명은 유기 EL 장치, 유기 EL 장치의 제조 방법, 유기 광전 변환 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic EL device, a method for producing an organic EL device, and an organic photoelectric conversion device.

하기 특허문헌 1에는, 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 효과를 이용한 유기 전계 발광 소자가 기재되어 있다. 이 소자 구조는, 투명 기판과, 투명 기판 상에 형성된 반투명막과, 반투명막 상에 형성된 양극층과, 양극층 상에 형성된 발광층을 포함하는 유기막과, 유기막 상에 전반사 금속막으로 형성된 음극층을 구비하고, 반투명막의 상면에서 음극층의 저면까지의 광학적 거리를, 각색광의 피크 파장의 반파장을 정수배로 한 것의 최소공배수로 설정한 것이다.The following patent document 1 describes the organic electroluminescent element using the optical micro resonance (micro cavity) effect. This device structure includes an organic film comprising a transparent substrate, a semitransparent film formed on the transparent substrate, an anode layer formed on the semitransparent film, a light emitting layer formed on the anode layer, and a cathode formed of a total reflection metal film on the organic film. A layer is provided and the optical distance from the upper surface of the translucent film to the bottom surface of the cathode layer is set to the least common multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the respective light beams being an integral multiple.

이에 의하면, 발광층에서 발생한 광이 반투명막의 상면과 음극층의 저면 사이에서 반복적으로 반사됨으로써 광학 미소 공진(마이크로 캐비티)을 발생시키고, 각 색의 피크 파장에 있어서 휘도를 증폭시키는 것에 의해 발광 효율을 높일 수 있고, 색순도가 향상된 양호한 유기 전계 발광 소자를 얻을 수 있다.According to this, light generated in the light emitting layer is repeatedly reflected between the upper surface of the translucent film and the bottom surface of the cathode layer to generate optical micro resonance (microcavity), thereby increasing the light emission efficiency by amplifying the luminance at the peak wavelength of each color. It is possible to obtain a good organic electroluminescent device having improved color purity.

일본 공개특허공보 2004-111398호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-111398

종래 기술에 의해, 복수의 발광소자에 의한 발광 장치를 형성하려면, 금속 박막으로 형성되는 반투명막과 그 위에 형성되는 양극층이 함께 패터닝되어, 각 패턴간의 절연성을 확보하는 것이 필요하게 된다. 그러나, 반투명막이 금속 재료로 형성되는 것에 대해 양극층은 투명 금속 산화물로 형성되고, 양자는 서로 상이한 금속 재료로 형성되기 때문에, 한 공정의 패턴 형성에서는 에칭 속도의 차이에 따라 양호한 에칭 프로파일을 얻지 못하는 문제가 있다. 이를 해소하기 위해서는, 상이한 재료로 이루어지는 층을 개별적으로 패턴 형성하면 되지만, 이에 의하면 개별적으로 형성된 패턴을 일치시키기 어렵고, 적층된 막으로부터 원하는 전극 패턴을 얻기 어려운 문제가 발생한다.According to the prior art, in order to form a light emitting device using a plurality of light emitting elements, it is necessary to pattern a semitransparent film formed of a metal thin film and an anode layer formed thereon to ensure insulation between the patterns. However, since the anode layer is formed of a transparent metal oxide and the both are formed of different metal materials, while the translucent film is formed of a metal material, a good etching profile cannot be obtained due to the difference in etching rates in the pattern formation in one process. there is a problem. In order to solve this problem, it is only necessary to form patterns of layers made of different materials individually, but this causes a problem that it is difficult to match the individually formed patterns, and it is difficult to obtain a desired electrode pattern from the laminated film.

또한, 금속 박막으로 형성되는 반투명막과 그 위에 형성되는 층을 개별적으로 패턴 형성하면, 반투명막이 노출된 상태에서 각종 처리가 실시되게 된다. 금속 박막으로 형성되는 반투명막은 막두께를 매우 얇게 할 필요가 있으므로, 이 반투명막이 노출된 상태에서 배선 패턴의 형성 등의 처리가 이루어지면, 반투명막에 구멍이 생기는 등의 문제가 생겨, 양호한 광 반투과 기능을 얻지 못하게 되어 설계된 광학 미소 공진(마이크로 캐비티)을 얻지 못하게 되는 문제가 발생한다.In addition, when the semi-transparent film formed of the metal thin film and the layer formed thereon are patterned separately, various processes are performed in the state where the semi-transparent film is exposed. Since the semi-transparent film formed of the metal thin film needs to be made very thin, when a process such as formation of a wiring pattern is performed while the semi-transparent film is exposed, problems such as holes are formed in the semi-transparent film. The problem arises that the transmission function is not obtained and the designed optical micro resonance (micro cavity) cannot be obtained.

본 발명은, 이와 같은 문제에 대처하는 것을 과제의 일례로 하는 것이다. 즉, 유기막을 끼고 형성되는 한 쌍의 전극 중의 하나에 반투광성 금속막을 사용하여 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 효과를 얻는 유기 EL 장치나 유기 광전 변환 장치에 있어서, 특히 기판측의 전극을 원하는 패턴으로 형성할 수 있고, 전극 패턴간의 절연성을 높일 수 있고, 또한, 반투광성 금속막을 소자 형성 공정에서 노출시키지 않음으로써 금속막을 보호하고, 설계된 광학 미소 공진 효과를 양호하게 발휘할 수 있는 것, 등이 본 발명의 목적이다.This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. That is, in an organic EL device or an organic photoelectric conversion device which obtains an optical micro-resonance (micro-cavity) effect by using a semitransparent metal film in one of a pair of electrodes formed with an organic film, The metal film can be protected by not allowing the semi-light-transmitting metal film to be exposed in the element forming step, and the designed optical micro resonance effect can be excellently exerted. The purpose of.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 아래의 구성을 적어도 구비한다.In order to achieve such an object, this invention is equipped with the following structures at least.

기판 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 장치이고, 상기 유기 EL 소자는, 상기 기판의 상방에 적층된 광 반투과성 금속막과, 상기 금속막 상에 적층된 광투과성 보호막과, 상기 보호막 상에 적층되어 상기 금속막과 상기 보호막의 양 측면을 덮는 투명 도전막과, 상기 투명 도전막 상에 적층된 유기막과, 상기 유기막 상에 적층된 광 반사성 도전막을 구비하고, 상기 유기 EL 소자는 상기 기판을 통해 광이 방출되는 발광 영역을 구비하고, 상기 금속막은, 상기 발광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.An organic EL device in which at least one organic EL element is formed on a substrate, wherein the organic EL element comprises a light semitransmissive metal film laminated above the substrate, a light transmissive protective film laminated on the metal film, and the protective film. And a transparent conductive film laminated on the metal film and both side surfaces of the protective film, an organic film stacked on the transparent conductive film, and a light reflective conductive film stacked on the organic film, wherein the organic EL device And a light emitting region in which light is emitted through the substrate, and the metal film is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting region.

기판 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 장치의 제조 방법이고, 상기 기판의 상방에 광 반투과성 금속막을 성막하면서 그 금속막 상에 보호막을 성막하는 공정과, 상기 금속막과 상기 보호막을 동시에 패턴 형성하는 공정과, 상기 보호막 상에 상기 보호막과 상기 금속막의 측면을 덮도록 투명 도전막을 성막하여, 상기 투명 도전막의 패턴 형성을 진행하는 공정과, 상기 투명 도전막 상에 유기막을 적층하는 공정과, 상기 유기막 상에 광 반사성 도전막을 적층하는 공정을 포함하고, 상기 유기 EL 소자는 상기 기판을 통해 광이 방출되는 발광 영역을 구비하고, 상기 금속막은 상기 발광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an organic EL device in which at least one organic EL element is formed on a substrate, wherein the protective film is formed on the metal film while a light semitransmissive metal film is formed above the substrate, and the metal film and the protective film are formed. Simultaneously forming a pattern; forming a transparent conductive film on the protective film so as to cover side surfaces of the protective film and the metal film; and forming a pattern of the transparent conductive film; and laminating an organic film on the transparent conductive film. And laminating a light reflective conductive film on the organic film, wherein the organic EL device has a light emitting region through which light is emitted through the substrate, and the metal film is laminated so as to occupy a whole area of the light emitting region. The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned.

기판 상에 적어도 하나의 유기 광전 변환 소자를 형성한 유기 광전 변환 장치이고, 상기 유기 광전 변환 소자는, 상기 기판의 상방에 적층된 광 반투과성 금속막과, 그 금속막 상에 적층된 광투과성 보호막과, 그 보호막 상에 적층된 투명 도전막과, 그 투명 도전막 상에 적층된 유기막과, 그 유기막 상에 적층된 광 반사성 도전막을 구비하고, 상기 기판을 통해 광이 입사되는 수광 영역을 구비하고, 상기 투명 도전막이 상기 금속막과 상기 보호막의 측면을 덮고, 상기 금속막은, 상기 수광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 광전 변환 장치.An organic photoelectric conversion device in which at least one organic photoelectric conversion element is formed on a substrate, the organic photoelectric conversion element comprising: a light semitransmissive metal film laminated on the substrate; a light transmissive protective film laminated on the metal film; And a transparent conductive film laminated on the protective film, an organic film laminated on the transparent conductive film, and a light reflective conductive film laminated on the organic film, and having a light receiving region through which light is incident. And the transparent conductive film covers side surfaces of the metal film and the protective film, and the metal film is laminated so as to occupy the entire area of the light receiving region.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 장치(유기 EL 소자) 혹은 유기 광전 변환 장치(유기 광전 변환 소자)의 특징부를 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 단면 구조를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 전체 구성 및 배선 구조를 나타낸 설명도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 더욱 구체적인 내부 구조를 나타낸 설명도이다.
도 5는 밀봉 기판을 포함한 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 전체 구조를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 제조 방법을 나타낸 설명도이다.1 is an explanatory diagram showing features of an organic EL device (organic EL device) or an organic photoelectric conversion device (organic photoelectric conversion device) according to an embodiment of the present invention.
2 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
3 is an explanatory diagram showing the overall configuration and wiring structure of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
4 is an explanatory diagram showing a more specific internal structure of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing the entire structure of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention including a sealing substrate.
6 is an explanatory diagram showing a method for producing an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다. 본 발명의 실시형태는 도시된 내용을 포함하지만 이것에만 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에서는, 각 도면에서 나타낸 공통 부위에 대해 동일 부호를 붙여 중복 설명을 일부 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings. Embodiments of the invention include, but are not limited to, the contents shown. In the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the common site shown in each drawing, and the overlapping description is abbreviate | omitted a part.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 장치 혹은 유기 광전 변환 장치의 특징부를 나타낸 설명도이다. 여기서의 유기 EL 장치는, 디스플레이, 조명 등의 발광 기능을 구비하는 장치이고, 유기 광전 변환 장치는, 수광 기능을 구비하는 장치이다. 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 장치 혹은 유기 광전 변환 장치는, 기판 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자(1A) 또는 유기 광전 변환 소자(1B)를 구비하고 있다.1 is an explanatory diagram showing features of an organic EL device or an organic photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention. The organic EL device herein is a device having light emitting functions such as a display and illumination, and the organic photoelectric conversion device is a device having a light receiving function. The organic EL device or organic photoelectric conversion device according to the embodiment of the present invention includes at least one organic EL element 1A or organic photoelectric conversion element 1B on a substrate.

도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태를 나타내고 있다. 이 실시형태는, 유기 EL 소자(1A) 또는 유기 광전 변환 소자(1B)가, 기판(2), 금속막(3), 보호막(4), 투명 도전막(5), 유기막(6), 도전막(7)을 구비하고 있다. 또한, 유기 EL 소자(1A)의 발광 영역(S) 혹은 유기 광전 변환 소자(1B)의 수광 영역(S1)을 획정하여 인접하는 투명 도전막(5) 사이를 절연하기 위하여 절연막(8)을 구비하고 있다.Fig. 1A shows a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B includes the substrate 2, the metal film 3, the protective film 4, the transparent conductive film 5, the organic film 6, The conductive film 7 is provided. In addition, an insulating film 8 is provided to define the light emitting region S of the organic EL element 1A or the light receiving region S1 of the organic photoelectric conversion element 1B to insulate between adjacent transparent conductive films 5. Doing.

금속막(3)은 기판(2)의 상방에 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층되고 광 반투과성이다. 즉, 금속막(3)은 광을 일부 투과하는 기능과 광을 일부 반사하는 기능을 모두 구비한다. 금속막(3)에 광 반투과성을 부여하기 위해서는 막두께를 얇게 하는 것이 필요하게 된다. 예를 들면, 금속막(3)의 두께는, 광의 반사율과 투과율의 비율이 대략 동일해지도록 설정된다. 일례를 들면 금속에 은을 사용한 경우에는, 은의 막두께가 약 15nm이고 반사율 50% 정도, 투과율 45% 정도가 된다. 금속에 알루미늄을 사용한 경우에는, 알루미늄의 막두께가 약 5nm이고 반사율 50% 정도, 투과율 40% 정도가 된다.The metal film 3 is laminated directly above the substrate 2 or via another layer and is light semitransmissive. That is, the metal film 3 has both a function of partially transmitting light and a function of partially reflecting light. In order to impart light semitransmissivity to the metal film 3, it is necessary to make the film thickness thin. For example, the thickness of the metal film 3 is set so that the ratio of the reflectance and the transmittance | permeability of light become substantially the same. For example, when silver is used for the metal, the film thickness of silver is about 15 nm, and the reflectance is about 50% and the transmittance is about 45%. When aluminum is used for the metal, the film thickness of aluminum is about 5 nm, and the reflectance is about 50% and the transmittance is about 40%.

보호막(4)은, 금속막(3) 상에 적층된 광투과성 막이고, 얇게 성막된 금속막(3)을 보호하는 기능을 구비한다. 보호막(4)은 보호 기능을 확보하기 위해서는 얇게 성막한 금속막(3)보다 막두께를 두껍게 하는 것이 바람직하다. 보호막(4)의 재료는, 광투과성의 도전성막 또는 절연성막을 형성할 수 있는 재료이면 되고, IZO(Indium Zinc Oxide: 인듐-아연산화물(In2O3-ZnO), 아모퍼스 ITO(Indium Tin Oxide: 주석첨가 산화인듐(In2O3:Sn)) 등을 사용할 수 있다. 보호막(4)은, 금속막(3)과 동일 공정에서 대략 동일 패턴으로 형성되므로, 동일한 에칭액을 사용한 경우의 에칭 레이트가 금속막(3)에 가까운 것이 바람직하다.The protective film 4 is a light transmissive film laminated on the metal film 3 and has a function of protecting the thin metal film 3 formed into a thin film. In order to ensure a protective function, the protective film 4 is preferably made thicker than the thin metal film 3 formed into a thin film. The material of the protective film 4 may be a material capable of forming a light-transmissive conductive film or an insulating film, and may be IZO (Indium Zinc Oxide: In 2 O 3 -ZnO) or amorphous ITO (Indium Tin Oxide). : Tin-added indium oxide (In 2 O 3 : Sn)), etc. Since the protective film 4 is formed in substantially the same pattern in the same process as the metal film 3, the etching rate at the same etching liquid is used. It is preferable to be close to the temporary metal film 3.

투명 도전막(5)은, 보호막(4) 상에 적층되어 금속막(3)과 보호막(4)의 양 측면을 덮도록 형성된다. 투명 도전막(5)은 유기 EL 소자(1A) 혹은 유기 광전 변환 소자(1B)의 기판(2)측의 전극(하부 전극)을 형성하는 것이고, 금속막(3)과 보호막(4)의 양 측면을 덮으면서 보호막(4) 상을 완전히 덮기 위해서는, 투명 도전막(5)의 막두께는 금속막(3)과 보호막(4)의 합계 막두께보다 두꺼운 것이 바람직하다. 투명 도전막(5)의 재료로서는, ITO(Indium Tin Oxide: 주석첨가 산화인듐(In2O3:Sn)), IZO(Indium Zinc Oxide: 인듐-아연산화물(In2O3-ZnO)), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다.The transparent conductive film 5 is laminated on the protective film 4 so as to cover both side surfaces of the metal film 3 and the protective film 4. The transparent conductive film 5 forms an electrode (lower electrode) on the substrate 2 side of the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B, and the amount of the metal film 3 and the protective film 4 In order to completely cover the side of the protective film 4 while covering the side surface, it is preferable that the film thickness of the transparent conductive film 5 is thicker than the total film thickness of the metal film 3 and the protective film 4. Examples of the material for the transparent conductive film 5 include ITO (Indium Tin Oxide) (In 2 O 3 : Sn), IZO (Indium Zinc Oxide: In 2 O 3 -ZnO), Zinc oxide (ZnO) or the like can be used.

유기막(6)은, 투명 도전막(5) 상에 적층된 유기 재료의 층이고 발광 또는 수광 기능을 구비하는 층을 포함하는 것이다. 유기 EL 소자(1A)의 유기막(6)으로서는, 정공 주입?수송층, 발광층, 전자 주입?수송층 등에 의해 구성된다. 유기막(6) 상에는 광 반사성 도전막(7)이 적층되어 있다. 도전막(7)에는 알루미늄 등을 사용할 수 있고, 높은 반사율을 얻기 위하여 원하는 막두께로 성막된다. 도전막(7)은 유기 EL 소자(1A) 혹은 유기 광전 변환 소자(1B)의 기판(2)과는 반대측의 전극(상부 전극)을 구성하고 있다.The organic film 6 is a layer of an organic material laminated on the transparent conductive film 5 and includes a layer having a light emitting or light receiving function. The organic film 6 of the organic EL element 1A is composed of a hole injection and transport layer, a light emitting layer, an electron injection and transport layer, and the like. The light reflective conductive film 7 is laminated on the organic film 6. Aluminum or the like can be used for the conductive film 7, and a film is formed to a desired film thickness in order to obtain high reflectance. The conductive film 7 constitutes an electrode (upper electrode) on the side opposite to the substrate 2 of the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B.

유기 EL 소자(1A)는 기판(2)을 통해 광이 방출되는 발광 영역(S)을 구비하고 있고, 유기 광전 변환 소자(1B)는 기판(2)을 통해 광을 받아들이는 수광 영역(S1)을 구비하고 있다. 그리고, 금속막(3)은 발광 영역(S) 혹은 수광 영역(S1)의 전역을 차지하도록 적층되어 있다. 금속막(3)이 발광 영역(S) 혹은 수광 영역(S1)의 전역을 차지하도록 적층되어 있음으로써, 유기 EL 소자(1A)에 있어서는 하나의 발광 영역(S) 내로부터 균일한 면발광을 얻을 수 있고, 유기 광전 변환 소자(1B)에 있어서는 하나의 수광 영역(S) 내로부터 균일한 광을 받아들일 수 있다. 발광 영역(S) 또는 수광 영역(S1)은, 투명 도전막(5)의 에지부를 덮어 기판(2) 상에 형성되는 절연막(8)의 패턴에 의해 획정되어 있다.The organic EL element 1A includes a light emitting region S through which light is emitted through the substrate 2, and the organic photoelectric conversion element 1B receives a light region S1 that receives light through the substrate 2. Equipped with. The metal film 3 is stacked so as to occupy the entire area of the light emitting region S or the light receiving region S1. The metal film 3 is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting region S or the light receiving region S1, so that uniform surface light emission can be obtained from one light emitting region S in the organic EL element 1A. In the organic photoelectric conversion element 1B, uniform light can be received from one light receiving region S. FIG. The light emitting region S or the light receiving region S1 is defined by a pattern of the insulating film 8 formed on the substrate 2 to cover the edge portion of the transparent conductive film 5.

유기 EL 소자(1A)에서는, 보호막(4)의 막두께와 보호막(4) 상의 투명 도전막(5)의 막두께와 유기막(6)의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값이 유기막(6)으로부터 발광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배로 되어 있다. 또한, 유기 광전 변환 소자(1B)에서는, 보호막(4)의 막두께와 투명 도전막(5)의 막두께와 유기막(6)의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값이 수광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배로 되어 있다.In the organic EL element 1A, the total value of the optical distance by the film thickness of the protective film 4, the film thickness of the transparent conductive film 5 on the protective film 4, and the film thickness of the organic film 6 is determined by the organic film ( It is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light emitted from 6). Moreover, in the organic photoelectric conversion element 1B, the peak wavelength of the light which the total value of the optical distance by the film thickness of the protective film 4, the film thickness of the transparent conductive film 5, and the film thickness of the organic film 6 receives Is an integer multiple of half wavelength of.

여기서의 광학적 거리의 합계값(d0)이란, 도시된 거리(d)가 보호막(4)의 막두께(d1), 투명 도전막(5)의 막두께(d2), 유기막(6)의 막두께(d3)로 이루어지는 경우(d=d1＋d2＋d3)에는, 각 층의 굴절률을 n1, n2, n3으로 하면, d0=n1?d1＋n2?d2＋n3?d3이 된다. d0=m?λ/2(λ: 피크 파장, m: 정수)일 때 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조가 얻어지고, 유기 EL 소자(1A)로서는 특정 파장(λ)의 광을 강하게 하여 외부로 취출할 수 있고, 유기 광전 변환 소자(1B)로서는 특정의 파장(λ)을 선택적으로 수광할 수 있다.Here, the total value d 0 of the optical distance means that the distance d shown is the film thickness d1 of the protective film 4, the film thickness d2 of the transparent conductive film 5, and the organic film 6. In the case of the film thickness d3 (d = d1 + d2 + d3), when the refractive index of each layer is n1, n2, n3, d 0 = n1-d1 + n2-d2 + n3-d3. When d 0 = m? λ / 2 (λ: peak wavelength, m: integer), an optical microresonance (microcavity) structure is obtained. As the organic EL element 1A, light having a specific wavelength? Can be taken out, and the specific wavelength? Can be selectively received as the organic photoelectric conversion element 1B.

이때, 금속막(3) 상을 보호막(4)으로 덮고 있으므로, 광 반투과성을 얻기 위해 얇은 막두께로 형성된 금속막(3)을 소자 형성 공정에서 보호할 수 있고, 나아가서는, 금속막(3)이 발광 영역(S) 혹은 수광 영역(S1)의 전역을 차지하도록 적층되어 있으므로, 금속막(3)의 광 반사성을 발광 영역(S) 혹은 수광 영역(S1)의 전역에서 균일하게 확보할 수 있고, 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조를 발광 영역(S) 혹은 수광 영역(S1)의 전역에서 고정밀도로 형성할 수 있다.At this time, since the upper part of the metal film 3 is covered with the protective film 4, the metal film 3 formed with the thin film thickness can be protected by an element formation process, in order to acquire light semi-transmissivity, Furthermore, the metal film 3 Since the light emitting region S or the light receiving region S1 is stacked so as to occupy the whole area, the light reflectivity of the metal film 3 can be uniformly ensured throughout the light emitting region S or the light receiving region S1. The optical microresonance (microcavity) structure can be formed with high precision throughout the light emitting region S or the light receiving region S1.

유기 EL 소자(1A) 혹은 유기 광전 변환 소자(1B)를 구비하는 유기 EL 장치 혹은 유기 광전 변환 장치의 제조 방법을 이하에 설명한다. 기판(2)의 상방에 광 반투과성 금속막(3)을 성막하면서 금속막(3) 상에 보호막(4)을 성막하는 공정과, 금속막(3)과 보호막(4)을 동시에 패턴 형성하는 공정과, 보호막(4) 상에 보호막(4)과 금속막(3)의 양 측면을 덮도록 투명 도전막(5)을 성막하여, 투명 도전막(5)의 패턴 형성을 진행하는 공정과, 투명 도전막(5) 상에 유기막(6)을 적층하는 공정과, 유기막(6) 상에 광 반사성 도전막(7)을 적층하는 공정을 포함한다. 그리고, 유기 EL 소자(1A)는 기판(2)을 통해 광이 방출되는 발광 영역(S)을 구비하고, 금속막(3)은 발광 영역(S)의 전역을 차지하도록 적층되어 있다. 또한, 유기 광전 변환 소자(1B)는 기판(2)을 통해 광을 받아들이는 수광 영역(S1)을 구비하고, 금속막(3)은 수광 영역(S1)의 전역을 차지하도록 적층되어 있다.The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus or organic photoelectric conversion apparatus provided with the organic electroluminescent element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B is demonstrated below. Forming a protective film 4 on the metal film 3 while forming a light semitransmissive metal film 3 above the substrate 2 and simultaneously forming a pattern on the metal film 3 and the protective film 4. And a step of forming a transparent conductive film 5 on the protective film 4 so as to cover both side surfaces of the protective film 4 and the metal film 3 to proceed with pattern formation of the transparent conductive film 5, and The process of laminating | stacking the organic film 6 on the electrically conductive film 5 and the process of laminating | stacking the light reflective conductive film 7 on the organic film 6 are included. The organic EL element 1A is provided with a light emitting region S through which light is emitted through the substrate 2, and the metal film 3 is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting region S. As shown in FIG. The organic photoelectric conversion element 1B has a light receiving region S1 for receiving light through the substrate 2 and the metal film 3 is stacked so as to occupy the entire area of the light receiving region S1.

이 제조 방법에서는, 금속막(3)을 성막한 후, 그 위에 보호막(4)을 성막하여, 금속막(3)과 보호막(4)을 동시에 패턴 형성한다. 이에 의해, 금속막(3)은 이후의 공정에서 항상 보호막(4)으로 덮여 있게 되고, 광 반투과성을 얻기 위해 박막에 형성된 금속막(3)이 이후의 공정에서 데미지를 입는 것을 억제할 수 있다. 금속막(3)과 보호막(4)의 양 측면을 덮도록 성막되는 투명 도전막(5)은, 그 패턴 형성시에는 투명 도전막(5)의 단일 재료층에 대해 패턴 형성이 이루어지게 된다. 이에 의해, 투명 도전막(5)은 이종 금속의 에칭 속도의 차이에 의한 패턴의 흐트러짐이 발생하지 않고, 한 공정으로 원하는 에칭 프로파일을 얻을 수 있다. 습식 에칭에 의해 이와 같은 패턴 형성을 실행하기 위해서는, 금속막(3)의 에칭 레이트는 동일한 에칭액을 사용한 경우에 있어서의 보호막(4)의 에칭 레이트와 동일하거나 그 이상이고, 보호막(4)의 에칭 레이트는 투명 도전막(5)의 에칭 레이트 이상인 것이 바람직하다.In this manufacturing method, after forming the metal film 3, the protective film 4 is formed on it, and the metal film 3 and the protective film 4 are pattern-formed simultaneously. Thereby, the metal film 3 is always covered with the protective film 4 in a subsequent process, and it can suppress that the metal film 3 formed in the thin film in order to obtain a light semitransmissivity will be damaged by a subsequent process. When the pattern is formed, the transparent conductive film 5 formed to cover both side surfaces of the metal film 3 and the protective film 4 is patterned with respect to the single material layer of the transparent conductive film 5. Thereby, the transparent conductive film 5 does not generate | occur | produce the pattern disturbance by the difference in the etching rate of a dissimilar metal, and can obtain a desired etching profile in one process. In order to perform such pattern formation by wet etching, the etching rate of the metal film 3 is the same as or higher than the etching rate of the protective film 4 when the same etching liquid is used, and the etching of the protective film 4 is performed. It is preferable that the rate is more than the etching rate of the transparent conductive film 5.

도 1(b)는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내고 있다. 이 실시형태는, 상기 서술한 제1 실시형태(도 1(a))와 동일하게, 유기 EL 소자(1A) 또는 유기 광전 변환 소자(1B)가, 기판(2), 금속막(3), 보호막(4), 투명 도전막(5), 유기막(6), 도전막(7)을 구비하고 있다. 상기 서술한 제1 실시형태와 동일한 부위는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 생략한다. 이 제2 실시형태는, 투명 도전막(5)이 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)을 구비하고 있음으로써 제1 실시형태와 상이하다. 도시된 예에서는, 투명막(5B)이 기판(2) 상에 형성되고, 투명막(5B) 상에 광 반투과성 금속막(3)이 적층되고, 금속막(3) 상에 보호막(4)이 적층되고, 금속막(3)과 보호막(4)의 양 측면을 덮도록 보호막(4) 상에 투명 도전막(5A)이 적층되어 있다.1 (b) shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B includes the substrate 2, the metal film 3, similarly to the first embodiment (FIG. 1A) described above. The protective film 4, the transparent conductive film 5, the organic film 6, and the conductive film 7 are provided. The same part as 1st Embodiment mentioned above attaches | subjects the same code | symbol, and abbreviate | omits duplication description. This second embodiment is different from the first embodiment because the transparent conductive film 5 includes the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B. In the illustrated example, the transparent film 5B is formed on the substrate 2, the light semitransmissive metal film 3 is laminated on the transparent film 5B, and the protective film 4 is formed on the metal film 3. The transparent conductive film 5A is laminated on the protective film 4 so as to cover both side surfaces of the metal film 3 and the protective film 4.

여기에서는, 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)이 합쳐져 유기 EL 소자(1A) 또는 유기 광전 변환 소자(1B)의 기판(2)측의 전극(하부 전극)을 구성하고 있는 것이 되고, 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)으로 이루어지는 투명 도전막(5)의 내부에 금속막(3)과 보호막(4)이 형성되어 있다. 투명막(5B)은 도전성인 것이 바람직하고, 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)은 동일한 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)을 동일한 재료로 구성함으로써, 투명 도전막(5A)과 투명막(5B)을 동시에 패턴 형성하는 경우의 패턴의 흐트러짐을 억제할 수 있다.Here, the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B are joined together to form an electrode (lower electrode) on the substrate 2 side of the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B, The metal film 3 and the protective film 4 are formed inside the transparent conductive film 5 which consists of the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B. It is preferable that the transparent film 5B is electroconductive, and it is preferable to comprise the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B with the same material. By constituting the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B with the same material, the disturbance of the pattern when the transparent conductive film 5A and the transparent film 5B are patterned at the same time can be suppressed.

이 실시형태에 있어서도, 유기 EL 소자(1A)에 있어서는, 보호막(4)의 막두께와 보호막(4) 상의 투명 도전막(5)의 막두께와 유기막(6)의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값은, 유기막(6)으로부터 발광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배로 되어 있고, 유기 광전 변환 소자(1B)에 있어서는, 보호막(4)의 막두께와 보호막(4) 상의 투명 도전막(5)의 막두께와 유기막(6)의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값은, 수광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배로 되어 있다. 이에 의해, 제2 실시형태에 있어서의 유기 EL 소자(1A) 혹은 유기 광전 변환 소자(1B)는, 제1 실시형태와 동일한 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조를 갖고 있다.Also in this embodiment, in 1 A of organic electroluminescent elements, the optical distance by the film thickness of the protective film 4, the film thickness of the transparent conductive film 5 on the protective film 4, and the film thickness of the organic film 6 is carried out. The total value of is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light emitted from the organic film 6, and in the organic photoelectric conversion element 1B, the film thickness of the protective film 4 and the transparent conductive film on the protective film 4 The total value of the optical distance by the film thickness of (5) and the film thickness of the organic film 6 is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light to receive. Thereby, the organic EL element 1A or the organic photoelectric conversion element 1B in the second embodiment has the same optical fine resonance (micro cavity) structure as in the first embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 장치의 일례가 되는 유기 EL 패널을 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the organic electroluminescent panel used as an example of the organic electroluminescent apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated concretely.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 단면 구조를 나타내는 설명도이다. 도 2(a)는 유기 EL 소자의 단면 구조를 나타내고, 도 2(b)는 복수의 유기 EL 소자를 포함한 유기 EL 패널의 단면 구조를 나타내고 있다.2 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) shows a cross-sectional structure of an organic EL element, and FIG. 2 (b) shows a cross-sectional structure of an organic EL panel including a plurality of organic EL elements.

유기 EL 패널(100)은, 기판(10) 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자(1)를 형성한 것이다. 유기 EL 소자(1)는, 기판(10)측으로부터 차례로, 하부 전극(11), 발광층(12A)을 구비하는 유기막(12), 상부 전극(13)을 적층하여 형성되고, 하부 전극(11)은 광 반투과성 금속막(11B)과 광투과성 보호막(11C)을 덮는 투명 도전막(11A)에 의해 구성되고, 상부 전극(13)은 광 반사성 도전막에 의해 구성되어 있다.The organic EL panel 100 forms at least one organic EL element 1 on the substrate 10. The organic EL element 1 is formed by stacking the lower electrode 11, the organic film 12 having the light emitting layer 12A, and the upper electrode 13 in order from the substrate 10 side, and the lower electrode 11. ) Is made of a transparent conductive film 11A covering the light semitransmissive metal film 11B and the light transmissive protective film 11C, and the upper electrode 13 is made of a light reflective conductive film.

하부 전극(11)은, 설정된 폭(W1)으로 패턴 형성된 투명 도전막(11A)을 구비하고, 또한 투명 도전막(11A)의 내부에, 전체 둘레면이 투명 도전막(11A)으로 덮여 투명 도전막(11A)의 폭보다 좁은 폭(W2)으로 패턴 형성된 금속막(11B)과 보호막(11C)이 형성되어 있다.The lower electrode 11 is provided with the transparent conductive film 11A patterned in the set width W1, and the inside of the transparent conductive film 11A is covered with the transparent conductive film 11A, and the entire circumferential surface is transparent conductive. A metal film 11B and a protective film 11C patterned with a width W2 narrower than the width of the film 11A are formed.

도시된 예에서는, 기판(10) 상에 직접, 하부 전극(11), 유기막(12), 상부 전극(13)이 적층되어 있지만, 기능적인 혹은 막두께 제어를 위한 다른 층을 각 층간에 개재시켜도 좋다. 기판(10)이 투광성이고, 금속막(11B)이 반투광성이기 때문에 기판(10)측으로부터 광을 출사시키는 방식(보텀 에미션 방식)으로 되어 있다.In the illustrated example, the lower electrode 11, the organic film 12, and the upper electrode 13 are stacked directly on the substrate 10, but have different layers between the layers for functional or film thickness control. You may have to. Since the board | substrate 10 is translucent and the metal film 11B is semi-transmissive, it is a system (bottom emission system) which emits light from the board | substrate 10 side.

도 2(a)에 나타낸 유기 EL 소자(1)는, 하부 전극(11)과 상부 전극(13) 사이에 인가된 전압에 의해 발광층(12A)으로부터 발생된 광이 금속막(11B)의 상면과 상부 전극(13)의 하면 사이에서 반사를 반복하고, 금속막(11B)의 상면과 상부 전극(13)의 하면 사이의 거리(d)가 필요한 조건을 만족할 때, 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조가 되고, 특정 파장의 광을 강하게 하여 외부로 취출할 수 있다. 광학 미소 공진 구조를 얻기 위해서는, 금속막(11B)의 상면과 상부 전극(13)의 하면 사이의 광학적 거리(d0)가, 발광층(12A)으로부터 발생되는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배인 것이 필요하게 된다. 여기서의 광학적 거리(s)란, 도시된 거리(d)가 굴절률이 상이한 복수의 층(층두께(d1, d2, d3…))으로 이루어지는 경우에는, 각 층의 굴절률을 n1, n2, n3,…으로 하면, s=n1?d1＋n2?d2＋n3?d3＋…가 된다. d0=m?λ/2(λ: 피크 파장, m: 정수)일 때 광학 미소 공진 구조가 얻어진다.In the organic EL element 1 shown in FIG. 2A, the light generated from the light emitting layer 12A by the voltage applied between the lower electrode 11 and the upper electrode 13 is formed on the upper surface of the metal film 11B. When the reflection is repeated between the lower surface of the upper electrode 13 and the distance d between the upper surface of the metal film 11B and the lower surface of the upper electrode 13 satisfies a necessary condition, an optical micro resonance (micro cavity) structure The light of a specific wavelength can be strengthened and taken out outside. In order to obtain an optical microresonance structure, the optical distance d 0 between the upper surface of the metal film 11B and the lower surface of the upper electrode 13 needs to be an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light generated from the light emitting layer 12A. Done. The optical distance s here means that the refractive index of each layer is n1, n2, n3, when the illustrated distance d consists of a plurality of layers having different refractive indices (layer thicknesses d1, d2, d3...) … S = n1? D1 + n2? D2 + n3? D3 +. . When d 0 = m? λ / 2 (λ: peak wavelength, m: integer), an optical micro resonance structure is obtained.

여기서, 유기 EL 소자(1)는, 하부 전극(11)에 있어서의 투명 도전막(11A)의 폭(W1)과 금속막(11B) 및 보호막(11C)의 폭(W2)의 관계가 W1>W2로 되어 있고, 투명 도전막(11A)에 금속막(11B) 및 보호막(11C)의 전체 둘레면이 덮인 상태로 되어 있다. 이에 의해, 하부 전극(11)을 최종적으로 패터닝할 때는, 투명 도전막(11A)의 층을 패터닝하면 되고, 이종 금속층을 에칭하는 경우의 에칭 속도의 차이에 의한 패턴의 흐트러짐 등에 의해 양호한 에칭 프로파일을 얻지 못하는 문제가 발생하지 않는다. 또한, 금속막(11B)이나 보호막(11C)을 구비하고 있어도, 하부 전극(11)의 패턴 형상은 투명 도전막(11A)의 패터닝에 의해 정해지므로, 고정밀도의 패턴 형성을 진행할 수 있다. 또한, 금속막(11B)은 일반적으로 유리 기판과의 밀착성이 좋지 않은 경향이 있지만, 본 발명의 실시형태와 같이 투명 도전막(11A)의 내부에 금속막(11B)을 배치함으로써, 하부 전극(11)과 기판(10)의 양호한 밀착성을 얻을 수 있다.In the organic EL element 1, the relationship between the width W1 of the transparent conductive film 11A and the width W2 of the metal film 11B and the protective film 11C in the lower electrode 11 is W1>. W2, and the entire circumferential surface of the metal film 11B and the protective film 11C is covered with the transparent conductive film 11A. As a result, when finally patterning the lower electrode 11, the layer of the transparent conductive film 11A may be patterned, and a good etching profile may be obtained due to the disturbance of the pattern due to the difference in etching rate when etching the dissimilar metal layer. There is no problem not to get. Further, even when the metal film 11B or the protective film 11C is provided, the pattern shape of the lower electrode 11 is determined by patterning the transparent conductive film 11A, so that the formation of the pattern with high precision can be performed. In addition, although the metal film 11B tends to have poor adhesiveness with a glass substrate generally, like the embodiment of the present invention, by disposing the metal film 11B inside the transparent conductive film 11A, the lower electrode ( 11) and good adhesion between the substrate 10 can be obtained.

하부 전극(11)은, 금속막(11B) 상에 적층되는 보호막(11C)과 투명 도전막(11A)의 두께를 조정함으로써, 상기 서술한 광학적 거리(d0)를 조정할 수 있다. 투명 도전막의 두께를 증가 또는 감소시킨 경우에, 그에 상응하여 투명막의 두께를 감소 또는 증가시킴으로써, 광학적 거리(d0)를 조정한 경우로서 하부 전극(11)의 두께 전체를 일정하게 유지할 수 있고, 하부 전극(11)의 전기 저항을 변경하지 않고 광학적 거리(d0)의 조정을 할 수 있다.The lower electrode 11 can adjust the optical distance d 0 mentioned above by adjusting the thickness of the protective film 11C and the transparent conductive film 11A laminated | stacked on the metal film 11B. In the case of increasing or decreasing the thickness of the transparent conductive film, by reducing or increasing the thickness of the transparent film correspondingly, the entire thickness of the lower electrode 11 can be kept constant as the case of adjusting the optical distance d 0 , The optical distance d 0 can be adjusted without changing the electrical resistance of the lower electrode 11.

도 2(b)에 나타낸 바와 같이 상기 서술한 유기 EL 소자(1)를 복수 구비한 유기 EL 패널(100)은, 복수의 하부 전극(11)간의 전기적 절연성을 확보하기 위해 절연막(14)을 구비하고 있다. 일례로서는, 하부 전극(11)은 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고, 하부 전극(11) 상의 발광 영역(15)을 획정하는 절연막(14)을 구비하고 있다. 이 절연막(14)은, 하부 전극(11) 상의 길이 방향을 따른 단부가 금속막(11B)의 길이 방향을 따른 단부와 겹쳐지며 폭(p)으로 겹쳐지도록 형성되어 있다. 이에 의하면, 발광 영역(15)의 전역(화소 내 전역)에서 금속막(11B)이 형성되므로, 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조를 발광 영역(15)의 전역에서 균일하게 형성할 수 있고, 화소 내 휘도를 균일화할 수 있다.An organic EL panel 100 having a plurality of the above-described organic EL elements 1 as shown in Fig. 2 (b) is provided with an insulating film 14 for ensuring electrical insulation between a plurality of lower electrodes 11 . As an example, the lower electrode 11 has a pattern in a stripe shape, and includes an insulating film 14 for defining the light emitting region 15 on the lower electrode 11. The insulating film 14 is formed such that an end portion in the longitudinal direction on the lower electrode 11 overlaps an end portion in the longitudinal direction of the metal film 11B and overlaps the width p. According to this, since the metal film 11B is formed in the entire region (in the pixel) of the light emitting region 15, the optical microresonance (micro cavity) structure can be formed uniformly in the entire region of the light emitting region 15, and the pixel The luminance can be made uniform.

또한, 금속막(11B)이 투명 도전막(11A) 내에 존재함으로써, 금속막(11B)이 절연막(14)에 접촉되지 않는다. 이에 의해, 하나의 하부 전극(11)의 금속막(11B)으로부터 분리된 금속 이온이 절연막(14)을 통해 이동하여 다른 하부 전극(11)과 연결되어 버리는 현상(마이그레이션)을 미연에 방지할 수 있다.In addition, since the metal film 11B exists in the transparent conductive film 11A, the metal film 11B does not contact the insulating film 14. This makes it possible to prevent the migration (migration) in which the metal ions separated from the metal film 11B of one lower electrode 11 move through the insulating film 14 and are connected to the other lower electrode 11 have.

도 3은 유기 EL 패널(100)의 전체 구성 및 배선 구조를 나타낸 설명도이다. 도 3(a)는 전체적인 평면도, 도 3(b)는 밀봉 기판을 제외한 상태의 A-A단면도, 도 3(c)는 B-B단면도를 나타내고 있다. 유기 EL 패널(100)은 일례로서, 기판(10)에 밀봉 기판(20)을 접합시킨 구조를 갖고 있다. 그리고, 유기 EL 패널(100)은, 기판(10) 상에는 유기 EL 소자(1)가 형성된 발광부(100A)와 유기 EL 소자(1)로의 전기 공급을 행하는 배선 전극(30)이 형성된 배선부(100B)가 형성되어 있다. 발광부(100A)는 밀봉 기판(20)으로 덮인 범위 내에 형성되어 있고, 배선부(100B)는 기판(10) 상의 밀봉 기판(20)으로 덮이지 않은 영역에 형성되어 있다. 배선부(100B) 내의 배선 전극(30)은, 하부 전극(11)으로의 전기 공급을 행하는 것과 상부 전극(13)으로의 전기 공급을 행하는 것으로 나누어진다. 하부 전극(11)으로의 전기 공급을 행하는 배선 전극(30)은, 하부 전극(11)과 연속으로 형성할 수 있지만, 상부 전극(13)으로의 전기 공급을 행하는 배선 전극(30)은, 기판(10) 상에 형성된 배선 전극(30)과 상부 전극(13)을 상부 전극(13)의 형성시 또는 형성후에 접속시킨다.3 is an explanatory diagram showing the overall configuration and wiring structure of the organic EL panel 100. Fig. 3 (a) is an overall plan view, Fig. 3 (b) is a cross-sectional view A-A in a state excluding the sealing substrate, and Fig. 3 (c) is a cross-sectional view B-B. As an example, the organic EL panel 100 has a structure in which the sealing substrate 20 is bonded to the substrate 10. The organic EL panel 100 includes a wiring portion having a light emitting portion 100A on which the organic EL element 1 is formed and a wiring electrode 30 for supplying electricity to the organic EL element 1 on the substrate 10. 100B) is formed. The light emitting portion 100A is formed within a range covered by the sealing substrate 20, and the wiring portion 100B is formed in a region not covered with the sealing substrate 20 on the substrate 10. The wiring electrode 30 in the wiring portion 100B is divided into supplying electricity to the lower electrode 11 and supplying electricity to the upper electrode 13. The wiring electrode 30 for supplying electricity to the lower electrode 11 can be formed continuously with the lower electrode 11, but the wiring electrode 30 for supplying electricity to the upper electrode 13 is a substrate. The wiring electrode 30 and the upper electrode 13 formed on the 10 are connected during or after the formation of the upper electrode 13.

유기 EL 패널(100)의 일례로서는, 배선 전극(30)은 하부 전극(11)과 동일한 단면 구조를 갖고 있다. 즉, 배선 전극(30)은, 설정된 폭에 패턴 형성된 투명 도전막(30A)을 구비하는 한편, 투명 도전막(30A)의 내부에, 전체 둘레면이 투명 도전막(30A)으로 덮여 투명 도전막(30A)의 폭보다 좁은 폭으로 패턴 형성된 금속막(30B)과 보호막(30C)이 형성되어 있다. 종래의 배선 전극은 투명 도전막 상에 저전기 저항의 금속층을 적층하여 형성되지만, 이 유기 EL 패널(100)에서는, 투명 도전막(30A)의 내부에 금속막(30B)을 형성함으로써 저전기 저항화를 도모하고 있다. 이에 의하면, 하부 전극(11)의 패턴 형성 공정과 배선 전극(30)의 패턴 형성 공정을 동일 공정으로 진행할 수 있다. 종래 각각의 공정으로 패턴 형성되던 하부 전극과 배선 전극을 동일 공정으로 패턴 형성할 수 있으므로, 공정의 간략화가 가능해진다. 또한, 하부 전극(11)이 배선 전극(30)과 동일하게 저전기 저항화되어 있으므로, 유기 EL 패널(100)의 구동 전압을 큰 폭으로 저하시킬 수 있다.As an example of the organic EL panel 100, the wiring electrode 30 has the same cross-sectional structure as the lower electrode 11. That is, the wiring electrode 30 is provided with the transparent conductive film 30A patterned in the set width, while the whole circumferential surface is covered with the transparent conductive film 30A inside the transparent conductive film 30A, and a transparent conductive film A patterned metal film 30B and a protective film 30C are formed in a width narrower than the width of 30A. The conventional wiring electrode is formed by laminating a low electrical resistance metal layer on a transparent conductive film. In this organic EL panel 100, a low electrical resistance is formed by forming a metal film 30B inside the transparent conductive film 30A. I'm trying to get angry. According to this, the pattern formation process of the lower electrode 11 and the pattern formation process of the wiring electrode 30 can be performed in the same process. Since the lower electrode and the wiring electrode which were conventionally patterned in each process can be patterned in the same process, the process can be simplified. In addition, since the lower electrode 11 is made to have low electrical resistance in the same manner as the wiring electrode 30, the driving voltage of the organic EL panel 100 can be greatly reduced.

도 4는 유기 EL 패널(100)의 더욱 구체적인 내부 구조를 나타낸 설명도이다. 도 4(a)가 발광부 내의 평면도, 도 4(b)가 C-C단면도, 도 4(c)가 D-D단면도를 나타내고 있다. 상기 서술한 바와 같이, 유기 EL 패널(100)은, 금속막(11B)과 보호막(11C)을 덮는 투명 도전막(11A)으로 이루어지는 하부 전극(11)이 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고, 광투과성 도전막인 상부 전극(13)이 하부 전극(11)과 교차하는 방향으로 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되어 있다. 그리고, 상부 전극(13)을 따른 방향으로 복수의 격벽(31)을 구비하고, 격벽(31)은, 복수의 하부 전극(11) 상을 횡단하도록 형성되는 한편, 금속막(11B) 상에 형성된 부분과 금속막(11B)이 형성되어 있지 않은 곳에 형성된 부분의 단면 형상이 상이하게 되어 있다.4 is an explanatory diagram showing a more specific internal structure of the organic EL panel 100. 4A is a plan view in the light emitting portion, FIG. 4B is a C-C cross-sectional view, and FIG. 4C is a D-D cross-sectional view. As described above, in the organic EL panel 100, a pattern is formed in a stripe shape on the lower electrode 11 made of the transparent conductive film 11A covering the metal film 11B and the protective film 11C. A pattern is formed in a stripe shape in the direction in which the upper electrode 13, which is a conductive film, intersects the lower electrode 11. The plurality of partitions 31 are provided in the direction along the upper electrode 13, and the partitions 31 are formed to cross the plurality of lower electrodes 11, and are formed on the metal film 11B. The cross-sectional shape of the portion formed where the portion and the metal film 11B are not formed is different.

구체적으로는, 도 4(b)에 나타낸 단면이 금속막(11B) 상에 형성된 부분의 단면이고, 도 4(c)에 나타낸 단면이 금속막(11B)이 형성되어 있지 않은 곳에 형성된 부분의 단면이다. 도시로부터 명확한 바와 같이, 격벽(31)은, 그 측부에 하향의 테이퍼면(31a)을 구비하고, 테이퍼면(31a)의 수직에 대한 테이퍼 각도가, 금속막(11B) 상에 형성된 부분에서의 각도(θs)(도 4(b) 참조)보다 금속막(11B)이 형성되어 있지 않은 곳에 형성된 부분에서의 각도(θd)(도 4(c) 참조)가 큰 형상으로 되어 있다.Specifically, the cross section shown in Fig. 4 (b) is the cross section of the portion formed on the metal film 11B, and the cross section shown in Fig. 4 (c) is the cross section of the portion formed where the metal film 11B is not formed. to be. As is apparent from the illustration, the partition wall 31 has a downward tapered surface 31a at its side, and the taper angle with respect to the vertical of the tapered surface 31a is formed at the portion formed on the metal film 11B. The angle θd (see FIG. 4 (c)) at the portion where the metal film 11B is not formed is larger than the angle θ s (see FIG. 4B).

격벽(31)은, 상부 전극(13)을 스트라이프 형상으로 패턴 형성하기 위해, 상부 전극(13)의 성막에 앞서 형성되는 것이고, 스트라이프 형상으로 형성되는 개개의 상부 전극(13)을 확실히 분리하기 위해, 하향의 테이퍼면을 구비하는 단면 형상(예를 들면, 역사다리꼴 또는 T자 형상 등의 오버행 형상)으로 하고 있다. 이와 같은 격벽(31)의 단면 형상은, 포토리소그래피 공정에 있어서의 두께 방향의 노광량의 차이로부터 오는 현상 속도차를 이용하여 측면의 테이퍼면(31a)을 형성한다. 이때, 금속막(11B) 상에 형성되는 격벽(31)의 부분은 금속막(11B)에서의 반사광에 의해 노광량이 증가되어 테이퍼 각도가 작아진다.The partition wall 31 is formed prior to the deposition of the upper electrode 13 to pattern the upper electrode 13 in a stripe shape, and in order to reliably separate the individual upper electrodes 13 formed in the stripe shape. It is set as the cross-sectional shape (for example, overhang shape, such as an inverted trapezoid or a T-shape) provided with a downward taper surface. The cross-sectional shape of such a partition wall 31 forms the taper surface 31a of the side surface using the development speed difference which comes from the difference of the exposure amount of the thickness direction in a photolithography process. At this time, the portion of the partition wall 31 formed on the metal film 11B increases the exposure amount due to the reflected light from the metal film 11B, so that the taper angle is reduced.

상부 전극(13)을 확실히 분리하기 위해서는 테이퍼 각도가 큰 것이 바람직하지만, 격벽(31)의 강도를 생각하면, 테이퍼 각도를 작게 하여 격벽(31)의 밑부분의 폭을 크게 하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시형태에서는, 격벽(31)은, 테이퍼 각도가 큰 부분과 작은 부분이 교대로 이어지는 것이 되므로, 적절히 상부 전극을 분리하는 기능이 얻어지는 한편, 상부로부터의 압박 등에 대해 충분한 강도를 구비하고 있다.In order to reliably separate the upper electrode 13, it is preferable that the taper angle is large. However, in consideration of the strength of the partition wall 31, it is preferable to reduce the taper angle to increase the width of the bottom of the partition wall 31. In the embodiment of the present invention, since the partition 31 has a portion with a large taper angle and a small portion alternately, the partition wall 31 has a function of separating the upper electrode as appropriate, while having sufficient strength against pressure from the upper portion. have.

도 5는 밀봉 기판을 포함한 유기 EL 패널의 전체 구조를 나타낸 단면도이다. 상기 서술한 설명과 공통되는 부위에 대해서는 동일 부호를 붙여 중복 설명을 일부 생략한다. 유기 EL 패널(100)은, 기판(10)과의 사이에 유기 EL 소자(1)를 밀봉하기 위한 밀봉 공간(SS)을 형성하는 밀봉 기판(20)을 구비한다. 기판(10)과 밀봉 기판(20)은 접착제층(21)에 의해 접합되고, 접착제층(21)의 내측에 밀봉 공간(SS)이 형성된다.5 is a cross-sectional view showing the entire structure of an organic EL panel including a sealing substrate. About the part which is common with the above-mentioned description, the same code | symbol is attached | subjected and a part of overlapping description is abbreviate | omitted. The organic EL panel 100 has a sealing substrate 20 for forming a sealing space SS for sealing the organic EL element 1 with the substrate 10. The board | substrate 10 and the sealing substrate 20 are bonded by the adhesive bond layer 21, and the sealing space SS is formed inside the adhesive bond layer 21. As shown in FIG.

도시된 유기 EL 패널(100)에서는, 상기 서술한 격벽(31)이 기판(10)과 밀봉 기판(20) 사이에 개재되는 지지 부재가 되고 있다. 즉, 밀봉 기판(20)의 내면이 격벽(31)의 상면에 맞닿음으로써, 밀봉 기판(20)의 기판(10)측으로의 변형을 억제하고 있다. 격벽(31)은, 상기 서술한 바와 같이 위로부터의 압박에 대해 충분한 강도를 구비하고 있으므로, 이와 같은 밀봉 기판(20)의 지지 구조가 유기 EL 소자(1)의 보호에 유효하게 기능한다.In the illustrated organic EL panel 100, the partition wall 31 described above serves as a supporting member interposed between the substrate 10 and the sealing substrate 20. That is, since the inner surface of the sealing substrate 20 abuts on the upper surface of the partition 31, the deformation | transformation of the sealing substrate 20 to the board | substrate 10 side is suppressed. As described above, the barrier rib 31 has sufficient strength against the upward pressing, and thus the supporting structure of the sealing substrate 20 effectively functions to protect the organic EL element 1. [

도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 제조 방법을 나타낸 설명도이다. 본 발명의 실시형태에 따른 제조 방법은, 하부 전극(11)의 형성에 특징이 있고, 다른 공정은 기존의 공정을 적용할 수 있다. 즉, 기판(10)측으로부터 차례로, 하부 전극(11), 발광층(12A)을 구비하는 유기막(12), 상부 전극(13)을 적층하여 유기 EL 소자(1)를 형성할 때, 하부 전극(11)을 형성하는 공정은, 투명막(11A2)을 성막하여 이 투명막(11A2) 상에 금속막(11B1)과 보호막(11C1)을 성막하는 공정(도 6(a)), 금속막(11B)과 보호막(11C)을 동시에 패턴 형성하는 공정(도 6(b))과, 투명막(11A2)과 금속막(11B) 및 보호막(11C) 상에 투명 도전막(11A1)을 성막하는 공정(도 6(c))과, 투명 도전막(11A1)과 투명막(11A2)을 동시에 패턴 형성하는 공정(도 6(d), (e))을 포함한다.6 is an explanatory diagram showing a method for producing an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. The manufacturing method which concerns on embodiment of this invention is characterized by formation of the lower electrode 11, and the other process can apply an existing process. That is, when forming the organic EL element 1 by laminating the lower electrode 11, the organic film 12 having the light emitting layer 12A, and the upper electrode 13 in order from the substrate 10 side, the lower electrode The step of forming (11) includes forming a transparent film (11A2) and forming a metal film (11B1) and a protective film (11C1) on the transparent film (11A2) (Fig. 6 (a)), and a metal film ( A step of simultaneously patterning 11B and the protective film 11C (FIG. 6B), and forming a transparent conductive film 11A1 on the transparent film 11A2, the metal film 11B, and the protective film 11C. (C) and the process of pattern-forming the transparent conductive film 11A1 and the transparent film 11A2 simultaneously (FIG. 6 (d), (e)).

도 6(a)에 나타내는 공정에서는, 기판 상에 투명막(11A2)을 성막하여, 다시 그 위에 금속막(11B1)과 보호막(11C1)을 성막한다. 도 6(b)에 나타내는 공정에서는, 금속막(11B)과 보호막(11C)을 동시에 에칭 처리하여 금속막(11B)과 보호막(11C)의 스트라이프 형상의 패턴을 형성한다. 도 6(a), (b)를 합병하여, 성막한 투명막(11A2) 상에 마스크 성막에 의해 금속막(11B)과 보호막(11C)의 패턴을 형성해도 좋다.In the step shown in FIG. 6A, a transparent film 11A2 is formed on a substrate, and a metal film 11B1 and a protective film 11C1 are formed thereon. In the step shown in FIG. 6B, the metal film 11B and the protective film 11C are simultaneously etched to form a stripe pattern of the metal film 11B and the protective film 11C. 6 (a) and 6 (b) may be merged to form a pattern of the metal film 11B and the protective film 11C on the transparent film 11A2 formed by mask film formation.

도 6(c)에 나타내는 공정에서는, 투명막(11A2)의 상측 전체면에 투명 도전막(11A1)을 성막한다. 이때의 투명 도전막(11A1)의 막두께는 전술한 광학적 거리(d0)의 설정을 하는 데 있어서 중요하다.In the process shown in FIG. 6C, the transparent conductive film 11A1 is formed on the entire upper surface of the transparent film 11A2. The film thickness of the transparent conductive film 11A1 at this time is important in setting the above-described optical distance d 0 .

도 6(d)에 나타내는 공정에서는, 투명 도전막(11A1)과 투명막(11A2)을 동시에 에칭하여 하부 전극(11)의 패턴을 형성한다. 하부 전극(11)의 패턴폭은 금속막(11B) 및 보호막(11C)의 패턴폭보다 넓기 때문에, 금속막(11B) 및 보호막(11C)의 패턴에 대해 그만큼 고정밀도로 패턴을 맞출 필요가 없다. 그리고, 여기서 동시에 에칭 처리하는 것은 동일한 재료 또는 동일한 종류의 재료이므로, 이종 금속층의 동시 에칭시에 발생하는 에칭 속도의 차이에 따른 에칭 단면의 흐트러짐 등이 없고, 양호한 에칭 프로파일을 얻을 수 있다.In the step shown in FIG. 6D, the transparent conductive film 11A1 and the transparent film 11A2 are simultaneously etched to form a pattern of the lower electrode 11. Since the pattern width of the lower electrode 11 is wider than the pattern width of the metal film 11B and the protective film 11C, it is not necessary to accurately match the pattern with the patterns of the metal film 11B and the protective film 11C. In addition, since the etching process is the same material or the same kind of material here, there is no disturbance of the etching cross-section due to the difference in etching rate generated at the time of simultaneous etching of the dissimilar metal layer, and a good etching profile can be obtained.

도 6(e)에 나타낸 바와 같이 형성된 하부 전극(11)은, 내부에 금속막(11B)과 보호막(11C)을 구비하는 것이지만, 단일 투명 도전막을 에칭 처리하여 형성되는 패턴과 동일한 정도로 정밀도가 높은 패턴이 얻어진다. 이에 의해, 그 위에 유기 EL 소자(1)의 각 층을 적층할 때의 막두께 정밀도를 향상시킬 수 있고, 또한 패터닝된 하부 전극(11)의 각 패턴간의 절연성을 효과적으로 높일 수 있다.The lower electrode 11 formed as shown in FIG. 6E has a metal film 11B and a protective film 11C therein, but has a high precision to the same degree as a pattern formed by etching a single transparent conductive film. A pattern is obtained. Thereby, the film thickness precision at the time of laminating | stacking each layer of the organic electroluminescent element 1 on it can be improved, and also the insulation between each pattern of the patterned lower electrode 11 can be improved effectively.

이하, 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 패널의 구성예를 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structural example of the organic electroluminescent panel which concerns on embodiment of this invention is demonstrated more concretely.

기판(10)은, 유리, 플라스틱, 표면에 절연 재료층이 형성된 금속 등, 유기 EL 소자(1)를 지지할 수 있는 기재에 의해 형성된다. 하부 전극(11)을 형성하는 투명 도전막(11A)은, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 산화아연계 투명 도전막, SnO2계 투명 도전막, 이산화티탄계 투명 도전막 등의 투명 금속 산화물을 사용하고, 투명 도전막(11A) 내에 배치되는 금속막(11B)은, 저전기 저항 금속인 은(Ag)이나 은합금, 알루미늄(Al)이나 알루미늄합금 등을 사용할 수 있다. 투명 도전막(11A1)과 투명막(11A2)은 동일한 재료인 것이 바람직하지만, 동종(금속 산화물 재료)의 상이한 재료여도 된다. 투명막(11A2)은 도전성인 것이 바람직하지만, 광투과성인 것이면 꼭 도전성인 것이 아니어도 좋다. 보호막(11C)은 광투과성의 막이면 되지만, 하부 전극(11)의 일부를 형성하도록 도전성인 것이 바람직하다. 또한 투명 도전막(11A)과의 밀착성을 고려하면 투명 도전막(11A)과 동일한 재료로 형성하는 것이 더욱 바람직하다.The board | substrate 10 is formed of the base material which can support the organic electroluminescent element 1, such as glass, plastic, and metal in which the insulating material layer was formed in the surface. The transparent conductive film 11A forming the lower electrode 11 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), a zinc oxide transparent conductive film, a SnO 2 based transparent conductive film, and a titanium dioxide transparent conductive film. As the metal film 11B disposed in the transparent conductive film 11A using a transparent metal oxide such as silver, silver (Ag), silver alloy, aluminum (Al), aluminum alloy, or the like, which is a low electrical resistance metal, can be used. . Although the transparent conductive film 11A1 and the transparent film 11A2 are preferably the same material, different materials of the same kind (metal oxide material) may be used. The transparent film 11A2 is preferably conductive, but may not necessarily be conductive as long as it is light transmissive. The protective film 11C may be a light transmissive film, but is preferably conductive so as to form part of the lower electrode 11. Further, in consideration of adhesion to the transparent conductive film 11A, it is more preferable to form the same material as the transparent conductive film 11A.

투명 도전막(11A1), 금속막(11B1), 보호막(11C1), 투명막(11A2)의 성막은 스퍼터링이나 증착 등에 의해 행할 수 있다. 기판(10) 상에서의 금속막(11B)과 보호막(11C) 혹은 하부 전극(11)의 패턴 형성은, 포토리소그래피 공정 등에 의해 행할 수 있다. 발광부(100A)에 형성되는 하부 전극(11)과 배선부(100B)에 형성되는 배선 전극(30)을 동일한 단면 구조로 형성함으로써, 하부 전극(11)의 패턴 형성과 동일 공정으로 배선 전극(30)을 형성할 수 있다. 이와 같이 형성된 하부 전극(11)과 배선 전극(30)은 모두 금속막(11B, 30B)을 구비하므로, 그 양방을 저전기 저항화할 수 있다. 이에 의해, 유기 EL 소자(1)를 낮은 전압으로 구동하여 원하는 휘도를 얻을 수 있다.Formation of the transparent conductive film 11A1, the metal film 11B1, the protective film 11C1, and the transparent film 11A2 can be performed by sputtering, vapor deposition, or the like. Pattern formation of the metal film 11B, the protective film 11C, or the lower electrode 11 on the substrate 10 can be performed by a photolithography process or the like. By forming the lower electrode 11 formed in the light emitting portion 100A and the wiring electrode 30 formed in the wiring portion 100B in the same cross-sectional structure, the wiring electrode ( 30). Since the lower electrode 11 and the wiring electrode 30 formed as described above have the metal films 11B and 30B, both of them can lower the electrical resistance. Thereby, the desired brightness can be obtained by driving the organic EL element 1 at a low voltage.

절연막(14)은, 패터닝된 하부 전극(11)의 각각의 절연성을 확보하기 위해 마련되고, 폴리이미드수지, 아크릴계수지, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 재료가 사용된다. 절연막(14)의 형성은, 하부 전극(11)이 형성된 기판(10) 상의 발광부(100A) 전체면에 성막한 후, 하부 전극(11) 상에 발광 영역(15)의 개구를 형성하는 패터닝이 이루어진다. 구체적으로는, 하부 전극(11)이 형성된 기판(10)에 스핀코팅법에 의해 소정의 도포 두께가 되도록 막을 형성하고, 노광 마스크를 사용하여 노광 처리, 현상 처리를 함으로써, 발광 영역(15)의 개구 패턴 형상을 갖는 절연막(14)의 층이 형성된다. 이 절연막(14)은, 하부 전극(11)의 패턴간을 메우는 한편 그 측단 부분을 일부 덮도록 형성되고, 격자 형상으로 형성된다. 이에 의해, 하부 전극(11) 상에 발광 영역(15)을 개구하여, 그 영역이 절연막(14)에 의해 절연 구획되게 된다.The insulating film 14 is provided in order to ensure the insulation property of the patterned lower electrode 11, and materials, such as a polyimide resin, an acryl-type resin, a silicon oxide, a silicon nitride, are used. The formation of the insulating film 14 is formed on the entire surface of the light emitting portion 100A on the substrate 10 on which the lower electrode 11 is formed, and then patterned to form an opening of the light emitting region 15 on the lower electrode 11. This is done. Specifically, a film is formed on the substrate 10 on which the lower electrode 11 is formed so as to have a predetermined coating thickness by spin coating, and the exposure and development treatments are performed using an exposure mask. A layer of insulating film 14 having an opening pattern shape is formed. The insulating film 14 is formed to fill the space between the patterns of the lower electrode 11 and partially cover the side end portion thereof, and is formed in a lattice shape. As a result, the light emitting region 15 is opened on the lower electrode 11 so that the region is insulated by the insulating film 14.

격벽(31)은, 마스크 등을 사용하지 않고 상부 전극(13)의 패턴을 형성하기 위하여, 혹은 인접하는 상부 전극(13)을 완전히 전기적으로 절연하기 위하여, 하부 전극(11)과 교차하는 방향으로 스트라이프 형상으로 형성된다. 구체적으로는, 기판(10) 또는 절연막(14) 상에 광 감광성 수지 등의 절연 재료를, 유기 EL 소자(1)를 형성하는 유기막(12)과 상부 전극(13)의 막두께의 총합보다 두꺼운 막두께로 스핀코팅법 등으로 도포 형성한 후, 이 광 감광성 수지막 상에 하부 전극(11)에 교차하는 스트라이프 형상의 패턴을 구비하는 포토마스크를 통해 자외선 등을 조사하고, 층의 두께 방향의 노광량의 차이로부터 발생하는 현상 속도차를 이용하여, 측부가 하향의 테이퍼면(31a)을 구비하는 격벽(31)을 형성한다.The partition walls 31 intersect the lower electrodes 11 in order to form the pattern of the upper electrodes 13 without using a mask or the like, or to completely insulate the adjacent upper electrodes 13 from each other. It is formed in a stripe shape. Specifically, the insulating material such as photosensitive resin on the substrate 10 or the insulating film 14 is less than the total of the film thicknesses of the organic film 12 and the upper electrode 13 forming the organic EL element 1. After application | coating formation with a thick film thickness etc., it irradiates an ultraviolet-ray etc. through the photomask which has a stripe-shaped pattern which cross | intersects the lower electrode 11 on this photosensitive resin film, and a layer thickness direction By using the development speed difference generated from the difference in the exposure amount, the partition wall 31 having the tapered surface 31a on the side part is formed.

유기막(12)은, 발광층(12A)을 포함하는 발광 기능층의 적층 구조를 구비하고, 하부 전극(11)과 상부 전극(13) 중의 하나를 양극으로 하고 다른 하나를 음극으로 하면, 양극측으로부터 차례로, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 선택적으로 형성된다. 유기막(12)의 성막은 건식 성막으로서 진공증착법 등이 사용되고, 습식 성막으로서는 도포나 각종의 인쇄법이 사용된다.The organic film 12 has a laminated structure of a light emitting functional layer including the light emitting layer 12A, and when one of the lower electrode 11 and the upper electrode 13 is an anode and the other is a cathode, the anode side From this, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. are selectively formed. As the dry film formation, the vacuum deposition method or the like is used as the dry film formation, and the coating or various printing methods are used as the wet film formation.

유기막(12)의 형성예를 이하에 설명한다. 예를 들면 먼저, NPB(N,N-di(naphtalence)-N,N-dipheneyl-benzidene)을 정공 수송층으로서 성막한다. 이 정공 수송층은, 양극으로부터 주입되는 정공을 발광층에 수송하는 기능을 구비한다. 이 정공 수송층은, 1층만 적층한 것이어도 좋고 2층 이상 적층한 것이어도 좋다. 또한, 정공 수송층은, 단일 재료에 의한 성막이 아닌, 복수의 재료에 의해 하나의 층을 형성해도 되고, 전하 수송 능력이 높은 호스트 재료에 전하 공여(수용)성이 높은 게스트 재료를 도핑해도 된다.The formation example of the organic film 12 is demonstrated below. For example, first, NPB (N, N-di (naphtalence) -N, N-dipheneyl-benzidene) is formed as a hole transport layer. The hole transport layer has a function of transporting holes injected from the anode to the light emitting layer. This hole transport layer may be a laminate of only one layer or a laminate of two or more layers. In addition, the hole transport layer may be formed of one layer by a plurality of materials instead of film formation by a single material, or may be doped with a guest material having a high charge donating (accommodating) property on a host material having a high charge transport ability.

다음으로, 정공 수송층의 위에 발광층을 성막한다. 일례로서는, 저항가열증착법에 의해, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 발광층을, 색구분용 마스크를 이용하여 각각의 성막 영역에 성막한다. 적색(R)으로서 DCM1(4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(4'-디메틸아미노스티릴)-4H-피란) 등의 스티릴색소 등의 적색을 발광하는 유기 재료를 사용한다. 녹색(G)으로서 알루미늄퀴놀리놀착체(Alq3) 등의 녹색을 발광하는 유기 재료를 사용한다. 청색(B)으로서 디스티릴 유도체, 트리아졸 유도체 등의 청색을 발광하는 유기 재료를 사용한다. 물론, 다른 재료여도 좋고, 호스트-게스트계의 층구성이어도 좋고, 발광 형태도 형광 발광 재료를 사용해도 좋고 인광 발광 재료를 사용한 것이어도 좋다.Next, a light emitting layer is formed on the hole transport layer. As an example, a light emitting layer of red (R), green (G), and blue (B) is formed into each film formation region by using a color classification mask by a resistance heating deposition method. As red (R), the organic material which emits red, such as styryl pigments, such as DCM1 (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (4'- dimethylamino styryl) -4H-pyran), is used. do. Use as a green (G), an aluminum-quinolinol complex organic material for emitting green, such as (Alq 3). As blue (B), the organic material which emits blue, such as a distyryl derivative and a triazole derivative, is used. Of course, other materials may be sufficient, a layer structure of host-guest type may be sufficient, a light emitting form may use a fluorescent light emitting material, or a phosphorescent light emitting material may be used.

발광층 상에 성막되는 전자 수송층은, 저항가열증착법 등의 각종 성막 방법에 의해, 예를 들면 알루미늄퀴놀리놀착체(Alq3) 등의 각종 재료를 사용하여 성막한다. 전자 수송층은, 음극으로부터 주입되는 전자를 발광층에 수송하는 기능을 구비한다. 이 전자 수송층은, 1층만 적층한 것이어도 좋고 2층 이상 적층한 다층 구조를 구비해도 좋다. 또한, 전자 수송층은, 단일 재료에 의한 성막이 아닌, 복수의 재료에 의해 하나의 층을 형성해도 좋고, 전하 수송 능력이 높은 호스트 재료에 전하 공여(수용)성이 높은 게스트 재료를 도핑하여 형성해도 좋다.The electron transport layer formed on the light emitting layer is formed by various film formation methods such as resistance heating deposition using various materials such as aluminum quinolinol complex (Alq 3 ). The electron transport layer has a function of transporting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. This electron transport layer may be laminated with only one layer or may have a multilayer structure laminated with two or more layers. The electron transport layer may be formed of a plurality of layers instead of a single film, or may be formed by doping a host material having high charge donating ability (capacitance) to a host material having high charge transport ability. good.

유기막(12) 상에 형성되는 상부 전극(13)은, 이쪽이 음극인 경우에는, 양극보다 일함수가 작은(예를 들면 4eV 이하) 재료(금속, 금속 산화물, 금속 불화물, 합금 등)를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 알루미늄(Al), 인듐(In), 마그네슘(Mg) 등의 금속막, 도핑된 폴리아닐린이나 도핑된 폴리페닐렌비닐렌 등의 비정질 반도체, Cr2O3, NiO, Mn2O5 등의 산화물을 사용할 수 있다. 구조로서는, 금속 재료에 의한 단층 구조, LiO2/Al 등의 적층 구조 등을 채용할 수 있다.The upper electrode 13 formed on the organic film 12 is formed of a material (metal, metal oxide, metal fluoride, alloy, etc.) having a lower work function (for example, 4 eV or less) than the anode when this is a cathode. Specifically, metal films such as aluminum (Al), indium (In), magnesium (Mg), amorphous semiconductors such as doped polyaniline or doped polyphenylenevinylene, Cr 2 O 3 , NiO, It can be used oxides such as Mn 2 O 5. As the structure, a single layer structure made of a metal material, a laminated structure such as LiO 2 / Al, or the like can be adopted.

밀봉 기판(20)은, 금속제, 유리제, 플라스틱제 등에 의한 판형상 부재 또는 용기형상 부재를 사용할 수 있다. 일례로서는, 유리제의 밀봉 기판(20)에 프레스성형, 에칭, 블라스트 처리 등의 가공에 의해 밀봉용 오목부(1단 오목부, 2단 오목부에 상관없음)를 형성한 것을 사용할 수도 있고, 혹은 평판 유리를 사용하여 유리(플라스틱이어도 된다)제의 스페이서에 의해 기판(10)과의 사이에 밀봉 공간(SS)을 형성할 수도 있다.As the sealing substrate 20, a plate member or a container member made of metal, glass, plastic, or the like can be used. As an example, what formed the sealing recessed part (regardless of a 1st stage recessed part and a 2nd stage recessed part) by the process of press molding, an etching, a blasting process, etc. may be used for the glass sealing substrate 20, or The sealing space SS can also be formed between the board | substrate 10 with the spacer made from glass (it may be plastic) using flat glass.

기판(10)에 밀봉 기판(20)을 접합시키는 접착제는, 열경화형, 화학경화형(2액 혼합), 광(자외선)경화형 등을 사용할 수 있고, 재료로서 아크릴수지, 에폭시수지, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 사용할 수 있다. 특히, 가열 처리를 필요로 하지 않고 즉시 경화성이 높은 자외선 경화형의 에폭시수지제의 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.As the adhesive for bonding the sealing substrate 20 to the substrate 10, a thermosetting type, a chemical curing type (2 liquid mixture), a light (ultraviolet) curing type, or the like can be used. As the material, an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester, a polyolefin can be used. Etc. can be used. In particular, it is preferable to use an adhesive made of an ultraviolet curable epoxy resin having high curability without requiring heat treatment.

기판(10)에 대해 밀봉 기판(20)을 접합시켜 유기 EL 소자(1)를 밀봉 공간(SS) 내에 밀봉하는 밀봉 공정은, 도 5에 나타낸 실시형태에서는, 밀봉 기판(20)의 내면을 격벽(31)의 상면에 맞닿도록 양자를 접합시킨다. 도 4에 나타낸 바와 같은 상부로부터의 압박 강도가 강한 격벽(31)을 사용함으로써, 격벽(31)의 상부에 밀봉 기판(20)의 내면을 맞닿게 하는 구성을 채용함으로써 유기 EL 패널(100)의 내가압 성능을 높일 수 있다.In the sealing step of bonding the sealing substrate 20 to the substrate 10 and sealing the organic EL element 1 in the sealing space SS, in the embodiment shown in FIG. 5, the inner surface of the sealing substrate 20 is partitioned. Both are joined to abut on the upper surface of (31). By using the partition wall 31 with the strong press strength from the upper part as shown in FIG. 4, the structure which makes the inner surface of the sealing substrate 20 abut on the partition wall 31 of the organic EL panel 100 is employ | adopted. The pressure resistance performance can be improved.

이와 같은 본 발명의 실시형태에 따른 유기 EL 패널(100)은, 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조를 채용하는 것에 더하여, 하부 전극(11)과 배선 전극(30) 내에 금속막(11B, 30B)을 마련하는 것에 의한 전극 및 배선의 저전기 저항화에 의해, 저구동 전압에 의한 고휘도 발광을 가능하게 하고 있고, 이에 의해 저소비전력의 유기 EL 패널을 실현하고 있다. 또한, 하부 전극(11)과 배선 전극(30)을 동일한 단면 구조로 함으로써, 동일 공정으로 기판(10) 상에 하부 전극(11)과 배선 전극(30)의 패턴을 형성할 수 있고, 제조 공정의 간략화를 가능하게 하고 있다.The organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention adopts the optical micro resonance (micro cavity) structure, and the metal films 11B and 30B in the lower electrode 11 and the wiring electrode 30. By lowering the electrical resistance of the electrode and the wiring by providing a structure, high luminance light emission by low driving voltage is enabled, thereby realizing an organic EL panel with low power consumption. Moreover, by making the lower electrode 11 and the wiring electrode 30 have the same cross-sectional structure, the pattern of the lower electrode 11 and the wiring electrode 30 can be formed on the board | substrate 10 by the same process, and a manufacturing process It is possible to simplify.

그리고, 하부 전극(11)의 구조를, 설정된 폭(W1)으로 패턴 형성된 투명 도전막(11A)을 구비하는 한편, 투명 도전막(11A)의 내부에, 전체 둘레면이 투명 도전막(11A)으로 덮여 투명 도전막(11A)의 폭보다 좁은 폭(W2)으로 패턴 형성된 금속막(11B)과 보호막(11C)이 형성되어 있는 구조로 되어 있으므로, 이종 금속을 적층한 구조의 하부 전극(11)이어도, 이종 금속층을 에칭하는 경우의 에칭 속도의 차이에 의한 패턴의 흐트러짐 등이 없고, 양호한 에칭 프로파일을 얻을 수 있다.And while the structure of the lower electrode 11 is provided with the transparent conductive film 11A patterned in the set width W1, inside the transparent conductive film 11A, the whole circumferential surface is 11 A of transparent conductive films. The lower electrode 11 having a structure in which dissimilar metals are laminated since the metal film 11B and the protective film 11C patterned at a width W2 narrower than the width of the transparent conductive film 11A are formed. Even then, there is no disturbance of the pattern due to the difference in etching rate in the case of etching the dissimilar metal layer, and a good etching profile can be obtained.

또한, 광 반투과성이 되도록 막두께를 얇게 한 금속막(11B)을 발광 영역(15)의 전역을 차지하도록 형성하여, 그 위에 보호막(11C)을 적층함으로써, 금속막(11B)을 형성한 후의 소자 형성 공정에서 금속막(11C)이 데미지를 입는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해 발광 영역 전역에 형성된 금속막(11B)의 균일한 표면을 유지할 수 있고, 유기 EL 소자(1)에 있어서의 광학 미소 공진(마이크로 캐비티) 구조를 발광 영역 전역에서 고정밀도로 구성할 수 있다.The element after the metal film 11B is formed by forming the metal film 11B having a thin film thickness so as to be light semitransmissive so as to occupy the entire area of the light emitting region 15 and laminating the protective film 11C thereon. Damage to the metal film 11C in the forming step can be suppressed. Thereby, the uniform surface of the metal film 11B formed in the whole light emitting area can be maintained, and the optical micro resonance (micro cavity) structure in the organic electroluminescent element 1 can be comprised with high precision in the whole light emitting area.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 서술했지만, 구체적인 구성은 이들의 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위의 설계의 변경 등이 있어도 본 발명에 포함된다. 상기 서술한 각 도면에 나타낸 실시형태는, 그 목적 및 구성 등에 특별히 모순이나 문제가 없는 한, 상호의 기재 내용을 조합하는 것이 가능하다. 또한, 각 도면의 기재 내용은 각각 독립된 실시형태가 될 수 있는 것이고, 본 발명의 실시형태는 각 도면을 조합한 하나의 실시형태에 한정되지 않는다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail with reference to drawings, a specific structure is not limited to these embodiment, Even if there exists a design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention, etc. are included in this invention. do. The embodiments shown in the above-described drawings can be combined with each other, as long as there are no contradictions or problems in particular in the object, configuration, and the like. In addition, description content of each drawing can become independent embodiment, respectively, and embodiment of this invention is not limited to one embodiment which combined each drawing.

Claims (19)

기판 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자를 구비한 유기 EL 장치이고,
상기 유기 EL 소자는,
상기 기판의 상방에 적층된 광 반투과성 금속막과,
상기 금속막 상에 적층된 광 투과성 보호막과,
상기 보호막 상에 적층된 상기 금속막과 상기 보호막의 양측면을 덮는 투명 도전막과,
상기 투명 도전막 상에 적층된 유기막과,
상기 유기막 상에 적층된 광 반사성 도전막을 구비하고,
상기 유기 EL 소자는 상기 기판을 통해 광이 방출되는 발광 영역을 구비하고,
상기 금속막은, 상기 발광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.An organic EL device having at least one organic EL element on a substrate;
The organic EL device,
A light semi-transmissive metal film laminated above the substrate,
A light-transmissive protective film laminated on the metal film;
A transparent conductive film covering both sides of the metal film and the protective film stacked on the protective film;
An organic film laminated on the transparent conductive film,
A light reflective conductive film laminated on said organic film,
The organic EL device has a light emitting region in which light is emitted through the substrate,
The metal film is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting region. 제 1항에 있어서,
상기 보호막의 막두께와 상기 보호막 상의 상기 투명 도전막의 막두께와 상기 유기막의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값은, 상기 유기막으로부터 발광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method of claim 1,
The total value of the optical distance by the film thickness of the said protective film, the film thickness of the said transparent conductive film on the said protective film, and the film thickness of the said organic film is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light emitted from the said organic film, It is characterized by the above-mentioned. Device. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 보호막의 막두께는 상기 금속막의 막두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The film thickness of the protective film is larger than the film thickness of the metal film. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속막의 에칭 레이트는 상기 보호막의 에칭 레이트 이상이고, 상기 보호막의 에칭 레이트는 동일한 에칭액을 사용한 경우에 상기 투명 도전막의 에칭 레이트 이상인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The etching rate of the said metal film is more than the etching rate of the said protective film, and the etching rate of the said protective film is more than the etching rate of the said transparent conductive film, when the same etching liquid is used. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명 도전막의 막두께는 상기 금속막과 상기 보호막의 합계 막두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The film thickness of the transparent conductive film is larger than the total film thickness of the metal film and the protective film. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호막은 도전성인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The said protective film is electroconductive, The organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호막은 절연성인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The said protective film is insulating, The organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판과 상기 금속막 사이에 투명막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
An organic EL device, wherein a transparent film is laminated between the substrate and the metal film. 제 8항에 있어서,
상기 투명막은 도전성인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method of claim 8,
The said transparent film is electroconductive, The organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 9항에 있어서,
상기 투명 도전막과 상기 투명막은 동일한 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method of claim 9,
The organic EL device, wherein the transparent conductive film and the transparent film are made of the same material. 제 1항에 있어서,
상기 투명 도전막과 상기 금속막과 상기 보호막은 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고, 상기 투명 도전막 상에 상기 발광 영역을 획정(劃定)하는 절연막을 구비하고,
상기 절연막은, 상기 투명 도전막의 길이 방향을 따른 단부가 상기 금속막의 길이 방향을 따른 단부와 겹쳐지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method of claim 1,
The transparent conductive film, the metal film, and the protective film have a pattern in a stripe shape, and include an insulating film for defining the light emitting region on the transparent conductive film,
The said insulating film is formed so that the edge part along the longitudinal direction of the said transparent conductive film may overlap with the edge part along the longitudinal direction of the said metal film, The organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1항에 있어서,
상기 투명 도전막은 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고, 상기 도전막은 상기 투명 도전막과 교차하는 방향으로 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고,
상기 도전막을 따른 방향으로 복수의 격벽을 구비하고,
상기 격벽은, 복수의 상기 투명 도전막 상을 가로지르도록 형성됨과 함께, 상기 금속막 상에 형성된 부분과 상기 금속막이 형성되어 있지 않은 곳에 형성된 부분의 단면 형상이 상이한 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method of claim 1,
The transparent conductive film has a pattern formed in a stripe shape, the conductive film is formed in a stripe shape in a direction crossing the transparent conductive film,
A plurality of partition walls in a direction along the conductive film,
The partition wall is formed to cross a plurality of the transparent conductive films, and the cross-sectional shape of a portion formed on the metal film and a portion formed where the metal film is not formed is different. 제 12항에 있어서,
상기 격벽은, 그 측부에 하향의 테이퍼면을 구비하고, 상기 테이퍼면의 수직에 대한 테이퍼 각도가, 상기 금속막 상에 형성된 부분에서의 각도보다 상기 금속막이 형성되어 있지 않은 곳에 형성된 부분에서의 각도가 큰 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.13. The method of claim 12,
The partition wall has a downward tapered surface at its side, and an angle at a portion where the taper angle with respect to the vertical of the tapered surface is formed where the metal film is not formed than the angle at the portion formed on the metal film. The organic EL device which is large. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
상기 기판과의 사이에 상기 유기 EL 소자를 밀봉하기 위한 밀봉 공간을 형성하는 밀봉 기판을 구비하고,
상기 격벽이 상기 기판과 상기 밀봉 기판 사이에 개재하는 지지 부재가 되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치.The method according to claim 12 or 13,
A sealing substrate which forms a sealing space for sealing the organic EL element between the substrate,
The partition wall serves as a supporting member interposed between the substrate and the sealing substrate. 기판 상에 적어도 하나의 유기 EL 소자를 형성한 유기 EL 장치의 제조 방법이고,
상기 기판의 상방에 광 반투과성 금속막을 성막하면서 상기 금속막 상에 보호막을 성막하는 공정과,
상기 금속막과 상기 보호막을 동시에 패턴 형성하는 공정과,
상기 보호막 상에 상기 보호막과 상기 금속막의 양측면을 덮도록 투명 도전막을 성막하여, 상기 투명 도전막의 패턴 형성을 진행하는 공정과,
상기 투명 도전막 상에 유기막을 적층하는 공정과,
상기 유기막 상에 광 반사성 도전막을 적층하는 공정을 포함하고,
상기 유기 EL 소자는 상기 기판을 통해 광이 방출되는 발광 영역을 구비하고, 상기 금속막은 상기 발광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치의 제조 방법.It is a manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which formed at least 1 organic electroluminescent element on the board | substrate,
Forming a protective film on the metal film while forming a light semitransmissive metal film on the substrate;
Patterning the metal film and the protective film simultaneously,
Forming a transparent conductive film on the protective film so as to cover both side surfaces of the protective film and the metal film, thereby forming a pattern of the transparent conductive film;
Laminating an organic film on the transparent conductive film;
Laminating a light reflective conductive film on the organic film,
The organic EL device has a light emitting area in which light is emitted through the substrate, and the metal film is laminated so as to occupy the entire area of the light emitting area. 제 15항에 있어서,
상기 금속막과 상기 보호막은 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되고,
상기 투명 도전막은, 상기 금속막과 상기 보호막을 따라 상기 금속막과 상기 보호막보다 폭이 넓은 스트라이프 형상으로 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
The metal layer and the passivation layer have a pattern formed in a stripe shape,
The said transparent conductive film is a pattern formed in stripe shape wider than the said metal film and the said protective film along the said metal film and the said protective film, The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 15항 또는 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호막의 막두께와 상기 투명 도전막의 막두께와 상기 유기막의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값이, 상기 유기막으로부터 발생하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배인 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치의 제조 방법.The method according to any one of claims 15 or 16,
The total value of the optical distance by the film thickness of the said protective film, the film thickness of the said transparent conductive film, and the film thickness of the said organic film is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light emitted from the said organic film, The manufacture of the organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. Way. 기판 상에 적어도 하나의 유기 광전 변환 소자를 구비한 유기 광전 변환 장치이고,
상기 유기 광전 변환 소자는,
상기 기판의 상방에 적층된 광 반투과성 금속막과,
상기 금속막 상에 적층된 광 투과성 보호막과,
상기 보호막 상에 적층된 투명 도전막과,
상기 투명 도전막 상에 적층된 유기막과,
상기 유기막 상에 적층된 광 반사성 도전막을 구비하고,
상기 기판을 통해 광을 받아들이는 수광 영역을 구비하고,
상기 투명 도전막이 상기 금속막과 상기 보호막의 측면을 덮고,
상기 금속막은, 상기 수광 영역의 전역을 차지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 광전 변환 장치.An organic photoelectric conversion device having at least one organic photoelectric conversion element on a substrate,
The organic photoelectric conversion element,
A light semi-transmissive metal film laminated above the substrate,
A light-transmissive protective film laminated on the metal film;
A transparent conductive film laminated on the protective film;
An organic film laminated on the transparent conductive film,
A light reflective conductive film laminated on said organic film,
And a light receiving area for receiving light through the substrate,
The transparent conductive film covers side surfaces of the metal film and the protective film,
The metal film is laminated so as to occupy the entire area of the light receiving region. 제 18항에 있어서,
상기 보호막의 막두께와 상기 투명 도전막의 막두께와 상기 유기막의 막두께에 의한 광학적 거리의 합계값이, 수광하는 광의 피크 파장의 반파장의 정수배인 것을 특징으로 하는 유기 광전 변환 장치.19. The method of claim 18,
The total value of the optical distance by the film thickness of the said protective film, the film thickness of the said transparent conductive film, and the film thickness of the said organic film is an integer multiple of the half wavelength of the peak wavelength of the light received.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11758786B2 (en) * 2020-03-18 2023-09-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, fabricating method therefor and display panel

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6044239B2 (en) * 2012-10-01 2016-12-14 セイコーエプソン株式会社 Imaging device and medical device
CN110165079B (en) * 2019-05-29 2020-08-25 昆山国显光电有限公司 Display panel, manufacturing method thereof and display device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3813217B2 (en) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescence display panel
JP4279391B2 (en) * 1999-02-16 2009-06-17 東北パイオニア株式会社 Light emitting display panel and manufacturing method thereof
JP4465740B2 (en) * 1999-06-21 2010-05-19 凸版印刷株式会社 Electrode substrate manufacturing method
KR100875097B1 (en) 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic electroluminescent device using optical resonance effect
JP4322538B2 (en) * 2003-04-08 2009-09-02 パイオニア株式会社 Method for manufacturing light-emitting display panel
JP2006040784A (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Stanley Electric Co Ltd Organic el element
US8728615B2 (en) * 2004-09-13 2014-05-20 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive film and method of fabricating the same, transparent conductive base material, and light-emitting device
JPWO2006104256A1 (en) * 2005-03-31 2008-09-11 パイオニア株式会社 Organic EL device and manufacturing method thereof
WO2007029756A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Asahi Glass Company, Limited Base material with auxiliary wiring and method for manufacturing such base material
WO2008059185A2 (en) * 2006-11-17 2008-05-22 Saint-Gobain Glass France Electrode for an organic light-emitting device, acid etching thereof, and also organic light-emitting device incorporating it
JP2009044117A (en) * 2007-02-09 2009-02-26 Canon Inc Light-emitting device
JP2008251217A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Pioneer Electronic Corp Organic electroluminescent element
JP5219493B2 (en) * 2007-11-14 2013-06-26 キヤノン株式会社 Light emitting element and light emitting device using the same
WO2009064021A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus and method of producing same
JP5284036B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-11 キヤノン株式会社 Light emitting device
JP5219745B2 (en) * 2007-11-14 2013-06-26 キヤノン株式会社 Light emitting device
JP2010040486A (en) * 2008-08-08 2010-02-18 Canon Inc Light-emitting device and light-emitting apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11758786B2 (en) * 2020-03-18 2023-09-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, fabricating method therefor and display panel

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