JP2006040784A - Organic el element - Google Patents

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JP2006040784A JP2004221456A JP2004221456A JP2006040784A JP 2006040784 A JP2006040784 A JP 2006040784A JP 2004221456 A JP2004221456 A JP 2004221456A JP 2004221456 A JP2004221456 A JP 2004221456A JP 2006040784 A JP2006040784 A JP 2006040784A
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mirror
reflectance
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reflection mirror
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Akio Ogawa
昭雄 小川
Yasuyuki Kawakami
康之 川上
Yuji Naito
裕治 内藤
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Stanley Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element in which a peak half-value width of a light emitting intensity is narrow and which has high brightness by a simple constitution. <P>SOLUTION: The organic EL element 10 includes: a multi-layered film mirror 12 constituted by laminating alternately thin films composed of two kinds of materials mutually different in the refractive index; a transparent electrode 14 formed sequentially on a surface of this multi-layered film mirror; a plurality of organic layers including at least one layer or more of the light emitting layers 15; a negative electrode layer 16; and a reflecting mirror. In the organic EL element 10, a fine resonator is constituted by the multi-layered film mirror and the reflecting mirror, and the organic EL element 10 is constituted so that a reflectivity of the multi-layered film mirror 12 is 80% or more, and so that the reflectivity of the reflection mirror becomes 85% or more and larger than the reflectivity of the multi-layered film mirror. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機EL素子、特に半透過ミラー及び反射ミラーから成る微小共振器構造を備えた有機EL素子に関するものである。   The present invention relates to an organic EL element, and more particularly to an organic EL element having a microresonator structure composed of a semi-transmissive mirror and a reflective mirror.

自己発光型の表示素子として、近年、有機物発光層に対して電流を注入して、電気エネルギーを光エネルギーに変換して発光する有機EL素子が開発され、特に芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層とを含む有機EL素子により、それまでのアントラセン等を用いた電界発光素子と比較して、発光効率が向上するようになってきている。   In recent years, organic EL elements that emit light by injecting electric current into an organic light emitting layer to convert electric energy into light energy have been developed as self-luminous display elements, especially organic hole transport composed of aromatic diamines. With the organic EL element including the layer and the organic light emitting layer made of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, the light emission efficiency has been improved as compared with conventional electroluminescent elements using anthracene or the like.

さらに、例えば特許文献1等によれば、このような有機EL素子に対して、微小共振器構造を採用したものが開示されており、光の干渉効果を利用して、特定の波長にて、比較的発光強度が高く且つスペクトル半値幅が狭い光を取り出すことができる。   Further, for example, according to Patent Document 1 or the like, a device using a microresonator structure is disclosed for such an organic EL element, and the interference effect of light is used at a specific wavelength. Light having a relatively high emission intensity and a narrow spectral half width can be extracted.

このような共振器構造を備えた有機EL素子は、例えば図8に示すように構成されている。
即ち、図8において、有機EL素子1は、透明基板2上に順次に真空蒸着法等によって形成された半透過ミラー3,透明電極層4,正孔輸送層5,有機発光層6及び反射ミラーとしても機能する陰極層7から構成されている。
An organic EL element having such a resonator structure is configured as shown in FIG. 8, for example.
That is, in FIG. 8, the organic EL element 1 includes a semi-transmissive mirror 3, a transparent electrode layer 4, a hole transport layer 5, an organic light emitting layer 6, and a reflective mirror that are sequentially formed on a transparent substrate 2 by a vacuum deposition method or the like. The cathode layer 7 also functions as

上記透明基板2は、ガラス,プラスチック等の透明材料から成り、所定の厚さに形成されている。   The transparent substrate 2 is made of a transparent material such as glass or plastic and has a predetermined thickness.

上記半透過ミラー3は、例えば屈折率の異なる二種類の酸化物,窒化物または半導体の薄膜を交互に積層させることにより構成された多層膜ミラーが主に使用される。
ここで、上記半透過ミラー3は、具体的には例えばTiO2 とSiO2 、SiNX とSiO2 、Ta2 5 とSiO2 、あるいはGaAsとGaInAsの組合せにより構成されている。
このようにして、半透過ミラー3を構成する各薄膜の厚さ(光学長)を、発光部から出射する光の波長λに対して、λ/4に設定することにより、高い反射率が得られることになる。
As the transflective mirror 3, for example, a multilayer mirror constituted by alternately laminating two kinds of oxide, nitride or semiconductor thin films having different refractive indexes is mainly used.
Here, the transflective mirror 3 is specifically composed of, for example, a combination of TiO 2 and SiO 2 , SiN x and SiO 2 , Ta 2 O 5 and SiO 2 , or GaAs and GaInAs.
In this way, by setting the thickness (optical length) of each thin film constituting the semi-transmissive mirror 3 to λ / 4 with respect to the wavelength λ of the light emitted from the light emitting portion, high reflectance can be obtained. Will be.

上記透明電極4は、例えばニッケル,金,白金,パラジウムやこれらの合金、または酸化スズ(SnO2 )、ヨウ化銅等の仕事関数の大きな金属やそれらの合金,化合物、そしてさらにポリピロール等の導電性ポリマー等から形成され得るが、一般的には多くの場合ITOから構成されており、陽極側の電極として機能するようになっている。 The transparent electrode 4 is made of, for example, nickel, gold, platinum, palladium or an alloy thereof, or a metal having a large work function such as tin oxide (SnO 2 ) or copper iodide, an alloy or compound thereof, and a conductive material such as polypyrrole. In most cases, it is made of ITO and functions as an electrode on the anode side.

上記正孔輸送層5は、上記透明電極4(陽極)側からホールが注入されやすくすると共に、電子をブロックする機能を有している。
上記有機発光層6は、後述する陰極層7から電子が注入されやすくする機能を備えている。
The hole transport layer 5 has a function of blocking electrons while facilitating the injection of holes from the transparent electrode 4 (anode) side.
The organic light emitting layer 6 has a function of facilitating injection of electrons from a cathode layer 7 described later.

上記陰極層7は、好ましくは電子注入に有効な材料、例えば電子注入効率の向上を図ることができる仕事関数の比較的小さな金属材料(低仕事関数金属材料)から構成され、例えばアルミニウム,マグネシウム,マグネシウムインジウム合金,マグネシウムアルミニウム合金、マグネシウム銀合金や、アルミニウムリチウム合金等が使用され、例えば真空蒸着法やスパッタリング法の所謂ドライプロセスによって、成膜され得る。   The cathode layer 7 is preferably made of a material effective for electron injection, for example, a metal material having a relatively low work function (low work function metal material) capable of improving the electron injection efficiency, such as aluminum, magnesium, A magnesium indium alloy, a magnesium aluminum alloy, a magnesium silver alloy, an aluminum lithium alloy, or the like is used. For example, the film can be formed by a so-called dry process such as a vacuum evaporation method or a sputtering method.

このような構成の有機EL素子1によれば、透明電極4及び陰極層7の間に直流電圧が印加されると、透明電極4から注入されたホールと、陰極層7から注入された電子が、有機層である正孔輸送層5及び有機発光層6内にて、電子−ホールの再結合を生じさせる。その結果、電気エネルギーが光エネルギーに変換されて、有機発光層6から光が放出されることになる。
そして、この光が、半透過ミラー3と反射ミラーとして機能する陰極層7により構成される微小共振器により、特定波長のみが共振により強調され、有機EL素子1の外部に出射することになる。
According to the organic EL element 1 having such a configuration, when a DC voltage is applied between the transparent electrode 4 and the cathode layer 7, holes injected from the transparent electrode 4 and electrons injected from the cathode layer 7 are changed. In the hole transport layer 5 and the organic light emitting layer 6 which are organic layers, electron-hole recombination is caused. As a result, electric energy is converted into light energy, and light is emitted from the organic light emitting layer 6.
Then, this light is emphasized by resonance by the microresonator constituted by the semi-transmissive mirror 3 and the cathode layer 7 functioning as a reflecting mirror, and is emitted to the outside of the organic EL element 1.

このとき、共振する光の波長は、半透過ミラー3と反射ミラーとしての陰極層7との間の距離に依存して決定される。従って、使用する光の波長に合わせて、透明電極4や有機層である正孔輸送層5及び有機発光層6の膜厚を調整し、あるいは透明電極4と半透過ミラー3との間に、透明なバッファ層を挿入することによって、所望の光の波長を強調して有機EL素子1の有機発光層6から出射させることが可能である。   At this time, the wavelength of the resonating light is determined depending on the distance between the semi-transmissive mirror 3 and the cathode layer 7 as a reflective mirror. Therefore, according to the wavelength of the light used, the film thickness of the transparent electrode 4 and the hole transport layer 5 and the organic light emitting layer 6 which are organic layers is adjusted, or between the transparent electrode 4 and the semi-transmissive mirror 3, By inserting a transparent buffer layer, it is possible to emphasize the desired wavelength of light and emit the light from the organic light emitting layer 6 of the organic EL element 1.

図9は、上述した有機EL素子1および微小共振器構造を有さない有機EL素子の発光スペクトルを示すグラフである。
図9において、符号A,Bで示す有機EL素子1の発光スペクトルでは、上述した半透過ミラー3及び反射ミラーとしての陰極層7により微小共振器構造を有していることから、上記発光スペクトルの半値幅が比較的狭くなって、色純度が高くなる。
また、発光スペクトルのピーク強度は、図9に符号Cで示す、微小共振器構造を備えない有機EL素子のピーク強度と比較して、高くなる傾向にある。また、有機EL素子1に対する観察角度を0度から20度まで変化させたとき、発光ピーク波長は、符号Aから符号Bで示すように、短波長側にシフトする。
これにより、観察角度毎に種々色の発光が観察され得るということが分かる。
FIG. 9 is a graph showing an emission spectrum of the organic EL element 1 and the organic EL element not having the microresonator structure.
In FIG. 9, the emission spectrum of the organic EL element 1 denoted by reference symbols A and B has a microresonator structure with the semi-transmissive mirror 3 and the cathode layer 7 as the reflection mirror described above. The half width is relatively narrow, and the color purity is increased.
In addition, the peak intensity of the emission spectrum tends to be higher than the peak intensity of the organic EL element not shown in FIG. Further, when the observation angle with respect to the organic EL element 1 is changed from 0 degree to 20 degrees, the emission peak wavelength shifts to the short wavelength side as indicated by reference sign A to reference sign B.
Thereby, it turns out that light emission of various colors can be observed for every observation angle.

これに対して有機層5,6を含む有機層5は、例えばトリスアルミニウム(8−ヒドロキシキナリナト)アルミニウム(以下、Alq3という)や、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1,1’−ビフェニル−4−4’−ジアミン(以下、TPDという)等の低分子系材料、そしてポリパラフェニレンビニレン(PPVという)等の高分子系材料から構成されることによって、高輝度発光,多色発光等の研究開発が活発になされ、一部で実用化もされている。
特許第3274527号公報
On the other hand, the organic layer 5 including the organic layers 5 and 6 includes, for example, trisaluminum (8-hydroxyquinolinato) aluminum (hereinafter referred to as Alq3), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3 -Methylphenyl) 1,1'-biphenyl-4-4'-diamine (hereinafter referred to as TPD) and other low molecular materials, and polyparaphenylene vinylene (PPV) and other high molecular materials. As a result, research and development of high-luminance light emission, multicolor light emission, and the like have been actively conducted, and some have been put into practical use.
Japanese Patent No. 3274527

しかしながら、このような構成の有機EL素子1においては、有機層を構成する有機材料の選定とは別に、微小共振器に関して、半透過ミラーの反射率を高めることにより、半値幅の比較的狭い発光スペクトルを得ることができるが、半値幅を狭くする分だけ光が遮断される結果、有機EL素子全体として輝度が低下してしまい、効率の良い発光が得られなくなってしまう。   However, in the organic EL element 1 having such a configuration, apart from the selection of the organic material constituting the organic layer, the light emission with a relatively narrow half-value width is achieved by increasing the reflectance of the semi-transmissive mirror with respect to the microresonator. Although a spectrum can be obtained, as a result of the light being cut off by the half width, the luminance of the organic EL element as a whole is lowered, and efficient light emission cannot be obtained.

本発明は、以上の点から、簡単な構成により、発光強度のピーク半値幅が狭く、且つ高い輝度を有するようにした有機EL素子を提供することを目的としている。   In view of the above, an object of the present invention is to provide an organic EL element that has a simple configuration with a narrow peak emission half-value width and high luminance.

上記目的は、本発明によれば、互いに屈折率の異なる二種類の材料から成る薄膜が交互に積層されることにより構成された多層膜ミラーと、この多層膜ミラーの表面に順次に形成された透明電極層,少なくとも一層以上の発光層を含む複数の有機層,陰極層及び反射ミラーと、を含んでおり、上記多層膜ミラー及び反射ミラーにより微小共振器が構成されている有機EL素子であって、上記多層膜ミラーの反射率が80%以上であって、上記反射ミラーの反射率が85%以上であると共に、上記多層膜ミラーの反射率より大きいことを特徴とする、有機EL素子により、達成される。   According to the present invention, the above object is achieved by sequentially forming a multilayer mirror formed by alternately laminating thin films made of two kinds of materials having different refractive indexes and the surface of the multilayer mirror. The organic EL element includes a transparent electrode layer, a plurality of organic layers including at least one light emitting layer, a cathode layer, and a reflecting mirror, and the multilayer resonator and the reflecting mirror constitute a microresonator. The organic EL element is characterized in that the reflectance of the multilayer mirror is 80% or more, the reflectance of the reflection mirror is 85% or more, and larger than the reflectance of the multilayer mirror. Achieved.

本発明による有機EL素子は、好ましくは、上記反射ミラーの反射率が90%以上である。   In the organic EL device according to the present invention, the reflectance of the reflection mirror is preferably 90% or more.

本発明による有機EL素子は、好ましくは、上記反射ミラー及び陰極層が一体に金属薄膜により構成されている。   In the organic EL device according to the present invention, preferably, the reflection mirror and the cathode layer are integrally formed of a metal thin film.

本発明による有機EL素子は、好ましくは、上記陰極層が、上記反射ミラーと別体に、半透明または透明電極として構成されている。   In the organic EL device according to the present invention, the cathode layer is preferably configured as a translucent or transparent electrode separately from the reflection mirror.

本発明による有機EL素子は、好ましくは、上記陰極層が、導電性金属から成る半透膜または透明導電膜から構成されており、上記反射ミラーが、上記陰極層上にて互いに屈折率の異なる二種類の材料の組合せから成る少なくとも一組以上の誘電体層が成膜され、好ましくはさらにこの誘電体層上に成膜された銀,アルミニウム,金,銅またはロジウムあるいはこれらの合金から成る金属層から構成されており、上記反射ミラーの反射率が90%以上である。   In the organic EL device according to the present invention, preferably, the cathode layer is composed of a semi-permeable film or a transparent conductive film made of a conductive metal, and the reflection mirrors have different refractive indexes on the cathode layer. A metal composed of silver, aluminum, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof is formed on at least one dielectric layer made of a combination of two kinds of materials, preferably further formed on the dielectric layer. The reflection mirror has a reflectance of 90% or more.

上記構成によれば、上記多層膜ミラーの反射率が80%以上であって、上記反射ミラーの反射率が85%以上であることから、上記多層膜ミラー及び反射ミラーの間で、有機層内の発光層から出射した光が比較的高い反射率で効率良く反射を繰り返すことにより共振して、発光スペクトルの半値幅が狭くなると共に、発光強度が効率的に高められることになる。
ここで、多層膜ミラーの反射率が高いほど、発光スペクトルのピーク波長における発光強度が高くなるが、輝度は緩やかに低下することになる。
また、反射ミラーの反射率が多層膜ミラーの反射率より小さくなると、上記ピーク波長における発光強度及び輝度が大きく低下することになる。
According to the above configuration, the reflectance of the multilayer mirror is 80% or more, and the reflectance of the reflection mirror is 85% or more. The light emitted from the light emitting layer resonates by being efficiently reflected with a relatively high reflectance, thereby reducing the half-value width of the emission spectrum and increasing the emission intensity efficiently.
Here, the higher the reflectance of the multilayer mirror, the higher the emission intensity at the peak wavelength of the emission spectrum, but the luminance gradually decreases.
If the reflectance of the reflecting mirror is smaller than that of the multilayer mirror, the light emission intensity and luminance at the peak wavelength are greatly reduced.

上記反射ミラーの反射率が90%以上である場合には、反射ミラーでの反射効率がさらに高められることによって、発光スペクトルのピーク波長における発光強度がさらに増大することになる。   When the reflectance of the reflection mirror is 90% or more, the light emission intensity at the peak wavelength of the emission spectrum is further increased by further improving the reflection efficiency at the reflection mirror.

上記反射ミラー及び陰極層が一体に金属薄膜により構成されている場合に、上記反射ミラーおよび陰極層は、有機層に対して電子注入が行え、使用する光の波長に於ける反射率は高い程良い。上記反射ミラーは、使用する光の波長に合せて銀,アルミニウム,金,銅またはロジウム及びこれらの合金から構成することができる。また、その反射率は90%以上に設定されることにより、簡単な構成で高い反射率が得られることになる。設定される反射率の上限は特にないが、これより反射率が低いと発光ピーク強度及び輝度は低下してしまう。又、Li,Ca,Sr,Cs等の仕事関数の低い金属、或いはLiF,CaF,LiO等の仕事関数の低い金属の弗化物又は酸化物を電子注入層として有機層上に薄く成膜し、その上に反射ミラー及び陰極層を形成しても良い。反射ミラー及び陰極層の厚さとしては電子注入を十分行え、尚かつ反射率が低下しない一定以上の厚さがあれば良く、100nm以上有ればよい。上限としては限りが無いが、100〜500nm程度が好ましい。   When the reflecting mirror and the cathode layer are integrally formed of a metal thin film, the reflecting mirror and the cathode layer can inject electrons into the organic layer, and the higher the reflectance at the wavelength of the light used, the higher the reflectance. good. The reflection mirror can be made of silver, aluminum, gold, copper, rhodium and alloys thereof in accordance with the wavelength of light used. In addition, by setting the reflectance to 90% or higher, a high reflectance can be obtained with a simple configuration. There is no particular upper limit of the reflectance to be set, but if the reflectance is lower than this, the emission peak intensity and the luminance are lowered. Further, a metal having a low work function such as Li, Ca, Sr, or Cs, or a fluoride or oxide of a metal having a low work function such as LiF, CaF, or LiO is thinly formed on the organic layer as an electron injection layer, A reflective mirror and a cathode layer may be formed thereon. The thickness of the reflection mirror and the cathode layer may be a certain thickness that allows sufficient electron injection and does not decrease the reflectivity, and may be 100 nm or more. The upper limit is not limited, but is preferably about 100 to 500 nm.

上記陰極層が、上記反射ミラーと別体に、半透明または透明電極として構成されている場合には、上記反射ミラーは、導電性を考慮することなく、最適な材料によって形成され得ることになる。   When the cathode layer is configured as a translucent or transparent electrode separately from the reflecting mirror, the reflecting mirror can be formed of an optimal material without considering conductivity. .

上記陰極層は、導電性金属から成る半透膜または透明導電膜から構成されており、その上に反射ミラーを形成する。半透明な電極材料としては、銀,白金などが挙げられる。又透明な電極材料としてはITO,IZO,ZnO,SnO2 等の透明導電膜を用いることができる。上記反射ミラーとしては銀,アルミニウム,金,銅,ロジウム及びこれらの合金から成る金属層を用いることができる。上記反射ミラーの反射率が90%以上である場合には、反射ミラー及び多層膜ミラーの間での共振効果がより一層高められることによって、発光スペクトルのピーク波長における発光強度そして輝度がより一層高められることになる。
また、これら金属材料よりも更に高い反射率を得るため、屈折率の異なる2種類の組み合わせからなる誘導体層を少なくとも1層以上成膜した構造か、或いはこの誘導体層の上に更に銀,アルミニウム,金,銅,ロジウム及びこれらの合金から成る金属層を成膜して成る反射ミラーとしても良い。この反射ミラーの構造により95%以上の反射率を実現することができる。尚、屈折率の異なる誘電体層に使用される材料は上記多層膜ミラーに使用される材料が用いられる。
The cathode layer is made of a semi-permeable film made of a conductive metal or a transparent conductive film, and a reflection mirror is formed thereon. Examples of the translucent electrode material include silver and platinum. As the transparent electrode material, a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO, SnO 2 can be used. As the reflection mirror, a metal layer made of silver, aluminum, gold, copper, rhodium and alloys thereof can be used. When the reflectance of the reflection mirror is 90% or more, the resonance effect between the reflection mirror and the multilayer mirror is further enhanced, thereby further increasing the emission intensity and luminance at the peak wavelength of the emission spectrum. Will be.
Further, in order to obtain a higher reflectance than these metal materials, a structure in which at least one derivative layer composed of two kinds of combinations having different refractive indexes is formed, or silver, aluminum, A reflection mirror formed by depositing a metal layer made of gold, copper, rhodium, or an alloy thereof may be used. With this reflection mirror structure, a reflectance of 95% or more can be realized. In addition, the material used for the said multilayer film mirror is used for the material used for the dielectric material layer from which a refractive index differs.

このようにして、本発明によれば、従来の微小共振器構造を備えた有機EL素子と比較して、半値幅が狭くても、発光スペクトルのピーク波長における発光強度が高められ得ることになり、高輝度の発光が得られることになる。   Thus, according to the present invention, the emission intensity at the peak wavelength of the emission spectrum can be increased even when the half-value width is narrow, as compared with the organic EL element having a conventional microresonator structure. Therefore, light emission with high luminance can be obtained.

以下、この発明の好適な実施形態を図1乃至図7を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7.
The embodiments described below are preferable specific examples of the present invention, and thus various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention particularly limits the present invention in the following description. As long as there is no description of the effect, it is not restricted to these aspects.

図1は、本発明による有機EL素子の一実施形態の構成を示している。
図1において、有機EL素子10は、透明基板11上に順次に真空蒸着法等によって形成された半透過ミラー12,陽極としての透明電極13,正孔輸送層14,有機発光層15及び反射ミラーとしても機能する陰極層16から構成されている。
FIG. 1 shows a configuration of an embodiment of an organic EL element according to the present invention.
In FIG. 1, an organic EL element 10 includes a transflective mirror 12 formed sequentially on a transparent substrate 11 by a vacuum deposition method, a transparent electrode 13 as an anode, a hole transport layer 14, an organic light emitting layer 15, and a reflecting mirror. The cathode layer 16 also functions as

上記透明基板11は、透明または半透明なガラス,PET,ポリカーボネイト,非晶質ポリオレフィン等の材料から成り、必要な強度を得るために所定の厚さに形成されている。   The transparent substrate 11 is made of a material such as transparent or translucent glass, PET, polycarbonate, amorphous polyolefin, or the like, and is formed to have a predetermined thickness in order to obtain a required strength.

上記半透過ミラー12は、例えば屈折率の異なる二種類の酸化物,窒化物または半導体の薄膜を交互に積層させることにより構成された多層膜ミラーが主に使用される。
ここで、上記半透過ミラー12は、具体的には例えばTiO2 とSiO2 、SiNX とSiO2 、Ta2 5 とSiO2 、あるいはGaAsとGaInAsの組合せにより構成されている。尚、上記半透過ミラー12は、さらにSiO,Al2 3 ,ZrO2 ,Sb2 3 ,TiO,HfO2 ,Y2 3 ,MgO,CeO2 ,Nb2 5 ,MgF,SrF2 ,BaF2 等から互いに屈折率の異なる二種類の組合せを適宜に選択して形成されるようにしてもよい。
このようにして、半透過ミラー12を構成する多層膜ミラーの各薄膜の厚さ(光学長)を、発光部から出射する光の波長λに対して、λ/4に設定することにより、高い反射率が得られることになる。
As the semi-transmission mirror 12, for example, a multilayer mirror constituted by alternately laminating two kinds of oxide, nitride or semiconductor thin films having different refractive indexes is mainly used.
Here, the semi-transmission mirror 12 is specifically composed of, for example, a combination of TiO 2 and SiO 2 , SiN x and SiO 2 , Ta 2 O 5 and SiO 2 , or GaAs and GaInAs. The semi-transmission mirror 12 further includes SiO, Al 2 O 3 , ZrO 2 , Sb 2 O 3 , TiO, HfO 2 , Y 2 O 3 , MgO, CeO 2 , Nb 2 O 5 , MgF, SrF 2 , It may be formed by appropriately selecting two kinds of combinations having different refractive indexes from BaF 2 or the like.
In this way, the thickness (optical length) of each thin film of the multilayer mirror constituting the semi-transmissive mirror 12 is set to λ / 4 with respect to the wavelength λ of the light emitted from the light emitting unit. The reflectance will be obtained.

そして、このような構成の半透過ミラー12は、例えば図2にて符号Aで示すような反射率特性を有している。
ここで、半透過ミラー12の反射率特性は、その高反射率領域が、図2にて符号Bで示す有機発光層15の発光特性(後述)の発光領域全体を覆うように、選定されている。
また、半透過ミラー12の反射率特性は、その有機発光層15からの光の波長域で80%以上の反射率を有している。これより低い反射率の場合、ピーク波長における発光強度が低下してしまう。
The transflective mirror 12 having such a configuration has a reflectance characteristic as indicated by a symbol A in FIG.
Here, the reflectance characteristics of the semi-transmissive mirror 12 are selected so that the high reflectance area covers the entire light emitting area of the light emitting characteristics (described later) of the organic light emitting layer 15 indicated by symbol B in FIG. Yes.
Further, the reflectance characteristic of the semi-transmissive mirror 12 has a reflectance of 80% or more in the wavelength range of light from the organic light emitting layer 15. When the reflectance is lower than this, the emission intensity at the peak wavelength is lowered.

上記透明電極13は、仕事関数の大きな導電材料から構成され、好ましくは例えばITO,SnO2 ,ZnO等の透明導電膜が使用されるが、金等の半透明膜であってもよい。
ここで、上記透明電極13は、好ましくは発光部からの光に対して透過率が80%以上になるように構成され、厚さは例えば10乃至500nm程度に選定される。
The transparent electrode 13 is made of a conductive material having a large work function, and a transparent conductive film such as ITO, SnO 2 , or ZnO is preferably used, but may be a semitransparent film such as gold.
Here, the transparent electrode 13 is preferably configured to have a transmittance of 80% or more with respect to the light from the light emitting portion, and the thickness is selected to be, for example, about 10 to 500 nm.

上記正孔輸送層14は、上記透明電極13(陽極)側からホールが注入されやすくすると共に、電子をブロックする機能を有している。
そして、上記正孔輸送層14は、好ましくは正孔移動度が高く、透明で且つ成膜性の良好であって、例えばTPD等のトリフェニルアミン誘導体や、フタロシアニン,銅フタロシアニン等のポリオレフィン系化合物,ヒドラゾン誘導体,アリールアミン誘導体等が使用される。
The hole transport layer 14 has a function of blocking electrons while facilitating injection of holes from the transparent electrode 13 (anode) side.
The hole transport layer 14 preferably has a high hole mobility, is transparent, and has good film formability. For example, a triphenylamine derivative such as TPD, or a polyolefin compound such as phthalocyanine or copper phthalocyanine. , Hydrazone derivatives, arylamine derivatives and the like are used.

尚、上記正孔輸送層14は、正孔注入機能を有する第一の層と、正孔輸送機能を有する第二の層とに分割して、個別に備えるようにしてもよい。
この場合、第一の層は、透明電極13(陽極)からの正孔の注入を容易にする機能を有し、第二の層は、正孔を輸送する機能及び電子を妨げる機能を有する。
尚、この第一の層及び第二の層は、好ましくはそれぞれ10乃至200nm程度の膜厚を有する。
The hole transport layer 14 may be divided into a first layer having a hole injection function and a second layer having a hole transport function, and provided separately.
In this case, the first layer has a function of facilitating injection of holes from the transparent electrode 13 (anode), and the second layer has a function of transporting holes and a function of blocking electrons.
The first layer and the second layer preferably each have a thickness of about 10 to 200 nm.

上記有機発光層15は、再結合による発光効率の高いこと、薄膜性が良好であること、そして輸送材料との界面で強い相互作用の無いことが望ましく、例えばアルミキレート錯体(Alq3),ジスチリルビフェニル誘導体(DPVBi)等のジスチリルアリーレン(DSA)系の誘導体,キナクリドン誘導体,ルブレン,クマリン,ペリレン系等の材料が使用され、またこれらの材料を単層または二種類以上を混合して使用され得る。
上記有機発光層15は、好ましくは例えば10乃至200nm程度の膜厚を有している。
尚、上記有機発光層15は、多層に積層されていてもよい。
これにより、上記有機発光層15は、図2にて符号Bで示すような発光スペクトルを有しており、そのピーク波長は521nmである。
The organic light emitting layer 15 desirably has high luminous efficiency by recombination, good thin film properties, and no strong interaction at the interface with the transport material. For example, aluminum chelate complex (Alq3), distyryl Distyrylarylene (DSA) derivatives such as biphenyl derivatives (DPVBi), quinacridone derivatives, rubrene, coumarin, and perylene materials are used, and these materials are used as a single layer or a mixture of two or more types. obtain.
The organic light emitting layer 15 preferably has a thickness of about 10 to 200 nm, for example.
The organic light emitting layer 15 may be laminated in multiple layers.
Thereby, the organic light emitting layer 15 has an emission spectrum as indicated by a symbol B in FIG. 2, and its peak wavelength is 521 nm.

上記陰極層16は、有機層に対して電子注入を行なうことができると共に、上記有機発光層15からの光の波長における反射率が高い材料、例えば銀,アルミニウム,金,銅及びロジウムまたはこれらの合金から構成される。
そして、上記陰極層16は、85%以上、好ましくは90%以上の反射率を備えている。反射率がこれより低いと、発光スペクトルのピーク波長における発光強度そして輝度が低下してしまう。
また、上記陰極層16は、反射ミラーとしての反射率が、有機発光層15からの光の波長にて、前述した半透過ミラー(多層膜ミラー)12の反射率より高く選定されている。陰極層16の反射率が半透過ミラー12の反射率より低いと、発光スペクトルのピーク波長における発光強度そして輝度が低下してしまう。
The cathode layer 16 can inject electrons into the organic layer and has a high reflectivity at the wavelength of light from the organic light emitting layer 15, such as silver, aluminum, gold, copper and rhodium, or these materials. Composed of alloy.
The cathode layer 16 has a reflectance of 85% or more, preferably 90% or more. If the reflectance is lower than this, the emission intensity and the luminance at the peak wavelength of the emission spectrum are lowered.
The cathode layer 16 is selected so that the reflectance as a reflecting mirror is higher than the reflectance of the semi-transmissive mirror (multilayer mirror) 12 described above at the wavelength of light from the organic light emitting layer 15. If the reflectance of the cathode layer 16 is lower than the reflectance of the semi-transmissive mirror 12, the emission intensity and luminance at the peak wavelength of the emission spectrum will be reduced.

尚、上記陰極層16と有機発光層15との間にて、Li,Ca,Sr,Cs等の仕事関数の低い金属、あるいはLiF,CaF,LiO等の仕事関数の低い金属のフッ化物または酸化物から成る電子注入層を有機発光層15上に成膜してもよい。   In addition, between the cathode layer 16 and the organic light emitting layer 15, a fluoride or oxide of a metal having a low work function such as Li, Ca, Sr, or Cs or a metal having a low work function such as LiF, CaF, or LiO is used. An electron injection layer made of a material may be formed on the organic light emitting layer 15.

そして、上記陰極層16は、有機発光層15に対する電子注入を十分に行なうことができ、且つ反射率が低下しない程度の厚さがあればよく、例えば100乃至500nm程度の膜厚を有している。   The cathode layer 16 has only to have a thickness that can sufficiently inject electrons into the organic light emitting layer 15 and does not decrease the reflectivity. For example, the cathode layer 16 has a thickness of about 100 to 500 nm. Yes.

尚、上記陰極層16は反射ミラーとしての機能を有しているが、これに限らず、陰極層16とは別体に反射ミラーを設けるようにしてもよい。
この場合、有機発光層15の上に、半透明または透明な電極(陰極)を形成し、その上に反射ミラーを形成すればよい。
ここで、半透明な電極は、例えば銀,白金等の薄膜から構成され、透明電極は、ITO,IZO,ZnO,SnO2 等から構成され得る。
The cathode layer 16 has a function as a reflection mirror. However, the present invention is not limited to this, and a reflection mirror may be provided separately from the cathode layer 16.
In this case, a semitransparent or transparent electrode (cathode) may be formed on the organic light emitting layer 15, and a reflection mirror may be formed thereon.
Here, the translucent electrode is made of a thin film such as silver or platinum, and the transparent electrode can be made of ITO, IZO, ZnO, SnO 2 or the like.

これに対して、反射ミラーは、銀,アルミニウム,金,銅及びロジウムあるいはこれらの合金から成る金属膜から構成される。
また、さらに反射率を高めるために、反射ミラーは、互いに屈折率の異なる二種類の組合せから成る誘電体層を少なくとも一組以上成膜し、あるいはさらに上記誘電体層の上に銀,アルミニウム,金,銅及びロジウムまたはこれらの合金から成る金属膜を成膜することにより、構成される。これにより、例えば95%以上の反射率が得られる。
On the other hand, the reflection mirror is composed of a metal film made of silver, aluminum, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof.
Further, in order to further increase the reflectivity, the reflection mirror is formed by forming at least one dielectric layer composed of two kinds of combinations having different refractive indexes from each other, or silver, aluminum, It is configured by forming a metal film made of gold, copper and rhodium or an alloy thereof. Thereby, for example, a reflectance of 95% or more is obtained.

尚、上記互いに屈折率の異なる誘電体層の材料は、前述した半透過ミラー(多層膜ミラー)12に使用される材料と同じ材料であってもよい。
また、この場合も、上記陰極と反射ミラーとの間に、前述の電子注入層を備えるようにしてもよい。
The material of the dielectric layers having different refractive indexes may be the same material as that used for the above-described semi-transmissive mirror (multilayer mirror) 12.
Also in this case, the above-described electron injection layer may be provided between the cathode and the reflection mirror.

本発明実施形態による有機EL素子10は、以上のように構成されており、透明電極13及び陰極層16の間に直流電圧が印加されると、透明電極13から正孔輸送層14を介して注入されたホールと、陰極層16から注入された電子が、有機層である有機発光層15内にて、電子−ホールの再結合を生じさせる。その結果、電気エネルギーが光エネルギーに変換されて、有機発光層15から光が放出されることになる。
そして、この光が、半透過ミラー12と反射ミラーとして機能する陰極層16により構成される微小共振器により、特定波長のみが共振により強調されることにより、ピーク波長の半値幅が狭くなる。
The organic EL element 10 according to the embodiment of the present invention is configured as described above. When a DC voltage is applied between the transparent electrode 13 and the cathode layer 16, the transparent electrode 13 passes through the hole transport layer 14. The injected holes and the electrons injected from the cathode layer 16 cause electron-hole recombination in the organic light emitting layer 15 which is an organic layer. As a result, electric energy is converted into light energy, and light is emitted from the organic light emitting layer 15.
Then, the half-width of the peak wavelength is narrowed by the fact that only a specific wavelength is emphasized by resonance by the microresonator constituted by the semi-transmission mirror 12 and the cathode layer 16 functioning as a reflection mirror.

このとき、半透過ミラー12の反射率が80%以上であり、陰極層16の反射率が85%以上、好ましくは90%以上であることから、半透過ミラー12及び陰極層16での光の反射効率が向上する。従って、半透過ミラー12及び陰極層16から成る微小共振器内で反射を繰り返しても、光損失が抑制されることになるので、共振効果が高められることになり、ピーク波長における発光強度が高められることになる。
また、陰極層16(反射ミラー)の反射率が、半透過ミラー12の反射率より高いことから、光の取出し効率が向上することになり、有機EL素子10からの光の輝度が高められることになる。
At this time, the reflectance of the semi-transmissive mirror 12 is 80% or more, and the reflectance of the cathode layer 16 is 85% or more, preferably 90% or more. Reflection efficiency is improved. Therefore, even if reflection is repeated in the microresonator composed of the semi-transmissive mirror 12 and the cathode layer 16, the optical loss is suppressed, so that the resonance effect is enhanced and the emission intensity at the peak wavelength is increased. Will be.
Moreover, since the reflectance of the cathode layer 16 (reflection mirror) is higher than the reflectance of the semi-transmissive mirror 12, the light extraction efficiency is improved, and the luminance of light from the organic EL element 10 is increased. become.

上述した有機EL素子10について、いくつかの実験例及び半透過ミラーのない比較例により、その効果を評価した。   The effects of the organic EL element 10 described above were evaluated by several experimental examples and a comparative example without a semi-transmissive mirror.

実験例1Experimental example 1

ガラス基板上に、SiO2 (膜厚94nm)/TiO2 (膜厚63nm)の組合せによる誘電体膜を六組、EB蒸着により成膜して半透過ミラー(多層膜ミラー)12を作製した。この多層膜ミラー12の反射率特性は、図3に示すように、有機発光層15の発光スペクトルのピーク波長(521nm)にて94%の反射率であった。
この多層膜ミラー12の上に、ITOによる透明電極13をスパッタ法により76nmの膜厚で成膜し、ITO基板を作製した。この透明電極13の抵抗値は、25Ω/□である。
Six pairs of dielectric films with a combination of SiO 2 (film thickness 94 nm) / TiO 2 (film thickness 63 nm) were formed on a glass substrate by EB vapor deposition to produce a semi-transmissive mirror (multilayer mirror) 12. As shown in FIG. 3, the reflectance characteristics of the multilayer mirror 12 were 94% reflectance at the peak wavelength (521 nm) of the emission spectrum of the organic light emitting layer 15.
On the multilayer mirror 12, a transparent electrode 13 made of ITO was formed with a film thickness of 76 nm by sputtering to produce an ITO substrate. The resistance value of the transparent electrode 13 is 25Ω / □.

続いて、このITO基板を所定の形状にエッチングした後、アセトン,イソプロピルアルコール等で超音波洗浄し、乾燥させ、さらにUV−O3 洗浄した後、真空蒸着槽内にセットし、1×10-5Torrに減圧した。
そして、このITO基板上に、まず正孔輸送層としてα−NPDを0.2乃至0.4nm/秒のレートで111nmの膜厚に蒸着し、続いて緑色発光層としてクマリン誘導体をドープしたAlq3を0.2乃至0.4nmのレートで5nmの膜厚に蒸着し、次に電子輸送層としてAlq3を0.2乃至0.4nmのレートで69nmの膜厚に蒸着し、さらに電子注入層としてLiを1nm蒸着し、陰極層として銀を200nmの膜厚に蒸着した。
ここで、陰極としての銀は、上記ピーク波長521nmにおける反射率が96%であった。
Subsequently, the ITO substrate is etched into a predetermined shape, then ultrasonically cleaned with acetone, isopropyl alcohol, etc., dried, further UV-O 3 cleaned, set in a vacuum deposition tank, and 1 × 10 − The pressure was reduced to 5 Torr.
On this ITO substrate, first, α-NPD was deposited as a hole transporting layer at a rate of 0.2 to 0.4 nm / second to a film thickness of 111 nm, and subsequently a green light emitting layer was doped with a coumarin derivative Alq3. Is deposited to a thickness of 5 nm at a rate of 0.2 to 0.4 nm, and then Alq3 is deposited to a thickness of 69 nm at a rate of 0.2 to 0.4 nm as an electron transport layer, and further as an electron injection layer Li was deposited in a thickness of 1 nm, and silver was deposited in a thickness of 200 nm as a cathode layer.
Here, silver as a cathode had a reflectance of 96% at the peak wavelength of 521 nm.

実験例2Experimental example 2

上記実験例1に対して、多層膜ミラーを、SiO2 (膜厚94nm)/TiO2 (膜厚63nm)の組合せによる誘電体膜を四組、EB蒸着により成膜することにより、作製した。他の条件は、実験例1と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける多層膜ミラーの反射率を、84%とした。
In contrast to Experimental Example 1, a multilayer mirror was fabricated by depositing four sets of dielectric films by a combination of SiO 2 (film thickness 94 nm) / TiO 2 (film thickness 63 nm) by EB vapor deposition. The other conditions are the same as in Experimental Example 1.
In this case, the reflectance of the multilayer mirror at the peak wavelength of 521 nm was 84%.

実験例3Experimental example 3

上記実験例1に対して、多層膜ミラーを、SiO2 (膜厚94nm)/TiO2 (膜厚63nm)の組合せによる誘電体膜を三組、EB蒸着により成膜することにより、作製した。他の条件は、実験例1と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける多層膜ミラーの反射率を、70%とした。
In contrast to Experimental Example 1, a multilayer mirror was manufactured by forming three sets of dielectric films by a combination of SiO 2 (film thickness 94 nm) / TiO 2 (film thickness 63 nm) by EB vapor deposition. The other conditions are the same as in Experimental Example 1.
In this case, the reflectance of the multilayer mirror at the peak wavelength of 521 nm was 70%.

実験例4Experimental Example 4

上記実験例1に対して、多層膜ミラーを、SiO2 (膜厚94nm)/TiO2 (膜厚63nm)の組合せによる誘電体膜を六組、EB蒸着により成膜することにより、作製した。他の条件は、実験例1と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける多層膜ミラーの反射率を、98%とした。
In contrast to Experimental Example 1, a multilayer mirror was produced by depositing six sets of dielectric films by a combination of SiO 2 (film thickness 94 nm) / TiO 2 (film thickness 63 nm) by EB vapor deposition. The other conditions are the same as in Experimental Example 1.
In this case, the reflectance of the multilayer mirror at the peak wavelength of 521 nm was 98%.

比較例1Comparative Example 1

これに対して、ガラス基板上に、誘電体膜を成膜せず、直接に透明電極13を成膜した。他の条件は、実験例1と同じであるが、多層膜ミラーのない、即ち微小共振器構造のない有機EL素子とした。   On the other hand, the transparent electrode 13 was formed directly on the glass substrate without forming a dielectric film. The other conditions were the same as those of Experimental Example 1, but the organic EL element without a multilayer mirror, that is, without a microresonator structure was used.

実験例5Experimental Example 5

上記実験例1に対して、陰極としてAlを膜厚200nm蒸着した。他の条件は、実験例1と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける反射ミラーの反射率を、91%とした。
In contrast to Experimental Example 1, Al was deposited to a thickness of 200 nm as a cathode. The other conditions are the same as in Experimental Example 1.
In this case, the reflectance of the reflecting mirror at the peak wavelength of 521 nm was 91%.

比較例2Comparative Example 2

これに対して、ガラス基板上に、誘電体膜を成膜せず、直接に透明電極13を成膜した。他の条件は、実験例5と同じであるが、微小共振器構造のない有機EL素子とした。   On the other hand, the transparent electrode 13 was formed directly on the glass substrate without forming a dielectric film. The other conditions were the same as in Experimental Example 5, but the organic EL element without the microresonator structure was used.

実験例6Experimental Example 6

上記実験例5に対して、陰極としてAlを真空度5×10-5Torr程度にて膜厚200nm蒸着した。他の条件は、実験例5と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける反射ミラーの反射率を、85%とした。
In contrast to Experimental Example 5, Al was deposited as a cathode at a film thickness of 200 nm at a degree of vacuum of about 5 × 10 −5 Torr. Other conditions are the same as in Experimental Example 5.
In this case, the reflectance of the reflecting mirror at the peak wavelength of 521 nm was set to 85%.

比較例3Comparative Example 3

これに対して、ガラス基板上に、誘電体膜を成膜せず、直接に透明電極13を成膜した。他の条件は、実験例6と同じであるが、微小共振器構造のない有機EL素子とした。   On the other hand, the transparent electrode 13 was formed directly on the glass substrate without forming a dielectric film. The other conditions were the same as in Experimental Example 6, but the organic EL element without the microresonator structure was used.

実験例7Experimental Example 7

上記実験例5に対して、陰極としてAlを真空度5×10-5Torr程度にて膜厚200nm蒸着した。他の条件は、実験例5と同じである。
この場合、ピーク波長521nmにおける反射ミラーの反射率を、71%とした。
In contrast to Experimental Example 5, Al was deposited as a cathode at a film thickness of 200 nm at a degree of vacuum of about 5 × 10 −5 Torr. Other conditions are the same as in Experimental Example 5.
In this case, the reflectance of the reflecting mirror at the peak wavelength of 521 nm was 71%.

比較例4Comparative Example 4

これに対して、ガラス基板上に、誘電体膜を成膜せず、直接に透明電極13を成膜した。他の条件は、実験例7と同じであるが、微小共振器構造のない有機EL素子とした。   On the other hand, the transparent electrode 13 was formed directly on the glass substrate without forming a dielectric film. The other conditions were the same as in Experimental Example 7, but the organic EL element without the microresonator structure was used.

このようにして、実験例1〜7においては、図4の表に示すように、半透過ミラー(多層膜ミラー)及び陰極層(反射ミラー)の双方の反射率をそれぞれ変化させた有機EL素子が作製されることになる。   Thus, in Experimental Examples 1 to 7, as shown in the table of FIG. 4, the organic EL elements in which the reflectances of both the semi-transmissive mirror (multilayer mirror) and the cathode layer (reflective mirror) were changed respectively. Will be produced.

ここで、まず実験例1乃至4の結果に基づいて、反射ミラーの反射率を96%に固定して、多層膜ミラーの反射率を変化させた場合について考察する。
上記実験例1及び比較例1で作製した有機EL素子について、25mA/cm2 通電時における発光特性は、図5に示す通りである。
即ち、実験例1の場合、微小共振器構造の効果によって、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度1550cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.365W/m2 ・srという値が得られた。
これに対して、比較例1では、微小共振器構造を持たないことから、輝度2100cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0673W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例1では、比較例1に対する特性の比率が、輝度0.74倍,521nmにおける発光強度5.42倍であった。
即ち、多層膜ミラーの反射率を94%,反射ミラーの反射率を96%とすることにより、輝度及びピーク波長における発光強度が共に高い値となった。
Here, based on the results of Experimental Examples 1 to 4, the case where the reflectance of the multilayer mirror is changed by fixing the reflectance of the reflecting mirror to 96% will be considered.
With respect to the organic EL elements produced in Experimental Example 1 and Comparative Example 1, the light emission characteristics when energized at 25 mA / cm 2 are as shown in FIG.
That is, in the case of Experimental Example 1, due to the effect of the microresonator structure, a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm is obtained, a value of luminance 1550 cd / m 2 and light emission intensity 0.365 W / m 2 · sr at the peak wavelength. was gotten.
On the other hand, since the comparative example 1 does not have a microresonator structure, the luminance 2100 cd / m 2 and the emission intensity 0.0673 W / m 2 · sr at the peak wavelength were obtained.
Therefore, in Experimental Example 1, the ratio of the characteristics to Comparative Example 1 was 0.74 times higher in luminance and 5.42 times higher in emission intensity at 521 nm.
That is, by setting the reflectance of the multilayer mirror to 94% and the reflectance of the reflecting mirror to 96%, both the luminance and the emission intensity at the peak wavelength were high.

また、実験例2と比較例1との比較において、実験例2では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度1909cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.234W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例2では、比較例1に対する特性の比率が、輝度0.91倍,521nmにおける発光強度3.47倍であった。
即ち、多層膜ミラーの反射率を84%,反射ミラーの反射率を96%とすることにより、実験例1より輝度が上昇し、ピーク波長における発光強度はやや低下したが、輝度及びピーク波長における発光強度が共に良好な比較的高い値となった。ここで、輝度の上昇は、半値幅が実験例1よりも少し広くなったことによるものである。
In comparison between Experimental Example 2 and Comparative Example 1, Experimental Example 2 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 1909 cd / m 2 , and an emission intensity of 0.234 W / m 2. A value of sr was obtained.
Therefore, in Experimental Example 2, the ratio of the characteristics to Comparative Example 1 was 0.91 times the luminance and 3.47 times the emission intensity at 521 nm.
That is, by setting the reflectivity of the multilayer mirror to 84% and the reflectivity of the reflection mirror to 96%, the luminance increased from Experimental Example 1 and the emission intensity at the peak wavelength was slightly decreased. Both luminescence intensities were good and relatively high values. Here, the increase in luminance is due to the fact that the half-value width is slightly wider than that of Experimental Example 1.

さらに、実験例3と比較例1との比較において、実験例3では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度1921cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.128W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例3では、比較例1に対する特性の比率が、輝度0.91倍,521nmにおける発光強度1.90倍であった。
即ち、多層膜ミラーの反射率を70%,反射ミラーの反射率を96%とすることにより、実験例2と同等の輝度となり、ピーク波長における発光強度はさらに低下した。
Further, in comparison between Experimental Example 3 and Comparative Example 1, Experimental Example 3 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 1921 cd / m 2 , and an emission intensity of 0.128 W / m 2 · peak wavelength. A value of sr was obtained.
Therefore, in Experimental Example 3, the ratio of the characteristics to Comparative Example 1 was 0.91 times the luminance and 1.90 times the emission intensity at 521 nm.
That is, by setting the reflectance of the multilayer mirror to 70% and the reflectance of the reflecting mirror to 96%, the luminance was equivalent to that of Experimental Example 2, and the emission intensity at the peak wavelength was further reduced.

また、実験例4と比較例1との比較において、実験例4では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度790cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.199W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例4では、比較例1に対する特性の比率が、輝度0.376倍,521nmにおける発光強度2.96倍であった。
即ち、多層膜ミラーの反射率を98%,反射ミラーの反射率を96%と、多層膜ミラーの反射率を反射ミラーの反射率より高くすることにより、実験例1より輝度及びピーク波長における発光強度が低下する結果となった。
In comparison between Experimental Example 4 and Comparative Example 1, Experimental Example 4 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 790 cd / m 2 , and an emission intensity of 0.199 W / m 2 · peak wavelength. A value of sr was obtained.
Therefore, in Experimental Example 4, the ratio of the characteristics to Comparative Example 1 was 0.376 times the luminance and 2.96 times the emission intensity at 521 nm.
That is, the reflectance of the multilayer mirror is 98%, the reflectance of the reflection mirror is 96%, and the reflectance of the multilayer mirror is higher than the reflectance of the reflection mirror. As a result, the strength decreased.

このようにして、実験例1乃至4の測定結果から、多層膜ミラーの反射率と輝度及びピーク波長(521nm)における発光強度との関係は、図6に示すようになる。
即ち、多層膜ミラーの反射率が高いほど、ピーク波長における発光強度が高くなると共に、輝度がゆるやかに低下する傾向にあるが、多層膜ミラーの反射率が反射ミラーの反射率より高くなると、上記輝度及びピーク波長における発光強度が共に大きく低下していることが分かる。
Thus, from the measurement results of Experimental Examples 1 to 4, the relationship between the reflectance of the multilayer mirror, the luminance, and the emission intensity at the peak wavelength (521 nm) is as shown in FIG.
That is, as the reflectivity of the multilayer mirror increases, the emission intensity at the peak wavelength increases and the brightness tends to decrease gradually.However, if the reflectivity of the multilayer mirror is higher than the reflectivity of the reflection mirror, It can be seen that both the luminance and the emission intensity at the peak wavelength are greatly reduced.

続いて、実験例1,5乃至7の結果に基づいて、多層膜ミラーの反射率を94%に固定して、反射ミラーの反射率を変化させた場合について考察する。
実験例5と比較例2との比較において、実験例5では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度830cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.149W/m2 ・srという値が得られた。
これに対して、比較例2では、微小共振器構造を持たないことから、輝度1922cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0493W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例5では、比較例2に対する特性の比率が、輝度0.43倍,521nmにおける発光強度3.02倍であった。
Subsequently, based on the results of Experimental Examples 1, 5 to 7, the case where the reflectance of the multilayer mirror is fixed to 94% and the reflectance of the reflecting mirror is changed will be considered.
In comparison between Experimental Example 5 and Comparative Example 2, Experimental Example 5 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 830 cd / m 2 , and a light emission intensity of 0.149 W / m 2 · sr at the peak wavelength. A value was obtained.
On the other hand, Comparative Example 2 did not have a microresonator structure, and thus the values of luminance 1922 cd / m 2 and emission intensity at peak wavelength 0.0493 W / m 2 · sr were obtained.
Therefore, in Experimental Example 5, the ratio of the characteristics to Comparative Example 2 was 0.43 times the luminance and 3.02 times the emission intensity at 521 nm.

また、実験例6と比較例3との比較において、実験例6では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度504cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0826W/m2 ・srという値が得られた。
これに対して、比較例3では、微小共振器構造を持たないことから、輝度1526cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0374W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例6では、比較例3に対する特性の比率が、輝度0.33倍,521nmにおける発光強度2.21倍であった。
In comparison between Experimental Example 6 and Comparative Example 3, Experimental Example 6 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 504 cd / m 2 , and an emission intensity of 0.0826 W / m 2. A value of sr was obtained.
On the other hand, since the comparative example 3 does not have a microresonator structure, the luminance 1526 cd / m 2 and the emission intensity 0.0374 W / m 2 · sr at the peak wavelength were obtained.
Therefore, in Experimental Example 6, the ratio of the characteristics to Comparative Example 3 was 0.33 times the luminance and 2.21 times the emission intensity at 521 nm.

さらに、実験例7と比較例4との比較において、実験例7では、521nmにピークを有する半値幅の狭い発光特性となり、輝度292cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0362W/m2 ・srという値が得られた。
これに対して、比較例4では、微小共振器構造を持たないことから、輝度1483cd/m2 ,ピーク波長における発光強度0.0372W/m2 ・srという値が得られた。
従って、実験例7では、比較例4に対する特性の比率が、輝度0.20倍,521nmにおける発光強度0.97倍であった。
Further, in comparison between Experimental Example 7 and Comparative Example 4, Experimental Example 7 has a light emission characteristic with a narrow half-value width having a peak at 521 nm, a luminance of 292 cd / m 2 , and an emission intensity of 0.0362 W / m 2 · peak wavelength. A value of sr was obtained.
On the other hand, since the comparative example 4 does not have a microresonator structure, values of luminance 1483 cd / m 2 and emission intensity 0.0372 W / m 2 · sr at the peak wavelength were obtained.
Therefore, in Experimental Example 7, the ratio of the characteristics to Comparative Example 4 was 0.20 times the luminance and 0.97 times the emission intensity at 521 nm.

このようにして、実験例1及び5乃至7の測定結果から、陰極層16(反射ミラー)の反射率と輝度及びピーク波長(521nm)における発光強度との関係は、図7に示すようになる。
即ち、陰極層16(反射ミラー)の反射率が高いほど、輝度及びピーク波長における発光強度が高くなる傾向にある。ここで、実験例4の結果を参照すると(図7中にプロット)、反射ミラーの反射率が多層膜ミラーの反射率より低いと、反射ミラー及び多層膜ミラーの双方の反射率が高くなったとしても、上記輝度及びピーク波長はそれほど増大しないことが分かる。つまり、多層膜ミラーの反射率が反射ミラーの反射率より高くなると、上記輝度及びピーク強度の増加率が小さくなる。
これに対して、反射ミラーの反射率が多層膜ミラーの反射率より高いと、上記増加率がより大きくなる。 また、反射ミラーの反射率が85%以上、特に90%以上では、反射ミラーの反射率が高くなると、輝度及びピーク波長における発光強度が急激に増大するが、反射ミラーの反射率が90%以下では輝度及びピーク波長における発光強度の増加率は比較的小さい。従って、反射ミラーの反射率が85%以上であれば、良好な輝度及びピーク波長における発光強度の増大が期待できることになる。
Thus, from the measurement results of Experimental Examples 1 and 5 to 7, the relationship between the reflectance of the cathode layer 16 (reflection mirror), the luminance, and the emission intensity at the peak wavelength (521 nm) is as shown in FIG. .
That is, the higher the reflectance of the cathode layer 16 (reflection mirror), the higher the emission intensity at the luminance and peak wavelength. Here, referring to the results of Experimental Example 4 (plotted in FIG. 7), when the reflectance of the reflecting mirror is lower than the reflectance of the multilayer mirror, the reflectance of both the reflecting mirror and the multilayer mirror is increased. However, it can be seen that the luminance and the peak wavelength do not increase so much. That is, when the reflectance of the multilayer mirror becomes higher than the reflectance of the reflection mirror, the increase rate of the luminance and peak intensity becomes small.
On the other hand, when the reflectance of the reflecting mirror is higher than the reflectance of the multilayer mirror, the increase rate becomes larger. In addition, when the reflectance of the reflection mirror is 85% or more, particularly 90% or more, the luminance and the emission intensity at the peak wavelength increase rapidly when the reflectance of the reflection mirror increases, but the reflectance of the reflection mirror is 90% or less. Then, the increase rate of the emission intensity at the luminance and peak wavelength is relatively small. Therefore, if the reflectance of the reflecting mirror is 85% or higher, it is possible to expect an increase in light emission intensity at good luminance and peak wavelength.

上述した実施形態においては、有機層は、陽極側から順に正孔輸送層14と有機発光層15の二層により構成されているが、これに限らず、上記有機層は、例えば正孔注入層,正孔輸送層,発光層,電子輸送層の四層構造や、正孔注入層,正孔輸送層,発光層の三層構造、正孔輸送層,発光層,電子輸送層の三層構造、さらには発光層を多層積層にしたもの等が可能である。
ここで、電子注入層は、陰極層からの電子が有機層に対して注入されやすくするものである。
また、電子輸送層は、電子輸送機能を有するものであり、アルミキレート錯体(Alq3),ジスチリルビフェニル誘導体(DPVBi),オキサジアゾール誘導体,ビスチリルアントラセン誘導体,ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体等が使用され、好ましくは10乃至200nm程度の膜厚を有する。
In the embodiment described above, the organic layer is composed of two layers of the hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 in this order from the anode side. However, the organic layer is not limited to this, for example, the hole injection layer. , Hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer four-layer structure, hole injection layer, hole transport layer, three-layer structure of light-emitting layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer three-layer structure Further, it is possible to use a multi-layered light emitting layer.
Here, the electron injection layer facilitates injection of electrons from the cathode layer into the organic layer.
Further, the electron transport layer has an electron transport function, and an aluminum chelate complex (Alq3), a distyrylbiphenyl derivative (DPVBi), an oxadiazole derivative, a bistyrylanthracene derivative, a benzoxazolethiophene derivative, and the like are used. Preferably, it has a film thickness of about 10 to 200 nm.

さらに、上述した実施形態において、陽極層から陰極層の構成は、通常の有機EL素子であるが、複数の発光ユニットを積層した発光素子(以下、MPE素子と云う)についても応用することが可能である。図10に一応用例を示すが、等電位面を形成する層を介して有機EL素子が複数ユニットされる素子に反射ミラー及び多層膜ミラーを形成することにより微小共振器を構成した素子である。MPE素子は、通常の有機EL素子と比較して、有機層の層数が多く、各有機層による吸収により、発光出力が低下する問題を有するため、MPE素子を、微小共振器構造を有するように構成した場合には、発光出力の低下がより大きな問題となる。従って、本発明は、MPE素子を、微小共振器構造を有するように構成した素子においても、特に有用である。   Further, in the above-described embodiment, the structure from the anode layer to the cathode layer is a normal organic EL element, but it can also be applied to a light emitting element in which a plurality of light emitting units are stacked (hereinafter referred to as an MPE element). It is. FIG. 10 shows an application example, which is an element in which a microresonator is configured by forming a reflective mirror and a multilayer mirror on an element in which a plurality of organic EL elements are united through a layer forming an equipotential surface. The MPE element has a problem that the number of organic layers is larger than that of a normal organic EL element, and the light emission output decreases due to absorption by each organic layer. Therefore, the MPE element has a microresonator structure. In the case of the configuration, a decrease in light emission output becomes a greater problem. Therefore, the present invention is particularly useful even in an element in which the MPE element is configured to have a microresonator structure.

このようにして、本発明によれば、簡単な構成により、発光強度のピーク半値幅が狭く、且つ高い輝度を有するようにした有機EL素子が提供され得る。   As described above, according to the present invention, an organic EL element having a narrow peak emission half-value width and high luminance can be provided with a simple configuration.

本発明による有機EL素子の一実施形態の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of one Embodiment of the organic EL element by this invention. 図1の有機EL素子における半透過ミラー(多層膜ミラー)の反射率特性及び有機発光層の発光特性を示すグラフである。It is a graph which shows the reflectance characteristic of the semi-transmissive mirror (multilayer film mirror) in the organic EL element of FIG. 1, and the light emission characteristic of an organic light emitting layer. 実験例1による多層膜ミラーの反射率特性を示すグラフである。6 is a graph showing the reflectance characteristics of a multilayer mirror according to Experimental Example 1. 実験例1〜7における多層膜ミラー及び反射ミラーの反射率を示す図表である。It is a graph which shows the reflectance of the multilayer film mirror in Example 1-7, and a reflective mirror. 実験例1及び比較例1による発光特性を示すグラフである。5 is a graph showing light emission characteristics according to Experimental Example 1 and Comparative Example 1. 実験例1〜実験例4の比較例に対する輝度及びピーク波長における発光強度を示すグラフである。It is a graph which shows the emitted light intensity in the brightness | luminance and peak wavelength with respect to the comparative example of Experimental example 1-Experimental example 4. FIG. 実験例1,実験例5〜実験例7の比較例に対する輝度比及びピーク波長における発光強度比を示すグラフである。It is a graph which shows the luminance ratio with respect to the comparative example of Experimental example 1, Experimental example 5-Experimental example 7, and the emitted light intensity ratio in a peak wavelength. 従来の微小共振器構造を備えた有機EL素子の一例の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of an example of the organic EL element provided with the conventional micro resonator structure. 図8の有機EL素子における発光特性と微小共振器構造のない場合の発光特性を示すグラフである。It is a graph which shows the light emission characteristic in the case of not having the light emission characteristic in the organic EL element of FIG. 8, and a micro resonator structure. 本発明による実施形態における陽極層から陰極層の構成の一応用例を示す図である。It is a figure which shows one application example of a structure of the anode layer from the anode layer in embodiment by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 有機EL素子
11 透明基板
12 半透過ミラー(多層膜ミラー)
13 透明電極
14 正孔輸送層
15 有機発光層
16 陰極層(反射ミラー兼用)
10 Organic EL Element 11 Transparent Substrate 12 Transflective Mirror (Multilayer Film Mirror)
13 Transparent electrode 14 Hole transport layer 15 Organic light emitting layer 16 Cathode layer (also used as reflection mirror)

Claims (5)

互いに屈折率の異なる二種類の材料から成る薄膜が交互に積層されることにより構成された多層膜ミラーと、この多層膜ミラーの表面に順次に形成された透明電極層,少なくとも一層以上の発光層を含む複数の有機層,陰極層及び反射ミラーと、を含んでおり、上記多層膜ミラー及び反射ミラーにより微小共振器が構成されている有機EL素子であって、
上記多層膜ミラーの反射率が80%以上であって、
上記反射ミラーの反射率が85%以上であると共に、上記多層膜ミラーの反射率より大きい
ことを特徴とする、有機EL素子。
A multilayer mirror formed by alternately laminating thin films made of two kinds of materials having different refractive indexes, a transparent electrode layer sequentially formed on the surface of the multilayer mirror, and at least one light emitting layer An organic EL element including a plurality of organic layers, a cathode layer, and a reflection mirror, wherein a microresonator is configured by the multilayer mirror and the reflection mirror,
The multilayer mirror has a reflectance of 80% or more,
An organic EL element, wherein the reflectance of the reflection mirror is 85% or more and greater than the reflectance of the multilayer mirror.
上記反射ミラーの反射率が90%以上であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein a reflectance of the reflection mirror is 90% or more. 上記反射ミラー及び陰極層が一体に金属薄膜により構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the reflection mirror and the cathode layer are integrally formed of a metal thin film. 上記陰極層が、上記反射ミラーと別体に、半透明または透明電極として構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the cathode layer is configured as a translucent or transparent electrode separately from the reflection mirror. 上記陰極層が、導電性金属から成る半透膜または透明導電膜から構成されており、
上記反射ミラーが、上記陰極層上にて互いに屈折率の異なる二種類の材料の組合せから成る少なくとも一組以上の誘電体層が成膜され、好ましくはさらにこの誘電体層上に成膜された銀,アルミニウム,金,銅またはロジウムあるいはこれらの合金から成る金属層から構成されており、
上記反射ミラーの反射率が90%以上である
ことを特徴とする、請求項5に記載の有機EL素子。
The cathode layer is composed of a semi-permeable film or a transparent conductive film made of a conductive metal,
The reflection mirror is formed on at least one dielectric layer made of a combination of two kinds of materials having different refractive indexes on the cathode layer, and preferably further formed on the dielectric layer. Consists of a metal layer made of silver, aluminum, gold, copper, rhodium or their alloys,
6. The organic EL element according to claim 5, wherein the reflectance of the reflection mirror is 90% or more.
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