KR20120136931A - ＣＩ(Ｇ)Ｓ 태양전지용 Ｆｅ-Ｎｉ합금 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

ＣＩ(Ｇ)Ｓ 태양전지용 Ｆｅ-Ｎｉ합금 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일측면은 저렴한 비용으로 제조가 가능하고, 박막화 및 대량생산이 용이할 뿐만 아니라 연속 공정이 가능하여 생산성을 향상시킬 수 있는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 Ni함량의 제어를 통해서 열팽창계수를 최적화하여 태양전지 기판에 적용이 가능하도록 하는 것이다.
본 발명은 Ni함량이 28~32중량% 및 45~75중량% 중 어느 하나의 범위를 갖고, 잔부 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하며, 전기주조법에 의해 제조되어 표면 거칠기(Rz)가 100nm이하의 범위를 갖는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일측면에 따르면, 저렴한 비용으로 생산할 수 있으며, 박막화 및 대량생산이 용이하고, 열팽창계수의 저하에 의해 태양전지에 효과적으로 적용될 수 있는 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

Description

ＣＩ(Ｇ)Ｓ 태양전지용 Ｆｅ-Ｎｉ합금 기판 및 그 제조방법{Fe-Ni ALLOY SUBSTRATE FOR CI(G)S SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저렴한 비용으로 제조가 가능하고, 박막화 및 대량생산이 용이한 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
지구의 온난화, 연료 자원의 고갈, 환경오염 등의 영향으로 화석연료를 사용하여 에너지를 채취하는 전통적인 에너지 채취 방법은 서서히 한계에 달하고 있다. 특히, 석유 연료의 경우에는 예측자마다 약간씩 상이하기는 하지만, 그리 멀지 않은 시간내에 바닥을 드러낼 것이라는 전망이 우세하다.
뿐만 아니라, 교토 의정서로 대표되는 에너지 기후 협약에 따르면, 화석 연료의 연소에 따라 생성되는 이산화탄소의 배출을 감소시킬 것을 강제적으로 요구하고 있다. 따라서, 현재의 체약국은 물론이며 향후에는 전세계 각국에 그 효력이 미쳐서 화석연료의 연간 사용량에 제약을 받을 것은 불을 보듯이 명확하다.
화석연료에 대체하기 위하여 사용되는 가장 대표적인 에너지 원으로서는, 원자력 발전을 들 수 있다. 원자력 발전은 원료가 되는 우라늄이나 플루토늄 단위 중량당 채취 가능한 에너지의 양이 크고, 이산화탄소 등의 온실가스를 발생시키지 않으므로, 상기 석유 등의 화석연료를 대체할 수 있는 유력한 무한에 가까운 대체 에너지원으로 각광 받아왔다.
그러나, 구소련 체르노빌 원자력 발전소나, 동일본 대지진에 의한 일본 후쿠시마 원자력 발전소 등의 폭발 사고는 무한의 청정 에너지원으로 간주되어 왔던 원자력의 안전성을 다시 검토하게 하는 계기가 되었으며, 그 결과 원자력이 아닌 또다른 대체 에너지의 도입이 어느 때보다도 절실히 요망되고 있다.
그 밖의 대체 에너지로서 많이 사용되고 있는 에너지 원으로서는 수력 발전을 들 수 있으나, 상기 수력 발전은 지형적인 인자와 기후적인 인자에 의해 많이 영향받기 때문에 그 사용이 제한적일 수 밖에 없다. 또한, 기타의 대체 에너지원들 역시 발전양이 적거나 또는 사용 지역이 크게 제한되는 등의 이유로 화석연료의 대체수단으로까지는 사용되기 어렵다.
그러나, 태양 전지는 적당한 일조량만 보장된다면 어디서나 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 발전용량과 설비규모가 거의 직선적으로 비례하기 때문에, 가정용과 같은 소용량 수요로 사용할 경우에는 건물 옥상 등에 작은 면적으로 전지판을 설치함으로써 발전이 가능하다는 잇점이 있어, 세계적으로 그 이용이 증가되고 있을 뿐만 아니라, 그와 관련된 연구 역시 증가하고 있다.
태양전지는 반도체의 원리를 이용한 것으로서, p-n 접합된 반도체에 일정 수준 이상의 에너지를 갖춘 빛을 조사하면 상기 반도체의 가전자가 자유롭게 이동될 수 있는 가전자로 여기되어 전자와 정공의 쌍(EHP : electron hole pair)이 생성된다. 생성된 전자와 정공은 서로 반대쪽에 위치하는 전극으로 이동하여 기전력을 발생시키게 된다.
상기 태양전지의 가장 최초 형태는 실리콘 기판에 불순물(B)을 도핑하여 p형 반도체를 형성시킨 다음 그 위에 또다른 불순물(P)을 도핑시켜 층의 일부를 n형 반도체화 함으로써 p-n 접합이 이루어지도록 한 실리콘계 태양전지로서 1세대 태양전지로 많이 불린다.
상기 실리콘계 태양전지는 에너지 전환효율과 셀 전환효율(실험실 최고의 에너지 전환효율에 대한 양산시 전환효율의 비율)이 비교적 높기 때문에, 가장 상용화 정도가 높다. 그러나, 상기 실리콘계 태양전지 모듈을 제조하기 위해서는 우선 소재로부터 잉곳을 제조하고 상기 잉곳을 웨이퍼화한 후 셀을 제조하고 모듈화한다고 하는 다소 복잡한 공정단계를 거쳐야 할 뿐만 아니라, 벌크 재질의 재료를 사용하기 때문에, 재료소비가 증가하여 제조비용이 높다는 문제가 있다.
이러한 실리콘계 태양전지의 단점을 해결하기 위하여, 2세대 태양전지로 불리우는 소위 박막형 태양전지가 제안되게 되었다. 박막형 태양전지는 상술한 과정으로 태양전지를 제조하는 것이 아니라, 기판 위에 순차적으로 필요한 박막층을 적층하는 형태로 제조하기 때문에, 그 과정이 단순하며, 두께가 얇아 재료비용이 저렴하다는 장점을 가진다.
그러나, 많은 경우 아직까지는 상기 실리콘계 태양전지와 비교할 때 에너지 전환효율이 높지 않아 상용화에 많은 걸림돌이 되고 있으나, 일부 높은 에너지 전환효율을 가진 태양전지가 개발되어 상용화 추진 중에 있다.
그 중 하나로서 CI(G)S계 태양전지를 들 수 있는데, 상기 태양전지는 구리(Cu), 인듐(In), 게르마늄(Ge)(게르마늄은 포함되지 않을 수 있음. 게르마늄이 포함되지 않을 경우에는 CIS로 불림), 셀레늄(Se)을 포함하는 CI(G)S 화합물 반도체를 기본으로 한 것이다.
상기 반도체는 3 또는 4가지 원소를 포함하고 있기 때문에 원소의 함량을 조절함으로써 밴드갭의 폭을 제어할 수 있어 에너지 변환효율을 상승시킬 수 있다는 장점을 가진다. 간혹 셀레늄(Se)을 황(S)으로 대체하거나 셀레늄(Se)을 황(S)과 함께 사용하는 경우도 있다. 본 발명에서는 이러한 경우 모두 CI(G)S 태양전지로 간주한다.
CI(G)S계 태양전지의 적층구조는 통상적으로 다음과 같이 이루어지는데, 최하층에 기판이 존재하며, 상기 기판 위에 전극으로 사용되는 배면 금속층이 형성된다. 상기 배면 금속층 위에는 p형 반도체로서 광흡수층(CI(G)S)과, 상기 광흡수층과 하기 투명창의 밴드갭 에너지를 감소시켜주는 버퍼층(예를 들면 CdS), n형 반도체로서 투명창, 전면 금속 층(전극)이 순차적으로 형성된다.
이러한 CI(G)S계 태양전지는 내구성을 확보하기 위해서, 상기 적층되는 물질들의 열팽창 계수가 동일하게 되어야 한다. 만일, 태양전지 기판과 이 기판 위에 적층되는 물질간에 열팽창 계수의 편차가 발생하는 경우에는, 온도의 상승 혹은 저하에 따라, 기판 혹은 이 위에 적층되는 물질에 응력이 가해져 수축되거나 팽창될 수 있다. 이로 인해, 균열 혹은 파단이 발생할 수 있으므로, 태양전지 구성요소들은 열팽창 계수가 거의 유사한 수준으로 제어되어야 한다.
한편, 상기 기판으로 사용되는 재료로서는 통상적으로 유리가 많이 사용되었다. 그러나, 상기 유리 기판은 상대적으로 고가일 뿐만 아니라, 대량 생산에 적합하지 않으며, 정형화된 형태로만 사용될 수 있다는 단점을 가진다. 또한, CI(S)G계 태양전지의 특징인 박막화가 어렵다는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 일측면은 저렴한 비용으로 제조가 가능하고, 박막화 및 대량생산이 용이할 뿐만 아니라 연속 공정이 가능하여 생산성을 향상시킬 수 있는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 Ni함량의 제어를 통해서 열팽창계수를 최적화하여 태양전지 기판에 적용이 가능하도록 하는 것이다.
본 발명은 Ni함량이 28~32중량% 및 45~75중량% 중 어느 하나의 범위를 갖고, 잔부 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하며, 전기주조법에 의해 제조되어 표면 거칠기(Rz)가 100nm이하의 범위를 갖는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판을 제공한다.
상기 Fe-Ni합금 기판의 일면에 확산방지막이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 확산방지막은 Cr 및 Ni 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 확산방지막의 두께는 100~500nm인 것이 바람직하다.
본 발명은 전해조, 음극 드럼, 양극, 전원을 구비하는 전기주조장치를 이용하여 기판을 제조하는 방법에 있어서, 물 1L당, Fe 전구체: 226.7~240.0g, Ni 전구체: 82.6~94.4g 및 계면활성제: 0.1~8.0g/L를 포함하는 전해액을 준비하는 단계; 상기 전해액에 음극 드럼의 일부를 침지시키는 단계; 및 상기 음극 드럼의 표면에 Fe-Ni합금 기판이 형성되도록 상기 음극 드럼 및 양극에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 전해조, 음극 드럼, 양극, 전원을 구비하는 전기주조장치를 이용하여 기판을 제조하는 방법에 있어서, 물 1L당, Fe 전구체: 83.3~183.3g, Ni 전구체: 132.8~221.3g 및 계면활성제: 0.1~8.0g/L를 포함하는 전해액을 준비하는 단계; 상기 전해액에 음극 드럼의 일부를 침지시키는 단계; 및 상기 음극 드럼의 표면에 Fe-Ni합금 기판이 형성되도록 상기 음극 드럼 및 양극에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 Fe 전구체는 황산철, 염화철, 질산철 및 설파민산철로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상이며, 상기 Ni 전구체는 황산니켈, 염화니켈, 질산니켈 및 설파민산니켈로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜계인 것이 바람직하다.
상기 전류 인가 단계 후, 전기도금을 이용하여 상기 Fe-Ni합금 기판의 일면에 확산방지막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전류 인가 단계 후, 상기 Fe-Ni합금 기판을 권취하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일측면에 따르면, 저렴한 비용으로 생산할 수 있으며, 박막화 및 대량생산이 용이하고, 열팽창계수의 최적화를 통해 태양전지에 효과적으로 적용될 수 있는 Fe-Ni합금 기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 전기주조장치의 일례를 나타낸 모식도이다.
이하, 본 발명을 설명한다.
본 발명자들은 CI(G)S계 태양전지 기판으로서 기존에 사용되왔던 유리를 대체할 수 있는 기판에 대하여 연구를 행하던 중, 전기주조법을 통해 Fe-Ni합금을 제조하고, 이 Fe-Ni합금을 태양전지 기판으로 사용하게 되면, 저렴한 비용으로 생산이 가능하고, 박막화 및 대량생산이 용이하다는 것을 인지하게 되었다. 또한, Fe-Ni합금의 Ni함량의 제어를 통해서 열팽창계수를 최적화시킴으로써 태양전지 기판으로 사용되기에 적합하게 제어가 가능하다는 것을 발견하고 본 발명에 이르게 되었다.
본 발명의 태양전지용 기판에 적용되는 Fe는 경하면서도 유연하고, 값이 싸며, 대량생산이 가능하다는 장점이 있다. 즉, 일정 수준 이상의 강도 또는 경도를 확보하고 있음과 동시에 유연하기 때문에, 물리적 충격에 의한 균열 혹은 파단이 잘 발생하지 않아, 내구성 확보 측면에서 유리하다. 또한, 제조 비용이 저렴하고, 대량생산이 가능하기 때문에 생산성 측면에서도 유리하는 이점이 있다. 나아가, 롤과 같은 형태로 쉽게 변화되기 때문에, 보관이 용이하고, 고객사의 요구에 맞게 기판의 크기를 제어하는 것이 쉽다.
한편, 태양전지는 그 구성요소들간의 열팽창 계수가 거의 유사한 수준으로 제어되어야 한다. 이는, 온도의 상승 혹은 저하에 따라, 기판 혹은 이 위에 적층되는 물질들에 가해지는 응력이 차이가 나게 되므로, 상기 기판이나 다른 물질들에 균열 혹은 파단을 야기시킬 수 있기 때문이다. 따라서, 상기 Fe는 단일금속으로서는 CI(G)S계 태양전지용 기판에 적용되기에 무리가 있다. 따라서, 상기 Fe에 Ni을 함유시키는 것이 중요한데, 이와 같이, Fe-Ni합금으로서 기판이 제조되는 경우에는, 상기 Ni함량의 제어를 통해, 태양전지 기판에 적용될 수 있도록 열팽창 계수를 최적화시킬 수 있다. 또한, 상기 Fe-Ni합금은 내부식성 확보가 용이한 물질이며, 동시에 제조를 위해 전기주조법을 이용하는 경우, 상기 Fe-Ni합금의 형성이 용이하다는 장점이 있다.
본 발명의 Fe-Ni합금 기판은 열팽창 계수가 8×10-6~12×10-6/K인 것이 바람직하다. 열팽창 계수가 상기 범위가 되도록 하여 CI(G)S계 태양전지에 바람직하게 적용시킬 수 있다. 상기와 같이, 열팽창 계수를 제어하기 위하여, 상기 Fe-Ni합금에서 Ni의 함량은 28~32중량%이거나 45~75중량%인 것이 바람직하다. 상기 Ni 함량이 범위의 하한치 미만일 경우에는 열팽창 계수가 낮아지고, 상한치를 초과할 경우에는 열팽창 계수가 증가하여 기판이나 이 위에 형성되는 배면 전극 혹은 광흡수층과 같은 태양전지의 구성요소들의 균열 혹은 파단을 야기할 수 있다. 특히, CI(G)S계 태양전지는 태양전지 구성요소들이 기판 위에 형성되는 온도가 고온이므로, 상기 Ni함량 범위를 만족하도록 Fe-Ni합금을 제조하는 것이 중요하다.
이 때, 상기 Fe-Ni합금 기판은 표면 거칠기(Rz)가 100nm이하인 것이 바람직한데, 상기와 같이, 표면 거칠기를 낮은 수준으로 제어함으로써, Fe-Ni합금 기판의 평탄화를 유도하여 상기 기판 위에 배면 전극이나 광흡수층 등을 안정적으로 형성시킬 수 있다. 상기 표면 거칠기가 100nm를 초과하는 경우에는 기판의 평탄화를 위하여 평탄화층을 형성시키더라도 무작위로 형성된 요철에 의해, 즉, 표면이 고르지 못하여 평탄화가 이루어지지 않을 수 있다. 상기 표면 거칠기는 30nm이하인 것이 보다 바람직하며, 5nm이하인 것이 보다 더 바람직하다.
한편, 본 발명의 태양전지 기판은 일면에 확산방지막이 형성되는 것이 바람직하다. 통상적으로, 태양전지 기판으로 이용되기 위해서 상기 기판 위에 전극의 역할을 하게 되는 배면 금속층이 형성되게 되는데, 상기 Fe-Ni합금이 함유하고 있는 Fe나 Ni, 또는 불순물들이 상기 배면 금속층으로 확산될 여지가 있고, 이로 인해 전지의 효율이 떨어지거나 사용이 불가능해질 수 있다. 따라서, 상기 Fe-Ni 합금 기판과 배면금속층의 중간에 확산방지막을 형성시킴으로써, 확산을 방지할 수 있다.
상기 확산방지막은 Cr 및 Ni 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 Cr 또는 Ni로 이루어지는 단일 금속 또는 합금의 형태로 기판 위에 형성되는 경우, 상기 물질들은 치밀한 조직을 형성하게 되어, 기판에 존재하는 Fe의 확산을 방지하는 효과를 상승시킨다. 또한, 상기 물질들은 내식성 확보에도 효과적이므로, 태양전지의 수명을 늘릴 수 있다.
전술한 바와 같은 확산 방지막으로서의 역할을 보다 극대화하기 위해서는, 상기 확산방지막의 두께를 100~500nm의 범위가 되도록 하는 것이 유리하다. 100nm 미만일 경우에는 확산 방지의 효과가 저감될 수 있으며, 500nm를 초과하게 되면 경제성이 떨어지는 문제점이 있다.
이하, 본 발명의 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법은 전기주조법을 이용하는 것을 기술적 요지로 한다. 즉, 본 발명은 전해조, 음극 드럼, 양극, 전원을 구비하는 전기주조장치를 이용하여 기판을 제조하는 방법에 관한 것인데, 도 1에 상기 전기주조장치의 일례를 나타내었다.
도 1에 나타난 전기주조장치(100)는 전해조(102)의 내부에 양극(104) 및 음극 드럼(106)이 구비되게 되고, 상기 양극(Anode)(104)과 음극(Cathode) 드럼(106)은 소정의 간격을 유지하도록 위치된다. 상기 양극(104)과 음극 드럼(106)은 전원(108)과 전기적으로 연결되게 되어, 전류가 흐르게 된다. 상기 전해조(102)에 전해액이 주입되고, 상기 전해액에 침지된 양극(104)과 음극 드럼(106)에 전류가 인가되면 음극 드럼의 표면 일부에 금속판이 형성되게 되고, 상기 금속판을 상기 음극 드럼(106)으로부터 분리시키게 됨으로써, Fe-Ni합금 기판(1)으로 사용할 수 있게 된다.
본 발명은 상기 전기주조장치 혹은 전기 주조의 원리를 이용하여 기판을 제조함에 있어, 전해액의 조성을 제어함으로써, 열팽창 계수가 8×10-6~12×10-6/K인 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판을 제조하고자 하는 것이다. 다만, 상기와 같이 주조를 행할 경우, Fe 및 Ni이외에 기타 불가피한 불순물을 포함되어 Fe-Ni합금 기판이 제조될 수 있다.
전술한 바와 같이, 열팽창 계수가 8×10-6~12×10-6/K인을 제조하기 위해서는, Ni함량을 28~32중량% 또는 45~75중량%로 제어하는 것이 바람직하며, 상기 Ni함량이 28~32중량%인 Fe-Ni합금 기판을 제조하기 위해서는, 전해액의 조성을 물 1L당, Fe 전구체가 226.7~240.0g, Ni 전구체가 82.6~94.4g이 되도록 하고, Ni함량이 45~75중량%인 Fe-Ni합금 기판을 제조하기 위해서는, 전해액의 조성을 물 1L당, Fe 전구체가 83.3~183.3g, Ni 전구체가 132.8~221.3g이 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 전해액에 포함되는 Fe 전구체나 Ni 전구체의 종류는 특별히 한정하지 않으나, Fe 전구체로는 황산철, 염화철, 질산철 및 설파민산철로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상이 사용될 수 있으며, Ni 전구체로는 황산니켈, 염화니켈, 질산니켈 및 설파민산니켈로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상이 사용될 수 있다.
한편, Fe-Ni합금 기판의 표면 거칠기를 제어하기 위해서 상기 전해액에 0.1~8.0g/L의 계면활성제를 포함시키는 것이 중요하다. 상기 계면활성제를 0.1g/L 미만으로 투입하게 되면 기판의 표면이 과도하게 거칠어질 수 있으며, 8.0g/L를 초과하게 되면 경제성이 떨어지는 문제점이 있다. 상기 계면활성제로는 폴리에틸렌글리콜계를 사용하는 것이 바람직한데, 상기 폴리에틸렌계 첨가제는 음극 드럼에 형성되는 Fe-Ni합금의 결정립을 미세화하여 표면을 평탄화시키는 역할을 수행한다.
상기와 같이 전해액이 준비되면, 상기 전해액에 음극 드럼의 일부가 침지되도록, 전해액을 전해조에 주입시킨다. 이와 같이, 전해액이 음극 드럼의 일부가 침지되도록 함으로써, 상기 전해액은 Fe-Ni합금의 원료 물질을 제공하는 역할뿐만 아니라, 음극 드럼과 양극이 전기적으로 연결될 수 있는 역할, 즉 전해질의 역할까지수행할 수 있게 된다.
이후, 전술한 바와 같은 공정을 통해, 상기 음극 드럼의 표면에 형성된 Fe-Ni합금 기판을 회수함으로써, 태양전지에 적용될 수 있는 Fe-Ni합금을 제조할 수 있으나, 상기 Fe-Ni합금 기판에 확산방지막을 형성시키기 위하여, 기판을 형성시키기 위한 전류 인가 이후, Cr 및 Ni중 1종 이상을 포함하는 물질을 전기도금시키는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 통상의 전기도금법을 이용하여 목표로 하는 두께 또는 조성을 갖는 확산방지막을 기판 위에 형성시킬 수 있다.
또한, 기판을 형성시키기 위한 전류 인가 이후, 상기 Fe-Ni합금 기판을 권취하는 단계를 추가로 포함할 수 있는데, 기판 회수 또는 확산방지막 형성에 있어, 롤투롤 공정(roll to roll process)에 의한 연속공정이 가능하기 때문에, 태양전지용 기판을 간단하면서도 저렴한 비용으로도 제조할 수 있다는 장점이 있으며, 생산성 또한 효과적으로 증대시킬 수 있다.
1 : Fe-Ni합금 기판 100 : 전기주조장치
102 : 전해조 104 : 양극
106 : 음극 드럼 108 : 전원

Claims (10)

  1. Ni함량이 28~32중량% 및 45~75중량% 중 어느 하나의 범위를 갖고, 잔부 Fe 및 기타 불가피한 불순물을 포함하며, 전기주조법에 의해 제조되어 표면 거칠기(Rz)가 100nm이하의 범위를 갖는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Fe-Ni합금 기판의 일면에 확산방지막이 형성되어 있는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 확산방지막은 Cr 및 Ni 중 1종 이상을 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 확산방지막의 두께는 100~500nm인 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판.
  5. 전해조, 음극 드럼, 양극, 전원을 구비하는 전기주조장치를 이용하여 기판을 제조하는 방법에 있어서,
    물 1L당, Fe 전구체: 226.7~240.0g, Ni 전구체: 82.6~94.4g 및 계면활성제: 0.1~8.0g/L를 포함하는 전해액을 준비하는 단계;
    상기 전해액에 음극 드럼의 일부를 침지시키는 단계; 및
    상기 음극 드럼의 표면에 Fe-Ni합금 기판이 형성되도록 상기 음극 드럼 및 양극에 전류를 인가하는 단계
    를 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
  6. 전해조, 음극 드럼, 양극, 전원을 구비하는 전기주조장치를 이용하여 기판을 제조하는 방법에 있어서,
    물 1L당, Fe 전구체: 83.3~183.3g, Ni 전구체: 132.8~221.3g 및 계면활성제: 0.1~8.0g/L를 포함하는 전해액을 준비하는 단계;
    상기 전해액에 음극 드럼의 일부를 침지시키는 단계; 및
    상기 음극 드럼의 표면에 Fe-Ni합금 기판이 형성되도록 상기 음극 드럼 및 양극에 전류를 인가하는 단계
    를 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 Fe 전구체는 황산철, 염화철, 질산철 및 설파민산철로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상이며,
    상기 Ni 전구체는 황산니켈, 염화니켈, 질산니켈 및 설파민산니켈로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜계인 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
  9. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 전류 인가 단계 후, 전기도금을 이용하여 상기 Fe-Ni합금 기판의 일면에 확산방지막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
  10. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 전류 인가 단계 후, 상기 Fe-Ni합금 기판을 권취하는 단계를 추가로 포함하는 CI(G)S 태양전지용 Fe-Ni합금 기판의 제조방법.
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