KR101118334B1 - 단결정 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 (a) 나노다공성 주형을 준비하는 단계; (b) (a) 단계의 주형 상에 금속나노입자를 도금시키는 단계;(c) (b)단계의 도금된 주형에 n형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 상부와 하부의 온도구배를 발생시켜 단결정 n-형 실리콘 나노와이어를 포함하는 층을 형성시키는 단계; (d) (c) 단계의 층에서 n-형 실리콘 나노와이어을 노출시키는 단계; 및 (e) (d)단계의 나노와이어에 p형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 이를 열처리하여 단결정 p-형 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 (a) 나노다공성 주형 상에 신장된 단결정 n-형 실리콘 나노와이어 및 나노와이어 상에 적층된 p-형 실리콘 층을 포함하는 태양전지를 제공한다. 따라서, 본 발명에서는 알루미늄 기판 상에 복수의 나노와이어를 이용하여 효율이 높은 태양전지를 제조할 수 있다.

태양전지, 나노와이어, 단결정 실리콘, n-도핑, p-도핑

Description

단결정 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법{Solar cell comprising crystalline silicon nanowires and method for manufacturing the same}

본 발명은 수직 배양 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.

오일 가격의 상승으로 인하여, 비용을 절감시킬 수 있는 효율적인 재생 가능한 에너지 개발의 중요성이 부각되면서, 특히 태양 에너지를 활용한 고효율 태양 전지를 개발하기 위해 전세계적으로 많은 노력이 계속 되고 있다.

현재의 실리콘 태양전지 기술은 단결정 실리콘 벌크 및 박막 기술로 나누어질 수 있다. 태양전지의 90% 이상이 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘 등과 같은 실리콘으로 제조되고 있고 그 제조 방법은 이미 개발되어 있으나, 이의 비용 절감은 용이하지 않다. 현재 90% 이상의 시장 점유율을 가지고 있는 단결정 실리콘 태양 전지는 매우 고가이다. 단결정 실리콘 태양 전지에 의한 태양 에너지 비용은 1kwh 당 25센트임에 비해 화석 연료의 경우에는 1kwh 당 10센트 미만이다. 더욱이, 태양 전지 패널을 설치하는 자본비가 매우 높아서 태양 전지의 채택률을 제한하고 있다. 즉, 단결정 및 다결정 실리콘은 벌크(bulk) 상태의 원재료로부터 태양전지를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수밖에 없다.

이와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값 싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법으로 태양전지의 대량생산이 가능하기 때문이다. 주된 박막 기술은 비정질 실리콘 및 CIGS(Copper Indium Gallium Selenide)을 이용한 방법이다. 박막 태양전지 중 가장 처음으로 개발된 것이 비정질 실리콘으로 기존 단결정 실리콘 태양전지의 약 1/100에 해당하는 두께만으로도 태양전지의 제조가 가능하다. 하지만 단결정 실리콘 태양전지에 비해 효율이 낮고, 특히 초기 빛에 노출될 경우 효율이 급격히 떨어지는 단점이 있다. 이에 따라, 차세대 태양 전지 설계는 무게가 가볍고 비용이 낮으면서 실제로 높은 효율을 얻는 것이 요구되었다. 이에 대한 잠재적 후보는 (1) 폴리머 태양 전지 및 (2) 나노입자 태양 전지이다. 폴리머 태양 전지는 보통 온도(＜150℃)에서 롤과 롤간의 처리로 인한 저비용이 장점이다. 하지만, 폴리머 태양전지는 (1) 느린 전하 수송으로 인한 낮은 효율 및 (2) 특히 UV에 대한 낮은 안정성 의 단점을 가진다. 그러므로, 차세대 태양 전지를 위해 가장 유망한 기술은 양자 도트(quantum dot) 나노입자가 해당된다.

나노입자는 태양광에 노출되었을 때 매우 효율적으로 전자 정공(electron hole)을 발생하지만, 전하 재조합(charge recombination)이 발생하고, 이 재조합되는 전하는 광전류를 전혀 생성하지 못하므로 태양 전지의 효율을 떨어뜨린다. 따라서, 나노입자 태양 전지는 높은 효율을 얻기 위해서 전하가 발생되는 즉시 분리되어야 한다. 나노입자에서의 전하 재조합은 (1) 전하 재조합을 촉진하는 나노입자 상의 표면 상태 및 (2) 느린 전하 수송에 기인한다. 특히, 느린 전하 수송은 전하가 전자 수송층 및 정공 수송층을 통해 느리게 이동하기 때문에 전하 재조합이 일반적으로 전하 수송 속도에 비해 빠르게 되어 발생된다.

한편, 현존하는 태양전지에서의 1차적 손실 과정은 광-여기된 전자가 급속하게 에너지를 손실하는 경우에 일어난다. 이는 포논(phonon)이라 불리는 알려진 격자 진동과의 상호작용에 의해 재조합의 증가를 가져온다. 이러한 손실은 단독적으로 표준 태양전지의 전환 효율을 약 44%로 한정하게 된다. 또한, 포인트 결함(침입형(interstitial) 불순물), 금속 클러스터, 라인 결함(전위(dislocation)), 평면형 결함(적층 결점) 및/또는 그레인 경계(grain boundary)가 반도체 결정에서 포획 상태로 된 광-생성된 전자 및 정공의 재조합을 초래하여 효율을 더욱 감소시킨다. 적합한 성질을 갖는 다른 물질, 특히 긴 확산 길이의 광-생성된 캐리어를 사용함으 로써 효율의 추가적 감소를 극복할 수 있으나, 이러한 기술은 통상적인 전기 공급원에 비해 가격경쟁력이 떨어진다. 또한, 사용된 물질의 밴드 갭보다 낮은 에너지를 갖는 광은 반도체가 흡수하지 않으므로 추가적인 손실이 발생된다. 모든 광전지 손실을 고려하는 경우, 쇼클레이와 퀘이서는, 단일 접합 전지의 성능이 1.3 eV의 밴드 갭을 갖는 최적 태양전지에서 단지 30 % 초과의 효율로 한정된다는 것을 보여주었다. (문헌[Shockley and Queisser, "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cell," J. Appl. Phys., 1961, 32(3), pp. 510-519]참조). 보다 최근의 계산에 의하면 단일 접합 전지에서의 이러한 "한계 효율(limit efficiency)"은 29 %로 보고되었다(문헌[Kerret al., "Lifetime and efficiency of limits of crystalline silicon solar cells," Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002, pp. 438-441]참조).

이에 따라, 본 발명은 이와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 나노스케일(See e.g., H. Masuda 및 K. Fukuda, Science, 268, 1466, 1995)의 기술을 태양전지에 도입하였고, 복수의 결정실리콘 나노 와이어로 수직으로 균일하게 배치하여 입사된 빛의 흡수롤 최대화시키는 제조방법을 개발하여 종래의 태양전지보다 우수한 태양전지를 개발하였다.

본 발명은 알루미늄 기판 및 동공 내에 형성된 복수의 n/p 접합형 단결정 실리콘 나노와이어 및 투명전극층으로 구성된 고효율 단결정 실리콘 태양전지를 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 (a) 나노다공성 주형을 준비하는 단계;

(b) (a) 단계의 주형 상에 금속나노입자를 도금시키는 단계;

(c) (b)단계의 도금된 주형에 n형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 상부와 하부의 온도구배를 발생시켜 단결정 n-형 실리콘 나노와이어를 포함하는 층을 형성시키는 단계;

(d) (c) 단계의 층에서 n-형 실리콘 나노와이어을 노출시키는 단계; 및

(e) (d)단계의 나노와이어에 p형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 이를 열처리하여 단결정 p-형 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 (a) 나노다공성 주형 상에 신장된 단결정 n-형 실리콘 나노와이어 및 나노와이어 상에 적층된 p-형 실리콘 층을 포함하는 태양전지를 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 태양전지를 포함하는, 태양광 패널을 제공한다.

바람직하게는, 단결정 p-형 실리콘 층 상부에 투명 도전성 물질을 추가로 포함될 수 있으며, 상기 투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, AlZnO 및 InZnO으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.

바람직하게는, 나노다공성 주형 하부에 400도 이하의 온도를 견딜 수 있는 유연성 기판이 포함될 수 있으며, 상기 유연성 기판은 폴리이미드(polyimide)일 수 있다. 또한, 나노다공성 주형은 음극 산화된 알루미늄 박막 또는 알루미늄 포일 일 수 있으며, 그 중에서도 음극 산화된 알루미늄 박막이 가장 바람직하다.

바람직하게는, 금속나노입자는 Au, Cu, As, P 및 Sb 나노입자로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나이며, 그 중에서도 Au가 가장 바람직하다.

바람직하게는, n형 도펀트는 P, As, 및 Sb을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나이며, PCl₃ 또는 PCl₅ 가 가장 바람직하다. 또한, (c) 단계의 실리콘은 SiBr₄ 또는 SiCl₄ 임일 수 있으며, n형 도펀트:실리콘의 두께비가 1:100 내지 1:1000 일 수 있다. 또한, (c) 단계의 도금은 전기도금일 수 있으며, 온도 구배는 10°C/mm 이하일 수 있고, (d) 단계에서 에칭을 시켜서 나노와이어를 노출시킬 수 있다.

바람직하게는, p형 도펀트는 B, Al, 및 Ga을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있으며, BBr₃, BCl₃, GaCl₃ 및 InCl₃로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 가장 바람직하다. 또한, (e) 단계의 실리콘은 SiBr₄ 또는 SiCl₄ 일 수 있으며, p형 도펀트:실리콘의 두께비가 1:100 내지 1:1000 일 수 있다.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.

본 발명에서 “나노다공성 주형”은 나노스케일 치수의 공극(pour) 또는 컬럼(column) 어레이를 포함하는, 유기 또는 무기 필름으로서, 일반적으로 공극은 필름면에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 필름을 관통한다.

본 발명에서 “도펀트(dopant)”는 순수한 반도체의 전기적 성질을 바꾸기 위해 첨가하는 미량의 분순물을 의미한다. 이는 전기전도도를 변화시키기 위해서 의도적으로 넣어주는 것이다.

본 발명에서 "나노와이어"는, 단결정 n형 실리콘 나노와이어 및 이의 상부에 적층된 p단결정 p형 실리콘층으로 구성될 수 있으며, 직경은 5 ~ 500 nm 일 수 있으나, 이에 제한하지 아니한다. 즉, "나노 와이어"는 나노미터 단위의 크기를 가지는 와이어 구조체를 의미한다. 대체로 10 nm 미만의 지름을 가지는 것에서부터 수백 nm 지름의 나노와이어를 포함해서 일컬으며, 길이, 및 방향으로는 특별히 크기의 제한이 없다.

또한, 나노와이어는 화학 증착(CVD), 금속-유기 화학 증착(MOCVD), 플라즈마-증진 화학 증착(PECVD), 고온 와이어 화학 증착(HWCVD), 원자층 침착(Atomic layer deposion), 전기화학적 침착, 용액 화학적 침착 및 이들의 조합으로 구성된 군으로 선택된 방법에 의하여 증착시킬 수 있다.

본 발명에서 “단결정 n형 실리콘 나노와이어”는 진성 반도체 물질의 도전성을 증가시키고, 전도 밴드로 페르미 준위를 이동시켜 접합이 형성될 수 전자를 발생시킬 수 있는 불순물(도펀트)를 갖는 반도체 물질을 도핑하는 것을 의미한다. 일례로, n-도핑은 소량의 인(P)를 규소에 첨가하는 것이다.

본 발명에서 “p형 실리콘”은 진성 반도체 물질의 도전성을 증가시키고, 원자가 밴드로 페르미 준위를 이동시켜 접합이 형성될 수 있는 정공을 발생시킬 수 있는 불순물(도펀트)을 갖는 반도체 물질을 도핑하는 것을 의미한다. 일례로, 상기 p-도핑은 소량의 붕소(B)를 규소(Si)에 첨가하는 것이다.

본 발명에서 "나노다공성 주형"은 양극성의 산화를 통하여 나노크기의 동공을 형성시킬 수 있는 것을 의미한다. 예를 들면, 알루미늄 박막 또는 알루미늄 포일이 해당한다.

본 발명에서 "태양전지"(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)는 본질적으로 태양광 조사로부터의 에너지 전환에 최적화된 광전지 소자이다. 그 동작원리는 pn접합으로 만든 반도체의 금지대폭(Eg: Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태 양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 이들 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 모이게 됨에 따라 pn간에 기전력(광기전력 : Photovoltage)이 발생하게 되어 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되는 것이 동작원리이다.

본 발명에서 "에칭(etching)"은 화학약품의 부식작용을 응용한 소형이나 표면가공의 방법을 의미한다. 흔히 식각이라고도 하며, 사용하는 소재에서 필요한 부위만 방식처리를 한 후 부식시켜서 불필요한 부분을 제거하여 원하는 모양을 얻을 수 있다.

상기한 과제해결수단에 따르면, 본 발명에서는 알루미늄 기판 상에, 수직으로 증착된 복수의 나노와이어를 이용하여 효율이 높은 태양전지를 제조할 수 있다.

이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

실시예

실시예 1: 나노다공성 주형의 준비

상기 알루미늄 박막 또는 알루미늄 포일을 주형으로 하여 옥살산(oxalic acid) 내에서 양극성의 산화를 시켜서 나노크기의 동공을 형성시켰다. 이때, 기공 지름은 산화(anodization) 전압에 따라 20 ~ 50 nm의 범위였다. 주형 하부에는 폴리이미드(polyimide) 와 같은 400 ℃이하의 온도에 버티는 유연한 기판을 쓸 수도 있다.

실시예 2: 단결정 n형 실리콘 나노와이어의 형성

실시예 1의 주형에 실리콘과 용융합금을 형성하는 금속입자, 예를 들면 Au, Cu, As, P, 및 Sb 등으로 동공바닥에 전기도금 증착시켰다. 후속하여, n형 도펀트(Dopant)용으로 PCl₃ 또는 PCl₅ 및 실리콘 염으로서는 SiBr₄, SiCl₄ 등을 이온성의 이온성 액체 전해질에 용해시켰다. 그리고, n형 도펀트 및 실리콘 전해액에 환원전압을 각각 인가하여 n형 도펀트 및 실리콘을 교대로 전기도금하였다. 이때 원하는 도펀트의 농도에 따라 두 물질의 두께비를 바꿀 수 있다. 이때, 고농도 도핑의 경우 (~10¹⁹ cm^-3)를 유지하거나, P:Si 두께비를 1:1000으로 유지하였다.

이렇게 형성된 비정질 n-형 실리콘을 결정화시키기 위해 상하판에 ~10 ℃/mm 온도구배를 제공하였다. 이때 하부의 온도는 400 ℃ 정도로 유지할 수 있다. 그 다음에 상기 형성된 n형 실리콘 나노와이어를 전극으로 삼아 알루미늄 산화막의 일부를 식각시켜 n형 실리콘 나노와이어를 노출시켰다.

실시예 3: 단결정 P형 실리콘 층의 형성

P 형 도펀트용으로 BBr₃, 또는 BCl₃와 실리콘 염으로서는 SiBr₄, 또는 SiCl₄를 이온성 액체 전해질에 용해시키고, P형 도펀트와 실리콘 전해액에 번갈아 환원전압을 인가하여 교대로 전기도금하였다. 이때 원하는 도펀트의 농도에 따라 두 물질의 두께비를 바꿀 수 있는데, 예를 들어 고농도 도핑의 경우 (~10¹⁹ cm^-3), B:Si 두께비를 1:1000으로 유지할 수 있다. 그 다음에 400 ℃ 이하로 열처리하여 층을 결정화시켰다.

실시예 4: 투명전극층 증착

상기 P형 실리콘층 상부에 투명 도전성 물질로 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 산화 아연(ZnO)과 같은 투명 전극층을 증착하였다.

본 발명은 전기화학의 증착 과정을 이용하면서 나노와이어를 이용한 실리콘 태양전지를 제조하였다(도 3 참조). 이에 따라, 자가-조직형성(self-organization)된 나노와이어가 음극 알루미늄 기판상에서 제공되었음을 알 수 있었다.

종래의 비정질 실리콘에 의한 태양전지의 양자효율은 약 10% 정도이고, 수소화시켜 약 18%를 가질 수 있으나 시간에 따라 Staebler-Wronski 효과로 인하여　효 율이 급격하게 10% 이하로 떨어진다. 또한, 결정 실리콘의 경우에도 이론적인 효율이 29%이고 보통 실험실에서 20 %이며, 현재 상업용은 약 15 %이다.

그러나, 본원발명에 의한 태양전지는 20 % 이상의 양자효율을 가질 수 있을 뿐 만 아니라, 수직 배양된 구조로 인하여 빛의 흡수량을 증가시킬 수 있다.

지금까지 예시적인 실시 태양을 참조하여 본 발명을 기술하여 왔지만, 본 발명의 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고서도 다양한 변화를 실시할 수 있으며 그의 요소들을 등가물로 대체할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 본질적인 범주를 벗어나지 않고서도 많은 변형을 실시하여 특정 상황 및 재료를 본 발명의 교시내용에 채용할 수 있다. 따라서, 본 발명이 본 발명을 실시하는데 계획된 최상의 양식으로서 개시된 특정 실시 태양으로 국한되는 것이 아니며, 본 발명이 첨부된 특허청구의 범위에 속하는 모든 실시 태양을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 종래기술로서, Au 나노와이어를 이용한 태양전지를 도시한 것이다.

도 2는 종래기술로서 온도 구배에 따른 금(Au)의 하강을 도시한 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 태양전지의 실시예를 도시한 것이다.

도 4는 본 발명에 따른 태양전지의 실시예를 도시한 것이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 태양전지 104 : 투명 도전성 물질

101 : 단결정 n-형 실리콘 나노와이어

102 : 나노 다공성 주형

103 : 단결정 p-형 실리콘층

Claims (35)

1. (a) 나노다공성 주형을 준비하는 단계;

   (b) (a) 단계의 주형 상에 금속나노입자를 도금시키는 단계;

   (c) (b)단계의 도금된 주형에 n형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 상부와 하부의 온도구배를 발생시켜 단결정 n-형 실리콘 나노와이어를 포함하는 층을 형성시키는 단계;

   (d) (c) 단계의 층에서 n-형 실리콘 나노와이어을 노출시키는 단계; 및

   (e) (d)단계의 나노와이어에 p형 도펀트 및 실리콘(Si)을 교대로 증착하고, 이를 열처리하여 단결정 p-형 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함하고,

   상기 온도 구배는 10°C/mm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   단결정 p-형 실리콘 층 상부에 투명 도전성 물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
3. 제 2항에 있어서,

   투명 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, AlZnO 및 InZnO으로 구성 된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
4. 제 1항에 있어서,

   나노다공성 주형 하부에 400도 이하의 온도를 견딜 수 있는 유연성 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
5. 제 4항에 있어서,

   유연성 기판은 폴리이미드(polyimide)임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

   나노다공성 주형은 음극 산화된 알루미늄 박막 또는 알루미늄 포일임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
7. 제 6항에 있어서,

   나노다공성 주형은 음극 산화된 알루미늄 박막임을 특징으로 하는 태양전지 를 제조하는 방법.
8. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

   금속나노입자는 Au, Cu, As, P 및 Sb 나노입자로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
9. 제 8항에 있어서,

   금속나노입자는 Au임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
10. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    n형 도펀트는 P, As, 및 Sb을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
11. 제 10항에 있어서,

    n형 도펀트는 PCl₃ 또는 PCl₅ 임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방 법.
12. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    (c) 단계의 실리콘은 SiBr₄ 또는 SiCl₄ 임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
13. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    n형 도펀트:실리콘의 두께비가 1:100 내지 1:1000 임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
14. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    (c) 단계의 도금은 전기도금임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
15. 삭제
16. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    (d) 단계는 에칭을 시켜서 나노와이어를 노출시키는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
17. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    p형 도펀트는 B, Al, 및 Ga을 포함하는 염으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
18. 제 17항에 있어서,

    p형 도펀트는 BBr₃, BCl₃, GaCl₃ 및 InCl₃로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
19. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    (c) 단계의 실리콘은 SiBr₄ 또는 SiCl₄ 임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
20. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    p형 도펀트:실리콘의 두께비가 1:100 내지 1:1000 임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
21. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

    (c) 단계의 도금은 전기도금임을 특징으로 하는 태양전지를 제조하는 방법.
22. 삭제
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