KR20120136878A - 유기발광소자 제조장비 - Google Patents

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KR20120136878A
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Abstract

본 발명은 OLED 제조장비에 관한 것으로, 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛이 구비된 OLED 제조장비에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 OLED 제조장비의 기판을 이송하는 역할의 이송챔버와 트랜스퍼챔버 내에 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛을 구비하는 것이다.
이를 통해, 챔버 내부의 오염물질을 외부로 배출할 수 있어, OLED의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 공정비용을 절감할 수 있다.

Description

유기발광소자 제조장비{Apparatus for manufacturing organic light emitting diodes}
본 발명은 OLED 제조장비에 관한 것으로, 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛이 구비된 OLED 제조장비에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어 지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소 별로 위치하도록 한다.
최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다.
또한, 이러한 OLED는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
이에, 최근에는 고개구율 및 고해상도를 갖는 상부 발광방식에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, OLED는 상부 발광방식이다.
도시한 바와 같이, OLED(10)는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 이의 가장자리가 씰패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(11)과 제 1 전극(11)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(13)과, 유기발광층(13)의 상부에는 제 2 전극(15)이 구성된다.
유기발광층(13)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
이들 제 1 및 제 2 전극(11, 15)과 그 사이에 형성된 유기발광층(13)은 유기전계 발광다이오드(E)를 이루게 된다. 이때, 이러한 구조를 갖는 OLED(10)는 제 1 전극(11)을 양극(anode)으로 제 2 전극(15)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다.
한편, OLED(10)는 일반적으로 빛을 발광시키기 위한 유기발광층(13)이 수분과 산소에 매우 취약하므로 그 제조 공정은 모두 진공 또는 수분과 산소가 최소화된 상태에서 진행하게 된다(이하 진공분위기라 함).
이를 위해, OLED 제조장비(미도시)는 진공분위기를 유지하는 각 공정 챔버(미도시)들이 선형의 인라인(in-line) 형태로 연결되어 구성된다.
그러나, OLED 제조장비(미도시)의 내부는 미세먼지나 입자와 같은 파티클(particle)에 의하여 공정을 진행하는 기판(1, 2)이 오염되지 않도록 극도로 청결한 상태가 유지되어야 함에도 불구하고, 기판(1, 2)을 반송시키는 기판반송모듈(미도시)의 움직임 등에 의해 내부에서 자체적으로 갈림이물에 의한 미세먼지나 파티클이 발생되고 있다.
따라서 OLED(10)의 불량으로 이어짐에 따라, 제조에 따른 생산성 및 신뢰도 등이 저하되는 문제점들을 야기하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, OLED제조장비 내부의 미세먼지나 입자와 같은 파티클을 배기시키고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다.
이를 통해, OLED의 불량을 감소시키고, 제조에 따른 생산상 및 신뢰성을 향상시키고자 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다수의 공정챔버 사이에 위치하여, 상기 다수의 공정챔버로 기판을 이송시키는 기판이송시스템이 구비되는 챔버와; 상기 기판이송시스템 상부에 위치하며, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 급기시스템과; 상기 기판이송시스템의 하부에 위치하며, 상기 급기시스템과 연결되어 상기 가스를 배기하는 동시에 상기 가스를 회수하는 배기시스템과; 상기 급기시스템과 상기 배기시스템 사이에 위치하여, 상기 가스로부터 오염물질을 제거하는 필터유닛을 포함하는 유기발광소자 제조장비을 제공한다.
여기서, 상기 급기시스템은 상기 챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 가스공급로와, 상기 가스를 상기 챔버 내부로 분사하는 에어블로잉파이프(Air blowing pipe)를 포함하며, 상기 배기시스템은 배기파이프와, 배출관, 배기팬을 포함한다.
그리고, 상기 가스는 질소(N2)이며, 상기 기판이송시스템은 상기 기판이 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지를 전, 후 직선왕복 이동시키는 리니어유닛으로 이루어진다.
또한, 상기 기판이송시스템은 상하로 움직이는 본체와, 수축 및 신장 가능한 로봇암 그리고 로봇암의 일 끝단에 구비되어 상기 기판을 지지하는 핸드로 이루어지며, 상기 챔버는 이송챔버 또는 트랜스퍼챔버 중 선택된 하나이다.
또한, 상기 다수의 공정챔버는 인라인(in-line)형태로 구성되며, 상기 다수의 공정챔버는 로딩챔버, 언로딩챔버, 전처리챔버, 유기박막 증착챔버, 금속박막 증착챔버, 스크린 프린팅 챔버, 인캡공정 챔버, 경화챔버를 포함한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 OLED 제조장비의 기판을 이송하는 역할의 이송챔버와 트랜스퍼챔버 내에 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛을 구비함으로써, 챔버 내부의 오염물질을 외부로 배출할 수 있어, OLED의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, OLED의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 공정비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 도 2의 OLED의 제조공정을 단계적으로 도시한 공정흐름도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 제조장비의 일부를 개략적으로 도시한 사시도.
도 5a는 도 4의 이송챔버를 확대 도시한 사시도.
도 5b는 도 5a의 단면도.
도 6은 이송챔버 내부의 이물제어유닛 유무에 따른 오염물질의 양을 비교 측정한 시뮬레이션결과.
도 7은 이송챔버 내부의 이물제어유닛의 유무에 따른 기판 상의 암점 불량 발생 횟수를 측정한 실험그래프.
도 8은 도 4의 트랜스퍼챔버를 확대 도시한 사시도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이다.
설명에 앞서, 본 발명의 OLED(100)는 하부 발광방식을 일 예로 설명하도록 하겠다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 OLED(100)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(101)과, 제 1 기판(101)과 마주하며 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(102)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 실패턴(seal pattern : 120)을 통해 봉지되어 합착된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(101)의 상부에는 각 화소영역(P) 별로 스위칭(switching) 박막트랜지스터(미도시)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(111)과 제 1 전극(111)의 상부에 위치하며 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(113), 유기발광층(113)의 상부에 위치하는 제 2 전극(115)으로 이루어지는 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된다.
여기서, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 게이트전극(107)과 반도체층(103) 그리고 소스 및 드레인전극(110a, 110b)으로 이루어진다. 이때, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 폴리실리콘 반도체층을 포함하여 탑 게이트(top gate) 타입이거나, 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성할 수도 있다.
여기서, 탑게이트 타입의 구동 박막트랜지스터(DTr)를 일예로 설명하면, 반도체층(103)은 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103a) 그리고 액티브영역(103a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)으로 구성되며, 이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있다.
게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103b)에 대응하여 게이트전극(107)이 형성되어 있다.
그리고, 게이트전극(107) 의 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀(116)을 구비한다.
다음으로, 반도체층 콘택홀(116)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 반도체층 콘택홀(116)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(110a, 110b)이 형성되어 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(110a, 110b)과 두 전극(110a, 110b) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(109a) 상부로 제 2 층간절연막(109b)이 형성되는데, 제 2 층간절연막(109b)은 드레인전극(110b)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는다.
이때 도면에 나타나지 않았지만, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.
또한, 제 2 층간절연막(109b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다.
제 1, 2 전극(111, 115)과 그 사이에 형성된 유기발광층(113)은 유기전계발광 다이오드(E)를 이루게 된다.
여기서, 제 1 전극(111)은 각 화소(P) 별로 형성되는데, 각 화소(P) 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이의 비화소영역(미도시)에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다.
즉, 뱅크(119)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(119)를 각 화소영역(P) 별 경계부로 하여 제 1 전극(111)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.
이러한 제 1 전극(111)은 제 2 층간절연막(109b)의 드레인콘택홀(117)을 통해 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결된다.
이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하며, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode) 전극의 역할을 한다.
이에 따라, 제 1 전극(111)은 투명전극으로 형성되고, 제 2 전극(115)은 불투명전극으로 형성되므로 유기발광층(113)에서 발광된 빛은 제 1 전극(111) 방향으로 방출되는 하부 발광방식으로 구동된다.
이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 제공된 전공과 제 2 전극(115)으로 주입된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
도 3은 도 2의 OLED의 제조공정을 단계적으로 도시한 공정흐름도이다.
우선, 제 1 단계(st1)로 제 1 기판(도 2의 101) 상에 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, 도 2의 DTr)를 형성하는데, 즉, 제 1 기판(도 2의101) 상에 게이트전극(도 2의 107), 게이트절연막(도 2의 105), 반도체층(도 2의 103), 소스 및 드레인전극(도 2의 110a, 110b)으로 이루어지는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, 도 2의 DTr)를 형성한다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(도 2의 101)의 각 화소영역(도 2의 P)에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 레이저 빔을 조사하거나 또는 열처리를 실시하여 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층(미도시)으로 결정화시킨다.
이후, 마스크 공정을 실시하여 폴리실리콘층(미도시)을 패터닝하여 순수 폴리실리콘 상태의 반도체층(도 2의 103)을 형성한다. 이때 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하기 전에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 절연기판(도 2의 101) 전면에 증착함으로써 버퍼층(미도시)을 형성할 수도 있다.
다음으로, 순수 폴리실리콘의 반도체층(도 2의 103) 위로 산화실리콘(SiO2)을 증착하여 게이트절연막(도 2의 105)을 형성한다.
이후, 게이트절연막(도 2의 105) 위로 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 중 하나를 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 반도체층(도 2의 103)의 중앙부에 대응하여 게이트전극(도 2의 107)을 형성한다.
다음, 게이트전극(도 2의 107)을 블록킹 마스크로 이용하여 제 1 기판(도 2의 101) 전면에 불순물 즉, 3가 원소 또는 5가 원소를 도핑함으로써 반도체층(도 2의 103) 중 게이트전극(도 2의 107) 외측에 위치한 부분에 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(도 2의 103b, 103c)을 이루도록 하고, 도핑이 방지된 게이트전극(도 2의 107)에 대응하는 부분은 순수 폴리실리콘의 액티브영역(도 2의 103a)을 이루도록 한다.
다음으로 제 1 기판(도 2의 101) 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질을 증착하여 전면에 제 1 층간절연막(도 2의 109a)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 제 1 층간절연막(도 2의 109a)과 하부의 게이트절연막(도 2의 105)을 동시 또는 일괄 패터닝함으로써 반도체층(도 2의 103)의 소스 및 드레인영역(도 2의 103b, 103c)을 각각 노출시키는 반도체층콘택홀(도 2의 116)을 형성한다.
이후, 제 1 층간절연막(도 2의 109a) 위로 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나를 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 반도체층콘택홀(도 2의 116)을 통해 소스 및 드레인영역(도 2의 103b, 103c)과 접촉하는 소스 및 드레인전극(도 2의 110a, 110b)을 형성한다.
이때 반도체층(도 2의 103)과 게이트절연막(도 2의 105)과 게이트전극(도 2의 107)과 제 1 층간절연막(도 2의 109a)과 서로 이격하는 소스 및 드레인전극(도 2의 110a, 110b)은 구동 박막트랜지스터(도 2의 DTr)를 이룬다.
다음으로 소스 및 드레인전극(도 2의 110a, 110b)이 형성된 제 1 기판(도 2의 101) 상에 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크공정을 통해 패터닝함으로써, 제 2 층간절연막(도 2의 109b)을 형성한다.
이때, 제 2 층간절연막(도 2의 109b)은 드레인전극(도 2의 110b)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(도 2의 117)을 가진다.
다음은 제 2 단계(st2)로, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, 도 2의 DTr)가 형성된 제 1 기판(도 2의 101) 상에 유기전계발광 다이오드(도 2의 E)를 형성하는데, 유기전계발광 다이오드(도 2의 E)는 제 1 전극(도 2의 111)과 유기발광층(도 2의 113) 그리고 제 2 전극(도 2의 115)을 순차적으로 증착하여 형성한다.
이때, 제 1 전극(도 2의 111)은 제 2 층간절연막(도 2의 109b) 상부로 드레인콘택홀(도 2의 117)을 통해 드레인전극(도 2의 110b)과 접촉하며, 제 1 전극(도 2의 111)의 상부에는 감광성 유기절연 재질 예를 들면 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제 1 전극(도 2의 111) 상부로 뱅크(도 2의 119)를 형성한다.
다음으로, 뱅크(도 2의 119) 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(도 2의 113)을 형성한다.
이때 도면에 나타나지 않았지만, 유기발광층(도 2의 113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입막(hole injection layer), 정공수송막(hole transport layer), 발광물질막(emitting material layer), 전자수송막(electron transport layer) 및 전자주입막(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다.
다음으로, 유기발광층(도 2의 113) 상부에 일함수가 낮은 금속 물질을 증착한 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착한 제 2 전극(도 2의 115)을 형성함으로써, 유기전계발광 다이오드(도 2의 E)를 완성하게 된다.
이로써, OLED(도 2의 100)의 제 1 기판(도 2의 101)이 완성된다.
다음은 제 3 단계(st3)로, 유기전계발광 다이오드(도 2의E)가 형성된 제 1 기판(도 2의 101)의 가장자리부에 실패턴(도 2의 120)을 형성한 후, 제 4 단계(st4)로 제 1 기판(도 2의 101)과 제 2 기판(도 2의 102)을 밀착되도록 가압함으로써, 제 1 기판(도 2의 101)과 제 2 기판(도 2의 102)이 완전히 합착되어 패널 상태를 이루도록 한다.
이를 통해, 본 발명의 OLED(도 2의 100)는 인캡슐레이션된다.
다음은 제 5 단계(st5)로, 합착되어 패널 상태를 이루는 OLED패널을 각 단위 패턴 별로 절단시키는데, 이는 OLED(도 2의 100)를 제조하는데 있어서 생산성을 높이고자 하나의 큰 모기판에 다수의 단위 셀을 형성한 후 각각 하나의 셀로 분리하는 공정을 거치게 되는데, 이 공정이 절단공정이다.
이를 통해, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, 도 2의 DTr)와 제 1 전극(도 2의 111)과 유기발광층(도 2의 113) 그리고 제 2 전극(도 2의 115)으로 이루어진 유기전계발광 다이오드(도 2의 E)를 구비한 OLED(도 2의 100)를 완성하게 된다.
한편, 본 발명의 OLED(도 2의 100)는 유기발광층(도 2의 113)이 수분이나 산소에 매우 취약하므로, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, 도 2의 DTr)가 형성된 제 1 기판(도 2의 101) 상에 유기전계 발광다이오드(도 2의 E)를 형성하는 제 2 단계(st2)와, 실패턴(도 2의 120)을 형성하는 제 3 단계(st3) 그리고 인캡슐레이션하는 제 4 단계(st4)는 모두 진공분위기를 유지하는 OLED 제조장비(200, 도 4 참조)에서 진행하게 된다.
OLED 제조장비(200, 도 4 참조)는 진공분위기를 유지하는 각 공정 챔버들이 선형의 인라인(in-line) 형태로 구성된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 제조장비의 일부를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도시한 바와 같이, OLED 제조장비(200)는 다수의 트랜스퍼챔버(210)와 이송챔버(220)가 교대로 배치되어 라인을 형성하고, OLED 제조장비(200)의 양끝에 위치하는 트랜스퍼챔버(210)에는 각각 로딩챔버(231) 또는 언로딩챔버(233)가 배치되며, 각 트랜스퍼챔버(210)에는 OLED(도 2의 100)의 기판(도 2의 101, 102) 제조를 위한 각 공정을 수행할 수 있는 공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)들이 배치된다.
먼저 본 발명에 따른 트랜스퍼챔버(210)는 하나의 공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)로부터 기판(도 2의 101, 102)을 전달받아 이웃하는 다른 공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)로 기판(도 2의 101, 102)을 전달하는 중간 경로 역할을 한다. 이때, 각 트랜스퍼챔버(210) 내에는 기판(도 2의 101, 102)을 반송할 수 있는 기판이송로봇(215, 도 8 참조)이 마련된다.
기판이송로봇(215, 도 8 참조)은 전후 방향 또는 회전 구동될 수 있어, 특정한 공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)에 적재되어 있는 기판(도 2의 101, 102)을 들고 나와서 다른 공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)로 옮겨서 적재할 수 있다.
그리고, 각 트랜스퍼챔버(210)를 연결하는 이송챔버(220)는 각 트랜스퍼챔버(210)로 기판(도 2의 101, 102)을 이송시키는 역할을 하는데, 이송챔버(220) 내부에는 기판(도 2의 101, 102)이 이송되는 기판반송모듈(224, 도 5a 참조)이 구비되어 있다.
기판반송모듈(스테이지(223, 도 5a 참조) 및 리니어유닛(224, 도 5a 참조))은 이송챔버(220)의 바닥면에 형성되어 있는 레일(224a, 224b, 도 5a 참조)을 통해 기판(도 2의 101, 102)을 직선왕복 이동시키게 되는데, 기판반송모듈(스테이지(223, 도 5a 참조) 및 리니어유닛(224, 도 5a 참조))은 레일(224a, 224b, 도 5a 참조)을 포함하는 리니어유닛(linear unit : 224, 도 5a 참조)에 의해 이송챔버(220)의 길이방향을 기준으로 전후 이동을 실시하게 된다.
이와 같이 구성되는 이송챔버(220)는 기판반송모듈(스테이지(223, 도 5a 참조) 및 리니어유닛(224, 도 5a 참조)) 상에 기판(도 2의 101, 102)이 안착되면, 리니어유닛(224, 도 5a 참조)의 직선 이동에 의해 기판(도 2의 101, 102)을 다음 공정의 트랜스퍼챔버(210)의 전단까지 위치 이동시키고, 트랜스퍼챔버(210)에 마련된 기판이송로봇(215, 도 8 참조)을 통해 해당 트랜스퍼챔버(210) 내로 기판(도 2의 101, 102)이 이송되도록 하는 것이다.
이때, 본 발명의 OLED 제조장비(200)는 이송챔버(220)에 이물제어유닛(310, 320, 도 5a 참조)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 이송챔버(220)의 기판반송모듈(스테이지(223, 도 5a 참조) 및 리니어유닛(224, 도 5a 참조))의 움직임 등에 의해 내부에서 자체적으로 발생하는 갈림이물에 의한 미세먼지나 파티클 등의 오염물질을 외부로 배출할 수 있다.
이로 인하여, 오염물질로 인하여 OLED 제조장비(200) 내부에 위치하는 기판(도 2의 101, 102)이 오염되는 것을 방지할 수 있어, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명의 OLED 제조장비(200)에 구비되는 이물제어유닛(310, 320, 도 5a 참조)은 순환시스템으로 이루어지도록 함으로써, 공정비용을 절감할 수 있다. 이에 대해 차후 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
공정챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)들은 로딩챔버(231)와 언로딩챔버(233) 사이에 위치하여, 기판(도 2의 101, 102)에 대하여 순차적으로 증착 및 기판 처리 공정을 실시하는 것으로서, 플라즈마 전처리를 통하여 기판(도 2의 101, 102) 표면의 이물질을 제거하는 전처리챔버(241)와, 기판(도 2의 101, 102) 상에 유기발광층(도 2의 113)을 증착하는 유기박막 증착챔버(242), 기판(도 2의 101, 102) 상에 금속을 이용하여 캐소드전극인 제 2 전극(도 2의 115)을 증착하는 금속박막 증착챔버(243)와, 기판(도 2의 101, 102)의 가장자리부에 실패턴(도 2의 120)을 형성하는 스크린 프린팅 챔버(244)와, 기판(도 2의 101, 102)을 인캡슐레이션 하는 인캡공정 챔버(245) 등으로 구성된다.
그리고, 경화챔버(246), 버퍼챔버(247) 등을 포함한다.
이때, 유기박막 증착챔버(242)는 정공주입막, 정공수송막, 적색, 녹색, 청색 발광물질막, 전자수송막, 전자주입막을 각각 증착하는 다수의 챔버로 이루어질 수 있으며, 인캡공정 챔버(245)에는 인캡기판인 제 2 기판(도 2의 102)을 공급하기 위한 제 2 기판 공급챔버(248)가 연결될 수 있다.
여기서, 각각의 챔버(241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)들은 진공펌프(미도시)와 같은 진공수단에 의해 진공상태가 유지되며, 다만 기판(도 2의 101, 102)을 반입 및 반출하는 로딩챔버(231)와 언로딩챔버(233)는 선택적으로 진공상태가 유지되게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 OLED 제조장비(200)는 기판(도 2의 101, 102)을 이송하는 역할의 이송챔버(220) 내에 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛(310, 320, 도 5a 참조)을 구비함으로써, 이송챔버(220)의 기판반송모듈(스테이지(223, 도 5a 참조) 및 리니어유닛(224, 도 5a 참조))의 움직임 등에 의해 내부에서 자체적으로 발생하는 오염물질을 외부로 배출할 수 있어, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 공정비용을 절감할 수 있다.
도 5a는 도 4의 이송챔버를 확대 도시한 사시도이며, 도 5b는 도 5a의 단면도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 이송챔버(220)는 내부로 기판수납공간을 정의하는 챔버(221)로 이루어지는데, 챔버(221)는 바닥면과 측면으로 이루어지는 챔버본체(221a)와, 챔버본체(221a)를 덮는 챔버리드(221b)로 이루어진다.
이때, 챔버(221)의 서로 마주보는 양 측면에는 각각 기판(도 2의 101, 102)의 반입 및 반출을 위한 제 1 및 제 2 도어(222a, 222b) 등의 개폐(開閉)수단이 설치되어 있다.
그리고, 챔버(221) 내부의 기판수납공간에는 기판(도 2의 101, 102)이 안착되는 스테이지(223)와 스테이지(223)를 챔버(221) 내에서 직선운동 시키기 위한 리니어유닛(224)으로 이루어지는 기판반송모듈이 구비된다.
여기서, 스테이지(223) 상에는 다수의 리프트핀홀(223a)이 규칙적으로 투공되어 있으며, 리프트핀홀(223a)에는 리프트핀(223b)이 각각 관통 삽입되어 있는데, 복수의 리프트핀(223b)은 기판(도 2의 101, 102)을 스테이지(223) 상에 안착시킬 시, 최대 상승위치에서 외부의 기판이송로봇(215, 도 8 참조)으로부터 기판(도 2의 101, 102)을 전달받은 후 하강하여 스테이지(223) 상에 기판(도 2의 101, 102)을 내려놓는 동작을 반복하게 된다.
그리고, 스테이지(223) 상에서 기판(도 2의 101, 102)을 인출할 시에는, 복수의 리프트핀(223b)이 최대 하강위치에서 상승하여 기판(도 2의 101, 102)을 스테이지(223) 상에서 들어올림으로써 외부의 기판이송로봇(215, 도 8 참조)이 이를 추출할 수 있도록 한다.
그리고, 리니어유닛(224)은 챔버(221)의 바닥면을 가로지르는 한쌍의 제 1 및 제 2 리니어레일(224a, 224b)로 구성되는데, 스테이지(223)는 제 1 및 제 2 리니어레일(224a, 224b)에 의해 양단이 지지되어, 제 1 및 제 2 리니어레일(224a, 224b)을 따라 챔버(221)의 제 1 도어(222a)로부터 제 2 도어(222b) 측으로 슬라이딩 이동하게 된다.
이때, 제 1 및 제 2 리니어레일(224a, 224b)을 통해 양단이 지지되는 스테이지(223)는 저면에 제 1 및 제 2 리니어레일(224a, 224b)을 따라 이동 가능하게 레일홈(미도시)이 형성되며, 레일홈(미도시)에는 제 1및 제 2 리니어레일(224a, 224b)이 슬라이드 끼움됨으로써, 챔버(221) 내에서 전, 후 직선왕복 이동이 가능하게 된다.
특히, 본 발명의 이송챔버(220)는 스테이지(223)의 상부의 기판수납공간으로 가스(G, 도 5b 참조)를 분사하는 급기시스템(310)이 구비되며, 챔버본체(221a)에는 배기시스템(320)이 마련되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 급기시스템(310)과 배기시스템(320)은 이물제어유닛을 이루게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 급기시스템(310)은 챔버리드(221b)를 관통하여 기판수납공간으로 가스(G, 도 5b 참조)를 공급하는 가스공급로(311)와, 가스공급로(311)를 통해 공급받은 가스(G, 도 5b 참조)를 기판수납공간 전면으로 공급할 수 있도록 다수의 노즐(315, 도 5b 참조)이 길이방향을 따라 형성되어 있는 다수의 에어블로잉파이프(Air blowing pipe : 313)로 이루어진다.
에어블로잉파이프(313)는 챔버리드(221b)의 면적에 대응하여, 다수개가 정렬되도록 설치되어 있다.
따라서, 가스(G, 도 5b 참조)가 외부로부터 가스공급로(311)를 통해 에어블로잉파이프(313)로 공급되고, 에어블로잉파이프(313)를 통해 이송챔버(220) 내부의 전면으로 가스(G, 도 5b 참조)를 균일하게 분사하게 된다.
여기서, 급기시스템(310)을 통해 이송챔버(220) 내부로 분사되는 가스(G, 도 5b 참조)는 기판(도 2의 101, 102) 상에 형성된 물질들과의 반응성이 낮은 불활성기체인 것이 바람직한데, 질소(N2)가 사용될 수 있다.
이러한, 급기시스템(310)은 에어블로잉파이프(313) 외에도 이송챔버(220)의 내부로 균일하게 가스(G, 도 5b 참조)를 공급할 수 있는 어떠한 형태로도 가능하다. 즉, 이송챔버(220)의 형상과 대응되며 다수의 분사홀(미도시)이 형성된 샤워헤드(미도시)와 같은 플레이트(plate) 형태로도 가능하다.
이와 같이, 본 발명의 이송챔버(220)는 급기시스템(310)을 통해 챔버(221) 내부로 가스(G, 도 5b 참조)를 분사함으로써, 챔버(221) 내부에는 기류가 형성되는데, 이를 통해 기판반송모듈(223, 224)의 움직임 등에 의해 내부에서 자체적으로 발생하는 갈림이물에 의한 미세먼지나 파티클 등의 오염물질들은 기류를 따라 이동하게 된다.
이때, 기류는 챔버본체(221a)의 바닥면에 마련된 배기시스템(320)을 통해 챔버(221) 외부로 배출됨으로써, 챔버(221) 내부에서 오염물질로 인하여 OLED 제조장비(도 4의 200) 내부에 위치하는 기판(도 2의 101, 102)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
여기서, 배기시스템(320)은 다수의 배기홀(323)이 형성된 배기파이프(321)가 챔버본체(221a)의 바닥면에 형성되며, 배기파이프(321)는 배기파이프(321)를 통해 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)를 챔버(221) 외부로 배기하기 위한 배출관(325)이 연결되어 있으며, 배출관(325)은 배기팬(327)과 연결된다.
이때, 배기팬(327)은 챔버(221) 내부에서 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)의 양이 증가되도록 가스(G, 도 5b 참조)를 빨아들이는 역할을 하는데, 본 발명의 배기팬(327)은 챔버(221) 내부의 가스(G, 도 5b 참조)를 챔버(321) 외부로 배기하는 한편, 가스(G, 도 5b 참조)를 회수하는 역할도 하게 된다.
즉, 본 발명의 이물제어유닛(310, 320)은 순환시스템으로 이루어지는데, 배기팬(327)의 타단에는 순환관(329)이 연결되고, 순환관(329)은 급기시스템(310)의 가스공급로(311)와 연결된다.
따라서, 배기시스템(320)의 배기파이프(321)와 배출관(323)을 통해 챔버(221) 내부로부터 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)는 배기팬(327)에 의해 순환관(329)으로 공급되고, 순환관(329)으로 공급된 가스(G, 도 5b 참조)는 급기시스템(310)의 에어블로잉파이프(313)를 통해 챔버(221) 내부로 재공급된다.
이때, 순환관(329)에는 고성능 팬 필터유닛(HEPA, high efficiency particulate air filter unit : 330)이 장착되어, 순환되는 가스(G, 도 5b 참조)에 포함된 오염물질이 제거되도록 한다.
즉, 고성능 팬 필터유닛(330)은 챔버(221) 내부의 오염물질이 포함된 가스(G, 도 5b 참조)로부터 오염물질이 제거되도록 함으로서, 가스(G, 도 5b 참조)를 재생시키게 된다.
이를 통해, 도 5b에 도시한 바와 같이 트랜스퍼챔버(도 4의 210)로부터 기판(101)을 전달받아 스테이지(223) 상에 기판(101)이 안착되면, 기판(101)이 안착된 스테이지(223)는 리니어유닛(224)을 통해 챔버(221)의 일측으로부터 타측으로 슬라이딩 이동하게 되는데, 이때 본 발명의 이송챔버(220)는 급기시스템(310)을 통해 챔버(221)의 상부에서 가스(G, 도 5b 참조)를 분사함으로써, 챔버(221) 내부의 오염물질이 가스(G, 도 5b 참조)에 혼합되어 챔버(221) 외부로 배기되도록 함으로써 스테이지(223) 상에 안착된 기판(101)이 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 배기시스템(320)을 통해 챔버(221) 외부로 배기된 가스(G, 도 5b 참조)는 고성능 팬 필터유닛(330)을 통과하여 오염물질이 제거된 후, 챔버(221) 내부로 재공급되는 방식으로 순환하게 된다.
따라서, 본 발명의 이송챔버(220)는 급기시스템(310)과 배기시스템(320)으로 이루어지는 이물제어유닛을 통해 이송챔버(220) 내부의 오염물질로 인하여 OLED 제조장비(도 4의 200) 내부에 위치하는 기판(101)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이를 통해, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 이물제어유닛(310, 320)의 순환시스템에 의해 가스(G, 도 5b 참조)를 재활용함으로써, 공정비용을 절감할 수 있다.
여기서, 배출관(325)과 배기팬(327) 사이 그리고 순환관(329)과 고성능 팬 필터유닛(330) 사이에는 배출관(325)과 순환관(329)을 개폐(開閉)시키면서 가스(G, 도 5b 참조)의 순환량을 제어할 수 있는 밸브수단(미도시)을 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 압력 측정을 위한 압력게이지(gauge : 미도시) 등도 구비하는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 이송챔버 내부에 이물제어유닛을 구비한 경우와 이물제어유닛이 구비되지 않은 이송챔버 내부의 오염물질의 양을 비교 측정한 시뮬레이션결과이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 이송챔버 내부에 이물제어유닛을 구비할 경우 이송챔버 내부의 오염물질의 양은 8.1ea/min이나, 이물제어유닛이 구비되지 않은 경우의 이송챔버 내부의 오염물질의 양은 19.5ea/min으로, 이물에저유닛을 구비함으로써, 챔버 내부의 오염물질이 58% 가량 확연히 줄어드는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 이송챔버 내부에 이물제어유닛을 구비하여 이송챔버 내부의 오염물질의 양을 줄임으로써, OLED의 암점 불량이 발생하는 횟수 또한 감소됨을 확인할 수 있다.
이러한 본 발명의 이물제어유닛은 이송챔버 외에도 기판이송로봇이 구비되는 트랜스퍼챔버 내에도 구비할 수 있다.
도 8은 도 4의 트랜스퍼챔버를 확대 도시한 사시도이다.
도시한 바와 같이, 트랜스퍼챔버(210)는 챔버(211)의 바닥면에는 기판이송로봇(215)이 형성되어 있으며, 챔버(211)의 측면에는 기판(도 2의 101, 102)의 반입 및 반출을 위한 다수의 도어(212) 등의 개폐(開閉)수단이 설치되어 있다.
여기서, 기판이송로봇(215)은 챔버(211)의 바닥면에 장착되어, 상하로 움직임으로써 높이의 조절이 용이한 본체(215a)와, 이에 구성되어 접혀지거나 펼쳐질 수 있으며 회전가능한 로봇암(215b) 그리고 로봇암(215a)의 일 끝단에 대략 포크 형상으로 구성되어 직접적으로 기판(도 2의 101, 102)을 지지하는 핸드(215c)로 구성한다.
이와 같은 기판이송로봇(215)은 트랜스퍼챔버(210)로 이송되는 기판(도 2의 101, 102)을 하나씩 반출하여 각 공정챔버(도 4의 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248)로 공급한다.
그리고, 본 발명의 트랜스퍼챔버(210)는 챔버(211)의 바닥면을 향해 가스(G, 도 5b 참조)를 분사하는 급기시스템(310)이 구비되며, 챔버본체(211a)에는 배기시스템(320)이 마련되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 급기시스템(310)과 배기시스템(3200)은 이물제어유닛을 이루게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 급기시스템(310)은 챔버리드(211b)를 관통하여 챔버(211)의 바닥면을 향해 가스(G, 도 5b 참조)를 공급하는 가스공급로(311)와, 가스공급로(311)를 통해 공급받은 가스(G, 도 5b 참조)를 챔버(221)의 바닥면을 향해 전면으로 공급할 수 있도록 다수의 노즐(315, 도 5b 참조)이 길이방향을 따라 형성되어 있는 다수의 에어블로잉파이프(Air blowing pipe : 313)로 이루어진다.
에어블로잉파이프(313)는 챔버리드(211b)의 형태에 대응하여 형성되며, 다수개가 정렬되도록 설치되어 있다.
따라서, 가스(G, 도 5b 참조)가 외부로부터 가스공급로(311)를 통해 에어블로잉파이프(3131)로 공급되고, 에어블로잉파이프(313)를 통해 트랜스퍼챔버(210) 내부의 전면으로 가스(G, 도 5b 참조)를 균일하게 분사하게 된다.
여기서, 급기시스템(310)을 통해 트랜스퍼챔버(210) 내부로 분사되는 가스(G, 도 5b 참조)는 질소(N2)가 사용될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 트랜스퍼챔버(210)는 급기시스템(310)을 통해 트랜스퍼챔버(210) 내부로 가스(G, 도 5b 참조)를 분사함으로써, 트랜스퍼챔버(210) 내부에는 기류가 형성되는데, 이를 통해 기판이송로봇(215)의 움직임 등에 의해 내부에서 자체적으로 발생하는 갈림이물에 의한 미세먼지나 파티클 등의 오염물질들은 기류를 따라 이동하게 된다.
이때, 기류는 챔버본체(211a)의 바닥면에 마련된 배기시스템(320)을 통해 트랜스퍼챔버(210) 외부로 배출됨으로써, 트랜스퍼챔버(210) 내부에서 오염물질로 인하여 OLED 제조장비(도 4의 200) 내부에 위치하는 기판(도 2의 101, 102)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
여기서, 배기시스템(320)은 다수의 배기홀(323)이 형성된 배기파이프(321)가 챔버본체(211a)의 바닥면에 형성되며, 배기파이프(321)는 배기파이프(321)를 통해 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)를 챔버(211) 외부로 배기하기 위한 배출관(325)이 연결되어 있으며, 배출관(325)은 배기팬(327)과 연결된다.
이때, 배기팬(327)은 챔버(211) 내부에서 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)의 양이 증가되도록 가스(G, 도 5b 참조)를 빨아들이는 역할을 하는데, 본 발명의 배기팬(327)은 챔버(211) 내부의 가스(G, 도 5b 참조)를 챔버(211) 외부로 배기하는 한편, 가스(G, 도 5b 참조)를 회수하는 역할도 하게 된다.
즉, 본 발명의 이물제어유닛(310, 320)은 순환시스템으로 이루어지는데, 배기팬(327)의 타단은 순환관(329)이 연결되고, 순환관(329)은 급기시스템(310)의 가스공급로(311)와 연결된다.
따라서, 배기시스템(320)의 배기파이프(321)와 배출관(325)을 통해 챔버(211) 내부로부터 배기되는 가스(G, 도 5b 참조)는 배기팬(327)에 의해 순환관(329)으로 공급되고, 순환관(329)으로 공급된 가스(G, 도 5b 참조)는 급기시스템(310)의 에어블로잉파이프(313)를 통해 챔버(211) 내부로 재공급된다.
이때, 순환관(329)에는 고성능 팬 필터유닛(HEPA, high efficiency particulate air filter unit : 330)이 장착되어, 순환되는 가스(G, 도 5b 참조)에 포함된 오염물질이 제거되도록 한다.
따라서, 본 발명의 트랜스퍼챔버(210)는 이물제어유닛(310, 320)을 통해 트랜스퍼챔버(210) 내부의 오염물질로 인하여 OLED 제조장비(도 4의 200) 내부에 위치하는 기판(도 2의 101, 102)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이를 통해, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 이물제어유닛(310, 320)의 순환시스템에 의해 가스(G, 도 5b 참조)를 재활용함으로써, 공정비용을 절감할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 OLED 제조장비(도 4의 200)는 기판(도 2의 101, 102)을 이송하는 역할의 이송챔버(도 5b의 210)와 트랜스퍼챔버(220) 내에 순환시스템으로 이루어지는 이물제어유닛(310, 320)을 구비함으로써, 챔버(211) 내부의 오염물질을 외부로 배출할 수 있어, OLED(도 2의 100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, OLED(도 2의 100)의 제조 생산성 또한 향상시킬 수 있다.
또한, 공정비용을 절감할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
101 : 기판, 220 : 이송챔버, 221 : 챔버(221a : 챔버본체, 221b : 챔버리드)
220a, 220b : 제 1 및 제 2 도어, 223 : 스테이지
224a, 224b : 제 1 및 제 2 리니어레일
310 : 급기시스템, 311 : 가스공급로, 313 : 에어블로잉파이프, 315 : 노즐 321 : 배기파이프, 323 : 배기홀, 325 : 배출관, 327 : 배기팬, 329 : 순환관
330 : 고성능 팬 필터유닛

Claims (8)

  1. 다수의 공정챔버 사이에 위치하여, 상기 다수의 공정챔버로 기판을 이송시키는 기판이송시스템이 구비되는 챔버와;
    상기 기판이송시스템 상부에 위치하며, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 급기시스템과;
    상기 기판이송시스템의 하부에 위치하며, 상기 급기시스템과 연결되어 상기 가스를 배기하는 동시에 상기 가스를 회수하는 배기시스템과;
    상기 급기시스템과 상기 배기시스템 사이에 위치하여, 상기 가스로부터 오염물질을 제거하는 필터유닛
    을 포함하는 유기발광소자 제조장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 급기시스템은 상기 챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 가스공급로와, 상기 가스를 상기 챔버 내부로 분사하는 에어블로잉파이프(Air blowing pipe)를 포함하는 유기발광소자 제조장비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기시스템은 배기파이프와, 배출관, 배기팬을 포함하는 유기발광소자 제조장비.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 질소(N2)인 유기발광소자 제조장비.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이송시스템은 상기 기판이 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지를 전, 후 직선왕복 이동시키는 리니어유닛으로 이루어지는 유기발광소자 제조장비.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이송시스템은 상하로 움직이는 본체와, 수축 및 신장 가능한 로봇암 그리고 로봇암의 일 끝단에 구비되어 상기 기판을 지지하는 핸드로 이루어지는 기판이송로봇인 유기발광소자 제조장비.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 이송챔버 또는 트랜스퍼챔버 중 선택된 하나인 유기발광소자 제조장비.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 공정챔버는 인라인(in-line)형태로 구성되며, 상기 다수의 공정챔버는 로딩챔버, 언로딩챔버, 전처리챔버, 유기박막 증착챔버, 금속박막 증착챔버, 스크린 프린팅 챔버, 인캡공정 챔버, 경화챔버를 포함하는 유기발광소자 제조장비.
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