JP2008204767A - 電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子デバイスを形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造途中で電子デバイスの検査を行なうことのできる電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置を製造する際、真空雰囲気の検査室１０１内で、封止前の有機ＥＬ装置１Ｂの検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの陽極端子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂおよび陰極端子４２に電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂ、１０２ｄを接触させて有機ＥＬ素子３の検査を行い、良品のみに封止処理を行う。
【選択図】図５

Description

本発明は、電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置に関するものである。

発光素子などの電光変換素子や、受光素子や太陽電池などの光電変換素子を備えた電子デバイス装置では、使用する材料が大気中の酸素や水分によって劣化する場合があり、このような場合、電子デバイス装置の製造工程では、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連続して行なう複数の処理工程が行なわれる。

例えば、基板上に電光変換素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）が形成された有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）を製造する場合には、基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜からなる陽極層を形成した後、発光層などの有機機能層は真空雰囲気中で形成される。また、有機機能層の上層に陰極を形成する場合も真空雰囲気中で行なわれる。さらに、陰極を形成した後も、大気に晒すと陰極を介して酸素や水分が侵入するおそれがあるため、陰極を形成した後、接着剤等からなる封止層および封止基板を用いた封止処理工程が行なわれる（特許文献１参照）。

従って、有機機能層の形成工程、陰極の形成工程、および封止処理工程の間も、基板が大気に晒されないようにして各工程が行なわれることになる。また、従来は、有機ＥＬ素子の検査は封止処理工程の後に行なわれる。
特開２００６−２４４８０９号公報

しかしながら、封止処理工程は比較的長い時間がかかるにもかかわらず、従来のように、封止処理工程の後に検査工程を行なうと、有機ＥＬ素子に不具合が発生したとして有機ＥＬ装置を廃棄すると、封止処理工程で費やした時間が無駄になるとともに、封止に用いた材料自体も無駄となるという問題点がある。

以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、電子デバイスを形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造途中で電子デバイスの検査を行なうことのできる電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電子デバイス装置の製造方法では、少なくとも、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連続して行なう複数の処理工程と、前記複数の処理工程の途中において大気とは異なる雰囲気中で前記基板上の前記電子デバイスまたは当該電子デバイスの構成要素に対する検査を行なう検査工程と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、電子デバイスを形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造工程の途中で検査を行なうため、不具合品が発生した場合には、不具合品に対しては、検査工程移行の工程を行なわなくて済むので、検査工程以降、不具合品に対して時間や材料を無駄に費やすことを防止することができる。それ故、製造コストを削減することができる。

本発明において、前記検査工程を行なう前に前記基板上に前記電子デバイスを形成しておき、前記検査工程では、前記電子デバイスに電極を電気的に接続してデバイス特性の検査を行なうことが好ましい。このように構成すると、電子デバイスの検査をより確実に行なうことができる。

この場合、前記電子デバイスには検査用電子デバイスが含まれており、前記検査工程では、当該検査用電子デバイスのデバイス特性を検査することが好ましい。このように構成すると、電子デバイスに形成された駆動回路などを介さずに検査を行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスが電光変換素子あるいは光電変換素子である場合、前記検査工程では、前記デバイス特性として、前記電子デバイスに通電したときの発光特性、あるいは前記電子デバイスに光を照射したときの電気特性を検査することが好ましい。このように構成すると、電光変換素子あるいは光電変換素子の検査をより確実に行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスは、例えば、有機ＥＬ素子である。

本発明において、前記複数の処理工程には、前記検査工程の後、前記電子デバイスに対する封止処理を行なう封止処理工程が含まれていることが好ましい。封止処理工程は比較的長い時間を必要とするので、本発明を適用することにより、不具合品に対する封止処理工程を省略できれば、コストを大幅に削減することができる。

また、上記課題を解決するために、本発明に係る電子デバイス装置の製造装置は、少なくとも、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連続して処理を行なう複数の処理室と、該処理室間を搬送される途中において、大気とは異なる雰囲気中で前記基板上の前記電子デバイスまたは当該電子デバイスの構成要素に対する検査を行なう検査室と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、電子デバイスを形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造工程の途中で検査を行なうため、不具合品が発生した場合には、不具合品に対しては、検査工程移行の工程を行なわなくて済むので、検査工程以降、不具合品に対して時間や材料を無駄に費やすことを防止することができる。それ故、製造コストを削減することができる。

本発明において、前記検査室に搬送される前に前記基板上に前記電子デバイスが形成され、前記検査室内には、前記電子デバイスに電気的に接続されるデバイス特性検査用の電極が配置されていることが好ましい。このように構成すると、電子デバイスの検査をより確実に行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスには検査用電子デバイスが含まれており、前記検査室では、当該検査用電子デバイスのデバイス特性を検査することが好ましい。このように構成すると、電子デバイスに形成された駆動回路などを介さずに検査を行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスが電光変換素子あるいは光電変換素子である場合、前記検査室には、デバイス特性として、前記電子デバイスに通電したときの発光特性、あるいは前記電子デバイスに光を照射したときの電気特性を検査するための光学特性検査装置が配置されていることが好ましい。このように構成すると、電光変換素子あるいは光電変換素子の検査をより確実に行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスが電光変換素子である場合、前記光学特性検査装置の受光部は、前記検査室の外部に配置され、当該検査室において、前記受光部と前記検査用電子デバイスとの間に位置する壁面には前記検査用電子デバイスから前記受光部への光の入射を可能とする透光部が形成されていることが好ましい。このように構成すると、検査室に光学特性検査装置の受光部を配置する必要がないので、小型の検査室で検査を行なうことができる。

本発明において、前記電子デバイスは、例えば、有機ＥＬ素子である。この場合、前記光学特性検査装置の受光部は、前記基板に対して一方面側および他方面側の双方に配置されていることが好ましい。このように構成すると、基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置、および基板側とは反対側から光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ装置のいずれについても検査を行なうことができる。

本発明において、前記検査室の壁面には、前記透光部を除く領域に遮光層が形成されていることが好ましい。このように構成すると、検査室の壁面での光の反射を防止することができるので、光学特性の検査を確実に行なうことができる。

本発明において、前記複数の処理室には、前記検査室から搬送されてきた前記基板に対する封止を行なう封止処理室が含まれていることが好ましい。封止処理工程は比較的長い時間を必要とするので、本発明を適用することにより、不具合品に対する封止処理工程を省略できれば、コストを大幅に削減することができる。

図面を参照して、本発明を適用した電子デバイス装置の製造方法および電子デバイス装置の製造装置について説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態では、本発明が適用される電子デバイス装置として有機ＥＬ装置を例示する。

（有機ＥＬ装置の構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の要部断面図、およびこの有機ＥＬ装置の封止前の様子を示す要部断面図である。

図１（ａ）に示す有機ＥＬ装置１は、カラー表示装置として用いられる電子デバイス装置であり、素子基板２の基体である基板２０ａには、感光性樹脂からなる隔壁１３で囲まれた複数の領域に画素が構成されている。複数の画素は各々、有機ＥＬ素子３を備えており、有機ＥＬ素子３は、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極１４と、この画素電極１４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層６と、有機ＥＬ材料からなる発光層７と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層８と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極９とを備えている。陰極９の側には、有機ＥＬ素子３が水分や酸素により劣化するのを防止するための封止基板１２が封止層１１により接着されている。また、素子基板２上には、画素電極１４に電気的に接続された駆動用トランジスタ５ａなどを含む回路部５が有機ＥＬ素子３の下層側に形成されている。

ここで、有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層７で発光した光を画素電極１４および基板２０ａの側から出射するため、基板２０ａは、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極９を光反射膜によって構成すれば、発光層７で発光した光を陰極９で反射して基板２０ａの側から出射することができる。

これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層７で発光した光を陰極９の側（基板２０ａとは反対側）から出射するため、基板２０ａは透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層７で発光した光を反射層で反射して陰極９の側から出射する場合には、基板２０ａとして透明基板を用いること必要がある。また、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、基板２０ａと画素電極１４との間に反射層を形成して、発光層７で発光した光を反射層で反射させて陰極９の側から出射する場合には、基板２０ａが透明である必要はない。

ここで、有機ＥＬ素子３は各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を出射するように構成される。それには、有機ＥＬ素子３において、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層７によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層７を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。

（有機ＥＬ装置の製造方法の概略）
図２は、本発明の有機ＥＬ装置の製造に用いられた大型基板の平面図である。図３は、図２に示す大型基板に形成された検査用素子形成領域の拡大平面図である。

図１（ａ）に示す有機ＥＬ装置１を製造するには、例えば、単品サイズの基板に対して各工程を行なう方法と、素子基板２を多数取りできる大型基板に各工程を行なった後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、大型基板を用いる場合を説明する。

まず、図１（ｂ）および図２に示すように、大型基板２０（素子基板２）に対して真空蒸着法などを用いた成膜、およびレジストマスクを用いてのパターニング工程により、駆動用トランジスタ５ａや有機ＥＬ素子３などが形成され、これにより、大型基板２０上には、まず、図１（ｂ）に示す封止前の有機ＥＬ装置１Ｂが形成される。その際、有機機能層である正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８は水分や酸素により劣化しやすいため、画素電極１４を形成した後、正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８を形成する際、さらには、電子注入輸送層８の上層に陰極９を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能層が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８を形成する際、さらには陰極９を形成する際には、真空雰囲気中でマスク蒸着が行なわれる。また、正孔注入輸送層６、発光層７、電子注入輸送層８、陰極９を形成するための成膜処理工程間の移動は、基板２０ａを大気に晒すことなく行なわれる。

また、これらの成膜処理工程の後、陰極９の側には、有機ＥＬ素子３が水分や酸素により劣化するのを防止するために封止基板１２を封止層１１により接着する。かかる封止処理工程は、窒素ガス雰囲気中（大気と異なる雰囲気中）で行なわれるとともに、成膜処理工程から封止処理工程への移動も、大型基板２０を大気に晒すことなく行なわれる。

さらに、本形態では、以下に詳述するように、大型基板２０を成膜処理工程から封止処理工程に搬送する途中において、大型基板２０を大気に晒すことなく、有機ＥＬ素子３に対する検査工程を行なう。

（大型基板２０への検査用素子の形成）
本形態では、上記の成膜処理工程により、有機ＥＬ素子３を形成する際、大型基板２０の外枠部２１に設定した検査用素子形成領域３０Ａ、３０Ｂに対して、図３に示す検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する。ここで、有機ＥＬ素子３は、駆動用トランジスタ５ａなどを含む回路部５を介して駆動されるが、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、以下に説明するように、回路部５を介さずに直接、通電可能な構成を備えている。

まず、検査用素子形成領域３０Ａ、３０Ｂ内には、矩形状のＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、４０Ｄが４本、一定間隔に形成されている。かかるＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、４０Ｄは、画素電極１４と同時形成されたＩＴＯ膜からなる。ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、４０Ｄのうち、ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂの上層には、有機ＥＬ素子３の正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８と同様、正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８が形成される。さらに、ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂの上層側には、電子注入輸送層８に重なるように、共通の陰極９０が有機ＥＬ素子３の陰極９と同時形成されている。このようにして、検査用素子形成領域３０Ａ、３０Ｂには、ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを個別の陽極とする検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成されるとともに、ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂの端部によって、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂに対する個別の陽極端子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂが形成される。ここで、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子として機能するように、発光層７が形成されている。

また、共通の陰極９０は、ＩＴＯ層４０Ｄの上層まで延びて、ＩＴＯ層４０Ｄと電気的に接続されている。このため、ＩＴＯ層４０Ｄの端部によって、共通の陰極端子４２が形成される。

本形態においては、例えば、検査用素子形成領域３０Ａ、３０Ｂにおいて、ＩＴＯ層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂ、４０Ｄは２ｍｍ×１０ｍｍの矩形状に形成され、正孔注入輸送層６、発光層７および電子注入輸送層８は３ｍｍ×３ｍｍの正方形状に形成され、陰極９０は２ｍｍ×２０ｍｍの矩形状に形成されている。

（有機ＥＬ装置の製造装置）
図４は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造装置の構成を示す概略平面図である。図４に示すように、本形態において、有機ＥＬ装置の製造装置５００は、大気と異なる雰囲気中で成膜処理工程を行なうための処理ステーション２００と、大気と異なる雰囲気中で封止処理工程を行う処理ステーション３００とを有しているととともに、処理ステーション２００と処理ステーション３００とは、大型基板２０の搬送経路を兼ねた検査ステーション１００によって連結されている。ここで、処理ステーション２００は、正孔注入輸送層６、発光層７、電子注入輸送層８および陰極９を形成する成膜処理工程のうち、陰極９までを形成する処理ステーションであり、内部を真空雰囲気に置換可能なチャンバー２０１と、チャンバー２０１の内部に配置された基板搬送ロボット２０２と、チャンバー２０１の側面に接続された複数の成膜処理室２０５とを備えている。また、チャンバー２０１の辺部２０１ａは、前段の処理ステーションからの基板搬入部２０６と接続され、チャンバー２０１の辺部２０１ｂは、検査ステーション１００と接続されている。なお、チャンバー２０１と、成膜処理室２０５および基板搬入部２０６とは、ゲートバルブ（図示せず）を介して連通し、チャンバー２０１と検査ステーション１００もゲートバルブ（図示せず）を介して連通している。処理ステーション３００は、内部を真空雰囲気に置換可能なチャンバー３０１と、チャンバー３０１の内部に配置された基板搬送ロボット３０２と、チャンバー３０１の側面に連結された複数の封止処理室３０５とを備えている。チャンバー３０１の辺部３０１ｂは、大型基板２０を搬出する基板搬出部３０６と接続され、チャンバー３０１の辺部３０１ａは、検査ステーション１００と接続されている。なお、チャンバー３０１と、封止処理室３０５および基板搬出部３０６とは、ゲートバルブ（図示せず）を介して連通し、チャンバー３０１と検査ステーション１００もゲートバルブ（図示せず）を介して連通している。

検査ステーション１００は、内部の雰囲気を真空雰囲気に置換することの可能な検査室１０１を有しており、側面には、導入口１０１ｄおよび導出口１０１ｅが形成されている。

このように構成した製造装置５００では、封止前の有機ＥＬ装置１Ｂを大気に晒すことなく、処理ステーション２００から検査ステーション１００に搬送することができるとともに、封止前の有機ＥＬ装置１Ｂを大気に晒すことなく、検査ステーション１００から処理ステーション３００に搬送することができる。

（検査ステーション１００の構成および検査方法）
図５は、図４に示す製造装置の検査ステーションの構成を示す断面図である。本形態では、図５に示す検査ステーション１００において、封止前に有機ＥＬ素子３の検査を行うことを目的に、以下の構成が採用されている。まず、検査ステーション１００において、検査室１０１は、底部１０１ａと、底部１０１ａと対向する天井部１０１ｂと、底部１０１ａおよび天井部１０１ｂの縁部同士を連結する側面部１０１ｃとを備えている。側面部１０１ｃには各々、導入口１０１ｄおよび導出口１０１ｅが形成されており、導入口１０１ｄおよび導出口１０１ｅを介して、大型基板２０の搬出入を行うことができる。

本形態では、底部１０１ａ、天井部１０１ｂ、および側面部１０１ｃの内壁には、平均粗さが０．５μｍの黒色ニッケルめっき（遮光層）が施されている。黒色ニッケルめっきは、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを検査のために発光させた際、その発光光が乱反射することを防止するためであるとともに、検査室１０１の気密を高める効果を奏する。また、黒色ニッケルめっき層のような無機材料層であれば、樹脂などと違って、アウトガスの発生がないので、封止前の有機ＥＬ素子３に対する汚染を防止することができる。

検査室１０１の内部には、検査室１０１の内部を区画する複数の遮光板１０１ｆが配置され、底部１０１ａ、天井部１０１ｂ、および複数の遮光板１０１ｆによって、検査室１０１の内部は、空間Ｒ１、Ｒ２に区画されている。なお、複数の遮光板１０１ｆの各々において、導入口１０１ｄおよび導出口１０１ｅと対向する位置には、基板通路１０１ｇが形成されており、導入口１０１ｄより搬入された有機ＥＬ装置１Ｂ（大型基板２０）は、基板通路１０１ｇを通過して導出口１０１ｅより搬出される。

空間Ｒ１、Ｒ２の各々には、端子台１０２が形成されており、端子台１０２に対して、有機ＥＬ装置１Ｂに形成した陽極端子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂおよび陰極端子４２を下向きにして有機ＥＬ装置１Ｂを載置可能になっている。また、端子台１０２の上面には、有機ＥＬ装置１Ｂを載置した際、有機ＥＬ装置１Ｂの陽極端子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂおよび陰極端子４２に各々当接する複数の電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂ、１０２ｄが形成されている。

さらに、空間Ｒ１、Ｒ２の底部および天井部において、有機ＥＬ装置１Ｂを端子台１０２に載置した状態で、有機ＥＬ装置１Ｂに形成した検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと対向する領域は、ガラス製の透光部１０３ａ、１０３ｂによって形成されている。なお、透光部１０３ａ、１０３ｂの内側面には、前述した黒色ニッケルめっきは施されていない。

さらにまた、検査室１０１の外部において、検査室１０１の下方位置には、透光部１０３ａを挟んで検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと対向するように光学特性検査装置の受光部を構成するＣＣＤカメラ１０４ａが配置されている。また、本形態では、検査室１０１の外部において、検査室１０１の上方位置にも、透光部１０３ｂを挟んで検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの形成領域と対向するように光学特性検査装置の受光部を構成するＣＣＤカメラ１０４ｂが配置されている。

このように構成された検査ステーション１００を用いて、有機ＥＬ装置１Ｂの有機ＥＬ素子３を検査する際は、端子台１０２上に有機ＥＬ装置１Ｂを載置して、有機ＥＬ装置１Ｂの陽極端子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂおよび陰極端子４２に複数の電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂ、１０２ｄを各々当接させる。そして、複数の電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂと、電極１０２ｄとの間に順次、通電を行い、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの素子特性を順次検査する。

より具体的には、電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂを介して印加する電圧を０から所定の値まで変化させた時の検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの電圧−電流特性を検査する。

また、電極１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂを介して順次、通電することにより、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを順次発光させる。ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型の場合、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂからの出射光をＣＣＤカメラ１０４ａで撮像する。これに対して、有機ＥＬ装置１がボトムエミッション型の場合、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂからの出射光をＣＣＤカメラ１０４ｂで撮像する。

そして、光学特性検査装置は、ＣＣＤカメラ１０４ａでの撮像結果に基いて、検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂから順次出射された光の輝度および色度を検査する。

そして、検査結果において、良品と判定された有機ＥＬ装置１Ｂについては、処理ステーション２００の封止処理室３０５で封止処理を行なった後、基板搬出部３０６に搬出する。これに対して、不具合と判定された有機ＥＬ装置１Ｂについては、処理ステーション２００のチャンバー３０１に搬送した後、封止処理を行なわず、そのまま、基板搬出部３０６に搬出する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、大気とは異なる雰囲気中で大型基板２０に対して連続して行なう複数の処理工程の途中において、大気とは異なる雰囲気中で大型基板２０上の有機ＥＬ素子３の検査を行なう。このため、有機ＥＬ素子３を形成する際、大気中の酸素や水分で劣化する材料を用いた場合でも、製造工程の途中で検査を行なうため、不具合品が発生した場合には、不具合品に対しては、検査工程移行の工程を行なわなくて済むので、検査工程以降、不具合品に対して時間や材料を無駄に費やすことを防止することができる。それ故、有機ＥＬ装置１の製造コストを削減することができる。

特に本形態では、検査工程の後、封止処理を行なう。封止処理工程は比較的長い時間を必要とするが、本形態によれば、不具合品に対する封止処理工程を省略できるので、コストを大幅に削減することができる。

（その他の実施の形態）
上記形態では、封止処理工程で封止層１１および封止基板１２を用いたが、封止処理工程で封止用の薄膜を陰極９の上に積層するタイプの有機ＥＬ装置１に本発明を適用してもよい。また、上記形態においては、電子デバイス装置として有機ＥＬ装置１を例示したが、有機ＥＬ素子３以外の電光変換素子や、受光素子や太陽電池などの光電変換素子を備えた電子デバイス装置に本発明を適用してもよい。例えば、受光素子や太陽電池などの光電変換素子の場合でも、検査室内の電極を用いて用いて電流‐電圧特性を検査する他、透光部１０３ａ、１０３ｂを介して光を照射した際の電流や電圧を検査室内の電極を介して測定する光学特性検査装置を構成してもよい。また、上記形態では、検査工程を行なう前に有機ＥＬ素子３（検査用有機ＥＬ素子４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を形成したが、電子デバイスの種類や構造によっては、電子デバイスや検査用電子デバイスが形成される前に検査を行い、電子デバイスの構成要素の一部に対して検査を行なってもよい。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の要部断面図、およびこの有機ＥＬ装置の封止前の様子を示す要部断面図である。 本発明の有機ＥＬ装置の製造に用いられた大型基板の平面図である。 図２に示す大型基板に形成された検査用素子形成領域の拡大平面図である。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造装置の構成を示す概略平面図である。 図４に示す製造装置の検査ステーションの構成を示す断面図である。

符号の説明

１・・有機ＥＬ装置（電子デバイス装置）、１Ｂ・・封止前の有機ＥＬ装置、３・・有機ＥＬ素子（電子デバイス）、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ・・検査用有機ＥＬ素子（検査用電子デバイス）、６・・正孔注入輸送層、７・・発光層、８・・電子注入輸送層、９・・陰極、１１・・封止層、１２・・封止用基板、１４・・画素電極、４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ・・検査用有機ＥＬ素子の陽極端子、４２・・検査用有機ＥＬ素子の陰極端子、１００・・検査ステーション、１０１・・検査室、１０２ｒ、１０２ｇ、１０２ｂ、１０２ｄ・・電極、１０３ａ、１０３ｂ・・透光部、１０４ａ、１０４ｂ・・ＣＣＤカメラ（光学特性検査装置の受光部）

Claims (15)

1. 少なくとも、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連続して行なう複数の処理工程と、前記複数の処理工程の途中において大気とは異なる雰囲気中で前記基板上の前記電子デバイスまたは当該電子デバイスの構成要素に対する検査を行なう検査工程と、を有することを特徴とする電子デバイス装置の製造方法。
2. 前記検査工程を行なう前に前記基板上に前記電子デバイスを形成しておき、
   前記検査工程では、前記電子デバイスに電極を電気的に接続してデバイス特性の検査を行なうことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス装置の製造方法。
3. 前記電子デバイスには検査用電子デバイスが含まれており、
   前記検査工程では、当該検査用電子デバイスのデバイス特性を検査することを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス装置の製造方法。
4. 前記電子デバイスは、電光変換素子あるいは光電変換素子であり、
   前記検査工程では、前記デバイス特性として、前記電子デバイスに通電したときの発光特性、あるいは前記電子デバイスに光を照射したときの電気特性を検査することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子デバイス装置の製造方法。
5. 前記電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイス装置の製造方法。
6. 前記複数の処理工程には、前記検査工程の後、前記電子デバイスに対する封止処理を行なう封止処理工程が含まれていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電子デバイス装置の製造方法。
7. 少なくとも、大気とは異なる雰囲気中で基板に対して連続して処理を行なう複数の処理室と、該処理室間を搬送される途中において大気とは異なる雰囲気中で前記基板上の前記電子デバイスまたは当該電子デバイスの構成要素に対する検査を行なう検査室と、を有することを特徴とする電子デバイス装置の製造装置。
8. 前記検査室に搬送される前に前記基板上に前記電子デバイスが形成され、
   前記検査室内には、前記電子デバイスに電気的に接続されるデバイス特性検査用の電極が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス装置の製造装置。
9. 前記電子デバイスには検査用電子デバイスが含まれており、
   前記検査室では、当該検査用電子デバイスのデバイス特性を検査することを特徴とする請求項７または８に記載の電子デバイス装置の製造装置。
10. 前記電子デバイスは、電光変換素子あるいは光電変換素子であり、
    前記検査室には、デバイス特性として、前記電子デバイスに通電したときの発光特性、あるいは前記電子デバイスに光を照射したときの電気特性を検査するための光学特性検査装置が配置されていることを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項に記載の電子デバイス装置の製造装置。
11. 前記電子デバイスは電光変換素子であり、
    前記光学特性検査装置の受光部は、前記検査室の外部に配置され、
    当該検査室において、前記受光部と前記検査用電子デバイスとの間に位置する壁面には前記検査用電子デバイスから前記受光部への光の入射を可能とする透光部が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス装置の製造装置。
12. 前記電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイス装置の製造方法。
13. 前記光学特性検査装置の受光部は、前記基板に対して一方面側および他方面側の双方に配置されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子デバイス装置の製造装置。
14. 前記検査室の壁面には、前記透光部を除く領域に遮光層が形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の電子デバイス装置の製造装置。
15. 前記複数の処理室には、前記検査室から搬送されてきた前記基板に対する封止を行なう封止処理室が含まれていることを特徴とする請求項７乃至１４の何れか一項に記載の電子デバイス装置の製造装置。

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