KR20120134352A - Showerhead module of atomic layer deposition apparatus - Google Patents

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KR20120134352A KR1020110053203A KR20110053203A KR20120134352A KR 20120134352 A KR20120134352 A KR 20120134352A KR 1020110053203 A KR1020110053203 A KR 1020110053203A KR 20110053203 A KR20110053203 A KR 20110053203A KR 20120134352 A KR20120134352 A KR 20120134352A
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Abstract

PURPOSE: A shower head module of an atomic layer deposition device is provided to prevent damage to a ceramic isolator by preventing arc discharge in a shower head generating plasma. CONSTITUTION: A plasma electrode(131) makes reactance gas(S2) into plasma. A spray plate(132) is arranged in parallel with the plasma electrode. The spray plate forms a plasma generating space in the inside. An isolator electrically insulates the plasma electrode and the spray plate. A buffer member(135) is formed on the isolator and a combination of a shower head frame.

Description

원자층 증착장치의 8분기 샤워헤드 모듈{SHOWERHEAD MODULE OF ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}Showerhead Module for 8th Quarter of Atomic Layer Deposition Equipment {SHOWERHEAD MODULE OF ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 복수의 기판에 대해 동시에 박막을 형성하는 세미배치 타입 원자층 증착장치에서 증착가스를 8분기로 분사하는 샤워헤드 모듈을 제공하기 위한 것이다.
The present invention is to provide a showerhead module for injecting the deposition gas into the eight quarter in a semi-batch type atomic layer deposition apparatus for forming a thin film on a plurality of substrates at the same time.

일반적으로, 반도체 기판이나 글라스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다. 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐에 따라 미세 패턴의 박막이 요구되고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커졌다. 이러한 추세로 인해 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.In general, a method of depositing a thin film having a predetermined thickness on a substrate such as a semiconductor substrate or glass includes physical vapor deposition (PVD) using physical collision, such as sputtering, and chemical reaction using a chemical reaction. Chemical vapor deposition (CVD) and the like. Recently, as the design rules of semiconductor devices are drastically fined, thin films of fine patterns are required, and the step height of regions where thin films are formed is also very large. Due to this trend, the use of atomic layer deposition (ALD), which is capable of forming a very uniform pattern of atomic layer thickness very uniformly and has excellent step coverage, has been increasing.

ALD는 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 CVD가 다수의 기체 분자들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, ALD는 하나의 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다. 이러한 ALD는 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다는 장점을 갖고 있어 현재 널리 사용되고 있다.ALD is similar to the general chemical vapor deposition method in that it uses chemical reactions between gas molecules. However, in contrast to conventional CVD in which multiple gas molecules are simultaneously injected into a chamber to deposit the reaction product generated on the substrate, ALD injects a gas containing one source material into the chamber to chemisorb the heated substrate. There is a difference in that a product by chemical reaction between the source materials is deposited on the substrate surface by injecting a gas containing another source material into the chamber. Such ALD has a high step coverage property and has the advantage of being capable of depositing a pure thin film having a low impurity content.

원자층 증착장치 중에서 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해 다수 장의 기판에 대해 동시에 증착 공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)의 원자층 증착장치가 개시되어 있다. 통상적으로 세미 배치 타입의 원자층 증착장치는 서로 다른 종류의 증착가스가 분사되는 영역이 형성되고, 가스분사 유닛 또는 서셉터가 고속으로 회전함에 따라 기판이 순차적으로 증착가스가 분사되는 각 영역을 통과함으로써 기판 표면에서 증착가스들이 화학반응이 발생하여 반응 생성물이 증 착된다.
A semi-batch type atomic layer deposition apparatus is disclosed in which a deposition process is simultaneously performed on a plurality of substrates in order to improve throughput in an atomic layer deposition apparatus. In general, the semi-batch type atomic layer deposition apparatus has a region in which different kinds of deposition gases are injected, and a substrate is sequentially passed through each region in which deposition gases are sprayed as the gas injection unit or susceptor rotates at high speed. As a result, chemical reactions of the deposition gases occur on the substrate surface to deposit the reaction products.

본 발명의 실시예들에 따르면 스루풋을 향상시키고, 증착 속도를 증가시킬 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
According to embodiments of the present invention to provide an atomic layer deposition apparatus capable of improving throughput and increasing the deposition rate.

상술한 본 발명의 실시예들에 따른 세미배치 방식 원자층 증착장치에서 다수의 샤워헤드를 구비하는 샤워헤드 모듈은, 리액턴스 가스를 플라즈마화시키는 전극이 되는 플라즈마 전극, 상기 플라즈마 전극과 평행하게 배치되어 내부에 플라즈마 발생 공간을 형성하고 기판에 플라즈마화된 리액턴스 가스를 제공하는 분사 플레이트, 상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 둘러싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트 사이를 전기적으로 절연시키는 아이솔레이터 및 상기 아이솔레이터와 샤워헤드 프레임의 결합부에 구비되는 완충부재를 포함하여 구성된다.In the semi-batch atomic layer deposition apparatus according to the embodiments of the present invention described above, the showerhead module having a plurality of showerheads is a plasma electrode serving as a plasma for reacting a reactant gas, and disposed in parallel with the plasma electrode. An injection plate for forming a plasma generating space in the substrate and providing a plasmaized reactant gas to the substrate, an isolator formed around the plasma generating space to electrically insulate the plasma electrode from the injection plate, and the isolator and showerhead It is configured to include a buffer member provided in the coupling portion of the frame.

일 측에 따르면, 상기 아이솔레이터는 세라믹 재질로 형성된다. 그리고 상기 아이솔레이터는, 상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 감싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트를 전기적으로 절연시키는 수직부 및 상기 수직부의 상단부에서 외측으로 연장되어 상기 샤워헤드 모듈의 프레임과 상기 플라즈마 전극 사이에 개재되어 상기 프레임과 상기 플라즈마 전극을 전기적으로 절연시키는 플랜지부를 포함하여 구성된다.According to one side, the isolator is formed of a ceramic material. The isolator is formed so as to surround the plasma generation space and extends outwardly from an upper end of the vertical part electrically insulating the plasma electrode from the injection plate, and between the frame of the showerhead module and the plasma electrode. And a flange portion interposed therebetween to electrically insulate the frame and the plasma electrode.

일 측에 따르면, 상기 완충부재는 상기 아이솔레이터의 플랜지부와 상기 프레임 사이에 개재되도록 형성되고, 상기 플랜지부가 상기 프레임에 인접하는 부분인 상기 플랜지부의 하부와 단부를 감싸도록 단면이 'ㄴ'자 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 완충부재는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 상기 완충부재에서 상기 플랜지부의 단부와 접촉되는 면에는 상기 플랜지부의 단부와 상기 완충부재를 이격시키는 돌기부가 돌출 형성될 수 있다. 또한, 상기 완충부재는 상기 아이솔레이터의 둘레를 감싸는 연속된 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 아이솔레이터는 상기 완충부재가 결합되는 단차부가 형성될 수 있다. 그리고 상기 샤워헤드는 상기 플라즈마 전극, 상기 아이솔레이터 및 상기 프레임이 이 체결부재에 의해서 결합되고, 상기 아이솔레이터와 상기 프레임과 사이에서 상기 체결부재에 의해 구속되지 않는 위치에 상기 완충부재가 구비될 수 있다.According to one side, the buffer member is formed so as to be interposed between the flange portion and the frame of the isolator, the cross-section 'b' shaped so as to surround the lower end and the end of the flange portion which is a portion adjacent to the frame It may be formed in the form. For example, the buffer member may be formed of any one material of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC, and PVDF. The protrusion that separates the end of the flange portion from the buffer member may protrude from a surface of the buffer member which contacts the end of the flange portion. In addition, the buffer member may have a continuous form surrounding the circumference of the isolator. In addition, the isolator may be formed with a stepped portion to which the buffer member is coupled. The shower head may be provided with the buffer member at a position where the plasma electrode, the isolator, and the frame are coupled by the fastening member, and are not restrained by the fastening member between the isolator and the frame.

일 측에 따르면, 상기 체결부재와 상기 플라즈마 전극 사이에는 완충을 위한 체결부재 지지부가 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 체결부재 지지부는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성되고, 상기 플라즈마 전극의 상부 둘레를 따르는 띠 형태를 가질 수 있다.According to one side, a fastening member support for cushioning may be provided between the fastening member and the plasma electrode. For example, the fastening member support part is formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC, and PVDF, and a band along the upper circumference of the plasma electrode. It may have a form.

일 측에 따르면, 상기 플라즈마 전극과 상기 체결부재 사이의 아크 방전을 방지할 수 있도록 절연 재질로 형성된 볼트 와셔가 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 볼트 와셔는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.According to one side, a bolt washer made of an insulating material may be provided to prevent arc discharge between the plasma electrode and the fastening member. For example, the bolt washer may be formed of any one material of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF.

한편, 상술한 본 발명의 다른 실시예들에 따른 다수의 기판을 동시에 증착처리하는 세미배치 방식 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈은, 프리커서 가스를 제공하는 한 쌍의 제1 샤워헤드, 리액턴스 가스를 제공하는 한 쌍의 제2 샤워헤드 및 프리커서 가스를 제공하고 상기 제1 및 제2 샤워헤드 사이 사이에 배치된 두 쌍의 제3 샤워헤드를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 제2 샤워헤드는, 상기 리액턴스 가스를 플라즈마화 시키는 전극이 되는 플라즈마 전극, 상기 플라즈마 전극과 평행하게 배치되어 내부에 플라즈마 발생 공간을 형성하고 기판에 플라즈마화된 리액턴스 가스를 제공하는 분사 플레이트, 상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 둘러싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트 사이를 전기적으로 절연시키는 아이솔레이터 및 상기 아이솔레이터와 샤워헤드 프레임의 결합부에 구비되는 완충부재를 포함하는 구성된다.On the other hand, the showerhead module of the semi-batch atomic layer deposition apparatus for depositing a plurality of substrates simultaneously in accordance with other embodiments of the present invention described above, a pair of first showerhead, reactance gas for providing a precursor gas And a pair of third showerheads providing a pair of second showerheads and a precursor gas and disposed between the first and second showerheads. The second shower head may include a plasma electrode serving as an electrode for converting the reactant gas into a plasma, a spray plate disposed in parallel with the plasma electrode to form a plasma generating space therein and providing a plasmaized reactant gas to a substrate. And an isolator formed around the plasma generation space to electrically insulate the plasma electrode from the spray plate, and a cushioning member provided at a coupling portion of the isolator and the showerhead frame.

일 측에 따르면, 상기 완충부재는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성되어 상기 아이솔레이터의 둘레를 감싸도록 형성되어 상기 프레임과 상기 아이솔레이터 사이를 이격시킨다.According to one side, the buffer member is formed of any one of the material of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF so as to surround the isolator to the Space between the frame and the isolator.

일 측에 따르면, 상기 제2 샤워헤드에 플라즈마를 인가하는 플라즈마 제공부가 구비될 수 있다.
According to one side, a plasma providing unit for applying a plasma to the second shower head may be provided.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 플라즈마를 제공하기 위한 샤워헤드에서 플라즈마 전극과 프레임 사이에 구비되는 아이솔레이터가, 고온에서 프레임과 아이솔레이터의 열팽창 차이로 인해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
As described above, according to embodiments of the present invention, the isolator provided between the plasma electrode and the frame in the showerhead for providing the plasma can be prevented from being damaged due to the difference in thermal expansion between the frame and the isolator at a high temperature. have.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드 모듈을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 샤워헤드 모듈에서 제2 샤워헤드의 평면도이다.
도 3은 도 1의 샤워헤드 모듈에서 I-I선에 따른 제2 샤워헤드의 단면도이다.
도 4는 도 3의 제2 샤워헤드의 요부를 확대 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 변형 실시예를 도시한 요부 확대도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 완충부재의 단면 사시도이다.
1 is a plan view showing a showerhead module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the second showerhead in the showerhead module of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view of the second showerhead along line II in the showerhead module of FIG. 1.
4 is an enlarged view illustrating main parts of the second showerhead of FIG. 3.
5 is an enlarged view illustrating main parts of a modified embodiment of FIG. 4.
6 is a cross-sectional perspective view of a buffer member according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드 모듈(10)에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드 모듈(10)을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 샤워헤드 모듈(10)에서 제2 샤워헤드(13)의 평면도이다.Hereinafter, the showerhead module 10 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6. For reference, FIG. 1 is a plan view illustrating a showerhead module 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a second showerhead 13 in the showerhead module 10 of FIG. 1. .

본 실시예들은 원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD)에서 증착가스를 기판에 제공하는 샤워헤드 모듈(10)에 관한 것이다. 참고적으로, 본 실시예들에서 설명하는 원자층 증착장치는 스루풋(throughput) 및 품질을 향상시키기 위해서 복수의 기판에 대해 동시에 증착이 수행되며 기판의 표면이 샤워헤드 모듈(10)에 대해 평행하게 지지된 상태로 공전하면서 샤워헤드 모듈(10)에서 분사되는 서로 다른 종류의 가스가 분사되는 영역을 통과함에 따라 소정의 박막이 증착되는 형태의 세미 배치 타입(semi-batch type)이 사용될 수 있다. 여기서, 원자층 증착장치를 구성하는 프로세스 챔버 및 서셉터 등의 상세한 기술구성은 공지의 기술로부터 이해 가능하며 본 발명의 요지가 아니므로 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성요소에 대해서만 간략하게 설명한다.The present embodiments are directed to a showerhead module 10 that provides deposition gas to a substrate in an atomic layer deposition apparatus (ALD). For reference, in the atomic layer deposition apparatus described in the present embodiments, deposition is simultaneously performed on a plurality of substrates in order to improve throughput and quality, and the surface of the substrate is parallel to the showerhead module 10. A semi-batch type in which a predetermined thin film is deposited may be used as it passes through a region in which different kinds of gases injected from the showerhead module 10 are injected while being idle in a supported state. Here, the detailed technical configuration of the process chamber and the susceptor constituting the atomic layer deposition apparatus can be understood from the known technology and are not the gist of the present invention, and thus, detailed descriptions and illustrations will be omitted and only the main components will be briefly described. .

또한, 본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 대상이 되는 기판이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.In addition, in this embodiment, the substrate to be deposited may be a silicon wafer. However, the substrate of the present invention is not limited to the silicon wafer, and the substrate may be a transparent substrate including glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP). . In addition, the shape and size of the substrate is not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes, such as a circle and a rectangle.

또한, 본 실시예에서 '증착가스(source gas)'라 함은 소정의 박막을 증착하기 위한 소스 물질을 포함하는 가스들로써, 박막을 조성하는 구성 원소를 포함하는 프리커서 가스(precursor gas)(S1) 및 상기 프리커서 가스(S1)와 화학적으로 반응하여 소정의 반응 생성물에 따른 박막을 형성하는 리액턴스 가스(reactant gas)(S2), 그리고 상기 프리커서 가스(S1) 및 리액턴스 가스(S2) 등의 미반응 가스와 잔류가스를 제거하기 위한 퍼지 가스(purge gas)(P)를 포함할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the term 'source gas' is a gas containing a source material for depositing a predetermined thin film, and a precursor gas S1 including constituent elements forming the thin film. ) And a reactant gas S2 chemically reacting with the precursor gas S1 to form a thin film according to a predetermined reaction product, and the precursor gas S1 and the reactance gas S2, and the like. It may include a purge gas (P) for removing unreacted gas and residual gas.

이하에서는 설명의 편의를 위해 1종의 프리커서 가스(S1)와 1종의 리액턴스 가스(S2)를 제공하고, 상기 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2) 사이사이에 퍼지 가스(P)를 제공하여 박막을 증착하는 원자층 증착장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 샤워헤드 모듈(10)은 적어도 2종 이상의 프리커서 가스를 제공하여 2원소 이상의 성분을 포함하는 다성분 박막을 증착하는 것도 가능하다.Hereinafter, for convenience of explanation, one kind of precursor gas S1 and one kind of reactance gas S2 are provided, and a purge gas P is provided between the precursor gas S1 and the reactance gas S2. An atomic layer deposition apparatus for depositing a thin film by providing an example will be described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the showerhead module 10 may provide at least two or more kinds of precursor gases to deposit a multicomponent thin film including two or more elements.

샤워헤드 모듈(10)은 각각의 증착가스를 분사하는 다수의 샤워헤드(11, 13, 15)로 이루어지고, 각 샤워헤드(11, 13, 15)의 경계를 따라 프로세스 챔버 내부에서 발생하는 배기가스를 배출시키기 위한 탑 배기부(17)가 구비된다.The showerhead module 10 includes a plurality of showerheads 11, 13, and 15 for injecting respective deposition gases, and exhausts generated inside the process chamber along the boundary of each showerhead 11, 13, and 15. A tower exhaust 17 for discharging the gas is provided.

이하에서는 설명의 편의를 위해, 샤워헤드 모듈(10)에서 프리커서 가스(S1)가 제공되는 샤워헤드를 '제1 샤워헤드(11)'라 하고, 리액턴스 가스(S2)가 제공되는 샤워헤드를 '제2 샤워헤드(13)', 그리고 퍼지 가스(P)가 제공되는 샤워헤드를 '제3 샤워헤드(15)'라 한다. 또한, 제1 및 제2 샤워헤드(11, 13) 중 적어도 하나 이상의 샤워헤드는 서로 교번적으로 2종 이상의 증착가스를 제공할 수 있도록 이중 구조를 갖는 것도 가능하다.Hereinafter, for convenience of description, the showerhead provided with the precursor gas S1 in the showerhead module 10 will be referred to as a 'first showerhead 11' and the showerhead provided with the reactance gas S2 will be described. The second showerhead 13 and the showerhead provided with the purge gas P are referred to as the third showerhead 15. In addition, at least one or more showerheads of the first and second showerheads 11 and 13 may have a dual structure so as to alternately provide two or more kinds of deposition gases.

샤워헤드 모듈(10)은 공전하는 기판에 대해 동일한 시간 동안 일정량의 증착가스를 제공할 수 있도록 형성된다. 샤워헤드 모듈(10)은 기판에 균일한 양의 증착가스를 동일 시간 동안 제공할 수 있도록 복수의 샤워헤드(11, 13, 15)가 서로 동일한 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 샤워헤드 모듈(10)은 중심을 기준으로 동일한 각도로 분할된 부채꼴 형태를 갖는 8개의 샤워헤드(11, 13, 15)가 구비된다. 그리고 샤워헤드 모듈(10)은 한 쌍의 제1 샤워헤드(11)와 한 쌍의 제2 샤워헤드(13)가 일정 간격으로 배치되고, 제1 및 제2 샤워헤드(11, 13) 사이 사이에 두 쌍의 제3 샤워헤드(15)가 교대로 배치된 형태를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 샤워헤드(11, 13, 15)의 형태와 크기는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The showerhead module 10 is formed to provide a certain amount of deposition gas for the same time to the revolving substrate. The showerhead module 10 may be formed such that the plurality of showerheads 11, 13, and 15 have the same area so as to provide a uniform amount of deposition gas to the substrate for the same time. For example, the showerhead module 10 includes eight showerheads 11, 13, and 15 having a fan shape divided at the same angle with respect to the center. The showerhead module 10 includes a pair of first showerheads 11 and a pair of second showerheads 13 disposed at regular intervals, and between the first and second showerheads 11 and 13. Two pairs of the third shower head 15 may be arranged alternately. However, the present invention is not limited by the drawings, and the shape and size of the shower heads 11, 13, and 15 may be changed in various ways.

한편, 샤워헤드 모듈(10)은 증착가스 중에서 리액턴스 가스(S2)의 경우 반응성을 높이기 위해서 플라즈마(plasma)화하여 기판에 제공하는 구조를 갖는다. 리액턴스 가스(S2)를 플라즈마화 시키기 위해서, 제2 샤워헤드(13)는 다음과 같은 구조를 갖는다. 제2 샤워헤드(13)의 일측에는 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 제공부(19)가 연결된다.On the other hand, the showerhead module 10 has a structure in which the reactance gas (S2) in the deposition gas to be plasma to provide a substrate to increase the reactivity. In order to make the reactance gas S2 into plasma, the second showerhead 13 has a structure as follows. One side of the second shower head 13 is connected to the plasma providing unit 19 for generating a plasma.

참고적으로, 도 3은 도 1의 샤워헤드 모듈(10)에서 I-I선에 따른 제2 샤워헤드(13)의 단면도이고, 도 4는 도 3의 제2 샤워헤드(13)의 요부를 확대 도시한 도면이다. 도 5는 도 4에 도시한 아이솔레이터(134)의 변형 실시예를 설명하기 위한 요부 단면도이다. 도 6은 도 3의 완충부재(135)의 단면 및 사시도이다.For reference, FIG. 3 is a cross-sectional view of the second showerhead 13 along line II in the showerhead module 10 of FIG. 1, and FIG. 4 is an enlarged view of main parts of the second showerhead 13 of FIG. 3. One drawing. FIG. 5 is a sectional view showing the principal parts of a modified embodiment of the isolator 134 shown in FIG. 4. 6 is a cross-sectional view and a perspective view of the buffer member 135 of FIG. 3.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 제2 샤워헤드(13)는 리액턴스 가스(S2)를 수용하여 플라즈마를 발생시키고 제공하며, 플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132)와 아이솔레이터(isolator)(134) 및 완충부재(135)를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 3 to 6, the second showerhead 13 receives the reactant gas S2 to generate and provide plasma, and the plasma electrode 131, the injection plate 132, and the isolator 134. And a buffer member 135 is configured.

플라즈마 전극(131)은 증착가스가 유입되어 플라즈마를 발생시키는 공간을 제공하며, 플라즈마 발생 공간(130)의 상부를 형성한다. 본 실시예에서는 플라즈마 전극(131)은 플라즈마 발생 공간(10)에 리액턴스 가스(S2)를 유입시키기 위한 가스 유입 버퍼 공간이 형성된 이중 구조로 형성될 수 있다. 분사 플레이트(132)는 플라즈마 전극(131)의 하부에 소정 간격 이격된 위치에 평행하게 구비되어 플라즈마 발생 공간(130)의 하부를 형성하고, 플라즈마 발생 공간(130)의 측면은 아이솔레이터(134)에 의해 형성된다. 그리고 플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132) 및 아이솔레이터(134)는 샤워헤드 모듈(10)을 구성하는 프레임(133)에 결합된다.The plasma electrode 131 provides a space in which the deposition gas is introduced to generate the plasma, and forms an upper portion of the plasma generating space 130. In the present embodiment, the plasma electrode 131 may be formed in a double structure in which a gas inflow buffer space for introducing the reactance gas S2 into the plasma generation space 10 is formed. The injection plate 132 is provided at a lower portion of the plasma electrode 131 in parallel to be spaced apart from each other to form a lower portion of the plasma generation space 130, and the side surface of the plasma generation space 130 is disposed on the isolator 134. Is formed by. The plasma electrode 131, the spray plate 132, and the isolator 134 are coupled to the frame 133 constituting the showerhead module 10.

플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132)는 플라즈마 발생을 위한 전극 및 그라운드 전극 역할을 할 수 있도록 금속 재질로 형성되고, 리액턴스 가스(S2)를 제공하기 위한 다수의 분사홀(13a)이 형성된다.The plasma electrode 131 and the injection plate 132 are formed of a metal material to serve as an electrode and a ground electrode for plasma generation, and a plurality of injection holes 13a are formed to provide a reactant gas S2. .

플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132) 및 프레임(133)은 알루미늄 등의 금속 재질로 형성되는데, 플라즈마 발생 시 아크(arc) 방전이 발생하는 것을 방지하기 위해서 아이솔레이터(134)가 구비된다.The plasma electrode 131, the injection plate 132, and the frame 133 are formed of a metal material such as aluminum, and an isolator 134 is provided to prevent arc discharge when plasma is generated.

아이솔레이터(134)는 플라즈마 발생 공간(130)에서 아크 방전이 발생하는 것을 방지하기 위해서 금속 재질로 형성된 플라즈마 전극(131)과 프레임(133), 분사 플레이트(132)가 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있도록 형성된다. 또한, 아이솔레이터(134)는 아크 방전이 발생하는 것을 방지하고 전기적으로 절연시키기 위해서 절연체인 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상세하게는, 아이솔레이터(134)는 플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132) 사이뿐만 아니라 플라즈마 전극(131)과 프레임(133) 사이도 전기적으로 절연시키도록 형성된다. 아이솔레이터(134)는 플라즈마 발생 공간(130)의 측면을 형성하고 플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132)를 전기적으로 절연시키는 수직부(341)와, 상기 수직부(341)의 상단 부분에서 외측으로 연장되어서 플라즈마 전극(131)과 프레임(133)의 사이에 개재되어 상기 플라즈마 전극(131)과 상기 프레임(133)을 전기적으로 절연시키는 플랜지부(343)로 형성되며, 그 수직 단면이 'ㄱ'자 형상을 갖는다.The isolator 134 may prevent the plasma electrode 131, the frame 133, and the injection plate 132 formed of a metal material from being electrically connected to each other in order to prevent arc discharge from occurring in the plasma generation space 130. It is formed to be. In addition, the isolator 134 may be formed of a ceramic material that is an insulator in order to prevent the arc discharge from occurring and to electrically insulate it. In detail, the isolator 134 is formed to electrically insulate between the plasma electrode 131 and the frame 133 as well as between the plasma electrode 131 and the injection plate 132. The isolator 134 forms a side surface of the plasma generating space 130 and vertically electrically insulates the plasma electrode 131 from the injection plate 132, and an outer side from an upper portion of the vertical portion 341. And a flange portion 343 interposed between the plasma electrode 131 and the frame 133 to electrically insulate the plasma electrode 131 and the frame 133 from each other. 'Have a shape.

또한, 아이솔레이터(134)는 플라즈마 전극(131)과 분사 플레이트(132) 및 프레임(133)을 절연시킬 수 있는 크기와 형상을 갖는다.In addition, the isolator 134 has a size and shape that can insulate the plasma electrode 131, the injection plate 132, and the frame 133.

제2 샤워헤드(13)는 플라즈마 전극(131)과 프레임(133) 사이에 아이솔레이터(134)가 개재된 상태에서 체결부재(136)에 의해 체결된다.The second shower head 13 is fastened by the fastening member 136 with the isolator 134 interposed between the plasma electrode 131 and the frame 133.

한편, 서로 다른 열팽창률을 갖는 금속 재질의 프레임(133)과 세라믹 재질의 아이솔레이터(134)가 체결부재(136)에 의해서 단단하게 고정 체결된 상태이므로, 고온에서 아이솔레이터(134)가 열팽창률 차이로 인해 파손될 수 있다. 이와 같은 아이솔레이터(134)의 파손을 방지하기 위해서 아이솔레이터(134)와 프레임(133) 사이에 완충부재(135)가 구비된다.On the other hand, since the metal frame 133 and the ceramic isolator 134 having different thermal expansion coefficients are firmly fastened by the fastening member 136, the isolator 134 is at a high temperature due to a difference in thermal expansion rate. Can be broken. The shock absorbing member 135 is provided between the isolator 134 and the frame 133 to prevent damage of the isolator 134.

완충부재(135)는 아이솔레이터(134)와 프레임(133)이 결합되는 부분에 구비되어 아이솔레이터(134)와 프레임(133) 사이에 공극을 유지시켜서 상기 프레임(133)의 열팽창에 여유를 주어 아이솔레이터(134)가 파손되는 것을 방지한다. 예를 들어, 완충부재(135)는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성된다.The shock absorbing member 135 is provided at a portion where the isolator 134 and the frame 133 are coupled to each other to maintain a gap between the isolator 134 and the frame 133 to allow a thermal expansion of the frame 133 so that the isolator ( 134) to prevent damage. For example, the buffer member 135 is formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF.

완충부재(135)는 플랜지부(343)의 하부 일부와 단부(344)를 지지하도록 형성되며, 그 수직 단면이 'ㄴ'자 형상으로 형성된다. 또한, 완충부재(135)는 체결부재(136)에 의해서 아이솔레이터(134)나 프레임(133)에 구속되지 않는 위치에 구비된다.The buffer member 135 is formed to support the lower portion and the end portion 344 of the flange portion 343, the vertical cross section is formed in the 'b' shape. In addition, the buffer member 135 is provided at a position that is not constrained by the isolator 134 or the frame 133 by the fastening member 136.

또한, 완충부재(135)는 아이솔레이터(134)의 전체 둘레를 연속적으로 둘러싸도록 형성되며, 본 실시예에 따른 제2 샤워헤드(13)는 대략적으로 부채꼴 형상을 가지므로 아이솔레이터(134)와 완충부재(135) 역시 부채꼴 형상을 갖는다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 샤워헤드 모듈(10) 및 제2 샤워헤드(13)의 형상에 따라 아이솔레이터(134)와 완충부재(135)의 형상은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.In addition, the shock absorbing member 135 is formed to continuously surround the entire circumference of the isolator 134. Since the second shower head 13 according to the present embodiment has an approximately fan shape, the isolator 134 and the shock absorbing member are formed. (135) also has a fan shape. However, the present invention is not limited by the drawings, and the shape of the isolator 134 and the shock absorbing member 135 may be substantially variously changed according to the shapes of the showerhead module 10 and the second showerhead 13. have.

완충부재(135)가 아이솔레이터(134)와 프레임(133) 사이에 개재됨으로써, 아이솔레이터(134)와 프레임(133) 사이는 아이솔레이터(134)의 두께만큼 공극이 형성되고, 고온에서 프레임(133)의 열팽창에 대한 여유를 줄 수 있다.Since the buffer member 135 is interposed between the isolator 134 and the frame 133, a gap is formed between the isolator 134 and the frame 133 by the thickness of the isolator 134, and the frame 133 is formed at a high temperature. It can give room for thermal expansion.

한편, 완충부재(135)는 아이솔레이터(134)와 소정 간격 이격되도록, 플랜지부(343)의 단부(344)에 접촉되는 면에 소정 크기의 돌기부(355)가 돌출 형성될 수 있다.Meanwhile, the buffer member 135 may have a protrusion 355 having a predetermined size protruding from a surface of the buffer member 135 contacting the end portion 344 of the flange portion 343 so as to be spaced apart from the isolator 134 by a predetermined distance.

도면에서 미설명 도면부호 351은 완충부재(135)에서 아이솔레이터(134)의 플랜지부(343)를 지지하는 수평 지지부(351)이고, 353은 플랜지부(343)의 단부(3440를 지지하는 수직 지지부(353)이다.In the drawings, reference numeral 351 denotes a horizontal support 351 supporting the flange portion 343 of the isolator 134 in the shock absorbing member 135, and 353 denotes a vertical support portion supporting the end portion 3440 of the flange portion 343. (353).

도 5는 도 4의 변형 실시예를 도시한 요부 확대도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 아이솔레이터(134)에는 완충부재(135)가 결합되는 단차부(346)가 형성될 수 있다.5 is an enlarged view illustrating main parts of a modified embodiment of FIG. 4. As shown in FIG. 5, the isolator 134 may have a stepped portion 346 to which the buffer member 135 is coupled.

체결부재(136)와 플라즈마 전극(131) 사이에도 완충 역할을 하는 체결부재 지지부(137)가 구비될 수 있다. 체결부재 지지부(137)는 플라즈마 전극(131)과 체결부재(136)를 전기적으로 절연시키는 역할을 하고, 고온에서 열팽창 시 플라즈마 전극(131) 및 프레임(133)의 열팽창으로 인한 압력이 아이솔레이터(134)에 가해지는 것을 완화시키는 역할을 한다. 예를 들어, 체결부재 지지부(137)은 완충부재(135)와 마찬가지로 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 체결부재 지지부(137)는 플라즈마 전극(131)에서 체결부재(136)가 체결되는 부분에 개재되며, 플라즈마 전극(131)의 상부 둘레를 따르고 연속된 형상을 갖는 소정 두께의 띠 형상을 가질 수 있다.A fastening member supporter 137 may also be provided between the fastening member 136 and the plasma electrode 131 to serve as a buffer. The fastening member supporter 137 serves to electrically insulate the plasma electrode 131 and the fastening member 136, and the pressure due to thermal expansion of the plasma electrode 131 and the frame 133 during thermal expansion at high temperature isolators 134. ) To mitigate the For example, the fastening member support 137 may be formed of any one material of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC, and PVDF like the buffer member 135. have. The fastening member supporter 137 may be interposed in a portion where the fastening member 136 is fastened in the plasma electrode 131, and may have a band shape having a predetermined thickness along an upper circumference of the plasma electrode 131 and having a continuous shape. .

그리고 체결부재(136)와 플라즈마 전극(131) 사이에서 아크 방전이 발생하는 것을 방지하기 위해서 절연 재질인 체결부재 지지부(137)는 완충부재(135)와 마찬가지로 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성된 볼트 와셔(138)가 구비될 수 있다.In order to prevent the arc discharge from occurring between the fastening member 136 and the plasma electrode 131, the fastening member support part 137, which is an insulating material, is similar to the buffer member 135, such as PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, A bolt washer 138 formed of any one of MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC, and PVDF may be provided.

도 4를 참조하면, 플라즈마 전극(131)에서 체결부재(136)가 체결되는 체결홀에는 공차 및 중심이 맞지 않음으로 인한 아이솔레이터(134)의 파손을 방지하기 위해서 공차 지지부(139)가 구비된다.4, the tolerance hole 139 is provided in the coupling hole to which the coupling member 136 is fastened in the plasma electrode 131 to prevent breakage of the isolator 134 due to tolerance and misalignment.

본 실시예들에 따르면, 프레임(133)과 아이솔레이터(134) 사이에 완충부재(135)를 구비함으로써 플라즈마 전극(131)과 프레임(133)의 열팽창으로 인한 아이솔레이터(134)의 파손을 효과적으로 방지할 수 있다.According to the present embodiments, the buffer member 135 is provided between the frame 133 and the isolator 134 to effectively prevent breakage of the isolator 134 due to thermal expansion of the plasma electrode 131 and the frame 133. Can be.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and all the things that are equivalent to or equivalent to the scope of the claims as well as the claims to be described later belong to the scope of the present invention.

10: 샤워헤드 모듈
11, 13, 15: 제1 내지 제3 샤워헤드
13a: 분사홀
17: 배기부
19: 플라즈마 제공부
130: 플라즈마 발생 공간
131: 플라즈마 전극
132: 분사 플레이트
133: 프레임
134: 아이솔레이터
135: 완충부재
136: 체결부재
137: 체결부재 지지부
138: 볼트 와셔
139: 공차 지지부
341: 수직부
343: 플랜지부
344: 단부
346: 단차부
351: 수평 지지부
353: 수직 지지부
355: 돌기부
10: showerhead module
11, 13, and 15: first to third showerheads
13a: injection hole
17: exhaust
19: plasma providing unit
130: plasma generation space
131: plasma electrode
132: spray plate
133: frame
134: isolator
135: buffer member
136: fastening member
137: fastening member support
138: bolt washer
139: tolerance support
341: vertical section
343: flange portion
344: end
346: stepped portion
351: horizontal support
353 vertical support
355: protrusion

Claims (14)

세미배치 방식 원자층 증착장치에서 다수의 샤워헤드를 구비하는 샤워헤드 모듈에 있어서,
리액턴스 가스를 플라즈마화시키는 전극이 되는 플라즈마 전극;
상기 플라즈마 전극과 평행하게 배치되어 내부에 플라즈마 발생 공간을 형성하고 기판에 플라즈마화된 리액턴스 가스를 제공하는 분사 플레이트;
상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 둘러싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트 사이를 전기적으로 절연시키는 아이솔레이터; 및
상기 아이솔레이터와 샤워헤드 프레임의 결합부에 구비되는 완충부재;
를 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
A showerhead module having a plurality of showerheads in a semi-batch atomic layer deposition apparatus,
A plasma electrode serving as an electrode for plasmalizing the reactant gas;
An injection plate disposed in parallel with the plasma electrode to form a plasma generation space therein and provide a plasmaized reactance gas to the substrate;
An isolator formed around the plasma generation space to electrically insulate the plasma electrode from the injection plate; And
A cushioning member provided at a coupling portion of the isolator and the shower head frame;
Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 아이솔레이터는 세라믹 재질로 형성되고,
상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 감싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트를 전기적으로 절연시키는 수직부; 및
상기 수직부의 상단부에서 외측으로 연장되어 상기 샤워헤드 모듈의 프레임과 상기 플라즈마 전극 사이에 개재되어 상기 프레임과 상기 플라즈마 전극을 전기적으로 절연시키는 플랜지부;
를 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 1,
The isolator is formed of a ceramic material,
A vertical part formed to surround the plasma generation space to electrically insulate the plasma electrode from the injection plate; And
A flange portion extending outward from an upper end portion of the vertical portion and interposed between the frame and the plasma electrode of the showerhead module to electrically insulate the frame and the plasma electrode;
Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus comprising a.
제2항에 있어서,
상기 완충부재는 상기 아이솔레이터의 플랜지부와 상기 프레임 사이에 개재되도록 형성되고,
상기 플랜지부가 상기 프레임에 인접하는 부분인 상기 플랜지부의 하부와 단부를 감싸도록 단면이 'ㄴ'자 형태로 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 2,
The buffer member is formed to be interposed between the flange portion of the isolator and the frame,
Shower head module of the atomic layer deposition apparatus is formed in the 'b' shape so that the flange portion surrounding the lower portion and the end portion of the flange portion adjacent to the frame.
제3항에 있어서,
상기 완충부재는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 3,
The buffer member is a showerhead module of the atomic layer deposition apparatus formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF.
제3항에 있어서,
상기 완충부재에서 상기 플랜지부의 단부와 접촉되는 면에는 상기 플랜지부의 단부와 상기 완충부재를 이격시키는 돌기부가 돌출 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 3,
The showerhead module of the atomic layer deposition apparatus of the buffer member is formed on the surface in contact with the end of the flange portion protruding projections for separating the end of the flange portion and the buffer member.
제3항에 있어서,
상기 완충부재는 상기 아이솔레이터의 둘레를 감싸는 연속된 형태를 갖는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 3,
The buffer member is a showerhead module of the atomic layer deposition apparatus having a continuous shape surrounding the circumference of the isolator.
제3항에 있어서,
상기 아이솔레이터는 상기 완충부재가 결합되는 단차부가 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 3,
The isolator is a showerhead module of the atomic layer deposition apparatus having a stepped portion coupled to the buffer member.
제1항에 있어서,
상기 샤워헤드는 상기 플라즈마 전극, 상기 아이솔레이터 및 상기 프레임이 이 체결부재에 의해서 결합되고,
상기 아이솔레이터와 상기 프레임과 사이에서 상기 체결부재에 의해 구속되지 않는 위치에 상기 완충부재가 구비된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 1,
The shower head is coupled to the plasma electrode, the isolator and the frame by the fastening member,
The showerhead module of the atomic layer deposition apparatus provided with the buffer member in a position not constrained by the fastening member between the isolator and the frame.
제1항에 있어서,
상기 체결부재와 상기 플라즈마 전극 사이에는 완충을 위한 체결부재 지지부가 더 구비된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 1,
Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus further comprises a fastening member support for buffering between the fastening member and the plasma electrode.
제9항에 있어서,
상기 체결부재 지지부는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성되고,
상기 플라즈마 전극의 상부 둘레를 따르는 띠 형태를 갖는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
10. The method of claim 9,
The fastening member support is formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF,
Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus having a band shape along the upper circumference of the plasma electrode.
제9항에 있어서,
상기 플라즈마 전극과 상기 체결부재 사이의 아크 방전을 방지할 수 있도록 절연 재질로 형성된 볼트 와셔가 더 구비되고,
상기 볼트 와셔는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성된 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
10. The method of claim 9,
Further provided with a bolt washer made of an insulating material to prevent arc discharge between the plasma electrode and the fastening member,
The bolt washer is shower head module of the atomic layer deposition apparatus formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC and PVDF.
다수의 기판을 동시에 증착처리하는 세미배치 방식 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈에 있어서,
프리커서 가스를 제공하는 한 쌍의 제1 샤워헤드;
리액턴스 가스를 제공하는 한 쌍의 제2 샤워헤드; 및
프리커서 가스를 제공하고 상기 제1 및 제2 샤워헤드 사이 사이에 배치된 두 쌍의 제3 샤워헤드;
를 포함하고,
상기 제2 샤워헤드는,
상기 리액턴스 가스를 플라즈마화 시키는 전극이 되는 플라즈마 전극;
상기 플라즈마 전극과 평행하게 배치되어 내부에 플라즈마 발생 공간을 형성하고 기판에 플라즈마화된 리액턴스 가스를 제공하는 분사 플레이트;
상기 플라즈마 발생 공간 둘레를 둘러싸도록 형성되어 상기 플라즈마 전극과 상기 분사 플레이트 사이를 전기적으로 절연시키는 아이솔레이터; 및
상기 아이솔레이터와 샤워헤드 프레임의 결합부에 구비되는 완충부재;
를 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
In the showerhead module of a semi-batch atomic layer deposition apparatus for depositing a plurality of substrates at the same time,
A pair of first showerheads providing precursor gas;
A pair of second showerheads providing reactance gas; And
Two pairs of third showerheads providing precursor gas and disposed between the first and second showerheads;
Including,
The second shower head,
A plasma electrode serving as an electrode for plasmalizing the reactant gas;
An injection plate disposed in parallel with the plasma electrode to form a plasma generation space therein and provide a plasmaized reactance gas to the substrate;
An isolator formed around the plasma generation space to electrically insulate the plasma electrode from the injection plate; And
A cushioning member provided at a coupling portion of the isolator and the shower head frame;
Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus comprising a.
제12항에 있어서,
상기 완충부재는 PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC 및 PVDF 중 어느 하나의 재질로 형성되어 상기 아이솔레이터의 둘레를 감싸도록 형성되어 상기 프레임과 상기 아이솔레이터 사이를 이격시키는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 12,
The cushioning member is formed of any one of PFFE, PGFE, PET, VITON, ABS, MCNYLON, PFA, PEEK, PE, PP, PVC, and PVDF to surround the isolator between the frame and the isolator. Showerhead module of the atomic layer deposition apparatus spaced apart.
제12항에 있어서,
상기 제2 샤워헤드에 플라즈마를 인가하는 플라즈마 제공부를 더 포함하는 원자층 증착장치의 샤워헤드 모듈.
The method of claim 12,
The showerhead module of the atomic layer deposition apparatus further comprises a plasma providing unit for applying a plasma to the second showerhead.
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