KR20120134241A - A method and an apparatus for repairing glass - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method and apparatus for repairing a glass substrate are provided to reduce a residual portion as a protrusion with a large diameter is repaired and a ground portion is formed in a wide range. CONSTITUTION: An apparatus for repairing a glass substrate comprises a measuring unit, a judging unit, and a repairing unit(35). The measuring unit measures the size of a protruding portion. The judging unit determines the way of repairing the substrate on the basis of the diameter of the protruding portion. The repairing unit repairs the protruding portion on the substrate. The repairing unit comprises a grinding head(130) and a grinding tape(144). The grinding head vertically presses the protruding portion on the substrate. The grinding tape horizontally moves in contact with the grinding head, and repairs the protruding portion.

Description

유리기판의 리페어 장치 및 유리기판의 리페어 방법{A method and an apparatus for repairing glass} Repair apparatus for glass substrate and repair method for glass substrate {A method and an apparatus for repairing glass}

실시 예는 유리기판의 리페어 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a repair apparatus for a glass substrate.

실시 예는 유리기판의 리페어 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a repair method of a glass substrate.

정보를 표시하기 위한 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 표시장치는, 예컨대 액정표시장치(liquid crystal display device), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel device), 전기 영동 표시장치(electrophoretic display device), 유기 전계 발광 표시장치(organic electro-luminescence display device) 및 반도체 발광표시장치(semiconductor light-emitting display device)를 포함한다. 이 중에서 액정표시장치는 경박단소, 고휘도 풀컬러 및 대형화의 장점을 가지므로, 표시장치 중의 주류로 각광받고 있다.Various display apparatuses for displaying information have been developed. The display device is, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, an electrophoretic display device, an organic electro-luminescence display device and a semiconductor. And a semi-conductor light-emitting display device. Among them, the liquid crystal display device has the advantages of light and small, high brightness, full color, and large size, and thus has been in the spotlight in the mainstream of the display device.

액정표시장치는 각각 전극을 포함하는 두 유리기판 사이에 액정들이 게재되어, 액정들의 변위에 따른 광의 투과/차단을 제어하여 정보를 표시한다.In the liquid crystal display, liquid crystals are placed between two glass substrates each including an electrode, and display information by controlling transmission / blocking of light according to displacement of the liquid crystals.

이러한 액정표시장치의 유리기판 제조방법은 대표적으로 플로트법(Float Process), 다운드로우법(Down Draw Process), 리드로우법(Redraw Process) 및 오버플로우 다운드로우법(Overflow Downdraw Fusion Process)이 있다.Glass substrate manufacturing methods of such liquid crystal display devices typically include a float process, a down draw process, a redraw process, and an overflow downdraw fusion process.

도 1은 오버플로우 다운드로우법에 의한 유리기판의 제조장치를 도시한 도면이다. 1 is a view showing an apparatus for manufacturing a glass substrate by the overflow downdraw method.

도 1의 유리기판의 제조장치는 아이소파이프(13)를 포함한다.The apparatus for manufacturing a glass substrate of FIG. 1 includes an isopipe 13.

상기 아이소파이프(13)는 수집 통 (11) 및 루트(15)를 포함하고, 공급파이프(9)와 연결된다. 상기 아이소파이프(13)는 내화성이 강한 백금 등의 물질로 구성될 수 있다. The isopipe 13 comprises a collecting vessel 11 and a root 15 and is connected with a feed pipe 9. The isopipe 13 may be made of a material such as platinum having high fire resistance.

상기 오버플로우 다운드로우법에 의한 유리기판 제조공정은 용융 유리를 상기 공급파이프(9)를 통해 상기 아이소파이프(13)의 상기 수집통(11)으로 공급한다. 용융 유리는 상기 수집통(11)에 차오르고, 이후 상기 수집통(11) 상단에 넘쳐흐른다. 넘쳐흐른 용융유리는 상기 아이소파이프(13)의 외부 면을 따라서 아래쪽으로 흐르게 된다. 상기 아이소파이프(13)의 양쪽 외부 면을 따라 흐른 용융유리는 상기 아이소파이프(13)의 루트(15)에서 만나는데, 여기서 단일 유리기판을 형성하게 된다.In the glass substrate manufacturing process by the overflow downdraw method, molten glass is supplied to the collecting tube 11 of the isopipe 13 through the supply pipe 9. The molten glass fills the collecting container 11 and then overflows the upper part of the collecting container 11. The overflowed molten glass flows downward along the outer surface of the isopipe 13. The molten glass that flows along both outer surfaces of the isopipe 13 meets at the root 15 of the isopipe 13, where it forms a single glass substrate.

상기 오버플로우 다운드로우법에 의한 유리기판 제조공정은 유리기판이 상기 이소 파이프(13)에만 접촉하게 되어 외부 면이 우수한 유리기판을 얻을 수 있는 장점이 있다. 다만, 아이소파이프(13)를 형성하는 백금 등의 물질이 이탈하여 유리기판의 표면이나 내부에 포함되어 유리기판 표면 돌출현상이 발생하는 문제가 있다. The glass substrate manufacturing process by the overflow downdraw method has an advantage that the glass substrate is in contact only with the isopipe 13, thereby obtaining a glass substrate having an excellent outer surface. However, there is a problem in that a material such as platinum forming the isopipe 13 is separated and included in the surface or the inside of the glass substrate to cause protrusion of the glass substrate surface.

실시 예는 돌출부를 포함하는 유리기판의 리페어가 가능한 리페어 방법을 제공한다.The embodiment provides a repair method capable of repairing a glass substrate including a protrusion.

실시 예는 돌출부를 포함하는 유리기판의 리페어가 가능한 리페어 장치를 제공한다.The embodiment provides a repair apparatus capable of repairing a glass substrate including a protrusion.

실시 예에 따르면 유리기판의 리페어 장치는, 기판상의 돌출부의 크기를 측정하는 측정부; 상기 측정부에 측정된 돌출부의 지름에 따라 리페어 방법을 결정하는 판단부; 상기 판단부의 명령으로 기판의 돌출부를 리페어하는 리페어부를 포함하고, 상기 리페어부는, 상기 기판상의 돌출부를 수직방향으로 압박하는 연마 헤드; 및 상기 연마 헤드와 접촉하여 수평방향으로 이동하며 상기 기판상의 돌출부를 리페어하는 연마테이프를 포함한다.According to an embodiment, a repair apparatus for a glass substrate may include a measuring unit measuring a size of a protrusion on a substrate; A determination unit to determine a repair method according to the diameter of the protrusion measured in the measurement unit; And a repair portion for repairing the protrusion of the substrate by the command of the determination unit, wherein the repair portion includes: a polishing head configured to press the protrusion on the substrate in a vertical direction; And a polishing tape which moves in a horizontal direction in contact with the polishing head and repairs the protrusion on the substrate.

실시 예에 따르면 유리기판의 리페어 방법은, 기판상의 돌출부의 크기를 측정하는 단계; 상기 돌출부의 지름에 따라 리페어 방법을 결정하는 단계; 상기 리페어 방법에 의해 상기 기판의 돌출부를 리페어부에서 리페어하는 단계; 및 상기 리페어부의 리페어 후 돌출부의 크기를 재측정하는 단계를 포함하고, 상기 리페어부는, 상기 기판상의 돌출부를 수직방향으로 압박하는 연마 헤드; 및 상기 연마 헤드와 접촉하여 수평방향으로 이동하며 상기 기판상의 돌출부를 리페어하는 연마테이프를 포함한다.According to an embodiment, a repair method of a glass substrate may include measuring a size of a protrusion on a substrate; Determining a repair method according to the diameter of the protrusion; Repairing the protruding portion of the substrate at the repair portion by the repair method; And re-measuring the size of the protrusion after repair of the repair portion, wherein the repair portion includes: a polishing head configured to press the protrusion on the substrate in a vertical direction; And a polishing tape which moves in a horizontal direction in contact with the polishing head and repairs the protrusion on the substrate.

실시 예는 유리기판의 돌출부를 연마하여 액정표시장치의 기판으로 이용할 수 있도록 하는 유리기판의 리페어 장치를 제공한다.The embodiment provides a repair apparatus for a glass substrate that polishes the protrusions of the glass substrate to be used as a substrate of the liquid crystal display device.

실시 예는 유리기판의 돌출부를 연마하여 액정표시장치의 기판으로 이용할 수 있도록 하는 유리기판의 리페어 방법을 제공한다.The embodiment provides a method for repairing a glass substrate, which can be used as a substrate of a liquid crystal display by polishing the protrusion of the glass substrate.

도 1은 오버플로우 다운드로우법에 의한 유리기판의 제조장치를 도시한 도면이다.
도 2는 미세패턴을 포함한 유리기판에 의해 형성된 액정표시장치의 화소 영역을 나타낸 도면이다.
도 3은 유리기판 리페어 장치에 대한 블록도이다.
도 4는 리페어부에 대한 도면이다.
도 5는 유리기판 리페어 장치에 사용되는 연마 헤드에 대한 도면이다.
도 6은 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 후 형성된 유리기판이다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 연마 헤드 크기에 대한 실험 데이터의 그래프이다.
도 8a는 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어장치의 연마속도가 15mm/s 일때의 돌출부 높이에 대한 연마시간의 그래프이다.
도 8b는 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어장치의 연마속도가 20mm/s 일 때의 돌출부 높이에 대한 연마시간의 그래프이다.
도 9는 제1 실시 예의 잔고 높이에 따른 잔존부 높이에 대한 그래프이다.
도 10은 제2 실시 예에 따른 유리기판 리페어 방법을 나타낸 도면이다.
1 is a view showing an apparatus for manufacturing a glass substrate by the overflow downdraw method.
2 is a diagram illustrating a pixel area of a liquid crystal display device formed by a glass substrate including a fine pattern.
3 is a block diagram of a glass substrate repair apparatus.
4 is a diagram of a repair unit.
5 is a view of a polishing head used in the glass substrate repair apparatus.
6 is a glass substrate formed after the glass substrate repair according to the first embodiment.
7 is a graph of experimental data on the polishing head size according to the first embodiment.
8A is a graph of polishing time versus height of a protrusion when the polishing rate of the glass substrate repair apparatus according to the first embodiment is 15 mm / s.
8B is a graph of polishing time versus height of a protrusion when the polishing speed of the glass substrate repair apparatus according to the first embodiment is 20 mm / s.
FIG. 9 is a graph of the remaining part height according to the balance height of the first embodiment. FIG.
10 is a view illustrating a glass substrate repairing method according to a second embodiment.

도 2는 미세패턴을 포함한 유리기판에 의해 형성된 액정표시장치의 화소 영역을 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a pixel area of a liquid crystal display device formed by a glass substrate including a fine pattern.

도 2의 액정표시장치(20)는 상판(23), 하판(21) 및 상기 상판(23)과 하판(21)사이에 형성된 액정층(29)을 포함한다.The liquid crystal display 20 of FIG. 2 includes an upper plate 23, a lower plate 21, and a liquid crystal layer 29 formed between the upper plate 23 and the lower plate 21.

상기 상판(23)에는 공통전극(27)이 형성될 수 있다. 상기 공통전극(27)은 투명한 도전물질로 형성될 수 있다.The common electrode 27 may be formed on the upper plate 23. The common electrode 27 may be formed of a transparent conductive material.

상기 하판(21)에는 화소 전극(25)이 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(15)은 투명한 도전물질로 형성될 수 있다. The pixel electrode 25 may be formed on the lower plate 21. The pixel electrode 15 may be formed of a transparent conductive material.

상기 액정표시장치(20)는 상기 화소 전극(25) 및 공통전극(27)의 전위차에 의해 액정층(29)을 형성하는 액정(26)의 굴절률이 변화하고 변화한 액정의 굴절률에 의해 광의 투과/차단이 제어되어 정보를 표시한다.The liquid crystal display device 20 transmits light due to a change in refractive index of the liquid crystal 26 forming the liquid crystal layer 29 due to a potential difference between the pixel electrode 25 and the common electrode 27. / Blocking is controlled to display information.

Figure pat00001
Figure pat00001

수학식 1은 전기장의 세기에 따른 액정의 굴절률의 변화를 정의하는 kerr효과를 나타낸다.Equation 1 shows the kerr effect of defining the change of the refractive index of the liquid crystal with the strength of the electric field.

액정의 굴절률(Δn)은 광의 파장(λ), kerr상수(K) 및 전기장의 세기(E)의 제곱에 각각 비례한다. 다시 말해, 액정의 굴절률은 전기장의 세기(E)의 제곱, 광의 파장(λ) 및 kerr상수(K)의 곱으로 나타낼 수 있다.The refractive index Δn of the liquid crystal is proportional to the square of the wavelength λ of the light, the kerr constant K, and the intensity E of the electric field, respectively. In other words, the refractive index of the liquid crystal may be expressed as the product of the square of the intensity (E) of the electric field, the wavelength (λ) of the light and the kerr constant (K).

상기 전기장의 세기(E)는 화소 전극과 공통전극 간의 전위차(V)에 비례하고 전극 사이의 간격(d)에 반비례한다. 즉, E=V/d의 관계식을 만족한다.The intensity E of the electric field is proportional to the potential difference V between the pixel electrode and the common electrode and is inversely proportional to the distance d between the electrodes. That is, it satisfies the relation of E = V / d.

따라서, 액정의 굴절률(Δn)을 전극 사이의 간격(d)으로 나타내면 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.Therefore, when the refractive index Δn of the liquid crystal is represented by the interval d between the electrodes, it may be defined as in Equation 2.

Figure pat00002
Figure pat00002

수학식 2에 의해 액정의 굴절률(Δn)은 화소 전극과 공통전극 간의 전위차(V)의 제곱에 비례하고, 전극 사이의 간격(d)의 제곱에 반비례한다.According to Equation 2, the refractive index Δn of the liquid crystal is proportional to the square of the potential difference V between the pixel electrode and the common electrode, and inversely proportional to the square of the interval d between the electrodes.

도 2의 액정표시장치(20)의 하판(21)은 도 1의 오버플로우 다운드로우법에 의한 유리기판 성형중 발생한 미세패턴(22)을 포함한다.The lower plate 21 of the liquid crystal display device 20 of FIG. 2 includes a fine pattern 22 generated during glass substrate forming by the overflow downdraw method of FIG. 1.

상기 하판(21)은 상기 미세패턴(22)에 의해 형성된 돌출부(24) 및 미세패턴(22)에 의한 영향이 없는 평탄부(28)를 포함한다.The lower plate 21 includes a protrusion 24 formed by the micropattern 22 and a flat portion 28 free from the influence of the micropattern 22.

상기 하판(21)의 돌출부(24)와 평탄부(28)상에 화소 전극(25)이 형성된다. 상기 평탄부(28)에서의 상기 화소 전극(25)과 상기 상판(23)의 공통전극(27) 사이의 간격을 제1 간격(d1)으로 나타내고, 상기 돌출부(24)에서의 상기 화소 전극(25)과 상기 상판(23)의 공통전극(27) 사이의 간격을 제2 간격(d2)으로 나타낼 수 있다. 상기 미세패턴(22)에 의해 제1 간격(d1)이 제2 간격(d2)보다 더 크게 형성된다.The pixel electrode 25 is formed on the protruding portion 24 and the flat portion 28 of the lower plate 21. An interval between the pixel electrode 25 in the flat portion 28 and the common electrode 27 of the upper plate 23 is represented by a first interval d1, and the pixel electrode in the protrusion 24 is formed. The distance between the common electrode 27 of the upper plate 23 and the second plate 23 may be represented by a second interval d2. The first pattern d1 is larger than the second gap d2 by the fine pattern 22.

따라서, 평탄부(28)에서의 제1 간격(d1)과 돌출부(24)에서의 제2 간격(d2)이 상이하므로, 상기 평탄부(28)에서 형성된 전위차와 상기 돌출부(24)에서 형성된 전위차 또한 상이해진다. 이에 따라, 평탄부(28)와 돌출부(24)에서의 액정의 굴절률이 서로 상이해지게 되어 결국 정확한 휘도 제어가 어려운 문제가 있다. 다시 말해, 액정에 의한 정확한 휘도 제어를 위해서는 하판(21)과 상판(23) 사이의 간격이 모든 영역에 있어서 균일해야 한다.Therefore, since the first interval d1 in the flat portion 28 and the second interval d2 in the protrusion 24 are different, the potential difference formed in the flat portion 28 and the potential difference formed in the protrusion 24 are different. It also becomes different. Accordingly, the refractive indices of the liquid crystals in the flat part 28 and the protrusion part 24 become different from each other, and thus, there is a problem that accurate luminance control is difficult. In other words, for accurate luminance control by the liquid crystal, the distance between the lower plate 21 and the upper plate 23 should be uniform in all regions.

이상에서의 설명은 미세패턴(22)이 하판(21)에 포함된 경우에 대해 설명하고 있으나, 상판(23)에 미세패턴(22)이 포함된 경우에도 동일하게 적용된다. 다시 말해 본 발명은 하판(21) 및 상판(23)을 포함하는 유리기판에 대해 적용될 수 있다.The above description has been made about the case where the fine pattern 22 is included in the lower plate 21, but the same applies to the case where the fine pattern 22 is included in the upper plate 23. In other words, the present invention can be applied to the glass substrate including the lower plate 21 and the upper plate 23.

도 3은 유리기판 리페어 장치에 대한 블록도이다.3 is a block diagram of a glass substrate repair apparatus.

도 3의 유리기판 리페어 장치는 측정부(31), 판단부(33) 및 리페어부(35) 를 포함할 수 있다.The glass substrate repair apparatus of FIG. 3 may include a measurement unit 31, a determination unit 33, and a repair unit 35.

상기 측정부(31)는 돌출부(24)의 높이 및 지름을 측정한다. 상기 측정부(31)는 작은 크기의 돌출부(24)를 측정하기 위해 WSI(White Light Source Interperometry) 방식으로 구성될 수 있다. 상기 WSI방식은 백색광의 제한간섭성을 이용하여 간섭무늬의 가치성이 최대로 되는 위치를 감지하여 높은 단차를 갖는 3차원 형상을 측정하기 위한 광학측정기법이다. The measuring unit 31 measures the height and diameter of the protrusion 24. The measuring unit 31 may be configured by a white light source interperometry (WSI) method to measure the protrusion 24 having a small size. The WSI method is an optical measuring technique for measuring a three-dimensional shape having a high step by detecting a position where the value of the interference fringe is maximized by using the limited coherence of white light.

상기 판단부(33)는 상기 측정부(31)에 의한 측정값에 의해 리페어 여부 및 리페어방법을 결정한다. 상기 판단부(33)는 상기 측정부(31)에 의해 측정된 돌출부(24)의 지름에 따라 유리기판의 리페어 방법을 결정한다.The determination unit 33 determines whether to repair or a repair method based on the measured value by the measurement unit 31. The determination unit 33 determines the repair method of the glass substrate according to the diameter of the protrusion 24 measured by the measuring unit 31.

상기 판단부(33)는 예를 들어 상기 측정부(31)에 의해 측정된 돌출부(24)의 지름이 600㎛ 초과인 경우와 600㎛ 이하인 경우로 분류하여 유리기판의 리페어 방법을 결정할 수 있다.For example, the determination unit 33 may determine the repair method of the glass substrate by classifying the case where the diameter of the protrusion 24 measured by the measurement unit 31 is greater than 600 μm and less than 600 μm.

예를 들어 상기 돌출부(24)의 지름이 600㎛ 이하인 경우 상기 판단부(33)는 제1 실시 예에 의해 유리기판을 리페어하도록 리페어부(35)를 구동할 수 있다. 예를 들어 상기 돌출부(24)의 지름이 600㎛ 초과인 경우 상기 판단부(33)는 제2 실시 예에 의해 유리기판을 리페어하도록 리페어부(35)를 구동할 수 있다.For example, when the diameter of the protrusion 24 is 600 μm or less, the determination unit 33 may drive the repair unit 35 to repair the glass substrate according to the first embodiment. For example, when the diameter of the protrusion 24 is greater than 600 μm, the determination unit 33 may drive the repair unit 35 to repair the glass substrate according to the second embodiment.

상기 리페어부(35)는 상기 판단부(33)의 명령에 의해 미세패턴을 포함하는 유리기판의 돌출부(24)를 리페어한다. 상기 돌출부(24)의 리페어에 대해서는 이후에 설명한다.The repair unit 35 repairs the protrusion 24 of the glass substrate including the fine pattern by the command of the determination unit 33. The repair of the protrusions 24 will be described later.

상기 리페어부(35)에 의해 리페어된 유리기판의 돌출부가 있던 영역은 상기 측정부(31)에 의해 재측정될 수 있다. 상기 재측정에 의해 남아 있는 돌출부는 다시 상기 리페어부(35)에 의해 리페어 될 수 있다. The area where the protrusion of the glass substrate repaired by the repair unit 35 may be remeasured by the measurement unit 31. The protruding portion remaining by the remeasurement may be repaired by the repair portion 35 again.

도 4는 리페어부에 대한 도면이다.4 is a diagram of a repair unit.

상기 리페어부(35)는 연마 헤드(130), 연마테이프(144), 제1 롤러(140) 및 제2 롤러(142)를 포함할 수 있다.The repair unit 35 may include a polishing head 130, a polishing tape 144, a first roller 140, and a second roller 142.

상기 연마 헤드(130)는 상하운동을 하며, 미세패턴(122)을 포함하는 유리기판(121)의 돌출부(124)를 수직방향으로 압박한다.The polishing head 130 moves up and down and presses the protrusion 124 of the glass substrate 121 including the fine pattern 122 in the vertical direction.

상기 연마테이프(144)는 상기 연마 헤드(130)의 하면에 접촉하여 수평방향으로 이동한다. The polishing tape 144 moves in a horizontal direction in contact with the lower surface of the polishing head 130.

상기 돌출부(124)에 상기 연마테이프(144) 및 상기 연마 헤드(130)의 접촉부를 접촉하여 상기 돌출부(124)를 깎아낸다. 다시 말해, 상기 리페어부(35)는 상기 돌출부(124)의 평탄화를 위해 상기 연마 헤드(130)를 이용해 상기 돌출부(124)를 수직방향으로 압박함과 동시에 상기 연마테이프(144)를 수평방향으로 이동시켜 상기 돌출부(124)를 리페어할 수 있다.The protrusion 124 is contacted with the contact portion of the polishing tape 144 and the polishing head 130 to cut off the protrusion 124. In other words, the repair unit 35 presses the protrusion 124 in the vertical direction by using the polishing head 130 to planarize the protrusion 124 and simultaneously pushes the polishing tape 144 in the horizontal direction. By moving, the protrusion 124 may be repaired.

상기 제1 롤러(140)는 상기 연마테이프(144)를 원형으로 유지하고 있다가 상기 연마테이프(144)의 수평방향으로의 이동에 의해 상기 연마테이프(144)를 상기 제2 롤러(142)로 제공할 수 있다. 상기 제1 롤러(140)는 상기 연마테이프(144)를 제공하기 위한 회전운동을 하는 동력을 포함할 수 있다.The first roller 140 maintains the polishing tape 144 in a circular shape, and then moves the polishing tape 144 to the second roller 142 by moving the polishing tape 144 in a horizontal direction. Can provide. The first roller 140 may include a power for a rotational motion for providing the polishing tape 144.

상기 제2 롤러(142)는 상기 연마테이프(144)를 수평방향으로 당겨오는 역할을 할 수 있다. 상기 제2 롤러(142)는 상기 연마테이프(144)를 감기 위한 회전운동을 하는 동력을 포함할 수 있다.The second roller 142 may serve to pull the polishing tape 144 in the horizontal direction. The second roller 142 may include a power for rotating the winding of the polishing tape 144.

상기 연마 헤드(130)는 스테인레스 스틸 재질로 구성될 수 있다.The polishing head 130 may be made of stainless steel.

상기 연마테이프(144)는 연마입자가 증착된 폴리에스테르 재질로 구성될 수 있다. 상기 연마입자는 다이아몬드입자일 수 있다.The abrasive tape 144 may be made of a polyester material on which abrasive particles are deposited. The abrasive particles may be diamond particles.

상기 연마테이프(144)는 유리기판의 리페어에 의해 상기 연마테이프(144)로 부터 깎여나간 돌출부조각을 회수할 수 있다. 상기 연마테이프(144)는 상기 돌출부 조각을 점착시켜 상기 제2 롤러(142)에 감겨 상기 돌출부 조각을 제거할 수 있다. 상기 돌출부 조각은 연마테이프(144)에 점착되므로 유리기판 리페어 후 별도의 세정공정이 필요 없게 된다. The polishing tape 144 may recover the protruding pieces scraped from the polishing tape 144 by the repair of the glass substrate. The polishing tape 144 may be adhered to the protrusion pieces to be wound around the second roller 142 to remove the protrusion pieces. The protrusion pieces are adhered to the polishing tape 144 so that a separate cleaning process is not required after the glass substrate repair.

도 5는 유리기판 리페어 장치에 사용되는 연마 헤드에 대한 도면이다.5 is a view of a polishing head used in the glass substrate repair apparatus.

도 5를 참조하면 연마 헤드(130)는 원기둥 모양으로 구성된다. 상기 연마 헤드(130)의 하면은 곡선으로 구성된다. 상기 연마 헤드(130)는 지름(133) 및 곡률반경(135)으로 정의될 수 있다. Referring to FIG. 5, the polishing head 130 has a cylindrical shape. The lower surface of the polishing head 130 is composed of a curve. The polishing head 130 may be defined by a diameter 133 and a radius of curvature 135.

상기 지름(133)은 상기 원기둥 모양의 연마 헤드(130)를 수평방향으로 절단했을 때 나타나는 원의 지름을 의미한다.The diameter 133 means the diameter of the circle that appears when the cylindrical polishing head 130 is cut in the horizontal direction.

상기 곡률반경(135)은 곡선으로 구성된 하면을 원호로 보았을 때 상기 원호를 연장했을 때 그려지는 원의 반지름을 의미한다.The radius of curvature 135 refers to the radius of a circle drawn when the arc is extended when the lower surface of the curve is viewed as an arc.

도 6은 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 후 형성된 유리기판이다.6 is a glass substrate formed after the glass substrate repair according to the first embodiment.

도 6을 참조하면 수정 유리기판(221)은 상기 유리기판 리페어 장치에 의해 리페어된 연마부(224)를 포함한다. 상기 수정 유리기판(221)은 상기 유리기판 리페어 장치에 의해 돌출부(124)가 연마되어 연마부(224)를 구성할 수 있다. Referring to FIG. 6, the quartz glass substrate 221 includes a polishing unit 224 repaired by the glass substrate repair apparatus. In the quartz glass substrate 221, the protrusion 124 may be polished by the glass substrate repair apparatus to form the polishing part 224.

상기 수정 유리기판(221)은 상기 유리기판 리페어 장치에 의해 연마되더라도 미세패턴(222)을 포함할 수 있다. 상기 수정 유리기판(221)이 상기 미세패턴(222)을 포함한다 할지라도 수정유리기판(221)에는 상기 돌출부(124)가 제거되는 것이므로, 연마부(224)에서의 제2 간격은 평탄부(228)에서의 제1 간격과 동일하거나 거의 비슷해질 수 있다. 따라서, 상기 평탄부(228)와 상기 연마부(224)에서의 전계 세기의 오차범위가 줄어들고, 액정의 굴절률의 오차도 줄어들어 상기 수정유리기판(221)을 액정표시장치의 기판으로 사용할 수 있다.The quartz glass substrate 221 may include a fine pattern 222 even when polished by the glass substrate repair apparatus. Although the quartz glass substrate 221 includes the fine pattern 222, the protrusion 124 is removed from the quartz glass substrate 221, so that the second gap in the polishing unit 224 may be a flat portion ( 228 may be equal to or substantially similar to the first interval. Therefore, the error range of the electric field strength in the flat part 228 and the polishing part 224 is reduced, and the error in the refractive index of the liquid crystal is also reduced, so that the quartz glass substrate 221 can be used as the substrate of the liquid crystal display device.

상기 수정유리기판(221)의 상기 연마부(224)는 연마 헤드(130)에 의해 연마되므로 상기 연마 헤드(130)의 모양에 따라 하부가 오목한 원의 형상을 가진다. 상기 연마부(224)는 연마폭(210) 및 잔고 높이(220)로 정의될 수 있다. 상기 연마폭(210)은 원형의 상기 연마부(224)의 지름일 수 있다. 상기 잔고 높이(220)는 상기 평탄부(228)의 수평방향 연장선을 기준으로 상기 연마 헤드(130)의 끝이 도달하는 위치까지의 거리일 수 있다. 상기 잔고 높이(220)는 플러스 기호 또는 마이너스 기호로 표현될 수 있다. 상기 잔고 높이(220)가 마이너스 기호를 가지는 경우는 상기 평탄부(228)를 기준으로 상기 연마 헤드(130)의 끝이 아래쪽까지 도달하였음을 의미한다. 상기 잔고 높이(220)가 플러스 기호를 가지는 경우는 상기 평탄부(228)를 기준으로 상기 연마 헤드(130)의 끝이 위쪽에 도달하였음을 의미한다.Since the polishing portion 224 of the quartz glass substrate 221 is polished by the polishing head 130, the lower portion of the quartz glass substrate 221 has a concave shape according to the shape of the polishing head 130. The polishing unit 224 may be defined as the polishing width 210 and the balance height 220. The polishing width 210 may be a diameter of the polishing portion 224 of a circular shape. The balance height 220 may be a distance to a position where the end of the polishing head 130 reaches based on a horizontal extension line of the flat portion 228. The balance height 220 may be represented by a plus sign or a minus sign. When the balance height 220 has a minus sign, it means that the end of the polishing head 130 has reached down to the flat part 228. When the balance height 220 has a plus sign, it means that the end of the polishing head 130 has reached upward based on the flat part 228.

상기 연마부(224)는 잔존부(213)를 포함할 수 있다. 상기 연마부(224)는 하부방향으로 볼록한 연마 헤드(130)에 의해 상부 방향으로 볼록한 돌출부(124)가 연마되어 형성되므로 상기 잔존부(213)가 형성될 수 있다. 상기 잔존부(213)는 상기 평탄부(228)의 상면으로부터 수평방향으로 연장된 연장선을 기준으로 상부 방향으로 돌출된 형상일 수 있다. 상기 잔존부(213)의 높이는 상기 연장선으로부터 피크점을 갖는 상기 잔존부(213)의 최상부까지의 직선거리로 정의될 수 있다. 상기 잔존부(213)의 높이는 플러스 기호 또는 마이너스 기호로 표현될 수 있다. 상기 잔존부(213)의 높이가 플러스기호 일 때는 상기 잔존부(213)가 상기 평탄부(228)를 기준으로 위쪽으로 형성되어 있다. 상기 잔존부(213)의 높이가 마이너스 기호일 때는 상기 잔존부(213)가 상기 평탄부(228)를 기준으로 아래쪽에 형성되어 있다.The polishing part 224 may include a remaining part 213. The remaining portion 213 may be formed because the polishing portion 224 is formed by polishing the protrusion 124 convex upwardly by the polishing head 130 convex downwardly. The remaining portion 213 may protrude in an upward direction based on an extension line extending in a horizontal direction from an upper surface of the flat portion 228. The height of the remaining portion 213 may be defined as a straight line distance from the extension line to the top of the remaining portion 213 having a peak point. The height of the remaining portion 213 may be represented by a plus sign or a minus sign. When the height of the remaining portion 213 is a plus sign, the remaining portion 213 is formed upward based on the flat portion 228. When the height of the remaining portion 213 is a minus sign, the remaining portion 213 is formed below the flat portion 228.

표 1은 제1 실시 예에 따른 연마 헤드 크기에 대한 실험 데이터이며, 도 7은 제1 실시 예에 따른 연마 헤드 크기에 대한 실험 데이터의 그래프이다.Table 1 shows experimental data on the size of the polishing head according to the first embodiment, and FIG. 7 is a graph of experimental data on the size of the polishing head according to the first embodiment.

연마헤드크기(mm)Polishing Head Size (mm) 1차Primary 2차Secondary 3차Third 4차4th 5차5th 6차6th 7차7th 8차8th 9차9th 10차10th 연마폭 (㎛)Polishing width (㎛) 결과result 55 155155 153153 149149 151151 139139 152152 148148 150150 153153 159159 150.9150.9 연마 폭이 좁다Narrow grinding width 1010 199199 203203 190190 197197 188188 215215 204204 201201 213213 205205 201.5201.5 연마폭이 좁다Narrow grinding width 1515 251251 255255 248248 247247 239239 251251 253253 252252 257257 250250 250.3250.3 연마폭이 좁다Narrow grinding width 2020 288288 289289 315315 287287 295295 298298 297297 286286 311311 301301 296.7296.7 연마폭이 좁다Narrow grinding width 2525 343343 342342 338338 348348 349349 350350 351351 349349 355355 352352 347.7347.7 연마폭이 좁다Narrow grinding width 3030 397397 396396 385385 400400 411411 398398 397397 395395 389389 403403 397.1397.1 연마폭이 좁다Narrow grinding width 3535 440440 452452 459459 448448 436436 443443 452452 461461 453453 452452 449.6449.6 연마폭이 좁다Narrow grinding width 4040 488488 503503 507507 508508 515515 501501 499499 511511 503503 512512 504.7504.7 연마폭이 좁다Narrow grinding width 4545 551551 556556 552552 549549 553553 556556 551551 547547 552552 553553 552552 연마폭이 좁다Narrow grinding width 5050 590590 583583 615615 601601 613613 607607 595595 611611 596596 609609 602602 5555 661661 638638 637637 648648 647647 644644 652652 661661 650650 648648 648.6648.6 6060 685685 694694 713713 695695 698698 711711 705705 702702 698698 689689 699699 연마테이프 파손Polishing Tape Damage 6565 763763 762762 744744 743743 753753 746746 748748 745745 739739 746746 748.9748.9 연마테이프 파손Polishing Tape Damage 7070 789789 798798 795795 796796 794794 799799 811811 799799 810810 812812 799.4799.4 연마테이프 파손Polishing Tape Damage 7575 861861 846846 847847 844844 845845 852852 853853 846846 851851 837837 848.2848.2 연마테이프 파손Polishing Tape Damage 8080 912912 883883 905905 903903 894894 896896 892892 899899 897897 907907 898.8898.8 연마테이프 파손Polishing Tape Damage

제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 장치는 600㎛이하의 돌출부를 가지는 유리기판을 리페어한다. 따라서 도 6의 연마폭(210)이 적어도 600㎛ 이상이 되어야한다.The glass substrate repair apparatus according to the first embodiment repairs a glass substrate having a protrusion of 600 μm or less. Therefore, the polishing width 210 of FIG. 6 should be at least 600 μm.

적정한 연마 헤드의 크기를 확정하기 위해서 다른 변수를 고정해야 한다. 실험에서는 연마속도를 10mm/s, 잔고 높이를 -0.5㎛ 및 연마시간을 20초로 고정하고, 변화가 힘든 상기 연마 헤드(130)의 지름(133)을 12mm로 고정하며, 연마 헤드(130)의 곡률반경(135) 변화시킴에 따라 적정한 연마폭을 실험하여 상기 연마 헤드(130)의 크기를 확정한다.Other variables must be fixed to determine the proper grinding head size. In the experiment, the polishing rate was fixed at 10 mm / s, the balance height at -0.5 μm, and the polishing time was 20 seconds, and the diameter 133 of the polishing head 130 which was difficult to change was fixed at 12 mm. As the radius of curvature 135 is changed, an appropriate polishing width is tested to determine the size of the polishing head 130.

상기 연마 헤드(130)의 곡률반경(135)을 5mm 내지 80mm까지 5mm간격으로 연마를 실시한 결과 5mm 내지 45mm까지의 곡률반경(135)을 가지는 연마 헤드(130)의 경우 연마폭(210)이 600㎛ 이하이므로 제1 실시 예의 유리기판 리페어 장치에 적절하지 않다. 상기 연마 헤드(130)의 곡률반경(135)이 60㎛ 내지 80㎛인 경우 연마테이프(144)가 파손되게 되어 제1 실시 예의 유리기판 리페어 장치에 적절하지 않다. 따라서, 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 장치의 연마 헤드(130)의 곡률반경은 50㎛ 내지 55㎛일 때가 가장 효과적이다.As a result of polishing the curvature radius 135 of the polishing head 130 at 5 mm intervals up to 5 mm to 80 mm, in the case of the polishing head 130 having the curvature radius 135 ranging from 5 mm to 45 mm, the polishing width 210 is 600. It is not suitable for the glass substrate repair apparatus of the first embodiment because it is less than or equal to μm. When the radius of curvature 135 of the polishing head 130 is 60 μm to 80 μm, the polishing tape 144 may be damaged, which is not suitable for the glass substrate repair apparatus of the first embodiment. Therefore, the radius of curvature of the polishing head 130 of the glass substrate repair apparatus according to the first embodiment is most effective when it is 50㎛ to 55㎛.

도 8a는 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 장치의 연마속도가 15mm/s 일때의 돌출부 높이에 대한 연마시간의 그래프를 나타내고, 도 8b는 제1 실시 예에 따른 유리기판 리페어 장치의 연마속도가 20mm/s 일 때의 돌출부 높이에 대한 연마시간의 그래프를 나타낸다.FIG. 8A shows a graph of polishing time versus height of a protrusion when the polishing rate of the glass substrate repair apparatus according to the first embodiment is 15 mm / s, and FIG. 8B shows the polishing rate of the glass substrate repair apparatus according to the first embodiment. A graph of the polishing time against the height of the protrusion at 20 mm / s is shown.

도 8a 및 도 8b에서는 적절한 연마속도를 찾기 위해 잔고 높이(220)를 -0.5㎛, 연마 헤드의 곡률반경(135)을 50mm로 고정한다. 연마시간은 돌출부의 높이가 0.2㎛ 이하가 될 때까지 연마한 시간으로 정의한다.In FIG. 8A and FIG. 8B, the balance height 220 is fixed to −0.5 μm and the radius of curvature 135 of the polishing head is 50 mm to find an appropriate polishing rate. Polishing time is defined as the time polished until the height of a protrusion becomes 0.2 micrometer or less.

도 8a의 그래프를 참조하면, 돌출부의 높이는 대부분 2㎛ 이하인 것을 알 수 있다. 유리기판 리페어 장치의 연마속도가 15mm/s일 때는 2㎛이하의 돌출부가 20초 이내에 연마가 가능하며 돌출부의 개수중 가장 큰 부분을 차지하는 1㎛이하의 돌출부의 경우 10초 이내에 연마가 가능하다.Referring to the graph of FIG. 8A, it can be seen that the height of the protrusion is mostly 2 μm or less. When the polishing rate of the glass substrate repair apparatus is 15 mm / s, projections of 2 µm or less can be polished within 20 seconds, and projections of 1 µm or less, which occupy the largest part of the number of projections, can be polished within 10 seconds.

도 8b의 그래프를 참조하면, 돌출부의 높이는 대부분 2㎛ 이하인 것을 알 수 있다. 유리기판 리페어 장치의 연마속도가 20mm/s일 때는 2㎛이하의 돌출부가 15초 내에 연마가 가능하다. 하지만, 그래프 상의 x부분은 연마테이프에 손상이 있는 경우를 나타내므로, 연마속도가 20mm/s인 경우는 연마속도는 빠르나 연마테이프에 손상이 있을 수 있어 20mm/s이상의 연마속도는 적절하지 못하다.Referring to the graph of FIG. 8B, it can be seen that the height of the protrusion is mostly 2 μm or less. When the polishing rate of the glass substrate repair apparatus is 20 mm / s, projections of 2 μm or less can be polished within 15 seconds. However, since the x part on the graph indicates a damage to the polishing tape, when the polishing speed is 20mm / s, the polishing speed is high but the polishing tape may be damaged, so the polishing speed of 20mm / s or more is not appropriate.

따라서, 유리기판 리페어 장치의 연마속도는 효율적 측면과 장비파손방지 측면에서 10mm/s 내지 15mm/s가 가장 적절한 속도이다.Therefore, the polishing speed of the glass substrate repair apparatus is 10 mm / s to 15 mm / s in terms of efficiency and equipment damage prevention.

도 9는 제1 실시 예의 잔고 높이에 따른 잔존부 높이에 대한 그래프이다.FIG. 9 is a graph of the remaining part height according to the remaining height of the first embodiment. FIG.

도 6을 참조하면, 잔고 높이(220)는 상기 평탄부(228)의 상면으로부터 수평방향으로 연장된 연장선을 기준으로 상기 연마 헤드(130)의 끝이 도달하는 위치까지의 거리일 수 있다. 상기 잔존부(213)의 높이는 상기 연장선을 기준으로 상기 잔존부(213)의 최상부까지의 직선거리로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 6, the balance height 220 may be a distance from an upper surface of the flat portion 228 to a position at which the end of the polishing head 130 reaches based on an extension line extending in the horizontal direction. The height of the remaining portion 213 may be defined as a straight line distance to the top of the remaining portion 213 based on the extension line.

제1 실시 예에서 적절한 잔고 높이(220)를 확정하기 위해서, 연마시간을 20초로 연마속도를 10mm/s로 연마 헤드의 곡률반경을 50mm로 고정하고 잔고 높이(220)를 -0.5㎛에서 0.3㎛까지 변화시키면서 잔존부(213)의 높이를 측정하였다.In order to determine the appropriate balance height 220 in the first embodiment, the polishing time is 20 seconds, the polishing speed is 10 mm / s, the radius of curvature of the polishing head is fixed at 50 mm, and the balance height 220 is -0.5 μm to 0.3 μm. The height of the remaining portion 213 was measured while changing to.

상기 잔고 높이(220)가 -0.5㎛이하의 경우 그래프에 삼각형 모양으로 표시한 부분에서 적정량보다 큰 함몰이 발생하여 함몰부분에 의한 불량이 발생할 가능성이 크다. 상기 잔고 높이(220)가 -0.1㎛ 이상의 경우 그래프에 x자모양으로 표시한 부분에서 잔존부(213)의 높이가 커서 상기 잔존부(213)에 의한 불량이 발생할 가능성이 크다. 따라서, 적절한 잔고 높이(220)는 -0.5㎛ 초과 -0.1㎛ 미만의 범위를 가진다. 다시 말해, 0.1㎛ 단위로 조정할 수 있는 경우 적절한 잔고 높이(220)는 -0.4㎛ 내지 -0.2㎛이다.When the balance height 220 is -0.5 μm or less, a depression larger than an appropriate amount occurs in a portion indicated by a triangle in the graph, and a defect by the recessed portion is likely to occur. When the balance height 220 is -0.1 µm or more, the height of the remaining portion 213 is large at the portion indicated by the x-shape on the graph, so that the defect by the remaining portion 213 is likely to occur. Thus, the appropriate balance height 220 has a range of more than -0.5 μm and less than -0.1 μm. In other words, when the balance can be adjusted in units of 0.1 mu m, the appropriate balance height 220 is -0.4 mu m to -0.2 mu m.

도 10은 제2 실시 예에 따른 유리기판 리페어 방법을 나타낸 도면이다.10 is a view illustrating a glass substrate repairing method according to a second embodiment.

제2 실시 예에 의한 유리기판 리페어 방법은 돌출부의 지름이 600㎛ 초과인 경우 실시될 수 있다.The glass substrate repairing method according to the second embodiment may be performed when the diameter of the protrusion is greater than 600 μm.

제2 실시 예에 의한 유리기판 리페어 방법은 제1 실시 예와 비교하여 연마부(300)를 다섯 영역으로 구성하는 것 이외에는 동일하다.The glass substrate repairing method according to the second embodiment is the same as the first embodiment except that the polishing unit 300 is composed of five regions.

상기 연마부(300)는 제1 연마부(311), 제2 연마부(313), 제3 연마부(315), 제4 연마부(317) 및 제5 연마부(319)로 구성된다. 상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319)는 동일한 크기의 원형으로 구성될 수 있다. 상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319)는 지름이 600㎛인 원형으로 구성될 수 있다. 상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319) 각각은 제1 실시 예의 연마부(224)를 형성하는데 사용된 동일한 장치로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319) 각각은 제1 실시 예의 연마부(224)와 동일한 방법으로 형성될 수 있다.The polishing unit 300 includes a first polishing unit 311, a second polishing unit 313, a third polishing unit 315, a fourth polishing unit 317, and a fifth polishing unit 319. The first to fifth polishing units 311, 313, 315, 317, and 319 may be formed in a circular shape having the same size. The first to fifth abrasive parts 311, 313, 315, 317, and 319 may have a circular shape having a diameter of 600 μm. Each of the first to fifth polishing parts 311, 313, 315, 317, and 319 may be formed of the same apparatus used to form the polishing part 224 of the first embodiment. Each of the first to fifth polishing units 311, 313, 315, 317, and 319 may be formed in the same manner as the polishing unit 224 of the first embodiment.

상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319)는 상기 제1 실시 예의 연마헤드(130) 및 연마테이프(144)가 이동하면서 유리기판이 리페어되어 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제5 연마부(311, 313, 315, 317, 319)는 상기 제1 실시 예의 연마헤드(130) 및 연마 테이프(144)가 고정된 채로 유리기판이 이동하여 리페어되어 형성될 수 있다. The first to fifth polishing parts 311, 313, 315, 317, and 319 may be formed by repairing a glass substrate while the polishing head 130 and the polishing tape 144 of the first embodiment are moved. The first to fifth polishing parts 311, 313, 315, 317, and 319 may be formed by repairing a glass substrate while the polishing head 130 and the polishing tape 144 of the first embodiment are fixed. have.

상기 제1 연마부(311)는 도 4의 돌출부(124)의 중앙에 형성될 수 있다. 상기 제2 연마부(313)의 아래쪽 끝은 상기 제1 연마부(311)의 중심을 지날 수 있다. 다시 말해, 제2 연마부(313)는 상기 제1 연마부(311)와 중첩되며 위쪽에 형성될 수 있다. 상기 제3 연마부(315)의 오른쪽 끝은 상기 제1 연마부(311)의 중심을 지날 수 있다. 다시 말해, 제3 연마부(315)는 상기 제1 연마부(311)와 중첩되며 왼쪽에 형성될 수 있다. 상기 제4 연마부(317)의 위쪽 끝은 상기 제1 연마부(311)의 중심을 지날 수 있다. 다시 말해, 상기 제4 연마부(317)는 상기 제1 연마부(311)와 중첩되며 아래쪽에 형성될 수 있다. 상기 제5 연마부(319)의 왼쪽 끝은 상기 제1 연마부(311)의 중심을 지날 수 있다. 다시 말해, 상기 제5 연마부(319)는 상기 제1 연마부(311)와 중첩되며 오른쪽에 형성될 수 있다.The first polishing part 311 may be formed at the center of the protrusion 124 of FIG. 4. The lower end of the second polishing unit 313 may pass through the center of the first polishing unit 311. In other words, the second polishing unit 313 may overlap the first polishing unit 311 and be formed above. The right end of the third polishing unit 315 may pass through the center of the first polishing unit 311. In other words, the third polishing unit 315 may overlap the first polishing unit 311 and be formed on the left side. An upper end of the fourth polishing unit 317 may pass through the center of the first polishing unit 311. In other words, the fourth polishing unit 317 may overlap the first polishing unit 311 and be formed below. The left end of the fifth polishing unit 319 may pass through the center of the first polishing unit 311. In other words, the fifth polishing portion 319 may overlap the first polishing portion 311 and be formed on the right side.

즉, 상기 제2 연마부(313)와 상기 제4 연마부(317)는 외접하며, 상기 제3 연마부(315)와 상기 제5 연마부(319)는 외접하여 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 실시 예에 따른 연마부(300)의 좌우방향으로의 최장거리는 상기 제3 연마부(315) 및 상기 제5 연마부(319)의 지름의 합과 같다. 상기 연마부(300)의 좌우방향으로의 최장거리는 1200㎛일 수 있다.That is, the second polishing unit 313 and the fourth polishing unit 317 may be externally formed, and the third polishing unit 315 and the fifth polishing unit 319 may be formed externally. Therefore, the longest distance in the left and right directions of the polishing unit 300 according to the second embodiment is equal to the sum of the diameters of the third polishing unit 315 and the fifth polishing unit 319. The longest distance in the left and right directions of the polishing unit 300 may be 1200㎛.

상기 연마부(300)의 상하 방향으로의 최장거리는 상기 제2 연마부(313) 및 상기 제4 연마부(317)의 지름의 합과 같다. 따라서 상기 연마부(300)의 상하방향으로의 최장거리는 1200㎛일 수 있다.The longest distance in the vertical direction of the polishing unit 300 is equal to the sum of the diameters of the second polishing unit 313 and the fourth polishing unit 317. Therefore, the longest distance in the vertical direction of the polishing unit 300 may be 1200㎛.

상기 제2 실시 예에 따른 리페어 방법은 제1 실시 예에 따른 리페어 방법에 비해 지름이 큰 돌출부를 리페어할 수 있는 효과가 있다. 또한, 넓은 범위로 연마부를 형성하여, 잔존부를 줄일 수 있는 기술적 효과가 있다.
The repair method according to the second embodiment has an effect of repairing a protrusion having a larger diameter than the repair method according to the first embodiment. In addition, there is a technical effect to form a polishing portion in a wide range, to reduce the remaining portion.

20: 액정표시장치 21, 121: 하판
22, 122,222: 미세패턴 23: 상판
24, 124: 돌출부 25: 화소 전극
27: 공통 전극 28, 228: 평탄부
29: 액정층 31: 측정부
33: 판단부 35: 리페어부
130: 연마 헤드 140: 제1 롤러
142: 제2 롤러 213: 잔존부
221: 수정유리기판 224: 연마부
228: 평탄부
20: liquid crystal display device 21, 121: lower plate
22, 122, 222: fine pattern 23: top plate
24, 124: protrusion 25: pixel electrode
27: common electrode 28, 228: flat part
29: liquid crystal layer 31: measuring unit
33: judgment unit 35: repair unit
130: polishing head 140: first roller
142: second roller 213: remaining part
221: quartz glass substrate 224: polishing unit
228 flat part

Claims (14)

기판상의 돌출부의 크기를 측정하는 측정부;
상기 측정부에 측정된 돌출부의 지름에 따라 리페어 방법을 결정하는 판단부;
상기 판단부의 명령으로 기판의 돌출부를 리페어하는 리페어부를 포함하고,
상기 리페어부는,
상기 기판상의 돌출부를 수직방향으로 압박하는 연마 헤드; 및
상기 연마 헤드와 접촉하여 수평방향으로 이동하며 상기 기판상의 돌출부를 리페어하는 연마 테이프를 포함하는 유리기판의 리페어 장치.
A measuring unit measuring a size of a protrusion on the substrate;
A determination unit to determine a repair method according to the diameter of the protrusion measured in the measurement unit;
It includes a repair unit for repairing the protrusion of the substrate by the command of the determination unit,
The repair unit,
A polishing head for urging the protrusion on the substrate in a vertical direction; And
And a polishing tape for contacting the polishing head and moving in the horizontal direction to repair the protrusion on the substrate.
제1항에 있어서,
상기 연마테이프를 제공하는 제1 롤러; 및
상기 연마테이프를 수거하는 제2 롤러를 더 포함하는 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
A first roller providing the polishing tape; And
And a second roller for collecting the polishing tape.
제1항에 있어서,
상기 연마 헤드의 하면은 곡률반경 50mm 내지 55mm의 곡선 모양인 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
The lower surface of the polishing head is a glass substrate repair device having a curvature radius of 50mm to 55mm.
제1항에 있어서,
상기 기판상의 돌출부의 연마속도는 10mm/s 내지 15mm/s인 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
The polishing rate of the protrusion on the substrate is a glass substrate repair apparatus of 10mm / s to 15mm / s.
제1항에 있어서,
상기 기판의 평탄부를 기준으로 돌출부를 하부방향으로 0.1㎛ 초과, 0.5㎛ 미만이 될 때까지 리페어하는 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
Repairing apparatus of the glass substrate for repairing the projecting portion in the lower direction relative to the flat portion of the substrate until it is less than 0.1㎛, less than 0.5㎛.
제1항에 있어서,
상기 리페어부에 의해 상기 기판에 리페어된 연마부를 더 포함하고,
상기 판단부에서 상기 연마부의 개수를 결정하는 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a polishing portion repaired to the substrate by the repair portion,
The glass substrate repair apparatus for determining the number of the polishing unit in the determination unit.
제1항에 있어서,
상기 리페어부에 의해 상기 기판에 리페어된 연마부를 더 포함하고,
상기 리페어부는 다수의 상기 연마부를 형성하는 유리기판의 리페어 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a polishing portion repaired to the substrate by the repair portion,
The repair portion of the glass substrate for forming a plurality of the polishing portion.
기판상의 돌출부의 크기를 측정하는 단계;
상기 돌출부의 지름에 따라 리페어 방법을 결정하는 단계;
상기 리페어 방법에 의해 상기 기판의 돌출부를 리페어부에서 리페어하는 단계; 및
상기 리페어부의 리페어 후 돌출부의 크기를 재측정하는 단계를 포함하고,
상기 리페어부는,
상기 기판상의 돌출부를 수직방향으로 압박하는 연마 헤드; 및
상기 연마 헤드와 접촉하여 수평방향으로 이동하며 상기 기판상의 돌출부를 리페어하는 연마테이프를 포함하는 유리기판의 리페어 방법.
Measuring the size of the protrusion on the substrate;
Determining a repair method according to the diameter of the protrusion;
Repairing the protruding portion of the substrate at the repair portion by the repair method; And
Re-measuring the size of the protrusion after repair of the repair portion,
The repair unit,
A polishing head for urging the protrusion on the substrate in a vertical direction; And
And a polishing tape which moves in a horizontal direction in contact with the polishing head and repairs the protrusion on the substrate.
제8항에 있어서,
상기 연마 헤드의 하면은 곡률반경 50mm 내지 55mm의 곡선 모양인 유리기판의 리페어 방법.
9. The method of claim 8,
The lower surface of the polishing head is a repair method of a glass substrate having a curvature radius of 50mm to 55mm.
제8항에 있어서,
상기 기판상의 돌출부의 연마속도는 10mm/s 내지 15mm/s인 유리기판의 리페어 방법.
9. The method of claim 8,
The polishing rate of the protrusion on the substrate is 10mm / s to 15mm / s repair method of a glass substrate.
제8항에 있어서,
상기 기판의 평탄부를 기준으로 돌출부를 하부방향으로 0.1㎛ 초과, 0.5㎛ 미만이 될 때까지 연마하는 유리기판의 리페어 방법.
9. The method of claim 8,
A repair method of a glass substrate, wherein the projection is ground until the protrusion becomes less than 0.1 µm and less than 0.5 µm in a downward direction based on the flat portion of the substrate.
제8항에 있어서,
상기 리페어부에 의해 상기 기판에 리페어된 연마부를 더 포함하고,
상기 판단부에서 상기 연마부의 개수를 결정하는 유리기판의 리페어 방법.
9. The method of claim 8,
Further comprising a polishing portion repaired to the substrate by the repair portion,
Repairing method of the glass substrate for determining the number of the polishing unit in the determination unit.
제8항에 있어서,
상기 리페어부에 의해 상기 기판에 리페어된 연마부를 더 포함하고,
상기 리페어부는 다수의 연마부를 형성하는 유리기판의 리페어 방법.
9. The method of claim 8,
Further comprising a polishing portion repaired to the substrate by the repair portion,
The repair unit repairs a glass substrate to form a plurality of polishing units.
제8항에 있어서,
상기 연마테이프를 제공하는 제1 롤러; 및
상기 연마테이프를 수거하는 제2 롤러를 더 포함하는 유리기판의 리페어 방법.

9. The method of claim 8,
A first roller providing the polishing tape; And
Repairing a glass substrate further comprises a second roller for collecting the polishing tape.

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