KR20120126019A - Resin composition - Google Patents

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겐지 가와이
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Abstract

PURPOSE: A resin composition with enhanced dielectric tangent, coefficient of thermal expansion and fire retardant characteristics is provided to have enough peeling strength and to maintain fire retardance and thermal expansion. CONSTITUTION: A resin composition contains an epoxy resin and phosphorous atom-containing active ester curing agent, and inorganic filler. The phosphorous atom-containing active ester curing agent is obtained from a condensation reaction between the phosphorous atom - containing hydroxy compound and carboxylic acid compound. If the resin composition has 100 mass% of non-volatile matte, 1-15 mass% of active phosphorous atom-containing active ester curing agent is contained. If the non-volatile matter among the resin composition is 100 mass%, 0.05-3 mass% of phosphorus is contained in the resin composition. The active ester curing agent is selected from a group composed of one or more compositions represented by chemical formula (1) to (3).

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한 상기 수지 조성물을 함유하는 접착 필름, 프리프레그, 다층 인쇄 배선판, 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a resin composition. Moreover, it is related with the adhesive film, prepreg, multilayer printed wiring board, and semiconductor device containing the said resin composition.

최근, 전자 기기의 소형화, 고성능화가 진행되어 다층 인쇄 배선판에서는 빌드업층이 복층화되고, 배선의 미세화 및 고밀도화가 요구되고 있었다. In recent years, miniaturization and high performance of electronic devices have progressed, and in a multilayer printed wiring board, a buildup layer has been multilayered, and wiring refinement | miniaturization and high density were calculated | required.

이에 대해 다양한 시도가 이루어졌다. 예컨대, 특허 문헌 1에는, 에폭시 수지, 활성 에스테르 수지를 포함하는 수지 조성물이 개시되어 있다. 이들 조성물에 의해 형성되는 절연층이 유전 특성과 내열성을 모두 만족시킬 수 있음이 기재되어 있다. 그러나, 그 성능은 반드시 만족할만한 것은 아니었다. Various attempts have been made to this. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing an epoxy resin and an active ester resin. It is described that the insulating layer formed by these compositions can satisfy both dielectric properties and heat resistance. However, the performance was not necessarily satisfactory.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 2009-235165호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2009-235165

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유전 탄젠트, 열팽창률, 난연성을 유지하면서 습식 조화 공정에서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필링 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is a resin composition capable of forming a plating conductor layer having a small arithmetic mean roughness on the surface of the insulating layer in a wet roughening process while maintaining dielectric tangent, thermal expansion coefficient, and flame retardancy, and having sufficient peeling strength. To provide.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 에폭시 수지, 특정의 활성 에스테르 경화제를 함유하는 수지 조성물에 있어서, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, the present inventors came to complete this invention in the resin composition containing an epoxy resin and a specific active ester hardening | curing agent.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함하는 것이다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지 및 (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물. [1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin and an active ester curing agent containing (B) a phosphorus atom.

[2] (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 카르복실산 화합물과 인 원자 함유 히드록시 화합물 간의 축합 반응으로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 상기 [1]에 기재된 수지 조성물. [2] The resin composition according to the above [1], wherein an active ester curing agent containing a phosphorus atom is obtained from a condensation reaction between a carboxylic acid compound and a phosphorus atom-containing hydroxy compound.

[3] (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 하기 화학식 (1) 내지 (3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상으로 표시되는 것을 특징으로 하는 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물. [3] The active ester curing agent containing a phosphorus atom (B) is represented by one or more selected from the group consisting of the following general formulas (1) to (3): the above-mentioned [1] or [2] Resin composition.

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중, R은 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R1은 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠 골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R2는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 2개의 R2는 결합하여 고리형을 형성하고 있을 수도 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(In formula, R may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent. R1 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aral containing a phosphorus atom. And a carboxyl group, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide, and may have a substituent. A hydroxyl group, a phenyl group, and a naphthyl group, and two R 2 's may be bonded to each other to form a cyclic group. N represents 1 to 10.)

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중, R4는 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R3는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있으며, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R5는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(Wherein R4 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aralkyl group containing a phosphorus atom, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide may be mentioned and may have a substituent R3 may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent R5 is hydrogen, Hydroxyl group, phenyl group, naphthyl group, n represents 1 to 10.)

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 중, R6는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R7은 치환되어 있을 수도 있는 벤조일기를 나타낸다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(In formula, R <6> can mention an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, and an aryl group, and may have a substituent. R <7> represents the benzoyl group which may be substituted. N represents 1-10.)

[4] 수지 조성물 중의 불휘발분을 100 질량%로 한 경우, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 1?15 질량%인 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [4] When the nonvolatile content in the resin composition is 100% by mass, the active ester curing agent containing (B) phosphorus atoms is 1 to 15% by mass, to any one of the above [1] to [3]. The resin composition described.

[5] 수지 조성물 중의 불휘발분을 100 질량%로 한 경우, 수지 조성물 중의 인 함유량이 0.05?3 질량%인 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [5] The resin composition according to any one of the above [1] to [4], wherein the phosphorus content in the resin composition is 0.05 to 3 mass% when the nonvolatile content in the resin composition is 100 mass%.

[6] (C) 무기 충전재를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [6] The resin composition according to any one of the above [1] to [5], further comprising (C) an inorganic filler.

[7] (E) 경화제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [7] The resin composition according to any one of the above [1] to [6], further comprising (E) a curing agent.

[8] (A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수와, (B)인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제 및 (E) 경화제의 반응기의 합계 수 간의 비가 1:0.2?2인 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [8] The ratio between the total number of epoxy groups of (A) epoxy resin and the total number of active ester curing agents containing atoms (B) and reactors of (E) curing agents is 1: 0.2 to 2. The resin composition in any one of 1]-[7].

[9] 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리하고 도금하여 얻어지는 도체층과 절연층의 필링 강도가 0.36kgf/cm 내지 1.0kgf/cm이고, 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기가 10nm 내지 200nm이고, 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성한 후의 25℃부터 150℃까지의 평균 열팽창률이 5ppm 내지 25ppm인 것을 특징으로 하는 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [9] The resin composition is cured to form an insulating layer, and the peeling strength of the conductor layer and the insulating layer obtained by roughening and plating the surface of the insulating layer is 0.36 kgf / cm to 1.0 kgf / cm, and the resin composition is cured by The arithmetic mean roughness after forming an insulating layer and roughening the surface of the insulating layer is 10 nm-200 nm, and the average thermal expansion coefficient from 25 degreeC to 150 degreeC after hardening a resin composition and forming an insulating layer is 5 ppm-25 ppm. The resin composition as described in any one of said [1]-[8] characterized by the above-mentioned.

[10] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 지지체 상에 층 형성된 접착 필름. [10] An adhesive film, wherein the resin composition according to any one of [1] to [9] is layered on a support.

[11] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 시트형 보강 기재 중에 함침된 프리프레그. [11] A prepreg in which the resin composition according to any one of [1] to [9] is impregnated in a sheet-like reinforcing base material.

[12] 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성된 다층 인쇄 배선판. [12] A multilayer printed wiring board in which an insulating layer is formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[13] 상기 [12]에 기재된 다층 인쇄 배선판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치. [13] A semiconductor device comprising the multilayer printed wiring board according to [12] above.

에폭시 수지, 특정의 활성 에스테르 수지를 함유하는 수지 조성물을 사용함으로써, 유전 탄젠트, 열팽창률, 난연성을 유지하면서 습식 조화 공정에서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필링 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있게 되었다. By using a resin composition containing an epoxy resin and a specific active ester resin, a plating conductor layer having a small arithmetic mean roughness on the surface of the insulating layer in a wet roughening process while maintaining dielectric tangent, thermal expansion coefficient, and flame retardancy, and having sufficient peeling strength It was possible to provide a resin composition capable of forming a resin.

본 발명은, (A) 에폭시 수지 및 (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물이다. This invention is a resin composition characterized by containing the active ester hardening | curing agent containing (A) epoxy resin and (B) phosphorus atom.

<(A) 에폭시 수지> &Lt; (A) Epoxy resin >

본 발명에 사용하는 에폭시 수지로는, 특별히 한정되지 않지만, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 시클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as an epoxy resin used for this invention, Bisphenol-A epoxy resin, Bisphenol F-type epoxy resin, Bisphenol S-type epoxy resin, Bisphenol AF-type epoxy resin, Phenol novolak-type epoxy resin, tert- butyl- Catechol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure Epoxy resin which has, an alicyclic epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a spiro ring containing epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a halogenated epoxy resin, etc. are mentioned. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

이들 중에서도 내열성 향상, 절연 신뢰성 향상, 금속박과의 밀착성 향상의 관점에서 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 화학(주) 제조 "에피코트 828EL", "YL980"), 비스페놀 F형 에폭시 수지(미쓰비시 화학(주) 제조 "jER806H", "YL983U"), 나프탈렌형 2작용 에폭시 수지(DIC(주) 제조 "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS"), 나프탈렌형 4작용 에폭시 수지(DIC(주) 제조 "HP4700", "HP4710"), 나프톨형 에폭시 수지(도토 화성(주) 제조 "ESN-475V"), 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지(다이셀 화학 공업(주) 제조 "PB-3600"), 비페닐 구조를 갖는 에폭시 수지(니혼 카야쿠(주) 제조 "NC3000H", "NC3000L", "NC3100", 미쓰비시 화학(주) 제조 "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121"), 안트라센형 에폭시 수지(미쓰비시화학(주) 제조 "YX8800"),나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC(주) 제조 "EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L", "EXA7311-G3") 등을 들 수 있다. Among them, bisphenol A type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, butadiene structure from the viewpoint of improving heat resistance, improving insulation reliability, and improving adhesion to metal foil. Epoxy resins are preferred. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin ("Epicoat 828EL", "YL980" by Mitsubishi Chemical Corporation), bisphenol F type epoxy resin ("jER806H", "YL983U" by Mitsubishi Chemical Corporation), Naphthalene type bifunctional epoxy resin ("HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" by DIC Corporation), naphthalene type four-functional epoxy resin ("HP4700", "HP4710" by DIC Corporation), naphthol type epoxy resin (Doto Chemical Co., Ltd. product "ESN-475V"), epoxy resin (butadiene chemical industry make "PB-3600") which has butadiene structure, epoxy resin (bihon structure) of Nippon Kayaku Co., Ltd. Manufacturing "NC3000H", "NC3000L", "NC3100", Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121"), Anthracene-type Epoxy Resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX8800" ), Naphthylene ether type epoxy resin ("EXA-7310", "EXA-7311", "EXA-7311L", "EXA7311-G3" by DIC Corporation), etc. are mentioned.

에폭시 수지는 2종 이상을 병용할 수도 있지만, 하나의 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 하나의 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상의 방향족계 에폭시 수지인 에폭시 수지, 및 하나의 분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상의 방향족계 에폭시 수지를 함유하는 실시 형태가 보다 바람직하다. 한편, 본 발명에서 말하는 방향족계 에폭시 수지란, 그 분자 내에 방향환 구조를 갖는 에폭시 수지를 의미한다. 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 수지 조성물을 접착 필름 형태로 사용하는 경우에 적당한 가요성을 갖는 점이나 수지 조성물의 경화물이 적절한 파단 강도를 갖는 점에서 그 배합 비율(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)은 질량비로 1:0.1?2의 범위가 바람직하고, 1:0.3?1.8의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.6?1.5의 범위가 더욱 바람직하다. Although an epoxy resin may use 2 or more types together, it is preferable to contain the epoxy resin which has two or more epoxy groups in one molecule. In addition, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule and a liquid aromatic epoxy resin at a temperature of 20 ° C., and three or more epoxy groups in one molecule, and a solid aromatic epoxy resin at a temperature of 20 ° C. The containing embodiment is more preferable. In addition, the aromatic epoxy resin in this invention means the epoxy resin which has an aromatic ring structure in the molecule | numerator. When using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together as an epoxy resin, when using a resin composition in the form of an adhesive film, the compounding ratio (the point which has moderate flexibility or the hardened | cured material of a resin composition has the appropriate breaking strength) The liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1: 0.1 to 2 by mass, more preferably 1: 0.3 to 1.8, and still more preferably 1: 0.6 to 1.5.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100 질량%로 한 경우, 에폭시 수지의 함유량은 3?40 질량%인 것이 바람직하고, 5?35 질량%인 것이 보다 바람직하며, 10?30 질량%인 것이 더욱 바람직하다. In the resin composition of this invention, when the non-volatile component in a resin composition is 100 mass% from a viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the hardened | cured material of a resin composition, it is preferable that content of an epoxy resin is 3-40 mass%. It is more preferable that it is 5-35 mass%, and it is still more preferable that it is 10-30 mass%.

<(B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제> <(B) Active ester curing agent containing phosphorus atom>

본 발명에 사용하는 (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제로는 인 원자를 갖기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 인 원자를 함유하는 페놀에스테르 화합물, 인 원자를 함유하는 티오페놀에스테르 화합물, 인 원자를 함유하는 N-히드록시아민에스테르 화합물, 인 원자를 함유하는 복소환 히드록시기가 에스테르화된 화합물, 포스파젠계 페놀 수지의 벤조일화물, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드계의 벤조일화물 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 가지며, 에폭시 수지의 경화 작용을 갖는 것을 말한다. 그 중에서도 하나의 분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물이 바람직하다. The active ester curing agent containing the phosphorus atom (B) used in the present invention is not particularly limited as long as it has a phosphorus atom. Examples thereof include a phenol ester compound containing a phosphorus atom, a thiophenol ester compound containing a phosphorus atom, N-hydroxyamine ester compound containing a phosphorus atom, the compound in which the heterocyclic hydroxy group containing a phosphorus atom is esterified, benzoylate of a phosphazene phenol resin, 9,10- dihydro-9-oxa-10-force It has an ester group with high reaction activity, such as a phenyphene 10-oxide type | mold benzoylide, and says having the hardening effect of an epoxy resin. Especially, the compound which has 2 or more active ester group in one molecule is preferable.

그 중에서도, 인 원자를 함유하는 카르복실산 화합물과 인 원자를 갖는 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물, 인 원자를 함유하는 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물, 또는 카르복실산 화합물과 인 원자를 함유하는 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하게 사용되나, 특히 내열성 향상, 산술 평균 거칠기 저하, 필링 강도 향상이라는 관점에서 인 원자를 함유하는 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물, 또는 카르복실산 화합물과 인 원자를 함유하는 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하고, 제조 안정성의 관점에서 카르복실산 화합물과 인 원자 함유 히드록시 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 더욱 바람직하다. 그리고, 카르복실산 화합물과 인 원자를 함유하는 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 더욱 바람직하다. 그리고, 카르복실산 화합물과 인 원자를 함유하는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물로부터 얻어지는 하나의 분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 보다 훨씬 바람직하고, 적어도 2개 이상의 카르복실산을 하나의 분자 중에 갖는 화합물과 인 원자를 함유하는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물로부터 얻어지는 하나의 분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 직쇄형 또는 다분기형일 수도 있다. 또한, 적어도 2개 이상의 카르복실산을 하나의 분자 중에 갖는 화합물이 지방족 사슬을 포함하는 화합물이라면 에폭시 수지와의 상용성을 높게 할 수 있고, 방향족 환을 갖는 화합물이라면 내열성을 높게 할 수 있다. Especially, the active ester compound containing the phosphorus atom obtained from the carboxylic acid compound containing a phosphorus atom, and the hydroxy compound which has a phosphorus atom, and the phosphorus atom obtained from the carboxylic compound and hydroxy compound containing a phosphorus atom are contained. An active ester compound containing a phosphorus atom obtained from an active ester compound or a carboxylic acid compound and a hydroxy compound containing a phosphorus atom is preferably used, but particularly from the viewpoints of improving heat resistance, lowering arithmetic mean roughness and improving peeling strength. The active ester compound containing the phosphorus atom obtained from the carboxylic acid compound and the hydroxy compound containing a phosphorus atom, or the active ester compound containing the phosphorus atom obtained from the hydroxy compound containing a carboxylic acid compound and a phosphorus atom is more preferable. Desirable And, an active ester compound containing a phosphorus atom derived from the carboxylic acid compound and phosphorous atom-containing hydroxy compound from the viewpoint of production stability is more preferred. And the active ester compound containing the phosphorus atom obtained from the phenol compound or naphthol compound containing a carboxylic acid compound and a phosphorus atom is more preferable. And, more preferably, an active ester compound containing a phosphorus atom having two or more active ester groups in one molecule obtained from an aromatic compound having a carboxylic acid compound and a phenolic hydroxyl group containing a phosphorus atom, at least two or more Particularly preferred are active ester compounds containing phosphorus atoms having two or more active ester groups in one molecule obtained from a compound having a carboxylic acid in one molecule and an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group containing a phosphorus atom. It may also be linear or multi-branched. Moreover, if the compound which has at least 2 or more carboxylic acids in one molecule is a compound containing an aliphatic chain, compatibility with an epoxy resin can be made high, and if it is a compound which has an aromatic ring, heat resistance can be made high.

카르복실산 화합물로서는, 구체적으로는, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 그 중에서도 내열성 향상의 관점에서 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산이 보다 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 모두 인 원자를 함유하고 있을 수도 있다. Specific examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid. Among them, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferable, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable from the viewpoint of heat resistance improvement. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types. Moreover, all may contain the phosphorus atom.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 구체적으로는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성 향상, 용해성 향상의 관점에서 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 바람직하고, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 보다 바람직하며, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 더욱 바람직하며, α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 보다 훨씬 바람직하고, α-나프톨, β-나프톨, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 특히 바람직하며, α-나프톨, β-나프톨, 디시클로펜타디에닐디페놀, 포스파젠, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 특히 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 모두 인 원자를 함유하고 있을 수도 있다. Specific examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, and m-. Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolak, phosphazene, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphapé Nanthrene 10-oxide etc. are mentioned. Especially, from the viewpoint of heat resistance improvement and solubility improvement, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxy Naphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucin, benzenetriol, dicyclopenta Dienyldiphenol, phenol novolac, phosphazene, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphafaphenanthrene 10-oxide is preferred, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5- Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucin, benzenetriol, Dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac, phosphazene, 9,10-dihydro-9-oxa-10-force Phenanthrene 10-oxide is more preferred, and α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone , Trihydroxy benzophenone, tetrahydroxy benzophenone, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolak, phosphazene, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphafaphenanthrene 10-oxide is more preferable. Α-naphthol, β-naphthol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolak, phosphazene, 9,10-dihydro-9 Much more preferred is -oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide, α-naphthol, β-naphthol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac, phosphazene, 9,10-dihydro-9-oxa Particular preference is given to -10-phosphaphenanthrene 10-oxide, α-naphthol, β-naphthol, dicyclopentadienyldiphenol, A spa Zen, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide Transistor Pape I is particularly preferred. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types. Moreover, all may contain the phosphorus atom.

보다 구체적으로는, 하기 화학식 (1), 하기 화학식 (2), 하기 화학식 (3) 등을 들 수 있다. More specifically, the following general formula (1), the following general formula (2), and the following general formula (3) are mentioned.

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 중, R은 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R1은 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠 골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R2는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 2개의 R2는 결합하여 고리형을 형성하고 있을 수도 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(In formula, R may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent. R1 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aral containing a phosphorus atom. And a carboxyl group, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide, and may have a substituent. A hydroxyl group, a phenyl group, and a naphthyl group, and two R 2 's may be bonded to each other to form a cyclic group. N represents 1 to 10.)

Figure pat00005
Figure pat00005

(식 중, R4는 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠 골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R3는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있으며, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R5는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(Wherein R4 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aralkyl group containing a phosphorus atom, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide may be mentioned and may have a substituent R3 may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent R5 is hydrogen, Hydroxyl group, phenyl group, naphthyl group, n represents 1 to 10.)

Figure pat00006
Figure pat00006

(식 중, R6는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R7은 치환되어 있을 수도 있는 벤조일기를 나타낸다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)(In formula, R <6> can mention an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, and an aryl group, and may have a substituent. R <7> represents the benzoyl group which may be substituted. N represents 1-10.)

특히, R은 페닐기, 나프틸기, 아세틸기가 바람직하다. R1은 포스파젠 골격이 바람직하다. R2는 수소, 히드록시기가 바람직하다. R4는 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드가 바람직하다. R5는 수소, 히드록시기가 바람직하다. n은 2?9가 바람직하고, 3?8이 보다 바람직하다. In particular, R is preferably a phenyl group, a naphthyl group, or an acetyl group. R1 is preferably a phosphazene skeleton. R2 is preferably a hydrogen or hydroxy group. R 4 is preferably 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide. R 5 is preferably hydrogen or a hydroxy group. 2-9 are preferable and, as for n, 3-8 are more preferable.

더욱 구체적으로는, 하기 화학식 (4), 하기 화학식 (5)로 표시되는 것을 들 수 있다. More specifically, what is represented by following formula (4) and following formula (5) is mentioned.

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 중, R2, n은 상기와 동일하다.)(Wherein R2 and n are the same as above).

Figure pat00008
Figure pat00008

(식 중, R3, R5, n은 상기와 동일하다.) (Wherein R3, R5 and n are the same as above).

시판되고 있는 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제로는, 포스파젠계 페놀 수지의 벤조일화물, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드계의 벤조일화물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, YLH1437(미쓰비시 화학(주) 제조, 화학식 (4) 해당), EXB9401-65BK(미쓰비시 화학(주) 제조, 화학식 (3) 해당)를 들 수 있다. As an active ester hardening | curing agent containing a commercially available phosphorus atom, the benzoylide of phosphazene-type phenol resin, the benzoylide of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphazanthrene 10-oxide type, etc. are mentioned. Can be. Specific examples thereof include YLH1437 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, formula (4)), and EXB9401-65BK (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, formula (3)).

인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제의 제조 방법은 특별히 제한은 없으며, 공지의 방법에 의해 제조할 수 있으나, 구체적으로는, 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물과의 축합 반응에 의해 얻을 수 있으며, 카르복실산 화합물과, 인 원자 함유 히드록시 화합물과의 축합 반응에 의해서 얻는 것이 제조 안정성의 점에서 적합하다. 그 중에서도, (a) 카르복실산 화합물 또는 그 할라이드, (b) 히드록시 화합물, (c) 방향족 모노히드록시 화합물을, (a)의 카르복실기 또는 산 할라이드기 1몰에 대해, (b)의 페놀성 수산기가 0.05?1 몰, (c)가 0?0.95 몰이 되는 비율로 반응시켜 얻어지는 구조를 갖는 것이 바람직하다. There is no restriction | limiting in particular in the manufacturing method of the active ester hardening | curing agent containing a phosphorus atom, Although it can manufacture by a well-known method, Specifically, it can obtain by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and a hydroxy compound, What is obtained by the condensation reaction of an acid compound and a phosphorus atom containing hydroxy compound is suitable at the point of manufacture stability. Especially, the phenol of (b) is used for (a) carboxylic acid compound or its halide, (b) hydroxy compound, and (c) aromatic monohydroxy compound with respect to 1 mol of carboxyl groups or acid halide groups of (a). It is preferable to have a structure obtained by making a hydroxyl group react with 0.05-1 mol and (c) in the ratio which becomes 0-0.95 mol.

(B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제의 함유량은 저산술 평균 거칠기, 고필링 강도를 발현할 수 있다는 관점에서 수지 조성물 중의 불휘발분 100 질량%에 대해 1?15 질량%가 바람직하고, 1?10 질량%가 보다 바람직하며, 1.5?8 질량%가 더욱 바람직하다. (B) 1-15 mass% is preferable with respect to 100 mass% of non volatile matters in a resin composition from a viewpoint that content of the active ester hardening | curing agent containing a phosphorus atom can express low arithmetic mean roughness and high peeling strength, 10 mass% is more preferable, and 1.5-8 mass% is more preferable.

또한, 난연성을 발현한다는 관점에서, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제를 100 질량%로 한 경우, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제 중의 인 함량은 2?15 질량%가 바람직하고, 3?13 질량%가 보다 바람직하며, 4?11 질량%가 더욱 바람직하다. 또한, 수지 조성물 중의 인 함유량은 난연성을 발현한다는 관점에서 수지 조성물 중의 불휘발분 100 질량%에 대해 0.05?3 질량%가 바람직하고, 0.1?3 질량%가 보다 바람직하다. In addition, in view of expressing flame retardancy, when the active ester curing agent containing (B) phosphorus atom is 100 mass%, the phosphorus content in the active ester curing agent containing (B) phosphorus atom is preferably 2 to 15 mass%. 3 to 13 mass% is more preferable, and 4 to 11 mass% is more preferable. Moreover, 0.05-3 mass% is preferable with respect to 100 mass% of non volatile matters in a resin composition, and, as for phosphorus content in a resin composition, it is more preferable that it is 0.1-3 mass%.

본 발명의 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리하고 도금하여 얻어지는 도체층과 절연층의 필링 강도는 후술하는 <도금 도체층의 당겨 벗김 강도(필링 강도)의 측정 및 평가>에 기재된 측정 방법에 의해 파악할 수 있다. The peeling strength of the conductor layer and the insulating layer obtained by curing the resin composition of the present invention, forming an insulating layer, roughening the surface of the insulating layer and plating, and measuring the peeling strength (pilling strength) of the plating conductor layer described later. And evaluation> can be grasped by the measuring method described.

필링 강도의 상한치는 0.6 kgf/cm 이하가 바람직하고, 0.7 kgf/cm 이하가 보다 바람직하며, 0.8 kgf/cm 이하가 더욱 바람직하고, 1.0 kgf/cm 이하가 보다 훨씬 바람직하다. 필링 강도의 하한치는 0.36 kgf/cm 이상이 바람직하고, 0.38 kgf/cm 이상이 보다 바람직하며, 0.40 kgf/cm 이상이 더욱 바람직하다. The upper limit of the peeling strength is preferably 0.6 kgf / cm or less, more preferably 0.7 kgf / cm or less, still more preferably 0.8 kgf / cm or less, and even more preferably 1.0 kgf / cm or less. The lower limit of the peeling strength is preferably 0.36 kgf / cm or more, more preferably 0.38 kgf / cm or more, and even more preferably 0.40 kgf / cm or more.

본 발명의 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기(Ra치)는 후술하는 <조화 후의 산술 평균 거칠기(Ra치)의 측정 및 평가>에 기재된 측정 방법에 의해 파악할 수 있다. The arithmetic mean roughness (Ra value) after hardening the resin composition of this invention, forming an insulating layer, and roughening the surface of the insulating layer is described in <Measurement and evaluation of arithmetic mean roughness (Ra value) after a roughening> mentioned later. It can grasp by a measuring method.

산술 평균 거칠기(Ra치)의 상한치는 200nm 이하가 바람직하고, 180nm 이하가 보다 바람직하며, 150nm 이하가 더욱 바람직하다. 산술 평균 거칠기(Ra치)의 하한치는 50nm 이상이 바람직하고, 30nm 이상이 보다 바람직하며, 10nm 이상이 더욱 바람직하다. The upper limit of arithmetic mean roughness (Ra value) is preferably 200 nm or less, more preferably 180 nm or less, further preferably 150 nm or less. 50 nm or more is preferable, 30 nm or more is more preferable, and 10 nm or more of the lower limit of arithmetic mean roughness (Ra value) is more preferable.

본 발명의 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성한 후의 25℃부터 150℃까지의 평균 열팽창률은 후술하는 <열팽창률의 측정 및 평가>에 기재된 평가 방법에 의해 파악할 수 있다. The average thermal expansion rate from 25 degreeC to 150 degreeC after hardening the resin composition of this invention and forming an insulation layer can be grasped | ascertained by the evaluation method as described in <measurement and evaluation of thermal expansion rate> mentioned later.

평균 열팽창률의 상한치는 25ppm 이하가 바람직하고, 23ppm 이하가 보다 바람직하다. 평균 열팽창률의 하한치는 10ppm 이상이 보다 훨씬 바람직하고, 5ppm 이상이 특히 바람직하다. 25 ppm or less is preferable and, as for the upper limit of an average thermal expansion coefficient, 23 ppm or less is more preferable. The lower limit of the average thermal expansion rate is even more preferably 10 ppm or more, particularly preferably 5 ppm or more.

본 발명의 수지 조성물의 경화물의 유전 탄젠트는 후술하는 <유전 탄젠트의 측정 및 평가>에 기재된 측정 방법에 의해 파악할 수 있다. The dielectric tangent of the hardened | cured material of the resin composition of this invention can be grasped | ascertained by the measuring method as described in <measurement and evaluation of a dielectric tangent> mentioned later.

본 발명의 수지 조성물의 경화물의 유전 탄젠트의 상한치는 0.0055 이하가 바람직하고, 0.0050 이하가 보다 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물의 경화물의 유전 탄젠트의 하한치는 0.002 이상이 바람직하고, 0.0015 이상이 보다 바람직하며, 0.001 이상이 더욱 바람직하다. The upper limit of the dielectric tangent of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 0.0055 or less, and more preferably 0.0050 or less. The lower limit of the dielectric tangent of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 0.002 or more, more preferably 0.0015 or more, and still more preferably 0.001 or more.

<(C) 무기 충전재> <(C) inorganic filler>

본 발명의 수지 조성물은 무기 충전재를 더 함유시킴으로써 절연층의 열팽창률을 더 저하시킬 수 있다. 무기 충전재는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탈크, 클레이, 운모 가루, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티타늄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 등을 들 수 있다. 그 중에서도 실리카가 바람직하다. 또한, 무정형 실리카, 분쇄 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등의 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 보다 바람직하다. 또한, 실리카로는 구형의 것이 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 구형 용융 실리카로서 (주)아도마테크(Admatechs) 제조 "SOC2", "SOC1"를 들 수 있다. The resin composition of this invention can further reduce the thermal expansion rate of an insulating layer by containing an inorganic filler further. The inorganic filler is not particularly limited, for example, silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica powder, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum borate, barium titanate, titanic acid Strontium, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, calcium zirconate, and the like. Especially, silica is preferable. Moreover, silica, such as amorphous silica, crushed silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica, is preferable and fused silica is more preferable. Moreover, a spherical thing is preferable as silica. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types. Commercially available spherical fused silicas include "SOC2" and "SOC1" manufactured by Admatechs.

무기 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 무기 충전재의 평균 입경의 상한치는 절연층 상에 미세 배선 형성을 행한다는 관점에서 5μm 이하가 바람직하고, 3μm 이하가 보다 바람직하며, 1μm 이하가 더욱 바람직하고, 0.7μm 이하가 보다 훨씬 바람직하며, 0.5μm 이하가 특히 바람직하고, 0.4μm 이하가 특히 바람직하고, 0.3μm 이하가 특히 바람직하다. 한편, 무기 충전재의 평균 입경의 하한치는 에폭시 수지 조성물을 수지 조성물 바니스로 한 경우에, 바니스의 점도가 상승하여 취급성이 저하하는 것을 방지한다는 관점에서 0.01μm 이상이 바람직하고, 0.03μm 이상이 보다 바람직하며, 0.05μm 이상이 더욱 바람직하고, 0.07μm 이상이 특히 바람직하고, 0.1μm 이상이 특히 바람직하다. 상기 무기 충전재의 평균 입경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절 산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간값의 크기(median size)를 평균 입경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로는 (주)호리바 제작소 제조 LA-500, 750, 950 등을 사용할 수 있다. The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but the upper limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, further preferably 1 μm or less from the viewpoint of forming fine wiring on the insulating layer. More preferably 0.7 μm or less, particularly preferably 0.5 μm or less, particularly preferably 0.4 μm or less, particularly preferably 0.3 μm or less. On the other hand, the lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more, and more preferably 0.03 μm or more, from the viewpoint of preventing the viscosity of the varnish from rising and the handleability of the epoxy resin composition being a varnish. It is preferable, 0.05 micrometer or more is more preferable, 0.07 micrometer or more is especially preferable, and 0.1 micrometer or more is especially preferable. The average particle diameter of the said inorganic filler can be measured by the laser diffraction scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device, and the median size thereof can be measured by making the average particle diameter. The measurement sample can use preferably what disperse | distributed the inorganic filler in water according to the ultrasonic wave. As the laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, LA-500, 750, 950, etc. manufactured by Horiba Corporation can be used.

본 발명에서의 무기 충전재는, 에폭시실란계 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 표면 처리제로 표면 처리하여 그 내습성을 향상시킨 것이 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 구체적으로 표면 처리제로는, 아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 우레이도프로필트리에톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계 커플링제, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 글리시딜부틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시실란계 커플링제, 머캅토프로필트리메톡시실란, 머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토실란계 커플링제, 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란 등의 실란계 커플링제, 헥사메틸디실라잔, 헥사페닐디실라잔, 트리실라잔, 시클로트리실라잔, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸시클로트리실라잔 등의 오가노실라잔 화합물, 부틸티타네이트 다이머, 티탄옥틸렌글리콜레이트, 디이소프로폭시티탄비스(트리에탄올아미네이트), 티히드록시티탄비스락테이트, 디히드록시비스(암모늄락테이트)티타늄, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 테트라-n-부틸티타네이트, 테트라(2-에틸헥실)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미드에틸?아미노에틸)티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 아미노실란계 커플링제는 내습성, 분산성, 경화물의 특성 등이 뛰어나 바람직하다. The inorganic filler in this invention is surface-treated with surface treatment agents, such as an epoxy silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent. It is preferable to improve the moisture resistance. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types. Specifically, as a surface treating agent, aminopropylmethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, ureidopropyltriethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) aminopropyltrimethoxy Aminosilane-based coupling agents such as silane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxysilane, (3,4- Epoxy silane coupling agents such as epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, mercaptosilane-based coupling agents such as mercaptopropyltrimethoxysilane and mercaptopropyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane and octadecyltrimeth Silane coupling agents such as oxysilane, phenyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, hexamethyldisilazane, hexaphenyldisilazane, trisilazane, ci Organosilazane compounds such as rotrisilazane, 1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane, butyl titanate dimer, titanium octylene glycolate, diisopropoxycitanebis (triethanolami ), Thihydroxy titanium bis lactate, dihydroxy bis (ammonium lactate) titanium, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, tri-n -Butoxytitanium monostearate, tetra-n-butyl titanate, tetra (2-ethylhexyl) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) tita Nate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, isopropyltrioctanoyl titanate, isopropyltricumylphenyl titanate, isopropyl triisostearo Ilty Nitrate, isopropyl isostearoyl diacrylate, isopropyl dimethacrylic isostaroyl titanate, isopropyl tri (dioctylphosphate) titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl Titanate coupling agents, such as a tris (dioctyl pyrophosphate) titanate and an isopropyl tri (N-amide ethyl amino amino) titanate, etc. are mentioned. Among these, the aminosilane-based coupling agent is preferred because it is excellent in moisture resistance, dispersibility, properties of a cured product, and the like.

무기 충전재를 배합하는 경우의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100 질량%로 한 경우, 수지 조성물에 요구되는 특성에 따라서도 다르지만, 20?85 질량%인 것이 바람직하고, 30?80 질량%가 보다 바람직하며, 35?75 질량%가 더욱 바람직하다. 무기 충전재의 함유량이 과도하게 적으면 경화물의 열팽창률이 높아지는 경향이 있고, 함유량이 과도하게 크면 경화물이 취약해지는 경향이나 필링 강도가 저하하는 경향이 있다. When content of an inorganic filler is mix | blended when the non volatile component in a resin composition is 100 mass%, it changes also with the characteristic calculated | required by a resin composition, It is preferable that it is 20-85 mass%, and 30-80 mass% is More preferably, 35-75 mass% is more preferable. When there is too little content of an inorganic filler, there exists a tendency for the thermal expansion rate of hardened | cured material to become high, and when content is too large, there exists a tendency for hardened | cured material to become weak and a peeling strength to fall.

<(D) 경화 촉진제> <(D) Curing accelerator>

본 발명의 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 함유시킴으로써 에폭시 수지와 경화제를 효율적으로 경화시킬 수 있다. 경화 촉진제로는, 특별히 한정되지 않지만, 아민계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 포스포늄계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. The resin composition of this invention can harden an epoxy resin and a hardening | curing agent efficiently by further containing a hardening accelerator. Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, An amine hardening accelerator, a guanidine-type hardening accelerator, an imidazole series hardening accelerator, a phosphonium-type hardening accelerator, a metal-type hardening accelerator, etc. are mentioned. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

아민계 경화 촉진제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)-운데센(이하, DBU라고 약칭함.) 등의 아민 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as an amine hardening accelerator, Trialkylamine, such as a triethylamine and a tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyl dimethylamine, 2,4,6,-tris (dimethylaminomethyl) phenol And amine compounds such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene (hereinafter abbreviated as DBU). These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

구아니딘계 경화 촉진제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-시클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-시클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as a guanidine-type hardening accelerator, Dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, Diphenylguanidine, trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4 .0] deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide , 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

이미다졸계 경화 촉진제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2’-메틸이미다졸릴-(1’)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2’-운데실이미다졸릴(1’)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2’-에틸-4’-메틸이미다졸릴-(1’)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2’-메틸이미다졸릴-(1’)]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5 히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as an imidazole series hardening accelerator, 2-methylimidazole, 2-undecyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl- 4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2 -Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenyl Imidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2' Undecyl imidazolyl (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl- s-triazine, to 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]- -s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 hydroxymethyl Imidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, And an adduct of an imidazole compound such as 2-phenylimidazoline and an imidazole compound and an epoxy resin. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

포스포늄계 경화 촉진제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as a phosphonium-type hardening accelerator, Triphenylphosphine, a phosphonium borate compound, tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate, n-butyl phosphonium tetraphenyl borate, tetrabutyl phosphonium decanoate, (4 -Methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyl triphenylphosphonium thiocyanate, etc. are mentioned. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 경화 촉진제(금속계 경화 촉진제를 제외함)의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100 질량%로 한 경우, 0.005?1 질량%의 범위가 바람직하고, 0.01?0.5 질량%의 범위가 보다 바람직하다. 0.005 질량% 미만이면 경화가 지연되어 열경화 시간이 길게 필요해지는 경향이 있고, 1 질량%를 초과하면 수지 조성물의 보존 안정성이 저하하는 경향이 된다. In the resin composition of this invention, when content of a hardening accelerator (except a metal type hardening accelerator) is 100 mass% of non volatile components in a resin composition, the range of 0.005-1 mass% is preferable, and 0.01-0.5 The range of mass% is more preferable. If it is less than 0.005 mass%, hardening will be delayed and a thermosetting time will need long, and if it exceeds 1 mass%, the storage stability of a resin composition will tend to fall.

금속계 경화 촉진제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체적인 예로는 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로는, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아린산 주석, 스테아린산 아연 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Although it does not specifically limit as a metal type hardening accelerator, The organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, tin, is mentioned. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Organic iron complexes such as an organic zinc complex, iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salts include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 금속계 경화 촉진제의 첨가량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100 질량%로 한 경우, 금속계 경화 촉매 대비 금속의 함유량이 25?500 ppm의 범위가 바람직하고, 40?200 ppm의 범위가 보다 바람직하다. 25 ppm 미만이면 저산술 평균 거칠기의 절연층 표면에의 밀착성이 뛰어난 도체층의 형성이 어려워지는 경향이 있고, 500 ppm을 초과하면 수지 조성물의 보존 안정성, 절연성이 저하하는 경향이 된다. In the resin composition of this invention, when the addition amount of a metal-type hardening accelerator makes the non volatile component in a resin composition 100 mass%, the content of metal is 25-500 ppm with respect to a metal-based hardening catalyst, and 40-200 is preferable. The range of ppm is more preferable. If it is less than 25 ppm, formation of the conductor layer excellent in adhesiveness to the insulating layer surface of low arithmetic mean roughness will become difficult, and when it exceeds 500 ppm, it will become the tendency for the storage stability and insulation of a resin composition to fall.

<(E) 경화제> <(E) Curing Agent>

본 발명의 수지 조성물은 경화제를 더 함유시킴으로써 절연성이나 기계 특성을 향상시킬 수 있다. (E) 경화제로는 특별히 한정되지 않지만, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함), 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 산 무수물계 경화제 등을 들 수 있으며, 유전 탄젠트를 저하시킨다는 관점에서 시아네이트에스테르계 경화제, 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)가 바람직하다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. The resin composition of this invention can improve insulation and a mechanical characteristic by further containing a hardening | curing agent. (E) Although it does not specifically limit as a hardening | curing agent, A phenolic hardening | curing agent, a naphthol hardening | curing agent, an active ester hardening | curing agent (except the active ester hardening | curing agent containing a phosphorus atom), a benzoxazine type hardening | curing agent, a cyanate ester type hardening | curing agent And an acid anhydride-based curing agents, and the like, and cyanate ester curing agents and active ester curing agents (except for active ester curing agents containing phosphorus atoms) are preferred from the viewpoint of lowering the dielectric tangent. These can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.

페놀계 경화제, 나프톨계 경화제로는 특별히 제한은 없지만, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제나 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제를 들 수 있으며, 페놀노볼락 수지, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지, 나프톨노볼락 수지, 나프톨아랄킬형 수지, 트리아진 골격 함유 나프톨 수지, 비페닐아랄킬형 페놀 수지가 바람직하다. 시판품으로는 비페닐아랄킬형 페놀 수지로서 "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH7851-4H"(메이와 화성(주) 제조), "GPH"(니혼 카야쿠(주) 제조), 나프톨노볼락 수지로서 "NHN", "CBN"(니혼 카야쿠(주) 제조), 나프톨아랄킬형 수지로서 "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN395", "SN375"(도토 화성(주) 제조), 페놀노볼락 수지로서 "TD2090"(DIC(주) 제조), 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지 "LA3018", "LA7052", "LA7054", "LA1356"(DIC(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. Although there is no restriction | limiting in particular as a phenol type hardening | curing agent and a naphthol type hardening | curing agent, The phenol type hardening | curing agent which has a novolak structure, and the naphthol type hardening | curing agent which has a novolak structure is mentioned, A phenol novolak resin, a triazine skeleton containing phenol novolak resin, Naphthol novolak resin, naphthol aralkyl type resin, a triazine skeleton containing naphthol resin, and a biphenyl aralkyl type phenol resin are preferable. Commercially available products are biphenyl aralkyl type phenol resins "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH7851-4H" (made by Meiwa Kasei Co., Ltd.), "GPH" (Nihon Kayaku) "NHN", "CBN" (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.), and naphthol aralkyl type resins "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "as a naphthol novolak resin" SN485 "," SN495 "," SN395 "," SN375 "(manufactured by Tohwa Kasei Co., Ltd.)," TD2090 "(manufactured by DIC Corporation), phenol novolac resin" LA3018 "as phenol novolak resin , "LA7052", "LA7054", "LA1356" (manufactured by DIC Corporation), and the like. These can also use together 1 type (s) or 2 or more types.

활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)로는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-히드록시아민에스테르류, 복소환 히드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 하나의 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 상기 활성 에스테르계 경화제는 카르복실산 화합물 및/또는 티오카르복실산 화합물과 히드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카르복실산 화합물과 히드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)가 바람직하고, 카르복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)가 보다 바람직하다. 카르복실산 화합물로는, 예컨대 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디시클로펜타디에닐디페놀, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 활성 에스테르계 경화제는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)로는 일본 특허 공개 2004-277460호 공보에 개시되어 있는 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)를 사용할 수도 있고, 또한 시판하는 것을 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)로는, 디시클로펜타디에닐디페놀 구조를 포함하는 것, 페놀노볼락의 아세틸화물, 페놀노볼락의 벤조일화물 등이 바람직하고, 그 중에서도 디시클로펜타디에닐디페놀 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 디시클로펜타디에닐디페놀 구조를 포함하는 것으로서 EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC-8000-65T(DIC(주) 제조, 활성기 당량 약 223), 페놀노볼락의 아세틸화물로서 DC808(재팬 에폭시 레진(주) 제조, 활성기 당량 약 149), 페놀노볼락의 벤조일화물로서 YLH1026(재팬 에폭시 레진(주) 제조, 활성기 당량 약 200), YLH1030(재팬 에폭시 레진(주) 제조, 활성기 당량 약 201), YLH1048(재팬 에폭시 레진(주) 제조, 활성기 당량 약 245) 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 EXB9460S가 바니스의 보존 안정성, 경화물의 열팽창률의 관점에서 바람직하다. The active ester curing agent (except for the active ester curing agent containing a phosphorus atom) is not particularly limited, but generally phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy, etc. The compound which has two or more ester groups with high reaction activity, such as ester of a compound, in one molecule is used preferably. It is preferable that the said active ester type hardening | curing agent is obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound, a hydroxy compound, and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving the heat resistance, an active ester curing agent (except for an active ester curing agent containing a phosphorus atom), which is obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound, is preferable, and a carboxylic acid compound and a phenol compound and / Or an active ester curing agent (except for an active ester curing agent containing a phosphorus atom) obtained from a naphthol compound. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid. As the phenol compound or naphthol compound, hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-cresol, p Cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxy Benzophenone, tetrahydroxy benzophenone, phloroglucine, benzenetriol, dicyclopentadienyldiphenol, phenol novolac and the like. The active ester type hardener can use 1 type (s) or 2 or more types. As the active ester curing agent (except for the active ester curing agent containing a phosphorus atom), the active ester curing agent disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-277460 (however, the active ester curing agent containing a phosphorus atom) Excluded) or a commercially available one can also be used. Commercially available active ester curing agents (except for active ester curing agents containing phosphorus atoms) include dicyclopentadienyldiphenol structures, acetylates of phenol novolacs, and benzoylides of phenol novolacs. Etc. are preferable, and it is more preferable to contain the dicyclopentadienyl diphenol structure especially. Specifically, it contains a dicyclopentadienyldiphenol structure, EXB9451, EXB9460, EXB9460S-65T, HPC-8000-65T (DIC Co., Ltd. product, active group equivalent approximately 223), DC808 (as acetylate of phenol novolak) YLH1026 (Japan epoxy resin Co., Ltd. production, activator equivalent approximately 200), YLH1030 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd. production, activator equivalent weight) 201), YLH1048 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., about 245 equivalents of active groups), etc. Among these, EXB9460S is preferable from a viewpoint of varnish storage stability and the thermal expansion coefficient of hardened | cured material.

디시클로펜타디에닐디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제(단, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 제외함)로서 보다 구체적으로는 하기 식 (6)의 것을 들 수 있다. Specific examples of the active ester curing agent containing the dicyclopentadienyldiphenol structure (excluding the active ester curing agent containing a phosphorus atom) include those of the following formula (6).

Figure pat00009
Figure pat00009

(식 중, R은 페닐기, 나프틸기이고, k는 0 또는 1을 나타내고, n은 반복 단위의 평균으로 0.05?2.5이다.)(In formula, R is a phenyl group and a naphthyl group, k represents 0 or 1, and n is 0.05-2.5 as an average of a repeating unit.)

유전 탄젠트를 저하시키고 내열성을 향상시킨다는 관점에서, R은 나프틸기가 바람직하고, 한편 k는 0이 바람직하고, 또한 n은 0.25?1.5가 바람직하다. From the viewpoint of lowering the dielectric tangent and improving heat resistance, R is preferably a naphthyl group, while k is preferably 0, and n is preferably 0.25 to 1.5.

벤조옥사진계 경화제로는 특별히 제한은 없지만, 구체적인 예로는 F-a, P-d(시코쿠 화성(주) 제조), HFB2006M(쇼와 고분자(주) 제조) 등을 들 수 있다. Although there is no restriction | limiting in particular as a benzoxazine type hardening | curing agent, As a specific example, F-a, P-d (made by Shikoku Chemical Co., Ltd.), HFB2006M (made by Showa Polymer Co., Ltd.), etc. are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로는 특별히 제한은 없지만, 노볼락형(페놀노볼락형, 알킬페놀노볼락형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 디시클로펜타디엔형 시아네이트에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등) 시아네이트에스테르계 경화제 및 이들이 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 500?4500이 바람직하고, 600?3000이 보다 바람직하다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체적인 예로는, 예컨대, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4’-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4’-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐) 에테르 등의 2작용 시아네이트 수지, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 디시클로펜타디엔 구조 함유 페놀 수지 등으로부터 유도되는 다작용 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 시아네이트에스테르 수지로는 하기 식 (7)로 표시되는 페놀노볼락형 다작용 시아네이트에스테르 수지(론자 재팬(주) 제조, PT30, 시아네이트 당량 124), 하기 식 (8)로 표시되는 비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머(론자 재팬(주) 제조, BA230, 시아네이트 당량 232), 하기 식 (9)로 표시되는 디시클로펜타디엔 구조 함유 시아네이트에스테르 수지(론자 재팬(주) 제조, DT-4000, DT-7000) 등을 들 수 있다. Although there is no restriction | limiting in particular as a cyanate ester type hardening | curing agent, Novolak-type (phenol novolak-type, alkylphenol novolak-type, etc.) cyanate ester type hardening | curing agent, dicyclopentadiene type cyanate ester type hardening | curing agent, bisphenol-type (bisphenol A Type, bisphenol F type, bisphenol S type and the like) and cyanate ester-based curing agents and prepolymers in which these are partially triazineized. Although the weight average molecular weight of a cyanate ester hardening | curing agent is not specifically limited, 500-4500 are preferable and 600-3000 are more preferable. Specific examples of the cyanate ester curing agent include, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenolcyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylenecyanate), 4,4'-methylenebis (2,6) -Dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4 -Cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4- Polyfunctional cyanate resins derived from bifunctional cyanate resins such as cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) ether, phenol novolac, cresol novolac, dicyclopentadiene structure-containing phenol resin, And triazines in which these cyanate resins are partially triazine, etc. These may be used alone or in combination of two or more thereof. As a cyanate ester resin marketed, the phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin (Lonza Japan Co., Ltd. product, PT30, cyanate equivalent weight 124) represented by following formula (7), and following formula (8) A part or all of the bisphenol A dicyanate represented by) is triazine-ized prepolymer (Tronza Japan Co., Ltd. product, BA230, cyanate equivalent weight 232), and the dicyclopentadiene structure represented by following formula (9) Containing cyanate ester resin (Lonza Japan Co., Ltd. product, DT-4000, DT-7000), etc. are mentioned.

Figure pat00010
Figure pat00010

[상기 식 (7)에 있어서, n은 평균치로서 임의의 수(바람직하게는 0?20)를 나타낸다.][In Formula (7), n represents an arbitrary number (preferably 0 to 20) as an average value.]

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

(식 (9) 중, n은 평균치로서 0?5의 수를 나타낸다.)(N shows the number of 0-5 as an average value in Formula (9).)

산 무수물계 경화제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 메틸나직산 무수물, 수소화 메틸나직산 무수물, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 비페닐테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 옥시디프탈산 이무수물, 3,3’-4,4’-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5-(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안히드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌?말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as an acid anhydride type hardening | curing agent, A phthalic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, hexahydro phthalic anhydride, methyl tetrahydro phthalic anhydride, methyl hexahydro phthalic anhydride, a methylnamic acid anhydride, hydrogenated methylnadic acid anhydride, a trialkyl Tetrahydro phthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimelli anhydride Acid, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-di Phenylsulfontetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,2- C] furan-1,3-dione, ethylene glycol bis (anhydrotrimelitate), styrene and horses A styrene copolymer acid is?, And the like of the polymer-type acid anhydride, such as maleic acid resin.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 수지 조성물의 경화물의 기계 강도나 내수성을 향상시킨다는 관점에서 (A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수와 (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제 및 (E) 경화제의 반응기의 합계 수 간의 비가 1:0.2?2가 바람직하고, 1:0.3?1.5가 보다 바람직하며, 1:0.4?1이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수란 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대해 합계한 값이고, 경화제의 반응기의 합계 수란 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 대해 합계한 값이다. In the resin composition of this invention, from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the hardened | cured material of a resin composition, the active ester hardening | curing agent containing the total number of epoxy groups of (A) epoxy resin, and (B) phosphorus atom, and (E) hardening | curing agent The ratio between the total number of reactors is preferably 1: 0.2 to 2, more preferably 1: 0.3 to 1.5, and still more preferably 1: 0.4 to 1. On the other hand, the total number of epoxy groups of the epoxy resin present in the resin composition is the value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent, and the total number of all the epoxy resins. The value divided by equivalent is the sum total for all curing agents.

<(F) 열가소성 수지> <(F) Thermoplastic Resin>

본 발명의 수지 조성물에는 (F) 열가소성 수지를 더 함유시킴으로써 경화물의 기계 강도를 향상시킬 수 있으며, 접착 필름의 형태로 사용하는 경우의 필름 성형능을 더 향상시킬 수도 있다. 이러한 열가소성 수지로는 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 각각 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 5000?200000의 범위인 것이 바람직하다. 이 범위보다 작으면 필름 성형능이나 기계 강도 향상의 효과가 충분히 발휘되지 않는 경향이 있고, 이 범위보다 크면 시아네이트에스테르 수지 및 나프톨형 에폭시 수지와의 상용성이 충분하지 않고, 경화 후의 표면 요철이 커져 고밀도 미세 배선의 형성이 어려워지는 경향이 있다. 한편, 본 발명에서의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정된다. GPC법에 의한 중량 평균 분자량은 구체적으로는, 측정 장치로서 (주)시마즈 제작소 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와 덴꼬(주)사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 이용하여 칼럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 이용하여 산출할 수 있다. The mechanical composition of hardened | cured material can be improved by further containing (F) thermoplastic resin in the resin composition of this invention, and also the film forming ability at the time of using in the form of an adhesive film can also be improved further. Such thermoplastic resins include phenoxy resins, polyimide resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyether sulfone resins, polyphenylene ether resins, polycarbonate resins, polyether ether ketone resins, polyesters Resin can be mentioned. These thermoplastic resins may be used independently, respectively and may be used in combination of 2 or more type. It is preferable that the weight average molecular weight of a thermoplastic resin is the range of 5000-200000. When smaller than this range, there exists a tendency for the effect of film forming ability and mechanical strength improvement not to be fully exhibited, and when larger than this range, compatibility with cyanate ester resin and a naphthol type epoxy resin will not be enough, and the surface unevenness after hardening will be There exists a tendency which becomes large and becomes difficult to form a high-density fine wiring. In addition, the weight average molecular weight in this invention is measured by the gel permeation chromatography (GPC) method (polystyrene conversion). As for the weight average molecular weight by GPC method, Shodex K-800P / K-804L / K made by Showa Denko Co., Ltd. as a column using LC-9A / RID-6A by Shimadzu Corporation as a measuring apparatus specifically, -804L can be measured at the column temperature of 40 degreeC using chloroform etc. as a mobile phase, and can be computed using the analytical curve of standard polystyrene.

본 발명의 수지 조성물에 (F) 열가소성 수지를 배합하는 경우에는 수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발분 100 질량%에 대해 0.1?10 질량%가 바람직하고, 1?5 질량%가 보다 바람직하다. 열가소성 수지의 함유량이 과도하게 적으면 필름 성형능이나 기계 강도 향상의 효과가 발휘되지 않는 경향이 있고, 과도하게 많으면 용융 점도의 상승과 습식 조화 공정 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기가 증가하는 경향이 있다. When mix | blending (F) thermoplastic resin with the resin composition of this invention, content of the thermoplastic resin in a resin composition is not specifically limited, 0.1-10 mass% is preferable with respect to 100 mass% of non volatile matters in a resin composition, 1 5 mass% is more preferable. When the content of the thermoplastic resin is too small, the film forming ability and the effect of improving the mechanical strength tend not to be exhibited. When the content of the thermoplastic resin is excessively large, the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating layer after the increase in the melt viscosity and the wet roughening process tends to be increased. have.

<(G) 고무 입자> <(G) rubber particle>

본 발명의 수지 조성물은 (G) 고무 입자를 더 함유시킴으로써 도금 필링 강도를 향상시킬 수 있고, 드릴 가공성의 향상, 유전 탄젠트의 저하, 응력 완화 효과를 얻을 수도 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 고무 입자는, 예컨대, 상기 수지 조성물의 바니스를 조제할 때 사용하는 유기 용제에도 용해되지 않고, 필수 성분인 시아네이트에스테르 수지나 에폭시 수지 등과도 상용되지 않는 것이다. 따라서, 상기 고무 입자는 본 발명의 수지 조성물의 바니스 중에서는 분산 상태로 존재한다. 이러한 고무 입자는, 일반적으로는 고무 성분의 분자량을 유기 용제나 수지에 용해하지 않는 수준까지 크게 하고 입자상으로 함으로써 조제된다. The resin composition of this invention can improve plating peeling strength by further containing (G) rubber particle, and can also improve the drillability, the fall of dielectric tangent, and the stress relaxation effect. The rubber particles that can be used in the present invention are, for example, insoluble in organic solvents used in preparing varnishes of the resin composition, and incompatible with cyanate ester resins, epoxy resins, and the like, which are essential components. Therefore, the said rubber particle exists in a dispersion state in the varnish of the resin composition of this invention. Such rubber particles are generally prepared by increasing the molecular weight of the rubber component to a level that does not dissolve in an organic solvent or resin and making it particulate.

본 발명에서 사용될 수 있는 고무 입자의 바람직한 예로는 코어쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 가교 스티렌부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 코어쉘형 고무 입자는 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자로서, 예컨대, 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되고, 내층의 코어층이 고무상 폴리머로 구성되는 2층 구조 또는 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되고, 중간층이 고무상 폴리머로 구성되며, 코어층이 유리상 폴리머로 구성되는 3층 구조의 것 등을 들 수 있다. 유리상 폴리머층은, 예컨대, 메타크릴산메틸의 중합물 등으로 구성되며, 고무상 폴리머층은, 예컨대, 부틸아크릴레이트 중합물(부틸 고무) 등으로 구성된다. 고무 입자는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 코어 쉘형 고무 입자의 구체적인 예로는 스타피로이드 AC3832, AC3816N, IM-401, IM-401 개(改) 1, IM-401 개 7-17(상품명, 간쓰 화성(주) 제조), 메타블렌(metablen) KW-4426(상품명, 미쓰비시 레이온(주) 제조)을 들 수 있다. 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR) 입자의 구체적인 예로는 XER-91(평균 입경 0.5μm, JSR(주) 제조) 등을 들 수 있다. 가교 스티렌 부타디엔 고무(SBR) 입자의 구체적인 예로는 XSK-500(평균 입경 0.5μm, JSR(주) 제조) 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체적인 예로는 메타블렌 W300A(평균 입경 0.1μm), W450A(평균 입경 0.2μm)(미쓰비시 레이온(주) 제조)를 들 수 있다. Preferred examples of the rubber particles that can be used in the present invention include core-shell rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrenebutadiene rubber particles, acrylic rubber particles and the like. The core-shell rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, the shell layer of the outer layer is made of glassy polymer, and the inner layer core layer is made of rubbery polymer, or the shell layer of the outer layer is made of glassy polymer. And a three-layer structure in which the intermediate layer is composed of a rubbery polymer and the core layer is composed of a glassy polymer. The glassy polymer layer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate and the like, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). A rubber particle can also be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the core-shell rubber particles include Stapiroid AC3832, AC3816N, IM-401, IM-401 1, IM-401 7-17 (trade name, manufactured by KANSU Hwasung Co., Ltd.), metablen (metablen) ) KW-4426 (brand name, Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) is mentioned. Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the acrylic rubber particles include metablene W300A (average particle size 0.1 μm) and W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.).

배합하는 고무 입자의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005?1 μm의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.2?0.6 μm의 범위이다. 본 발명에서 사용되는 고무 입자의 평균 입경은 동적 광산란법을 이용하여 측정할 수 있다. 예컨대, 적당한 유기 용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, 농후계 입경 분석기(FPAR-1000; 오오쓰카 전자(주) 제조)를 이용하여 고무 입자의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 그 중간값의 크기를 평균 입경으로 함으로써 측정할 수 있다. The average particle diameter of the rubber particle to mix | blend becomes like this. Preferably it is the range of 0.005-1 micrometer, More preferably, it is the range of 0.2-0.6 micrometer. The average particle diameter of the rubber particles used in the present invention can be measured using a dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves or the like, and the particle size distribution of the rubber particles is prepared on a mass basis using a rich particle size analyzer (FPAR-1000; manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). It can measure by making the magnitude | size of an intermediate value an average particle diameter.

고무 입자의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발분 100 질량%에 대해 바람직하게는 1?10 질량%이고, 보다 바람직하게는 2?5 질량%이다. Content of rubber particle | grains becomes like this. Preferably it is 1-10 mass% with respect to 100 mass% of non volatile matters in a resin composition, More preferably, it is 2-5 mass%.

<(H) 난연제> <(H) flame retardant>

본 발명의 수지 조성물은 (H) 난연제를 더 함유시킴으로써 난연성을 부여할 수 있다. 난연제로는 예컨대, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제로는 산코(주) 제조의 HCA, HCA-HQ, HCA-NQ 등의 페난트렌형 인 화합물, 쇼와 고분자(주) 제조의 HFB-2006M 등의 인 함유 벤조옥사진 화합물, 아지노모토 파인 테크노(주) 제조의 레오포스(Reofos) 30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, 홋쿄 화학 공업(주) 제조의 TPPO, PPQ, 클라리언트(주) 제조의 OP930, 다이하치 화학(주) 제조의 PX200 등의 인산 에스테르 화합물, 도토 화성(주) 제조의 FX289, FX305, TX0712 등의 인 함유 에폭시 수지, 도토 화성(주) 제조의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지, 재팬 에폭시 레진(주) 제조의 YL7613 등의 인 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물로는 시코쿠 화성 공업(주) 제조의 SP670, SP703 등의 인산 에스테르 아미드 화합물, 오쓰카 화학(주)사 제조의 SPB100, SPE100, SPH-100, SPS-100, (주)후시미 제약소 제조의 FP-series 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물로는 우베 머트리얼즈(주) 제조의 UD65, UD650, UD653 등의 수산화마그네슘, 도모에 공업(주)사 제조의 B-30, B-325, B-315, B-308, B-303, UFH-20 등의 수산화알루미늄 등을 들 수 있다. The resin composition of this invention can provide a flame retardance by containing a (H) flame retardant further. Examples of the flame retardant include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, metal hydroxides, and the like. As organophosphorus flame retardants, phosphorus-containing benzoxazine compounds such as phenanthrene-type phosphorus compounds such as HCA, HCA-HQ and HCA-NQ manufactured by Sanko Co., Ltd., and HFB-2006M manufactured by Showa Polymer Co., Ltd., Ajinomoto Fine Leopard 30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TPPO of Techno Co., Ltd. Phosphoric Acid Ester Compounds such as PPQ, Clariant Co., Ltd. OP930, Daihachi Chemical Co., Ltd., PX200, Phosphorus-containing epoxy resins such as Toto Chemical Co., Ltd., FX289, FX305, TX0712, Doto Chemical Co., Ltd. Phosphorus containing phenoxy resins, such as manufactured ERF001, Phosphorus containing epoxy resins, such as YL7613 by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., etc. are mentioned. Examples of the organic nitrogen-containing phosphorus compounds include phosphate ester amide compounds such as SP670 and SP703 manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., SPB100, SPE100, SPH-100, SPS-100 and Fushimi Co., Ltd. Phosphazene compounds, such as FP-series by the pharmaceutical company, etc. are mentioned. As a metal hydroxide, magnesium hydroxide, such as UD65, UD650, UD653 made by Ube Materials, Ltd., B-30, B-325, B-315, B-308, B- made by Tomoe Industries, Ltd. Aluminum hydroxide, such as 303 and UFH-20, etc. are mentioned.

<다른 성분><Other Ingredients>

본 발명의 수지 조성물에는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 필요에 따라 다른 성분을 배합할 수 있다. 다른 성분으로는 비닐벤질 화합물, 아크릴 화합물, 말레이미드 화합물, 블록이소시아네이트 화합물과 같은 열경화성 수지, 실리콘 파우더, 나일론 파우더, 불소 파우더 등의 유기 충전제, 올벤, 벤톤 등의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계의 소포제 또는 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계, 실란계 커플링제 등의 밀착성 부여제, 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘 그린, 디스아조 옐로, 카본 블랙 등의 착색제 등을 들 수 있다. Another component can be mix | blended with the resin composition of this invention as needed in the range which does not impair the effect of this invention. Other components include thermosetting resins such as vinyl benzyl compounds, acrylic compounds, maleimide compounds, block isocyanate compounds, organic fillers such as silicone powder, nylon powder, and fluorine powder, thickeners such as olben and benton, silicones, fluorine and polymers. Adhesion-imparting agents, such as an antifoamer or a leveling agent, an imidazole series, a thiazole series, a triazole series, and a silane coupling agent, coloring agents, such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, disazo yellow, carbon black, etc. are mentioned.

본 발명의 수지 조성물의 조제 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등을 첨가하고, 회전 믹서 등을 이용하여 혼합하는 방법 등을 들 수 있다. The preparation method of the resin composition of this invention is not specifically limited, For example, the method of adding a solvent etc. as needed and mixing using a rotary mixer etc. are mentioned.

본 발명의 수지 조성물의 용도는, 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름, 프리프레그 등의 절연 수지 시트, 회로 기판, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이 본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 필요한 용도로 광범위하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 다층 인쇄 배선판의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(다층 인쇄 배선판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있으며, 도금에 의해 도체층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 다층 인쇄 배선판의 절연층용 수지 조성물)로서 보다 적합하게 사용할 수 있고, 빌드업층을 형성하기 위한 수지 조성물(다층 인쇄 배선판의 빌드업층용 수지 조성물)로서 보다 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 바니스 상태로 회로 기판에 도포하여 절연층을 형성할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로 접착 필름, 프리프레그 등의 시트형 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물의 연화점은 시트형 적층 재료의 라미네이트성의 관점에서 40?150℃가 바람직하다. Although the use of the resin composition of this invention is not specifically limited, Resin, such as an insulating film, such as an adhesive film and a prepreg, a circuit board, a soldering resist, an underfill material, a die bonding material, a semiconductor sealing material, a hole filling resin, and a part embedding resin The composition can be widely used for the necessary use. Especially, in manufacture of a multilayer printed wiring board, it can use suitably as a resin composition (resin composition for insulating layers of a multilayer printed wiring board) for forming an insulation layer, and it is a resin composition for forming a conductor layer by plating (by plating It can be used more suitably as a resin composition for insulating layers of the multilayer printed wiring board which forms a conductor layer, and can be used more suitably as a resin composition (resin composition for buildup layers of a multilayer printed wiring board) for forming a buildup layer. Although the resin composition of this invention can be apply | coated to a circuit board in a varnish state, and an insulating layer can be formed, it is industrially generally used in the form of sheet-like laminated materials, such as an adhesive film and a prepreg. As for the softening point of a resin composition, 40-150 degreeC is preferable from a lamination property of a sheet-like laminated material.

<접착 필름> &Lt; Adhesive film &

본 발명의 접착 필름은 당업자에게 공지된 방법, 예컨대, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니스를 조제하고, 이 수지 바니스를 다이 코터 등을 이용하여 지지체에 도포하고, 추가로 가열, 혹은 열풍 분사 등에 의해 유기 용제를 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The adhesive film of this invention prepares the resin varnish which melt | dissolved the resin composition in the organic solvent, the method known to a person skilled in the art, and apply | coats this resin varnish to a support body using a die coater etc., and also it heats or hot air sprays, etc. It can manufacture by drying an organic solvent and forming a resin composition layer.

유기 용제로는 예컨대, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, acetic acid esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate, cellosolve, and butyl carbox. Aromatic hydrocarbons, such as carbitols, such as a beitol, toluene, and xylene, amide solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone, etc. are mentioned. The organic solvent can also be used in combination of 2 or more type.

건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층에의 유기 용제의 함유량이 10 질량% 이하, 바람직하게는 5 질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 바니스 중의 유기 용제량, 유기 용제의 끓는점에 따라서도 다르지만, 예컨대 30?60 질량%의 유기 용제를 포함하는 바니스를 50?150℃에서 3?10분 정도 건조시킴으로써 수지 조성물층을 형성할 수 있다. Although drying conditions are not specifically limited, It drys so that content of the organic solvent to a resin composition layer may be 10 mass% or less, Preferably it is 5 mass% or less. Although it changes also with the amount of the organic solvent in a varnish, and the boiling point of an organic solvent, a resin composition layer can be formed by drying the varnish containing 30-60 mass% organic solvent about 50 to 150 degreeC for 3 to 10 minutes, for example.

접착 필름에 있어서 형성되는 수지 조성물층의 두께는 도체층의 두께 이상으로 하는 것이 바람직하다. 회로 기판이 갖는 도체층의 두께는 통상적으로 5?70 μm의 범위이므로 수지 조성물층은 10?100 μm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. It is preferable to make the thickness of the resin composition layer formed in an adhesive film more than the thickness of a conductor layer. Since the thickness of the conductor layer which a circuit board has normally is a range of 5-70 micrometers, it is preferable that a resin composition layer has a thickness of 10-100 micrometers.

지지체로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐 등의 폴리올레핀의 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 "PET"라고 약칭할 수 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르의 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 등의 각종 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한 이형지나 동박, 알루미늄박 등의 금속박 등을 사용할 수도 있다. 지지체 및 후술하는 보호 필름에는 MAD 처리, 코로나 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있을 수도 있다. 또한, 실리콘 수지계 이형제, 알키드 수지계 이형제, 불소 수지계 이형제 등의 이형제로 이형 처리가 실시되어 있을 수도 있다. Examples of the support include a film of polyolefin such as polyethylene, polypropylene and polyvinyl chloride, a polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), a film of polyester such as polyethylene naphthalate, a polycarbonate film, a polyimide film Various plastic films, such as these, are mentioned. Moreover, release paper, copper foil, metal foil, such as aluminum foil, can also be used. Surface treatments, such as a MAD process and a corona treatment, may be given to the support body and the protective film mentioned later. Moreover, the mold release process may be performed with mold release agents, such as a silicone resin mold release agent, an alkyd resin mold release agent, and a fluororesin mold release agent.

지지체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10?150 μm가 바람직하고, 25?50 μm가 보다 바람직하다. Although the thickness of a support body is not specifically limited, 10-150 micrometers is preferable and 25-50 micrometers is more preferable.

수지 조성물층의 지지체가 밀착되어 있지 않은 면에는 지지체에 준한 보호 필름을 더 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대, 1?40 μm이다. 보호 필름을 적층함으로써 수지 조성물층의 표면에의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 접착 필름은 롤형으로 감아 저장할 수도 있다. The protective film based on a support body can be further laminated | stacked on the surface in which the support body of a resin composition layer is not in close contact. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1-40 micrometers. By laminating | stacking a protective film, adhesion | attachment and a damage | wound of dirt etc. to the surface of a resin composition layer can be prevented. The adhesive film may be rolled up and stored in a roll shape.

<접착 필름을 이용한 다층 인쇄 배선판><Multilayer printed wiring board using adhesive film>

다음, 상기한 바와 같이 하여 제조한 접착 필름을 이용하여 다층 인쇄 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. Next, an example of the method of manufacturing a multilayer printed wiring board using the adhesive film manufactured as mentioned above is demonstrated.

먼저, 접착 필름을 진공 라미네이터를 이용하여 회로 기판의 한쪽 면 또는 양면에 라미네이트한다. 회로 기판으로 사용되는 기판으로는 예컨대, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 여기서 회로 기판이란 상기와 같은 기판의 한쪽 면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 것을 말한다. 또한 도체층과 절연층을 교대로 적층하여 이루어지는 다층 인쇄 배선판에 있어서, 상기 다층 인쇄 배선판의 최외층의 한쪽 면 또는 양면이 패턴 가공된 도체층(회로)으로 되어 있는 것도 여기서 말하는 회로 기판에 포함된다. 또한 도체층 표면에는 흑화 처리, 구리 에칭 등에 의해 미리 조화 처리가 실시되어 있을 수도 있다. First, an adhesive film is laminated on one side or both sides of a circuit board using a vacuum laminator. As a board | substrate used for a circuit board, a glass epoxy board | substrate, a metal board | substrate, a polyester board | substrate, a polyimide board | substrate, BT resin board | substrate, a thermosetting polyphenylene ether board | substrate, etc. are mentioned, for example. In addition, a circuit board means here that the conductor layer (circuit) pattern-processed was formed in one side or both surfaces of the above board | substrates. In the multilayer printed wiring board formed by alternately stacking the conductor layer and the insulating layer, the circuit board referred to herein includes one or both of the outermost layers of the multilayer printed wiring board as a patterned conductor layer (circuit). . Moreover, the roughening process may be previously performed by the blackening process, copper etching, etc. on the conductor layer surface.

상기 라미네이트에 있어서, 접착 필름이 보호 필름을 가지고 있는 경우에는 상기 보호 필름을 제거한 후, 필요에 따라 접착 필름 및 회로 기판을 예열하고, 접착 필름을 가압 및 가열하면서 회로 기판에 압착한다. 본 발명의 접착 필름에 있어서는, 진공 라미네이트법에 의해 감압 하에서 회로 기판에 라미네이트하는 방법이 바람직하게 이용된다. 라미네이트의 조건은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 압착 온도(라미네이트 온도)를 바람직하게는 70?140℃, 압착 압력을 바람직하게는 1?11 kgf/cm2(9.8×104 내지 107.9×104 N/m2)로 하고, 공기압 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압 하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방법은 배치식일 수도 있고 롤에서의 연속식일 수도 있다. 진공 라미네이트는 시판하는 진공 라미네이터를 사용하여 수행할 수 있다. 시판하는 진공 라미네이터로는 예컨대, 니치고 모톤(주) 제조 진공 버큠 어플리케이터, (주)메이키 제작소 제조 진공 가압식 라미네이터, (주)히타치 인더스트리즈 제조 롤식 드라이 코터, 히타치 AIC(주) 제조 진공 라미네이터 등을 들 수 있다. In the said laminate, when an adhesive film has a protective film, after removing the said protective film, an adhesive film and a circuit board are preheated as needed, and it crimp | bonds to a circuit board, pressing and heating an adhesive film. In the adhesive film of this invention, the method of laminating to a circuit board under reduced pressure by the vacuum lamination method is used preferably. The conditions of the laminate are not particularly limited, but for example, the crimping temperature (lamination temperature) is preferably 70 to 140 ° C, and the crimping pressure is preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ), and is preferably laminated under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. In addition, the method of lamination may be batch type or continuous in a roll. Vacuum lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators include, for example, Nichigo Morton Co., Ltd. vacuum vacuum applicator, manufactured by Meiki Co., Ltd., vacuum pressurized laminator, Hitachi Industries Co., Ltd. roll type dry coater, Hitachi AIC Co., Ltd. vacuum laminator, etc. Can be mentioned.

또한, 감압 하 가열 및 가압을 수행하는 적층 공정은 일반적인 진공 핫 프레기를 이용하여 수행하는 것도 가능하다. 예컨대, 가열된 SUS판 등의 금속판을 지지체층 측으로부터 프레스함으로써 수행할 수 있다. 프레스 조건은 감압도를 통상 1×10-2 MPa 이하, 바람직하게는 1×10-3 MPa 이하의 감압 하로 한다. 가열 및 가압은 1단계로 수행할 수도 있지만, 수지의 배어나옴을 제어하는 관점에서 2단계 이상으로 조건을 나누어 수행하는 것이 바람직하다. 예컨대, 첫 번째 단계의 프레스를 온도가 70?150℃, 압력이 1?15 kgf/cm2의 범위, 두 번째 단계의 프레스를 온도가 150?200℃, 압력이 1?40 kgf/cm2의 범위에서 수행하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은 30?120분으로 수행하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 진공 핫 프레스기로는 예컨대, MNPC-V-750-5-200 (주)메이키 제작소 제조), VH1-1603(기타가와 정기(주) 제조) 등을 들 수 있다. In addition, the lamination process for heating and pressurizing under reduced pressure may be performed using a general vacuum hot press. For example, it can carry out by pressing metal plates, such as a heated SUS board, from the support layer side. The press conditions are such that the degree of pressure reduction is usually 1 × 10 −2 MPa or less, preferably 1 × 10 −3 MPa or less. Although heating and pressurization may be performed in one step, it is preferable to divide the conditions into two or more steps from the viewpoint of controlling the bleeding of the resin. For example, the first stage press has a temperature of 70-150 ° C., the pressure ranges from 1-15 kgf / cm 2 , and the second stage press has a temperature of 150-200 ° C. and a pressure of 1-40 kgf / cm 2 . It is preferable to carry out in the range. The time for each step is preferably performed at 30 to 120 minutes. Commercially available vacuum hot press machines include MNPC-V-750-5-200 (manufactured by Meiki Corporation), VH1-1603 (manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.), and the like.

접착 필름을 회로 기판에 라미네이트한 후, 실온 부근으로 냉각하고 나서, 지지체를 박리하는 경우에는 박리하고, 열 경화함으로써 회로 기판에 절연층을 형성할 수 있다. 열 경화의 조건은 수지 조성물 중의 수지 성분의 종류, 함유량 등에 따라 적당히 선택하면 되나, 바람직하게는 150℃ 내지 220℃에서 20분 내지 180분, 보다 바람직하게는 160℃ 내지 210℃에서 30 내지 120분의 범위에서 선택된다. After laminating | stacking an adhesive film to a circuit board and cooling to near room temperature, when peeling a support body, an insulating layer can be formed in a circuit board by peeling and thermosetting. Although the conditions of thermosetting may be suitably selected according to the kind, content, etc. of the resin component in a resin composition, Preferably it is 20 to 180 minutes at 150 degreeC-220 degreeC, More preferably, it is 30 to 120 minutes at 160 degreeC-210 degreeC Is selected from the range of.

절연층을 형성한 후, 경화 전에 지지체를 박리하지 않은 경우에는, 여기서 박리한다. 이어서 필요에 따라, 회로 기판 상에 형성된 절연층에 구멍 뚫기를 수행하여 비어홀, 쓰루홀을 형성한다. 구멍 뚫기는 예컨대, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 공지의 방법에 의해, 또한 필요에 따라 이들 방법을 조합하여 수행할 수 있는데, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저 등의 레이저에 의한 구멍 뚫기가 가장 일반적인 방법이다. After forming an insulating layer, when a support body is not peeled off before hardening, it peels here. Subsequently, as necessary, through holes are formed in the insulating layer formed on the circuit board to form via holes and through holes. For example, the punching can be performed by a known method such as a drill, a laser, a plasma, or a combination of these methods as necessary. The punching by a laser such as a carbon dioxide laser or a YAG laser is the most common method. .

이어서, 건식 도금 또는 습식 도금에 의해 절연층 상에 도체층을 형성한다. 건식 도금으로는 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다. 습식 도금의 경우에는, 절연층 표면을, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 순서대로 수행함으로써 요철의 앵커를 형성한다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 절연층을 50?80℃에서 5?20분간 팽윤액에 침지시킴으로써 수행된다. 팽윤액으로는 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 상기 알칼리 용액으로는 예컨대, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액 등을 들 수 있다. 시판되고 있는 팽윤액으로는 예컨대, 아토텍 재팬(주) 제조의 스웰링 딥 세큐리간스 P(Swelling Dip Securiganth P), 스웰링 딥 세큐리간스 SBU(Swelling Dip Securiganth SBU) 등을 들 수 있다. 산화제에 의한 조화 처리는 절연층을 60℃ 내지 80℃에서 10분 내지 30분간 산화제 용액에 침지시킴으로써 수행된다. 산화제로는 예컨대, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알카리성 과망간산 용액, 중크롬산염, 오존, 과산화수소/황산, 질산 등을 들 수 있다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5?10 중량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로는, 예컨대, 아토텍 재팬(주) 제조의 콘센트레이트 콤팩트 CP, 도징 솔루션 세큐리간스 P 등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는 30?50℃에서 3?10분간 중화액에 침지시킴으로써 수행된다. 중화액으로는 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로는 아토텍 재팬(주) 제조의 리덕션 솔루션 세큐리간스 P를 들 수 있다. Subsequently, a conductor layer is formed on an insulating layer by dry plating or wet plating. As dry plating, well-known methods, such as vapor deposition, sputtering, and ion plating, can be used. In the case of wet plating, an uneven anchor is formed on the surface of the insulating layer by performing swelling treatment with swelling liquid, roughening treatment with oxidizing agent and neutralization treatment with neutralizing liquid in this order. The swelling treatment by the swelling liquid is performed by immersing the insulating layer in the swelling liquid for 5 to 20 minutes at 50 to 80 ° C. Examples of the swelling solution include an alkali solution, a surfactant solution, and the like, and preferably an alkaline solution. Examples of the alkali solution include sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth S) manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and the like. The roughening treatment by the oxidizing agent is carried out by immersing the insulating layer in the oxidizing agent solution for 10 to 30 minutes at 60 ° C to 80 ° C. Examples of the oxidizing agent include alkaline permanganate solutions in which potassium permanganate and sodium permanganate are dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, and nitric acid. In addition, the concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5 to 10% by weight. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. and Dosing Solution Securigans P. Neutralization treatment by neutralizing liquid is performed by immersing in neutralizing liquid for 3 to 10 minutes at 30-50 degreeC. As a neutralization liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, the reduction solution Securigans P of Atotech Japan Co., Ltd. product is mentioned.

이어서, 무전해 도금과 전해 도금을 조합한 방법으로 도체층을 형성한다. 또한 도체층과는 반대 패턴의 도금 레지스트를 형성하고, 무전해 도금으로만 도체층을 형성할 수도 있다. 그 후의 패턴 형성의 방법으로서, 예컨대, 당업자에게 공지의 서브트랙티브법, 세미 어디티브법 등을 이용할 수 있다. Subsequently, a conductive layer is formed by a combination of electroless plating and electrolytic plating. In addition, a plating resist of a pattern opposite to the conductor layer may be formed, and the conductor layer may be formed only by electroless plating. As a method of pattern formation after that, the subtractive method, the semiadditive method, etc. which are well-known to a person skilled in the art can be used, for example.

<프리프레그> <Prepreg>

본 발명의 프리프레그는 본 발명의 수지 조성물을 섬유로 이루어지는 시트형 보강 기재에 핫 멜트법 또는 솔벤트법에 의해 함침시키고, 가열하여 반경화시킴으로써 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 수지 조성물이 섬유로 이루어지는 시트형 보강 기재에 함침한 상태가 되는 프리프레그로 할 수 있다. 섬유로 이루어지는 시트형 보강 기재로는, 예컨대, 유리 크로스나 아라미드 섬유 등의 프리프레그용 섬유로서 상용되고 있는 섬유로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. The prepreg of this invention can be manufactured by impregnating the resin composition of this invention with the sheet-like reinforcement base material which consists of fibers by a hot melt method or the solvent method, and heating and semi-hardening. That is, it can be set as the prepreg which becomes the state which the resin composition of this invention impregnated the sheet-like reinforcement base material which consists of fibers. As a sheet-like reinforcement base material which consists of a fiber, what consists of fibers commonly used as prepreg fiber, such as glass cross and aramid fiber, can be used, for example.

핫 멜트법은 수지를 유기 용제에 용해하지 않고 상기 수지와의 박리성이 양호한 도공지에 일단 코팅하고, 그것을 시트형 보강 기재에 라미네이트한다, 혹은 수지를 유기 용제에 용해하지 않고 다이 코터에 의해 시트형 보강 기재에 직접 도공하는 등 하여 프리프레그를 제조하는 방법이다. 또한 솔벤트법은 접착 필름과 동일하게 하여 수지를 유기 용제에 용해하여 수지 바니스를 조제하고, 이 바니스에 시트형 보강 기재를 침지하고, 수지 바니스를 시트형 보강 기재에 함침시키고, 그 후 건조시키는 방법이다. The hot melt method does not dissolve the resin in an organic solvent but coats it on a coated paper having good peelability with the resin, and laminates it on a sheet-like reinforcing substrate, or a sheet-type reinforcing substrate by a die coater without dissolving the resin in an organic solvent. It is a method of manufacturing a prepreg by apply | coating directly to a. The solvent method is a method of dissolving the resin in an organic solvent in the same manner as in the adhesive film to prepare a resin varnish, immersing the sheet-like reinforcing substrate in the varnish, impregnating the resin varnish into the sheet-like reinforcing substrate, and then drying.

<프리프레그를 이용한 다층 인쇄 배선판><Multilayer printed wiring board using prepreg>

다음, 상기한 바와 같이 하여 제조한 프리프레그를 이용하여 다층 인쇄 배선판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다. 회로 기판에 본 발명의 프리프레그를 한 장 혹은 필요에 따라 수 장 포개고, 이형 필름을 사이에 두고 금속 플레이트로 끼우고, 가압ㆍ가열 조건 하에서 진공 프레스 적층한다. 가압ㆍ가열 조건은 바람직하게는, 압력이 5?40 kgf/cm2(49×104 내지 392×104 N/m2), 온도가 120?200℃에서 20?100분이다. 또한 접착 필름과 동일하게 프리프레그를 진공 라미네이트법에 의해 회로 기판에 라미네이트한 후, 가열 경화하는 것도 가능하다. 그 후, 상기에서 기재한 방법과 동일하게 하여 경화한 프리프레그 표면을 조화한 후, 도체층을 도금에 의해 형성하여 다층 인쇄 배선판을 제조할 수 있다. Next, an example of the method of manufacturing a multilayer printed wiring board using the prepreg manufactured as mentioned above is demonstrated. One sheet or several sheets of the prepreg of the present invention are stacked on a circuit board, if necessary, sandwiched with a metal plate with a release film interposed therebetween, and vacuum press lamination under pressure and heating conditions. Pressurization and heating conditions, Preferably, the pressure is 5-40 kgf / cm <2> (49 * 10 <4> -492 * 10 <4> N / m <2> ), and temperature is 20-100 minutes at 120-200 degreeC. Moreover, it is also possible to heat-harden, after laminating | stacking a prepreg to a circuit board by the vacuum lamination method similarly to an adhesive film. Then, after roughening the surface of the prepreg hardened | cured similarly to the method described above, a conductor layer can be formed by plating and a multilayer printed wiring board can be manufactured.

<반도체 장치> <Semiconductor Device>

본 발명의 다층 인쇄 배선판을 사용함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 다층 인쇄 배선판의 도통 부위에 반도체 칩을 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. "도통 부위"란 "다층 인쇄 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 곳"으로서, 그 장소는 표면이어도 매립된 곳이어도 어디라도 무방하다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자라면 특별히 한정되지 않는다. A semiconductor device can be manufactured by using the multilayer printed wiring board of this invention. A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor chip in the conductive part of the multilayer printed wiring board of this invention. A "conduction site" is a place where electric signals are transmitted in a multilayer printed wiring board, and the place may be either a surface or a buried place. In addition, the semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.

본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프 없는 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. The method for mounting a semiconductor chip in manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Specifically, the wire bonding method, the flip chip mounting method, and the bump-free buildup layer (BBUL) ), A mounting method by an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method by a non-conductive film (NCF), etc. are mentioned.

"범프 없는 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법"이란 "반도체 칩을 다층 인쇄 배선판의 오목부에 직접 매립하고, 반도체 칩과 인쇄 배선판 상의 배선을 접속시키는 실장 방법"을 말하며, 나아가 이하의 BBUL 방법 1), BBUL 방법 2)의 실장 방법으로 크게 나뉜다. The "mounting method by a bumpless build-up layer (BBUL)" means the "mounting method which embeds a semiconductor chip directly into the recessed part of a multilayer printed wiring board, and connects the semiconductor chip and the wiring on a printed wiring board", Furthermore, the following BBUL method It is largely divided into 1) and BBUL method 2).

BBUL 방법 1) 언더필제를 이용하여 다층 인쇄 배선판의 오목부에 반도체 칩을 실장하는 실장 방법 BBUL method 1) A mounting method for mounting a semiconductor chip in a recess of a multilayer printed wiring board using an underfill agent

BBUL 방법 2) 접착 필름 또는 프리프레그를 이용하여 다층 인쇄 배선판의 오목부에 반도체 칩을 실장하는 실장 방법BBUL method 2) A mounting method for mounting a semiconductor chip in a recess of a multilayer printed wiring board using an adhesive film or a prepreg

BBUL 방법 1)은 구체적으로는 이하의 공정을 포함한다. BBUL method 1) specifically includes the following steps.

공정 1) 다층 인쇄 배선판의 양면으로부터 도체층을 제거한 것을 설치하고, 레이저, 기계 드릴에 의해 관통홀을 형성한다. Process 1) The thing which removed the conductor layer from both surfaces of a multilayer printed wiring board is provided, and a through hole is formed by a laser and a mechanical drill.

공정 2) 다층 인쇄 배선판의 한쪽 면에 점착 테이프를 붙여 관통홀 속에 반도체 칩의 바닥면을 점착 테이프 상에 고정하도록 배치한다. 이 때의 반도체 칩은 관통홀의 높이보다 낮게 하는 것이 바람직하다. Step 2) An adhesive tape is attached to one side of the multilayer printed wiring board and arranged so as to fix the bottom surface of the semiconductor chip on the adhesive tape in the through hole. It is preferable to make the semiconductor chip at this time lower than the height of a through-hole.

공정 3) 관통홀과 반도체 칩의 간극에 언더필제를 주입, 충전함으로써 반도체 칩을 관통홀에 고정한다. Step 3) The semiconductor chip is fixed to the through hole by injecting and filling an underfill agent into the gap between the through hole and the semiconductor chip.

공정 4) 그 후 점착 테이프를 벗겨 반도체 칩의 바닥면을 노출시킨다. Step 4) After that, the adhesive tape is peeled off to expose the bottom surface of the semiconductor chip.

공정 5) 반도체 칩의 바닥면 측에 본 발명의 접착 필름 또는 프리프레그를 라미네이트하고 반도체 칩을 피복한다. Process 5) The adhesive film or prepreg of this invention is laminated on the bottom surface side of a semiconductor chip, and a semiconductor chip is coat | covered.

공정 6) 접착 필름 또는 프리프레그를 경화한 후, 레이저에 의해 구멍을 뚫고, 반도체 칩의 바닥면에 있는 본딩 패드를 노출시키고, 상기에서 개시한 조화 처리, 무전해 도금, 전해 도금을 수행함으로써 배선과 접속한다. 필요에 따라 접착 필름 또는 프리프레그를 더 적층할 수도 있다. Step 6) After curing the adhesive film or prepreg, a hole is drilled by a laser, the bonding pad on the bottom surface of the semiconductor chip is exposed, and wiring is performed by performing the roughening treatment, electroless plating, and electrolytic plating described above. Connect with. If necessary, an adhesive film or prepreg may be further laminated.

BBUL 방법 2)는 구체적으로는 이하의 공정을 포함한다. BBUL method 2) specifically includes the following steps.

공정 1) 다층 인쇄 배선판의 양면의 도체층 상에 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피 공법으로 포토레지스트막의 한쪽 면에만 개구부를 형성한다. Process 1) A photoresist film is formed on the conductor layers of both surfaces of a multilayer printed wiring board, and an opening part is formed only in one side of a photoresist film by the photolithographic method.

공정 2) 개구부에 노출된 도체층을 에칭액에 의해 제거하고, 절연층을 노출시키고, 그 후 양면의 레지스트막을 제거한다. Process 2) The conductor layer exposed to the opening part is removed by etching liquid, the insulating layer is exposed, and then the resist films on both sides are removed.

공정 3) 레이저나 드릴을 이용하여, 노출된 절연층을 모두 제거하여 구멍 뚫기를 수행하고, 오목부를 형성한다. 레이저의 에너지는 구리의 레이저 흡수율을 낮게 하고 절연층의 레이저 흡수율을 높게 하도록 에너지를 조정할 수 있는 레이저가 바람직하며, 탄산 가스 레이저가 보다 바람직하다. 이러한 레이저를 이용함으로써 레이저는 도체층의 개구부의 대면의 도체층을 관통하지 않고 절연층만을 제거하는 것이 가능해진다. Step 3) Using a laser or a drill, all exposed insulating layers are removed to drill holes to form recesses. The energy of the laser is preferably a laser whose energy can be adjusted to lower the laser absorption of copper and increase the laser absorption of the insulating layer, and more preferably a carbon dioxide laser. By using such a laser, a laser can remove only an insulating layer, without penetrating the conductor layer of the facing surface of the opening part of a conductor layer.

공정 4) 반도체 칩의 바닥면을 개구부 측을 향해 오목부에 배치하고, 본 발명의 접착 필름 또는 프리프레그를 개구부의 측으로부터 라미네이트하고, 반도체 칩을 피복하여 반도체 칩과 오목부의 간극을 매립한다. 이 때의 반도체 칩은 오목부의 높이보다 낮게 하는 것이 바람직하다. Step 4) The bottom surface of the semiconductor chip is placed in the recess toward the opening side, the adhesive film or prepreg of the present invention is laminated from the side of the opening, and the semiconductor chip is covered to fill the gap between the semiconductor chip and the recess. It is preferable to make the semiconductor chip at this time lower than the height of a recessed part.

공정 5) 접착 필름 또는 프리프레그를 경화시킨 후, 레이저에 의해 구멍뚫기를 하고, 반도체 칩의 바닥면의 본딩 패드를 노출시킨다. Process 5) After hardening an adhesive film or a prepreg, it makes a hole with a laser and exposes the bonding pad of the bottom surface of a semiconductor chip.

공정 6) 상기에서 개시한 조화 처리, 무전해 도금, 전해 도금을 수행함으로써 배선을 접속하고, 필요에 따라 접착 필름 또는 프리프레그를 더 적층한다. Step 6) Wiring is connected by performing the roughening process, electroless plating, and electrolytic plating disclosed above, and further laminating an adhesive film or prepreg as necessary.

반도체 칩의 실장 방법 중에서도, 반도체 장치의 소형화, 전송 손실의 경감이라는 관점이나, 땜납을 사용하지 않기 때문에 반도체 칩에 그 열 이력이 가해지지 않고, 나아가 땜납과 수지의 일그러짐을 장래적으로 발생시킬 수 없다는 관점에서, 범프 없는 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법이 바람직하고, BBUL 방법 1), BBUL 방법 2)가 보다 바람직하며, BBUL 방법 2)가 더욱 바람직하다. Among the semiconductor chip mounting methods, since the semiconductor device is miniaturized, transmission loss is reduced, and solder is not used, the thermal history is not applied to the semiconductor chip, and further, distortion of the solder and resin can be generated in the future. In view of the absence, a mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL) is preferable, BBUL method 1) and BBUL method 2) are more preferable, and BBUL method 2) is more preferable.

<실시예><Examples>

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

<측정 방법 및 평가 방법> <Measurement method and evaluation method>

먼저 각종 측정 방법 및 평가 방법에 대해 설명한다. First, various measurement methods and evaluation methods are described.

<필링 강도 및 산술 평균 거칠기(Ra치) 측정용 샘플의 조제><Preparation of the sample for measuring peeling strength and arithmetic mean roughness (Ra value)>

(1) 내층 회로 기판의 하지 처리(1) base treatment of inner layer circuit board

내층 회로를 형성한 유리천 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18μm, 기판 두께 0.3mm, 마쓰시타 전공(주) 제조 R5715ES)의 양면을 멕(주)(MEC. CO., LTD.) 제조 CZ8100로 1um 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 수행했다. Both sides of glass cloth base material epoxy resin double-sided copper clad laminated board (18μm thickness of copper foil, substrate thickness 0.3mm, Matsushita Electric Corporation R5715ES) which formed inner layer circuit manufactured by MEC.CO., LTD. CZ8100 1um etching was performed to perform a roughening treatment of the copper surface.

(2) 접착 필름의 라미네이트(2) Laminate of adhesive film

실시예 및 비교예에서 작성한 접착 필름을 배치식 진공 가압 라미네이터 MVLP-500(메이키(주) 제조 상품명)을 이용하여 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초 동안 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초 동안 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 수행했다. The adhesive film produced by the Example and the comparative example was laminated on both surfaces of an inner layer circuit board using the batch type vacuum pressurization laminator MVLP-500 (made by Meiki Corporation). Lamination was performed by depressurizing for 30 second and making atmospheric pressure 13 hPa or less, and then pressing at 100 degreeC and pressure 0.74 Mpa for 30 second.

(3) 수지 조성물의 경화(3) curing of the resin composition

라미네이트된 접착 필름을 100℃, 30분 계속하여 180℃, 30분의 경화 조건으로 수지 조성물을 경화하고 PET 필름을 박리하여 절연층을 형성했다. The laminated adhesive film was cured at 100 ° C. for 30 minutes, followed by curing conditions at 180 ° C. for 30 minutes, and the PET film was peeled off to form an insulating layer.

(4) 조화 처리(4) coordination treatment

절연층을 형성한 내층 회로 기판을, 팽윤액인 아토텍 재팬(주)의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유 스웰링 딥 세큐리간스 P(글리콜에테르류, 수산화 나트륨의 수용액)에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서 조화액으로서 아토텍 재팬(주)의 콘센트레이트 콤팩트 P(KMnO4: 60 g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 20분간 침지, 마지막으로 중화액으로서 아토텍 재팬(주)의 리덕션 솔루션 세큐리간스 P(글리옥살, 황산의 수용액)에 40℃에서 5분간 침지했다. 80℃에서 30분 건조후, 이 조화 처리 후의 절연층 표면에 대해 산술 평균 거칠기(Ra치)의 측정을 수행했다. The inner circuit board having the insulating layer formed therein was swelled with diethylene glycol monobutyl ether-containing swelling dip Securigans P (glycol ether, aqueous solution of sodium hydroxide) of Atotech Japan Co., Ltd. for 10 minutes at 60 ° C. It was immersed, and then, it was immersed in Atotech Japan Co., Ltd. condensate compact P (KMnO4: 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) for 20 minutes at 80 degreeC, and finally Atotech Japan as a neutralizing liquid. It was immersed for 5 minutes at 40 degreeC in reduction solution Securigans P (glyoxal, the aqueous solution of sulfuric acid). After drying 30 minutes at 80 degreeC, the arithmetic mean roughness (Ra value) was measured with respect to the insulating layer surface after this roughening process.

(5) 세미 어디티브 공법에 의한 도금(5) Plating by semi additive method

절연층 표면에 회로를 형성하기 위해, 내층 회로 기판을, PdCl2를 포함하는 무전해 도금용 용액에 40℃에서 5분간 침지하고, 이어서 무전해 구리 도금액에 25℃에서 20분간 침지했다. 150℃에서 30분간 가열하여 어닐링 처리를 수행한 후에, 에칭 레지스터를 형성하고, 에칭에 의한 패턴 형성 후에 황산구리 전해 도금을 수행하여 35±5μm의 두께로 도체층을 형성했다. 이어서, 어닐링 처리를 200℃에서 60분간 수행했다. 이 회로 기판에 대해 도금 도체층의 당겨 벗김 강도(필링 강도)의 측정을 수행했다. In order to form a circuit on the insulating layer surface, the inner circuit board was immersed for 5 minutes at 40 ° C in an electroless plating solution containing PdCl 2 , and then immersed for 20 minutes at 25 ° C in an electroless copper plating solution. After the annealing treatment was performed by heating at 150 ° C. for 30 minutes, an etching resistor was formed, and after forming the pattern by etching, copper sulfate electroplating was performed to form a conductor layer with a thickness of 35 ± 5 μm. The annealing treatment was then performed at 200 ° C. for 60 minutes. The peeling strength (pilling strength) of the plating conductor layer was measured for this circuit board.

<도금 도체층의 당겨 벗김 강도(필링 강도)의 측정 및 평가> <Measurement and evaluation of peeling strength (pilling strength) of the plated conductor layer>

회로 기판의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm의 부분 칼집을 넣고, 이 일단을 벗겨 파지구(주식회사 TSE, 오토콤형 시험기 AC-50C-SL)로 잡고, 실온 중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 당겨 벗겼을 때의 하중(kgf/cm)을 측정했다. Into the conductor layer of the circuit board, a partial sheath having a width of 10 mm and a length of 100 mm is placed, and one end is peeled off and held by a gripper (TSE, Inc., Autocom Tester AC-50C-SL), at a speed of 50 mm / min at room temperature in the vertical direction. The load (kgf / cm) when 35 mm was peeled off was measured.

<조화 후의 산술 평균 거칠기(Ra치)의 측정 및 평가> <Measurement and evaluation of arithmetic mean roughness (Ra value) after harmony>

비접촉형 표면 거칠기계(비코 인스트루먼츠사 제조 WYKO NT3300)를 이용하여 VSI 컨택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121μm×92μm로 하여 얻어지는 수치에 의해 Ra치를 구했다. 그리고, 10점의 평균치를 구함으로써 측정했다. Ra value was calculated | required using the non-contact surface roughness machine (WYKO NT3300 by Vico Instruments Co., Ltd.) by the numerical value obtained by making a measurement range 121 micrometer x 92 micrometers with a VSI contact mode and a 50x lens. And it measured by obtaining the average value of ten points.

<평균 열팽창률의 측정 및 평가> Measurement and Evaluation of Average Coefficient of Thermal Expansion

실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 200℃에서 90분간 가열함으로써 열 경화시키고, PET 필름을 박리함으로써 시트형의 경화물을 얻었다. 그 경화물을, 폭 약 5mm, 길이 약 15mm의 시험편으로 절단하고, 열기계 분석 장치 Thermo Plus TMA 8310((주)리가쿠 제조)을 사용하여 인장 가중법으로 열기계 분석을 수행했다. 시험편을 상기 장치에 장착후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속하여 2회 측정했다. 두 번째의 측정에서 25℃부터 150℃까지의 평균 열팽창률(ppm)을 산출했다. The adhesive film obtained by the Example and the comparative example was heat-hardened by heating at 200 degreeC for 90 minutes, and the sheet-form hardened | cured material was obtained by peeling a PET film. The hardened | cured material was cut into the test piece of about 5 mm in width and about 15 mm in length, and the thermomechanical analysis was performed by the tensile weighting method using the thermomechanical analyzer Thermo Plus TMA 8310 (made by Rigaku Corporation). After mounting a test piece to the said apparatus, it measured continuously twice under the measurement conditions of a load of 1g and a temperature increase rate of 5 degree-C / min. In the second measurement, the average thermal expansion coefficient (ppm) from 25 ° C to 150 ° C was calculated.

<유전 탄젠트의 측정 및 평가> Measurement and Evaluation of Dielectric Tangents

실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 200℃에서 90분간 가열함으로써 열경화시키고, 지지체를 박리함으로써 시트형의 경화물을 얻었다. 그 경화물을, 길이 80mm, 폭 2mm로 잘라내어 평가 샘플로 했다. 이 평가 샘플에 대해 애질런트 테크놀로지즈(Agilent Technologies)사 제조 HP8362B 장치를 이용하여 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 유전 탄젠트를 측정했다. 2개의 시험편에 대해 측정을 행하고 평균치를 산출했다. The adhesive film obtained by the Example and the comparative example was thermosetted by heating at 200 degreeC for 90 minutes, and the support body was peeled off, and the sheet-like hardened | cured material was obtained. The hardened | cured material was cut out to length 80mm and width 2mm, and it was set as the evaluation sample. About this evaluation sample, the dielectric tangent was measured at the measurement frequency of 5.8 GHz and the measurement temperature of 23 degreeC by the cavity resonance perturbation method using the HP8362B apparatus by Agilent Technologies. Two test pieces were measured and the average value was computed.

<난연성의 평가> <Evaluation of flame retardancy>

실시예 및 비교예에서 작성한 접착 필름 40μm를, 기판 두께 0.2mm의 동장 적층판(히타치 카세이(주) 제조 "679-FG")의 동박을 에칭 제거한 기재의 양면에, 배치식 진공 가압 라미네이터 MVLP-500(메이키(주) 제조 상품명)을 이용하여 적층판의 양면에 라미네이트했다. 라미네이트는, 30초 동안 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초 동안 100℃, 압력 0.74MPa로 프레스함으로써 수행했다. 지지체의 PET 필름 박리후, 다시 접착 필름 40μm를 동일 조건에서 양면에 라미네이트했다. 그 후, PET 필름을 박리하고 200℃에서 90분 열경화시켜 난연 시험용 샘플을 얻었다. 폭 12.7mm, 길이 127mm로 잘라내고, 잘라낸 면을 연마기(Struers 제조, RotoPol-22)로 연마했다. 이상 5개의 샘플을 한 세트로 하여, UL94 수직 난연 시험을 따라 난연 시험을 실시했다. 10초 동안 불꽃 접촉 후의 타고 남은 샘플이 5개 모두 있는 경우를 "○"로 하고, 10초 동안 불꽃 접촉 후의 타고 남은 샘플이 없는 경우는 "×"로 했다. Batch-type vacuum pressurized laminator MVLP-500 on both surfaces of the base material from which the copper foil of the copper clad laminated board (Hitachi Kasei Co., Ltd. product "679-FG") of the board | substrate thickness 0.2mm was etched off the adhesive film 40 micrometers created by the Example and the comparative example. It laminated on both surfaces of the laminated board using (MEIKI Co., Ltd. brand name). Lamination was performed by depressurizing for 30 second and making atmospheric pressure 13 hPa or less, and then pressing at 100 degreeC and pressure 0.74 Mpa for 30 second. After peeling off PET film of a support body, 40 micrometers of adhesive films were laminated on both surfaces on the same conditions again. Thereafter, the PET film was peeled off and thermosetted at 200 ° C. for 90 minutes to obtain a sample for a flame retardant test. The cut surface was cut into 12.7 mm in width and 127 mm in length, and the cut surface was ground with a grinder (RotoPol-22, manufactured by Strers). With the above five samples as one set, the flame-retardant test was done according to UL94 vertical flame-retardant test. It was set as "(circle)" when there were all five samples remaining after flame contact for 10 second, and it was set as "x" when there was no sample remaining after flame contact for 10 seconds.

<실시예 1> &Lt; Example 1 >

나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 144, DIC(주) 제조 "EXA-4032SS") 6 질량부와 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쓰비시 화학(주) 제조 "YX4000HK") 12 질량부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 290, 니혼 카야쿠(주) 제조 "NC3000H") 9 질량부를 메틸에틸케톤(MEK) 4 질량부, 솔벤트 나프타 25 질량부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온까지 냉각후, 거기에 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%, 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부, 추가로 활성 에스테르 경화제(DIC(주) 제조 "EXB9460S-65T", 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65질량%의 톨루엔 용액) 45 질량부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5 질량%의 MEK 용액 5 질량부 및 구형 실리카((주)아도마테크 제조 "SOC2"를 아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입경 0.5μm) 160 질량부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 열경화성 수지 조성물의 바니스를 제작했다. 6 parts by mass of naphthalene type epoxy resin (Epoxy equivalent 144, DIC Corporation "EXA-4032SS") and 12 parts by mass of bixylenol type epoxy resin (Epoxy equivalent 190, Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK") 9 mass parts of type epoxy resins (epoxy equivalent about 290, Nippon Kayaku Co., Ltd. product "NC3000H") were melt | dissolved by stirring, stirring 4 mass parts of methyl ethyl ketone (MEK), and 25 mass parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, phosphorus-containing active ester curing agent (benzoyl esterified product of phosphazene-based phenol resin; YLH1437 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., esterification rate of about 83%, active group equivalent weight of about 332, P content of 9wt%, nonvolatile content 60 9 parts by mass of a mass% MEK solution), 45 parts by mass of an active ester curing agent (DIC Co., Ltd. product "EXB9460S-65T", a toluene solution of 65% by mass of nonvolatile matter having an active group equivalent of about 223), 4- as a curing accelerator. 5 parts by mass of a MEK solution of 5% by mass of dimethylaminopyridine and 160 parts by mass of spherical silica ("DOC-Tech" "SOC2" surface-treated with aminosilane and an average particle diameter of 0.5 μm) were mixed, and a high speed rotary mixer The varnish of the thermosetting resin composition was produced by disperse | distributing uniformly.

이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 알키드계 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38μm, 이하 PET 필름이라고 약칭함)의 이형면 상에 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40μm가 되도록 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80?110℃(평균 95℃)에서 5분간 건조했다(수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 약 2 질량%). 이어서, 수지 조성물층의 표면에 두께 15μm의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤 형태로 감았다. 롤 형태의 접착 필름을 폭 507mm로 슬릿하여 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착 필름을 얻었다. Subsequently, the resin composition varnish is uniformly coated with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 40 μm on a release surface of a polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm, hereinafter referred to as PET film) subjected to an alkyd type release treatment. It apply | coated and dried at 80-110 degreeC (average 95 degreeC) for 5 minutes (amount of residual solvent in resin composition layer: about 2 mass%). Next, it wound up in roll form, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film to the surface of a resin composition layer. The roll-shaped adhesive film was slit to a width of 507 mm to obtain a sheet-shaped adhesive film having a size of 507 × 336 mm.

<실시예 2> <Example 2>

나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 144, DIC(주) 제조 "EXA-4032SS") 8 질량부와 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쓰비시 화학(주) 제조 "YX4000HK") 10 질량부, 변성 나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 330, 신닛테쓰 화학(주)(Nippon Steel Chemical Co.,Ltd.) 제조 "ESN-475V") 9 질량부를 메틸에틸케톤(MEK) 4 질량부, 솔벤트 나프타 25 질량부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온까지 냉각후, 거기에 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%의 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부, 추가로 활성 에스테르 경화제(DIC(주) 제조 "EXB9460S-65T", 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65 질량%의 톨루엔 용액) 42 질량부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쓰비시 화학(주) 제조 "YL7553BH30" 불휘발분 30 질량%의 MEK와 시클로헥사논의 1:1 용액) 5 질량부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5 질량%의 MEK 용액 5 질량부, 고무 입자로서 스타피로이드(간쓰 화성(주) 제조, IM-401) 2 질량부를 솔벤트 나프타 8 질량부에 12시간 실온에서 정치 팽윤해 둔 것 및 구형 실리카((주)아도마테크 제조 "SOC2"를 아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입경 0.5μm) 150 질량부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 열경화성 수지 조성물의 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. 8 parts by weight of naphthalene type epoxy resin (Epoxy equivalent 144, DIC Corporation "EXA-4032SS") and 10 parts by mass of bixylenol type epoxy resin (Epoxy equivalent 190, Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK"), modified naphthalene 9 parts by mass of a type epoxy resin (about 330 epoxy equivalent, "ESN-475V" manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 4 parts by mass of methyl ethyl ketone (MEK), 25 parts by mass of solvent naphtha It was dissolved by heating with stirring. After cooling to room temperature, phosphorus-containing active ester curing agent (benzoyl esterified product of phosphazene-based phenol resin; YLH1437 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., about 83% esterification rate, about 332 equivalents of active group, non-volatile content of P content 9wt% 60 9 parts by mass of a mass% MEK solution, 42 parts by mass of an active ester curing agent ("EXB9460S-65T" manufactured by DIC Corp., a toluene solution of 65% by mass of a nonvolatile matter having an active group equivalent of about 223) and a phenoxy resin (weight 5 mass parts of 5 mass% MEK solution of 4-dimethylaminopyridine as a hardening accelerator, 5 mass parts of average molecular weight 35000, MEK of 30 mass% of non volatile matters "YL7553BH30" non-volatile content manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and 5 mass parts 2 parts by weight of starpyroids (manufactured by Gansu Chemical Co., Ltd., IM-401) as 8 parts by weight of a solvent naphtha at room temperature for 12 hours at room temperature and spherical silica (manufactured by Adomatech Co., Ltd.) Surface-treated with aminosilane And 150 mass parts of average particle diameters were mixed, it was disperse | distributed uniformly by the high speed rotary mixer, and the varnish of the thermosetting resin composition was produced. Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

<실시예 3><Example 3>

나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 144, DIC(주) 제조 "EXA-4032SS") 8 질량부와 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 미쓰비시 화학(주) 제조 "YX4000HK") 10 질량부, 변성 나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 330, 신닛테쓰 화학(주) 제조 "ESN-475V") 9 질량부를 메틸에틸케톤(MEK) 4 질량부, 솔벤트 나프타 25 질량부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온까지 냉각후, 거기에 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%의 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부, 추가로 비스페놀 A 디시아네이트의 프리폴리머(론자 재팬(주) 제조 "BA230S75", 시아네이트 당량 약 232, 불휘발분 75 질량%의 MEK 용액) 30 질량부, 페놀노볼락형 다작용 시아네이트에스테르 수지(론자 재팬(주) 제조 "PT30", 시아네이트 당량 약 124, 불휘발분 80 질량%의 MEK 용액) 5 질량부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 35000, 미쓰비시 화학(주) 제조 "YL7553BH30" 불휘발분 30 질량%의 MEK와 시클로헥사논의 1:1 용액) 5 질량부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5 질량%의 MEK 용액 0.7 질량부, 코발트(III) 아세틸아세토네이트(도쿄 화성(주) 제조)의 1 질량%의 MEK 용액 4.5 질량부, 고무 입자로서 스타피로이드(간쓰 화성(주) 제조, IM-401) 2 질량부를, 솔벤트 나프타 8 질량부에 12시간 실온에서 정치 팽윤해 둔 것 및 구형 실리카((주)아도마테크 제조 "SOC2"를 아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입경 0.5μm) 150 질량부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 열경화성 수지 조성물의 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. 8 parts by weight of naphthalene type epoxy resin (Epoxy equivalent 144, DIC Corporation "EXA-4032SS") and 10 parts by mass of bixylenol type epoxy resin (Epoxy equivalent 190, Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK"), modified naphthalene 9 mass parts of type | mold epoxy resins (epoxy equivalent about 330, "ESN-475V" by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd.) were melt | dissolved by stirring, stirring 4 mass parts of methyl ethyl ketone (MEK), and 25 mass parts of solvent naphtha. After cooling to room temperature, phosphorus-containing active ester curing agent (benzoyl esterified product of phosphazene-based phenol resin; YLH1437 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., about 83% esterification rate, about 332 equivalents of active group, non-volatile content of P content 9wt% 60 9 parts by mass of a mass% MEK solution), and 30 parts by mass of a prepolymer of bisphenol A dicyanate ("BA230S75" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., about 232 cyanate equivalent, MEK solution of 75% by mass of nonvolatile matter) 5 parts by mass of a novolak-type polyfunctional cyanate ester resin ("PT30" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., cyanate equivalent weight about 124, 80 mass% of non volatile matters), phenoxy resin (weight average molecular weight 35000, Mitsubishi Chemical 1 mass solution of MEK and cyclohexanone of 30 mass% of non volatile matters manufactured by "YL7553BH30", 0.7 mass part of 5 mass% MEK solution of 4-dimethylaminopyridine as a hardening accelerator, and cobalt (III) Acetyl Acetonate (Tokyo Hwaseong Co., Ltd.) 4.5 mass parts of 1 mass% MEK solution and 2 mass parts of staphyloid (Kantsu Chemical Co., Ltd. make, IM-401) as 1 mass% of manufacture), and fixed and swelled by 8 mass parts of solvent naphtha at room temperature for 12 hours. And 150 parts by mass of spherical silica ("Coma" manufactured by Adomatech Co., Ltd.) with an aminosilane and an average particle diameter of 0.5 µm were mixed and uniformly dispersed with a high speed rotary mixer to produce a varnish of a thermosetting resin composition. . Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

<실시예 4> <Example 4>

비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 290, 니혼 카야쿠(주) 제조 "NC3000H") 20 질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 187, 미쓰비시 화학(주) 제조 "828 US") 20 질량부를 메틸에틸케톤(MEK) 10 질량부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온까지 냉각후, 거기에 인 함유 활성 에스테르 경화제(9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드계; DIC(주) 제조, EXB9401-65BK, 활성기 당량 약 274, P 함량 3wt%의 불휘발분 65 질량%의 MIBK 용액) 20 질량부, 추가로 활성 에스테르 경화제(DIC(주) 제조 "EXB9460S-65T", 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65 질량%의 톨루엔 용액) 30 질량부, 트리아진 함유 크레졸노볼락 수지(DIC(주) 제조 "LA3018-50P", 페놀 당량 약 151, 불휘발분 50 질량%의 2-메톡시프로판올 용액) 5 질량부, 경화 촉진제로서 4-디메틸아미노피리딘의 5 질량%의 MEK 용액 3 질량부 및 구형 실리카((주)아도마테크 제조 "SOC2"를 아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입경 0.5μm) 220 질량부를 혼합하고 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 열경화성 수지 조성물의 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. 20 parts by mass of biphenyl-type epoxy resin (Epoxy equivalent approximately 290, Nihon Kayaku Co., Ltd. "NC3000H"), 20 parts by mass of bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 187, Mitsubishi Chemical Corporation "828 US") It melt | dissolved by stirring, stirring 10 mass parts of methyl ethyl ketone (MEK). After cooling to room temperature, phosphorus-containing active ester curing agent (9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide system; manufactured by DIC Corporation, EXB9401-65BK, equivalent to about 274 active groups) 20 parts by mass of a non-volatile matter 65 mass% MIBK solution having a P content of 3 wt%, and additionally an active ester curing agent ("EXB9460S-65T" manufactured by DIC Corporation, a toluene solution having a non-volatile content of 65 mass% of an active group equivalent of about 223) 30 5 parts by mass of a triazine-containing cresol novolak resin ("LA3018-50P" manufactured by DIC Corporation, a phenol equivalent of about 151, a 2-methoxypropanol solution having a nonvolatile content of 50% by mass), and 4-dimethyl as a curing accelerator. 3 parts by mass of a 5% by mass MEK solution of aminopyridine and 220 parts by mass of spherical silica ("Coma" manufactured by Adomatech Co., Ltd.) with aminosilane and an average particle diameter of 0.5 μm) were mixed with a high speed rotary mixer. It disperse | distributed so that the varnish of the thermosetting resin composition was produced. Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

<비교예 1> &Lt; Comparative Example 1 &

실시예 1에 있어서, 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%의 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부를 포스파젠계 페놀 수지(페놀 당량 250, 오쓰카 화학(주) 제조 "SPH-100", P 함량 12wt%, 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 6.5 질량부로 변경하는 것 이외에는 완전히 동일한 방법으로 수지 조성물 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. In Example 1, phosphorus containing active ester hardening | curing agent (benzoyl esterified substance of phosphazene-type phenol resin; YLH1437 by Mitsubishi Chemical Corporation, esterification rate about 83%, active group equivalent about 332, non-volatile matter 60 mass of P content 9wt% 9 parts by mass of phosphazene-based phenolic resin (phenol equivalent 250, manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd. "SPH-100", P content 12wt%, nonvolatile matter 60% by mass MEK solution) to 6.5 parts by mass A resin composition varnish was produced except in the same manner. Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

<비교예 2> Comparative Example 2

실시예 3에 있어서, 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%의 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부를 첨가하지 않고, 포스파젠계 난연제(오쓰카 화학(주) 제조 "SPS-100", 활성기 비함유, P 함량 13wt%) 4 질량부를 에폭시 수지와 함께 가열 용해시켜 사용하는 것 이외에는 완전히 동일한 방법으로 수지 조성물 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. In Example 3, phosphorus containing active ester hardening | curing agent (benzoyl esterified substance of phosphazene-type phenol resin; YLH1437 by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., about 83% of esterification ratio, about 332 active group equivalent, 60 mass of non volatile matters of 9 wt% of P content. 4 parts by mass of a phosphazene-based flame retardant ("SPS-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., no active group, P content 13wt%) without heat addition and 9 parts by mass of MEK solution) A resin composition varnish was produced in exactly the same manner except for. Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

<비교예 3> &Lt; Comparative Example 3 &

실시예 1에 있어서, 인 함유 활성 에스테르 경화제(포스파젠계 페놀 수지의 벤조일에스테르화물; 미쓰비시 화학(주) 제조 YLH1437, 에스테르화율 약 83%, 활성기 당량 약 332, P 함량 9wt%의 불휘발분 60 질량%의 MEK 용액) 9 질량부를 사용하지 않고, 활성 에스테르 경화제(DIC(주) 제조 "EXB9460S-65T", 활성기 당량 약 223의 불휘발분 65 질량%의 톨루엔 용액) 45 질량부를 50 질량부로 증량하여 사용하는 것 이외에는 완전히 동일한 방법으로 수지 조성물 바니스를 제작했다. 이어서, 이러한 수지 조성물 바니스를 사용하여 실시예 1과 완전히 동일한 방법으로 접착 필름을 얻었다. In Example 1, phosphorus containing active ester hardening | curing agent (benzoyl esterified substance of phosphazene-type phenol resin; YLH1437 by Mitsubishi Chemical Corporation, esterification rate about 83%, active group equivalent about 332, non-volatile matter 60 mass of P content 9wt% 45 parts by mass of an active ester curing agent (EXB9460S-65T manufactured by DIC Corporation, a nonvolatile matter 65% by mass of a nonvolatile matter having an active group equivalent of about 223) was used without the use of 9 parts by mass of 9% by mass of MEK solution). A resin composition varnish was produced in exactly the same manner except for doing the same. Subsequently, an adhesive film was obtained in exactly the same manner as in Example 1 using this resin composition varnish.

결과를 표 1에 나타냈다. The results are shown in Table 1.

Figure pat00013
Figure pat00013

표 1의 결과로부터, 실시예 1?4의 수지 조성물은 저산술 평균 거칠기에서 필링 강도가 충분한 값을 얻을 수 있고, 유전 탄젠트가 낮고 난연성도 뛰어난 것을 알 수 있다. 한편, 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제를 첨가하지 않은 비교예 3에서는 난연성을 얻을 수 없었다. 또한, 비교예 1과 같은 페놀성 수산기를 갖는 인 함유 난연제(포스파젠계 페놀 수지)에서는 산술 평균 거칠기가 커져 필링 강도도 저하되어 버렸다. 나아가, 비교예 2와 같이 비가교 타입의 포스파젠계 난연제를 사용한 경우에는 산술 평균 거칠기가 커져 버렸다. From the results of Table 1, it can be seen that the resin compositions of Examples 1 to 4 can obtain a sufficient peeling strength at low arithmetic mean roughness, have a low dielectric tangent and excellent flame retardancy. On the other hand, in Comparative Example 3 in which no active ester curing agent containing a phosphorus atom was added, flame retardancy could not be obtained. Moreover, in the phosphorus containing flame retardant (phosphazene phenol resin) which has a phenolic hydroxyl group like the comparative example 1, arithmetic mean roughness became large and peeling strength also fell. Furthermore, when a non-crosslinking type phosphazene flame retardant was used as in Comparative Example 2, the arithmetic mean roughness increased.

유전 특성, 열팽창률을 유지하면서, 습식 조화 공정에서 절연층 표면의 산술 평균 거칠기가 작고, 게다가 충분한 필링 강도를 갖는 도금 도체층을 형성할 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있게 되었다. 또한 이것을 이용한 접착 필름, 프리프레그, 다층 인쇄 배선판, 반도체 장치를 제공할 수 있게 되었다. 나아가 이들을 탑재한 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라, TV 등의 전기 제품이나 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박, 항공기 등의 탈것도 제공할 수 있게 되었다.It was possible to provide a resin composition capable of forming a plated conductor layer having a small arithmetic mean roughness on the surface of the insulating layer in a wet roughening process and having sufficient peeling strength while maintaining dielectric properties and thermal expansion coefficient. Moreover, the adhesive film, the prepreg, the multilayer printed wiring board, and the semiconductor device using this can be provided. Furthermore, electric appliances such as computers, mobile phones, digital cameras, and TVs equipped with them, and vehicles such as motorcycles, automobiles, trams, ships, and aircrafts can be provided.

Claims (13)

(A) 에폭시 수지 및 (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물. A resin composition comprising (A) an epoxy resin and an active ester curing agent containing (B) phosphorus atoms. 제1항에 있어서, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 카르복실산 화합물과 인 원자 함유 히드록시 화합물 간의 축합 반응으로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 수지 조성물. The resin composition according to claim 1, wherein (B) an active ester curing agent containing a phosphorus atom is obtained from a condensation reaction between a carboxylic acid compound and a phosphorus atom-containing hydroxy compound. 제1항 또는 제2항에 있어서, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 하기 화학식 (1) 내지 (3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상으로 표시되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물:
Figure pat00014

(식 중, R은 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R1은 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠 골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R2는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 2개의 R2는 결합하여 고리형을 형성하고 있을 수도 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)
Figure pat00015

(식 중, R4는 인 원자를 함유하는 알킬기, 인 원자를 함유하는 알케닐기, 인 원자를 함유하는 아랄킬기, 인 원자를 함유하는 아릴기, 포스파젠골격, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥사이드를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R3는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있으며, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R5는 수소, 히드록시기, 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)
Figure pat00016

(식 중, R6는 알킬기, 알케닐기, 아랄킬기, 아릴기를 들 수 있고, 치환기를 가지고 있을 수도 있다. R7은 치환되어 있을 수도 있는 벤조일기를 나타낸다. n은 1 내지 10을 나타낸다.)
The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the active ester curing agent containing a phosphorus atom (B) is represented by one or more selected from the group consisting of the following general formulas (1) to (3):
Figure pat00014

(In formula, R may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent. R1 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aral containing a phosphorus atom. And a carboxyl group, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide, and may have a substituent. A hydroxyl group, a phenyl group, and a naphthyl group, and two R 2 groups may be bonded to each other to form a cyclic group, n represents 1 to 10.
Figure pat00015

(Wherein R4 is an alkyl group containing a phosphorus atom, an alkenyl group containing a phosphorus atom, an aralkyl group containing a phosphorus atom, an aryl group containing a phosphorus atom, a phosphazene skeleton, 9,10-dihydro-9- Oxa-10-phosphaphenanthrene 10-oxide may be mentioned and may have a substituent R3 may be an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and may have a substituent R5 is hydrogen, Hydroxyl group, phenyl group, naphthyl group, n represents 1 to 10.)
Figure pat00016

(In formula, R <6> can mention an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, and an aryl group, and may have a substituent. R <7> represents the benzoyl group which may be substituted. N represents 1-10.)
제1항 또는 제2항에 있어서, 수지 조성물 중의 불휘발분을 100 질량%로 한 경우, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제가 1?15 질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein when the nonvolatile content in the resin composition is 100 mass%, the active ester curing agent containing (B) phosphorus atoms is 1 to 15 mass%. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지 조성물 중의 불휘발분을 100 질량%로 한 경우, 수지 조성물 중의 인 함유량이 0.05?3 질량%인 것을 특징으로 하는 수지 조성물. The phosphorus content in a resin composition is 0.05-3 mass%, when the non-volatile content in a resin composition is 100 mass%, The resin composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 무기 충전재를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물. (C) Inorganic filler is contained further, The resin composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, (E) 경화제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물. (E) Curing agent is further contained, The resin composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제7항에 있어서, (A) 에폭시 수지의 에폭시기의 합계 수와, (B) 인 원자를 함유하는 활성 에스테르 경화제 및 (E) 경화제의 반응기의 합계 수 간의 비가 1:0.2?2인 것을 특징으로 하는 수지 조성물. The ratio between the total number of epoxy groups of (A) epoxy resin and the total number of active ester curing agents (B) containing phosphorus atoms and reactors of (E) curing agents is 1: 0.2 to 2, Resin composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리하고 도금하여 얻어지는 도체층과 절연층의 필링 강도가 0.36kgf/cm 내지 1.0kgf/cm이고, 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성하고, 그 절연층 표면을 조화 처리한 후의 산술 평균 거칠기가 10nm 내지 200nm이고, 수지 조성물을 경화하여 절연층을 형성한 후의 25℃부터 150℃까지의 평균 열팽창률이 5ppm 내지 25ppm인 것을 특징으로 하는 수지 조성물. 3. The peeling strength of the conductor layer and the insulating layer obtained by curing the resin composition to form an insulating layer, roughening and plating the surface of the insulating layer is 0.36 kgf / cm to 1.0 kgf / cm. The arithmetic mean roughness after hardening a resin composition and forming an insulating layer, and roughening the surface of the insulating layer is 10 nm-200 nm, The average from 25 degreeC to 150 degreeC after hardening a resin composition and forming an insulating layer The thermal expansion coefficient is 5 ppm-25 ppm, The resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 지지체 상에 층 형성된 접착 필름. The adhesive film in which the resin composition of Claim 1 or 2 was layered on the support body. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 시트형 보강 기재 중에 함침된 프리프레그. The prepreg in which the resin composition of Claim 1 or 2 was impregnated in the sheet-like reinforcement base material. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 절연층이 형성된 다층 인쇄 배선판. The multilayer printed wiring board with which the insulating layer was formed with the hardened | cured material of the resin composition of Claim 1 or 2. 제12항에 기재된 다층 인쇄 배선판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.The multilayer printed wiring board of Claim 12 is used, The semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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