KR20120119073A - Manufacturing method of dye sensitized solar cell - Google Patents
Manufacturing method of dye sensitized solar cell Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120119073A KR20120119073A KR1020110036824A KR20110036824A KR20120119073A KR 20120119073 A KR20120119073 A KR 20120119073A KR 1020110036824 A KR1020110036824 A KR 1020110036824A KR 20110036824 A KR20110036824 A KR 20110036824A KR 20120119073 A KR20120119073 A KR 20120119073A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dye
- paste
- metal oxide
- oxide fine
- fine particle
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 74
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- -1 4-tertiary-butanol Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N tert-butyl alcohol Substances CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZBZJXHCVGLJWFG-UHFFFAOYSA-N trichloromethyl(.) Chemical compound Cl[C](Cl)Cl ZBZJXHCVGLJWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001824 selenocyanato group Chemical group *[Se]C#N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- DBGIVFWFUFKIQN-UHFFFAOYSA-N (+-)-Fenfluramine Chemical compound CCNC(C)CC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 DBGIVFWFUFKIQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFPQDYSOPQHZAQ-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropanenitrile Chemical compound COC(C)C#N SFPQDYSOPQHZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- METIGIXCFPEQNM-UHFFFAOYSA-M amino-(2-bromoethyl)-dimethylazanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(N)CCBr METIGIXCFPEQNM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- ZJYYHGLJYGJLLN-UHFFFAOYSA-N guanidinium thiocyanate Chemical compound SC#N.NC(N)=N ZJYYHGLJYGJLLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- NYAZXHASVIWIRJ-UHFFFAOYSA-N nitridosulfidocarbon(.) Chemical compound [S]C#N NYAZXHASVIWIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 흡수층의 형성 과정을 간소화한 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell, and more particularly, to a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell, which simplifies the process of forming a light absorbing layer.
태양 전지는 태양광 에너지를 이용하여 전기 에너지를 생성하는 장치로서 친환경적이고 에너지원이 무한하며 수명이 긴 장점이 있다. 염료 감응형 태양 전지는 한 쌍의 전극 사이에 배치된 염료 분자가 태양광을 흡수하여 전자로 전환시키는 형태의 태양 전지이다. 염료 감응형 태양 전지에서 광 흡수층은 금속 산화물 미립자층과 여기에 흡착된 염료로 구성된다.Solar cells are devices that generate electrical energy using solar energy, which are environmentally friendly, have unlimited energy sources, and have a long lifespan. Dye-sensitized solar cells are solar cells in which dye molecules disposed between a pair of electrodes absorb sunlight and convert them into electrons. In a dye-sensitized solar cell, the light absorbing layer is composed of a metal oxide fine particle layer and a dye adsorbed thereto.
기존 염료 감응형 태양 전지의 제조 과정에서 금속 산화물 미립자층을 형성하고 그 위에 염료를 흡착시키는데 대략 2일 정도가 소요된다. 그리고 기존 방법에서는 금속 산화물 미립자층 형성에 500℃ 이상의 고온 처리가 필요하므로 플라스틱과 같이 열에 약한 기판은 사용이 불가능하다. 따라서 공정을 간소화하여 공정 시간을 줄이고, 100℃ 이하의 저온 공정이 가능한 기술 개발이 요구되고 있다.In the manufacture of conventional dye-sensitized solar cells, it takes about two days to form a metal oxide fine particle layer and adsorb dye thereon. In the conventional method, since a high temperature treatment of 500 ° C. or more is required to form the metal oxide fine particle layer, a heat-sensitive substrate such as plastic cannot be used. Therefore, there is a demand for a technology that can simplify a process, reduce process time, and enable a low temperature process of 100 ° C. or lower.
본 발명은 광 흡수층 형성에 소요되는 시간을 단축시키고, 공정을 간소화하며, 기판으로서 플라스틱을 적용할 수 있는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법을 제공하고자 한다.The present invention is to provide a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell that can shorten the time required to form a light absorbing layer, simplify the process, and can apply plastic as a substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법은 제1 전극이 각각 형성된 복수의 제1 기판을 준비하는 단계와, 어느 하나의 제1 전극 위에 금속 산화물 미립자들을 포함하는 페이스트를 도포 후 건조시키는 단계와, 한 쌍의 제1 전극이 페이스트를 사이에 두고 마주하도록 페이스트 위에 다른 제1 전극이 형성된 제1 기판을 적층하는 단계와, 페이스트를 압착 후 한 쌍의 제1 기판을 분리시켜 한 쌍의 제1 전극 위 각각에 금속 산화물 미립자층을 형성하는 단계와, 금속 산화물 미립자층에 염료를 흡착시켜 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a dye-sensitized solar cell according to an embodiment of the present invention includes preparing a plurality of first substrates each having a first electrode formed thereon, and applying a paste including metal oxide fine particles on any one first electrode. After the drying step, laminating a first substrate on which the other first electrode is formed so that the pair of first electrodes face each other with the paste interposed therebetween, and after pressing the paste, the pair of first substrates are separated Forming a metal oxide fine particle layer on each of the pair of first electrodes, and adsorbing a dye to the metal oxide fine particle layer to form a light absorbing layer.
금속 산화물 미립자들은 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 주석 산화물(SnO2), 및 니오븀 산화물(Nb2O5)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.Metal oxide fine particles consist of titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), and niobium oxide (Nb 2 O 5 ). It may include at least one selected from the group.
페이스트는 용매로서 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 4-터셔리-부탄올, 물, 및 아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The paste may include at least one selected from the group consisting of ethanol, methanol, propanol, butanol, 4-tertiary-butanol, water, and acetic acid as a solvent.
페이스트를 압착할 때 1MPa 내지 10GPa의 범위에 속하는 압력이 1초 내지 30분 인가될 수 있다. 페이스트를 압착할 때 30℃ 내지 150℃의 범위에 속하는 온도로 페이스트를 가열할 수 있다.When compressing the paste, a pressure in the range of 1 MPa to 10 GPa may be applied for 1 second to 30 minutes. When the paste is pressed, the paste can be heated to a temperature in the range of 30 ° C to 150 ° C.
광 흡수층을 형성하는 단계에서, 금속 산화물 미립자층을 가열하고, 가열된 금속 산화물 미립자층의 표면에 염료 용액을 분사 또는 분무하여 염료를 흡착시킬 수 있다. 금속 산화물 미립자층의 가열 온도는 80℃ 내지 90℃의 범위에 속할 수 있다.In the step of forming the light absorbing layer, the metal oxide fine particle layer may be heated, and the dye solution may be sprayed or sprayed onto the surface of the heated metal oxide fine particle layer to adsorb the dye. The heating temperature of the metal oxide fine particle layer may be in the range of 80 ° C to 90 ° C.
염료 용액은 염료로서 카르복실산 계열, 인산 계열, 붕산 계열, 헥살릭산 계열, 히드로키삼산 계열, 실란 계열, 아마이드 계열, 및 에테르 계열로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The dye solution may include at least one material selected from the group consisting of carboxylic acid series, phosphoric acid series, boric acid series, hexalic acid series, hydrokisanoic acid series, silane series, amide series, and ether series as dyes.
염료 용액은 용매로서 에탄올, 물, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 디메틸폼 아마이드, 트리메틸시릴 브로마이드, 브롬산, 프로판올, 4-터셔리-부탄올, 황산, 페놀, 이염화탄소, 및 삼염화탄소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The dye solution is selected from the group consisting of ethanol, water, toluene, tetrahydrofuran, dimethylformamide, trimethylsilyl bromide, bromic acid, propanol, 4-tert-butanol, sulfuric acid, phenol, carbon dichloride, and carbon trichloride as solvents. It may include at least one.
본 실시예에 따르면, 한 번의 페이스트 코팅으로 두 개의 금속 산화물 미립자층을 동시에 형성할 수 있으므로, 재료 낭비를 줄이고 공정을 간소화하여 생산성을 높일 수 있다. 또한, 본 실시예의 제조 방법은 제1 기판의 소재에 제약을 주지 않는 저온 공정이므로 플라스틱 기판을 적용하여 가요성 태양 전지를 용이하게 제조할 수 있다.According to the present embodiment, since two metal oxide fine particle layers can be simultaneously formed by one paste coating, it is possible to reduce material waste and simplify the process to increase productivity. In addition, since the manufacturing method of the present embodiment is a low temperature process that does not limit the material of the first substrate, a flexible solar cell can be easily manufactured by applying a plastic substrate.
도 1과 도 2a 내지 도 2e 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양 전지의 제조 과정을 나타낸 단면도들이다.
도 4a는 본 실시예의 방법으로 제조된 금속 산화물 미립자층의 주사전자현미경 사진이다.
도 4b는 금속 산화물 미립자층에 담금법을 이용하여 염료를 흡착시킨 광 흡수층의 주사전자현미경 사진이다.
도 4c는 금속 산화물 미립자층을 가열 후 염료 용액을 분사하여 염료를 흡착시킨 광 흡수층의 주사전자현미경 사진이다.1 and 2a to 2e and 3 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the dye-sensitized solar cell according to an embodiment of the present invention.
4A is a scanning electron micrograph of the metal oxide fine particle layer prepared by the method of this embodiment.
FIG. 4B is a scanning electron micrograph of a light absorbing layer in which a dye is adsorbed using a metal oxide fine particle layer by immersion.
4C is a scanning electron micrograph of a light absorbing layer in which a dye solution is adsorbed by heating a metal oxide fine particle layer and then spraying a dye solution.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
도 1과 도 2a 내지 도 2e 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 감응형 태양 전지의 제조 과정을 나타낸 단면도들이다.1 and 2a to 2e and 3 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the dye-sensitized solar cell according to an embodiment of the present invention.
본 실시예에 따른 염료 감응형 태양 전지의 제조 과정은 크게 제1 전극(11)이 각각 형성된 복수의 제1 기판(10)을 준비하는 제1 단계(도 1 참조)와, 제1 전극(11) 위에 광 흡수층(15)을 형성하는 제2 단계(도 2a 내지 도 2e 참조)와, 제2 전극(21)이 형성된 제2 기판(20)을 준비하고 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 조립하는 제3 단계(도 3 참조)를 포함한다.The manufacturing process of the dye-sensitized solar cell according to the present embodiment includes a first step (see FIG. 1) of preparing a plurality of
도 1을 참고하면, 제1 단계에서 제1 전극(11)이 각각 형성된 복수의 제1 기판(10)을 준비한다. 도 1에서는 두 개의 제1 기판(10)을 도시하였다.Referring to FIG. 1, a plurality of
제1 기판(10)은 투명 기판으로서 유리 또는 플라스틱으로 제조된다. 플라스틱의 경우 제1 기판(10)은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리아크릴레이트(PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리스타이렌(PS), 폴리에틸렌(polyethylene), 및 폴리프로필렌(polypropylene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 플라스틱으로 제조된 제1 기판(10)은 휘어지는 성질을 가질 수 있다.The
제1 전극(11)은 투명한 전도성 금속 산화막으로 이루어진다. 제1 전극(11)은 인듐 주석 산화물(ITO), 불소 도핑 주석 산화물(FTO), 아연 산화물(ZnO), 및 알루미늄 도핑 아연 산화물(AZO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 전극(11)은 다음에 설명하는 광 흡수층(15)으로 빛을 투과시키고, 광 흡수층(15)에서 발생한 전자를 외부 회로로 전달하는 도선으로 기능한다.The
제1 기판(10)은 제2 단계로 투입되기 전 세정 과정을 거칠 수 있다. 세정 과정은 유리 세정제를 이용한 초음파 세정 단계와, 증류수를 이용한 세정 단계와, 에탄올을 이용한 세정 단계를 포함할 수 있다. 이러한 세정 과정을 거쳐 제1 전극(11) 표면의 유기 오염 물질을 제거할 수 있다.The
도 2a를 참고하면, 제2 단계에서 어느 하나의 제1 전극(11) 위에 금속 산화물 미립자들을 포함하는 페이스트(12)를 도포한다. 페이스트(12)는 금속 산화물 미립자들과 용매를 포함하며, 일정 두께로 도포 후 공기 중에서 건조된다.Referring to FIG. 2A, a
금속 산화물 미립자들은 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 주석 산화물(SnO2), 및 니오븀 산화물(Nb2O5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 용매는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 4-터셔리-부탄올, 물, 및 아세트산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속 산화물 미립자들과 용매의 종류는 전술한 예들에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다.The metal oxide fine particles include at least one of titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), and niobium oxide (Nb 2 O 5 ). It may include one. The solvent may comprise at least one of ethanol, methanol, propanol, butanol, 4-tertiary-butanol, water, and acetic acid. The kinds of the metal oxide fine particles and the solvent are not limited to the examples described above and may be variously changed.
도 2b를 참고하면, 한 쌍의 제1 전극(11)이 페이스트(12)를 사이에 두고 상하로 마주하도록 페이스트(12) 위에 다른 제1 기판(10)과 제1 전극(11)을 적층한다. 이로써 두 개의 제1 전극(11)이 페이스트(12)와 접촉하면서 두 개의 제1 기판(10)이 상하로 적층된다. 상호 적층된 두 개의 제1 기판(10)과 두 개의 제1 전극(11)은 같은 공정에서 제조된 동일 제품이다.Referring to FIG. 2B, the other
도 2c와 도 2d를 참고하면, 상부의 제1 기판(10)을 가압하여 페이스트(12)를 압착시킨 후 두 개의 제1 기판(10)을 분리시켜 두 개의 제1 전극(11) 위에 금속 산화물 미립자층(13)을 각각 형성한다. 이로써 한번의 코팅 공정으로 두 개의 금속 산화물 미립자층(13)을 동시에 형성할 수 있으므로 공정을 간소화하고, 금속 산화물 미립자층(13)의 공정 시간을 효과적으로 단축시킬 수 있다.Referring to FIGS. 2C and 2D, the
압착 공정을 통해 내부 조직이 매우 치밀하고 제1 전극(11)에 대한 밀착성이 우수한 금속 산화물 미립자층(13)을 형성할 수 있다. 압착 과정에서 도시하지 않은 프레스 장치가 사용되며, 페이스트(12)의 건조를 촉진시키기 위해 페이스트(12)에 열이 가해질 수 있다. 이때 페이스트(12)에 가해지는 열은 150℃ 이하로서 종래 500℃ 이상의 고온 열처리와 다른 저온 열처리 방법이 적용된다.Through the pressing process, the metal oxide
페이스트(12)의 압착 과정에서 가열 온도는 30℃ 내지 150℃의 범위에 속할 수 있다. 가열 온도가 30℃ 미만이면 가열에 의한 용매 제거 효과가 미비할 수 있고, 150℃를 초과하면 저온 공정이 아닌 고온 열처리 공정에 속하므로 제1 기판(10)으로 플라스틱과 같은 가요성 기판을 사용하는데 어려움이 생길 수 있다.In the pressing process of the
압착 과정에서 페이스트(12)에 가해지는 압력은 1MPa 내지 10GPa의 범위에 속할 수 있다. 제1 기판(10)이 유리와 같이 깨지기 쉬운 소재로 제조되거나 페이스트(12)에 포함된 금속 산화물 미립자들이 제1 전극(11)과의 반응성이 좋고 무른 편에 속하면 1MPa 정도의 작은 압력으로도 작업이 가능하다. 한편, 제1 기판(10)이 압력에 강한 소재로 제조되고 페이스트(12)에 포함된 금속 산화물 미립자들이 제1 전극(11)과의 반응성이 낮고 입자가 단단한 편에 속하는 경우 10GPa 정도의 큰 압력이 필요하다.The pressure applied to the
전술한 범위의 압력이 가해지는 시간은 1초 내지 30분의 범위에 속할 수 있다. 페이스트(12)에 포함된 금속 산화물 미립자들이 제1 전극(11)과의 반응성이 좋고 무른 편에 속할수록 짧은 압착 시간으로 코팅이 가능하며, 제1 전극(11)과의 반응성이 낮고 입자가 단단한 편에 속할수록 30분 정도의 긴 압착 시간이 필요하다.The time for which the pressure in the above-described range is applied may be in the range of 1 second to 30 minutes. As the metal oxide fine particles included in the
전술한 페이스트(12) 압착 후 분리 과정을 거쳐 두 개의 제1 전극(11) 위에 금속 산화물 미립자층(13)을 동시에 형성한다. 이러한 공정은 수십분 이내의 짧은 시간에 금속 산화물 미립자층(13)의 형성을 가능하게 하며, 제1 기판(10)의 소재에 제약을 주지 않는 저온 공정이다. 또한, 재료 낭비가 적고 간소화된 공정이므로 생산성을 높일 수 있다.After the compression of the
만일 제1 전극 위에 페이스트를 도포한 후 통상의 프레스 장치로 페이스트를 압착하여 금속 산화물 미립자층을 형성하는 경우를 가정하면, 페이스트의 일부는 프레스 장치에 묻게 된다. 따라서 페이스트가 낭비되므로 재료 비용이 높아지고, 프레스 장치에 묻은 페이스트를 제거한 다음 프레스 장치를 재사용할 수 있으므로 공정이 복잡해진다. 그러나 본 실시예의 방법에서는 페이스트가 프레스 장치에 묻지 않으므로 전술한 문제점을 모두 해소할 수 있다.If it is assumed that after applying the paste on the first electrode to form a metal oxide fine particle layer by pressing the paste with a conventional press apparatus, part of the paste is buried in the press apparatus. Therefore, the waste of the paste increases the material cost, and the process is complicated because the paste applied to the press apparatus can be removed and the press apparatus can be reused. However, in the method of this embodiment, since the paste does not adhere to the press apparatus, all the above-mentioned problems can be solved.
제2 단계에서 어느 하나의 제1 기판(10)을 컨베이어 벨트와 같은 이송 수단에 의해 연속으로 이동시키면서 제1 전극(11) 위에 페이스트(12)를 도포하고, 다른 제1 기판(10)을 페이스트(12) 위에 적층한 다음 압착하는 과정을 연속으로 진행할 수 있다.In the second step, the
도 2e를 참고하면, 금속 산화물 미립자층(13)에 염료(14)를 흡착시켜 광 흡수층(15)을 형성한다. 광 흡수층(15)은 금속 산화물 미립자층(13)과 여기에 흡착된 염료(14)로 이루어진다. 염료(14)의 흡착은 염료 용액에 금속 산화물 미립자층(13)을 담그는 방법으로 진행되거나 금속 산화물 미립자층(13)을 고온으로 가열 후 염료 용액을 분사 또는 분무하는 방법으로 진행될 수 있다.Referring to FIG. 2E, the
염료(14) 흡착을 위한 첫 번째 방법은 염료와 용매를 포함한 염료 용액에 금속 산화물 미립자층(13)이 형성된 제1 기판(10)을 담궈 금속 산화물 미립자층(13)에 염료를 흡착시키는 과정으로 이루어진다. 염료(14) 흡착이 완료된 제1 기판(10)은 염료 용액에서 분리된 후 에탄올 등으로 세정되고 건조 과정을 거친다.The first method for adsorption of the
염료(14) 흡착을 위한 두 번째 방법은 금속 산화물 미립자층(13)을 일정 온도로 가열하고, 가열된 금속 산화물 미립자층(13)에 염료 용액을 분사 또는 분무하여 금속 산화물 미립자층(13)에 염료(14)를 흡착시키는 과정으로 이루어진다. 이 방법에서는 염료 용액이 가열된 금속 산화물 미립자층(13)에 충돌하면서 용매가 빠르게 증발함과 동시에 염료 분자가 금속 산화물 미립자들 표면에 바로 흡착된다.The second method for adsorbing the
두 번째 방법에서는 낮은 농도의 염료 용액을 사용하여도 염료(14) 흡착에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있고, 금속 산화물 미립자층(13) 이외의 다른 부분에 염료가 흡착되지 않으므로 재료 손실이 적으며, 다른 부분에 묻은 염료를 제거하는 공정을 생략할 수 있으므로 공정을 간소화하는 효과가 있다.In the second method, even when a low concentration of the dye solution is used, the time required for the adsorption of the
두 번째 방법에서 금속 산화물 미립자층(13)의 가열 온도는 80℃ 내지 90℃의 범위에 속할 수 있다. 가열 온도가 80℃ 미만이면 용매의 증발 시간이 길어질 수 있고, 90℃를 초과하면 염료 용액이 금속 산화물 미립자층(13)을 충분히 적시기 전에 용매가 증발되므로 염료(14)가 원활하게 흡착되지 않을 수 있다. 또한, 인화성이 강한 유기 용매의 경우 용매 증기에 불이 붙는 위험도 발생할 수 있다.In the second method, the heating temperature of the metal oxide
첫 번째 및 두 번째 방법 모두에서 염료 용액에 포함되는 염료는 카르복실산 계열(카르복실산염 또는 루테늄 계열 포함), 인산 계열(인산염 포함), 붕산 계열, 헥살릭산 계열, 히드로키삼산 계열, 실란 계열, 아마이드 계열, 및 에테르 계열 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In both the first and second methods, the dyes included in the dye solution are carboxylic acid series (including carboxylate or ruthenium series), phosphoric acid series (including phosphate), boric acid series, hexalic acid series, hydrokisamic acid series and silane series , Amide based, and ether based materials.
그리고 염료 용액에 포함되는 용매는 에탄올, 물, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 디메틸폼 아마이드, 트리메틸시릴 브로마이드, 브롬산, 프로판올, 4-터셔리-부탄올, 황산, 페놀, 이염화탄소, 및 삼염화탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.And the solvent included in the dye solution is at least one of ethanol, water, toluene, tetrahydrofuran, dimethylformamide, trimethylsilyl bromide, bromic acid, propanol, 4-tert-butanol, sulfuric acid, phenol, carbon dichloride, and carbon trichloride. It may include one.
도 3을 참고하면, 제1 전극(11) 및 광 흡수층(15)이 형성된 제1 기판(10)과 제2 전극(21)이 형성된 제2 기판(20)을 준비하고, 밀봉재(30)를 이용하여 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합시킨다. 그 후 광 흡수층(15)과 제2 전극(21) 사이에 전해질(31)을 주입하여 염료 감응형 태양 전지(100)를 완성한다.Referring to FIG. 3, the
전해질(31)은 산화-환원 커플(redux couple)로 이루어진 전해질로서 할로겐 화합물과 할로겐 분자로 구성된 할로겐 산화 환원계 전해질(Br3 -/Br-, I3 -/I-), 셀레늄 산화 환원계 전해질((SeCN)2/SeCN-), 사이아노황 산화 환원계 전해질((SCN)2/SCN-), 코발트 산화 환원계 전해질(Co(Ⅱ)/Co(Ⅲ)) 등을 사용할 수 있다. 전해질(31)의 용매는 아세토니트릴, 메톡시프로피오니트릴, 부티로니트릴, 및 메톡시아세토니트릴 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 전극(21)은 촉매 전극으로서 산화-환원 쌍을 활성화시키는 역할을 한다. 제2 전극(21)은 백금, 금, 루테늄, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 염료 감응형 태양 전지(100)에서 광 흡수층(15)을 구비한 제1 기판(10)은 태양광이 입사하는 쪽에 배치되고, 제2 기판(20)은 그 반대편에 배치된다.The
염료 감응형 태양 전지(100)로 태양광이 입사하면, 광 흡수층(15)의 염료(14)가 광자에 의해 기저 상태에서 여기 상태로 전이하여 전자-홀 쌍을 만들고, 여기 상태의 전자는 금속 산화물 미립자 계면의 전도띠로 주입되며, 제1 전극(11)과 외부 회로를 거쳐 제2 전극(21)으로 이동한다. 전자 전이 결과로 산화된 염료는 전해질(31) 내의 산화-환원 커플의 이온에 의해 환원되고, 산화된 이온은 전하 중성을 이루기 위해 제2 전극(21)의 계면에 도달한 전자와 환원 반응을 일으킨다. 이러한 과정으로 염료 감응형 태양 전지(100)가 작동한다.When sunlight enters the dye-sensitized
이하, 비교예의 염료 감응형 태양 전지 및 실시예의 염료 감응형 태양 전지의 제작 과정과 효율 측정 결과에 대해 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process and the efficiency measurement result of the dye-sensitized solar cell of a comparative example and the dye-sensitized solar cell of an Example are demonstrated.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
제1 전극으로서 불소 도핑 주석 산화물(FTO)이 형성된 유리 기판(제1 기판)을 유리 세정제에 10분, 증류수에 10분, 에탄올에 10분간 초음파 분해 세척을 하고, 질소 블로잉(blowing)을 통해 기판 표면에 묻은 세척액을 제거하였다.A glass substrate (first substrate) on which fluorine-doped tin oxide (FTO) was formed as a first electrode was subjected to ultrasonic decomposition cleaning for 10 minutes in a glass cleaner, 10 minutes in distilled water, and 10 minutes in ethanol, and then a substrate was blown through nitrogen blowing. The wash solution on the surface was removed.
스크린 프린터를 이용하여 솔라로닉스(SOLARONIX) 사의 티타늄 산화물 페이스트를 세척이 완료된 불소 도핑 주석 산화물(FTO) 유리 기판의 중심부에 코팅하였다. 코팅한 직후 티타늄 산화물 페이스트 내의 공기를 제거하기 위해 3분간 공기 중에 방치한 후 120℃ 오븐에서 7분간 열처리하였으며, 이 과정을 3회 반복 후에 500℃ 오븐에서 30분간 열처리하여 티타늄 산화물 미립자층을 형성하였다.Using a screen printer, a titanium oxide paste from SOLARONIX was coated on the center of the cleaned fluorine-doped tin oxide (FTO) glass substrate. Immediately after coating, the mixture was left in air for 3 minutes to remove air in the titanium oxide paste, and then heat-treated in an oven at 120 ° C. for 7 minutes. The process was repeated three times and then heat-treated in an oven at 500 ° C. for 30 minutes to form a titanium oxide fine particle layer. .
솔라로닉스 사의 루테늄 염료인 N-719 염료와 아세토니트릴 4-터셔리-부탄올 용매를 이용하여 제조한 0.3mM 염료 용액에 티타늄 산화물 미립자층이 코팅된 기판을 24시간 담가 염료를 흡착시켜 광 흡수층을 형성하였다. 염료 흡착 후 기판을 에탄올로 세정한 후 공기 중에서 건조시켰다.Soaking the substrate coated with titanium oxide fine particle layer for 24 hours in 0.3mM dye solution prepared by using Solarium's ruthenium dye N-719 and acetonitrile 4-tert-butanol solvent to form a light absorbing layer It was. After dye adsorption, the substrate was washed with ethanol and dried in air.
불소 도핑 주석 산화물(FTO)이 형성된 유리 기판(제2 기판)에 전해질 용액이 들어갈 구멍을 2개 형성하고, 제1 기판과 동일한 방식으로 세정하였다. 솔라로닉스 사의 Platisol 용액을 불소 도핑 주석 산화물(FTO) 위에 코팅하고 용매를 공기 중에서 건조시킨 후 400℃ 오븐에서 5분간 열처리하여 백금으로 이루어진 제2 전극을 형성하였다.Two holes for the electrolyte solution were formed in the glass substrate (second substrate) on which fluorine-doped tin oxide (FTO) was formed, and were washed in the same manner as the first substrate. The Platisol solution of Solaronics Co. was coated on fluorine-doped tin oxide (FTO), the solvent was dried in air, and then heat-treated in an oven at 400 ° C. for 5 minutes to form a second electrode made of platinum.
제1 기판과 제2 기판 사이에 솔라로닉스 사의 설린(Surlyn)을 위치시키고, 130℃로 가열한 핫 플레이트 위에 배치한 후 가열시켜 밀봉재를 형성하였다. 0.6M BMII, 0.03M 아이오다이드, 0.1M 구아니디늄 티오사이아네이트, 0.5M 터셔리-부틸피리딘과 아세토니트릴 및 발러니트릴의 혼합 용매 전해질 용액을 제조하고, 제2 전극에 형성된 2개의 구멍을 통해 전해질 용액을 주입하여 염료 감응형 태양 전지를 제조하였다.Sullyn from Solaron Corporation was placed between the first and second substrates, placed on a hot plate heated to 130 ° C, and heated to form a sealing material. A mixed solvent electrolyte solution of 0.6M BMII, 0.03M iodide, 0.1M guanidinium thiocyanate, 0.5M tertiary-butylpyridine, acetonitrile and valenitrile was prepared, and two holes formed in the second electrode An electrolyte solution was injected through to prepare a dye-sensitized solar cell.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
염료 흡착법을 변경한 것을 제외하고 비교예 1과 같은 공정으로 염료 감응형 태양 전지를 제조하였다.A dye-sensitized solar cell was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that the dye adsorption method was changed.
솔라로닉스 사의 루테늄 염료인 N-719 염료에 아세토니트릴과 4-터셔리-부탄올 용매를 이용하여 0.3mM 염료 용액을 제조하고, 티타늄 산화물 미립자층 위에 마스크를 부착하여 티타늄 산화물 미립자층만 염료 용액과 닿을 수 있게 한 뒤 100℃로 가열된 핫 플레이트 위에 제1 기판을 배치하였다. 티타늄 산화물 미립자층을 80℃로 가열한 후 염료 용액을 마이크로 피펫을 이용하여 티타늄 산화물 미립자층 표면에 200㎕부터 350㎕까지의 양으로 4분부터 7분 동안 적셔주었다.A 0.3 mM dye solution was prepared using acetonitrile and 4-tertary-butanol solvent in N-719, a ruthenium dye made by Solaronics, and a mask was attached on the titanium oxide fine particle layer so that only the titanium oxide fine particle layer could come into contact with the dye solution. And then placed the first substrate on a hot plate heated to 100 ° C. After the titanium oxide fine particle layer was heated to 80 ° C., the dye solution was wetted on the surface of the titanium oxide fine particle layer in an amount of 200 μl to 350 μl using a micro pipette for 4 to 7 minutes.
(실시예 1)(Example 1)
티타늄 산화물 미립자층 형성 및 염료 흡착법을 변경한 것을 제외하고 비교예 1과 같은 공정으로 염료 감응형 태양 전지를 제조하였다.A dye-sensitized solar cell was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that the titanium oxide fine particle layer formation and dye adsorption were changed.
세척이 완료된 불소 도핑 주석 산화물(FTO) 유리 기판에 직경이 5.8mm인 둥근 마스크를 붙이고, 데거사(Degussa)에서 구매한 "P25" 티타늄 산화물 나노입자와 에탄올을 섞어 만든 티타늄 산화물 페이스트를 마스크 안에 코팅하였다. 코팅 직후 마스크를 제거하여 공기 중에서 약 10초간 건조시킨 후 페이스트 위에 불소 도핑 주석 산화물(FTO)이 형성된 다른 유리 기판을 적층하고, 열을 가하지 않으면서 프레스로 압착 후 분리시켜 두 개의 불소 도핑 주석 산화물(FTO) 위에 티타늄 산화물 미립자층을 각각 형성하였다. 프레스의 압착 압력은 600MPa이다.A 5.8 mm diameter round mask is attached to the cleaned fluorine-doped tin oxide (FTO) glass substrate, and a titanium oxide paste made from a mixture of "P25" titanium oxide nanoparticles and ethanol purchased from Degussa is coated in the mask. It was. Immediately after coating, the mask was removed, dried in air for about 10 seconds, and another glass substrate on which the fluorine-doped tin oxide (FTO) was formed was laminated on the paste, and pressed and separated by pressing without applying heat to the two fluorine-doped tin oxides ( Titanium oxide fine particle layers were formed on FTO). The pressing pressure of the press is 600 MPa.
솔라로닉스 사의 루테늄 염료인 N-719 염료에 아세토니트릴과 4-터셔리-부탄올 용매를 이용하여 0.3mM 염료 용액을 제조하고, 티타늄 산화물 미립자층 위에 마스크를 부착하여 티타늄 산화물 미립자층만 염료 용액과 닿을 수 있게 한 뒤 100℃로 가열된 핫 플레이트 위에 제1 기판을 배치하였다. 티타늄 산화물 미립자층을 80℃로 가열한 후 염료 용액을 마이크로 피펫을 이용하여 티타늄 산화물 미립자층 표면에 300㎕까지의 양으로 6분간 적셔주었다.A 0.3 mM dye solution was prepared using acetonitrile and 4-tertary-butanol solvent in N-719, a ruthenium dye made by Solaronics, and a mask was attached on the titanium oxide fine particle layer so that only the titanium oxide fine particle layer could come into contact with the dye solution. And then placed the first substrate on a hot plate heated to 100 ° C. The titanium oxide fine particle layer was heated to 80 ° C., and then the dye solution was wetted for 6 minutes in an amount of up to 300 μl on the surface of the titanium oxide fine particle layer using a micro pipette.
(실시예 2)(Example 2)
티타늄 페이스트 압착 과정에서 50℃로 열을 가한 것을 제외하고 실시예 1과 같은 공정으로 티타늄 산화물 미립자층을 형성하고, 비교예 1과 같은 방법으로 티타늄 산화물 미립자층에 염료를 흡착시켜 광 흡수층을 형성하였다. 광 흡수층을 제외한 나머지 부재들은 비교예 1과 같은 공정을 적용하였다.A titanium oxide fine particle layer was formed in the same manner as in Example 1 except that heat was applied at 50 ° C. in the titanium paste pressing process, and a dye absorbed into the titanium oxide fine particle layer in the same manner as in Comparative Example 1 to form a light absorbing layer. . Except for the light absorbing layer, the same members as in Comparative Example 1 were applied.
(실시예 3)(Example 3)
티타늄 산화물 반도체층 형성을 위한 티타늄 페이스트 압착 과정에서 50℃로 열을 가하고, 압착 시간을 1분부터 10분까지 조절하였으며, 염료 흡착 과정에서 염료 용액을 티타늄 산화물 반도체층 표면에 200㎕부터 50㎕의 양으로 350㎕까지 각각 4분부터 7분 동안 적셔준 것을 제외하고 실시예 1과 같은 공정으로 염료 감응형 태양 전지를 제조하였다.Heat was applied at 50 ° C. in the titanium paste pressing process for forming the titanium oxide semiconductor layer, and the pressing time was controlled from 1 minute to 10 minutes. In the dye adsorption process, the dye solution was 200 μl to 50 μl on the surface of the titanium oxide semiconductor layer. A dye-sensitized solar cell was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount was soaked in an amount of 350 μl for 4 to 7 minutes, respectively.
염료 감응형 태양 전지의 효율을 측정하기 위하여, 비교예들 및 실시예들의염료 감응형 태양 전지들을 뉴포트(Newport) 사의 솔라 시뮬레이터와 Keithley 사의 Model 2400 source meter를 이용하여 전류-전압 곡선을 얻었으며, 면적은 25㎟, 빛의 세기는 100mW/㎠으로 설정하였다. 이때 측정된 단락 전류(Jsc, short-circuit photocurrent density), 개방 전압(Voc, open circuit volate), 필팩터(FF, fill factor), 및 광전 변환 효율(IPCE, incident photon-to-current conversion efficiency) 값을 하기 표 1에 나타내었다.In order to measure the efficiency of dye-sensitized solar cells, the dye-sensitized solar cells of the comparative examples and examples were obtained with a current-voltage curve using a Newport solar simulator and a Keithley Model 2400 source meter. , The area was set to 25 mm 2, and the light intensity was set to 100 mW / cm 2. Short-circuit photocurrent density (Jsc), open circuit volate (Voc), fill factor (FF), and incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) The values are shown in Table 1 below.
표 1을 참고하면, 비교예 2가 가장 높은 광전 변환 효율을 보이고 있으나, 비교예 1, 2는 통상의 스크린 프린터를 이용하여 금속 산화물 미립자층을 형성한 것으로서 고온 처리 공정이면서 공정이 복잡한 문제가 있다. 이러한 문제를 해소한 실시예 1, 2, 3에 따른 태양 전지는 비교예 1, 2 대비 유사한 광전 변환 효율을 확보하면서 재료 낭비를 줄이고 생산성을 높이는 효과를 구현하고 있다.Referring to Table 1, Comparative Example 2 shows the highest photoelectric conversion efficiency, but Comparative Examples 1 and 2 form a metal oxide fine particle layer using a conventional screen printer, which has a high temperature treatment process and a complicated process. . The solar cells according to Examples 1, 2, and 3, which solves this problem, realize a similar photoelectric conversion efficiency compared to Comparative Examples 1 and 2 while reducing material waste and increasing productivity.
또한, 금속 산화물 미립자층을 가열하고 염료 용액을 분사 또는 분무하는 염료 흡착 방법 적용시 광 흡수층 제작 시간은 24시간에서 7분 이내로 단축된다. 따라서 공정 시간을 효과적으로 줄이고, 광전 변환 효율이 더 높은 염료 감응형 태양 전지를 제조할 수 있다.In addition, when the dye adsorption method of heating the metal oxide fine particle layer and spraying or spraying the dye solution is applied, the light absorbing layer manufacturing time is shortened from 24 hours to 7 minutes. Therefore, it is possible to effectively reduce the process time and to manufacture a dye-sensitized solar cell with higher photoelectric conversion efficiency.
도 4a는 본 실시예의 방법으로 제조된 금속 산화물 미립자층의 주사전자현미경 사진이고, 도 4b는 금속 산화물 미립자층에 담금법을 이용하여 염료를 흡착시킨 광 흡수층의 주사전자현미경 사진이며, 도 4c는 금속 산화물 미립자층을 가열 후 염료 용액을 분사하여 염료를 흡착시킨 광 흡수층의 주사전자현미경 사진이다.FIG. 4A is a scanning electron micrograph of a metal oxide fine particle layer prepared by the method of this embodiment, FIG. 4B is a scanning electron micrograph of a light absorbing layer adsorbed dye using a immersion method on the metal oxide fine particle layer, and FIG. 4C is a metal It is a scanning electron micrograph of the light absorption layer in which the dye fine particle is adsorbed by heating the oxide fine particle layer and then spraying the dye solution.
도 4a 내지 도 4c를 참고하면, 금속 산화물 미립자층이 압착되어 견고한 단면 구조를 가지고 있음을 할 수 있다. 다만 도 4b의 경우 염료 용액에 24시간 동안 담가 두었기 때문에 염료 용액이 금속 산화물 미립자층의 접촉성이 약한 부분에 침투하여 미립자들 사이의 전기 전도성을 저하시킬 수 우려가 있으나 도 4c의 경우에는 염료 흡착이 6분 만에 이루어지기 때문에 그러한 우려가 없으며, 광 흡수층의 전기 전도성과 견고성을 높이는데 보다 유리하다.4A to 4C, the metal oxide fine particle layer may be compressed to have a rigid cross-sectional structure. However, since the dye solution is immersed in the dye solution for 24 hours in FIG. 4B, the dye solution may penetrate into the weak contact portion of the metal oxide fine particle layer, thereby lowering the electrical conductivity between the fine particles. Since the adsorption takes place in 6 minutes, there is no such concern, and it is more advantageous for increasing the electrical conductivity and robustness of the light absorbing layer.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of course.
100: 염료 감응형 태양 전지 10: 제1 기판
11: 제1 전극 12: 페이스트
13: 금속 산화물 미립자층 14: 염료
15: 광 흡수층 20: 제2 기판
21: 제2 전극 30: 밀봉재
31: 전해질100: dye-sensitized solar cell 10: first substrate
11: first electrode 12: paste
13: metal oxide fine particle layer 14: dye
15: light absorbing layer 20: second substrate
21: second electrode 30: sealing material
31: electrolyte
Claims (9)
어느 하나의 제1 전극 위에 금속 산화물 미립자들을 포함하는 페이스트를 도포 후 건조시키는 단계;
한 쌍의 제1 전극이 상기 페이스트를 사이에 두고 마주하도록 상기 페이스트 위에 다른 제1 전극이 형성된 제1 기판을 적층하는 단계;
상기 페이스트를 압착 후 상기 한 쌍의 제1 기판을 분리시켜 상기 한 쌍의 제1 전극 위 각각에 금속 산화물 미립자층을 형성하는 단계; 및
상기 금속 산화물 미립자층에 염료를 흡착시켜 광 흡수층을 형성하는 단계
를 포함하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.Preparing a plurality of first substrates on which first electrodes are formed;
Applying and drying a paste including metal oxide fine particles on any one first electrode;
Stacking a first substrate on which the other first electrode is formed so that a pair of first electrodes face each other with the paste interposed therebetween;
Pressing the paste to separate the pair of first substrates to form metal oxide fine particle layers on each of the pair of first electrodes; And
Adsorbing a dye to the metal oxide fine particle layer to form a light absorbing layer
Method for producing a dye-sensitized solar cell comprising a.
상기 금속 산화물 미립자들은 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 주석 산화물(SnO2), 및 니오븀 산화물(Nb2O5)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 1,
The metal oxide fine particles include titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), and niobium oxide (Nb 2 O 5 ). Method for producing a dye-sensitized solar cell comprising at least one selected from the group consisting of.
상기 페이스트는 용매로서 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 4-터셔리-부탄올, 물, 및 아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 2,
And the paste comprises at least one selected from the group consisting of ethanol, methanol, propanol, butanol, 4-tertiary-butanol, water, and acetic acid as a solvent.
상기 페이스트를 압착할 때 1MPa 내지 10GPa의 범위에 속하는 압력이 1초 내지 30분 인가되는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 1,
When the paste is pressed, a pressure in the range of 1 MPa to 10 GPa is applied for 1 second to 30 minutes.
상기 페이스트를 압착할 때 30℃ 내지 150℃의 범위에 속하는 온도로 상기 페이스트를 가열하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 4, wherein
A method for producing a dye-sensitized solar cell, wherein the paste is heated to a temperature in the range of 30 ° C. to 150 ° C. when the paste is pressed.
상기 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 금속 산화물 미립자층을 가열하고, 가열된 상기 금속 산화물 미립자층의 표면에 염료 용액을 분사 또는 분무하여 상기 염료를 흡착시키는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 5,
In the step of forming the light absorbing layer, the method of manufacturing a dye-sensitized solar cell by heating the metal oxide fine particle layer and adsorbing the dye by spraying or spraying a dye solution on the surface of the heated metal oxide fine particle layer.
상기 금속 산화물 미립자층의 가열 온도는 80℃ 내지 90℃의 범위에 속하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 6,
The heating temperature of the said metal oxide fine particle layer is a manufacturing method of the dye-sensitized solar cell which belongs to the range of 80 degreeC-90 degreeC.
상기 염료 용액은 염료로서 카르복실산 계열, 인산 계열, 붕산 계열, 헥살릭산 계열, 히드로키삼산 계열, 실란 계열, 아마이드 계열, 및 에테르 계열로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.The method of claim 6,
The dye solution is a dye-sensitized type comprising at least one material selected from the group consisting of carboxylic acid series, phosphoric acid series, boric acid series, hexalic acid series, hydrokisamic acid series, silane series, amide series, and ether series as dyes. Method for manufacturing a solar cell.
상기 염료 용액은 용매로서 에탄올, 물, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 디메틸폼 아마이드, 트리메틸시릴 브로마이드, 브롬산, 프로판올, 4-터셔리-부탄올, 황산, 페놀, 이염화탄소, 및 삼염화탄소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법.9. The method of claim 8,
The dye solution is selected from the group consisting of ethanol, water, toluene, tetrahydrofuran, dimethylformamide, trimethylsilyl bromide, bromic acid, propanol, 4-tert-butanol, sulfuric acid, phenol, carbon dichloride, and carbon trichloride as solvents. A method of manufacturing a dye-sensitized solar cell comprising at least one selected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110036824A KR101709198B1 (en) | 2011-04-20 | 2011-04-20 | Manufacturing method of dye sensitized solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110036824A KR101709198B1 (en) | 2011-04-20 | 2011-04-20 | Manufacturing method of dye sensitized solar cell |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120119073A true KR20120119073A (en) | 2012-10-30 |
KR101709198B1 KR101709198B1 (en) | 2017-02-23 |
Family
ID=47286391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110036824A KR101709198B1 (en) | 2011-04-20 | 2011-04-20 | Manufacturing method of dye sensitized solar cell |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101709198B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101410061B1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-06-30 | 국민대학교산학협력단 | Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing thereof |
KR101454397B1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-10-29 | 한국전기연구원 | The method of Dye-sensitized solar cells employing cobalt-complex-based electrolyte |
KR101476743B1 (en) * | 2014-01-07 | 2014-12-30 | 포항공과대학교 산학협력단 | Method for manufacturing dye sensitized solar cells and dye sensitized solar cells manufactured by the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010042070A (en) * | 1998-03-20 | 2001-05-25 | 고스티치 엠. | Multilayer photovoltaic or photoconductive devices |
US20060038290A1 (en) * | 1997-09-08 | 2006-02-23 | Avto Tavkhelidze | Process for making electrode pairs |
WO2008071413A2 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Sony Deutschland Gmbh | A method of preparing a porous semiconductor film on a substrate |
KR20100088310A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-09 | 한국과학기술연구원 | Electrodes comprising metal oxide-polymer composite and preparation method thereof, and dye-sensitized solar cells using the same |
-
2011
- 2011-04-20 KR KR1020110036824A patent/KR101709198B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060038290A1 (en) * | 1997-09-08 | 2006-02-23 | Avto Tavkhelidze | Process for making electrode pairs |
KR20010042070A (en) * | 1998-03-20 | 2001-05-25 | 고스티치 엠. | Multilayer photovoltaic or photoconductive devices |
WO2008071413A2 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Sony Deutschland Gmbh | A method of preparing a porous semiconductor film on a substrate |
KR20100088310A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-09 | 한국과학기술연구원 | Electrodes comprising metal oxide-polymer composite and preparation method thereof, and dye-sensitized solar cells using the same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101454397B1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-10-29 | 한국전기연구원 | The method of Dye-sensitized solar cells employing cobalt-complex-based electrolyte |
KR101410061B1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-06-30 | 국민대학교산학협력단 | Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing thereof |
KR101476743B1 (en) * | 2014-01-07 | 2014-12-30 | 포항공과대학교 산학협력단 | Method for manufacturing dye sensitized solar cells and dye sensitized solar cells manufactured by the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101709198B1 (en) | 2017-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180308643A1 (en) | Dye-Sensitized Solar Cell and a Method for Manufacturing the Solar Cell | |
KR100658263B1 (en) | Tandem structured photovoltaic cell and preparation method thereof | |
JP5678345B2 (en) | Dye-sensitized solar cell and method for producing the same | |
JP4446011B2 (en) | Method for producing photoelectrode for dye-sensitized solar cell, photoelectrode for dye-sensitized solar cell, and dye-sensitized solar cell | |
JP2009110796A (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element module, its manufacturing method, and electronic device | |
KR20080079894A (en) | Dye-sensitized solar cell and preparing method thereof | |
JP2008251517A (en) | Dye-sensitized solar cell module and method of manufacturing photo-electrode used in it | |
JP4969046B2 (en) | Photoelectric conversion device and photovoltaic device using the same | |
Miyasaka et al. | Plastic dye-sensitized photovoltaic cells and modules based on low-temperature preparation of mesoscopic titania electrodes | |
JP2012059599A (en) | Carbon based electrode and electrochemical device | |
JP2007018909A (en) | Manufacturing method for photoelectric conversion device | |
KR100854712B1 (en) | Counter electrodes equipped carbon compound layer for dye-sensitized photovoltaic cell and method for preparing the same | |
KR101709198B1 (en) | Manufacturing method of dye sensitized solar cell | |
JP5005206B2 (en) | Working electrode of dye-sensitized solar cell, dye-sensitized solar cell including the same, and method for producing working electrode of dye-sensitized solar cell | |
KR101219330B1 (en) | Dye-sensitized solar cell module and method for manufacturing the same | |
CN112038363A (en) | Organic laminated solar cell unit and preparation method thereof | |
KR101207603B1 (en) | Method for absorbing dye on substrate for dye sensitized solar cell and solar cell produced by using the same | |
KR101362676B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor electrode and dye-sensitized solar cell comprising the semiconductor electrode manufactured by the method | |
WO2018181393A1 (en) | Laminate and manufacturing method of organic solar battery | |
WO2011132288A1 (en) | Method for producing electrode for photoelectric conversion element | |
JP5846984B2 (en) | Electric module and method of manufacturing electric module | |
JP2006344507A (en) | Electrode for photoelectric conversion, and its manufacturing method | |
Hsu et al. | Highly efficient quasi-solid state flexible dye-sensitized solar cells using a compression method and light-confined effect for preparation of TiO2 photoelectrodes | |
JP6538018B2 (en) | Dye-sensitized solar cell module | |
KR101600786B1 (en) | Manufacturing method for the dye-sensitized solar cell sub-module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200203 Year of fee payment: 4 |